RU2461429C2 - Способ получения пленок полипараксилилена и его производных - Google Patents

Способ получения пленок полипараксилилена и его производных Download PDF

Info

Publication number
RU2461429C2
RU2461429C2 RU2010136698/05A RU2010136698A RU2461429C2 RU 2461429 C2 RU2461429 C2 RU 2461429C2 RU 2010136698/05 A RU2010136698/05 A RU 2010136698/05A RU 2010136698 A RU2010136698 A RU 2010136698A RU 2461429 C2 RU2461429 C2 RU 2461429C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
derivatives
substrate
pyrolysis
monomer
inert gas
Prior art date
Application number
RU2010136698/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010136698A (ru
Inventor
Евгений Иванович Григорьев (RU)
Евгений Иванович Григорьев
Ирина Витальевна Быкова (RU)
Ирина Витальевна Быкова
Андрей Владимирович Пебалк (RU)
Андрей Владимирович Пебалк
Сергей Николаевич Чвалун (RU)
Сергей Николаевич Чвалун
Original Assignee
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки РФ (Минобрнаука РФ)
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки РФ (Минобрнаука РФ), Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" filed Critical Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки РФ (Минобрнаука РФ)
Priority to RU2010136698/05A priority Critical patent/RU2461429C2/ru
Publication of RU2010136698A publication Critical patent/RU2010136698A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2461429C2 publication Critical patent/RU2461429C2/ru

Links

Abstract

Изобретение относится к полимерным материалам, к способам получения тонких полимерных пленок. Способ получения пленок полипараксилилена и его производных включает конденсацию на подложке паров параксилилена и его производных, получаемых пиролизом [2.2]парациклофана и его производных. Процесс проводится в потоке инертного газа при давлении выше атмосферного. В качестве инертного газа по отношению к мономеру используют гелий, неон, аргон, криптон, ксенон, углекислый газ, азот, молекулярный водород, ксилол или толуол. Техническим результатом изобретения является усовершенствование способа получения пленок полипараксилилена и его производных. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Description

