KR20120041453A - 스캔 펄스 스위칭 회로와 이를 이용한 표시장치 - Google Patents

스캔 펄스 스위칭 회로와 이를 이용한 표시장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 스캔 펄스 스위칭 회로와 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 스캔 펄스 스위칭 회로는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 펄스에 응답하여 스캔 구동부로부터 출력되는 스캔 펄스의 활성화 전압을 게이트 라인에 공급하는 제1 트랜지스터; 및 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호의 펄스에 응답하여 상기 스캔 펄스의 비활성화 전압을 상기 게이트 라인에 공급하는 제2 트랜지스터를 포함하고, 상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호는 게이트 출력 인에이블 신호와 적어도 한 펄스 이상 동기되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 측정하고자 하는 임의의 픽셀에만 스캔 펄스를 인가할 수 있는 스캔 펄스 스위칭 회로와 이를 이용한 표시장치를 제공함에 있다.

Description

스캔 펄스 스위칭 회로와 이를 이용한 표시장치{SCAN PULSE SWITCHING CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 스캔 펄스 스위칭 회로와 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광다이오드 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Diode)와 같은 여러가지 평판표시장치가 활용되고 있다. 이들 평판표시장치 중에서, 유기발광다이오드 표시장치는 저전압 구동이 가능하고, 박형이며, 시야각이 우수하고, 응답속도가 빠른 특성이 있다. 유기발광다이오드 표시장치로서, 다수의 픽셀들이 매트릭스 형태로 위치하여 영상을 표시하는 액티브 매트릭스(Active Matrix) 타입 유기발광다이오드 표시장치가 널리 사용된다.
도 1은 종래의 액티브 매트릭스 타입 유기발광다이오드 표시장치의 픽셀에 대한 등가회로도이다. 도 1을 참조하면, 액티브 매트릭스 타입 유기발광다이오드 표시장치의 표시패널은 스캔 라인(GLn, n은 자연수)들과 데이터 라인(DLm, m은 자연수)들로 정의되는 다수의 픽셀들을 포함한다. 픽셀들 각각은 일반적으로 스캔 라인의 스캔 펄스에 응답하여 데이터 전압을 공급하는 스캔 트랜지스터(Tscan)와 게이트 전극에 공급되는 데이터 전압에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 공급되는 전류의 양을 조절하는 구동 트랜지스터(Td)로 구현된다. 하지만, 다수의 픽셀들 사이에서 발생하는 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압에 대한 편차로 인해 유기발광다이오드(OLED)에 공급되는 전류가 원하는 값과 다른 값을 갖게 되어, 발광되는 빛의 휘도가 목표 값과 달라진다.
또한, 유기발광다이오드(OLED)에 장시간 전류가 공급되면, 유기발광다이오드(OLED)가 열화 된다. 유기발광다이오드(OLED)가 열화 되면, 발광되는 빛의 휘도가 목표 값과 달라지고, 유기발광다이오드(OLED)의 수명이 감소된다.
다수의 픽셀들 사이에서 발생하는 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압에 대한 편차, 및 유기발광다이오드(OLED)의 열화 정도의 차이로 인한 문제점을 해결하기 위해, 픽셀들의 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압, 및 유기발광다이오드(OLED)의 열화를 보상해야 한다. 이를 위해, 픽셀들의 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압, 및 유기발광다이오드(OLED)의 열화를 측정해야 한다. 하지만, 임의의 픽셀의 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압과 유기발광다이오드(OLED)의 열화 정도를 측정하기 위해서는 측정하고자 하는 임의의 픽셀만을 구동시켜야 하는데, 측정하고자 하는 임의의 픽셀에만 스캔 펄스를 인가할 수 있는 방법이 없다.
본 발명은 측정하고자 하는 임의의 픽셀에만 스캔 펄스를 인가할 수 있는 스캔 펄스 스위칭 회로와 이를 이용한 표시장치를 제공함에 있다.
본 발명의 스캔 펄스 스위칭 회로는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 펄스에 응답하여 스캔 구동부로부터 출력되는 스캔 펄스의 활성화 전압을 게이트 라인에 공급하는 제1 트랜지스터; 및 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호의 펄스에 응답하여 상기 스캔 펄스의 비활성화 전압을 상기 게이트 라인에 공급하는 제2 트랜지스터를 포함하고, 상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호는 게이트 출력 인에이블 신호와 적어도 한 펄스 이상 동기되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 스캔 펄스 스위칭 회로는 제1 노드의 전압에 응답하여 스캔 구동부로부터 출력되는 스캔 펄스의 활성화 전압을 게이트 라인에 공급하는 제1 트랜지스터; 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호의 펄스에 응답하여 상기 스캔 펄스의 비활성화 전압을 상기 게이트 라인에 공급하는 제2 트랜지스터; 상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 펄스에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 활성화 전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제3 트랜지스터; 및 상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호의 펄스에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 비활성화 전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제4 트랜지스터를 포함하고, 상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호는 게이트 출력 인에이블 신호와 적어도 한 펄스 이상 동기되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 표시장치는 게이트 라인들과 데이터 라인들이 교차되고, 상기 교차된 영역에 형성된 다수의 픽셀들을 포함하는 액티브 영역; 상기 게이트 라인들에 순차적으로 스캔 펄스를 출력하는 스캔 구동부; 상기 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부; 및 상기 스캔 구동부와 상기 액티브 영역 사이에 위치하여 상기 스캔 펄스를 선택적으로 차단하는 스캔 펄스 스위칭 회로를 포함하고, 상기 스캔 펄스 스위칭 회로는, 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 펄스에 응답하여 스캔 구동부로부터 출력되는 스캔 펄스의 활성화 전압을 게이트 라인에 공급하는 제1 트랜지스터; 및 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호의 펄스에 응답하여 상기 스캔 펄스의 비활성화 전압을 상기 게이트 라인에 공급하는 제2 트랜지스터를 포함하고, 상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호는 게이트 출력 인에이블 신호와 적어도 한 펄스 이상 동기되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 표시장치는 게이트 라인들과 데이터 라인들이 교차되고, 상기 교차된 영역에 형성된 다수의 픽셀들을 포함하는 액티브 영역; 상기 게이트 라인들에 순차적으로 스캔 펄스를 출력하는 스캔 구동부; 상기 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부; 및 상기 스캔 구동부와 상기 액티브 영역 사이에 위치하여 상기 스캔 펄스를 선택적으로 차단하는 스캔 펄스 스위칭 회로를 포함하고, 제1 노드의 전압에 응답하여 스캔 구동부로부터 출력되는 스캔 펄스의 활성화 전압을 게이트 라인에 공급하는 제1 트랜지스터; 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호의 펄스에 응답하여 상기 스캔 펄스의 비활성화 전압을 상기 게이트 라인에 공급하는 제2 트랜지스터; 상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 펄스에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 활성화 전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제3 트랜지스터; 및 상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호의 펄스에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 비활성화 전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제4 트랜지스터를 포함하고, 상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호는 게이트 출력 인에이블 신호와 적어도 한 펄스 이상 동기되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 스캔 구동부와 액티브 영역 사이에 측정하고자 하는 임의의 픽셀에만 스캔 펄스를 인가할 수 있도록 스캔 펄스 스위칭 회로를 형성한다. 그 결과, 본 발명은 특정 픽셀의 구동 트랜지스터의 문턱전압과, 유기발광다이오드의 열화 정도를 산출할 수 있다. 나아가, 본 발명은 특정 픽셀의 구동 트랜지스터의 문턱전압과, 유기발광다이오드의 열화를 보상함으로써, 유기발광다이오드로부터 발광되는 빛의 휘도를 목표 값과 일치시킬 수 있다.
