KR20120085862A - 레진본드 연마재 - Google Patents

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KR20120085862A
KR20120085862A KR20127013457A KR20127013457A KR20120085862A KR 20120085862 A KR20120085862 A KR 20120085862A KR 20127013457 A KR20127013457 A KR 20127013457A KR 20127013457 A KR20127013457 A KR 20127013457A KR 20120085862 A KR20120085862 A KR 20120085862A
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superabrasive
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abrasive
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KR20127013457A
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라챠나 우파드야이
라마누쟘 베단탐
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생-고벵 아브라시프
생-고뱅 어브레이시브즈, 인코포레이티드
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Abstract

초연마 수지 제품은 초연마 지립 성분, 산화물 성분, 및 상호연결된 기공들의 망(network)을 확정하는 연속상을 포함한다. 산화물 성분은 란탄족의 산화물로 이루어지며, 연속상은 열가소성 중합체 성분을 포함한다. 초연마 지립 성분과 산화물 성분은 연속상 중에 분산된다.

Description

레진본드 연마재{RESIN BONDED ABRASIVE}
본 발명은 일반적으로 초연마 제품, 초연마 제품에 대한 초연마 제품 전구체, 및 초연마 제품의 제조 방법에 관한 것이다.
소형화라는 세계적 추세와 함께, 전자 기기들의 크기가 작아지고 있다. 고전력에서 작동되는 반도체 소자의 경우, 웨이퍼 박형화(wafer thinning)는 방열 능력을 개선시킨다. 최종 두께가 감소됨에 따라, 웨이퍼는 자신의 무게를 지탱하고, 포스트 후면연삭 공정에 의해 생성되는 응력을 견디기에는 계속해서 더 약해진다. 따라서, 후면연삭가공에 의해 야기된 손상을 줄여 품질을 개선시키는 일이 중요하다.
칩을 제조할 때 실리콘 웨이퍼의 초기 두께는, 8인치 웨이퍼의 경우, 680 내지 725μm이다. 더 고속으로 더 작은 전자 기기를 얻기 위해서는, 웨이퍼를 얇게 만든 후에 개별 칩들로 다이싱할 필요가 있다. 연삭 공정은 두 단계로 이루어진다. 우선, 거친 연마휠을 사용하여 표면을 대략 270 내지 280μm까지 연삭하되, 손상된 Si 표면인 Si 웨이퍼의 (후면측) 표면은 그대로 둔다. 그런 후에는 고운 연마휠을 사용하여, 상기 표면의 손상된 부분을 매끄럽게하고 웨이퍼를 250μm까지 연삭한다. 두께가 50 내지 100μm인 웨이퍼가 사실상 일부 IC 칩 분야의 표준규격 요건이다. 지금까지 오랜 기간 동안 스마트 카드에 있어서 가장 일반적인 두께는 약 180μm였다. 그러나, 더 얇은 IC칩이 스마트 카드에서 더 보편화되고 있다. 따라서, 단단한 피삭물의 황삭 또는 정삭이 가능한 개선된 연삭공구는 물론, 이러한 공구의 제조 방법에 대한 필요성이 존재한다.
일 구현예에 의하면, 초연마 수지 제품은 초연마 지립 성분, 산화물 성분, 및 연속상을 포함할 수 있다. 산화물 성분으로는 란탄족의 산화물이 포함될 수 있으며, 연속상으로는 열가소성 중합체 성분 및 열경화성 중합체 성분이 포함될 수 있다. 연속상은 상호연결된 기공들의 망(network)을 확정할 수 있다. 초연마 지립 성분과 산화물 성분은 연속상 중에 분산될 수 있다.
특정의 일 구현예에 의하면, 란탄족은 란타늄, 세륨, 프라세오디뮴 및 네오디뮴과 같은 원자번호 57 이상 60 이하의 원소들을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 란탄족은 세륨을 포함할 수 있으며, 심지어는 세륨으로 필수적으로 구성될 수 있다. 란탄족의 산화물은 초연마 수지 제품의 약 0.05 내지 약 10 부피% 범위의 함량으로 존재할 수 있다.
다른 구현예에 의하면, 초연마 제품 전구체는 초연마 지립 성분, 산화물 성분, 본드(결합제) 성분, 및 캡슐화된 가스의 중합체성 발포제를 포함할 수 있다. 산화물 성분으로는 란탄족의 산화물이 포함될 수 있다.
또 다른 구현예에 의하면, 초연마 제품의 형성 방법은 초연마재, 란탄족의 산화물로 구성된 산화물 성분, 본드 성분, 및 캡슐화된 가스의 중합체성 발포제를 배합하는 단계와; 배합된 초연마재, 본드 성분, 산화물 성분 및 중합체성 발포제를, 발포제 내부의 캡슐화된 가스의 적어도 일부가 방출되는 온도까지 일정 시간 동안 가열하는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 구현예에 의하면, 웨이퍼의 후면연삭 방법은 웨이퍼를 제공하는 단계와; 웨이퍼를 평균 표면조도(Ra) 25Å 이하로 후면연삭하는 단계를 포함한다. 연삭가공은 초연마 수지 제품을 사용하여 수행될 수 있다. 초연마 수지 제품은 초연마 지립 성분, 란탄족의 산화물로 구성되는 산화물 성분, 및 연속상을 포함할 수 있다. 연속상으로는 열가소성 중합체 성분 및 열경화성 중합체 성분이 포함될 수 있으며, 초연마 지립 성분과 산화물 성분은 연속상 중에 분산될 수 있다.
첨부된 도면을 참조로하여 당업자는 본 발명을 더 잘 이해할 수 있으며, 본 발명의 다수 특징 및 장점들이 명백해질 것이다.
도 1은 초연마 수지 공구에 대한 일 구현예의 횡단면도이다.
도 2 및 도 3은 초연마 제품의 바람직한 예에 대한 주사전자현미경 사진이다.
서로 다른 도면에서 사용된 동일한 참조번호는 유사하거나 동일한 항목을 가리킨다.
일 구현예에서, 초연마 제품은 초연마 지립 성분, 산화물 성분, 및 열가소성 중합체 성분과 열경화성 수지 성분을 포함하는 연속상을 포함할 수 있으며, 이때 초연마 지립 성분과 산화물 성분은 연속상 중에 분산된다. 초연마 지립 성분은 예를 들어 다이아몬드, 입방정 질화붕소, 지르코니아, 또는 산화알루미늄일 수 있다. 열경화성 수지 성분으로는 예를 들어 페놀-포름알데하이드가 포함될 수 있다. 열가소성 중합체 성분으로는 예를 들어 폴리아크릴로니트릴 및 폴리비닐리덴이 포함될 수 있다. 바람직하게, 초연마 제품은 개방된 다공성(open-porous) 구조를 가질 수 있으며, 이로 인해 제품 내 기공들의 상당 부분이 상호연결되어, 초연마 제품의 표면과 유체연통된다.
본원에 사용되는 "초연마재"란 용어는 누프 경도 스케일(Knoop Hardness Scale) 상에서 측정하였을 때의 경도가 입방정 질화붕소(CBN)의 경도 이상인 연마재, 즉 K100이 4700 이상인 연마재를 뜻한다. 입방정 질화붕소 외에도, 초연마용 물질의 기타 예로는 천연 및 합성 다이아몬드, 지르코니아, 그리고 산화알루미늄이 포함된다. 적합한 다이아몬드 또는 입방정 질화붕소 물질은 결정성 또는 다결정성일 수 있다. 바람직하게, 초연마용 물질은 다이아몬드이다.
초연마용 물질은 "그릿"으로도 알려져 있는 지립의 형태로 존재한다. 초연마 지립 성분은 시중에서 구입하거나 주문제조될 수 있다. 보통, 초연마재의 평균 입자크기는 약 0.25 마이크론 내지 50 마이크론 범위에 속할 수 있다. 바람직하게는, 입자크기가 약 0.5 마이크론 내지 30 마이크론 범위에 속할 수 있다. 특정 구현예에서, 그릿의 평균 입자크기는 약 0.5 마이크론 내지 1 마이크론, 약 3 마이크론 내지 약 6 마이크론, 이를테면 약 20 마이크론 내지 25 마이크론 범위에 속할 수 있다.
일 구현예에서, 초연마 지립 성분은 초연마 공구의 부피를 기준으로 약 20% 이상의 함량으로 존재할 수 있다. 다른 구현예에서, 초연마 지립 성분은 초연마 공구의 부피를 기준으로 약 3% 내지 약 25% 범위에, 더 바람직하게는 초연마 공구의 부피를 기준으로 약 6% 내지 약 20% 범위에 속하는 함량으로 존재할 수 있다. 또 다른 구현예에 의하면, 초연마 제품의 초연마 지립 성분 대 연속상의 비는 부피를 기준으로 약 4:96 내지 약 30:70 범위에, 더 바람직하게는 부피를 기준으로 약 15:85 내지 약 22:78 범위에 속할 수 있다.
