KR20110015661A

KR20110015661A - 폴리머 파라-자일렌 또는 치환된 파라-자일렌의 얇은 층을 증착시키기 위한 방법 및 장치

Info

Publication number: KR20110015661A
Application number: KR1020107029891A
Authority: KR
Inventors: 마르쿠스 게르스도르프; 바스커 파가다라 고피; 니코 메이어
Original assignee: 아익스트론 아게
Priority date: 2008-06-03
Filing date: 2009-06-03
Publication date: 2011-02-16
Also published as: RU2010154436A; DE102008026974A1; CN102056679A; WO2009147156A1; CN102056679B; TWI463031B; EP2293883B1; KR101967778B1; US20110293832A1; RU2481901C2; JP2011522130A; EP2293883A1; TW201009109A

Abstract

본 발명은, 폴리머 파라-자일렌의 하나 또는 그 초과의 얇은 층을 증착시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 상기 장치는 고체 또는 액체 출발 물질을 증발시키기 위해 사용된 가열된 증발기(1)를 포함한다. 캐리어 가스를 위한 공급 파이프(11)는 상기 증발기(1)로 연장되어 있다. 상기 캐리어 가스는 상기 증발된 출발 물질, 특히 상기 증발된 폴리머를 열분해 챔버(2)로 안내되며, 여기서 상기 챔버는 증발기(1)의 하류에 위치하고 있고 여기서 상기 출발 물질은 분해된다. 상기 장치는 추가로 증착 챔버를 포함하며, 상기 챔버는 상기 분해 챔버(2)의 하류에 위치하고 가스 입구(3)을 포함하며, 이를 통해 상기 캐리어 가스에 의해 안내된 상기 분해된 생성물은 허용되고, 상기 장치는 서셉터를 가지고, 상기 서셉터는 상기 중합된 분해된 생성물로 코팅될 기판(7)을 지지하기 위해 상기 가스 입구(3)의 반대편의 지지 표면(4')을 가지고, 상기 장치는 가스 출구(5)을 가진다. 특별히 균일한 층 두께를 가지고 큰 면적을 커버하는 얇은 폴리머 층을 증착할 수 있기 위해, 상기 가스 입구(2)은 평평한 가스 분배기를 형성하고, 여기서 상기 분배기는 가스 방출 표면(3')을 가지고, 상기 표면은 상기 지지 표면(4')과 평행하게 연장되어 있고, 상기 전체 가스 방출 표면(3')을 가로질러 분배된 복수의 가스 방출 포트(6)로 피팅되어 있다.

Description

폴리머 파라-자일렌 또는 치환된 파라-자일렌의 얇은 층을 증착시키기 위한 방법 및 장치 {METHOD AND APPARATUS FOR DEPOSITING THIN LAYERS OF POLYMERIC PARA-XYLYLENE OR SUBSTITUTED PARA-XYLYLENE}

본 발명은, 폴리머 파라-자일렌 또는 치환된 파라-자일렌의 하나 또는 그 초과의 얇은 층를 증착시키는 장치로서, 상기 장치는 고체 또는 액체 출발 물질, 특히 폴리머의 형태, 특히 다이머 형태의 물질을 증발 시기키 위한 가열된 증발기를 포함하며, 상기 증발기 속으로, 캐리어 가스를 위한 캐리어-가스 공급 라인이 연장되어 있고, 상기 캐리어 가스에 의해 상기 증발된 출발 물질, 특히 상기 증발된 폴리머, 특히 다이머가 가열가능한 분해 챔버, 특히 열분해 챔버로 이송되며, 여기서, 상기 챔버는 상기 증발기의 하류에 위치되어 있고, 여기서 상기 출발 물질은, 특히 모노머로 분해되고, 상기 장치는 증착 챔버, 서셉터, 및 가스 출구를 포함하며, 상기 증착 챔버는 상기 분해 챔버의 하류에 위치되어 있고, 가스 입구를 가지며, 상기 가스 입구를 통해 캐리어 가스에 의해 이송된, 분해 생성물, 특히 모노머가 들어가며, 상기 서셉터는 중합된 분해 생성물, 특히 모노머로 코팅될 기판을 지지하기 위한 가스 입구의 반대편의 냉각 가능한 지지 표면을 가지며, 상기 가스 출구를 통해 상기 캐리어 가스 및 분해 생성물, 특히 모노머의 중합되지 않은 부분은 나오며, 상기 가스 입구는 평평한 가스 분배기를 형성하고, 여기서 상기 분배기는 상기 지지 표면에 평행하게 연장되어 있는 가열가능한 가스 방출 표면 및 상기 전체 가스 방출 표면 위에 걸쳐 분배된 복수의 가스 방출 포트를 가지는 장치에 관한 것이다.

본 발명은, 추가로 증발기에서 증발되는, 폴리머 물질, 특히 파라-자일렌 또는 치환된 파라-자일렌, 특히 폴리머, 특히 다이머에 의해 형성된, 고체 또는 액체 출발 물질을 증착시키는 방법으로서, 상기 출발 물질, 특히 상기 다이머는, 캐리어 가스 공급 라인을 통해 증발기로부터, 분해 챔버, 특히 열분해 챔버로, 특히 모노머로, 바람직하게 열 분해에 의해, 상기 분해 챔버에서 분해된, 캐리어 가스에 의해 이송되며, 상기 분해 생성물, 특히 모노머는, 상기 분해 챔버로부터 증착 챔버로 상기 캐리어 가스에 의해 이송되고, 여기서 기판은 서셉터의 지지 표면 상에 지지되고 상기 증착 챔버로 가스 입구를 통해 거기서 흐르며, 상기 증착 생성물, 특히 모노머는 가스 입구에 의해 형성된 평평한 가스 분배기의 지지 표면에 평행하게 연장되어 있는 가스 방출 표면의 가스 방출 포트로부터 상기 캐리어 가스와 함께 상기 기판 표면에 수직한 방향으로 방출되고 얇은 층으로서 기판의 표면 상에서 중합되고, 상기 분해 생성물, 특히 모노머의 중합되지 않은 부분과 상기 캐리어 가스는 가스 출구로부터 상기 프로세스 챔버 밖으로 나오며, 상기 지지 표면은 냉각되고 상기 지지 표면에 대항하여 놓여 있는 상기 가스 방출 표면은 가스 방출 표면의 표면 온도가 지지 표면의 표면 온도보다 높게 되는 방식으로 가열되는, 방법에 관한 것이다.

