KR20110114547A - 유기 전기발광 소자 및 화합물 - Google Patents

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KR20110114547A
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diary
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도시히로 이와쿠마
요리유키 다카시마
도시나리 오기와라
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이데미쓰 고산 가부시키가이샤
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Abstract

음극과 양극 사이에, 1층 또는 복수층으로 이루어지는 유기 박막층을 갖추고, 상기 유기 박막층이 적어도 하나의 발광층을 가지며, 상기 발광층 중 적어도 하나가, 중심의 벤젠환 구조에 대하여 비대칭인 구조를 갖는 화합물과 인광 발광 재료 1종 이상을 포함하는 유기 전기발광 소자, 및 상기 화합물에 의해, 수명이 길고, 고 발광 효율인 유기 전기발광 소자 및 그것을 실현하는 화합물을 제공한다.

Description

유기 전기발광 소자 및 화합물{ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT AND COMPOUND}
본 발명은, 유기 전기발광 소자(이하, 유기 EL 소자라 약기하는 경우가 있음) 및 화합물에 관한 것이다. 특히, 적색으로 발광하는 발광층을 갖춘 유기 전기발광 소자 및 화합물에 관한 것이다.
양극과 음극 사이에 발광층을 포함하는 유기 박막층을 갖추어, 발광층에 주입된 정공과 전자의 재결합에 의해서 생기는 여기자(엑시톤; exciton) 에너지로부터 발광을 얻는 유기 전기발광 소자가 알려져 있다.
이러한 유기 전기발광 소자는, 자발광형 소자로서의 이점을 살려, 발광 효율, 화질, 소비 전력뿐만 아니라 박형의 디자인성이 우수한 발광 소자로서 기대되고 있다.
유기 전기발광 소자의 추가적인 개선점으로서는, 예컨대 발광 효율을 들 수 있다.
이 점에서, 내부 양자 효율을 높이기 위해, 3중항 여기자로부터의 발광이 얻어지는 발광 재료(인광 발광 재료)의 개발이 진행되고, 최근에는 인광 발광을 나타내는 유기 전기발광 소자가 보고되어 있다.
이러한 인광 발광 재료를 이용하여 발광층(인광 발광층)을 구성하는 것에 의해 75% 이상, 이론상 100% 가까운 값의 내부 양자 효율을 실현할 수 있어, 고효율, 저소비전력의 유기 전기발광 소자가 얻어진다.
또한, 발광층을 형성하는 데 있어서는, 호스트 재료에, 도펀트로서 발광 재료를 도핑하는 도핑법이 알려져 있다.
도핑법으로 형성한 발광층에서는, 호스트 재료에 주입된 전하로부터 효율적으로 여기자를 생성할 수 있다. 그리고, 생성된 여기자의 여기자에너지를 도펀트에 이동시켜, 도펀트로부터 고효율의 발광을 얻을 수 있다.
여기서, 호스트 재료로부터 인광 발광성의 인광 도펀트로 분자간 에너지 이동을 하기 위해서는, 호스트 재료의 여기 3중항 에너지 EgH가, 인광 도펀트의 여기 3중항 에너지 EgD보다도 큰 것이 필요하다.
여기 3중항 에너지가 유효하게 큰 재료로서는, CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl) biphenyl)이 대표적으로 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
이 CBP를 호스트 재료로 하면, 소정의 발광 파장(예컨대, 녹, 적)을 나타내는 인광 도펀트에의 에너지 이동이 가능하여, 고효율의 유기 전기발광 소자를 얻을 수 있다.
그러나 CBP를 호스트 재료로서 사용하면, 인광 발광에 의해 발광 효율은 현저히 향상하는 한편, 수명은 매우 짧아, 실용에 적합하지 않다고 하는 문제가 있었다.
이것은, CBP의 분자 구조 상의 산화 안정성이 높지 않기 때문에, 정공에 의한 분자의 열화가 심하기 때문이라고 생각된다.
또한, 특허문헌 2에는, 카바졸 등의 함질소환을 함유하는 축합 환 유도체를, 적색 인광을 나타내는 인광 발광층의 호스트 재료로서 이용한 기술이 개시되어 있다. 이 기술에 의해, 발광 효율 및 수명에 대하여 개선되어 있지만, 실용화에는 충분하지 않은 경우도 있었다.
그 한편, 형광 발광을 나타내는 형광 도펀트용의 호스트 재료(형광 호스트)는 여러 가지 알려져 있고, 형광 도펀트와의 조합물이나 발광 효율, 수명이 우수한 형광 발광층을 형성할 수 있는 호스트 재료가 여러 가지 제안되어 있다.
그러나, 형광 호스트로서는, 여기 1중항 에너지 Eg(S)는 형광 도펀트보다도 크지만, 여기 3중항 에너지 Eg(T)는 반드시 크지 않기 때문에, 단순하게는 인광 발광층의 호스트 재료(인광 호스트)로서 전용할 수 없다.
예컨대, 형광 호스트로서는 안트라센 유도체가 잘 알려져 있다.
그러나, 안트라센 유도체는, 여기 3중항 에너지 Eg(T)가 1.9eV 정도로 비교적 작다. 이것 때문에, 520nm 내지 720nm의 가시광 영역의 발광 파장을 갖는 인광 도펀트에 대한 에너지 이동을 확보할 수 없다. 또한, 여기된 3중항 에너지를 발광층 내에 가둘 수 없다.
따라서, 안트라센 유도체는 인광 호스트로서 부적절하다.
또한, 페릴렌 유도체, 피렌 유도체 및 나프타센 유도체 등도 같은 이유로 인광 호스트로서 바람직하지 못하다.
또한, 인광 호스트로서 방향족 탄화수소 화합물을 이용한 예가 알려져 있다(특허문헌 3). 여기서는, 벤젠 골격을 중심으로 하여, 치환기로서 2개의 방향족기가 메타 위치에 결합한 화합물을 인광 호스트로서 이용하고 있다.
단, 특허문헌 3의 방향족 탄화수소 화합물은, 중심의 벤젠 골격에 대하여, 좌우 대칭으로 분자를 신장한 분자 구조로 되어 있기 때문에, 발광층이 결정화하기쉽다고 하는 문제점이 있다.
한편, 특허문헌 4 내지 9에는, 여러 가지 방향족 탄화수소 화합물을 이용한 유기 전기발광 소자가 개시되어 있다. 그러나 인광 호스트로서의 유효성에 관해서는 하등 언급되어 있지 않다.
또한, 특허문헌 10에는, 방향족 탄화수소 화합물과, 녹색의 인광을 발하는 Ir 금속 착체를 이용하는 유기 EL 소자가 개시되어 있다.
US2002/182441호 공보 WO2005/112519호 공보 일본 특허공개 2003-142267호 공보 WO2007/046658호 공보 일본 특허공개 2006-151966호 공보 일본 특허공개 2005-8588호 공보 일본 특허공개 2005-19219호 공보 일본 특허공개 2005-197262호 공보 일본 특허공개 2004-75567호 공보 일본 특허공개 2003-142267호 공보
그러나 본 발명자들은, 상기 특허문헌 10에 기재된 방향족 탄화수소 화합물은, 중심 골격으로서 벤젠환을 필수 골격으로 하고, 그 골격을 중심으로 하여, 1, 3-위치 또는 1, 2-위치의 위치에 각각 2개의 연결된 방향족 탄화수소환을 갖는 계 5개의 방향족환의 연결을 필수로 하는 구조로 되어 있고, 이들 화합물군은 중심의 벤젠환 골격에 대하여 전부 대칭 구조가 되기 때문에 결정화하기 쉬워, 재료를 성막했을 때, 특히 70℃에서의 막균일성이 나빠져, 소자의 실온에서의 수명도 짧게 되는 것을 발견했다.
상기한 바와 같이, 효율적으로 인광 발광 재료를 빛나게 할 수 있고, 또한 수명이 실용적으로 긴 호스트 재료는 알려지지 않아, 인광 발광 재료를 이용한 소자의 실용화가 방해되고 있었다.
그래서, 본 발명의 목적은, 고효율이고 장수명인 인광 발광성의 유기 전기발광 소자 및 화합물을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 이용하는 것에 의해, 고효율이고 장수명인 인광 발광성의 유기 전기발광 소자가 얻어지는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은,
1. 음극과 양극 사이에, 1층 또는 복수층으로 이루어지는 유기 박막층을 갖추고,
상기 유기 박막층이 적어도 하나의 발광층을 가지며,
상기 발광층 중 적어도 하나가,
하기 화학식 1로 표시되는 화합물과 인광 발광 재료 1종 이상을 포함하는 유기 전기발광 소자,
Figure pct00001
(상기 식에서, Ar0은 치환 또는 비치환된 벤젠환을 나타내고, Ar1∼Ar3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 나프탈렌환, 크라이센환, 플루오란텐환, 트라이페닐렌환, 페난트렌환, 벤조페난트렌환, 다이벤조페난트렌환, 벤조트라이페닐렌환, 벤조크라이센환, 벤조[b]플루오란텐환 및 피센환으로부터 선택되는 축합 방향족 탄화수소환을 나타낸다. 단, Ar1과 Ar2는 동일한 축합 방향족 탄화수소환을 나타내고, 또한, Ar1과 Ar2가 갖는 치환기의 수는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, Ar1과 Ar2가 갖는 치환기의 종류는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 Ar0, Ar1, Ar2 및 Ar3이 치환기를 갖는 경우의 치환기는, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로알킬기, 탄소수 5∼18의 사이클로알킬기, 탄소수 3∼20의 실릴기, 탄소수 13∼35의 플루오렌 골격을 갖는 기, 다이벤조퓨란일기, 사이아노기 및 할로젠 원자로부터 선택되는 1 이상의 치환기이다.
또한, Ar2가 나프탈렌환을 나타내는 경우, Ar0와 Ar3이 상기 나프탈렌환의 2, 7위치에 결합하는 일은 없다.)
2. 상기 화학식 1에 있어서의 Ar3이, 치환 또는 비치환된 페난트렌환, 치환 또는 비치환된 플루오란텐환, 치환 또는 비치환된 벤조페난트렌환 및 치환 또는 비치환된 벤조크라이센환으로부터 선택되는 기인 상기 1에 기재된 유기 전기발광 소자,
3. 상기 화합물의 여기 3중항 에너지가 2.0eV 이상 2.8eV 이하인 상기 1에 기재된 유기 전기발광 소자,
4. 상기 인광 발광 재료가 금속 착체를 함유하고, 상기 금속 착체가 Ir, Pt, Os, Au, Cu, Re 및 Ru에서 선택되는 금속 원자와 리간드를 갖는 상기 1에 기재된 유기 전기발광 소자,
5. 상기 리간드가, 오쏘 메탈 결합을 갖는 상기 4에 기재된 유기 전기발광 소자,
6. 상기 인광 발광 재료 중 1종 이상은, 발광 파장의 극대치가 520nm 이상 720nm 이하인 상기 1에 기재된 유기 전기발광 소자,
7. 상기 유기 박막층이, 상기 음극과 상기 발광층 사이에 전자 수송층 또는 전자 주입층을 갖고, 또한, 상기 전자 수송층 또는 상기 전자 주입층이, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물(1)을 포함하는 상기 1에 기재된 유기 전기발광 소자,
8. 상기 유기 박막층이, 상기 음극과 상기 발광층 사이에 전자 수송층 또는 전자 주입층을 갖고, 또한, 상기 전자 수송층 또는 상기 전자 주입층이, 함질소 6원환 또는 5원환 골격을 갖는 방향족환 또는 함질소 6원환 또는 5원환 골격을 갖는 축합 방향족환 화합물을 포함하는 상기 1에 기재된 유기 전기발광 소자,
9. 상기 음극과 상기 유기 박막층의 계면 영역에 환원성 도펀트가 첨가되어 있는 상기 1에 기재된 유기 전기발광 소자,
10. 다음 화학식 1로 표시되는 화합물, 및
[화학식 1]
Ar3-Ar2-Ar0-Ar1
(상기 식에서, Ar0은 치환 또는 비치환된 벤젠환을 나타내고, Ar1∼Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 나프탈렌환, 크라이센환, 플루오란텐환, 트라이페닐렌환, 페난트렌환, 벤조페난트렌환, 다이벤조페난트렌환, 벤조트라이페닐렌환, 벤조크라이센환, 벤조[b]플루오란텐환 및 피센환으로부터 선택되는 축합 방향족 탄화수소환을 나타낸다. 단, Ar1과 Ar2는 동일한 축합 방향족 탄화수소환을 나타내고, 또한, Ar1과 Ar2가 갖는 치환기의 수는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, Ar1과 Ar2가 갖는 치환기의 종류는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 Ar0, Ar1, Ar2 및 Ar3이 치환기를 갖는 경우의 치환기는, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로알킬기, 탄소수 5∼18의 사이클로알킬기, 탄소수 3∼20의 실릴기, 탄소수 13∼35의 플루오렌 골격을 갖는 기, 다이벤조퓨란일기, 사이아노기 및 할로젠 원자로부터 선택되는 1 이상의 치환기이다.
또한, Ar2가 나프탈렌환을 나타내는 경우, Ar0과 Ar3이 상기 나프탈렌환의 2, 7위치에 결합하는 일은 없다.)
11. 상기 화학식 1에 있어서의 Ar3이, 치환 또는 비치환된 페난트렌환, 치환 또는 비치환된 플루오란텐환, 치환 또는 비치환된 벤조페난트렌환 및 치환 또는 비치환된 벤조크라이센환으로부터 선택되는 기인 상기 10에 기재된 화합물,
을 제공한다.
본 발명에 의하면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 이용하는 것에 의해, 고효율 또한 장수명인 인광 발광성의 유기 전기발광 소자를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 있어서의 유기 전기발광 소자의 일례의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.
(소자 구성)
우선, 본 발명의 유기 전기발광 소자의 소자 구성에 대하여 설명한다.
유기 전기발광 소자의 대표적인 소자 구성으로서는,
(1) 양극/발광층/음극
(2) 양극/정공 주입층/발광층/음극
(3) 양극/발광층/전자 주입·수송층/음극
(4) 양극/정공 주입층/발광층/전자 주입·수송층/음극
(5) 양극/유기 반도체층/발광층/음극
(6) 양극/유기 반도체층/전자 장벽층/발광층/음극
(7) 양극/유기 반도체층/발광층/부착개선층/음극
(8) 양극/정공 주입·수송층/발광층/전자 주입·수송층/음극
(9) 양극/절연층/발광층/절연층/음극
(10) 양극/무기 반도체층/절연층/발광층/절연층/음극
(11) 양극/유기 반도체층/절연층/발광층/절연층/음극
(12) 양극/절연층/정공 주입·수송층/발광층/절연층/음극
(13) 양극/절연층/정공 주입·수송층/발광층/전자 주입·수송층/음극
등의 구조를 들 수 있다.
상기 중에서 (8)의 소자 구성이 바람직하게 사용된지만, 물론 이들에 한정되는 것이 아니다.
도 1에, 본 발명의 실시형태에 있어서의 유기 전기발광 소자의 일례의 개략 구성을 나타낸다.
유기 전기발광 소자(1)는, 투명한 기판(2)과, 양극(3)과, 음극(4)과, 양극(3)과 음극(4) 사이에 배치된 유기 박막층(10)을 갖는다.
유기 박막층(10)은, 인광 호스트 및 인광 도펀트를 포함하는 인광 발광층(5)을 갖지만, 인광 발광층(5)과 양극(3) 사이에 정공 주입·수송층(6) 등, 인광 발광층(5)과 음극(4) 사이에 전자 주입·수송층(7) 등을 갖추고 있더라도 좋다.
또한, 인광 발광층(5)의 양극(3)측에 전자 장벽층을, 인광 발광층(5)의 음극(4)측에 정공 장벽층을 각각 설치하더라도 좋다.
이것에 의해, 전자나 정공을 인광 발광층(5)에 가두어, 인광 발광층(5)에 있어서의 여기자의 생성 확률을 높일 수 있다.
한편, 본 명세서에 있어서, 형광 호스트 및 인광 호스트의 용어는, 형광 도펀트와 짝지었을 때에는 형광 호스트라 칭하고, 인광 도펀트와 짝지었을 때는 인광 호스트라 칭하는 것으로, 분자 구조로부터만 일의적으로 형광 호스트나 인광 호스트로 한정적으로 구분되는 것이 아니다.
