KR20110038731A - 무전해도금에 의해 구리 박막을 형성한 도금물 - Google Patents

무전해도금에 의해 구리 박막을 형성한 도금물 Download PDF

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Abstract

다마신 구리 배선 등에서의 무전해 구리도금으로 시드층을 형성했을 때의, 성막 균일성, 및 밀착성을, 텅스텐이나 몰리브덴 등의 단체의 금속상에 무전해 구리도금을 행한 경우와 비교하여 향상시키고, 게다가, 구리 시드층의 성막에 앞서 배리어층과 촉매 금속층의 2개의 층을 형성하는 번잡함을 해소하여, 초미세 배선의 형성이 가능한, 얇고 균일한 막두께로 시드층을 성막한 도금물이 개시되어 있다.
상기 도금물은, 기재상에, 무전해 구리도금액에 함유되는 구리 이온과 치환 도금이 가능하고 또한 구리에 대해서 배리어성을 가진 금속 B와, pH10 이상의 무전해 구리도금액 중에서의 이온화 경향이 금속 B보다 작은 금속 A로 이루어지는 구리 확산 방지용 배리어 합금 박막이 형성되고, 상기 구리 확산 방지용 배리어 합금 박막이, 상기 금속 A를 15원자% 이상, 35원자% 이하로 하는 조성이며, 그 위에 pH10 이상의 무전해 구리도금액을 이용한 무전해도금에 의해 구리 박막이 형성된 것을 특징으로 한다.

Description

무전해도금에 의해 구리 박막을 형성한 도금물{Plated Object with Copper Thin Film Formed by Electroless Plating}
본 발명은, 무전해도금에 의해 구리 박막을 형성한 도금물에 관한 것으로, 특히 ULSI 초미세 구리 배선(다마신(damascene) 구리 배선)을 형성할 때의 시드층으로서, 무전해도금에 의해 구리 박막을 형성한 도금물에 관한 것이다.
ULSI 미세 구리 배선(다마신 구리 배선)의 구리 성막 방법으로서, 무전해 구리도금법은 현행의 스퍼터링법, 전기 구리 도금법을 대체할만한 것으로서 기대되고 있다.
종래에는, 반도체 웨이퍼와 같은 경면상에 무전해 구리도금을 행할 경우, 석출한 도금막에 충분한 밀착성을 얻는 것은 곤란하였다. 또한, 도금의 반응성이 낮고, 기판 전체면에 균일한 도금을 행하는 것도 곤란하였다. 종래에는, 예를 들면, 질화탄탈 등의 배리어 메탈층상에 무전해 도금법으로 구리 시드층을 형성할 경우, 도금을 균일하게 형성하는 것이 어렵고 밀착력이 충분하지 않다고 하는 문제가 있었다. 또한, 배리어 메탈층으로서, 텅스텐이나 몰리브덴 등의 금속 단체상에 무전해 도금법으로 구리 시드층을 형성하는 경우에도, 도금을 균일하게 형성하는 것이 어렵고 밀착력이 충분하지 않다고 하는 문제가 있었다. 따라서, 질화탄탈 등의 배리어 메탈층상에 무전해 도금법으로 구리 시드층을 균일하게 형성하기 위해서는, 도금 전에 촉매 부여 공정이 필요하였다.
본 발명자들은, 이미, 무전해 구리도금액에 첨가제로서 중량 평균 분자량(Mw)이 작은 수용성 질소 함유 폴리머를 가하고, 한편 피도금물의 기판에는 도금액 침지 전에 촉매 금속을 부착시키거나, 혹은 촉매 금속을 미리 가장 표면에 성막한 후, 도금액에 침지시켜 상기 촉매 금속상에 질소 원자를 통하여 폴리머를 흡착시키는 것에 의해, 도금의 석출 속도가 억제되고, 또한 결정이 매우 미세화하여 막두께 15nm 이하의 균일한 박막을 웨이퍼와 같은 경면상에 형성할 수 있는 것을 발견하였다(특허문헌 1). 또한, 본 발명자들은, 상기 발명의 실시예에서, 촉매 금속을 미리 가장 표면에 성막한 후, 도금액에 침지시켜 상기 촉매 금속상에 질소 원자를 통하여 폴리머를 흡착시키는 것에 의해, 도금의 석출 속도가 억제되고, 또한 결정이 매우 미세화하여 막두께 6nm 이하의 균일한 박막을 웨이퍼와 같은 경면상에 형성할 수 있게 되는 것을 나타내었다.