US 6,709,715 B1, US 6,362,115 B1 및 US 5,958,510 A는 p-자일렌을 증착시키기 위한 장치를 기재하며, 여기서 출발 물질은 분해 챔버로 캐리어 가스에 의해 공급되며, 거기서 분해되고, 상기 분해 생성물은 프로세스 챔버의 가스 입구으로 가져와지며, 프로세스 챔버로 가스 입구를 통해 도입되고 냉각된 기판 상에 중합된다. 가스 입구 시스템은 전체 표면적 위에 기판과 평행하게 연장되어 있고 복수의 개구가 제공된 플레이트를 가진다.

US 4,945,856는 다이머 파라-자일렌인 고체 출발 물질이 가스 발생기 내에 가스의 형태로 제공되는 방법을 기재하고 있다. 이 가스는 열분해 챔버로 가스 라인을 통해 전달된다. 거기서, 다이머는 모노머로 분해된다. 이 모노머는 프로세스 챔버로 가스 라인을 통해 캐리어 가스에 의해 전달된다. 거기서, 서셉터의 지지 표면에 있는 기판 상에서 응축되도록 하기 위해 파이프 개구에 의해 형성된 가스 입구를 통해 허락된다. 이 프로세스 챔버는 추가로 가스 아웃렛을 가지며, 이로부터 기판 표면 상에 중합되지 않은 모노머는 방출될 수 있다. 가스 아웃렛의 다운 스트림에 위치된 냉각 트랩에서, 모노머는 캐리어 가스로부터 냉동된다. 프로세스 챔버 내 압력은 진공 펌프에 의해 설정되며, 이 펌프는 상기 냉각 트랩의 다운 스트림에 위치된다.

사용된 파라-자일렌 코폴리머는 US 3,288,728에 기재되어 있다. 이들은 파릴렌 족의 C, N, D 폴리머이며, 이는 실온에서 고체 파우더 상 또는 액체 상으로 있다.

폴리-p-자일렌 및 이의 유도체의 층으로 OLED를 패시베이트, 특히 캡슐화하는 것은 "Characterization of Parylene Deposition Process for the Passivation of Organic Light Emitting Diodes", Korean J. Chem. Eng., 19(4), 722-727 (2002)로 부터 알려져 있다. 달리, 진공에서 파릴렌 코팅으로 여러 큰-면적 기판을 제공하는 것은 알려져 있다. 예를 들어, 유리, 금속, 종이, 페인트, 플라스틱, 세라믹, 페라이트 및 실리콘은 가스 상으로부터 응축에 의해 포어-없는 투명한 폴리머 필름으로 코팅된다. 이는 폴리머 코팅의 소수성, 화학적 저항성 및 전기적 절연성 특성을 활용한다.

본 발명의 목적은, 큰 표면적을 커버하고, 얇고 특히 층 두께 관점에서 균일한 폴리머 층이 증착될 수 있는 수단을 제안하는 것이다.

이 목적은 하기 청구항에서 특정된 본 발명에 의해 달성되며, 여기서 각 청구항은 상기 목적을 달성하는 독립적인 방식을 나타내며, 임의의 다른 청구항으로 통합될 수 있다.