바꿔 말하면, 본 명세서에 있어서, 형광 호스트란, 형광 도펀트를 함유하는 형광 발광층을 구성하는 재료를 의미하고, 형광 재료의 호스트 외에는 이용할 수 없는 것을 뜻하는 것은 아니다.
마찬가지로 인광 호스트란, 인광 도펀트를 함유하는 인광 발광층을 구성하는 재료를 의미하고, 인광 발광 재료의 호스트 외에는 이용할 수 없는 것을 뜻하는 것은 아니다.
또한, 본 명세서 중에서 「정공 주입·수송층」은 「정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 어느 하나」를 의미하고, 「전자 주입·수송층」은 「전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 어느 하나」를 의미한다.
(투광성 기판)
유기 전기발광 소자는, 투광성의 기판 상에 제작한다. 여기서 말하는 투광성 기판은 유기 전기발광 소자를 지지하는 기판으로, 400∼700nm의 가시 영역의 광의 투과율이 50% 이상이고 평활한 기판이 바람직하다.
구체적으로는, 유리판, 폴리머판 등을 들 수 있다.
유리판으로서는, 특히 소다 석회 유리, 바륨·스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노규산 유리, 붕규산 유리, 바륨붕규산 유리, 석영 등을 들 수 있다.
또한 폴리머판으로서는, 폴리카보네이트계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계 수지, 폴리에터설파이드계 수지, 폴리설폰계 수지 등을 원료로서 이용하여 이루어지는 것을 들 수 있다.
(양극 및 음극)
유기 전기발광 소자의 양극은, 정공을, 정공 주입층, 정공 수송층 또는 발광층에 주입하는 역할을 담당하는 것이고, 4.5eV 이상의 일함수를 갖는 것이 효과적이다.
양극 재료의 구체예로서는, 산화인듐주석 합금(ITO), 산화주석(NESA), 산화인듐아연 산화물, 금, 은, 백금, 구리 등을 들 수 있다.
양극은 이들 전극 물질을 증착법이나 스퍼터링법 등의 방법으로 박막을 형성시키는 것에 의해 제작할 수 있다.
본 실시형태와 같이, 발광층으로부터의 발광을 양극에서 취출하는 경우, 양극의 가시 영역의 광 투과율을 10%보다 크게 하는 것이 바람직하다. 또한, 양극의 시트 저항은 수백Ω/□ 이하가 바람직하다. 양극의 막 두께는, 재료에도 의하지만, 통상 10nm∼1μm, 바람직하게는 10∼200nm의 범위로 선택된다.
음극으로서는, 전자 주입층, 전자 수송층 또는 발광층에 전자를 주입할 목적으로, 일함수가 작은 재료가 바람직하다.
음극 재료는 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 인듐, 알루미늄, 마그네슘, 마그네슘-인듐 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 알루미늄-리튬 합금, 알루미늄-스칸듐-리튬 합금, 마그네슘-은 합금 등을 사용할 수 있다.
음극도, 양극과 마찬가지로, 증착법이나 스퍼터링법 등의 방법으로 박막을 형성시키는 것에 의해 제작할 수 있다. 또한, 음극측으로부터 발광을 취출하는 태양을 채용할 수도 있다.
(발광층)
유기 전기발광 소자의 발광층은 이하의 기능을 더불어 가지는 것이다.
즉,
(1) 주입 기능; 전계 인가시에 양극 또는 정공 주입층으로부터 정공을 주입할 수 있고, 음극 또는 전자 주입층으로부터 전자를 주입할 수 있는 기능,
(2) 수송 기능; 주입한 전하(전자와 정공)를 전계의 힘으로 이동시키는 기능,
(3) 발광 기능; 전자와 정공의 재결합의 장소를 제공하여, 이것을 발광으로 연결하는 기능,
이 있다.
단, 정공의 주입 용이성과 전자의 주입 용이성에 차이가 있더라도 좋고, 또한, 정공과 전자의 이동도로 표시되는 수송능에 대소가 있더라도 좋다.
이 발광층을 형성하는 방법으로서는, 예컨대 증착법, 스핀 코팅법, LB법 등의 공지된 방법을 적용할 수 있다.
발광층은 분자 퇴적막인 것이 바람직하다.
여기서 분자 퇴적막이란, 기상 상태의 재료 화합물로부터 침착되어 형성된 박막이나, 용액 상태 또는 액상 상태의 재료 화합물로부터 고체화되어 형성된 막을 말하며, 통상 이 분자 퇴적막은, LB법에 의해 형성된 박막(분자 누적막)과는 응집 구조, 고차 구조의 차이나, 그것에 기인하는 기능적인 차이에 의해 구분할 수 있다.
또한, 일본 특허공개 1982-51781호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, 수지 등의 결착제와 재료 화합물을 용제에 녹여 용액으로 한 후, 이것을 스핀 코팅법 등에 의해 박막화함으로써도 발광층을 형성할 수 있다.
또한, 발광층의 막 두께는, 바람직하게는 5∼50nm, 보다 바람직하게는 7∼50nm, 가장 바람직하게는 10∼50nm이다. 5nm 미만이면 발광층 형성이 곤란해지고, 색도의 조정이 곤란해질 우려가 있고, 50nm를 초과하면 구동 전압이 상승할 우려가 있다.
(화합물)
본 발명에 있어서, 발광층은, 인광 발광을 나타내는 인광 발광 재료를 1종 이상과, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
[화학식 1]
Ar3-Ar2-Ar0-Ar1
(상기 식에서, Ar0은 치환 또는 비치환된 벤젠환을 나타내고, Ar1∼Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 나프탈렌환, 크라이센환, 플루오란텐환, 트라이페닐렌환, 페난트렌환, 벤조페난트렌환, 다이벤조페난트렌환, 벤조트라이페닐렌환, 벤조크라이센환, 벤조[b]플루오란텐환 및 피센환으로부터 선택되는 축합 방향족 탄화수소환을 나타낸다. 단, Ar1과 Ar2는 동일한 축합 방향족 탄화수소환을 나타내고, 또한, Ar1과 Ar2가 갖는 치환기의 수는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, Ar1과 Ar2가 갖는 치환기의 종류는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 Ar0, Ar1, Ar2 및 Ar3이 치환기를 갖는 경우의 치환기는, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로알킬기, 탄소수 5∼18의 사이클로알킬기, 탄소수 3∼20의 실릴기, 탄소수 13∼35의 플루오렌 골격을 갖는 기, 다이벤조퓨란일기, 사이아노기 및 할로젠 원자로부터 선택되는 1 이상의 치환기이다.
또한, Ar2가 나프탈렌환을 나타내는 경우, Ar0과 Ar3이 상기 나프탈렌환의 2, 7위치에 결합하는 일은 없다.)
상기 화학식 1에 있어서, Ar1과 Ar2는 상기 축합 방향족 탄화수소환으로부터 선택되는 동일한 환 구조를 나타낸다. 상기 화합물로서, Ar2-Ar0-Ar1로 표시되는 구조의 것을 이용한 경우, 중심의 벤젠환 골격에 대하여 전부 대칭 구조로 되기 때문에, 재료를 성막했을 때에 결정되기 쉽고, 소자의 수명도 짧게 된다. 이것에 대하여, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, Ar3기를 가져, 벤젠환에 대하여 비대칭 구조를 갖기 때문에, 이것을 발광층 중에 갖는 유기 EL 소자는 수명 등이 비약적으로 향상된 것으로 된다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 3중항 에너지 갭(여기 3중항 에너지)이 크기 때문에, 인광 도펀트에 대하여 에너지 이동시켜 인광 발광시킬 수 있다.
또한, 형광 호스트로서 잘 알려져 있었던 안트라센 유도체로서는 적색 발광의 인광 도펀트에도 호스트로서 적당하지 않지만, 본 발명의 화합물에서는 3중항 에너지 갭이 크기 때문에, 유효하게 적색의 발광을 나타내는 인광 도펀트를 발광시킬 수 있다.
단, 종래 잘 알려져 있었던 인광 호스트인 CBP에서는 녹색보다도 더욱 단파장의 인광 도펀트에 대하여도 호스트로서 기능하지만, 본 발명의 화합물에서는, 녹색의 발광을 나타내는 인광 도펀트까지 밖에 발광시킬 수 없다.
또한, 본 발명에서는, 화합물의 골격을 질소 원자를 포함하지 않는 다환식 축합환으로 구성함으로써 분자의 안정성을 높게 하여 소자 수명을 길게 할 수 있다.
이 때, 골격부의 핵원자수가 지나치게 적으면 분자의 안정성이 충분히 높아지지 않는다. 한편, 본 발명의 화합물을 구성하는 다환식 축합환의 축합하는 환의 수가 지나치게 많으면 공액이 너무 늘어나 HOMO-LUMO 갭이 좁게 되어 3중항 에너지 갭이 유용한 발광 파장에 차지 않게 된다. 이 점, 상기 화학식 1의 화합물은 적절한 핵원자수를 갖기 때문에, 유용한 발광 파장을 나타내어 안정성도 높은 인광 발광층의 인광 호스트로서 적합하게 이용할 수 있다.
종래는, 녹색으로부터 적색까지의 폭넓은 파장 영역에서 인광 도펀트에 널리 적용할 수 있는 인광 도펀트에 대응하는 호스트 재료를 선정하고 있었기 때문에, 3중항 에너지 갭이 넓은 CBP 등을 호스트 재료로 하고 있었다.
그러나 CBP에서는 확실히 3중항 에너지 갭 Eg(T)는 넓지만, 수명이 짧다고 하는 문제가 있었다.
이 점, 본 발명에서는, 청색 정도의 와이드 갭인 인광 도펀트의 호스트에는 적용할 수 없지만, 적색 또는 녹색의 인광 도펀트에 대해서는 호스트로서 기능한다. 또한, CBP와 같이 3중항 에너지 갭이 지나치게 넓으면, 적색 인광 도펀트에 대하여는 에너지 갭의 차이가 지나치게 커서 분자간 에너지 이동이 효율적으로 실시되지 않는다고 하는 문제가 있지만, 본 발명의 호스트에 의하면, 적색 또는 녹색 인광 도펀트에 대해서는 에너지 갭이 적합하고 있기 때문에, 효율적으로 호스트의 여기자로부터 인광 도펀트로 에너지 이동시킬 수 있어, 매우 고효율의 인광 발광층을 구성할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 의하면, 고효율이고 장수명인 인광 발광층을 구성할 수 있다.
여기서, 유기 전기발광 소자를 구성하는 재료의 3중항 에너지 갭 Eg(T)은, 인광 발광 스펙트럼에 근거하여 규정하는 것을 예로서 들 수 있고, 예컨대, 본 발명에 있어서는 아래와 같이 규정하는 것을 예로서 들 수 있다.
즉, 각 재료를 EPA 용매(용적비로 다이에틸 에터:아이소펜테인:에탄올=5:5:2)에 10μ몰/리터로 용해시켜 인광 측정용 시료로 한다.
그리고, 인광 측정용 시료를 석영 셀에 넣고, 77K로 냉각하고, 여기광을 조사하여, 방사되는 인광의 파장을 측정한다.
수득된 인광 스펙트럼의 단파장측의 개시부에 대하여 접선을 그어, 이 접선과 베이스 라인의 교점의 파장치를 에너지로 환산한 값을 3중항 에너지 갭 Eg(T)으로 한다.
한편, 측정에는, 예컨대, 시판의 측정 장치 F-4500(히타치 제작소제)을 이용할 수 있다.
단, 이러한 규정에 의하지 않고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위로 3중항 에너지 갭으로서 정의할 수 있는 값이면 좋다.
상기 화학식 1에 있어서의, Ar0, Ar1, Ar2 및 Ar3이 하나 또는 복수의 치환기를 갖는 경우, 상기 치환기는, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로알킬기, 탄소수 5∼18의 사이클로알킬기, 탄소수 3∼20의 실릴기, 탄소수 13∼35의 플루오렌 골격을 갖는 기, 다이벤조퓨란일기, 사이아노기 및 할로젠 원자로부터 선택되는 1 이상의 치환기이다.
이들 치환기는 질소 원자를 갖지 않기 때문에, 더 한층 화합물의 안정성을 높게 하여 소자 수명을 길게 할 수 있다.
여기서, Ar0, Ar1, Ar2 및 Ar3이 각각 갖는 치환기는, 2 이하인 것이 바람직하고, 1 이하인 것이 보다 바람직하다.
상기 탄소수 1∼20의 알킬기로서는, 예컨대, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트라이데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-뷰틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기 등을 들 수 있다.
상기 탄소수 1∼20의 할로알킬기로서는, 예컨대, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로아이소뷰틸기, 1,2-다이클로로에틸기, 1,3-다이클로로아이소프로필기, 2,3-다이클로로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이클로로프로필기, 브로모메틸기, 1-브로모에틸 기, 2-브로모에틸기, 2-브로모아이소뷰틸기, 1,2-다이브로모에틸기, 1,3-다이브로모아이소프로필기, 2,3-다이브로모-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이브로모프로필기, 아이오도메틸기, 1-아이오도에틸기, 2-아이오도에틸기, 2-아이오도아이소뷰틸기, 1,2-다이아이오도에틸기, 1,3-다이아이오도아이소프로필기, 2,3-다이아이오도-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아이오도프로필기 등을 들 수 있다.
상기 탄소수 5∼18의 사이클로알킬기로서는, 예컨대, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로옥틸기, 3,5-테트라메틸사이클로헥실기 등을 들 수 있고, 사이클로헥실기, 사이클로옥틸기, 3,5-테트라메틸사이클로헥실기 등을 들 수 있다.
상기 탄소수 3∼20의 실릴기로서는, 예컨대, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 또는 아르알킬실릴기가 바람직하고, 예로서는, 트라이메틸실릴기, 트라이에틸실릴기, 트라이뷰틸실릴기, 트라이옥틸실릴기, 트라이아이소뷰틸실릴기, 다이메틸에틸실릴기, 다이메틸아이소프로필실릴기, 다이메틸프로필실릴기, 다이메틸뷰틸실릴기, 다이메틸터셔리-뷰틸실릴기, 다이에틸아이소프로필실릴기, 페닐다이메틸실릴기, 다이페닐메틸실릴기, 다이페닐터셔리-뷰틸실릴기, 트라이페닐실릴기 등을 들 수 있다.
할로젠 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.
상기 탄소수 13∼35의 플루오렌 골격을 갖는 기로서는, 예컨대, 9,9-다이메틸플루오렌, 9,9-다이에틸플루오렌, 9,9-다이뷰틸플루오렌, 9,9-다이펜틸플루오렌, 9,9-다이데실플루오렌, 9,9-다이헵틸플루오렌, 9,9-다이사이클로헥실플루오렌, 9,9-다이사이클로펜틸플루오렌, 9,9-다이페닐플루오렌 등을 들 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 본원의 비대칭 구조 재료에 있어서, 말단기인 Ar3은, 치환 또는 비치환된 페난트렌환, 치환 또는 비치환된 플루오란텐환, 치환 또는 비치환된 벤조페난트렌환 및 치환 또는 비치환된 벤조크라이센환으로부터 선택되는 내열성이 우수한 기인 것이 바람직하다.
이와 같이, 환 구조를 선택하는 것에 의해, 안정성이 우수한 유기 전기발광 소자용 박막을 형성할 수 있고, 특히 적색 인광 재료와 함께 이용한 경우, 고효율, 장수명인 소자를 구축할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 화합물의 여기 3중항 에너지는, 2.0eV 이상 2.8eV 이하인 것이 바람직하다.
여기 3중항 에너지가 2.0eV 이상이면, 520nm 이상 720nm 이하로 발광하는 인광 발광 재료에의 에너지 이동이 가능하다. 2.8eV 이하이면, 적색 인광 도펀트에 대하여 에너지 갭의 차이가 지나치게 커서 발광이 효율적으로 실시되지 않는다고 하는 문제를 회피할 수 있다.
한편, 화합물의 여기 3중항 에너지는, 2.0eV 이상 2.7eV 이하인 것이 보다 바람직하고, 2.1eV 이상 2.7eV 이하인 것이 더 바람직하다.