이러한 방법, 즉 다마신 구리 배선 형성에서, 촉매 금속을 성막한 후에 무전해도금에 의해 구리 시드층을 형성하는 경우는, 구리 확산 방지를 위한 배리어층이 촉매 금속층과는 별도로 미리 형성되어 있는 것이 필요하다. 이것은, 구리 시드층을 성막하기 전에 배리어층과 촉매 금속층의 2층이 형성되어야 함을 의미한다. 따라서, 막두께를 두껍게 할 수 없는 초미세 배선에서는 실공정에 이 방법의 적용이 곤란하다고 하는 문제가 판명되었다.
일본 공개특허공보2008-223100호
본 발명은, 무전해 구리도금으로 시드층을 형성할 때의 성막 균일성, 및 밀착성을, 상술한 텅스텐이나 몰리브덴 등의 단체(element metal)의 금속상에 무전해 구리도금을 행한 경우와 비교하여 향상시키고, 또한, 구리 시드층의 성막에 앞서 상기 두 개의 층을 형성하는 번잡함을 해소하여, 초미세 배선의 형성이 가능한, 얇고 균일한 막두께로 시드층을 성막한 도금물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 예의 검토한 결과, 무전해 구리도금액에 함유되는 구리 이온과 치환 도금이 가능하고 또한 구리에 대해서 배리어성을 가진 금속 B와, pH10 이상의 무전해 구리도금액 중에서의 이온화 경향이 금속 B보다 작은 금속 A로 이루어진 합금 박막으로 함으로써, 이 위에 pH10 이상의 무전해 구리도금액을 이용하여 무전해 구리도금을 행했을 때의 성막 균일성, 및 밀착성이, 상술한 텅스텐이나 몰리브덴 등의 단체의 금속상에 무전해 구리도금을 행한 경우와 비교하여 향상하고, 또한 구리 시드층 성막에 앞서 상기 두 개의 층을 형성하는 번잡함을 해소할 수 있는 것을 발견하여 본 발명에 이르렀다.
더 상세하게는, 본 발명은 이하와 같다.
(1) 기재상에, 무전해 구리도금액에 함유되는 구리 이온과 치환 도금이 가능하고 또한 구리에 대해서 배리어성을 가진 금속 B와, pH10 이상의 무전해 구리도금액중에서의 이온화 경향이 금속 B보다 작은 금속 A로 이루어지는 구리 확산 방지용 배리어 합금 박막이 형성되고; 상기 구리 확산 방지용 배리어 합금 박막이, 상기 금속 A를 15원자% 이상, 35원자% 이하로 하는 조성이며; 그 위에 pH10 이상의 무전해 구리도금액을 이용한 무전해도금에 의해 구리 박막이 형성되는 도금물.
(2) 상기 금속 B가, 텅스텐 또는 몰리브덴이며, 상기 금속 A가, 니켈, 코발트, 주석으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속인 상기 (1)에 기재된 도금물.
(3) 상기 무전해도금에 의해 형성된 구리 박막이 막두께 10nm 이하이고, 저항율 10μΩ·cm 이하인 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 도금물.
본 발명에 의하면, 기재상에, 무전해 구리도금액에 함유되는 구리 이온과 치환 도금이 가능하고 또한 구리에 대해서 배리어성을 가진 금속 B와, pH10 이상의 무전해 구리도금액 중에서의 이온화 경향이 금속 B보다 작은 금속 A로 이루어지고, 특정의 조성을 가지는 구리 확산 방지용 배리어 합금 박막을 형성할 수 있다. 상기 기판 위에 pH10 이상의 무전해 구리도금액을 이용한 무전해도금에 의해 구리 박막을 형성함으로써, 텅스텐이나 몰리브덴 등의 단체의 금속상에 무전해 구리도금을 행한 경우와 비교하여, 구리 박막의 성막 균일성, 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 구리 확산 방지용 배리어 합금 박막과 그 위의 무전해 구리도금층의 계면에서는 실질적으로 산소를 포함하지 않는 상태로 할 수 있어, 구리 박막의 저항을 내릴 수 있다.
