KR20120123140A - Heating system for a vapor-phase deposition source - Google Patents

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KR20120123140A
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chamber
heat
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KR1020127023478A
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브뤼노 듀쎄르-비다레
쎄드릭 귀에라르
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애스트론 피암 세이프티
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Abstract

본 발명은 두 개의 구역이 장착된 용기를 포함하는 기상 증착 소스를 개시한다. 제1구역은 증기의 생성을 위한 것이다. 제1구역에는 물질을 위한 리셉터클과 리셉터클 내에 위치된 물질을 가열하는 수단이 장착된다. 제2구역은 상기 생성 구역과 연통되는 용기를 포함하며 적어도 하나의 오리피스가 장착됨으로써 기상 물질이 상기 오리피스를 통해 용기의 외부를 향하여 이동되게 하는 확산 구역이다. 상기 소스는 한편으로, 룸은 열-전달 액체가 충진되는 중간 공간을 형성하는 내벽과 외부 엔벨로프를 포함하고, 다른 한편으로, 쿨런트를 가열하는 수단이 장착된다.The present invention discloses a vapor deposition source comprising a vessel equipped with two zones. Zone 1 is for the production of steam. The first zone is equipped with a receptacle for the material and means for heating the material located within the receptacle. The second zone is a diffusion zone that includes a vessel in communication with the production zone and is equipped with at least one orifice such that gaseous material moves through the orifice out of the vessel. The source comprises, on the one hand, an inner wall and an outer envelope forming an intermediate space filled with heat-transfer liquid and, on the other hand, is equipped with means for heating the coolant.

Description

기상 증착 소스를 위한 가열 시스템{HEATING SYSTEM FOR A VAPOR-PHASE DEPOSITION SOURCE}HEATING SYSTEM FOR A VAPOR-PHASE DEPOSITION SOURCE}

본 발명의 일반적인 분야는 마이크로-전자 산업에서 물질의 기상 증착에 관한 것이다. 특히 본 발명은 불편함 없이 중단 가능한 큰 표면들 상에 연속적인 증착을 가능하게 하는 증기 소스의 생성에 관한 것이다.The general field of the invention relates to the vapor deposition of materials in the micro-electronics industry. In particular, the present invention relates to the creation of a vapor source that allows for continuous deposition on large surfaces that can be interrupted without inconvenience.

전자 및 광학 부품 수의 꾸준한 증가 및 동일 소자 내에서의 이들의 집적은 이러한 소자들을 구성하는 얇은 층들을 형성하기 위한 기판 상에, 다양한 물질을 증착하기 위한 정교한 기술의 개발을 이끌어 왔다.The steady increase in the number of electronic and optical components and their integration within the same device has led to the development of sophisticated techniques for depositing various materials on substrates to form the thin layers that make up these devices.

기상 증착은 매우 넓은 범위의 공정들, 특히 기상 화학 증착(vapor-phase chemical deposition)으로 기술되며, 일반적으로 "화학 기상 증착(chemical vapor-phase deposition)"의 영어 약자 CVPD로 표시되는 공정들을 아우른다. 그 명칭에서 암시하는 바와 같이, 이런 타입의 증착은 예를 들면, 증착 챔버 내부로의 전구체 가스의 사전 유입에 의해, 또는 기판상에 이미 증착된 물질층에 대해 발생하는 그리고 심지어 기판 자체에 대해 발생하는 화학 반응에 의해, 작동 도중 일어나는 화학 반응을 수반한다. 다른 타입의 화학 기상 증착들은 그러한 화학 반응을 수반하지 않는다. 이들은 제어되는 중성 분위기 및/또는 다소의 진공 조건에서 증발에 의한 단순한 물리적 증착으로 이루어진다.Vapor deposition is described as a very wide range of processes, in particular vapor-phase chemical deposition, and encompasses the process generally denoted by the CVPD, the English abbreviation for "chemical vapor-phase deposition." As the name suggests, this type of deposition occurs, for example, by pre-inflow of precursor gas into the deposition chamber, or for a layer of material already deposited on the substrate and even for the substrate itself. Chemical reactions that accompany the chemical reactions that occur during operation. Other types of chemical vapor depositions do not involve such chemical reactions. These consist of simple physical deposition by evaporation in a controlled neutral atmosphere and / or in some vacuum conditions.

모든 기상 증착 기술은 증착 챔버 내에서 증착된 증발 물질의 소스를 생성하기 위한 기계적 장치를 필요로 한다. 이는 항상, 증착되는 얇은 층들의 균일한 두께 및 그들의 이화학적(physico-chemical) 특성들에 대한 양호한 제어를 얻기 위해 적용되어야할 중요한 요소이다. 동일한 제조 사이클 동안 점차 늘어나는 개수의 소자들 또는 점차 커지는 소자들을 생산하기 위하여 전자 및 광학 소자들의 저가 대량 생산은 소자들이 적용되는 기판이 크기 면에서 점차 커질 것을 요구하기 때문에, 상기 소스를 생성하는 것은 점차 어려워지고 있다. 따라서, 수십 센티미터 심지어 대략 1 미터로 측정될 수 있는 폭에 걸쳐 다양한 물질의 연속적인 기상 증착을 허용하는 소스가 필요하다는 것은 놀라운 일이 아니다. 더욱이, 그러한 소자들의 산업적 제조는 소스 및 증발 물질에 대한 손상 없이 증착이 중단되고 재개될 수 있음을 의미한다.All vapor deposition techniques require a mechanical device to create a source of evaporated material deposited in the deposition chamber. This is always an important factor to be applied in order to obtain good control over the uniform thickness of the thin layers deposited and their physico-chemical properties. Since the low cost mass production of electronic and optical devices in order to produce a growing number of devices or a growing number of devices during the same manufacturing cycle requires that the substrate to which the devices are applied needs to grow in size, creating the source gradually It's getting harder. Thus, it is not surprising that there is a need for a source that allows continuous vapor deposition of various materials over a width that can be measured in tens of centimeters and even approximately one meter. Moreover, industrial fabrication of such devices means that deposition can be stopped and resumed without damaging the source and evaporation material.

마이크로-전자 산업은 비록 오랜 시간 동안 유전체 또는 금속과 같은 물질들을 증착시킬 필요성에 직면해 왔지만, 유기 전자 발광 다이오드(OLED)를 포함하는 디스플레이 및 스크린과 같은 전자발광 소자들의 제조는 훨씬 더 부서지기 쉬운 유기물질들의 증착에 대한 의지를 요구한다.Although the micro-electronics industry has long faced the need to deposit materials such as dielectrics or metals, the manufacture of electroluminescent devices, such as displays and screens, including organic electroluminescent diodes (OLEDs) is much more fragile. Requires commitment to the deposition of organic materials.

