KR20110061999A - Contact for semiconductor chip package test - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A contact for semiconductor package test is provided to improve spring characteristic of a contact which does not require high filling ability for accomplishing a contact between metal particles during compression. CONSTITUTION: A conductive section(25) has a filler as a base and is formed inside a site corresponding to each terminal of a semi conductor chip package. The conductive section is dispersed in a carbon nano tube(24) in the base. An insulation section(29) supports the conductive section by filling the insulation between the conductive sections to insulate a side of the conductive section to each other.

Description

반도체칩 패키지 테스트용 콘택트 {CONTACT FOR SEMICONDUCTOR CHIP PACKAGE TEST}CONTACT FOR SEMICONDUCTOR CHIP PACKAGE TEST}

본 발명은 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 종래의 금속입자가 분산된 실리콘을 이용한 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트에서 발생할 수 있는 반도체칩 패키지의 단자 손상이나 콘택트의 손상 및 콘택트에 의한 오염 등의 문제를 해결하고, 압축시 금속입자 사이의 접촉이 이루어지도록 하기 위한 높은 충진도를 요구하지 않으므로 콘택트의 탄성특성을 개선할 수 있으며, 작은 직경의 다수 콘택트에 의한 접촉이 가능하도록 할 수 있는 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor chip package test contact, and more particularly, to a terminal damage or a contact damage and a contact of a semiconductor chip package that may occur in a semiconductor chip package test contact using silicon in which conventional metal particles are dispersed. It is possible to solve problems such as contamination due to contamination and to improve contact elasticity because it does not require high filling to make contact between metal particles during compression, and to allow contact by multiple contacts of small diameter. The present invention relates to a semiconductor chip package test contact.

반도체칩 패키지는 다양한 형태로 제조되며, 그 외부에는 외부회로와의 전기적 연결을 위한 외부연결단자를 갖고 있고, 이러한 반도체칩 패키지의 외부연결단자의 형식으로는 리드형, 볼형 등이 적용되고 있다.The semiconductor chip package is manufactured in various forms, the outside of which has an external connection terminal for electrical connection with an external circuit, the type of the external connection terminal of such a semiconductor chip package is applied to the lead type, ball type.

또한, 이러한 반도체칩 패키지는 소비자에게 출하되기 전에 제품의 신뢰성을 확보하기 위하여 정상조건이나 고온, 고전압 등 스트레스 조건에서 소정의 테스트신호발생회로와 연결하여 성능이나 수명 등을 테스트하고, 그 테스트결과에 따라 양품과 불량품으로 분류하게 된다.In addition, the semiconductor chip package is connected to a predetermined test signal generating circuit under normal conditions, stress conditions such as high temperature, and high voltage in order to ensure product reliability before being shipped to the consumer. Therefore, they are classified as good or bad.

이러한 반도체칩 패키지의 테스트를 위하여 소켓 등에 삽입되어 사용되어지는 콘택트는 통상적으로는 프로브 핀 타입의 형태를 가진다. 상기 프로브 핀 타입의 콘택트는 플런저 내부에 코일 스프링과 같은 탄성부재를 가지고 상하에는 접촉 핀을 구비하는 형태를 가져, 그 구조가 복잡하고, 반도체칩 패키지의 단자 사이의 피치가 좁아지는 고집적 패키지의 경우에 대응이 불가능한 문제점이 있다.A contact inserted into a socket or the like for testing such a semiconductor chip package generally has a probe pin type. The probe pin-type contact has an elastic member such as a coil spring inside the plunger and a contact pin at the top and bottom thereof, so that the structure is complicated and the pitch between the terminals of the semiconductor chip package is narrow. There is a problem that cannot be responded to.

따라서 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 실리콘 기지에 금속분말을 분사시키거나, 금속선을 분산시킨 콘택트가 제안된 바가 있다. 그러나 이 경우에는 콘택트가 압축되는 경우에 금속분말 또는 금속선이 서로 접촉하여 상부에서 하부로 전기적 연결이 이루어져야 하므로, 금속분말이나 금속선의 충진율을 매우 높게 유지되어야 하고, 분산되어지는 금속분말이 경도가 높기 때문에, 콘택이 이루어지는 동안에 반도체칩 패키지의 단자에 손상을 일으키거나, 콘택트에 분산된 금속입자가 떨어져 나와 콘택트 자체가 손상되는 문제점이 있으며, 상기 콘택트로부터 떨어져 나온 금속알갱이는 칩 패키지, 소켓, 시험장비 등을 오염시켜 시험장비의 성능을 저하시키고, 고장 및 불량의 원인이 되는 문제점이 있다.Therefore, in order to solve such a problem, there has been proposed a contact in which metal powder is sprayed on a silicon substrate or a metal wire is dispersed. However, in this case, when the contact is compressed, the metal powder or the metal wire should be in contact with each other to make an electrical connection from the top to the bottom. Therefore, the filling rate of the metal powder or the metal wire should be kept very high, and the metal powder to be dispersed has a high hardness. Therefore, there is a problem that damages the terminals of the semiconductor chip package during the contact, or the metal particles dispersed in the contact come off to damage the contact itself, the metal grains from the contact is chip package, socket, test equipment There is a problem that deteriorates the performance of the test equipment by contaminating the back, causing failure and failure.

