KR20120036852A - 리모트 표면 상에 개별 루미포르 함유 영역을 갖는 조명 디바이스 - Google Patents

리모트 표면 상에 개별 루미포르 함유 영역을 갖는 조명 디바이스 Download PDF

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안토니 피. 밴 데 벤
제럴드 에이치. 네글리
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크리, 인코포레이티드
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Abstract

반도체 디바이스는 전압 인가시 제1 피크 파장을 갖는 광을 방출하도록 구성되는 반도체 발광 디바이스(LED), 및 LED로부터 떨어져 위치하는 복수의 개별 루미포르 함유 영역을 포함한다. 루미포르 함유 영역은 LED로부터 떨어져 위치하는 렌즈, 반사 요소 또는 그 조합 상에 위치할 수 있다. 루미포르 함유 영역은 LED로부터 떨어져 위치하는 요소 내에 위치할 수 있다.

Description

리모트 표면 상에 개별 루미포르 함유 영역을 갖는 조명 디바이스 {LIGHTING DEVICES WITH DISCRETE LUMIPHOR-BEARING REGIONS ON REMOTE SURFACES THEREOF}
본 발명은 조명 디바이스에 관한 것으로, 특히, 파장 변환 물질을 포함하는 반도체 발광 디바이스에 관한 것이다.
발광 다이오드 및 레이저 다이오드는 충분한 전압 인가시 광을 발생할 수 있는 공지된 고체 상태 전자 디바이스이다. 발광 다이오드 및 레이저 다이오드는 일반적으로 발광 디바이스들("LED들")이라 할 수 있다. 발광 디바이스는 일반적으로 사파이어(sapphire), 실리콘(silicon), 실리콘 카바이드(silicon carbide), 갈륨 비소(gallium arsenide) 등의 기판 상에 성장한 에피택셜층에 형성된 pn접합을 포함한다. LED에 의해 발생된 광의 파장 분포는 일반적으로 pn 접합이 제조되는 물질 및 디바이스의 액티브 영역을 형성하는 얇은 에피택셜층의 구조물에 의존한다.
일반적으로, LED 칩은 기판, 기판 상에 형성된 n형 에피택셜 영역 및 n형 에피택셜 영역 상에 형성된 p형 에피택셜 영역(또는 그 반대)을 포함한다. 디바이스에 전압을 용이하게 인가하기 위하여, 애노드 오믹 콘택트가 디바이스의 p형 영역(일반적으로, 노출된 p형 에피택셜층) 상에 형성되고, 캐소드 오믹 콘택트가 디바이스의 n형 영역(기판 또는 노출된 n형 에피택셜층) 상에 형성된다. 다른 실시예에서, 기판은 포함될 필요가 없다.
회로 내의 LED 칩을 사용하기 위하여, 패키지 내에 LED 칩을 포함시켜 환경적 및/또는 기계적 보호, 색 선택, 포커싱 등을 제공하는 것으로 알려져 있다. LED 패키지는 또한 LED 패키지를 외부 회로에 전기적으로 접속하는 전기 리드, 콘택트 또는 트레이스를 포함한다. 도 1에 도시된 전형적인 LED 패키지(10)에서, LED 칩(12)은 솔더 본드 또는 도전성 에폭시에 의해 반사 컵(13) 상에 장착된다. 하나 이상의 와이어본드(11)는 LED 칩(12)의 오믹 콘택트를 리드(15A 및/또는 15B)에 접속하고, 리드(15A 및/또는 15B)는 반사 컵(13)에 부착되거나 일체일 수 있다. 반사 컵(13)은 인광체(phosphor) 입자 등의 파장 변환 물질을 포함하는 밀봉재(encapsulant) 물질(16)로 채워져 있을 수 있다. 전체 어셈블리는 LED 칩(12)으로부터 방출된 광을 콜리메이팅하는 렌즈의 형상으로 몰딩될 수 있는 투명한 보호 수지(14) 내에 밀봉된다. "인광체"라는 용어는, 흡수 및 재방출 간의 지연 및 관련된 파장과 무관하게 하나의 파장에서 광을 흡수하고 다른 파장에서 광을 재방출하는 임의의 물질을 지칭하는데 사용된다. 따라서, "인광체"라는 용어는 때때로 형광성(fluorescent) 및/또는 인광성(phosphorescent)이라 불리는 물질을 지칭하는데 사용된다. 일반적으로, 인광체 입자는 낮은 파장을 갖는 광을 흡수하고 긴 파장을 갖는 광을 재방출한다.
일반적으로, 인광체 입자는 밀봉재 물질의 매트릭스 내에 랜덤하게 분포된다. 제1 파장에서 LED 칩(12)에 의해 방출된 광의 일부 또는 전부는, 제2 파장에서 응답하여 광을 방출할 수 있는 인광체 입자에 의해 흡수될 수 있다. 예를 들어, 청색 발광 칩은 황색 발광 인광체를 포함하는 밀봉재 매트릭스로 밀봉될 수 있다. (칩으로부터의) 청색 광 및 (인광체로부터의) 황색 광의 조합은 백색으로 보이는 광을 생성한다. 일부의 적색 발광 인광체 입자는 밀봉재 매트릭스에 포함되어 광의 색 렌더링 특성을 개선, 즉, 광이 좀 더 "따뜻하게" 보이게 할 수 있다. 마찬가지로, UV 발광 칩은 UV 광에 의한 여기시에 적색, 녹색 및 청색 광을 개별 방출하는 인광체 입자를 포함하는 밀봉재 물질로 밀봉될 수 있다. 적색, 녹색 및 청색 광의 조합인 결과적인 광은 백색을 나타낼 수 있고 양호한 색 렌더링 특성을 가질 수 있다.
그러나, LED 칩 상에 하나보다 많은 인광체 물질을 증착시키는 것은 특정 환경하에서 바람직할 수 있다. 예를 들어, 칩에 의해 생성된 광의 색 렌더링 특성을 개선하기 위하여 청색 LED 칩 상에 황색 인광체와 함께 적색 인광체를 포함시키는 것이 바람직할 수 있다. 즉, 청색 발광 디바이스 및 황색 인을 포함하는 백색 에미터(emitter)는 방출된 광의 이진 특성(binary nature) 때문에 불충분한 색 렌더링 특성을 가질 수 있음이 공지되어 있다. 더 나은 색 렌더링을 제공하기 위하여, 청색 LED 칩에 의해 방출된 광에 의한 자극(stimulation)에 응답하여 광을 방출할 수 있는 적색 인광체는 LED 칩에 의해 방출된 전체 광에 적색 발광 보완물을 제공할 수 있다. 결과적인 광은, 조사될 때 물체에 좀 더 자연스러운 외형을 제공할 수 있는 좀 더 따뜻한 외형을 가질 수 있다. 그러나, 적색 인광체 물질의 여기 곡선은 황색 발광 인광체의 방출 곡선과 중첩하는데, 이것은 황색 인광체에 의해 방출된 임의의 광이 적색 인광체에 의해 재흡수될 수 있음을 의미하며, 결과적으로 효율 손실이 발생할 수 있다. LED 칩 상의 다수의 인광체의 패턴의 사용은 미국 특허 공개 번호 제2009/0108269호에 기재되어 있으며, 본 명세서에서 참조로서 포함된다.
인광체 변환된 LED의 접합 온도는 일반적으로 LED에 긴 수명을 제공하도록 제어된다. 고온으로부터 발생되는 열화는 적어도 부분적으로 인광체, 및 실리콘, 에폭시 등의 인광체가 바운드된 물질의 온도 열화로부터 발생할 수 있다. 이러한 어려움을 극복하기 위하여, 리모트 인광체 디바이스(remote phosphor device)가 제안되었다. 하나의 리모트 인광체 디바이스는 필립스로부터 이용가능한 FORTIMO
Figure pct00001
브랜드 다운라이트(downlight) 모듈이다. 필립스의 리모트 인광체 디바이스는 렌즈 내에 인광체를 갖는 렌즈를 갖는다. 렌즈는 LED 광원으로부터 떨어져 있다. 그러나, 종래의 리모트 인광체 디바이스는 종래의 인광체 LED들과 효율면에서 동일한 단점을 가질 수 있다.
본 발명의 일부 실시예는 전압 인가시 제1 피크 파장을 갖는 광을 방출하도록 구성되는 반도체 발광 디바이스(LED), LED와 인접하여 이격된 요소, 및 요소의 표면 상에 개별 루미포르(lumiphor) 함유 영역의 패턴을 포함하는 조명 디바이스를 제공한다. 루미포르 함유 영역은 LED에 의해 방출된 광을 수신하고 수신된 광의 적어도 일부를 제1 피크 파장보다 긴 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성된다. 일부 실시예에서, 리모트 요소는 렌즈이다. 일부 실시예에서, 리모트 요소는 반사 요소이다. 일부 실시예에서, 리모트 요소는 렌즈 및 반사 요소의 조합일 수 있다. 일부 실시예에서, 루미포르 함유 영역은 요소 내에 있다.
일부 실시예에서, 개별 루미포르 함유 영역의 패턴은 복수의 제1 및 제2 루미포르 함유 영역을 포함한다. 제1 루미포르 함유 영역은 LED에 의해 방출된 광을 제2 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성되고, 제2 루미포르 함유 영역은 LED에 의해 방출된 광을 제2 피크 파장보다 짧은 제3 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성된다. 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역은 리모트 요소의 표면 상에서 서로 이격되거나 인접하여 실질적으로 서로 접촉하는 관계에 있을 수 있다. 일부 실시예에서, 중간 물질은 이격된 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역 중의 서로 인접한 것들 사이에 위치할 수 있다. 중간 물질은 제1 개별 루미포르 함유 영역과 다른(예를 들어, 낮거나 높은) 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 중간 물질은 제1 개별 루미포르 함유 영역보다 낮은 굴절률을 갖고 제2 개별 루미포르 함유 영역보다 높은 굴절률을 가질 수 있다.
일부 실시예에서, 제1 피크 파장은 청색 또는 UV 파장을 포함하고, 제1 개별 루미포르 함유 영역은 제1 색 인광체(phosphor)를 포함하고, 제2 개별 루미포르 함유 영역은 제2 색 인광체를 포함한다.
조명 디바이스는 컴포넌트, 모듈, 자기 밸러스트(self-ballasted) 램프 또는 광 고정물일 수 있다.