유기물질의 넓은 폭의 선형 소스로부터 증발은, 증착 챔버 내에서, 증기 생성 지점과 그의 확산 지점들(즉, 상기 소스의 폭 전체에 걸쳐 장착된 노즐들) 사이에서 관찰될 수밖에 없는 온도 변화라는 심각한 문제를 일으킨다. 게다가, 상기 증기를 이송하는 튜브의 벽 및 소스를 구성하는 디퓨저의 벽상에서의 물질의 응축을 피하기 위해, 가스의 온도가 응결점 이하로 낮아지는 차가운 영역을 방지하기 위해 일정한 양(positive)의 온도 구배(temperature gradient)를 유지할 수 있는 것이 필요하다. 이는 예를 들면 유기물질의 경우에서, 증착될 물질의 파괴온도가 그의 증발 온도에 근접된다는 것에서 수행하기가 더욱 더 어렵다. 상기 물질들의 대부분은 450℃ 이상의 온도에서 분해되는 것으로 간주될 수 있다. 또한, 증발 온도들 간의 차이 및 저하는 약 10 내지 100℃에 도달될 수 있다. 이러한 작은 차이들은 더 높은 온도에서 일어나는 증발의 가능성을 제한한다. 또한, 증발 도가니로부터 각각의 노즐에 이르기까지 디퓨저 표면 전체에 걸쳐 그러한 점진적인 온도 구배가 제어되어야 하기 때문에, 다중 체적을 구성하는 매우 넓은 선형 소스들은 포인트 소스들에 비해 더 민감하다.Evaporation from a wide linear source of organic material is a severe temperature change that must be observed between the vapor generation point and its diffusion points (i.e. nozzles mounted across the width of the source) within the deposition chamber. Cause problems. In addition, in order to avoid condensation of material on the walls of the tubes carrying the vapor and on the walls of the diffuser constituting the source, a certain amount of temperature to prevent cold areas where the temperature of the gas is lowered below the freezing point. It is necessary to be able to maintain a temperature gradient. This is even more difficult to carry out, for example in the case of organic materials, in that the destruction temperature of the material to be deposited is close to its evaporation temperature. Most of the materials can be considered to decompose at temperatures above 450 ° C. In addition, the difference and degradation between evaporation temperatures can be reached about 10 to 100 ° C. These small differences limit the possibility of evaporation that occurs at higher temperatures. In addition, because such a gradual temperature gradient must be controlled throughout the diffuser surface from the evaporation crucible to each nozzle, very large linear sources making up multiple volumes are more sensitive than point sources.

증발 및 파괴 온도 간의 그러한 작은 차이를 해결하는 것을 더 어렵게 만드는 다른 문제점들이 해결되어야 한다. 가열 시스템 자체는 증발 도가니의 표면에서 온도 불규칙성을 생성할 수 있다. 이러한 불규칙성들은 증발될 물질의 국부적인 악화에 기여함으로써 물질의 사용 기간을 단축시키고 손실을 초래하게 되는데, 그 물질은 일반적으로 상당히 고가이다. 악화된 물질은 증착된 필름에 대한 품질의 보이지 않는 손실을 초래할 수 있는 위험성이 있다고 분명히 말할 수 있다. 따라서, 생산 효율이 감소될 현저한 위험성이 있다. 이것은, 그러한 손실들을 줄이기 위해 두 증착 사이에 물질의 제한적인 양이 도입되어야 한다는 사실과 같은 산업적 생산 측면에서 다른 심각한 단점들을 초래한다. 이것은 중단없는 온라인 생산 공정과 용이하게 양립되기 어렵다.Other problems have to be solved that make it more difficult to resolve such small differences between evaporation and destruction temperatures. The heating system itself may create temperature irregularities at the surface of the evaporation crucible. These irregularities contribute to the local exacerbation of the material to be evaporated, which shortens the life of the material and results in loss, which material is generally quite expensive. It can be said clearly that the deteriorated material is at risk of causing an invisible loss of quality for the deposited film. Thus, there is a significant risk that the production efficiency will be reduced. This results in other serious drawbacks in industrial production, such as the fact that a limited amount of material must be introduced between the two depositions to reduce such losses. This is not easily compatible with uninterrupted online production processes.

선형 소스들은 상당한 관심을 받고 있으며, 고속 증착을 달성하는 선형 소스들의 성능에 대해 특히 그러하다. 포인트 소스에 비해 훨씬 더 작은 소스-기판의 거리로 인해, 선형 소스들은 대부분 물질의 효율적 사용을 또한 보장한다. 다중 노즐들의 존재 및 다중 노즐의 설계는 큰 표면에 걸친 균일한 증착을 보장하도록 마련된다. 이는 전술한 전자조명 소자들과 같은 소자의 대규모 생산을 위해 노즐들의 사용이 필수적이게 하는 주요 이점이다. 하지만 고속 증발과 함께 이러한 짧은 거리는 기계적인 원인들로 인해 통상적인 스크린형 폐쇄 시스템들(기판상의 증착 공정이 중지되게 할 수 있음)이 적용되기 어렵게 한다. 통상적인 폐쇄 시스템의 크기는 긴 노즐형 디퓨저와 양립될 수 없다. 게다가, 노즐들은 노즐이 막히게 되는 속도로 인해 사용하기가 쉽지 않다. 기판을 향한 증기의 확산을 막아 증발 물질이 낭비되지 않도록 하기 위해, 증기 이송 튜브를 폐쇄될 수 있게 하는 밸브가 장착된 소스들이 또한 존재한다. 폐쇄시, 상기 밸브는 증기가 생성되는 지점에 연결되는 파이프의 체적을 크게 감소시킨다. 상기 체적의 상당한 감소는 증기 생성 시스템 부하의 상당한 변화를 유발하며, 이는 증기 생성 구역에서의 압력을 매우 크게 증가시킨다. 이러한 상당한 압력 변화는 증기 생성 구역이 포화될 때까지 온도 상승을 유발한다. 이러한 온도 상승은 다시 증착 물질의 열적 저하를 일으킬 것이다.Linear sources are of considerable interest, especially for the performance of linear sources to achieve high speed deposition. Due to the much smaller source-substrate distance compared to point sources, linear sources also ensure the efficient use of most materials. The presence of multiple nozzles and the design of multiple nozzles are provided to ensure uniform deposition over large surfaces. This is a major advantage that makes the use of nozzles essential for the large scale production of devices such as the aforementioned electroluminescent devices. However, this short distance with high speed evaporation makes it difficult to apply conventional screened closed systems (which can cause the deposition process on the substrate to stop) due to mechanical causes. The size of a conventional closed system is incompatible with the long nozzle diffuser. In addition, the nozzles are not easy to use due to the speed at which the nozzles become clogged. There are also sources equipped with valves that allow the vapor conveying tube to be closed in order to prevent diffusion of vapor towards the substrate so that evaporation material is not wasted. When closed, the valve greatly reduces the volume of the pipe connected to the point where steam is produced. The significant reduction in volume results in a significant change in the steam generation system load, which greatly increases the pressure in the steam generation zone. This significant pressure change causes a temperature rise until the steam generation zone is saturated. This rise in temperature will again cause thermal degradation of the deposition material.

