KR20110066737A - 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 - Google Patents
프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110066737A KR20110066737A KR1020090123502A KR20090123502A KR20110066737A KR 20110066737 A KR20110066737 A KR 20110066737A KR 1020090123502 A KR1020090123502 A KR 1020090123502A KR 20090123502 A KR20090123502 A KR 20090123502A KR 20110066737 A KR20110066737 A KR 20110066737A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pixel
- pixel electrode
- electrode
- liquid crystal
- gate
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 37
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
- G02F1/133519—Overcoatings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
- G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은, 투명한 기판 상에 일방향으로 연장하며 형성된 게이트 배선과; 상기 게이트 배선 위로 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 배선과 수직으로 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 전기적으로 연결되며 이들 두 배선의 교차지점 부근에 형성된 박막트랜지스터와; 상기 게이트 절연막 상에 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 상기 화소영역에 형성된 화소전극과; 상기 화소전극 위로 상기 기판 전면에 제 1 두께를 가지며 형성된 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층 위로 각 화소영역에 형성된 에치스토퍼와; 상기 에치스토퍼 위로 상기 기판 전면에 제 2 두께를 가지며 형성된 제 2 보호층과; 상기 제 2 보호층 위로 각 화소영역에 일정간격 이격하는 바(bar) 형태를 갖는 다수의 제 1 개구를 구비하며 형성된 공통전극을 포함하며, 상기 제 2 보호층은 상기 다수의 제 1 개구에 대응하여 상기 에치스토퍼를 노출시키는 홈이 형성된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판을 제공한다.
프린지필드, 액정표시장치, 구동전압, 어레이기판
Description
본 발명은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히, 소비전력을 저감시킬 수 있는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용하여 구동된다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(AM-LCD : Active Matrix LCD 이하, 액정표 시장치로 약칭함)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
상기 액정표시장치는 공통전극이 형성된 컬러필터 기판과 화소전극이 형성된 어레이 기판과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정으로 이루어지는데, 이러한 액정표시장치에서는 공통전극과 화소전극이 상하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하다.
그러나, 상하로 걸리는 전기장에 의한 액정구동은 시야각 특성이 우수하지 못한 단점을 가지고 있다.
따라서, 상기의 단점을 극복하기 위해 시야각 특성이 우수한 횡전계형 액정표시장치가 제안되었다.
이하, 도 1을 참조하여 일반적인 횡전계형 액정표시장치에 관하여 상세히 설명한다.
도 1은 일반적인 횡전계형 액정표시장치의 단면을 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 컬러필터 기판인 상부기판(9)과 어레이 기판인 하부기판(10)이 서로 이격되어 대향하고 있으며, 이 상부 및 하부기판(9, 10)사이에는 액정층(11)이 개재되어 있다.
상기 하부기판(10)상에는 공통전극(17)과 화소전극(30)이 동일 평면상에 형성되어 있으며, 이때, 상기 액정층(11)은 상기 공통전극(17)과 화소전극(30)에 의한 수평전계(L)에 의해 작동된다.
도 2a와 2b는 일반적인 횡전계형 액정표시장치의 온(on), 오프(off) 상태의 동작을 각각 도시한 단면도이다.
우선, 전압이 인가된 온(on)상태에서의 액정의 배열상태를 도시한 도 2a를 참조하면, 상기 공통전극(17) 및 화소전극(30)과 대응하는 위치의 액정(11a)의 상변이는 없지만 공통전극(17)과 화소전극(30)사이 구간에 위치한 액정(11b)은 이 공통전극(17)과 화소전극(30)사이에 전압이 인가됨으로써 형성되는 수평전계(L)에 의하여, 상기 수평전계(L)와 같은 방향으로 배열하게 된다. 즉, 상기 횡전계형 액정표시장치는 액정이 수평전계에 의해 이동하므로, 시야각이 넓어지는 특성을 띠게 된다.
그러므로, 상기 횡전계형 액정표시장치를 정면에서 보았을 때, 상/하/좌/우방향으로 약 80∼85도 방향에서도 반전현상 없이 가시 할 수 있다.
다음, 도 2b를 참조하면, 상기 액정표시장치에 전압이 인가되지 않은 오프(off)상태이므로 상기 공통전극과 화소전극 간에 수평전계가 형성되지 않으므로 액정층(11)의 배열 상태가 변하지 않는다.
하지만 이러한 횡전계형 액정표시장치는 시야각을 향상시키는 장점을 갖지만 개구율 및 투과율이 낮은 단점을 갖는다.
따라서 이러한 횡전계형 액정표시장치의 단점을 개성하기 위하여 프린지 필드(Fringe field)에 의해 액정이 동작하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치(fringe field switching mode LCD)가 제안되었다.
도 3은 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소영역의 중앙부를 관통하여 절단한 부분에 대한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(41)에는 게이트 절연막(45)을 개재하여 그 하부 및 상부에서 서로 교차하여 다수의 화소영역(미도시)을 정의하며 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(47)이 형성되어 있으며, 상기 각 화소영역(미도시)에는 상기 게이트 및 데이터 배선(미도시, 47)과 연결되며 박막트랜지스터(미도시)가 형성되어 있다.
또한, 상기 게이트 절연막(45) 상부로 각 화소영역(미도시)에는 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극(미도시)과 접촉하며 판 형태의 화소전극(55)이 형성되고 있다. 이때, 상기 화소전극(55)은 상기 데이터 배선(47)과 동일한 층 즉, 상기 게이트 절연막(45) 상에 형성되고 있으며, 상기 데이터 배선(47)과의 쇼트를 방지하기 위해 상기 데이터 배선(47)과 일정간격 이격하며 형성되고 있다.
