KR20120086241A - Ｌｅｄ 칩의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는 이면측으로부터 레이저 조사함으로써 분할 기점을 형성하는 경우에, 미리 별도로 분할 예정 라인을 따라 반사막을 제거하여 둘 필요가 없는 LED의 제조 방법을 제공하는 것이다. 광투과성 기판(1)의 표면측(1a)에 복수의 LED 소자 본체(2)가 패턴 형성되는 동시에, 이면측(1b)에 반사막(3)이 분할 예정 라인 상도 포함하여 형성되어 있는 머더 기판(1)에 대해, 분할 예정 라인을 따라 레이저 빔 L을 조사함으로써 LED 소자 본체(2)별로 분할하기 위한 분할 기점 A를 형성하는 공정을 포함하는 LED 칩의 제조 방법이며, 반사막(3)으로서 LED 소자 본체(2)가 발하는 발광 광 및 형광 재료에 의한 형광의 파장 범위를 반사하고, 또한 분할 예정 라인에 조사하는 레이저 빔 L의 파장 광을 투과하는 성질을 갖는 반사막(3)을 이면측(1b)에 형성하고, 레이저 빔 L을 이면측(1b)으로부터 반사막(3)을 투과시켜 기판 이면에 직접 조사하도록 하여 기판(1)을 레이저 가공한다.

Description

ＬＥＤ 칩의 제조 방법 {MANUFACTURING METHOD OF LED CHIP}
본 발명은, 광투과성 기판의 한 쪽의 주면(표면측이라 함)에 발광 광을 생성하는 LED 소자 본체가 형성되고, 다른 쪽의 주면(이면측이라 함)에 당해 발광광을 반사하는 성질의 반사막이 형성된 구조를 갖는 LED 칩의 제조 방법에 관한 것이다.
Ⅲ족 질화물계 반도체로 이루어지는 LED 소자 본체를 칩 형상의 사파이어 기판 상에 형성한 구조의 LED 칩은, 예를 들어 청색계의 발광 다이오드(LED)로서 제품화되어 있다.
최근에는, LED 칩으로부터의 발광 광의 취출 효율을 높이기 위해, 발광 광이 투과 가능한 광투과성 기판(사파이어 기판 등)의 이면측에 금속 반사막을 형성하여 두고, LED 소자 본체로부터 직접 출사되는 발광 광과 함께, 일단 기판 내에 입사하여 이면측의 금속 반사막에서 반사되어 다시 기판을 통과하여 출사되는 발광 광도 유효하게 이용하는 LED 칩이 이용되고 있다(특허 문헌 1 참조).
도 6은 광투과성 기판의 이면측에 반사막이 형성된 LED 칩의 전형예를 도시하는 GaN계 LED의 단면 구조도이다.
사파이어 기판(10)의 제1 주면(표면) 상에는, GaN 버퍼층(12), n형 GaN층(13), n형 AlGaN층(14), GaInN으로 이루어지는 발광층(15), p형 AlGaN층(16) 및 p형 GaN층(17)이 순차 적층된 영역과, n형 GaN층(13)의 일부가 노출될 때까지 n형AlGaN층(14), 발광층(15), p형 AlGaN층(16), p형 GaN층(17)의 일부가 에칭에 의해 제거된 영역을 구비한 반도체 적층 구조가 형성된다. 이 반도체 적층 구조의 외주면에는, 전극 형성 부분을 제외하고 SiO2막(18)이 절연 보호막으로서 형성된다. 그리고 p형 GaN층(17) 상에는 투광성의 p형 전극(19)(Au박막), n형 GaN층(13) 상에는 n형 전극(20)(Ti/Al/Au막)이 각각 형성된다.
사파이어 기판(10)의 제2 주면(이면측) 상에는, 반사막(11)이 형성된다. 반사막(11)에는, 발광층(15)으로부터의 발광 광의 파장에 대한 반사 특성이 우수한 재료가 사용되고, 구체적으로는, 예를 들어 단층의 Au막이 형성되어, 이에 의해 이면으로부터 빠져나오려고 하는 발광 광을 사파이어 기판(10)측으로 반사하게 하고 있다.