따라서, 본 발명의 일반적인 목적은, 증착 중단 및 재개를 가지고 연속적으로 작동하는데 요구되는 기상 증착 시스템들의 선형 소스들에서 발견되는 전술한 단점들 중 적어도 일부를 극복하는 것이다. 증발 온도에 가까운 파괴 온도를 가지고 유기 물질들의 증착을 가능하게 하는 선형 소스를 개시하는 것 또한 본 발명의 목적이다.It is therefore a general object of the present invention to overcome at least some of the aforementioned disadvantages found in the linear sources of vapor deposition systems required to operate continuously with deposition interruption and resumption. It is also an object of the present invention to disclose a linear source having a breakdown temperature close to the evaporation temperature to enable deposition of organic materials.

이하의 설명 및 첨부 도면들에 의해 본 발명의 다른 목적들, 특징들 및 이점들이 보다 분명해질 것이다. 다른 이점들이 통합될 수 있음이 이해된다.Other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description and the accompanying drawings. It is understood that other advantages may be incorporated.

이러한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 물질의 기상 증착을 위한 소스를 개시한다. 이것은 두 개의 구역으로 분할되는 용기로 구성된다. 제1 구역은 증기 생성을 위한 것이다. 제1 구역에는 상기 물질을 위한 리셉터클 및 상기 리셉터클 내에 배치된 상기 물질을 가열하기 위한 수단이 장착된다. 제2 구역은 상기 증기 생성 구역과 연통하는 용기를 포함하며 적어도 하나의 개구가 장착됨으로써 상기 기상 물질이 상기 개구를 통해 상기 용기의 외부를 향해 전달되도록 하는 확산 구역이다. 상기 소스는 한편으로, 룸이 열전달 액체가 충진되는 중간 공간을 형성하는 내벽 및 외부 엔벨로프를 포함하며, 다른 한편으로, 상기 액체를 가열하기 위한 수단으로 채워지는 것을 특징으로 한다.To achieve this object, the present invention discloses a source for vapor deposition of materials. It consists of a container that is divided into two zones. The first zone is for steam production. The first zone is equipped with a receptacle for the material and means for heating the material disposed within the receptacle. The second zone is a diffusion zone that includes a vessel in communication with the vapor generation zone and is equipped with at least one opening such that the gaseous material passes through the opening toward the outside of the vessel. The source is characterized in that the room comprises, on the one hand, an inner wall and an outer envelope forming an intermediate space filled with heat transfer liquid and, on the other hand, filled with means for heating the liquid.

본 발명은 이하의 특징들을 또한 포함할 수 있다.The present invention may also include the following features.

- 상기 열전달 액체를 가열하기 위한 수단은 상기 챔버 외부 엔벨로프와 전체적으로 또는 부분적으로 접촉하는 적어도 하나의 전기 저항을 포함한다.The means for heating the heat transfer liquid comprises at least one electrical resistance in whole or in part contact with the chamber outer envelope.

- 상기 전기 저항은 상기 챔버 외부 엔벨로프의 외표면과 접촉한다.The electrical resistance is in contact with the outer surface of the chamber outer envelope.

- 상기 가열수단은 상기 중간 공간 내에 전체적으로 또는 부분적으로 배치되는 적어도 하나의 전기 저항을 포함한다.The heating means comprise at least one electrical resistance arranged in whole or in part in the intermediate space.

- 상기 전기 저항은 상기 내벽의 외표면과 접촉한다.The electrical resistance is in contact with the outer surface of the inner wall.

- 상기 열전달 액체를 가열하기 위한 수단은 상기 챔버 외측에 배치되어 상기 열전달 액체를 가열하는 장치와 상기 가열장치 및 상기 중간 공간 사이에서 상기 열전달 액체를 순환시키는 수단을 포함한다.The means for heating the heat transfer liquid comprises an apparatus arranged outside the chamber to heat the heat transfer liquid and means for circulating the heat transfer liquid between the heating device and the intermediate space.

- 상기 내벽의 열전도성은 상기 외부 엔벨로프의 열전도성보다 크다.The thermal conductivity of the inner wall is greater than that of the outer envelope.

- 상기 리셉터클은 열전달 액체로 채워진 제2중간 공간을 형성하는 내벽 및 외부 엔벨로프를 갖는다.The receptacle has an inner wall and an outer envelope forming a second intermediate space filled with heat transfer liquid.

- 상기 리셉터클을 가열하기 위한 수단은 상기 리셉터클의 외부 엔벨로프와 전체적으로 또는 부분적으로 접촉하는 적어도 하나의 전기 저항을 포함한다.The means for heating the receptacle comprises at least one electrical resistance in full or partial contact with the outer envelope of the receptacle.

- 상기 리셉터클을 가열하기 위한 수단은 상기 제2중간 공간 내에 전체적으로 또는 부분적으로 배치된 적어도 하나의 전기 저항을 포함한다.The means for heating the receptacle comprises at least one electrical resistance disposed in whole or in part within the second intermediate space.

- 상기 리셉터클을 가열하기 위한 수단은 상기 리셉터클 외측에 배치되어 상기 열전달 액체를 가열하는 장치와 상기 가열장치 및 상기 제2중간 공간 사이에서 상기 열전달 액체를 순환시키는 수단을 포함한다.The means for heating the receptacle comprises a device arranged outside the receptacle for heating the heat transfer liquid and means for circulating the heat transfer liquid between the heating device and the second intermediate space.

- 상기 리셉터클 벽의 열전도성은 상기 리셉터클 외부 엔벨로프의 열전도성보다 크다.The thermal conductivity of the receptacle wall is greater than the thermal conductivity of the outer envelope of the receptacle.

- 상기 리셉터클은 상기 물질과 그 내표면 상에서 접촉하는 하나 또는 다수의 핀을 포함한다.The receptacle comprises one or a plurality of pins in contact with the material on its inner surface.