또한, 상기 합금 박막은, 그 위에 촉매 금속층을 형성하지 않아도, 무전해 구리도금에 의해 성막 균일성, 밀착성이 뛰어난 구리 시드층의 형성이 가능하므로, 다마신 배선 형성에서, 배리어층과 촉매 금속층의 2층을 형성하는 번잡함을 해소할 수 있어, 박막화가 더 가능하다.
본 발명은, 기재상에, 무전해 구리도금액에 함유되는 구리 이온과 치환 도금이 가능하고 또한 구리에 대해서 배리어성을 가진 금속 B와, pH10 이상의 무전해 구리도금액중에서의 이온화 경향이 금속 B보다 작은 금속 A로 이루어지고, 특정의 조성을 가진 구리 확산 방지용 배리어 합금 박막이 형성되고, 그 위에 pH10 이상의 무전해 구리도금액을 이용한 무전해도금에 의해 구리 박막이 형성된 도금물에 관한 것이다.
무전해 구리도금액에 함유되는 구리 이온과 치환 도금이 가능하고 또한 구리에 대해서 배리어성을 가진 금속 B로서는, 텅스텐과 몰리브덴을 들 수 있으며, 이들 금속중의 어느 하나를 사용하지만, 그 중에서도 텅스텐이 바람직하다.
금속 B로서 텅스텐, 몰리브덴을 이용하는 경우, 텅스텐, 몰리브덴보다 pH10 이상의 무전해 구리도금액 중에서의 이온화 경향이 작은 금속 A로서, 니켈, 코발트, 주석, 마그네슘, 알루미늄, 아연 등을 들 수 있다. 니켈, 코발트, 주석이 바람직하며, 니켈, 코발트가 보다 바람직하다. 니켈, 코발트는 비교적 융점이 높고, 텅스텐, 몰리브덴과 분말 원료에서의 합금화가 가능하며, 또한, 게이트 전극 재료로서 유용하다.
텅스텐이나 몰리브덴 등의 단체의 금속상에의 무전해 구리도금의 경우는, 먼저 텅스텐이나 몰리브덴과 구리와의 치환 도금이 개시되는데, 치환의 개시가 불균일하기 때문에, 전체면에서 치환 반응이 일어나기 전에, 먼저 치환으로 석출된 구리상에서 환원 반응이 진행되어, 환원 도금막이 치환 도금이 일어나지 않은 부분도 덮어 버린다. 치환 미반응 부분상에 환원 도금막이 형성되면 사이에 빈틈이 남는 것과 같은 모습이 되기 때문에 밀착성이 나빠진다고 생각된다. 상기 금속 A와 금속 B의 합금 박막으로 할 경우, 그 위에 pH10 이상의 무전해 구리도금액을 이용하여 무전해 구리도금을 행하는 것에 의해, 금속 B와 구리와의 치환 도금이 일어나기 쉬워진다. 또한 금속 A보다 금속 B 쪽이 이온화 경향이 높기 때문에 국부 전지 부식이 일어나, 금속 B의 용해가 진행되고, 그 영향으로 치환 반응이 진행되어, 치환 미반응 부분이 감소한다. 이러한 이유로, 밀착성 및 성막 균일성이 향상한다고 생각된다.
무전해 구리도금액에 함유되는 구리 이온과 치환 도금이 가능하고 또한 구리에 대해서 배리어성을 가진 금속 B와, pH10 이상의 무전해 구리도금액 중에서의 이온화 경향이 금속 B보다 작은 금속 A의 구리 확산 방지용 배리어 합금 박막에서의 조성은, 금속 A의 조성비는 15원자% 이상, 35원자% 이하가 바람직하고, 25원자% 이하가 보다 바람직하다. 금속 A가 15원자%보다 적어지면, 상술한 바와 같이 치환 미반응 부분이 많아져, 구리의 석출이 불균일하게 되어, 구리막의 밀착성이 저하한다. 또한, 35원자%보다 많아지면, 금속 A가 구리막중에 확산하여, 저항이 상승해 버린다.
