KR20120122898A

KR20120122898A - Method of producing MoCr sputtering target material and MoCr sputtering target material

Info

Publication number: KR20120122898A
Application number: KR1020120039078A
Authority: KR
Inventors: 마사시 가미나다; 가즈야 사이토
Original assignee: 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
Priority date: 2011-04-28
Filing date: 2012-04-16
Publication date: 2012-11-07

Abstract

PURPOSE: A MoCr target material and a manufacturing method thereof are provided to produce a low-oxygen MoCr target which hardly induces particles or splash. CONSTITUTION: A method for manufacturing a MoCr target material comprises the steps of: pulverizing a sintered Mo body to an average particle diameter of 20-500Mm to make Mo powder, heat-treating the Mo powder in a reductive atmosphere, preparing Cr powder having an average particle diameter of 20-500Mm, mixing the reduced Mo powder with the Cr powder, and pressing and sintering the mixed powder to obtain a sintered MoCr body.

Description

ＭｏＣｒ 타겟재의 제조방법 및 ＭｏＣｒ 타겟재{Method of producing MoCr sputtering target material and MoCr sputtering target material}Method of producing MoCr target material and MoCr target material {Method of producing MoCr sputtering target material and MoCr sputtering target material}

본 발명은, 스퍼터링 등의 물리 증착 기술에 사용되는 MoCr 타겟재의 제조방법 및 이것에 의해 얻어지는 MoCr 타겟재에 관한 것이다.This invention relates to the manufacturing method of MoCr target material used for physical vapor deposition techniques, such as sputtering, and the MoCr target material obtained by this.

현재, 평면표시장치의 일종인 액정 디스플레이 등의 박막 전극 및 박막 배선 등에는, 전기 저항이 작은 Mo 등의 고융점 금속막이 널리 이용되고 있다. 그리고, 이들 박막 전극 및 박막 배선 등에는, 박막 형성의 제조 공정 중에서의, 내열성, 내식성의 요구가 있기 때문에, 예를 들면, Cr, W, Nb 등을 첨가한 Mo 합금의 적용이 진행되고 있다.Currently, high melting point metal films, such as Mo, with small electrical resistance, are widely used for thin film electrodes, such as liquid crystal displays, which are a kind of flat panel display devices, and thin film wiring. And since these thin-film electrodes, thin-film wirings, etc. have the requirements of heat resistance and corrosion resistance in the manufacturing process of thin film formation, application of the Mo alloy which added Cr, W, Nb, etc., is progressing, for example.

상기의 Mo 합금을 배선으로서 형성하는 방법으로서는, 동일 조성의 타겟재를 스퍼터링에 의해 형성하는 방법이 일반적으로 이용되고 있다. 그리고, Mo 합금의 타겟재에 관해서는, 성분 구성이나 타겟재에 포함되는 불순물의 저감 등에 관해서 여러 가지 제안이 이루어져 있다.As a method of forming said Mo alloy as wiring, the method of forming the target material of the same composition by sputtering is generally used. As for the target material of the Mo alloy, various proposals have been made regarding component composition, reduction of impurities contained in the target material, and the like.

타겟재에 포함되는 불순물 중에서 특히 문제가 되는 것으로서 산소를 들 수 있다. 특히 MoCr 타겟재에 있어서는, 산소치가 높은 경우, Cr은 Mo보다도 산소와의 친화력이 강하기 때문에, 마이크로 조직에 있어서 Cr 중에 산소 농화상(濃化相)이 형성된다. 이 산소 농화상은 다른 개소와 비교해서 스퍼터 레이트가 늦기 때문에, 거기에 노듈(nodule)이라고 불리는 작은 돌기가 형성되고, 이것에 기인하여 파티클이나 스플래시 등의 문제가 다발하는 경우가 있다. 또한, 박막의 전기 저항이 높아진다고 하는 문제도 발생한다. 이들 현상으로부터 MoCr 타겟재는 산소 함유량을 낮게 할 필요가 있다.Oxygen is mentioned as a problem especially among the impurities contained in a target material. Particularly in the MoCr target material, when the oxygen value is high, Cr has a stronger affinity with oxygen than Mo, so that an oxygen concentrated phase is formed in Cr in the microstructure. Since this oxygen enriched image has a slower sputter rate compared with other locations, small projections called nodules are formed thereon, which may cause problems such as particles and splashes. Moreover, the problem that the electrical resistance of a thin film becomes high also arises. From these phenomena, the MoCr target material needs to have a low oxygen content.

상기 문제점을 해결하기 위해, 소정의 입경을 갖는 Cr 원료 분말을 고형화한 것과, 진공 중에서 전자빔 용해 또는 불활성 가스 분위기 중에서 아크 용해 등에 의해 얻어지는 Mo 용해품을 사용함으로써 저산소의 MoCr 타겟을 제조하는 방법이 제안되어 있다.(특허문헌 1)In order to solve the above problems, a method for producing a low oxygen MoCr target by solidifying Cr raw material powder having a predetermined particle diameter and using a Mo melt product obtained by electron melting in vacuum or arc melting in an inert gas atmosphere is proposed. (Patent Document 1)

한편, 별도의 방법으로서, 탄소를 탈산소제로서 첨가함으로써 산소 함유량을 저감시키는 방법이 제안되어 있다.(특허문헌 2)On the other hand, as another method, the method of reducing oxygen content by adding carbon as a deoxidizer is proposed. (Patent document 2)

일본국 특허공개 평10-168564호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 10-168564 일본국 특허공개 제2002-194536호 공보Japanese Patent Publication No. 2002-194536