- 상기 중간 공간을 통과하는 노즐이 장착된 적어도 하나의 오리피스.At least one orifice equipped with a nozzle through the intermediate space.

- 상기 중간 공간은 상기 챔버의 내벽의 외표면 전체를 둘러싼다.The intermediate space surrounds the entire outer surface of the inner wall of the chamber.

- 상기 증기 생성 구역 및 상기 챔버는 수직으로 연결된다.The steam generation zone and the chamber are connected vertically.

- 상기 증기 생성 구역은 상기 챔버의 폭 상에 중심을 두고 있다.The steam generation zone is centered on the width of the chamber.

- 가열수단은 적어도 하나의 오리피스 높이에 배치된다.The heating means is arranged at the height of at least one orifice.

- 각각의 오리피스에 대해, 상기 가열수단은 상기 오리피스의 외주벽 둘레에 있는 필라멘트를 포함한다.For each orifice, the heating means comprises a filament around the outer circumferential wall of the orifice.

- 상기 필라멘트는 상기 중간 공간의 외측에 배치된다.The filament is arranged outside of the intermediate space.

- 상기 필라멘트는 상기 중간 공간 내에 배치된다.The filament is arranged in the intermediate space.

본 발명의 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부 도면들에 도시된 그것의 실시예에 대한 구체적인 설명들로부터 보다 잘 이해될 것이다.
도 1a 및 1b는 가열 필라멘트들이 가열로 및 증기 디퓨저의 외부 엔벨로프 둘레에 감겨져 있는 본 발명에 따른 선형 기상 증착 소스를 보인다.
도 2a 및 2b는 가열 필라멘트들이 열전달 액체와 직접 접촉하는 본 발명에 따른 선형 기상 증착 소스의 일 변형예이다.The objects, features and advantages of the present invention will be better understood from the detailed description of its embodiment shown in the accompanying drawings.
1a and 1b show a linear vapor deposition source according to the present invention in which the heating filaments are wound around the outer envelope of the furnace and steam diffuser.
2A and 2B are a variant of the linear vapor deposition source according to the present invention in which the heating filaments are in direct contact with the heat transfer liquid.

도 1a 및 1b는 본 발명에 따른 선형 기상 증착 소스를 도시한다. 이 증착 소스에서 가열 필라멘트들은 가열로 및 증기 디퓨저의 외부 엔벨로프 둘레에 감겨져 있다.1A and 1B show a linear vapor deposition source according to the present invention. In this deposition source, the heating filaments are wound around the outer envelope of the furnace and the vapor diffuser.

바람직한 일 실시예에서, 본 발명은 선형 기상 증착 소스(10)가 가열로 또는 생성 구역(20) 및 챔버(50)의 오리피스들(30)을 형성하는 증발 노즐들 사이에서 매우 점진적인 온도 증감을 얻는 것을 가능케 하는 방안을 개시한다.In one preferred embodiment, the present invention achieves a very gradual temperature gradient between the vapor deposition nozzles in which the linear vapor deposition source 10 forms the furnace or production zone 20 and the orifices 30 of the chamber 50. Discuss how to make it possible.

본 발명과 같은 유형의 증착 소스는 열 적용에 의해 상기 물질이 기체 상태로 변환되는 레벨에서 증기 생성 구역을 포함한다.Deposition sources of the same type of invention include a vapor generating zone at a level at which the material is converted into a gaseous state by heat application.

상기 소스는 오리피스들(30)을 통해 증기를 소스 외부로 이동시켜 상기 물질이 증착되도록 할 수 있는 증기 생성 구역을 포함한다.The source includes a vapor generation zone that can move vapor out of the source through orifices 30 to allow the material to be deposited.

상기 소스는 확산을 수행하는, 즉 생성 구역(20)으로부터 증기를 분배하는 챔버를 포함한다.The source comprises a chamber for performing diffusion, ie distributing vapor from the production zone 20.

생성 구역(20)과 챔버(50) 간의 연결은 파이프(40)를 통해 보여진 예들에서 일어나며, 이어서 증발될 물질(23)의 리셉터클(21)이 연결된다. 파이프(40)는 두 개의 소스 구역들 사이에서 "T"자를 형성하는 챔버(50)의 통합 부분인 것이 유리하다.The connection between the production zone 20 and the chamber 50 takes place in the examples shown through the pipe 40, and then the receptacle 21 of the material 23 to be evaporated is connected. The pipe 40 is advantageously an integral part of the chamber 50 forming a “T” between two source zones.

형용사 선형은 다수의 노즐을 가진 소스(바람직한 일 실시예)를 의미하는 것이며, 여기서 노즐들은 소스의 하나의 차원을 따라 병렬 배치된다. 이러한 병렬 배치는 일직선을 따르는 노즐들의 정렬을 포함하는 것이 바람직하지만, 이는 제한적인 배열이 아니다.Adjective alignment refers to a source having a plurality of nozzles (one preferred embodiment), wherein the nozzles are arranged in parallel along one dimension of the source. This parallel arrangement preferably includes the alignment of the nozzles along a straight line, but this is not a restrictive arrangement.

상기 로(furnace)의 도가니 또는 리셉터클(21)은 증발될 물질(23), 예를 들면 전자조명 다이오드 제조에 사용되는 유형의 유기 물질을 수용한다. 그것은 상기 가열로를 형성하는 두 개의 동축 튜브들, 즉 상기 도가니 자체 및 상기 로의 외부 엔벨로프(29) 사이에 있는, 이하에서 제2중간 공간(챔버(50) 레벨에 형성되며 추가 설명되는 중간 공간과 비교하여)으로 지칭되는 중간 공간 내에서 도가니의 전체 둘레에 존재하는 열전달 액체(25) 내에 잠겨진다. 이러한 튜브형 구조는 유리하지만 제한적이지는 않다. 상기 제2중간 공간은 일반적으로 물질(23)을 수용하는 리셉터클(21)의 내벽과 엔벨로프(29) 사이에 형성된다.The furnace crucible or receptacle 21 contains a material 23 to be evaporated, for example an organic material of the type used in the manufacture of electron lighting diodes. It consists of two coaxial tubes forming the furnace, ie between the crucible itself and the outer envelope 29 of the furnace, a second intermediate space (middle space formed at the level of chamber 50 and described further below) and Submerged in a heat transfer liquid 25 present around the entire crucible in an intermediate space, referred to as). Such tubular structures are advantageous but not limiting. The second intermediate space is generally formed between the inner wall of the receptacle 21 containing the material 23 and the envelope 29.

