KR20130000504A - Method of fabricating nano wire and nano wire complex - Google Patents

Method of fabricating nano wire and nano wire complex Download PDF

Info

Publication number
KR20130000504A
KR20130000504A KR1020110061028A KR20110061028A KR20130000504A KR 20130000504 A KR20130000504 A KR 20130000504A KR 1020110061028 A KR1020110061028 A KR 1020110061028A KR 20110061028 A KR20110061028 A KR 20110061028A KR 20130000504 A KR20130000504 A KR 20130000504A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
seed particles
metal
solvent
nanowires
nanowire
Prior art date
Application number
KR1020110061028A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최준락
문종운
유영선
채경훈
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110061028A priority Critical patent/KR20130000504A/en
Priority to US14/128,791 priority patent/US20140220341A1/en
Priority to CN201280030925.XA priority patent/CN103635418B/en
Priority to TW101122680A priority patent/TWI568666B/en
Priority to PCT/KR2012/004977 priority patent/WO2012177093A2/en
Publication of KR20130000504A publication Critical patent/KR20130000504A/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/24—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054—Nanosized particles
    • B22F1/0547—Nanofibres or nanotubes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/24—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
    • B22F2009/245—Reduction reaction in an Ionic Liquid [IL]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
    • B22F2301/25—Noble metals, i.e. Ag Au, Ir, Os, Pd, Pt, Rh, Ru
    • B22F2301/255—Silver or gold
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
    • Y10T428/2927—Rod, strand, filament or fiber including structurally defined particulate matter

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Chemical Or Physical Treatment Of Fibers (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

PURPOSE: A manufacturing method of nanowires capable of obtaining the thin and long silver nanowires and a nanowire composite are provided to form the small diameter metal nanowires by using seed particles. CONSTITUTION: A manufacturing method of nanowires comprises the following steps: forming a plurality of seed particles by reacting first ions with second ions in a solvent; and forming a metal wire by adding metal compounds to the solvent, and heating the same. The diameter of the seed particles is 5-100 nanometers. The first ions are metallic ions, and the second ions are halogen ions. The seed particles and metal compounds include the same metal. The seed particles and metal compounds include silver. The seed particles comprise silver chloride. A nanowire composite(10) includes the metal nanowires(200) and the seed particles(100).

Description

나노 와이어 제조방법 및 나노 와이어 복합체{METHOD OF FABRICATING NANO WIRE AND NANO WIRE COMPLEX}Nano wire manufacturing method and nano wire composite {METHOD OF FABRICATING NANO WIRE AND NANO WIRE COMPLEX}

실시예는 나노 와이어 제조방법 및 나노 와이어 복합체에 관한 것이다.The embodiment relates to a nanowire manufacturing method and a nanowire composite.

디스플레이 장치, 태양 전지, 모바일 장치 등의 다양한 전자 제품에서 투명 도전성 물질을 이용한 투명 전극이 적용되고 있다. 이러한 투명 전극을 형성하기 위한 투명 도전성 물질로 나노미터(nanometer) 수준의 크기를 가지는 와이어 형상 구조체인 나노 와이어에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. Background Art A transparent electrode using a transparent conductive material has been applied to various electronic products such as display devices, solar cells, and mobile devices. As a transparent conductive material for forming such a transparent electrode, research on nanowires, which are wire-shaped structures having a size of nanometer level, is being actively conducted.

이러한 나노 와이어는 우수한 전기 전도성, 유연성 및 투과도를 지녀 투명 전극이 우수한 특성을 가지도록 할 수 있다. 그러나 나노 와이어들은 반응 과정에서 쉽게 응집하여 나노 입자를 이루게 되므로 나노 와이어의 제조가 용이 하지 않다. 이에 따라 생산 수율이 약 10% 등으로 매우 낮아 실용화에 어려움이 있다. 또한, 나노 와이어 형성 반응을 촉진하기 위하여 사용되는 촉매 등의 물질이 나노 와이어의 표면에 잔존하여 표면 산화 또는 부식을 일으키거나 전기 전도도를 저하시키는 등의 문제가 있다. Such nanowires may have excellent electrical conductivity, flexibility, and transmittance such that the transparent electrode may have excellent characteristics. However, since the nanowires are easily aggregated to form nanoparticles in the reaction process, the production of nanowires is not easy. Accordingly, the production yield is very low, such as about 10%, it is difficult to commercialize. In addition, a substance such as a catalyst used to promote the nanowire formation reaction remains on the surface of the nanowires, causing surface oxidation or corrosion, or lowering electrical conductivity.

실시예는 가늘고 긴 나노 와이어를 제공하고자 한다.The example seeks to provide an elongated nanowire.

실시예에 따른 나노 와이어의 제조방법은 용매에서 제 1 이온 및 제 2 이온을 반응시켜서, 다수 개의 시드 입자들을 형성하는 단계; 및 상기 용매에 금속 화합물을 첨가하여 가열하여 금속 나노 와이어를 형성하는 단계를 포함한다.The method of manufacturing a nanowire according to an embodiment includes reacting a first ion and a second ion in a solvent to form a plurality of seed particles; And adding a metal compound to the solvent and heating to form a metal nanowire.

일 실시예에서, 상기 제 1 이온은 금속 이온이고, 상기 제 2 이온은 할로겐 이온일 수 있다.In one embodiment, the first ion may be a metal ion, and the second ion may be a halogen ion.

