KR20120035169A - 도파로 조성물 및 그로부터 형성된 도파로 - Google Patents

도파로 조성물 및 그로부터 형성된 도파로 Download PDF

Info

Publication number
KR20120035169A
KR20120035169A KR1020120008050A KR20120008050A KR20120035169A KR 20120035169 A KR20120035169 A KR 20120035169A KR 1020120008050 A KR1020120008050 A KR 1020120008050A KR 20120008050 A KR20120008050 A KR 20120008050A KR 20120035169 A KR20120035169 A KR 20120035169A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
composition
waveguide
polymer
weight
present
Prior art date
Application number
KR1020120008050A
Other languages
English (en)
Inventor
제임스 지. 셸넛
니콜라 푸글리아노
매튜 엘. 모이니헌
하이 빈 젱
다니엘 이. 런디
나탄 파프로프스키
Original Assignee
롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. filed Critical 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨.
Publication of KR20120035169A publication Critical patent/KR20120035169A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1221—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths made from organic materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • G02B1/045—Light guides
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/138—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using polymerisation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12035—Materials
    • G02B2006/12069—Organic material

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

가요성 광 도파로(flexible optical waveguide)를 형성하는데 사용하기에 적합한 조성물이 제공된다. 조성물은 식 (RSiO1.5)(여기에서, R은 치환되거나 비치환된 유기 그룹이다)의 단위 및 다수의 작용 말단기를 가지는 폴리머를 포함한다. 제 1 성분은 활성화시 건조 상태의 조성물의 용해도를 변경시키기 위하여 제공된다. 제 2 성분은 하이드록시, 아미노, 티올, 설포네이트 에스테르, 카복실레이트 에스테르, 실릴 에스테르, 언하이드라이드, 아지리딘, 메틸올메틸, 실릴 에테르 및 이들의 조합중에서 선택된 다수의 작용기를 함유한다. 제 2 성분은 활성화 전 후에 건조 상태의 조성물의 가요성을 향상시키기에 유효한 양으로 존재한다. 또한, 가요성 광 도파로, 그의 형성 방법 및 그를 함유하는 전자장비가 제공된다.