또한, 반사막(11)에는 LED 소자의 발광 특성이나 재료 비용을 감안하여, Au막 이외에, Al막이나 유전체 다층막이 반사막의 재료로서 사용된다. 즉, LED 소자 본체의 반도체 재료의 종류와 막 두께에 따라 발광 파장 영역(발광 스펙트럼)이 다르므로, 소자 및 LED(상품)에 따라, 발광 파장에 대한 반사 특성이 우수한 재료가 선택되어 사용된다. 예를 들어, 소자의 주변에 도포되는 형광 재료에 의한 형광 광을 이용하는 경우는 이 영향도 고려하여 재료가 선택된다. 구체적으로는, 백색 LED(형광 재료와 청색 LED로 이루어지는 백색 LED, 또는 RGB 3파 형광 재료와 보라색 광원으로 이루어지는 백색 LED)라면, 가시광 파장인 약 350㎚ 내지 800㎚의 파장 영역에서 반사율이 우수한 유전체 다층막이 사용되는 경우가 있다. 한편, 재료 비용을 우선하는 경우에는 Al막이 사용된다.
이면측에 반사막이 형성된 LED 칩은, 이하의 제조 공정을 거침으로써 제조된다. 즉, 웨이퍼 형상의 사파이어 기판을 머더 기판으로서 사용하고, 우선 머더 기판의 제1 주면(표면)에 LED 소자 본체를 격자 형상으로 패턴 형성하고, 계속해서 이면을 필요한 두께까지 연마한 후, 머더 기판의 제2 주면(이면)에 반사막을 형성한다(소자 형성 공정). 그 후, 개개의 LED 소자 본체로 분할하기 위해, 사파이어 기판을 칩 형상으로 분단하여 LED 칩(제품)으로서 취출한다(칩 분할 공정).
여기서, 머더 기판으로부터 개개의 LED 칩으로 분할하는 칩 분할 가공에 대해 설명한다. 일반적으로, LED 칩의 제조 공정에 있어서도, 다른 반도체 제품과 마찬가지로, 머더 기판을 칩별로 분할할 때에, 다이싱 블레이드(다이서), 다이아몬드 스크라이버 등을 사용한 메커니컬 가공, 혹은 레이저 빔을 조사하는 레이저 가공 중 어느 하나에 의한 분할이 행해지고 있다.
이 중, 다이싱 블레이드나 다이아몬드 스크라이버와 같은 가공 공구를 사용한 메카니컬한 스크라이브 가공에 의해 머더 기판을 분단하는 경우, 사파이어는 글래스 등에 비해 훨씬 경질의 취성 재료이므로, 가공 공구가 마모되기 쉽고, 또한 가공된 분할 면에는 원하는 크랙 이외에 제품 불량의 원인으로 되는 칩핑이 발생하기 쉽다.
한편, YAG 레이저 등의 고출력 펄스 레이저(펄스 폭 10-9 내지 10-7초)를 사용한 레이저 가공에 의해 머더 기판을 분할하는 경우에는, 주지 기술인 레이저 어브레이션이나 다광자 흡수에 의한 분할이 이루어진다. 즉, 레이저 광을 기판 표면 근방 혹은 기판 내부에 집광시키고, 기판 표면 근방에 어브레이션을 생기시켜 홈을 형성하거나, 다광자 흡수에 의해 기판 내부에 가공 변질부를 형성하여, 이들 가공 부분을, 브레이크를 위한 분할 기점으로 하도록 하고 있다(특허 문헌 2, 특허 문헌 3 참조).
그러나 경취성 재료인 사파이어를 레이저로 가공하는 경우에는, 어브레이션, 다광자 흡수의 모두에 있어서, 글래스 등에 대한 가공에 비해 조사 에너지를 높일 필요가 있다. 그 결과, 어브레이션에 의한 가공의 경우에는, 형성되는 홈 폭이 넓어져 버린다. 다광자 흡수에 의해 기판 내부의 가공 변질부를 형성하는 경우에 있어서도, 변질 부위가 넓어져 버리는 동시에 변질 부위에 형성되는 분할면의 표면 거칠기가 거칠어져, 반드시 바람직한 정밀도의 분단면이 얻어지는 것은 아니다.