일 실시예에서, 상기 시드 입자들 및 상기 금속 화합물은 동일한 금속을 포함할 수 있다.In one embodiment, the seed particles and the metal compound may comprise the same metal.

일 실시예에서, 상기 시드 입자들 및 상기 금속 화합물은 은을 포함할 수 있다.In one embodiment, the seed particles and the metal compound may include silver.

일 실시예에서, 상기 시드 입자들은 염화 은을 포함할 수 있다.In one embodiment, the seed particles may comprise silver chloride.

실시예에 따른 나노 와이어 복합체는 금속 나노 와이어; 및 상기 금속 나노 와이어에 결합되는 시드 입자를 포함하고, 상기 시드 입자의 직경은 5㎚ 내지 100㎚이다.Nanowire composite according to the embodiment is a metal nanowire; And seed particles bonded to the metal nanowires, wherein the seed particles have a diameter of 5 nm to 100 nm.

일 실시예에서, 상기 시드 입자는 상기 금속 나노 와이어 내 또는 일 끝단에 배치될 수 있다.In one embodiment, the seed particles may be disposed in or at one end of the metal nanowires.

실시예에 따른 나노 와이어의 제조방법은 상기 용매에서 상기 시드 입자들을 형성한 후, 상기 시드 입자들을 사용하여, 상기 금속 나노 와이어를 형성한다. 이때, 실시예에 따른 나노 와이어의 제조방법에 의해서, 상기 시드 입자들의 직경은 적절하게 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 시드 입자들의 직경은 약 5㎚ 내지 100㎚로 매우 작을 수 있다.In the method of manufacturing a nanowire according to an embodiment, after forming the seed particles in the solvent, the seed particles are used to form the metal nanowires. In this case, by the method of manufacturing a nanowire according to the embodiment, the diameter of the seed particles can be appropriately controlled. For example, the diameter of the seed particles may be very small, about 5 nm to 100 nm.

이때, 상기 금속 나노 와이어는 상기 시드 입자로부터 성장되어 형성될 수 있는데, 상기 시드 입자들의 직경이 매우 작기 때문에, 상기 금속 나노 와이어는 매우 가는 직경을 가질 수 있다.In this case, the metal nanowires may be formed by growing from the seed particles. Since the diameters of the seed particles are very small, the metal nanowires may have very thin diameters.

도 1은 실시예에 따른 나노 와이어 제조방법을 도시한 블럭도이다.
도 2는 실시예에 따른 나노 와이어 복합체를 도시한 도면이다.
도 3은 나노 와이어 복합체의 다른 예를 도시한 도면이다.1 is a block diagram showing a nanowire manufacturing method according to an embodiment.
2 illustrates a nanowire composite according to an embodiment.
3 is a diagram illustrating another example of the nanowire composite.

실시예에 따른 나노 와이어의 제조방법은 용매에서 제 1 이온 및 제 2 이온을 반응시켜서, 다수 개의 시드 입자들을 형성하는 단계; 및 상기 용매에 금속 화합물을 첨가하여 가열하여 금속 나노 와이어를 형성하는 단계를 포함한다.The method of manufacturing a nanowire according to an embodiment includes reacting a first ion and a second ion in a solvent to form a plurality of seed particles; And adding a metal compound to the solvent and heating to form a metal nanowire.

또한, 상기 제 1 이온은 금속 이온이고, 상기 제 2 이온은 할로겐 이온일 수 있다.In addition, the first ion may be a metal ion, and the second ion may be a halogen ion.

또한, 상기 시드 입자들 및 상기 금속 화합물은 동일한 금속을 포함할 수 있다.In addition, the seed particles and the metal compound may include the same metal.

또한, 상기 시드 입자들 및 상기 금속 화합물은 은을 포함할 수 있다.In addition, the seed particles and the metal compound may include silver.

또한, 상기 시드 입자들은 염화 은을 포함할 수 있다.In addition, the seed particles may comprise silver chloride.

또한, 상기 시드 입자들의 직경은 약 5㎚ 내지 약 100㎚일 수 있다.In addition, the seed particles may have a diameter of about 5 nm to about 100 nm.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시예에 따른 나노 와이어 제조방법을 도시한 블럭도이다.1 is a block diagram showing a nanowire manufacturing method according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 나노 와이어 제조 방법은, 용매를 가열하는 단계(ST10), 상기 용매에 캡핑제를 첨가하는 단계(ST20), 상기 용매에 다수 개의 시드 입자들을 형성하는 단계(ST30), 용매에 제 4 금속 화합물을 첨가하는 단계(ST40), 용매에 상온의 용매를 추가로 첨가하는 단계(ST50) 및 나노 와이어를 정제하는 단계(ST60)를 포함할 수 있다. 이러한 단계들은 모두 필수적인 것은 아니며 제조 방법에 따라 일부 단계가 수행되지 않을 수 있으며 각 단계의 순서가 바뀔 수도 있다. 상술한 각 단계를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다. Referring to Figure 1, the nanowire manufacturing method according to the invention, the step of heating a solvent (ST10), adding a capping agent to the solvent (ST20), forming a plurality of seed particles in the solvent ( ST30), adding a fourth metal compound to the solvent (ST40), adding a solvent at room temperature to the solvent (ST50), and purifying the nanowires (ST60). Not all of these steps are necessary and depending on the manufacturing method, some steps may not be performed and the order of each step may be changed. Each step described above will be described in more detail as follows.

용매를 가열하는 단계(ST10)에서는, 용매를 금속 나노 와이어의 형성에 적합한 반응 온도로 가열한다. In the step of heating the solvent (ST10), the solvent is heated to a reaction temperature suitable for the formation of the metal nanowires.