다른 실시예에서, 조명 디바이스는 전압 인가시 제1 피크 파장을 갖는 광을 방출하도록 구성되는 반도체 발광 디바이스(LED), LED와 인접하여 이격된 렌즈, 및 렌즈의 표면 상의 개별 루미포르 함유 영역의 패턴을 포함한다. 개별 루미포르 함유 영역의 패턴은 복수의 제1 및 제2 루미포르 함유 영역을 포함한다. 제1 루미포르 함유 영역은 LED에 의해 방출된 광을 제2 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성되고, 제2 루미포르 함유 영역은 LED에 의해 방출된 광을 제2 피크 파장보다 짧은 제3 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성된다. 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역은 렌즈의 표면 상에서 서로 이격될 수 있고, 이격된 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역 중의 인접하는 것들 사이에 중간 물질을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 조명 디바이스는 전압 인가시 제1 피크 파장을 갖는 광을 방출하도록 구성되는 반도체 발광 디바이스(LED), LED와 인접하여 이격된 반사 요소, 및 반사 요소의 표면 상의 개별 루미포르 함유 영역의 패턴을 포함한다. 개별 루미포르 함유 영역의 패턴은 복수의 제1 및 제2 루미포르 함유 영역을 포함한다. 제1 루미포르 함유 영역은 LED에 의해 방출된 광을 제2 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성되고, 제2 루미포르 함유 영역은 LED에 의해 방출된 광을 제2 피크 파장보다 짧은 제3 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성된다. 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역은 반사 요소의 표면 상에서 서로 이격될 수 있고, 이격된 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역 중의 인접하는 것들 사이에 중간 물질을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 조명 디바이스는 전압 인가시 제1 피크 파장을 갖는 광을 방출하도록 구성되는 반도체 발광 디바이스(LED), LED와 인접하여 이격된 요소, 및 요소 내의 개별 루미포르 함유 영역의 패턴을 포함한다. 루미포르 함유 영역은 LED에 의해 방출된 광을 수신하고 수신된 광의 적어도 일부를 상기 제1 피크 파장보다 긴 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성된다.
본 발명의 좀 더 나은 이해를 제공하기 위하여 포함되고 본 출원의 일부에 포함되고 그 일부를 구성하는 첨부된 도면은 본 발명의 소정의 실시예(들)을 나타낸다.
도 1은 종래의 패키징된 발광 디바이스를 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 임의의 실시예에 따른, 리모트 표면 상의 개별 루미포르 함유 영역을 나타내는 발광 디바이스 구조물의 단면도.
도 3은 본 발명의 임의의 실시예에 따른, 리모트 표면 상의 개별 루미포르 함유 영역을 나타내는 발광 디바이스 구조물의 단면도.
도 4a 내지 4b는 본 발명의 임의의 실시예에 따라 이용될 수 있는 개별 루미포르 함유 영역을 포함하는 발광 디바이스 구조물을 나타내는 단면도.
도 5a 내지 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따라 이용될 수 있는 개별 루미포르 함유 영역을 포함하는 발광 디바이스 구조물을 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른, 반사 물질을 사이에 두고 개별 루미포르 함유 영역을 포함하는 발광 디바이스 구조물을 나타내는 단면도.
도 7은 본 발명의 추가 실시예에 따른 광 고정물을 나타내는 단면도.
도 8은 본 발명의 추가 실시예에 따른 자기 밸러스트(self-ballasted) 램프를 나타내는 단면도.
도 9는 본 발명의 추가 실시예에 따른 발광 디바이스를 나타내는 단면도.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 컴포넌트를 나타내는 단면도.
본 발명의 실시예가 도시된 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 설명될 것이다. 그러나, 본 발명은 많은 다른 형태로 구현될 수 있고 여기에 개시된 실시예로 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시물이 철저하고 완벽하며 당업자에게 본 발명의 범위를 전달하게 하도록 제공된다. 도면에서, 층 및 영역의 크기 및 상대적 크기는 명료함을 위하여 과장될 수 있다. 유사한 참조 번호는 유사한 요소를 지칭한다.
층, 영역 또는 기판 등의 요소가 다른 요소 "상"에 있는 것으로 지칭되면, 다른 요소 상에 직접 형성되거나 중재 요소가 존재할 수 있다. 표면 등의 요소의 일부가 "내부"로서 지칭되면, 요소의 다른 부분 보다 디바이스의 외부로부터 멀다는 것으로 이해해야 한다. 또한, "아래" 또는 "위에 놓이다"라는 상대적 용어는 도면에 도시된 바와 같이 기판 또는 베이스 층에 대하여 하나의 층 또는 영역과 다른 층 또는 영역의 관계를 설명하기 위하여 사용될 수 있다. 이들 용어는 도면에 도시된 방위에 더하여 디바이스의 상이한 방위를 포함하는 것으로 의도되는 것임이 이해될 것이다. 마지막으로, "직접"이라는 용어는 중재 요소가 없다는 것을 의미한다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "및/또는"이라는 용어는 관련된 열거 항목 중의 하나 이상의 임의의 및 모든 조합을 포함한다.
"제1", "제2" 등의 용어는 다양한 요소, 컴포넌트, 영역, 층 및/또는 부분을 설명하기 위하여 여기에서 사용되지만, 이들 요소, 컴포넌트, 영역, 층 및/또는 부분은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어는 단지 하나의 요소, 컴포넌트, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분으로부터 구분하기 위하여 사용된다. 따라서, 이하에서 설명하는 제1 요소, 컴포넌트, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않고 제2 요소, 컴포넌트, 영역 또는 부분이라 할 수 있다.
본 발명의 실시예는 본 발명의 이상화된 실시예의 개략 도면인 단면도, 사시도 및/또는 평면도를 참조하여 설명한다. 이처럼, 예를 들어 제조 기술 및/또는 허용오차(tolerances)의 결과로서의 도면의 형상으로부터의 변형이 기대될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 본 명세서에서 도시된 영역의 특정 형상으로 제한되는 것이 아니며, 예를 들어 제조로부터 기인하는 형상에 있어서의 편차를 포함한다. 예를 들어, 사각형으로 도시되거나 기재되는 영역은 일반적으로 정상적인 제조 허용오차 때문에 라운딩되거나 만곡된 특징을 갖는다. 따라서, 도면에 도시된 영역은 개략적인 것이며, 이들 형상은 디바이스의 영역의 정확한 형상을 나타내는 것으로 의도되지 않고 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
다르게 정의되지 않으면, 본 명세서에 기재된(기술 및 과학 용어를 포함하는) 모든 용어는 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에 의해 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 통상적으로 이용되는 사전에 정의된 용어는 관련 기술 및 본 명세서의 문맥에서 그 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며 여기에서 명확히 정의되지 않으면 이상화되거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
"반사 물질"이라는 용어는 부분적으로 반사하는 물질을 포함하는 것으로 의도된다.
반도체 발광 디바이스를 패키징하는 본 발명의 다양한 실시예가 본 명세서에서 설명될 것이다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "반도체 발광 디바이스"라는 용어는 발광 다이오드, 레이저 다이오드 및/또는 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드 및/또는 다른 반도체 물질을 포함할 수 있는 하나 이상의 반도체층을 포함하는 다른 반도체 디바이스를 포함할 수 있다. 발광 디바이스는 사파이어, 실리콘, 실리콘 카바이드 및/또는 다른 마이크로 전자 기판 등의 기판을 포함하거나 포함하지 않을 수 있다. 발광 디바이스는 금속 및/또는 다른 도전성층을 포함할 수 있는 하나 이상의 콘택트층(contact layer)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 자외선, 청색 및/또는 녹색 발광 다이오드가 제공될 수 있다. 적색 및/또는 호박색(amber) LED가 또한 제공될 수 있다. 반도체 발광 디바이스의 설계 및 제조는 당업자에게 공지된 것이므로 여기에 상세히 기재할 필요가 없다. 예를 들어, 반도체 발광 디바이스는 North Carolina, Durham의 Cree에 의해 제조되어 판매된 디바이스 등의 실리콘 카바이드 기판 상에 제조된 갈륨 나이트라이드 기반 LED 또는 레이저일 수 있다. 본 발명은 미국 특허 제6,201,262; 6,187,606; 6,120,600; 5,912,477; 5,739,554; 5,631,190; 5,604,135; 5,523,589; 5,416,342; 5,393,993; 5,338,944; 5,210,051; 5,027,168; 5,027,168; 4,966,862 및/또는 4,918,497호에 기재된 LED 및/또는 레이저와 함께 사용되기에 적합할 수 있으며, 이들의 개시내용은, 본 명세서에서 마치 완전하게 개시된 것처럼 참조로서 본 명세서에 포함된다. 다른 적절한 LED 및/또는 레이저는, 2003년 1월 9일에 공개되고 발명의 명칭이 Group III Nitride Based Light Emitting Diode Structures With a Quantum Well and Superlattice, Group III Nitride Based Quantum Well Structures and Group III Nitride Based Superlattice Structures인 미국 특허 공개번호 US 2003/0006418 A1 및 발명의 명칭이 Light Emitting Diodes Including Modifications for Light Extraction and Manufacturing Methods Therefor인 미국 특허 공개번호 US 2002/0123164 A1에서 설명된다. 또한, 그 개시 내용이 마치 완전하게 개시되듯이 본 명세서에서 참조로서 포함되는, 발명의 명칭이 Phosphor-Coated Light Emitting Diodes Including Tapered Sidewalls and Fabrication Methods Therefor인 미국 특허 공개번호 제2004/0056260 A1호에 기재된 바와 같은 인광체 코팅 LED가 본 발명의 실시예에서 사용되기에 적합할 수 있다. LED 및/또는 레이저는 기판을 통해 발광이 발생하도록 동작하도록 구성될 수 있다. 이러한 실시예에서, 인용된 미국 특허 공개번호 US 2002/0123164 A1에 기재된 바와 같이 디바이스의 광 출력을 향상시키기 위하여 기판이 패터닝될 수 있다.
본 발명의 실시예는 리모트 표면 상의 개별 루미포르 함유 영역을 갖는 발광 디바이스를 제공한다. "개별"이라는 용어는 루미포르 함유 영역이 개별 비중첩(제조 허용오차 제외) 영역이라는 것을 의미한다. 예를 들어, 일부 실시예에서, 개별 루미포르 함유 영역은 기판, 반사 표면 등 상의 인광체의 패턴으로서 제공될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "루미포르"라는 용어는 당업자에게 잘 알려진 인광체, 염료, 나노파티클(nanoparticles), 크리스탈린 컨버터(crystalline converters), 등을 포함하는 다양한 발광 물질을 지칭하나, 이것으로 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 인광체는 여기 방사선 소스(exciting radiation source)에 의해 여기될 때 응답 방사선(예를 들어, 가시광)을 방출하는 발광 물질이다. 많은 예에서, 응답 방사선은 여기 방사선의 파장과 다른 파장을 갖는다.