도 1은 종래의 액티브 매트릭스 타입 유기발광다이오드 표시장치의 픽셀의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예로서, 일반 모드에서 스캔 펄스 스위칭 회로, 픽셀의 회로, 및 전류패스를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예로서, 구동 트랜지스터를 통과한 전류를 샘플링하는 샘플링 모드에서 스캔 펄스 스위칭 회로, 및 픽셀의 회로, 및 전류패스를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예로서, 유기발광다이오드의 전류를 샘플링하는 샘플링 모드에서 스캔 펄스 스위칭 회로, 및 픽셀의 회로, 및 전류패스를 나타내는 도면이다.
도 6a는 일반 모드에서 스캔 펄스 스위칭 회로로 입력되는 쉬프트 레지스터의 출력, 및 게이트 출력 인에이블 신호를 보여주는 파형도이다.
도 6b는 일반 모드에서 스캔 펄스 스위칭 회로의 출력 파형, 스위칭 회로 출력 인에이블 신호, 및 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호를 보여주는 파형도이다.
도 7a는 샘플링 모드에서 스캔 펄스 스위칭 회로로 입력되는 쉬프트 레지스터의 출력, 및 게이트 출력 인에이블 신호를 보여주는 파형도이다.
도 7b는 샘플링 모드에서 스캔 펄스 스위칭 회로의 출력 파형, 스위칭 회로 출력 인에이블 신호, 및 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호를 보여주는 파형도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예로서, 일반 모드에서 스캔 펄스 스위칭 회로, 픽셀의 회로, 및 전류패스를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예로서, 구동 트랜지스터를 통과한 전류를 샘플링하는 샘플링 모드에서 스캔 펄스 스위칭 회로, 및 픽셀의 회로, 및 전류패스를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예로서, 유기발광다이오드의 전류를 샘플링하는 샘플링 모드에서 스캔 펄스 스위칭 회로, 및 픽셀의 회로, 및 전류패스를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 스캔 펄스 스위칭 회로로부터 출력된 스캔 펄스를 나타내는 파형도이다.
도 12는 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 스캔 펄스 스위칭 회로의 입력 스캔 펄스와 출력 스캔 펄스의 차이를 보여주는 파형도이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 데이터 드라이브 IC를 상세히 나타내는 블록도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 유기발광다이오드 표시장치를 중심으로 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명의 표시장치는 액정표시소자(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시소자(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 유기발광다이오드 소자(Organic Light Emitting Diode, OLED) 등의 평판 표시소자로 구현될 수 있다. 본 발명은 아래의 실시예에서 유기발광다이오드 표시소자를 중심으로 예시하였지만, 유기발광다이오드 표시소자에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다.
이하의 설명에서 사용되는 구성요소들의 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로, 실제 제품의 명칭과는 상이할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 스캔 펄스 스위칭 회로를 포함하는 표시장치를 나타내는 블록도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 표시장치는 표시패널(10), 타이밍 콘트롤러(20), 데이터 구동회로, 스캔 구동회로, 및 스캔 펄스 스위칭 회로(60) 등을 구비한다.
표시패널(10)은 서로 교차되는 데이터 라인들 및 게이트 라인들과, 다수의 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된 액티브 영역(10a)을 포함한다. 표시패널(10)의 액티브 영역(10a)의 픽셀들 각각에 대하여는 도 3을 결부하여 후술한다.
데이터 구동회로는 다수의 소스 드라이브 IC(30)들을 포함한다. 소스 드라이브 IC(30)들은 타이밍 콘트롤러(20)로부터 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 입력 받는다. 소스 드라이브 IC(30)들은 타이밍 콘트롤러(20)로부터의 소스 타이밍 제어신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 감마보상전압으로 변환하여 데이터 전압을 발생하고, 그 데이터 전압을 스캔 펄스에 동기되도록 표시패널(10)의 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(30)들은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(10)의 데이터 라인들에 접속될 수 있다.
또한, 도 3을 참조하면, 소스 드라이브 IC(30)들은 픽셀 내의 샘플링 트랜지스터(Tsamp)를 이용하여 픽셀 내의 구동 트랜지스터(Td)의 전류(ITD) 또는 유기발광다이오드(OLED)의 전류(IOLED)를 입력받는다. 소스 드라이브 IC(30)들은 구동 트랜지스터(Td)의 전류(ITD)로부터 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압을 산출할 수 있고, 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압에 따른 보상 데이터 값을 산출할 수 있다. 또한, 소스 드라이브 IC(30)들은 유기발광다이오드(OLED)의 전류(IOLED)에 따른 보상 데이터 값을 산출할 수 있다. 소스 드라이브 IC(30)들은 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압에 따른 보상 데이터 값, 또는 유기발광다이오드(OLED)의 전류(IOLED)에 따른 보상 데이터 값에 따라 데이터 전압을 변조하여 표시패널(10)의 데이터 라인(DL)들에 공급한다. 이에 대한 자세한 설명은 도 8을 결부하여 후술한다.
스캔 구동회로는 타이밍 콘트롤러(20)와 표시패널(10)의 게이트 라인들 사이에 접속된 레벨 쉬프터(Level Shifter)(40), 게이트 라인들과 연결되어 각 픽셀의 스캔 트랜지스터(Tscan)를 제어하는 쉬프트 레지스터(50)를 구비한다. 레벨 쉬프터(40)는 타이밍 콘트롤러(20)로부터 입력되는 게이트 쉬프트 클럭들(GCLKs)의 TTL(Transistor-Transistor- Logic) 로직 레벨 전압을 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)으로 레벨 쉬프팅한다. 쉬프트 레지스터(50)는 게이트 스타트 펄스(GSP)를 게이트 쉬프트 클럭들(GCLKs)에 맞추어 쉬프트시키고, 게이트 라인들에 순차적으로 스캔 펄스(SP)를 출력시킨다.
스캔 구동회로는 샘플링 펄스 라인(SPL)들과 연결되어 각 픽셀의 샘플링 트랜지스터(Tsam)에 샘플링 펄스(SMP)를 공급하는 도시하지 않은 샘플링 구동부를 더 포함할 수 있다. 도시하지 않은 샘플링 구동부는 샘플링 펄스 라인(SPL)을 통해 각 픽셀의 샘플링 트랜지스터(Tsam)를 제어하는 샘플링 펄스(SMP)를 출력한다.