특허문헌 1에 개시되는 MoCr 타겟의 제조방법은, 먼저 입경이 큰 Cr 원료 분말을 열간 정수압 프레스에 의해 고형화하는 한편, Mo는 진공 중에서 전자빔 용해 또는 불활성 가스 분위기 중에서 아크 용해 등에 의해 용해하여, 각각 저산소의 벌크체를 제작한다. 이어서 제작한 Cr과 Mo 각각의 벌크체를 기계 가공하여, 소정 형상의 타겟 및 칩으로 하고, 이들을 목적하는 합금 조성이 되는 면적비로 배치한다고 하는 제조방법이 있다. 또한, 특허문헌 1에는, 상기에서 제작한 Cr 벌크체와 Mo 벌크체를 번갈아 다수 매 포개어 겹치고, 계속해서 핫 프레스에 의해 이들을 압착하여 복합체를 얻는다고 하는 제조방법도 제안되어 있다. 이러한 제조방법은, 복잡하고 또한 고비용이기 때문에 경제적으로 불리하다.In the method for producing a MoCr target disclosed in Patent Document 1, first, a Cr raw material powder having a large particle size is solidified by hot hydrostatic press, while Mo is dissolved by electron beam dissolution in vacuum or arc dissolution in an inert gas atmosphere, and low oxygen respectively. Produce a bulk body. Thereafter, there is a manufacturing method in which the bulk body of each of Cr and Mo produced is machined to form a target and a chip having a predetermined shape, and these are arranged at an area ratio that is a desired alloy composition. In addition, Patent Literature 1 also proposes a production method in which a plurality of Cr bulk bodies and Mo bulk bodies produced above are stacked alternately, and are subsequently pressed to obtain a composite by hot pressing. Such a manufacturing method is economically disadvantageous because it is complicated and expensive.

또한, 특허문헌 2에 개시되는 MoCr 타겟재의 제조방법은, 탈산소제로서 탄소를 첨가하기 때문에, MoCr 타겟 중에 첨가한 탄소가 잔류하는 경우가 있고, 이 잔류 탄소에 기인한 노듈에 의해 파티클이나 스플래시가 유발될 우려가 있다.Moreover, in the manufacturing method of the MoCr target material disclosed by patent document 2, since carbon is added as an oxygen scavenger, the carbon added in the MoCr target may remain, and particle | grains and a splash may be caused by the nodule resulting from this residual carbon. It may be caused.

본 발명의 목적은, 상기 과제를 감안하여, 단순하고 또한 저비용이며, 추가로 제3 원소를 첨가하지 않는 방법으로 저산소의 MoCr 타겟재를 제조하는 방법 및 MoCr 타겟재를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a method for producing a low oxygen MoCr target material and a MoCr target material by a method that is simple, low cost, and further does not add a third element.

즉 본 발명은, That is,

Cr을 0.5~50 원자% 함유하고 잔부 Mo 및 불가피적 불순물로 되는 MoCr 타겟재의 제조방법으로서, As a method for producing a MoCr target material containing 0.5 to 50 atomic% of Cr and remaining Mo and inevitable impurities,

(1) Mo 소결체를 평균 입경 20~500 ㎛로 분쇄하여 Mo 분말을 제작하는 공정과,(1) a step of pulverizing the Mo sintered body with an average particle diameter of 20 to 500 µm to produce Mo powder;

(2) 그 Mo 분말을 환원성 분위기 중에서 열처리하여 환원처리 Mo 분말을 제작하는 공정과,(2) heat-treating the Mo powder in a reducing atmosphere to produce a reduced Mo powder;

(3) 평균 입경 20~500 ㎛의 Cr 원료 분말을 준비하는 공정과,(3) preparing a Cr raw material powder having an average particle diameter of 20 to 500 µm,

(4) 상기 환원처리 Mo 분말과 상기 Cr 원료 분말을 혼합한 혼합 분말을 제작하는 공정과,(4) producing a mixed powder obtained by mixing the reduced Mo powder and the Cr raw material powder;

(5) 그 혼합 분말을 가압 소결하여 MoCr 소결체를 제작하는 공정,(5) pressure sintering the mixed powder to produce a MoCr sintered body,

을 갖는 MoCr 타겟재의 제조방법이다.It is a method for producing a MoCr target material having.

본 발명에 있어서는, 상기 혼합 분말에, 환원처리 Mo 분말의 평균 입경보다도 작고 또한 평균 입경 5~100 ㎛의 Mo 원료 분말을 추가로 혼합해도 된다.In the present invention, the mixed powder may further be mixed with a Mo raw material powder smaller than the average particle diameter of the reduced treated Mo powder and having an average particle diameter of 5 to 100 µm.

또한, 본 발명에 있어서의 가압 소결은, 소결온도 800~1800℃, 압력 10~200 ㎫에서 1~10시간 행하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to perform pressure sintering in this invention for 1 to 10 hours at sintering temperature of 800-1800 degreeC, and pressure of 10-200 Mpa.

또한, 본 발명의 MoCr 타겟재는, Cr을 0.5~50 원자% 함유하고 잔부 Mo 및 불가피적 불순물로 되는 MoCr 타겟재로서, Cr 입자 주위에 산소 농화상이 연속해서 존재하지 않는 MoCr 타겟재이다.In addition, the MoCr target material of the present invention is a MoCr target material containing 0.5 to 50 atomic% of Cr and remaining Mo and an unavoidable impurity, and is a MoCr target material in which no oxygen concentrated phase is continuously present around the Cr particles.

본 발명에 의하면, 파티클이나 스플래시가 유발될 우려가 적은 저산소의 MoCr 타겟을 단순한 공정으로 또한 저비용으로 제공할 수 있기 때문에, 그 공업적 가치는 매우 크다.According to the present invention, since the low-oxygen MoCr target which is less likely to cause particles or splash can be provided in a simple process and at low cost, the industrial value is very large.