그로 인해, 펄스 폭이 10-10초 이하의 초단 펄스 레이저(이하, 펄스 폭이 10-10초 이하의 펄스 레이저를 「초단 펄스 레이저」라고 함)를 사용한 새로운 레이저 가공 방법(이하, 본 명세서에 있어서는 BI법이라고도 함)이 제안되어 있다(특허 문헌 4 참조). 이에 따르면, Nd : YAG 레이저(파장 1064㎚)를 사용하여, 극히 짧은 펄스 폭 및 고파워 밀도를 갖는 초단 펄스 레이저를, 사파이어 기판의 표면 근방에서 집광되도록 초점을 조정하여 사출한다. 이때의 레이저 광은, 집광점 근방 이외에서는 기판 재료(사파이어)에 흡수되지 않지만, 집광점에서는 다광자 흡수가 야기되어, 순간적, 또한 국부적으로 용융ㆍ승화(국부적인 미소 어브레이션)가 발생하게 된다. 그리고 기판의 표층 부위로부터 표면에 이르는 범위에 미소 크랙이 형성된다. 즉, 종래의 어브레이션은 조사된 레이저 빔에 의한 에너지의 대략 전부가 기판 재료의 용융ㆍ증산에 소비되어 넓은 어브레이션 구멍의 형성(구멍 직경이 8㎛정도)에 사용되지만, 새로운 레이저 가공 방법(BI법)에서는 조사 레이저의 에너지는 미소한 용융흔(구멍 직경이 1㎛ 정도의 작은 구멍)의 형성에 일부가 소비되고, 나머지의 에너지가 미소 크랙을 형성하는 충격력으로서 소비된다. 이와 같이 용해흔이 분할 예정 라인을 따라 절취선처럼 이산적으로 형성됨으로써, 인접하는 용해흔의 사이가 미소 크랙으로 연결된 분리 용이화 영역이 형성되게 되어, 이 영역을 따라 기판이 분할 가능하게 된다.
일본 특허 출원 공개 평 10-308532호 공보 일본 특허 출원 공개 평 11-177137호 공보 일본 특허 출원 공개 제2004-268309호 공보 일본 특허 출원 공개 제2005-271563호 공보
LED 제조에 있어서의 칩 분할 공정에는, 레이저 어브레이션 가공, 다광자 흡수에 의한 레이저 가공, 초단 펄스 레이저에 의한 새로운 레이저 가공(BI법)이 적용되는 것을 설명하였다.
그러나 이면측에 반사막이 형성되어 있는 머더 기판을 분할하여 LED 칩을 잘라내는 경우에, 상술한 바와 같은 레이저 가공에 의해 분할을 행하려고 하면, 이면측의 반사막의 존재에 의해, 반사막에 의해 레이저 광이 반사 또는 흡수되는 것이 가공상의 지장이 된다.
레이저 조사에 의한 분할 방법의 하나로서, 레이저 조사를 이면측으로부터가 아닌, LED 소자 본체가 형성된 표면측으로부터 조사하는 것이 가능하지만, 조사한 레이저 빔의 발광이 LED 소자 본체에도 영향을 미쳐, LED 소자 자체의 발광 효율을 저하시켜 버리는 문제가 발생하므로, 레이저 조사는 이면측으로부터 행하는 것이 발광 효율을 유지시키는 관점에서 바람직하다.
또한, 지금까지의 LED의 제조 공정에서는, 재료 비용이라고 하는 실용적인 관점에서는 반사막에 Al막이 사용되고, 재료 비용보다도 발광 광의 취출 효율을 중시하는 관점에서는, Al막보다도 발광 파장에 대한 반사 특성이 우수한 Au막이나 유전체 다층막 등의 재료의 사용이 검토되고 있지만, 칩 분할 공정의 관점으로부터는 반사막으로서 어떤 막이 바람직한지는 전혀 고려되어 있지 않았다.
그로 인해, 이면측에 Al막 등의 반사막이 형성되어 있는 구조의 머더 기판을, 이면측으로부터 레이저 조사하여 분할 기점을 형성하는 경우에는, 우선 분할 예정 라인을 따라 반사막을 띠 형상으로 제거(박리)하여 머더 기판을 노출시켜 두고, 계속해서 머더 기판의 이면측으로부터 레이저 광을 노출 부분을 향하여 조사하게 하고 있었다.
그 경우, 분할 예정 라인을 따라, 포토리소그래피에 의한 패터닝으로 박리하거나, 혹은 반사막을 제거하기 위한 조사 조건(후술하는 분할 기점 형성을 위한 레이저 조사와는 다름)으로 반사막 제거용의 레이저 어브레이션을 행하는 것이 필요하여, 결국 분할 예정 라인을 따라 격자 형상으로 반사막을 제거(박리)하는 공정이 여분으로 필요해져, 가공 공정 수가 증가되는 요인으로 되어 있었다.
