KR20110099627A - 연마용 조성물 및 그것을 사용한 연마 방법 - Google Patents

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슈헤이 다까하시
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가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드
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Abstract

연마 후의 반도체 기판 표면의 헤이즈를 저감하는 것이 가능한 것에 더하여, 동 표면으로의 파티클 부착도 억제하는 것이 가능한 연마용 조성물 및 그러한 연마용 조성물을 사용하여 반도체 기판을 연마하는 방법을 제공한다.
본 발명의 연마용 조성물은, 분자량이 1,000 이상 100,000 미만이고 또한 HLB 값이 17 이상인 비이온 활성제, 염기성 화합물 및 물을 함유한다. 비이온 활성제는, 옥시알킬렌의 단독 중합체 또는 복수 종류의 옥시알킬렌의 공중합체인 것이 바람직하다. 연마용 조성물은, 이산화규소 및 수용성 고분자 중 적어도 어느 한쪽을 더 함유해도 좋다.

Description

연마용 조성물 및 그것을 사용한 연마 방법{POLISHING COMPOSITION AND POLISHING METHOD USING THE SAME}
본 발명은, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판을 연마하는 용도로 주로 사용되는 연마용 조성물 및 그 연마용 조성물을 사용하여 반도체 기판을 연마하는 방법에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판을 연마하는 용도로 사용되는 연마용 조성물로서, 특허 문헌 1, 2, 3 및 4에 개시되는 연마용 조성물이 알려져 있다. 연마 후의 반도체 기판 표면의 헤이즈를 저감하는 것을 주된 목적으로 하여, 특허 문헌 1 내지 3에 개시된 연마용 조성물에는, 폴리옥시에틸렌과 폴리옥시프로필렌의 공중합체가 포함되어 있다. 동일한 목적으로, 특허 문헌 4에 개시된 연마용 조성물에는 폴리옥시에틸렌이 포함되어 있다.
그러나, 특허 문헌 1 내지 4에 개시된 연마용 조성물을 사용하여 연마한 후의 반도체 기판의 표면을 최신 표면 결함 검사 장치를 사용하여 검사한 바, 파티클의 부착, 특히 50㎚ 미만의 사이즈를 갖는 미소 파티클의 부착이 적지 않게 관찰되었다. 이 파티클의 부착은, 연마용 조성물 중의 폴리옥시에틸렌과 폴리옥시프로필렌의 공중합체 또는 폴리옥시에틸렌이 연마 후의 세정에서 제거되는 일 없이 반도체 기판 표면에 잔류하는 것이 원인으로 생각된다. 반도체 기판에 대한 저결함 또한 고평활의 요구가 높아지는 가운데, 이러한 연마용 조성물 중 성분의 잔류 및 그것을 원인으로 하는 파티클의 부착을 억제하는 것은 지극히 중요하다.
일본 특허 출원 공개 평10-245545호 공보 일본 특허 출원 공개 제2001-110760호 공보 일본 특허 출원 공개 제2005-85858호 공보 특허 제4212861호 공보
본 발명은, 발명자에 의한 예의 연구의 결과, 특정한 범위의 분자량 및 HLB 값을 갖는 비이온 활성제를 사용함으로써, 연마 후의 반도체 기판 표면의 헤이즈의 저감과 동 표면으로의 파티클 부착 억제의 양쪽을 실현할 수 있는 것을 발견한 것에 기초하는 것이며, 그 목적으로 하는 것은, 연마 후의 반도체 기판 표면의 헤이즈를 저감하는 것이 가능한 것에 더하여, 동 표면으로의 파티클 부착도 억제하는 것이 가능한 연마용 조성물 및 그러한 연마용 조성물을 사용하여 반도체 기판을 연마하는 방법을 제공하는 것에 있다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에서는, 분자량이 1,000 이상 100,000 미만이고 또한 HLB 값이 17 이상의 비이온 활성제, 염기성 화합물 및 물을 함유하는 연마용 조성물을 제공한다.