도 1은　본 발명예 1에서 제작한 타겟재 단면의 마이크로 조직 및 원소 분포를 나타내는 도면 대용 사진이다. (a)는 광학현미경에 의해 촬영된 마이크로 조직 사진이다. (b)~(d)는 (a)와 동일 시야에 있어서 에너지 분산형 X선 분석장치에 의해 촬영된 원소 분포를 나타내는 사진으로, (b)는 Mo, (c)는 Cr, (d)는 산소의 분포를 각각 나타내고 있다.
도 2는　본 발명예 2에서 제작한 타겟재 단면의 마이크로 조직 및 원소 분포를 나타내는 도면 대용 사진이다. (a)~(d)의 기호의 의미는 도 1과 동일하다.
도 3은　본 발명예 3에서 제작한 타겟재 단면의 마이크로 조직 및 원소 분포를 나타내는 도면 대용 사진이다. (a)~(d)의 기호의 의미는 도 1과 동일하다.
도 4는 본 발명예 4에서 제작한 타겟재 단면의 마이크로 조직 및 원소 분포를 나타내는 도면 대용 사진이다. (a)~(d)의 기호의 의미는 도 1과 동일하다.
도 5는 본 발명예 5에서 제작한 타겟재 단면의 마이크로 조직 및 원소 분포를 나타내는 도면 대용 사진이다. (a)~(d)의 기호의 의미는 도 1과 동일하다.
도 6은 비교예 1에서 제작한 타겟재 단면의 마이크로 조직 및 원소 분포를 나타내는 도면 대용 사진이다. (a)~(d)의 기호의 의미는 도 1과 동일하다.
도 7은 비교예 2에서 제작한 타겟재 단면의 마이크로 조직 및 원소 분포를 나타내는 도면 대용 사진이다. (a)~(d)의 기호의 의미는 도 1과 동일하다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a drawing substitute photograph which shows the micro structure and element distribution of the cross section of the target material produced by Example 1 of this invention. (a) is a microstructure photograph taken with an optical microscope. (b) to (d) are photographs showing the element distribution photographed by the energy dispersive X-ray analyzer in the same field of view as (a), where (b) is Mo, (c) is Cr, and (d) is The distribution of oxygen is shown, respectively.
Fig. 2 is a drawing substitute photograph showing the microstructure and element distribution of the cross section of the target material produced in Example 2 of the present invention. The meanings of the symbols (a) to (d) are the same as in FIG.
FIG. 3 is a drawing substitute photograph showing microstructure and element distribution of a cross section of a target material produced in Example 3 of the present invention. FIG. The meanings of the symbols (a) to (d) are the same as in FIG.
Fig. 4 is a drawing substitute photograph showing the microstructure and element distribution of the cross section of the target material produced in Example 4 of the present invention. The meanings of the symbols (a) to (d) are the same as in FIG.
Fig. 5 is a drawing substitute photograph showing the microstructure and element distribution of the cross section of the target material produced in Example 5 of the present invention. The meanings of the symbols (a) to (d) are the same as in FIG.
6 is a drawing substitute photograph showing the microstructure and element distribution of the cross section of the target material produced in Comparative Example 1. FIG. The meanings of the symbols (a) to (d) are the same as in FIG.
7 is a drawing substitute photograph showing the microstructure and element distribution of the cross section of the target material produced in Comparative Example 2. FIG. The meanings of the symbols (a) to (d) are the same as in FIG.

본 발명에 있어서의 최대의 특징은, MoCr 타겟재의 마이크로 조직에 존재하는 Cr 입자 주위의 산소 농화상을 저감하기 위해서, 소결 전의 Mo 분말 중의 산소 함유량을 최대한 저감하는 방법을 채용한 점에 있다.The biggest feature in this invention is the point which employ | adopted the method of reducing the oxygen content in Mo powder before sintering as much as possible in order to reduce the oxygen concentrated image around Cr particle which exists in the microstructure of MoCr target material.

본 발명자는, Mo 분말과 Cr 분말을 혼합하여 소결할 때에, 소결용기 내에 다량으로 포함되는 산소가, 산소와의 친화력이 Mo보다도 높은 Cr 입자 부근으로 이동하고, Cr 입자 주위에 산소 농화상을 형성하여 고정되는 것을 확인하였다. 그리고, 이 Cr 입자 주위에 형성되는 산소 농화상이, 파티클이나 스플래시 등의 발생 원인이라고 생각하였다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM When this powder mixes and sinters Mo powder and Cr powder, oxygen contained in a large quantity in a sintering container moves to Cr particle vicinity whose oxygen affinity is higher than Mo, and forms an oxygen concentrated image around Cr particle. It was confirmed to be fixed. The oxygen concentrated image formed around the Cr particles was considered to be the cause of generation of particles, splashes, and the like.

이에, 본 발명자는, MoCr 타겟재의 제조에 있어서, Cr 입자 주위에 형성되는 산소 농화상을 저감하기 위해서 예의 검토한 결과, 이하의 공정을 갖는 제조방법을 확립하였다. 이하에 본 발명의 제조방법을 공정별로 설명한다.Therefore, in the manufacture of MoCr target material, this inventor earnestly examined in order to reduce the oxygen concentrated image formed around Cr particle, As a result, it established the manufacturing method which has the following process. The manufacturing method of the present invention will be described below step by step.

(1) Mo 소결체를 분쇄하여 평균 입경 20~500 ㎛의 Mo 분말을 제작하는 공정(1) step of pulverizing the Mo sintered body to produce Mo powder having an average particle diameter of 20 to 500 μm

본 발명에 있어서는, 먼저 Mo 소결체를 준비한다. 이것은, 예를 들면 삼산화 Mo를 환원한 Mo 원료 분말을 한번 소결체로 한 후에 평균 입경 20~500 ㎛로 분쇄하여 Mo 분말을 제작함으로써, 시판되는 화학제법에 의해 제조되는 미세한 Mo 원료 분말에 비해서, 표면적이 작아져 Mo 분말 표면에 존재하는 산소량을 저감하는 것이 가능해지기 때문이다. 또한, Mo 원료 분말을 소결하여 얻어지는 소결체는, 상대밀도 80% 이상인 것이 바람직하다. 소결수단으로서는, Mo 소결체의 산소 함유량을 300 질량ppm 이하로 저감하기 위해서, 진공 탈기한 소결 분위기에서 핫 프레스, 열간 정수압 프레스 등의 가압 소결을 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 환원성 분위기 중에서의 상압 소결도 바람직하다. In this invention, Mo sintered compact is prepared first. This is, for example, a surface area as compared to the fine Mo raw material powder produced by a commercial chemical method, for example, by producing a Mo powder by sintering the Mo raw material powder with reduced Mo trioxide into a sintered body and then pulverizing it to an average particle diameter of 20 to 500 µm. This is because it becomes small and the amount of oxygen present on the surface of the Mo powder can be reduced. Moreover, it is preferable that the sintered compact obtained by sintering Mo raw material powder is 80% or more of relative density. As the sintering means, in order to reduce the oxygen content of the Mo sintered body to 300 mass ppm or less, it is preferable to perform pressure sintering such as hot press and hot hydrostatic press in a vacuum degassed sintering atmosphere. Moreover, atmospheric pressure sintering in a reducing atmosphere is also preferable.