패턴은 임의의 적절한 패턴일 수 있고, 예를 들어 사용되는 특정 인광체의 효능을 고려할 수 있다. 인광체의 양(예를 들어, 인광체의 두께) 및 인광체에 의해 덮여지는 영역은 원하는 광 출력을 제공하도록 선택될 수 있다. 선택은 미리 이루어지거나 LED 디바이스가 구성될 때 조정될 수 있다. 인광체는 잉크젯 또는 버블 젯 프린팅, 스크린 증착 또는 다른 기술 등의 임의의 적절한 인광체 증착 기술을 이용하여 도포될 수 있다. 컬러 음극선관(cathode ray tube)을 제조하는데 사용되는 글래스 상에 패터닝된 인광체를 제공하는 기술이 예를 들어 사용될 수 있다.
일부 실시예에서, (예를 들어, 인광체가 렌즈 표면 상에 있을 때) 인광체로부터의 광은 표면을 통과할 수 있다. 다른 실시예에서, (예를 들어, 인광체가 반사기 상에 있을 때) 인광체로부터의 광은 표면에 의해 반사될 수 있다. 다른 실시예에서, (렌즈 및 반사 표면이 LED 디바이스에 사용될 때) 인광체로부터의 광의 일부는 표면을 통과하고 일부는 반사할 수 있다.
본 발명의 실시예는 인광체 사이에 중첩이 거의 없거나 전혀 없이 다수의 인광체가 제공되는 패터닝된 리모트 인광체들을 제공함으로써 종래의 리모트 인광체 디바이스의 문제점을 극복할 수 있다. 패터닝된 리모트 인광체를 사용함으로써, 개별 혼합 옵틱(optic)에 대한 필요성이 감소하거나 제거될 수 있다. 상이한 인광체로부터의 광이 혼합하여 균일하게 보일 수 있도록 인광체 패턴의 크기는 작게 유지될 수 있다. 또한, 확산기로부터의 광 손실을 피할 수 있다. 또한, 하나의 인광체로부터 방사된 광이 인광체의 분리에 의해 다른 인광체로부터 흡수되지 않기 때문에, 본 발명의 실시예에 따른 LED 디바이스의 광 효율은 향상될 수 있다.
일부 실시예에 따르면, 인광체는 글래스 또는 폴리카보네이트(polycarbonate) 등의 내염성(flame resistant) 물질 상에 제공될 수 있다. 이러한 실시예에서, 조명기구에 대한 플레임 레이팅(flame rating) 요구사항을 충족하는 추가의 렌즈가 요구되지 않을 수 있다.
도 2 및 도 3은 발광 디바이스(100)의 표면(112a)을 횡으로 가로질러 이격된 개별 루미포르 함유 영역(110a 및 110b)을 나타내고, 표면(112a)은 LED 여기 소스(120)로부터 떨어져 있다. 도 2에서, 리모트 표면(112a)은 렌즈(112)의 표면이고, 루미포르 함유 영역(110a 및 110b)은 렌즈(112)의 표면(112a)을 횡으로 가로질러 이격된다. LED 여기 소스(120) 및 렌즈(112) 사이의 공간(116)은 진공이거나 공기, 가스, 밀봉재 물질, 투명 액체, 글래스, 미네랄 옥사이드(mineral oxide), 크리스탈린 또는 폴리크리스탈린(polycrystalline) 물질 등을 포함할 수 있다. 도 3에서, 리모트 표면(114a)은 반사 요소(114)의 표면이고, 루미포르 함유 영역(110a 및 110b)은 반사 표면(114a)을 횡으로 가로질러 이격된다. LED 여기 소스(120)와 반사 요소(114) 간의 공간(116)은 진공이거나 공기, 가스, 밀봉재 물질, 투명 액체, 글래스, 미네랄 옥사이드, 크리스탈린 또는 폴리크리스탈린 물질 등을 포함할 수 있다.
개별 루미포르 함유 영역(110a 및 110b)은 가상적으로 임의의 형상, 구성 및 사이즈를 가질 수 있다. 이용되는 루미포르 입자 크기는 이용되는 프린팅 프로세스에 의존할 수 있다. 일반적으로, 인광체 입자 크기는 약 50 마이크론 내지 약 5 밀리미터의 범위 내에 있다.
일반적으로, 광은 인광체 물질의 밴드갭보다 높은 에너지를 갖는 광자가 인광체를 통과할 때 인광체에 의해 방출되어 흡수된다. 광자가 흡수되면, 인광체 내의 전자 캐리어는 휴면 상태(resting state)에서 여기 상태로 자극된다. 전자 캐리어가 휴면 상태로 되돌아가면, 광자가 인광체에 의해 방출될 수 있다. 그러나, 방출된 광자는 흡수된 광자의 에너지보다 작은 에너지를 가질 수 있다. 따라서, 방출된 광자는 흡수된 광자보다 긴 파장을 가질 수 있다.
도 2 및 3의 LED 여기 소스(120)는 예를 들어, 가시 스펙트럼의 청색 또는 UV 영역 내의 제1 피크 파장을 갖는 광을 발생하도록 구성될 수 있다. 제1 루미포르 함유 영역(110a)은 LED 여기 소스(120)에 의해 방출된 광을 제1 피크 파장보다 긴 제2 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성된다. 즉, 제1 루미포르 함유 영역(110a)은 LED 여기 소스(120)에 의해 방출된 광을 흡수하고 응답하여 더 긴 파장을 갖는 광을 방출하도록 구성된다. 예를 들어, 제1 루미포르 함유 영역(110a)은 청색 또는 UV 광의 흡수에 응답하여 적색 광을 방출하도록 구성될 수 있다. 제2 루미포르 함유 영역(110b)은, LED 여기 소스(120)에 의해 방출된 광을 흡수하고 응답하여 (LED 여기 소스(120)에 의해 방출된 광의) 제1 피크 파장보다 길지만 제2 피크 파장보다는 짧은 제3 피크 파장을 갖는 광을 방출하도록 구성된다. 예를 들어, 제2 루미포르 함유 영역(110b)은 LED 여기 소스(120)로부터의 청색 또는 UV 광의 흡수에 응답하여 황색, 황록색 및/또는 녹색 광을 방출하도록 구성될 수 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "녹색/황색"이라는 용어는 황색, 황록색 및/또는 녹색을 포함한다.
본 발명의 실시예를 위한 적절한 적색 인광체는 Sr2Si5N8:Eu2+ 및 CaAlSiN3:Eu를 포함하지만 이것으로 한정되는 것은 아니다. 사용될 수 있는 다른 적색 인광체는, 제한되지는 않지만, 인광체들의 Eu2+-SiAlON 패밀리로부터의 인광체들 뿐만 아니라 CaSiN2:Ce3+, CaSiN2:Eu2+ 및/또는 (Ca,Si,Ba)SiO4:Eu2+(BOSE) 패밀리로부터의 인광체들을 포함하지만 이것으로 한정되는 것은 아니다. 적절한 황색 인광체는 Y3Al5O12:Ce3+(Ce:YAG), CaAlSiN3:Ce3+ 및/또는 Eu2+-SiAlON 패밀리 및/또는 BOSE 패밀리로부터의 인광체를 포함하지만 이것으로 한정되는 것은 아니다. 적절한 녹색 인광체는 BOSE 패밀리로부터의 인광체 뿐만 아니라 CaSi2O2N2:Eu2+를 포함하지만 이것으로 한정되는 것은 아니다. 인광체는 또한 소망의 파장의 광 출력을 제공하기 위하여 임의의 적절한 레벨로 도핑될 수 있다. 일부 실시예에서, Ce 및/또는 Eu가 약 0.1% 내지 약 20%의 범위의 도펀트 농도로 인광체 내에 도핑될 수 있다. 적절한 인광체는 일본 Tokyo의 Mitsubishi Chemical Corporation, 독일 Breitungen의 Leuchtstoffwerk Breitungen GmbH 및 California, Fremont의 Intematrix Company를 포함하는 많은 공급자로부터 이용가능하다.
본 발명의 실시예에 따라 이용될 수 있는 다른 적절한 인광체는 짧은 파장을 긴 파장으로 변환할 수 있는 황화아연(zinc sulfide)(ZnS) 쉘(shell)에 의해 둘러싸인 셀렌화 카드뮴(cadmium selenide)(CdSe) 코어를 갖는 나노크리스탈(NC)을 포함한다. 이러한 크리스탈은 효과적으로 UV 녹색광을 흡수하고 적녹색광을 방출할 수 있다. 이러한 NC의 흡수 및 방출 스펙트럼은 CdSe 코어의 직경 및 ZnS 쉘의 두께를 제어함으로써 조정될 수 있다. 또한, NC는 높은 퀀텀 효율(quantum efficiency) 및 광안정성(photostability)의 이점을 갖는다. 특히, NC를 금 나노파티클과 혼합하는 것은 색 변환 효율을 향상시킬 수 있는, 금 위에 CdSe/ZnS NC와 표면 플라즈몬(surface plasmons; SP) 사이의 결합을 유도한다.
본 개시 내용의 관점에서 당업자에 의해 인식되는 바와 같이, 인광체는 또한 다른 물질과 혼합되어 보호 코팅을 제공하거나 인광체를 표면 등에 고정하는 코팅을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예는, 그 전체가 참조로서 본 명세서에 포함되는 Luminescence Conversion of Blue Light Emitting Diodes, P. Schlotter et al., Appl. Phys. A 64, 417-418 (1997)에 기재된 바와 같이 "프린팅" 또는 주입될 수 있는 임의의 다른 타입의 루미포르 또는 염료를 이용할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예에 따르면, 렌즈의 표면 또는 반사 표면 상의 개별 금속-유기 화학 기상 증착(MOCVD)으로 증착된 크리스탈린 또는 폴리크리스탈린 컨버터(convertor)의 패턴이 이용될 수 있다. MOCVD 증착형 크리스탈린 또는 폴리크리스탈린 컨버터는 미국 특허 제6,337,536호 및 미국 공개번호 제2005/0006659호에 기재되어 있으며, 이들은 그 전체가 참조로서 본 명세서에 포함된다.
LED 여기 소스(120)는 청색 LED 또는 UV LED 등의 인광체를 여기하는 임의의 적절한 LED 광원일 수 있다. 그러나, 다른 유형의 LED 여기 소스가 이용될 수 있다.