맨 먼저, 평평한 가스 분배기가 가스 입구으로서 제안된다. 상기 평평한 가스 분배기를 가지고, 증착 물질이 기판 위의 가스상으로 균일하게 공급될 수 있다. 서브미크론 범위의 층 두께를 가진 층은 상기 전체 기판 표면 위에 균일하게 증착될 수 있으며, 상기 기판 표면은 반 평방 미터보다 더 클 수 있다. 이는, 반도체 기술에서의 사용에 상기 방법을 적합하도록 한다. 본 발명에 따른 장치 및 본 발명에 따른 방법으로, 유전 층이 게이트 절열 층으로서 필드 효과 트랜지스터의 생성에서 증착될 수 있다. 특히, 200 nm 두께 게이트 절연물은 큰 영역, 사전-구조된 기판 상에 증착된다. 상기 유전 절연 층의 증착은 구조된 방식으로 수행될 수 있다. 이 목적을 위해, 샤도우 마스크는 기판 상에 배치될 수 있다. 본 발명에 따른 방법 또는 본 발명에 따른 장치는 큰 면적 코팅의 임의의 타입을 위해 사용될 수 있다. 특히, e-페이퍼의 생산을 위한 사용시 관찰된다(envisaged). 이는 특히 폴리머로, 가요성, 두꺼운 특히 금-구조된 기판을 코팅하는 것을 포함한다. 상기 방법 및 장치는 또한 TFT 기술의 경우에 사용될 수 있다. 본 발명에 따라 사용된 평평한 가스 분배기는 스크린과 같은 구조를 가지는 가스 방출 표면을 가진다. 복수의 가스 방출 포트를 가지며, 이 포트들은 상기 가스 방출 표면 위에 실제로 균일하게 분배되어 있고, 이를 통해 얇은 가스 제트가 각 경우에 기판의 방향으로 노즐로부터 방출된다. 상기 가스 방출 표면의 크기는, 상기 기판의 크기에 실제로 상응하며, 여기서 상기 기판은 그로부터의 거리에 있다. 상기 가스 방출 표면 및 상기 서셉터의 지지 표면으로서, 이에 상기 기판 또는 기판들이 놓여 있는 표면은, 서로 평행하게 지나가고 바람직하게 수평 평면에 있다. 상기 가스 방출 표면과 상기 서셉터의 지지 표면으로서 상기 기판이 이에 지지되는 표면 사이의 거리는, 상기 가스 방출 포트로부터 나오는 가스의 실제로 균일한 가스 프론트가 상기 기판에 도달하도록 선택된다. 따라서 상기 가스 방출 포트는 서로 가까이에 있다. 거기서 나오는 개별 "가스 제트"는 상기 언급된 상기 균일한 가스 프론트를 형성하도록 통합된다. 상기 서셉터의 프로세스 온도는 상기 평평한 가스 분배기의 상기 프로세스 온도보다 낮다. 상기 평평한 가스 분배기의 온도는 150℃ 내지 250℃의 온도이다. 상기 서셉터의 온도는 -30℃ 내지 100℃의 온도이다. 열 방사에 의해 상기 평평한 가스 분배기로부터 상기 서셉터로 에너지를 전달하는 것을 피하기 위해, 상기 평평한 가스 분배기 및 특히 상기 서셉터를 향해 안내된 상기 가스 방출 표면은, 매우 낮은 방사율을 가진다. 상기 방사율은, ε < 0.04 범위에 있다. 상기 평평한 가스 분배기의 표면 및 특히 상기 가스 방출 표면을 광택 내거나 금-코팅함에 의해 달성된다. 매우 광택된 평평한 가스 분배기는 상기 기판의 코팅될 표면 상에 최소화된 방사 출력으로 작동된다. 상기 가스 방출 표면의 표면 온도가 상기 지지 표면의 표면 온도보다 훨씬 높기 때문에, 수직 온도 구배는 상기 가스 방출 표면과 상기 지지 표면 사이에 연장된 상기 증착 챔버의 가스상 내에 형성된다. 상기 기판은 상기 증착 표면 상에 평평하게 놓여 있고, 따라서 상기 서셉터와 열 전도 접촉되어 있다. 상기 가스 입구의 상기 코팅된, 가열된 표면의 상기 최소화된 방사선 출력에도, 상기 기판의 표면은 가열될 수 있다. 그러나 상기 열은 상기 기판의 아랫면과 상기 지지표면 사이에 상기 열 전도 접촉을 통한 상기 서셉터로의 발산된다. 상기 서셉터는 바람직하게 냉각된다. 상기 평평한 가스 분배기는 알루미늄 또는 높은-등록 스틸로 이뤄질 수 있다. 캐리어 가스 및 모노머로 구성되는, 노즐로부터와 같이 상기 가스 방출 포트로부터 방출된 상기 가스 흐름은 기판의 표면으로 가스 프론트로서 지나간다. 상기 표면 상에, 상기 모노머가 흡착된다. 상기 흡착된 모노머는 층을 형성하도록 중합 성장 과정에서 거기서 성장된다. 상기 성장 속도는 온도 구배에 의해 영향을 받을 수 있거나 제어될 수 있으며, 이는 상기 평평한 가스 분배기에 의해 부분적으로 영향을 받는다. 이 온도 구배는 높은 성장 효능을 가능하게 한다. 상기 평평한 가스 분배기의 사용은, 150mm × 150mm 내지 1000mm × 1000mm 범위에서 시작하여, 큰 면적에 걸친 코팅을 가능하게 한다. 이 크기의 기판은 상기 폴리머 물질로 균일하게 코팅될 수 있다. 필름의 성장에 기여하지 않는 분자들은 가열된 가스 유출에 의해 상기 모노머 가스 상으로부터 상기 프로세스 챔버의 밖으로 안내된다. 진공 펌프는 냉각 트랩으로 50℃ 내지 250℃의 가열된 가스 유출을 통해 폐기 가스를 펌프하며, 여기서, 상기 모노머는 동결된다. 상기 프로세스 압력은 0.05 mbar 내지 0.5 mbar에 있다. 상기 평평한 가스 분배기에 걸친 상기 압력 손실은, 0.5 mbar 미만이다. 이는 1mbar 미만의 분해 압력(열분해 압력)이 가능하게 한다. 요구된 측면으로 균일한 표면 온도로 기판 홀더를 가져오기 위해, 온도 제어 장치를 가지며, 이는, 온도-제어 유체 채널에 의해 형성될 수 있으며, 이를 통해 -30℃ 내지 100℃ 사이의 온도 범위의 액체인 유체가 흐른다. 두 개의 온도 제어 유체 채널로서, 이들은 서로 평행하고 이를 통해 반대 방향으로 유체가 통과하는, 채널은 바람직하게 제공된다.

상기 평평한 가스 분배기는 또한 온도 제어 수단을 가진다. 여기서, 또한, 이들은 채널일 수 있으며, 이를 통해 온도-제어된 유체는 흐른다. 이 채널들은 바람직하게 가스 방출 표면을 형성하는 상기 평평한 가스 분배기의 플레이트에 위치한다. 가스 방출 표면에서 나오는 통로는, 작은 튜브에 의해 형성될 수 있다. 상기 언급된 채널은 작은 튜브 사이의 공간을 지나갈 수 있다. 그러나 가열 유체가 흐르는 채널 대신에, 전기적으로 가열된 가열 코일 또는 가열 와이어는 또한 거기에 위치될 수 있다. 상기 가스 방출 표면의 이 종류의 저항 가열은 바람직하다. 상기 플레이트의 뒷면에, 가스 부피가 있으며, 여기서, 인풋 분배기에 의해 공급된다. 상기 인풋 분배기 속으로, 가열된 가스 공급 라인이 연장되며, 이를 통해 폴리머와 함께 상기 캐리어 가스가 상기 가스 입구으로 이송된다. 상기 프로세스 챔버의 벽은 마찬가지로 가열된다. 이들은 150℃ 내지 250℃ 범위의 온도로 유지된다. 상기 가스 방출 표면과 상기 기판 표면 또는 지지 표면 사이의 거리는 10mm 내지 50mm며, 임의로 조절될 수 있다.