Изобретение относится к полимерным материалам, конкретно к способам получения тонких полимерных пленок. Такие материалы могут найти применение в качестве защитных покрытий, пленок с низкой диэлектрической проницаемостью, пьезо- и пироэлектриков, нелинейных оптических устройств и т.д.
В последние годы значительные усилия были направлены на разработку экономически эффективных способов получения различных тонкопленочных полимерных материалов с полезными потребительскими свойствами, нанесенных на твердые подложки из газовой фазы. Как правило, эти способы при своей реализации должны решать следующие общие проблемы.
1. Синтез или формирование мономера, осаждаемого из газовой фазы.
2. Транспорт мономера от источника его генерации к подложке.
3.Конденсация мономера на подложке с последующей полимеризацией и рост полимерной пленки.
Известен способ получения тонких полимерных пленок (W.F. Gorham, A new, general synthetic method for the preparation of linear poly-p-xylylenes. J. of Polym. Sci. Part A-1. 1966. V.4. P.3027-3039), в котором осаждаемые из газовой фазы мономеры получают сублимацией циклического димера параксилилена или его замещенных с образованием газообразного циклического димера и его последующим пиролизом. В результате пиролиза образуется мономер параксилилен или его замещенные, которые при конденсации на подложку одновременно полимеризуются с получением полипараксилилена или его замещенных. Транспорт мономеров от источника их формирования к подложке осуществляется путем поддержания низкого давления (0,001-0,1 мм рт.ст.) в зоне конденсации.
Таким образом, получают химически чистые, прочные, конформные, низкопористые пленки различной площади и толщины. Следует подчеркнуть, что пленки формируются без применения растворителя, наличие которого может приводить к побочным реакциям и влиять на качество материала. Проведение процесса в условиях вакуума приводит к отсутствию в системе кислорода, который может сополимеризоваться с мономером, что приводит к значительному ухудшению качества покрытия.
Существенным недостатком при проведении процесса нанесения полимерной пленки в вакууме является низкая скорость ее роста при формировании на подложке при комнатной температуре. Увеличить скорость роста пленки за счет повышения давления мономера невозможно, так как при давлении мономера более 1 Торр молекулы мономера начинают взаимодействовать в газовой фазе, что приводит к образованию низкомолекулярного полимера с плохими эксплуатационными свойствами. Данный способ также характеризуется низкой скоростью транспорта мономеров от источника их генерации к подложке и низкой степенью превращения циклического димера параксилилена или его замещенных в конечную полимерную пленку, которая защищает необходимый объект. По пути к защищаемой подложке (особенно если она значительно удалена от источника генерации мономера) происходит преждевременная конденсация мономера и его полимеризация на нецелевых поверхностях. Одним из недостатков метода является сложность и высокая стоимость вакуумной установки. Кроме того, для сохранения важных свойств ряда покрываемых объектов полимеризацию часто необходимо проводить не в условиях вакуума, а в естественных условиях существования объектов (например, в биотехнологии).
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому техническому решению является способ получения тонких полимерных пленок путем конденсации паров параксилиленов, получаемых пиролизом циклического димера параксилилена ([2.2]парациклофана) его производных или их смесей, на подложку в потоке He или Ar при давлении 1 Торр [US Patent №6,165,554, Method for hydrogen atom assisted jet vapor deposition for parylene N and other polymeric thin films, 2000]. Согласно указанному способу получают однородные высокомолекулярные полимерные пленки.
Недостатком указанного способа является использование средств откачки большой мощности для обеспечения высоких скоростей потока газа носителя. Другим недостатком является то, что проведение процесса конденсации и полимеризации мономера при указанных давлениях требует контроля большого количества технологических параметров, так как процесс проходит в вязкостном режиме (промежуточный характер процесса между кинетическим режимом (высокий вакуум), когда рост пленки определяется константами скорости химических реакций на поверхности подложки, и диффузионным режимом (большое давление), когда рост пленки определяется диффузией мономера к поверхности подложки). В результате технологические параметры нанесения в значительной степени зависят от конструкции установки и ее размеров.
Технической задачей заявленного способа является устранение указанных недостатков, что достигается тем, что полимерные пленки получают путем конденсации паров параксилилена (его производных или их смесей) на подложку в потоке инертного газа при давлении выше атмосферного.
Технический результат изобретения состоит в усовершенствовании технологии получения пленок.
"Инертным" газом в заявленном решении считается любой газ (или продукты его пиролиза при используемой температуре), который химически не реагирует с параксилиленом и его производными. Такими газами являются, например, гелий, неон, аргон, криптон, ксенон, CO2, азот, молекулярный водород, ксилол, толуол и др.
Пары параксилилена и его производных получают испарением и последующим пиролизом [2.2]парациклофана (ПЦФ) и его производных общей формулы:
Figure 00000001
где X - H, Cl, F;
Y - H, Cl, F, Br, CN, NO2, NH2, N(Alk)2.
Отличие предложенного способа от прототипа состоит в том, что процесс получения полимерных пленок происходит в потоке инертного газа при давлении газа носителя выше атмосферного. Это позволяет отказаться от использования вакуумного оборудования, расширяет круг объектов, на которые можно наносить полимерные покрытия (например, биообъекты). Кроме того, увеличивается скорость роста пленок, при этом потребительские свойства полимерных пленок не ухудшаются.
Для осуществления способа применяется стандартный реактор [Сыркин В.Г. CVD-метод. Химическое парофазное осаждение. М.: Наука. 2000].
Реактор включает:
1) подложки различной природы, например, кварц, металл, полимер, на которые конденсируются пары мономера. Температура подложки регулируется;
2) устройства подачи и регулирования потока газа-носителя;
3) высокотемпературные камеры испарения и пиролиза [2.2]парациклофана и его производных.
В качестве газа-носителя использовали инертный газ (определение см. выше), который проходил дополнительную каталитическую очистку от следов кислорода. В зону сублимации помещали навеску ПЦФ или его производных или их смесей. Пары ПЦФ или его производных или их смесей из зоны сублимации в потоке инертного газа попадали в зону пиролиза, где они превращались в пары нефункционального реакционного интермедиата - п-ксилилена или его производного или их смесей. В реакторе полимеризации пары параксилилена адсорбировались на твердой подложке и полимеризовались с образованием полимерного покрытия. Температуру сублимации ПЦФ или его производных или их смесей поддерживали от 120 до 140°C. Температура зоны пиролиза составляла 600°C. Полимерные покрытия формировали на стеклянной подложке, температуру которой изменяли в диапазоне от -10 до 100°C. Расход газа-носителя поддерживали от 60 до 200 л/ч, который определяли с помощью ротаметра. Давление газа-носителя составляло выше одной атмосферы и до 1,5 атмосферы. Минимальное давление 1,05 атм позволяет отказаться от использования средств откачки. Максимальное рабочее значение давления газа-носителя (1,5 атм) определяется оптимизацией скорости потока газа-носителя для поддержания скорости потока мономера. Она, как известно, прямо пропорциональна скорости потока газа-носителя и обратно пропорциональна давлению газа-носителя. Кроме того, значительное увеличение скорости потока газа-носителя может привести к нарушению ламинарности потока и времени контакта в камере пиролиза [2.2]парациклофана и его производных. Расстояние от источника мономера до подложки составляло 50-150 см. При конденсации паров параксилилена (его производных или их смесей) на подложке происходит полимеризация параксилилена (его производных или их смесей) и образуется полимерный материал.
Изобретение иллюстрируется следующими примерами:
Пример 1.
[2.2]парациклофан загружают в камеру испарения. Температура подложки в реакторе полимеризации комнатная. Расстояние от источника мономера до подложки - 50 см. Включается поток инертного газа-носителя (азот), давление - 1,05 атм, скорость потока - 100 л/ч. Доводят температуру камеры пиролиза [2.2]парациклофана до температуры 600°C, затем повышают температуру камеры испарения [2.2]парациклофана до 140°C и проводят конденсацию паров параксилилена на подложке. Время конденсации 40 мин. В результате получается полимерная пленка полипараксилилена (ППК) толщиной 10 мкм. Химическая структура полученных пленок соответствует ППК, что подтверждается данными ИК- и КР-спектроскопии. ИК и КР спектры образцов соответствуют спектрам ППК, полученным методом Горхема (вакуумные условия). Изучение надмолекулярной структуры ППК методом рентгенографического анализа показало, что структура образцов ППК совпадает со структурой ППК, полученного методом Горхема. Температура плавления образцов ППК составляет 420°C, что также соответствует температуре плавления ППК, полученному классическим методом (в условиях вакуума).
Примеры 2-11.
Примеры 2-11 приведены в таблице, отличаются получаемым полимером при различных газах-носителях и условиях проведения синтеза пленки из газовой фазы.
Обозначения, приведенные в таблице:
ППК - полипараксилилен
CNППК - полицианпараксилилен
2ClППК - полидихлорпараксилилен
NH2ППК - полиаминопараксилилен
NO2ППК - полинитропараксилилен
N(CH3)2ППК - полидиметиламинопараксилилен
4FППК - поли-α,α,α`,α`-тетрафторпараксилилен
ClППК - хлорполипараксилилен
Figure 00000002