Description

도파로 조성물 및 그로부터 형성된 도파로{Waveguide compositions and waveguides formed therefrom}
관련 출원 참조
본 출원은 그의 전체내용이 본 원에 참고로 인용되는 2003년 11월 25일 출원된 미국 가출원 제 60/524,820호의 35 U.S.C. §119(e)에 의거한 이점을 청구한다.
발명의 배경
본 발명은 일반적으로 광 도파로(optical waveguide) 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 가요성 광 도파로를 형성하는데 사용하기에 적합한 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 가요성 광 도파로의 형성 방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 가요성 광 도파로 및 이러한 광 도파로를 포함하는 전자장비에 관한 것이다.
고속 통신에 있어서 광의 펄스 시퀀스(pulse sequence)를 이용한 신호 전달이 점점 더 중요해지고 있다. 예를 들어, 광 집적회로(optical integrated circuit)(OIC)가 고 밴드폭 광 연결을 위해 중요성을 더해 가고 있다. 그 결과, 도파로, 필터, 광 인터커넥터, 렌즈, 회절 격자 등과 같은 광 소자 통합이 점점 더 중요해 지고 있다.
광 도파로는 전형적으로 코어 물질을 클래딩 층(cladding layer)으로 에워 쌈으로써 구성된다. 클래드 층은 코어 물질 보다 굴절률(index of refraction)이 작기 때문에 광선은 코어 물질내로 전파된다. 도파로는 개별적으로 또는 기판상에 담지된 어레이(array)로서 사용될 수 있다. 도파로는 종종 광선에 수동적으로 작용한다. 예를 들어, 스플리터(splitter)는 하나의 도파로에서의 광 신호를 둘 이상의 도파로로 분할하며; 커플러(coupler)는 둘 이상의 도파로로부터의 광 신호를 보다 적은 수의 도파로로 합치며; 파장 분할 다중화("WDM", wavelength division multiplexing) 구조는 통상적으로 페이즈 어레이 디자인(phase array design) 또는 그레이팅(grating)을 사용하여 입력 광 신호를 스펙트럼적으로 분리된 출력 신호(이들은 각각 쌍을 이루어 도파로를 분리한다)로 분리한다. 스펙트럼 필터, 편광기 및 아이솔레이터(isolator)가 도파로 디자인에 내입될 수 있다. 또한, 도파로는 택일적으로 능동적인 기능(active functionality)을 가질 수 있으며, 이때 입력 신호는 이차 광 또는 전기 신호와의 상호작용에 의해 변경된다. 예시적인 활동적 기능으로 전기-광학, 열-광학 또는 음파-광학 장비에서와 같이 증폭 및 스위칭 기능이 포함된다.
도파로 기판은, 예를 들어 실리콘 웨이퍼 및 서버 장비용 회로 후면을 포함한다. 코어 및/또는 클래딩 재료에서 크랙 결함없이 도파로를 취급하는 능력이 요망된다. 크래킹 성질은 일반적으로 코팅 물질이 부서져서 생긴다. 폴리이미드와 같은 많은 유기 폴리머-기제 도파로는 가요성이나, 수분 흡수, 높은 손실 및 비용 등의 다른 결점을 갖는다. 유기 폴리머 시스템의 각종 결점에 역점을 둔 실리콘-기제 시스템은 보통 부서지며 취급시 크랙 결함을 초래한다.
코팅 부분이 유기 용매에 용해되어 목적하는 구조를 생성하는 광이미지성 도파로 코어가 제안되었다. 이 기술은 폐기물 처치가 곤란하고/하거나 밀폐 환경에 담겨지는 유기 용매를 사용하는 결점이 있다. 따라서, 광이미지성 코팅으로부터 도파로 구조를 형성하기 위해 수성 현상액을 사용하는 것이 요망된다.
마이크로회로 응용을 위해, 특히 기공 생성 조성물에 있어서 층간 유전체 코팅에서의 부서짐에 역점을 둔 하이브리드 실리콘-탄소 폴리머 시스템이 제안되었다. Chandross 등에 의한 미국 특허 제 6,251,486호는 저 유전체 물질로 사용하기 위한 개선된 메틸실세스퀴옥산 조성물을 개시하였다. 이 메틸실세스퀴옥산은 모든 메틸실세스퀴옥산 보다 크랙 내성이 더 좋도록 디메틸 및 페닐 펜던트 그룹을 포함한다. 즉, 코팅전 폴리머에 펜던트 그룹을 함침시켜 코팅 제품에 크랙 내성을 이루었다. 펜던트 그룹 및 양의 선택은 제한적이다.
따라서, 코팅되는 조성물에 폴리머와 상이한 성분을 사용하여 적합한 물질의 선택 및 양을 증가시킴으로써 가요성을 향상시키는 것이 바람직하다. 따라서, 당업계에서는 유리한 가요성을 제공함과 동시에 수성 현상액에서 현상되는, 광 도파로를 제조하는데 사용하기에 적합한 조성물이 요망된다. 또한 당업계에서는 이들 조성물로부터 형성된 도파로, 그 제조방법 및 이들을 포함하는 전자장비가 요망된다.
본 발명의 한 측면으로, 가요성 광 도파로를 제조하는데 사용하기에 적합한 조성물이 제공된다. 이 조성물은 식 (RSiO1.5)(여기에서, R은 치환되고/되거나 비치환된 유기 그룹이다)의 단위 및 다수의 작용 말단기를 가지는 폴리머; 활성화시 건조 상태의 조성물의 용해도를 변경시키기 위한 제 1 성분; 및 하이드록시, 아미노, 티올, 설포네이트 에스테르, 카복실레이트 에스테르, 실릴 에스테르, 언하이드라이드, 아지리딘, 메틸올메틸, 실릴 에테르 및 이들의 조합중에서 선택된 다수의 작용기를 함유하는 제 2 성분을 포함한다. 제 2 성분은 활성화 전 후에 건조 상태의 조성물의 가요성을 향상시키기에 유효한 양으로 존재한다. 건조 상태의 조성물의 용해도는 성분의 활성화시에 조성물이 현상액에 현상될 수 있도록 변경될 수 있다.
본 발명의 제 2 측면으로, 가요성 광 도파로가 제공된다. 이 도파로는 코어 및 클래드를 포함하며, 여기에서 코어 및/또는 클래드는 식 (RSiO1.5)(여기에서, R은 치환되고/되거나 비치환된 유기 그룹이다)의 단위 및 다수의 작용 말단기를 가지는 폴리머; 활성화시 건조 상태의 조성물의 용해도를 변경시키기 위한 제 1 성분; 및 하이드록시, 아미노, 티올, 설포네이트 에스테르, 카복실레이트 에스테르, 실릴 에스테르, 언하이드라이드, 아지리딘, 메틸올메틸, 실릴 에테르 및 이들의 조합중에서 선택된 다수의 작용기를 함유하는 제 2 성분을 포함하는 조성물로부터 형성된다. 제 2 성분은 활성화 전 후에 건조 상태의 조성물의 가요성을 향상시키기에 유효한 양으로 존재한다. 건조 상태의 조성물의 용해도는 성분의 활성화시에 조성물이 현상액에 현상될 수 있도록 변경될 수 있다.
본 발명의 제 3 측면으로, 상술된 가요성 광 도파로를 포함하는 전자장비가 제공된다.
본 발명의 제 4 측면으로, 가요성 광 도파로의 형성 방법이 제공된다. 이 방법은
(a) 식 (RSiO1.5)(여기에서, R은 치환되고/되거나 비치환된 유기 그룹이다)의 단위 및 다수의 작용 말단기를 가지는 폴리머;
활성화시 건조 상태의 조성물의 용해도를 변경시키기 위한 제 1 성분; 및
하이드록시, 아미노, 티올, 설포네이트 에스테르, 카복실레이트 에스테르, 실릴 에스테르, 언하이드라이드, 아지리딘, 메틸올메틸, 실릴 에테르 및 이들의 조합중에서 선택된 다수의 작용기를 함유하며 활성화 전 후에 건조 상태의 조성물의 가요성을 향상시키기에 유효한 양으로 존재하는 제 2 성분을 포함하며,
성분의 활성화시에 건조 상태의 조성물의 용해도가 조성물이 현상액에 현상되도록 변경가능한 조성물층을 기판상에 형성하고;
(b) 코어 또는 클래드층의 적어도 일부를 활성화시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 유리한 가요성을 제공함과 동시에 수성 현상액에서 현상되는, 광 도파로를 제조하는데 사용하기에 적합한 조성물, 및 이를 이용한 가요성 광 도파로의 형성 방법, 가요성 광 도파로 및 이러한 광 도파로를 포함하는 전자 장비가 제공된다.
도 1(a) 내지 (e)는 본 발명의 한 측면에 따른 여러 형성단계에서의 광 도파로의 횡단면을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 한 측면에 따른 예시적인 전자장비를 나타낸다.
발명의 상세한 설명
본 발명은 가요성 광 도파로를 형성하는데 사용하기에 적합한 조성물을 제공한다. 달리 특별한 언급이 없으면, 조성물 성분의 양은 용매를 함유하지 않는 조성물에 기초한 중량%로 주어진다. 본 원에 사용된 용어 "폴리머"는 올리고머, 다이머, 트리머, 테트라머 등을 포함하며, 호모폴리머 및 고차 폴리머, 즉 2 이상의 상이한 모노머 단위로부터 형성된 폴리머, 및 헤테로폴리머 모두를 포괄한다. 용어 "알킬"은 치환되거나 비치환된 선형, 측쇄 및 사이클로알킬 그룹을 의미하며 사슬내 또는 사슬상에 헤테로 원자를 포함할 수 있다. 용어 "방향족"은 치환되거나 비치환된 방향족 그룹을 의미하며, 헤테로사이클을 포함할 수 있다. 용어들에는 하나 이상이라는 개념이 내포되어 있다.
용어 "건조 상태" 라는 것은 용매를 전체 조성물에 대해 10 중량% 이하로 함유하는 조성물을 의미한다. 용어 "건조 상태의 조성물의 용해도가 변경될 수 있다"는 것은 조성물의 용해도가 10 중량% 이하 범위의 임의의(반드시 언제나 라고는 할 수 없다) 용매 함량으로 변경될 수 있음을 의미한다.
용어 "수성 현상액에서 현상가능하다는" 것은 네거티브-작용성(negative-working) 물질의 경우, 조성물이 (i) 실리콘 웨이퍼상에 건조 상태로 8 ㎛ 두께로 코팅된 후, (ii) 70 내지 180 ℉(21 내지 82.2 ℃)의 온도에서 2N NaOH 현상액, 2N KOH 현상액 또는 2N TMAH 현상액, 또는 그의 1N 용액, 또는 그의 0.7N 용액, 또는 그의 0.26N 용액에 놓여져 정전(static) 현상 또는 40 psi 충격(impinging) 스프레이로 스프레이 현상되는 경우, 10 분 이내, 또는 2 분 이내, 또는 1 분 이내, 또는 심지어 30 초 이내에 완전히 용해됨을 의미한다. 조성물은 추가로 또는 택일적으로 유기 용매에서 현상될 수 있다.
용어 "가요적" 또는 "가요성" 이라는 것은 설명된 광 도파로에 관한 경우, 구리 포일상에 코팅되는 건조 상태의 조성물이 크래킹(cracking) 또는 크레이징(crazing) 없이 원추형 Mandrel 바를 둘러싸 구부러지는 능력을 의미한다. 원추형 Mandrel 시험의 세부 사항은 코팅 산업에서 ASTM D522-93a(2001년 재승인)로 예시되어 널리 알려졌다.
조성물은 식 (RSiO1.5)(여기에서, R은 치환되거나 비치환된 유기 그룹이다)의 중합 단위를 가지는 폴리머를 포함하며, 폴리머는 다수의 작용 말단기를 가진다. 조성물은 추가로 활성화시 조성물의 용해도를 변경시키기 위한 성분들을 포함한다. 조성물은 또한 하이드록시, 아미노, 티올, 설포네이트 에스테르, 카복실레이트 에스테르, 실릴 에스테르, 언하이드라이드, 아지리딘, 메틸올메틸, 실릴 에테르, 및 이들의 조합으로부터 선택된 다수의 작용기를 활성화 전후에 건조 상태의 조성물의 가용성을 향상시키는 양으로 함유하는 성분을 포함한다. 건조상태 조성물의 용해도는 성분의 활성화시에 조성물이 수성 현상액에 현상될 수 있도록 변경될 수 있다.