따라서 이러한 문제점을 해결할 수 있는 구조를 가지는 콘택트의 개발이 절실한 실정이다.Therefore, the development of a contact having a structure that can solve this problem is urgently needed.

상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자, 본 발명은 종래의 금속입자가 분산된 실리콘을 이용한 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트에서 발생할 수 있는 반도체칩 패키지의 단자 손상이나 콘택트의 손상 및 콘택트에 의한 오염 등의 문제를 해결하고, 압축시 금속입자 사이의 접촉이 이루어지도록 하기 위한 높은 충진도를 요구하지 않으므로 콘택트의 탄성특성을 개선할 수 있으며, 작은 직경의 다수 콘택트에 의한 접촉이 가능하도록 할 수 있는 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the problems of the prior art as described above, the present invention is the terminal damage or contact damage of the semiconductor chip package that may occur in the semiconductor chip package test contact using the silicon dispersed in the conventional metal particles, such as contamination by contact Solving the problem, and does not require a high degree of filling to make contact between the metal particles during compression can improve the elastic properties of the contact, a semiconductor that can enable contact by a large number of contacts of small diameter It is an object to provide a contact for chip package testing.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은In order to achieve the above object, the present invention

적어도 반도체칩 패키지의 각 단자에 대응하는 부위 내에 형성되어, 충진제를 기지로 하며, 상기 기지 내에 탄소나노튜브가 분산되어, 적어도 압축 시에는 상부로부터 하부로 전기적 연결이 이루어지는 적어도 하나의 전도성 구간; 및, At least one conductive section formed in at least a portion corresponding to each terminal of the semiconductor chip package, having a filler as a base, and having carbon nanotubes dispersed therein, wherein at least one of the conductive sections is electrically connected from top to bottom when compressed; And,

상기 반도체칩 패키지의 각 단자에 대응하는 부위 별로 형성된 상기 전도성 구간의 측면을 서로 절연하도록 상기 반도체칩 패키지의 각 단자에 대응하는 부위 별로 형성된 상기 전도성 구간 사이에 절연체가 채워져 상기 전도성 구간을 지지하는 절연 구간을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트를 제공한다.An insulator is filled between the conductive sections formed by portions corresponding to the terminals of the semiconductor chip package to insulate the side surfaces of the conductive sections formed by portions corresponding to the terminals of the semiconductor chip package to support the conductive sections. It provides a semiconductor chip package test contact comprising a section.

또한 본 발명은 Also,

반도체칩 패키지를 수용하는 하우징 및 상기 하우징에 수용된 반도체칩 패키지의 단자와 테스트 보드의 단자를 전기적으로 서로 연결하는 콘택트를 구비하는 반도체칩 패키지 테스트용 소켓에 있어서, A semiconductor chip package test socket comprising: a housing accommodating a semiconductor chip package; and a contact electrically connecting a terminal of the semiconductor chip package accommodated in the housing and a terminal of the test board to each other.

상기 콘택트는 본 발명의 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트인 것을 특징으로 하는 반도체칩 패키지 테스트용 소켓을 제공한다.The contact provides a socket for a semiconductor chip package test, characterized in that the contact for the semiconductor chip package test of the present invention.

본 발명의 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트에 따르면, 종래의 금속입자가 분산된 실리콘을 이용한 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트에서 발생할 수 있는 반도체칩 패키지의 단자 손상이나 콘택트의 손상 및 콘택트에 의한 오염 등의 문제를 해결하고, 압축시 금속입자 사이의 접촉이 이루어지도록 하기 위한 높은 충진도를 요구하지 않으므로 콘택트의 탄성특성을 개선할 수 있으며, 작은 직경의 다수 콘택트에 의한 접촉이 가능하도록 할 수 있는 효과를 가진다.According to the semiconductor chip package test contact of the present invention, there is a problem such as terminal damage or contact damage of the semiconductor chip package that may occur in the semiconductor chip package test contact using the silicon dispersed in the conventional metal particles, such as contamination by contact In order to solve the problem and to avoid contact between the metal particles at the time of compression, it is possible to improve the elastic properties of the contact, and to make contact by a small number of contacts possible. .