도 4a-4b 및 5a-5b는 본 발명의 일부 실시예에 따라 개별 루미포르 함유 영역이 리모트 렌즈(112)의 표면(112a)과 같이, 리모트 표면을 횡으로 가로질러 이격되는 다양한 방법을 나타낸다. 예를 들어, 도 4a에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역(110a 및 110b)은 리모트 표면(112a) 상에 제공된다. 개별 루미포르 함유 영역(110a 및 110b)은 다른 타입의 인광체 및/또는 각각의 여기 영역 내에서 광에 의해 자극될 때 상이한 색의 광을 방출하도록 구성되는 상이한 도핑 레벨을 갖는 인광체를 포함할 수 있다.
제1 개별 루미포르 함유 영역(110a)은 LED 여기 소스(120)(도 2)에 의해 방출된 청색 또는 UV 광에 응답하여 적색 광과 같은 더 긴 파장 광을 방출하도록 구성될 수 있는 반면에, 제2 개별 루미포르 함유 영역(110b)은 LED 여기 소스(120)에 의해 방출된 청색 또는 UV 광에 응답하여 녹색/황색 광과 같은 더 짧은 파장 광을 방출하도록 구성될 수 있다.
도 4a 및 4b에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역(110a 및 110b)은 교번하는 방식으로 리모트 표면(112a) 상에 배치될 수 있다. 그러나, 일부 실시예에서, 동일한 타입의 2개의 개별 루미포르 함유 영역은 도 4a에 도시된 바와 같이 서로 인접하여 배치될 수 있고 서로 접해 있거나(abut) 서로 이격될 수 있다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 중간 영역(111)은 개별 루미포르 함유 영역(110a 및 110b) 중 인접한 것들 사이에 배치될 수 있다. 중간 영역(111)은, 하나의 개별 루미포르 함유 영역에 의해 방출된 광이 다른 개별 루미포르 함유 영역으로 전달되고 그 안에서 재흡수될 가능성을 감소시키기 위하여 제공될 수 있다. 일부 실시예에서, 중간 영역(111)은 제1 개별 루미포르 함유 영역(110a) 또는 제2 개별 루미포르 함유 영역(110b)보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 중간 영역(111)은 제2 루미포르 함유 영역(110b)의 굴절률보다 낮고 제1 루미포르 함유 영역(110a)의 굴절률보다 높은 굴절률을 가질 수 있다. 약 1.3 내지 약 1.55의 굴절률을 가질 수 있는 실리콘 폴리머가 중간 영역(111)을 형성하기에 적절한 물질이다. 개별 루미포르 함유 영역(110a 및 110b) 내의 인광체는 약 1.5 내지 약 2.5의 굴절률을 가질 수 있다.
일부 실시예에서, 중간 영역(111)은 도 6에 도시된 바와 같이 반사 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 내부로 향하는 반사 중간 영역(111)은 일부 광을 색 혼합 또는 리사이클링(recycling)을 위한 챔버로 되돌려 반사시킬 수 있다. 일부 실시예에서, 이들 반사기는, 예를 들어, 여기 파장이 되돌려 반사되는 반면, 인광체 방출 파장은 통과할 수 있도록, 파장 선택, 다이아크로닉(diachronic), 또는 조정 반사기일 수 있다. 반사기 및 부분 반사기의 사용은 이들이 리사이클링될 때 인광체 파장이 산란되지 않음으로써 일부 효율 이득을 갖는다.
도 5a를 참조하면, 본 발명의 일부 실시예에 따라, 개별 루미포르 함유 영역(110)은 규칙적 및/또는 비규칙적인 간격으로 리모트 표면(112a) 상에 제공될 수 있다. 또한, 다른 타입의 인광체를 갖는 다수의 루미포르 함유 영역(110)이 리모트 표면(112a) 상에 제공될 수 있다. 루미포르 함유 영역(110)은 도 5a에 도시된 바와 같이 서로 접하고/접하거나 이격될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 오버층(overlayer)(140)이 개별 루미포르 함유 영역(110)을 포함하는 LED 구조물(100) 상에 제공될 수 있다. 오버층(140)은 예를 들어 실리콘 또는 다른 밀봉재 물질의 층을 포함할 수 있고, 일부 실시예에서, 루미포르 함유 영역을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 오버층(140)은 개별 루미포르 함유 영역(110) 내에 포함된 인광체 물질과는 상이한 인광체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 개별 루미포르 함유 영역(110)은 적색 인광체를 포함하지만, 오버층(140)은 녹색/황색 인광체를 포함할 수 있고, 그 반대도 가능하다.
오버층(140)은 LED 구조물(120)에 의해 방출된 광의 광학적 특성을 변경할 수 있는 다른 물질/구조물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 오버층(140)은 광학적 확산/산란 입자를 포함할 수 있고 및/또는 오버층(140)은 디바이스로부터의 광 추출을 증가시키기 위하여 텍스쳐링(textured) 및/또는 패터닝될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 LED 구조물의 리모트 표면 상에 제공되는 개별 루미포르 함유 영역은 임의의 원해지는 주기성을 갖는 도트, 라인, 삼각형, 육각형과 같은 임의의 원해지는 패턴을 가질 수 있다. 또한, 도시된 리모트 표면(112a) 상에 제공되는 개별 루미포르 함유 영역(110)은 인접하는 루미포르 함유 영역과 접촉하고 및/또는 인접하는 루미포르 함유 영역으로부터 분리될 수 있다. 예를 들어, 따뜻한 백색 LED 응용(warm white LED application)에서, 적색 및 황색 인광체는 물리적으로 분리되어 적색 인광체에 의한 황색 광의 재흡수를 감소시킬 수 있다. 리모트 표면(112a) 상에 제공되는 개별 루미포르 함유 영역(110)은 상이한 두께로 남아 있거나 및/또는 평탄화될 수 있다.
본 발명의 실시예는 A-램프, 다운라이트(downlight), 레이-인 고정물(lay-in fixture) 등을 포함하는 광범위한 조명 디바이스에서 이용될 수 있으나 이것으로 한정되는 것은 아니다. 도 7 내지 10은 본 발명에 따른 조명 디바이스의 예시적인 다른 실시예를 나타낸다.
도 7은 본 발명의 실시예를 포함하는 광 고정물(700)을 나타낸다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "광 고정물"이라는 용어는 UL 1598 안전 표준하에서 분류된 디바이스를 포함한다. 도 7에서 알 수 있는 바와 같이, 광 고정물(700)은 리모트 표면(712) 상의 개별 루미포르 함유 영역(710)을 포함한다. 광 고정물(700)은 또한 LED와 같은 하나 이상의 고체 상태 광원(720), 전원(722) 및 히트 싱크(heat sink)(724)를 포함한다. 크리(Cree) LED 조명으로부터의 LR24 등의 레이-인(lay-in) 고정물이 도 7에 도시되지만, 다른 광 고정물이 제공될 수 있다. 예를 들어, 다운라이트, 벽 와셔(wall washer), 펜던트(pendants), 표면 장착 또는 다른 타입의 고정물이 제공될 수 있다.
도 8에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 조명 디바이스는 A-램프와 같은 자기 밸러스트 램프(800)로서 제공될 수 있다. 도 8의 램프는 리모트 표면(812) 상의 개별 루미포르 함유 영역(810)을 포함한다. 램프(800)는 또한 LED와 같은 하나 이상의 고체 상태 광원(820), 전원(822) 및 접속기(824)를 포함한다. 접속기(824)는 에디슨 스크류 베이스(Edison screw-base)로서 기재되지만, 핀 베이스 또는 GU-24 베이스와 같은 다른 접속기 타입이 또한 사용될 수 있다. 또한, 램프(800)는 A-램프로서 도시되지만, PAR 또는 BR 램프 또는 비표준 램프 구성과 같은 다른 램프 구성이 제공될 수 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 자기 밸러스트 램프는 UL 1993 안전 표준 하에서 분류된 램프를 포함한다.
도 9에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 조명 디바이스는 모듈(800)로서 제공된다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, LED 모듈은 회로 기판 또는 다른 기판 상에 다수의 상호 접속된 LED를 지칭하지만, 전원을 포함하지 않는다. 도 9의 모듈(900)은 리모트 표면(912) 상의 개별 루미포르 함유 영역(910)을 포함한다. 모듈(900)은 또한 컴포넌트 LED와 같은 컴포넌트 고체 상태 광원(920), 기판(922), 절연/배선 구조물(924) 및 콘택트 패드(926)를 포함한다.
도 10은 본 발명의 실시예를 포함하는 컴포넌트(1000)를 나타낸다. 도 10에서 알 수 있는 바와 같이, 컴포넌트(1000)는 리모트 표면(1012) 상의 개별 루미포르 함유 영역(1010)을 포함한다. 컴포넌트(1000)는 또한 하나 이상의 고체 상태 광원(1020) 및 컴포넌트 패키지(1022)를 포함한다. 이러한 컴포넌트 패키지는 NC Durham의 Cree Inc.에 의해 제공되는 MC 컴포넌트 및 X 램프에 의해 제공되는 다수의 LED 다이를 포함할 수 있다. 개별 루미포르 함유 영역(1010)은 컴포넌트의 렌즈 상에 제공되거나 개별 구조물 상에 있을 수 있다.
도 7 내지 10에 도시된 개별 루미포르 함유 영역은 투광 구조물(light transmitting structures) 상에 제공되는 것으로 도시된다. 그러나, 개별 루미포르 함유 영역은 또한 불투명 표면 상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 도 7의 개별 루미포르 함유 영역(710)은 LED(720)와 리모트 표면(712) 사이의 비스듬한 표면 상에 제공될 수 있다. 이들 불투명 표면은 매우 반사적이어서 전체 시스템 효능을 개선할 수 있다. 마찬가지로, 반사 및 투과 구조물의 조합이 또한 제공될 수 있다. 이들 반사 및 투과 구조물은 개별 또는 결합 구조물로서 제공될 수 있다.
특정 실시예가 본 명세서에서 기재되지만, 본 명세서에서 기재된 구조물의 다양한 조합 및 부-조합이 고려될 수 있으며 본 개시내용의 지식을 가진 당업자에게 자명할 것이다.