스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 쉬프트 레지스터(50)의 출력단과 액티브 영역(10a)의 게이트 라인들 사이에 위치한다. 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 쉬프트 레지스터(50)로부터 출력되는 스캔 펄스(SP)를 타이밍 콘트롤러(20)의 제어 하에 선택적으로 차단한다. 스캔 펄스 스위칭 회로(60)에 대한 자세한 설명은 도 3을 결부하여 후술한다.
쉬프트 레지스터(50)와 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 GIP(Gate Drive-IC In Panel) 방식으로 표시패널(10)의 하부 기판상에 직접 형성된다. 쉬프트 레지스터(50)와 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 TAB 방식으로 표시패널(10)의 게이트 라인들과 타이밍 콘트롤러(20) 사이에 연결될 수도 있다. GIP 방식에서, 레벨 쉬프터(40)는 PCB(80) 상에 실장되고, 쉬프트 레지스터(50)와 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 표시패널(10)의 하부기판 상에 형성될 수 있다. 또한, PCB(80) 상에는 전원부(70)가 실장될 수 있으며, 전원부(70)는 표시패널(10)에 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 전원전압(VDD)을 공급하고, 스위치를 통해 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극에 제1 샘플링 전압(Vsamp1)을 공급하며, 스위치를 통해 샘플링 라인에 제2 샘플링 전압(Vsamp2)을 공급한다.
타이밍 콘트롤러(20)는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스, TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 인터페이스 등의 인터페이스를 통해 외부의 호스트 컴퓨터로부터 디지털 비디오 데이터(RGB)를 입력 받는다. 타이밍 콘트롤러(20)는 호스트 컴퓨터로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 소스 드라이브 IC(30)들로 전송한다.
타이밍 콘트롤러(20)는 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로를 통해 호스트 컴퓨터로부터 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블(Data Enable) 신호, 메인 클럭 등의 타이밍신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(20)는 호스트 컴퓨터로부터의 타이밍 신호를 기준으로 데이터 구동회로, 스캔 구동회로, 및 스위치 브록(60)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 타이밍 제어신호들은 스캔 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 타이밍 제어신호, 스캔 펄스 스위칭 회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 펄스 스위칭 회로(60) 타이밍 제어신호, 및 소스 드라이브 IC(30)들의 동작 타이밍과 데이터전압의 극성을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호를 포함한다.
스캔 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP), 게이트 쉬프트 클럭들(GCLKs), 게이트 출력 인에이블 신호(Gate Output Enable, GOE) 등을 포함한다. 게이트 스타트 펄스(GSP)는 쉬프트 레지스터(50)에 입력되어 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭들(GCLKs)은 레벨 쉬프터(40)에 입력되어 레벨 쉬프팅된 후에 쉬프트 레지스터(50)에 입력되며, 게이트 스타트 펄스(GSP)를 쉬프트시키기 위한 클럭신호로 이용된다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 쉬프트 레지스터(50)의 출력 타이밍을 제어한다.
스캔 펄스 스위칭 회로(60) 타이밍 제어신호는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(Switching Circuit Output Enable, SCOE), 및 스위치 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호(SCOEB)를 포함한다. 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)는 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)와 적어도 한 펄스 이상 동기된다. 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)와 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호(SCOEB)는 스캔 펄스 스위칭 회로(60)에 입력된 스캔 펄스(SP)의 액티브 영역(10a)으로의 출력을 선택적으로 차단한다. 이에 대한 자세한 설명은 도 9 및 도 10을 결부하여 후술한다.
데이터 타이밍 제어신호는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse, SSP), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 극성제어신호(Polarity, POL), 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스(SSP)는 소스 드라이브 IC(30)들의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 소스 드라이브 IC(30)들 내에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭신호이다. 극성제어신호(POL)는 소스 드라이브 IC들로부터 출력되는 데이터전압의 극성을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(20)과 소스 드라이브 IC(30)들 사이의 데이터 전송 인터페이스가 mini LVDS 인터페이스라면, 소스 스타트 펄스(SSP)와 소스 샘플링 클럭(SSC)은 생략될 수 있다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 제1 실시예로서, 스캔 펄스 스위칭 회로(60), 픽셀(10b)의 회로, 및 전류패스를 보여주는 도면이다. 도 3 내지 도 5를 참조하면, 제n(n은 자연수) 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 제n 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 제n 스캔펄스(SPn)를 선택적으로 차단한다. 즉, 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 제n 게이트 라인(GLn)에 제n 스캔 펄스(SPn)를 출력하거나, 게이트 하이 전압(VGH)을 출력한다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 제1 트랜지스터(M1), 및 제2 트랜지스터(M2)를 포함한다. 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)에서, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)의 출력단과 연결되고, 소스 전극은 제n 쉬프트 레지스터의 출력단과 연결되며, 드레인 전극은 제n 게이트 라인(GLn)과 연결된다. 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전 신호(SCOEB)의 출력단과 연결되고, 소스 전극은 게이트 하이 전압(VGH)과 연결되며, 드레인 전극은 제n 게이트 라인(GLn)과 연결된다.
제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)에서, 제1 트랜지스터(M1)는 로우 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)에 응답하여 턴-온되어, 제n 쉬프트 레지스터의 출력(SR_out(n))과 동기되는 제n 스캔 펄스(SPn)를 제n 게이트 라인(GLn)에 공급한다. 제2 트랜지스터(M2)는 로우 논리 전압의 게이트 출력 인에이블 신호의 반전 신호(GOEB)에 응답하여 턴-온되어, 게이트 하이 전압(VGH)을 제n 게이트 라인(GLn)에 공급한다.
제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)로부터 출력되는 제n 스캔 펄스(SPn), 또는 게이트 하이 전압(VGH)을 공급받는 픽셀(10b)은 스캔 트랜지스터(Tscan), 구동 트랜지스터(Td), 및 샘플링 트랜지스터(Tsamp) 등을 포함한다. 스캔 트랜지스터(Tscan)의 게이트 전극은 제n 게이트 라인(GLn)과 연결되고, 소스 전극은 제m(m은 자연수) 데이터 라인(DLm)과 연결되며, 드레인 전극은 N1 노드(N1)와 연결된다. 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전극은 N1 노드(N1)와 연결되고, 소스 전극은 전원전압배선(VDDL)에 연결되며, 드레인 전극은 N2 노드(N2)와 연결된다. 샘플링 트랜지스터(Tsamp)의 게이트 전극은 제n 샘플링 펄스라인(SPLn)과 연결되고, 소스 전극은 N2 노드(N2)와 연결되며, 드레인 전극은 제m 샘플링 라인(SLm)과 연결된다. 제m 샘플링 라인(SLm)은 제2 스위치(SW2)를 통해 제2 샘플링 전압(Vsamp2)과 연결된다. 제1 캐패시터(Cst1)는 N1 노드(N1)의 전압을 일정하게 유지한다.
유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극, 즉 애노드(Anode) 전극은 N2 노드(N2)와 연결되고, 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극, 즉 캐소드(Cathode) 전극은 그라운드 전압(GND), 또는 제1 샘플링 전압(Vsamp1)과 연결된다. 캐소드 전극은 그라운드 전압(GND), 또는 제1 샘플링 전압(Vsamp1)과 제1 스위치(SW1)를 통해 선택적으로 연결된다.