이러한 본 발명의 화합물로서는, 예컨대, 다음 화합물을 구체예로서 들 수 있다. 한편, 식(1)∼(59)에 있어서의 Me는 메틸기를, tBu는 t-뷰틸기를 각각 나타낸다.
Figure pct00002
Figure pct00003
Figure pct00004
Figure pct00005
(인광 발광 재료)
본 발명에 있어서 사용되는 인광 발광 재료는, 인광 발광을 나타내는 것으로, 금속 착체를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 금속 착체로서는, Ir, Pt, Os, Au, Cu, Re 및 Ru에서 선택되는 금속 원자와 리간드를 갖는 것이 바람직하다. 특히, 상기 리간드는 오쏘 메탈 결합을 갖는 것이 바람직하다.
인광 양자 수율이 높고, 발광 소자의 외부 양자 효율을 보다 향상시킬 수 있다고 하는 점에서, 이리듐(Ir), 오스뮴(Os) 및 백금(Pt)으로부터 선택되는 금속을 함유하는 화합물이면 바람직하고, 이리듐 착체, 오스뮴 착체, 백금 착체 등의 금속 착체이면 더 바람직하고, 그 중에서도 이리듐 착체 및 백금 착체가 보다 바람직하고, 오쏘 메탈화 이리듐 착체가 가장 바람직하다.
금속 착체의 구체예를 이하에 나타내지만, 이 중에서 녹∼적으로 발광하는 금속 착체가 특히 바람직하다.
Figure pct00006
Figure pct00007
Figure pct00008
Figure pct00009
Figure pct00010
본 발명에서는, 상기 발광층에 포함되는 상기 인광 발광 재료 중 1종 이상은, 발광 파장의 극대치가 520nm 이상 720nm 이하인 것이 바람직하고, 570nm 이상 720nm 이하인 것이 보다 바람직하다.
이러한 발광 파장의 인광 발광 재료(인광 도펀트)를, 본 발명에서 이용하는 특정한 화합물에 도핑하여 발광층을 구성함으로써 고효율인 유기 전기발광 소자로 할 수 있다.
본 발명의 유기 전기발광 소자는, 정공 수송층(정공 주입층)을 갖고 있더라도 좋고, 상기 정공 수송층(정공 주입층)이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하더라도 바람직하다. 또한, 본 발명의 유기 전기발광 소자는, 전자 수송층 및/또는 정공 장벽층을 갖고 있더라도 좋고, 상기 전자 수송층 및/또는 정공 장벽층이, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하더라도 바람직하다.
본 발명의 유기 전기발광 소자는, 음극과 유기 박막층의 계면 영역에 환원성 도펀트를 갖는 것도 바람직하다.
이러한 구성에 의하면, 유기 전기발광 소자에 있어서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화가 기도된다.
환원성 도펀트로서는, 알칼리 금속, 알칼리 금속 착체, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속, 알칼리 토금속 착체, 알칼리 토금속 화합물, 희토류 금속, 희토류 금속 착체, 및 희토류 금속 화합물 등으로부터 선택된 적어도 1종류를 들 수 있다.
알칼리 금속으로서는, Na(일함수: 2.36eV), K(일함수: 2.28eV), Rb(일함수: 2.16eV), Cs(일함수: 1.95eV) 등을 들 수 있고, 일함수가 2.9eV 이하인 것이 특히 바람직하다. 이들 중 바람직하게는 K, Rb, Cs, 더 바람직하게는 Rb 또는 Cs이며, 가장 바람직하게는 Cs이다.
알칼리 토금속으로서는, Ca(일함수: 2.9eV), Sr(일함수: 2.0∼2.5eV), Ba(일함수: 2.52eV) 등을 들 수 있고, 일함수가 2.9eV 이하인 것이 특히 바람직하다.
희토류 금속으로서는, Sc, Y, Ce, Tb, Yb 등을 들 수 있고, 일함수가 2.9eV 이하인 것이 특히 바람직하다.
이상의 금속 중 바람직한 금속은, 특히 환원 능력이 높고, 전자 주입역에의 비교적 소량의 첨가에 의해, 유기 전기발광 소자에 있어서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화가 가능하다.
알칼리 금속 화합물로서는, Li2O, Cs2O, K2O 등의 알칼리 산화물, LiF, NaF, CsF, KF 등의 알칼리 할로젠화물 등을 들 수 있고, LiF, Li2O, NaF가 바람직하다.
알칼리 토금속 화합물로서는, BaO, SrO, CaO 및 이들을 혼합한 BaxSr1-xO(0<x<1), BaxCa1-xO(0<x<1) 등을 들 수 있고, BaO, SrO, CaO가 바람직하다.
희토류 금속 화합물로서는, YbF3, ScF3, ScO3, Y2O3, Ce2O3, GdF3, TbF3 등을 들 수 있고, YbF3, ScF3, TbF3이 바람직하다.
알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체로서는, 각각 금속 이온으로서 알칼리 금속 이온, 알칼리 토금속 이온, 희토류 금속 이온 중 적어도 하나를 함유하는 것이면 특별히 한정은 없다. 또한, 리간드에는 퀴놀린올, 벤조퀴놀린올, 아크리딘올, 페난트리딘올, 하이드록시페닐옥사졸, 하이드록시페닐싸이아졸, 하이드록시다이아릴옥사다이아졸, 하이드록시다이아릴싸이아다이아졸, 하이드록시페닐피리딘, 하이드록시페닐벤조이미다졸, 하이드록시벤조트라이아졸, 하이드록시풀보레인, 바이피리딜, 페난트롤린, 프탈로사이아닌, 포르피린, 사이클로펜타다이엔, β-다이케톤류, 아조메타인류, 및 그들의 유도체 등이 바람직하지만, 이들에 한정되는 것이 아니다.
환원성 도펀트의 첨가 형태로서는, 계면 영역에 층상 또는 섬형상으로 형성하면 바람직하다. 형성 방법으로서는, 저항 가열 증착법에 의해 환원성 도펀트를 증착하면서, 계면 영역을 형성하는 발광 재료나 전자 주입 재료인 유기물을 동시에 증착시켜, 유기물 중에 환원 도펀트를 분산하는 방법이 바람직하다. 분산 농도는 몰비로 유기물:환원성 도펀트=100:1∼1:100, 바람직하게는 5:1∼1:5이다.
환원성 도펀트를 층상으로 형성하는 경우는, 계면의 유기층인 발광 재료나 전자 주입 재료를 층상으로 형성한 후에, 환원 도펀트를 단독으로 저항 가열 증착법에 의해 증착하고, 바람직하게는 층의 두께 0.1∼15nm로 형성한다.
환원성 도펀트를 섬형상으로 형성하는 경우는, 계면의 유기층인 발광 재료나 전자 주입 재료를 섬형상으로 형성한 후에, 환원 도펀트를 단독으로 저항 가열 증착법에 의해 증착하고, 바람직하게는 섬의 두께 0.05∼1nm로 형성한다.
또한, 본 발명의 유기 전기발광 소자에 있어서의, 주성분과 환원성 도펀트의 비율로서는, 몰비로 주성분:환원성 도펀트=5:1∼1:5이면 바람직하고, 2:1∼1:2이면 더 바람직하다.
본 발명의 유기 전기발광 소자는 발광층과 음극 사이에 전자 주입층을 갖고, 상기 전자 주입층은 함질소환 유도체를 주성분으로서 함유하는 것이 바람직하다. 여기서, 전자 주입층은 전자 수송층으로서 기능하는 층이더라도 좋다.
한편, 「주성분으로서」란, 전자 주입층이 50질량% 이상의 함질소환 유도체를 함유하고 있는 것을 의미한다.
전자 주입층 또는 전자 수송층은, 발광층에의 전자의 주입을 돕는 층이고, 전자 이동도가 크다. 전자 주입층은 에너지 레벨의 급한 변화를 완화하는 등, 에너지 레벨을 조정하기 위해서 설치한다.
전자 주입층에 이용하는 전자 수송성 재료로서는, 분자 내에 헤테로 원자를 1개 이상 함유하는 방향족 헤테로환 화합물이 바람직하게 사용되고, 특히 함질소환 유도체가 바람직하다. 또한, 함질소환 유도체로서는, 함질소 6원환 또는 5원환 골격을 갖는 방향족환, 또는 함질소 6원환 또는 5원환 골격을 갖는 축합 방향족환 화합물이 바람직하다.
이 함질소환 유도체로서는, 예컨대, 다음 화학식(A)로 표시되는 함질소환 금속 킬레이트 착체가 바람직하다.
Figure pct00011
R2∼R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 옥시기, 아미노기, 탄소수 1∼40의 탄화수소기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카보닐기, 또는 헤테로환기 이며, 이들은 치환되어 있더라도 좋다.
할로젠 원자로서는, 예컨대, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등을 들 수 있다. 또한, 치환되어 있더라도 좋은 아미노기의 예로서는, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 아르알킬아미노기를 들 수 있다.
탄소수 1∼40의 탄화수소기로서는, 치환 또는 비치환된 알킬기, 알켄일기, 사이클로알킬기, 아릴기, 아르알킬기 등을 들 수 있다.
알킬기로서는, 예컨대, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸 기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-뷰틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기, 하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2- 하이드록시에틸기, 2-하이드록시아이소뷰틸기, 1,2-다이하이드록시에틸기, 1,3-다이하이드록시아이소프로필기, 2,3-다이하이드록시-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이하이드록시프로필기, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로아이소뷰틸기, 1,2-다이클로로에틸기, 1,3-다이클로로아이소프로필기, 2,3-다이클로로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이클로로프로필기, 브로모메틸기, 1-브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모아이소뷰틸기, 1,2-다이브로모에틸기, 1,3-다이브로모아이소프로필기, 2,3-다이브로모-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이브로모프로필기, 아이오도메틸기, 1-아이오도에틸기, 2-아이오도에틸기, 2-아이오도아이소뷰틸기, 1,2-다이아이오도에틸기, 1,3-다이아이오도아이소프로필기, 2,3-다이아이오도-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아이오도프로필기, 아미노메틸기, 1-아미노에틸기, 2-아미노에틸기, 2-아미노아이소뷰틸기, 1,2-다이아미노에틸기, 1,3-다이아미노아이소프로필기, 2,3-다이아미노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아미노프로필기, 사이아노메틸기, 1-사이아노에틸기, 2-사이아노에틸기, 2-사이아노아이소뷰틸기, 1,2-다이사이아노에틸기, 1,3-다이사이아노아이소프로필기, 2,3-다이사이아노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이사이아노프로필기, 나이트로메틸기, 1-나이트로에틸기, 2-나이트로에틸기, 1,2-다이나이트로에틸기, 2,3-다이나이트로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이나이트로프로필기 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 바람직하게는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸 기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 또는 1-뷰틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기이다.
알켄일기로서는, 예컨대, 바이닐기, 알릴기, 1-뷰텐일기, 2-뷰텐일기, 3-뷰텐일기, 1,3-뷰테인다이엔일기, 1-메틸바이닐기, 스타이릴기, 2,2-다이페닐바이닐기, 1,2-다이페닐바이닐기, 1-메틸알릴기, 1,1-다이메틸알릴기, 2-메틸알릴기, 1-페닐알릴기, 2-페닐알릴기, 3-페닐알릴기, 3,3-다이페닐알릴기, 1,2-다이메틸알릴기, 1-페닐-1-뷰텐일기, 3-페닐-1-뷰텐일기 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 스타이릴기, 2,2-다이페닐바이닐기, 1,2-다이페닐바이닐기 등을 들 수 있다.
사이클로알킬기로서는, 예컨대, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로옥틸기, 3,5-테트라메틸사이클로헥실기 등을 들 수 있고, 사이클로헥실기, 사이클로옥틸기, 및 3,5-테트라메틸사이클로헥실기가 바람직하다.
알콕시기는 -OY로 표시되는 기이다. Y의 구체예로서는, 상기 알킬기로 설명한 것과 같은 것을 들 수 있고, 바람직한 예도 같다.
비축합 아릴기로서는, 예컨대, 페닐기, 바이페닐-2-일기, 바이페닐-3-일기, 바이페닐-4-일기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 4'-메틸바이페닐릴기, 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기, o-큐멘일기, m-큐멘일기, p-큐멘일기, 2,3-자일릴기, 3,4-자일릴기, 2,5-자일릴기, 메시틸기, 및 m-쿼터페닐기 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 바람직하게는, 페닐기, 바이페닐-2-일기, 바이페닐-3-일기, 바이페닐-4-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, p-톨릴기, 3,4-자일릴기, m-쿼터페닐-2-일기이다.
축합 아릴기로서는, 예컨대 1-나프틸기, 2-나프틸기를 들 수 있다.
헤테로환기는 단환 또는 축합환이고, 바람직하게는 핵탄소수 1∼20, 보다 바람직하게는 핵탄소수 1∼12, 더 바람직하게는 핵탄소수 2∼10의 헤테로환기이며, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 방향족 헤테로환기이다. 이 헤테로환기의 예로서는, 예컨대, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모폴린, 싸이오펜, 셀레노펜, 퓨란, 피롤, 이미다졸, 피라졸, 피리딘, 피라진, 피리다진, 피리미딘, 트라이아졸, 트라이아진, 인돌, 인다졸, 퓨린, 싸이아졸린, 싸이아졸, 싸이아다이아졸, 옥사졸린, 옥사졸, 옥사다이아졸, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 프탈라진, 나프티리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 신놀린, 프테리딘, 아크리딘, 페난트롤린, 페나진, 테트라졸, 벤조이미다졸, 벤조옥사졸, 벤조싸이아졸, 벤조트라이아졸, 테트라자인덴, 카바졸, 아제핀 등으로부터 유도되는 기를 들 수 있고, 바람직하게는, 퓨란, 싸이오펜, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 트라이아진, 퀴놀린, 프탈라진, 나프티리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린이고, 보다 바람직하게는 퓨란, 싸이오펜, 피리딘, 및 퀴놀린으로부터 유도되는 기이며, 더 바람직하게는 퀴놀리닐기이다.
아르알킬기로서는, 예컨대, 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐아이소프로필기, 2-페닐아이소프로필기, 페닐-t-뷰틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸아이소프로필기, 2-α-나프틸아이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸에틸기, 2-β-나프틸에틸기, 1-β-나프틸아이소프로필기, 2-β-나프틸아이소프로필기, p-메틸벤질기, m-메틸벤질기, o-메틸벤질기, p-클로로벤질기, m-클로로벤질기, o-클로로벤질기, p-브로모벤질기, m-브로모벤질기, o-브로모벤질기, p-아이오도벤질기, m-아이오도벤질기, o-아이오도벤질기, p-하이드록시벤질기, m-하이드록시벤질기, o-하이드록시벤질기, p-아미노벤질기, m-아미노벤질기, o-아미노벤질기, p-나이트로벤질기, m-나이트로벤질기, o-나이트로벤질기, p-사이아노벤질기, m-사이아노벤질기, o-사이아노벤질기, 1-하이드록시-2-페닐아이소프로필기, 1-클로로-2-페닐아이소프로필기 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 바람직하게는, 벤질기, p-사이아노벤질기, m-사이아노벤질기, o-사이아노벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐아이소프로필기, 2-페닐아이소프로필기이다.
아릴옥시기는 -OY'으로 표시되고, Y'의 예로서는 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐릴기, 3-바이페닐릴기, 4-바이페닐릴기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-안트릴기, 4'-메틸바이페닐릴기, 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기 등을 들 수 있다.