용매로는 폴리올(polyol)을 사용할 수 있다. 이러한 폴리올은 다른 물질들을 혼합하는 용매로서의 역할과 함께, 약한 환원제(mile reducing agent)의 역할을 함께 수행하여 금속 나노 와이어 형성을 도울 수 있다. 이러한 폴리올로는 일례로 에틸렌글라이콜(EG), 프로필렌글라이콜(PG), 글리세린, 글리세롤, 글루코스 등을 들 수 있다. 반응 온도는 용매, 금속 화합물의 종류 및 특성을 고려하여 다양하게 조절될 수 있다. A polyol may be used as the solvent. Such polyols can serve to form metal nanowires by acting as a mile reducing agent together with a solvent for mixing different materials. Examples of such polyols include ethylene glycol (EG), propylene glycol (PG), glycerin, glycerol, glucose and the like. The reaction temperature may be variously adjusted in consideration of the type and characteristics of the solvent and the metal compound.

일례로, 환원력이 우수한 프로필렌글라이콜을 용매로 사용하여 은 나노 와이어를 형성하는 경우에는 반응 온도가 80~140℃일 수 있다. 반응 온도가 80℃ 미만인 경우에는 반응 속도가 작아 반응이 원활하지 않을 수 있으며 공정 시간이 길어질 수 있다. 반응 온도가 140℃를 초과하는 경우에는 응집 현상에 의하여 은 나노 와이어의 형상을 가지기 어려울 수 있으며 생산 수율이 저하될 수 있다. For example, when forming silver nanowires using propylene glycol having excellent reducing power as a solvent, the reaction temperature may be 80 to 140 ° C. If the reaction temperature is less than 80 ℃ reaction rate is small, the reaction may not be smooth and the process time may be long. When the reaction temperature exceeds 140 ℃ it may be difficult to have the shape of the silver nanowires by the aggregation phenomenon and the production yield may be lowered.

이와 같이 본 실시예에서는 환원력이 우수한 프로필렌글라이콜을 용매로 사용하여 종래(일례로, 반응 온도가 160℃)보다 낮은 반응 온도에서 은 나노 와이어를 제조할 수 있다. 종래에는 반응 온도가 고온이어서 네트워크 형성에 불리한 짧은 길이(일례로, 5㎛ 미만)의 은 나노 와이어들을 형성할 수 있었으며 생산 수율 또한 낮았다. 반면, 본 실시예에서는 반응 온도를 낮춰 길이가 20㎛ 이상인 은 나노 와이어들을 높은 수율로 제조할 수 있다. As such, in the present embodiment, silver nanowires may be manufactured at a reaction temperature lower than that of the related art (for example, the reaction temperature is 160 ° C.) using propylene glycol having excellent reducing power as a solvent. Conventionally, the reaction temperature was high so that silver nanowires of short length (for example, less than 5 μm) could be formed, which is disadvantageous for network formation, and the production yield was also low. On the other hand, in the present embodiment it is possible to manufacture a high yield of silver nanowires having a length of 20㎛ or more by lowering the reaction temperature.

이어서, 용매에 캡핑제를 첨가하는 단계(ST20)에서는, 와이어 형성을 유도하는 캡핑제를 용매에 첨가한다. 나노 와이어 형성을 위한 환원이 너무 빠르게 이루어지면 금속들이 응집되면서 와이어 형상을 이루기 어려운바, 이러한 캡핑제는 용매 내의 물질 들이 적절하게 분산되도록 하여 응집을 방지하는 역할을 한다. Next, in the step of adding a capping agent to the solvent (ST20), a capping agent for inducing wire formation is added to the solvent. If the reduction for forming the nanowire is made too fast, it is difficult to form a wire shape as the metals aggregate, such a capping agent serves to prevent the aggregation by properly dispersing the material in the solvent.

캡핑제로는 다양한 물질을 사용할 수 있는데, 일례로, 폴리비닐필롤리딘(PVP), 폴리비닐알콜(PVA), 세틸트리메틸암모늄브로마이드(CTAB), 세틸트리메틸암모늄클로라이드(CTAC), 폴리아크릴아마이드(PAA) 등을 사용할 수 있다. As the capping agent, various materials may be used. For example, polyvinylpyrrolidine (PVP), polyvinyl alcohol (PVA), cetyltrimethylammonium bromide (CTAB), cetyltrimethylammonium chloride (CTAC), polyacrylamide (PAA) ) Can be used.

이어서, 상기 용매에 다수 개의 시드 입자들을 형성하는 단계(ST30)에서는, 제 1 금속 화합물 및 제 2 금속 화합물을 상기 용매에 첨가시킨다. 이에 따라서, 상기 제 1 금속 화합물에 포함된 제 1 이온 및 상기 제 2 금속 화합물에 포함된 제 2 이온이 서로 반응하여, 상기 시드 입자들이 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 1 이온 및 상기 제 2 이온이 서로 반응하여, 제 3 금속 화합물이 형성되고, 상기 시드 입자들은 상기 제 3 금속 화합물을 포함할 수 있다.Subsequently, in the step of forming a plurality of seed particles in the solvent (ST30), a first metal compound and a second metal compound are added to the solvent. Accordingly, the seed particles may be formed by reacting the first ion included in the first metal compound and the second ion included in the second metal compound. In this case, the first ion and the second ion react with each other to form a third metal compound, and the seed particles may include the third metal compound.