또한, 상기 데이터 배선(47)과 화소전극(55) 상부로 전면에는 무기절연물질로서 보호층(60)이 형성되고 있으며, 상기 보호층(60) 위로 전면에 각 화소영역(미도시)에 대응하여 일정간격 이격하며 바(bar) 형태를 갖는 다수의 개구(oa)를 갖는 공통전극(65)이 형성되고 있다.
이러한 단면 구성을 갖는 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(41)은 공통전극(65)이 최상부에 위치하며 표시영역 전면에 형성되는 구조를 가지므로, 상기 데이터 배선(47)에 대응해서도 공통전극(65)이 상기 보호층(60)을 개재하여 중첩되며 형성되고 있다.
따라서 서로 중첩하는 상기 데이터 배선(47)과 보호층(60)과 공통전극(67)은 기생 커패시터를 형성하게 되며, 이러한 기생 커패시터에 대한 영향을 고려하여 프린지 필드 스위칭 구동을 하도록 하기 위해서 상기 보호층은 최소 6000Å 정도의 두께를 가지며 형성되고 있다.
이 경우, 상기 공통전극과 상기 화소전극간의 이격간격이 최소 6000Å 정도가 되므로 적절한 표시품질을 유지하는 액정 구동을 위한 프린지 필드 형성을 위한 구동 전압이 상대적으로 크며 따라서 최종적으로 소비전력을 상승시키고 있다.
이러한 구성을 갖는 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 있어 구동 전압을 낮추면 투과율이 감소되어 콘트라스트 비율이 저하되어 표시품질이 낮아지는 문제가 발생하고 있다.
또한, 보호층을 6000Å 정도 보다 작은 두께를 갖도록 형성하는 경우 공통전극과 데이터 배선간의 거리가 줄어들게 되어 이들 구성요소에 의한 기생 커패시턴스의 증가로 또 다시 소비전력을 증가시키고 있는 실정이다.
본 발명은 이러한 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 화소전극과 공통전극 사이에 개재된 보호층의 두께를 낮추어 화소전극과 공통전극에 의해 생성되는 프린지 필드 세기를 증가시키는 동시에 데이터 배선과 공통전극간의 기생용량을 최소화하여 소비전력을 저감시킬 수 있는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판은, 투명한 기판 상에 일방향으로 연장하며 형성된 게이트 배선과; 상기 게이트 배선 위로 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 배선과 수직으로 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 전기적으로 연결되며 이들 두 배선의 교차지점 부근에 형성된 박막트랜지스터와; 상기 게이트 절연막 상에 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 상기 화소영역에 형성된 화소전극과; 상기 화소전극 위로 상기 기판 전면에 제 1 두께를 가지며 형성된 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층 위로 각 화소영역에 형성된 에치스토퍼와; 상기 에치스토퍼 위로 상기 기판 전면에 제 2 두께를 가지며 형성된 제 2 보호층과; 상기 제 2 보호층 위로 각 화소영역에 일정간격 이격하는 바(bar) 형태를 갖는 다수의 제 1 개구를 구비하며 형성된 공통전극을 포함하며, 상기 제 2 보호층은 상기 다수의 제 1 개구에 대응하여 상기 에치스토퍼를 노출시키는 홈이 형성된 것이 특징이다.
이때, 상기 제 1 보호층에는 상기 화소전극을 노출시키는 제 1 콘택홀이 구비되며, 상기 에치스토퍼는 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 화소전극과 접촉하는 것이 특징이다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판은, 투명한 기판 상에 일방향으로 연장하며 형성된 게이트 배선과; 상기 게이트 배선 위로 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이 트 배선과 수직으로 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 전기적으로 연결되며 이들 두 배선의 교차지점 부근에 형성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 위로 상기 기판 전면에 제 1 두께를 가지며 형성된 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층 위로 각 화소영역에 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 형성된 화소전극과; 상기 화소전극 위로 상기 기판 전면에 제 2 두께를 가지며 형성된 제 2 보호층과; 상기 제 2 보호층 위로 각 화소영역에 일정간격 이격하는 바(bar) 형태를 갖는 다수의 제 1 개구를 구비하며 형성된 공통전극을 포함하며, 상기 제 2 보호층은 상기 다수의 제 1 개구에 대응하여 상기 에치스토퍼를 노출시키는 홈이 형성된 것이 특징이다.
상기 제 1 보호층에는 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀이 구비되며, 상기 화소전극은 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 화소전극과 접촉하는 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
상기 제 1 두께는 3000Å 내지 4000Å이며, 상기 제 2 두께는 2000Å 내지 3000Å이며, 상기 제 1 및 제 2 두께를 합한 두께는 6000Å 이상이 되는 것이 특징이며, 이때, 상기 제 1 및 제 2 보호층은 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 것이 특징이다.
또한, 상기 공통전극에는 상기 박막트랜지스터에 대응하여 제 2 개구가 형성된 것이 특징이다.
또한, 상기 화소전극은 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인 듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어진 것이 특징이다.
또한, 상기 에치스토퍼는 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지며, 상기 화소전극과 동일한 평면적으로 가지며 형성된 것이 특징이다.
본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판은, 데이터 배선과 공통전극 사이에는 6000Å 이상의 두께를 갖는 이중층 구조의 보호층이 형성되며, 공통전극과 화소전극 사이에는 제 1 보호층이 제거된 홈이 형성됨으로써 인가되는 프린지 필드 세기를 향상시켜 구동 전압을 저감시키는 효과가 있다.
구동전압을 저감시킴으로서 소비전력을 저감시키는 효과가 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소영역에 대한 평면도이다. 설명의 편의를 위해 도면에 나타내지 않았지만 다수의 화소영역(P)이 형성된 영역을 표시영역, 그리고 상기 표시영역 외측의 영역을 비표시영역이라 정의하며, 박막트랜지스터(Tr)가 형성되는 영역을 소자영역이라 정의한다.