전술한 설명은 본 발명에 대한 예시로서, 한정적인 것으로 해석되어서는 아니된다. 본 발명의 몇 가지 예시적인 실시예가 설명되었지만, 당업자는 본 발명의 새로운 사상과 이점을 벗어나지 않고 예시적인 실시예에서 다양한 변형이 가능함을 인식할 것이다. 따라서, 이러한 모든 변형은 특허청구범위에서 정의된 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다. 그러므로, 전술한 설명은 본 발명의 예시로서 개시된 특정 실시예로 한정되는 것으로 해석되어선 아니되며, 개시된 실시예에 대한 변형 및 다른 실시예가 첨부된 청구범위 내에 포함되도록 의도된다는 것이 이해될 것이다. 본 발명은 본 명세서에 포함된 특허청구범위의 등가물과 함께, 다음의 청구범위에 의해 정의된다.

Claims (28)

  1. 조명 디바이스로서,
    전압 인가시 제1 피크 파장을 갖는 광을 방출하도록 구성되는 반도체 발광 디바이스(LED);
    상기 LED와 인접하여 이격된 요소; 및
    상기 요소의 표면 상의 개별 루미포르(lumiphor) 함유 영역들의 패턴
    을 포함하고,
    상기 루미포르 함유 영역들은 상기 LED에 의해 방출된 광을 수신하고 상기 수신된 광의 적어도 일부를 상기 제1 피크 파장보다 긴 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성되는 조명 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 요소는 렌즈를 포함하는 조명 디바이스.
  3. 제1항에 있어서, 상기 요소는 반사 요소를 포함하는 조명 디바이스.
  4. 제1항에 있어서, 상기 개별 루미포르 함유 영역들의 패턴은 복수의 제1 및 제2 루미포르 함유 영역들을 포함하고, 상기 제1 루미포르 함유 영역은 상기 LED에 의해 방출된 광을 제2 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성되고, 상기 제2 루미포르 함유 영역은 상기 LED에 의해 방출된 광을 상기 제2 피크 파장보다 짧은 제3 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성되는 조명 디바이스.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역은 상기 요소의 표면 상에서 서로 이격되는 조명 디바이스.
  6. 제5항에 있어서, 상기 이격된 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역들 중 서로 인접한 것들 사이에 중간 물질을 더 포함하는 조명 디바이스.
  7. 제6항에 있어서, 상기 중간 물질은 반사 물질을 포함하는 조명 디바이스.
  8. 제6항에 있어서, 상기 중간 물질은 상기 제1 개별 루미포르 함유 영역들보다 낮은 굴절률을 갖는 조명 디바이스.
  9. 제6항에 있어서, 상기 중간 물질은 상기 제2 개별 루미포르 함유 영역들보다 높은 굴절률을 갖는 조명 디바이스.
  10. 제4항에 있어서, 상기 제1 피크 파장은 청색 또는 UV 파장을 포함하고, 상기 제1 개별 루미포르 함유 영역들은 제1 색 인광체(phosphor)를 포함하고, 상기 제2 개별 루미포르 함유 영역들은 제2 색 인광체를 포함하는 조명 디바이스.
  11. 제1항에 있어서, 상기 조명 디바이스는 컴포넌트를 포함하는 조명 디바이스.
  12. 제1항에 있어서, 상기 조명 디바이스는 모듈을 포함하는 조명 디바이스.
  13. 제1항에 있어서, 상기 조명 디바이스는 자기 밸러스트(self-ballasted) 램프를 포함하는 조명 디바이스.
  14. 제1항에 있어서, 상기 조명 디바이스는 광 고정물(light fixture)를 포함하는 조명 디바이스.
  15. 조명 디바이스로서,
    전압 인가시 제1 피크 파장을 갖는 광을 방출하도록 구성되는 반도체 발광 디바이스(LED);
    상기 LED와 인접하여 이격된 렌즈; 및
    상기 렌즈의 표면 상의 개별 루미포르 함유 영역들의 패턴
    을 포함하고,
    상기 개별 루미포르 함유 영역들의 패턴은 복수의 제1 및 제2 루미포르 함유 영역을 포함하고, 상기 제1 루미포르 함유 영역은 상기 LED에 의해 방출된 광을 제2 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성되고, 상기 제2 루미포르 함유 영역은 상기 LED에 의해 방출된 광을 상기 제2 피크 파장보다 짧은 제3 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성되는 조명 디바이스.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역들은 상기 렌즈의 표면 상에서 서로 이격되는 조명 디바이스.
  17. 제16항에 있어서, 상기 이격된 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역들 중 인접하는 것들 사이에 중간 물질을 더 포함하는 조명 디바이스.
  18. 제17항에 있어서, 상기 중간 물질은 반사 물질을 포함하는 조명 디바이스.
  19. 조명 디바이스로서,
    전압 인가시 제1 피크 파장을 갖는 광을 방출하도록 구성되는 반도체 발광 디바이스(LED);
    상기 LED와 인접하여 이격된 반사 요소; 및
    상기 반사 요소의 표면 상의 개별 루미포르 함유 영역의 패턴
    을 포함하고,
    상기 개별 루미포르 함유 영역들의 패턴은 복수의 제1 및 제2 루미포르 함유 영역을 포함하고, 상기 제1 루미포르 함유 영역은 상기 LED에 의해 방출된 광을 제2 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성되고, 상기 제2 루미포르 함유 영역은 상기 LED에 의해 방출된 광을 상기 제2 피크 파장보다 짧은 제3 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성되는 조명 디바이스.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역들은 상기 반사 요소의 표면 상에서 서로 이격되는 조명 디바이스.
  21. 제20항에 있어서, 상기 이격된 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역들 중 인접하는 것들 사이에 중간 물질을 더 포함하는 조명 디바이스.
  22. 제21항에 있어서, 상기 중간 물질은 반사 물질을 포함하는 조명 디바이스.
  23. 조명 디바이스로서,
    전압 인가시 제1 피크 파장을 갖는 광을 방출하도록 구성되는 반도체 발광 디바이스(LED);
    상기 LED와 인접하여 이격된 요소; 및
    상기 요소 내의 개별 루미포르 함유 영역들의 패턴
    을 포함하고,
    상기 루미포르 함유 영역들은 상기 LED에 의해 방출된 광을 수신하고 상기 수신된 광의 적어도 일부를 상기 제1 피크 파장보다 긴 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성되는 조명 디바이스.
  24. 제23항에 있어서, 상기 요소는 렌즈를 포함하는 조명 디바이스.
  25. 제24항에 있어서, 상기 개별 루미포르 함유 영역들의 패턴은 복수의 제1 및 제2 루미포르 함유 영역을 포함하고, 상기 제1 루미포르 함유 영역은 상기 LED에 의해 방출된 광을 제2 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성되고, 상기 제2 루미포르 함유 영역은 상기 LED에 의해 방출된 광을 상기 제2 피크 파장보다 짧은 제3 피크 파장을 갖는 광으로 변환하도록 구성되는 조명 디바이스.
  26. 제25항에 있어서, 상기 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역들은 상기 요소 내에서 서로 이격되는 조명 디바이스.
  27. 제26항에 있어서, 상기 이격된 제1 및 제2 개별 루미포르 함유 영역들 중 서로 인접한 것들 사이에 중간 물질을 더 포함하는 조명 디바이스.
  28. 제27항에 있어서, 상기 중간 물질은 반사 물질을 포함하는 조명 디바이스.
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Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
WO2009014590A2 (en) 2007-06-25 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Compositions and methods including depositing nanomaterial
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
US8217567B2 (en) 2009-06-11 2012-07-10 Cree, Inc. Hot light emitting diode (LED) lighting systems
DE102009040329A1 (de) * 2009-09-07 2011-03-10 Emde Projects Gmbh Leuchtmittel auf Basis nanoskaliger Strukturen
TW201110423A (en) * 2009-09-11 2011-03-16 Power Light Tech Co Ltd Light-emitting diode illumination device capable of adjusting color temperature
US8796952B2 (en) 2011-03-03 2014-08-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices having selectable and/or adjustable color points and related methods
US8791642B2 (en) 2011-03-03 2014-07-29 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices having selectable and/or adjustable color points and related methods
US8899767B2 (en) * 2011-03-31 2014-12-02 Xicato, Inc. Grid structure on a transmissive layer of an LED-based illumination module
US9313858B2 (en) * 2011-06-10 2016-04-12 Koninklijke Philips N.V. Phosphor enhanced light source for presenting a visible pattern and a luminaire
KR101877817B1 (ko) * 2011-11-08 2018-07-13 엘지이노텍 주식회사 구 형상의 피씨엠을 이용한 광 여기체 및 이를 이용한 조명 장치
US8884508B2 (en) 2011-11-09 2014-11-11 Cree, Inc. Solid state lighting device including multiple wavelength conversion materials
WO2013123128A1 (en) * 2012-02-17 2013-08-22 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved emission efficiency and photoluminescence wavelength conversion components therefor
DE102012202928A1 (de) 2012-02-27 2013-08-29 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
US8931922B2 (en) 2012-03-22 2015-01-13 Osram Sylvania Inc. Ceramic wavelength-conversion plates and light sources including the same
US20130258638A1 (en) * 2012-03-31 2013-10-03 Michael Dongxue Wang Wavelength-converting structure for a light source
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
US9625638B2 (en) 2013-03-15 2017-04-18 Cree, Inc. Optical waveguide body
US9366396B2 (en) 2013-01-30 2016-06-14 Cree, Inc. Optical waveguide and lamp including same
US9519095B2 (en) 2013-01-30 2016-12-13 Cree, Inc. Optical waveguides
US10422944B2 (en) 2013-01-30 2019-09-24 Ideal Industries Lighting Llc Multi-stage optical waveguide for a luminaire
US9565782B2 (en) 2013-02-15 2017-02-07 Ecosense Lighting Inc. Field replaceable power supply cartridge
US9952372B2 (en) 2013-03-15 2018-04-24 Cree, Inc. Luminaire utilizing waveguide
US9798072B2 (en) 2013-03-15 2017-10-24 Cree, Inc. Optical element and method of forming an optical element
US9568662B2 (en) 2013-03-15 2017-02-14 Cree, Inc. Optical waveguide body
US9709725B2 (en) 2013-03-15 2017-07-18 Cree, Inc. Luminaire utilizing waveguide
US9366799B2 (en) 2013-03-15 2016-06-14 Cree, Inc. Optical waveguide bodies and luminaires utilizing same
US10209429B2 (en) 2013-03-15 2019-02-19 Cree, Inc. Luminaire with selectable luminous intensity pattern
KR101457474B1 (ko) * 2013-06-14 2014-11-04 (주)라이타이저코리아 형광층 제조 장비
EP2843717A1 (en) * 2013-08-27 2015-03-04 Industry-Academic Cooperation Foundation Yonsei University Phosphor film, and light emitting device and system using the same
WO2015101535A1 (en) * 2014-01-02 2015-07-09 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device comprising releasable wavelength converter
US9651740B2 (en) 2014-01-09 2017-05-16 Cree, Inc. Extraction film for optical waveguide and method of producing same
CN106030836B (zh) * 2014-03-10 2019-04-05 欧司朗光电半导体有限公司 波长转换元件、发光半导体部件及其制造方法
WO2015123702A2 (en) * 2014-03-15 2015-08-20 Cree, Inc. Luminaire utilizing waveguide
US9835317B2 (en) 2014-03-15 2017-12-05 Cree, Inc. Luminaire utilizing waveguide
US10317608B2 (en) 2014-03-15 2019-06-11 Cree, Inc. Luminaires utilizing optical waveguide
US11408572B2 (en) 2014-03-15 2022-08-09 Ideal Industries Lighting Llc Luminaires utilizing optical waveguide
US10935211B2 (en) 2014-05-30 2021-03-02 Ideal Industries Lighting Llc LED luminaire with a smooth outer dome and a cavity with a ridged inner surface
CN103972221A (zh) * 2014-06-03 2014-08-06 宁波升谱光电半导体有限公司 Led光源封装结构及led光源封装方法
US9380671B1 (en) * 2014-08-05 2016-06-28 The L.D. Kichler Co. Warm dim remote phosphor luminaire
US10801696B2 (en) 2015-02-09 2020-10-13 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US11306897B2 (en) 2015-02-09 2022-04-19 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US10378726B2 (en) 2015-02-09 2019-08-13 Ecosense Lighting Inc. Lighting system generating a partially collimated distribution comprising a bowl reflector, a funnel reflector with two parabolic curves and an optically transparent body disposed between the funnel reflector and bowl reflector
US9869450B2 (en) * 2015-02-09 2018-01-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having a truncated parabolic- or hyperbolic-conical light reflector, or a total internal reflection lens; and having another light reflector
US9651227B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Low-profile lighting system having pivotable lighting enclosure
US9746159B1 (en) 2015-03-03 2017-08-29 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a sealing system
US9568665B2 (en) 2015-03-03 2017-02-14 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including lens modules for selectable light distribution
US9651216B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including asymmetric lens modules for selectable light distribution