그리고, Mo 소결체를 분쇄하여 Mo 분말을 제작한다. 이것은, Mo 중에 Cr이 미세하게 분산된 MoCr 소결체를 제작하기 위해, Cr 원료 분말과 충분하게 혼합이 가능한 분말형상으로 다시 되돌릴 필요가 있기 때문이다. 본 발명에서는, 예를 들면 볼 밀, 임팩트 밀, 조 크러셔(jaw crusher) 등의 기계적 작용에 의해 분쇄함으로써 평균 입경 20~500 ㎛의 Mo 분말로 한다.And Mo sintered compact is grind | pulverized and Mo powder is produced. This is because, in order to produce a MoCr sintered compact in which Cr is finely dispersed in Mo, it is necessary to return it back to a powder form that can be sufficiently mixed with Cr raw material powder. In this invention, it grind | pulverizes by mechanical action, such as a ball mill, an impact mill, jaw crusher, etc., and it is set as Mo powder with an average particle diameter of 20-500 micrometers.

또한, 평균 입경 20~500 ㎛로 조정하는 것은, 20 ㎛ 미만으로까지 작게 하고자 하면, 비용이 현저하게 증가하는 동시에, 생성시에 Mo 분말의 산화가 지나치게 진행되기 때문이다. 한편, 500 ㎛를 초과하면, 분말 3중점 포어의 발생 빈도가 높아져, MoCr 소결체의 고밀도화를 달성하기 어려워지기 때문이다.The average particle diameter is adjusted to 20 to 500 mu m because the cost is remarkably increased and the oxidation of the Mo powder excessively proceeds during production. On the other hand, when it exceeds 500 micrometers, the occurrence frequency of a powder triple point pore becomes high and it becomes difficult to achieve high density of a MoCr sintered compact.

(2) Mo 분말을 환원성 분위기 중에서 열처리하여 환원처리 Mo 분말을 제작하는 공정(2) Process of producing Mo-reduced Mo powder by heat-treating Mo powder in reducing atmosphere

다음으로, Mo 분말을 환원성 분위기 중에서 열처리하여 환원처리 Mo 분말을 제작한다.Next, the Mo powder is heat-treated in a reducing atmosphere to produce a reduced Mo powder.

Mo 소결체의 상태로 산소 함유량이 300 질량ppm 이하였던 것을 분쇄하면, 그 후의 핸들링이나 보관 등의 시간 경과에 의해, Mo 분말의 표면에 산소가 흡착된다. 그 때문에, 본 발명에서는, Mo 분말 표면에 존재하는 산소를 제거하기 위해서, Mo 분말을 환원성 분위기에서 열처리를 한다. 본 발명에서의 환원성 분위기로서는, 예를 들면 수소 분위기나 감압 분위기 등이 이용 가능하다. 또한, 환원성 분위기 중에서의 열처리의 온도 조건으로서는, 대략 500~1500℃로 하는 것이 바람직하다. 그것은, 500℃ 미만에서는 산소 저감 효과가 매우 작기 때문이다. 한편, 1500℃를 초과하면 분쇄된 Mo 분말끼리의 접촉부분이 확산 결합을 개시하여, 재차 분쇄가 필요한 경우가 있기 때문이다.When the oxygen content is 300 ppm by mass or less in the state of the Mo sintered compact, oxygen is adsorbed to the surface of the Mo powder by the passage of time such as subsequent handling or storage. Therefore, in this invention, in order to remove the oxygen which exists on the surface of Mo powder, Mo powder is heat-processed in a reducing atmosphere. As a reducing atmosphere in this invention, hydrogen atmosphere, a reduced pressure atmosphere, etc. can be used, for example. Moreover, as temperature conditions of the heat processing in a reducing atmosphere, it is preferable to set it as about 500-1500 degreeC. This is because the oxygen reduction effect is very small below 500 degreeC. On the other hand, when it exceeds 1500 degreeC, it is because the contact part of crushed Mo powders may start a diffusion bonding, and grinding may be needed again.

이 열처리에 의해, 본 발명은, 분쇄 후에 500 질량ppm 이상이었던 Mo 분말의 산소 함유량을, 100 질량ppm 이하로 저감하는 것이 가능해진다.By this heat treatment, the present invention can reduce the oxygen content of the Mo powder, which was 500 mass ppm or more after pulverization, to 100 mass ppm or less.

(3) 평균 입경 20~500 ㎛의 Cr 원료 분말을 준비하는 공정(3) Process of preparing Cr raw material powder having an average particle diameter of 20 to 500 µm

본 발명에서 적용할 수 있는 Cr 원료 분말로서는, 순도 99% 이상이고, 평균 입경 20~500 ㎛의 Cr 분말을 사용할 수 있다. 여기서 Cr 원료 분말의 평균 입경을 Mo 분말과 동일하게 20~500 ㎛로 하는 것은, Mo 분말과 Cr 원료 분말의 입경차가 지나치게 크면, 소결체 조직에 불균일이 발생하기 쉬워져, 타겟으로 균일한 스퍼터링을 행할 수 없게 되기 때문이다.As Cr raw material powder which can be applied in the present invention, Cr powder having a purity of 99% or more and having an average particle diameter of 20 to 500 µm can be used. Herein, the average particle diameter of the Cr raw material powder is set to 20 to 500 µm in the same way as the Mo powder. If the particle diameter difference between the Mo powder and the Cr raw material powder is too large, nonuniformity tends to occur in the sintered compact structure, and uniform sputtering can be performed on the target. Because it can not be.

또한, 본 발명에서 적용하는 Cr 원료 분말의 산소 함유량은, 400 질량ppm 이하인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 혼합 분말의 산소 함유량을 낮게 억제할 수 있어, MoCr 타겟재 중의 Cr 입자 주위에 형성되는 산소 농화상을 저감시키는 것이 가능해진다.Moreover, it is preferable that the oxygen content of the Cr raw material powder applied by this invention is 400 mass ppm or less. Thereby, the oxygen content of the mixed powder can be suppressed low, and it becomes possible to reduce the oxygen concentrated image formed around the Cr particles in the MoCr target material.

(4) 환원처리 Mo 분말과 Cr 원료 분말을 혼합한 혼합 분말을 제작하는 공정(4) Process of producing mixed powder mixed with reduced Mo powder and Cr raw material powder

다음으로, 열처리된 환원처리 Mo 분말과 Cr 원료 분말을 혼합한 혼합 분말을 가압 소결하여 MoCr 소결체를 제작한다.Next, the mixed powder obtained by mixing the heat-treated reduced Mo powder and Cr raw material powder is sintered to produce a MoCr sintered body.