이하 본 발명에 대하여 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트에 관한 것으로 적어도 반도체칩 패키지(10)의 각 단자(12)에 대응하는 부위 내에 형성되어, 충진제를 기지(matrix, 22)로 하며, 상기 기지(22) 내에 탄소나노튜브(24)가 분산되어, 적어도 압축 시에는 상부로부터 하부로 전기적 연결이 이루어지는 적어도 하나의 전도성 구간(25); 및, 상기 반도체칩 패키지(10)의 각 단자(12)에 대응하는 부위 별로 형성된 상기 전도성 구간(25)의 측면을 서로 절연하도록 상기 반도체칩 패키지(10)의 각 단자(12)에 대응하는 부위 별로 형성된 상기 전도성 구간(25) 사이에 절연체가 채워져 상기 전도성 구간(25)을 지지하는 절연 구간(29)을 포함하는 구성으로 이루어진다.The present invention relates to a semiconductor chip package test contact, which is formed at least in a portion corresponding to each terminal 12 of the semiconductor chip package 10, and has a filler as matrix (22), and within the matrix (22). At least one conductive section 25 in which carbon nanotubes 24 are dispersed, and at least compressed, an electrical connection is made from top to bottom; And portions corresponding to the terminals 12 of the semiconductor chip package 10 so as to insulate side surfaces of the conductive section 25 formed by portions corresponding to the terminals 12 of the semiconductor chip package 10. An insulator is filled between the conductive sections 25 formed in each star to include an insulating section 29 supporting the conductive sections 25.

즉, 도 1 내지 도 4에 그 구체적인 예를 도시한 바와 같이, 본 발명의 콘택트는, 충진제로 이루어진 기지에 탄소나노튜브를 분산하여 만든 전도성 구간(종래의 콘택트 핀에 해당하여 반도체칩 패키지의 전극과 테스트 보드의 전극을 전기적으로 연결하는 역할 수행)과 이를 지지하고, 이들 사이의 전기적 절연을 이루는 절연 구간(종래의 콘택트 핀이 수용되는 지지체에 해당)으로 이루어진 콘택트이다.That is, as shown in the specific examples of Figures 1 to 4, the contact of the present invention, the conductive section made by dispersing carbon nanotubes in a matrix made of a filler (corresponding to the conventional contact pin electrode of the semiconductor chip package And it is a contact consisting of an insulating section (corresponding to the support housing the conventional contact pin) to support it, and to support it, and to form electrical insulation therebetween.

상기 반도체칩 패키지는 통상의 반도체 칩 패키지이고, 바람직하게는 BGA타입 반도체칩 패키지인 것이, 작은 피치를 가지는 칩 패키지에 적용할 수 있고, 콘택트 및 단자의 손상을 줄일 수 있는 측면에서 본 발명의 효과를 높일 수 있으므로 좋다.The semiconductor chip package is a conventional semiconductor chip package, preferably a BGA type semiconductor chip package, can be applied to a chip package having a small pitch, and the effects of the present invention in terms of reducing damage to contacts and terminals. It is good because it can increase.