먼저, 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예로서, 일반 모드에서, 스캔 펄스 스위칭 회로(60), 픽셀(10b)의 회로, 및 전류패스를 설명한다. 이에 대하여는 도 6a, 및 도 6b를 결부하여 상세히 설명한다. 일반 모드는 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD), 또는 유기발광다이오드(OLED)의 전류를 측정하지 않고, 픽셀들 각각이 정상적으로 영상을 표시하는 모드이다.
도 6a, 및 도 6b를 참조하면, 일반 모드에서, 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)의 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에는 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)와 동기되는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)가 입력된다. 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극에는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호(SCOEB)가 입력된다. 제1 트랜지스터(M1)가 로우 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)에 응답하여 턴-온되면, 제n 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 제n 스캔 펄스(SPn)가 도 6b와 같이 제n 게이트 라인(GLn)으로 출력된다.
도 3을 참조하면, 일반 모드에서, 픽셀(10b)의 스캔 트랜지스터(Tscan)는 로우 논리 전압의 제n 스캔 펄스(SPn)에 응답하여 턴-온되어, 제m 데이터 라인(DLm)의 데이터 전압을 N1 노드(N1)에 공급한다. 제1 캐패시터(Cst1)는 N1 노드(N1)의 전압을 일정하게 유지한다. 구동 트랜지스터(Td)는 게이트 전극에 인가된 데이터 전압의 레벨에 따라, 구동 트랜지스터(Td)를 통과하는 전류(ITD)의 양을 다르게 조절한다.
일반 모드에서, 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD), 또는 유기발광다이오드(OLED)의 전류를 측정하지 않기 때문에, 샘플링 트랜지스터(Tsamp)는 턴-온되지 않아야 한다. 따라서, 제n 샘플링 펄스라인(SPLn)에는 하이 논리 전압의 샘플링 펄스가 입력된다. 또한, 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극은 제1 스위치(SW1)를 통해 그라운드 전압(GND)과 연결된다. 결국, 샘플링 트랜지스터(Tsamp)가 턴-온되지 않기 때문에, 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD)는 N2 노드를 거쳐 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극으로 흐르게 되며, 유기발광다이오드(OLED)는 발광한다.
두 번째로, 도 4를 참조하여 본 발명의 제1 실시예로서, 구동 트랜지스터를 통과한 전류를 샘플링하는 샘플링 모드에서, 스캔 펄스 스위칭 회로, 및 픽셀의 회로, 및 전류패스를 설명한다. 이에 대하여는 도 7a, 및 도 7b를 결부하여 상세히 설명한다. 샘플링 모드는 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD), 또는 유기발광다이오드(OLED)의 전류를 측정하는 모드이다.
도 7a, 및 도 7b를 참조하면, 샘플링 모드에서, 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)의 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에는 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)와 적어도 한 펄스 이상 동기되는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)가 입력된다. 예를 들어, 도 7a 및 도 7b에서와 같이, 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)는 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)의 세 번째 펄스 구간만 동기될 수 있다. 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극에는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호(SCOEB)가 입력된다.
제n 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 스캔 펄스(SPn)가 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)와 동기되는 경우, 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 제n 스캔 펄스(SPn)를 도 7b와 같이 제n 게이트 라인(GLn)으로 출력한다. 도 7a 및 도 7b에서, 제1, 제2, 및 제4 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 제1, 제2, 제4 스캔 펄스(SP1, SP2, SP4)은 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)와 동기되지 않지만, 제3 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 제3 스캔 펄스(SP3)은 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)와 동기된다.
제1, 제2, 및 제4 스캔 펄스 스위칭 회로(60)의 제1 트랜지스터(M1)는 하이 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)로 인해 턴-온되지 않으나, 제2 트랜지스터(M2)는 로우 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호(SCOEB)에 응답하여 턴-온된다. 따라서, 제1, 제2, 및 제4 스캔 펄스 스위칭 회로(60)들 각각은 게이트 하이 전압(VGH)을 제1, 제2, 및 제4 게이트 라인(GL1, GL2, GL4)들 각각에 공급한다.
제3 스캔 펄스 스위칭 회로(60)의 제1 트랜지스터(M1)는 로우 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)에 응답하여 턴-온되나, 제2 트랜지스터(M2)는 하이 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호(SCOEB)로 인해 턴-온되지 않는다. 따라서, 제3 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 제3 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 제3 스캔 펄스(SP3)를 제3 게이트 라인(GL3)에 공급한다.
결국, 본 발명은 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)에 입력되는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)를 조정함으로써, 스캔 펄스를 출력하고자 하는 게이트 라인에만 스캔 펄스를 출력할 수 있고, 이로 인해 임의의 픽셀의 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD), 또는 유기발광다이오드(OLED)의 전류(IOLED)를 측정할 수 있다. 스캔 펄스를 출력하고자 하는 게이트 라인은 하나 이상으로 선택될 수 있고, 임의의 픽셀도 하나 이상으로 선택될 수 있다.
도 4를 참조하면, 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD)를 측정하는 샘플링 모드에서, 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 제n 게이트 라인(GLn)에 제n 스캔 펄스(SPn)를 출력한다. 픽셀(10b)의 스캔 트랜지스터(Tscan)는 로우 논리 전압의 제n 스캔 펄스(SPn)에 응답하여 턴-온되어, 제m 데이터 라인(DLm)의 데이터 전압을 N1 노드(N1)에 공급한다. 제1 캐패시터(Cst1)는 N1 노드(N1)의 전압을 일정하게 유지한다. 구동 트랜지스터(Td)는 게이트 전극에 인가된 데이터 전압의 레벨에 따라, 구동 트랜지스터(Td)를 통과하는 전류(ITD)의 양을 다르게 조절한다.
구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD)를 측정하는 샘플링 모드에서, 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD)를 측정하여야 하므로, 샘플링 트랜지스터(Tsamp)는 턴-온되어야 한다. 또한, 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극은 제1 스위치(SW1)를 통해 제1 샘플링 전압(Vsamp1)과 연결된다. 제1 샘플링 전압(Vsamp1)을 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극의 전압보다 같거나 높게 설정함으로써, 유기발광다이오드(OLED)는 턴-오프된다. 결국, 유기발광다이오드(OLED)가 턴-온되지 않기 때문에, 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD)는 N2 노드(N2)를 거쳐 샘플링 트랜지스터(Tsamp)로 공급된다. 샘플링 트랜지스터(Tsamp)가 로우 논리 전압의 제n 샘플링 펄스에 응답하여 턴-온되면, 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD)는 샘플링 트랜지스터를 통해 제m 샘플링 라인(SLm)으로 흐르게 된다. 제m 샘플링 라인(SLm)은 소스 드라이브 IC(30)들과 연결되어 있으며, 소스 드라이브 IC(30)는 제m 샘플링 라인(SLm)의 전류를 측정하고, 측정된 전류 값으로부터 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압을 산출한다. 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압을 이용한 소스 드라이브 IC(30)에 대하여는 도 13을 결부하여 후술한다.