일 구현예에서, 초연마 제품은 란탄족의 산화물을 포함할 수 있다. 란탄족의 산화물은 란탄족 원소와 산소로 형성된 화합물 또는 착체일 수 있다. 란탄족은 란타늄, 세륨, 프라세오디뮴 및 네오디뮴과 같이 주기율표에서 원자번호 57 이상 60 이하인 원소를 포함할 수 있다. 바람직하게, 란탄족은 세륨을 포함하며, 심지어는 세륨으로 필수적으로 구성될 수 있다. 란탄족의 산화물은 초연마 제품의 약 0.05 내지 약 10 부피% 범위에, 이를테면 약 1.0 내지 약 4 부피% 범위에 속하는 함량으로 존재할 수 있다.
산화물 성분의 평균 입자크기는 약 30 마이크론 이하로, 이를테면 약 25 마이크론 이하, 약 20 마이크론 이하, 약 18 마이크론 이하, 심지어는 약 15 마이크론 이하일 수 있다. 일부 예에서, 산화물 성분의 평균 입자크기는 약 0.1μm 내지 약 30μm 범위로, 이를테면 약 0.1 마이크론 내지 약 25 마이크론, 약 0.1 마이크론 내지 약 20 마이크론, 약 0.1 마이크론 내지 약 18 마이크론, 또는 심지어 약 1 마이크론 내지 약 15 마이크론 범위에 속할 수 있다.
일 구현예에서, 초연마 제품은 상호연결된 기공들의 망을 포함할 수 있다. 이들 기공은, 크기가 약 125 마이크론 내지 약 150 마이크론인 대공(large pore)들, 크기가 약 20 마이크론 내지 약 50 마이크론인 소공(small pore)들, 크기가 약 85 마이크론 내지 약 105 마이크론인 중공(intermediate pore)들, 또는 이들의 임의 조합을 포함할 수 있다. 기공은 최빈값(mode)이 2개 이상인, 이를테면 3개 이상인 다봉형 크기 분포를 가질 수 있다. 본원에 사용된 바와 같이, 다봉형 크기 분포는, 최빈값이 2개 이상인 입자크기 또는 기공 크기의 연속 확률분포 함수이다. 각 최빈값은 확률분포 함수에서 뚜렷한 국소 최대값으로 나타난다. 다봉형 분포는 약 125 마이크론 및 약 150 마이크론 사이에 1개의 최빈값, 약 85 마이크론 및 약 105 마이크론 사이에 평균 크기를 갖는 1개의 최빈값, 약 30 마이크론 및 약 50 마이크론 사이에 평균 크기를 갖는 1개의 최빈값, 또는 이들의 임의 조합이 될 수 있다.
공극은 연삭가공에 있어서 중요한 역할을 한다. 공극은 피삭물과 복합 미세구조체 사이의 접촉 영역을 조절한다. 공극은 미세구조물 주변으로 냉각제가 원활하게 이동되도록 하여, 연삭 표면의 온도가 가능한 한 낮게 유지되도록 한다. 다양한 크기를 지닌 복수의 기공 유도재(pore inducer)를 사용하여 다양한 구조체들이 생긴다는 것을 이해하는 것이 중요하다.
보통, 상대적으로 큰(예컨대, 120 내지 420μm의 직경) 물리적 발포제의 경우는, 상대적으로 적은 개수의 강한 브릿지로 큰 기공들을 만들 수 있다. 반면에, 크기가 10 내지 80μm인 상대적으로 작은 물리적 발포제의 경우는, 더 많은 개수의 더 작은 브릿지를 만들 수 있다. 소공 유도재와 대공 유도재 사이의 좋은 균형은, 오로지 대공 유도재로만 생성된 미세구조체와 오로지 소공 유도재로만 생성된 미세구조체 모두에서 발견되는 유리한 특성들을 가진 미세구조체를 생성할 수 있다.
일 구현예에서, 초연마 제품은 초연마 지립 성분, 산화물 성분, 및 연속상을 포함할 수 있다. 초연마 지립 성분과 산화물 성분이 분산되어 있을 수 있는 연속상은 열가소성 중합체 성분을 포함할 수 있다. 일반적으로, 본 초연마 공구는 예를 들어 연마포지(사포) 공구가 아닌 연마지석(bonded abrasive) 공구일 수 있다.
적합한 열가소성 중합체 성분의 예로는 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐리덴, 폴리스티렌 및 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 구성원이 포함될 수 있다. 바람직한 열가소성 중합체 성분의 예로는 폴리아크릴로니트릴 및 폴리염화비닐리덴이 포함될 수 있다. 특히 바람직한 일 구현예에 의하면, 초연마 제품의 연속상은 폴리아크릴로니트릴과 폴리염화비닐리덴의 배합물을 포함할 수 있다. 일 구현예에서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 약 60:40 내지 약 98:2 범위에 속할 수 있다. 특히 바람직한 일 구현예에 의하면, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 비는 약 50:50 내지 90:10 범위에 속할 수 있다.
초연마 제품의 연속상은 또한 열경화성 중합체 성분을 포함할 수 있다. 초연마 제품의 연속상으로 사용하기에 적합한 열경화성 중합체 성분의 예로는 폴리페놀포름알데하이드 폴리아미드, 폴리이미드, 및 에폭시-변성 페놀-포름알데하이드가 포함될 수 있다. 바람직한 일 구현예에 의하면, 열경화성 중합체 성분은 폴리페놀-포름알데하이드일 수 있다.
연속상 내에서 열가소성 중합체 성분 대 열경화성 중합체 성분의 부피비는 일반적으로 약 80:15 내지 약 80:10 범위에 속할 수 있다. 특히 바람직한 일 구현예에 의하면, 연속상 내에서 열가소성 중합체 성분 대 열경화성 중합체 성분의 부피비는 약 70:25 내지 약 70:20 범위에 속할 수 있다. 다른 바람직한 구현예에 의하면, 연속상 내에서 열가소성 중합체 대 열경화성 중합체의 부피비는 약 50:30 내지 약 50:40 범위에 속할 수 있다.
초연마 제품의 기타 다른 성분으로는, 예를 들어, 약 0.5 부피% 내지 약 3 부피% 범위로 실리카 또는 실리카겔과 같은 무기 충전재를 포함할 수 있다.
다른 구현예에서, 초연마 제품에 대한 초연마 제품 전구체는 초연마 지립 성분, 산화물 성분, 본드 성분, 및 가스를 캡슐화하는 중합체성 발포제를 포함할 수 있다. 초연마 제품 전구체의 바람직한 초연마 지립 성분은 다이아몬드이다. 산화물 성분은 란탄족의 산화물일 수 있다. 본드 성분은, 초연마 제품 전구체가 초연마 제품으로 전환될 때 중합하게 되는 열경화성 수지 성분일 수 있다. 적합한 본드 성분의 예로는, 페놀-포름알데하이드, 폴리아미드, 폴리이미드, 및 에폭시-변성 페놀-포름알데하이드와 같은, 당해 기술분야에 공지된 것들이 포함될 수 있다.
일 구현예에서, 발포제는 가스를 캡슐화하는 쉘(shell)을 가진 입자들의 적어도 일부에 해당되는 독립 입자들(discrete particles)을 포함할 수 있다. 보통, 쉘의 적어도 일부는 열가소성 중합체를 포함한다. 적합한 가소성 중합체의 예로는 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐리덴(예컨대, 폴리염화비닐리덴), 폴리스티렌, 나일론, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 및 메틸메타크릴레이트의 다른 중합체들이 포함된다. 일 구현예에서, 상기 독립 입자들은 두 가지 이상의 완전히 다른(distinct) 종류의 것일 수 있으며, 각 종류는 상이한 조성의 열가소성 쉘을 포함한다. 예를 들어, 일 구현예에 의하면, 적어도 한 종류의 독립 입자는 실질적으로 폴리아크릴로니트릴을 포함하는 열가소성 쉘을 가진다. 다른 구현예에 의하면, 적어도 한 종류의 독립 입자는 실질적으로 폴리염화비닐리덴을 포함하는 열가소성 쉘을 가진다. 또 다른 구현예에 의하면, 적어도 한 종류의 발포제 독립 입자는 실질적으로 폴리아크릴로니트릴을 포함하는 열가소성 쉘을 가지며, 다른 한 종류의 발포제 독립 입자는 실질적으로 폴리염화비닐리덴을 포함하는 열가소성 쉘을 가진다. 또 다른 구현예에 의하면, 적어도 한 종류의 발포제 독립 입자는 실질적으로 폴리염화비닐리덴을 포함하는 열가소성 쉘을 가진다. 또 다른 구현예에 의하면, 세 가지 이상의 완전히 다른 종류의 독립 입자들이 존재할 수 있으며, 완전히 다른 각 종류의 독립 입자는 폴리아크릴로니트릴 및 폴리염화비닐리덴의 중량비가 서로 다른 열가소성 쉘을 가진다.
일반적으로, 가스를 캡슐화하는 중합체성 구체(polymeric sphere), 이를테면 이소부탄 및 이소펜탄 중 하나 이상을 캡슐화하며, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 폴리스티렌, 나일론, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 및 메틸메타크릴레이트(MMA)의 다른 중합체들 중 1종 이상을 포함하는 중합체성 구체는 "팽창된(expanded)"형태와 "팽창되지 않은(unexpanded)" 형태로 시판되고 있다. 보통, "팽창된" 버젼의 구체는, 자신의 중합체성 쉘이 파괴되어 캡슐화된 가스가 방출되는 온도까지 가열되는 과정에서 두드러지게 팽창되지 않는다. 반면에, "팽창되지 않은" 버전의 구체는, 중합체성 쉘이 파괴되는 온도까지 가열되는 과정에서 팽창한다. 팽창된 형태의 중합체성 구체가 선호되기는 하지만, 중합체성 구체가 어느 유형이든 발포제용으로서 적합하다. 달리 명시되지 않는 한, 본원에서 중합체성 구체의 크기와 관련하여 언급되는 것은 팽창된 형태의 구체에 관한 것이다.