Mo에 Cr을 첨가하는 것은, 박막으로 했을 때의 내식성을 향상시키기 위함이고, Cr 함유량이 0.5 원자% 미만이면 충분한 내식성이 얻어지지 않는다. 한편, Cr의 함유량을 50 원자%보다 많게 하면, 전기 저항이 지나치게 높아진다. 따라서 Cr 함유량은, 0.5~50 원자%로 한다.Adding Cr to Mo is for improving the corrosion resistance at the time of forming a thin film, and when Cr content is less than 0.5 atomic%, sufficient corrosion resistance is not obtained. On the other hand, when Cr content is more than 50 atomic%, electric resistance will become high too much. Therefore, Cr content is made into 0.5 to 50 atomic%.

본 발명에서는, 환원처리 Mo 분말과 Cr 원료 분말을 Ｖ형 혼합기나 크로스 로터리 혼합기 등으로 혼합함으로써 균일한 혼합 분말을 얻을 수 있다. 분말의 혼합은 환원성 분위기 중에서 행하는 것이 바람직하다.In the present invention, a uniform mixed powder can be obtained by mixing the reduced treated Mo powder and the Cr raw material powder with a X-type mixer or a cross rotary mixer. It is preferable to mix powder in a reducing atmosphere.

또한, 본 발명에서는, 환원처리 Mo 분말과 Cr 원료 분말의 혼합 분말에, 환원처리 Mo 분말의 평균 입경보다도 작고 또한 평균 입경 5~100 ㎛의 Mo 원료 분말을 추가로 혼합하는 것이 바람직하다. 이것에 의해 소결성이 증가하여, 소결체 밀도를 향상시킬 수 있다. 이때, Mo 원료 분말의 산소 함유량은, 700 질량ppm 이하가 바람직하다. 또한, Mo 원료 분말은, Mo 분말의 전량에 대해서 50% 이하의 범위로 첨가하는 것이 바람직하다.Moreover, in this invention, it is preferable to further mix Mo raw material powder smaller than the average particle diameter of reducing Mo powder and 5-100 micrometers of average particle diameters to the mixed powder of reducing Mo powder and Cr raw material powder. As a result, the sinterability is increased, and the sintered compact can be improved. At this time, the oxygen content of the Mo raw material powder is preferably 700 ppm by mass or less. In addition, it is preferable to add Mo raw material powder in 50% or less of range with respect to whole quantity of Mo powder.

(5) 혼합 분말을 가압 소결하여 MoCr 소결체를 제작하는 공정(5) Process of Producing MoCr Sintered Body by Pressure Sintering Mixed Powder

혼합 분말의 가압 소결에는, 열간 정수압 프레스나 핫 프레스가 적용 가능하고, 소결온도 1000~1800℃, 압력 10~200 ㎫에서 1~10시간 행하는 것이 바람직하다.Hot hydrostatic press and hot press are applicable to the pressure sintering of the mixed powder, and it is preferable to carry out for 1 to 10 hours at a sintering temperature of 1000-1800 degreeC and a pressure of 10-200 Mpa.

이들 조건의 선택은, 가압 소결 설비에 의존한다. 예를 들면 열간 정수압 프레스의 경우는 저온 고압의 조건이 적용하기 쉽고, 핫 프레스의 경우는 고온 저압의 조건이 적용하기 쉽다.The choice of these conditions depends on the pressure sintering equipment. For example, in the case of a hot hydrostatic press, the conditions of low temperature and high pressure are easy to apply, and in the case of hot press, the conditions of high temperature and low pressure are easy to apply.

또한, 소결온도가 1000℃ 미만에서는, 소결이 진행되기 어려워 현실적이지 못하고, 1800℃를 초과하면, 견딜 수 있는 장치가 한정되는 것, 소결체의 조직에 있어서의 결정성장이 현저해져서 균일 미세한 조직을 얻기 어려운 경우가 있다.In addition, when the sintering temperature is less than 1000 ° C., sintering is difficult to progress and is not practical. When the sintering temperature is higher than 1800 ° C., the endurable device is limited, and crystal growth in the structure of the sintered body becomes remarkable to obtain a uniform fine structure. It is difficult.

또한, 압력은, 10 ㎫ 이하에서는 소결이 진행되기 어려워 현실적이지 못하고, 200 ㎫를 초과하면 견딜 수 있는 장치가 한정된다고 하는 문제가 있다.In addition, when the pressure is 10 MPa or less, the sintering is difficult to proceed and is not realistic, and there is a problem that a device that can withstand the pressure exceeding 200 MPa is limited.

또한, 소결 시간은, 1시간 이하에서는 소결을 충분히 진행시키는 것이 어렵고, 10시간을 초과하는 것은 제조 효율에 있어서 피하는 편이 좋다.In addition, it is difficult for sintering time to fully advance sintering in 1 hour or less, and it is better to avoid exceeding 10 hours in manufacture efficiency.

또한, 열간 정수압 프레스나 핫 프레스로 가압 소결을 할 때에는, 혼합 분말을 가압용기나 가압용 다이스에 충전한 후에, 가열하면서 감압 탈기를 하는 것이 바람직하다. 감압 탈기는, 가열 온도 100~600℃의 범위에서, 1 ㎪보다도 낮은 감압을 행하는 것이 바람직하다. 이는, 얻어지는 소결체의 산소 함유량을 보다 저감하는 것이 가능해지기 때문이다.In addition, when performing pressure sintering by hot hydrostatic pressure press or hot press, it is preferable to carry out reduced pressure degassing, heating, after filling a mixed powder in a pressurized container or a press die. It is preferable to perform pressure_reduction | reduced_pressure_reduction_pressure | pressure_reduction | reduced_pressure_pressure_pressure_reduction | reduced_pressure_pressure_pressure_pressure_reduction | reduced_pressure_pressure_pressure | pressure_reduction | reduced_pressure_pressure | pressure_pressure_pressure | pressure_reduce | reduced_pressure_pressure | reduced_pressure_pressure | pressure_reduced_pressure. This is because the oxygen content of the obtained sintered compact can be further reduced.

[[ 실시예Example ]]

이하에, 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the Example of this invention is described.

