KR20120127218A - 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법 - Google Patents

광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 이면 측에 반사막이 형성된 광 디바이스 웨이퍼를 이면 측으로부터 레이저빔을 조사하여 개개의 광 디바이스 칩으로 분할할 수 있는 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
표면에 설정된 복수의 교차하는 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 광 디바이스가 형성되고 이면에 반사막이 형성된 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법으로서, 광 디바이스 웨이퍼의 내부에 레이저빔의 집광점을 위치시키고, 광 디바이스 웨이퍼의 이면 측으로부터 레이저빔을 상기 분할 예정 라인을 따라서 조사하여 광 디바이스 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 레이저빔 조사 단계와, 이 레이저빔 조사 단계를 실시한 후, 광 디바이스 웨이퍼에 외력을 부여하여 광 디바이스 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라서 분할하여 복수의 광 디바이스 칩을 형성하는 분할 단계를 포함하고, 상기 레이저빔 조사 단계에서 광 디바이스 웨이퍼에 조사하는 레이저빔의 파장은, 상기 반사막에 대한 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 한다.

Description

광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법{METHOD FOR DIVIDING OPTICAL DEVICE WAFER}
본 발명은, 사파이어 등의 결정 성장용 기판 상에 에피택셜 성장에 의해서 복수의 광 디바이스를 갖는 발광층이 형성된 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법에 관한 것이다.
레이저 다이오드(LD)나 발광 다이오드(LED) 등의 광 디바이스의 제조 프로세스에서는, 사파이어나 SiC 등으로 이루어지는 결정 성장용 기판의 상면에, 예컨대 에피택셜 성장에 의해서 복수의 광 디바이스를 갖는 발광층(에피택셜층)이 형성된 광 디바이스 웨이퍼가 제조된다.
LD, LED 등의 광 디바이스는, 격자형으로 형성된 분할 예정 라인으로 구획되는 각 영역에 형성되며, 광 디바이스 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라서 분할하여 개편화(個片化)함으로써, 개개의 광 디바이스가 제조된다.
종래, 광 디바이스 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라서 분할하는 방법으로서, 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저빔을 조사하여 레이저 가공 홈을 형성하고, 이 레이저 가공 홈에 외력을 부여함으로써 광 디바이스 웨이퍼를 할단(割斷)하는 방법이 알려져 있다(예컨대, 일본 특허공개 평10-305420호 공보 참조).
또한, 광 디바이스 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저빔을 웨이퍼의 내부에 집광점을 맞춰 조사하여 내부에 분할 예정 라인을 따른 개질층을 형성하고, 이 개질층에 의해 강도가 저하된 분할 예정 라인에 외력을 부여함으로써 광 디바이스 웨이퍼를 분할하는 방법도 제안되어 있다(예컨대, 일본 특허공개 2005-86161호 공보 참조).
한편, 광 디바이스의 휘도 향상을 위해, 광 디바이스 칩의 이면 측에 반사막을 형성한 광 디바이스 칩이 일본 특허공개 평10-125956호 공보 및 일본 특허공개 평10-308532호 공보에서 제안되어 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허공개 2005-86161호 공보 특허문헌 2 : 일본 특허공개 평10-125956호 공보 특허문헌 3 : 일본 특허공개 평10-308532호 공보
광 디바이스 웨이퍼의 내부에 레이저빔의 집광점을 위치시킨 상태에서 광 디바이스 웨이퍼의 표면 측으로부터 레이저빔을 조사하는 경우, 다음과 같은 문제가 있다. 즉, 광 디바이스 웨이퍼의 내부에 위치된 레이저빔의 집광점이 광 디바이스 웨이퍼의 이면 측에 근접할수록, 광 디바이스 웨이퍼의 표면에 있어서의 레이저빔의 빔 스폿은 커진다.
따라서, 레이저빔의 조사에 의해서 광 디바이스가 손상되는 것을 방지하기 위해서는 충분한 분할 예정 라인의 폭이 필요하게 되어, 광 디바이스 웨이퍼마다 취할 수 있는 광 디바이스 칩의 수가 적어져, 생산성이 악화된다.