종종, 시판 중인 적합한 중합체 구체는 탄산칼슘(CaCO3)이나 이산화규소(SiO2)를 이용한 처리를 거친다. 시판 중인 적합한 중합체 구체의 예로는, Expanded DE 40, DE 80 및 950 DET 120이 포함되며, 이들 모두는 Akzo Nobel사의 제품이다. 기타 다른 예로는, Dualite E135-040D, E130-095D 및 E030가 포함되며, 이들 모두는 Henkel사 제품이다.
다른 구현예에서, 초연마 제품 전구체의 발포제는 폴리아크릴로니트릴과 폴리염화비닐리덴의 공중합체를 포함하는 쉘의 독립 입자들을 포함한다. 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는, 예를 들어, 약 40:60 내지 약 99:1 범위에 속할 수 있다. 발포제의 평균 입자크기는, 예를 들어, 약 10 마이크론 내지 약 420 마이크론 범위에 속할 수 있다. 특정의 일 구현예에 의하면, 발포제의 평균 입자크기는 약 20 마이크론 내지 50 마이크론 범위에 속할 수 있다. 이 구현예에서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리비닐리덴의 중량비는, 예를 들어, 약 40:60 내지 60:40 범위에 속할 수 있다. 바람직하게, 이 구현예에서 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 약 50:50이다.
다른 구현예에서, 발포제의 평균 입자크기는 85 마이크론 내지 약 105 마이크론 범위에 속한다. 이 구현예에서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 바람직하게 약 60:40 내지 약 80:20 범위에 속하며, 특히 바람직한 비율은 약 70:30이다.
또 다른 구현예에서, 발포제의 평균 입자크기는 약 125 마이크론을 초과한다. 이 구현예에서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 바람직하게 약 92:8 내지 약 98:2 범위에 속하며, 특히 바람직한 비율은 약 95:5이다.
일 구현예에서, 발포제는 다봉형 크기 분포를 갖는 독립 입자들을 포함할 수 있다. 다봉형 분포는 약 125 마이크론 및 약 150 마이크론 사이에 1개의 최빈값, 약 85 마이크론 및 약 105 마이크론 사이에 1개의 최빈값, 약 30 마이크론 및 약 50 마이크론 사이에 1개의 최빈값, 또는 이들의 임의 조합이 될 수 있다.
상기 독립 입자들로 캡슐화된 가스의 예로는, 이소부탄 및 이소펜탄으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 구성원이 포함된다. 적합한 가스로서 이소부탄 및 이소펜탄 중 하나 이상이 포함되는 구현예에서, 독립 입자들의 크기는 바람직하게 약 8 마이크론 내지 약 420 마이크론 범위에 속하며, 가스를 캡슐화하는 독립 입자들의 벽 두께는 바람직하게 약 0.01 마이크론 내지 약 0.08 마이크론 범위에 속한다.
초연마 제품 전구체에서 발포제의 독립체들(discrete bodies) 대 본드 성분의 부피비는 보통 약 2:1 내지 약 30:35 범위에 속한다. 특정의 일 구현예에 의하면 부피비는 80:15이며, 다른 구현예에서는 부피비가 70:25이다.
또 다른 구현예에서, 초연마 제품의 형성 방법은 초연마재, 본드 성분, 산화물 성분 및 캡슐화된 가스의 중합체 발포제를 배합하는 단계를 포함한다. 배합된 초연마재, 본드 성분, 산화물 성분 및 중합체성 발포제는, 발포제 내부의 캡슐화된 가스의 적어도 일부가 방출되는 온도까지 일정 시간 동안 가열된다. 일반적으로, 초연마재는 다이아몬드이며, 본드는 페놀-포름알데하이드와 같은 열경화성 물질을 포함하고, 산화물 성분은 란탄족의 산화물이며, 캡슐화된 가스-포함 발포제는 이소부탄 및 이소펜탄 중 하나 이상의 가스를 캡슐화하는, 폴리아크릴로니트릴 및 폴리염화비닐리덴 중 하나 이상의 열가소성 쉘을 포함한다.
배합된 초연마재, 본드 성분, 산화물 성분 및 중합체성 발포제는, 캡슐화된 가스의 적어도 상당 부분이 초연마 제품 전구체로부터 방출되는 온도까지 일정 시간 동안 가열되며, 형성된 초연마 제품에는 이에 따라 공극이 생기며, 상기 공극은 실질적으로 개방된 공극(open porosity)이다. 본원에 정의되는 바와 같이, "개방 공극"은 기공들의 적어도 일부분 또는 상당한 부분이 상호간에, 그리고 초연마 제품의 표면과도 유체 연통을 이룬다는 것을 뜻한다. 기공들이 초연마 제품의 약 70 부피% 내지 약 90 부피% 범위를 차지하는 일 구현예의 경우, 상기 제품은 본질적으로 모두 공공연히 다공성을 띠게 될 것이다. 초연마 제품의 공극율이 약 40% 내지 약 70% 범위에 속한다면, 기공들의 일부는 닫힌 상태로, 나머지는 열린 상태로 있을 것이다. 또 다른 구현예의 경우에서 공극율이 약 20% 내지 약 40% 범위에 속한다면, 본질적으로 모든 공극들이 닫힌 상태로 있을 것이다.
일 구현예에서, 초연마 제품 전구체 형태로 있는 상기 배합된 초연마재, 본드 성분, 산화물 성분 및 중합체 발포제는, 초연마 제품 전구체가 양(positive)의 게이지 압력 하에 있을 때 가열된다. 일반적으로, 중합체 발포제는 열가소성 중합체를 포함하는 반면에, 본드 성분은 열경화성 중합체를 포함한다. 일 구현예에서는, 초연마 제품 전구체를 2톤 이상의 압력 하에 약 100℃ 이상인 제1 온도까지 예열한다. 그런 후에는 초연마 제품 전구체를 상기 제1 온도로부터 약 180℃ 이상인 제2 침지 온도(soak temperature)까지 가열한다. 이어서 초연마 제품 전구체를 상기 침지 온도에서 약 15분 이상 동안 유지함으로써 초연마재 제품을 생성한다. 일반적으로, 당해 기술분야에서 공지된 바와 같이, 초연마 제품 전구체를 금형 안에 둔 채, 초연마 제품 전구체를 제1 온도, 그리고 제2 침지 온도까지 가열한 후, 상기 침지 온도에 유지한다.
초연마 제품이 형성되기에 충분한 시간 동안 상기 초연마 제품 전구체를 침지 온도에 유지한 후에, 초연마 제품을 침지 온도로부터 약 100℃ 내지 약 170℃ 범위에 속하는 제1 하강온도(reduced temperature)로 약 10분 내지 약 45분 범위의 시간에 걸쳐 냉각시킨다. 그런 후에는 일반적으로 초연마 제품을 제1 하강온도로부터 약 30℃ 내지 약 100℃ 범위에 속하는 제2 하강온도까지 약 10분 내지 약 30분 범위의 시간에 걸쳐 냉각시킨다.
일반적으로, 초연마 제품을 공냉식(air cooling)으로 제1 하강온도까지 냉각시킨 후에, 제1 하강온도로부터 제2 하강온도까지는 수냉식(liquid cooling)으로 냉각시킨다. 초연마 제품이 제2 하강온도까지 냉각되면, 금형으로부터 제거한다.
일 구현예에 의하면, 냉각된 초연마 제품을 선택적으로 후속 베이크(post-bake)할 수 있다. 예를 들면, 초연마 제품을 약 180 이상의 온도로 여러 시간 동안, 이를테면 약 5시간 이상 동안, 심지어 약 10시간 이상 동안 가열할 수 있다.
일 구현예에서, 초연마 제품은 열경화성 중합체와 열가소성 중합체의 블렌드가 가지는 특성인 강도특성을 나타낸다. 또한, 초연마 수지 제품은 다이아몬드와 같은 초연마 지립 성분들을 매우 효과적으로 결합하여, 더 광범위한 지립 성분 입자크기를 갖는 공구들을 제조할 수 있게 된다. 또한, 이들 공구는 상대적으로 높은 공극율을 가짐에 다라, 더 효과적으로 공구를 냉각시킬 수 있다. 결과적으로, 피삭물의 연삭가공을 더 잘 제어할 수 있으며, 연삭공구의 마모가 현저하게 줄어든다. 이러한 초연마 공구는 비교적 쉽게, 더 낮은 온도에서, 더 짧은 주기로, 그리고 유리질본드를 사용하는 공구와 같은 다른 유형의 초연마 공구를 제조하는데 필요한 방법들 중에서 흔한 조건보다 더 친환경적인 조건 하에서 제조될 수 있다. 이러한 초연마 공구의 예로는 고정 연마 수직형 스핀들(FAVS) 타입의 공구, 휠, 디스크, 휠 세그먼트, 숫돌 및 혼(hone)이 포함될 수 있다. 일 구현예에 의하면, 초연마 제품은 고정 연마 수직형 스핀들(FAVS) 타입 분야에 사용가능하다.