상기 전도성 구간은 전도성을 가지면서 넓은 탄성변형 영역을 가져야 하므로, 종래에는 기지 자체가 고무 등과 같은 탄성부재(완충용 탄성부재)로 이루어지고 여기에 전도성 물질이 분산되는 구조를 가지나, 이 경우에는 탄성부재 자체가 가지는 복원력이 커서 분산된 전도성 물질이 서로 접촉하기 위하여 압축되어, 서로 가까워지는 것이 어렵고, 따라서 상기 전도성 물질이 서로 접촉하여 상부에서 하부로 전기적 연결이 이루어지기 위해서는 전도성 물질의 함유율이 높아야 하고, 상기 전도성 물질의 함유율이 증가할수록 전도성 구간은 전체적으로는 딱딱해져서 단자의 손상을 방지하는 기능이 떨어지는데 반하여, 본 발명의 경우에는 상기 기지로 종래의 완충용 탄성부재에 비하여 훨씬 낮은 탄성계수 및 강도를 가지는 충진제로 이를 구성하여 기지 자체의 탄성력은 부가적인 기능에 불과하고 기지는 단지 전도성 물질을 지지하는 역할을 주로 하고, 여기에 자체적으로 탄성력을 가지는 전도성 물질인 탄소나노튜브(바람직하게는 아래에 기술한 바와 같은 높은 탄성력을 가지는 형태로 이를 구성하여)를 분산하여 전도성 구간을 이루는 것으로 이를 통하여 전도성 물질로부터 탄성력을 얻는 것이므로 전도성 물질의 함유율이 증가하여도 전도성 구간은 전체적으로는 딱딱해지지 않아 단자의 손상을 방지하는 기능을 효과적으로 얻을 수 있고, 탄성부재 자체가 가지는 복원력이 적어 분산된 전도성 물질이 서로 접촉하기 위하여 압축되어, 서로 가까워지는 것이 용이하여, 상기 전도성 물질 서로 접촉하여 상부에서 하부로 전기적 연결이 이루어지기 위한 전도성 물질의 함유율을 상대적으로 낮게 유지할 수도 있다.Since the conductive section should have a wide elastic deformation area while having conductivity, conventionally, the base itself has a structure made of an elastic member such as rubber (buffer elastic member) and a conductive material is dispersed therein. Since the restoring force of the member itself is large, it is difficult for the dispersed conductive materials to be compressed to come into contact with each other, so that they are close to each other. Therefore, in order for the conductive materials to be in contact with each other and to be electrically connected from the top to the bottom, the content of the conductive materials must be high. In addition, as the content of the conductive material increases, the conductive section becomes harder as a whole to decrease the function of preventing damage to the terminal. In the case of the present invention, the matrix has much lower modulus and strength than the conventional cushioning elastic member. Eggplant is a filler that consists of Its elastic force is only an additional function, and the base only serves to support the conductive material, and carbon nanotubes (preferably having a high elastic force as described below), which is a conductive material having elastic force on its own It forms a conductive section by dispersing it in the form), thereby obtaining elastic force from the conductive material. Therefore, even if the content rate of the conductive material is increased, the conductive section is not hardened as a whole, thereby effectively obtaining a function of preventing damage to the terminal. And the restoring force of the elastic member itself is low, and the dispersed conductive materials are compressed to be in contact with each other, so that they are close to each other, and the content of the conductive materials for making electrical connection from the top to the bottom is in contact with each other. Relatively low You can also

이를 위하여 충진 기능을 가지는 탄성부재로 기지를 구성하고, 상기 충진제는 바람직하게는 젤라틴(바람직하게는, 겔 상태)을 사용할 수 있다. 상기 젤라틴은 통상의 젤리형태의 젤라틴을 모두 포함하는 의미이다. 그러나 상기 기지는 종래에는 콘택트의 탄성변형의 핵심이었으나, 본 발명의 경우에는 탄소나노튜브 자체가 탄성변형을 가능하게 하고, 이를 지지하고 이들 사이를 충진하는 역할을 하게 된다.To this end, the base is composed of an elastic member having a filling function, and the filler may preferably use gelatin (preferably in a gel state). The gelatin is meant to include all of the gelatin of the normal jelly form. However, the base has been the core of the elastic deformation of the conventional contact, in the case of the present invention, carbon nanotubes themselves enable the elastic deformation, and serves to support and fill them therebetween.

상기 기지에 전도성을 부가하기 위하여 탄소나노튜브를 분산시킨다. 종래의 금속분말이나 금속선을 분산하는 것에 비하여, 탄소나노튜브는 유연한 파이버 형상이나 이러한 파이버가 뭉쳐진 실 뭉치인 타래 형상이므로 탄소나노튜브 자체의 변형량이 종래의 금속분말이나 금속선에 비하여 훨씬 높게 되어 전도성 구간의 충격 흡수 능력이 증대되는 효과가 있다. 또한 종래에는 전도성 구간이 전도성을 가지기 위해서는 금속분말이 상하방향으로 연속하여 접촉하여야 하고, 이를 위해서는 금속분말의 충진 비율이 아주 높아야 하며, 압축에 의하여 전기적 연결이 이루어지는 경우, 이는 강체가 서로 접촉한 상태가 되므로 전체적으로는 강체와 같은 거동을 보이므로 칩 패키지의 단자를 손상시키는 문제점이 있다. 그러나 본 발명의 경우처럼, 탄소나노튜브를 분산하는 경우에는 탄소나노튜브가 긴 파이버 형상이므로 이들 사이의 접촉점이 다수 형성되어 충진 비율을 과도하게 높일 필요가 없으며, 압축시에도 파이버 자체가 유연한 변형이 가능하므로 접촉 후에도 널은 탄성변형 영역을 가지게 되어 단자의 손상을 줄일 수 있다.The carbon nanotubes are dispersed to add conductivity to the matrix. Compared to dispersing metal powder or metal wire in the related art, carbon nanotube has a flexible fiber shape or a skein shape in which the fibers are bundled together so that the deformation amount of the carbon nanotube itself is much higher than that of the conventional metal powder or metal wire. Has an effect of increasing the shock absorbing ability. In addition, conventionally, in order for the conductive section to have conductivity, the metal powder must be continuously contacted in the up and down direction, and for this purpose, the filling ratio of the metal powder must be very high. Since the overall behavior is the same as a rigid body there is a problem that damages the terminal of the chip package. However, as in the case of the present invention, in the case of dispersing carbon nanotubes, since the carbon nanotubes have a long fiber shape, a large number of contact points are formed between them, so that the filling rate does not need to be excessively increased, and the fiber itself is flexible when compressed. As a result, even after contact, the null has an elastic deformation area, thereby reducing damage to the terminal.