도시한 바와 같이, 표시영역에는 제 1 방향으로 연장하며 다수의 게이트 배선(105)이 형성되어 있으며, 상기 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 연장하여 상기 게이트 배선과 더불어 다수의 화소영역(P)을 정의하는 다수의 데이터 배선(130)이 형성되고 있다.
또한, 상기 다수의 각 화소영역(P)에 대응하여 이의 내부 또는 각 화소영역의 경계에 상기 게이트 배선(105) 및 데이터 배선(130)과 연결되며, 게이트 전극(108)과, 게이트 절연막(미도시)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(미도시)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(미도시)으로 이루어진 반도체층(미도시)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)으로 구성된 박막트랜지스터(Tr)가 형성되고 있다.
이때, 도면에 있어서 상기 소스 및 드레인 전극(133, 136)간의 이격영역(이하 채널 영역이라 칭함)은'-'형태를 이루는 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 채널영역의 형태는 다양한 형태로 변형될 수 있다. 일례로 소스 전극(133)이 'U'형태로 이루어지고, 상기 'U'형태의 소스 전극(133)의 개구부에 삽입되는 형태로 드레인 전극(136)이 형성되는 경우 채널영역은 'U'자 형태를 이룬다.
또한, 도면에 있어서, 상기 박막트랜지스터(Tr)는 화소영역(P)의 경계와 화소영역(P) 일부에 대해 형성됨을 보이고 있지만, 상기 반도체층(미도시)과 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 상기 게이트 배선(105)과 완전 중첩하도록 형성됨으로서 각 화소영역(P)의 경계에 형성됨으로서 개구율을 향상시키는 구조를 가질 수도 있다.
한편, 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극과 접촉하며 화소전극(138)이 형성되어 있다.
또한, 상기 화소전극(138) 위로는 도면에 나타나지 않았지만, 제 1 보호층(미도시)이 형성되어 있으며, 상기 제 1 보호층(미도시) 위로는 각 화소영역(P) 내에 상기 화소전극(138)과 동일한 평면적을 가지며 완전 중첩하는 형태로 에치스토퍼(145)가 형성되어 있다. 또한, 상기 에치스토퍼(145) 위로는 무기절연물질로서 제 2 보호층(미도시)이 형성되고 있다.
상기 제 2 보호층(미도시) 위로는 각 화소영역(P)에 대응하여 일정간격 이격하는 바(bar) 형태의 다수의 제 1 개구(op1)를 갖는 공통전극(미도시)이 형성되고 있는 것이 특징이다.
이때, 특징적인 구성으로서 상기 제 1 개구(op1)에 대응하여 상기 제 2 보호층(미도시)이 제거되어 상기 에치스토퍼(145)를 노출시키는 홈이 형성되고 있는 것이 특징이다.
이러한 구성은 단면구조를 통해 잘 나타나므로 이후에는 전술한 제 1 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 단면 구조에 대해 설명한다.
도 5는 도 4를 절단선 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도이다. 설명의 편의를 위해 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 형성된 부분을 소자영역(TrA)이라 정의한다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정 표시장치용 어레이 기판(101)의 베이스를 이루는 투명한 절연기판(101) 상에 저저항 특성을 갖는 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 하나의 금속물질로써 일 방향으로 연장하는 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있으며, 상기 소자영역(TrA)에는 상기 게이트 배선과 연결되어 게이트 전극(108)이 형성되어 있다.
또한, 상기 게이트 배선(105) 및 게이트 전극(108) 위로 상기 기판(101) 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 게이트 절연막(115)이 형성되어 있다.
상기 게이트 절연막(115) 위로 소자영역(TrA)에는 상기 게이트 전극(108)에 대응하여 순수 비정질 실리콘의 액티브층(120a)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)으로 이루어진 반도체층(120)이 형성되어 있으며, 상기 반도체층(120) 상부로 서로 이격하며 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 형성되어 있다. 이때, 상기 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136) 사이로는 상기 액티브층(120a)이 노출되고 있다.
또한, 상기 게이트 절연막(115) 상부에는 상기 게이트 배선(105)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하며 상기 박막트랜지스터(Tr)의 소스 전극(133)과 연결되며 데이터 배선(130)이 형성되어 있다. 이때, 상기 데이터 배선(130)의 하부에는 상기 반도체층(120)을 이루는 동일한 물질로 제 1 및 제 2 더미패턴(121a, 121b)이 형성되고 있음을 보이고 있지만, 이러한 제 1 및 제 2 더미패턴(121a, 121b)은 제조 방 법에 기인한 것으로 생략될 수 있다.
다음, 상기 각 화소영역(P)에는 상기 게이트 절연막(115) 위로 상기 드레인 전극의 일 끝단과 직접 접촉하며 투명 도전성 물질로 이루어진 판형태의 화소전극(138)이 형성되고 있다.
또한, 상기 박막트랜지스터(Tr)와 상기 화소전극(138) 위로는 무기절연물질 예를 들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로서 3000Å 내지 4000Å 정도의 제 1 두께를 가지며 제 1 보호층(140)이 형성되어 있다.
상기 제 1 보호층(140) 위에는 상기 본 발명의 특징적인 구성으로서 상기 화소전극(138) 형성 시 이용한 동일한 노광 마스크를 이용하여 투명 도전성 물질을 패터닝하여 형성한 것을 특징으로 하는 에치스토퍼(145)가 형성되어 있다. 이때 상기 에치스토퍼(145)는 그 두께가 200Å 내지 500Å정도가 되는 것이 바람직하다. 이보다 더 두꺼운 두께를 갖는 경우 추후 형성될 공통전극(160)과 상기 화소전극(138)간의 이격거리를 증가시켜 구동전압을 증가시키기 때문이다.