아릴옥시기 중 헤테로아릴옥시기는 -OZ'으로 표시되고, Z'의 예로서는 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라진일기, 2-피리딘일기, 3-피리딘일기, 4-피리딘일기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-아이소인돌릴기, 3-아이소인돌릴기, 4-아이소인돌릴기, 5-아이소인돌릴기, 6-아이소인돌릴기, 7-아이소인돌릴기, 2-퓨릴기, 3-퓨릴기, 2-벤조퓨란일기, 3-벤조퓨란일기, 4-벤조퓨란일기, 5-벤조퓨란일기, 6-벤조퓨란일기, 7-벤조퓨란일기, 1-아이소벤조퓨란일기, 3-아이소벤조퓨란일기, 4-아이소벤조퓨란일기, 5-아이소벤조퓨란일기, 6-아이소벤조퓨란일기, 7-아이소벤조퓨란일기, 2-퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-아이소퀴놀릴기, 3-아이소퀴놀릴기, 4-아이소퀴놀릴기, 5-아이소퀴놀릴기, 6-아이소퀴놀릴기, 7-아이소퀴놀릴기, 8-아이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살린일기, 5-퀴녹살린일기, 6-퀴녹살린일기, 1-카바졸릴기, 2-카바졸릴기, 3-카바졸릴기, 4-카바졸릴기, 1-페난트리딘일기, 2-페난트리딘일기, 3-페난트리딘일기, 4-페난트리딘일기, 6-페난트리딘일기, 7-페난트리딘일기, 8-페난트리딘일기, 9-페난트리딘일기, 10-페난트리딘일기, 1-아크리딘일기, 2-아크리딘일기, 3-아크리딘일기, 4- 아크리딘일기, 9-아크리딘일기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린-4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나진일기, 2-페나진일기, 1-페노싸이아진일기, 2-페노싸이아진일기, 3-페노싸이아진일기, 4-페노싸이아진일기, 1-페녹사진일기, 2-페녹사진일기, 3-페녹사진일기, 4-페녹사진일기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 2-옥사다이아졸릴기, 5-옥사다이아졸릴기, 3-퓨라잔일기, 2-싸이엔일기, 3-싸이엔일기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1-일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-뷰틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-뷰틸1-인돌릴기, 4-t-뷰틸1-인돌릴기, 2-t-뷰틸3-인돌릴기, 4-t-뷰틸3-인돌릴기 등을 들 수 있다.
알콕시카보닐기는 -COOY'으로 표시되고, Y'의 예로서는 상기 알킬기와 같은 것을 들 수 있다.
알킬아미노기 및 아르알킬아미노기는 -NQ1Q2로 표시된다. Q1 및 Q2의 구체예로서는, 각각 독립적으로, 상기 알킬기, 상기 아르알킬기로 설명한 것과 같은 것을 들 수 있고, 바람직한 예도 같다. Q1 및 Q2 중 한쪽은 수소 원자이더라도 좋다.
아릴아미노기는 -NAr1Ar2로 표시되고, Ar1및 Ar2의 구체예로서는, 각각 독립적으로 상기 비축합 아릴기 및 축합 아릴로 설명한 기와 마찬가지이다. Ar1및 Ar2 중 한쪽은 수소 원자이더라도 좋다.
M은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 또는 인듐(In)이며, In이면 바람직하다.
상기 식(A)의 L은, 다음 화학식(A') 또는 (A")으로 표시되는 기이다.
Figure pct00012
상기 식중, R8∼R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼40의 탄화수소기이며, 서로 인접하는 기가 환상 구조를 형성하고 있더라도 좋다. 또한, R13∼R27은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼40의 탄화수소기이며, 서로 인접하는 기가 환상 구조를 형성하고 있더라도 좋다.
상기 식(A') 및 식(A")의 R8∼R12 및 R13∼R27이 나타내는 탄소수 1∼40의 탄화수소기로서는, R2∼R7의 구체예와 같은 것을 들 수 있다.
또한, R8∼R12 및 R13∼R27의 서로 인접하는 기가 환상 구조를 형성한 경우의 2가의 기로서는, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 다이페닐메테인-2,2'-다이일기, 다이페닐에테인-3,3'-다이일기, 다이페닐프로페인-4,4'-다이일기 등을 들 수 있다.
상기 식(A)로 표시되는 함질소환 금속 킬레이트 착체의 구체예를 이하에 나타내지만, 이들 예시 화합물에 한정되는 것이 아니다.
Figure pct00013
Figure pct00014
Figure pct00015
본 발명에서는, 전자 주입층이나 전자 수송층은, 함질소 복소환 유도체를 포함하는 것이 바람직하다.
전자 주입층 또는 전자 수송층은, 발광층에의 전자의 주입을 돕는 층이고, 전자 이동도가 크다. 전자 주입층은 에너지 레벨의 급한 변화를 완화하는 등, 에너지 레빌을 조정하기 위해서 설치한다. 전자 주입층 또는 전자 수송층에 사용되는 재료로서는, 8-하이드록시퀴놀린 또는 그 유도체의 금속 착체, 옥사다이아졸 유도체, 함질소 복소환 유도체가 적합하다. 상기 8-하이드록시퀴놀린 또는 그 유도체의 금속 착체의 구체예로서는, 옥신(일반적으로 8-퀴놀린올 또는 8-하이드록시퀴놀린)의 킬레이트를 포함하는 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물, 예컨대 트리스(8-퀴놀린올)알루미늄을 이용할 수 있다. 그리고, 옥사다이아졸 유도체로서는, 하기의 것을 들 수 있다.
Figure pct00016
상기 식중, Ar17, Ar18, Ar19, Ar21, Ar22 및 Ar25는, 각각 치환기를 갖거나 갖지 않는 아릴기를 나타내고, Ar17과 Ar18, Ar19와 Ar21, Ar22와 Ar25는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. Ar20, Ar23 및 Ar24는, 각각 치환기를 갖거나 갖지 않는 아릴렌기를 나타내고, Ar23과 Ar24는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
또한, 아릴렌기로서는, 페닐렌기, 나프틸렌기, 바이페닐렌기, 안트라닐렌기, 페릴렌일렌기, 피렌일렌기 등을 들 수 있다. 그리고, 이들에의 치환기로서는 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기 또는 사이아노기 등을 들 수 있다. 이 전자 전달 화합물은, 박막 형성성이 양호한 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 그리고, 이들 전자 전달성 화합물의 구체예로서는, 하기의 것을 들 수 있다.
Figure pct00017
함질소 복소환 유도체로서는, 이하의 화학식을 갖는 유기 화합물로 이루어지는 함질소 복소환 유도체이고, 금속 착체가 아닌 함질소 화합물을 들 수 있다. 예컨대, (A)로 나타내는 골격을 함유하는 5원환 또는 6원환이나, (B)로 나타내는 구조의 것을 들 수 있다.
Figure pct00018
상기 (B) 중, X는 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타낸다. Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 함질소 헤테로환을 형성 가능한 원자군을 나타낸다.
Figure pct00019
바람직하게는, 5원환 또는 6원환으로 이루어지는 함질소 방향 다환족을 갖는 유기 화합물. 또한, 이러한 복수 질소 원자를 갖는 함질소 방향 다환족의 경우는, 상기 (A)와 (B) 또는 (A)와 (C)를 조합시킨 골격을 갖는 함질소 방향 다환 유기 화합물.
함질소 유기 화합물의 함질소기는, 예컨대, 이하의 화학식으로 표시되는 함질소 헤테로환기로부터 선택된다.
Figure pct00020
상기 각 식중, R은 탄소수 6∼40의 아릴기, 탄소수 3∼40의 헤테로아릴기, 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 탄소수 1∼20의 알콕시기이고, n은 0∼5의 정수이며, n이 2 이상의 정수일 때, 복수의 R은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
또한, 바람직한 구체적인 화합물로서, 다음 화학식으로 표시되는 함질소 복소환 유도체를 들 수 있다.
Figure pct00021
상기 식중, HAr은 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 3∼40의 함질소 헤테로환이고, L1은 단일 결합, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴렌기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 3∼40의 헤테로아릴렌기이며, Ar1은 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 2가의 방향족 탄화수소기이고, Ar2는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 3∼40의 헤테로아릴기이다.
HAr은 예컨대 하기의 군으로부터 선택된다.
Figure pct00022
L1은 예컨대 하기의 군으로부터 선택된다.
Figure pct00023
Ar2는 예컨대 하기의 군으로부터 선택된다.
Figure pct00024
Ar1은 예컨대 하기의 아릴안트라닐기로부터 선택된다.
Figure pct00025
상기 식중, R1∼R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 탄소수 6∼40의 아릴옥시기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴기 또는 탄소수 3∼40의 헤테로아릴기이며, Ar3은 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴기 또는 탄소수 3∼40의 헤테로아릴기이다.
또한, 상기 식으로 표시되는 Ar1에 있어서, R1∼R8은 모두 수소 원자인 함질소 복소환 유도체.
이밖에, 하기의 화합물(일본 특허공개 1997-3448호 공보 참조)도 적합하게 사용된다.
Figure pct00026
상기 식중, R1∼R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 미치환의 지방족기, 치환 또는 미치환의 지방족식 환기, 치환 또는 미치환의 탄소환식 방향족환기, 치환 또는 미치환의 헤테로환기를 나타내고, X1, X2는 각각 독립적으로 산소 원자, 황 원자 또는 다이사이아노메틸렌기를 나타낸다.
또한, 하기의 화합물(일본 특허공개 2000-173774호 공보 참조)도 적합하게 사용된다.
Figure pct00027
상기 식중, R1, R2, R3 및 R4는 서로 동일 또는 상이한 기이고, 다음 화학식으로 표시되는 아릴기이다.
Figure pct00028
상기 식중, R5, R6, R7, R8 및 R9는 서로 동일 또는 상이한 기이고, 수소 원자, 또는 그들 중 적어도 하나가 포화 또는 불포화 알콕실기, 알킬기, 아미노기 또는 알킬아미노기이다.
또한, 상기 함질소 헤테로환기 또는 함질소 복소환 유도체를 포함하는 고분자 화합물이더라도 좋다.
또한, 전자 수송층은, 다음 화학식(201)∼(203)으로 표시되는 함질소 복소환 유도체 중 적어도 어느 하나를 함유하는 것이 바람직하다.
Figure pct00029
상기 식(201)∼(203)중, R은 수소 원자, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼60의 아릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 피리딜기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 퀴놀릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알콕시기이고, n은 0∼4의 정수이며, R1은 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼60의 아릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 피리딜기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 퀴놀릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 탄소수 1∼20의 알콕시기이고, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼60의 아릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 피리딜기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 퀴놀릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알콕시기이며, L은 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼60의 아릴렌기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 피리딘일렌기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 퀴놀린일렌기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 플루오렌일렌기이고, Ar1은 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼60의 아릴렌기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 피리딘일렌기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 퀴놀린일렌기이며, Ar2는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼60의 아릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 피리딜기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 퀴놀릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알콕시기이다.
Ar3은 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼60의 아릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 피리딜기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 퀴놀릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알콕시기, 또는 -Ar1-Ar2로 표시되는 기(Ar1 및 Ar2는 각각 상기와 같음)이다.
한편, 상기 식(201)∼(203)에 있어서, R은 수소 원자, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼60의 아릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 피리딜기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 퀴놀릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알콕시기이다.
상기 탄소수 6∼60의 아릴기로서는, 탄소수 6∼40의 아릴기가 바람직하고, 탄소수 6∼20의 아릴기가 더 바람직하고, 구체적으로는, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 나프타센일기, 크라이센일기, 피렌일기, 바이페닐기, 터페닐기, 톨릴기, t-뷰틸페닐기, (2-페닐프로필)페닐기, 플루오란텐일기, 플루오렌일기, 스파이로바이플루오렌으로 이루어지는 1가의 기, 퍼플루오로페닐기, 퍼플루오로나프틸기, 퍼플루오로안트릴기, 퍼플루오로바이페닐기, 9-페닐안트라센으로 이루어지는 1가의 기, 9-(1'-나프틸)안트라센으로 이루어지는 1가의 기, 9-(2'-나프틸)안트라센으로 이루어지는 1가의 기, 6-페닐크라이센으로 이루어지는 1가의 기, 9-[4-(다이페닐아미노)페닐]안트라센으로 이루어지는 1가의 기 등을 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 터페닐기, 9-(10-페닐)안트릴기, 9-[10-(1'-나프틸)]안트릴기, 9-[10-(2'-나프틸)]안트릴기 등이 바람직하다.
탄소수 1∼20의 알킬기로서는, 탄소수 1∼6의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기, 헥실기 등 외에, 트라이플루오로메틸기 등의 할로알킬기를 들 수 있고, 탄소수가 3 이상인 것은 직쇄상, 환상 또는 분기를 갖는 것이라도 좋다.
탄소수 1∼20의 알콕시기로서는, 탄소수 1∼6의 알콕시기가 바람직하고, 구체적으로는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 뷰톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기 등을 들 수 있고, 탄소수가 3 이상인 것은 직쇄상, 환상 또는 분기를 갖는 것이라도 좋다.
R이 나타내는 각 기의 치환기로서는, 할로젠 원자, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알콕시기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴옥시기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 3∼40의 헤테로아릴기 등을 들 수 있다.
할로젠 원자로서는, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 탄소수 6∼40의 아릴기로서는, 상기와 같은 것을 들 수 있다.
탄소수 6∼40의 아릴옥시기로서는, 예컨대, 페녹시기, 바이페닐옥시기 등을 들 수 있다.
탄소수 3∼40의 헤테로아릴기로서는, 예컨대, 피롤릴기, 퓨릴기, 싸이엔일기, 실릴기, 피리딜기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 벤조퓨릴기, 이미다졸릴기, 피리미딜기, 카바졸릴기, 셀레노페닐기, 옥사다이아졸릴기, 트라이아졸릴기 등을 들 수 있다.
n은 0∼4의 정수이고, 0∼2이면 바람직하다.
상기 식(201)에 있어서, R1은 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼60의 아릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 피리딜기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 퀴놀릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 탄소수 1∼20의 알콕시기이다.
이들 각 기의 구체예, 바람직한 탄소수 및 치환기로서는, 상기 R에 대하여 설명한 것과 같다.
상기 식(202) 및 (203)에 있어서, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼60의 아릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 피리딜기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 퀴놀릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알콕시기이다.
이들 각 기의 구체예, 바람직한 탄소수 및 치환기로서는, 상기 R에 대하여 설명한 것과 같다.
상기 식(201)∼(203)에 있어서, L은 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼60의 아릴렌기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 피리딘일렌기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 퀴놀린일렌기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 플루오렌일렌기이다.
탄소수 6∼60의 아릴렌기로서는, 탄소수 6∼40의 아릴렌기가 바람직하고, 탄소수 6∼20의 아릴렌기가 더 바람직하고, 구체적으로는, 상기 R에 대하여 설명한 아릴기로부터 수소 원자 1개를 제거하여 형성되는 2가의 기를 들 수 있다. L이 나타내는 각 기의 치환기로서는, 상기 R에 대하여 설명한 것과 같다.
또한, L은 하기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기이면 바람직하다.
Figure pct00030
상기 식(201)에 있어서, Ar1은 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼60의 아릴렌기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 피리딘일렌기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 퀴놀린일렌기이다. Ar1 및 Ar3이 나타내는 각 기의 치환기로서는, 각각 상기 R에 대하여 설명한 것과 같다.
또한, Ar1은, 다음 화학식(101)∼(110)으로 표시되는 축합환기로부터 선택되는 어느 하나의 기이면 바람직하다.
Figure pct00031
상기 식(101)∼(110)중, 각각의 축합환은, 할로젠 원자, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20 의 알콕시기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴옥시기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 3∼40의 헤테로아릴기로 이루어지는 결합기가 결합하고 있더라도 좋고, 상기 결합기가 복수 있는 경우는, 상기 결합기는 서로 동일하더라도 상이하더라도 좋다. 이들 각 기의 구체예로서는, 상기와 같은 것을 들 수 있다.
상기 식(110)에 있어서, L'은 단일 결합, 또는 하기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기이다.
Figure pct00032
Ar1이 나타내는 상기 식(103)이, 다음 화학식(111)∼(125)로 표시되는 축합환기이면 바람직하다.
Figure pct00033
상기 식(111)∼(125) 중, 각각의 축합환은, 할로젠 원자, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알콕시기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴옥시기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴기 또는 치환 기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 3∼40의 헤테로아릴기로 이루어지는 결합기가 결합하고 있더라도 좋고, 상기 결합기가 복수 있는 경우는, 상기 결합기는 서로 동일하더라도 상이하더라도 좋다. 이들 각 기의 구체예로서는, 상기와 같은 것을 들 수 있다.
상기 식(201)에 있어서, Ar2는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼60의 아릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 피리딜기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 퀴놀릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알콕시기이다.
이들 각 기의 구체예, 바람직한 탄소수 및 치환기로서는, 상기 R에 대하여 설명한 것과 같다.
상기 식(202) 및 (203)에 있어서, Ar3은 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼60의 아릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 피리딜기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 퀴놀릴기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알콕시기, 또는 -Ar1-Ar2로 표시되는 기(Ar1 및 Ar2는 각각 상기와 같음)이다.