CN107429899A (zh) * 2015-03-09 2017-12-01 皇家飞利浦有限公司 色点可变发光装置
KR20180000593U (ko) * 2015-06-23 2018-02-28 코닌클리케 필립스 엔.브이. 조명 발광 표면
USD785218S1 (en) 2015-07-06 2017-04-25 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782093S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782094S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US9651232B1 (en) 2015-08-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a mounting device
US10416377B2 (en) 2016-05-06 2019-09-17 Cree, Inc. Luminaire with controllable light emission
US11719882B2 (en) 2016-05-06 2023-08-08 Ideal Industries Lighting Llc Waveguide-based light sources with dynamic beam shaping

Family Cites Families (298)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3805937A (en) 1970-12-29 1974-04-23 Glory Kogyo Kk Automatic money dispensing machine
JPS48102585A (ko) 1972-04-04 1973-12-22
US3927290A (en) 1974-11-14 1975-12-16 Teletype Corp Selectively illuminated pushbutton switch
JPS5225484A (en) 1975-08-21 1977-02-25 Mitsubishi Electric Corp Mixing light illuminating method
US4325146A (en) 1979-12-20 1982-04-13 Lennington John W Non-synchronous object identification system
US4408157A (en) 1981-05-04 1983-10-04 Associated Research, Inc. Resistance measuring arrangement
US4420398A (en) 1981-08-13 1983-12-13 American National Red Cross Filteration method for cell produced antiviral substances
US4710699A (en) 1983-10-14 1987-12-01 Omron Tateisi Electronics Co. Electronic switching device
US4772885A (en) 1984-11-22 1988-09-20 Ricoh Company, Ltd. Liquid crystal color display device
US4918497A (en) 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
DE3916875A1 (de) 1989-05-24 1990-12-06 Ullmann Ulo Werk Signalleuchte, insbesondere mehrkammersignalleuchte fuer kraftfahrzeuge
US4966862A (en) 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
US5407799A (en) 1989-09-14 1995-04-18 Associated Universities, Inc. Method for high-volume sequencing of nucleic acids: random and directed priming with libraries of oligonucleotides
US5210051A (en) 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
US5087883A (en) 1990-09-10 1992-02-11 Mr. Coffee, Inc. Differential conductivity meter for fluids and products containing such meters
JPH04159519A (ja) 1990-10-24 1992-06-02 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄバックライト付き液晶表示装置及びその製造方法
US5166815A (en) 1991-02-28 1992-11-24 Novatel Communications, Ltd. Liquid crystal display and reflective diffuser therefor including a reflection cavity section and an illumination cavity section
US5264997A (en) 1992-03-04 1993-11-23 Dominion Automotive Industries Corp. Sealed, inductively powered lamp assembly
DE4228895C2 (de) 1992-08-29 2002-09-19 Bosch Gmbh Robert Kraftfahrzeug-Beleuchtungseinrichtung mit mehreren Halbleiterlichtquellen
US5416342A (en) 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5338944A (en) 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure
US5410519A (en) 1993-11-19 1995-04-25 Coastal & Offshore Pacific Corporation Acoustic tracking system
US5393993A (en) 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
US6958093B2 (en) 1994-01-27 2005-10-25 Cree, Inc. Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same
US5604135A (en) 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5631190A (en) 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
US5739554A (en) 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US5834889A (en) 1995-09-22 1998-11-10 Gl Displays, Inc. Cold cathode fluorescent display
JPH09146089A (ja) 1995-11-28 1997-06-06 Masahiko Yamamoto カラー表示装置用面状光源および液晶表示装置
JP3272932B2 (ja) 1996-01-25 2002-04-08 株式会社東芝 液晶表示装置
US5779924A (en) 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US5957564A (en) 1996-03-26 1999-09-28 Dana G. Bruce Low power lighting display
US6550949B1 (en) 1996-06-13 2003-04-22 Gentex Corporation Systems and components for enhancing rear vision from a vehicle
US5803579A (en) 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
KR100537349B1 (ko) 1996-06-26 2006-02-28 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
DE19640594B4 (de) 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
US5851063A (en) 1996-10-28 1998-12-22 General Electric Company Light-emitting diode white light source
US6076936A (en) 1996-11-25 2000-06-20 George; Ben Tread area and step edge lighting system
JPH10163535A (ja) 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
US6043509A (en) 1996-12-13 2000-03-28 Hitachi Cable, Ltd. Light-emitting diode having moisture-proof characteristics and high output power
DE59814117D1 (de) 1997-03-03 2007-12-20 Philips Intellectual Property Weisse lumineszenzdiode
US6784463B2 (en) 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
US6319425B1 (en) 1997-07-07 2001-11-20 Asahi Rubber Inc. Transparent coating member for light-emitting diodes and a fluorescent color light source
US7014336B1 (en) 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
US20030133292A1 (en) 1999-11-18 2003-07-17 Mueller George G. Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions
US6292901B1 (en) 1997-08-26 2001-09-18 Color Kinetics Incorporated Power/data protocol
GB2329238A (en) 1997-09-12 1999-03-17 Hassan Paddy Abdel Salam LED light source
US6201262B1 (en) 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
US6480299B1 (en) 1997-11-25 2002-11-12 University Technology Corporation Color printer characterization using optimization theory and neural networks
US6071795A (en) 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6294800B1 (en) 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
US6278135B1 (en) 1998-02-06 2001-08-21 General Electric Company Green-light emitting phosphors and light sources using the same
US6255670B1 (en) 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
GB9813326D0 (en) 1998-06-19 1998-08-19 Cambridge Display Tech Ltd Backlit displays
JP4109756B2 (ja) 1998-07-07 2008-07-02 スタンレー電気株式会社 発光ダイオード
TW406442B (en) 1998-07-09 2000-09-21 Sumitomo Electric Industries White colored LED and intermediate colored LED
US6504180B1 (en) 1998-07-28 2003-01-07 Imec Vzw And Vrije Universiteit Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
EP1046196B9 (en) 1998-09-28 2013-01-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting system
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6149283A (en) 1998-12-09 2000-11-21 Rensselaer Polytechnic Institute (Rpi) LED lamp with reflector and multicolor adjuster
JP4350183B2 (ja) 1998-12-16 2009-10-21 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光装置
US6373188B1 (en) 1998-12-22 2002-04-16 Honeywell International Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output
US6212213B1 (en) 1999-01-29 2001-04-03 Agilent Technologies, Inc. Projector light source utilizing a solid state green light source
US20010042866A1 (en) 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
US6320206B1 (en) 1999-02-05 2001-11-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks
WO2000046862A1 (fr) 1999-02-05 2000-08-10 Japan Energy Corporation Element fonctionnel de conversion photoelectrique et procede de fabrication correspondant
US6329676B1 (en) 1999-03-01 2001-12-11 Toru Takayama Flat panel solid state light source
KR100425566B1 (ko) 1999-06-23 2004-04-01 가부시키가이샤 시티즌 덴시 발광 다이오드
US6335538B1 (en) 1999-07-23 2002-01-01 Impulse Dynamics N.V. Electro-optically driven solid state relay system
US6504301B1 (en) 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
US6686691B1 (en) 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
JP2001111114A (ja) 1999-10-06 2001-04-20 Sony Corp 白色ｌｅｄ
US6712486B1 (en) 1999-10-19 2004-03-30 Permlight Products, Inc. Mounting arrangement for light emitting diodes
JP4422832B2 (ja) 1999-11-05 2010-02-24 アビックス株式会社 Ｌｅｄ電灯
US6762563B2 (en) 1999-11-19 2004-07-13 Gelcore Llc Module for powering and monitoring light-emitting diodes
US6597179B2 (en) 1999-11-19 2003-07-22 Gelcore, Llc Method and device for remote monitoring of LED lamps
JP3659098B2 (ja) 1999-11-30 2005-06-15 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
US6357889B1 (en) 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
US6513949B1 (en) 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6350041B1 (en) 1999-12-03 2002-02-26 Cree Lighting Company High output radial dispersing lamp using a solid state light source
KR100700993B1 (ko) 1999-12-03 2007-03-30 크리, 인코포레이티드 향상된 광 적출 구조체를 갖는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100817786B1 (ko) 1999-12-09 2008-03-31 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 발광 다이오드 광 소스를 병합하는 디스플레이 시스템
US6885035B2 (en) 1999-12-22 2005-04-26 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-chip semiconductor LED assembly
TW480744B (en) 2000-03-14 2002-03-21 Lumileds Lighting Bv Light-emitting diode, lighting device and method of manufacturing same
EP1134300A3 (en) 2000-03-17 2002-05-22 Hitachi Metals, Ltd. Fe-Ni alloy
US6522065B1 (en) 2000-03-27 2003-02-18 General Electric Company Single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV led device
US6538371B1 (en) 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
US6394621B1 (en) 2000-03-30 2002-05-28 Hanewinkel, Iii William Henry Latching switch for compact flashlight providing an easy means for changing the power source
JP2001307506A (ja) 2000-04-17 2001-11-02 Hitachi Ltd 白色発光装置および照明器具
US6603258B1 (en) 2000-04-24 2003-08-05 Lumileds Lighting, U.S. Llc Light emitting diode device that emits white light
TW528169U (en) 2000-05-04 2003-04-11 Koninkl Philips Electronics Nv Assembly of a display device and an illumination system