다음, 상기 에치스터퍼(145) 위로는 무기절연물질 예를 들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로서 2000Å 내지 3000Å 정도의 제 2 두께를 가지며 제 2 보호층(150)이 형성되어 있다.
따라서, 각 화소영역(P)에 있어서는 상기 제 1 및 제 2 보호층(140, 150)은 상기 에치스토퍼(145)를 기준으로 분리된 구조를 가지만, 상기 화소영역(P) 이외의 영역 즉, 게이트 및 데이터 배선(미도시, 130)이 형성된 화소영역(P)의 경계 영역과 소자영역(TrA)에 있어서는 서로 접촉하여 형성됨으로써 하나의 보호층을 이루고 있는 것이 특징이다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 보호층(140, 150)이 직접 접촉하며 형성된 부분에서는 그 두께가 최소 6000Å가 되는 것이 특징이다.
다음, 상기 제 2 보호층(150) 위로는 투명도전성 물질로서 각 화소영역(P)에 대응하여 일정간격 이격하는 다수의 바(bar) 형태의 제 1 개구(op1)를 갖는 공통전극(160)이 표시영역 전면에 형성되고 있다. 이때, 상기 공통전극(160)은 상기 소자영역(TrA)에 대응해서도 제 2 개구(op2)를 갖는 것이 특징이다. 이는 채널영역으로의 영향을 최소화하고, 소스 및 드레인 전극(133, 136)과 중첩됨으로써 발생하는 기생용량을 최소화하기 위함이다.
다음, 본 발명의 제 1 실시예에 있어 또 다른 특징적인 구조로서 상기 공통전극(160)의 제 1 개구(op1)에 있어서는 상기 제 2 보호층(150)이 제거되어 홈을 형성하며 상기 에치스토퍼(145)를 노출시키는 형태를 이루고 있는 것이 특징이다.
이러한 형태 즉, 제 1 개구(op1)와 홈을 가지며 공통전극(160)과 제 2 보호층(150)이 형성됨으로서 상대적으로 상기 화소전극(138)과의 전계의 세기를 증가시킬 수 있다. 즉, 상기 공통전극(160)의 제 1 개구(op1)에 대응하여 2000Å 내지 3000Å정도의 제 2 두께를 갖는 제 2 보호층(150)이 제거됨으로써 상기 제 1 개구(op1)를 통해 상기 공통전극(160)과 화소전극(138)간에 형성되는 프린지 필드 세기가 향상되게 된다. 전계 형성에 방해가 되는 물질층(제 1 및 제 2 제 2 보호층) 일부가 제거됨으로서 동일한 구동 전압 인가에 대해 더 큰 세기를 갖는 프린지 필드가 형성되므로 종래와 동일한 세기의 프린지 필드를 형성 한다고 할 경우 구동 전압을 낮출 수 있다.
한편, 상기 공통전극(160)내에 구비된 제 1 개구(op1)에 대응하여 제 2 보호층(150)을 제거하는 것은 상기 공통전극(160) 자체가 식각 방지 마스크가 되며, 상기 제 1 개구(op1)를 갖는 공통전극(160)이 형성된 상태에서 상기 무기절연물질을 식각할 수 있는 반응가스 분위기에서 건식식각을 진행함으로서 별도의 마스크 공정없이 이루질 수 있는 것이 특징이다.
이러한 건식식각 진행 시 각 화소영역(P)에서는 에치스토퍼(145)가 형성되어 있으므로 그 하부에 위치하는 제 1 보호층(140)에는 전혀 영향을 주지 않는다. 따라서, 제 1 개구(op1)에 대응하는 홈의 깊이 차에 의한 프린지 필드 세기 차이에 의한 얼룩 발생에 의한 표시품질 저하는 원천적으로 방지할 수 있는 것이 특징이다.
한편, 전술한 바와 같이 에치스토퍼(145)를 형성하지 않을 경우, 나아가 상기 제 1 및 제 2 보호층(140, 150)이 동일한 무기절연물질로 이루어지는 경우, 건식식각 진행 시 위치별로 식각률 차가 발생하며, 이로 인해 프린지 필드 세기 차이가 발생하여 부분적 휘도 차이에 의한 얼룩 불량 발생 등 표시품질 저하를 유발할 수 있다. 또한, 무기절연물질 특성 상, 건식식각을 중도에 멈추어 그 두께를 조절하는 경우 그 두께의 유니포미티 차이로 인해 얼룩이 발생한다.
하지만, 본 발명의 제 1 실시예의 경우 상기 에치스토퍼(145)가 구비됨으로서 정확히 제 2 보호층(150)만이 제거될 수 있으므로 건식식각 진행에 의한 식각오차는 발생되지 않으므로 얼룩불량 등의 발생은 원천적으로 방지될 수 있는 것이 특 징이다.
이때, 데이터 배선(130)이 형성된 부분에 대응해서는 공통전극(160)이 형성되어 있으므로 제 2 보호층(150)이 식각되지 않고 제 1 및 제 2 보호층(140, 150)이 모두 형성되고 있으므로 6000Å이상의 두께를 유지하게 된다. 따라서 데이터 배선(130)과 공통전극(160)에 의해 발생되는 기생 커패시턴스는 종래와 동일한 수준이 됨을 알 수 있다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다. 제 1 실시예와 차별점이 있는 부분만을 설명한다. 제 1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 100을 더하여 동일한 도면부호를 부여하였다.
제 1 실시예와 차별적인 구성은 상기 제 1 보호층(240)을 사이에 두고 그 하부 및 상부에 형성된 화소전극(238)과 에치스토퍼(245)가 상기 제 1 보호층(240)에 구비된 제 1 콘택홀(241)을 통해 서로 접촉하도록 형성되고 있다는 것이다. 그 이외의 구성요소는 제 1 실시예와 동일한 구성을 갖는다.