본 발명에 유용한 폴리머는 예컨대 실록산, 실레스퀴옥산 및 케이지(caged) 실록산 및 이들의 배합물을 포함한다. 폴리머는 조성물중에 1 내지 99.5 중량%, 예를 들어 60 내지 98.5 중량%의 양으로 존재할 수 있다. R에 대한 예시적인 유기 그룹은 치환 및 비치환 알킬, 아릴 및 헤테로사이클릭 그룹을 포함한다. 알킬 그룹은 탄소원자수 1 내지 20의 직쇄, 측쇄 또는 사이클릭일 수 있고, 전형적으로 1 내지 20개의 탄소원자를 가지며, 예컨대 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, t-부틸, t-아밀, 옥틸, 데실, 도데실, 세틸, 스테아릴, 사이클로헥실 및 2-에틸헥실이 있다. 알킬 그룹은 예를 들어 알킬 사슬내 또는 상에서 헤테로 원자에 의해 치환될 수 있거나, 비방향족 사이클릭 그룹, 예컨대 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 노보닐, 아다만틸, 피페리디닐, 테트라하이드로푸라닐 및 테트라하이드로티오페닐 그룹일 수 있다. 예시적인 아릴 그룹은 6 내지 20개, 예를 들어 6 내지 15개의 탄소원자를 가지는 것을 포함하며, 예컨대 페닐, 톨릴, 벤질, 1-나프틸, 2-나프틸 및 2-페난트릴이 있고, 헤테로 원자에 의해 치환될 수 있다. 헤테로사이클릭 그룹은 방향족, 예를 들어 티오펜, 피리딘, 피리미딘, 피롤, 포스폴, 아르솔 및 푸란일 수 있다.
대표적인 R은 치환 및 비치환 메틸, 에틸, 프로필, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 벤질, 페닐, 아다만틸 그룹 및 이들의 배합물이다.
폴리머는 랜덤- 또는 블록-형태의 코폴리머 또는 고차 폴리머의 형태를 취할 수 있다. 폴리머는 예를 들어 각 단위의 비율이 폴리머에 대해 1 내지 85 중량%, 예를 들어 15 내지 80 중량%, 또는 25 내지 60 중량%, 또는 25 내지 50 중량%인 하나 이상의 추가의 실리콘-함유 단위를 포함할 수 있다. 추가의 단위는 예를 들어 실록산, 실세스퀴옥산, 케이지 실록산 및/또는 이들의 배합물로 대표될 수 있다. 예를 들어, 폴리머는 추가로 식 (R1SiO1.5)의 중합 단위(여기에서, R1은 상기 R에 정의된 바와 같은 치환되거나 비치환된 유기 그룹이다)를 포함할 수 있다. R 및 R1 중 하나는 예를 들어 치환되거나 비치환된 알킬 그룹중에서 선택될 수 있고, R 및 R1의 다른 하나는 치환되거나 비치환된 아릴 그룹중에서 선택될 수 있다.
폴리머는 예를 들어 메틸 실세스퀴옥산 단위 및 에틸 실세스퀴옥산 단위를 함유하는 코폴리머와 같은 알킬 실리콘 폴리머; 페닐 실세스퀴옥산 단위 및 트리플루오로메틸페닐-실세스퀴옥산 단위을 함유하는 코폴리머와 같은 아릴 실리콘 폴리머; 또는 메틸 및 페닐 실세스퀴옥산 단위를 함유하는 폴리머와 같은 아르알킬 실리콘 코폴리머일 수 있다.
상술된 바와 같이, 폴리머의 측쇄 그룹은 임의로 치환될 수 있다. "치환된" 이란 측쇄 그룹상의 하나 이상의 수소 원자가 다른 치환체 그룹, 예를 들어 중수소, 불소, 브롬 및 염소와 같은 할로겐, (C1-C6)알킬, (C1-C6)할로알킬, (C1-C10)알콕시, (C1-C10)알킬카보닐, (C1-C10)알콕시카보닐, (C1-C10)알킬카보닐옥시, 알킬아민, 알킬황 함유 물질 등에 의해 대체된 것을 의미한다. 폴리머는 랜덤 또는 블록 형태의 광범위 반복 단위를 함유할 수 있다. 본 발명에 유용한 폴리머 단위는 예를 들어 5 내지 150개, 전형적으로 약 10 내지 35개의 반복 단위를 가질 수 있으며; 본 발명에 유용한 실록산 단위는 예를 들어 5 내지 150개, 전형적으로 약 7 내지 25개의 반복 단위를 가질 수 있다. 따라서, 폴리머의 분자량은 광범위하게 달라질 수 있다. 전형적으로, 폴리머는 약 500 내지 15,000, 보다 전형적으로 약 1,000 내지 10,000, 보다 더 전형적으로 약 1,000 내지 5,000의 중량 평균 분자량(Mw)을 가진다. 수성 현상액에서 본 발명에 따른 조성물의 용해 속도는 분자량 Mw 및 수평균 분자량 Mn이 증가함에 따라 감소한다.
폴리머는 추가로 축합 중합이 일어나도록 하는 2 이상의 작용 말단기를 포함할 수 있다. 이러한 말단 그룹은 예를 들어 하이드록시, 알콕시, 예컨대 에톡시, 프로폭시, 이소프로폭시, 카복시에스테르, 아미노, 아미도, 에폭시, 이미노, 카복시산, 무수물, 올레핀, 아크릴, 아세탈, 오르토에스테르, 비닐 에테르 및 이들의 조합일 수 있다. 이들중에서, 하이드록시 그룹이 전형적이다. 폴리머에서 작용 말단기 함량은 예를 들어 목적하는 가요성-향성 성분의 함침량에 따라 달라질 것이다. 작용 말단기 함량은 예를 들어 폴리머에 대해 약 0.5 내지 35 중량%, 예를 들어 약 1 내지 10 중량%, 또는 약 2 내지 5 중량%일 수 있다.
폴리머는 또한 임의로 하나 이상의 실록산 단위, 예를 들어 페닐 또는 메틸-치환된 실록산을 포함할 수 있다.
개시된 폴리머 물질은 용이하게 입수가능한 출발물질을 사용하여 공지된 방법으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 50:50 메틸-페닐 실리콘 함유 코폴리머는 50 중량% 메틸-트리에톡시-실란 및 50 중량% 페닐-트리에톡시-실란의 축합 반응에 의해 합성될 수 있다.
건조 상태의 조성물의 용해도를 변경시키는 제 1 성분은 현상액에서 조성물의 용해도를 변경시킬 수 있도록 조성물에 존재하는 활성 성분일 수 있다. 네거티브 작용성 물질의 경우, 활성 성분은 노광된 폴리머 조성물 부분의 커플링을 촉매화하여 커플된 부분이 수성 현상액에 불용성이 되도록 하는 것으로 여겨진다. 활성 성분은 전형적으로 활성화시에 산 또는 염기를 방출한다. 포토애시드(photoacid) 발생제, 포토베이스(photobase) 발생제, 서멀애시드(thermal acid) 발생제 및 서멀베이스(thermal base) 발생제를 포함하나, 이에만 한정되지 않는 다양한 활성 성분이 본 발명에 사용될 수 있다. 이들중에서, 포토애시드 및 서멀애시드 발생제, 활성화시에 산을 발생하는 성분이 대표적이다.
본 발명에 유용한 포토애시드 발생제는 광에 노광시 산을 유리하는 임의의 화합물(들)일 수 있다. 적합한 포토애시드 발생제는 공지되었으며, 할로겐화 트리아진, 오늄 염, 설폰화 에스테르, 치환된 하이드록시이미드, 치환된 하이드록시이민, 아지드, 나프토퀴논, 예를 들어 디아조나프토퀴논, 디아조 화합물 및 이들의 배합물을 포함하나 이들로만 한정되지 않는다.
특히 유용한 할로겐화 트리아진으로는 예를 들어 트리할로메틸-s-트리아진과 같은 할로겐화 알킬 트리아진이 포함된다. s-트리아진 화합물은 특정의 트리메틸-할로메틸-s-트리아진과 특정의 알데하이드 또는 알데하이드 유도체의 축합 반응 생성물이다. 이러한 s-트리아진 화합물은 미국 특허 제 3,954,475호 및 Wakabayashi 등에 의한 Bulletin of the Chemical Society of Japan, 42, 2924-30(1969)에 개시된 방법에 따라 제조될 수 있다. 본 발명에 유용한 다른 트리아진 타입의 포토애시드 발생제가 그의 전체내용이 본 원에 참고로 인용되는 미국 특허 제 5,366,846호에 기술되어 있다.
약 친핵성 음이온과의 오늄 염이 본 발명에서 포토애시드 발생제로서 사용하기에 특히 적합하다. 이러한 음이온의 예에는 2 내지 7 가 금속 또는 비-금속(예를 들어 안티몬, 주석, 철, 비스무스, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 티탄, 지르콘, 스칸듐, 크롬, 하프늄, 구리, 붕소, 인 및 비소)의 할로겐 착 음이온이다. 적합한 오늄 염의 예로는 주기율표 VA 및 B 족, IIA 및 B 족 및 I 족의 디아릴-디아조늄 염 및 오늄 염, 예를 들어, 요오도늄과 같은 할로늄 염, 4급 암모늄, 포스포늄 및 아르소늄 염, 방향족 설포늄 염과 같은 설포늄 염, 설폭소늄 염 또는 셀레늄 염이 포함되나 이들로만 한정되지 않는다. 적합한 오늄의 예가, 예를 들어 모두가 본 원에 참고로 포함되는 미국 특허 제 4,442,197호; 4,603,101호 및 4,624,912호에 개시되어 있다. 트리페닐설포늄 헥사플루오로포스페이트와 같은 설포늄 염 및 이들의 혼합물이 바람직하다.
본 발명에서 포토애시드 발생제로서 유용한 설폰화 에스테르에는 설포닐옥시 케톤이 포함된다. 적합한 설폰화 에스테르에는 벤조인 토실레이트, t-부틸페닐 알파-(p-톨루엔설포닐옥시)-아세테이트, 2,6-디니트로벤질 토실레이트 및 t-부틸 알파-(p-톨루엔설포닐옥시)-아세테이트가 포함되나 이들로만 한정되지 않는다. 이러한 설폰화 에스테르가 예를 들어 본원에 참고로 포함되는 문헌[Journal of Photopolymer Science and Technology, vol. 4, No. 3,337-340 (1991)]에 개시되어 있다.
사용될 수 있는 치환된 하이드록시이미드에는 예를 들어 n-트리플루오로메틸설포닐옥시-2,3-디페닐말레이미드 및 2-트리플루오로메틸벤젠설포닐옥시-2,3-디페닐말레이미드가 포함된다. 적합한 치환된 하이드록시이민에는 예를 들어 2-(니트릴로-2-메틸벤질리덴)-(5-하이드록시이미노부틸설포닐)-티오펜이 포함된다. 본 발명에 유용한 아지드는 예를 들어 2,6-(4-아미도벤질리덴)사이클로헥사논을 포함한다. 나프토퀴논은 예를 들어 2,3,4-트리하이드록시벤조페논의 2,1-디아조나프토퀴논-4-설포네이트 에스테르를 포함할 수 있다. 디아조 화합물중에서 1,7-비스(4-클로로설포닐 페닐)-4-디아조-3,5-헵탄디온이 사용될 수 있다.
본 발명에 유용한 포토베이스 발생제는 광에 노광시 염기를 유리하는 임의의 화합물(들)일 수 있다. 적합한 포토베이스 발생제로는 벤질 카바메이트, 벤조인 카바메이트, O-카바모일하이드록시아민, O-카바모일옥심, 방향족 설폰아미드, 알파-락탐, N-(2-알릴에테닐)아미드, 아릴아지드 화합물, N-아릴포름아미드, 4-(오르토-니트로페닐)디하이드로피리딘 및 이들의 배합물이 포함되나 이들로만 한정되지 않는다.
본 발명에 유용한 서멀애시드 발생제는 열 활성화시에 산을 발생하는 임의의 화합물(들)일 수 있다. 열은 대류식 가열과 같은 간접 방법 또는 레이저 가열 기법과 같은 직접 가열 방법에 의해 공급될 수 있다.
적합한 서멀애시드 발생제는 할로겐화 트리아진, 산의 암모늄 염, 오늄 염, 설폰화 에스테르, 치환된 하이드록시이미드, 치환된 하이드록시이민, 아지드, 나프토퀴논, 예를 들어 디아조나프토퀴논, 디아조 화합물 및 이들의 배합물을 포함하나 이들로만 한정되지 않는다.
본 발명에 유용한, 용해도를 변경시키기 위한 성분의 양은, 네거티브 작용성 물질의 경우, 화학 조사선 또는 열에 노출시 커플된 부분이 수성 현상액에 용해되지 않도록 실리콘-함유 폴리머의 커플링을 촉매화하기에 충분한 양이다. 활성 성분은 조성물중에 0.1 내지 25 중량%, 보다 전형적으로 0.1 내지 12 중량%의 양으로 존재한다.
활성화 전후에 건조 상태의 조성물의 가요성을 향상시키기 위한 하나 이상의 성분이 조성물에 존재한다. 이들 가요성-향상 물질은 하이드록시, 아미노, 티올, 설포네이트 에스테르, 카복실레이트 에스테르, 실릴 에스테르, 언하이드라이드, 아지리딘, 메틸올메틸, 실릴 에테르 및 이들의 조합중에서 선택된 다수의 작용기를 함유한다. 가요성-향상 물질에서, 작용기는 백본 물질에 부착된다. 예시적인 백본 물질은 치환 및 비치환 알킬 및 아릴 탄화수소, 에테르, 아크릴레이트, 노볼락, 폴리이미드, 폴리우레탄, 폴리에스테르, 폴리설폰, 폴리케톤, 풀러렌, POSS 실리콘, 나노입자 및 이들의 조합을 포함한다. 작용기는 백본상에 및/또는 백본을 따라 하나 이상의 위치에 말단기로 존재할 수 있다.