바람직한 일 구현예에서, 초연마 수지 제품은 고정 연마 수직형 스핀들(FAVS)이다. FAVS의 한 예를 도 1에 도시하였다. 도 1에 보여진 바와 같이, 공구(10)는 축(14)을 기준으로 베이스(12)가 구비된 휠로서 구성된다. 휠의 돌출 경계부(16)는 베이스(12)의 외주(perimeter)에 대해 연마 세그먼트(18)를 지지한다. 연마 세그먼트는 초연마 제품의 일 구현예이다. 일반적으로, 베이스의 직경은 약 6인치 내지 약 12인치 범위에 속하며; 연마 세그먼트의 높이는 약 2 밀리미터(mm) 내지 약 10 밀리미터 범위(예컨대, 약 5 밀리미터 내지 약 8 밀리미터)에 속하며, 폭은 약 2 밀리미터 내지 약 4.5 밀리미터 범위에 속한다. 도 1을 참조하여 기술한 바와 같이, 휠은, 공구에 의해 연삭되는 웨이퍼의 회전축에 대해 반시계 방향으로 자신의 축을 기준으로 회전하면서 웨이퍼를 연삭시키는 용도로 적합하다.
표면조도지수는 일련의 실리콘 웨이퍼를 후면연삭시킴으로써 측정될 수 있다. 후면연삭시, 웨이퍼의 표면을 80 rpm의 속도로 회전하는 척테이블과 접촉시키면서, 초연마재를 5500 rpm의 속도로 회전시킬 수 있다. 초기 두께 450 마이크론의 웨이퍼가 최종 두께 430 마이크론까지 연삭될 수 있다. 웨이퍼의 두께가 약 434 마이크론으로 감소될 때까지 초연마재의 공급율을 0.80 마이크론/초로 할 수 있다. 웨이퍼의 두께가 약 430 마이크론이 되면 공급율을 0.50 마이크론/초로 줄일 수 있다. 두께가 약 430 마이크론에 이르면, 최종 두께 430.0 마이크론을 달성할 때까지 공급율을 0.10 마이크론/초로 줄일 수 있다.
웨이퍼 표면의 Ra(조도 프로파일의 산술학적 평균)는 웨이퍼의 다섯 지점인 중심, 그리고 가장자리에서 약 1cm 떨어져 있고 대략 90o로 이격된 네 위치에서 측정될 수 있다. 각 지점에 대한 Ra는 40X 배율에서 광학적으로 측정가능하다. 각 웨이퍼에 대한 측정값을 평균내어 각 웨이퍼의 평균 Ra를 구할 수 있다. 웨이퍼들의 평균 Ra를 평균 내어, 본원의 구현예들인 연삭공구와 관련될 수 있는 수치인 표면조도지수를 결정할 수 있다.
실시예
시료 1은, 초연마 지립, 산화세륨, 수지 성분 및 중합체 발포제의 혼합물로 제조된 높은 공극율의 수지본드 다이아몬드 초연마 구조체이다. 미세구조체에서 사용된 수지는 페놀포름알데하이드였다. 물리적 발포제는 Henkel사에서 입수한 상표 Dualite의 PAN 및 PVDC의 공중합체 구체(sphere)였다. 초연마 지립은 크기가 1 내지 3 마이크론인 다이아몬드였다. 산화세륨의 크기는 3 내지 6 마이크론이었다. 가열되기 전 혼합물의 조성물은 부피%로 다이아몬드 22.5%, 산화세륨 2%, 본드 성분 29%, 및 중합체 발포제 46.5%였다.
복합 마이크로구조체를 만들기 위해, 재료의 무게를 재고, 시각적으로 균질한 혼합물이 얻어질 때까지 스테인레스강 용기에서 교반 조작을 통해 혼합시켰다. 165 메쉬 스크린(미국 표준 크기)을 통해 상기 혼합물을 세 번 스크리닝처리하였다. 이렇게 얻어진 혼합물을 적절한 디자인의 강재 금형 내에 투입하고, 5.020인치 X 1.25인치 X 0.300인치 규격의 시험용 시료들을 얻었다.
스푼으로 각 혼합물을 금형에 채우고 나서 레벨링 패들을 사용하여 금형 내에서 편평하게 만들었다. 완전히 충전된 금형 패키지를 전동식 프레스로 옮겼다. 금형 패키지를 프레스 내부에 배치하자마자, 2톤의 압력을 인가하여 상부 플레이트가 금형 패키지 내에 고르게 들어가도록 확실히 하였다. 온도를 15분간 100℃까지 올린 후, 10분간 150℃까지 올렸다. 금형 패키지에는 압착압력이 인가되었다. 금형 패키지의 온도를 180℃까지 올리고, 그 후에는 20분간 침지처리하였다. 침지 주기가 완료되면, 프레스를 공냉식으로 100℃까지 냉각시킨 후, 수냉식으로 실온까지 냉각시켰다. 금형 패키지를 프레스로부터 분리하여, "탈거" 아버 프레스 장비(arbor press setup)로 이송하였다. 금형 패키지(상부 및 하부 플레이트와, 밴드)를 탈거 아버, 스트립 밴드(strip band) 상에 배치하였다. 금형의 플레이트들 및 시료를 제거하여, 바로 사용될 수 있는 상태로 만들었다.
이렇게 제조된 휠들을 2개의 스핀들이 구비된 수직형 스핀들 기계 상에서 시험하였다. 제1 스핀들은 황삭휠을 사용하였고, 제2 스핀들은 시험되는 정삭휠을 사용하였다. 실리콘 웨이퍼를 거친 휠로 황삭가공한 후에, 고운 휠로 정삭하였다. 극세사 패드를 사용하여 휠을 드레싱하였다. 이들 휠을 사용하여 8인치 실리콘 웨이퍼를 연삭하였다. 시료들의 평균 Ra는 21Å으로 측정되었다.
표면조도(Ra, Å)
시료 1 19 20 20 24 21
시료 2 21 21 20 23 23
시료 3 21 21 22 21 22
시료 4 23 22 24 22 20
시료 5 21 21 22 20 20
도 2와 도 3은 초연마 제품(20)의 주사전자현미경 사진을 보여 준다. 도 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 초연마 제품은, 크기가 약 125 마이크론 내지 약 150 마이크론 범위에 속하는 대공들(22), 크기가 약 85 마이크론 내지 약 105 마이크론 범위에 속하는 중공들(24), 크기가 약 20 마이크론 내지 약 50 마이크론 범위에 속하는 소공들(26)을 포함한다. 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 기공들(22, 24 및 26)은 그 바깥측 연속상의 표면과 비교하여 상대적으로 매끄러운 아치형의 내면을 가진다. 또한, 작은 입자들(28)을 기공의 표면에서 볼 수 있다. 이들 입자는 초연마 지립 및 산화물 입자를 포함할 수 있다.
일반 설명 및 실시예에서 전술된 모든 작용이 요구되는 것은 아니며, 특정 작용의 일부는 요구되지 않을 수 있고, 기술된 작용들 외에도 하나 이상의 추가 작용이 수행될 수 있다는 것을 주목한다. 더욱이, 열거된 작용들의 순서대로 반드시 수행될 필요는 없다.
전술된 명세서에서는 특정 실시형태를 참조로 여러 개념을 설명하였다. 그러나, 당해 기술분야의 숙련자라면 첨부된 청구범위에 포함된 본 발명의 범주를 벗어나지 않으면서 다양한 변형 및 변경이 가능하다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 명세서 및 도면은 제한적 의미보다는 예시적 의미로 간주되어야 하며, 이들 모든 수정예를 본 발명의 범주에 포함하는 것으로 의도한다.
본원에 사용된 바와 같이, "포함(구비, 함유)하는(하다) (comprises, comprising, includes, including, has, having)" 또는 이들의 기타 다른 변형예는 비배타적 항목들을 포함하고자 의도된다. 예를 들어, 여러 특징들의 목록을 포함하는 공정, 방법, 제품 또는 장치는 이들 특징에 반드시 한정되는 것이 아니라 이러한 공정, 방법, 제품 또는 장치에 분명하게 열거되지 않았거나 고유하지 않은 다른 기타 특징들을 포함할 수 있다. 또한, 달리 분명하게 명시하지 않는 한, "또는"이란 포괄적(inclusive-or)이고 배타적이지 않음(exclusive-or)을 가리킨다. 예를 들어, A 또는 B 조건은 하기 중 임의의 것 하나를 만족시킨다: A는 참이고(또는 존재한다), B는 거짓이다(또는 존재하지 않는다), A는 거짓이고 (또는 존재하지 않는다) B는 참이다(또는 존재한다), 및 A와 B 둘 다 참이다(또는 존재한다).
또한, 본원에 기술되는 부재 및 성분을 설명하고자 "하나의, 한(a, an)"을 사용하였다. 이는 오로지 편의를 위한 것이며, 본 발명의 범주의 일반적 의미를 제공하고자 함이다. 본 명세서는 하나 또는 하나 이상을 포함하는 것으로 이해하여야 하며, 명백하게 단수를 의미하지 않는 한 단수는 역시 복수를 포함한다.