이러한 구성을 갖는 제 1 실시예의 변형예의 경우 화소전극(238)과 동일한 형태를 가지며 각 화소영역(P)별로 형성된 상기 에치스토퍼(245)는 상기 화소전극(238)을 통해 드레인 전극(236)으로부터 신호전압을 입력받게 되므로 실질적으로 제 2 화소전극의 역할을 하게 된다.
따라서 상기 공통전극(260)과 화소전극(238)간의 이격간격 대비 상기 공통전극(260)과 상기 제 2 화소전극의 역할을 하는 에치스토퍼(245) 간의 이격간격이 줄 어들게 됨으로써 더욱더 최대 투과율을 갖는 구동전압을 줄일 수 있는 것이 특징이다.
이때, 상기 데이터 배선(230)과 공통전극(260) 사이에는 여전히 제 1 및 제 2 보호층(240, 250)이 존재하게 되므로 6000Å이상의 이격간격을 갖게 되며, 이로 인한 기생 커패시턴스는 종래와 동일한 수준이 된다. 또한, 프린지 필드를 형성하는 공통전극(260)과 제 2 화소전극의 역할을 하는 에치스토퍼(245) 간의 이격간격은 제 2 보호층(250)의 제 2 두께인 2000Å 내지 3000Å정도가 되며, 상기 제 2 보호층(250) 내에 상기 공통전극(260)에 구비된 제 1 개구(op1)에 대응하여 상기 제 2 화소전극의 역할을 하는 에치스토퍼(245)를 노출시키는 홈이 형성된 구성을 가지고 있으므로 구동전압을 현저히 저감시킬 수 있는 것이 특징이다.
그 외의 구성요소는 전술한 제 1 실시예와 동일하므로 그 설명은 생략한다.
도 7은 구동전압 변화에 따른 투과율 특성 곡선이다.
도시한 바와 같이, 종래의 6000Å 정도의 두께를 갖는 보호층을 갖는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(종래라 표시됨)의 경우 투과율을 최대로 하는 구동전압이 4.5V가 되고 있지만, 2000Å 정도의 두께를 갖는 제 2 보호층이 공통전극의 제 1 개구에 대응하여 제거된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프린지 필스 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(제1실시예라 표시됨)의 경우, 투과율을 최대로 하는 구동전압이 3.4V가 됨으로써 종래대비 구동전압이 낮아졌음을 알 수 있다.
또한, 에치스토퍼가 화소전극과 연결된 제 1 실시예의 변형예(변형예라 표시 됨)의 경우 투과율을 최대로 하는 구동전압이 2.9V가 됨으로써 종래대비 구동전압이 현저히 낮아졌음을 알 수 있다.
프린지 필드 형성을 위한 구동전압을 낮출 경우 전력소비를 줄일 수 있으므로, 이를 노트북 또는 휴대폰 등의 응용제품에 적용하는 경우 뱃터리의 사용시간을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프린지 필스 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다. 이때, 제 1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 200을 더하여 도면부호를 부여하였으며, 제 1 실시예와 차별점이 있는 부분 위주로 설명한다.
본 발명의 제 2 실시예에 있어서 제 1 실시예와 차별되는 가장 특징적인 구성은 에치스토퍼의 역할을 겸하는 하는 화소전극(346)을 구성하고 있다는 것이다.
도면을 참조하면, 소자영역(TrA)에 제 1 실시예와 동일하게 게이트 절연막(315)을 사이에 두고 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 및 데이터 배선(미도시, 330)과 연결되며 박막트랜지스터(Tr)가 구비되고 있으며, 상기 박막트랜지스터(Tr) 위로 무기절연물질 예를 들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로서 3000Å 내지 4000Å 정두의 제 1 두께를 갖는 제 1 보호층(240)이 형성되어 있다.
제 1 실시예의 경우, 상기 박막트랜지스터(도 5의 Tr)의 드레인 전극(도 5의 136)과 직접 접촉하며 게이트 절연막(도 5의 115) 상에 화소전극(도 5의 138)이 형성되고 있지만, 제 2 실시예의 경우, 상기 게이트 절연막(315) 상에는 제 1 보호층(340)이 형성되고 있는 것이 특징이다.
이때, 상기 제 1 보호층(340)은 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(336)의 일 끝단을 노출시키는 드레인 콘택홀(342)이 구비되고 있는 것이 특징이다.
다음, 상기 드레인 콘택홀(342)을 갖는 제 1 두께의 제 1 보호층(340) 위로 투명 도전성 물질로서 상기 드레인 콘택홀(342)을 통해 상기 드레인 전극(336)과 접촉하며 각 화소영역(P)별로 화소전극(346)이 형성되고 있다.
또한, 상기 화소전극(346) 위로 전면에 상기 2000Å 내지 3000Å 정도의 제 2 두께를 갖는 제 2 보호층(340)이 형성되어 있으며, 상기 제 2 보호층(340) 위로 표시영역 전면에 투명 도전성 물질로서 각 화소영역(P)에 대응하여 일정간격 이격하는 바(bar) 형태의 다수의 제 1 개구(op1)를 갖는 공통전극(360)이 형성되어 있다.
이때, 상기 제 2 보호층(340)에는 제 1 실시예와 동일하게 상기 공통전극(360)의 다수의 제 1 개구(op1)에 대응하여 제거됨으로써 상기 화소전극(346)을 노출시키는 홈이 구비되고 있는 것이 특징이다.