이론에 결부됨이 없이, 작용화 성분은 폴리머와 섞여 코팅의 부스러짐에 관련된 결정성을 저지하는 것으로 여겨진다. 활성화 단계시에, 말단상 또는 백본을 통한 작용기는 폴리머의 작용 말단기와 반응하여 조성물의 활성화 부분에 가요화 링크를 야기한다.
가요화 성분의 예에는 식 R2(OH)x(여기에서, R2는 치환되거나 비치환된 (C2-C25)알킬, (C7-C25)아릴, (C8-C25)아르알킬, (C6-C25)사이클로알킬 및 이들의 조합중에서 선택된 유기 그룹이고, x는 2 이상이나 탄소원자수보다 크지 않다)의 폴리올이 있다. x가 2인 경우, 가요화 성분의 예에는 HO-CH2-CHOH-(CH2)Y-CH3(여기에서, y는 예를 들어 0 내지 22일 수 있다)와 같은 1,2-디올인 폴리올, 예컨대 프로필렌 글리콜 및 부틸렌 글리콜이 포함된다. 다른 예는 HO-(CH2)z-OH(여기에서, z는 예를 들어 2 내지 25이다)와 같은 α,ω-디올, 예컨대 에틸렌 글리콜, 1,3-프로판디올 및 1,4-부탄디올을 포함한다. x가 3인 경우, 가요화 성분의 예에는 글리세린 및 트리메틸올프로판이 포함된다.
R는 또한 식 -O-(CR3 2)w(여기에서, w는 예를 들어 1 내지 13이고, R3는 동일하거나 상이하며 예를 들어 H, 또는 식 C1-C12 알킬, 아릴, 아르알킬 또는 사이클로알킬의 치환 또는 비치환 유기 그룹일 수 있다)의 폴리에테르일 수 있다. 가요화 성분의 예에는 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리프로필렌 옥사이드, 폴리부틸렌 옥사이드 및 폴리테트라하이드로푸란의 폴리에테르 디올이 포함된다.
가요성-향상 성분은 중량 평균 분자량이 예를 들어 62 내지 5,000, 예를 들어 62 내지 2,000일 수 있다. 이 성분은 활성화 전후에 건조 상태의 조성물의 가요성을 향상시키기에 효과적인 양으로 존재한다. 특정량은 예를 들어 백본, 및 가요성-향상 성분의 작용기 타입 및 수에 따라 달라질 것이다. 이 성분은 예를 들어 조성물에 0.5 내지 35 중량%, 예를 들어 2 내지 20 중량%의 양으로 존재할 수 있다.
표면 평탄화제(leveling agent), 습윤제, 소포제, 접착 촉진제, 틱소트로프제(thixotropic agent) 등을 포함하나 이들로만 한정되지 않는 다른 첨가제가 본 발명의 조성물에 임의로 존재할 수 있다. 이러한 첨가제들은 코팅 조성물용으로 당업계에 널리 알려져 있다. 본 발명의 조성물에 표면 평탄화제, 예를 들어 Dow Chemical Company로부터 시판되는 SILWET L-7604 실리콘-기제 오일와 같은 실리콘-기제 오일이 사용될 수 있다. 복수개의 첨가제가 본 발명의 조성물중에 배합될 수 있음이 이해될 것이다. 예를 들어, 습윤제가 틱소트로프제와 배합될 수 있다. 이러한 임의적인 첨가제는 다양한 공급자들로부터 상업적으로 입수가능하다. 본 발명의 조성물에 사용되는 이러한 임의적인 첨가제의 양은 특정 첨가제 및 목적하는 효과에 따라 달라질 것이며, 당업자의 능력에 의한다. 이와 같은 다른 첨가제는 전형적으로 조성물중에 5 중량% 미만, 보다 특히 2.5 중량% 미만의 양으로 존재한다.
본 발명의 조성물은 임의로 하나 이상의 유기 가교결합제를 함유할 수 있다. 가교결합제는 예를 들어 조성물의 성분들을 삼차원적으로 연결하는 물질을 포함한다. 실리콘-함유 폴리머와 반응하는 방향족 또는 지방족 가교결합제가 본 발명에 사용하기에 적합하다. 이러한 유기 가교결합제는 경화하여 실리콘-함유 폴리머와 함께 중합망을 형성함으로써 현상액에 대한 용해도를 감소시킬 것이다. 이와 같은 유기 가교결합제는 모노머 또는 폴리머일 수 있다. 가교결합제의 배합물이 본 발명에서 성공적으로 사용될 수 있음이 당업자들에 의해 인지될 것이다.
본 발명에 유용한 적합한 유기 가교결합제로는 아민 함유 화합물, 에폭시 함유 물질, 적어도 두 개의 비닐 에테르 그룹을 함유하는 화합물, 알릴 치환된 방향족 화합물, 및 이들의 배합물이 포함되나 이들로만 한정되지 않는다. 바람직한 가교결합제로는 아민 함유 화합물 및 에폭시 함유 물질이 포함된다.
본 발명에서 가교결합제로서 유용한 아민 함유 화합물로는 멜라민 모노머, 멜라민 폴리머, 알킬올메틸 멜라민, 벤조구아나민 수지, 벤조구아나민-포름알데하이드 수지, 우레아-포름알데하이드 수지, 글리콜우릴-포름알데하이드 수지, 및 이들의 배합물이 포함되나 이들로만 한정되지 않는다.
적합한 유기 가교제 농도가 가교제의 반응성 및 조성물의 특정 응용예와 같은 요인에 따라 달라질 것임을 당업자들은 인지할 것이다. 사용시, 가교결합제(들)는 전형적으로 조성물중에 0.1 내지 50 중량%, 예를 들어 0.5 내지 25 중량%, 또는 1 내지 20 중량%의 양으로 존재한다.
본 발명의 조성물은 임의로 하나 이상의 용매를 함유할 수 있다. 이러한 용매는 본 발명의 조성물의 제제화 및 기판상에서 본 발명의 조성물의 코팅을 돕는다. 각종 용매가 사용될 수 있다. 적합한 용매에는 글리콜 에테르, 예를 들어 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에스테르, 예를 들어 메틸 셀로솔브 아세테이트, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 이염기성 에스테르, 카보네이트, 예를 들어 프로필렌 카보네이트, γ-부티로락톤, 에스테르, 예를 들어 에틸 락테이트, n-아밀 아세테이트 및 n-부틸 아세테이트, 알콜, 예를 들어 n-프로판올, 이소프로판올, 케톤, 예를 들어 사이클로헥사논, 메틸 이소부틸 케톤, 디이소부틸 케톤 및 2-헵타논, 락톤, 예를 들어 γ-부티로락톤 및 ε-카프로락톤, 에테르, 예를 들어 디페닐 에테르 및 아니솔, 탄화수소, 예를 들어 메시틸렌, 톨루엔 및 크실렌, 및 헤테로사이클릭 화합물, 예를 들어 N-메틸-2-피롤리돈, N,N'-디메틸프로필렌우레아, 또는 이들의 혼합물이 포함되나 이들로만 한정되지 않는다.
본 발명의 조성물은 실리콘-함유 폴리머, 촉매 성분 및 다른 광성분들을 임의 순서로 혼합하여 제조될 수 있다.
본 발명의 조성물은 가요성 광 도파로를 제조하는데 사용하기에 특히 적합하다. 광 도파로는 특히 제한되지는 않지만, 스플리터(splitter), 커플러(coupler), 분광(spectral) 필터, 편광자(polarizer), 아이솔레이터(isolator), 파장 분할 멀티플렉싱 구조와 같은 멀티플렉서(multiplexer), 증폭기(amplifier), 감쇠기(attenuator), 스위치 등 또는 대형 전자장비, 예를 들어 인쇄배선판, 집적회로, 인터커넥터(interconnect) 등을 포함하는 광학 전기 장비의 형성에 사용될 수 있다. 본 발명의 감광성 조성물은 또한 렌즈 뿐 아니라 미러, 프리즘 및 커넥터와 같은 광소자를 포함한 디스플레이 장비를 제조하는데 특히 유용하다. 본 원에 사용된 용어 전자 장비는 예를 들어 위에서 설명한 광학-전자 장비들 뿐만 아니라 광학-전자 장치를 포함하는 위에서 언급한 대규모 장비를 포함하는 것으로 의도하고 있다.
본 발명의 도파로는 개별 도파로 또는 도파로 어레이로서 제조될 수 있다. 본 발명의 조성물을 사용하여 도파로를 제조하는 방법은 (a) 기판상에 상술된 조성물로부터의 층을 형성하고; (b) 층의 적어도 일부(여기에서 층은 클래드 또는 코어층이다)를 활성화시키는 단계를 포함한다. 본 발명의 조성물은 도파로 클래드 및/또는 코어 구조를 형성하는데 사용하기에 적합하다. 본 발명의 조성물로부터 형성된 클래드 및 코어 구조를 가지는 가요성 광 도파로의 형성 방법이 예시적인 목적으로만 기술될 것이다. 도파로는 코어, 및 제 1 및 제 2 클래딩 층을 침착시켜 형성된다. 최종 구조의 클래드는 코어에 비해 낮은 굴절율을 가진다. 특히 유용한 도파로는 굴절율이 1.4 내지 1.7인 코어 및 굴절율이 1.3 내지 1.69인 클래딩을 포함한다.
본 발명이 도면을 참조로 하여 보다 상세히 설명될 것이며, 도면에서 동일한 참조 숫자는 동일한 특징(feature)을 나타낸다.
도 1(a) 내지 (e)는 본 발명의 한 측면에 따른 여러 형성단계에서의 광 도파로의 횡단면을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 한 측면에 따른 예시적인 전자장비를 나타낸다.
도 1을 참고로 하여, 도파로를 지지하기에 적합한 임의의 기판 (2)이 본 발명의 조성물 및 구조물과 함께 사용될 수 있다. 적합한 기판은 배선판 및 집적회로와 같은 전자 장비의 제조에 사용되는 기판을 포함하나, 이로만 제한되는 것은 아니다. 특히 적합한 기판은 구리 클래드 보드의 라미네이트 표면 및 구리 표면, 구리 포일, 인쇄배선판 내층 및 외층, 집적회로의 제조에 사용되는 웨이퍼, 예를 들어 실리콘, 갈륨 아르세나이드 및 인듐 포스파이드 웨이퍼, 액정 디스플레이("LCD") 유리 기판을 포함하나, 이로만 한정되지 않는 유리 기판, 및 절연체 코팅, 클래딩 층 등을 포함하는 기판을 포함한다.
제 1 클래딩 층 (4)이 기판 표면 (2) 상에 형성될 수 있다. 제 1 클래딩 층 (4)(및 개시될 다른 도파로 층)이 본 발명의 조성물로부터 스크린 프린팅, 커튼 코팅(curtain coating), 롤러(roller) 코팅, 슬롯(slot) 코팅, 스핀(spin) 코팅, 플러드(flood) 코팅, 정전 스프레이(electrostatic spray), 스프레이 코팅 또는 딥(dip) 코팅을 포함하나, 이로만 제한되지 않는 임의의 기술에 의해 형성될 수 있다. 본 발명의 조성물 및 구조물이 스프레이 코팅되는 경우, 가열 스프레이 건(heated spray gun)이 임의로 사용될 수 있다. 조성물의 점도는 각 적용 방법의 요건을 만족시키도록 점도 조절제, 틱소트로프제, 충전제 등에 의해 조정될 수 있다. 제 1 클래딩 층은 약 1 내지 100 ㎛, 예를 들어 약 10 내지 50 ㎛의 건조 상태의 두께로 침착된다.
제 1 클래딩 층 (4)은 제 1 클래딩 조성물내 활성 성분의 타입에 따라, 예를 들어 열적으로 및/또는 광분해적으로 경화될 수 있다. 열 경화 온도는 90 내지 130 ℃, 예를 들어 90 내지 220 ℃이다. 이러한 경화는 전형적으로 5초 내지 1 시간에 걸쳐 일어난다. 이 경화는 오븐내 또는 열판상에서 기판을 가열함으로써 일어날 수 있다. 별도로, 도파로 클래드는 예를 들어 1 내지 2 줄(Joule)/㎠의 화학 조사선으로 플러드(flood) 노광된 후, 90 내지 300 ℃, 예를 들어 90 내지 220 ℃로 열 경화될 수 있다.
코어 층 (6)이 본 발명의 조성물로부터 형성된 제 1 클래드 층상에 형성된다. 코어 층은 약 1 내지 100 ㎛, 예를 들어 약 8 내지 60 ㎛의 두께로 코팅된다. 이어서, 코팅 기판을, 예를 들어 베이킹에 의해 소프트 경화하여 코팅중의 용매를 제거한다. 경화는 선택된 특정 용매에 따라 다양한 온도에서 일어날 수 있다. 적합한 온도는 존재하는 용매를 실질적으로 제거하기에 충분한 임의의 온도이다. 소프트 경화는 예를 들어 기판 및 열 예산에 따라 실온(25 ℃) 내지 300 ℃의 임의의 온도에서 일어날 수 있다. 경화는, 예를 들어 오븐내 또는 열판상에서 5 초 내지 60 분에 이르는 시간에 걸쳐 일어날 수 있다.