세 번째로, 도 5를 참조하여 본 발명의 제1 실시예로서, 유기발광다이오드(OLED)의 전류(IOLED)를 샘플링하는 샘플링 모드에서, 스캔 펄스 스위칭 회로, 및 픽셀의 회로, 및 전류패스를 설명한다. 샘플링 모드는 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD), 또는 유기발광다이오드(OLED)의 전류를 측정하는 모드이다. 도 5의 스캔 펄스 스위칭 회로(60)에 대한 설명은 도 7a, 및 도 7b를 결부하여 앞에서 설명한 바와 같다.
도 5를 참조하면, 유기발광다이오드(OLED)의 전류(IOLED)를 측정하는 샘플링 모드에서, 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 제n 게이트 라인(GLn)에 게이트 하이 전압(VGH)을 출력한다. 픽셀(10b)의 스캔 트랜지스터(Tscan)는 제n 게이트 라인(GLn)의 게이트 하이 전압(VGH)으로 인해 턴-온되지 않는다. 따라서, 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전극에는 데이터 전압이 인가되지 않으므로, 구동 트랜지스터(Td)는 턴-온되지 않는다.
유기발광다이오드(OLED)의 전류(IOLED)를 측정하는 샘플링 모드에서는 유기발광다이오드(OLED)의 전류(IOLED)를 측정하여야 하므로, 샘플링 트랜지스터(Tsamp)는 턴-온되어야 한다. 또한, 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극은 제1 스위치(SW1)를 통해 그라운드 전압(GND)과 연결되고, 제m 샘플링 라인(SLm)은 제2 스위치(SW2)를 통해 제2 샘플링 전압(Vsamp2)과 연결된다. 제2 샘플링 전압(Vsamp2)은 유기발광다이오드(OLED)를 턴-온시킬 수 있는 문턱전압 이상의 전압으로, 그라운드 전압(GND) 내지 전원전압(VDD) 사이의 전압으로 설정될 수 있다.
샘플링 트랜지스터(Tsamp)가 로우 논리 전압의 제n 샘플링 펄스에 응답하여 턴-온되면, 제2 샘플링 전압(Vsamp2)이 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 인가되므로, 유기발광다이오드(OLED)는 발광한다. 제m 샘플링 라인(SLm)은 소스 드라이브 IC(30)들과 연결되어 있으므로, 소스 드라이브 IC(30)는 제m 샘플링 라인(SLm)의 전류를 측정함으로써, 유기발광다이오드(OLED)의 전류(IOLED)를 측정할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 전류(IOLED)를 이용한 소스 드라이브 IC(30)의 데이터 보상에 대하여는 도 13을 결부하여 후술한다.
다만, 도 3 내지 도 5의 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)의 제1 트랜지스터(M1)가 턴-온될 때, 게이트 전극에는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(GOE)가 입력되고, 소스 전극에는 제n 스캔 펄스(SPn)가 입력된다. 이때, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극과 소스 전극 간에 전압 차가 없으므로, 제1 트랜지스터(M1)의 특성에 의해, 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)에서 출력되는 제n 스캔 펄스(SPn)가 딜레이(Delay)되고 전압 강하되는 문제가 발생한다. 이하에서, 이러한 문제점을 개선한 본 발명의 제2 실시예에 따른 스캔 펄스 스위칭 회로(60)를 포함한 표시장치에 대하여 설명한다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 제2 실시예로서, 스캔 펄스 스위칭 회로(60), 픽셀(10b)의 회로, 및 전류패스를 보여주는 도면이다. 도 8 내지 도 10을 참조하면, 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)은 제n 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 스캔 펄스(SP)를 선택적으로 차단한다. 즉, 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 제n 게이트 라인(GLn)에 제n 스캔 펄스(SPn) 또는 게이트 하이 전압(VGH)을 출력한다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 제1 트랜지스터(M1), 제2 트랜지스터(M2), 제3 트랜지스터(M3), 및 제4 트랜지스터(M4) 등을 포함한다. 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 N3 노드(N3)와 연결되고, 소스 전극은 제n 쉬프트 레지스터의 출력단과 연결되며, 드레인 전극은 제n 게이트 라인(GLn)과 연결된다. 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전 신호(SCOEB)의 출력단과 연결되고, 소스 전극은 게이트 하이 전압(VGH)과 연결되며, 드레인 전극은 제n 게이트 라인(GLn)과 연결된다. 제3 트랜지스터(M3)의 게이트 전극은 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)의 출력단과 연결되고, 소스 전극은 게이트 로우 전압(VGL)과 연결되며, 드레인 전극은 N3 노드(N3)와 연결된다. 제4 트랜지스터(M4)의 게이트 전극은 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전 신호(SCOEB)의 출력단과 연결되고, 소스 전극은 N3 노드(N3)와 연결되며, 드레인 전극은 게이트 하이 전압(VGH)과 연결된다. 제2 캐패시터(Cst2)는 N3 노드(N3)의 전압을 일정하게 유지한다.
제3 트랜지스터(M3)는 로우 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)에 응답하여 턴-온되어, N3 노드(N3)를 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전시킨다. 제1 트랜지스터(M1)는 N3 노드(N3)의 게이트 로우 전압(VGL)에 응답하여 턴-온되어, 제n 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 제n 스캔 펄스(SPn)를 제n 게이트 라인(GLn)에 공급한다.
제2 트랜지스터(M2)는 로우 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전 신호(SCOEB)에 응답하여 턴-온되어, 게이트 하이 전압(VGH)을 제n 게이트 라인(GLn)에 공급한다. 제4 트랜지스터(M4)는 로우 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전 신호(SCOEB)에 응답하여 턴-온되어, N3 노드(N3)를 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전시킨다.
먼저, 도 8을 참조하여 본 발명의 제2 실시예로서, 일반 모드에서, 스캔 펄스 스위칭 회로(60), 픽셀(10b)의 회로, 및 전류패스를 설명한다. 이에 대하여는 도 6a, 및 도 6b를 결부하여 상세히 설명한다.
도 6a, 및 도 6b를 참조하면, 일반 모드에서, 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)의 제3 트랜지스터(M3)의 게이트 전극에는 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)와 동기되는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)가 입력된다. 제2 및 제4 트랜지스터(M2, M4)의 게이트 전극에는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호(SCOEB)가 입력된다. 제3 트랜지스터(M3)가 로우 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)에 응답하여 턴-온되면, N3 노드(N3)는 게이트 로우 전압(VGL)로 방전된다. N3 노드(N3)가 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전되므로, 제1 트랜지스터(M1)가 게이트 로우 전압(VGL)에 응답하여 턴-온된다. 따라서, 제n 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 제n 스캔 펄스(SPn)가 도 6b와 같이 제n 게이트 라인(GLn)으로 출력된다.
도 8의 픽셀(10b)의 회로에 대한 설명은 도 3에서 설명한 바와 같다.
