JP6223801B2 - 光デバイスウェーハの加工方法 - Google Patents
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Description
さらに、本発明は、エッチングステップを実施した後、かつ、分割ステップを実施する前に、光デバイスウェーハの裏面を研削する研削ステップを実施することが望ましい。
図2に示すように、光デバイスウェーハWを構成するサファイア基板1の表面2aに積層された発光層5を覆う保護膜6を形成する。保護膜6は、例えば、SiO2などの酸化膜やレジストなどにより形成される。保護膜形成ステップは、少なくとも後記のレーザ加工ステップを実施する前に実施する。
保護膜形成ステップを実施した後、図3に示すように、レーザビーム照射手段10により光デバイスウェーハWに対してレーザビームを照射してレーザ加工穴を形成する。保護膜6が形成された光デバイスウェーハWを、水平方向(+X方向)に移動させながら、レーザビーム照射手段10が、光デバイスウェーハWに対して吸収性を有する波長(例えば、355nmの波長)のパルスレーザビーム11をサファイア基板1の表面2aに向けて照射する。このとき、レーザビーム照射手段10は、パルスレーザビーム11の照射スポットを重ね合わせることなく、1パルスのパルスレーザビーム11で1つのレーザ加工穴7を形成する。
レーザ加工ステップを実施した後、図6に示すように、レーザ加工穴7の内部にエッチング液12を供給し、ウェットエッチングを実施する。エッチング液12としては、例えば、硫酸、リン酸、塩酸等のエッチング液を使用できる。
次に、図6で示した光デバイスウェーハWのように、サファイア基板1の表面2a側に形成された保護膜6を除去し、図7に示すように、サファイア基板1の表面2aに積層された発光層5を上向きに露出させる。保護膜6を除去する方法は、特に限定されるものではなく、例えば、保護膜6がレジスト膜である場合は、酸素プラズマや専用リムーバーを使用することができる。また、保護膜6がSiO2膜である場合は、KOHによるウェットエッチングやSF6によるドライエッチング等で除去することができる。保護膜除去ステップは、少なくともレーザ加工ステップを実施した後に実施する。保護膜6の除去により、レーザ加工ステップにおいて保護膜6に付着したデブリも除去される。
保護膜除去ステップを実施した後、図8に示す研削手段20によって光デバイスウェーハWを研削する。研削手段20は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル21と、スピンドル21の下端においてマウント22を介して連結された研削ホイール23と、研削ホイール23の下部に環状に固着された研削砥石24とを少なくとも備えている。図示しないモータによってスピンドル21を回転させると、研削ホイール23を所定の回転速度で回転させることができる。
次に、図10に示すように、ブレーキングによって光デバイスウェーハWを個々の光デバイス4に分割する。縦横のストリート3上に沿って形成された複数のレーザ加工穴7の整列方向を分割位置13として光デバイスウェーハWに対して外力を付与し、当該分割位置13を起点にして光デバイスウェーハWを個々の光デバイス4に割断する。このようにして光デバイスウェーハWを個々の光デバイス4に分割したら、分割ステップを終了する。
また、レーザ加工ステップの実施後エッチングステップを実施する際には、レーザ加工穴7にテーパー部8aが形成されていることから、エッチング液がレーザ加工穴7の内部に進入しやすい上、レーザ加工穴7の側壁部8bから底部8cにかけてエッチング液12を進入させて効果的にエッチングを行うことができる。これにより、光デバイス4の更なる輝度向上を実現できる。
5:発光層 6:保護膜 7:レーザ加工穴 8a:テーパー部 8b:側壁部
8c:底部 9:表面保護テープ
10:レーザビーム照射手段 11:パルスレーザビーム 12:エッチング液
13:分割位置
20:研削手段 21:スピンドル 22:マウント 23:研削ホイール
24:研削砥石 25:保持テーブル
Claims (3)
- 基板の表面に光デバイス層が積層され、交差する複数のストリートによって区画された各領域に光デバイスが形成された光デバイスウェーハの加工方法であって、
光デバイスウェーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームを光デバイスウェーハに照射して1パルスで1のレーザ加工穴を形成することを繰り返し、該ストリートに沿って所定の間隔を設けて複数のレーザ加工穴を形成するレーザ加工ステップと、
該レーザ加工ステップを実施した後、該レーザ加工穴にエッチング液を進入させて該レーザ加工穴の内周をエッチングするエッチングステップと、
該エッチングステップを実施した後、光デバイスウェーハに外力を付与して該ストリートに沿って光デバイスウェーハを分割し複数の光デバイスチップを形成する分割ステップと、を備えた光デバイスウェーハの加工方法。 - 前記レーザ加工ステップを実施する前に、光デバイスウェーハの表面に保護膜を形成する保護膜形成ステップと、
少なくとも該レーザ加工ステップを実施した後、該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を備え、
該レーザ加工ステップでは、光デバイスウェーハの表面側に向かって前記パルスレーザビームを照射する、請求項1に記載の光デバイスウェーハの加工方法。 - 前記エッチングステップを実施した後、かつ、前記分割ステップを実施する前に、光デバイスウェーハの裏面を研削する研削ステップを実施する
請求項1に記載の光デバイスウェーハの加工方法。
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