상기 제 1 이온은 금속 이온일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 이온은 금 이온, 은 이온, 백금 이온 또는 팔라듐 이온일 수 있다.The first ion may be a metal ion. In more detail, the first ion may be a gold ion, silver ion, platinum ion, or palladium ion.

상기 제 2 이온은 할로겐 이온일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 이온은 염소 이온, 브롬 이온 또는 요오드 이온일 수 있다.The second ion may be a halogen ion. In more detail, the second ion may be a chlorine ion, bromine ion or iodine ion.

즉, 상기 시드 입자들에 포함되는 제 3 금속 화합물은 다음과 같은 화학식1로 표시될 수 있다.That is, the third metal compound included in the seed particles may be represented by Formula 1 below.

화학식1Formula 1

MXMX

여기서, X는 Cl, Br 또는 I이고, M은 Au, Ag, Pt 또는 Pd이다.Wherein X is Cl, Br or I and M is Au, Ag, Pt or Pd.

상기 제 3 금속 화합물은 상기 용매에 대하여, 매우 낮은 용해도를 가질 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 3 금속 화합물은 상기 용매에서 석출되어, 상기 시드 입자들을 형성할 수 있다.The third metal compound may have a very low solubility in the solvent. Accordingly, the third metal compound may be precipitated in the solvent to form the seed particles.

상기 시드 입자들은 매우 작은 직경을 가질 수 있다. 상기 시드 입자들의 직경은 약 1㎚ 내지 약 1㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 시드 입자들의 직경은 약 5㎚ 내지 약 100㎚일 수 있다. 이와 같이 형성된 시드 입자들은 상기 용매에 균일하게 분산될 수 있다. The seed particles may have a very small diameter. The seed particles may have a diameter of about 1 nm to about 1 μm. In more detail, the seed particles may have a diameter of about 5 nm to about 100 nm. The seed particles thus formed may be uniformly dispersed in the solvent.

상기 제 1 금속 화합물 및 상기 제 2 금속 화합물의 몰비는 약 1:1일 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속 화합물은 상기 용매에 약 0.0001wt% 내지 약 0.3wt%의 비율로 첨가될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속 화합물은 상기 용매에 약 0.0001wt% 내지약 0.3wt%의 비율로 첨가될 수 있다.The molar ratio of the first metal compound and the second metal compound may be about 1: 1. In addition, the first metal compound may be added to the solvent in a ratio of about 0.0001 wt% to about 0.3 wt%. In addition, the second metal compound may be added to the solvent in a ratio of about 0.0001 wt% to about 0.3 wt%.

상기 제 1 금속 화합물은 상기 제 1 이온을 포함하는 염일 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속 화합물은 질산염일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 금속 화합물은 질산은일 수 있다.The first metal compound may be a salt containing the first ion. In addition, the first metal compound may be nitrate. In more detail, the first metal compound may be silver nitrate.

상기 제 2 금속 화합물은 상기 제 2 이온을 포함하는 염일 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속 화합물은 나트륨염일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 금속 화합물은 염화 나트륨일 수 있다.The second metal compound may be a salt containing the second ion. In addition, the second metal compound may be a sodium salt. In more detail, the second metal compound may be sodium chloride.

이어서, 상기 용매에 상기 제 4 금속 화합물을 첨가하는 단계(ST40)에서는 상기 용매에 상기 제 4 금속 화합물을 첨가하여 반응 용액을 형성한다. Subsequently, in the step of adding the fourth metal compound to the solvent (ST40), the fourth metal compound is added to the solvent to form a reaction solution.

이때, 상기 제 4 금속 화합물은 별도의 용매에 녹인 상태로 캡핑제가 첨가되고, 상기 시드 입자들이 형성된 용매에 첨가될 수 있다. 별도의 용매로는 최초로 사용한 용매와 동일한 물질 또는 다른 물질을 사용할 수 있다. 그리고, 제 4 금속 화합물은 상기 시드 입자들이 형성된 후, 일정 시간이 지난 후에 첨가될 수 있다. 이는 온도를 적절한 반응 온도로 안정화하기 위한 것이다.In this case, the fourth metal compound may be added to the capping agent in a state dissolved in a separate solvent, and to the solvent in which the seed particles are formed. As a separate solvent, the same material or different materials as the solvent used for the first time may be used. The fourth metal compound may be added after a predetermined time after the seed particles are formed. This is to stabilize the temperature to an appropriate reaction temperature.

여기서, 제 4 금속 화합물은 제조를 원하는 금속 나노 와이어를 형성하기 위한 금속을 포함한 화합물이다. 은 나노 와이어를 형성하고자 할 경우에는 금속 화합물로 AgNO3, KAg(CN)2 등을 사용할 수 있다. Here, the fourth metal compound is a compound containing a metal for forming the metal nanowires to be manufactured. In order to form silver nanowires, AgNO 3 , KAg (CN) 2 , or the like may be used as the metal compound.

이와 같이 상기 캡핑제 및 상기 시드 입자들을 포함하는 용매에 상기 제 4 금속 화합물을 첨가하면 반응이 일어나면서 금속 나노 와이어의 형성이 시작된다. 이때, 상기 금속 나노 와이어는 상기 시드 입자들을 시작점으로 성장될 수 있다. 즉, 상기 제 4 금속 화합물이 환원되어 석출되는 금속은 상기 시드 입자들로부터 각각 성장되어, 상기 금속 나노 와이어를 형성할 수 있다. As such, when the fourth metal compound is added to the solvent including the capping agent and the seed particles, the reaction occurs and the formation of the metal nanowire is started. In this case, the metal nanowires may be grown as starting points of the seed particles. That is, the metal in which the fourth metal compound is reduced and precipitated may be grown from the seed particles, respectively, to form the metal nanowires.