이점, 기타 장점 및 문제점에 대한 해결책을 특정 구현예들을 참조로 전술하였다. 그러나, 이점, 장점, 문제점에 대한 해결책, 및 임의의 이점, 장점 또는 해결책이 발생되거나 표명되도록 야기시킬 수 있는 임의의 특징(들)을 어느 하나 또는 모든 청구항의 중요하거나 필요하거나 필수적인 특징으로 이해하여서는 안된다.
본 명세서를 읽은 후에, 숙련자라면 간결성을 위해 별개의 구현예들의 범위에서 본원에 기술된 구체적인 특성들을 단 하나의 구현예에서 조합되어 제공할 수도 있다는 것을 이해할 것이다. 반대로, 간결성을 위해 단 하나의 구현예 범위에서 기술된 다양한 특성들을 따로따로 또는 임의의 하부조합으로 제공할 수도 있다. 또한, 범위로 명시된 값들에는 상기 범위에 속하는 각각의 모든 값이 포함된다.

Claims (131)

  1. 초연마 지립 성분;
    란탄족의 산화물로 이루어진 산화물 성분; 및
    열가소성 중합체 성분과 열경화성 수지 성분을 포함하며, 상호연결된 기공들의 망(network)을 확정하고, 초연마 지립 성분과 산화물 성분이 분산되는, 연속상
    을 포함하는 초연마 수지 제품.
  2. 초연마 지립 성분;
    란탄족의 산화물로 이루어진 산화물 성분; 및
    중합체성 본드 성분을 포함하며, 최빈값이 2개 이상인 다봉형 크기 분포를 가지며 상호연결된 기공들의 망을 확정하고, 초연마 지립 성분과 상기 산화물 성분이 분산되는, 연속상
    을 포함하는 초연마 수지 제품.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기공의 평균 크기가 약 8 마이크론 내지 약 420 마이크론, 또는 약 125 마이크론 내지 약 150 마이크론, 또는 약 20 마이크론 내지 약 50 마이크론, 또는 약 85 마이크론 내지 약 105 마이크론인 것인 초연마 수지 제품.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기공의 크기 분포는 최빈값이 2개 이상 또는 3개 이상인 다봉형 분포인 것인 초연마 수지 제품.
  5. 제4항에 있어서, 다봉형 분포는 약 125 마이크론 내지 약 150 마이크론, 또는 약 85 마이크론 내지 약 105 마이크론, 또는 약 30 마이크론 내지 약 50 마이크론에 1개의 최빈값을 갖는 것인 초연마 수지 제품.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 란탄족은 원자번호 57 이상 60 이하의 원소를 포함하는 것인 초연마 수지 제품.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 란탄족은 란타늄, 세륨, 프라세오디뮴 및 네오디뮴으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 구성원인 것인 초연마 수지 제품.
  8. 제7항에 있어서, 란탄족은 세륨을 포함하는 것인 초연마 수지 제품.
  9. 제8항에 있어서, 란탄족은 세륨으로 필수적으로 구성되는 것인 초연마 수지 제품.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 산화물 성분은 초연마 제품의 약 0.05 내지 약 10.0 부피% 범위의 함량으로 존재하는 것인 초연마 수지 제품.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 산화물 성분의 평균 입자크기는 약 0.1 내지 약 30 마이크론 범위에 속하는 것인 초연마 수지 제품.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 연속상은 열경화성 중합체 성분을 더 포함하는 것인 초연마 수지 제품.
  13. 제12항에 있어서, 열경화성 중합체 성분은 페놀-포름알데하이드, 폴리아미드, 폴리이미드 및 에폭시-변성 페놀포름알데하이드로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 구성원을 포함하는 것인 초연마 수지 제품.
  14. 제13항에 있어서, 열경화성 중합체 성분은 폴리페놀-포름알데하이드를 포함하는 것인 초연마 수지 제품.
  15. 제12항에 있어서, 연속상 중의 열경화성 수지 성분 대 열가소성 중합체 성분의 비는 부피를 기준으로 약 80:15 내지 약 80:10 범위에 속하는 것인 초연마 수지 제품.
  16. 제15항에 있어서, 연속상 대 초연마재 성분의 비는 부피를 기준으로 약 2:1 내지 약 1:2 범위에 속하는 것인 초연마 수지 제품.
  17. 제1항 또는 제2항에 있어서, 연속상은 실질적으로 개방 연속상인 것인 초연마 수지 제품.
  18. 제1항 또는 제2항에 있어서, 초연마재는 다이아몬드, 입방정 질화붕소, 지르코니아 및 산화알루미늄으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 구성원을 포함하는 것인 초연마 수지 제품.
  19. 제18항에 있어서, 초연마재는 다이아몬드를 포함하는 것인 초연마 수지 제품.
  20. 제18항에 있어서, 초연마재의 중간 입자크기(median particle size)는 약 0.25μm 내지 약 30μm, 또는 약 0.5μm 내지 약 1.0μm, 또는 1.0μm 내지 약 3.0μm, 또는 약 3μm 내지 약 6μm, 또는 약 20μm 내지 약 25μm 범위에 속하는 것인 초연마 수지 제품.
  21. 제20항에 있어서, 초연마재의 중간 입자크기는 약 ??? 범위에 속하는 것인 초연마 수지 제품.
  22. 제20항에 있어서, 초연마재의 중간 입자크기는 약 ??? 범위에 속하는 것인 초연마 수지 제품.
  23. 제20항에 있어서, 초연마재의 중간 입자크기는 ??? 범위에 속하는 것인 초연마 수지 제품.
  24. 제1항 또는 제2항에 있어서, 열가소성 중합체 성분은 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐리덴, 폴리스티렌, 나일론, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 및 폴리메틸메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 구성원을 포함하는 것인 초연마 수지 제품.
  25. 제25항에 있어서, 열가소성 중합체 성분은 폴리아크릴로니트릴을 포함하는 것인 초연마 수지 제품.
  26. 제25항에 있어서, 열가소성 중합체 성분은 폴리비닐리덴을 포함하는 것인 초연마 수지 제품.
  27. 제27항에 있어서, 폴리비닐리덴은 폴리염화비닐리덴을 포함하는 것인 초연마 수지 제품.
  28. 제25항에 있어서, 열가소성 중합체 성분은 폴리아크릴로니트릴 및 폴리염화비닐리덴을 포함하는 것인 초연마 수지 제품.
  29. 제29항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 비는 중량을 기준으로 약 1:1 내지 약 98:2 범위에 속하는 것인 초연마 수지 제품.
  30. 제1항 또는 제2항에 있어서, 초연마재의 공극율이 부피를 기준으로 약 30% 내지 약 80% 범위에 속하는 것인 초연마 수지 제품.
  31. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제품은 휠인 것인 초연마 수지 제품.
  32. 초연마 지립 성분;
    란탄족의 산화물로 이루어진 산화물 성분;
    본드 성분; 및
    캡슐화 가스의 중합체성 발포제
    를 포함하는 초연마 제품 전구체.
  33. 제32항에 있어서, 란탄족은 원자번호 57 이상 60 이하의 원소를 포함하는 것인 초연마 제품 전구체.
  34. 제33항에 있어서, 란탄족은 란타늄, 세륨, 프라세오디뮴 및 네오디뮴으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 구성원인 것인 초연마 제품 전구체.
  35. 제34항에 있어서, 란탄족은 세륨을 포함하는 것인 초연마 제품 전구체.
  36. 제35항에 있어서, 란탄족은 세륨으로 필수적으로 구성되는 것인 초연마 제품 전구체.
  37. 제32항에 있어서, 산화물 성분은 초연마 제품의 약 0.05 내지 약 10.0 부피% 범위의 함량으로 존재하는 것인 초연마 제품 전구체.
  38. 제32항에 있어서, 산화물 성분의 평균 입자크기는 약 0.1 내지 약 30 마이크론 범위에 속하는 것인 초연마 제품 전구체.
  39. 제32항에 있어서, 발포제는 독립 입자들(discrete particles)을 포함하며, 상기 입자들의 적어도 일부는 가스를 캡슐화하는 쉘을 갖는 것인 초연마 제품 전구체.
  40. 제39항에 있어서, 쉘의 적어도 일부는 열가소성 중합체를 포함하는 것인 초연마 제품 전구체.
  41. 제40항에 있어서, 열가소성 중합체는 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐리덴, 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 나일론 및 폴리메틸메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 구성원인 것인 초연마 제품 전구체.
  42. 제39항에 있어서, 독립 입자들은 두 가지 이상의 완전히 다른(distinct) 종류의 것이며, 각 종류는 상이한 조성의 열가소성 쉘을 포함하는 것인 초연마 제품 전구체.
  43. 제42항에 있어서, 한 종류의 독립 입자의 평균 입자크기가 약 125 마이크론 내지 약 150 마이크론인 것인 초연마 제품 전구체.
  44. 제42항에 있어서, 한 종류의 독립 입자의 평균 입자크기가 약 85 마이크론 내지 약 105 마이크론인 것인 초연마 제품 전구체.