광 디바이스 웨이퍼 중에는, 광 디바이스 칩의 휘도 향상을 목적으로 결정 성장용 기판의 에피택셜층과의 계면 측에 미세한 요철이 형성된 광 디바이스 웨이퍼도 있으며, 이러한 광 디바이스 웨이퍼에서는, 표면 측으로부터 레이저빔을 조사할 수 없다.
한편, 광 디바이스 웨이퍼의 이면 측으로부터 레이저빔을 조사하는 경우, 이면 측에 반사막이 형성된 광 디바이스 웨이퍼에서는, 반사막의 종류나 레이저빔의 파장에 따라서는 광 디바이스 웨이퍼의 이면에 조사한 레이저빔이 반사되어 버려, 레이저 가공을 할 수 없다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 이면 측으로부터 레이저빔을 조사하여 이면 측에 반사막을 갖는 광 디바이스 웨이퍼를 개개의 광 디바이스 칩으로 분할할 수 있는 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 표면에 설정된 복수의 교차하는 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 광 디바이스가 형성되고 이면에 반사막이 형성된 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법으로서, 광 디바이스 웨이퍼의 내부에 레이저빔의 집광점을 위치시키고, 광 디바이스 웨이퍼의 이면 측으로부터 레이저빔을 상기 분할 예정 라인을 따라서 조사하여 광 디바이스 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 레이저빔 조사 단계와, 이 레이저빔 조사 단계를 실시한 후, 광 디바이스 웨이퍼에 외력을 부여하여 광 디바이스 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라서 분할하여 복수의 광 디바이스 칩을 형성하는 분할 단계를 포함하고, 상기 레이저빔 조사 단계에서 광 디바이스 웨이퍼에 조사하는 레이저빔의 파장은, 상기 반사막에 대한 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법이 제공된다.
바람직하게는, 레이저빔 조사 단계에서 광 디바이스 웨이퍼에 조사하는 레이저빔의 파장은 680 nm?1 mm의 범위 내이다. 바람직하게는, 반사막은 굴절률이 다른 재료가 적층된 다층막으로 구성된다.
본원의 발명자는 예의 연구한 결과, 레이저빔에 대한 반사막의 반사율이 20% 미만, 즉 반사막에 대한 레이저빔의 투과율이 80% 이상이 되는 파장의 레이저빔을 광 디바이스 웨이퍼의 이면으로부터 조사함으로써, 광 디바이스 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성할 수 있음을 알아냈다.
이 지견에 기초하여, 본 발명에 의하면, 이면에 반사막을 갖는 광 디바이스 웨이퍼의 이면 측으로부터 레이저빔을 조사하여 내부에 개질층을 형성하고, 개질층을 분할 기점으로 하여 광 디바이스 웨이퍼를 광 디바이스 칩으로 분할하는 것이 가능하게 되어, 이면 측으로부터 레이저 가공을 할 수 없거나 또는 생산성이 악화되는 등의 종래의 문제점을 해결할 수 있다.
도 1은 본 발명의 분할 방법을 실시하는 데 알맞은 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2는 광 빔 조사 유닛의 블럭도이다.
도 3은 광 디바이스 웨이퍼의 표면측 사시도이다.
도 4는 이면에 반사막을 갖는 광 디바이스 웨이퍼의 단면도이다.
도 5는 레이저빔 조사 단계를 도시하는 사시도이다.
도 6은 레이저빔 조사 단계를 설명하는 단면도이다.
도 7은 레이저빔 조사 단계의 다른 실시형태를 설명하는 단면도이다.
도 8은 제1 실시형태의 분할 단계를 도시하는 단면도이다.
도 9는 제2 실시형태의 분할 단계를 도시하는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법에 있어서 분할 기점이 되는 개질층을 형성하는 데 알맞은 레이저 가공 장치(2)의 개략 구성도가 도시되어 있다.