기판으로서 적합한 것은 디스플레이 기판, 실리콘 웨이퍼 또는 플라스틱 또는 종이 기판이다. 상기 기재된 장치에서 그리고 본 발명에 따른 방법에 의해, 유전 층은 상기 기판 상에 증착된다. 상기 기판은 유전 기판 또는 비유전 기판일 수 있거나 그외에 금속 또는 반도체 기판일 수 있다. 상기 기판은 바람직하게 사전-구조, 예를 들어, 반도체 서킷일 수 있고, 특히 트랜지스터는 이에 적용되어 있을 수 있다. 상기 기판의 아랫측에, 상기 서셉터의 지지 표면과 전체 면적 접촉되어 있고, 이는 알루미늄 또는 구로로 구성되는 냉각 블록에 의해 형성될 수 있다. 상기 서셉터는 정적으로 고정된 상태에서 상기 프로세스 챔버에 배치될 수 있다. 그러나 또한, 중심, 특히 수직, 축 주위를 회전할 수 있음은 파악된다. 본 발명의 방법의 경우에, 아르곤, 질소 또는 헬륨일 수 있는 캐리어 가스는, 질량 흐름 컨트롤러에 의해 공급되고 공급 라인에 의해 증발기에 안내되며, 여기서 상기 공급 라인은 밸브에 의해 닫힐 수 있다. 증발기에서, 액체 또는 고체 출발 물질이 있으며, 여기서, 이 물질은 파릴렌 다이머이다. 50℃ 내지 200℃의 온도에서, 상기 다이머는 증발되고 가열되고 밸브에 의해 닫힐 수 있는 가스 라인을 통해, 캐리어 가스에 의해 열분해 오븐으로 안내된다. < 1 mbar의 압력에서 온도는 350℃ 내지 700℃이다. 상기 다이머는 모노머로 오븐에서 열분해에 의해 분해되고, 여기서 상기 모노머는 마찬가지로 가열된 가스 라인에 의해 프로세스 챔버의 분배기 인풋으로 이송된다. 상기 캐리어 가스 및 이에 의해 전달된 모노머는 그 다음에 상기 평평한 가스 분배기의 챔버로 허용되며, 여기서 상기 분배기는 상기 플레이트의 뒷면에 있고 방출 포트를 가진다. 낮은 압력 손실로, 이 프로세스 가스는 상기 가스 방출 표면 위에 균일하게 분배된 가스 방출 포트를 통해 흐르며, 가스 프론트로서 상기 기판의 표면에 도달된다. 거기서, 상기 모노머는 흡착되고 중합되어 2 μm/s까지의 성장 속도로 유전 층을 형성한다. 상기 열분해 오븐 내 다이머의 체류 시간 및 거기서의 압력 구배는 질량 흐름 컨트롤러에 의해 설정되거나 상기 프로세스 챔버 내 압력에 의해 설정된다. 상기 평평한 가스 분배기에 평행하게 연장되어 있는 접촉 면적은, 바람직하게 반 평방 미터 초과이다. 챔버로 그리고 상기 냉각 트랩으로 상기 증발기에 의해 형성된, 소스로부터의 연결 라인은, 상기 중합 온도 위에 있는 온도로 가열된다. 또한, 이는 능동적으로 가열된 가스 분배기에 적용된다. 상기 분배기는 매우 광택된 또는 금-코팅되어 있다. 다른 구조 디자인 및 프로세스 엔지니어링 특징과 함께, 상기 기판에 의해 취해진 실제로 전체 표면적 위의 프로세스 가스의 평평한 도입은 높은 효율을 달성한다. 상기 프로세스 챔버로 도입된 최소 양의 모노머만 기판 상에서 중합되지 않고 상기 냉각 트랩에서 폐기물로서 사라진다.

본 발명에 따른 장치 또는 본 발명에 따른 방법은 특히 폴리머 파라-자일렌 또는 치환된 파라-자일렌을 증착시키기 위해 제공된다. 예를 들어, 파릴렌 C은 사용될 수 있다. 상기 증발된 물질의 이송은 캐리어 가스에 의해 발생되고, 여기서 상기 캐리어 가스는 예를 들어, N₂ 또는 아르고 또는 일부 다른 적합한 불활성 가스이다. 상기 출발 물질만의 분해는 바람직하게 열분해에 의해 발생된다. 또한, 플라스마에 의해 예를 들어 보조된, 일부 다른 방식으로 상기 출발 물질을 분해시키는 것이 파악된다. 분해될 출발 물질은 꼭 다이머이어야 할 필요가 없다. 상기 출발 물질은 또한 모노머 또는 추가 분해 생성물로 단계적으로 행하는 방식(cascading manner)으로 분해될 수 있다. 추가로 특정 중요한 것은, 상기 코팅 목적물 상에 폴리머 사슬 형성이다.

본 발명의 예시적 구체예는 첨부된 도면에 기초하여 아래에서 설명되어 있다.
도 1은 개략적으로 코팅 장치의 주된 성분 부를 보여주며, 특히 프로세스 챔버의 내부 구조를 보여준다.
도 2는 가스 방출 표면의 평면도이다.
도 3은 서셉터(susceptor)로서 이 위에 기판이 높여 있는 서셉터의 운반 표면의 평면도를 보여준다.
도 4는 추가 예시적 실시예의 개략적 대표도를 보여준다.
도 5는 도 4에서 라인 V-V에 따른 섹션을 보여준다.
도 6은 반전된, 상기 가스 입구(3)의 하부 벽의 내부 표면의 부분의 대표적 사시도를 보여준다.
도 7은 마찬가지로 반전된, 상기 가스 입구의 외부 벽(30)의 부분적 대표도를 보여준다.
도 8은 가스 방출 포트의 영역에서 가스 입구의 상기 하부 벽을 통한 섹션을 보여준다.

헬륨, 아르곤 또는 질소로 구성될 수 있는 캐리어 가스의 질량 흐름은 질량 흐름 컨트롤러(10)에 의해 설정된다. 상기 캐리어 가스는, 증발기(1)로, 밸브(12)에 의해 닫힐 수 있는 가스 라인(11)을 통해 흐른다.

증발기(1)는 파릴렌 족, 특히 C, N, D 폴리머 파라-자일렌의 물질인, 액체 또는 고체 출발 물질을 저장하는 다른 형태의 디쉬 또는 컨테이너를 가진다. 이 파우더 또는 액체는 기재되어 있지 않은 히터에 의해 50℃ 내지 200℃의 소스 온도로 가열된다. 상기 소스 컨테이너의 부피는, 상기 가스상 및 고체 바디 또는 액체 상이 실제로 열 평형 상태에 있도록 상기 증발기를 통해 흐르는 캐리어 가스의 질량 흐름과 관련하여 디자인되어 있다. 상기 캐리어 가스 흐름에 의해, 바람직하게 다이머인 증발된 출발 물질은, 열분해 챔버(2)로, 밸브(14)에 의해 마찬가지로 닫힐 수 있는, 가열된 가스 라인(13)을 통해 전달된다.

상기 열분해 챔버(2)는 도시되어 있지 않은 히터에 의해 350℃ 내지 700℃의 범위의 온도까지 가열될 수 있다. 1 mbar 미만의 챔버 내 총 압력에서, 상기 다이머는 모노머로 열분해 된다.

추가 가스 라인(17)이 또한 연장되는, 동일 방식으로 가열된 가스 라인(15)에 의해, 상기 모노머는 상기 프로세스 챔버로 상기 캐리어 가스와 함께 도입된다. 상기 추가 공급 라인(17)을 통해 추가 물질을 상기 프로세스 챔버로 추가 물질을 도입할 수 있다. 동일한 방식으로 가열되는 공급 라인(17)에 의해, 상기 동일 물질 또는 다른 물질은 상기 출발 물질과 혼합될 수 있다.