  45. 제42항에 있어서, 한 종류의 독립 입자의 평균 입자크기는 약 20 마이크론 내지 약 50 마이크론인 것인 초연마 제품 전구체.
  46. 제42항에 있어서, 독립 입자들은 세 가지 이상의 완전히 다른 종류의 것인 초연마 제품 전구체.
  47. 제42항에 있어서, 적어도 한 종류의 독립 입자는 폴리아크릴로니트릴을 포함하는 열가소성 쉘을 갖는 것인 초연마 제품 전구체.
  48. 제42항에 있어서, 적어도 한 종류의 독립 입자는 폴리염화비닐리덴을 포함하는 열가소성 쉘을 갖는 것인 초연마 제품 전구체.
  49. 제42항에 있어서, 적어도 한 종류의 독립 입자는 실질적으로 폴리아크릴로니트릴을 포함하는 열가소성 쉘을 가지며, 다른 종류의 발포제 독립 입자는 실질적으로 폴리염화비닐리덴을 포함하는 열가소성 쉘을 갖는 것인 초연마 제품 전구체.
  50. 제39항에 있어서, 발포제의 쉘은 폴리아크릴로니트릴과 폴리염화비닐리덴의 공중합체를 포함하는 것인 초연마 제품 전구체.
  51. 제50항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 약 40:60 내지 약 99:1 범위에 속하는 것인 초연마 제품 전구체.
  52. 제51항에 있어서, 발포제의 평균 입자크기는 약 8 내지 약 420 마이크론, 또는 약 20 내지 약 50 마이크론, 또는 약 85 내지 약 105 마이크론 범위에 속하는 것인 초연마재 제품 전구체.
  53. 제50항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 약 40:60 내지 약 60:40 범위에 속하는 것인 초연마재 제품 전구체.
  54. 제51항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 약 50:50인 것인 초연마재 제품 전구체.
  55. 제50항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 약 60:40 내지 약 80:20 범위에 속하는 것인 초연마재 제품 전구체.
  56. 제55항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 약 70:30인 것인 초연마재 제품 전구체.
  57. 제50항에 있어서, 발포제의 평균 입자크기는 약 125 마이크론보다 큰 것인 초연마재 제품 전구체.
  58. 제57항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 약 92:8 내지 약 98:2 범위에 속하는 것인 초연마재 제품 전구체.
  59. 제58항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리비닐리덴의 중량비는 약 95:5인 것인 초연마재 제품 전구체.
  60. 제39항에 있어서, 독립 입자의 캡슐화 가스는 이소부탄 및 이소펜탄으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 구성원을 포함하는 것인 초연마재 제품 전구체.
  61. 제39항에 있어서, 독립 입자의 벽 두께는 약 0.01 마이크론 내지 약 0.08 마이크론 범위에 속하는 것인 초연마재 제품 전구체.
  62. 제32항에 있어서, 본드 성분은 열경화성 수지를 포함하는 것인 초연마재 제품 전구체.
  63. 제62항에 있어서, 열경화성 수지는 페놀-포름알데하이드, 폴리아미드, 폴리이미드 및 에폭시-변성 페놀-포름알데하이드로 이루어진 군의 하나 이상의 구성원인 것인 초연마재 제품 전구체.
  64. 제63항에 있어서, 열경화성 수지는 페놀-포름알데하이드를 포함하는 것인 초연마재 제품 전구체.
  65. 제32항에 있어서, 독립체들(discrete bodies) 대 본드 성분의 비는 부피를 기준으로 약 2:1 내지 약 30:35 범위에 속하는 것인 초연마 제품 전구체.
  66. 제65항에 있어서, 독립체들 대 본드 성분의 비는 부피를 기준으로 약 80:15인 것인 초연마 제품 전구체.
  67. 제65항에 있어서, 독립체들 대 본드 성분의 비는 부피를 기준으로 약 70:25인 것인 초연마 제품 전구체.
  68. 제32항에 있어서, 초연마 지립 성분은 다이아몬드, 입방정 질화붕소, 지르코니아 및 산화알루미늄으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 구성원을 포함하는 것인 초연마 제품 전구체.
  69. 제68항에 있어서, 초연마 지립 성분은 다이아몬드를 포함하는 것인 초연마 제품 전구체.
  70. 제32항에 있어서, 초연마 제품의 나머지에 대한 연마 지립 성분의 함량은 부피를 기준으로 약 3% 내지 약 25%의 비로 존재하는 것인 초연마 제품 전구체.
  71. 제32항에 있어서, 초연마 지립 성분의 평균 입자크기는 약 3μm 내지 약 6μm 범위에 속하는 것인 초연마 제품 전구체.
  72. 제32항에 있어서, 초연마 지립 성분는 약 1μm 내지 약 10μm의 입자크기분포를 갖는 것인 초연마 제품 전구체.
  73. a) 초연마재, 란탄족의 산화물로 이루어진 산화물 성분, 본드 성분, 및 캡슐화 가스의 중합체성 발포제를 배합하는 단계; 및
    b) 배합된 초연마재, 본드 성분 및 중합체성 발포제를, 발포제 내부의 캡슐화된 가스의 적어도 일부가 방출되는 온도까지 일정 시간 동안 가열하는 단계를 포함하는 초연마 제품의 형성 방법.
  74. 제73항에 있어서, 란탄족은 원자번호 57 이상 60 이하의 원소를 포함하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  75. 제73항에 있어서, 란탄족은 란타늄, 세륨, 프라세오디뮴 및 네오디뮴으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 구성원인 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  76. 제75항에 있어서, 란탄족은 세륨을 포함하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  77. 제76항에 있어서, 란탄족은 세륨으로 필수적으로 구성되는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  78. 제73항에 있어서, 산화물 성분은 초연마 제품의 약 0.05 내지 약 10.0 부피% 범위의 함량으로 존재하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  79. 제73항에 있어서, 산화물 성분의 평균 입자크기는 약 0.1 내지 약 30 마이크론 범위에 속하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  80. 제73항에 있어서, 중합체성 발포제의 중합체는 열가소성 중합체를 포함하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  81. 제73항에 있어서, 본드 성분은 열경화성 중합체를 포함하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  82. 제73항에 있어서, 배합된 초연마 본드 및 중합체성 발포제가 초연마 제품 전구체인 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  83. 제82항에 있어서, 초연마 제품 전구체는 초연마 지립 성분 및 산화물 성분을 더 포함하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  84. 제83항에 있어서, 초연마 지립 성분의 비는 초연마 제품 전구체의 부피를 기준으로 약 3% 내지 약 25%인 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  85. 제82항에 있어서, 초연마 제품 전구체는, 캡슐화된 가스의 적어도 상당 부분이 초연마 제품 전구체로부터 방출되는 온도까지 일정 시간 동안 가열됨에 따라, 형성된 초연마 제품에는 실질적으로 개방된 공극에 해당되는 공극이 생기는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  86. 제85항에 있어서, 초연마 제품 전구체가 양(positive)의 게이지 압력 하에 있을 때 초연마 제품 전구체의 온도를 승온시킴으로써 초연마 제품 전구체를 가열하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  87. 제85항에 있어서, 초연마 제품 전구체를 2톤 이상의 압력 하에 약 100℃ 이상인 제1 온도까지 예열하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  88. 제87항에 있어서, 초연마 제품 전구체를 상기 제1 온도로부터 약 180℃ 이상인 제2 침지 온도(soak temperature)까지 가열하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  89. 제88항에 있어서, 초연마 제품 전구체를 침지 온도에서 약 15분 이상 동안 유지함으로써 초연마재 제품을 생성하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  90. 제88항에 있어서, 초연마 제품을 침지 온도로부터 약 100℃ 내지 약 170℃ 범위에 속하는 제1 하강온도(reduced temperature)로 약 10분 내지 약 40분 범위의 시간에 걸쳐 냉각시키는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  91. 제90항에 있어서, 초연마 제품을 공냉식(air cooling)으로 제1 하강온도까지 냉각시키는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  92. 제90항에 있어서, 초연마 제품을 제1 하강온도로부터 약 30℃ 내지 약 100℃ 범위에 속하는 제2 하강온도까지 약 10분 내지 약 30분 범위의 시간에 걸쳐 냉각시키는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  93. 제92항에 있어서, 초연마 제품을 제1 하강온도로부터 제2 하강온도까지는 수냉식(liquid cooling)으로 냉각시키는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  94. 제92항에 있어서, 금형 내에서 초연마 제품 전구체를 가열하여 초연마 제품을 형성하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  95. 제94항에 있어서, 제2 하강온도까지 냉각되면 초연마 제품을 금형으로부터 제거시키는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  96. 제73항에 있어서, 발포제는 독립 입자들을 포함하며, 상기 입자들의 적어도 일부는 가스를 캡슐화하는 쉘을 갖는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  97. 제96항에 있어서, 쉘의 적어도 일부는 열가소성 중합체를 포함하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  98. 제97항에 있어서, 열가소성 중합체는 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐리덴, 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 나일론 및 폴리메틸메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 구성원인 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  99. 제98항에 있어서, 발포제의 쉘은 폴리아크릴로니트릴과 폴리염화비닐리덴의 공중합체를 포함하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  100. 제99항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 약 40:60 내지 약 99:1 범위에 속하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  101. 제100항에 있어서, 발포제의 평균 입자크기가 약 8 내지 약 420 마이크론 범위에 속하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  102. 제101항에 있어서, 발포제의 평균 입자크기가 약 20 내지 약 50 마이크론 범위에 속하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  103. 제102항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 약 40:60 내지 약 60:40 범위에 속하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  104. 제103항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 약 50:50인 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  105. 제101항에 있어서, 발포제의 평균 입자크기가 약 85 마이크론 내지 약 105 마이크론 범위에 속하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  106. 제105항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 약 60:40 내지 약 80:20 범위에 속하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  107. 제106항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 약 70:30인 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  108. 제101항에 있어서, 발포제의 평균 입자크기는 약 125 마이크론보다 큰 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  109. 제108항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리염화비닐리덴의 중량비는 약 92:8 내지 약 98:2 범위에 속하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  110. 제109항에 있어서, 폴리아크릴로니트릴 대 폴리비닐리덴의 중량비는 약 95:5인 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  111. 제96항에 있어서, 독립 입자의 캡슐화 가스는 이소부탄 및 이소펜탄으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 구성원을 포함하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  112. 제96항에 있어서, 독립 입자의 벽 두께는 약 0.01 마이크론 내지 약 0.08 마이크론 범위에 속하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  113. 제96항에 있어서, 독립체들(discrete bodies) 대 본드 성분의 비는 부피를 기준으로 약 2:1 내지 약 30:35 범위에 속하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  114. 제73항에 있어서, 본드 성분은 열경화성 수지를 포함하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  115. 제114항에 있어서, 열경화성 수지는 페놀-포름알데하이드, 폴리아미드, 폴리이미드 및 에폭시-변성 페놀-포름알데하이드로 이루어진 군의 하나 이상의 구성원인 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  116. 제115항에 있어서, 열경화성 수지는 페놀-포름알데하이드를 포함하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  117. 제73항에 있어서, 초연마 지립 성분은 다이아몬드, 입방정 질화붕소, 지르코니아 및 산화알루미늄으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 구성원을 포함하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  118. 제117항에 있어서, 초연마 지립 성분은 다이아몬드를 포함하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  119. 제73항에 있어서, 초연마 지립 성분의 평균 입자크기는 약 3 내지 약 6 마이크론 범위에 속하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  120. 제119항에 있어서, 초연마 지립 성분는 약 1 내지 약 10 마이크론의 입자크기분포를 갖는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  121. 제73항에 있어서, 캡슐화 가스의 중합체성 발포제는 팽창되지 않은 구체(sphere)들을 포함하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  122. 제73항에 있어서, 캡슐화 가스의 중합체성 발포제는 팽창된 구체들을 포함하는 것인 초연마 제품의 형성 방법.