Claims (2)

1. Способ получения пленок полипараксилилена и его производных путем конденсации на подложке паров параксилилена и его производных, получаемых пиролизом [2.2] парациклофана и его производных, отличающийся тем, что процесс проводится в потоке инертного газа при давлении выше атмосферного.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве инертного по отношению к мономеру газа используют гелий, неон, аргон, криптон, ксенон, углекислый газ, азот, молекулярный водород, ксилол или толуол.
RU2010136698/05A 2010-09-03 2010-09-03 Способ получения пленок полипараксилилена и его производных RU2461429C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010136698/05A RU2461429C2 (ru) 2010-09-03 2010-09-03 Способ получения пленок полипараксилилена и его производных

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010136698/05A RU2461429C2 (ru) 2010-09-03 2010-09-03 Способ получения пленок полипараксилилена и его производных

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010136698A RU2010136698A (ru) 2012-03-10
RU2461429C2 true RU2461429C2 (ru) 2012-09-20

Family

ID=46028836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010136698/05A RU2461429C2 (ru) 2010-09-03 2010-09-03 Способ получения пленок полипараксилилена и его производных

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2461429C2 (ru)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2011431C1 (ru) * 1991-11-19 1994-04-30 Институт механики металлополимерных систем АН Беларуси Устройство для формирования поли-n-ксилиленовых покрытий
US5512330A (en) * 1994-10-04 1996-04-30 Dearnaley; Geoffrey Parylene precursors for diamond-like carbon coatings
US5536321A (en) * 1995-10-27 1996-07-16 Specialty Coating Systems, Inc. Parylene deposition apparatus including a post-pyrolysis filtering chamber and a deposition chamber inlet filter
EP0862664A2 (en) * 1995-10-27 1998-09-09 Specialty Coating Systems, Inc. Method and apparatus for the deposition of parylene af4 onto semiconductor wafers
US6165554A (en) * 1997-11-12 2000-12-26 Jet Process Corporation Method for hydrogen atom assisted jet vapor deposition for parylene N and other polymeric thin films
EP1255874A2 (en) * 2000-02-16 2002-11-13 Specialty Coating Systems, Inc. Tumble coater
EP1414588A2 (en) * 2001-04-05 2004-05-06 Honeywell International Inc. Method for depositing a barrier coating on a polymeric substrate and composition for manufacturing said barrier coating
EP1998338A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-03 Agfa HealthCare NV Needle image plate or panel suitable for use in CR or DR imaging.
RU2010154436A (ru) * 2008-06-03 2012-07-20 Айкстрон Аг (De) Способ и устройство осаждения тонких слоев полипараксилилена или замещенного полипараксилилена