유리하게, 상기 제2중간 공간은 상기 베이스의 일부 및 리셉터클(21)의 측벽을 커버하며, 리셉터클의 측벽 일부는 챔버(50)와 연결되는 상기 베이스의 반대편에 위치한다. 도 1a 및 1b에 도시된 본 발명의 일 실시예에서, 상기 가열수단은 가열로의 외부 엔벨로프를 둘러싸는 필라멘트(27)로 구성된다. 따라서, 리셉터클(21)은 상기 가열 팔라멘트와 직접적으로 접촉하지 않는다. 이것은 배경기술에서 소개된 전술한 단점들을 수반하는 핫 포인트(hot point)의 생성을 방지하며, 여기서 전술한 단점들은 증발 물질의 수명이 단축되는 것과, 고가 물질의 악화 및 손실을 의미한다. 따라서, 상기 도가니의 가열을 간접적이다. 이는 일반적으로 균일한 증발 온도를 보장하는 열전달 액체를 통해 일어난다.Advantageously, the second intermediate space covers a portion of the base and sidewalls of the receptacle 21, the portion of the sidewall of the receptacle being located opposite the base that is connected to the chamber 50. In one embodiment of the invention shown in FIGS. 1A and 1B, the heating means consists of a filament 27 enclosing the outer envelope of the furnace. Thus, the receptacle 21 is not in direct contact with the heating filament. This prevents the creation of a hot point that entails the aforementioned disadvantages introduced in the background, where the disadvantages imply shortening the life of the evaporation material and deterioration and loss of the expensive material. Therefore, the heating of the crucible is indirect. This generally occurs through heat transfer liquids which ensure a uniform evaporation temperature.

리셉터클(21)과 같이, 상기 챔버는 환형 공간 전체 내에 존재하며 한편으로는 파이프(40)와 상기 디퓨저의 내벽(52) 사이에 다른 한편으로는 T자 형상의 외부 관형 엔벨로프(60) 사이에 배치되는 열전달 액체(25)에 잠겨지며, 여기서, 브렌치들은 파이프(40)와 동축이고 챔버(50)의 횡단부와도 동축이다.Like the receptacle 21, the chamber is located in the entire annular space and on the one hand between the pipe 40 and the inner wall 52 of the diffuser on the other hand between the T-shaped outer tubular envelope 60. It is submerged in the heat transfer liquid 25, where the branches are coaxial with the pipe 40 and also coaxial with the cross section of the chamber 50.

상기 열전달 액체는 상기 물질들의 증발 온도와 양립할 수 있는 온도 범위 내에서 열을 전달할 수 있어야 한다. 사용될 액체의 선택상의 주요 조건은, 액체의 물리-화학적 성질이 구축된 온도와 무관하게 유지되도록, 온도에 대한 그의 화학적인 안정성이다. 여기서 보다 특별하게 고려되어지는 유기 물질들에 대해, 액체는 전형적으로 400℃에 이르러서도 작동할 수 있어야 한다. 상기 액체는 다양한 화학적 조성을 가질 수 있다; 실리콘-베이스인 것, 합성 방향성 화합물 또는 중합 산물들의 사용에 베이스를 둔 것. 또한, 액체는 상기 소스의 내측벽에 전달되는 열의 양을 최적화할 수 있도록 액체의 일정한 부피 및 높은 열 전달 계수를 보장하기 위해, 작은 열팽창 계수를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 기준들을 충족하는 액체들은 트레이드 소스들로부터 활용 가능하다. 예를 다음과 같다;The heat transfer liquid should be able to transfer heat within a temperature range compatible with the evaporation temperature of the materials. The main condition of choice of the liquid to be used is its chemical stability to temperature so that the physico-chemical properties of the liquid remain independent of the temperature established. For organic materials that are considered more particularly here, the liquid should typically be able to operate up to 400 ° C. The liquid can have various chemical compositions; Being silicone-based, based on the use of synthetic aromatic compounds or polymerization products. In addition, the liquid preferably has a small coefficient of thermal expansion in order to ensure a constant volume of liquid and a high heat transfer coefficient so as to optimize the amount of heat transferred to the inner wall of the source. Liquids that meet these criteria are available from trade sources. An example is as follows;

- Therminol 75®(제조원: company SOlutia Europe SPRL/BVBA 3 Rue Laid Burniat, B-1348 Louvain la Neuve (Sud), Belgium),-Therminol 75® (company SOlutia Europe SPRL / BVBA 3 Rue Laid Burniat, B-1348 Louvain la Neuve (Sud), Belgium),

- Syltherm 800®(제조원: the company 'Dow Chemical' whose registered office and sales offices in France are: 'Dow France S.A.S', Avenue Jules Rimet, 93631 La　Plaine St Denis).Syltherm 800® (the company 'Dow Chemical' whose registered office and sales offices in France are: 'Dow France S.A.S', Avenue Jules Rimet, 93631 La Plaine St Denis).

이러한 본 발명의 실시예에서, 가열 필라멘트들(41)은 열전달 액체를 사용하여 상기 디퓨저를 간접적으로 가열하기 위해 상기 외측 관형 엔벨로프를 또한 둘러싸며, 그리하여 한편으로는 상기 가열로 내에서 증발될 물질 및 챔버 내의 증기와 접촉하고 다른 한편으로는 주입 파이프(40) 및 수평 디퓨저와 접촉하는 모든 표면들에 걸친 우수한 열 분포를 보장한다.In this embodiment of the invention, the heating filaments 41 also surround the outer tubular envelope for indirectly heating the diffuser using a heat transfer liquid, so that on the one hand the material to be evaporated in the furnace and It ensures good heat distribution across all surfaces in contact with the steam in the chamber and on the other hand in contact with the injection pipe 40 and the horizontal diffuser.

또한, 상기 도면들은 오리피스들(30) 높이에 배치된 선택적인 가열 수단들을 보이고 있다. 도 1a 및 1b에 도시된 실시예에서, 이러한 로컬 가열 수단은 오리피스들(30)의 상단에 배치된, 즉 파이프들의 노즐 출구에 배치된 필라멘트들(31)을 포함한다. 필라멘트들(31)은 상기 중간 공간 밖에서 상기 파이프들의 원위 둘레 벽(distal peripheral wall)과 결합한다.The figures also show optional heating means arranged at the height of the orifices 30. In the embodiment shown in FIGS. 1A and 1B, this local heating means comprises filaments 31 arranged on top of the orifices 30, ie arranged at the nozzle outlet of the pipes. Filaments 31 engage with the distal peripheral wall of the pipes outside the intermediate space.

선택 사항으로서, 도 2a 및 2b는 상기 중간 공간 내측에서, 오리피스들(30)의 파이프들 둘레에 있는 필라멘트들(31)을 도시한다.2a and 2b show the filaments 31 around the pipes of the orifices 30, inside the intermediate space.