비이온 활성제는, 옥시알킬렌의 단독 중합체 또는 복수 종류의 옥시알킬렌의 공중합체인 것이 바람직하다. 옥시알킬렌의 단독 중합체 또는 복수 종류의 옥시알킬렌의 공중합체는, 옥시에틸렌 단위를 85 질량％ 이상의 비율로 포함하는 것이 바람직하다. 연마용 조성물은, 이산화규소 및 수용성 고분자 중 적어도 어느 한쪽을 더 함유해도 좋다. 수용성 고분자는, 중량 평균 분자량이 100,000 이상의 셀룰로오스 유도체인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 형태에서는, 상기 형태의 연마용 조성물을 사용하여 반도체 기판의 표면을 연마하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 연마 후의 반도체 기판 표면의 헤이즈를 저감하는 것이 가능한 것에 더하여, 동 표면으로의 파티클 부착도 억제하는 것이 가능한 연마용 조성물 및 그러한 연마용 조성물을 사용하여 반도체 기판을 연마하는 방법이 제공된다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태를 설명한다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은, 특정한 비이온 활성제와 염기성 화합물을, 바람직하게는 이산화규소 및 수용성 고분자와 함께, 물에 혼합하여 조제된다. 따라서, 연마용 조성물은, 비이온 활성제, 염기성 화합물 및 물을 함유하고, 바람직하게는 이산화규소 및 수용성 고분자를 더 함유한다. 이 연마용 조성물은, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판의 표면을 연마하는 용도, 특히 반도체 기판의 표면을 최종 연마하는 용도로 주로 사용된다.
<비이온 활성제>
연마용 조성물 중에 포함되는 비이온 활성제는, 연마중에 반도체 기판의 표면을 피복하여 물리적인 연마 작용을 완충하는 작용을 갖는다. 이 비이온 활성제의 작용은, 연마 후의 반도체 기판 표면의 헤이즈의 저감을 가능하게 한다.
비이온 활성제는, 분자량이 1,000 이상 100,000 미만이고 또한 HLB(hydrophile-lipophile Balance) 값이 17 이상인 것이 사용된다. 여기서 말하는 HLB 값은 그리핀 법으로 정의되는 것이다. 그리핀 법에서는, 20×친수부의 분자량의 총합／친수부와 소수부의 분자량의 총합으로 HLB 값이 계산된다. 친수부의 예로서는 옥시에틸렌기, 히드록실기, 카르복실기, 에스테르 등, 소수부의 예로서는 옥시프로필렌기, 옥시 부틸렌기, 알킬기 등이 있다.
분자량이 1,000 미만의 비이온 활성제를 사용한 경우에는, 연마 후의 반도체 기판 표면의 헤이즈를 충분히 저감하는 것이 어렵다. 실용상 특히 적합한 레벨까지 연마 후의 반도체 기판 표면의 헤이즈를 저감하기 위해서는, 비이온 활성제의 분자량은 2,000 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3,000 이상이다.
한편, 분자량이 100,000을 초과하는 비이온 활성제를 사용한 경우에는, 연마 후의 반도체 기판 표면으로의 파티클 부착을 충분히 억제하는 것이 어렵다. 실용상 특히 적합한 레벨까지 연마 후의 반도체 기판 표면으로의 파티클 부착을 억제하기 위해서는, 비이온 활성제의 분자량은 80,000 미만인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50,000 미만이다.
또한, HLB 값이 17 미만의 비이온 활성제를 사용한 경우도, 연마 후의 반도체 기판 표면으로의 파티클 부착을 충분히 억제하는 것이 어렵다. 실용상 특히 적합한 레벨까지 연마 후의 반도체 기판 표면으로의 파티클 부착을 억제하기 위해서는, 비이온 활성제의 HLB 값은 18 이상인 것이 바람직하다.