이들 각 기의 구체예, 바람직한 탄소수 및 치환기로서는, 상기 R에 대하여 설명한 것과 같다.
또한, Ar3은 다음 화학식(126)∼(135)로 표시되는 축합환기로부터 선택되는 어느 하나의 기이면 바람직하다.
Figure pct00034
상기 식(126)∼(135)중, 각각의 축합환은, 할로젠 원자, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알콕시기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴옥시기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴기 또는 치환 기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 3∼40의 헤테로아릴기로 이루어지는 결합기가 결합하고 있더라도 좋고, 상기 결합기가 복수 있는 경우는, 상기 결합기는 서로 동일하더라도 상이하더라도 좋다. 이들 각 기의 구체예로서는, 상기와 같은 것을 들 수 있다.
상기 식(135)에 있어서, L'는, 상기와 같다.
상기 식(126)∼(135)에 있어서, R'는, 수소 원자, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴기 또는 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 3∼40의 헤테로아릴기이다. 이들 각 기의 구체예로서는, 상기와 같은 것을 들 수 있다.
Ar3이 나타내는 화학식(128)이, 다음 화학식(136)∼(158)로 표시되는 축합환기이면 바람직하다.
Figure pct00035
상기 식(136)∼(158)중, 각각의 축합환은, 할로젠 원자, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알킬기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 1∼20의 알콕시기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴옥시기, 치환기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 6∼40의 아릴기 또는 치환 기를 갖고 있더라도 좋은 탄소수 3∼40의 헤테로아릴기로 이루어지는 결합기가 결합하고 있더라도 좋고, 상기 결합기가 복수 있는 경우는, 상기 결합기는 서로 동일하더라도 상이하더라도 좋다. 이들 각 기의 구체예로서는, 상기와 같은 것을 들 수 있다. R'은 상기와 같다.
또한, Ar2 및 Ar3은 각각 독립적으로 하기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기이면 바람직하다.
Figure pct00036
본 발명의 상기 식(201)∼(203)으로 표시되는 함질소 복소환 유도체의 구체예를 하기에 나타내지만, 본 발명은 이들 예시 화합물에 한정되는 것이 아니다.
한편, 하기 표에 있어서, HAr은 상기 식(201)∼(203)에 있어서의 하기 구조를 나타낸다.
Figure pct00037
Figure pct00038
Figure pct00039
Figure pct00040
Figure pct00041
Figure pct00042
Figure pct00043
Figure pct00044
Figure pct00045
Figure pct00046
Figure pct00047
Figure pct00048
Figure pct00049
Figure pct00050
Figure pct00051
Figure pct00052
Figure pct00053
Figure pct00054
이상의 구체예 중, 특히, (1-1), (1-5), (1-7), (2-1), (3-1), (4-2), (4-6), (7-2), (7-7), (7-8), (7-9), (9-1), (9-7)이 바람직하다.
한편, 전자 주입층 또는 전자 수송층의 막 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1∼100nm이다.
또한, 전자 주입층의 구성 성분으로서, 함질소환 유도체 이외에 무기 화합물로서, 절연체 또는 반도체를 사용하는 것이 바람직하다. 전자 주입층이 절연체나 반도체로 구성되어 있으면, 전류의 누출을 유효하게 방지하여, 전자 주입성을 향상시킬 수 있다.
이러한 절연체로서는, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로젠화물 및 알칼리 토금속의 할로젠화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 전자 주입층이 이들 알칼리 금속 칼코게나이드 등으로 구성되어 있으면, 전자 주입성을 더욱 향상시킬 수 있는 점에서 바람직하다. 구체적으로, 바람직한 알칼리 금속 칼코게나이드로서는, 예컨대, Li2O, K2O, Na2S, Na2Se 및 Na2O를 들 수 있고, 바람직한 알칼리 토금속 칼코게나이드로서는, 예컨대, CaO, BaO, SrO, BeO, BaS 및 CaSe를 들 수 있다. 또한, 바람직한 알칼리 금속의 할로젠화물로서는, 예컨대, LiF, NaF, KF, LiCl, KCl 및 NaCl 등을 들 수 있다. 또한, 바람직한 알칼리 토금속의 할로젠화물로서는, 예컨대, CaF2, BaF2, SrF2, MgF2 및 BeF2 등의 불화물이나, 불화물 이외의 할로젠화물을 들 수 있다.
또한, 반도체로서는, Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb 및 Zn 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 산화물, 질화물 또는 산화질화물 등의 1종 단독 또는 2종 이상의 조합을 들 수 있다. 또한, 전자 주입층을 구성하는 무기 화합물이, 미결정 또는 비정질의 절연성 박막인 것이 바람직하다. 전자 주입층이 이들 절연성 박막으로 구성되어 있으면, 보다 균질한 박막이 형성되기 때문에, 다크 스폿 등의 화소 결함을 감소시킬 수 있다. 한편, 이러한 무기 화합물로서는, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로젠화물 및 알칼리토 류금속의 할로젠화물 등을 들 수 있다.
이러한 절연체 또는 반도체를 사용하는 경우, 그 층의 바람직한 두께는 0.1nm∼15nm 정도이다. 또한, 본 발명에 있어서의 전자 주입층은, 전술한 환원성 도펀트를 함유하고 있더라도 바람직하다.
정공 주입층 또는 정공 수송층(정공 주입수송층도 포함한다)에는 방향족 아민 화합물, 예컨대, 하기 화학식(I)로 표시되는 방향족 아민 유도체가 적합하게 사용된다.
Figure pct00055
상기 화학식(I)에 있어서, Ar1∼Ar4는 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6∼50의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 핵원자수 5∼50의 헤테로아릴기, 또는 그들 아릴기와 헤테로아릴기를 결합시킨 기를 나타낸다.
치환 또는 비치환된 핵탄소수 6∼50의 아릴기로서는, 예컨대, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐릴기, 3-바이페닐릴기, 4- 바이페닐릴기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-안트릴기, 4'-메틸바이페닐릴기, 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기, 플루오란텐일기, 플루오렌일기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 핵원자수 5∼50의 헤테로아릴기로서는, 예컨대, 1-피롤릴기, 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라진일기, 2-피리딘일기, 3-피리딘일기, 4-피리딘일기, 1-인돌릴기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-아이소인돌릴기, 2-아이소인돌릴기, 3-아이소인돌릴기, 4-아이소인돌릴기, 5-아이소인돌릴기, 6-아이소인돌릴기, 7-아이소인돌릴기, 2-퓨릴기, 3-퓨릴기, 2-벤조퓨란일기, 3-벤조퓨란일기, 4-벤조퓨란일기, 5-벤조퓨란일기, 6-벤조퓨란일기, 7-벤조퓨란일기, 1-아이소벤조퓨란일기, 3-아이소벤조퓨란일기, 4-아이소벤조퓨란일기, 5-아이소벤조퓨란일기, 6-아이소벤조퓨란일기, 7-아이소벤조퓨란일기, 퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-아이소퀴놀릴기, 3-아이소퀴놀릴기, 4-아이소퀴놀릴기, 5-아이소퀴놀릴기, 6-아이소퀴놀릴기, 7-아이소퀴놀릴기, 8-아이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살린일기, 5-퀴녹살린일기, 6-퀴녹살린일기, 1-카바졸릴기, 2-카바졸릴기, 3-카바졸릴기, 4-카바졸릴기, 9-카바졸릴기, 1-페난트리딘일기, 2-페난트리딘일기, 3-페난트리딘일기, 4-페난트리딘일기, 6-페난트리딘일기, 7-페난트리딘일기, 8-페난트리딘일기, 9-페난트리딘일기, 10-페난트리딘일기, 1-아크리딘일기, 2-아크리딘일기, 3-아크리딘일기, 4-아크리딘일기, 9-아크리딘일기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린-4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나진일기, 2-페나진일기, 1-페노싸이아진일기, 2-페노싸이아진일기, 3-페노싸이아진일기, 4-페노싸이아진일기, 10-페노싸이아진일기, 1-페녹사진일기, 2-페녹사진일기, 3-페녹사진일기, 4-페녹사진일기, 10-페녹사진일기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 2-옥사다이아졸릴기, 5-옥사다이아졸릴기, 3-퓨라잔일기, 2-싸이엔일기, 3-싸이엔일기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1-일기, 3-메틸 피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-뷰틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-뷰틸1-인돌릴기, 4-t-뷰틸1-인돌릴기, 2-t-뷰틸3-인돌릴기, 4-t-뷰틸3-인돌릴기 등을 들 수 있다. 바람직하게는 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 안트라닐기, 페난트릴기, 피렌일기, 크라이센일기, 플루오란텐일기, 플루오렌일기 등을 들 수 있다.
L은 연결기이다. 구체적으로는 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6∼50의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5∼50의 헤테로아릴렌기, 또는 2개 이상의 아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기를 단일 결합, 에터 결합, 싸이오에터 결합, 탄소수 1∼20의 알킬렌기, 탄소수 2∼20의 알켄일렌기, 아미노기로 결합하여 얻어지는 2가의 기이다. 핵탄소수 6∼50의 아릴렌기로서는, 예컨대, 1,4-페닐렌기, 1,2-페닐렌 기, 1,3-페닐렌기, 1,4-나프틸렌기, 2,6-나프틸렌기, 1,5-나프틸렌기, 9,10-안트라닐렌기, 9,10-페난트렌일렌기, 3,6-페난트렌일렌기, 1,6-피렌일렌기, 2,7-피렌일렌기, 6,12-크라이센일렌기, 4,4'-바이페닐렌기, 3,3'- 바이페닐렌기, 2,2'-바이페닐렌기, 2,7-플루오렌일렌기 등을 들 수 있다. 핵원자수 5∼50의 아릴렌기로서는, 예컨대, 2,5-싸이오페닐렌기, 2,5-실릴렌기, 2,5-옥사다이아졸릴렌기 등을 들 수 있다. 바람직하게는 1,4-페닐렌기, 1,2-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 1,4-나프틸렌기, 9,10-안트라닐렌기, 6,12-크라이센일렌기, 4,4'-바이페닐렌기, 3,3'-바이페닐렌기, 2,2'-바이페닐렌기, 2,7-플루오렌일렌기이다.
L이 2개 이상의 아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기로 이루어지는 연결기인 경우, 이웃하는 아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기는 2가의 기를 통해서 서로 결합하여 새로운 환을 형성할 수도 있다. 환을 형성하는 2가기의 예로서는, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 다이페닐메테인-2,2'-다이일기, 다이페닐에테인-3,3'-다이일기, 다이페닐프로페인-4,4'-다이일기 등을 들 수 있다.
Ar1∼Ar4 및 L의 치환기로서는, 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5∼50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1∼50의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7∼50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6∼50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5∼50의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6∼50의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5∼50의 헤테로아릴싸이오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2∼50의 알콕시카보닐 기, 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6∼50의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 핵원자수 5∼50의 헤테로아릴기로 치환된 아미노기, 할로젠 기, 사이아노기, 나이트로기, 하이드록실기 등이다.
치환 또는 비치환된 핵탄소수 6∼50의 아릴기의 예로서는, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐릴기, 3-바이페닐릴기, 4-바이페닐릴기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-안트릴기, 4'-메틸바이페닐릴기, 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기, 플루오란텐일기, 플루오렌일기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 핵원자수 5∼50의 헤테로아릴기의 예로서는, 1-피롤릴기, 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라진일기, 2-피리딘일기, 3-피리딘일기, 4-피리딘일기, 1-인돌릴기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-아이소인돌릴기, 2-아이소인돌릴기, 3-아이소인돌릴기, 4-아이소인돌릴기, 5-아이소인돌릴기, 6-아이소인돌릴기, 7-아이소인돌릴기, 2-퓨릴기, 3-퓨릴기, 2-벤조퓨란일기, 3-벤조퓨란일기, 4-벤조퓨란일기, 5-벤조퓨란일기, 6-벤조퓨란일기, 7-벤조퓨란일기, 1-아이소벤조퓨란일기, 3-아이소벤조퓨란일기, 4-아이소벤조퓨란일기, 5-아이소벤조퓨란일기, 6-아이소벤조퓨란일기, 7-아이소벤조퓨란일기, 퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-아이소퀴놀릴기, 3-아이소퀴놀릴기, 4-아이소퀴놀릴기, 5-아이소퀴놀릴기, 6-아이소퀴놀릴기, 7-아이소퀴놀릴기, 8-아이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살린일기, 5-퀴녹살린일기, 6-퀴녹살린일기, 1-카바졸릴기, 2-카바졸릴기, 3-카바졸릴기, 4-카바졸릴기, 9-카바졸릴기, 1-페난트리딘일기, 2-페난트리딘일기, 3-페난트리딘일기, 4-페난트리딘일기, 6-페난트리딘일기, 7-페난트리딘일기, 8-페난트리딘일기, 9-페난트리딘일기, 10-페난트리딘일기, 1-아크리딘일기, 2-아크리딘일기, 3-아크리딘일기, 4-아크리딘일기, 9-아크리딘일기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린-4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나진일기, 2-페나진일기, 1-페노싸이아진일기, 2-페노싸이아진일기, 3-페노싸이아진일기, 4-페노싸이아진일기, 10-페노싸이아진일기, 1-페녹사진일기, 2-페녹사진일기, 3-페녹사진일기, 4-페녹사진일기, 10-페녹사진일기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 2-옥사다이아졸릴기, 5-옥사다이아졸릴기, 3-퓨라잔일기, 2-싸이엔일기, 3-싸이엔일기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1-일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-뷰틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-뷰틸1-인돌릴기, 4-t-뷰틸1-인돌릴기, 2-t-뷰틸3-인돌릴기, 4-t-뷰틸3-인돌릴기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기의 예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기, 2-하이드록시아이소뷰틸기, 1,2-다이하이드록시에틸기, 1,3-다이하이드록시아이소프로필기, 2,3-다이하이드록시-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이하이드록시프로필기, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로아이소뷰틸기, 1,2-다이클로로에틸기, 1,3-다이클로로아이소프로필기, 2,3-다이클로로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이클로로프로필기, 브로모메틸기, 1-브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모아이소뷰틸기, 1,2-다이브로모에틸기, 1,3-다이브로모아이소프로필기, 2,3-다이브로모-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이브로모프로필기, 아이오도메틸기, 1-아이오도에틸기, 2-아이오도에틸기, 2-아이오도아이소뷰틸기, 1,2-다이아이오도에틸기, 1,3-다이아이오도아이소프로필기, 2,3-다이아이오도-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아이오도프로필기, 아미노메틸기, 1-아미노에틸기, 2-아미노에틸기, 2-아미노아이소뷰틸기, 1,2-다이아미노에틸기, 1,3-다이아미노아이소프로필기, 2,3-다이아미노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아미노프로필기, 사이아노메틸기, 1-사이아노에틸기, 2-사이아노에틸기, 2-사이아노아이소뷰틸기, 1,2-다이사이아노에틸기, 1,3-다이사이아노아이소프로필기, 2,3-다이사이아노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이사이아노프로필기, 나이트로메틸기, 1-나이트로에틸기, 2-나이트로에틸기, 2-나이트로아이소뷰틸기, 1,2-다이나이트로에틸기, 1,3-다이나이트로아이소프로필기, 2,3-다이나이트로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이나이트로프로필기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기의 예로서는, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 4-메틸사이클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노보닐기, 2-노보닐기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 탄소수 1∼50의 알콕시기는 -OY로 표시되는 기이다. Y의 예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기, 2-하이드록시아이소뷰틸기, 1,2-다이하이드록시에틸기, 1,3-다이하이드록시아이소프로필기, 2,3-다이하이드록시-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이하이드록시프로필기, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로아이소뷰틸기, 1,2-다이클로로에틸기, 1,3-다이클로로아이소프로필기, 