링 형태로, 필라멘트들(31)은 온도 증감에 대해 훨씬 양호한 조절을 보장한다.In the form of a ring, the filaments 31 ensure much better control over temperature gradients.

우수한 열전도성을 가진 물질(예로써 금속)로 이루어진, 리셉터클(21)과 그것의 엔벨로프(20), 그리고 수직 파이프(40), 챔버(50)의 몸체, 및 그것들의 엔벨로프(60)의 실시예와 조합하여 사용되는 그러한 가열 수단은 증발될 물질 또는 그것의 증기와 접촉하는 벽들 전체를 따라 매우 고른 온도를 보장한다. 이는 필라멘트들이 그러한 벽들과 직접 접촉한다면 일어날 수 있는 핫 포인트(hot point)들을 제거한다.Embodiments of the receptacle 21 and its envelope 20, and the vertical pipe 40, the body of the chamber 50, and their envelope 60, made of a material (eg metal) with good thermal conductivity Such heating means used in combination with ensure a very even temperature along the entire walls in contact with the substance to be evaporated or its vapor. This eliminates hot points that can occur if the filaments are in direct contact with such walls.

도가니 또는 리셉터클(21)에 배치된 증발될 물질의 중심(core)에 이르기까지 고른 온도를 보장하기 위해, 리셉터클은 방사형 핀들(22: radial fins)을 포함한다. 이 방사형 핀들은 도가니와 로드 사이의 가열 표면을 크게 증가시키고 모든 가열 파워를 전도에 의해 확산시킴으로써 그 내측에서의 어떤 온도 차이도 방지한다. 이것은 상기 벽들과 접촉하는 상기 물질이 국부적으로 탄화하는 것을 방지하는데, 반면 이것이 일어나지 않는다면 상기 도가니의 중앙에 있는 상기 물질은 보다 낮은 온도에 있게 될 것이다.The receptacle comprises radial fins 22 to ensure even temperatures down to the core of the material to be evaporated, which is placed in the crucible or receptacle 21. These radial fins significantly increase the heating surface between the crucible and the rod and prevent any temperature difference inside it by diffusing all heating power by conduction. This prevents the local carbonization of the material in contact with the walls, whereas if this does not happen the material in the center of the crucible will be at a lower temperature.

따라서, 증착 소스가 적절히 기능하면서도 증착될 물질의 파괴 온도를 초과하지 않는 것을 보장하기 위해 상기 증기 소스로부터 상기 노즐들에 이르기까지 유리하게 생성되어야 하는 미미한 온도 증감 하지만 여전히 플러스(positive)인 온도 증가가, 가열 필라멘트들의 전기적 제어 그리고 상기 디퓨저, 상기 수직 주입 파이프 및 상기 도가니 모두에 걸친 그것들의 배분을 수행함으로써 보장될 수 있다. 상기 열전달 액체의 존재는 어떠한 변화들을 매우 효과적으로 완만하게 하여 핫 스폿들(hot spots)의 존재를 방지한다.Thus, there is a slight temperature increase but still a positive temperature increase that must be advantageously produced from the vapor source to the nozzles to ensure that the deposition source functions properly but does not exceed the destruction temperature of the material to be deposited. , Electrical control of the heating filaments and their distribution across all of the diffuser, the vertical injection pipe and the crucible. The presence of the heat transfer liquid smoothes out any changes very effectively to prevent the presence of hot spots.

일 실시예에서, 필라멘트들 또는 저항(27, 41)의 다른 제어는 이러한 조절을 용이하게 한다. 따라서, 저항들(27, 41)은 상기 소스의 위치에 따라, 가열을 조절하기 위해 다르게 제어되는 여러 몸체들로 나누어질 수 있다.In one embodiment, the filaments or other control of the resistors 27 and 41 facilitate this adjustment. Thus, the resistors 27 and 41 can be divided into several bodies that are controlled differently to regulate heating, depending on the location of the source.

마지막으로, 연속적인 산업적 제조를 위해 사용될 본 발명의 선형 소스를 위해, 증발될 물질들을 손상시킴 없이 증발 공정을 중지시키고 재개하기 위한 수단이 또한 제공되어야 한다. 본 발명의 목적은 디퓨저에 증기 체크 밸브를 배치하는 본 발명의 제1 실시예로 달성된다. 이러한 체크 밸브는 로터리 슬리브(70)의 형태를 취할 수 있으며, 그러한 로터리 슬리브(70)는 디퓨저의 내경에 대응하며 축방향 기계적 컨트롤(72)을 사용하여 변경될 수 있는 직경을 갖는다. 오리피스들(73)은 증기가 증착 도중 통과할 수 있도록 노즐들 위치에서 드릴링된다(drilled). 슬리브의 단순 회전은 노즐들을 마스크하고 증착 공정을 중지시키기에 충분하다. 수직 증기 주입 파이프(40) 반대편에 배치된 하측 오리피스(71)는 노즐들을 마스크하기 위해 회전될 때, 슬리브가 증기 주입 파이프(40)를 막지 않도록 하는 것이다.Finally, for the linear source of the present invention to be used for continuous industrial production, means must also be provided for stopping and restarting the evaporation process without damaging the materials to be evaporated. The object of the invention is achieved with a first embodiment of the invention in which a vapor check valve is arranged in the diffuser. Such a check valve may take the form of a rotary sleeve 70, which has a diameter corresponding to the inner diameter of the diffuser and which can be changed using the axial mechanical control 72. Orifices 73 are drilled at the nozzle locations to allow vapor to pass during deposition. Simple rotation of the sleeve is sufficient to mask the nozzles and stop the deposition process. The lower orifice 71 disposed opposite the vertical steam injection pipe 40 is such that the sleeve does not block the steam injection pipe 40 when rotated to mask the nozzles.

도 2a 및 2b는 본 발명에 따른 선형 기상 증착 소스의 일 변형예를 도시하며, 여기서 가열 또는 전기 저항 필라멘트들은 상기 열전달 액체와 직접 접촉한다.2a and 2b show a variant of a linear vapor deposition source according to the invention, wherein the heating or electrical resistive filaments are in direct contact with the heat transfer liquid.