사용하는 비이온 활성제는, 옥시알킬렌의 단독 중합체 또는 복수 종류의 옥시알킬렌의 공중합체인 것이 바람직하다. 이 경우, 실용상 특히 적합한 레벨까지 연마 후의 반도체 기판 표면의 헤이즈를 저감하는 것이 용이하다. 그것은, 약간의 친수성을 갖는 에테르 결합과 약간의 소수성을 갖는 알킬렌기가 이들 중합체의 분자쇄 중에 교대로 존재하는 것이 이유라고 생각된다. 옥시알킬렌의 단독 중합체에는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌, 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시프로필렌 및 폴리옥시부틸렌이 포함된다. 복수 종류의 옥시알킬렌의 공중합체에는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리콜 및 폴리옥시에틸렌폴리옥시부틸렌글리콜이 포함된다.
비이온 활성제로서 사용되는 옥시알킬렌의 단독 중합체 또는 복수 종류의 옥시알킬렌의 공중합체는, 옥시에틸렌 단위를 85 질량％ 이상의 비율로 포함하는 것이 바람직하고, 90 질량％ 이상의 비율로 포함하는 것이 보다 바람직하다. 중합체 중의 옥시에틸렌 단위의 비율이 많아짐에 따라, 연마 후의 반도체 기판 표면으로의 파티클 부착이 보다 억제된다.
연마용 조성물 중의 비이온 활성제의 함유량은, 0.0001 중량％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.001 중량％ 이상이다. 비이온 활성제의 함유량이 많아짐에 따라, 연마 후의 반도체 기판 표면의 헤이즈가 보다 감소된다.
연마용 조성물 중의 비이온 활성제의 함유량은 또한, 0.05 중량％ 미만인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.02 중량％ 미만이다. 비이온 활성제의 함유량이 적어짐에 따라, 연마 후의 반도체 기판 표면으로의 파티클 부착이 보다 억제된다.
<염기성 화합물>
연마용 조성물 중에 포함되는 염기성 화합물은, 반도체 기판을 화학적으로 연마하는 작용을 갖는다.
실용상 특히 적합한 레벨까지 연마용 조성물에 의한 반도체 기판의 연마 속도를 향상시키기 위해서는, 사용하는 염기성 화합물은, 암모니아, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산암모늄, 탄산수소칼륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨, 탄산나트륨, 메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 에틸렌디아민, 모노에탄올아민, N-(β―아미노에틸)에탄올아민, 헥사메틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 무수 피페라진, 피페라진 6수화물, 1-(2-아미노에틸)피페라진 또는 N-메틸피페라진인 것이 바람직하다. 또한, 연마 후의 반도체 기판의 금속 오염을 억제하는 목적으로는, 사용하는 염기성 화합물은, 암모니아, 암모늄염, 알칼리금속 수산화물, 알칼리 금속염 또는 제4급 암모늄 수산화물인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 암모니아, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산암모늄, 탄산수소칼륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨 또는 탄산나트륨이고, 더욱 바람직하게는 암모니아, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화테트라메틸암모늄 또는 수산화테트라에틸암모늄, 가장 바람직하게는 암모니아이다.
연마용 조성물 중의 염기성 화합물의 함유량은, 0.001 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.005 질량％ 이상이다. 염기성 화합물의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 반도체 기판의 연마 속도가 향상된다.
연마용 조성물 중의 염기성 화합물의 함유량은 또한, 0.4 질량％ 미만인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.25 질량％ 미만이다. 염기성 화합물의 함유량이 적어짐에 따라, 연마 후의 반도체 기판의 표면 거칠기가 감소한다.
<이산화규소>
연마용 조성물 중에 임의로 포함되는 이산화규소는, 반도체 기판을 기계적으로 연마하는 작용을 갖는다.
사용하는 이산화규소는, 콜로이달 실리카 또는 흄드 실리카인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 콜로이달 실리카이다. 콜로이달 실리카 또는 흄드 실리카, 특히 콜로이달 실리카를 사용한 경우에는, 연마에 의해 반도체 기판의 표면에 발생하는 스크래치가 감소한다.
연마용 조성물 중의 이산화규소의 함유량은, 0.02 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.04 질량％ 이상이다. 이산화규소의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 반도체 기판의 연마 속도가 향상된다.