바람직하게는, 상기 탄소나노튜브(24)는 i)탄소나노튜브가 엉켜진 타래 형태인 탄소나노튜브 분말 또는 ii)섬유형태인 탄소나노튜브 파이버 또는 iii)이들의 혼합체인 것이 좋다.Preferably, the carbon nanotubes 24 may be i) carbon nanotube powder in the form of entangled carbon nanotubes or ii) carbon nanotube fibers in the form of fibers or iii) mixtures thereof.

이에 대한 구체적인 예로 탄소나노튜브가 엉켜진 타래 형태인 탄소나노튜브 분말인 경우는 도 1의 (a)에 도시한 바와 같으며, 이에 추가하여 전도성을 더욱 확실하게 확보하기 위하여, 상기 전도성 구간(25)에는, 상기 기지(22) 내에 분산되는, 금속분말을 포함하는 도전성 입자(26)를 더 포함할 수 있고, 이는 도 1의 (b)에 도시한 바와 같다. 상기 도전성 입자의 충진량은 종래의 금속 분말만을 충진하는 것에 비하여 현저히 낮은 양을 추가하게 된다.As a specific example of this, the case of carbon nanotube powder in which the carbon nanotubes are entangled is as shown in FIG. 1A, and in addition, to secure the conductivity more securely, the conductive section 25 ) May further include conductive particles 26 containing metal powder, which are dispersed in the matrix 22, as shown in FIG. 1B. The filling amount of the conductive particles adds a significantly lower amount than the filling of conventional metal powder only.

상기 타래 형상은 실 뭉치와 같은 형상으로 도면에는 상세히 도시되지 않았으나 도 5(좌측부터 500배, 1000배, 10,000배 확대사진)에 도시한 바와 같이 그 외부에는 풀어진 파이버가 형성되므로 서로 간에 전기적 접촉이 형성되며, 실 뭉치와 같이 높은 자체 탄성변형 영역을 가지고 실 뭉치가 기지에 확실하게 붙잡혀져 있으 므로, 기지로부터의 분리가 용이하지 않아 결합력이 우수한 형태를 유지하게 된다.The skein shape is a thread-like shape, but is not shown in detail in the drawing, but as shown in FIG. It is formed, and has a high self-elastic deformation region, such as a thread bundle, because the thread bundle is firmly caught at the base, it is not easy to separate from the base to maintain a good bonding force.

다음으로, 탄소나노튜브가 섬유형태인 탄소나노튜브 파이버인 경우는 도 2의 (a)에 도시한 바와 같으며, 이에 추가하여 전도성을 더욱 확실하게 확보하기 위하여, 상기 전도성 구간(25)에, 상기 기지(22) 내에 분산되는, 금속분말을 포함하는 도전성 입자(26)를 더 포함하도록 할 수 있으며, 이 경우는 도 2의 (b)에 도시한 바와 같다. 상기 도전성 입자의 충진량은 종래의 금속 분말만을 충진하는 것에 비하여 현저히 낮은 양을 추가하게 된다.Next, when the carbon nanotubes are carbon nanotube fibers in the form of fibers, as shown in FIG. 2A, in addition to the above, in order to ensure the conductivity more securely, in the conductive section 25, It is possible to further include conductive particles 26 including metal powder, which are dispersed in the matrix 22, in this case as shown in FIG. The filling amount of the conductive particles adds a significantly lower amount than the filling of conventional metal powder only.