이전에 언급된 가스 라인(11, 13, 15 및 17)의 가열은 가열 슬리브에 의해 발생될 수 있다. 이들은 가열 코일에 의해 가열될 수 있다. 그러나 또한 가열된 하우징 내 증발 챔버(1)와 프로세스 챔버(2)와 함께 라인을 위치시킬 수 있다. 이 하우징은 상기 실제 프로세스 챔버 위에 또는 측부에 공간적으로 배치될 수 있다.

상기 프로세스 챔버(8)로서 이의 벽(8')이 가열될 수 있는 내부에, 가스 입구(3)은 상부 영역에 있다. 이 가스 입구는 인풋 분배기(9)를 가지고, 이 안으로 상기 가스 라인(15)은 연장된다. 상기 가스 입구(3)의 주 구성 부는 평평한 가스 분배기이고, 이는 중심 챔버를 형성하고, 이쪽으로 상기 가스는 상기 인풋 분배기(9)로부터 들어간다. 상기 평평한 가스 분배기(3)의 챔버의 베이스는 직사각형 또는 원형일 수 있다. 예시적인 실시예(도 2)에서, 상기 챔버(3)의 베이스는 700 및 800mm의 변 길이의 직사각형이다. 상기 가스 분배 챔버의 베이스를 형성하는 플레이트는 복수의 채널(19)을 가지고, 이를 통해 온도 제어 유체는 흐르게 되어서 150℃ 내지 250℃ 범위의 온도로 상기 플레이트를 유지한다. 그러나 채널(19) 대신에, 가열 코일 등은 또한 제공될 수 있다. 관련 기능은 상기 표면 영역 위에 균일하게 분배되어 있는 복수의 가스 방출 포트(6)이다. 이 얇고, 모세관과 같은 가스 방출 포트(6)를 통해, 이에 의해 전달된 캐리어 가스 및 모노머는 "가스 제트" 형태로 프로세스 챔버(8)로 들어간다. 이는 0.5 mbar 미만의 압력 차이로 발생된다.

평평한 가스 분배기(3)의 외부 표면은 가스 방출 표면(3')을 형성하며, 이는 수평 방향으로 연장되어 있다.

상기 가스 방출 표면에 평행한 연장 되어 있는 것은 서셉터(4)의 지지 표면(4')이다. 상기 지지 표면(4')은 거리(A)만큼 가스 방출 표면(3')과 떨어져 있으며, 그 거리는 약 10mm 내지 50mm이다. 도 3에 도시되어 있고 서셉터(4)의 상부 측에 의해 형성된, 상기 지지 표면(4')은 가스 방출 표면(3')과 거의 동일한 크기이며, 후자가 약간 더 큰 것도 가능하다.

서셉터(4)는 냉각 블록에 의해 형성된다. 상기 후자는 알루미늄 또는 구리로 구성되고 복수의 온도-제어 매체 채널(18)을 가지며, 이를 통해 유체는 흐를 수 있다. 두 개의 채널은 제공될 수 있으며, 이 채널은 구불구불한 형태로 배치될 수 있고, 서로 평행할 수 있고 반대 방향으로 흐르게 될 수 있다. 이들은 능동적으로 서셉터(4)를 냉각시키고, 특히 상기 기판(7)을 위한 지지 표면으로서 제공되는 이의 표면(4')을 냉각시킨다.

상기 지지 표면(4') 상에 접촉한 전체 표면적에 놓이는 것은 기판(7)이다. 유전 기판일 수 있거나, 비유전 기판, 예를 들어 디스플레이, 실리콘 웨이퍼 또는 종이일 수 있다. 이 기판(7)은 상기 지지 표면(4') 상에 접촉한 전체 면적에 놓여서, 상기 기판(7)으로부터 서셉터(4)로의 전달은 가능하다.

프로세스 챔버(8)의 베이스의 영역에서, 두 개의 가스 아웃렛 포트(5)가 있으며, 이들은 가열된 라인에 연결되어 있고, 상기 라인은 제시되지 않은 냉각 트랩에 제시되어 있지 않다. 액체 질소의 온도에서 예를 들어 유지되는, 상기 냉각 트랩은, 폐기 가스에 존재하는 파릴렌을 동결시킨다. 상기 냉각 트랩의 다운스트림에 진공 펌프가 있으며, 이는 제시되어 있지 않고, 이는 압력-규정되고 이것으로 상기 프로세스 챔버(8) 내의 내부 압력은 조절될 수 있다.

상기 프로세스 챔버(8) 내 프로세스 압력은 0.05 mbar 내지 0.5 mbar의 범위로 설정된다. 서셉터의 온도는 프로세스 챔버 벽(8')의 온도 아래로 잘 놓여있거나 평평한 가스 분배기(3)의 온도 아래로 잘 놓여 있고, 이는 150℃ 내지 250℃에 놓여 있다. 평평한 가스 분배기(3)로부터 열 방사에 의해 기판의 가열을 최소화하기 위해, 상기 후자는 높게 광택되고/거나 금 코팅된다. 이의 복사율은 0.04 미만이다.

샤워 헤드의 방식으로 배열된 가스 방출 포트(6)로부터 나오는 가스는, 모노머가 흡수되는, 기판(7)의 표면(7')에 가스 프론트로서 침범한다. 상기 흡수된 물질은 거기서 중합되어 2 μm/s 이하의 성장 속도로 필름을 형성한다. 상기 지지 표면(4')의 표면 온도의 가로 균일성은 ±0.5℃이다.

이 참조 번호 23은 언로딩 또는 언로딩 개구를 가리키며, 이는 진공 기밀 방식에 닫힐 수 있고, 기판(7)이 핸들링 되도록 하기 위해 프로세스 챔버의 측벽에 제공된다.

도 4 및 5에 제시된 예시적 실시예의 경우에, 가스 입구(3)은 4개의 열분해 챔버(2) 전부에 의해 공급되며, 각각은 업스트림 증발기(1)를 가진다. 프로세스 챔버로 칭해질 수 있는 증착 챔버(8)는 거의 입방 반응기 하우징(24)에 위치된다. 상기 반응기 하우징(24)의 직사각형 탑 표면 하에, 가스 입구(3)이 있으며, 이는 상기 탑 표면의 전체 내부 측면을 취하고 분배 챔버를 가지며, 이곳으로 큰 직경의 파이프의 형태의 인풋 분배기(9)를 연다. 파이프(9)의 마우스의 앞에 연장되어 있는 것은, 플레이트(25)이며, 이에 의해 가스 입구(3)의 챔버로 들어가는 프로세스 가스는 분배된다. 상기 반응기 하우징(24)의 탑 플레이트에 평행하게, 포트(6)를 가진 구멍난 플레이트가 있으며, 이는 반응기 하우징(24)의 탑 플레이트에 평행하게 연장되어 있는 가스 방출 표면(3')을 형성한다. 복수의 포트(6)는 가스 방출 표면(3') 위에 균일하게 분배되어 있다.