  123. 웨이퍼를 제공하는 단계; 및
    초연마 수지 제품을 사용하여 평균 표면조도(Ra) 25Å 이하까지 상기 웨이퍼를 후면연삭하는 단계를 포함하는 웨이퍼의 후면연삭 방법이며, 상기 초연마 수지 제품은
    초연마 지립 성분;
    란탄족의 산화물로 이루어진 산화물 성분; 및
    열가소성 중합체 성분과 열경화성 수지 성분을 포함하며, 상호연결된 기공들의 망을 확정하고, 초연마 지립 성분과 산화물 성분이 분산되는, 연속상을 포함하는 것인 웨이퍼의 후면연삭 방법.
  124. 제123항에 있어서, Ra가 약 25Å 이하, 또는 약 21Å 이하인 것인 웨이퍼의 후면연삭 방법.
  125. 초연마 지립 성분;
    란탄족의 산화물로 이루어진 산화물 성분; 및
    본드 성분을 포함하며, 상호연결된 기공들의 망을 확정하고, 상기 초연마 지립 성분과 상기 산화물 성분이 분산되는 연속상을 포함하는 초연마 수지 제품이며,
    상기 기공들은 크기가 약 125 마이크론 내지 약 150 마이크론인 대공(large pore), 크기가 약 20 마이크론 내지 약 50 마이크론인 소공(small pore), 및 크기가 약 85 마이크론 내지 약 105 마이크론인 중공(intermediate pore)을 포함하는 것인, 초연마 수지 제품.
  126. 제125항에 있어서, 다봉형 크기 분포는 약 125 마이크론 내지 약 150 마이크론, 또는 약 85 마이크론 내지 약 105 마이크론, 또는 약 30 마이크론 내지 약 50 마이크론에 1개의 최빈값을 갖는 것인 초연마 수지 제품.
  127. 초연마 지립 성분;
    란탄족의 산화물로 이루어진 산화물 성분;
    본드 제품; 및
    두 가지 이상의 완전히 다른 종류의 입자들을 포함하는, 캡슐화 가스의 중합체성 발포제
    를 포함하는 초연마 제품 전구체.
  128. 제127항에 있어서, 한 종류의 독립 입자의 평균 입자크기는 약 125 마이크론 내지 약 150 마이크론, 또는 약 85 마이크론 내지 약 105 마이크론, 또는 약 20 마이크론 내지 약 50 마이크론인 것인 초연마 제품 전구체.
  129. 제127항에 있어서, 중합체성 발포제는 세 가지 종류 이상의 완전히 다른 입자들을 포함하는 것인 초연마 제품 전구체.
  130. 초연마 지립 성분;
    란탄족의 산화물로 이루어진 산화물 성분;
    본드 제품; 및
    다봉형 크기 분포를 갖는 독립 입자들을 포함하는, 캡슐화 가스의 중합체성 발포제
    를 포함하는 초연마 제품 전구체.
  131. 제130항에 있어서, 다봉형 크기 분포는 약 125 마이크론 내지 약 150 마이크론, 또는 약 85 마이크론 내지 약 105 마이크론, 또는 약 30 마이크론 내지 약 50 마이크론에 1개의 최빈값을 갖는 것인 초연마 제품 전구체.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220043420A (ko) * 2020-09-29 2022-04-05 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마 패드, 연마 패드의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7918293B1 (en) 2005-03-09 2011-04-05 Us Synthetic Corporation Method and system for perceiving a boundary between a first region and a second region of a superabrasive volume
CN102648072A (zh) * 2009-10-27 2012-08-22 圣戈班磨料磨具有限公司 树脂粘结的磨料
US8969833B1 (en) * 2011-12-16 2015-03-03 Us Synthetic Corporation Method and system for perceiving a boundary between a first region and a second region of a superabrasive volume
CH710934A1 (de) * 2015-04-01 2016-10-14 Reishauer Ag Offenporiges, keramisch gebundenes Schleifwerkzeug, Verfahren zu seiner Herstellung sowie für seine Herstellung verwendete Porenbildnermischungen.