레이저 가공 장치(2)는, 정지 베이스(4) 상에 X축 방향으로 이동 가능하게 탑재된 제1 슬라이드 블록(6)을 포함하고 있다. 제1 슬라이드 블록(6)은, 볼나사(8) 및 펄스 모터(10)로 구성되는 가공 이송 수단(12)에 의해 1쌍의 가이드 레일(14)을 따라서 가공 이송 방향, 즉 X축 방향으로 이동된다.
제1 슬라이드 블록(6) 상에는 제2 슬라이드 블록(16)이 Y축 방향으로 이동 가능하게 탑재되어 있다. 즉, 제2 슬라이드 블록(16)은 볼나사(18) 및 펄스 모터(20)로 구성되는 인덱싱 이송 수단(22)에 의해 1쌍의 가이드 레일(24)을 따라서 인덱싱 방향, 즉 Y축 방향으로 이동된다.
제2 슬라이드 블록(16) 상에는 원통 지지 부재(26)를 통해 척 테이블(28)이 탑재되어 있고, 척 테이블(28)은 가공 이송 수단(12) 및 인덱싱 이송 수단(22)에 의해 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동 가능하다. 척 테이블(28)에는, 척 테이블(28)에 흡인 유지된 웨이퍼를 지지하는 환상 프레임을 클램프하는 클램프(30)가 설치되어 있다.
정지 베이스(4)에는 칼럼(32)이 세워져 설치되어 있고, 이 칼럼(32)에는 레이저빔 조사 유닛(34)을 수용하는 케이싱(35)이 부착되어 있다. 레이저빔 조사 유닛(34)은, 도 2에 도시하는 것과 같이, YAG 레이저 또는 YVO4 레이저를 발진하는 레이저 발진기(62)와, 반복 주파수 설정 수단(64)과, 펄스 폭 조정 수단(66)과, 파워 조정 수단(68)을 포함하고 있다.
레이저빔 조사 유닛(34)의 파워 조정 수단(68)에 의해 소정 파워로 조정된 펄스 레이저빔은, 케이싱(35)의 선단에 부착된 집광기(36)의 미러(70)에 의해 반사되고, 또한 집광용 대물렌즈(72)에 의해 집광되어 척 테이블(28)에 유지되어 있는 광 디바이스 웨이퍼(11)에 조사된다.
케이싱(35)의 선단부에는, 집광기(36)와 X축 방향으로 정렬하여 레이저 가공할 가공 영역을 검출하는 촬상 수단(38)이 배치되어 있다. 촬상 수단(38)은, 가시광에 의해서 광 디바이스 웨이퍼(11)의 가공 영역을 촬상하는 통상의 CCD 등의 촬상 소자를 포함하고 있다.
촬상 수단(38)은 또한, 광 디바이스 웨이퍼(11)에 적외선을 조사하는 적외선 조사 수단과, 적외선 조사 수단에 의해서 조사된 적외선을 포착하는 광학계와, 이 광학계에 의해서 포착된 적외선에 대응한 전기 신호를 출력하는 적외선 CCD 등의 적외선 촬상 소자로 구성되는 적외선 촬상 수단을 포함하고 있고, 촬상한 화상 신호는 컨트롤러(제어 수단)(40)에 송신된다.
컨트롤러(40)는 컴퓨터에 의해서 구성되어 있으며, 제어 프로그램에 따라서 연산 처리하는 중앙 처리 장치(CPU)(42)와, 제어 프로그램 등을 저장하는 리드 온리 메모리(ROM)(44)와, 연산 결과 등을 저장하는 기록 및 판독 가능한 랜덤 액세스 메모리(RAM)(46)와, 카운터(48)와, 입력 인터페이스(50)와, 출력 인터페이스(52)를 구비하고 있다.
부호 56은, 안내 레일(14)을 따라서 배치된 리니어 스케일(54)과, 제1 슬라이드 블록(6)에 배치된 도시하지 않는 판독 헤드로 구성되는 가공 이송량 검출 수단이며, 가공 이송량 검출 수단(56)의 검출 신호는 컨트롤러(40)의 입력 인터페이스(50)에 입력된다.