먼저, 삼산화 Mo를 환원한 시판의 평균 입경이 6 ㎛인 Mo 원료 분말(산소 함유량 523 질량ppm)을 연강제 가압용기에 충전하였다. 충전 후, 가압용기에 탈기구를 갖는 윗덮개를 용접한 후에 450℃의 온도하에서 10 ㎩까지 진공 탈기하고, 열간 정수압 프레스로 가압 소결하여 Mo 소결체를 얻었다. 또한, 열간 정수압 프레스는, 1250℃, 147 ㎫의 조건하에서 5시간 유지하였다. 이때, Mo 소결체의 상대밀도는 99.1%였다.First, a commercially available Mo raw material powder (oxygen content 523 mass ppm) having an average particle diameter of 6 µm in which Mo trioxide was reduced was charged into a mild steel pressurized container. After the filling, the pressure vessel was welded to the upper lid having a degassing apparatus, vacuum degassed to 10 kPa under a temperature of 450 캜, and pressure sintered by hot hydrostatic press to obtain Mo sintered compact. In addition, the hot hydrostatic press was maintained for 5 hours under the conditions of 1250 degreeC and 147 Mpa. At this time, the relative density of the Mo sintered compact was 99.1%.

얻어진 Mo 소결체로부터 연강제 가압용기를 박리한 후, 임팩트 밀로 분쇄하여 분급함으로써, 평균 입경 100 ㎛와 200 ㎛의 Mo 분말을 각각 얻었다. 얻어진 각 Mo 분말은, 수소 기류 중 1200℃에서 2시간 유지하는 열처리를 행해 산소를 저감하는 처리를 행하여, 환원처리 Mo 분말을 얻었다. 이때, 환원처리 Mo 분말의 산소 함유량은, 평균 입경 100 ㎛의 환원처리 Mo 분말이 72 질량ppm, 평균 입경 200 ㎛의 환원처리 Mo 분말이 55 질량ppm이었다.After peeling the mild steel pressurized container from the obtained Mo sintered compact, it grind | pulverized and classified by the impact mill, and Mo powder of 100 micrometers of average particle diameters and 200 micrometers was obtained, respectively. Each Mo powder thus obtained was subjected to a heat treatment maintained at 1200 ° C. for 2 hours in a hydrogen air stream to reduce oxygen, thereby obtaining a reduced treated Mo powder. At this time, the oxygen content of the reduced Mo powder was 72 mass ppm for the reduced treated Mo powder having an average particle diameter of 100 µm and 55 mass ppm for the reduced treated Mo powder having an average particle diameter of 200 µm.

계속해서, 상기에서 얻어진 각 환원처리 Mo 분말과 각 Cr 원료 분말을 표 1에 나타내는 비율로 배합하고, 배합된 환원처리 Mo 분말과 Cr 원료 분말을 원자%로 97% Mo-3% Cr이 되도록 배합한 후, 크로스 로터리 혼합기로 혼합하여, 이것을 연강제 가압용기에 충전한 후, 그 가압용기에 탈기구를 갖는 윗덮개를 용접하였다. 이때, 평균 입경 65 ㎛의 Cr 분말의 산소 함유량은 261 질량ppm, 평균 입경 140 ㎛의 Cr 분말의 산소 함유량은 134 질량ppm이었다.Subsequently, each of the reduced treated Mo powders and Cr Cr powders obtained above were blended in the ratios shown in Table 1, and the blended reduced treated Mo powders and Cr raw powders were blended in an atomic% of 97% Mo-3% Cr. Thereafter, the mixture was mixed with a cross rotary mixer, filled into a soft steel pressurized container, and then welded to the pressurized container with a degassing cap. At this time, the oxygen content of the Cr powder having an average particle diameter of 65 µm was 261 mass ppm and the oxygen content of the Cr powder having an average particle diameter of 140 µm was 134 mass ppm.

이어서, 상기 가압용기를 450℃의 온도하에서 10 ㎩까지 진공 탈기하고, 온도 1250℃, 압력 147 ㎫의 조건하에서 5시간 유지하는 열간 정수압 프레스처리에 의해, 본 발명예 1~본 발명예 4의 MoCr 소결체를 얻었다.Subsequently, the pressurized vessel was vacuum degassed at a temperature of 450 ° C. to 10 kPa, and the MoCr of the invention examples 1 to 4 was carried out by a hot hydrostatic press treatment maintained at a temperature of 1250 ° C. and a pressure of 147 MPa for 5 hours. A sintered compact was obtained.

또한, 상기에서 얻어진 평균 입경 100 ㎛의 환원처리 Mo 분말과 삼산화 Mo를 환원한 시판의 평균 입경 6 ㎛의 Mo 원료 분말(산소 함유량 586 질량ppm)을 표 1에 나타내는 비율로 배합하고, 크로스 로터리 혼합기를 사용해서 혼합하였다. 이어서, 이 혼합 Mo 분말과 평균 입경 65 ㎛의 Cr 원료 분말(산소 함유량 261 질량ppm)을, 원자%로 97% Mo-3% Cr이 되도록 배합한 후, 크로스 로터리 혼합기로 혼합하여, 이것을 연강제 가압용기에 충전한 후, 그 가압용기에 탈기구를 갖는 윗덮개를 용접하였다. 이어서, 상기 가압용기를 450℃의 온도하에서 10 ㎩까지 진공 탈기하고, 온도 1250℃, 압력 147 ㎫의 조건하에서 5시간 유지하는 열간 정수압 프레스처리에 의해, 본 발명예 5의 MoCr 소결체를 얻었다.In addition, the reduced-processed Mo powder of 100 micrometers of average particle diameter obtained above, and the Mo raw material powder (oxygen content 586 mass ppm) of commercially available average particle diameter of 6 micrometers which reduced Mo trioxide were mix | blended in the ratio shown in Table 1, and a cross rotary mixer Was mixed using. Subsequently, this mixed Mo powder and Cr raw material powder (oxygen content 261 mass ppm) having an average particle diameter of 65 µm were blended so as to be 97% Mo-3% Cr in atomic%, and then mixed with a cross rotary mixer, which was then softened. After the pressure vessel was filled, the pressure vessel was welded to the upper lid having a degassing. Subsequently, the pressurized vessel was vacuum degassed at a temperature of 450 ° C. to 10 kPa, and a hot hydrostatic press treatment was performed for 5 hours under conditions of a temperature of 1250 ° C. and a pressure of 147 MPa to obtain a MoCr sintered body of Example 5 of the present invention.