전술한 구성을 갖는 제 2 실시예에 따른 프린지 필스 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(301)의 경우도 제 1 실시예의 변형예와 같이 데이터 배선(330)과 공통전극(360)에 의한 기생 커패시턴스는 이들 두 구성요소(330, 360) 사이에는 6000Å 이상의 두께를 갖는 제 1 및 제 2 보호층(340, 350)이 형성되어 있으므로 종래의 프린지 필스 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판과 동일한 수준을 유지할 수 있으며, 화소전극(346)과 공통전극(360) 사이에는 2000Å 내지 3000Å의 제 1 두께를 갖는 제 2 보호층(350)만이 형성되며, 상기 공통전극(360)의 제 1 개구(op1)에 대응해서는 상기 제 2 보호층(350)이 제거된 홈이 구비됨으로서 상기 제 1 실시예의 변형예에 따른 프린지 필스 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 수준으로 구동전압을 낮출 수 있는 것이 특징이다.
이후에는 전술한 구조적 특징을 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 대해 간단히 도 4와 도 5를 참조하여 설명한다. 이때, 제 1 실시예의 변형예와 제 2 실시예의 경우는 각 공정 단계에서 제 1 실시예와 차별점이 있는 부분에 대해서만 간단히 언급한다. 한편, 설명의 편의상 각 화소영역(P) 내에 박막트랜지스터(Tr)가 형성되는 영역을 소자영역(TrA)이라 정의한다.
우선, 투명한 절연기판(101) 상에 저저항 특성을 갖는 제 1 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 중 선택된 물질을 착하여 제 1 금속층(미도시)을 형성하고, 연속하여 포토레지스트의 도포, 포토 마스크를 이용한 노광, 노광된 포토레지스트의 현상, 상기 제 1 금속층(미도시)의 식각 및 포토레지스트의 스트립(strip) 등의 일련의 단위 공정을 포함하는 마스크 공정을 진행하여 상기 제 1 금속층(미도시)을 패터닝함으 로써 제 1 방향으로 연장하는 다수의 게이트 배선(105)을 형성하고, 동시에 상기 소자영역(TrA)에 상기 게이트 배선(미도시)과 연결된 게이트 전극(108)을 형성한다.
다음, 상기 게이트 배선(105) 및 게이트 전극(108) 위로 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하여 기판(101) 전면에 게이트 절연막(115)을 형성한다.
다음, 상기 게이트 절연막(115) 상부로 순수 비정질 실리콘층(미도시)과 불순물 비정질 실리콘층(미도시)을 형성하고, 상기 불순물 비정질 실리콘층(미도시) 위로 제 2 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 구리합금 중 하나를 증착함으로써 제 2 금속층(미도시)을 형성한다. 이후, 상기 제 2 금속층(미도시) 위로 포토레지스트층(미도시)을 형성하고 이를 하프톤 노광 또는 회절노광을 실시하고 현상함으로써 서로 두께를 달리하는 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한다.
다음, 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴(미도시) 외부로 노출된 상기 제 2 금속층(미도시)과 그 하부의 불순물 및 순수 비정질 실리콘층(미도시)을 식각하여 제거함으로써 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하며 제 2 방향으로 연장하여 다수의 화소영역(P)을 정의하는 다수의 데이터 배선(130)을 형성하고, 동시에 상기 소자영역(TrA)에 있어서 상기 데이터 배선(130)과 연결된 소스 드레인 패턴(미도시)과 그 하부로 순차적으로 적층된 오믹콘택패턴(미도시)과 액티브층(120a)을 형 성한다.
다음, 얇은 두께를 갖는 상기 제 2 포토레지스트 패턴(미도시)을 제거하고, 이에 의해 새롭게 노출되는 상기 소스 드레인 패턴(미도시)의 중앙부와 그 하부에 위치하는 상기 오믹콘택패턴(미도시)을 식각하여 제거함으로써 상기 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 형성하고, 이들 소스 및 드레인 전극(133, 136) 하부로 상기 액티브층(120a)을 노출시키는 오믹콘택층(120b)을 형성한다. 이때 상기 액티브층(120a)과 상기 오믹콘택층(120b)은 반도체층(120)을 이루며, 상기 소자영역(TrA)에 순차 적층된 상기 게이트 전극(108), 게이트 절연막(115), 반도체층(120), 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)은 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다.
한편, 제 1 실시예에 있어서는 상기 반도체층(120)과, 상기 데이터 배선(130)과 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 동시에 하나의 마스크 공정을 통해 형성함으로써 상기 데이터 배선(130) 하부에도 상기 반도체층(120)을 이루는 동일한 물질로 이루어진 제 1 및 제 2 더미패턴(121a, 121b)이 형성됨을 보이고 있지만, 상기 반도체층(120)과, 상기 데이터 배선(130)과 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 각각의 다른 마스크 공정을 통해 형성할 수도 있으며, 이 경우 상기 데이터 배선(130) 하부에는 반도체 물질로 이루어진 제 1 및 제 2 더미패턴(121a, 121b)은 형성되지 않는다.
다음, 상기 게이트 절연막 위로 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 상기 기판(101) 전면에 증착하고, 이를 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 상기 각 화소영역(P)에 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(136)과 직접 접촉하는 화소전극(138)을 형성 한다.
한편, 제 2 실시예의 경우는 이 단계에서 상기 게이트 절연막 상에 화소전극은 형성하지 않는다.
다음, 상기 박막트랜지스터(Tr)와 데이터 배선(130)과 화소전극(138) 위로 전면에 무기절연물질 예를 들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 3000Å 내지 4000Å의 제 2 두께를 갖도록 증착함으로써 제 1 보호층(140)을 형성 한다.
한편, 제 1 실시예의 변형예의 경우는 제 1 보호층(도 6의 240)에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 상기 드레인 전극(도 6의 236)에 대응하는 화소전극(도 6의 238)을 노출시키는 제 1 콘택홀(도 6의 241)을 형성하고, 제 2 실시예의 경우는 제 1 보호층(도 8의 340)에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로서 상기 박막트랜지스터(도 8의 Tr)의 드레인 전극(도 8의 336)을 노출시키는 드레인 콘택홀(도 8의 342)을 형성 한다.