부호 60은, 가이드 레일(24)을 따라서 배치된 리니어 스케일(58)과 제2 슬라이드 블록(16)에 배치된 도시하지 않는 판독 헤드로 구성되는 인덱싱 이송량 검출 수단이며, 인덱싱 이송량 검출 수단(60)의 검출 신호는 컨트롤러(40)의 입력 인터페이스(50)에 입력된다.
촬상 수단(38)으로 촬상한 화상 신호도 컨트롤러(40)의 입력 인터페이스(50)에 입력된다. 한편, 컨트롤러(40)의 출력 인터페이스(52)로부터는 펄스 모터(10), 펄스 모터(20), 레이저빔 조사 유닛(34) 등에 제어 신호가 출력된다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 분할 방법의 가공 대상이 되는 광 디바이스 웨이퍼(11)의 표면측 사시도가 도시되어 있다. 광 디바이스 웨이퍼(11)는, 사파이어 기판(13) 상에 질화갈륨(GaN) 등의 에피택셜층(발광층)(15)이 적층되어 구성되어 있다.
광 디바이스 웨이퍼(11)는 그 이면에 반사막(도 4 참조)(21)이 형성되어 있다. 광 디바이스 웨이퍼(11)는, 에피택셜층(15)이 적층된 표면(11a)과, 반사막(21)이 형성된 이면(11b)을 갖고 있다.
반사막(21)은, 예컨대 금속막 또는 DBR(Distributed Bragg Reflector : 분포 브래그 반사체) 등으로 구성된다. DBR는 굴절률이 다른 복수의 유전체가 적층된 유전체 다층막으로 구성된다.
사파이어 기판(13)은 예컨대 100 ㎛의 두께를 갖고 있고, 에피택셜층(15)은 예컨대 5 ㎛의 두께를 갖고 있다. 에피택셜층(15)에 LED 등의 복수의 광 디바이스(19)가 격자형으로 형성된 분할 예정 라인(스트리트)(17)에 의해서 구획되어 형성되어 있다.
이어서, 도 5 내지 도 8을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법에 관해서 상세히 설명한다. 이 분할 방법을 실시함에 있어서, 바람직하게는 도 5에 도시하는 것과 같이, 광 디바이스 웨이퍼(11)를 외주 부분이 환상 프레임(F)에 점착된 점착 테이프인 다이싱 테이프(T)에 점착하여, 광 디바이스 웨이퍼(11)를 다이싱 테이프(T)를 통해 환상 프레임(F)으로 지지한다.
레이저 가공 장치(2)의 척 테이블(28)로 다이싱 테이프(T)를 통해 광 디바이스 웨이퍼(11)를 흡인 유지하여, 광 디바이스 웨이퍼(11)의 이면에 형성된 반사막(21)을 노출시킨다.
그리고, 촬상 수단(38)의 적외선 촬상 소자로 광 디바이스 웨이퍼(11)를 그 이면(11b) 측으로부터 반사막(21)을 통해서 촬상하여, 분할 예정 라인(17)에 대응하는 영역을 집광기(36)와 X축 방향으로 정렬시키는 얼라인먼트를 실시한다. 이 얼라인먼트에는, 잘 알려진 패턴 매칭 등의 화상 처리를 이용한다.
제1 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(17)의 얼라인먼트를 실시한 후, 척 테이블(28)을 90도 회전하고 나서, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(17)의 얼라인먼트를 실시한다.
얼라인먼트를 실시한 후, 도 5 및 도 6에 도시하는 것과 같이, 광 디바이스 웨이퍼(11)의 내부에 레이저빔의 집광점(P)(도 6 참조)을 위치시키고, 광 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(1b) 측으로부터 반사막(21)을 통해서 레이저빔을 분할 예정 라인(17)을 따라서 조사하여, 광 디바이스 웨이퍼(11)의 내부에 분할 기점이 되는 개질층(23)을 형성하는 레이저빔 조사 단계를 실시한다.
이 레이저빔 조사 단계에서는, 반사막(21)에 대한 투과율이 80% 이상인 파장을 갖는 레이저빔을 광 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b) 측으로부터 조사한다. 바람직하게는, 이 레이저빔의 파장은 680 nm?1 mm의 범위 내이다.