이때, 상기 시드 입자들은 매우 작은 직경을 가지기 때문에, 상기 금속 나노 와이어도 작은 직경을 가지면서 성장될 수 있다.In this case, since the seed particles have a very small diameter, the metal nanowires may also be grown with a small diameter.

상기 금속 나노 와이어의 성장이 완료된 후, 상기 시드 입자들은 정제 공정 등과 같은 이후의 공정에 의해서, 제거될 수 있다. 즉, 이후의 공정에서, 상기 시드 입자들은 상기 금속 나노 와이어로부터 떨어지고, 제거될 수 있다.After the growth of the metal nanowires is completed, the seed particles may be removed by a subsequent process, such as a purification process. That is, in a subsequent process, the seed particles may be removed from the metal nanowires and removed.

하지만, 상기 시드 입자들 중 일부는 남아 있을 수 있다. 이에 따라서, 본 실시예에 따른 금속 나노 와이어에는 상기 제 3 금속 화합물이 일부 검출될 수 있다.However, some of the seed particles may remain. Accordingly, some of the third metal compounds may be detected in the metal nanowires according to the present embodiment.

즉, 상기 시드 입자들은 상기 금속 나노 와이어와 결합하여, 나노 와이어 복합체를 형성할 수 있다.That is, the seed particles may be combined with the metal nanowires to form a nanowire composite.

도 2는 실시예에 따른 나노 와이어 복합체를 도시한 도면이다. 도 3은 나노 와이어 복합체의 다른 예를 도시한 도면이다.2 illustrates a nanowire composite according to an embodiment. 3 is a diagram illustrating another example of the nanowire composite.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 금속 나노 와이어 중 일부는 나노 와이어 복합체(10, 11)의 형태를 가질 수 있다. 상기 시드 입자(100)는 상기 금속 나노 와이어(200)에 결합된다. 상기 금속 나노 와이어 중 상기 나노 와이어 복합체(10, 11) 형태의 비는 약 0.1% 내지 0.001%일 수 있다.As shown in FIGS. 2 and 3, some of the metal nanowires may have the form of nanowire composites 10 and 11. The seed particles 100 are bonded to the metal nanowires 200. The ratio of the nanowire composites 10 and 11 in the metal nanowires may be about 0.1% to 0.001%.

특히, 도 2에 도시되 바와 같이, 상기 시드 입자(100)는 상기 금속 나노 와이어(200)의 일 끝단에 배치될 수 있다. 이와는 다르게, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 시드 입자(110)는 상기 금속 나노 와이어(200) 내에 배치될 수 있다.In particular, as shown in FIG. 2, the seed particles 100 may be disposed at one end of the metal nanowire 200. Unlike this, as illustrated in FIG. 3, the seed particles 110 may be disposed in the metal nanowire 200.

이때, 앞서 설명한 바와 같이, 상기 시드 입자(100, 110)의 직경은 약 1㎚ 내지 약 1㎛, 더 자세하게, 약 5㎚ 내지 약 100㎚일 수 있다. 더 자세하게, 상기 시드 입자들(100, 110)의 직경은 약 10㎚ 내지 약 50㎚일 수 있다. 이와 같이, 매우 작은 직경의 시드 입자들(100, 110)이 검출되는 경우, 본 실시예에 따른 제조방법에 의해서, 상기 금속 나노 와이어가 형성된다는 것을 알 수 있다.In this case, as described above, the seed particles 100 and 110 may have a diameter of about 1 nm to about 1 μm, more specifically, about 5 nm to about 100 nm. In more detail, the seed particles 100 and 110 may have a diameter of about 10 nm to about 50 nm. As such, when seed particles 100 and 110 having a very small diameter are detected, it can be seen that the metal nanowires are formed by the manufacturing method according to the present embodiment.

본 실시예에서 캡핑제는 AgNO3, KAg(CN)2 등과 같은 금속 화합물 100 중량부에 대하여 60 내지 330 중량부만큼 첨가될 수 있다. 캡핑제가 60 중량부 미만으로 첨가된 경우에는 응집 현상을 충분히 방지할 수 없다. 그리고 캡핑제가 330 중량부를 초과하여 첨가된 경우에는 구형, 입방형과 같은 금속 나노 파티클이 형성될 수 있으며, 제조된 금속 나노 와이어에 캡핑제가 잔존하여 전기 전도도를 저하시킬 수 있다. In the present embodiment, the capping agent may be added by 60 to 330 parts by weight based on 100 parts by weight of a metal compound such as AgNO 3 , KAg (CN) 2, or the like. When the capping agent is added in less than 60 parts by weight, the agglomeration phenomenon cannot be prevented sufficiently. When the capping agent is added in excess of 330 parts by weight, metal nanoparticles such as spherical and cubic shapes may be formed, and the capping agent may remain on the manufactured metal nanowires to reduce electrical conductivity.