상기 합금 박막은, 박막을 형성하는 공지의 방법으로 형성할 수 있지만, 상기 금속 A와 금속 B를 함유한 스퍼터링 합금 타깃을 이용하여, 기재상에 스퍼터링으로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 조성의 합금 박막은, 원하는 합금 박막의 조성과 대략 동일한 조성의 금속 A와 금속 B를 함유한 스퍼터링 타깃에 의해 형성할 수 있다.
합금 박막의 막두께는 3∼20nm인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5∼15nm이다.
본 발명에서 합금 박막을 형성하는 기재로서는, 반도체 웨이퍼가 바람직하고, 산 처리, 알카리 처리, 계면활성제 처리, 초음파 세정 혹은 이들을 조합한 처리를 실시함으로써, 기재의 클리닝(cleaning), 젖음성(wettability) 향상을 도모할 수 있다.
무전해 구리도금으로 형성되는 구리 박막은, 반응 초기에는 주로 무전해 구리도금액에 함유되는 구리 이온과 금속 B와의 치환 반응에 의해, 무전해 구리도금액에 함유되는 구리 이온이 금속으로서 석출되어 형성된다.
본 발명에서, 반응 초기에 치환 도금에 의해, 구리 박막이 형성됨으로써, 상기 합금 박막의 표면의 산화물이 치환 도금의 과정에서 제거된다. 또한 상기의 작용에 의해, 상기 합금 박막과 구리 박막과의 계면의 산소 농도를 오제 전자분광법 (AES)에서 분석한 결과 1원자% 이하(검출 한계 이하)로 할 수 있다. 계면에 산소가 존재하는 경우에는, 배선의 저항이 상승하거나, 배리어 기능이 떨어지는 등의 악영향이 있다.
또한, 그 결과, 구리 박막의 두께를 10nm 이하로 또한 저항율 10μΩ·cm 이하로 할 수 있다. 시드층의 막두께를 얇게 함으로써, 선폭이 수십 nm 레벨의 다마신 구리 배선에 적용이 가능하다.
본 발명에서의 구리 확산 방지용 배리어 합금 박막을 이용하여 무전해 구리도금을 행할 때에 이용하는 무전해 구리도금 방법으로서는, 일반적인 방법을 이용할 수 있다. 마찬가지로 사용하는 구리 도금액도 일반적인 pH10 이상의 무전해 구리도금액을 이용할 수 있다.
무전해 구리도금액은, 통상적으로, 구리 이온, 구리 이온의 착화제, 환원제, 및 pH조정제 등을 포함하고 있다.
무전해 구리도금액의 환원제로서는, 포르말린의 인체나 환경에의 악영향을 고려하여, 글리옥실산을 이용하는 것이 바람직하다.
글리옥실산의 농도는, 도금액중 0.005∼0.5mol/L가 바람직하고, 0.01∼0.2mol/L가 보다 바람직하다. 농도가 0.005mol/L 미만이면 도금 반응이 일어나지 않고, 0.5mol/L를 넘으면 도금액이 불안정하게 되어 분해한다.
본 발명에서 무전해 구리도금액의 구리 이온원으로서는, 일반적으로 이용되고 있는 구리 이온원 전부를 이용할 수 있고, 예를 들면, 황산구리, 염화구리, 질산구리 등을 들 수 있다. 무전해 구리도금액중의 구리 이온원의 농도는 0.005∼0.1mol/L가 바람직하다. 또한, 구리 이온의 착화제로서도, 일반적으로 이용되고 있는 착화제 전부를 이용할 수 있고, 예를 들면, 에틸렌디아민4초산, 주석산 등을 들 수 있다. 무전해 구리도금액중의 착화제의 농도는 0.02∼0.5mol/L가 바람직하다.
기타 첨가제로서, 도금액에 일반적으로 이용되고 있는 첨가제, 예를 들면 2,2'-비피리딜(bipyridyl), 폴리에틸렌글리콜, 페로시안화칼륨 등을 이용할 수 있다.
또한, 본 발명에서의 무전해 구리도금액은, pH10∼14로 이용하는 것이 바람직하고, pH12∼13으로 이용하는 것이 보다 바람직하다. pH조정제로서는, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등 일반적으로 이용되고 있는 것을 이용할 수 있지만, 반도체 용도로 나트륨, 칼륨 등의 알칼리 금속을 피하고자 하는 경우에는, 수산화테트라메틸암모늄을 이용하면 좋다.