구체적으로는, 이 레이저빔 조사 단계는, 광 디바이스 웨이퍼(11)의 내부에 반사막(21)에 대한 투과율이 80% 이상인 레이저빔의 집광점(P)을 위치시키고, 광 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b) 측으로부터 레이저빔을 제1 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(13)을 따라서 조사하고, 척 테이블(28)을 도 5에서 화살표 X1 방향으로 가공 이송함으로써, 광 디바이스 웨이퍼(11)의 내부에 제1 방향으로 신장하는 개질층(23)을 형성한다.
척 테이블(28)을 Y축 방향으로 인덱싱 이송하면서 제1 방향으로 신장하는 모든 분할 예정 라인(17)에 대응하는 웨이퍼(11)의 내부에 개질층(23)을 형성한다. 이어서, 척 테이블(28)을 90도 회전하고 나서, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장하는 모든 분할 예정 라인(17)에 대응하는 웨이퍼(11)의 내부에 동일한 개질층(23)을 형성한다.
개질층(23)은, 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 밖의 물리적 특성이 주위와는 다른 상태가 된 영역을 말한다. 예컨대, 용융 재경화 영역, 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절률 변화 영역을 포함하고, 이들 영역이 혼재된 영역도 포함한다.
광 디바이스(19)가 청색 LED로 구성되는 경우에는, 이 레이저빔 조사 단계에 있어서의 가공 조건은 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다.
광원 : LD 여기 Q 스위치 Nd : YVO4 펄스 레이저
파장 : 1064 nm
반복 주파수 : 100 kHz
펄스 출력 : 10 μJ
집광 스폿 직경 : φ1 ㎛
가공 이송 속도 : 100 mm/초
상술한 실시형태의 레이저빔 조사 단계에서는, 광 디바이스 웨이퍼(11)를 외주부가 환상 프레임(F)에 점착된 다이싱 테이프(T)에 점착하여, 광 디바이스 웨이퍼(11)를 다이싱 테이프(T)를 통해 척 테이블(28)로 흡인 유지하고 있는데, 도 7에 도시하는 것과 같이, 광 디바이스 웨이퍼(11)의 에피택셜층(15)이 형성된 표면(11a) 측을 척 테이블(28)로 직접 흡인 유지하여 레이저빔 조사 단계를 실시하도록 하더라도 좋다.
이 실시형태의 경우에는, 분할 단계를 실시하기 전에, 모든 분할 예정 라인(17)에 대응하는 광 디바이스 웨이퍼(11)의 내부 영역에 개질층(23)이 형성된 광 디바이스 웨이퍼(11)를, 도 5에 도시하는 것과 같이 외주부가 환상 프레임(F)에 점착된 다이싱 테이프(T)에 점착하여, 광 디바이스 웨이퍼(11)를 다이싱 테이프(T)를 통해 환상 프레임(F)으로 지지한다.
본 발명의 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법에서는, 레이저빔 조사 단계를 실시하여 웨이퍼(11)의 내부에 분할 기점이 되는 개질층(23)을 형성한 후, 개질층(23)이 형성된 광 디바이스 웨이퍼(11)에 외력을 부여하여, 광 디바이스 웨이퍼(11)를 분할 예정 라인(17)을 따라서 분할하는 분할 단계를 실시한다.
이 분할 단계의 제1 실시형태에서는, 예컨대 도 8에 도시하는 것과 같이, 원통(76)의 적재면 상에 환상 프레임(F)을 얹어 놓고, 클램프(78)로 환상 프레임(F)을 클램프한다. 그리고, 바 형상의 분할 지그(80)를 원통(76) 내에 배치한다.
분할 지그(80)는 상단 유지면(82a)과 하단 유지면(82b)을 갖고 있으며, 하단 유지면(82b)에 개구되는 진공 흡인로(86)가 형성되어 있다. 분할 지그(80)의 상세 구조는 일본 특허 제4361506호 공보에 개시되어 있다.