이 도면은 상기 열전달 액체(25)를 수용하는 환형의 공간들 내에 가열 요소들을 배치하는 것이 가능함을 보인다. 상기 열전달 액체 내에 잠겨져 있으므로, 상기 필라멘트들은 열을 직접 전달하며, 그리하여 온도는 앞서 케이스에서처럼 적어도 균일하다. 이것은, 리셉터클(21)을 가열하기 위해 사용되는 필라멘트들(27), 및 수직 파이프(40)와 내벽(52) 둘레의 온도 구배(temperature gradient)를 유지하기 위해 사용되는 필라멘트들(41) 모두에 관련된다. 이 경우에서, 외벽은 더 냉각되어 증착 소스를 수용하는 증착 챔버 내에서 선형 소스로부터 열의 방사를 제한한다. 이러한 본 발명의 제2 실시예에서, 도가니(29)의 외부 엔벨로프 및 디퓨저(60)의 외부 엔벨로프는 이러한 방사를 더 감소시키기 위해 낮은 열전도성을 지닌 물질로 이롭게 구현될 수 있다. 대안적으로, 물과 같은 액체 냉각 시스템은 이러한 방사를 제한할 수 있다.This figure shows that it is possible to arrange heating elements in annular spaces containing the heat transfer liquid 25. Since immersed in the heat transfer liquid, the filaments transfer heat directly, so that the temperature is at least uniform as in the case above. This is true of both the filaments 27 used to heat the receptacle 21 and the filaments 41 used to maintain a temperature gradient around the vertical pipe 40 and the inner wall 52. Related. In this case, the outer wall is further cooled to limit the radiation of heat from the linear source in the deposition chamber containing the deposition source. In this second embodiment of the present invention, the outer envelope of the crucible 29 and the outer envelope of the diffuser 60 can be advantageously implemented with a material having low thermal conductivity to further reduce this radiation. Alternatively, liquid cooling systems such as water can limit this radiation.

따라서, 열전달 액체의 가열은 증착 챔버 외측에 배치된 버퍼 탱크(미도시)에 오프셋될 수 있다. 이후 상기 소스 및/또는 챔버의 레벨에서 순환하는 상기 액체는, 사용 중에 변경될 수 있고, 예로써 상기 소스의 신속한 냉각 및 일반적으로 온도가 외부 장치에 의해 조절될 수 있게 한다. 이러한 경우에는, 가열 필라멘트들을 장착할 필요가 없다.Thus, the heating of the heat transfer liquid may be offset in a buffer tank (not shown) disposed outside the deposition chamber. The liquid, which then circulates at the level of the source and / or chamber, can be changed during use, for example to allow rapid cooling of the source and generally the temperature to be controlled by an external device. In this case, it is not necessary to mount the heating filaments.

본 발명의 제2 구현예에서, 로터리 슬리브(70)는 슬라이딩 슬리브(70)로 대체된다. 챔버(50)의 횡방향 몸체를 형성하는 디퓨저에 비해 약간 짧기 때문에, 상기 노즐들은 이때 축방향 컨트롤(72)을 사용한 슬라이딩 슬리브(70)의 측방향 움직임에 의해 폐쇄된다. 이전처럼, 증착 단계 도중 증기가 통과할 수 있도록 개구들(73)이 노즐들 위치에서 드릴링된다. 수직 증기 주입 파이프(40) 반대편에 배치된 하측 오리피스(81)는, 노즐들을 가리기 위한 상기 측방향 변위가 증기 파이프(40)를 어떤 방식으로 막지 않도록 하는, 형상 및 치수들을 갖는다.In a second embodiment of the invention, the rotary sleeve 70 is replaced with a sliding sleeve 70. Since they are slightly shorter than the diffusers forming the transverse body of the chamber 50, the nozzles are then closed by lateral movement of the sliding sleeve 70 using the axial control 72. As before, openings 73 are drilled at the nozzles position to allow vapor to pass through during the deposition step. The lower orifice 81 disposed opposite the vertical steam injection pipe 40 has shapes and dimensions such that the lateral displacement for covering the nozzles does not block the steam pipe 40 in any way.

물론, 도 1, 2에 도시된 실시예 방안들은 어떤 불리함 없이 조합될 수 있다. 필라멘트들은 열전달 액체 내에 배치될 수 있으며 이는 로터리 슬리브의 사용으로 구성될 수 있다. 그 반대 또한 가능하다(상기 엔벨로프 둘레에 슬라이딩 슬리브 및 가열 요소들이 배치됨).Of course, the embodiment solutions shown in Figs. 1 and 2 can be combined without any disadvantages. The filaments can be disposed in the heat transfer liquid, which can be configured by the use of a rotary sleeve. The reverse is also possible (sliding sleeves and heating elements are arranged around the envelope).

따라서 기술된 상기 가열 수단들이 또한 조합될 수 있다.The heating means described can thus also be combined.

유사하게, 액체(25)는 상기 두 개의 중간 공간들에서 같을 수도 있고 같지 않을 수도 있다. 상기 공간들은 온도가 균일하도록 연통되거나, 분리될 수 있다.Similarly, liquid 25 may or may not be the same in the two intermediate spaces. The spaces can be communicated or separated for uniform temperature.

온도 변화들 없이 플럭스의 빠른 변화 또는 플럭스의 안정성을 보장하기 위해, 상기 밸브는 또한 인터로킹될 수 있으며 방사된 플럭스 조절을 보장하도록 사용될 수 있다. 특히, 이러한 해결책은 도가니를 채우는 물질의 레벨에 종속하는 어떤 플럭스 변화들(flux variations)을 신속히 매끄럽게 한다.In order to ensure a rapid change in flux or stability of the flux without temperature changes, the valve can also be interlocked and used to ensure radiated flux control. In particular, this solution quickly smoothes out any flux variations that depend on the level of material filling the crucible.

상기 중간 공간은 상기 디퓨저 노즐들을 또한 둘러싼다는 것이 주목되어야 할 것이다. 따라서 상기 증기는 증착 소스의 최종 단부에 이르기까지 가열된다.It should be noted that the intermediate space also surrounds the diffuser nozzles. The vapor is thus heated up to the final end of the deposition source.