또한, 본 발명에서의 무전해 구리도금액은, 도금욕 온도 40∼90℃에서 사용하는 것이, 도금욕 안정성 및 구리의 석출 속도 면에서 바람직하다.
본 발명에서 무전해 구리도금액을 이용하여 도금을 행하는 경우, 피도금재를 도금욕 중에 침지한다. 피도금재는, 상기와 같은 합금 박막을 성막한 것이다.
본 발명의 무전해도금에 의해 제작한 구리 박막의 두께는, 3∼10nm가 보다 바람직하다.
본 발명의 무전해도금에 의해 제작된 구리 박막은, 도금막이 얇고, 막두께가 균일하다. 따라서 다마신 구리 배선용 시드층으로서 이용할 경우, 배선폭이 100nm 이하의 미세한 비어·트렌치(vias and trenches) 내에도 막두께가 균일한 박막 시드층을 형성할 수 있고, 그 결과 보이드(void)·심(seam) 등의 결함이 발생하지 않는 반도체 웨이퍼를 얻을 수 있다.
본 발명의 도금물은, 무전해도금에 의해 형성된 구리 박막상에, 배선부를 도금에 의해 더 형성할 수 있다. 도금은, 전기도금 또는 무전해도금을 이용할 수 있다.
배선부는 구리 또는 구리를 주성분으로 하는 합금인 것이 바람직하고, 구리가 보다 바람직하다. 전기 구리도금액은, 일반적으로 다마신 구리 배선 메워넣기 (embedding)용으로 사용되고 있는 조성이면 좋고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면 주성분으로서 황산구리 및 황산, 미량 성분으로서 염소, 폴리에틸렌글리콜, 이황화비스(3-술포프로필)2나트륨, 야누스 그린(Janus green) 등을 함유한 액을 이용할 수 있다. 또한, 메워넣기에 사용하는 무전해 구리도금액으로서는, 예를 들면 국제 공개 WO 2005/038086호에 기재된 구리 배선 메워넣기용 도금액을 이용할 수 있다.
본 발명의 도금물은, 기재상에 형성한 상기 특정의 합금 박막을 가지며, 그 위에 무전해도금에 의해 형성한 시드층으로서 작용하는 구리 박막을 가진다. 상기 특정의 합금 박막으로 함으로써 이미 설명하고 있듯이, 그 위에 무전해 구리도금에 의해 성막 균일성, 밀착성이 좋은 구리 시드층을 형성할 수 있으므로, 무전해도금이 가능하고 배리어 기능을 가진 단일의 층으로 할 수 있으며, 촉매 금속층과 통상 막두께가 수십 nm가 되는 배리어층의 2층의 형성을 요하지 않는다. 이와 같이 본 발명의 도금물에서는, 특정의 합금 박막으로 함으로써 무전해도금이 가능하고 배리어 기능을 가진 단일의 층으로 할 수 있고, 이 시드층으로서 작용하는 구리 박막의 막두께를 10nm 이하로 할 수 있다. 따라서, 이 구리 박막상에 통상적인 방법에 의해 배선부가 되는 금속 도금을 하는 것에 의해, 선폭이 수십 nm 레벨의 다마신 구리 배선에의 적용이 가능한 반도체소자로 할 수 있다. 게다가, 상기 시드층으로서 작용하는 구리 박막의 저항율이 10μΩ·cm 이하로 할 수 있고, 그 후의 전기도금 초기의 균일 성막이 용이해진다.
[실시예]
이어서 본 발명을 실시예에 의해서 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해서 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
반도체 기판상에, 무전해 구리도금액에 함유되는 구리 이온과 치환 도금이 가능하고 또한 구리에 대해서 배리어성을 가진 금속 B로서 텅스텐, pH10 이상의 무전해 구리도금액중에서의 이온화 경향이 금속 B보다 작은 금속 A로서 니켈로 이루어지는 스퍼터링 합금 타깃을 이용하여 막두께 10nm의 합금 박막을 제작하고, 그 합금막상에 무전해 도금법에 의해 구리 도금 박막을 형성했다. 상기 스퍼터링 합금 타깃을 이용하여 형성된 이 합금 박막의 조성, 및 무전해도금에 의해 형성된 구리 도금 박막의 막두께를 표 1에 나타낸다.