2,3-다이클로로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이클로로프로필기, 브로모메틸기, 1- 브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모아이소뷰틸기, 1,2-다이브로모에틸기, 1,3-다이브로모아이소프로필기, 2,3-다이브로모-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이브로모프로필기, 아이오도메틸기, 1-아이오도에틸기, 2-아이오도에틸기, 2-아이오도아이소뷰틸기, 1,2-다이아이오도에틸기, 1,3-다이아이오도아이소프로필기, 2,3-다이아이오도-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아이오도프로필기, 아미노메틸기, 1-아미노에틸기, 2-아미노에틸기, 2-아미노아이소뷰틸기, 1,2-다이아미노에틸기, 1,3-다이아미노아이소프로필기, 2,3-다이아미노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아미노프로필기, 사이아노메틸기, 1-사이아노에틸기, 2-사이아노에틸기, 2-사이아노아이소뷰틸기, 1,2-다이사이아노에틸기, 1,3-다이사이아노아이소프로필기, 2,3-다이사이아노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이사이아노프로필기, 나이트로메틸기, 1-나이트로에틸기, 2-나이트로에틸기, 2-나이트로아이소뷰틸기, 1,2-다이나이트로에틸기, 1,3-다이나이트로아이소프로필기, 2,3-다이나이트로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이나이트로프로필기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 탄소수 7∼50의 아르알킬기의 예로서는, 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐아이소프로필기, 2-페닐아이소프로필기, 페닐-t-뷰틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸아이 소프로필기, 2-α-나프틸아이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸에틸기, 2-β-나프틸에틸기, 1-β-나프틸아이소프로필기, 2-β-나프틸아이소프로필기, 1-피롤릴메틸기, 2-(1-피롤릴)에틸기, p-메틸벤질기, m-메틸벤질기, o-메틸벤질기, p-클로로벤질기, m-클로로벤질기, o-클로로벤질기, p-브로모벤질기, m-브로모벤질기, o-브로모벤질기, p-아이오도벤질기, m-아이오도벤질기, o-아이오도벤질기, p-하이드록시벤질기, m-하이드록시벤질기, o-하이드록시벤질기, p-아미노벤질기, m-아미노벤질기, o-아미노벤질기, p-나이트로벤질기, m-나이트로벤질기, o-나이트로벤질기, p-사이아노벤질기, m-사이아노벤질기, o-사이아노벤질기, 1-하이드록시-2-페닐아이소프로필기, 1-클로로-2-페닐아이소프로필기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 핵탄소수 6∼50의 아릴옥시기는 -OY'으로 표시되고, Y'의 예로서는 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐릴기, 3-바이페닐릴기, 4-바이페닐릴기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-안트릴기, 4'-메칠바이페닐릴기, 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 핵원자수 5∼50의 헤테로아릴옥시기는 -OZ'으로 표시되고, Z'의 예로서는 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라진일기, 2-피리딘일기, 3-피리딘일기, 4-피리딘일기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-아이소인돌릴기, 3-아이소인돌릴기, 4-아이소인돌릴기, 5-아이소인돌릴기, 6-아이소인돌릴기, 7-아이소인돌릴기, 2-퓨릴기, 3-퓨릴기, 2-벤조퓨란일기, 3-벤조퓨란일기, 4-벤조퓨란일기, 5-벤조퓨란일기, 6-벤조퓨란일기, 7-벤조퓨란일기, 1-아이소벤조퓨란일기, 3-아이소벤조퓨란일기, 4-아이소벤조퓨란일기, 5-아이소벤조퓨란일기, 6-아이소벤조퓨란일기, 7-아이소벤조퓨란일기, 2-퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-아이소퀴놀릴기, 3-아이소퀴놀릴기, 4-아이소퀴놀릴기, 5-아이소퀴놀릴기, 6-아이소퀴놀릴기, 7-아이소퀴놀릴기, 8-아이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살린일기, 5-퀴녹살린일기, 6-퀴녹살린일기, 1-카바졸릴기, 2-카바졸릴기, 3-카바졸릴기, 4-카바졸릴기, 1-페난트리딘일기, 2-페난트리딘일기, 3-페난트리딘일기, 4-페난트리딘일기, 6-페난트리딘일기, 7-페난트리딘일기, 8-페난트리딘일기, 9-페난트리딘일기, 10-페난트리딘일기, 1-아크리딘일기, 2-아크리딘일기, 3-아크리딘일기, 4-아크리딘일기, 9-아크리딘일기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7- 페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9- 페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린-4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나진일기, 2-페나진일기, 1-페노싸이아진일기, 2-페노싸이아진일기, 3-페노싸이아진일기, 4-페노싸이아진일기, 1-페녹사진일기, 2-페녹사진일기, 3-페녹사진일기, 4-페녹사진일기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 2-옥사다이아졸릴기, 5-옥사다이아졸릴기, 3-퓨라잔일기, 2-싸이엔일기, 3-싸이엔일기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1-일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-뷰틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸 -3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-뷰틸1-인돌릴기, 4-t-뷰틸1-인돌릴기, 2-t-뷰틸3-인돌릴기, 4-t-뷰틸3-인돌릴기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 핵탄소수 6∼50의 아릴싸이오기는 -SY"으로 표시되고, Y"의 예로서는 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐릴기, 3-바이페닐릴기, 4-바이페닐릴기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-안트릴기, 4'-메틸바이페닐릴기, 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 핵원자수 5∼50의 헤테로아릴싸이오기는 -SZ"으로 표시되고, Z"의 예로서는 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라진일기, 2-피리딘일기, 3-피리딘일기, 4-피리딘일기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-아이소인돌릴기, 3-아이소인돌릴기, 4-아이소인돌릴기, 5-아이소인돌릴기, 6-아이소인돌릴기, 7-아이소인돌릴기, 2-퓨릴기, 3-퓨릴기, 2-벤조퓨란일기, 3-벤조퓨란일기, 4-벤조퓨란일기, 5-벤조퓨란일기, 6-벤조퓨란일기, 7-벤조퓨란일기, 1-아이소벤조퓨란일기, 3-아이소벤조퓨란일기, 4-아이소벤조퓨란일기, 5-아이소벤조퓨란일기, 6-아이소벤조퓨란일기, 7-아이소벤조퓨란일기, 2-퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-아이소퀴놀릴기, 3-아이소퀴놀릴기, 4-아이소퀴놀릴기, 5-아이소퀴놀릴기, 6-아이소퀴놀릴기, 7-아이소퀴놀릴기, 8-아이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살린일기, 5-퀴녹살린일기, 6-퀴녹살린일기, 1-카바졸릴기, 2-카바졸릴기, 3-카바졸릴기, 4-카바졸릴기, 1-페난트리딘일기, 2-페난트리딘일기, 3-페난트리딘일기, 4-페난트리딘일기, 6-페난트리딘일기, 7-페난트리딘일기, 8-페난트리딘일기, 9-페난트리딘일기, 10-페난트리딘일기, 1-아크리딘일기, 2-아크리딘일기, 3-아크리딘일기, 4-아크리딘일기, 9-아크리딘일기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린-4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나진일기, 2-페나진일기, 1-페노싸이아진일기, 2-페노싸이아진일기, 3-페노싸이아진일기, 4-페노싸이아진일기, 1-페녹사진일기, 2-페녹사진일기, 3-페녹사진일기, 4-페녹사진일기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 2-옥사다이아졸릴기, 5-옥사다이아졸릴기, 3-퓨라잔일기, 2-싸이엔일기, 3-싸이엔일기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1-일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-뷰틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-뷰틸1-인돌릴기, 4-t-뷰틸1-인돌릴기, 2-t-뷰틸3-인돌릴기, 4-t-뷰틸3-인돌릴기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 탄소수 2∼50의 알콕시카보닐기는 -COOZ로 표시되고, Z의 예로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기, 2-하이드록시아이소뷰틸기, 1,2-다이하이드록시에틸기, 1,3-다이하이드록시아이소프로필기, 2,3-다이하이드록시-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이하이드록시프로필기, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로아이소뷰틸기, 1,2-다이클로로에틸기, 1,3-다이클로로아이소프로필기, 2,3-다이클로로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이클로로프로필기, 브로모메틸기, 1- 브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모아이소뷰틸기, 1,2-다이브로모에틸기, 1,3-다이브로모아이소프로필기, 2,3-다이브로모-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이브로모프로필기, 아이오도메틸기, 1-아이오도에틸기, 2-아이오도에틸기, 2-아이오도아이소뷰틸기, 1,2-다이아이오도에틸기, 1,3-다이아이오도아이소프로필기, 2,3-다이아이오도-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아이오도프로필기, 아미노메틸기, 1-아미노에틸기, 2-아미노에틸기, 2-아미노아이소뷰틸기, 1,2-다이아미노에틸기, 1,3-다이아미노아이소프로필기, 2,3-다이아미노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이 아미노프로필기, 사이아노메틸기, 1-사이아노에틸기, 2-사이아노에틸기, 2-사이아노아이소뷰틸기, 1,2-다이사이아노에틸기, 1,3-다이사이아노아이소프로필기, 2,3-다이사이아노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이사이아노프로필기, 나이트로메틸기, 1-나이트로에틸기, 2-나이트로에틸기, 2-나이트로 아이소뷰틸기, 1,2-다이나이트로에틸기, 1,3-다이나이트로아이소프로필기, 2,3-다이나이트로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이나이트로프로필기 등을 들 수 있다.
상기 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6∼50의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 핵원자수 5∼50의 헤테로아릴기로 치환된 아미노기는 -NPQ로 표시되고, P, Q의 예로서는, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐릴기, 3-바이페닐릴기, 4-바이페닐릴기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 3-메틸 -2-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-안트릴기, 4'-메틸바이페닐릴기, 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기, 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라진일기, 2-피리딘일기, 3-피리딘일기, 4-피리딘일기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-아이소인돌릴기, 3-아이소인돌릴기, 4-아이소인돌릴기, 5-아이소인돌릴기, 6-아이소인돌릴기, 7-아이소인돌릴기, 2-퓨릴기, 3-퓨릴기, 2-벤조퓨란일기, 3-벤조퓨란일기, 4-벤조퓨란일기, 5-벤조퓨란일기, 6-벤조퓨란일기, 7-벤조퓨란일기, 1-아이소벤조퓨란일기, 3-아이소벤조퓨란일기, 4-아이소벤조퓨란일기, 5-아이소벤조퓨란일기, 6-아이소벤조퓨란일기, 7-아이소벤조퓨란일기, 2-퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-아이소퀴놀릴기, 3-아이소퀴놀릴기, 4-아이소퀴놀릴기, 5-아이소퀴놀릴기, 6-아이소퀴놀릴기, 7-아이소퀴놀릴기, 8-아이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살린일기, 5-퀴녹살린일기, 6-퀴녹살린일기, 1-카바졸릴기, 2-카바졸릴기, 3-카바졸릴기, 4-카바졸릴기, 1-페난트리딘일기, 2-페난트리딘일기, 3-페난트리딘일기, 4-페난트리딘일기, 6-페난트리딘일기, 7-페난트리딘일기, 8-페난트리딘일기, 9-페난트리딘일기, 10-페난트리딘일기, 1-아크리딘일기, 2-아크리딘일기, 3-아크리딘일기, 4-아크리딘일기, 9-아크리딘일기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린-4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나진일기, 2-페나진일기, 1-페노싸이아진일기, 2-페노싸이아진일기, 3-페노싸이아진일기, 4-페노싸이아진일기, 1-페녹사진일기, 2- 페녹사진일기, 3-페녹사진일기, 4-페녹사진일기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 2-옥사다이아졸릴기, 5-옥사다이아졸릴기, 3-퓨라잔일기, 2-싸이엔일기, 3-싸이엔일기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1-일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-뷰틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-뷰틸1-인돌릴기, 4-t-뷰틸1-인돌릴기, 2-t-뷰틸3-인돌릴기, 4-t-뷰틸3-인돌릴기 등을 들 수 있다.
상기 화학식(I)의 화합물의 구체예를 이하에 기재하지만, 이들에 한정되는 것이 아니다.
Figure pct00056
또한, 하기 화학식(II)의 방향족 아민도 정공 주입층 또는 정공 수송층의 형성에 적합하게 사용된다.
Figure pct00057
상기 화학식(II)에 있어서, Ar1∼Ar3의 정의는 상기 화학식(I)의 Ar1∼Ar4의 정의와 마찬가지이다. 이하에 화학식(II)의 화합물의 구체예를 기재하지만 이들에 한정되는 것이 아니다.
Figure pct00058
Figure pct00059
한편, 본 발명은, 상기의 설명에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서의 변경은 본 발명에 포함된다.
예컨대 다음과 같은 변경도 본 발명의 바람직한 변형예이다.
본 발명에서는, 상기 발광층이 전하 주입 보조재를 함유하고 있는 것도 바람직하다.
에너지 갭이 넓은 호스트 재료를 이용하여 발광층을 형성한 경우, 호스트 재료의 이온화 포텐셜(Ip)과 정공 주입·수송층 등의 Ip의 차이가 크게 되어, 발광층으로의 정공의 주입이 곤란해져 충분한 휘도를 얻기 위한 구동 전압이 상승할 우려가 있다.
이러한 경우, 발광층에, 정공 주입·수송성의 전하 주입 보조제를 함유시킴 으로써 발광층에의 정공 주입을 쉽게 하여, 구동 전압을 저하시킬 수 있다.
전하 주입 보조제로서는, 예컨대, 일반적인 정공 주입·수송 재료 등을 이용할 수 있다.
구체예로서는, 트라이아졸 유도체(미국 특허 3,112,197호 명세서 등 참조), 옥사다이아졸 유도체(미국 특허 3,189,447호 명세서 등 참조), 이미다졸 유도체(일본 특허공고 제1962-16096호 공보 등 참조), 폴리아릴알칸 유도체(미국 특허 3,615,402호 명세서, 동 제3,820,989호 명세서, 동 제3,542,544호 명세서, 일본 특허공고 제1970-555호 공보, 동 제1976-10983호 공보, 일본 특허공개 제1976-93224호 공보, 동 제1980-17105호 공보, 동 제1981-4148호 공보, 동 제1980-108667호 공보, 동 제1980-156953호 공보, 동 제1981-36656호 공보 등 참조), 피라졸린 유도체 및 피라졸론 유도체(미국 특허 제3,180,729호 명세서, 동 제4,278,746호 명세서, 일본 특허공개 제1980-88064호 공보, 동 제1980-88065호 공보, 동 제1974-105537호 공보, 동 제1980-51086호 공보, 동 제1981-80051호 공보, 동 제1981-88141호 공보, 동 제1982-45545호 공보, 동 제1979-112637호 공보, 동 제1980-74546호 공보 등 참조), 페닐렌 다이아민 유도체(미국 특허 제3,615,404호 명세서, 일본 특허공고 제1976-10105호 공보, 동 제1971-3712호 공보, 동 제1972-25336호 공보, 일본 특허공개 제1979-53435호 공보, 동 제1979-110536호 공보, 동 제1979-119925호 공보 등 참조), 아릴아민 유도체(미국 특허 제3,567,450호 명세서, 동 제3,180,703호 명세서, 동 제3,240,597호 명세서, 동 제3,658,520호 명세서, 동 제4,232,103호 명세서, 동 제4,175,961호 명세서, 동 제4,012,376호 명세서, 일본 특허공고 제1974-35702호 공보, 동 제1964-27577호 공보, 일본 특허공개 제1980-144250호 공보, 동 제1981-119132호 공보, 동 제1981-22437호 공보, 서독 특허 제1,110,518호 명세서 등 참조), 아미노 치환 칼콘 유도체(미국 특허 제3,526,501호 명세서 등 참조), 옥사졸 유도체(미국 특허 제3,257,203호 명세서 등에 개시된 것), 스타이릴 안트라센 유도체(일본 특허공개 제1981-46234호 공보 등 참조), 플루오렌온 유도체(일본 특허공개 제1979-110837호 공보 등 참조), 하이드라존 유도체(미국 특허 제3,717,462호 명세서, 일본 특허공개 제1979-59143호 공보, 동 제1980-52063호 공보, 동 제1980-52064호 공보, 동 제1980-46760호 공보, 동 제1980-85495호 공보, 동 제1982-11350호 공보, 동 제1982-148749호 공보, 일본 특허공개 제1990-311591호 공보 등 참조), 스틸벤 유도체(일본 특허공개 제1986-210363호 공보, 동 제1986-228451호 공보, 동 제1986-14642호 공보, 동 제1986-72255호 공보, 동 제1987-47646호 공보, 동 제1987-36674호 공보, 동 제1987-10652호 공보, 동 제1987-30255호 공보, 동 제1985-93455호 공보, 동 제1985-94462호 공보, 동 제1985-174749호 공보, 동 제1985-175052호 공보 등 참조), 실라잔 유도체(미국 특허 제4,950,950호 명세서), 폴리실레인계(일본 특허공개 제1990-204996호 공보), 아닐린계 공중합체(일본 특허공개 제1990-282263호 공보), 일본 특허공개 제1989-211399호 공보에 개시되어 있는 도전성 고분자 올리고머(특히 싸이오펜 올리고머) 등을 들 수 있다.