다중층 구조일 수 있는, 가스 방출 표면(3')을 형성하는 플레이트에, 제시되지 않은 온도 제어 수단이 있다. 이 온도 제어 수단은 전기적으로 가열된 히팅 와이어이다. 이와 같은 저항 가열 대신에, 그러나, 가스 방출 표면(3')을 형성하는 플레이트는 또한 온도-제어된 유체가 흐르는 채널을 가질 수 있다.

가열 와이어가 온도 제어 수단으로서 사용된다면, 이들은 다중층 구조이다. 서로 떨어져 있는 두 플레이트로서, 이 중 하나가 가스 부피의 더 낮은 벽을 형성하고 이 중 다른 하나가 가스 방출 표면(3')을 형성하는, 두 플레이트는 서로 작은 튜브에 의해 연결되어 있으며, 상기 작은 튜브는 포트(6)를 형성한다. 상기 가열 와이어는 상기 작은 튜브 사이의 공간을 지나간다.

가스 방출 표면(3') 아래 거의 25mm 내지 50mm의 거리에, 서셉터(4)가 있다. 기판(7)은 가스 방출 표면(3')을 마주하는 서셉터(4)의 지지 표면(4')에 있다. 제시되지 않은 위치(Positioning)는 지지 표면(4')에 정확하게 미리 구조된 기판(7)을 위치시키기 위해 제공된다. 기판(7) 위에, 얕은 마스크(20)가 있으며, 이는, 적합한 마스크 홀더에 의해 기판(7)에 대해 정확하게 위치된다. 서셉터(4)의 온도는, 제시되지 않은 온도 제어 수단에 의해 가스 입구(3)의 온도보다 훨씬 낮은 온도에서 제어될 수 있다. 가스 방출 표면(3')의 온도는 50℃ 이상이고 바람직하게는 지지 표면(4')의 온도보다 더 높은 100℃ 이상이다. 기판(7)은, 기판(7)으로 가스 입구(3)으로부터 방사 열로서 전달되는 열이 서셉터(4)에 우회될 수 있는 방식으로 기기 표면(4') 상에 지지가 되어 있다. 이는 기판(7)의 표면 온도가 지지 표면(4')의 표면 온도보다 단지 약간 더 높도록 보장한다.

가스 출구 포트는 큰 직경의 파이프에 의해 형성된다. 이 파이프들은 파이프(26)로 연장되며, 이는 마찬가지로 큰 직경을 가지고, 이는 펌프(22)에 연결되어 있다.

반응기 하우징(24) 위에 수직으로, 4개의 열분해 챔버(2) 전부가 있고, 이들을 통해 수직 방향에서 상부로부터 하부로 흐르게 된다. 각 열분해 챔버(2)는 가열 자켓(16)에 의해 둘러싸여 있고, 이는 열분해에 요구된 프로세스 열을 공급한다.

4개의 열분해 챔버(2) 전부 위에, 증발기(1)가 있으며, 이는 이의 각 열분해 챔버(2)와 관련되어 있고 마찬가지로 큰 직경의 파이프라인(13)에 의해 열분해 챔버(2)에 연결되어 있다. 파이프라인(13) 각각은 밸브(14)를 가진다. 펌프(22)로 이끄는 파이프라인(26)에, 컨트롤 밸브가 있으며, 이는 제시되지 않았지만 이에 의해 프로세스 챔버(8) 내의 압력은 제어될 수 있다. 이 목적을 위해, 제시되지 않은 압력 센서는 반응기 하우징(24) 내에 위치된다.

참조 번호 23은 기판의/을 가진 프로세스 챔버를 로딩/언로딩하기 위해 또는 프로세스 챔버로 마스크(20)를 도입하기 위해 열릴 수 있는 게이트를 가리킨다.

증발기(1)에, 디쉬가 있으며, 이는 점선으로 도 4에 있고 여기서 출발 물질은 약 110℃의 증발 온도에서 저장된다. MFC(10)에 의해 조절된, 약 500 sccm의 캐리어 가스 흐름은, 증발기(1)를 통해 흐른다. 열분해 세포(2)에서, 캐리어 가스에 의해 전달된 다이머는, 열에 의해 분해된다. 이 흐름 속도는, 열분해 챔버(2) 내 가스의 휴지 시간이 밀리 세컨드 정도로, 즉 약 0.5 내지 5ms로, 펌프(22)에 의해 설정된다. 펌핑 아웃풋 및 전체 장치의 흐름 저항은, 약 1mbar의 전체 압력이 열분해 챔버(2)에 우세하도록 여기서 선택된다.

4개의 가스 라인(15) 전체를 통해, 분해 생성물은 인풋 분배기(9)로 캐리어 가스에 의해 전해지며, 이는 샤워헤드 가스 입구(3)으로 이끈다. 거기서, 프로세스 가스는 균일하게 분배되고 가스 방출 포트(6)를 통해 프로세스 챔버(8)로 들어간다.

가스 방출 포트(6)의 직경 및 이의 수는, 약 0.1 mbar의 프로세스 압력이 프로세스 챔버(8) 내에 우세하도록, 포트에서 압력 구배를 얻는 방식으로 펌프(22)의 펌핑 아웃풋 및 전체 설비의 흐름 저항에 여기서 맞춰진다. 프로세스 챔버(8) 내 압력은 약 10의 인자에 의해 열분해 챔버(2) 내 압력보다 결과적으로 더 낮다.

도 4에 제시되지 않은 히팅 슬리브에 의해, 가스 라인(15 및 9)뿐만 아니라 입구 요소(3)는, 캐리어 가스에 의해 전달된 분해 생성물의 중합 또는 축합 온도보다 더 큰 온도에서 유지된다. 가스 입구(3)의 가스 방출 표면(3')은 가열 와이어에 의해 가열될 수 있다. 서셉터(4)를 마주하는 가스 방출 표면(3')은 금-코팅되어 있고 매우 광택이 있다.

프로세스 챔버(8)로 수용되었던 프로세스 가스는, 이미-구조된 기판(7)의 표면 상에서 응축된다. 상기 후자는, 중합만이 기판(7)의 표면의 한정된 부분에서 발생하도록, 서셉터(4)의 지지 표면(4')에 지지되어 있고 얕은 마스크(20)에 의해 덮여져 있다.