비교예로서, 삼산화 Mo를 환원한 시판의 평균 입경 6 ㎛의 Mo 원료 분말(산소 함유량 586 질량ppm)과 평균 입경 65 ㎛의 Cr 원료 분말(산소 함유량 261 질량ppm)을, 원자%로 97% Mo-3% Cr이 되도록 배합한 후, 크로스 로터리 혼합기로 혼합하여, 이것을 연강제 가압용기에 충전한 후, 그 가압용기에 탈기구를 갖는 윗덮개를 용접하였다. 이어서, 상기 가압용기를 450℃의 온도하에서 10 ㎩까지 진공 탈기하고, 온도 1250℃, 압력 147 ㎫의 조건하에서 5시간 유지하는 열간 정수압 프레스처리에 의해, 비교예 1의 MoCr 소결체를 얻었다.As a comparative example, commercially available Mo raw material powder (oxygen content of 586 mass ppm) and Cr raw material powder (oxygen content of 261 mass ppm) having an average particle diameter of 65 μm with an atomic percentage of 97% Mo in which Mo trioxide was reduced. After mixing to 3% Cr, the mixture was mixed with a cross rotary mixer, filled into a mild steel pressure vessel, and the pressure vessel was welded with a top cover having a degassing. Next, the MoCr sintered compact of Comparative Example 1 was obtained by hot depressurizing press treatment in which the pressurized vessel was vacuum degassed at a temperature of 450 ° C. to 10 kPa, and maintained at a temperature of 1250 ° C. and a pressure of 147 MPa for 5 hours.

또한, 별도의 비교예로서, 삼산화 Mo를 환원한 시판의 평균 입경 6 ㎛의 Mo 원료 분말(산소 함유량 586 질량ppm)과 시판의 평균 입경 3 ㎛의 Mo 원료 분말(산소 함유량 1102 질량ppm)을 표 1에 나타내는 비율로 배합하고, 크로스 로터리 혼합기로 혼합하였다. 이어서, 이 혼합 Mo 분말과 평균 입경 65 ㎛의 Cr 원료 분말(산소 함유량 261 질량ppm)을, 원자%로 97% Mo-3% Cr이 되도록 배합한 후, 크로스 로터리 혼합기로 혼합하여, 이것을 연강제 가압용기에 충전한 후, 그 가압용기에 탈기구를 갖는 윗덮개를 용접하였다. 이어서, 상기 가압용기를 450℃의 온도하에서 10 ㎩까지 진공 탈기하고, 온도 1250℃, 압력 147 ㎫의 조건하에서 5시간 유지하는 열간 정수압 프레스처리에 의해, 비교예 2의 MoCr 소결체를 얻었다.In addition, as another comparative example, a commercially available Mo raw material powder having an average particle diameter of 6 µm (oxygen content of 586 mass ppm) and a commercially available Mo raw material powder having an average particle diameter of 3 µm (oxygen content of 1102 mass ppm) were obtained. It mix | blended in the ratio shown in 1, and mixed with the cross rotary mixer. Subsequently, this mixed Mo powder and Cr raw material powder (oxygen content 261 mass ppm) having an average particle diameter of 65 µm were blended so as to be 97% Mo-3% Cr in atomic%, and then mixed with a cross rotary mixer, which was then softened. After the pressure vessel was filled, the pressure vessel was welded to the upper lid having a degassing. Next, the MoCr sintered compact of Comparative Example 2 was obtained by hot depressurizing press treatment in which the pressurized vessel was vacuum degassed at a temperature of 450 ° C. to 10 kPa, and kept for 5 hours under conditions of a temperature of 1250 ° C. and a pressure of 147 MPa.

상기에서 얻은 각 MoCr 소결체로부터 기계 가공에 의해 시험편을 채취하고, 산소 함유량을 불활성 가스 융해 적외선 흡수법에 의해 측정하였다. 또한, 소결체 밀도를 아르키메데스법에 의해 측정하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.The test piece was extract | collected from each MoCr sintered compact obtained above by mechanical processing, and oxygen content was measured by the inert gas fusion infrared absorption method. In addition, the sintered compact density was measured by the Archimedes method. The results are shown in Table 2.

표 2에 나타내는 바와 같이, 본 발명예 1~본 발명예 5는, 모두 환원처리 Mo 분말을 사용함으로써, MoCr 소결체의 산소치가 낮아지는 것을 알 수 있다. 또한, 소결체 밀도에 있어서는, 혼합 분말에 추가로 Mo 원료 분말을 혼합한 본 발명예 5의 소결체에서 고밀도가 되어 있는 것을 알 수 있다.As shown in Table 2, it turns out that the oxygen value of a MoCr sintered compact becomes low by all of this invention example 1-this invention example 5 using reduction treatment Mo powder. In addition, in the sintered compact density, it turns out that it is high density in the sintered compact of Example 5 which mixed Mo raw material powder with mixed powder further.

상기에서 얻은 각 소결체의 광학현미경에 의해 관찰한 마이크로 조직, 에너지 분산형 X선 분석장치(EDX)에 의해 관찰한 Mo, Cr, 산소의 원소 분포를 각각 도 1~도 7에 나타낸다. 또한, 각 도면의 (a)가 광학현미경에 의한 마이크로 조직을 나타내는 도면 대용 사진, (b)가 동일 시야에 있어서의 Mo의 원소 분포를 흑색으로 나타내는 도면 대용 사진, (c)가 동일 시야에 있어서의 Cr의 원소 분포를 회색으로 나타내는 도면 대용 사진, (d)가 동일 시야에 있어서의 산소의 원소 분포를 백색으로 나타내는 도면 대용 사진이다.The elemental distribution of Mo, Cr, and oxygen observed by the microstructure observed by the optical microscope of each sintered compact obtained above, and the energy dispersive X-ray analyzer (EDX) is shown in FIGS. 1-7, respectively. In addition, the drawing substitute photograph which shows the microstructure by the optical microscope in (a) of each figure, the drawing substitute photograph which shows the element distribution of Mo in the same visual field in black, (c) is the same visual field The drawing substitution photograph which shows the element distribution of Cr in gray, (d) is the drawing substitution photograph which shows the element distribution of oxygen in the same visual field in white.