경화후, 본 발명의 조성물 층을 화학 조사선에 노광시켜 이미지화할 수 있다. 이러한 방법은 예를 들어 접촉 이미지화, 투영 이미지화 및 다광자 흡수에 의한 레이저 직접 기록 이미지화를 포함한 레이저 직접 기록 이미지화를 포함한다. 필요에 따라, 층내에 3-차원 구조를 형성하기 위하여 다광자 흡수가 사용될 수 있다. 예를 들어 도 1에서 마스크 (8)로 한정되는 노광 패턴은 코어 도파로의 기하구조를 전형적으로 길이가 수 센티미터에서 수 미터이고, 폭이 수 미크론에서 수백 미크론으로 한정하나, 반드시 그렇치는 않다. 노광후, 조성물을 전형적으로 40 내지 170 ℃의 온도에서 후 노광 경화시킬 수 있다. 경화 시간은 달라질 수 있으나, 일반적으로 약 30 초 내지 약 1 시간이다. 이론적인 결부없이, 네거티브-작용성 물질의 경우, 화학 조사선에 노광시에 실리콘-함유 폴리머가 커플링하여 노광 영역이 비노광 영역보다 현상액에 덜 용해되는 것으로 판단된다.
비노광 영역을, 예를 들어 적합한 현상액과 접촉시켜 제거하여 기판상에 노광 영역만을 남겨 도 1의 코어 구조 (6)를 형성할 수 있다. 조성물은 수성 현상액에서 현상될 수 있다. 적합한 수성 현상액으로는, 예를 들어 수중 수산화나트륨 및 수산화칼륨과 같은 알칼리 금속 하이드록사이드, 및 수중 테트라메틸암모늄 하이드록사이드와 같은 테트라알킬암모늄 하이드록사이드가 포함된다. 이러한 현상액은 전형적으로 0.1 내지 2N, 예를 들어 0.15 내지 1N, 또는 0.26 내지 0.7N의 농도로 사용된다. 현상액은 임의로 하나 이상의 공지된 계면활성제, 예를 들어 폴리에틸렌 글리콜, 알킬 설포네이트, 및 당업계에 공지된 다른 계면활성제를 포함할 수 있다. 계면활성제는 전형적으로 현상액중에 0.01 내지 3 중량%의 양으로 존재한다. 소포제가 또한 유리하게는 현상액에 포함될 수 있다.
비노광 영역을 또한 비수성 현상액과 접촉시켜 제거하여 기판상에 노광 영역만을 남길 수 있다. 적합한 비수성 현상액으로는, 예를 들어 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 사이클로헥사논, 2-옥타논, 2-헵타논 및 메틸 이소아밀 케톤과 같은 케톤; 에탄올, 이소프로판올, n-프로판올, n-부탄올, 이소부탄올 및 아밀올과 같은 알콜; 에틸 아세테이트, 에틸 프로피오네이트 및 에틸 락테이트와 같은 에스테르; 에틸렌 글리콜 메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 에틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 메틸 에테르와 같은 글리콜 에테르; 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트와 같은 글리콜 에테르 에스테르; 톨루엔, 크실렌, 클로로벤젠, 디클로로벤젠 등과 같은 방향족 및 이들의 배합물이 포함된다.
상기 언급된 수성 현상액과 상기 언급된 비수성 현상액의 배합물인 반수성 현상액이 또한 사용될 수 있다.
이와 같은 현상은 다양한 온도, 예를 들어 실온 내지 약 65℃, 예를 들어 21 내지 49℃에서 수행될 수 있다. 공격적인 교반시 현상 시간은 10분 이내, 예를 들어 5분 이내, 2분 이내, 1분 이내, 또는 30초 이내일 수 있다. 현상은, 예를 들어 정전 현상 챔버내에서 또는 현상액이 스프레이되는 컨베이어 플랫폼 상에서 수행될 수 있다. 스프레이 압은 5 내지 40 psi, 예를 들어 10 내지 25 psi일 수 있다.
현상후, 본 발명의 도파로는 최종 경화 단계에 적용될 수 있다. 경화는, 예를 들어, 1 내지 2 Joules/㎠의 화학 조사선을 사용한 플러드 노광을 포함한다. 추가로, 또는 택일적으로, 도파로는 공기 또는 질소나 아르곤과 같은 불활성 분위기에서 약 130 내지 300 ℃의 온도로 가열될 수 있다. 이어서, 제 2 클래딩 층 (10)이 제 1 클래딩 층 (4) 및 코어 구조 (6) 위에 상술된 바와 같이 형성될 수 있다. 제 2 클래딩 층은 제 1 클래딩 층과 동일하거나 상이할 수 있다. 제 2 클래딩 층을 열적으로 활성화시키고/시키거나 광 활성화시켜 제 1 클래드 층에 대해 상기 언급한 바와 같은 도파로 구조를 제공할 수 있다. 제 2 클래딩 층은 전형적으로 약 1 내지 100 ㎛, 예를 들어 약 10 내지 50 ㎛의 두께로 침착된다.
본 발명의 광 도파로는 다양한 파장에서 뛰어난 투명성을 보유한다. 따라서, 본 발명의 광 도파로는 예를 들어 600 내지 1,700 nm에서 사용될 수 있다. 본 발명의 광 도파로가 다른 파장에서도 유리하게 사용될 수 있음이 이해될 것이다. 따라서, 본 발명의 광 도파로는 데이터 통신 및 텔레커뮤니케이션 응용에 사용하기에 특히 적합하다.
도 2는 본 발명의 추가적인 측면에 따른 예시적인 전자 장비를 도시한다. 전자 장비는 도파로 클래드 (4)상에 형성된 도파로 코어 (6)를 포함하는 광 스플리터이다. 입사된 신호 파장 λ는 Y-분기점 (12)에서 파장은 동일하나 파워 진폭이 감소된 두개의 광 신호 λ'로 스플릿된다.
하기 실시예는 본 발명의 보다 다양한 측면을 설명하고자 의도된 것이며, 본 발명의 범위를 어떤 측면으로도 제한하고자 의도된 것은 아니다. 실시예에 사용된 중량%는 용매를 포함한 전체 조성물에 기초한다.
실시예 1
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 40.74 중량%, 페닐-메틸-디메틸 실세스퀴옥산(폴리머에 기초하여 49:49:2 중량%) 53.76 중량%, 폴리테트라하이드로푸란 5.38 중량%, 디페닐나프틸설포늄 퍼플루오로부탄포스페이트 0.11 중량% 및 DOW SILWET L-7604 실리콘-기제 오일 0.01 중량%를 혼합물로 배합하였다. 조성물을 No. 80 드로우다운 바(drawdown bar)를 사용하여 경석-스크러빙된 구리 클래드 라미네이트상에 코팅하였다. 코팅된 라미네이트를 오븐에 넣어 90 ℃에서 30 분동안 건조시켰다. 필요한 도파로를 디파인하는 아트워크를 조성물상에 직접 배치하였다. 아트워크는 다양한 치수 및 형태의 도파로, 예를 들어 길이 2 내지 14 ㎝이고 폭 15 내지 50 ㎛인 선형, 분지 및 커브 형태의 도파로를 형성하기 위한 패턴을 포함한다. 코팅된 라미네이트를 500 mJ에서 노광시키고, 오븐에 넣어 90 ℃에서 15 분간 놓아 두었다. 그후, 노광 라미네이트를 37.8 ℃(100 ℉)로 유지되는 0.7N 수산화나트륨 현상액에 30 초간 담가 두었다. 이어서, 라미네이트를 탈이온수로 세정하여 건조시켰다. 그후, 라미네이트를 오븐에 넣어 60 분간 200 ℃로 가열하였다. 도파로는 1/16 인치 직경의 만드렐에 접어 구부려졌다. 육안 관찰시, 베이스 라미네이트는 크래킹되었으나, 코팅은 크래킹되지 않았다.
실시예 2
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 50 중량%, 페닐-메틸 실세스퀴옥산(폴리머에 기초해 60:40 중량%) 42 중량%, 디하이드록시-종결된 폴리에틸렌 옥사이드 5 중량%, 트리페닐설포늄 헥사플루오로포스페이트 2.99 중량% 및 DOW SILWET L-7604 실리콘-기제 오일 0.01 중량%를 혼합물로 배합하였다. 조성물을 예를 들어 인쇄배선판 제조에 통상 사용되는 24 인치 ×36 인치(61 ㎝ ×91.4 ㎝) 에폭시 라미네이트상에 60 ㎛의 두께로 롤-코팅하였다. 그후, 조성물을 대류식 오븐에 넣어 90 ℃에서 45 분동안 공기-건조시켰다. 실시예 1에 기술된 바와 같으나, 라인 폭이 40 내지 200 ㎛인 아트워크를 조성물상에 직접 배치하였다. 구조물에 1,000 mJ/㎠의 화학 조사선을 적용한 후, 공기중에 90 ℃에서 30 분간 후노광 베이킹하였다. 이어서, 노광 구조를 37.8 ℃(100 ℉)로 유지되는 0.7N 수산화나트륨 현상액을 함유하는 스프레이 현상액에 총 120 초간 놓아 두었다. 이어서, 라미네이트를 탈이온수로 세정하여 건조시켰다. 형성된 도파로를 2,000 mJ/㎠의 화학 조사선으로 플러드-노광하고, 대류식 오븐에 넣어 공기중에 180 ℃에서 120 분간 하드 경화시켰다. 가요성 광 도파로가 형성된 것으로 예상된다.
실시예 3
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 45 중량%, 트리플루오로메틸-페닐 실세스퀴옥산(폴리머에 기초해 10:90 중량%) 25 중량%, 폴리테트라하이드로푸란 15 중량%, 벤조인 토실레이트 4.95 중량% 및 DOW SILWET L-7604 실리콘-기제 오일 0.05 중량%를 혼합물로 배합하였다. 조성물을 6 인치 이산화규소-코팅된 실리콘 웨이퍼 상에 2,500 rpm으로 스핀-코팅하고, 열판상에서 공기중에 90 ℃에서 2 분동안 8 ㎛의 두께로 소프트 베이킹하였다. 실시예 1에 기술된 바와 같은 아트워크를 조성물상에 직접 배치하였다. 구조물에 2,000 mJ/㎠의 화학 조사선을 적용한 후, 공기중에 90 ℃에서 2 분간 후-노광 베이킹하였다. 그후, 노광된 웨이퍼를 37.8 ℃(100 ℉)로 유지되는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 현상액에 30 초간 담가 두었다. 이어서, 웨이퍼를 탈이온수로 세정하여 건조시켰다. 그후, 웨이퍼를 열판상에서 공기중에 200 ℃에서 10 분간 가열하였다. 가요성 광 도파로가 형성된 것으로 예상된다.
실시예 4
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 37 중량%, 메틸-페닐 실세스퀴옥산(폴리머에 기초해 50:50 중량%) 47.99 중량%, 폴리비닐 페놀 10 중량%, 트리페닐설포늄 트리플루오로메틸설포네이트 5 중량% 및 DOW SILWET L-7604 실리콘-기제 오일 0.01 중량%를 혼합물로 배합하였다. 조성물을 예를 들어 인쇄배선판 제조에 통상 사용되는 24 인치 ×36 인치(61 ㎝ ×91.4 ㎝) 에폭시 라미네이트상에 60 ㎛의 두께로 롤-코팅하였다. 그후, 조성물을 대류식 오븐에 넣어 90 ℃에서 45 분동안 공기-건조시켰다. 실시예 1에 기술된 바와 같으나, 라인 폭이 40 내지 200 ㎛인 아트워크를 조성물상에 직접 배치하였다. 구조물에 1,000 mJ/㎠의 화학 조사선을 적용한 후, 공기중에 90 ℃에서 30 분간 후노광 베이킹하였다. 이어서, 노광 구조를 37.8 ℃(100 ℉)로 유지되는 0.7N 수산화나트륨 현상액을 함유하는 스프레이 현상액에 총 120 초간 놓아 두었다. 이어서, 라미네이트를 탈이온수로 세정하여 건조시켰다. 형성된 도파로를 2,000 mJ/㎠의 화학 조사선으로 플러드-노광하고, 대류식 오븐에 넣어 공기중에 180 ℃에서 120 분간 하드 경화시켰다. 가요성 광 도파로가 형성된 것으로 예상된다.
실시예 5