그리고 제 1 금속 화합물 및 상기 제 2 금속 화합물은 상기 제 4 금속 화합물 100 중량부에 대하여 0.00001 내지 0.5 중량부만큼 첨가될 수 있다. 제 1 금속 화합물 및 상기 제 2 금속 화합물이 0.00001 중량부 미만으로 첨가된 경우에는 반응을 충분히 촉진할 수 없다. 그리고 제 1 금속 화합물 및 상기 제 2 금속 화합물이 0.5 중량부를 초과하여 첨가된 경우에는 은의 환원이 급격이 진행되어 은 나노 파티클이 생성되거나 나노 와이어의 직경이 굵어지고 길이가 짧아질 수 있으며, 제조된 금속 나노 와이어에 촉매가 잔존하여 전기 전도도를 저하시킬 수 있다.The first metal compound and the second metal compound may be added by 0.00001 to 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the fourth metal compound. When the first metal compound and the second metal compound are added at less than 0.00001 parts by weight, the reaction cannot be sufficiently promoted. When the first metal compound and the second metal compound are added in excess of 0.5 parts by weight, the reduction of silver proceeds rapidly to generate silver nanoparticles or to increase the diameter of the nanowire and to shorten the length thereof. A catalyst may remain in the metal nanowires to reduce electrical conductivity.

이어서, 반응 용액에 상온의 용매를 추가로 첨가하는 단계(ST50)에서는 반응이 시작된 용매에 상온의 용매를 추가로 첨가한다. 이러한 상온의 용매는 최초로 사용한 용매와 동일한 물질 또는 다른 물질을 사용할 수 있다. 일례로, 상온의 용매로는 에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜 등의 폴리올을 사용할 수 있다. Subsequently, in the step of further adding a solvent at room temperature to the reaction solution (ST50), a solvent at room temperature is further added to the solvent at which the reaction is started. The solvent at room temperature may use the same material or different materials as the solvent used for the first time. For example, polyols such as ethylene glycol and propylene glycol may be used as the solvent at room temperature.

반응이 시작된 용매는 일정한 반응 온도 유지를 위하여 지속적으로 가열하는 것에 의하여 반응 중에 온도가 상승될 수 있는데, 상술한 바와 같이 반응이 시작된 용매에 상온의 용매를 첨가하여 용매의 온도를 일시적으로 떨어뜨려 반응 온도를 좀더 일정하게 유지시킬 수 있다. The temperature of the solvent may be increased during the reaction by continuously heating the solvent to maintain a constant reaction temperature. As described above, by adding a solvent at room temperature to the solvent at which the reaction is started, the temperature of the solvent is temporarily lowered. The temperature can be kept more constant.

상온의 용매를 추가로 첨가하는 단계(ST50)는 반응 시간, 반응 용액의 온도 등을 고려하여 한 번 또는 여러 번 수행될 수 있다. Further adding the solvent at room temperature (ST50) may be performed once or several times in consideration of the reaction time, the temperature of the reaction solution.

이어서, 나노 와이어를 정제하는 단계(ST60)는 반응 용액에서 금속 나노 와이어를 정제하여 수거한다. Subsequently, the step of purifying the nanowires (ST60) is to collect and collect the metal nanowires in the reaction solution.

좀더 상세하게는 반응 용액에, 물보다 비극성 용매인 아세톤 등을 첨가하면 금속 나노 와이어의 표면에 잔존한 캡핑제에 의하여 금속 나노 와이어가 용액의 하부에 침전된다. 이는 캡핑제가 용매 내에서는 잘 용해되나 아세톤 등에서는 용해되지 않고 응집되어 침전되기 때문이다. 그 후에 상층 용액을 버리면 캡핑제 일부와 형성된 나노 입자 등이 제거된다. More specifically, when acetone, which is a nonpolar solvent than water, is added to the reaction solution, the metal nanowires are precipitated under the solution by the capping agent remaining on the surface of the metal nanowires. This is because the capping agent dissolves well in the solvent but does not dissolve in acetone, but aggregates and precipitates. Subsequently, the supernatant solution is discarded to remove some of the capping agent and the formed nanoparticles.

남은 용액에 증류수를 첨가하면 금속 나노 와이어와 금속 나노 입자가 분산되고, 추가로 아세톤 등을 첨가하면 금속 나노 와이어는 침전되고 금속 나노 입자는 상층 용액 내에 분산된다. 그 후에 상층 용액을 버리면 캡핑제 일부와 응집에 의해 형성된 금속 나노 입자 등이 제거된다. 이러한 공정을 반복 실행하여 금속 나노 와이어를 수거한 후 이를 증류수에 보관한다. 금속 나노 와이어를 증류수에 보관하는 것에 의하여 금속 나노 와이어가 재응집되는 것을 방지할 수 있다. When the distilled water is added to the remaining solution, the metal nanowires and the metal nanoparticles are dispersed, and when acetone or the like is added, the metal nanowires are precipitated and the metal nanoparticles are dispersed in the upper solution. Subsequently, the supernatant solution is discarded to remove some of the capping agent and the metal nanoparticles formed by aggregation. This process is repeated to collect the metal nanowires and store them in distilled water. By storing the metal nanowires in distilled water, it is possible to prevent the metal nanowires from reaggregating.

앞서 설명한 바와 같이, 실시예에 따른 금속 나노 와이어 제조방법은 매우 작은 직경을 가지는 시드 입자들을 사용하여, 상기 금속 나노 와이어를 성장시킨다. 이에 따라서, 작은 직경의 금속 나노 와이어가 형성될 수 있다.
As described above, the metal nanowire manufacturing method according to the embodiment grows the metal nanowires using seed particles having a very small diameter. Accordingly, metal nanowires having a small diameter can be formed.