정공 주입성의 재료로서는 상기의 것을 들 수 있지만, 포르피린 화합물(일본 특허 공개 제1988-295695호 공보 등에 개시된 것), 방향족 제3급 아민 화합물 및 스타이릴아민 화합물(미국 특허 제4,127,412호 명세서, 일본 특허공개 제1978-27033호 공보, 동 제1979-58445호 공보, 동 제1979-149634호 공보, 동 제1979-64299호 공보, 동 제1980-79450호 공보, 동 제1980-144250호 공보, 동 제1981-119132호 공보, 동 제1986-295558호 공보, 동 제1986-98353호 공보, 동 1988-295695호 공보 등 참조), 특히 방향족 제3급 아민 화합물이 바람직하다.
또한, 미국 특허 제5,061,569호에 기재되어 있는 2개의 축합 방향족환을 분자 내에 갖는, 예컨대, 4,4'-비스(N-(1-나프틸)-N-페닐아미노)바이페닐(이하 NPD로 약기함), 또한 일본 특허공개 제1992-308688호 공보에 기재되어 있는 트라이페닐아민 유닛이 3개 스타버스트형으로 연결된 4,4',4"-트리스(N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노)트라이페닐아민(이하 MTDATA로 약기함) 등을 들 수 있다.
또한, 일본 특허 공보 제3614405호, 3571977호 또는 미국 특허 4,780,536에 기재되어 있는 헥사아자트라이페닐렌 유도체 등도 정공 주입성의 재료로서 적합하게 이용할 수 있다.
또한, p형 Si, p형 SiC 등의 무기 화합물도 정공 주입 재료로서 사용할 수 있다.
본 발명의 유기 전기발광 소자의 각 층의 형성 방법은 특별히 한정되지 않는다. 종래 공지된 진공 증착법, 스핀 코팅법 등에 의한 형성 방법을 이용할 수 있다. 본 발명의 유기 전기발광 소자에 이용하는 유기 박막층은, 진공 증착법, 분자선 증착법(MBE법) 또는 용매에 녹인 용액의 디핑법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법 등의 도포법에 의한 공지된 방법으로 형성할 수 있다.
본 발명의 유기 전기발광 소자의 각 유기층의 막 두께는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 막 두께가 지나치게 얇으면 핀홀 등의 결함이 생기기 쉽고, 반대로 지나치게 두꺼우면 높은 인가 전압이 필요해져 효율이 나빠지기 때문에, 통상은 수 nm 내지 1μm의 범위가 바람직하다.
실시예
다음으로 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예의 기재 내용에 하등 제한되는 것이 아니다.
한편, 하기 표 1에는, 각 재료의 물성치를 기재한 바, 이들 물성치는 다음과 같이 측정했다.
3중항 에너지 갭 Eg은, 인광 발광 스펙트럼에 따라서 규정했다.
즉, 각 재료를 EPA 용매(용적비로 다이에틸에터:아이소펜테인:에탄올=5:5:2)에 10μmol/L로 용해시켜 인광 측정용 시료로 한다.
그리고, 인광 측정용 시료를 석영 셀에 넣고, 77K로 냉각하고, 여기광을 조사하여, 방사되는 인광을 파장에 대하여 측정한다.
수득된 인광 스펙트럼의 단파장측의 개시부에 대하여 접선을 그어, 상기 파장치를 에너지로 환산한 값을 3중항 에너지 갭 Eg(T)으로 한다.
한편, 측정에는 시판되는 측정 장치 F-4500(히타치제)을 이용했다.
합성 실시예 1(화합물(1)의 합성)
Figure pct00060
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-1 5.0g(18mmol), 보론산 I-2 6.3g(18mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 420mg(0.36mmol), 톨루엔 120ml, 다이메톡시에테인 40ml, 2M 탄산나트륨 수용액 26ml를 가하고, 90℃에서 10시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하여 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화함으로써 화합물(1)을 7.1g(수율 78%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 506에 대하여 m/e= 506이었다.
합성 실시예 2(화합물(2)의 합성)
Figure pct00061
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-1 5.0g(18mmol), 보론산 I-3 6.7g(18mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 420mg(0.36mmol), 톨루엔 120ml, 다이메톡시에테인 40ml, 2M 탄산나트륨 수용액 26ml를 가하고, 90℃에서 12시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하고 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하는 것에 의해, 화합물(2)을 5.8g(수율 61%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 530에 대하여 m/e= 530였다.
합성 실시예 3(화합물(4)의 합성)
Figure pct00062
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-1 5.0g(18mmol), 보론산 I-4 7.2g(18mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 420mg(0.36mmol), 톨루엔 120ml, 다이메톡시에테인 40ml, 2M 탄산나트륨 수용액 26ml를 가하고, 90℃에서 14시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하고 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하는 것에 의해, 화합물(4)을 5.9g(수율 61%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 556에 대하여 m/e= 556이었다.
합성 실시예 4(화합물(5)의 합성)
Figure pct00063
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-1 4.5g(16mmol), 보론산 I-5 6.4g(16mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 374mg(0.32mmol), 톨루엔 100ml, 다이메톡시에테인 35ml, 2M 탄산나트륨 수용액 23ml를 가하고, 90℃에서 12시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하고 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하는 것에 의해, 화합물(5)을 4.6g(수율 52%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 556에 대하여 m/e= 556이었다.
합성 실시예 5(화합물(10)의 합성)
Figure pct00064
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-6 5.0g(18mmol), 보론산 I-2 6.3g(18mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 420mg(0.36mmol), 톨루엔 120ml, 다이메톡시에테인 40ml, 2M 탄산나트륨 수용액 26ml를 가하고, 90℃에서 12시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하고 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하는 것에 의해 화합물(10)을 6.5g(수율 71%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 506에 대하여 m/e= 506이었다.
합성 실시예 6(화합물(16)의 합성)
Figure pct00065
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-6 5.0g(18mmol), 보론산 I-7 6.3g(18mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 420mg(0.36mmol), 톨루엔 120ml, 다이메톡시에테인 40ml, 2M 탄산나트륨 수용액 26ml를 가하고, 90℃에서 12시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하고 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하는 것에 의해 화합물(16)을 6.0g(수율 66%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 506에 대하여 m/e= 506이었다.
합성 실시예 7(화합물(17)의 합성)
Figure pct00066
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-6 5.0g(18mmol), 보론산 I-8 6.7g(18mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 420mg(0.36mmol), 톨루엔 120ml, 다이메톡시에테인 40ml, 2M 탄산나트륨 수용액 26ml를 가하고, 90℃에서 10시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하고 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하는 것에 의해 화합물(17)을 5.6g(수율 59%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 530에 대하여 m/e= 530였다.
합성 실시예 8(화합물(19)의 합성)
Figure pct00067
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-6 5.0g(18mmol), 보론산 I-9 6.3g(18mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 420mg(0.36mmol), 톨루엔 120ml, 다이메톡시에테인 40ml, 2M 탄산나트륨 수용액 26ml를 가하고, 90℃에서 12시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하고 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하는 것에 의해 화합물(19)을 6.2g(수율 68%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 506에 대하여 m/e= 506이었다.
합성 실시예 9(화합물(22)의 합성)
Figure pct00068
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-10 4.0g(12mmol), 보론산 I-11 4.2g(12mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 280mg(0.24mmol), 톨루엔 90ml, 다이메톡시에테인 30ml, 2M 탄산나트륨 수용액 17ml를 가하고, 90℃에서 12시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하고 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하는 것에 의해 화합물(22)을 3.5g(수율 52%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 556에 대하여 m/e= 556이었다.
합성 실시예 10(화합물(23)의 합성)
Figure pct00069
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-12 5.0g(18mmol), 보론산 I-13 6.2g(18mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 420mg(0.36mmol), 톨루엔 100ml, 다이메톡시에테인 30ml, 2M 탄산나트륨 수용액 26ml를 가하고, 90℃에서 12시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하고 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하는 것에 의해 화합물(23)을 4.2g(수율 46%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 506에 대하여 m/e= 506이었다.
합성 실시예 11(화합물(25)의 합성)
Figure pct00070
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-14 5.0g(15mmol), 보론산 I-15 6.0g(15mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 350mg(0.30mmol), 톨루엔 120ml, 다이메톡시에테인 40ml, 2M 탄산나트륨 수용액 22ml를 가하고, 90℃에서 12시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하고 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하는 것에 의해 화합물(25)을 6.9g(수율 76%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 606에 대하여 m/e= 606이었다.
합성 실시예 12(화합물(31)의 합성)
Figure pct00071
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-16 4.0g(12mmol), 보론산 I-3 4.5g(12mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 280mg(0.24mmol), 톨루엔 90ml, 다이메톡시에테인 30ml, 2M 탄산나트륨 수용액 17ml를 가하고, 90℃에서 14시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하고 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하는 것에 의해 화합물(31)을 4.1g(수율 58%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 586에 대하여 m/e= 586이었다.
합성 실시예 13(화합물(33)의 합성)
Figure pct00072
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-17 5.0g(14mmol), 보론산 I-9 5.6g(14mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 330mg(0.28mmol), 톨루엔 100ml, 다이메톡시에테인 35ml, 2M 탄산나트륨 수용액 20ml를 가하고, 90℃에서 12시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하고 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하는 것에 의해 화합물(33)을 5.8g(수율 66%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 628에 대하여 m/e= 628이었다.
합성 실시예 14(화합물(58)의 합성)
Figure pct00073
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-1 5.1g(18mmol), 보론산 I-18 8.1g(18mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 420mg(0.36mmol), 톨루엔 120ml, 다이메톡시에테인 40ml, 2M 탄산나트륨 수용액 25ml를 가하고, 90℃에서 13시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하고 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하는 것에 의해, 화합물(58)을 4.1g(수율 38%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 556에 대하여 m/e= 606이었다.
합성 실시예 15(화합물(59)의 합성)
Figure pct00074
아르곤 분위기하, 브롬화물 I-1 4.5g(16mmol), 보론산 I-19 6.4g(16mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 374mg(0.32mmol), 톨루엔 100ml, 다이메톡시에테인 35ml, 2M 탄산나트륨 수용액 23ml를 가하고, 90℃에서 15시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온까지 방냉하고, 물을 가하고 실온에서 1시간 교반 후, 톨루엔으로 추출했다. 분액 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조했다. 감압하에 용매를 증류제거하고, 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하는 것에 의해, 화합물(59)을 4.2g(수율 47%) 수득했다.
FD Mass 분석의 결과, 분자량 556에 대하여 m/e= 556이었다.
실시예 1(유기 EL 소자의 제작)
25mm×75mm×0.7mm 두께의 ITO 투명 전극 부착 유리 기판(아사히가라스제)을 아이소프로필알코올 중에서 초음파 세정을 5분간 실시한 후, UV 오존 세정을 30분간 실시했다. 세정 후의 투명 전극 라인 부착 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선 투명 전극 라인이 형성되어 있는 측의 면 상에, 상기 투명 전극을 덮도록 하여 막 두께 50nm의 HT1을 성막했다. 상기 HT1막은 정공 주입 수송층으로서 기능한다. 또한, 상기 정공 주입 수송층의 성막에 이어서, 이 막 상에 막 두께 40nm의 상기 화합물(1), 및 인광 발광성의 도펀트로서 Ir(piq)3을 10질량%가 되도록 저항 가열에 의해 공증착막 성막했다. 상기 막은, 발광층(인광 발광층)으로서 기능한다. 상기 발광층 성막에 이어서, 막 두께 40nm로 ET1을 성막했다. 상기 막은 전자 수송층으로서 기능한다. 이 다음, LiF를 전자 주입성 전극(음극)으로서 성막 속도 0.1nm/min으로 막 두께 0.5nm 형성했다. 이 LiF층 상에 금속 Al을 증착시켜, 금속 음극을 막 두께 150nm 형성하여 유기 전기발광 소자를 형성했다.
실시예 2∼15, 비교예 1∼5
실시예 1의 화합물(1) 대신에, 하기의 표 1에 나타내는 화합물을 이용한 것 이외는 실시예 1과 같이 하여 유기 전기발광 소자를 형성했다.
실시예 16
인광 발광성의 도펀트로서, Ir(piq)3 대신에 하기 Complex A를 이용한 것 이외는 실시예 14와 같이 하여 유기 전기발광 소자를 형성했다.
Figure pct00075
실시예 17
인광 발광성의 도펀트로서, Ir(piq)3 대신에 하기 Complex B를 이용한 것 이외는 실시예 14와 같이 하여 유기 전기발광 소자를 형성했다.
Figure pct00076
비교예 6
화합물(58) 대신에 CBP를 이용한 것 이외는, 실시예 16과 같이 하여 유기 전기발광 소자를 형성했다.
비교예 7
화합물(58) 대신에 BAlq를 이용한 것 이외는, 실시예 17과 같이 하여 유기 전기발광 소자를 형성했다.
[유기 전기발광 소자의 발광 성능 평가]
상기의 실시예 1∼17, 비교예 1∼7에서 제작한 유기 EL 소자를, 직류 전류 구동에 의해 발광시켜, 전류 밀도 10mA/cm2에 있어서의 전압, 발광 효율 및 휘도 반감 수명(초기 휘도 3000cd/m2)을 측정했다.
또한, 70℃ 구동시에서의 화소 균일성을 육안으로 확인하여, 균일한 경우는 A, 불균일한 부분이 보이는 경우는 B로 했다.
또한, 각 재료를 EPA 용매(용적비로 다이에틸에터:아이소펜테인:에탄올=5:5:2)에 10μ몰/리터로 용해하여 인광 측정용 시료로 하고, 인광 측정용 시료를 석영 셀에 넣어 77K로 냉각하고, 여기광을 조사하여, 방사되는 인광의 파장을 측정했다.
수득된 인광 스펙트럼의 단파장측의 개시부에 대하여 접선을 긋고, 이 접선과 베이스 라인의 교점의 파장치를 에너지로 환산하여, 유기 EL 소자용 재료의 여기 3중항 에너지(Eg(T))를 측정했다. 한편, 시료는 모두 승화 정제 등의 정제물을 이용했다. 이들의 평가 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
Figure pct00077
Figure pct00078
Figure pct00079
표 1 및 2로부터 분명하듯이, 발광 효율에 대하여, 본 발명의 화합물을 이용하여 구성한 실시예 1∼17의 유기 전기발광 소자는, 외부 양자 효율이 높고, 수명이 현저히 긴 것이 나타났다.
이와는 대조적으로, 비교예 1∼7은, 전압이 높거나, 발광 효율이 낮아, 특히 수명이 짧음을 알 수 있다. 비교예 1은 극단적으로 발광 효율이 낮고, 수명도 짧다. 비교예 2, 3은, 발광 효율은 비교예 1보다는 양호하지만, 수명이 짧다. 비교예 4, 5는, 발광 효율이 높고, 수명도 비교적 약간 긴 듯하지만, 실시예 1∼17에 비하여 수명이 짧다. 비교예 5는, 발광 효율이 높지만, 실시예 1∼17만큼 장수명이 아니다. 또한 어떠한 비교예도 실시예에 비하여 70℃에서의 화소 균일성이 나쁘다.
본 발명의 조합의 특징은, 화합물의 3중항 에너지 갭과 도펀트의 3중항 에너지 갭이 적절하기 때문에 발광 효율이 향상하는 것과, 화합물에 함질소환, 질소 원자 등이 치환되어 있지 않기 때문에, 발광 재료가 정공, 전자에 대하여 높은 내성을 가지고 있고, 이것에 의해, 종래 알려지고 있었던 조합보다도 장수명화하는 것이다. 또한, 박막의 열안정성이 양호하기 때문에, 70℃ 구동시라도 안정한 면내 균일성이 얻어진다.
본 발명은, 고효율이고 장수명인 인광 발광성의 유기 전기발광 소자로서 이용할 수 있다.