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 30중량%, 메틸-페닐 실세스퀴옥산(폴리머에 기초해 40:60중량%) 54.99중량%, 디올-종결된 폴리 (1,4-부틸렌 아디페이트) 10중량%, 트리페닐설포늄 트리플루오로메틸설포네이트 5중량% 및 DOW SILWET L-7604 실리콘-기제 오일 0.01중량%를 혼합물로 배합하였다. 조성물을 예를 들어 인쇄배선판 제조에 통상 사용되는 24 인치 ×36 인치(61 ㎝ ×91.4 ㎝) 에폭시 라미네이트상에 50 ㎛의 두께로 롤-코팅하였다. 그후, 조성물을 대류식 오븐에 넣어 90 ℃에서 30 분동안 공기-건조시켰다. 실시예 1에 기술된 바와 같으나, 라인 폭이 40 내지 200 ㎛인 아트워크를 조성물상에 직접 배치하였다. 구조물에 800 mJ/㎠의 화학 조사선을 적용한 후, 공기중에 90 ℃에서 30 분간 후노광 베이킹하였다. 이어서, 노광 구조를 37.8 ℃(100 ℉)로 유지되는 0.7N 수산화나트륨 현상액을 함유하는 스프레이 현상액에 총 120 초간 놓아 두었다. 이어서, 라미네이트를 탈이온수로 세정하여 건조시켰다. 형성된 도파로를 대류식 오븐에 넣어 공기중에 180 ℃에서 120 분간 하드 경화시켰다. 가요성 광 도파로가 형성된 것으로 예상된다.
실시예 6
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 40 중량%, 메틸-페닐 실세스퀴옥산(폴리머에 기초해 40:60 중량%) 49.99 중량%, 폴리카프로락톤 트리올 5 중량%, 트리페닐설포늄 트리플루오로메틸설포네이트 5 중량% 및 DOW SILWET L-7604 실리콘-기제 오일 0.01 중량%를 혼합물로 배합하였다. 조성물을 예를 들어 인쇄배선판 제조에 통상 사용되는 24 인치 ×36 인치(61 ㎝ ×91.4 ㎝) 에폭시 라미네이트상에 50 ㎛의 두께로 롤-코팅하였다. 그후, 조성물을 대류식 오븐에 넣어 90 ℃에서 30 분동안 공기-건조시켰다. 실시예 1에 기술된 바와 같으나, 라인 폭이 40 내지 200 ㎛인 아트워크를 조성물상에 직접 배치하였다. 구조물에 800 mJ/㎠의 화학 조사선을 적용한 후, 공기중에 90 ℃에서 30 분간 후노광 베이킹하였다. 이어서, 노광 구조를 37.8 ℃(100 ℉)로 유지되는 0.7N 수산화나트륨 현상액을 함유하는 스프레이 현상액에 총 120 초간 놓아 두었다. 이어서, 라미네이트를 탈이온수로 세정하여 건조시켰다. 형성된 도파로를 대류식 오븐에 넣어 공기중에 180 ℃에서 120 분간 하드 경화시켰다. 가요성 광 도파로가 형성된 것으로 예상된다.
실시예 7
클래드 층
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 40.61 중량%, 페닐-메틸-디메틸 실세스퀴옥산(폴리머에 기초해 49:49:2 중량%) 53.47 중량%, 폴리테트라하이드로푸란 5.35 중량%, 아민 블록된 도데실페닐설페이트 0.56 중량% 및 DOW SILWET L-7604 실리콘-기제 오일 0.01 중량%를 혼합물로 배합하여 클래드 층 조성물을 형성하였다. 조성물을 No. 80 드로우다운 바를 사용하여 기계적으로 스크러빙된 구리 라미네이트상에 코팅하였다. 라미네이트를 오븐에 넣어 90 ℃에서 30 분동안 건조시킨 후, 오븐에 넣어 180 ℃에서 1 시간동안 하드 베이킹하였다.
코어
클래드 층을 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 35.75 중량%, 페닐-메틸-디메틸 실세스퀴옥산(폴리머에 기초해 49:49:2 중량%) 56.44 중량%, 폴리테트라하이드로푸란 6.24 중량%, 디페닐나프틸설포늄 퍼플루오로부탄설페이트 1.56 중량% 및 DOW SILWET L-7604 실리콘-기제 오일 0.01 중량%를 혼합하여 형성된 코어 조성물로 코팅하였다. 코팅된 라미네이트를 오븐에 넣어 90 ℃에서 30 분동안 건조시켰다. 필요한 도파로를 디파인하는 아트워크를 조성물상에 직접 배치하였다. 아트워크는 다양한 치수 및 형태의 도파로, 예를 들어 길이 2 내지 14 ㎝이고 폭 15 내지 50 ㎛인 선형, 분지 및 커브 형태의 도파로를 형성하기 위한 패턴을 포함한다. 코팅된 라미네이트를 500 mJ에서 노광시키고, 오븐에 넣어 90 ℃에서 15 분간 놓아 두었다. 그후, 코팅된 라미네이를 37.8 ℃로 유지되는 0.7N 수산화나트륨 현상액에 30 초간 담가 두었다. 이어서, 코팅된 라미네이트를 탈이온수로 세정하여 건조시켰다. 그후, 코팅된 라미네이트를 오븐에 넣어 60 분간 200 ℃로 가열하였다. 도파로는 1/16 인치 직경의 만드렐에 접어 구부려졌다. 육안 관찰시, 베이스 라미네이트는 크래킹되었으나, 클래드 및 코팅 층은 크래킹되지 않았다.
실시예 8
클래드 (1) 층
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 39 중량%, 페닐-메틸-디메틸 실세스퀴옥산(폴리머에 기초해 35:65 중량%) 48.5 중량%, 디하이드록시-종결된 폴리에틸렌 옥사이드 7.5 중량%, 아민 블록된 도데실페닐설페이트 4.99 중량% 및 DOW SILWET L-7604 실리콘-기제 오일 0.01 중량%를 혼합물로 배합하여 제 1 클래딩 층 조성물을 형성하였다. 조성물을 예를 들어 인쇄배선판 제조에 통상 사용되는 24 인치 ×36 인치(61 ㎝ ×91.4 ㎝) 에폭시 라미네이트상에 50 ㎛의 두께로 롤-코팅하였다. 그후, 조성물을 대류식 오븐에 넣어 90 ℃에서 45 분동안 공기-건조시켰다. 제 1 클래드 코팅 기판을 180 ℃에서 1.5 시간동안 가열하였다.
코어
제 1 클래딩 층을 실시예 2의 코어 조성물로 코팅하고, 실시예 2에 기술된 바와 같이 패턴화하고 경화시켰다.
클래드 (2) 층
소프트 베이킹후 제 2 클래딩 층의 두께가 60 ㎛인 것을 제외하고, 제 1 클래딩 층을 형성하는데 사용된 동일한 조성물 및 방법을 이용하여 패턴화된 코어 및 제 1 클래딩 층상에 제 2 클래딩 층 조성물을 형성하였다. 가요성 광 도파로가 형성된 것으로 예상된다.
실시예 9
클래드 (1) 층
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 50중량%, 페닐-메틸 실세스퀴옥산(폴리머에 기초해 40:60중량%) 40.99중량%, 폴리테트라하이드로푸란 4중량%, 트리페닐설포늄 트리플루오로메틸설페이트 5중량% 및 DOW SILWET L-7604 실리콘-기제 오일 0.01중량%를 혼합물로 배합하여 제 1 클래딩 층 조성물을 형성하였다. 조성물을 6 인치 이산화규소-코팅된 실리콘 웨이퍼 상에 2,000 rpm으로 스핀-코팅하고, 열판상에서 공기중에 90 ℃에서 2 분동안 8 ㎛의 두께로 소프트 베이킹하였다. 조성물을 800 mJ에서 노광한 후, 열판상에서 2 분동안 90 ℃로 가열하였다. 그후, 조성물을 열판상에서 공기중에 200 ℃에서 10 분동안 하드-베이킹하였다.
코어
제 1 클래딩 층을 실시예 3의 코어 조성물로 코팅하고, 실시예 3에 기술된 바와 같이 패턴화하고 경화시켰다.
클래드 (2) 층
소프트 베이킹후 제 2 클래딩 층의 두께가 10 ㎛인 것을 제외하고, 제 1 클래딩 층을 형성하는데 사용된 동일한 조성물 및 방법을 이용하여 패턴화된 코어 및 제 1 클래딩 층상에 제 2 클래딩 층 조성물을 형성하였다. 가요성 광 도파로가 형성된 것으로 예상된다.
실시예 10
클래드 (1) 층
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 39 중량%, 페닐-메틸 실세스퀴옥산(폴리머에 기초해 50:50 중량%) 56 중량%, 디하이드록시-종결된 폴리프로필렌 글리콜 10 중량%, 아민 블록된 도데실페닐설페이트 4.99 중량% 및 DOW SILWET L-7604 실리콘-기제 오일 0.01 중량%를 혼합물로 배합하여 제 1 클래딩 층 조성물을 형성하였다. 조성물을 예를 들어 인쇄배선판 제조에 통상 사용되는 24 인치 ×36 인치(61 ㎝ ×91.4 ㎝) 에폭시 라미네이트상에 50 ㎛의 두께로 롤-코팅하였다. 그후, 조성물을 대류식 오븐에 넣어 90 ℃에서 45 분동안 공기-건조시켰다. 제 1 클래드 코팅 기판을 180 ℃에서 1 시간동안 가열하였다.
코어
제 1 클래딩 층을 실시예 4의 코어 조성물로 코팅하고, 실시예 4에 기술된 바와 같이 패턴화하고 경화시켰다.
클래드 (2) 층
소프트 베이킹후 제 2 클래딩 층의 두께가 60 ㎛인 것을 제외하고 제 1 클래딩 층을 형성하는데 사용된 동일한 조성물 및 방법을 이용하여 패턴화된 코어 및 제 1 클래딩 층상에 제 2 클래딩 층 조성물을 형성하였다. 가요성 광 도파로가 형성된 것으로 예상된다.
실시예 11
클래드 (1) 층
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 39 중량%, 페닐-메틸 실세스퀴옥산(폴리머에 기초해 50:50 중량%) 56 중량%, 디하이드록시-종결된 폴리프로필렌 글리콜 10 중량%, 아민 블록된 도데실페닐설페이트 4.99 중량% 및 DOW SILWET L-7604 실리콘-기제 오일 0.01 중량%를 혼합물로 배합하여 제 1 클래딩 층 조성물을 형성하였다. 조성물을 예를 들어 인쇄배선판 제조에 통상 사용되는 24 인치 ×36 인치(61 ㎝ ×91.4 ㎝) 에폭시 라미네이트상에 50 ㎛의 두께로 롤-코팅하였다. 그후, 조성물을 대류식 오븐에 넣어 90 ℃에서 45 분동안 공기-건조시켰다. 제 1 클래드 코팅 기판을 180 ℃에서 1 시간동안 가열하였다.
코어
제 1 클래딩 층을 실시예 5의 코어 조성물로 코팅하고, 실시예 5에 기술된 바와 같이 패턴화하고 경화시켰다.
클래드 (2) 층
소프트 베이킹후 제 2 클래딩 층의 두께가 60 ㎛인 것을 제외하고, 제 1 클래딩 층을 형성하는데 사용된 동일한 조성물 및 방법을 이용하여 패턴화된 코어 및 제 1 클래딩 층상에 제 2 클래딩 층 조성물을 형성하였다. 가요성 광 도파로가 형성된 것으로 예상된다.
실시예 12
클래드 (1) 층
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 39 중량%, 페닐-메틸 실세스퀴옥산(폴리머에 기초해 50:50 중량%) 56 중량%, 디하이드록시-종결된 폴리프로필렌 글리콜 10 중량%, 아민 블록된 도데실페닐설페이트 4.99 중량% 및 DOW SILWET L-7604 실리콘-기제 오일 0.01 중량%를 혼합물로 배합하여 제 1 클래딩 층 조성물을 형성하였다. 조성물을 예를 들어 인쇄배선판 제조에 통상 사용되는 24 인치 ×36 인치(61 ㎝ ×91.4 ㎝) 에폭시 라미네이트상에 50 ㎛의 두께로 롤-코팅하였다. 그후, 조성물을 대류식 오븐에 넣어 90 ℃에서 45 분동안 공기-건조시켰다. 제 1 클래드 코팅 기판을 180 ℃에서 1 시간동안 가열하였다.
코어
제 1 클래딩 층을 실시예 6의 코어 조성물로 코팅하고, 실시예 6에 기술된 바와 같이 패턴화하고 경화시켰다.
클래드 (2) 층
소프트 베이킹후 제 2 클래딩 층의 두께가 60 ㎛인 것을 제외하고, 제 1 클래딩 층을 형성하는데 사용된 동일한 조성물 및 방법을 이용하여 패턴화된 코어 및 제 1 클래딩 층상에 제 2 클래딩 층 조성물을 형성하였다. 가요성 광 도파로가 형성된 것으로 예상된다.
본 발명이 그의 특정 구체예를 참조로 하여 상세히 설명되었으나, 청구범위의 영역을 벗어나지 않는 한, 다양하게 변화 및 변경될 수 있고 등가물이 사용될 수 있음이 당업자들에게는 자명할 것이다.