연마용 조성물 중의 이산화규소의 함유량은 또한, 5 질량％ 미만인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 질량％ 미만이다. 이산화규소의 함유량이 적어짐에 따라, 연량용 조성물의 분산 안정성이 향상된다.
<수용성 고분자>
연마용 조성물 중에 임의로 포함되는 수용성 고분자는, 반도체 기판의 표면에 대한 물리적인 연마 작용을 완충하는 작용과 함께, 반도체 기판의 표면에 습윤성을 부여하는 작용을 한다.
사용하는 수용성 고분자는, 히드록시에틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스 유도체, 혹은 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈 또는 프르란인 것이 바람직하다. 반도체 기판의 표면에 습윤성을 부여하는 능력이 높은 점 및 양호한 세정성을 갖는 점으로부터, 수용성 셀룰로오스 유도체, 그 중에서도 히드록시에틸셀룰로오스가 특히 바람직하다.
수용성 고분자로서 사용되는 셀룰로오스 유도체의 중량 평균 분자량은, 100,000 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 150,000 이상, 더욱 바람직하게는 200,000 이상이다. 중량 평균 분자량이 커짐에 따라, 셀룰로오스 유도체에 의한 상기한 작용, 즉 반도체 기판의 표면에 대한 물리적인 연마 작용을 완충하는 작용 및 반도체 기판의 표면에 습윤성을 부여하는 작용이 강해진다.
수용성 고분자로서 사용되는 셀룰로오스 유도체의 중량 평균 분자량은 또한, 2,000,000 미만인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1,000,000 미만, 더욱 바람직하게는 700,000 미만이다. 중량 평균 분자량이 작아짐에 따라, 연마용 조성물의 분산 안정성이 향상된다.
연마용 조성물 중의 수용성 고분자의 함유량은, 0.001 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.002 질량％ 이상이다. 수용성 고분자의 함유량이 많아짐에 따라, 수용성 고분자에 의한 상기한 작용, 즉 반도체 기판의 표면에 대한 물리적인 연마 작용을 완충하는 작용 및 반도체 기판의 표면에 습윤성을 부여하는 작용이 강해진다.
연마용 조성물 중의 수용성 고분자의 함유량은 또한, 0.2 질량％ 미만인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 질량％ 미만이다. 수용성 고분자의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물의 분산 안정성이 향상된다.
상기한 연마용 조성물을 사용하여 반도체 기판의 표면을 연마할 때에는, 반도체 기판의 표면에 연마용 조성물을 공급하면서, 반도체 기판의 표면에 연마 패드를 압박하여 반도체 기판 및 연마 패드를 회전시킨다. 이때, 연마 패드와 반도체 기판 표면 사이의 마찰에 의한 물리적 작용(연마용 조성물 중에 이산화규소가 포함되는 경우에는, 이산화규소와 반도체 기판 표면 사이의 마찰에 의한 물리적 작용도)과, 염기성 화합물에 의한 화학적 작용에 의해 반도체 기판 표면은 연마된다.
본 실시 형태에 따르면 이하의 이점이 얻어진다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은, 분자량이 1,000 이상 100,000 미만이고 또한 HLB 값이 17 이상인 비이온 활성제를 함유하고 있다. 따라서, 이 비이온 활성제의 작용에 의해, 연마 후의 반도체 기판 표면의 헤이즈가 저감된다. 또한, 이 비이온 활성제에 의하면, 연마 후의 반도체 기판 표면으로의 파티클 부착도 억제된다. 따라서, 본 실시 형태의 연마용 조성물은, 반도체 기판의 표면을 연마하는 용도, 특히 반도체 기판의 표면을 최종 연마하는 용도로 적합하게 사용할 수 있다.
상기 실시 형태는 다음과 같이 변경되어도 좋다.
ㆍ 상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 2종류 이상의 비이온 활성제를 함유해도 좋다.
ㆍ 상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 2종류 이상의 염기성 화합물을 함유해도 좋다.
ㆍ 상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 2종류 이상의 이산화규소를 함유해도 좋다.