서셉터(4)는 중합 온도로 냉각된다.

도 4 및 5에 제시된 예시된 실시예의 경우에, 어떠한 냉각 트랩도 제시되어 있지 않다. 사용되지 않은 프로세스 가스는 큰 직경의 파이프(5, 26)의 벽에서 응축될 수 있다. 이 파이프들은 때때로 세척되어야 한다.

마스크의 구조는 50 × 50 μm의 범위에 있다. 10 nm 내지 2 μm 범위의 층 두께는, 약 100 nm/s의 성장 속도로 증착된다.

이의 아래 방향으로 마주하는 표면과 함께 가스 방출 표면(3')을 형성하는 가스 입구(3)의 낮은 벽은, 바람직하게 두 개의 플레이트를 포함한다. 도 6에서 반전되어 도시된 부분인, 내부 플레이트(27)는 복수의 보어(6)를 가지며, 이는 플래어된(flared) 방출 포트(6')로 열려있다. 상기 플레이된 방출 포트(6')는 스퀘어 베이스 영역을 가진 돌출부에 위치된다. 이 돌출부는 낮은 플레이트(30) 내 스퀘어 홈(29)으로 아래 방향으로 돌출되어 있다. 상기 낮은 플레이트(30)의 상부 벽은, 글루부를 가지며, 여기서 가열 코일(19)은 위치된다. 상기 글루부는 개구(29)들 사이의 영역을 지나간다. 어셈블된 상태에서, 가열 코일(19)은 결과적으로 돌출부(28)들 사이의 영역을 지나간다.

기재된 모든 특징부들은 본 발명과 (그 자체로) 관련된 것들이다. 관련된/동반하는 우선권 서류의 기재 내용(종래 특허 출원의 카피)은 또한 이 출원의 기재에 완전히 이에 통합되어 있으며, 본 출원의 청구항의 이 서류들의 특징부를 통합하는 목적을 위해 포함한다.