따라서 본 발명은 이면에 반사막이 형성되어 있는 머더 기판을, 이면측으로부터 레이저 조사함으로써 분할 기점을 형성하는 경우에, 미리 별도로 분할 예정 라인을 따라 반사막을 제거하여 둘 필요가 없는 LED의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 이루어진 본 발명의 LED 칩의 제조 방법은, 광투과성 기판의 표면측에 복수의 LED 소자 본체가 패턴 형성되는 동시에, 이면측에 반사막이 분할 예정 라인 상도 포함하여 형성되어 있는 머더 기판에 대해, 분할 예정 라인을 따라 레이저 빔을 조사함으로써 LED 소자 본체별로 분할하기 위한 분할 기점을 형성하는 공정을 포함하는 LED 칩의 제조 방법이며, 이하의 구성을 구비한다.
즉, 반사막으로서 LED 소자 본체가 발하는 발광 광의 파장 범위(바람직하게는, 또한 형광 재료로부터의 형광 광의 파장 범위)를 반사하고, 또한 분할 예정 라인에 조사하는 레이저 빔의 파장 광을 투과하는 성질을 갖는 반사막을 이면측에 형성하고, 레이저 빔을 이면측으로부터 반사막을 투과시켜 기판 이면에 직접 조사하도록 하여 기판을 레이저 가공하는 것이다.
여기서, 광투과성 기판은 사파이어 기판이어도 된다.
또한, 반사막은 400㎚ 내지 700㎚의 가시광 영역의 반사율이 90％ 이상이고, 900㎚ 이상의 적외 영역의 투과율이 50％ 이상이어도 된다.
구체적으로는, 반사막은 유전체 다층막으로 형성되어 있어도 된다.
또한, 레이저 빔으로서 Nd : YAG 레이저에 의한 1064㎚의 펄스 레이저를 조사하면 된다.
또한, 펄스 레이저로서, 펄스 폭이 10-10초보다도 짧은 초단 펄스 레이저를, 분할 예정 라인을 따라 이산적으로 조사하여 분할 기점을 형성하도록 해도 된다.
여기서, 「이산적으로 조사」라 함은, 새로운 레이저 가공 방법(BI법)에서의 조사를, 거리를 두고 이산적으로 행함으로써, 미소한 용융흔(구멍 직경이 1㎛정도의 작은 구멍)이 간격을 두고 형성되지만, 인접하는 용융흔의 사이에 형성되는 미소 크랙끼리가 연결되는 간격의 조사를 말한다. 즉, 용융흔과 미소 크랙이 연속되도록 형성됨으로써, 크랙이 진전되도록 유도하게 한 가공을 행한다.
이와 같이, 용해흔을 분할 예정 라인을 따라 절취선처럼 이산적으로 형성함으로써, 인접하는 용해흔의 사이가 미소 크랙으로 연결된 분리 용이화 영역이 형성되게 되어, 이 영역을 따라 기판이 분할 가능하게 된다.
본 발명의 LED 칩의 제조 방법에 따르면, LED 소자의 발광 광을 투과하는 투과성 기판의 이면측에 형성하는 반사막이 갖는 광학 특성으로서, LED 소자 본체 및 형광 재료의 파장 영역을 반사할 수 있는 동시에, 분할 예정 라인에 조사하는 레이저 빔의 파장 광을 투과하는 성질을 갖도록 함으로써, 분할 예정 라인을 따라 레이저 조사를 행할 때에, 이면측으로부터 조사하면 반사막을 투과하여 레이저 빔이 기판에 직접 조사되게 된다.
즉, 지금까지는 반사막을 미리 제거함으로써, 기판에 레이저 빔이 조사되도록 하고 있었지만, 이면측에 반사막을 형성한 채, 레이저 조사를 행해도 레이저 빔이 기판 이면에 도달하게 되어, 실질적으로 반사막이 없을 때와 동일한 레이저 가공이 가능하게 된다.
이에 의해, 이면 반사막을 구비한 LED 칩의 제조에 있어서, 분할 예정 라인을 따라 반사막을 제거하는 공정이 불필요해져, 가공 공정 수를 줄일 수 있다.
도 1은 머더 기판의 표면측에 LED 소자 본체를 형성한 상태를 도시하는 도면이다.
도 2는 LED 소자 본체가 형성된 머더 기판의 이면측에 반사막을 형성한 상태를 도시하는 도면이다.
도 3은 반사막으로서 이상적인 반사 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
도 4는 레이저 조사에 의해, 머더 기판을 개개의 LED 칩으로 분할할 때의 가공 상태를 도시하는 도면이다.