실험예Experimental Example

200ml의 프로필렌글라이콜을 126℃로 가열하고, 6.7g의 폴리비닐피롤리돈 및 0.1g의 브롬화 칼륨을 첨가하여 녹인 후, 0.35mmol의 나트륨염 및 0.35mmol의 질산은(AgNO3)을 첨가하여, 시드 입자들을 형성하였다. 약 10분 후에, 2.3g의 AgNO3를 100ml의 프로필렌글라이콜에 녹여 상기 폴리비닐피롤리돈 및 상기 시드 입자들을 포함하는 용액에 첨가하였다. 이후, 약 2시간 정도 반응이 계속되도록 하여, 은 나노 와이어의 형성을 완료하였다. 200 ml of propylene glycol was heated to 126 ° C, dissolved by addition of 6.7 g of polyvinylpyrrolidone and 0.1 g of potassium bromide, followed by addition of 0.35 mmol of sodium salt and 0.35 mmol of silver nitrate (AgNO 3 ). , Seed particles were formed. After about 10 minutes, 2.3 g of AgNO 3 was dissolved in 100 ml of propylene glycol and added to the solution comprising the polyvinylpyrrolidone and the seed particles. Thereafter, the reaction was continued for about 2 hours to complete formation of the silver nanowires.

반응이 완료된 용액은 아세톤 800㎖로 희석된 후, 추가적으로 아세톤 600ml를 첨가한 다음, 프로필렌글라이콜과 은 나노 입자가 분산된 상층 용액을 버렸다. 이러한 공정을 3회 반복 실시한 후 10ml의 증류수에 보관하였다.After completion of the reaction, the solution was diluted with 800 ml of acetone, and then, additionally, 600 ml of acetone was added, and then the upper solution containing propylene glycol and silver nanoparticles was discarded. This process was repeated three times and then stored in 10 ml of distilled water.

비교예Comparative example

실험예와 달리, 나트륨염 및 질산은을 반응시켜서, 시드 입자들을 형성하는 것 대신에, 평균 입경이 약 2.5㎛인 염화은 입자들이 상기 용매에 첨가되었다. 나머지는 실험예와 동일하게 진행되었다.Unlike the experimental example, instead of reacting the sodium salt and silver nitrate to form seed particles, silver chloride particles having an average particle diameter of about 2.5 μm were added to the solvent. The rest proceeded in the same manner as in Experimental Example.

결과result

표1에 기재된 바와 같이, 실험예에서, 더 가늘고 긴 은 나노 와이어가 형성되었다는 것을 알 수 있었다.As shown in Table 1, in the experimental example, it was found that thinner and longer silver nanowires were formed.

평균 직경(㎚)Average diameter (nm) 평균 길이(㎛)Average length (㎛) 실험예Experimental Example 4545 2222 비교예Comparative example 6565 2020

상술한 설명에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects, and the like described in the above description are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. In addition, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (11)

용매에서 제 1 이온 및 제 2 이온을 반응시켜서, 다수 개의 시드 입자들을 형성하는 단계; 및
상기 용매에 금속 화합물을 첨가하여 가열하여 금속 나노 와이어를 형성하는 단계를 포함하는 나노 와이어 제조방법.Reacting the first and second ions in a solvent to form a plurality of seed particles; And
Nanowire manufacturing method comprising the step of adding a metal compound to the solvent and heating to form a metal nanowire. 제 1 항에 있어서, 상기 시드 입자들의 직경은 5㎚ 내지 100㎚인 나노 와이어 제조방법.The method of claim 1, wherein the seed particles have a diameter of 5 nm to 100 nm. 제 1 항에 잇어서, 상기 제 1 이온은 금속 이온이고, 상기 제 2 이온은 할로겐 이온인 나노 와이어 제조방법.The method of claim 1, wherein the first ion is a metal ion, and the second ion is a halogen ion. 제 1 항에 있어서, 상기 시드 입자들 및 상기 금속 화합물은 동일한 금속을 포함하는 나노 와이어 제조방법.The method of claim 1, wherein the seed particles and the metal compound comprise the same metal. 제 1 항에 있어서, 상기 시드 입자들 및 상기 금속 화합물은 은을 포함하는 나노 와이어 제조방법.The method of claim 1, wherein the seed particles and the metal compound include silver. 제 1 항에 있어서, 상기 시드 입자들은 염화 은을 포함하는 나노 와이어 제조방법.The method of claim 1, wherein the seed particles comprise silver chloride. 금속 나노 와이어; 및
상기 금속 나노 와이어에 결합되는 시드 입자를 포함하고,
상기 시드 입자의 직경은 5㎚ 내지 100㎚인 나노 와이어 복합체.Metal nanowires; And
Including seed particles bonded to the metal nanowires,
The nanoparticles of the seed particles are 5nm to 100nm in diameter. 제 7 항에 있어서, 상기 시드 입자는 상기 금속 나노 와이어 내에 배치되는 나노 와이어 복합체.The nanowire composite of claim 7, wherein the seed particles are disposed within the metal nanowires. 제 7 항에 있어서, 상기 시드 입자는 상기 금속 나노 와이의 일 끝단에 배치되는 나노 와이어 복합체.The nanowire composite of claim 7, wherein the seed particles are disposed at one end of the metal nanowire. 제 7 항에 있어서, 상기 시드 입자는 염화물을 포함하는 나노 와이어 복합체.The nanowire composite of claim 7, wherein the seed particles comprise chloride. 제 10 항에 있어서, 상기 금속 나노 와이어는 은을 포함하고,
상기 시드 입자는 염화 은을 포함하는 나노 와이어 복합체.The method of claim 10, wherein the metal nanowires comprise silver,
The seed particle nanowire composite containing silver chloride.
KR1020110061028A 2011-06-23 2011-06-23 Method of fabricating nano wire and nano wire complex KR20130000504A (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110061028A KR20130000504A (en) 2011-06-23 2011-06-23 Method of fabricating nano wire and nano wire complex
US14/128,791 US20140220341A1 (en) 2011-06-23 2012-06-25 Method of fabricating nano wire and nano wire complex
CN201280030925.XA CN103635418B (en) 2011-06-23 2012-06-25 Nano wire and the manufacture method of nanowire composite
TW101122680A TWI568666B (en) 2011-06-23 2012-06-25 Method of fabricating nano wire and nano wire complex
PCT/KR2012/004977 WO2012177093A2 (en) 2011-06-23 2012-06-25 Method of fabricating nano wire and nano wire complex