두 번째로, 도 9를 참조하여 본 발명의 제2 실시예로서, 구동 트랜지스터를 통과한 전류를 샘플링하는 샘플링 모드에서, 스캔 펄스 스위칭 회로, 및 픽셀의 회로, 및 전류패스를 설명한다. 이에 대하여는 도 7a, 및 도 7b를 결부하여 상세히 설명한다.
도 7a, 및 도 7b를 참조하면, 샘플링 모드에서, 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)의 제3 트랜지스터(M3)의 게이트 전극에는 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)와 적어도 한 펄스 이상 동기되는 일부 구간이 동기되는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)가 입력된다. 제2, 및 제4 트랜지스터(M2, M4)의 게이트 전극에는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호(SCOEB)가 입력된다. 제3 트랜지스터(M3)가 로우 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)에 응답하여 턴-온되면, N3 노드(N3)는 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전된다. N3 노드(N3)가 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전되므로, 제1 트랜지스터(M1)가 게이트 로우 전압(VGL)에 응답하여 턴-온된다. 따라서, 제n 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 제n 스캔 펄스(SPn)가 도 7b와 같이 제n 게이트 라인(GLn)으로 출력된다.
예를 들어, 도 7a 및 도 7b에서와 같이 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)는 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)의 세 번째 펄스 구간만 동기되는 경우를 살펴본다. 제1, 제2, 및 제4 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 제1, 제2, 및 제4 스캔 펄스(SP1, SP2, SP4)는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)와 동기되지 않지만, 제3 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 제3 스캔 펄스(SP3)는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)와 동기된다.
제1, 제2, 및 제4 스캔 펄스 스위칭 회로(60)의 제3 트랜지스터(M3)는 하이 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)로 인해 턴-온되지 않으나, 제2, 및 제4 트랜지스터(M2, M4)는 로우 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호(SCOEB)에 응답하여 턴-온된다. 제4 트랜지스터(M4)가 턴-온되면, N3 노드(N3)가 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전되므로, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 게이트 하이 전압(VGH)이 인가되기 때문에 턴-온되지 않는다. 또한, 제2 트랜지스터(M2)가 턴-온되므로, 제1, 제2, 및 제4 스캔 펄스 스위칭 회로(60)들 각각은 게이트 하이 전압(VGH)을 제1, 제2, 및 제4 게이트 라인(GL1, GL2, GL4)들 각각에 공급한다.
제3 스캔 펄스 스위칭 회로(60)의 제3 트랜지스터(M3)는 로우 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)에 응답하여 턴-온되나, 제2, 및 제4 트랜지스터(M2, M4)는 하이 논리 전압의 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호(SCOEB)로 인해 턴-온되지 않는다. 제3 트랜지스터(M3)가 턴-온되면, N3 노드(N3)가 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전되므로, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 게이트 로우 전압(VGL)에 응답하여 턴-온된다. 따라서, 제3 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 제3 쉬프트 레지스터로부터 출력되는 제3 스캔 펄스(SP3)를 제3 게이트 라인(GL3)에 공급한다.
결국, 본 발명은 제n 스캔 펄스 스위칭 회로(60)에 입력되는 스위칭 회로 출력 인에이블 신호(SCOE)를 조정함으로써, 스캔 펄스를 출력하고자 하는 게이트 라인에만 스캔 펄스를 출력할 수 있고, 이로 인해 임의의 픽셀의 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD), 또는 유기발광다이오드(OLED)의 전류(IOLED)를 측정할 수 있다. 스캔 펄스를 출력하고자 하는 게이트 라인은 하나 이상으로 선택될 수 있고, 임의의 픽셀도 하나 이상으로 선택될 수 있다.
도 9의 픽셀(10b)의 회로에 대한 설명은 도 4에서 설명한 바와 같다.
세 번째, 도 10을 참조하여 본 발명의 제2 실시예로서, 유기발광다이오드(OLED)의 전류(IOLED)를 샘플링하는 샘플링 모드에서, 스캔 펄스 스위칭 회로, 및 픽셀의 회로, 및 전류패스를 설명한다. 샘플링 모드는 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD), 또는 유기발광다이오드(OLED)의 전류를 측정하는 모드이다. 도 10의 스캔 펄스 스위칭 회로(60)에 대한 설명은 도 7a, 및 도 7b를 결부하여 앞에서 설명한 바와 같다.
도 10의 픽셀(10b)의 회로에 대한 설명은 도 5에서 설명한 바와 같다.
도 11은 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 스캔 펄스 스위칭 회로(60)의 출력 파형을 나타내는 파형도이다. 도 11을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예의 출력 파형(W1)은 목표 로우 논리 전압인 게이트 로우 전압(VGL)까지 떨어지지 않는다. 또한, 실험한 바에 의하면, 본 발명의 제1 실시예의 출력 파형(W1)은 게이트 로우 전압의 90%(90% Voltage of VGL)까지 떨어지는데 대략 830.57ns이 걸린다. 본 발명의 제2 실시예의 출력 파형(W2)은 게이트 로우 전압(VGL)까지 떨어진다. 또한, 본 발명의 제2 실시예의 출력 파형(W2)은 게이트 로우 전압의 90%(90% Voltage of VGL)까지 떨어지는데 대략 306.27ns가 걸린다. 따라서, 본 발명의 제2 실시예의 출력 파형(W2)은 딜레이(delay)가 개선됨을 알 수 있다.
도 12는 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 스캔 펄스 스위칭 회로(60)의 입력 스캔 펄스와 출력 스캔 펄스의 차이를 보여주는 파형도이다. 도 12를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예의 입력 및 출력 파형의 차이(G1)가 2V 내외로 발생한다. 본 발명의 제2 실시예의 입력 및 출력 파형의 차이(G2)는 거의 없다. 따라서, 본 발명의 제2 실시예의 출력 파형(W2)은 전압 강하가 발생하지 않고, 출력 파형(W2)과 입력 파형이 거의 동일함을 알 수 있다.
도 11과 도 12를 종합해 보면, 본 발명의 제2 실시예의 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 입력 파형과 동일한 출력 파형을 출력한다. 또한, 본 발명의 제2 실시예의 스캔 펄스 스위칭 회로(60)는 딜레이(Delay)가 없고, 전압 강하 없는 스캔 펄스(SP)를 게이트 라인(GL)들에 출력한다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 데이터 드라이브 IC를 상세히 나타내는 블록도이다. 본 발명의 데이터 드라이브 IC(30)에 대하여는 도 2 내지 도 5를 결부하여 상세히 설명한다.
본 발명의 데이터 드라이브 IC(30)는 보상 제어부(31), 룩-업 테이블(32), 전류 측정부(33), 및 아날로그 변환부(34) 등을 구비한다. 전류 측정부(33)는 샘플링 라인(SL)과 연결되어 샘플링 라인(SL)의 전류를 측정한다. 전류 측정부(33)는 샘플링 라인(SL)에서 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD), 또는 유기발광다이오드의 전류(IOLED)를 측정할 수 있다.