Claims (1)

  1. 식 (RSiO1.5)(여기에서, R은 치환 또는 비치환된 알킬, 아릴 및 헤테로사이클릭 그룹으로부터 선택된 유기 그룹이다)의 단위 및 다수의 작용 말단기를 가지는 폴리머;
    활성화시 건조 상태의 조성물의 용해도를 변경시키기 위한 제 1 성분; 및
    하이드록시, 아미노, 티올, 설포네이트 에스테르, 카복실레이트 에스테르, 실릴 에스테르, 언하이드라이드, 아지리딘, 메틸올메틸, 실릴 에테르 및 이들의 조합중에서 선택된 다수의 작용기를 함유하며 활성화 전 후에 건조 상태의 조성물의 가요성을 향상시키기에 유효한 양으로 존재하는 제 2 성분을 포함하는 조성물.
KR1020120008050A 2003-11-25 2012-01-27 도파로 조성물 및 그로부터 형성된 도파로 KR20120035169A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US52482003P 2003-11-25 2003-11-25
US60/524,820 2003-11-25

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040095736A Division KR101264404B1 (ko) 2003-11-25 2004-11-22 도파로 조성물 및 그로부터 형성된 도파로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120035169A true KR20120035169A (ko) 2012-04-13

Family

ID=34465390

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040095736A KR101264404B1 (ko) 2003-11-25 2004-11-22 도파로 조성물 및 그로부터 형성된 도파로
KR1020120008050A KR20120035169A (ko) 2003-11-25 2012-01-27 도파로 조성물 및 그로부터 형성된 도파로

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040095736A KR101264404B1 (ko) 2003-11-25 2004-11-22 도파로 조성물 및 그로부터 형성된 도파로