Claims (21)

두 개의 구역을 가진 용기를 포함하는 기상 물질의 증착 소스(10)로서, 상기 두 개의 구역은, 상기 물질을 위한 리셉터클과 상기 리셉터클 내의 물질을 가열하기 위한 수단이 장착된 증기 생성 구역(20); 및, 상기 증기 생성 구역과 연통되며 적어도 하나의 오리피스(30)가 구비되어 기상의 상기 물질이 상기 오리피스를 통해 상기 용기의 외부를 향해 전달되도록 하는 챔버(50);인 증착 소스(10)에 있어서,
한편으로, 상기 챔버(50)는 열-전달 액체(25)가 충진되는 중간 공간을 형성하는 내벽(52)과 외부 엔벨로프(60)를 포함하고, 다른 한편으로, 상기 증착 소스는 열-전달 액체(25)를 가열하기 위한 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.A deposition source (10) of vapor phase material comprising a vessel having two zones, the two zones comprising: a vapor generation zone (20) equipped with a receptacle for the material and means for heating the material within the receptacle; And a chamber (50) in communication with said vapor generating zone and having at least one orifice (30) to allow said vapor phase material to pass through said orifice out of said vessel. ,
On the one hand, the chamber 50 comprises an inner wall 52 and an outer envelope 60 forming an intermediate space in which the heat-transfer liquid 25 is filled. On the other hand, the deposition source is a heat-transfer liquid. And a means for heating (25). 제1항에 있어서,
상기 열-전달 액체(25)를 가열하기 위한 수단은, 상기 챔버(50)의 외부 엔벨로프(60)와 전체적으로 또는 부분적으로 접촉하는 적어도 하나의 전기 저항(41)을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.The method of claim 1,
The means for heating the heat-transfer liquid 25 comprises at least one electrical resistance 41 in total or partial contact with the outer envelope 60 of the chamber 50. . 제2항에 있어서,
상기 전기 저항(41)은, 상기 챔버(50)의 외부 엔벨로프(60)의 외부 표면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.The method of claim 2,
The electrical resistance (41) in contact with the outer surface of the outer envelope (60) of the chamber (50). 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열-전달 액체(25)를 가열하는 수단은, 상기 중간 공간 내에 전체적으로 또는 부분적으로 배치되는 적어도 하나의 전기 저항(41)을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The means for heating the heat-transfer liquid (25) comprises at least one electrical resistance (41) disposed in whole or in part in the intermediate space. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전기 저항(41)은 상기 챔버(50)의 내벽(52)의 외부 표면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The electrical resistance (41) in contact with an outer surface of the inner wall (52) of the chamber (50). 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열-전달 액체를 가열하는 수단은, 상기 챔버의 외부에 위치하여 상기 열-전달 액체(25)를 가열하는 장치와 상기 가열 장치 및 상기 중간 공간 사이에서 상기 열-전달 액체를 순환시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.The method according to any one of claims 1 to 5,
The means for heating the heat-transfer liquid comprises a device located outside the chamber for heating the heat-transfer liquid 25 and means for circulating the heat-transfer liquid between the heating device and the intermediate space. Deposition source comprising a. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 내벽(52)의 열전도성은 상기 외부 엔벨로프(60)의 열전도성보다 큰 것을 특징으로 하는 증착 소스.7. The method according to any one of claims 4 to 6,
And wherein the thermal conductivity of the inner wall (52) is greater than the thermal conductivity of the outer envelope (60). 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 리셉터클(21)은 열-전달 액체(25)가 충진되는 제2 중간 공간을 형성하는 내벽과 외부 엔벨로프(29)를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The receptacle (21) comprises an inner wall and an outer envelope (29) forming a second intermediate space in which the heat-transfer liquid (25) is filled. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
리셉터클(21)을 가열하는 수단은 상기 리셉터클의 외부 엔벨로프(29)와 전체적으로 또는 부분적으로 접촉하는 적어도 하나의 전기 저항(27)을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.The method according to any one of claims 1 to 8,
Means for heating a receptacle (21) comprises at least one electrical resistance (27) in total or partial contact with the outer envelope (29) of the receptacle. 제8항 또는 제9항에 있어서,
리셉터클(21)을 가열하는 수단은 상기 제2 중간 공간 내에 전체적으로 또는 부분적으로 배치된 적어도 하나의 전기 저항(27)을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.10. The method according to claim 8 or 9,
Means for heating a receptacle (21) comprises at least one electrical resistance (27) disposed in whole or in part within the second intermediate space. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
리셉터클(21)을 가열하는 수단은 리셉터클(21)의 외부에 위치하여 열-전달 액체를 가열하는 장치와 상기 가열 장치 및 제2 중간 공간 사이에서 열-전달 액체(25)를 순환시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.11. The method according to any one of claims 8 to 10,
Means for heating the receptacle 21 include an apparatus located outside of the receptacle 21 to heat the heat-transfer liquid and means for circulating the heat-transfer liquid 25 between the heating device and the second intermediate space. Deposition source, characterized in that. 제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 리셉터클(21)의 내벽의 열전도성은 리셉터클(21)의 외부 엔벨로프(29)의 열전도성보다 큰 것을 특징으로 하는 증착 소스.The method according to claim 10 or 11,
And the thermal conductivity of the inner wall of the receptacle (21) is greater than the thermal conductivity of the outer envelope (29) of the receptacle (21). 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 리셉터클(21)은 내표면상에 상기 물질과 접촉하는 하나 또는 다수의 핀(22)을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.13. The method according to any one of claims 1 to 12,
The receptacle (21) is characterized in that it comprises one or a plurality of pins (22) in contact with the material on the inner surface. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 오리피스(30)는 상기 중간 공간을 가로지르는 노즐을 갖는 것을 특징으로 하는 증착 소스.The method according to any one of claims 1 to 13,
And the at least one orifice (30) has a nozzle across the intermediate space. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중간 공간은 챔버(50)의 내벽 외표면 전체를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 증착 소스.15. The method according to any one of claims 1 to 14,
And the intermediate space surrounds the entire inner wall outer surface of the chamber (50). 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증기 생성 구역(20)과 챔버(50)는 수직으로 연결된 것을 특징으로 하는 증착 소스.16. The method according to any one of claims 1 to 15,
The vapor generating zone (20) and the chamber (50) connected vertically. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증기 생성 구역(20)은 챔버(50)의 폭 상에 중심을 두고 있는 것을 특징으로 하는 증착 소스.17. The method according to any one of claims 1 to 16,
The vapor generation zone (20) is characterized in that it is centered on the width of the chamber (50). 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 오리피스(30)의 높이에 배치된 로컬 가열 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.The method according to any one of claims 1 to 17,
And a local heating means disposed at the height of said at least one orifice (30). 제18항에 있어서,
상기 로컬 가열 수단은, 각 오리피스(30)에 대하여, 상기 오리피스(30)의 가장자리 벽의 둘레에 배치되는 필라멘트(31)를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.19. The method of claim 18,
And said local heating means comprises, for each orifice (30), a filament (31) disposed around the edge wall of said orifice (30). 제19항에 있어서,
상기 필라멘트(31)는 상기 중간 공간의 외측에 배치되는 것을 특징으로 하는 증착 소스.20. The method of claim 19,
And the filament (31) is disposed outside of the intermediate space. 제19항에 있어서,
상기 팔라멘트(31)는 상기 중간 공간 내에 배치된 것을 특징으로 하는 증착 소스.20. The method of claim 19,
And the filament (31) is disposed in the intermediate space.
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