US6187735B1 (en) * 2000-05-05 2001-02-13 Colgate-Palmolive Co Light duty liquid detergent
US6501100B1 (en) 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
US6504179B1 (en) 2000-05-29 2003-01-07 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elektrische Gluhlampen Mbh Led-based white-emitting illumination unit
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP4386693B2 (ja) 2000-05-31 2009-12-16 パナソニック株式会社 Ｌｅｄランプおよびランプユニット
US6737801B2 (en) 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
US6636003B2 (en) 2000-09-06 2003-10-21 Spectrum Kinetics Apparatus and method for adjusting the color temperature of white semiconduct or light emitters
JP3609709B2 (ja) 2000-09-29 2005-01-12 株式会社シチズン電子 発光ダイオード
US6642666B1 (en) 2000-10-20 2003-11-04 Gelcore Company Method and device to emulate a railway searchlight signal with light emitting diodes
JP2002150821A (ja) 2000-11-06 2002-05-24 Citizen Electronics Co Ltd 面状光源
US6441558B1 (en) 2000-12-07 2002-08-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. White LED luminary light control system
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US20020087532A1 (en) 2000-12-29 2002-07-04 Steven Barritz Cooperative, interactive, heuristic system for the creation and ongoing modification of categorization systems
US6624350B2 (en) 2001-01-18 2003-09-23 Arise Technologies Corporation Solar power management system
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6547249B2 (en) 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
TW546624B (en) 2001-03-30 2003-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Display device
US6685852B2 (en) 2001-04-27 2004-02-03 General Electric Company Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
US6616862B2 (en) 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
JP3940596B2 (ja) 2001-05-24 2007-07-04 松下電器産業株式会社 照明光源
EP1263058B1 (en) 2001-05-29 2012-04-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting element
US6958497B2 (en) 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
US7714824B2 (en) 2001-06-11 2010-05-11 Genoa Color Technologies Ltd. Multi-primary display with spectrally adapted back-illumination
US6578986B2 (en) 2001-06-29 2003-06-17 Permlight Products, Inc. Modular mounting arrangement and method for light emitting diodes
US20030030063A1 (en) 2001-07-27 2003-02-13 Krzysztof Sosniak Mixed color leds for auto vanity mirrors and other applications where color differentiation is critical
DE10137042A1 (de) 2001-07-31 2003-02-20 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Planare Lichtquelle auf LED-Basis
US20040264193A1 (en) 2001-08-23 2004-12-30 Yukiyasu Okumura Color temperature-regulable led light
JP3749243B2 (ja) 2001-09-03 2006-02-22 松下電器産業株式会社 半導体発光デバイス，発光装置及び半導体発光デバイスの製造方法
JP2003161912A (ja) 2001-09-13 2003-06-06 Hit Design:Kk ３次元画像表示装置および３次元画像表示における色再現方法
US7858403B2 (en) 2001-10-31 2010-12-28 Cree, Inc. Methods and systems for fabricating broad spectrum light emitting devices
TW574523B (en) 2001-11-23 2004-02-01 Ind Tech Res Inst Color filter of liquid crystal display
WO2003048635A1 (en) 2001-12-07 2003-06-12 Lumileds Lighting U.S., Llc Compact lighting system and display device
JP2006504116A (ja) 2001-12-14 2006-02-02 ディジタル・オプティクス・インターナショナル・コーポレイション 均一照明システム
US6552495B1 (en) 2001-12-19 2003-04-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Adaptive control system and method with spatial uniform color metric for RGB LED based white light illumination
US6851834B2 (en) 2001-12-21 2005-02-08 Joseph A. Leysath Light emitting diode lamp having parabolic reflector and diffuser
WO2003058587A2 (en) 2002-01-07 2003-07-17 Genoa Technologies Ltd. Electronic color display for soft proofing
US6635503B2 (en) 2002-01-28 2003-10-21 Cree, Inc. Cluster packaging of light emitting diodes
US7093958B2 (en) 2002-04-09 2006-08-22 Osram Sylvania Inc. LED light source assembly
US7172328B2 (en) 2002-04-25 2007-02-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Compact lighting system and display device
TW546854B (en) 2002-05-21 2003-08-11 Harvatek Corp White light emitting device
US20030222268A1 (en) 2002-05-31 2003-12-04 Yocom Perry Niel Light sources having a continuous broad emission wavelength and phosphor compositions useful therefor
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
JP4211304B2 (ja) 2002-07-11 2009-01-21 株式会社豊田自動織機 透過型液晶表示装置
US8100552B2 (en) 2002-07-12 2012-01-24 Yechezkal Evan Spero Multiple light-source illuminating system
JP2004055772A (ja) 2002-07-18 2004-02-19 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
US20040021299A1 (en) * 2002-08-02 2004-02-05 Tsai Ruey Yun Folding device for wheelchair
JP4360788B2 (ja) 2002-08-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 液晶表示板用のバックライト及びそれに用いる発光ダイオードの製造方法
EP2149906A3 (en) 2002-08-29 2014-05-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device having light-emitting diodes
US7768189B2 (en) 2004-08-02 2010-08-03 Lumination Llc White LEDs with tunable CRI
JP4349782B2 (ja) 2002-09-11 2009-10-21 東芝ライテック株式会社 Ｌｅｄ照明装置
AU2003276867A1 (en) 2002-09-19 2004-04-08 Cree, Inc. Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor
US7009199B2 (en) 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
US7213942B2 (en) 2002-10-24 2007-05-08 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US6957899B2 (en) 2002-10-24 2005-10-25 Hongxing Jiang Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US6880954B2 (en) 2002-11-08 2005-04-19 Smd Software, Inc. High intensity photocuring system
JP2004253364A (ja) 2003-01-27 2004-09-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置
US7042020B2 (en) 2003-02-14 2006-05-09 Cree, Inc. Light emitting device incorporating a luminescent material
US6936857B2 (en) 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
JP2004253309A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Nichia Chem Ind Ltd 演色性を備えた特殊用途ｌｅｄ照明
US20040218387A1 (en) 2003-03-18 2004-11-04 Robert Gerlach LED lighting arrays, fixtures and systems and method for determining human color perception
TWI282022B (en) 2003-03-31 2007-06-01 Sharp Kk Surface lighting device and liquid crystal display device using the same
US6964507B2 (en) 2003-04-25 2005-11-15 Everbrite, Llc Sign illumination system
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
JP2004356116A (ja) 2003-05-26 2004-12-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2004354717A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Seiko Epson Corp 表示装置および投射型表示装置
KR20040103997A (ko) 2003-06-02 2004-12-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널과 그 구동방법 및 장치
US7268370B2 (en) 2003-06-05 2007-09-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor, semiconductor light emitting device, and fabrication method thereof
JP4399663B2 (ja) 2003-06-06 2010-01-20 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ照明装置
JP2005005482A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ発光装置及びそれを用いたカラー表示装置
WO2005004202A2 (en) 2003-06-24 2005-01-13 Gelcore Llc Full spectrum phosphor blends for white light generation with led chips
KR101001040B1 (ko) 2003-06-30 2010-12-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시모듈과 그의 구동장치
US20050006659A1 (en) 2003-07-09 2005-01-13 Ng Kee Yean Light emitting diode utilizing a discrete wavelength-converting layer for color conversion
WO2005013365A2 (en) 2003-07-30 2005-02-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, and lighting apparatus
DE10335077A1 (de) 2003-07-31 2005-03-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul
US20050133808A1 (en) 2003-09-11 2005-06-23 Kyocera Corporation Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
US7329024B2 (en) 2003-09-22 2008-02-12 Permlight Products, Inc. Lighting apparatus
JP2005101296A (ja) 2003-09-25 2005-04-14 Osram-Melco Ltd 可変色発光ダイオード素子及び可変色発光ダイオードモジュール及び可変色発光ダイオード照明器具
JP2005116363A (ja) 2003-10-08 2005-04-28 Pioneer Plasma Display Corp プラズマディスプレイパネル
US7102172B2 (en) 2003-10-09 2006-09-05 Permlight Products, Inc. LED luminaire
JP4458804B2 (ja) 2003-10-17 2010-04-28 シチズン電子株式会社 白色ｌｅｄ
US6841804B1 (en) 2003-10-27 2005-01-11 Formosa Epitaxy Incorporation Device of white light-emitting diode
JP2005142311A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Tzu-Chi Cheng 発光装置
JP2005144679A (ja) 2003-11-11 2005-06-09 Roland Dg Corp インクジェットプリンタ
US7291529B2 (en) 2003-11-12 2007-11-06 Cree, Inc. Methods of processing semiconductor wafer backsides having light emitting devices (LEDs) thereon
KR100669408B1 (ko) 2003-11-24 2007-01-15 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
TWI263356B (en) 2003-11-27 2006-10-01 Kuen-Juei Li Light-emitting device
US20050116635A1 (en) 2003-12-02 2005-06-02 Walson James E. Multiple LED source and method for assembling same
US7095056B2 (en) 2003-12-10 2006-08-22 Sensor Electronic Technology, Inc. White light emitting device and method
US7066623B2 (en) 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
US7250715B2 (en) 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
EP1571715A1 (en) 2004-03-04 2005-09-07 Nan Ya Plastics Corporation Method for producing white light emission by means of secondary light exitation and its product
US7009343B2 (en) 2004-03-11 2006-03-07 Kevin Len Li Lim System and method for producing white light using LEDs
US7256557B2 (en) 2004-03-11 2007-08-14 Avago Technologies General Ip(Singapore) Pte. Ltd. System and method for producing white light using a combination of phosphor-converted white LEDs and non-phosphor-converted color LEDs