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7072563B2 (ko)
EP (1) EP1535977B1 (ko)
JP (1) JP5102428B2 (ko)
KR (2) KR101264404B1 (ko)
CN (1) CN1773313B (ko)
TW (1) TWI332968B (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7072564B2 (en) * 2003-11-25 2006-07-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
DE602005001341T2 (de) * 2004-04-14 2008-02-21 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C., Marlborough Zusammensetzungen für Wellenleiter und daraus hergestellte Wellenleiter
EP1788011B1 (en) 2005-11-14 2013-01-09 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Silicon-containing polymers and optical waveguides formed therefrom
US20070202435A1 (en) * 2005-12-29 2007-08-30 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Methods of forming optical waveguides
JP2007279237A (ja) * 2006-04-04 2007-10-25 Nitto Denko Corp 光導波路の製法
US7867689B2 (en) * 2007-05-18 2011-01-11 International Business Machines Corporation Method of use for photopatternable dielectric materials for BEOL applications
US8470516B2 (en) * 2007-05-18 2013-06-25 International Business Machines Corporation Method of forming a relief pattern by e-beam lithography using chemical amplification, and derived articles
US7496263B2 (en) * 2007-06-07 2009-02-24 Fujifilm Manfacturing U.S.A. Inc. Thermosetting optical waveguide coating
US20080305255A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Fujifilm Manufacturing U.S.A. Inc. Optical waveguide coating
US8029971B2 (en) * 2008-03-13 2011-10-04 International Business Machines Corporation Photopatternable dielectric materials for BEOL applications and methods for use
US9080077B2 (en) 2009-12-21 2015-07-14 Dow Corning Corporation Methods for fabricating flexible waveguides using alkyl-functional silsesquioxane resins
JP5411723B2 (ja) 2010-01-25 2014-02-12 日東電工株式会社 光導波路形成用液状樹脂組成物およびそれを用いた光導波路、ならびにその光導波路の製法
JP5562710B2 (ja) * 2010-04-26 2014-07-30 日東電工株式会社 ポリマー光導波路の製法
JP5308398B2 (ja) 2010-05-11 2013-10-09 日東電工株式会社 光導波路形成用樹脂組成物およびそれを用いた光導波路
EP2477038A1 (en) * 2011-01-14 2012-07-18 Centre National de la Recherche Scientifique Near-field optical probe manufacturing using organo-mineral material and sol-gel process
TW201319170A (zh) 2011-05-25 2013-05-16 Dow Corning 在溶劑顯影期間增強膜保留和黏附之含有環氧官能化矽氧烷寡聚物的環氧官能化的可輻射固化組合物
CN103034059B (zh) * 2011-09-29 2015-02-04 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 光致抗蚀剂和光刻方法
US8871425B2 (en) * 2012-02-09 2014-10-28 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Low dielectric photoimageable compositions and electronic devices made therefrom
WO2018124826A1 (ko) * 2016-12-30 2018-07-05 주식회사 동진쎄미켐 로우 컬 구현이 가능한 코팅 조성물 및 이로부터 제조되는 필름

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3954475A (en) 1971-09-03 1976-05-04 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photosensitive elements containing chromophore-substituted vinyl-halomethyl-s-triazines
JPS57168246A (en) 1981-04-09 1982-10-16 Fujitsu Ltd Formation of negative pattern
JPS6025061B2 (ja) 1981-12-02 1985-06-15 日立化成工業株式会社 感光性シリコ−ン樹脂組成物
JPS63279245A (ja) 1987-05-12 1988-11-16 Fujitsu Ltd ネガ型レジスト組成物
FR2656617A1 (fr) 1989-12-28 1991-07-05 Thomson Csf Procede de synthese de polysilsesquioxanes et applications des produits contenus.
JPH03260653A (ja) * 1990-03-12 1991-11-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> パターン形成方法及び感光性樹脂組成物
EP0464614B1 (en) 1990-06-25 1999-09-29 Matsushita Electronics Corporation A composition having sensitivity to light or radiation
JP3279313B2 (ja) * 1990-06-25 2002-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法と位相シフトマスクの製造方法および半導体装置の製造方法
US5457003A (en) 1990-07-06 1995-10-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Negative working resist material, method for the production of the same and process of forming resist patterns using the same
JPH04107561A (ja) * 1990-08-29 1992-04-09 Fujitsu Ltd レジスト組成物
JPH04271306A (ja) 1991-02-27 1992-09-28 Sumitomo Electric Ind Ltd プラスチック光伝送体
JPH04366958A (ja) * 1991-06-14 1992-12-18 Oki Electric Ind Co Ltd 放射線感応性樹脂組成物
US5296332A (en) * 1991-11-22 1994-03-22 International Business Machines Corporation Crosslinkable aqueous developable photoresist compositions and method for use thereof
US5262280A (en) 1992-04-02 1993-11-16 Shipley Company Inc. Radiation sensitive compositions
JP3273519B2 (ja) * 1992-12-04 2002-04-08 日本電信電話株式会社 ポリシロキサン系光導波路の製造方法
JPH06256523A (ja) 1993-03-02 1994-09-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 遷移金属元素を含むポリシロキサンおよびそれを用いた光導波路
JPH08176444A (ja) 1994-10-26 1996-07-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高分子光学材料及びこれを用いた光導波路
TW397936B (en) 1994-12-09 2000-07-11 Shinetsu Chemical Co Positive resist comosition based on a silicone polymer containing a photo acid generator
JP3724004B2 (ja) 1995-03-28 2005-12-07 東レ株式会社 熱硬化性組成物、その製造方法およびカラーフィルタ
JP3204359B2 (ja) 1995-04-28 2001-09-04 日本電信電話株式会社 フレキシブル高分子光導波路
JPH08327842A (ja) 1995-05-29 1996-12-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路
US5972516A (en) 1996-02-29 1999-10-26 Kyocera Corporation Method for manufacturing optical waveguide using siloxane polymer, and optoelectronic hybrid substrate using the optical waveguide
JPH10148729A (ja) 1996-11-21 1998-06-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高分子光導波路コア部のリッジ・パターン形成方法
US6144795A (en) 1996-12-13 2000-11-07 Corning Incorporated Hybrid organic-inorganic planar optical waveguide device
JP3571482B2 (ja) 1997-03-13 2004-09-29 日本電信電話株式会社 口径変換用高分子光導波路パターン形成方法
US5962067A (en) * 1997-09-09 1999-10-05 Lucent Technologies Inc. Method for coating an article with a ladder siloxane polymer and coated article
US6054253A (en) 1997-10-10 2000-04-25 Mcgill University-The Royal Institute For The Advancement Of Learning Solvent-assisted lithographic process using photosensitive sol-gel derived glass for depositing ridge waveguides on silicon
US6087064A (en) 1998-09-03 2000-07-11 International Business Machines Corporation Silsesquioxane polymers, method of synthesis, photoresist composition, and multilayer lithographic method
JP3133039B2 (ja) * 1998-10-05 2001-02-05 日本電信電話株式会社 光導波路用感光性組成物およびその製造方法および高分子光導波路パターン形成方法
US6187505B1 (en) 1999-02-02 2001-02-13 International Business Machines Corporation Radiation sensitive silicon-containing resists
US6824879B2 (en) * 1999-06-10 2004-11-30 Honeywell International Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
JP4187879B2 (ja) * 1999-08-06 2008-11-26 東京応化工業株式会社 感放射線レジスト組成物
JP2002207295A (ja) * 2000-11-08 2002-07-26 Jsr Corp レジスト下層膜用組成物、レジスト下層膜およびその製造方法
US7261992B2 (en) * 2000-12-21 2007-08-28 International Business Machines Corporation Fluorinated silsesquioxane polymers and use thereof in lithographic photoresist compositions
US6731857B2 (en) * 2001-03-29 2004-05-04 Shipley Company, L.L.C. Photodefinable composition, method of manufacturing an optical waveguide with the photodefinable composition, and optical waveguide formed therefrom
US7035518B2 (en) 2001-04-13 2006-04-25 Hitachi Cable, Ltd. Polymer waveguides and process for producing the same
TW594416B (en) * 2001-05-08 2004-06-21 Shipley Co Llc Photoimageable composition
US6751396B2 (en) 2001-12-26 2004-06-15 Lucent Technologies Inc. Integrated optical devices and method of fabrication therefor
JP3952149B2 (ja) 2002-02-06 2007-08-01 信越化学工業株式会社 光導波路形成用材料及び光導波路の製造方法
JP3632974B2 (ja) * 2002-02-25 2005-03-30 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性屈折率変化性組成物および屈折率変化法
US6856745B2 (en) 2002-07-02 2005-02-15 Lucent Technologies Inc. Waveguide and applications therefor
US7031591B2 (en) 2002-07-18 2006-04-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Optical waveguide, forming material and making method
DE10240105B4 (de) * 2002-08-30 2005-03-24 Infineon Technologies Ag Herstellung organischer elektronischer Schaltkreise durch Kontaktdrucktechniken
US6842577B2 (en) * 2002-12-02 2005-01-11 Shipley Company L.L.C. Photoimageable waveguide composition and waveguide formed therefrom
EP1434068A3 (en) * 2002-12-02 2004-07-28 Shipley Company, L.L.C. Methods of forming waveguides that are rounded in cross section and waveguides formed therefrom
US7041748B2 (en) * 2003-01-08 2006-05-09 International Business Machines Corporation Patternable low dielectric constant materials and their use in ULSI interconnection
JP2004292639A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置
JP2005092177A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 光学部品形成方法
US8053159B2 (en) * 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
US7072564B2 (en) 2003-11-25 2006-07-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
DE602005001341T2 (de) 2004-04-14 2008-02-21 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C., Marlborough Zusammensetzungen für Wellenleiter und daraus hergestellte Wellenleiter

Also Published As

Publication number Publication date
JP5102428B2 (ja) 2012-12-19
US20050141839A1 (en) 2005-06-30
CN1773313B (zh) 2010-04-21
TW200533717A (en) 2005-10-16
CN1773313A (zh) 2006-05-17
TWI332968B (en) 2010-11-11
JP2005154715A (ja) 2005-06-16
EP1535977B1 (en) 2014-07-16
KR20050050546A (ko) 2005-05-31
EP1535977A1 (en) 2005-06-01
US7072563B2 (en) 2006-07-04
KR101264404B1 (ko) 2013-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101183269B1 (ko) 도파로 조성물 및 그로부터 형성된 도파로
KR20120035169A (ko) 도파로 조성물 및 그로부터 형성된 도파로
KR101064338B1 (ko) 광이미지성 도파로 조성물 및 이로부터 형성된 도파로
US7024093B2 (en) Methods of forming waveguides and waveguides formed therefrom
EP1788011B1 (en) Silicon-containing polymers and optical waveguides formed therefrom
EP1624735A1 (en) Methods of forming devices having optical functionality
US7157212B2 (en) Optical component formation method
US7072564B2 (en) Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
EP1772482B1 (en) Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
US20070202435A1 (en) Methods of forming optical waveguides
KR20060048906A (ko) 광기능성을 구비한 디바이스의 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
WITB Written withdrawal of application