한편, 무전해도금에 의한 구리막의 형성은, 이하의 조성의 도금액을 이용하여, pH12.5(조정제:수산화칼륨), 50℃×30∼40초의 조건으로 실시하였다.
도금액조성
황산구리 0.02mol/L
에틸렌디아민4초산염 0.21mol/L
글리옥실산 0.03mol/L
2,2'-비피리딜 20mg/L
얻어진 구리 도금 박막의 막두께, 구멍지름 10nm 이상의 구멍의 유무, 저항률, 합금 박막중에의 구리의 확산의 유무, 구리 도금 박막과 합금 박막의 계면의 산화 상태(산소량), 구리 도금 박막의 밀착성에 대하여 평가했다. 막두께는 단면 TEM 관찰에 의해 확인했다. 구멍의 유무는, 표면 SEM 관찰에 의해 확인했다. 저항율은, 4단침법(four-point probe)에 의한 시트 저항 측정, 및 단면 TEM 관찰에 의한 막두께 측정 결과로부터 산출했다. 구리의 확산의 유무 및 계면의 산화 상태는, AES 뎁스 프로파일(depth profile) 측정에 의해 판정했다. 구리 도금 박막의 밀착성은, 셀로판 테이프(CT24, Nichiban사 제품)를 사용한 테이프 박리 시험을 실시하여 측정하였다. 손가락끝 안쪽으로 도금면에 상기 테이프를 밀착시킨 후, 테이프를 벗겨 막의 박리의 유무를 확인했다. ○를 도금막의 박리 없음으로, ×를 도금막의 박리 있음으로 평가했다. 결과를 표 1에 정리하였다.
또한, 선폭 90nm, 어스펙트비 4의 트렌치 패턴 부착 반도체 기판에 대하여, 상기의 스퍼터 합금 박막, 및 무전해 구리도금 박막을 성막한 후, 그것을 시드층으로 하여 전기 구리 도금으로 배선의 메워넣기를 행하였다.
한편, 전기도금에 의한 배선의 메워넣기는, 이하의 조성의 도금액을 이용하여 25℃에서 60초, 전류 밀도 1A/d㎡로 실시하였다.
황산구리 0.25mol/L
황산 1.8mol/L
염산 10mmol/L
미량 첨가제: (폴리에틸렌글리콜, 이황화비스(3-술포프로필)2나트륨, 야누스 그린)
얻어진 구리 도금막의 단면 TEM 관찰에 의해, 선폭 90nm 트렌치부의 메워넣기성을 평가했다. 보이드·심의 유무를 판정하였다: ○를 보이드·심 없음으로, ×를 보이드·심 있음으로 했다.
결과를 표 1에 나타낸다.
<실시예 2∼3, 비교예 1∼3>
실시예 1에서의 합금 박막의 조성을 표 1에 기재된 바와 같이 바꾼 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 합금 박막을 제작하고, 무전해도금을 행하여, 평가했다.
결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure pct00001

Claims (3)

  1. 기재에, 무전해 구리도금액에 함유되는 구리 이온과 치환 도금이 가능하고 또한 구리에 대해서 배리어성을 가진 금속 B와, pH10 이상의 무전해 구리도금액 중에서의 이온화 경향이 금속 B보다 작은 금속 A로 이루어지는 구리 확산 방지용 배리어 합금 박막이 형성되고; 상기 구리 확산 방지용 배리어 합금 박막이, 상기 금속 A를 15원자% 이상, 35원자% 이하로 하는 조성이며; 그 위에 pH10 이상의 무전해 구리도금액을 이용한 무전해도금에 의해 구리 박막이 형성된 것을 특징으로 하는 도금물.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 금속 B가, 텅스텐 또는 몰리브덴이고, 상기 금속 A가, 니켈, 코발트, 및 주석으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속인 것을 특징으로 하는 도금물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 무전해도금에 의해 형성된 구리 박막이 막두께 10nm 이하이고, 저항율 10μΩ·cm 이하인 것을 특징으로 하는 도금물.
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