이 경우에는 펼쳐진 파이버 자체가 유연성을 가지며, 도시한 바와 같이 서로 엉켜 접촉되어지므로, 기지 자체의 탄성 변형량과 유사한 탄성변형 능력을 가지게 되며, 높은 전기적 연결 특성을 가지게 된다.In this case, the unfolded fibers themselves have flexibility and are in tangential contact with each other as shown, so that they have elastic deformation capacity similar to that of the base itself, and have high electrical connection characteristics.

이외에 탄소나노튜브가 이들을 혼합한 형태(탄소나노튜브가 엉켜진 타래 형태인 탄소나노튜브 분말+섬유형태인 탄소나노튜브 파이버)는 도 3의 (a)에 도시한 바와 같으며, 이에 추가하여 전도성을 더욱 확실하게 확보하기 위하여, 상기 전도성 구간(25)의 상기 기지(22) 내에 분산되는, 금속분말을 포함하는 도전성 입자(26)를 더 포함하는 경우는 도 3의 (b)에 도시한 바와 같다. 상기 도전성 입자의 충진량은 종래의 금속 분말만을 충진하는 것에 비하여 현저히 낮은 양을 추가하게 된다.In addition, carbon nanotubes mixed with these forms (carbon nanotube powder + fiber carbon nanotube fiber in the form of tangled carbon nanotubes) are as shown in Fig. 3 (a), in addition to the conductivity In order to more securely ensure that the case further comprises conductive particles 26 containing metal powder, which are dispersed in the matrix 22 of the conductive section 25 as shown in (b) of FIG. same. The filling amount of the conductive particles adds a significantly lower amount than the filling of conventional metal powder only.

이와 같은 전도성 구간은 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이 반도체칩 패키지의 각 단자에 대응하는 부위에 하나만 존재할 수도 있고, 도 4에 도시한 바와 같이 다수 개가 존재하도록 할 수도 있다. 또한 상기 전도성 구간은 상기 탄소나노 튜브의 함량을 충분히 유지하여, 단자의 압축에 의하여 압축이 이루어지기 전 상태에서도 이미 상부로부터 하부로 전기적 연결이 이루어지도록 구성할 수도 있고, 적어도 압축된 경우에는 전기적 연결이 이루어지도록 이를 구성하여야 한다.As shown in FIGS. 1 to 3, only one conductive section may exist at a portion corresponding to each terminal of the semiconductor chip package, or as illustrated in FIG. 4, a plurality of conductive sections may exist. In addition, the conductive section may be configured to sufficiently maintain the content of the carbon nanotube, so that the electrical connection is already made from the top to the bottom even before the compression is made by the compression of the terminal, at least when the electrical connection is compressed It must be configured to make this happen.

다음으로 상기 절연구간은 상기 전도성 구간을 지지하고 이들 사이를 절연하는 기능을 수행하는 것으로, 상기 절연은 상기 반도체칩 패키지의 각 단자 중에서 동일단자에 접촉하는 전도성 구간의 경우에는 반드시 절연이 요구되지 않고, 다른 단자 사이에는 절연이 반드시 이루어져야 한다. 이를 위하여 상기 반도체칩 패키지의 각 단자에 대응하는 부위 별로 형성된 상기 전도성 구간의 측면을 서로 절연하도록 상기 반도체칩 패키지의 각 단자에 대응하는 부위 별로 형성된 상기 전도성 구간 사이에 절연체가 채워져 상기 전도성 구간을 지지하도록 한다.Next, the insulating section supports the conductive section and insulates the conductive sections. The insulating section is not necessarily required in the conductive section contacting the same terminal among the terminals of the semiconductor chip package. Insulation must be provided between the other terminals. To this end, an insulator is filled between the conductive sections formed by portions corresponding to the terminals of the semiconductor chip package to insulate the side surfaces of the conductive sections formed by portions corresponding to the terminals of the semiconductor chip package, thereby supporting the conductive sections. Do it.

바람직하게는 상기 전도성 구간의 확실한 지지를 위하여 상기 절연구간은 상기 전도성 구간에 대하여 탄성계수가 같거나 높은 절연체로 이루어지는 것이 좋으며, 동일하거나 유사한 탄성계수를 가지는 경우에는 전도성 구간의 압축시, 전도성 구간 및 절연 구간이 함께 압축 변형이 일어날 수 있어서 전도성 구간의 압축변형을 용이하게 할 수 있으며, 이 경우에는 콘택트 전체의 치수 안정성을 위하여 절연구간보다 훨씬 높은 강성을 가지는 재질로 이루어지는 지지프레임(27)을 도시한 바와 같이 콘택트 사이에 끼워 치수 안정성 및 내구성을 확보할 수 있도록 할 수 있다.Preferably, the insulating section is made of an insulator having the same or higher modulus of elasticity with respect to the conductive section, and in the case of having the same or similar elastic modulus, when the conductive section is compressed, the conductive section and Compression deformation may occur together with the insulation section to facilitate compression deformation of the conductive section. In this case, the support frame 27 is made of a material having a much higher rigidity than the insulation section for dimensional stability of the entire contact. As described above, it can be sandwiched between the contacts to ensure dimensional stability and durability.