먼저, 전류 측정부(33)는 픽셀에 공급된 2개 이상의 다른 데이터 전압에 따라 2개 이상의 다른 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD)를 측정할 수 있다. 전류 측정부(33)는 2개 이상의 다른 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD)로부터 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압을 산출해내는 도시하지 않은 문턱전압 산출부를 포함할 수 있다. 전류 측정부(33)는 산출된 문턱전압에 따른 보상 데이터 값이 저장되어 있는 룩-업 테이블(32)로 문턱전압을 출력한다. 룩-업 테이블(32)에는 실험에 의해 미리 정해진 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압에 따른 보상 데이터 값이 저장되어 있다. 룩-업 테이블(32)은 전류 측정부(33)로부터 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압을 입력받고, 해당 어드레스에 저장된 보상 데이터 값을 보상 제어부(31)로 출력한다.
두 번째로, 전류 측정부(33)는 유기발광다이오드의 전류(IOLED)에 따른 보상 데이터 값이 저장되어 있는 룩-업 테이블(32)로 유기발광다이오드의 전류(IOLED)를 출력한다. 룩-업 테이블(32)에는, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 제2 샘플링 전압(Vsamp2)이 연결되고, 캐소드 전극에 그라운드 전압(GND)이 연결되었을 때, 실험에 의해 미리 정해진 유기발광다이오드의 전류(IOLED)에 따른 보상 데이터 값이 저장되어 있다. 룩-업 테이블(32)은 전류 측정부(33)로부터 유기발광다이오드의 전류(IOLED)를 입력받고, 해당 어드레스에 저장된 보상 데이터 값을 보상 제어부(31)로 출력한다.
보상 제어부(31)는 타이밍 컨트롤러(20)로부터 입력되는 RGB 데이터(RGB)에 보상 데이터 값을 반영한 RGB 데이터(RGB')를 아날로그 변환부(34)로 출력한다. 아날로그 변환부(34)는 보상 데이터 값을 반영한 디지털 RGB 데이터(RGB')를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인(DL)들로 출력한다.
다만, 구동 트랜지스터(Td)를 통과한 전류(ITD), 또는 유기발광다이오드(OLED)의 전류(IOLED)를 측정하는 경우, 소스 드라이브 IC(30)는 보상하지 않은 데이터 전압을 데이터 라인(DL)들로 출력한다.
상기 트랜지스터들은 P 타입 MOS-FET으로 구현된 경우를 예시한 것이고, 상기 게이트 로우 전압(VGL)이 상기 트랜지스터들을 턴-온시키는 활성화 전압이고, 상기 게이트 하이 전압(VGH)이 상기 트랜지스터들을 턴-오프시키는 비활성화 전압이다. 또한, 상기 로우 논리 전압의 전압 레벨은 게이트 로우 전압(VGL)과 같고, 상기 하이 논리 전압의 전압 레벨은 게이트 하이 전압(VGH)과 같다. 나아가, 상기 트랜지스터들은 N 타입 MOS-FET으로 구현될 수도 있으며, 이때 상기 게이트 하이 전압(VGH)이 상기 트랜지스터들을 턴-온시키는 활성화 전압이 된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
10: 표시패널 10a: 액티브 영역
10b: 픽셀 20: 타이밍 컨트롤러
30: 소스 드라이브 IC 31: 전류 측정부
32: 룩-업 테이블 33: 보상 제어부
34: 아날로그 변환부 40: 레벨 쉬프터
50: 쉬프트 레지스터 60: 스캔 펄스 스위칭 회로
70: 전원부 80: PCB

Claims (18)

  1. 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 펄스에 응답하여 스캔 구동부로부터 출력되는 스캔 펄스의 활성화 전압을 게이트 라인에 공급하는 제1 트랜지스터; 및
    스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호의 펄스에 응답하여 상기 스캔 펄스의 비활성화 전압을 상기 게이트 라인에 공급하는 제2 트랜지스터를 포함하고,
    상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호는 게이트 출력 인에이블 신호와 적어도 한 펄스 이상 동기되는 것을 특징으로 하는 스캔 펄스 스위칭 회로.
  2. 제1 노드의 전압에 응답하여 스캔 구동부로부터 출력되는 스캔 펄스의 활성화 전압을 게이트 라인에 공급하는 제1 트랜지스터;
    스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호의 펄스에 응답하여 상기 스캔 펄스의 비활성화 전압을 상기 게이트 라인에 공급하는 제2 트랜지스터;
    상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 펄스에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 활성화 전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제3 트랜지스터; 및
    상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호의 펄스에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 비활성화 전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제4 트랜지스터를 포함하고,
    상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호는 게이트 출력 인에이블 신호와 적어도 한 펄스 이상 동기되는 것을 특징으로 하는 스캔 펄스 스위칭 회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 스캔 구동부의 출력단과 상기 제1 노드 사이에 접속된 캐패시터를 더 포함하는 스캔 펄스 스위칭 회로.
  4. 게이트 라인들과 데이터 라인들이 교차되고, 상기 교차된 영역에 형성된 다수의 픽셀들을 포함하는 액티브 영역;
    상기 게이트 라인들에 순차적으로 스캔 펄스를 출력하는 스캔 구동부;
    상기 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부; 및
    상기 스캔 구동부와 상기 액티브 영역 사이에 위치하여 상기 스캔 펄스를 선택적으로 차단하는 스캔 펄스 스위칭 회로를 포함하고,
    상기 스캔 펄스 스위칭 회로는,
    스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 펄스에 응답하여 스캔 구동부로부터 출력되는 스캔 펄스의 활성화 전압을 게이트 라인에 공급하는 제1 트랜지스터; 및
    스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호의 펄스에 응답하여 상기 스캔 펄스의 비활성화 전압을 상기 게이트 라인에 공급하는 제2 트랜지스터를 포함하고,
    상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호는 게이트 출력 인에이블 신호와 적어도 한 펄스 이상 동기되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 액티브 영역은,
    상기 게이트 라인들과 나란한 샘플링 펄스 라인들; 및
    상기 데이터 라인들과 나란한 샘플링 라인들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 픽셀들 각각은,
    상기 게이트 라인의 스캔 펄스의 활성화 전압에 응답하여 상기 데이터 라인으로부터 데이터 전압을 공급받는 스캔 트랜지스터;
    상기 데이터 전압에 응답하여 상기 데이터 전압의 레벨에 따라 N2 노드에 공급되는 전류를 조절하는 구동 트랜지스터;
    상기 N2 노드의 전류에 따라 발광되는 유기발광다이오드;
    샘플링 펄스 라인의 샘플링 펄스의 활성화 전압에 응답하여 턴-온되어 상기 N2 노드의 전류를 샘플링 라인으로 공급하는 샘플링 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 유기발광다이오드의 애노드 전극은 상기 N2 노드와 연결되고, 캐소드 전극은 제1 스위치를 통해 그라운드 전압, 또는 상기 N2 노드의 전압보다 높은 제1 샘플링 전압과 연결되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 샘플링 라인은 제2 스위치를 통해 상기 유기발광다이오드의 문턱전압 보다 높은 제2 샘플링 전압과 연결되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 데이터 구동부는,
    상기 샘플링 라인의 전류를 측정하는 전류 측정부;
    측정된 상기 샘플링 라인의 전류로부터 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 산출하는 문턱전압 산출부;
    상기 문턱전압에 따른 보상 데이터 값을 저장하는 룩-업 테이블;
    타이밍 콘트롤러로부터 출력되는 디지털 데이터에 상기 문턱전압에 따른 보상 데이터 값을 반영하는 보상 제어부; 및
    상기 보상 제어부에서 보상된 디지털 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들로 출력하는 아날로그 컨버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 데이터 구동부는,
    상기 샘플링 라인의 전류를 측정하는 전류 측정부;
    측정된 상기 샘플링 라인의 전류에 따른 보상 데이터 값을 저장하는 룩-업 테이블;
    타이밍 콘트롤러로부터 출력되는 디지털 데이터에 상기 유기발광다이오드의 전류에 따른 보상 데이터 값을 반영하는 보상 제어부; 및