CN105252431A (zh) * 2015-10-09 2016-01-20 芜湖市鸿坤汽车零部件有限公司 一种聚苯乙烯粘结树脂砂轮及其制备方法
CN106891274A (zh) * 2017-04-19 2017-06-27 台山市远鹏研磨科技有限公司 一种湿式精抛轮及其制备方法
US10518387B2 (en) * 2017-07-18 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Grinding element, grinding wheel and manufacturing method of semiconductor package using the same

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3422032A (en) 1965-09-07 1969-01-14 Allied Chem Synthetic diamantiferous composition
JPS51117390A (en) * 1975-04-07 1976-10-15 Asahi Daiyamondo Kogyo Kk Diamond grindstone for polishing glass
EP0211247A3 (de) 1985-07-31 1987-05-27 Techno-Keramik GmbH Feinschleifwerkzeug für die Bearbeitung von Werkstücken aus Metall, Glas oder Keramik
US4944773A (en) 1987-09-14 1990-07-31 Norton Company Bonded abrasive tools with combination of finely microcrystalline aluminous abrasive and a superabrasive
US5152810A (en) 1987-09-14 1992-10-06 Norton Company Bonded abrasive tools with combination of finely microcrystalline aluminous abrasive and a superabrasive
US4951427A (en) 1989-05-30 1990-08-28 General Electric Company Refractory metal oxide coated abrasives and grinding wheels made therefrom
JPH0716880B2 (ja) 1990-03-09 1995-03-01 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 巨大気孔を備えた多孔性砥石
US5129919A (en) 1990-05-02 1992-07-14 Norton Company Bonded abrasive products containing sintered sol gel alumina abrasive filaments
JP2694705B2 (ja) 1991-02-08 1997-12-24 鐘紡株式会社 高純材アルミ基盤研磨用合成砥石
JPH05202483A (ja) * 1991-04-25 1993-08-10 Shipley Co Inc 無電解金属化方法と組成物
US5212120A (en) 1991-06-10 1993-05-18 Corning Incorporated Photosensitive glass
US5436063A (en) 1993-04-15 1995-07-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated abrasive article incorporating an energy cured hot melt make coat
US5472461A (en) 1994-01-21 1995-12-05 Norton Company Vitrified abrasive bodies
JPH0857768A (ja) 1994-08-23 1996-03-05 Mitsubishi Materials Corp 重研削用ビトリファイドボンド砥石
JP3074246B2 (ja) 1995-03-13 2000-08-07 内外セラミックス株式会社 高強度無機発泡体の製造方法
BR9607820A (pt) 1995-03-21 1998-07-07 Norton Co Esmerilhadora aperfeiçoada para escantilhar vidro plano
JPH08257920A (ja) 1995-03-24 1996-10-08 Mitsui Kensaku Toishi Kk 有気孔型ビトリファイド超砥粒ホィールおよびその製造方法
US5738696A (en) 1996-07-26 1998-04-14 Norton Company Method for making high permeability grinding wheels
US5738697A (en) 1996-07-26 1998-04-14 Norton Company High permeability grinding wheels
US5891206A (en) 1997-05-08 1999-04-06 Norton Company Sintered abrasive tools
US5863308A (en) 1997-10-31 1999-01-26 Norton Company Low temperature bond for abrasive tools
US6440185B2 (en) 1997-11-28 2002-08-27 Noritake Co., Ltd. Resinoid grinding wheel
JP3539854B2 (ja) 1997-11-28 2004-07-07 株式会社ノリタケカンパニーリミテド レジノイド研削砥石
JPH11188647A (ja) 1997-12-25 1999-07-13 Fuji Photo Film Co Ltd 研磨体
US6074278A (en) 1998-01-30 2000-06-13 Norton Company High speed grinding wheel
US5989301A (en) 1998-02-18 1999-11-23 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Optical polishing formulation
US6102789A (en) 1998-03-27 2000-08-15 Norton Company Abrasive tools
JP3292134B2 (ja) 1998-04-20 2002-06-17 三菱マテリアル株式会社 レジンボンド砥石
US6709747B1 (en) 1998-09-28 2004-03-23 Skeleton Technologies Ag Method of manufacturing a diamond composite and a composite produced by same
JP2000190232A (ja) 1998-10-13 2000-07-11 Hitachi Chem Co Ltd 半導体ウエハ研磨用樹脂砥石、その製造方法、半導体ウエハの研磨方法、半導体素子および半導体装置
US6056794A (en) 1999-03-05 2000-05-02 3M Innovative Properties Company Abrasive articles having bonding systems containing abrasive particles
JP2000301459A (ja) 1999-04-19 2000-10-31 Nippei Toyama Corp 砥石およびこれを用いた研磨方法
US6394888B1 (en) 1999-05-28 2002-05-28 Saint-Gobain Abrasive Technology Company Abrasive tools for grinding electronic components
JP3542520B2 (ja) 1999-06-01 2004-07-14 株式会社ノリタケカンパニーリミテド ビトリファイド砥石
US6527854B1 (en) 1999-06-16 2003-03-04 Mark A. Prelas Method for contact diffusion of impurities into diamond and other crystalline structures and products
US6755720B1 (en) 1999-07-15 2004-06-29 Noritake Co., Limited Vitrified bond tool and method of manufacturing the same
BR0109387B1 (pt) 2000-03-23 2011-01-25 ferramenta abrasiva com liga vitrificada e processo para fabricação da mesma.
ATE302092T1 (de) * 2000-04-28 2005-09-15 3M Innovative Properties Co Schleifmittel und verfahren zum schleifen von glas
US20020016139A1 (en) * 2000-07-25 2002-02-07 Kazuto Hirokawa Polishing tool and manufacturing method therefor
JP2003011066A (ja) 2000-07-25 2003-01-15 Ebara Corp 研磨工具及びその製造方法
US6645624B2 (en) 2000-11-10 2003-11-11 3M Innovative Properties Company Composite abrasive particles and method of manufacture
US7044277B2 (en) 2001-03-19 2006-05-16 Travel Caddy, Inc. Collapsible storage container
US6593391B2 (en) 2001-03-27 2003-07-15 General Electric Company Abrasive-filled thermoset composition and its preparation, and abrasive-filled articles and their preparation
US6802877B2 (en) * 2001-04-20 2004-10-12 Thomas J. Drury Polyvinyl acetal composition roller brush with abrasive outer surface
JP2003136410A (ja) 2001-10-31 2003-05-14 Allied Material Corp 超砥粒ビトリファイドボンド砥石
EP1310316B1 (de) 2001-11-13 2008-10-22 sia Abrasives Industries AG Sägegarn
US6685755B2 (en) 2001-11-21 2004-02-03 Saint-Gobain Abrasives Technology Company Porous abrasive tool and method for making the same
JP3958041B2 (ja) 2001-12-18 2007-08-15 株式会社ノリタケカンパニーリミテド フェノール樹脂多孔質砥石の製造方法
US6949129B2 (en) 2002-01-30 2005-09-27 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Method for making resin bonded abrasive tools
US6988937B2 (en) 2002-04-11 2006-01-24 Saint-Gobain Abrasives Technology Company Method of roll grinding
US6679758B2 (en) 2002-04-11 2004-01-20 Saint-Gobain Abrasives Technology Company Porous abrasive articles with agglomerated abrasives
US7090565B2 (en) * 2002-04-11 2006-08-15 Saint-Gobain Abrasives Technology Company Method of centerless grinding
US7544114B2 (en) 2002-04-11 2009-06-09 Saint-Gobain Technology Company Abrasive articles with novel structures and methods for grinding
US6913517B2 (en) * 2002-05-23 2005-07-05 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
JP2004034173A (ja) 2002-06-28 2004-02-05 Ebara Corp 固定砥粒研磨工具
US6833014B2 (en) 2002-07-26 2004-12-21 3M Innovative Properties Company Abrasive product, method of making and using the same, and apparatus for making the same
US6915796B2 (en) * 2002-09-24 2005-07-12 Chien-Min Sung Superabrasive wire saw and associated methods of manufacture
US20040137834A1 (en) 2003-01-15 2004-07-15 General Electric Company Multi-resinous molded articles having integrally bonded graded interfaces
US7066801B2 (en) 2003-02-21 2006-06-27 Dow Global Technologies, Inc. Method of manufacturing a fixed abrasive material
BRPI0411190A (pt) 2003-05-30 2006-07-25 Bosch Corp rebolo vitrificado e método para fabricar o mesmo
US20050076577A1 (en) 2003-10-10 2005-04-14 Hall Richard W.J. Abrasive tools made with a self-avoiding abrasive grain array
BRPI0417290B1 (pt) 2003-12-23 2019-02-19 Diamond Innovations, Inc. Método para retificar um cilindro ferroso
JP2005319556A (ja) 2004-05-11 2005-11-17 Kurenooton Kk 気孔発生型レジノイド砥石
ATE390248T1 (de) 2004-05-20 2008-04-15 Disco Corp Keramisch gebundene schleifscheibe und herstellungsverfahren derselben
JP4769488B2 (ja) 2004-05-20 2011-09-07 株式会社ディスコ ビトリファイドボンド砥石の製造方法
US8075372B2 (en) * 2004-09-01 2011-12-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with microporous regions
JP4523383B2 (ja) 2004-11-09 2010-08-11 株式会社ミズホ 複合砥粒ビトリファイド超仕上げ砥石
US20060135045A1 (en) 2004-12-17 2006-06-22 Jinru Bian Polishing compositions for reducing erosion in semiconductor wafers
US7258705B2 (en) 2005-08-05 2007-08-21 3M Innovative Properties Company Abrasive article and methods of making same
WO2007030779A2 (en) 2005-09-09 2007-03-15 Inopla Inc. Apparatus and method for polishing objects using object cleaners
JP2007196345A (ja) 2006-01-30 2007-08-09 Shinano Denki Seiren Kk 研磨パッド表面調整用砥石及び研磨パッド表面調整方法
JP2007290101A (ja) 2006-04-27 2007-11-08 Disco Abrasive Syst Ltd ビトリファイドボンド砥石およびその製造方法
JP4752670B2 (ja) 2006-08-17 2011-08-17 三菱マテリアル株式会社 砥石の製造方法
BRPI0809009B1 (pt) 2007-03-14 2019-02-19 Saint-Gobain Abrasifs Artigo abrasivo ligado
ATE550144T1 (de) * 2007-03-26 2012-04-15 Tokyo Diamond Tools Mfg Co Ltd Synthetischer schleifstein
JP2009061554A (ja) 2007-09-07 2009-03-26 Alps Electric Co Ltd ビトリファイドボンド砥石
US7658665B2 (en) 2007-10-09 2010-02-09 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Techniques for cylindrical grinding
US20090218276A1 (en) 2008-02-29 2009-09-03 Brigham Young University Functionalized diamond particles and methods for preparing the same
WO2009128982A2 (en) * 2008-04-18 2009-10-22 Saint-Gobain Abrasives, Inc. High porosity abrasive articles and methods of manufacturing same
CN102119071B (zh) 2008-06-23 2015-01-28 圣戈班磨料磨具有限公司 高孔隙率的玻璃化超级磨料产品以及制备方法
KR101333018B1 (ko) * 2008-06-23 2013-11-27 생-고벵 아브라시프 고공극율 초연마 수지 제품들 및 그 제조 방법
WO2011056680A2 (en) 2009-10-27 2011-05-12 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Vitreous bonded abrasive
CN102648072A (zh) * 2009-10-27 2012-08-22 圣戈班磨料磨具有限公司 树脂粘结的磨料
CA2781723C (en) 2009-12-11 2015-04-28 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive article for use with a grinding wheel

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220043420A (ko) * 2020-09-29 2022-04-05 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마 패드, 연마 패드의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

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