또한 바람직하게는 탄소나노튜브 또는 이의 타래는 그 직경이 매우 작으므로 하나의 반도체칩 패키지 단자에 대하여 다수의 전도성 구간을 대응하도록 이를 구 성할 수 있다. 즉, 도 4에 그 구체적인 예를 도시한 바와 같이, 상기 전도성 구간(25)은 상기 반도체칩 패키지(10)의 각 단자(12)에 대응하는 부위 내에 다수 개가 형성되도록 할 수 있으며, 또한 이와 같은 다수 개의 전도성 구간의 탄성변형이 용이하도록 하기 위해서는 상기 절연구간(29) 중 적어도 상기 반도체칩 패키지(10)의 각 단자(12)에 대응하는 부위, 즉 하나의 단자에 대응하는 다수개의 전도성 구간 사이사이의 절연구간은, 상기 전도성 구간과 같이 탄성변형이 가능한 고무 또는 수지의 절연체로 이루어지는 것이 더욱 바람직하다. 여기서 도 4에는 상기 탄소나노튜브로 타래 형식의 분말(실 뭉치)이 분산된 경우를 도시하였지만, 이외에도 파이버 형태 또는 타래와 파이버의 혼합 형태도 모두 가능함은 물론이다.In addition, since the carbon nanotube or the skein thereof is very small in diameter, it may be configured to correspond to a plurality of conductive sections with respect to one semiconductor chip package terminal. That is, as shown in the specific example of FIG. 4, a plurality of conductive sections 25 may be formed in a portion corresponding to each terminal 12 of the semiconductor chip package 10. In order to facilitate elastic deformation of a plurality of conductive sections, at least a portion of the insulating section 29 corresponding to each terminal 12 of the semiconductor chip package 10, that is, between a plurality of conductive sections corresponding to one terminal, may be used. The insulating section therebetween is more preferably made of an insulator made of rubber or resin capable of elastic deformation as in the conductive section. 4 illustrates a case where the powder of a skein (a bundle of yarn) is dispersed with the carbon nanotubes, but in addition, a fiber form or a mixture of a skein and a fiber is also possible.

이외에 본 발명은 이와 같은 본 발명의 콘택트를 구비하는 소켓을 제공하는 바, 이는 반도체칩 패키지를 수용하는 하우징 및 상기 하우징에 수용된 반도체칩 패키지의 단자와 테스트 보드의 단자를 전기적으로 서로 연결하는 콘택트를 구비하는 반도체칩 패키지 테스트용 소켓에 있어서, 상기 콘택트는 본 발명의 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트인 것으로 구성할 수 있으며, 여기에 적용되는 소켓은 통상의 본 발명과 같은 타입의 콘택트 자체의 탄성변형이 이루어지는 콘택트가 적용되는 소켓이 이에 해당할 수 있다.In addition, the present invention provides a socket having such a contact of the present invention, which includes a housing accommodating a semiconductor chip package and a contact electrically connecting the terminals of the semiconductor chip package accommodated in the housing and the terminals of the test board to each other. In the socket for testing a semiconductor chip package provided, the contact may be configured to be a contact for testing the semiconductor chip package of the present invention, the socket is applied to the elastic deformation of the contact itself of the same type as the conventional invention The socket to which the contact made is applied may correspond to this.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 한정되는 것은 아니고, 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 해당 기술분야의 당업자가 다양하게 수정 및 변경시킨 것 또한 본 발명의 범위 내에 포함됨은 물론이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and various modifications and changes made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. Changes are also included within the scope of the invention.

도 1은 본 발명의 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트 및 이의 결합관계에 대한 두 실시예를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of two embodiments of a semiconductor chip package test contact and a coupling relationship thereof according to the present invention.

도 2는 본 발명의 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트 및 이의 결합관계에 대 한 다른 두 실시예를 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of two other embodiments of a semiconductor chip package test contact and a coupling relationship of the present invention.