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110061028A KR20130000504A (en) 2011-06-23 2011-06-23 Method of fabricating nano wire and nano wire complex

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130000504A true KR20130000504A (en) 2013-01-03

Family

ID=47423115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110061028A KR20130000504A (en) 2011-06-23 2011-06-23 Method of fabricating nano wire and nano wire complex

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20140220341A1 (en)
KR (1) KR20130000504A (en)
CN (1) CN103635418B (en)
TW (1) TWI568666B (en)
WO (1) WO2012177093A2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9410007B2 (en) 2012-09-27 2016-08-09 Rhodia Operations Process for making silver nanostructures and copolymer useful in such process
CN103498197A (en) * 2013-09-09 2014-01-08 东莞市明源钟表科技有限公司 Nanowire
JP6564920B2 (en) * 2017-09-27 2019-08-21 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Silver powder mixture, method for producing the same, and conductive paste
CN109211991B (en) * 2018-09-25 2021-06-22 红河学院 Construction and application of nitrogen and sulfur co-doped graphene loaded alloy nanowire composite material-based electrochemical sensor

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7173525B2 (en) * 2004-07-23 2007-02-06 Innovalarm Corporation Enhanced fire, safety, security and health monitoring and alarm response method, system and device
CN100342064C (en) * 2005-09-23 2007-10-10 浙江大学 Silver nanometer wire synthesizing process
US20090045720A1 (en) * 2005-11-10 2009-02-19 Eun Kyung Lee Method for producing nanowires using porous glass template, and multi-probe, field emission tip and devices employing the nanowires
US8198622B2 (en) * 2006-12-13 2012-06-12 Panasonic Corporation Nanowire, device comprising nanowire, and their production methods
US7922787B2 (en) * 2008-02-02 2011-04-12 Seashell Technology, Llc Methods for the production of silver nanowires
JP5249147B2 (en) * 2009-07-07 2013-07-31 本田技研工業株式会社 Curling method
EP2554300A1 (en) * 2009-08-25 2013-02-06 Cambrios Technologies Corporation Method for controlling metal nanostructures morphology
US8274138B2 (en) * 2009-09-30 2012-09-25 Eastman Kodak Company II-VI semiconductor nanowires
US20130192423A1 (en) * 2012-01-27 2013-08-01 Blue Nano Inc. Method of producing silver nanowires

Also Published As

Publication number Publication date
US20140220341A1 (en) 2014-08-07
TW201307190A (en) 2013-02-16
WO2012177093A3 (en) 2013-04-04
TWI568666B (en) 2017-02-01
WO2012177093A2 (en) 2012-12-27
CN103635418A (en) 2014-03-12
CN103635418B (en) 2016-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5824067B2 (en) Nanowire and manufacturing method thereof
Huang et al. Emerging mono‐elemental bismuth nanostructures: controlled synthesis and their versatile applications
CN108372313B (en) Nano silver wire dispersion liquid with small wire diameter distribution and preparation method of conductive ink thereof
Caswell et al. Seedless, surfactantless wet chemical synthesis of silver nanowires
KR101478076B1 (en) Metal NANOWIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
TWI429598B (en) Silver nanowires and preparation method thereof
KR20130000504A (en) Method of fabricating nano wire and nano wire complex
KR101842763B1 (en) preparation method of copper nano-structures
CN104923803A (en) Method for synthesizing copper nanowire ink with high stability and high conductivity by one-step method
KR101360688B1 (en) Nanowire and method for manufacturing the same
KR101326952B1 (en) Nanowire and method for manufacturing the same
KR101305892B1 (en) Nanowire and method for manufacturing the same by using low temperature polyol process
JP2015174793A (en) Method of producing boron-doped diamond nanoparticles
KR20130014279A (en) Nanowire and method for manufacturing the same
KR20150072518A (en) Method of preparation for metal nanowires, metal nanowires and electrical devices
KR101780306B1 (en) method of preparing a silver nanowire and a silver nanowire prepared by using the same
KR101327074B1 (en) Nanowire and method for manufacturing the same
KR101536633B1 (en) Process for preparing silver nanowire
JP5844839B2 (en) Manufacturing method of nano metal wire and nano wire
CN113649558B (en) Nano silver wire and preparation method thereof
KR101423525B1 (en) Method for preparing thermoelectric materials having core-shell nanofiber structure
JP2006161102A (en) Method for producing metal nanostructure
KR20130072956A (en) Nanowire and method for manufacturing the same
KR20150036902A (en) Nano solution and manufacturing apparatus of nanowire
US9956616B2 (en) Nano-wire and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application