Claims

폴리머 파라-자일렌(para-xylylene) 또는 치환된 파라-자일렌의 하나 또는 그 초과의 얇은 층를 증착시키는 장치로서,
상기 장치는 고체 또는 액체 출발 물질, 특히 폴리머의 형태, 특히 다이머 형태의 물질을 증발 시기키 위한 가열된 증발기(1)를 포함하며, 상기 증발기(1) 속으로, 캐리어 가스를 위한 캐리어-가스 공급 라인(11)이 연장되어 있고, 상기 캐리어 가스에 의해 상기 증발된 출발 물질, 특히 상기 증발된 폴리머, 특히 다이머가 가열가능한 분해 챔버(2), 특히 열분해 챔버로 이송되며, 여기서, 상기 챔버는 상기 증발기(1)의 하류에 위치되어 있고, 여기서 상기 출발 물질은, 특히 모노머로 분해되고,
상기 장치는 증착 챔버(8), 서셉터(4), 및 가스 출구(5)을 포함하며, 상기 증착 챔버는 상기 분해 챔버(2)의 하류에 위치되어 있고, 가스 입구(3)을 가지며, 상기 가스 입구를 통해 캐리어 가스에 의해 이송된, 분해 생성물, 특히 모노머가 들어가며, 상기 서셉터(4)는 중합된 분해 생성물, 특히 모노머로 코팅될 기판(7)을 지지하기 위한 가스 입구(3) 반대편의 냉각 가능한 지지 표면(4')을 가지고, 상기 가스 출구를 통해 상기 캐리어 가스 및 분해 생성물, 특히 모노머의 중합되지 않은 부분이 평평한 가스 분배기(3)를 형성하는 가스 입구를 나오며, 상기 분배기는 상기 지지 표면(4')에 평행하게 연장되어 있는 가열가능한 가스 방출 표면(3') 및 상기 전체 가스 방출 표면(3') 위에 걸쳐 분배된 복수의 가스 방출 포트(6)를 가지고, 상기 능동적으로 가열가능한 가스 방출 표면(3')은 높은 반사율을 가지고 ε < 0.04의 방사율을 가지는, 장치.
제 1항에 있어서,
상기 평평한 가스 분배기가 매우 광택된 금속, 특별히 금-코팅된 금속, 특히 알루미늄 또는 높은-등급 스틸로 구성되는,
장치.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 평평한 가스 분배기(3)가 히터를 가지며, 상기 히터로 150℃ 내지 250℃의 온도까지 가열시킬 수 있는,
장치.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 서셉터(4)가 온도 제어 장치, 특히 냉각 장치를 가지며, 상기 장치를 가지고, 상기 서셉터(4) 및 특히 상기 지지 표면(4')은 -30℃만큼 낮은 온도로 냉각될 수 있고/거나 100℃만큼 높은 온도로 가열될 수 있는,
장치.
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 서셉터(4)는 유체 통로(18)를 가진 냉각 블록으로 형성되어 있고, 상기 통로를 통해, 온도 제어 매체가 흐르며, 상기 매체는 -30℃ 내지 100℃의 온도 범위의 액체인,
장치.
제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스 방출 표면(3')을 형성하는 평평한 가스 분배기(3)의 플레이트는 채널(19)을 가지며, 상기 채널을 통해 온도 제어 매체가 흐르며, 상기 온도 제어 매체가 150℃ 내지 250℃의 온도 범위의 액체이거나, 전기 전도 컨덕터를 가지는,
장치.
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 표면(4')과 상기 가스 방출 표면(3') 사이의 거리(A)는, 10mm 내지 50mm인,
장치.
제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스 아웃렛(5)의 하류에 위치한, 압력-제어된 진공 펌프를 가지며, 상기 펌프로, 상기 프로세스 챔버(8) 내 내부 압력이 0.05 내지 0.5 mbar로 설정될 수 있는,
장치.
제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 모노머의 중합되지 않은 부분을 동결시키기 위해 상기 가스 출구(5)과 상기 진공 펌프 사이에 배치된 냉각 트랩을 가지는,
장치.
제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
증발기(1), 열분해 챔버(2) 및 프로세스 챔버(8)뿐만 아니라 이들에 임의로 배치된 밸브(14) 사이의 연결 라인(13, 15) 및 가스 출구(5)에 연결된 가스 출구 라인이 가열될 수 있는,
장치.
제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서,
프로세스 챔버(8)의 벽(8')은 150℃ 내지 250℃ 범위의 온도로 히터에 의해 가열될 수 있는,
장치.
제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐리어 가스의 측정을 위해, 밸브(12)에 의해 닫힐 수 있는 질량 흐름 컨트롤러(10)를 가지는,
장치.
제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스 방출 표면(3')이 실제로 상기 지지 표면(4')에 대응되거나, 상기 가스 방출 표면(3')과 상기 지지 표면(4') 사이의 거리(A)의 정도만큼의 거의 각 측면 상에 상기 기판의 가장자리를 넘는 돌출부에 대응되는,
장치.
제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스 방출 표면(3') 또는 상기 지지 표면(4')이 0.5 m²보다 큰,
장치.
제 1항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,
다수의 열분해 챔버(2), 특히, 4개의 열분해 챔버로서, 각각이 연관된 증발기(1)를 가지는, 챔버들이 상기 프로세스 챔버(8)를 형성하는 상기 반응기 하우징(24) 위해 수직으로 배치된,
장치.
제 1항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증발기(1) 및 열분해 챔버(2)를 통해 상부로부터 하부로 수직 방향으로 흐르는,
장치.
제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열분해 챔버(2)를 둘러싸는 가열 자켓(16)을 가지는,
장치.
제 1항 내지 제 17항 중 어느 한 항에 있어서,
특히 파이프 직경에 의해 한정된 가스 라인(13, 15 및 23)의 흐름 저항 및 가스 방출 포트(6)의 수와 직경에 의해 실제로 한정된 평평한 가스 분배기(3)의 흐름 저항은, 상기 열분해 챔버(2) 내 총 압력이 < 1 mbar이고 상기 프로세스 챔버(8) 내 총 압력이 약 0.1 mbar에서, 2000 sccm 이상의 총 가스 흐름이 달성될 수 있는 크기인,
장치.
증발기(1)에서 증발되는, 폴리머 물질, 특히 파라-자일렌 또는 치환된 파라-자일렌, 특히 폴리머, 특히 다이머에 의해 형성된, 고체 또는 액체 출발 물질의 하나 또느 그초과의 얇은 층을 증착시키는 방법으로서,
상기 출발 물질, 특히 상기 다이머는 상기 증발기(1)로부터 캐리어 가스 공급 라인(13)을 통해 분해 챔버, 특히 열분해 챔버(2)로 캐리어 가스에 의해 이송되고 상기 분해 챔버(2)에서 바람직하게 열 분해에 의해 특히 모노머로 분해되며, 상기 분해 생성물, 특히 모노머는, 상기 분해 챔버(2)로부터 증착 챔버(8)로 상기 캐리어 가스에 의해 이송되고, 여기서 기판(7)은 서셉터(4)의 지지 표면(4') 상에 지지되고 상기 증착 챔버(8)로 가스 입구(3)을 통해 거기서 흐르며, 상기 증착 생성물, 특히 모노머는 가스 입구(3)에 의해 형성된 평평한 가스 분배기의 지지 표면(4')에 평행하게 연장되어 있는 가스 방출 표면(3')의 가스 방출 포트(6)로부터 상기 캐리어 가스와 함께 상기 기판 표면(7')에 수직한 방향으로 방출되고 얇은 층으로서 기판(7)의 표면(7') 상에서 중합되고, 상기 분해 생성물, 특히 모노머의 중합되지 않은 부분과 상기 캐리어 가스는 가스 아웃렛(5)으로부터 상기 프로세스 챔버(8) 밖으로 나오며, 상기 지지 표면(4')은 냉각되고 상기 지지 표면(4')에 대항하여 놓여 있는 상기 가스 방출 표면(3')은 가스 방출 표면(3')의 표면 온도가 지지 표면(4')의 표면 온도보다 높게 되는 방식으로 가열되며, 상기 캐리어 가스가 상기 가스 방출 포트(6)로부터 가까이 인접하는 "가스 제트"의 형태로 방출되며, 여기서 상기 가스 방출 포트는 상기 전체 가스 방출 표면(3') 위에 분배되어 있고, 상기 가스 방출 표면이 높은 반사율을 가지며 ε < 0.04의 방사율을 가지며, 실제로 상기 전체 지지 표면(4') 위에 연장되어 있는 수직 부피 가스 흐름을 형성하도록 통합되며, 상기 기판은 상기 전체 표면적 위에 열 전도 접촉되어 있는 상기 지지 표면(4') 위에 지지되어 있으며, 이에 의해 상기 능동적으로 가열된 가스 방출 표면(3')으로부터 기판(7)으로 전달된 열은, 기판(7)의 표면상의 임의의 두 지점에서 측정된 온도가 최대 10℃만큼 차이가 있도록 상기 서셉터(4)로 멀리 전도되는, 방법.
제 19항에 있어서,
상기 증발기(1) 내 상기 출발 물질, 특히 다이머의 증발이 50℃ 내지 200℃의 온도에서 발생되는,
장치.
제 19항 또는 제 20항에 있어서,
상기 열분해 챔버(2) 내 분해 생성물, 특히 모노머로 상기 출발 물질, 특히 다이머의 분배가 350℃ 내지 700℃의 온도에서 그리고 특히 < 1 mbar의 압력 범위에서 발생되는,
방법.
제 19항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 평평한 분배기(3)가 150℃ 내지 250℃의 온도로 가열되는,
방법.
제 19항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 프로세스 챔버(8)의 벽(8')이 150℃ 내지 250℃의 온도로 가열되는,
방법.
제 19항 내지 제 23항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 서셉터(4)가 -30℃ 내지 100℃의 온도로 조절되는,
방법.
제 19항 내지 제 24항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 표면(4') 또는 기판(7) 상의 두 지점 사이의 최대 온도 차이가 ±0.5℃인,
방법.
제 19항 내지 제 25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 층 두께가 200 nm 내지 400 nm 또는 수 μm인,
방법.
제 19항 내지 제 26항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 프로세스 챔버(8) 내 압력은 0.05 mbar 내지 0.5 mbar인,
방법.
제 19항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 성장 속도가 100 nm/s 내지 2 μm/s인,
방법.
제 19항 내지 제 28항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 프로세스 챔버를 통한 전체 가스 흐름이 2000 sccm 이상이고, 상기 가스 입구(3)이 다수의 열분해 챔버(2), 특히 4개의 열분해 챔버(2)에 의해 공급되며, 각 챔버를 통해 상기 총 가스 흐름의 균등한 분량이 흐르는,
방법.