분할 지그(80)에 의한 분할 공정을 실시하기 위해서는, 분할 지그(80)의 진공 흡인로(84)를 화살표 86으로 나타내는 것과 같이 진공 흡인하면서, 분할 지그(80)의 상단 유지면(82a) 및 하단 유지면(82b)을 하측으로부터 점착 테이프(T)에 접촉시켜, 분할 지그(80)를 화살표 A 방향으로 이동시킨다. 즉, 분할 지그(80)를 분할하고자 하는 분할 예정 라인(17)과 직교하는 방향으로 이동시킨다.
이에 따라, 분할 기점이 되는 개질층(23)을 분할 지그(80)의 상단 유지면(82a)의 내측 엣지 바로 위로 이동시키면, 개질층(23)을 갖는 분할 예정 라인(17) 부분에 굽힘 응력이 집중적으로 발생하여, 이 굽힘 응력에 의해 광 디바이스 웨이퍼(11)가 분할 예정 라인(17)을 따라서 할단된다.
제1 방향으로 신장하는 모든 분할 예정 라인(17)을 따른 분할이 종료되면, 분할 지그(80)를 90도 회전시키거나, 또는 원통(76)을 90도 회전시켜, 제1 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(17)에 직교하는 제2 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(17)을 같은 식으로 분할한다. 이에 따라, 광 디바이스 웨이퍼(11)가 개개의 광 디바이스 칩(27)으로 분할된다.
이어서, 도 9를 참조하여, 제2 실시형태의 분할 단계에 관해서 설명한다. 본 실시형태의 분할 단계에서는, 광 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 접촉 방지 필름(29)을 점착한다. 그리고, 분할 지그(90)의 1쌍의 지지대(92)로 개질층(23)이 지지대(92)의 한가운데에 오도록 광 디바이스 웨이퍼(11)를 지지하면서, 쐐기 부재(94)를 광 디바이스 웨이퍼(11)에 그 표면(11a) 측으로부터 내리누른다. 이에 따라, 개질층(23)을 갖는 분할 예정 라인(17) 부분에 굽힘 응력이 집중적으로 발생하고, 이 굽힘 응력에 의해 광 디바이스 웨이퍼가 분할 예정 라인(17)을 따라서 할단된다.
분할 지그(90)를 분할 예정 라인(17)의 피치씩 이동시키면서, 제1 방향으로 신장하는 모든 분할 예정 라인(17)을 따라서 광 디바이스 웨이퍼(11)를 분할한다. 이어서, 광 디바이스 웨이퍼(11)를 90도 회전시켜, 제2 방향으로 신장하는 분할 예정 라인(17)을 같은 식으로 분할한다. 이에 따라, 광 디바이스 웨이퍼(11)가 개개의 광 디바이스 칩(27)으로 분할된다.
2 : 레이저 가공 장치 11 : 광 디바이스 웨이퍼
13 : 사파이어 기판 15 : 에피택셜층
17 : 분할 예정 라인 19 : 광 디바이스
21 : 반사막 23 : 개질층
28 : 척 테이블 34 : 레이저빔 조사 유닛
36 : 집광기 80 : 분할 지그

Claims (3)

  1. 표면에 설정된 복수의 교차하는 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 광 디바이스가 형성되고 이면에 반사막이 형성된 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법으로서,
    광 디바이스 웨이퍼의 내부에 레이저빔의 집광점을 위치시키고, 광 디바이스 웨이퍼의 이면 측으로부터 레이저빔을 상기 분할 예정 라인을 따라서 조사하여 광 디바이스 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 레이저빔 조사 단계와,
    상기 레이저빔 조사 단계를 실시한 후, 광 디바이스 웨이퍼에 외력을 부여하여 광 디바이스 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라서 분할하여 복수의 광 디바이스 칩을 형성하는 분할 단계를 포함하고,
    상기 레이저빔 조사 단계에서 광 디바이스 웨이퍼에 조사하는 레이저빔의 파장은, 상기 반사막에 대한 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레이저빔 조사 단계에서 광 디바이스 웨이퍼에 조사하는 레이저빔의 파장은 680 nm?1 mm인 것인 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반사막은 굴절률이 다른 재료가 적층된 다층막으로 구성되는 것인 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법.
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