    상기 보상 제어부에서 보상된 디지털 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 출력하는 아날로그 변환부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  11. 게이트 라인들과 데이터 라인들이 교차되고, 상기 교차된 영역에 형성된 다수의 픽셀들을 포함하는 액티브 영역;
    상기 게이트 라인들에 순차적으로 스캔 펄스를 출력하는 스캔 구동부;
    상기 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부
    상기 스캔 구동부와 상기 액티브 영역 사이에 위치하여 상기 스캔 펄스를 선택적으로 차단하는 스캔 펄스 스위칭 회로를 포함하고,
    제1 노드의 전압에 응답하여 스캔 구동부로부터 출력되는 스캔 펄스의 활성화 전압을 게이트 라인에 공급하는 제1 트랜지스터;
    스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호의 펄스에 응답하여 상기 스캔 펄스의 비활성화 전압을 상기 게이트 라인에 공급하는 제2 트랜지스터;
    상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 펄스에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 활성화 전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제3 트랜지스터; 및
    상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호의 반전신호의 펄스에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 비활성화 전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제4 트랜지스터를 포함하고,
    상기 스위칭 회로 출력 인에이블 신호는 게이트 출력 인에이블 신호와 적어도 한 펄스 이상 동기되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 스캔 펄스 스위칭 회로는 상기 스캔 구동부의 출력단과 상기 제1 노드 사이에 접속된 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 액티브 영역은,
    상기 게이트 라인들과 나란한 샘플링 펄스 라인들; 및
    상기 데이터 라인들과 나란한 샘플링 라인들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 픽셀들 각각은,
    상기 게이트 라인의 스캔 펄스의 활성화 전압에 응답하여 상기 데이터 라인으로부터 데이터 전압을 공급받는 스캔 트랜지스터;
    상기 데이터 전압에 응답하여 상기 데이터 전압의 레벨에 따라 N2 노드에 공급되는 전류를 조절하는 구동 트랜지스터;
    상기 N2 노드의 전류에 따라 발광되는 유기발광다이오드;
    샘플링 펄스 라인의 샘플링 펄스의 활성화 전압에 응답하여 턴-온되어 상기 N2 노드의 전류를 샘플링 라인으로 공급하는 샘플링 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 유기발광다이오드의 애노드 전극은 상기 N2 노드와 연결되고, 캐소드 전극은 제1 스위치를 통해 그라운드 전압, 또는 상기 N2 노드의 전압보다 높은 제1 샘플링 전압과 연결되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 샘플링 라인은 제2 스위치를 통해 상기 유기발광다이오드의 문턱전압 보다 높은 제2 샘플링 전압과 선택적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 데이터 구동부는,
    상기 샘플링 라인의 전류를 측정하는 전류 측정부;
    측정된 상기 샘플링 라인의 전류로부터 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 산출하는 문턱전압 산출부;
    상기 문턱전압에 따른 보상 데이터 값을 저장하는 룩-업 테이블;
    타이밍 콘트롤러로부터 출력되는 디지털 데이터에 상기 문턱전압에 따른 보상 데이터 값을 반영하는 보상 제어부; 및
    상기 보상 제어부에서 보상된 디지털 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들로 출력하는 아날로그 컨버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 데이터 구동부는,
    상기 샘플링 라인의 전류를 측정하는 전류 측정부;
    측정된 상기 샘플링 라인의 전류에 따른 보상 데이터 값을 저장하는 룩-업 테이블;
    타이밍 콘트롤러로부터 출력되는 디지털 데이터에 상기 유기발광다이오드의 전류에 따른 보상 데이터 값을 반영하는 보상 제어부; 및
    상기 보상 제어부에서 보상된 디지털 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여 출력하는 아날로그 변환부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150040750A (ko) * 2013-10-07 2015-04-15 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터
KR20150076028A (ko) * 2013-12-26 2015-07-06 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시장치와 그 구동 특성 센싱 방법
KR20150114071A (ko) * 2014-03-31 2015-10-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR101577909B1 (ko) * 2014-09-05 2015-12-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법
US9343015B2 (en) 2013-07-24 2016-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device including a sensing unit for compensating degradation and threshold voltage and driving method thereof
KR20170030133A (ko) * 2015-09-08 2017-03-17 엘지디스플레이 주식회사 전력관리 집적회로, 유기발광표시장치 및 그 구동방법
KR20170062599A (ko) * 2015-11-27 2017-06-08 엘지디스플레이 주식회사 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동방법
KR20170065087A (ko) * 2015-12-02 2017-06-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 구동 방법
KR20180036850A (ko) * 2016-09-30 2018-04-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시모듈, 유기발광표시장치 및 기저전압 제어 시스템
CN105989794B (zh) * 2015-01-29 2018-10-02 上海和辉光电有限公司 Oled显示装置
CN111640393A (zh) * 2020-06-30 2020-09-08 京东方科技集团股份有限公司 驱动方法、驱动电路及显示装置
JP2021131564A (ja) * 2014-09-05 2021-09-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9343015B2 (en) 2013-07-24 2016-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device including a sensing unit for compensating degradation and threshold voltage and driving method thereof
KR20150040750A (ko) * 2013-10-07 2015-04-15 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터
KR20150076028A (ko) * 2013-12-26 2015-07-06 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시장치와 그 구동 특성 센싱 방법
KR20150114071A (ko) * 2014-03-31 2015-10-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR101577909B1 (ko) * 2014-09-05 2015-12-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법
JP2021131564A (ja) * 2014-09-05 2021-09-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN105989794B (zh) * 2015-01-29 2018-10-02 上海和辉光电有限公司 Oled显示装置
KR20170030133A (ko) * 2015-09-08 2017-03-17 엘지디스플레이 주식회사 전력관리 집적회로, 유기발광표시장치 및 그 구동방법
KR20170062599A (ko) * 2015-11-27 2017-06-08 엘지디스플레이 주식회사 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동방법
KR20170065087A (ko) * 2015-12-02 2017-06-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 구동 방법
KR20180036850A (ko) * 2016-09-30 2018-04-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시모듈, 유기발광표시장치 및 기저전압 제어 시스템
CN111640393A (zh) * 2020-06-30 2020-09-08 京东方科技集团股份有限公司 驱动方法、驱动电路及显示装置

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