US7083302B2 (en) 2004-03-24 2006-08-01 J. S. Technology Co., Ltd. White light LED assembly
US7202181B2 (en) 2004-03-26 2007-04-10 Cres, Inc. Etching of substrates of light emitting devices
US7419912B2 (en) 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
JP3983793B2 (ja) 2004-04-19 2007-09-26 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明光源の製造方法およびｌｅｄ照明光源
US20050243556A1 (en) 2004-04-30 2005-11-03 Manuel Lynch Lighting system and method
US8188503B2 (en) 2004-05-10 2012-05-29 Permlight Products, Inc. Cuttable illuminated panel
US7278760B2 (en) 2004-05-24 2007-10-09 Osram Opto Semiconductor Gmbh Light-emitting electronic component
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
WO2005124877A2 (en) 2004-06-18 2005-12-29 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Led with improve light emittance profile
TWI274209B (en) 2004-07-16 2007-02-21 Chi Lin Technology Co Ltd Light emitting diode and backlight module having light emitting diode
US7118262B2 (en) 2004-07-23 2006-10-10 Cree, Inc. Reflective optical elements for semiconductor light emitting devices
US20060181192A1 (en) 2004-08-02 2006-08-17 Gelcore White LEDs with tailorable color temperature
US7453195B2 (en) 2004-08-02 2008-11-18 Lumination Llc White lamps with enhanced color contrast
US7135664B2 (en) 2004-09-08 2006-11-14 Emteq Lighting and Cabin Systems, Inc. Method of adjusting multiple light sources to compensate for variation in light output that occurs with time
KR100524098B1 (ko) 2004-09-10 2005-10-26 럭스피아 주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
JP2006086469A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US7737459B2 (en) 2004-09-22 2010-06-15 Cree, Inc. High output group III nitride light emitting diodes
US7372198B2 (en) 2004-09-23 2008-05-13 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor
US20060067073A1 (en) 2004-09-30 2006-03-30 Chu-Chi Ting White led device
JP4959127B2 (ja) 2004-10-29 2012-06-20 三菱重工業株式会社 光電変換装置及び光電変換装置用基板
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7344902B2 (en) 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US20060113548A1 (en) 2004-11-29 2006-06-01 Ching-Chung Chen Light emitting diode
EP1825515B1 (en) 2004-12-06 2015-11-25 Koninklijke Philips N.V. Single chip led as compact color variable light source
US20060124953A1 (en) 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US8288942B2 (en) 2004-12-28 2012-10-16 Cree, Inc. High efficacy white LED
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US7195944B2 (en) 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
US7341878B2 (en) 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7358954B2 (en) 2005-04-04 2008-04-15 Cree, Inc. Synchronized light emitting diode backlighting systems and methods for displays
WO2006118785A2 (en) 2005-04-29 2006-11-09 Emissive Energy Corporation Iris diffuser for adjusting light beam properties
TWI389337B (zh) 2005-05-12 2013-03-11 Panasonic Corp 發光裝置與使用其之顯示裝置及照明裝置，以及發光裝置之製造方法
US7918591B2 (en) 2005-05-13 2011-04-05 Permlight Products, Inc. LED-based luminaire
TW200704283A (en) 2005-05-27 2007-01-16 Lamina Ceramics Inc Solid state LED bridge rectifier light engine
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
TW200717866A (en) 2005-07-29 2007-05-01 Toshiba Kk Semiconductor light emitting device
JP2007067326A (ja) 2005-09-02 2007-03-15 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2007122950A (ja) 2005-10-26 2007-05-17 Fujikura Ltd 照明装置
US7718449B2 (en) 2005-10-28 2010-05-18 Lumination Llc Wafer level package for very small footprint and low profile white LED devices
KR101361883B1 (ko) 2005-11-18 2014-02-12 크리 인코포레이티드 고상 발광 타일들
JP2007141737A (ja) 2005-11-21 2007-06-07 Sharp Corp 照明装置、液晶表示装置、照明装置の制御方法、照明装置制御プログラム、および記録媒体
US8112921B2 (en) 2005-12-21 2012-02-14 Cree, Inc. Sign and method for lighting
EP1963740A4 (en) 2005-12-21 2009-04-29 Cree Led Lighting Solutions LIGHTING DEVICE AND LIGHTING METHOD
US7213940B1 (en) 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
TWI421438B (zh) 2005-12-21 2014-01-01 克里公司 照明裝置
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
WO2007084640A2 (en) 2006-01-20 2007-07-26 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
EP1977630A4 (en) 2006-01-25 2012-02-15 Cree Inc CIRCUIT FOR LIGHTING DEVICE AND METHOD OF LIGHTING
JP4931628B2 (ja) 2006-03-09 2012-05-16 セイコーインスツル株式会社 照明装置及びこれを備える表示装置
TWI336013B (en) * 2006-04-04 2011-01-11 Wintek Corp Color liquid crystal display
EP2052589A4 (en) 2006-04-18 2012-09-19 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
KR101517244B1 (ko) 2006-04-20 2015-05-04 크리, 인코포레이티드 조명 기기 및 조명 방법
US7648257B2 (en) 2006-04-21 2010-01-19 Cree, Inc. Light emitting diode packages
US7625103B2 (en) 2006-04-21 2009-12-01 Cree, Inc. Multiple thermal path packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods
US7777166B2 (en) 2006-04-21 2010-08-17 Cree, Inc. Solid state luminaires for general illumination including closed loop feedback control
CN101449100B (zh) 2006-05-05 2012-06-27 科锐公司 照明装置
EP2027602A4 (en) 2006-05-23 2012-11-28 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD OF MAKING
US8033692B2 (en) 2006-05-23 2011-10-11 Cree, Inc. Lighting device
JP2009538536A (ja) 2006-05-26 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 固体発光デバイス、および、それを製造する方法
US7969097B2 (en) 2006-05-31 2011-06-28 Cree, Inc. Lighting device with color control, and method of lighting
EP2029936B1 (en) 2006-05-31 2015-07-29 Cree, Inc. Lighting device and method of lighting
EP2033278B1 (en) 2006-05-31 2019-04-10 Cree, Inc. Lighting device and method of lighting
US20080074583A1 (en) * 2006-07-06 2008-03-27 Intematix Corporation Photo-luminescence color liquid crystal display
CN101554089A (zh) 2006-08-23 2009-10-07 科锐Led照明科技公司 照明装置和照明方法
TWI514715B (zh) 2006-09-13 2015-12-21 Cree Inc 用於提供電力至負載之電源供應器及電路
JP5036819B2 (ja) 2006-09-18 2012-09-26 クリー インコーポレイテッド 照明装置、照明アセンブリー、取付体、および、これらを用いる方法
TW200837308A (en) 2006-09-21 2008-09-16 Led Lighting Fixtures Inc Lighting assemblies, methods of installing same, and methods of replacing lights
EP2074665A2 (en) 2006-10-12 2009-07-01 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making same
CN102937275B (zh) 2006-10-23 2015-07-29 科锐公司 照明装置和照明装置中光引擎壳体的安装方法
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
TWI496315B (zh) 2006-11-13 2015-08-11 Cree Inc 照明裝置、被照明的殼體及照明方法
CN101622492B (zh) 2006-11-14 2013-01-30 科锐公司 照明组件和用于照明组件的部件
WO2008061082A1 (en) 2006-11-14 2008-05-22 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Light engine assemblies
US7901111B2 (en) 2006-11-30 2011-03-08 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8096670B2 (en) 2006-11-30 2012-01-17 Cree, Inc. Light fixtures, lighting devices, and components for the same
KR101446366B1 (ko) 2006-12-07 2014-10-02 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 조명 방법
JP2010517274A (ja) 2007-01-22 2010-05-20 クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド 外部で相互接続された発光素子のアレイを用いる照明デバイスとその製造方法
JP2010517273A (ja) 2007-01-22 2010-05-20 クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド フォールト・トレラント発光体、フォールト・トレラント発光体を含むシステムおよびフォールト・トレラント発光体を作製する方法
US8258682B2 (en) 2007-02-12 2012-09-04 Cree, Inc. High thermal conductivity packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods
US7815341B2 (en) 2007-02-14 2010-10-19 Permlight Products, Inc. Strip illumination device
US8506114B2 (en) 2007-02-22 2013-08-13 Cree, Inc. Lighting devices, methods of lighting, light filters and methods of filtering light
US7824070B2 (en) 2007-03-22 2010-11-02 Cree, Inc. LED lighting fixture
US7967480B2 (en) 2007-05-03 2011-06-28 Cree, Inc. Lighting fixture
WO2008137905A1 (en) 2007-05-07 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Light fixtures and lighting devices
WO2008137976A1 (en) 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
EP2458262B1 (en) 2007-05-08 2019-01-23 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2008137974A1 (en) 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
TWI587742B (zh) 2007-05-08 2017-06-11 克里公司 照明裝置及照明方法
JP2010527155A (ja) 2007-05-08 2010-08-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
US7901107B2 (en) 2007-05-08 2011-03-08 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7494246B2 (en) * 2007-06-06 2009-02-24 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Thin luminaire for general lighting applications
US8042971B2 (en) 2007-06-27 2011-10-25 Cree, Inc. Light emitting device (LED) lighting systems for emitting light in multiple directions and related methods
US8783887B2 (en) 2007-10-01 2014-07-22 Intematix Corporation Color tunable light emitting device
US7915627B2 (en) 2007-10-17 2011-03-29 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
KR101525274B1 (ko) 2007-10-26 2015-06-02 크리, 인코포레이티드 하나 이상의 루미퍼를 갖는 조명 장치, 및 이의 제조 방법
US8567974B2 (en) 2008-02-27 2013-10-29 Koninklijke Philips N.V. Illumination device with LED and one or more transmissive windows
JP5307881B2 (ja) 2008-03-26 2013-10-02 パナソニック株式会社 半導体発光装置
US8262257B2 (en) 2008-05-07 2012-09-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination device with LED with a self-supporting grid containing luminescent material and method of making the self-supporting grid
US7868340B2 (en) 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
US20100127289A1 (en) 2008-11-26 2010-05-27 Bridgelux, Inc. Method and Apparatus for Providing LED Package with Controlled Color Temperature

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010141356A1 (en) 2010-12-09
US8921876B2 (en) 2014-12-30
US20100301360A1 (en) 2010-12-02
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