ㆍ 상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 2종류 이상의 수용성 고분자를 함유해도 좋다.
ㆍ 상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 킬레이트제를 더 함유해도 좋다. 킬레이트제를 함유하는 경우, 연마용 조성물에 의한 반도체 기판의 금속 오염을 억제할 수 있다. 사용 가능한 킬레이트제의 예로서는, 예를 들어 아미노카르본산계 킬레이트제 및 유기 포스폰산계 킬레이트제를 들 수 있다. 아미노카르본산계 킬레이트제에는, 에틸렌디아민4아세트산, 에틸렌디아민4아세트산나트륨, 니트릴로3아세트산, 니트틸로3아세트산나트륨, 니트틸로3아세트산암모늄, 히드록시에틸에틸렌디아민3아세트산, 히드록시에틸에틸렌디아민3아세트산나트륨, 디에틸렌트리아민5아세트산, 디에틸렌트리아민5아세트산나트륨, 트리에틸렌테트라민6아세트산 및 트리에틸렌테트라민6아세트산 나트륨이 포함된다. 유기 포스폰산계 킬레이트제에는, 2-아미노에틸포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 아미노트리(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산), 에탄-1,1-디포스폰산, 에탄-1,1,2-트리포스폰산, 에탄-1-히드록시-1,1-디포스폰산, 에탄-1-히드록시-1,1,2-트리포스폰산, 에탄-1,2-디카르복시-1,2-디포스폰산, 메탄히드록시포스폰산, 2-포스포노부탄-1,2-디카르본산, 1-포스포노부탄-2,3,4-트리카르복실산 및 α-메틸포스포노 호박산이 포함된다. 그 중에서도 바람직한 킬레이트제는, 유기 포스폰산계 킬레이트제, 특히 바람직한 것은 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌포스폰산) 또는 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산), 가장 바람직한 것은 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌포스폰산)이다.
ㆍ 상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 방부제와 같은 공지의 첨가제를 필요에 따라 더 함유해도 좋다.
ㆍ 상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 일제형이어도 좋고, 이제형을 비롯한 다제형이어도 좋다.
ㆍ 상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 제조시 및 판매시에는 농축된 상태이어도 좋다. 즉, 상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 연마용 조성물의 원액의 형태로 제조 및 판매해도 좋다.
ㆍ 상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 연마용 조성물의 원액을 물로 희석함으로써 조제되어도 좋다.
ㆍ 상기 실시 형태의 연마용 조성물을 사용한 연마 방법에서 사용되는 연마 패드는, 특별히 한정되지 않지만, 부직포 타입, 스웨이드 타입, 지립을 포함하는 것, 지립을 포함하지 않는것 중 어느 것을 사용해도 좋다.
다음에, 본 발명의 실시예 및 비교예를 설명한다.
비이온 활성제, 염기성 화합물, 콜로이달 실리카 및 히드록시에틸셀룰로오스의 전부 또는 일부를 이온 교환수에 혼합하여 제1 실시예 내지 제12 실시예 및 제1 비교예 내지 제10 비교예의 연마용 조성물을 조제했다. 제1 실시예 내지 제12 실시예 및 제1 비교예 내지 제10 비교예의 각 연마용 조성물 중의 비이온 활성제 및 염기성 화합물의 상세를 표 1에 나타낸다. 또한, 표 1에는 나타내고 있지 않지만, 제1 실시예 내지 제12 실시예 및 제1 비교예 내지 제10 비교예의 연마용 조성물은 모두, 콜로이달 실리카를 0.5 질량％, 중량 평균 분자량이 250,000의 히드록시에틸셀룰로오스를 0.02 질량％ 함유하는 것으로 했다. 사용한 콜로이달 실리카는, Micromeritics사제의 FlowSorb II 2300를 사용하여 측정되는 평균 입자 직경이 35㎚, Beckman Coulter, Inc.제의 N4 Plus Submicron Particle Sizer을 사용하여 측정되는 평균 입자 직경이 70㎚이었다. 또한, 제1 실시예 내지 제12 실시예 및 제1 비교예 및 제4 비교예, 제6 비교예 내지 제10 비교예의 연마용 조성물 중의 염기성 화합물의 함유량은 모두 0.2 중량％로 했다. 한편, 제1 실시예 내지 제12 실시예 및 제1 비교예 내지 제10 비교예의 각 연마용 조성물 중의 철, 니켈, 구리, 크롬 및 아연의 함유량을 측정한 바, 그들의 합계는 0.1ppm 이하였다.