도 5는 분할 기점을 따라 브레이크 처리를 행하는 상태를 도시하는 도면이다.
도 6은 LED 소자 본체의 구조의 일례를 도시하는 단면도이다.
이하, Ⅲ족 질화물계 반도체를 사용한 LED 칩을 예로 하여, 본 발명의 LED 칩의 제조 공정을, 순차 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 본 발명에 관한 LED 칩의 제조 방법은, 주로 소자 형성 공정과, 칩 분할 공정의 2개의 공정으로 이루어진다.
(소자 형성 공정)
소자 형성 공정에서는, 머더 기판의 표면측(제1 주면측)에 다수의 LED 소자 본체를 패턴 형성하는 동시에, 이면측(제2 주면측)에 반사막을 형성한다.
도 1은 머더 기판의 표면측에 LED 소자 본체를 형성한 상태를 도시하는 도면으로, 도 1의 (a)는 상면도(표면측의 평면도), 도 1의 (b)는 정면도이다. 머더 기판(1)은 웨이퍼 형상의 사파이어 기판으로 이루어지고, 표면(1a)(제1 주면) 상에는, 정방 격자를 형성하도록 종횡으로 규칙적으로 배열된 다수의 LED 소자 본체(2)가 패턴 형성되어 있다. 개개의 LED 소자 본체(2)는, 도 6에서 도시한 소자 구조를 갖고 있고, 주지의 반도체 제조 프로세스에 의해 형성되어 있다.
또한, 인접하는 소자 본체(2)의 사이에는, LED 소자 본체별로 분할할 때의 분할 예정 라인으로 되는 간극이 형성되어 있다.
머더 기판(1)으로서 사용하는 사파이어는, LED 소자 본체(2)가 발광하는 파장 영역(350㎚ 내지 800㎚)에 대해 광투과성을 갖는 재료이다. 또한, LED 소자 본체(2)의 발광 파장 영역에 대해 광투과성을 갖는 재료이면 사파이어 기판 이외를 기판으로서 사용해도 된다. LED 소자 본체(2)가 백색 발광 다이오드가 아닌, 단색광 발광 다이오드인 경우에는, 가시광 영역 전체가 아닌 해당하는 단색광의 발광 파장에 대해 광투과성을 갖고 있으면 된다.
도 2는 LED 소자 본체(2)가 형성된 머더 기판(1)의 이면측에 반사막을 형성한 상태를 도시하는 도면으로, 도 2의 (a)는 하면도(이면측의 평면도), 도 2의 (b)는 정면도이다. 머더 기판(1)의 이면측(1b)에는 전체면에 반사막(3)이 형성되어 있다.
반사막(3)에는, LED 소자 본체(2)의 발광 광을 선택적으로 반사하는 동시에, 분할 예정 라인에 조사하는 레이저 빔의 파장 광을 투과하는 성질의 재료가 사용된다. 레이저 빔에는, 통상 900㎚ 이상의 파장 광인 적외 레이저(YAG 레이저, YVO 레이저 등)를 사용하므로, 900㎚ 이상의 적외 파장 영역을 투과하는 반사재가 사용된다.
구체적으로는, 예를 들어 400㎚ 내지 700㎚의 파장 영역을 90％ 이상의 반사율로 반사하고, Nd : YAG 레이저의 파장 광(1064㎚)을 50％ 이상의 투과율로 투과하는 반사막을 사용하는 것이 바람직하다.
도 3은 반사막(3)으로서 이상적인 반사 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
이와 같은 특성에 가까운 반사막은, 유전 다층막에 의해 형성할 수 있다.
(칩 분할 공정)
다음에, LED 소자 본체(2) 및 반사막(3)이 형성된 머더 기판을, 개개의 LED 칩으로 분할한다.
도 4는 레이저 조사에 의해, 머더 기판을 개개의 LED 칩으로 분할할 때의 가공 상태를 도시하는 도면이다.
레이저(4)로서 Nd : YAG 펄스 레이저를 사용하여, 파장 1064㎚, 펄스 폭 20 피코초, 펄스 에너지 0.1μJ 내지 50μJ, 반복 주파수 10㎑ 내지 200㎑, 분할 예정 라인 방향으로의 주사 속도 50㎜/초 내지 3000㎜/초의 조건에서, 이면(1b)측으로부터 초단 레이저 빔을 조사한다. 또한, 주사 속도는 반복 주파수와의 균형을 위해, 전회의 조사 위치의 간격(조사 피치)이 3㎛ 내지 20㎛으로 되도록 한다.