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2011431C1 (ru) * 1991-11-19 1994-04-30 Институт механики металлополимерных систем АН Беларуси Устройство для формирования поли-n-ксилиленовых покрытий
US5512330A (en) * 1994-10-04 1996-04-30 Dearnaley; Geoffrey Parylene precursors for diamond-like carbon coatings
US5536321A (en) * 1995-10-27 1996-07-16 Specialty Coating Systems, Inc. Parylene deposition apparatus including a post-pyrolysis filtering chamber and a deposition chamber inlet filter
EP0862664A2 (en) * 1995-10-27 1998-09-09 Specialty Coating Systems, Inc. Method and apparatus for the deposition of parylene af4 onto semiconductor wafers
US6165554A (en) * 1997-11-12 2000-12-26 Jet Process Corporation Method for hydrogen atom assisted jet vapor deposition for parylene N and other polymeric thin films
EP1255874A2 (en) * 2000-02-16 2002-11-13 Specialty Coating Systems, Inc. Tumble coater
EP1414588A2 (en) * 2001-04-05 2004-05-06 Honeywell International Inc. Method for depositing a barrier coating on a polymeric substrate and composition for manufacturing said barrier coating
EP1998338A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-03 Agfa HealthCare NV Needle image plate or panel suitable for use in CR or DR imaging.
RU2010154436A (ru) * 2008-06-03 2012-07-20 Айкстрон Аг (De) Способ и устройство осаждения тонких слоев полипараксилилена или замещенного полипараксилилена

Also Published As

Publication number Publication date
RU2010136698A (ru) 2012-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Baxamusa et al. Thin polymer films with high step coverage in microtrenches by initiated CVD
US5013338A (en) Plasma-assisted polymerization of monomers onto polymers and gas separation membranes produced thereby
Wrobel et al. Polymerization of organosilicones in microwave discharges. II. Heated substrates
Nagasawa et al. Characterization and gas permeation properties of amorphous silica membranes prepared via plasma enhanced chemical vapor deposition
Kafrouni et al. Synthesis and characterization of silicon carbonitride films by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using bis (dimethylamino) dimethylsilane (BDMADMS), as membrane for a small molecule gas separation
Contreras-García et al. Low-pressure plasma polymerization of acetylene–ammonia mixtures for biomedical applications
Kumar et al. Fluorocarbon Coatings Via Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of 1H, 1H, 2H, 2H‐perfluorodecyl Acrylate‐1, Spectroscopic Characterization by FT‐IR and XPS
JP2014531508A5 (ru)
Li et al. Fourier transform infrared spectroscopy study of molecular structure formation in thin films during hexamethyldisiloxane decomposition in low pressure rf discharge
Alentiev et al. Synthesis and Properties of Metathesis Polymer Based on 3-Silatranyltricyclo [4.2. 1.0 2.5] non-7-ene
WO2015132445A1 (en) Atomic layer deposition of germanium or germanium oxide
RU2461429C2 (ru) Способ получения пленок полипараксилилена и его производных
Song et al. Plasma deposition of parylene-C film
Nagasawa et al. High-temperature stability of PECVD-derived organosilica membranes deposited on TiO2 and SiO2–ZrO2 intermediate layers using HMDSO/Ar plasma
Vangeneugden et al. Aerosol‐assisted plasma deposition of barrier coatings using organic‐inorganic sol‐gel precursor systems
JP2020123750A (ja) クロロジシラザン
US8552131B1 (en) Hard, impermeable, flexible and conformal organic coatings
Fracassi et al. Plasma deposition of silicon nitride-like thin films from organosilicon precursors
Sarıipek et al. Initiated CVD of tertiary amine‐containing glycidyl methacrylate copolymer thin films for low temperature aqueous chemical functionalization
US9339770B2 (en) Organosiloxane films for gas separations
US20130158189A1 (en) Method for Polymer Plasma Deposition
WO2013152068A1 (en) Adhesion promotion of vapor deposited films
EP3115098A1 (en) Organosiloxane films for gas separations
Wang et al. Effects of surface treatments and annealing on carbon-based molecular sieve membranes for gas separation
Wrobel et al. Effect of glow discharge conditions on structure and thermal properties of polysilazane thin films

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150904

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20170117

PD4A Correction of name of patent owner
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190904