제 1 실시에의 경우는 상기 제 1 보호층(140)을 패터닝하지 않고 전면에 증착된 상태를 유지하도록 한다.
다음, 상기 제 1 보호층(140) 위로 투명 도전성 물질 예를 들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착하고, 이에 대해 상기 화소전극(138)을 형성할 때 사용한 노광 마스크를 그대로 이용한 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로서 상기 화소전극(138)과 동일한 평면 형태를 가지며 중첩하는 아일랜 드 형태의 에치스토퍼(145)를 형성 한다.
이때, 제 1 실시예의 변형예의 경우 상기 에치스토퍼(도 6의 245)는 상기 제 1 콘택홀(도 6의 241)을 통해 상기 화소전극(도 6의 238)과 접촉하게 된다.
한편, 제 2 실시예의 경우 전술한 공정에 의해 상기 제 1 실시예의 에치스토퍼(도 6의 245)와 동일한 형태로 상기 제 1 보호층(도 8의 340) 상의 각 화소영역(도 8의 P) 내에 화소전극(도 8의 346)이 형성되며, 이때, 상기 화소전극(도 8의 346)은 상기 제 1 보호층(도 8의 340) 내에 구비된 상기 드레인 콘택홀(도 8의 342)을 통해 상기 박막트랜지스터(도 8의 Tr)의 드레인 전극(도 8의 336)과 접촉하게 된다.
다음, 상기 에치스토퍼(345)(제 2 실시예의 경우는 화소전극) 위로 무기절연물질 예를 들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하여 3000Å 내지 4000Å 정도의 제 2 두께를 갖는 제 2 보호층(350)을 형성 한다.
이후, 상기 제 2 보호층(350) 위로 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착하여 투명 도전성 물질층(미도시)을 형성한다. 이후, 상기 투명 도전성 물질층(미도시)을 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로서 각 화소영역(P)에 대응하여 일정간격 이격하는 바(bar) 형태를 갖는 다수의 제 1 개구(op1)를 형성하며, 상기 소자영역(TrA)에 대응하여 상기 소스 및 드레인 전극(133, 136) 사이의 이격영역을 포함하여 상기 박막트랜지스터(Tr)를 노출시키는 제 2 개구(op2)를 형성 한다. 이때, 상기 다수의 제 1 개구(op1)와 제 2 개구(op2)에 대응해서는 상기 제 2 보호층(250)이 노출된 상태가 된다.
다음, 상기 다수의 제 1 개구(op1) 및 제 2 개구(op2)를 갖는 공통전극(160)이 형성된 기판(101)에 대해 무기절연물질과 반응하여 이를 제거시키는 특성을 갖는 반응가스를 이용한 건식식각을 진행함으로써 상기 다수의 제 1 개구(op1)를 통해 노출된 상기 제 2 보호층(160)을 제거함으로서 상기 에치스토퍼(145)(제 2 실시예의 경우 화소전극)를 노출시키는 홈을 형성함으로서 제 1 실시예에 따른 프린지 필스 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)을 완성한다. 이때, 상기 제 2 개구(op2)를 통해 노출된 상기 제 2 보호층(150)도 제거됨으로써 제 1 보호층(140)을 노출시키게 되지만, 상기 소자영역(Tr)은 프린지 필드를 형성하는 부분이 아니므로 상기 제 1 보호층(140)이 완전 제거되지 않고 일부 두께가 줄어든다 하여도 문제되지 않는다.
한편, 본 발명은 전술한 실시예 및 변형예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
도 1은 일반적인 횡전계형 액정표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2a, 2b는 일반적인 횡전계형 액정표시장치의 온(on), 오프(off) 상태의 동작을 각각 도시한 단면도.
도 3은 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의 어레이 기판의 하나의 화소영역에 대한 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소영역에 대한 평면도.
도 5는 도 4를 절단선 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소영역에 대한 단면도.
도 7은 구동전압 변화에 따른 투과율 특성 곡선.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소영역에 대한 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
101 : 어레이 기판 108 : 게이트 전극
115 : 게이트 절연막 120 : 반도체층
120a : 액티브층 120b: 오믹콘택층
130 : 데이터 배선 133 : 소스 전극
136 : 드레인 전극 138 : 화소전극
140 : 제 1 보호층 145 : 에치스토퍼
150 : 제 2 보호층 160 : 공통전극
op1, op2 : 제 1 및 제 2 개구 P : 화소영역
Tr : 박막트랜지스터 TrA : 소자영역
Claims (9)
- 투명한 기판 상에 일방향으로 연장하며 형성된 게이트 배선과;상기 게이트 배선 위로 형성된 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 배선과 수직으로 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과;상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 전기적으로 연결되며 이들 두 배선의 교차지점 부근에 형성된 박막트랜지스터와;상기 게이트 절연막 상에 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 상기 화소영역에 형성된 화소전극과;상기 화소전극 위로 상기 기판 전면에 제 1 두께를 가지며 형성된 제 1 보호층과;상기 제 1 보호층 위로 각 화소영역에 형성된 에치스토퍼와;상기 에치스토퍼 위로 상기 기판 전면에 제 2 두께를 가지며 형성된 제 2 보호층과;상기 제 2 보호층 위로 각 화소영역에 일정간격 이격하는 바(bar) 형태를 갖는 다수의 제 1 개구를 구비하며 형성된 공통전극을 포함하며, 상기 제 2 보호층은 상기 다수의 제 1 개구에 대응하여 상기 에치스토퍼를 노출시키는 홈이 형성된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 보호층에는 상기 화소전극을 노출시키는 제 1 콘택홀이 구비되며, 상기 에치스토퍼는 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 화소전극과 접촉하는 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
- 투명한 기판 상에 일방향으로 연장하며 형성된 게이트 배선과;상기 게이트 배선 위로 형성된 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 배선과 수직으로 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과;상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 전기적으로 연결되며 이들 두 배선의 교차지점 부근에 형성된 박막트랜지스터와;상기 박막트랜지스터 위로 상기 기판 전면에 제 1 두께를 가지며 형성된 제 1 보호층과;상기 제 1 보호층 위로 각 화소영역에 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 형성된 화소전극과;상기 화소전극 위로 상기 기판 전면에 제 2 두께를 가지며 형성된 제 2 보호층과;상기 제 2 보호층 위로 각 화소영역에 일정간격 이격하는 바(bar) 형태를 갖는 다수의 제 1 개구를 구비하며 형성된 공통전극을 포함하며, 상기 제 2 보호층은 상기 다수의 제 1 개구에 대응하여 상기 에치스토퍼를 노출시키는 홈이 형성된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 보호층에는 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀이 구비되며, 상기 화소전극은 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 화소전극과 접촉하는 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 두께는 3000Å 내지 4000Å이며,상기 제 2 두께는 2000Å 내지 3000Å이며,상기 제 1 및 제 2 두께를 합한 두께는 6000Å 이상이 되는 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 보호층은 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 공통전극에는 상기 박막트랜지스터에 대응하여 제 2 개구가 형성된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 화소전극은 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어진 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 에치스토퍼는 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징 크-옥사이드(IZO)로 이루어지며, 상기 화소전극과 동일한 평면적으로 가지며 형성된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090123502A KR101694151B1 (ko) | 2009-12-11 | 2009-12-11 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090123502A KR101694151B1 (ko) | 2009-12-11 | 2009-12-11 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110066737A true KR20110066737A (ko) | 2011-06-17 |
| KR101694151B1 KR101694151B1 (ko) | 2017-01-10 |
Family
ID=44399498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090123502A KR101694151B1 (ko) | 2009-12-11 | 2009-12-11 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101694151B1 (ko) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130019069A (ko) * | 2011-08-16 | 2013-02-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
| KR20130103206A (ko) * | 2012-03-09 | 2013-09-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20130112520A (ko) * | 2012-04-04 | 2013-10-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