그리고 레이저(4)에 내장된 렌즈 광학계(도시하지 않음)에서, 깊이 방향의 초점 위치를, 기판 이면측(1b)보다도 약간 기판 내측으로 들어간 위치 A(분할 기점)에 집광되도록 초점을 조정한다.
이와 같이 하여 레이저를 조사하면, 레이저 빔 L은 반사막(3)을 투과하여, 머더 기판(1)의 초점 위치까지 직접 도달하여 작용하게 되고, 머더 기판(1)을 이동시키면서 가공함으로써, 3㎛ 내지 20㎛의 간격으로 이산적으로 작은 구멍이 형성되고, 인접하는 구멍과 구멍 사이에는 미소 크랙이 형성되게 되어, 이들에 의해 분할 기점으로 되는 가공 라인(스크라이브 라인)이 형성된다. 모든 격자 형상의 분할 예정 라인 전체를 따라 동일한 처리를 반복하여, LED 소자 본체별로 분할하기 위한 분할 기점을 형성한다.
도 5는 분할 기점이 형성된 머더 기판(1)에 대해, 브레이크 처리를 행하는 상태를 도시하는 도면이다.
분할 기점 A가 형성된 위치에 대향하는 표면측의 위치 P1에 브레이크 바(5)를 대는 동시에, 이면측에서 분할 기점 A로부터 좌우 양측으로 이격한 위치 P2, P3에 지지 바(6a, 6b)를 대어, 3점 지지 상태에서 굽힘 모멘트를 부여함으로써, 분할 예정 라인을 따른 브레이크를 행한다. 그리고 동일한 브레이크 처리를 모든 분할 기점을 따라 실행함으로써, LED 칩별로 분할할 수 있다.
따라서 본 발명에 따르면, 반사막(3)을 형성한 후에, 반사막(3)을 분할 예정 라인을 따라 박리하는 일 없이, 즉시 머더 기판 자체를 레이저 가공할 수 있게 된다.
상기 실시 형태에서는, 초단 펄스 레이저의 조사에 의한 칩 분할을 실행하였지만, 종래부터의 어브레이션 가공, 혹은 다광자 흡수에 의한 가공을 적용해도 된다. 이들의 경우에서도, 이면측에 형성한 반사막을 분할 예정 라인을 따라 박리하는 일 없이, 즉시 레이저 가공할 수 있다.
본 발명은, 기판 이면에 반사막이 형성된 LED 칩의 제조에 이용된다.
A : 초점 위치(분할 기점)
L : 레이저 빔
1 : 광투과성 기판(사파이어 기판)
1a : 표면측
1b : 이면측
2 : LED 소자 본체
3 : 반사막
4 : 레이저(Nd : YAG 레이저)
5 : 브레이크 바
6a, 6b : 지지 바

Claims (6)

  1. 광투과성 기판의 표면측에 복수의 LED 소자 본체가 패턴 형성되는 동시에, 이면측에 반사막이 분할 예정 라인 상도 포함하여 형성되어 있는 머더 기판에 대해, 분할 예정 라인을 따라 레이저 빔을 조사함으로써 LED 소자 본체별로 분할하기 위한 분할 기점을 형성하는 공정을 포함하는 LED 칩의 제조 방법이며,
    상기 반사막으로서 상기 LED 소자 본체가 발하는 발광 광의 파장 범위를 반사하고, 또한 분할 예정 라인에 조사하는 레이저 빔의 파장 광을 투과하는 성질을 갖는 반사막을 이면측에 형성하고,
    상기 레이저 빔을 이면측으로부터 반사막을 투과시켜 기판 이면에 직접 조사하도록 하여 기판을 레이저 가공하는 것을 특징으로 하는, LED 칩의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 광투과성 기판이 사파이어 기판인, LED 칩의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반사막은 400㎚ 내지 700㎚의 가시광 영역의 반사율이 90％ 이상이고, 900㎚ 이상의 적외 영역의 투과율이 50％ 이상인, LED 칩의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 반사막은 유전체 다층막으로 형성되는, LED 칩의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 레이저 빔으로서 Nd : YAG 레이저에 의한 1064㎚의 펄스 레이저를 조사하는, LED 칩의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 펄스 레이저로서 펄스 폭이 10-10초보다도 짧은 초단 펄스 레이저를, 분할 예정 라인을 따라 이산적으로 조사하는, LED 칩의 제조 방법.
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