제1 실시예 내지 제12 실시예 및 제1 비교예 내지 제10 비교예의 연마용 조성물을 사용하여, 실리콘 웨이퍼의 표면을 표 2에 기재된 조건으로 연마했다. 사용한 실리콘 웨이퍼는, 직경이 300㎜, 전도형이 P형, 결정 방위가 <100>, 저항률이 0.1Ωㆍ㎝ 이상 100Ωㆍ㎝ 미만이고, 가부시끼가이샤 후지미 인코포레이티드제의 연마 슬러리(상품명 GLANZOX 1103)를 사용하여 예비 연마하고 나서 사용했다.
케이엘에이ㆍ텐 콜사제의 웨이퍼 검사 장치 "Surfscan SP2"를 사용하여, 연마 후의 실리콘 웨이퍼 표면에 존재하는 37㎚ 이상 크기의 파티클 개수를 계측했다. 계측되는 파티클의 개수가 70 미만의 경우에는 ◎(우수), 70 이상 100 미만의 경우에는 ○(양호), 100 이상 200 미만의 경우에는 △(약간 불량), 200 이상의 경우에는 ×(불량)로 평가했다. 이 평가의 결과를 표 1의 "파티클" 난에 나타낸다.
또한, 동일한 케이엘에이ㆍ텐 콜사제의 웨이퍼 검사 장치 "Surfscan SP2"의 DWO 모드에서 연마 후의 실리콘 웨이퍼 표면을 계측했을 때에 얻어지는 값에 기초하여, 연마 후의 실리콘 웨이퍼 표면의 헤이즈 레벨을 평가한 결과를 표 1의 "헤이즈" 난에 나타낸다. 동란 중, ◎(우수)는 측정치가 0.10ppm 미만이었던 것을 나타내고, ○(양호)는 0.10ppm 이상 0.15ppm 미만, △(약간 불량)는 0.15ppm 이상 0.20ppm 미만, ×(불량)는 0.20ppm 이상이었던 것을 나타낸다.
Figure pat00001
Figure pat00002
표(1)에 나타낸 바와 같이, 제1 실시예 내지 제12 실시예에 있어서는 파티클 및 헤이즈의 평가가 모두 ◎ 또는 ○로, 실용상 만족할 수 있는 결과가 얻어졌다. 그에 대해, 제1 비교예 내지 제10 비교예에 있어서는 파티클 및 헤이즈 중 적어도 어느 한쪽의 평가가 △ 또는 ×로, 실용상 만족할 수 있는 결과가 얻어지지 않았다.

Claims (7)

  1. 분자량이 1,000 이상 100,000 미만이고 또한 HLB 값이 17 이상인 비이온 활성제, 염기성 화합물 및 물을 함유하는 것을 특징으로 하는, 연마용 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 비이온 활성제가 옥시알킬렌의 단독 중합체 또는 복수 종류의 옥시알킬렌의 공중합체인, 연마용 조성물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 옥시알킬렌의 단독 중합체 또는 복수 종류의 옥시알킬렌의 공중합체는, 옥시에틸렌 단위를 85 질량％ 이상의 비율로 포함하는, 연마용 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    이산화규소를 더 함유하는, 연마용 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    수용성 고분자를 더 함유하는, 연마용 조성물.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 수용성 고분자는, 중량 평균 분자량이 100,000 이상의 수용성 셀룰로오스 유도체인, 연마용 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 연마용 조성물을 사용하여 반도체 기판의 표면을 연마하는 방법.
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