도 3은 본 발명의 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트 및 이의 결합관계에 대한 또 다른 두 실시예를 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of yet another embodiment of a semiconductor chip package test contact and a coupling relationship of the present invention.

도 4는 본 발명의 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트 및 이의 결합관계에 대한 또 다른 실시예를 개략적으로 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view schematically showing still another embodiment of a semiconductor chip package test contact and a coupling relationship of the present invention.

도 5는 본 발명의 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트에 적용되는 탄소나노튜브 타래에 대한 SEM 사진을 각각 다른 배율로 촬영한 사진들이다.FIG. 5 is a SEM photograph of a carbon nanotube skein applied to a semiconductor chip package test contact of the present invention at different magnifications. FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10: 반도체칩 패키지 12: 단자10: semiconductor chip package 12: terminal

20: 콘택트 22: 기지20: contact 22: base

24: 탄소나노튜브 25: 전도성 구간24: carbon nanotube 25: conductive section

26: 도전성 입자 27:지지 프레임26: conductive particles 27: support frame

29: 절연 구간 30: 테스트보드29: insulation section 30: test board

32: 테스트보드 단자32: test board terminal

Claims (6)

적어도 반도체칩 패키지의 각 단자에 대응하는 부위 내에 형성되어, 충진제를 기지로 하며, 상기 기지 내에 탄소나노튜브가 분산되어, 적어도 압축 시에는 상부로부터 하부로 전기적 연결이 이루어지는 적어도 하나의 전도성 구간; 및, At least one conductive section formed in at least a portion corresponding to each terminal of the semiconductor chip package, having a filler as a base, and having carbon nanotubes dispersed therein, wherein at least one of the conductive sections is electrically connected from top to bottom when compressed; And, 상기 반도체칩 패키지의 각 단자에 대응하는 부위 별로 형성된 상기 전도성 구간의 측면을 서로 절연하도록 상기 반도체칩 패키지의 각 단자에 대응하는 부위 별로 형성된 상기 전도성 구간 사이에 절연체가 채워져 상기 전도성 구간을 지지하는 절연 구간을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트.An insulator is filled between the conductive sections formed by portions corresponding to the terminals of the semiconductor chip package to insulate the side surfaces of the conductive sections formed by portions corresponding to the terminals of the semiconductor chip package to support the conductive sections. A semiconductor chip package test contact comprising a section. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 충진제는 젤라틴이고, The filler is gelatin, 상기 탄소나노튜브는 i)탄소나노튜브가 엉켜진 타래 형태인 탄소나노튜브 분말 또는 ii)섬유형태인 탄소나노튜브 파이버 또는 iii)이들의 혼합체인 것을 특징으로 하는 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트.The carbon nanotubes are i) carbon nanotube powder entangled carbon nanotube powder or ii) carbon nanotube fiber in fiber form or iii) a mixture thereof. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 절연구간은 상기 전도성 구간에 대하여 탄성계수가 같거나 높은 절연체로 이루어지 것을 특징으로 하는 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트.The insulation section is a semiconductor chip package test contact, characterized in that made of an insulator having the same or higher elastic modulus with respect to the conductive section. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 전도성 구간은 상기 반도체칩 패키지의 각 단자에 대응하는 부위 내에 다수 개가 형성되고, A plurality of conductive sections are formed in a portion corresponding to each terminal of the semiconductor chip package, 상기 절연구간 중 적어도 상기 반도체칩 패키지의 각 단자에 대응하는 부위는, 탄성변형이 가능한 고무 또는 수지의 절연체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트.At least a portion of the insulating section corresponding to each terminal of the semiconductor chip package is made of an insulator of rubber or resin capable of elastic deformation. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 전도성 구간은 상기 기지 내에 분산되는 금속분말을 포함하는 도전성 입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트.The conductive section further comprises a conductive chip including conductive particles containing a metal powder dispersed in the matrix. 반도체칩 패키지를 수용하는 하우징 및 상기 하우징에 수용된 반도체칩 패키지의 단자와 테스트 보드의 단자를 전기적으로 서로 연결하는 콘택트를 구비하는 반도체칩 패키지 테스트용 소켓에 있어서, A semiconductor chip package test socket comprising: a housing accommodating a semiconductor chip package; and a contact electrically connecting a terminal of the semiconductor chip package accommodated in the housing and a terminal of the test board to each other. 상기 콘택트는 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 반도체칩 패키지 테스트용 콘택트인 것을 특징으로 하는 반도체칩 패키지 테스트용 소켓.The contact is a socket for a semiconductor chip package test, characterized in that the contact for the semiconductor chip package test according to any one of claims 1 to 5.
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