이들 결과로부터, 본 발명의 제조방법에서 얻은 소결체의 경우는, Cr 입자 주위에 산소 농화상[(d)에 나타내는 백색부]이 거의 존재하지 않는 것을 알 수 있다. 한편, 비교예 1에 있어서는, Cr 입자 주위의 적어도 일부에 산소 농화상이 연속해서 존재하고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 비교예 2에 있어서는, Cr 입자 주위의 전체 둘레에 걸쳐 산소 농화상이 연속해서 존재하고 있는 것을 알 수 있다.From these results, in the case of the sintered compact obtained by the manufacturing method of this invention, it turns out that oxygen enriched image [white part shown in (d)] hardly exists around Cr particle | grains. On the other hand, in the comparative example 1, it turns out that the oxygen concentrated image exists continuously in at least one part around Cr particles. Moreover, in the comparative example 2, it turns out that the oxygen concentrated image exists continuously over the perimeter of Cr circumference | surroundings.

상기에서 제작한 각 타겟재를 DC 마그네트론 스퍼터장치(캐논 아네르바 가부시키가이샤 제조 형식: C3010)의 챔버 내에 배치하고, 챔버 내를 2.0×10^-5 ㎩ 이하가 될 때까지 감압한 후, Ar 가스압 0.6 ㎩, 투입전력 1500 W의 조건에서 120초씩 방전 시험을 행하였다. 이때, 0.1초마다 인가 전압의 변화를 기록하고, 인가 전압차의 절대치가 총계적 관리기준으로서 이상치의 감시에 이용되는, 중앙치(평균치)에 표준편차의 3배를 더한 값 이상이 된 횟수를 이상 방전이 발생한 횟수로서 측정하였다.The target materials produced above were placed in a chamber of a DC magnetron sputtering device (Canon Anerva Co., Ltd. model: C3010), and the pressure in the chamber was reduced to 2.0 × 10 ⁻⁵ Pa or less, followed by Ar gas pressure. The discharge test was done for 120 second on the conditions of 0.6 mW and 1500 W of input electric power. At this time, the change in the applied voltage is recorded every 0.1 seconds, and the number of times the absolute value of the applied voltage difference becomes more than the median (average value), which is used for monitoring the outlier as a total management criterion, is equal to or more than three times the standard deviation. It measured as the number of times a discharge generate | occur | produced.

타겟재로부터 발생하는 파티클의 양과 이상 방전의 횟수 사이에는 강한 양의 상관관계가 있기 때문에, 이상 방전의 횟수를 측정함으로써 스퍼터링시에 발생하는 파티클의 많고 적음을 평가하는 것이 가능하다. 상기의 방법에 의해 이상 방전의 횟수를 측정하고, 시료 비교예 2를 기준(100%)으로 하여 얻은 이상 방전 발생 비율의 결과를 표 3에 나타낸다.Since there is a strong positive correlation between the amount of particles generated from the target material and the number of abnormal discharges, it is possible to evaluate the number of particles generated during sputtering by measuring the number of abnormal discharges. The number of abnormal discharges was measured by the above method, and the result of the abnormal discharge generation ratio obtained based on Sample Comparative Example 2 as a reference (100%) is shown in Table 3.

표 3에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제조방법에 의하면, 종래의 제조방법에 비해서 MoCr 타겟재 중의 산소 함유량을 대폭으로 저감할 수 있어, 파티클의 발생량을 억제하는 효과가 있는 것을 확인할 수 있었다.As shown in Table 3, according to the manufacturing method of this invention, compared with the conventional manufacturing method, it was confirmed that the oxygen content in a MoCr target material can be reduced significantly, and the effect which suppresses the generation amount of a particle was confirmed.

Claims

Cr을 0.5~50 원자% 함유하고 잔부 Mo 및 불가피적 불순물로 되는 MoCr 타겟재의 제조방법으로서,
(1) Mo 소결체를 평균 입경 20~500 ㎛로 분쇄하여 Mo 분말을 제작하는 공정과,
(2) 그 Mo 분말을 환원성 분위기 중에서 열처리하여 환원처리 Mo 분말을 제작하는 공정과,
(3) 평균 입경 20~500 ㎛의 Cr 원료 분말을 준비하는 공정과,
(4) 상기 환원처리 Mo 분말과 상기 Cr 원료 분말을 혼합한 혼합 분말을 제작하는 공정과,
(5) 그 혼합 분말을 가압 소결하여 MoCr 소결체를 제작하는 공정,
을 갖는 것을 특징으로 하는 MoCr 타겟재의 제조방법.As a method for producing a MoCr target material containing 0.5 to 50 atomic% of Cr and remaining Mo and inevitable impurities,
(1) a step of pulverizing the Mo sintered body with an average particle diameter of 20 to 500 µm to produce Mo powder;
(2) heat-treating the Mo powder in a reducing atmosphere to produce a reduced Mo powder;
(3) preparing a Cr raw material powder having an average particle diameter of 20 to 500 µm,
(4) producing a mixed powder obtained by mixing the reduced Mo powder and the Cr raw material powder;
(5) pressure sintering the mixed powder to produce a MoCr sintered body,
Method for producing a MoCr target material characterized in that it has a.

제1항에 있어서,
상기 혼합 분말에, 환원처리 Mo 분말의 평균 입경보다도 작고 또한 평균 입경 5~100 ㎛의 Mo 원료 분말을 추가로 혼합해서 제작한 혼합 분말을 가압 소결하는 것을 특징으로 하는 MoCr 타겟재의 제조방법.The method of claim 1,
A method for producing a MoCr target material, characterized by pressure sintering the mixed powder produced by further mixing a Mo raw material powder having an average particle diameter of 5 to 100 µm smaller than the average particle size of the reduced-treated Mo powder.

제1항 또는 제2항에 있어서,
가압 소결을 소결온도 800~1800℃, 압력 10~200 ㎫에서 1~10시간 행하는 것을 특징으로 하는 MoCr 타겟재의 제조방법.The method according to claim 1 or 2,
Pressurized sintering is performed for 1 to 10 hours at sintering temperature of 800-1800 degreeC and the pressure of 10-200 Mpa, The manufacturing method of the MoCr target material characterized by the above-mentioned.

Cr을 0.5~50 원자% 함유하고 잔부 Mo 및 불가피적 불순물로 되는 MoCr 타겟재로서, Cr 입자 주위에 산소 농화상(濃化相)이 연속해서 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 MoCr 타겟재.A MoCr target material containing 0.5 to 50 atomic percent Cr and remaining Mo and an unavoidable impurity, wherein the MoCr target material is characterized in that an oxygen concentrated phase does not continuously exist around the Cr particles.