1: 유기 전기발광 소자
2: 기판
3: 양극
4: 음극
5: 인광 발광층
6: 정공 주입·수송층
7: 전자 주입·수송층
10: 유기 박막층

Claims (11)

  1. 음극과 양극 사이에 1층 또는 복수층으로 이루어지는 유기 박막층을 갖추고,
    상기 유기 박막층이 적어도 하나의 발광층을 가지며,
    상기 발광층 중 적어도 하나가,
    하기 화학식 1로 표시되는 화합물과 인광 발광 재료 1종 이상을 포함하는 유기 전기발광 소자.
    [화학식 1]
    Ar3-Ar2-Ar0-Ar1
    (식중, Ar0은 치환 또는 비치환된 벤젠환을 나타내고, Ar1∼Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 나프탈렌환, 크라이센환, 플루오란텐환, 트라이페닐렌환, 페난트렌환, 벤조페난트렌환, 다이벤조페난트렌환, 벤조트라이페닐렌환, 벤조크라이센환, 벤조[b]플루오란텐환 및 피센환으로부터 선택되는 축합 방향족 탄화수소환을 나타낸다. 단, Ar1과 Ar2는 동일한 축합 방향족 탄화수소환을 나타내고, 또한 Ar1과 Ar2가 갖는 치환기의 수는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, Ar1과 Ar2가 갖는 치환기의 종류는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
    상기 Ar0, Ar1, Ar2 및 Ar3이 치환기를 갖는 경우의 치환기는, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로알킬기, 탄소수 5∼18의 사이클로알킬기, 탄소수 3∼20의 실릴기, 탄소수 13∼35의 플루오렌 골격을 갖는 기, 다이벤조퓨란일기, 사이아노기 및 할로젠 원자로부터 선택되는 1 이상의 치환기이다.
    또한, Ar2가 나프탈렌환을 나타내는 경우, Ar0와 Ar3이 상기 나프탈렌환의 2, 7위치에 결합하는 일은 없다.)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학식 1에 있어서의 Ar3이, 치환 또는 비치환된 페난트렌환, 치환 또는 비치환된 플루오란텐환, 치환 또는 비치환된 벤조페난트렌환, 및 치환 또는 비치환된 벤조크라이센환으로부터 선택되는 기인 유기 전기발광 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 화합물의 여기 3중항 에너지가 2.0eV 이상 2.8eV 이하인 유기 전기발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 인광 발광 재료가 금속 착체를 함유하고, 상기 금속 착체가 Ir, Pt, Os, Au, Cu, Re 및 Ru에서 선택되는 금속 원자와 리간드를 갖는 유기 전기발광 소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 리간드가 오쏘 메탈 결합을 갖는 유기 전기발광 소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 인광 발광 재료 중 1종 이상은 발광 파장의 극대치가 520nm 이상 720nm 이하인 유기 전기발광 소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 박막층이 상기 음극과 상기 발광층 사이에 전자 수송층 또는 전자 주입층을 갖고, 또한 상기 전자 수송층 또는 상기 전자 주입층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물(1)을 포함하는 유기 전기발광 소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 박막층이 상기 음극과 상기 발광층 사이에 전자 수송층 또는 전자 주입층을 갖고, 또한 상기 전자 수송층 또는 상기 전자 주입층이 함질소 6원환 또는 5원환 골격을 갖는 방향족환 또는 함질소 6원환 또는 5원환 골격을 갖는 축합 방향족환 화합물을 포함하는 유기 전기발광 소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 음극과 상기 유기 박막층의 계면 영역에 환원성 도펀트가 첨가되어 있는 유기 전기발광 소자.
  10. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물.
    [화학식 1]
    Ar3-Ar2-Ar0-Ar1
    (식중, Ar0은 치환 또는 비치환된 벤젠환을 나타내고, Ar1∼Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 나프탈렌환, 크라이센환, 플루오란텐환, 트라이페닐렌환, 페난트렌환, 벤조페난트렌환, 다이벤조페난트렌환, 벤조트라이페닐렌환, 벤조크라이센환, 벤조[b]플루오란텐환 및 피센환으로부터 선택되는 축합 방향족 탄화수소환을 나타낸다. 단, Ar1과 Ar2는 동일한 축합 방향족 탄화수소환을 나타내고, 또한, Ar1과 Ar2가 갖는 치환기의 수는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, Ar1과 Ar2가 갖는 치환기의 종류는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
    상기 Ar0, Ar1, Ar2 및 Ar3이 치환기를 갖는 경우의 치환기는, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로알킬기, 탄소수 5∼18의 사이클로알킬기, 탄소수 3∼20의 실릴기, 탄소수 13∼35의 플루오렌 골격을 갖는 기, 다이벤조퓨란일기, 사이아노기 및 할로젠 원자로부터 선택되는 1 이상의 치환기이다.
    또한, Ar2가 나프탈렌환을 나타내는 경우, Ar0와 Ar3이 상기 나프탈렌환의 2, 7위치에 결합하는 일은 없다.)
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 화학식 1에 있어서의 Ar3이, 치환 또는 비치환된 페난트렌환, 치환 또는 비치환된 플루오란텐환, 치환 또는 비치환된 벤조페난트렌환, 및 치환 또는 비치환된 벤조크라이센환으로부터 선택되는 기인 화합물.
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WO (1) WO2010074181A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9548456B2 (en) 2013-04-12 2017-01-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic compound and organic light emitting diode device including the same

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100042273A (ko) * 2007-07-07 2010-04-23 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 나프탈렌 유도체, 유기 ｅｌ 소자용 재료 및 그것을 사용한 유기 ｅｌ 소자
CN101861292A (zh) * 2007-11-19 2010-10-13 出光兴产株式会社 单苯并*衍生物及含有它的有机电致发光元件用材料、以及使用它的有机电致发光元件
DE102009005746A1 (de) * 2009-01-23 2010-07-29 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US8803420B2 (en) 2010-01-15 2014-08-12 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP6157125B2 (ja) * 2013-01-22 2017-07-05 キヤノン株式会社 イリジウム錯体およびそれを有する有機発光素子

Family Cites Families (106)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL99369C (ko) 1956-06-04
NL218434A (ko) 1956-06-27
US3180729A (en) 1956-12-22 1965-04-27 Azoplate Corp Material for electrophotographic reproduction
NL126440C (ko) 1958-08-20
NL124075C (ko) 1959-04-09
US3240597A (en) 1961-08-21 1966-03-15 Eastman Kodak Co Photoconducting polymers for preparing electrophotographic materials
US3180703A (en) 1963-01-15 1965-04-27 Kerr Mc Gee Oil Ind Inc Recovery process
JPS45555B1 (ko) 1966-03-24 1970-01-09
JPS463712B1 (ko) 1966-04-14 1971-01-29
US3526501A (en) 1967-02-03 1970-09-01 Eastman Kodak Co 4-diarylamino-substituted chalcone containing photoconductive compositions for use in electrophotography
US3542544A (en) 1967-04-03 1970-11-24 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing organic photoconductors of the triarylalkane and tetraarylmethane types
US3658520A (en) 1968-02-20 1972-04-25 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing as photoconductors triarylamines substituted by active hydrogen-containing groups
US3567450A (en) 1968-02-20 1971-03-02 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors
US3615404A (en) 1968-04-25 1971-10-26 Scott Paper Co 1 3-phenylenediamine containing photoconductive materials
CA917980A (en) 1969-06-20 1973-01-02 J. Fox Charles Alkylaminoaromatic organic photoconductors
US3717462A (en) 1969-07-28 1973-02-20 Canon Kk Heat treatment of an electrophotographic photosensitive member
BE756375A (fr) 1969-09-30 1971-03-01 Eastman Kodak Co Nouvelle composition photoconductrice et produit la contenant utilisables en electrophotographie
BE756943A (fr) 1969-10-01 1971-03-16 Eastman Kodak Co Nouvelles compositions photoconductrices et produits les contenant, utilisables notamment en electrophotographie
JPS5110983B2 (ko) 1971-09-10 1976-04-08
US3837851A (en) 1973-01-15 1974-09-24 Ibm Photoconductor overcoated with triarylpyrazoline charge transport layer
GB1505409A (en) 1974-12-20 1978-03-30 Eastman Kodak Co Photoconductive compositions
JPS51101058A (ja) 1975-03-05 1976-09-07 Toray Industries Horiesuterusenioyobifuirumu
US4127412A (en) 1975-12-09 1978-11-28 Eastman Kodak Company Photoconductive compositions and elements
US4012376A (en) 1975-12-29 1977-03-15 Eastman Kodak Company Photosensitive colorant materials
CA1104866A (en) 1976-08-23 1981-07-14 Milan Stolka Imaging member containing a substituted n,n,n',n',- tetraphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine in the chargge transport layer
US4175961A (en) 1976-12-22 1979-11-27 Eastman Kodak Company Multi-active photoconductive elements
US4123269A (en) 1977-09-29 1978-10-31 Xerox Corporation Electrostatographic photosensitive device comprising hole injecting and hole transport layers
JPS5453435A (en) 1977-10-01 1979-04-26 Yoshikatsu Kume Portable bicycle equipped with foldable type triangle frame
US4150987A (en) 1977-10-17 1979-04-24 International Business Machines Corporation Hydrazone containing charge transport element and photoconductive process of using same
JPS5464299A (en) 1977-10-29 1979-05-23 Toshiba Corp Beam deflector for charged particles
JPS54112637A (en) 1978-02-06 1979-09-03 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS54110837A (en) 1978-02-17 1979-08-30 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS54110536A (en) 1978-02-20 1979-08-30 Ichikoh Ind Ltd Device for time-lag putting out room lamp for motorcar
JPS54119925A (en) 1978-03-10 1979-09-18 Ricoh Co Ltd Photosensitive material for electrophotography
US4251612A (en) 1978-05-12 1981-02-17 Xerox Corporation Dielectric overcoated photoresponsive imaging member
JPS6028342B2 (ja) 1978-06-21 1985-07-04 コニカ株式会社 電子写真感光体
JPS6060052B2 (ja) 1978-07-21 1985-12-27 コニカ株式会社 電子写真感光体
JPS5551086A (en) 1978-09-04 1980-04-14 Copyer Co Ltd Novel pyrazoline compound, its preparation, and electrophotographic photosensitive substance comprising it
JPS5546760A (en) 1978-09-29 1980-04-02 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS5552064A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5552063A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5574546A (en) 1978-11-30 1980-06-05 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
US4306008A (en) 1978-12-04 1981-12-15 Xerox Corporation Imaging system with a diamine charge transport material in a polycarbonate resin
JPS5588064A (en) 1978-12-05 1980-07-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5588065A (en) 1978-12-12 1980-07-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5585495A (en) 1978-12-18 1980-06-27 Pacific Metals Co Ltd Method of composting organic waste
JPS55108667A (en) 1979-02-13 1980-08-21 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4233384A (en) 1979-04-30 1980-11-11 Xerox Corporation Imaging system using novel charge transport layer
JPS6035058B2 (ja) 1979-05-17 1985-08-12 三菱製紙株式会社 有機光半導体電子写真材料
JPS564148A (en) 1979-06-21 1981-01-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5622437A (en) 1979-08-01 1981-03-03 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4232103A (en) 1979-08-27 1980-11-04 Xerox Corporation Phenyl benzotriazole stabilized photosensitive device
JPS5636656A (en) 1979-09-03 1981-04-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd Electrophotographic material
JPS5646234A (en) 1979-09-21 1981-04-27 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4273846A (en) 1979-11-23 1981-06-16 Xerox Corporation Imaging member having a charge transport layer of a terphenyl diamine and a polycarbonate resin
JPS5680051A (en) 1979-12-04 1981-07-01 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5688141A (en) 1979-12-20 1981-07-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS6034099B2 (ja) 1980-06-24 1985-08-07 富士写真フイルム株式会社 電子写真感光体
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
JPS6059590B2 (ja) 1980-09-03 1985-12-25 三菱製紙株式会社 電子写真感光体
JPS57148749A (en) 1981-03-11 1982-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS6094462A (ja) 1983-10-28 1985-05-27 Ricoh Co Ltd スチルベン誘導体及びその製造法
JPS6093455A (ja) 1983-10-28 1985-05-25 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用現像剤
JPS60175052A (ja) 1984-02-21 1985-09-09 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JPS60174749A (ja) 1984-02-21 1985-09-09 Ricoh Co Ltd スチリル化合物及びその製造法
JPS6114642A (ja) 1984-06-29 1986-01-22 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
JPS6172255A (ja) 1984-09-14 1986-04-14 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
US4665000A (en) 1984-10-19 1987-05-12 Xerox Corporation Photoresponsive devices containing aromatic ether hole transport layers
JPS61210363A (ja) 1985-03-15 1986-09-18 Canon Inc 電子写真感光体
JPS61228451A (ja) 1985-04-03 1986-10-11 Canon Inc 電子写真感光体
US4588666A (en) 1985-06-24 1986-05-13 Xerox Corporation Photoconductive imaging members with alkoxy amine charge transport molecules
JPS6210652A (ja) 1985-07-08 1987-01-19 Minolta Camera Co Ltd 感光体
JPS6230255A (ja) 1985-07-31 1987-02-09 Minolta Camera Co Ltd 電子写真感光体
JPS6236674A (ja) 1985-08-05 1987-02-17 Fuji Photo Film Co Ltd 電子写真感光体
JPS6247646A (ja) 1985-08-27 1987-03-02 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光体
US4780536A (en) 1986-09-05 1988-10-25 The Ohio State University Research Foundation Hexaazatriphenylene hexanitrile and its derivatives and their preparations
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
JPH01211399A (ja) 1988-02-19 1989-08-24 Toshiba Corp スキャン機能付きダイナミックシフトレジスタ
JPH02282263A (ja) 1988-12-09 1990-11-19 Nippon Oil Co Ltd ホール輸送材料
JP2727620B2 (ja) 1989-02-01 1998-03-11 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
US5653713A (en) 1989-04-24 1997-08-05 Michelson; Gary Karlin Surgical rongeur
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
JPH02311591A (ja) 1989-05-25 1990-12-27 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光素子
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JP3704748B2 (ja) 1995-06-23 2005-10-12 東洋インキ製造株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3716096B2 (ja) 1998-04-02 2005-11-16 三菱重工業株式会社 微粉炭セパレータ装置
JP2000173774A (ja) 1998-12-09 2000-06-23 Sony Corp 有機電界発光素子
JP3571977B2 (ja) 1999-11-12 2004-09-29 キヤノン株式会社 有機発光素子
KR100377321B1 (ko) 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
US6939624B2 (en) 2000-08-11 2005-09-06 Universal Display Corporation Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP3873720B2 (ja) * 2001-08-24 2007-01-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
JP2004075567A (ja) 2002-08-12 2004-03-11 Idemitsu Kosan Co Ltd オリゴアリーレン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4590825B2 (ja) * 2003-02-21 2010-12-01 コニカミノルタホールディングス株式会社 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2005008588A (ja) 2003-06-20 2005-01-13 Sony Corp クオーターナフチルおよびその製造方法
JP2005019219A (ja) 2003-06-26 2005-01-20 Sony Corp 有機ｅｌ発光素子
KR100577262B1 (ko) 2004-01-06 2006-05-10 엘지전자 주식회사 유기전계발광소자
US9523031B2 (en) 2004-05-14 2016-12-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JP4974509B2 (ja) 2004-10-29 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子及び発光装置
TWI313675B (en) 2005-10-21 2009-08-21 Lg Chemical Ltd New binaphthalene derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same
JP4995475B2 (ja) * 2006-04-03 2012-08-08 出光興産株式会社 ベンズアントラセン誘導体、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US8207526B2 (en) * 2007-03-23 2012-06-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL device
DE102007024850A1 (de) * 2007-05-29 2008-12-04 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR20100042273A (ko) * 2007-07-07 2010-04-23 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 나프탈렌 유도체, 유기 ｅｌ 소자용 재료 및 그것을 사용한 유기 ｅｌ 소자
KR100901887B1 (ko) * 2008-03-14 2009-06-09 (주)그라쎌 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 발광소자
JP2009283999A (ja) * 2008-05-19 2009-12-03 Clarion Co Ltd 車載型放送記録装置および車載型放送記録装置の制御方法
US20100295027A1 (en) * 2009-05-22 2010-11-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9548456B2 (en) 2013-04-12 2017-01-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic compound and organic light emitting diode device including the same

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