| KR20140024535A (ko) * | 2012-08-20 | 2014-03-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
| KR20140083414A (ko) * | 2012-12-26 | 2014-07-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 |
| KR20140108967A (ko) * | 2013-03-04 | 2014-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20140113036A (ko) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US8853703B2 (en) | 2012-11-01 | 2014-10-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel |
| KR20140118414A (ko) * | 2013-03-29 | 2014-10-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
| US20150098049A1 (en) * | 2013-10-04 | 2015-04-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| KR20150110963A (ko) * | 2014-03-21 | 2015-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| US9746725B2 (en) | 2013-02-15 | 2017-08-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| CN109445214A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-08 | 昆山龙腾光电有限公司 | 阵列基板及制作方法和液晶显示面板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020054909A (ko) * | 2000-12-28 | 2002-07-08 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지필드구동 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20020088453A (ko) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 |
| KR20040082975A (ko) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2009
- 2009-12-11 KR KR1020090123502A patent/KR101694151B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020054909A (ko) * | 2000-12-28 | 2002-07-08 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지필드구동 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20020088453A (ko) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 |
| KR20040082975A (ko) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130019069A (ko) * | 2011-08-16 | 2013-02-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
| KR20130103206A (ko) * | 2012-03-09 | 2013-09-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20130112520A (ko) * | 2012-04-04 | 2013-10-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
| KR20140024535A (ko) * | 2012-08-20 | 2014-03-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
| US9640566B2 (en) | 2012-11-01 | 2017-05-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
| US8853703B2 (en) | 2012-11-01 | 2014-10-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel |
| KR20140083414A (ko) * | 2012-12-26 | 2014-07-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 |
| US9746725B2 (en) | 2013-02-15 | 2017-08-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| US9599845B2 (en) | 2013-03-04 | 2017-03-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| KR20140108967A (ko) * | 2013-03-04 | 2014-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US9091892B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-07-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| KR20140113036A (ko) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20140118414A (ko) * | 2013-03-29 | 2014-10-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
| US20150098049A1 (en) * | 2013-10-04 | 2015-04-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| KR20150110963A (ko) * | 2014-03-21 | 2015-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| US9638967B2 (en) | 2014-03-21 | 2017-05-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| CN109445214A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-08 | 昆山龙腾光电有限公司 | 阵列基板及制作方法和液晶显示面板 |
| CN109445214B (zh) * | 2018-12-13 | 2021-09-21 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 阵列基板及制作方法和液晶显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101694151B1 (ko) | 2017-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20110066737A (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 | |
| KR101905757B1 (ko) | 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 | |
| KR101250319B1 (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 | |
| KR101396943B1 (ko) | 액정표시장치 및 제조방법 | |
| US8803147B2 (en) | Array substrate for fringe field switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| KR20080107821A (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및이의 제조 방법 | |
| KR20040082796A (ko) | 횡전계형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20110120624A (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 | |
| KR20110048333A (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 | |
| KR20110118999A (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이기판 및 이의 제조 방법 | |
| KR101955992B1 (ko) | 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 | |
| KR101237790B1 (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 | |
| KR101307961B1 (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 | |
| KR101725424B1 (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| KR20110105612A (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 | |
| KR20080047085A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| KR101407635B1 (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 | |
| KR101897747B1 (ko) | 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 | |
| KR20100021152A (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| KR100674236B1 (ko) | 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR20090091250A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 | |
| KR101011150B1 (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR101392203B1 (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 | |
| KR101142886B1 (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 | |
| KR20060128564A (ko) | 액정 표시 장치, 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |