KR20110010572A - Vacuum evaporation coating method and device thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A vacuum deposition method and a device thereof are provided to form a uniform organic thin layer on a substrate by monitoring the emission state of an organic EL material gas. CONSTITUTION: A vacuum deposition device comprises a substrate support member, an evaporation source(71), a first mobile tool, a detection member, a second mobile tool, and a control member. The evaporation source vaporizes the depositing material to be discharged from a nozzle.

Description

진공 증착 방법 및 그 장치 {VACUUM EVAPORATION COATING METHOD AND DEVICE THEREOF}Vacuum deposition method and apparatus therefor {VACUUM EVAPORATION COATING METHOD AND DEVICE THEREOF}

본 발명은, 진공 증착 막을 형성하는 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 특히 대형의 기판 상에 두께가 균일한 박막을 형성하는데 적합한 진공 증착 방법 및 그 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method and apparatus for forming a vacuum deposition film, and more particularly, to a vacuum deposition method and apparatus suitable for forming a thin film having a uniform thickness on a large substrate.

유기 EL 표시장치나 조명장치에 이용되는 유기 EL 소자는, 유기재료로 이루어지는 유기층을 상하로부터 양극과 음극의 한 쌍의 전극으로 사이에 끼운 구조로, 전극에 전압을 인가함으로써 양극측으로부터 정공이, 음극측으로부터 전자가 각각 유기층에 주입되어 그것들이 재결합함으로써 발광하는 구조로 되어 있다. The organic EL device used in the organic EL display device or the lighting device has a structure in which an organic layer made of an organic material is sandwiched between a pair of electrodes of an anode and a cathode from above and below, and holes are discharged from the anode side by applying a voltage to the electrode. Electrons are injected into the organic layer from the cathode side, respectively, and have a structure of emitting light by recombination.

상기 유기층은, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 포함하는 다층막이 적층된 구조로 되어 있다. 상기 유기층을 형성하는 재료로서 고분자 재료와 저분자 재료를 이용한 것이 있다. 이 중, 저분자 재료를 이용하는 경우에는, 진공 증착 장치를 이용하여 유기 박막을 형성한다. The organic layer has a structure in which a multilayer film including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer is laminated. As the material for forming the organic layer, there is used a polymer material and a low molecular material. Among these, when using a low molecular material, an organic thin film is formed using a vacuum vapor deposition apparatus.

유기 EL 디바이스의 특성은 유기층의 막두께의 영향을 크게 받는다. 한편, 유기 박막을 형성하는 기판은 해마다 대형화되고 있다. 따라서, 진공 증착 장치를 이용하는 경우, 대형의 기판 상에 형성되는 유기 박막의 막두께를 고정밀도로 제어할 필요가 있다.The characteristics of the organic EL device are greatly influenced by the film thickness of the organic layer. On the other hand, the board | substrate which forms an organic thin film is enlarged year by year. Therefore, when using a vacuum vapor deposition apparatus, it is necessary to control the film thickness of the organic thin film formed on a large sized board | substrate with high precision.

진공 증착으로 대형의 기판에 박막을 형성하는 구성으로서, 특허문헌 1(일본 특허 공개 2004-95275호 공보)에는 라인형의 증발원을 구비한 진공 증착 장치가 개시되어 있다. 특허문헌 2(일본 특허 공개 2002-343563호 공보)에는 대형 기판을 연직으로 유지하고, 복수의 도가니를 구비한 증발원을 이용하여 기판 상에 박막을 형성하는 진공 증착 장치가 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 3(일본 특허 공개 2004-225058호 공보)에는, 증발원 이동 가이드부에 복수의 증발원을 설치하고, 당해 복수의 증발원을 증발원 이동 가이드부를 따라 이동할 수 있는 구성이 개시되어 있다.As a structure for forming a thin film on a large substrate by vacuum evaporation, Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-95275) discloses a vacuum evaporation apparatus having a linear evaporation source. Patent Document 2 (Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2002-343563) discloses a vacuum vapor deposition apparatus in which a large substrate is held vertically and a thin film is formed on the substrate using an evaporation source provided with a plurality of crucibles. In addition, Patent Document 3 (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-225058) discloses a configuration in which a plurality of evaporation sources are provided in an evaporation source moving guide part and the plurality of evaporation sources can be moved along the evaporation source moving guide part.

특허문헌 1에는 라인 형상으로 배열되는 복수의 노즐을 설치한 증발원 상을 유리 기판을 노즐이 배열되는 방향과 직각인 방향으로 이동시켜서 유리 기판 상에 유기 박막을 형성하는 구성에 있어서, 증발원의 복수의 노즐을 비균등 피치로 배치하여 증발원의 길이 방향의 막두께에 편차가 발생하는 것을 회피하는 것이 기재되어 있다. 그러나, 복수 개의 노즐의 각각에 대하여 증착 재료의 석출에 의한 막힘 상태를 검출하는 것에 대해서는 배려되어 있지 않다.Patent Literature 1 describes a structure in which an organic thin film is formed on a glass substrate by moving the glass substrate in a direction perpendicular to the direction in which the nozzles are arranged on the evaporation source provided with a plurality of nozzles arranged in a line shape. It is described that nozzles are arranged at non-uniform pitches to avoid variations in the thickness of the evaporation source in the longitudinal direction. However, it is not considered about detecting the clogging state by precipitation of vapor deposition material about each of a some nozzle.

특허문헌 2에는 대형화한 기판의 이면 전체를 유지 도구로 유지함으로써, 기판이 휘어지지 않게 유지한 상태로 복수의 도가니를 구비한 증발원으로부터 재료를 증발시켜서 기판 상에 박막을 형성하는 것이 기재되어 있다. 그러나, 기판 상에 형성되는 박막을 균일화시키기 위한 수단에 대해서는 개시되어 있지 않다.Patent Document 2 describes that a thin film is formed on a substrate by evaporating a material from an evaporation source having a plurality of crucibles in a state in which the substrate is not bent, by holding the entire back surface of the enlarged substrate with a holding tool. However, no means for uniformizing the thin film formed on the substrate is disclosed.

특허문헌 3에는 막두께 모니터로 검출한 막두께에 기초하여 증착 속도를 검출하고, 이에 의해 증착되는 막두께를 예측하여 기판 상에 박막을 형성하는 성막 장치가 기재되어 있다. 그러나, 기판 상에 형성되는 박막을 균일화시키기 위한 수단에 대해서는 개시되어 있지 않다.Patent Literature 3 describes a film forming apparatus that detects a deposition rate based on a film thickness detected by a film thickness monitor and predicts the film thickness deposited thereby to form a thin film on a substrate. However, no means for uniformizing the thin film formed on the substrate is disclosed.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 2004-95275호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2004-95275 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 2002-343563호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open No. 2002-343563 특허문헌 3 : 일본 특허 공개 2004-225058호 공보Patent Document 3: Japanese Patent Laid-Open No. 2004-225058

본 발명의 목적은, 상기한 종래 기술의 과제를 해결하여, 라인 형상으로 배열되는 복수의 노즐을 설치한 증발원을 이용하여 대형화한 기판에 유기 박막을 균일한 막두께로 형성하는 것이 가능한 진공 증착 방법 및 그 장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and to form an organic thin film with a uniform film thickness on a large-sized substrate using an evaporation source provided with a plurality of nozzles arranged in a line shape. And a device thereof.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에서는, 진공 배기된 챔버 내에 있어서, 기판에 가열에 의해 기화된 증착 재료를 증착하는 증착 장치를, 기판을 유지하는 기판 유지 수단과, 증착 재료를 기화시켜서 노즐로부터 방출하는 일방향으로 긴 형상을 갖는 증발원과, 증발원의 긴 일방향과 수직한 방향에 증발원 또는 기판을 유지하는 기판 유지 수단의 적어도 한쪽을 이동시키는 제1의 이동 수단과, 증발원으로부터의 증착 재료의 방출 레이트를 검출하는 검출 수단과, 증발원 또는 검출 수단의 적어도 한쪽을 증발원의 긴 일방향과 평행하게 이동시키는 제2의 이동 수단과, 기판 유지 수단과 증발원과 제1의 이동 수단과 검출 수단과 제2의 이동 수단을 제어하는 제어 수단으로 구성하고, 제어 수단으로 제2의 이동 수단을 제어하여 검출 수단 또는 증발원의 적어도 한쪽을 이동시킴으로써 증발원의 방출 레이트의 길이 방향의 분포를 계측하도록 하였다.In order to achieve the above object, in the present invention, in a vacuum evacuated chamber, a vapor deposition apparatus for depositing a vaporized vapor deposition material on a substrate by substrate holding means for holding the substrate and vaporizing the vapor deposition material from a nozzle. An evaporation source having an elongated shape in one direction to emit, first moving means for moving at least one of the evaporation source or the substrate holding means holding the evaporation source or the substrate in a direction perpendicular to the elongated one direction of the evaporation source, and the release rate of the deposition material from the evaporation source Detection means for detecting a signal, second moving means for moving at least one of the evaporation source or the detection means in parallel with the elongated one direction of the evaporation source, the substrate holding means, the evaporation source, the first moving means, the detection means, and the second movement. Control means for controlling the means, and controlling the second moving means with the control means for the detection means or the evaporation source. By moving at least one side, the distribution of the longitudinal direction of the emission rate of an evaporation source was measured.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에서는, 증착 장치의 진공조 내에 있어서, 표면을 새도우 마스크로 덮은 피처리 기판의 표면에 증착에 의해 박막을 형성하는 진공 증착부를 복수 구비하고, 진공으로 유지된 분위기 중에서 피처리 기판을 복수의 진공 증착부간에서 주고 받는 피처리 기판 수수부를 가지는 진공 증착 장치를, 복수의 진공 증착부 중 적어도 하나의 진공 증착부는, 선 상에 배치한 복수의 노즐을 통해 가열에 의해 기화시킨 상기 증착 재료를 진공조 내에 방출시키는 증발원과, 처리 기판을 새도우 마스크로 덮은 상태로 유지하는 기판 유지 수단과, 기판 유지 수단으로 유지된 피처리 기판을 따라 증발원을 선 상에 배치한 복수의 노즐의 배열 방향에 대하여 직각인 방향으로 주사시키는 증발원 구동 수단과, 증발원이 가지는 노즐에 있어서, 1개 또는 인접하는 복수의 노즐을 그룹으로 하여 노즐의 그룹 각각으로부터 방출되는 증착 재료의 개별 방출 상태를 모니터하는 모니터 수단으로 구성하였다.Moreover, in order to achieve the said objective, in this invention, in the vacuum chamber of a vapor deposition apparatus, the vacuum deposition part which forms a thin film by vapor deposition on the surface of the to-be-processed substrate which covered the surface with the shadow mask is provided, and is maintained in vacuum. At least one vacuum deposition unit of the plurality of vacuum deposition units is heated through a plurality of nozzles arranged on a line to form a vacuum deposition apparatus having a substrate-to-be-processed portion that exchanges a substrate to be processed between a plurality of vacuum deposition units in a pre-formed atmosphere. An evaporation source for discharging the vapor deposition material vaporized by means into a vacuum chamber, a substrate holding means for holding the processing substrate in a state covered with a shadow mask, and an evaporation source on a line along the target substrate held by the substrate holding means. Evaporation source drive means for scanning in a direction perpendicular to the direction in which the plurality of nozzles are arranged, and a furnace that the evaporation source has In, and consists of a monitor means for monitoring the individual emission state of the deposition material discharged from each nozzle group by a plurality of nozzles to one or adjacent to the group.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에서는, 증착 장치에 대하여, 진공조에 복수의 진공 증착부를 설치하고, 진공 증착부는 증발원의 길이 방향에 정렬시키고, 증발원은 증발원의 길이 방향으로 순차 이동하여, 각각의 진공 증착부에 설치된 기판 유지부에 대응한 위치에서 위치 결정하는 위치 결정 수단을 설치하고, 기판 유지부에 대응한 위치에서 위치 결정한 증발원을, 증발원의 길이 방향과 수직방향으로 증발원을 주사시키고, 기판 유지부의 기판에 성막을 실시하도록 하고, 주사 성막 수단을 설치하여, 진공 증착부에 기판 유지부로부터 성막 처리 완료된 기판을 제거하여, 미처리 기판을 교체시키고, 위치 결정을 행하는 기판 교체 수단을 설치하고, 주사 성막 중에 상기 기판의 교체를 행하고, 진공 증착부간의 증발원의 이동 경로 상에 기화한 상기 증착 재료의 방출량의 모니터 수단을 설치하도록 하였다.Moreover, in order to achieve the said objective, in this invention, with respect to a vapor deposition apparatus, a some vacuum vapor deposition part is provided in a vacuum chamber, a vacuum vapor deposition part is aligned in the longitudinal direction of an evaporation source, and an evaporation source is moved in the longitudinal direction of an evaporation source sequentially, A positioning means for positioning at a position corresponding to the substrate holding portion provided in each vacuum vapor deposition portion is provided, and the evaporation source positioned at the position corresponding to the substrate holding portion is scanned in the longitudinal direction perpendicular to the evaporation source; The substrate is deposited on the substrate holding unit, and a scanning deposition unit is provided to remove the substrate that has been formed into a film from the substrate holding unit in the vacuum evaporation unit, thereby replacing the unprocessed substrate, and providing a substrate replacement unit for positioning. The substrate is replaced during scanning film formation, and the substrate is replaced on the moving path of the evaporation source between the vacuum deposition portions. It was made to provide a means for monitoring the discharge amount of the vaporized material.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에서는, 내부를 배기하여 진공상태로 유지한 진공조에 접속한 제1의 진공 증착부에 있어서, 표면을 새도우 마스크로 덮은 피처리 기판의 표면에 증착에 의해 박막을 형성하고, 이 박막을 형성한 기판을 진공으로 유지된 분위기 중에서 제1의 진공 증착부로부터 제2의 진공 증착부에 주고 받아 제2의 진공 증착부에서 처리하는 진공 증착 방법에 있어서, 제1의 진공 증착부에 있어서, 처리 기판을 새도우 마스크로 덮은 상태에서 증발원의 선 상에 배치한 복수의 노즐을 통해 증착 재료를 진공조 내에 방출시키면서 증발원을 피처리 기판을 따라 선 상에 배치한 복수의 노즐의 배열 방향에 대하여 직각인 방향으로 주사시킴으로써, 새도우 마스크를 통해 피처리 기판에 증착막을 형성하고, 상기 피처리 기판에 증착 막을 형성하고 있을 때에 증발원으로부터 방출되는 증착 재료의 방출 상태를 제1의 모니터 수단으로 모니터하도록 하였다.Moreover, in order to achieve the said objective, in this invention, in the 1st vacuum vapor deposition part connected to the vacuum chamber which exhausted the inside and maintained in the vacuum state, vapor deposition is carried out on the surface of the to-be-processed substrate which covered the surface with the shadow mask. A vacuum vapor deposition method in which a thin film is formed and the substrate on which the thin film is formed is transferred from the first vacuum vapor deposition unit to the second vacuum vapor deposition unit in a vacuum maintained atmosphere and processed by the second vacuum vapor deposition unit. In the vacuum evaporation unit of 1, a plurality of evaporation sources arranged on a line along the substrate to be treated while releasing the evaporation material into the vacuum chamber through a plurality of nozzles disposed on the line of the evaporation source while the processing substrate is covered with a shadow mask. By scanning in a direction perpendicular to the direction in which the nozzles are arranged, a vapor deposition film is formed on the substrate to be processed through a shadow mask, and the substrate is deposited on the substrate. And when the film was to monitor the emission status of the evaporation material emitted from the evaporation source, the monitor means of claim 1.

본 발명에 따르면, 라인 형상으로 배열되는 복수의 노즐을 설치한 증발원의 각 노즐마다의 유기 EL 재료 가스의 방출 상태를 모니터할 수 있어, 대형화한 기판에 유기 박막을 안정되게 균일한 막두께로 형성하는 것이 가능해진다.According to the present invention, the emission state of the organic EL material gas for each nozzle of the evaporation source provided with a plurality of nozzles arranged in a line shape can be monitored, and the organic thin film is stably formed on the enlarged substrate with a uniform film thickness. It becomes possible.

도 1은, 유기 EL 디바이스 제조 장치의 개략 구성을 나타내는 도이다.
도 2는, 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 반송실과 처리실의 구성의 모식도와 동작을 설명하는 도이다.
도 3은, 새도우 마스크를 나타내는 도이다.
도 4는, 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 증발원과 기판 및 막두께 모니터의 위치 관계를 나타내는 도이다.
도 5는, 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 증발원과, 막두께 모니터 및 셔터의 위치 관계를 나타내는 도이다.
도 6은, 막두께 모니터의 출력의 예를 나타내는 그래프이다.
도 7은, 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 기판의 증착 처리의 동작을 설명하는 흐름도이다.
도 8은, 본 발명의 제2 실시예에 있어서의 반송실과 처리실의 구성의 모식도와 동작을 설명하는 도이다.
도 9는, 본 발명의 제2 실시예에 있어서의 증발원과 기판 및 막두께 모니터의 위치 관계를 나타내는 도이다.
도 10은, 본 발명의 제2 실시예에 있어서의 좌우의 증착 위치와 증발원과 기판 및 막두께 모니터의 위치 관계를 설명하는 도이다.
도 11은, 본 발명의 제2 실시예에 있어서의 기판의 증착 처리 동작을 설명하는 흐름도이다.
도 12는, 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 반송실과 처리실의 구성의 모식도와 동작을 설명하는 도이다.
도 13은, 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 클러스터 형성막 장치의 처리실 내부의 구성 및 증발원의 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 수단의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
도 14는, 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 증발원의 선 상에 배치한 노즐을 갖는 증발원의 노즐 형태의 예를 나타내는 도이다.
도 15는, 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 증발원의 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 수단의 개략 구성을 설명하는 단면도이다.
도 16은, 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 수단으로 얻어진 검출 결과의 예를 나타낸다. 막두께 모니터의 주위를 차폐판으로 둘러싼 예로, 정상인 경우와 이상한 경우의 예를 나타내는 그래프를 히터와 대응시켜서 나타낸 도이다.
도 17은, 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 수단으로 얻어진 검출 결과의 예를 나타낸다. 막두께 모니터의 주위를 차폐판으로 둘러싸지 않은 예로, 정상인 경우와 이상한 경우의 예를 나타내는 그래프를 히터와 대응시켜서 나타낸 도이다.
도 18은, 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 수단으로 얻어진 정보로부터 히터 제어를 행하는 경우의 동작 흐름을 나타내는 도이다. 막두께 모니터측이 이동하여 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 경우를 나타낸다.
도 19는, 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 증발원의 노즐이 구멍 형상인 경우와 슬릿 형상인 경우의 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 수단으로 얻어진 검출 결과의 예를 나타내는 그래프를 히터와 대응시켜서 나타낸 도이다.
도 20은, 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 수단으로 얻어진 정보로부터 증발원의 노즐 막힘을 검출하여, 알람을 출력하는 경우의 동작 흐름을 나타내는 도이다. 증발원측이 이동하여 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 경우를 나타낸다.
도 21은, 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 수정 진동자의 교환시의 구성 방법의 동작 흐름을 나타내는 도이다.
도 22는, 본 발명의 제4 실시예에 있어서의 수평 상태로 유지한 기판에 대한 성막을 행하는 경우에 있어서의 장치 구성의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
도 23은, 본 발명의 제4 실시예에 있어서의 수평 상태로 유지한 기판에 대한 성막을 행하는 장치 구성에 있어서의 증발원의 이동과 증발원의 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 수단 관계를 나타내는 사시도이다. 본 도에서는, 기판이 배열되는 방향과 직각 방향으로 증발원을 주사한다.
도 24는, 본 발명의 제4 실시예에 있어서의 수평 상태로 유지한 기판에 대하여 기판이 배열되는 방향과 직각 방향으로 증발원을 주사하여 성막을 행하는 경우에서의 증발원의 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 수단을 나타내는 평면도이다.
도 25는, 본 발명의 제4 실시예의 변형예에 있어서의 수평 상태로 유지한 기판에 대한 성막을 행하는 장치 구성에 있어서의 증발원의 이동과 증발원의 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 수단 관계를 나타내는 사시도이다. 본 도에서는, 기판이 배열되는 방향과 동일 방향으로 증발원을 주사한다.
도 26은, 본 발명의 제4 실시예의 변형예에 있어서의 수평 상태로 유지한 기판에 대하여 기판이 배열되는 방향으로 증발원을 주사하여 성막을 행하는 경우에서의 증발원의 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 수단을 나타내는 평면도이다.
도 27은, 본 발명의 제4 실시예에 있어서의 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 수단으로 얻어진 정보로부터 히터 제어를 행하는 경우의 동작 흐름을 나타내는 도이다. 증발원측이 이동하여 각 노즐의 증착 재료 가스의 방출 상태를 검출하는 경우를 나타낸다.1 is a diagram illustrating a schematic configuration of an organic EL device manufacturing apparatus.
2 is a view for explaining the schematic diagram and the operation of the configuration of the transfer chamber and the processing chamber in the first embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating a shadow mask.
4 is a diagram showing the positional relationship between an evaporation source, a substrate, and a film thickness monitor in the first embodiment of the present invention.
Fig. 5 is a diagram showing the positional relationship between the evaporation source, the film thickness monitor and the shutter in the first embodiment of the present invention.
6 is a graph showing an example of the output of the film thickness monitor.
7 is a flowchart for explaining the operation of the vapor deposition processing of the substrate in the first embodiment of the present invention.
8 is a view for explaining the schematic diagram and the operation of the configuration of the transfer chamber and the processing chamber in the second embodiment of the present invention.
Fig. 9 is a diagram showing the positional relationship between an evaporation source, a substrate, and a film thickness monitor in the second embodiment of the present invention.
Fig. 10 is a diagram for explaining the positional relationship between the left and right deposition positions, the evaporation source, the substrate, and the film thickness monitor in the second embodiment of the present invention.
Fig. 11 is a flowchart for explaining the vapor deposition processing operation of the substrate in the second embodiment of the present invention.
12 is a diagram for explaining the schematic diagram and the operation of the configuration of the transfer chamber and the processing chamber in the third embodiment of the present invention.
Fig. 13 is a perspective view showing a schematic configuration of a structure inside the processing chamber of the cluster formation film device according to the third embodiment of the present invention and a means for detecting the release state of the vapor deposition material gas of each nozzle of the evaporation source.
Fig. 14 is a diagram showing an example of a nozzle form of an evaporation source having nozzles arranged on the line of the evaporation source in the third embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a cross-sectional view for explaining a schematic configuration of a means for detecting a release state of a vapor deposition material gas of each nozzle of an evaporation source in a third embodiment of the present invention. FIG.
Fig. 16 shows an example of the detection result obtained by the means for detecting the release state of the vapor deposition material gas of each nozzle in the third embodiment of the present invention. As an example of surrounding the film thickness monitor with a shielding plate, a graph showing an example of normal and abnormal cases is shown in correspondence with a heater.
Fig. 17 shows an example of detection results obtained by means for detecting the release state of the vapor deposition material gas of each nozzle in the third embodiment of the present invention. As an example in which the periphery of the film thickness monitor is not surrounded by a shielding plate, a graph showing an example of normal and abnormal cases is shown in correspondence with a heater.
Fig. 18 is a diagram showing an operation flow in the case of performing heater control from information obtained by the means for detecting the release state of the vapor deposition material gas of each nozzle in the third embodiment of the present invention. The case where the film thickness monitor side moves and detects the release state of the vapor deposition material gas of each nozzle is shown.
Fig. 19 is a graph showing an example of a detection result obtained by means for detecting the release state of the vapor deposition material gas of each nozzle when the nozzle of the evaporation source in the third embodiment of the present invention is a hole shape and a slit shape; Is a diagram corresponding to a heater.
FIG. 20 is a view showing an operation flow in the case of detecting a nozzle clogging of an evaporation source from information obtained by means for detecting the release state of the vapor deposition material gas of each nozzle in the third embodiment of the present invention and outputting an alarm; to be. The case where the evaporation source side moves and detects the release state of the vapor deposition material gas of each nozzle is shown.
Fig. 21 is a diagram showing the operational flow of the configuration method at the time of replacing the crystal oscillator in the third embodiment of the present invention.
Fig. 22 is a block diagram showing a schematic configuration of an apparatus configuration in the case of forming a film on a substrate held in a horizontal state in a fourth embodiment of the present invention.
Fig. 23 is a relation of means for detecting the movement of the evaporation source and the evaporation state of the vapor deposition material gas in each nozzle of the evaporation source in the apparatus configuration for forming the film on the substrate held in the horizontal state in the fourth embodiment of the present invention. It is a perspective view showing. In this figure, the evaporation source is scanned in a direction perpendicular to the direction in which the substrates are arranged.
Fig. 24 shows the deposition material gas of each nozzle of the evaporation source in the case where film formation is performed by scanning the evaporation source in a direction perpendicular to the direction in which the substrates are arranged with respect to the substrate held in the horizontal state in the fourth embodiment of the present invention. It is a top view which shows a means of detecting a discharge state.
Fig. 25 is a graph illustrating the movement of an evaporation source and the release state of the vapor deposition material gas of each nozzle of the evaporation source in the apparatus configuration for forming a film on a substrate held in a horizontal state in a modification of the fourth embodiment of the present invention. It is a perspective view showing a means relationship. In this figure, the evaporation source is scanned in the same direction as the direction in which the substrates are arranged.
Fig. 26 is a view showing the release of the vapor deposition material gas of each nozzle of the evaporation source in the case where film formation is performed by scanning the evaporation source in the direction in which the substrates are arranged with respect to the substrate held in the horizontal state in the modification of the fourth embodiment of the present invention. It is a top view which shows a means for detecting a state.
Fig. 27 is a diagram showing an operation flow in the case of performing heater control from information obtained by the means for detecting the release state of the vapor deposition material gas of each nozzle in the fourth embodiment of the present invention. The case where the evaporation source side moves and detects the release state of the vapor deposition material gas of each nozzle is shown.

본 발명의 특징 및 장점은 첨부 도면에 도시된 바와 같은 본 발명의 양호한 실시예에 대한 이어지는 구체적인 설명으로부터 더 명백해 질 것이다.The features and advantages of the invention will become more apparent from the following detailed description of the preferred embodiments of the invention as shown in the accompanying drawings.

본 발명에 관한 진공 증착 장치의 일례로서, 유기 EL 디바이스의 제조에 적용한 예를 설명한다. 유기 EL 디바이스의 제조 장치는, 양극 위에 정공 주입층이나 정공 수송층, 발광층(유기막층), 음극 밑에 전자 주입층이나 수송층 등 다양한 재료의 박막층을 진공 증착에 의해 다층 적층하여 형성하는 장치이다. 본 발명에 관한 유기 EL 디바이스 제조 장치는, 진공 증착부에 선 상에 배치한 복수의 노즐을 통해 재료를 증발시키는 증발원과, 당해 증발원의 각 노즐의 처리실 내부에 대한 상기 재료 가스의 방출 상태를 모니터하는 모니터 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.As an example of the vacuum vapor deposition apparatus which concerns on this invention, the example applied to manufacture of organic electroluminescent device is demonstrated. An apparatus for producing an organic EL device is a device for forming a thin film layer of various materials such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer (organic film layer), and an electron injection layer or a transport layer on a cathode by vacuum vapor deposition. The organic electroluminescent device manufacturing apparatus which concerns on this invention monitors the evaporation source which evaporates material through the some nozzle arrange | positioned on a vacuum vapor deposition part, and the discharge state of the said material gas with respect to the inside of the process chamber of each nozzle of the said evaporation source. It characterized by comprising a monitor means to.

이하에, 본 발명의 실시예를 도면을 이용하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the Example of this invention is described using drawing.

<제1 실시예><First Embodiment>

도 1은, 제1 실시예에 관한 유기 EL 디바이스 제조 장치 구성의 일 예를 나타내는 것이다. 본 실시형태에 있어서의 유기 EL 디바이스 제조 장치(100)는, 대별하여 처리 대상의 기판(6)을 반입하는 로드 클러스터(3), 상기 기판(6)을 처리하는 4개의 처리 클러스터(A~D), 인접하는 각 처리 클러스터(A~D)간 또는 처리 클러스터(A)와 로드 클러스터(3) 혹은 다음 공정(실드 공정)과의 사이에 설치된 5개의 수수실(4a~e)을 구비하여 구성되어 있다.1 shows an example of the configuration of an organic EL device manufacturing apparatus according to the first embodiment. The organic electroluminescent device manufacturing apparatus 100 in this embodiment divides into the load cluster 3 which carries in the board | substrate 6 of a processing object, and the four processing clusters A-D which process the said board | substrate 6. And five sorghum chambers 4a to e provided between adjacent processing clusters A to D or between the processing cluster A and the load cluster 3 or the next process (shield process). It is.

로드 클러스터(3)는, 전후로 진공을 유지하기 위하여 게이트 밸브(10)를 가지는 로드 실(31)과 로드 실(31)로부터 기판(6)을 받아, 선회해서 수수실(4a)에 기판(6)을 반입하는 반송 로봇(5R)을 구비하고 있다. 각 로드 실(31) 및 각 수수실(4)은 전후로 게이트 밸브(10)를 가지며, 당해 게이트 밸브(10)의 개폐를 제어하여 진공을 유지하면서(진공을 유지하기 위한 수단, 예를 들면 진공 배기 펌프의 도면은 생략), 로드 클러스터(3) 혹은 다음의 클러스터 등에 기판을 수수한다.The rod cluster 3 receives the board | substrate 6 from the rod chamber 31 which has the gate valve 10, and the rod chamber 31 in order to hold | maintain a vacuum back and forth, and turns to the board | substrate 6 to the receiving chamber 4a. ) Is provided with a transfer robot 5R. Each rod chamber 31 and each receiving chamber 4 have a gate valve 10 back and forth, while controlling the opening and closing of the gate valve 10 to maintain a vacuum (means for maintaining a vacuum, for example, a vacuum). The drawings of the exhaust pump are omitted), the substrate is delivered to the load cluster 3 or the following cluster.

각 클러스터(A~D)는, 반송 로봇(5a~d)을 구비한 반송실(2a~d)과, 반송 로봇(5a~d)으로부터 기판을 받아 소정의 처리를 행하는 도면 상에서 상하로 배치된 2개의 처리실(1a~d, u 또는 d)(제1의 첨자 a~d는 클러스터를 나타내고, 제2의 첨자 u, d는 상측 하측을 나타냄)을 갖는다. 각 반송실(2a~d)과 각 처리실(1a~d, u 또는 d)의 사이에는, 각각 게이트 밸브(10)가 설치되어 있다.Each cluster A-D is arrange | positioned up and down on the conveyance chambers 2a-d provided with the conveyance robots 5a-d, and the figure which receives a board | substrate from the conveyance robots 5a-d, and performs a predetermined process. It has two process chambers 1a-d, u, or d (1st subscript a-d represents a cluster, and 2nd subscript u, d represents an upper lower side). Gate valve 10 is provided between each conveyance chamber 2a-d and each process chamber 1a-d, u, or d, respectively.

도 2는, 제1 실시예에 기초하는 반송실(2)과 처리실(1)의 내부 구성의 개요를 나타낸다. 처리실(1)의 구성은 처리 내용에 따라 다르지만, 발광 재료를 증착하여 EL층을 형성하는 진공 증착을 행하는 처리실(1bu)을 예로 들어서 설명한다. 반송실(2b)의 내부에 설치된 반송 로봇(5b)은, 좌우로 선회가능한 구조의 암(51)을 가지며, 그 선단부에는 기판 반송용의 빗살 형상 핸드(52)를 장착하고 있다.2 shows an outline of the internal configuration of the transfer chamber 2 and the processing chamber 1 based on the first embodiment. Although the structure of the process chamber 1 changes with process contents, it demonstrates using the process chamber 1bu which carries out the vacuum deposition which vapor-deposits a luminescent material and forms an EL layer. The transfer robot 5b provided inside the transfer chamber 2b has an arm 51 having a structure capable of turning left and right, and a comb-shaped hand 52 for transferring the substrate is attached to the tip end thereof.

한편, 처리실(1bu)은, 도 4의 (a) 및 (b)에 나타내는 바와 같이, 대별하여 발광 재료를 증발시켜 기판(6)에 증착시키는 증발원부(71)와 상기 증발원부(71)를 기판 유지 수단(82)에 의해 수직으로 유지된 기판(6)을 따라 기판(6)과 평행하게 상하 방향으로 구동시키는 상하 구동부(72)와, 기판(6)의 필요한 부분에 발광 재료를 증착시키는 새도우 마스크(81)와, 기판(6)을 반송 로봇(5b)과의 사이에서 수수하는 빗살 형상 핸드(94)와, 빗살 형상 핸드(94)로 받은 기판(6)을 선회시켜 직립시켜서 기판 유지 수단(82)으로 이동시키는 기판 선회 수단(93)을 구비하고 있다. 그리고, 진공 증착을 실시할 때에는, 도시하지 않은 진공 배기 펌프에 의해 처리실(1bu)의 내부는 10-3~10-4Pa 정도의 고진공 상태로 유지된다.On the other hand, as shown in Figs. 4A and 4B, the processing chamber 1bu roughly separates the evaporation source portion 71 and the evaporation source portion 71 which evaporate the luminescent material and deposit them on the substrate 6. A vertical driving unit 72 for driving in the vertical direction parallel to the substrate 6 along the substrate 6 held vertically by the substrate holding means 82, and for depositing a light emitting material on the required portion of the substrate 6; Hold the substrate by turning the shadow mask 81, the comb-shaped hand 94 which receives the board | substrate 6 between the conveyance robot 5b, and the board | substrate 6 which received the comb-shaped hand 94 by standing upright. Substrate turning means 93 for moving to the means 82 is provided. And when performing vacuum evaporation, the inside of the process chamber 1bu is maintained by the vacuum exhaust pump not shown in the high vacuum state about 10 <-3> -10 <-4> Pa.

또한, 도 2에서는 생략하고 있지만, 반송실(2b)과 처리실(1bu)은 개폐가능한 게이트 밸브(10)로 구획되어 있으며, 반송실(2b)과 처리실(1bu) 사이의 기판(6)의 수수는, 진공으로 배기된 상태에서 행하여진다.In addition, although abbreviate | omitted in FIG. 2, the conveyance chamber 2b and the process chamber 1bu are partitioned by the gate valve 10 which can be opened and closed, and the transfer of the board | substrate 6 between the conveyance chamber 2b and the process chamber 1bu is carried out. Is performed in a state evacuated by vacuum.

도 3에 새도우 마스크(81)의 구성을 나타낸다. 새도우 마스크(81)는, 마스크(81M), 프레임(81F)을 구비하여 구성된다. 도시하지 않은 정렬 마크 검출 수단으로 기판 상에 형성된 정렬 마크(84)의 위치와 새도우 마스크(81)의 창(85)의 위치를 검출하여, 기판 유지 수단(82)에 고정된 정렬 구동부(83)로 마스크(81M)에 형성된 창(85)(도 2 참조)을 기판(6) 상에 형성된 정렬 마크(84)에 위치 맞춤한다.The structure of the shadow mask 81 is shown in FIG. The shadow mask 81 is provided with the mask 81M and the frame 81F. The alignment driver 83 fixed to the substrate holding means 82 by detecting the position of the alignment mark 84 formed on the substrate and the position of the window 85 of the shadow mask 81 by the alignment mark detecting means (not shown). The window 85 (see FIG. 2) formed in the furnace mask 81M is aligned with the alignment mark 84 formed on the substrate 6.

도 4는, 증발원부(71)와 기판 유지 수단(82)에 의해 수직으로 유지된 기판(6) 및 새도우 마스크(81)의 관계를 설명하는 도이다. 도 4의 (b)는, 도 4의 (a)에 있어서 화살표 B의 방향에서 본 도면이다.4 is a view for explaining the relationship between the substrate 6 and the shadow mask 81 held vertically by the evaporation source portion 71 and the substrate holding means 82. FIG. 4B is a view seen from the direction of arrow B in FIG. 4A.

상하 구동 수단(72)은, 증발원부(71)을 한 쌍의 가이드 축(76)을 따라 상하 방향으로 이동시키는 것이며, 대기측에 설치된 구동 모터(72M), 동 모터(72M)에 의해 회전 구동되어, 처리실(1bu)의 벽면(1buw)에 형성된 시일부(72S)에 진공 시일된 회전부(72C), 회전부(72C)에 고정되어, 회전부(72C)에 동기하여 회전하는 볼 나사(72P), 증발원부(71)에 고정되어 볼 나사(72P)의 회전에 의해 증발원부(71)를 상하 이동시키는 너트(72K) 및 상기 상하 이동시에 증발원부(71)의 한 쌍의 가이드 축(76) 상 주행을 안내하는 안내 가이드(72G)를 구비하고 있다. 한 쌍의 가이드 축(76)은, 일단부를 처리실(1bu)의 벽면(1buw)으로, 타단부를 지지판(78)으로 지지하고 있다.The vertical drive means 72 moves the evaporation source part 71 along the pair of guide shafts 76 in the vertical direction, and is driven to rotate by the drive motor 72M and the copper motor 72M provided on the atmospheric side. Ball screw 72P which is fixed to the rotating part 72C, the rotating part 72C vacuum-sealed to the sealing part 72S formed in the wall surface 1buw of the processing chamber 1bu, and rotates in synchronization with the rotating part 72C, A nut 72K fixed to the evaporation source portion 71 to move the evaporation source portion 71 up and down by the rotation of the ball screw 72P, and on a pair of guide shafts 76 of the evaporation source portion 71 during the vertical movement. A guide guide 72G for guiding the running is provided. The pair of guide shafts 76 supports one end portion on the wall surface 1buw of the processing chamber 1bu and the other end portion on the support plate 78.

증발원부(71)는 n개의 증발원(71a~n)[개수 n은 기판(6)의 폭방향 치수에 따라서 정한다. n이 1인 경우도 포함함]을 가지며, 각 증발원(71a~n)은 내부에 증착 재료(71Z)를 수납하고, 이 수납된 증착 재료(71Z)를 외부로부터 가열하는 히터(71H), 증발 온도를 검지하는 온도 센서(71S)를 가지며, 제어장치(50)는, 온도 센서(71S)로 증발 온도를 검지한 출력을 모니터하여 소정의 증착 속도가 얻어지도록 히터(71H)를 제어한다. 온도로 증발 속도를 제어하는 것 이외에는, 막두께 모니터(20)로 검지하는 기화한 증착 재료(71Z)의 방출량의 값에 기초하여 히터(71H)의 출력을 직접 제어해도 좋다. 도 2의 화살표로 끌어낸 확대도에서 나타내는 바와 같이, 증발원부(71)에는 각 증발원(71a~n)에 대응하는 노즐(73a~n)이 라인 형상으로 배열되어 있고, 가열되어 기화한 증착 재료(71Z)를 그 노즐(73a~n)로부터 처리실(1bu)의 내부에 방출하고, 증발원부(71)와 대향하여 수직으로 유지되어 있는 기판(6)의 표면에 새도우 마스크(81)를 통해 증착시킨다. 필요에 따라서는, 증착 막의 특성을 향상시키기 위하여 도펀트 재료도 동시에 가열하여 증착시키는 것도 가능하다. 이 경우, 복수의 증발원을 각 증발원(71a~n)에 대하여 상하로 평행하게 배열된 구성으로 하면 좋다.The evaporation source part 71 defines n evaporation sources 71a to n (the number n is determined according to the width direction dimension of the substrate 6). also includes a case where n is 1, wherein each of the evaporation sources 71a to n contains a vapor deposition material 71Z therein, and a heater 71H for evaporating the stored vapor deposition material 71Z from the outside and evaporation. It has a temperature sensor 71S which detects a temperature, and the control apparatus 50 monitors the output which detected the evaporation temperature with the temperature sensor 71S, and controls the heater 71H so that a predetermined | prescribed deposition rate can be obtained. Aside from controlling the evaporation rate by temperature, the output of the heater 71H may be directly controlled based on the value of the discharge amount of the vaporized vapor deposition material 71Z detected by the film thickness monitor 20. As shown in the enlarged drawing drawn by the arrow of FIG. 2, in the evaporation source part 71, the nozzles 73a-n corresponding to each evaporation source 71a-n are arranged in line shape, and the vaporization material heated and vaporized 71Z is discharged from the nozzles 73a to n into the process chamber 1bu, and is deposited on the surface of the substrate 6 held perpendicularly to the evaporation source portion 71 through the shadow mask 81. Let's do it. If necessary, the dopant material may also be heated and deposited at the same time in order to improve the properties of the deposited film. In this case, what is necessary is just to make it the structure arrange | positioned in parallel up and down with respect to each evaporation source 71a-n.

진공 내 배선·배관 기구(40)는, 일단부가 처리실(1bu)의 벽(1buw)에 회전가능하며 대기 분위기에 개방된 상태로 고정된 중공(中空)의 제1 링크(41), 일단부가 상기 제1 링크(41)의 타단부에 회전가능하게 접속되고, 타단부가 회전가능하게 고정된 중공의 제2 링크(42)로 구성된 링크 구조를 갖는다. 중공의 링크 내에는, 상술한 히터(71H)에 대한 전원선 및 온도 센서(71S)의 신호선 등의 배선(44)이 설치되어 있다. 진공내 배선·배관 기구(40)는, 증발원부(71)의 상하 방향으로의 이동에 따라 양 링크(41, 42)가 회동함으로써, 상기 신호선, 전원선의 배선을 안정적으로 목적 위치에 접속한 상태를 유지하는 것이 가능하다.The vacuum wiring / piping mechanism 40 has a hollow first link 41 whose one end is rotatable to the wall 1buw of the processing chamber 1bu and is fixed in an open air atmosphere. It has a link structure composed of a hollow second link 42 rotatably connected to the other end of the first link 41 and rotatably fixed to the other end. In the hollow link, wirings 44 such as a power supply line to the heater 71H and a signal line of the temperature sensor 71S are provided. In the vacuum wiring / piping mechanism 40, both links 41 and 42 rotate as the evaporation source portion 71 moves up and down, whereby the wiring of the signal line and the power line is stably connected to the target position. It is possible to keep it.

이러한 구성에 있어서, 도 5에 나타내는 바와 같이, 증발원부(71)는 진공 증착을 개시하기 전에 하강 단부의 대기 위치(WSl)에서 셔터(74)를 열고[셔터(74)의 개폐 기구를 생략함], 지지 블록(22, 23)으로 지지되어 있는 수평 방향의 가이드(21)를 따라 이동가능한 지지체(25)에 장착된 막두께 모니터(20)를 구동부(24)에서 구동하여 라인 형상으로 배열된 증발원부(71)의 복수의 증발원(71a~n)의 노즐(73a~n)을 따라 일정한 속도로 이동(스캔)하여 증발량을 모니터하고, 이 모니터한 신호를 제어부(50)에 보낸다.In this configuration, as shown in Fig. 5, the evaporation source portion 71 opens the shutter 74 at the standby position WSl at the lower end before starting the vacuum deposition (the opening and closing mechanism of the shutter 74 is omitted). ], The film thickness monitor 20 mounted on the support 25 movable along the horizontal guide 21 supported by the support blocks 22 and 23 is arranged in a line shape by driving from the driver 24. The evaporation amount is monitored by moving (scanning) at a constant speed along the nozzles 73a to n of the plurality of evaporation sources 71a to n of the evaporation source 71, and sending the monitored signal to the controller 50.

막두께 모니터(20)는 수정 진동자에 부착된 성막 재료의 퇴적량에 따른 주파수 변화에 기초하여 성막 레이트를 검출하는 것이다. 막두께 모니터(20)의 검출면(28)은, 증발원부(71)에 대한 기판 유지 수단(82)에 의해 수직으로 유지된 기판(6)의 표면에 대응하는 위치와 동일한 평면내[증발원부(71)와 기판(6)의 간격과 동일한 간격]에 있도록 설치되고, 기판(6)의 표면에 대응하는 위치의 증착 레이트(단위 시간당 증착한 막의 두께)의 증발원부(71)의 길이 방향[노즐(73a~n)의 배열 방향]의 분포를 검출할 수 있도록 되어 있다.The film thickness monitor 20 detects the film formation rate based on the frequency change according to the deposition amount of the film formation material attached to the crystal oscillator. The detection surface 28 of the film thickness monitor 20 is in the same plane as the position corresponding to the surface of the substrate 6 held vertically by the substrate holding means 82 relative to the evaporation source portion 71 (evaporation source portion). The same distance as that between the 71 and the substrate 6], and the evaporation source portion 71 in the longitudinal direction of the deposition rate (thickness of the film deposited per unit time) at a position corresponding to the surface of the substrate 6; Distribution of the nozzles 73a to n] can be detected.

제어부(50)에서는, 막두께 모니터(20)로 검출한 각 노즐(73a~n)로부터의 증발량에 대응한 기판 표면 위치에 있어서의 성막 레이트를 분석하여, 각 노즐(73a~n)로부터의 증발 상태를 체크하고, 다른 것에 비해 검출 신호가 작은 노즐을 특정하거나, 모든 노즐로부터의 검출 신호 레벨을 미리 설정한 기준 레벨과 비교하여 증발량의 과다를 체크할 수 있다.The control part 50 analyzes the film-forming rate in the board | substrate surface position corresponding to the evaporation amount from each nozzle 73a-n detected by the film thickness monitor 20, and evaporates from each nozzle 73a-n. The state can be checked, and a nozzle having a smaller detection signal compared to the other can be specified, or the excess amount of evaporation can be checked by comparing the detection signal level from all the nozzles with a preset reference level.

도 6의 (a)~(c)에 막두께 모니터(20)에 의해 검출되는 신호의 예로서, 막두께 모니터(20)의 위치와 증착 레이트와의 관계를 나타낸다. 도 6의 (a)는, 각 위치에서 증착 레이트가 일정하고, 게다가 기준 범위의 상한치(Ru)와 하한치(Rl)의 사이에 들어 있으며, 이 경우에는 증착이 정상적으로 실시되는 것을 나타내고 있다. 도 6의 (b)는, 임의의 위치로부터 증착 레이트가 저하하고 있으며, 복수의 증발량이 저하하고 있는 것을 나타낸다. 이는, 증발원(71a~n)을 복수의 블록으로 나누어서 각 블록 단위마다 히터(71H)로 가열하는 구성으로 한 경우에 일어날 수 있는 케이스이다. 이 경우에는, 대응하는 블록의 온도를 온도 센서(71S)로 확인하면서 그 블록을 가열하는 히터(71H)에 인가하는 전압을 제어하여 증착 레이트가 상기한 기준 범위(Ru)와 기준 범위(Rl)의 사이에 들어가도록 조정하면 된다. 또한, 도 6의 (c)는 복수의 증발원(71a~n) 중 하나로부터의 증발량이 다른 것에 비해 저하하고 있는 상태를 나타내고 있으며, 대응하는 증발원(71X)을 특정하여 노즐(73)의 막힘인지 가열 온도의 이상인지 원인을 구명하여 그 대책을 찾으면 된다.6A to 6C show the relationship between the position of the film thickness monitor 20 and the deposition rate as an example of the signal detected by the film thickness monitor 20. FIG. 6A shows that the deposition rate is constant at each position, and is contained between the upper limit Ru and the lower limit Rl of the reference range. In this case, the deposition is normally performed. 6B shows that the deposition rate is lowered from any position, and the plural evaporation amounts are lowered. This is a case that may occur when the evaporation sources 71a to n are divided into a plurality of blocks and configured to be heated by the heater 71H for each block unit. In this case, while checking the temperature of the corresponding block with the temperature sensor 71S, the voltage applied to the heater 71H for heating the block is controlled so that the deposition rate is set to the reference range Ru and the reference range Rl. You can adjust it so that it falls in between. 6C shows a state in which the amount of evaporation from one of the plurality of evaporation sources 71a to n is lower than the other, and whether the nozzle 73 is clogged by specifying the corresponding evaporation source 71X. What is necessary is to find out the cause of abnormality of heating temperature, and to find the countermeasure.

도 6의 (b) 및 (c)의 예에서는, 증착 레이트가 하한치(Rl)보다도 저하하는 이상 상태로 예를 나타냈지만, 증착 레이트가 상한치(Ru)보다도 상승하는 이상 상태가 발생한 경우에도, 상기와 마찬가지의 방법으로 대처하면 된다.In the examples of FIGS. 6B and 6C, the example is shown in an abnormal state in which the deposition rate is lower than the lower limit Rl. However, even when an abnormal state occurs in which the deposition rate is higher than the upper limit Ru, You can do this in the same way.

즉, 본 실시예에 따르면, 기화한 증착 재료의 각각의 노즐(73a~n)로부터 처리실 내부로의 방출 상태를 체크할 수 있으므로, 보다 세밀한 증착 레이트의 제어, 즉, 기판 상에 성막되는 박막의 막두께 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다.That is, according to the present embodiment, since the discharge state from each nozzle 73a to n of the vaporized vapor deposition material can be checked into the process chamber, more precise control of the deposition rate, that is, the thin film deposited on the substrate The uniformity of the film thickness distribution can be improved.

막두께 모니터(20)를 스캔시켜서 증발원(71a~n)으로 기화한 증착 재료의 노즐(73a~n)로부터 처리실 내부로의 방출 상태를 체크하고, 이상이 없는 것을 확인한 후, 상하 구동 수단(72)으로 증발원부(71)를 일정한 속도로 상승시키고, 대향하는 면에 설치된 기판(6) 상에 새도우 마스크(81)를 통해 발광 재료를 증착시킨다. 증발원부(71)는, 대향하는 기판(6)을 넘어 상승 단부의 대기 위치(WSu)에 이르러, 전면이 셔터(75)로 덮힌 상태에서 다음 기판에 대한 증착의 개시를 기다린다.After scanning the film thickness monitor 20 and checking the discharge | release state to the inside of a process chamber from the nozzles 73a-n of the vapor deposition material vaporized with the evaporation sources 71a-n, after confirming that there is no abnormality, the up-and-down drive means 72 The evaporation source portion 71 is raised at a constant speed, and a light emitting material is deposited through the shadow mask 81 on the substrate 6 provided on the opposite surface. The evaporation source portion 71 reaches the standby position WSu at the rising end beyond the opposing substrate 6 and waits for the start of deposition on the next substrate with the front surface covered with the shutter 75.

본 실시예에 있어서는, 막두께 모니터(20)를 증발원부(71)의 하강 단부측의 대기 위치(WSL)에만 설치하고 있기 때문에, 증발원부(71)가 상승 단부측의 대기 위치(WSu)로부터 하강을 개시할 때에는 증발량의 모니터는 행하지 않는다.In the present embodiment, since the film thickness monitor 20 is provided only in the standby position WSL on the lower end side of the evaporation source portion 71, the evaporation source portion 71 is located from the standby position WSu on the rising end side. When starting to descend, the evaporation amount is not monitored.

도 7은, 이러한 구성에 의한 처리실(1)의 처리 흐름을 나타낸 도이다. 본 실시 형태에서의 처리의 기본적인 사고방식으로서, 기판의 증착면을 상면으로 하여 반송하고, 상면 반송된 기판(6)을 수직으로 세워 정렬부(8)로 반송하여 증착한다. 반송시 기판(6)의 하면이 증착면이라면 반전시킬 필요가 있지만, 상면이 증착면이기 때문에 수직으로 세우는 것으로 충분하다.7 is a diagram illustrating a process flow of the process chamber 1 having such a configuration. As a basic idea of the processing in this embodiment, the substrate is transported with the deposition surface of the substrate as the upper surface, and the substrate 6 conveyed with the upper surface is placed vertically and transported to the alignment unit 8 for deposition. If the lower surface of the substrate 6 is a vapor deposition surface at the time of conveyance, it is necessary to invert it, but it is sufficient to stand vertically because the upper surface is a vapor deposition surface.

우선, 기판(6)을 반입하고(S701), 기판(6)을 수직으로 세워서 정렬부(8)로 이동하고(S702), 기판(6)과 새도우 마스크(81)의 위치 맞춤을 행한다(S703). 이때, 기판(6)은 증착면을 위로 하여 반송되므로, 수직으로 세워서 바로 위치 맞춤을 행할 수 있다. 위치 맞춤은, 도 2의 화살표로 끌어낸 확대도에 나타내는 바와 같이, CCD 카메라(도시 생략)로 촬상하여, 기판(6)에 형성된 정렬 마크(84)가 마스크(81M)에 설치된 창(85)의 중심에 오도록, 새도우 마스크(81)를 상기 정렬 구동부(83)로 제어함으로써 행한다. 창(85)의 크기는, 예를 들면 폭 50㎛, 높이 150㎛ 정도이다. 마스크(81M)의 두께는 40㎛이며, 앞으로 더욱 얇아질 경향이다.First, the board | substrate 6 is carried in (S701), the board | substrate 6 is vertically moved to the alignment part 8 (S702), and the board | substrate 6 and the shadow mask 81 are aligned (S703). ). At this time, since the board | substrate 6 is conveyed with the vapor deposition surface facing upward, it can vertically perform alignment immediately. As shown in the enlarged view drawn out by the arrow of FIG. 2, the alignment is image | photographed with a CCD camera (not shown), and the window 85 in which the alignment mark 84 formed in the board | substrate 6 was provided in the mask 81M is shown. The shadow mask 81 is controlled by the alignment driver 83 so as to be at the center of the. The size of the window 85 is about 50 micrometers in width, and about 150 micrometers in height, for example. The thickness of the mask 81M is 40 mu m, and tends to be thinner in the future.

기판(6)이 반입되어 있는 동안에, 증발원부(71)는 하강 단부의 대기 위치(WSL)로 물러나 있고, 각 노즐(73a~n) 앞은 셔터(74)로 덮혀 있다. 다음으로, 기판(6)의 위치 맞춤을 개시하면, 셔터(74)가 열리고(S704), 각 증발원(71a~n)으로부터 증발한 증착 재료가 각 노즐(73a~n)로부터 처리실(1)의 내부로 방출된다.While the board | substrate 6 is carried in, the evaporation source part 71 is backed off to the standby position WSL of a falling edge part, and each nozzle 73a-n is covered with the shutter 74 in front. Next, when positioning of the board | substrate 6 is started, the shutter 74 will open (S704), and the vapor deposition material which evaporated from each evaporation source 71a-n will be removed from each nozzle 73a-n of the process chamber 1, and will be performed. Is released into the interior.

이 상태에서 막두께 모니터(20)가 각 노즐(73a~n)을 따라 스캔을 개시하고(S705), 기판(6)의 표면에 대응하는 각 위치의 증착 레이트를 모니터하여 각 노즐(73a~n)로부터 처리실 내부로의 기화한 증착 재료의 방출 상태를 검출한다(S706). 막두께 모니터(20)의 스캔이 종료하면(S707), 제어부(50)에서 각 노즐(73a~n) 및 전체의 증착 레이트를 체크하고(S708), 이상이 있는 경우에는 원인이 노즐(73a~n)의 막힘인지 히터(71H)의 인가 전압 이상인지를 판단하여(S709), 히터(71H)의 인가 전압 이상인 경우에는, 히터(71H)의 인가 전압에 피드백하고(S710), S705로 돌아가서 다시 막두께 모니터 이동을 개시한다. 한편, 노즐(73a~n)의 막힘인 경우에는, 경보를 울려 이상을 알린다(S711). In this state, the film thickness monitor 20 starts scanning along each nozzle 73a-n (S705), monitors the deposition rate of each position corresponding to the surface of the board | substrate 6, and monitors each nozzle 73a-n ), The release state of the vaporized vapor deposition material into the process chamber is detected (S706). When scanning of the film thickness monitor 20 ends (S707), the control part 50 checks each nozzle 73a-n and the deposition rate of the whole (S708), and when there is an abnormality, the cause is a nozzle 73a- It is determined whether the blockage of n) is equal to or higher than the voltage applied to the heater 71H (S709), and when the voltage is equal to or higher than the voltage applied to the heater 71H, the feedback is fed back to the applied voltage of the heater 71H (S710), and the process returns to S705 again. The film thickness monitor starts moving. On the other hand, when the nozzles 73a to n are clogged, an alarm is sounded to inform the abnormality (S711).

막두께 모니터(20)에 의한 각 노즐(73a~n)로부터의 증발량의 체크와, 새도우 마스크(81)와 기판(6)의 위치 맞춤이 종료하면, 셔터(74)를 닫고(S712), 상하 구동 수단(72)으로 구동하여 증발원부(71)의 상방 이동을 개시하고(S713), 증발원부(71)를 일정한 속도로 이동시키면서 증발시킨 증발 재료(71Z)를 각 노즐(73a~n)로부터 처리실(1)의 내부로 방출시켜 새도우 마스크(81)을 풀고 기판 상에 증착시켜서 박막을 형성한다(S714). 증발원부(71)이 상단부까지 달하면, 증발원부(71)의 상승이 정지하고(S715), 기판(6)의 증착을 완료하면, 상승 단부의 대기 위치(WSu)에서 증발원부(71)의 각 노즐(73a~n)은 셔터(75)로 덮힌 상태에서 다음 기판에 대한 증착을 시작할 때까지 대기한다. 다음으로, 기판(6)을 처리실(1)로부터 반출하여(S716), 다음의 새로운 기판(6')의 반입을 기다린다.When the checking of the amount of evaporation from the nozzles 73a to n by the film thickness monitor 20 and the alignment of the shadow mask 81 and the substrate 6 are finished, the shutter 74 is closed (S712), and the top and bottom are closed. The drive means 72 is driven to start the upward movement of the evaporation source portion 71 (S713), and the evaporation material 71Z evaporated while the evaporation source portion 71 is moved at a constant speed from each nozzle 73a to n. The shadow mask 81 is released by being discharged into the processing chamber 1 and deposited on the substrate to form a thin film (S714). When the evaporation source portion 71 reaches the upper end portion, the rising of the evaporation source portion 71 stops (S715), and when the deposition of the substrate 6 is completed, the angle of the evaporation source portion 71 at the standby position WSu at the rising end. The nozzles 73a to n are waited until the deposition on the next substrate is started while covered with the shutter 75. Next, the board | substrate 6 is carried out from the process chamber 1 (S716), and waiting for carrying in of the next new board | substrate 6 '.

다음으로, 새로운 기판(6')이 반입되고(S717), 새로운 기판(6')이 수직으로 유지되어(S718), 새도우 마스크와의 위치 맞춤이 완료하면(S719), 상하 구동 수단(72)으로 구동하여 증발원부(71)의 하방으로의 이동을 시작하여(S720), 증발원부(71)를 일정한 속도로 이동시키면서 증발시킨 증발 재료(71Z)를 각 노즐(73a~n)로부터 처리실(1)의 내부로 방출시키고 새도우 마스크(81)를 풀어 기판 상에 증착시켜서 박막을 형성한다(S721). 증발원부(71)가 하단부까지 도달하면, 증발원부(71)의 하강이 정지하여(S722), 새로운 기판(6')의 증착을 완료하고, 증착을 완료한 기판(6')을 반출한다(S723). 여기서, 새로운 기판(6')의 증착을 개시하는 시점에 있어서, 증발원부(71)는 상승 단부측에 있고, 상승 단부측에는 막두께 모니터(20)가 설치되어 있지 않으므로, 증발원부(71)가 하강을 개시하기 전의 각 노즐(73a~n)로부터의 증발량의 모니터는 행하여지지 않는다. 즉, (S704)~(S711)까지의 흐름에 대응하는 처리는 행하여지지 않는다.Next, when a new substrate 6 'is loaded (S717), and the new substrate 6' is held vertically (S718), and the alignment with the shadow mask is completed (S719), the vertical driving means 72 And start the movement of the evaporation source 71 below (S720). The evaporation material 71Z evaporated while moving the evaporation source 71 at a constant speed is processed from each nozzle 73a to n. ) And release the shadow mask 81 to be deposited on the substrate to form a thin film (S721). When the evaporation source portion 71 reaches the lower end portion, the lowering of the evaporation source portion 71 stops (S722), completes the deposition of the new substrate 6 ', and takes out the substrate 6' that has completed the deposition ( S723). Here, since the evaporation source portion 71 is at the rising end side and the film thickness monitor 20 is not provided at the rising end side at the time of starting deposition of the new substrate 6 ', the evaporation source portion 71 is The evaporation amount from each nozzle 73a-n before starting descent is not performed. In other words, processing corresponding to the flow from (S704) to (S711) is not performed.

그 후, 상기 흐름을 반복하여 행한다.Thereafter, the flow is repeated.

이상으로 설명한 실시 형태에 따르면, 기판(6)의 표면에 있어서의 증발원부(71)의 각 노즐(73a~n)의 배열 방향의 증착 레이트 분포를 모니터하여 각 노즐(73a~n)로부터의 증착 물질의 방출량을 조정함으로써, 막두께의 분포가 균일하고 신뢰성이 높은 유기 EL 디바이스 제조 장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment described above, the deposition rate distribution of the arrangement direction of each nozzle 73a-n of the evaporation source part 71 on the surface of the board | substrate 6 is monitored, and vapor deposition from each nozzle 73a-n is carried out. By adjusting the discharge | release amount of a substance, the organic electroluminescent device manufacturing apparatus with uniform distribution of film thickness and high reliability can be provided.

상기의 실시 형태는 모두 기판(6)의 증착면을 위로 하여 반송하는 경우에 대해서 설명했다. 그 밖의 기판의 반송 방법으로는, 증착면을 아래로 하여 반송하는 방법, 기판을 케이스 등에 넣어서 세워서 반송하는 방법이 있다.All the above-mentioned embodiments demonstrated the case where the vapor deposition surface of the board | substrate 6 is conveyed upward. As a conveyance method of another board | substrate, there exist a method of conveying a vapor deposition surface down, and the method of conveying a board | substrate standing up in a case etc ..

그렇지만, 상기한 기판 표면에 대응하는 위치에 있어서의 증착 레이트의 분포를 검출하여 증발원의 각 노즐로부터 방출되는 증착 물질의 방출량을 조정한다는 기본적인 사고방식은, 반송 방법에는 관계가 없으므로, 반송 방법의 여하에 관계없이 본 발명을 적용할 수 있다.However, the basic idea of detecting the distribution of the deposition rate at a position corresponding to the substrate surface described above and adjusting the discharge amount of the vapor deposition material emitted from each nozzle of the evaporation source is irrelevant to the conveying method. Regardless, the present invention can be applied.

또한, 상기 설명에서는 유기 EL 디바이스를 예로 설명했지만, 유기 EL 디바이스와 동일한 배경에 있는 증착 처리를 하는 성막 장치 및 성막 방법에도 적용할 수 있다.In addition, although the organic EL device has been described as an example in the above description, the present invention can also be applied to a film forming apparatus and a film forming method for performing vapor deposition on the same background as the organic EL device.

<제2 실시예>Second Embodiment

제1 실시예에 있어서는, 진공 증착을 행하는 처리실(1bu) 내에서 기판(6)을 1장씩 처리하는 예를 설명했지만, 제2 실시예에 있어서는, 처리실(1bu) 내에 기판 유지 수단(82)을 1쌍 설치하여, 한쪽의 기판 유지 수단(82R)으로 유지한 기판을 처리하고 있는 동안에 다른 기판 유지 수단(82L)에 다른 기판을 세팅하여 새도우 마스크(81)와 기판(6)의 위치 맞춤을 끝마침으로써, 장치의 스루풋을 향상시키는 구성에 대해서 설명한다.In the first embodiment, an example is described in which the substrates 6 are processed one by one in the processing chamber 1bu where vacuum deposition is performed. In the second embodiment, the substrate holding means 82 is placed in the processing chamber 1bu. One pair is provided, and while processing the board | substrate hold | maintained by one board | substrate holding means 82R, another board | substrate is set to the other board | substrate holding means 82L, and the position alignment of the shadow mask 81 and the board | substrate 6 is completed. The configuration for improving the throughput of the apparatus will be described.

제2 실시예에 있어서 제1 실시예와 다른 점은, 처리실(1bu)의 내부에 있어서, 새도우 마스크(81)와 기판 유지 수단(82), 빗살 형상 핸드(94), 기판 선회 수단(93)을 각각 우측 R 라인과 좌측 L 라인의 2계통을 구비하여 구성한 점에 있다.The difference from the first embodiment in the second embodiment is that the shadow mask 81, the substrate holding means 82, the comb-shaped hand 94, and the substrate turning means 93 are provided inside the processing chamber 1bu. It is in the point which comprised two systems of right R line and left L line, respectively.

제1 실시예와 중복하는 부분에 대해서는 설명을 생략하고, 제1 실시예와 다른 점에 대해서 설명한다.The description overlapping with the first embodiment will be omitted, and the difference from the first embodiment will be described.

도 8은, 제2 실시예에 기초하는 반송실과 처리실의 구성의 개요를 나타낸다. 처리실의 구성은 처리 내용에 따라 다르지만, 진공에서 발광 재료를 증착하여 EL층을 형성하는 처리실(1bu)[제2 실시예에 있어서는, 처리실(201)로 표기함]을 예로 들어 설명한다. 반송실(202)의 내부에 설치된 반송 로봇(205)은, 좌우로 선회가능한 구조의 암(251)을 가지며, 그 선단부에는 기판 반송용의 빗살 형상 핸드(252)를 장착하고 있다.8 shows an outline of the configuration of the transfer chamber and the processing chamber based on the second embodiment. Although the configuration of the processing chamber varies depending on the processing contents, the processing chamber 1bu (denoted as the processing chamber 201 in the second embodiment) for depositing a light emitting material under vacuum to form an EL layer will be described as an example. The transfer robot 205 provided inside the transfer chamber 202 has an arm 251 of a structure which can be rotated left and right, and the tip portion is equipped with a comb-shaped hand 252 for substrate transfer.

한편, 처리실(201)의 내부에는, 대별하여 발광 재료를 증발시켜 기판(6)에 증착시키는 증발원부(71)와 상기 증발원부(71)를 기판 유지 수단(82R) 또는 (82L)에 의해 수직으로 유지된 기판(6)을 따라 기판(6)과 평행하게 상하 방향으로 구동시키는 상하 구동부(76)와, 기판(6)의 필요한 부분에 발광 재료를 증착시키는 새도우 마스크(81)와, 기판(6)을 반송 로봇(5)과의 사이에서 수수를 행하는 빗살 형상 핸드(94)와, 빗살 형상 핸드(94)로 받은 기판(6)을 선회시켜서 직립시켜 기판 유지 수단(82)으로 이동시키는 기판 선회 수단(93)과, 증발원부(71)를 L 라인과 R 라인의 사이를 레일(275)을 따라 이동시키는 구동부(276)를 구비하고 있다. 그리고, 진공 증착을 실시할 때에는, 도시하지 않은 진공 배기 펌프에 의해 내부가 10-3~10-4Pa 정도의 고진공 상태로 유지된다.On the other hand, inside the processing chamber 201, the evaporation source portion 71 and the evaporation source portion 71 for evaporating and emitting the luminescent material on the substrate 6 are vertically separated by the substrate holding means 82R or 82L. A vertical driving unit 76 for driving in a vertical direction parallel to the substrate 6 along the substrate 6 held in the form; a shadow mask 81 for depositing a light emitting material on a required portion of the substrate 6; 6) the board | substrate which turns the comb-shaped hand 94 which carries out the hand of the conveyance robot 5, and the board | substrate 6 received by the comb-shaped hand 94, stands up, and moves to the board | substrate holding means 82 The turning means 93 and the drive part 276 which moves the evaporation source part 71 along the rail 275 between the L line and the R line are provided. And when performing vacuum evaporation, the inside is maintained by the high vacuum state of about 10 <-3> -10 <-4> Pa by the vacuum exhaust pump which is not shown in figure.

한편, 도 8에서는 생략하였지만, 반송실(202)과 처리실(201)은 개폐가능한 게이트밸브(10)로 구획되어 있다.In addition, although abbreviate | omitted in FIG. 8, the conveyance chamber 202 and the process chamber 201 are divided into the gate valve 10 which can be opened and closed.

도 9는, 증발부(271)과 기판 유지 수단(282)에 의해 수직으로 유지된 기판(6) 및 새도우 마스크(81)와의 관계를 설명하는 도이다. 도 9의 (b)는, 도 9의 (a)에 있어서 화살표 B의 방향에서 본 도이다. 증발원부(71)는 상하 구동 수단(72)에 의해 한 쌍의 가이드 축(76)을 따라 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.FIG. 9 is a diagram illustrating a relationship between the substrate 6 and the shadow mask 81 held vertically by the evaporator 271 and the substrate holding means 282. FIG. 9B is a view seen from the direction of arrow B in FIG. 9A. The evaporation source portion 71 can be moved in the vertical direction along the pair of guide shafts 76 by the vertical driving means 72.

또한, 도 10에 나타내는 바와 같이, 증발원부(71)는, 좌우 구동 수단(74)에 의해 레일(75)을 따라 좌우의 정렬부 L과 R의 사이를 이동한다. 증발부(271)의 좌우 정렬부 L과 R 사이의 이동 경로의 도중에는, 막두께 모니터(220)가 설치되어 있고, 막두께 모니터(220)의 검출면(221)은, 기판 유지 수단(82R) 또는 (82L)에 의해 수직으로 유지된 기판(6)의 표면과 동일한 평면 내에 있도록 설정되어 있다. 좌우 구동 수단(276)으로 구동되어 레일(275)을 따라 좌우 정렬부 L과 R의 사이를 증발원부(71)가 일정한 속도로 이동할 때에, 라인 형상으로 배열된 증발원(71a~n)의 각 노즐(73a~n)이 막두께 모니터(220)의 직전을 통과하여 각 노즐(73a~n)로부터의 증발량이 막두께의 변화로서 막두께 모니터(220)로 검출되고, 이 검출된 신호는 제어부(250)에 보내진다.10, the evaporation source part 71 moves between the left-right alignment parts L and R along the rail 75 by the left-right drive means 74. As shown in FIG. The film thickness monitor 220 is provided in the middle of the movement path between the left and right alignment parts L and R of the evaporator 271, and the detection surface 221 of the film thickness monitor 220 is the substrate holding means 82R. Or in the same plane as the surface of the substrate 6 held vertically by 82L. Each nozzle of the evaporation sources 71a to n arranged in a line shape when the evaporation source portion 71 moves at a constant speed between the left and right alignment portions L and R along the rails 275 and is driven by the left and right driving means 276. 73a to n pass immediately before the film thickness monitor 220, and the amount of evaporation from each of the nozzles 73a to n is detected by the film thickness monitor 220 as a change in the film thickness, and the detected signal is controlled by the control unit ( 250).

제어부(250)에서는, 막두께 모니터(220)로 검출한 각 노즐(73a~n)로부터의 증발량에 대응한 검출 신호를 분석하여, 각 노즐(73a~n)로부터의 증발의 상태를 체크하고, 다른 것에 비해 검출 신호가 작은 노즐(73)을 특정하거나, 모든 노즐(73)로부터의 검출 신호 레벨을 미리 설정한 기준 레벨과 비교하여 증착량의 과다를 체크할 수 있다.The control part 250 analyzes the detection signal corresponding to the evaporation amount from each nozzle 73a-n detected by the film thickness monitor 220, and checks the state of evaporation from each nozzle 73a-n, Compared with others, the nozzle 73 with a smaller detection signal can be specified, or the excess of the deposition amount can be checked by comparing the detection signal levels from all the nozzles 73 with a preset reference level.

제어부(250)에서 다른 것에 비해 검출 신호가 작은 노즐(73x)을 특정한 경우에는, 증발원부(71)에 있어서의 그 노즐(73x)의 위치를 표시 수단(도시 생략)에 출력한다.When the control part 250 specifies the nozzle 73x whose detection signal is small compared with another, the position of the nozzle 73x in the evaporation source part 71 is output to a display means (not shown).

또한, 모든 노즐(73)에 있어서의 검출 신호 레벨을 미리 설정한 기준 범위와 비교하여 증착 레이트가 기준 범위를 넘었을 때에는, 제어부(250)에서 온도 센서(71S)에 의해 증발 온도를 검지하여 얻은 신호를 모니터하면서 증발원부(71)의 히터(71H)의 인가 전압을 저감시키고, 증발량이 기준 범위 이하인 경우에는, 제어부(50)에서 마찬가지로 온도 센서(71S)에 의해 증발 온도를 검지하여 얻은 신호를 모니터하면서 증발원부(71)의 히터(71H)의 인가 전압을 증가시키는 제어를 행한다.In addition, when the deposition rate exceeds the reference range by comparing the detection signal levels in all the nozzles 73 with the preset reference range, the control unit 250 detects the evaporation temperature obtained by the temperature sensor 71S. While the signal is monitored, the voltage applied to the heater 71H of the evaporation source unit 71 is reduced, and when the amount of evaporation is equal to or less than the reference range, the control unit 50 similarly detects the evaporation temperature by the temperature sensor 71S. While monitoring, the control which increases the voltage applied to the heater 71H of the evaporation source part 71 is performed.

또한, 도 9의 (b)에 나타낸 구성에 있어서 증발원(71a~n)을 복수의 블록으로 나누어 각 블록마다 가열하는 히터(71H)와 증발 온도를 검지하는 온도 센서(71S)를 설치함으로써, 각 노즐(73a~n)로부터의 검출 신호 레벨을 미리 설정한 기준 범위와 비교하여 증발량이 기준 범위를 넘었을 때에는, 제어부(250)에서 각 블록마다 각각의 블록의 온도 센서(71S)에 의해 증발 온도를 검지하여 얻은 신호를 모니터하면서 각 블럭마다의 히터(71H)의 인가 전압을 제어함으로써, 보다 세밀한 증착량 분포의 제어를 행할 수 있다.In addition, in the structure shown in FIG. 9 (b), by dividing the evaporation sources 71a to n into a plurality of blocks, a heater 71H for heating each block and a temperature sensor 71S for detecting the evaporation temperature are provided. When the evaporation amount exceeds the reference range by comparing the detection signal level from the nozzles 73a to n with the preset reference range, the controller 250 controls the evaporation temperature by the temperature sensor 71S of each block for each block. By controlling the applied voltage of the heater 71H for each block while monitoring the signal obtained by detecting C, more detailed deposition amount distribution control can be performed.

또한, 모니터한 각 노즐(73a~n)로부터의 검출 신호 레벨이 미리 설정한 기준 레벨을 초과한 경우, 또는 미리 설정한 기준 레벨보다도 저하된 경우에는, 제어부(250)는 경보를 울려서 작업자에게 장치의 이상을 알리도록 구성할 수 있다.In addition, when the detected signal level from each of the monitored nozzles 73a to n exceeds the preset reference level or falls below the preset reference level, the controller 250 sounds an alarm to the operator. It can be configured to notify the abnormality of.

즉, 본 실시예에 따르면, 제1 실시예에 있어서 도 6의 (a)~(c)를 이용하여 설명한 것과 마찬가지로, 각각의 노즐(73a~n)에 있어서의 증발 상태를 체크할 수 있기 때문에, 보다 세밀한 증착 레이트의 제어, 즉 기판 상에 형성되는 박막의 막두께 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다.That is, according to this embodiment, since the evaporation state in each nozzle 73a-n can be checked similarly to having demonstrated using FIG.6 (a)-(c) in 1st Example, The finer the deposition rate, the more uniform the thickness distribution of the thin film formed on the substrate can be improved.

도 11은, 제2 실시예에 있어서의 처리실(1)의 처리 흐름을 나타낸 도이다. 본 실시 형태에서의 처리의 기본적인 사고방식으로서 제1 실시예에서 설명한 것과 마찬가지로, 기판의 증착면을 상면으로 하여 반송하고, 상면 반송된 기판(6)을 수직으로 세워 정렬부(8)에 반송하여 증착한다. 반송시에 기판(6)의 하면이 증착면이면 반전시킬 필요가 있지만, 상면이 증착면이기 때문에 수직으로 세우는 것으로 충분하다.11 is a diagram showing a processing flow of the processing chamber 1 in the second embodiment. As a basic way of thinking in the present embodiment, as described in the first example, the substrate is transported with the deposition surface of the substrate as the upper surface, and the substrate 6 conveyed with the upper surface is vertically erected and conveyed to the alignment unit 8. Deposit. If the lower surface of the substrate 6 is a vapor deposition surface at the time of conveyance, it is necessary to invert it, but it is sufficient to stand vertically because the upper surface is a vapor deposition surface.

또한, 본 실시예에 있어서는, 증착하는 공정에 필요한 시간과, 처리실(1)로 기판(6)을 반입하여 정렬을 완료할 때까지 필요한 시간이 거의 동일하며, 본 실시 형태에서는 각각 약 1분이다. 여기서, 본 실시 형태에서의 기본적인 사고방식은, 한쪽의 라인에서 증착하고 있는 동안에, 다른 쪽의 라인에서는 처리를 마친 기판을 반출하고 새로운 기판을 반입하여, 위치 맞춤을 하고, 증착할 준비를 완료시키는 것이다. 이 처리를 교대로 행함으로써, 증발원의 대기 시간을 짧게 하는 것이 가능하게 되어, 대기중인 불필요한 재료의 소비를 감소시킬 수 있다.In the present embodiment, the time required for the deposition process and the time required for bringing the substrate 6 into the processing chamber 1 to complete the alignment are almost the same, and in this embodiment, each is about 1 minute. . Here, the basic way of thinking in the present embodiment is to carry out the processed substrate on the other line, to import the new substrate, to position and complete the deposition while depositing on one line. will be. By alternately performing these treatments, it is possible to shorten the waiting time of the evaporation source, thereby reducing the consumption of unnecessary materials in the air.

그 처리 흐름을 상세하게 설명한다. 우선, R 라인에 있어서, 기판(6R)을 반입하고(S1101R), 기판(6R)를 수직으로 세워서 정렬부(8R)로 이동하여(S1102R), 기판(6)과 새도우 마스크(81)의 위치 맞춤을 행한다(S1103R). 이때, 수직으로 세워서 바로 위치 맞춤을 행하기 위해서, 증착면을 위로 하여 기판(6)을 반송한다. 위치 맞춤은, 도 8의 화살표로 끌어낸 확대도에 나타내는 바와 같이, CCD 카메라 등의 촬상 수단(도시 생략)으로 촬상하여, 기판(6)에 설치된 정렬 마크(84)가 새도우 마스크(81R)에 형성된 창(85)의 중심에 오도록, 새도우 마스크(81R)를 상기 정렬 구동부(83R)에서 제어함으로써 행한다. 본 증착이 적색(R)을 발광시키는 재료이면, 도 3에 나타내는 바와 같이 새도우 마스크(81R)의 마스크(81M)의 R에 대응하는 부분에 창이 열려 있어, 기판(6)은 창 아래에 있는 부분이 증착되어지게 된다. 그 창의 크기는, 예를 들면 폭 50㎛, 높이 150㎛ 정도이다. 마스크(81M)의 두께는 40㎛이며, 앞으로 더욱 얇아질 경향이다.The processing flow will be described in detail. First, in the R line, the substrate 6R is loaded (S1101R), the substrate 6R is vertically moved to the alignment section 8R (S1102R), and the position of the substrate 6 and the shadow mask 81 is placed. Alignment is performed (S1103R). At this time, the substrate 6 is transported with the vapor deposition surface upward in order to perform vertical alignment immediately upright. As shown in the enlarged view drawn by the arrow of FIG. 8, the alignment is imaged by imaging means (not shown), such as a CCD camera, and the alignment mark 84 provided in the board | substrate 6 is attached to the shadow mask 81R. The shadow mask 81R is controlled by the alignment driver 83R so as to be at the center of the formed window 85. If this vapor deposition is a material which emits red (R), as shown in FIG. 3, a window is opened in the part corresponding to R of the mask 81M of the shadow mask 81R, and the board | substrate 6 is the part below a window. Is deposited. The size of the window is, for example, about 50 μm in width and about 150 μm in height. The thickness of the mask 81M is 40 mu m, and tends to be thinner in the future.

위치 맞춤이 종료하면, L 라인측에서 대기하고 셔터(274L)로 덮혀 있던 증발원부(71)를 좌우 구동 수단(276)으로 구동하여 레일(275)을 따라 R 라인측으로 이동시킨다(S1101E). 이때, 증발원부(71)는 L 라인측과 R 라인측의 사이를 일정한 속도로 이동하여, 셔터(274L)로부터 벗어난 위치에서 라인 형상으로 배열된 증발원(71a~n)의 각 노즐(73a~n)이 막두께 모니터(220)의 직전을 통과함으로써 각 노즐(73a~n)로부터의 증발량이 막두께의 변화, 즉 증착 레이트로서 막두께 모니터(220)로 검출되고(S1102E), 이 검출된 신호는 제어부(250)에 보내진다.When the alignment is finished, the evaporation source portion 71 which is waited on the L line side and covered by the shutter 274L is driven by the left and right driving means 276 to move along the rail 275 to the R line side (S1101E). At this time, the evaporation source portion 71 moves at a constant speed between the L line side and the R line side, and each nozzle 73a to n of the evaporation sources 71a to n arranged in a line shape at a position deviated from the shutter 274L. Passes through immediately before the film thickness monitor 220, and the amount of evaporation from each of the nozzles 73a to n is detected by the film thickness monitor 220 as a change in film thickness, that is, a deposition rate (S1102E), and the detected signal. Is sent to the controller 250.

증발원부(71)의 R 라인측으로의 이동이 완료(S1103E)한 후, 제어부(250)에서 각 노즐(73a~n) 및 전체의 증발량에 이상이 없는지 체크하여(S1104E), 이상이 있는 경우에는 원인이 노즐(73a~n)의 막힘인지 히터(71H)의 인가 전압 이상인지[히터(71H)의 제어로 대응 가능한지]를 판단하고(S1105E), 히터(71H)의 인가 전압 이상인 경우에는, 히터(71H)의 인가 전압에 피드백하여(S1106E), 증발원을 일단 R 라인으로부터 L 라인으로 이동시킨 후(S1107E), 다시 S1101E의 단계로 되돌아와 증발원을 L 라인으로부터 R 라인으로 이동을 개시한다. 한편, 노즐(73a~n)의 막힘인 경우에는, 경보를 울려서 이상을 알린다(S1108E).After the movement of the evaporation source portion 71 to the R line side is completed (S1103E), the control unit 250 checks that there is no abnormality in each of the nozzles 73a to n and the total evaporation amount (S1104E). It is determined whether the cause is clogging of the nozzles 73a to n or more than the voltage applied to the heater 71H (which can be handled by the control of the heater 71H) (S1105E). In response to an applied voltage of 71H (S1106E), once the evaporation source is moved from the R line to the L line (S1107E), the flow returns to the step of S1101E again to start the evaporation source from the L line to the R line. On the other hand, when the nozzles 73a to n are clogged, an alarm is sounded to inform the abnormality (S1108E).

새도우 마스크(81)와 기판(6R)의 위치 맞춤이 종료하고, 막두께 모니터(220)에 의한 각 노즐(73a~n)로부터의 증발량의 체크가 끝나고, R 라인측의 대기 위치에서 증발원부(71)의 각 노즐(73a~n)이 셔터(274R)로 덮힌 상태에서 S1104E에서 증착 레이트 이상 없음으로 판단된 경우, 상하 구동 수단(72)으로 구동하여 증발원부(71)를 상방으로 연속적인 이동을 개시하고(S1104R), 셔터(274R)로부터 벗어난 위치에서 증발시킨 증발 재료(71Z)를 각 노즐(73a~n)로부터 처리실(1)의 내부로 방출시켜 새도우 마스크(81)를 통해 기판(6R) 상에 증착시켜 박막을 형성한다(S1105R). 증발원부(71)가 한 쌍의 레일(276)의 상단부 부근까지 도달하여 기판(6R)의 증착을 완료하면, 증발원부(71)의 상방으로의 이동은 정지하고(S1106R), 한 쌍의 가이드 축(76R)의 상단부에서 증발원부(71)의 각 노즐(73a~n)이 셔터(275R)로 덮힌 상태에서 대기한다.After the alignment of the shadow mask 81 and the substrate 6R is finished, the evaporation amount check from the nozzles 73a to n by the film thickness monitor 220 is finished, and the evaporation source portion ( When each nozzle 73a to n of the 71 is covered with the shutter 274R, and it is determined that there is no abnormality in the deposition rate in S1104E, it is driven by the vertical driving means 72 to continuously move the evaporation source portion 71 upward. (S1104R), the evaporation material 71Z evaporated at the position deviated from the shutter 274R is discharged from each nozzle 73a to n into the process chamber 1 through the shadow mask 81 to release the substrate 6R. E) to form a thin film (S1105R). When the evaporation source portion 71 reaches near the upper end of the pair of rails 276 and completes deposition of the substrate 6R, the upward movement of the evaporation source portion 71 is stopped (S1106R), and the pair of guides At the upper end of the shaft 76R, the nozzles 73a to n of the evaporation source portion 71 are waited with the shutter 275R covered.

한편, R 라인에서 기판(6R)에 증착하는 동안에, L 라인에서는 R 라인의 (S1101R)부터 (S1103R)까지 동일한 처리를 행한다. 즉, 다른 기판(6L)을 반입하여(S1101L), 해당 기판(6L)을 수직으로 세워서 정렬부(8L)로 이동하고(S1102L), 새도우 마스크(81L)와의 위치 맞춤을 행한다(S1103L).On the other hand, during the deposition on the substrate 6R in the R line, the same processing is performed in the L line from (S1101R) to (S1103R) of the R line. That is, another substrate 6L is loaded (S1101L), the substrate 6L is placed vertically and moved to the alignment section 8L (S1102L), and the position alignment with the shadow mask 81L is performed (S1103L).

R 라인의 기판(6R)의 증착을 완료하고 한 쌍의 가이드 축(76)의 상단부에서 대기하고 있는 증발원부(71)는, 기판(6L)과 새도우 마스크(81L)의 위치 맞춤이 종료한 것을 확인하고, 구동부(276)에서 구동되어 레일(275)을 따라 L 라인측으로 이동하여(S1108E), 전면[각 노즐(73a~n)이 설치된 면]이 셔터(275L)로 덮힌 상태가 된다. 여기서, R 라인측으로부터 L 라인측으로 이동할 때에, 증발원부(71)는 한 쌍의 가이드 축(76)의 상단부에서 대기하고 있기 때문에, 막두께 모니터(220)에 의한 각 노즐(73a~n)로부터의 증발량의 체크는 이루어지지 않는다. 또한, 셔터(275R)와 (275L)는 분리되지 않고, 연속된 일체로 형성해도 좋다. 그 경우, 증발원부(71)는 각 노즐(73a~n)이 형성된 면(전면)을 셔터로 덮힌 상태에서 R 라인측으로부터 L 라인측으로 이동한다.The evaporation source part 71 which complete | finished deposition of the board | substrate 6R of the R line, and waits on the upper end part of a pair of guide shafts 76 has completed the alignment of the board | substrate 6L and the shadow mask 81L. When it confirms, it is driven by the drive part 276, and it moves to the L line side along the rail 275 (S1108E), and the front surface (surface in which each nozzle 73a-n is installed) is covered with the shutter 275L. Here, when moving from the R line side to the L line side, since the evaporation source portion 71 stands by at the upper end of the pair of guide shafts 76, from each nozzle 73a to n by the film thickness monitor 220, The evaporation amount of is not checked. Note that the shutters 275R and 275L may not be separated, but may be formed as a continuous unitary. In that case, the evaporation source part 71 moves from the R line side to the L line side with the shutters covering the surfaces (front surfaces) on which the nozzles 73a to n are formed.

다음으로, L 라인측에 도달한 증발원부(71)는 상하 구동 수단(72)으로 구동되어 하방으로 이동을 개시하고(S1104L), 셔터(275L)에 의한 덮힘을 벗어난 곳부터 증발시킨 증발 재료(71Z)를 각 노즐(73a~n)로부터 처리실(1)의 내부로 방출시켜 새도우 마스크(81)를 통해 기판(6L) 상에 증착시켜 박막을 형성하고(S1105L), 증발원부(71)가 한 쌍의 레일(276)의 하단부 부근까지 도달하여 기판(6L)의 증착을 완료하면, 증발원부(71)의 하방으로의 이동을 정지하고(S1106L), 한 쌍의 가이드 축(76)의 하단부에서 증발원부(71)의 각 노즐(73a~n)이 셔터(274L)로 덮힌 상태에서 대기한다.Next, the evaporation source portion 71 reaching the L line side is driven by the up and down drive means 72 to start the movement downward (S1104L), and the evaporation material evaporated from the place out of the cover by the shutter 275L ( 71Z is discharged from the nozzles 73a to n into the process chamber 1 and deposited on the substrate 6L through the shadow mask 81 to form a thin film (S1105L). When it reaches near the lower end of the pair of rails 276 and completes deposition of the substrate 6L, the movement downward of the evaporation source part 71 is stopped (S1106L) and at the lower end of the pair of guide shafts 76. Each nozzle 73a-n of the evaporation source part 71 waits in the state covered with the shutter 274L.

한편, R 라인에 있어서는, 증발원부(71)가 L 라인측으로 이동을 완료한 것을 확인하고, 기판(6R)의 처리실(1)로부터의 반출 동작을 개시한다(S1107R). 그 후, 새로운 기판(6R')을 반입하여(S1108R), 기판(6R')을 수직으로 세워 정렬부(8R)로 이동하고(S1109R), 기판(6R')과 새도우 마스크(81R)의 위치 맞춤을 행한다(S1110R).On the other hand, in the R line, it is confirmed that the evaporation source portion 71 has completed the movement to the L line side, and the carrying out operation from the processing chamber 1 of the substrate 6R is started (S1107R). Thereafter, a new substrate 6R 'is loaded (S1108R), the substrate 6R' is vertically erected to move to the alignment section 8R (S1109R), and the positions of the substrate 6R 'and the shadow mask 81R are placed. Alignment is performed (S1110R).

그 후, 상기 흐름을 반복하여 행한다. 본 실시예에 따르면, 증발원부(71)의 이동 시간을 제외하고는 불필요하게 증착 재료(71Z)를 사용하는 일 없이 기판 상에 증착 막을 형성할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 필요한 증착 시간과 처리실로의 기판의 반출입 및 정렬에 걸리는 시간을 약 1분이라 하고, 증발원부(71)의 이동 시간을 5초라고 하면, 기판을 1장밖에 장착할 수 없는 방식으로는 기판에 대한 증착에 기여하지 않는 불필요한 증착 시간이 1분인 것에 반해, 본 실시예에서는 5초로 단축할 수 있다.Thereafter, the flow is repeated. According to the present embodiment, the deposition film can be formed on the substrate without using the deposition material 71Z unnecessarily except for the movement time of the evaporation source portion 71. In this embodiment, the required deposition time and the time taken to take in and out of the substrate into the process chamber are about 1 minute, and the movement time of the evaporation source portion 71 is 5 seconds, so that only one substrate can be mounted. In the present embodiment, the unnecessary deposition time, which does not contribute to the deposition on the substrate, is 1 minute, whereas the present embodiment can be shortened to 5 seconds.

또한, 상기 본 실시예에 따르면, 도 11에 나타내는 바와 같이 처리실(1)에서의 기판(6)의 1장당의 처리 사이클은 실질적으로 증착 시간과 증발원부(71)의 이동 시간을 합한 시간이 되어, 생산성을 향상시킬 수 있다. 상술한 조건으로 처리 시간을 평가하면, 기판을 1장밖에 장착할 수 없는 방식의 2분에 비해, 본 발명에서는 1분 5초가 되어, 처리실(1) 하나당의 생산성을 약 2배로 향상시킬 수 있다.In addition, according to the present embodiment, as illustrated in FIG. 11, the processing cycle per sheet of the substrate 6 in the processing chamber 1 is substantially the sum of the deposition time and the movement time of the evaporation source portion 71. , Improve productivity. When the treatment time is evaluated under the conditions described above, in the present invention, it is 1 minute and 5 seconds, compared to two minutes of the system in which only one substrate can be mounted, and the productivity per processing chamber 1 can be approximately doubled. .

<제3 실시예>Third Embodiment

제1 실시예 내지 제3 실시예에서는, 대형 기판을 취급하는 데 유리한 수평 반송과 수직 성막을 조합시킨 실시 형태에 대해서 설명했지만, 이하에서는 중형 기판의 성막에서 채용되고 있는 수평 반송과 수평 성막을 조합시킨 장치 형태를 나타낸다.In the first to third embodiments, the embodiments in which horizontal conveyance and vertical film formation are advantageous in handling large substrates have been described. Hereinafter, the horizontal conveyance and horizontal film formation employed in the formation of the medium-sized substrate are combined. The type of device is shown.

도 12는, 본 발명에 관한 수평 반송이면서 수평 성막을 행하는 유기 EL 디바이스 제조 장치(300)의 구성의 일 예를 나타낸 것이다. 이 장치 형태는 일반적인 클러스터 장치로서 공지의 것인데, 이 구성에 대하여 본 발명을 적용한 예를 이하에 나타낸다.12 shows an example of a configuration of an organic EL device manufacturing apparatus 300 that performs horizontal film formation while being horizontally conveyed according to the present invention. This apparatus form is well-known as a general cluster apparatus, but the example which applied this invention to this structure is shown below.

도 12의 유기 EL 디바이스 제조 장치(300)는, 중앙에 위치하는 다각형의 반송실(302a~c)에 대하여 그 주변에 로드 록 실(331a), 수수실(304a~c)이나 처리실(301a-1~f-2)이 연결되는 구성의 장치 형태이다. 반송실(302a~c)은 그 중앙에 반송 로봇(305a~c)을 배치한다. 반송 로봇(305a~c)은 로드 록 실(331a)이나 수수실(304a~c)이나 처리실(301a-1~f-2)에 놓여진 기판(61)을 꺼내고, 새롭게 다른 기판(61)을 놓는다. The organic EL device manufacturing apparatus 300 of FIG. 12 has a load lock chamber 331a, a sorghum chamber 304a-c and a processing chamber 301a- around the polygonal transfer chambers 302a-c located in the center. 1 ~ f-2) is a device form of the connection. The transfer chambers 302a-c arrange the transfer robots 305a-c in the center thereof. The transfer robots 305a to c take out the substrate 61 placed in the load lock chamber 331a, the transfer chambers 304a to c, and the processing chambers 301a-1 to f-2, and newly place another substrate 61 thereon. .

수수실(304a~c)은 인접하는 클러스터와의 사이에서 기판(61)의 수수를 행하기 위하여 이용된다. 처리실(301a-1~f-2)에서는, 처리 대상인 기판(61)에 진공 증착에 의한 성막 처리를 실시한다. 클러스터를 구성하는 각 실과의 사이에는 게이트 밸브(310)가 설치되어, 각 실마다 진공도를 유지하는 것이 가능하다. 로드 록 실(331)에서는, 게이트 밸브(310)을 닫아, 반입한 기판(61)의 분위기를 대기압으로부터 진공, 또는 진공으로부터 대기압으로 바꾸는 기능을 갖게 한다. 성막 처리중에는 각 처리실(301a-1~f-2) 및 각 반송실(302a~c)은 진공 펌프(도시 생략)에 의해 10-3~10-5Pa대의 진공도가 유지되어 있다.The transfer chambers 304a to c are used to transfer the substrate 61 between adjacent clusters. In the process chambers 301a-1 to f-2, a film formation process by vacuum deposition is performed on the substrate 61, which is a process target. The gate valve 310 is provided between each chamber which comprises a cluster, and it is possible to maintain a vacuum degree for every chamber. In the load lock chamber 331, the gate valve 310 is closed to have a function of changing the atmosphere of the loaded substrate 61 from atmospheric pressure to vacuum or from vacuum to atmospheric pressure. During the film forming process, each of the processing chambers 301a-1 to f-2 and each of the conveying chambers 302a to c is maintained at a vacuum degree of 10 -3 to 10 -5 Pa by a vacuum pump (not shown).

처리실(301a-1~f-2)에 구비된 게이트 밸브(310)를 닫음으로써, 성막 처리중에는 각 처리실(301a-1~f-2)에서 발생하는 가스가 다른 처리실(301a-1~f-2)로 전파됨으로써 발생하는 막의 순도 저하를 방지할 수 있게 된다. 또한, 메인터넌스시에는, 특정한 성막실(301a-1~f-2)이나 반송실(302a~c)을 개별적으로 대기 개방하여, 메인터넌스 후의 장치(300) 전체의 상태 복귀에 걸리는 시간을 최소한으로 억제할 수도 있게 된다. By closing the gate valve 310 provided in the processing chambers 301a-1 to f-2, the gas generated in each of the processing chambers 301a-1 to f-2 differs during the film forming process. It is possible to prevent a decrease in purity of the film generated by propagation in 2). At the time of maintenance, the specific deposition chambers 301a-1 to f-2 and the transport chambers 302a to c are individually opened to the atmosphere to minimize the time taken to return the state of the entire apparatus 300 after maintenance to the minimum. You can do it.

처리실(301a-1~f-2)의 구성은 유기층을 성막하는 처리(301a-1)를 예로 들어 설명한다.The configuration of the process chambers 301a-1 to f-2 will be described taking the process of forming the organic layer 301a-1 as an example.

도 13에는 제3 실시예에 기초하는 반송실(302a~c)과 처리실(301a-1~f-2)의 내부 구조의 개요를, 반송실(302a)과 처리실(301a-1)을 예로 들어 설명한다. 도 13에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에서는, 증발원(371)을 정점 관측하는 막두께 모니터(319) 이외에, 증발원(371)의 상부에 증발원(371)의 길이 방향을 선 상에 스캔 가능한 막두께 모니터(320)를 설치하고 있다.13 shows an outline of the internal structures of the transfer chambers 302a to c and the processing chambers 301a-1 to f-2 based on the third embodiment, taking the transfer chamber 302a and the processing chamber 301a-1 as an example. Explain. As shown in FIG. 13, in this embodiment, in addition to the film thickness monitor 319 which vertices observes the evaporation source 371, the film thickness which can scan on the line the longitudinal direction of the evaporation source 371 on the upper part of the evaporation source 371. The monitor 320 is installed.

반송실(302a)의 내부에 설치된 반송 로봇(305a)은, 선회와 신축 동작이 가능한 암(351a)을 가지며, 그 선단부에는 기판 반송용의 빗살 형상 핸드(352a)를 장착하고 있다.The conveyance robot 305a provided in the conveyance chamber 302a has the arm 351a which can rotate and expand and contract, and the comb-shaped hand 352a for conveyance of a board | substrate is attached to the distal end part.

한편, 처리실(301a-1)에는, 반송 로봇(305a)으로부터 기판(61)의 수수를 행 하기 위한 수수 기구, 새도우 마스크(381), 새도우 마스크(381)와 기판(61)의 정렬 기구, 유기 증착 재료를 고온 가열하여 기화시켜, 지향성을 갖게 하여 증착 재료(371Z)의 가스 흐름(375)을 형성하여, 기판(61)의 하면에 분사하여 성막하는 증발원(371)을 가진다.On the other hand, in the processing chamber 301a-1, a transfer mechanism for carrying the substrate 61 from the transfer robot 305a, a shadow mask 381, an alignment mechanism of the shadow mask 381 and the substrate 61, and organic The vapor deposition material is heated at high temperature to vaporize, to have directivity, to form a gas flow 375 of the vapor deposition material 371Z, and to have an evaporation source 371 sprayed on the lower surface of the substrate 61 to form a film.

반송 로봇(305a)으로부터 성막실(301a-1)에 기판(61)을 반입하는 경우, 훅(387) 상에 기판(61)을 유지한 빗살 형상 핸드(352)를 삽입하고, 반송 암(351)을 내려서 기판 주변부에 설치한 훅(387)에 기판(61)을 넘겨주고, 빗살 형상 핸드(352)를 후퇴시킨다. 빗살 형상 핸드(352)의 삽입시에 훅(387)을 상승시켜 기판을 받아도 좋다. 기판(61)을 받으면, 훅(387)을 내리고, 기판(61)과 새도우 마스크(381)를 근접시킨 상태에서 기판 상의 정렬 마크(6A)와 새도우 마스크 상의 정렬 마크(381A)를 광학적으로 검출하면서 훅(387) 또는 새도우 마스크(381)을 미동시켜 위치 맞춤을 행한다. 위치 맞춤 종료 후에 훅(387)을 더 내려서, 새도우 마스크(381) 상에 기판(61)을 싣는다. 그리고, 훅(387)을 후퇴시켜 빼내어 새도우 마스크(381)로부터 이간시킨다. 이때, 새도우 마스크(381) 상에 훅(387)의 후퇴 홈이 있으면 훅(387)의 발톱의 두께를 늘릴 수 있어, 큰 기판(61)에 대한 대응이 쉬워진다. 새도우 마스크(381)는, 마스크(381M), 프레임(381F)을 구비하고, 정렬 마크(381A)가 형성되어 있다.When carrying in the board | substrate 61 into the film-forming chamber 301a-1 from the transfer robot 305a, the comb-shaped hand 352 which hold | maintained the board | substrate 61 on the hook 387 is inserted, and the transfer arm 351 is carried out. ), The substrate 61 is transferred to the hook 387 provided at the periphery of the substrate, and the comb-shaped hand 352 is retracted. When inserting the comb-shaped hand 352, the hook 387 may be raised to receive a substrate. Upon receiving the substrate 61, the hook 387 is lowered, and the alignment mark 6A on the substrate and the alignment mark 381A on the shadow mask are optically detected while the substrate 61 and the shadow mask 381 are in close proximity. The hook 387 or the shadow mask 381 is finely moved to perform alignment. After completion of the alignment, the hook 387 is further lowered to mount the substrate 61 on the shadow mask 381. Then, the hook 387 is retracted and taken out, and separated from the shadow mask 381. At this time, if the retraction groove of the hook 387 is present on the shadow mask 381, the thickness of the claw of the hook 387 can be increased, and the correspondence with the large substrate 61 becomes easy. The shadow mask 381 is provided with the mask 381M and the frame 381F, and the alignment mark 381A is formed.

증발원(371)은 증착 재료(371Z)인 가스(375)을 분사하는 방향에 대하여 수직방향으로 연장된 봉 형상의 이른바 리니어 소스의 형태를 취하고 있으며, 가스 흐름(375)의 분사구(373)는, 증발원(371)의 길이 방향에 대하여 선 상에 열을 이루어 복수 형성되어 있다. 이 노즐은 도 14의 (a), (b)에 나타낸 바와 같은 선 상에 배열된 원형이나 구멍이 아니라, 도 14의 (c), (d)에 나타낸 바와 같은 슬릿 1개 또는 복수개 형성하여도 상관 없다. 그 밖에, 도 14의 (f)에 나타낸 바와 같이 소형의 증발원(371a~n)의 각각의 중심에 설치된 노즐(373)로부터 증착 재료 가스 흐름(375)을 공급하는 형태의 증발원(371)을 채용하는 경우에는, 소형의 증발원(371a~n)을 복수 준비하여 선 상에 배열시키면 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 상기 증발원(371a~n)의 각 노즐(373)은 기판(61)에 면한 상태에서 소정의 간격을 유지하고, 기판(61)에 평행하면서 증발원(371)의 길이 방향에 대하여 직각 방향으로 왕복 이동시키는 증발원 이동 기구(372)에 의해 소정 속도로 스캔하여, 기판(61)의 대상이 되는 면 전체에 대하여 위에 증발 재료의 박막을 형성한다. The evaporation source 371 takes the form of a so-called linear source extending in a direction perpendicular to the direction in which the gas 375 that is the vapor deposition material 371Z is injected, and the injection hole 373 of the gas flow 375 is A plurality of heat is formed on a line with respect to the longitudinal direction of the evaporation source 371. This nozzle is not a circle or a hole arranged on a line as shown in Figs. 14A and 14B, but one or more slits as shown in Figs. 14C and 14D may be formed. Does not matter. In addition, as illustrated in FIG. 14F, an evaporation source 371 in which a vapor deposition material gas flow 375 is supplied from the nozzles 373 provided at the centers of the small evaporation sources 371a to n is employed. In such a case, when a plurality of small evaporation sources 371a to n are prepared and arranged on a line, the same effect can be obtained. Each nozzle 373 of the evaporation sources 371a to n maintains a predetermined interval in the state facing the substrate 61, and reciprocates in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the evaporation source 371 while being parallel to the substrate 61. Scanning is performed at a predetermined speed by the evaporation source moving mechanism 372 to form a thin film of evaporation material on the entire surface of the substrate 61.

각 반송실(302), 처리실(301), 반송 로봇(305), 수수실(304), 증발원(371)을 포함하는 장치(300)의 전체는, 제어부(350)에서 제어된다.The whole of the apparatus 300 including each conveyance chamber 302, the process chamber 301, the conveyance robot 305, the sorghum chamber 304, and the evaporation source 371 is controlled by the control part 350.

증발원(371)의 이동 기구(372)는, 도 13 및 도 15에 나타내는 바와 같이, 증발원(371)을 한 쌍의 가이드 레일(372L)을 따라 이동하고, 대기측에 설치된 구동 모터(372M)에 의해 증발원 베이스(378)에 탑재된 증발원(371)을 이동시키는 것이다. 진공도를 유지하는 자성 유체 시일을 내부에 갖는 진공 회전 도입 기구(372S)를 처리실(301a-1)의 벽면(301a-1w)에 설치하고, 그 진공측의 회전축에 의해 볼 나사(372P)를 회전시킨다. 볼 나사(372P)의 양 단부는, 축받이를 구비한 지지판(376)으로 지지되어 있다. 증발원(371)을 탑재하는 증발원 베이스(378)에는 볼 나사(372P)의 너트(372K)와 한 쌍의 가이드 레일(372L) 상의 주행을 안내하는 가이드(372G)와 접속하고 있어, 볼 나사(372P)의 회전에 의해, 증발원(371)은 가이드 레일(372L)을 따른 직선 운동을 행하여 왕복의 스캔 성막이 가능해진다.As shown in FIG. 13 and FIG. 15, the moving mechanism 372 of the evaporation source 371 moves the evaporation source 371 along the pair of guide rails 372L to the drive motor 372M provided on the atmospheric side. The evaporation source 371 mounted on the evaporation source base 378 is moved. A vacuum rotation introduction mechanism 372S having a magnetic fluid seal therein maintaining a vacuum degree is provided on the wall surface 301a-1w of the processing chamber 301a-1, and the ball screw 372P is rotated by the rotating shaft on the vacuum side. Let's do it. Both ends of the ball screw 372P are supported by the support plate 376 provided with a bearing. The evaporation source base 378 on which the evaporation source 371 is mounted is connected to a nut 372K of the ball screw 372P and a guide 372G for guiding travel on the pair of guide rails 372L, and the ball screw 372P. ), The evaporation source 371 performs linear motion along the guide rail 372L, thereby enabling reciprocal scan film formation.

이상에 나타낸 기구를 이용하여 기판(61)에 대하여 증발원(371)을 왕복 이동시켜서 스캔 성막한 후에는, 증발원(371)을 후퇴시키고, 기판(61)을 새도우 마스크(381)로부터 떼어내어 다시 반송용 로봇(305a)으로 다른 처리실(301)로 반송하여 성막 처리를 행한다. 우선, 새도우 마스크(381) 상에 기판(61)을 탑재하고 있는 경우에는, 훅(387)에 걸어 기판(61)을 상승시킨다. 그리고, 반송 로봇(305)은 빗살 형상 핸드(352a)를 기판(61)의 하부에 삽입하고, 암(351a)을 상승시켜서 기판(61)을 받는다. 암(351a)을 상승시키는 대신에 훅(387)을 하강시켜서 기판(61)을 빗살 형상 핸드(352a)에 떼어 놓아도 좋다. 또한, 훅(387)으로 기판을 걸어둔 후에, 반송 로봇(305a)의 핸드(352a)를 상승시키는 기능을 갖게 하여, 기판(61)을 수수하여도 좋다. After scanning film formation by reciprocating the evaporation source 371 with respect to the board | substrate 61 using the mechanism shown above, the evaporation source 371 is retracted and the board | substrate 61 is removed from the shadow mask 381 and conveyed again. The robot 305a is transferred to another processing chamber 301 to perform a film forming process. First, when the board | substrate 61 is mounted on the shadow mask 381, it hangs on the hook 387 and raises the board | substrate 61. FIG. And the conveyance robot 305 inserts the comb-shaped hand 352a in the lower part of the board | substrate 61, raises the arm 351a, and receives the board | substrate 61. As shown in FIG. Instead of raising the arm 351a, the hook 387 may be lowered to separate the substrate 61 from the comb-shaped hand 352a. In addition, after hooking the board | substrate with the hook 387, you may have the function of raising the hand 352a of the transfer robot 305a, and may receive the board | substrate 61. As shown in FIG.

이상에 나타낸 방법에 의해 기판(61)에 증착막을 성막하는 경우, 막두께의 균일성을 확보하기 위해서는, 증발원(371)의 길이 방향의 온도제어를 빠뜨릴 수 없다. 도 15에 나타내는 바와 같이, 증발원(371)은 길이 방향으로 복수의 가열 제어 블록(371B)으로 분할하여 가열 제어한다. 가열 제어 블록(371B)에는 각각 히터(371H)가 설치되어 있다. 증발원(371)의 내부에는 증착 재료(371Z)를 준비한 도가니(371C)가 설치되어 있고, 히터(371H)에 전류가 통함으로써 도가니(371C)와 그것에 충진시킨 증착 재료(371Z)가 가열되어 기화한다. 증발원(371)에는 온도를 검지하는 열전대(371S)를 가지며, 제어장치(350)에는, 온도 센서(371S)가 검지하는 온도 출력에 의해, 소정의 프로세스 온도가 되도록 제어한다. 온도 센서(371S)는, 특정한 가열 제어 블록(371B)에 하나만 설치하든, 각 가열 제어 블록(371B)에 각각 설치하든 어느 쪽도 상관없다.In the case of depositing a deposited film on the substrate 61 by the method described above, in order to ensure uniformity of the film thickness, temperature control in the longitudinal direction of the evaporation source 371 is indispensable. As shown in FIG. 15, the evaporation source 371 divides into the some heating control block 371B in the longitudinal direction, and heat-controls. The heater 371H is provided in the heating control block 371B, respectively. The evaporation source 371 is provided with a crucible 371C prepared with the evaporation material 371Z, and when the current flows through the heater 371H, the crucible 371C and the evaporation material 371Z filled therein are heated and vaporized. . The evaporation source 371 has a thermocouple 371S for detecting the temperature, and the control unit 350 controls the temperature to be a predetermined process temperature by the temperature output detected by the temperature sensor 371S. Whether the temperature sensor 371S is provided in one specific heating control block 371B or in each heating control block 371B may be either.

각 가열 제어 블록(371B)에 온도 센서를 설치하는 경우에는, 각 가열 제어 블록에서 동일한 온도로 하도록 히터(371H)에 대한 전력 공급을 조정한다. 일반적으로 증발원(371)의 길이 방향의 단부는 열방사가 일어나기 때문에, 중앙부에 비해 온도 저하가 예측된다. 이 때문에, 미리 증발원(371)의 길이 방향 중앙부에 비해 양쪽 사이드의 가열 제어 블록(371B)의 히터(371H)에 대한 전력 공급을 넉넉하게 설정함으로써, 증발원(371) 전체의 온도의 균일화를 꾀한다.In the case where a temperature sensor is provided in each heating control block 371B, the power supply to the heater 371H is adjusted to have the same temperature in each heating control block. Generally, since the thermal radiation of the edge part of the evaporation source 371 in the longitudinal direction occurs, temperature fall compared with the center part is anticipated. For this reason, the electric power supply to the heater 371H of the heating control block 371B of both sides is generously compared with the center part of the longitudinal direction of the evaporation source 371, and the temperature of the whole evaporation source 371 is equalized.

또한, 특정한 가열 제어 블록(371B)에 온도 센서(371S)가 설치되어 있는 경우, 예를 들면 증발원(371)의 중앙의 가열 제어 블록(371B)에 온도 센서(371S)가 설치되어 있는 경우에는, 미리 중앙의 가열 제어 블록의 히터(371H)보다도 주변부의 히터(371H)에 일정 비율 또는 일정 값만큼 전력 공급을 많게 한다. 증발원(371)의 길이 방향의 온도 균일성은, 일반적으로 온도 조절에 이용하고 있는 온도 센서(371S) 이외에 온도 센서를 증발원(371)의 각 부에 설치하여 측정을 행하고, 그 결과에 기초하여 각 히터(371H)에 대한 전력 공급 증가분을 가감하여, 온도의 균일화를 꾀한다.In addition, when the temperature sensor 371S is provided in the specific heating control block 371B, for example, when the temperature sensor 371S is provided in the heating control block 371B of the center of the evaporation source 371, In advance, the electric power is supplied to the heater 371H at the peripheral portion by a predetermined ratio or a predetermined value than the heater 371H of the central heating control block. The temperature uniformity in the longitudinal direction of the evaporation source 371 is measured by installing a temperature sensor in each part of the evaporation source 371 in addition to the temperature sensor 371S generally used for temperature control, and measuring each heater based on the result. The electric power supply increase to 371H is added or subtracted to achieve uniform temperature.

가스의 방출 레이트의 측정 수단으로서, 수정진동자(326)식의 막두께 모니터(320)를 이용한다. 이는, 증발원(371)으로부터 방출되는 증착 재료(371Z)의 가스 흐름(375)을 냉각한 수정 진동자(326)에 대어, 수정 진동자(326) 검출면에 증착 재료의 막을 형성시키고, 그에 의해 발생하는 수정 진동자(326)의 수정 발신 주파수의 변화로부터 단위 시간당 부착되는 증착 재료의 막두께를 읽어내는 것이다.As means for measuring the release rate of the gas, a film thickness monitor 320 of the crystal oscillator 326 is used. This forms a film of the deposition material on the crystal oscillator 326 detection surface against the crystal oscillator 326 that cooled the gas flow 375 of the deposition material 371Z emitted from the evaporation source 371, thereby generating The film thickness of the deposition material deposited per unit time is read from the change in the crystal transmission frequency of the crystal oscillator 326.

보통, 막두께 모니터(320A, 320B)는, 성막에 지장이 없는 증발원(371)의 단부에 고정하거나, 증발원(371)이 후퇴 위치(W)[도 13에서 증발원(371)이 존재하고 있는 장소]로 이동하였을 때에 검출할 수 있도록 처리실(301a-1)측에 고정한다. 또한, 증발원(371)의 노즐(373)과 막두께 모니터(320A, 320B)의 수정 진동자(326A1-3, 326B1-3) 사이의 거리나 기울기, 센서의 지향성에 따라 그 검출 값이 의존한다.Normally, the film thickness monitors 320A and 320B are fixed to the end of the evaporation source 371 where there is no problem in film formation, or the evaporation source 371 is the retreat position W (where the evaporation source 371 is present in FIG. 13). Is fixed to the processing chamber 301a-1 so that it can be detected when it is moved to]. In addition, the detection value depends on the distance, inclination, and directivity of the sensor between the nozzle 373 of the evaporation source 371 and the crystal oscillators 326A1-3 and 326B1-3 of the film thickness monitors 320A and 320B.

수정 진동자(326A1-3, 326B1-3)의 주위에 증착 물질이 부착되는 것을 방지하기 위해서, 커버(319A, 319B)로 주위를 덮고, 또한 증발원(371)으로부터 방출된 증착 물질을 지향성 좋게 검출하기 위해서, 각 노즐로부터의 증발량을 모니터하는 막두께 모니터(320B)에는, 통 형상의 실드(328)로 수정 진동자(326B1-3)의 표면을 덮는 구조로 하였다. 또한, 수정 진동자(326A1-3, 326B1-3)마다 개체 차를 가지고 있기 때문에, 스캔했을 때의 막두께와의 사이에서 교정을 하지 않으면 사용할 수 없다. 막두께 모니터(320A, 320B)의 막두께 계측 정밀도를 향상시키려면, 한번 소정의 조건에서 기판(61) 상에 성막하고, 그 기판을 꺼낸 후에, 엘립소미터(ellipsometer) 등의 계측기로 막두께를 측정한 결과로부터 교정 계수를 산출하는 프로세스가 필요하다. 그 이후에는, 막두께 모니터(320A, 320B)로부터 검출되는 수치에 교정 계수를 곱함으로써, 기화한 증착 재료(371Z)의 방출 레이트 또는 증착 레이트의 분포를 실시간으로 고정밀도로 계측할 수 있게 된다.In order to prevent the deposition material from adhering around the crystal oscillators 326A1-3 and 326B1-3, the surroundings are covered with the covers 319A and 319B, and the directional detection of the deposition material emitted from the evaporation source 371 with good orientation. For this purpose, the film thickness monitor 320B for monitoring the amount of evaporation from each nozzle has a structure in which the surface of the crystal oscillator 326B1-3 is covered with a cylindrical shield 328. Moreover, since each crystal oscillator 326A1-3 and 326B1-3 has individual difference, it cannot use unless it corrects between the film thickness at the time of scanning. To improve the film thickness measurement accuracy of the film thickness monitors 320A and 320B, a film is formed on the substrate 61 under predetermined conditions once, and the substrate is taken out, and then the film thickness is measured with an instrument such as an ellipsometer. The process of calculating the calibration coefficients from the measurement results is required. After that, by multiplying the numerical value detected from the film thickness monitors 320A and 320B by the correction coefficient, it is possible to measure the distribution of the emission rate or deposition rate of the vaporized vapor deposition material 371Z with high accuracy in real time.

본 발명에 있어서의 실시예로서, 도 13에 나타내는 바와 같이, 증발원(371)에 대하여 제1의 막두께 모니터(320A)를 고정해서 증착 중에 증발원(371)과 함께 이동시켜 증착 중에 상시 증발원(371)으로부터의 증발량을 모니터하고, 제2의 막두께 모니터(320B)를 처리실(301a-1)에 설치한다. 제2의 막두께 모니터(320B)는, 기판(61)에 증착 재료(371Z)의 가스 흐름(375)이 도달하지 않는 증발원(371)의 후퇴 위치(W)에 있어서, 증발원(371)의 노즐(373)에 대향하도록 수정 진동자(326)를 향하게 한다(도 15 참조).As an embodiment in the present invention, as shown in Fig. 13, the first film thickness monitor 320A is fixed to the evaporation source 371, and moves together with the evaporation source 371 during deposition, and is always evaporation source 371 during deposition. The evaporation amount from ()) is monitored, and the second film thickness monitor 320B is installed in the processing chamber 301a-1. The second film thickness monitor 320B is a nozzle of the evaporation source 371 at the retreat position W of the evaporation source 371 where the gas flow 375 of the deposition material 371Z does not reach the substrate 61. Orient crystal quartz 326 to face 373 (see FIG. 15).

제2의 막두께 모니터(320B)는 증발원(371)이 후퇴 중에 증발원(371)의 길이 방향으로 스캔하는 이동 기구(317)에 의해, 각 노즐(373)로부터 방출되는 기화한 증착 재료의 방출 레이트의 분포를 판독하도록 설치한다. 증발원(371)의 왕복 이동 기구와 마찬가지로, 처리실(301a-1)측에 2개의 리니어 가이드(321)를 설치하여, 증발원(371)의 노즐(321)의 열과 평행하면서 노즐(373)의 열을 따라 제2의 막두께 모니터(320B)를 이동할 수 있도록 한다. The second film thickness monitor 320B is a release rate of the vaporized vapor deposition material discharged from the nozzles 373 by the moving mechanism 317 which the evaporation source 371 scans in the longitudinal direction of the evaporation source 371 during the retreat. Install to read the distribution of. Similarly to the reciprocating mechanism of the evaporation source 371, two linear guides 321 are provided on the processing chamber 301a-1 side to parallel the rows of the nozzles 321 of the evaporation source 371 so that the rows of the nozzles 373 are aligned. Accordingly, the second film thickness monitor 320B can be moved.

처리실(301a-1)의 외부에 모터(324M)를 설치하여, 진공 기밀을 유지하는 자성 유체 시일을 갖는 진공 회전 도입 기구(324S)를 회전시켜, 그에 접속한 1쌍의 지지부재(322)로 지지되어 있는 볼 나사(324P)를 회전시킨다. 볼 나사의 너트(324K)와 리니어 가이드의 가이드 기구(325)는 제2의 막두께 모니터(320B)에 접속되어 있고, 모터(324M)의 회전에 의해, 제2의 막두께 모니터(320B)는 증발원(371)의 길이 방향의 스캔 측정을 행한다.A motor 324M is provided outside the processing chamber 301a-1 to rotate the vacuum rotation introduction mechanism 324S having a magnetic fluid seal that maintains a vacuum tightness, and to a pair of support members 322 connected thereto. Rotate the supported ball screw 324P. The nut 324K of the ball screw and the guide mechanism 325 of the linear guide are connected to the second film thickness monitor 320B, and the second film thickness monitor 320B is rotated by the rotation of the motor 324M. Scan measurement in the longitudinal direction of the evaporation source 371 is performed.

종래에는, 기판(61)에 성막한 후에 증발원(371)의 길이 방향으로 기판(61) 상의 막두께를 막두께 측정기나 단차 측정기로 측정하여, 막두께가 다른 것과 크게 다른 개소가 없도록, 증발원(371)의 각 가열 제어 블록(371B)의 히터(371H)를 조정해 왔다. 그러나, 증발원(371)의 각 노즐(373)로부터 방출되는 기화한 증착 재료(375)의 방출 레이트의 분포를 측정할 수 없기 때문에, 막두께의 특이한 점은 검출할 수 있어도, 어느 가열 블록(371B)의 영향을 받고 있는지는 판별하기 어려워, 막두께의 균일화를 꾀하는 조정 작업이 어렵고, 엄청난 시간을 필요로 하였다.Conventionally, after the film is formed on the substrate 61, the film thickness on the substrate 61 in the longitudinal direction of the evaporation source 371 is measured by a film thickness meter or a step measuring instrument, so that the evaporation source ( The heater 371H of each heating control block 371B of 371 has been adjusted. However, since the distribution of the release rate of the vaporized vapor deposition material 375 emitted from each nozzle 373 of the evaporation source 371 cannot be measured, any heating block 371B can be detected even if the specificity of the film thickness can be detected. It is difficult to discriminate whether it is influenced by), and it is difficult to adjust the uniformity of the film thickness and it takes a great deal of time.

한편, 본 발명에 의해, 종래와 마찬가지로 특정 부분이 기화한 증착 재료의 방출 레이트를 정상적으로 모니터링하여, 증발원(371)의 온도 제어를 행할 수 있을 뿐만 아니라, 증발원(371)의 각 노즐(373)로부터 방출되는 증착 재료의 방출 레이트의 분포 측량이 가능해졌다. 이 때문에, 증발원(371)의 각 노즐(373)로부터 방출되는 증착 재료의 방출 레이트의 분포 계측에 기초하여, 증발원(371)을 가열하는 각 가열 제어 블록(371B) 중의 히터(371H)에 대한 전력 공급 상태를 재조정하여, 증발원(371)의 각 노즐(373)로부터 방출되는 증착 재료 가스의 방출 레이트를 균일화하거나 또는 상정한 방출 레이트의 프로파일에 맞추도록 제어하여도 좋다.On the other hand, according to the present invention, not only can the temperature of the evaporation source 371 be controlled by monitoring the emission rate of the evaporation material vaporized by a specific portion normally, but also from each nozzle 373 of the evaporation source 371. A distribution measurement of the release rate of the evaporated material released is now possible. For this reason, the electric power to the heater 371H in each heating control block 371B which heats the evaporation source 371 based on the measurement of the distribution rate of the vapor deposition material emitted from each nozzle 373 of the evaporation source 371. The supply state may be readjusted so that the release rate of the vapor deposition material gas discharged from each nozzle 373 of the evaporation source 371 may be controlled to be uniform or matched to the profile of the assumed release rate.

막두께 모니터(320A, 320B)는 일반적으로 급격한 온도 변화가 생기면 계측 오차를 발생시키기 때문에, 상시 수냉이 실시되고 있다. 그러나, 제2의 막두께 모니터(320B)의 스캔 개시시에는, 증발원(371)로부터의 열방사를 갑자기 받게 되어, 온도 변화에 의한 계측 오차가 생기기 쉬워진다. 그래서, 필자들은, 제2의 막두께 모니터(320B)를 스캔시킬 때에는, 증착 재료의 가스 흐름(375)을 받기 시작하는 위치에서 일정 시간 정지하고, 온도가 안정되고나서 제2의 막두께 모니터(320B)의 스캔을 재개하도록 구동 기구(317)의 제어를 변경하였다. 이렇게 하면, 정밀하게 증발원(371)의 길이 방향의 기화한 증착 재료의 방출 레이트의 분포를 측정할 수 있게 되었다.Since film thickness monitors 320A and 320B generally generate measurement errors when a sudden temperature change occurs, water cooling is always performed. However, at the start of scanning of the second film thickness monitor 320B, heat radiation from the evaporation source 371 is suddenly received, so that measurement errors due to temperature changes are likely to occur. Thus, when scanning the second film thickness monitor 320B, the authors stop for a predetermined time at the position where the gas flow 375 of the deposition material begins to be received, and after the temperature is stabilized, the second film thickness monitor ( The control of the drive mechanism 317 was changed to resume scanning of 320B). This makes it possible to accurately measure the distribution of the release rate of the vaporized vapor deposition material in the longitudinal direction of the evaporation source 371.

제2의 막두께 모니터(320B)의 스캔 중에, 인접하는 노즐(373)로부터 방출되는 가스 흐름(375)이 수정 진동자(326)에 입사되기 때문에, 정확한 장치 진단을 행할 때에 국소 범위, 또는 노즐 1개씩이라는 범위에서 기화한 증착 재료의 방출 레이트를 정확하게 측정하는 것이 어려웠다. 그래서, 도 15에 나타내는 바와 같이, 제2의 막두께 모니터(320B)의 수정 진동자(326)의 주위를 통 형상의 실드(328)로 덮어, 제2의 막두께 모니터(320B)에 지향성을 갖게 하였다. 그 결과, 인접하는 노즐로부터 시작되는 경사부로부터 입사되는 증착 재료의 가스 흐름(375)을 배제하는 것이 가능해져, 보다 정확하게 노즐(373) 단위로 혹은 국소적인 범위로 증발원(371)의 길이 방향의 기화한 증착 재료의 방출 레이트를 측정하는 것이 가능해졌다. During the scan of the second film thickness monitor 320B, since the gas flow 375 emitted from the adjacent nozzle 373 is incident on the crystal oscillator 326, a local range or nozzle 1 when performing accurate device diagnosis is performed. It was difficult to accurately measure the release rate of vaporized deposition material in the range of pieces. Therefore, as shown in FIG. 15, the circumference | surroundings of the crystal oscillator 326 of the 2nd film thickness monitor 320B are covered with the cylindrical shield 328, and it has directivity to the 2nd film thickness monitor 320B. It was. As a result, it becomes possible to exclude the gas flow 375 of the deposition material incident from the inclined portion starting from the adjacent nozzles, and more precisely in the longitudinal direction of the evaporation source 371 in the unit of the nozzle 373 or in a local range. It was possible to measure the release rate of the vaporized vapor deposition material.

상기의 측정 결과의 일례를 도 16의 (a)~(c)에 나타낸다. 이 예에서는, 증발원(371)의 노즐(373) 모두가 동일한 증착 재료의 방출 레이트를 가지는 경우에 기판에 대하여 균일한 막을 얻을 수 있는 케이스이다. 제2의 막두께 모니터(320B)의 수정 진동자(326)의 주위를 통 형상의 실드(328)로 덮음으로써, 증발원(371)의 노즐(373)이 구멍 형상인 경우에는, 수정 진동자(326)가 노즐의 정면에 왔을 때에 검출하는 레이트는 피크가 된다. 스캔 속도를 적절히 조정하여, 스캔 개시로부터의 초수로 노즐(373)의 정면에 수정 진동자(326)가 통과하는지를 확인해 두면, 각각의 레이트의 피크가 어느 노즐(373)의 구멍에 대응하는지를 파악할 수 있다. 정상이라면 도 16의 (a)와 같이 동일한 높이의 파형을 반복 측정할 수 있다. 도 16의 (b)에는, 가열 제어 블록(371BL)으로부터의 증발량이 저하된 상태를 나타낸다. 또한, 도 16의 (c)에는, 하나의 노즐에 막힘이 발생하여 증착 물질의 방출량이 저하된 상태를 나타낸다.An example of said measurement result is shown to FIG. 16 (a)-(c). In this example, it is a case where a uniform film can be obtained with respect to the substrate when all the nozzles 373 of the evaporation source 371 have the same emission rate of the evaporation material. By covering the circumference of the crystal vibrator 326 of the second film thickness monitor 320B with the cylindrical shield 328, the crystal vibrator 326 when the nozzle 373 of the evaporation source 371 has a hole shape. Is detected at the front of the nozzle is a peak. By adjusting the scan speed appropriately and confirming that the crystal oscillator 326 passes through the front of the nozzle 373 by the number of seconds from the start of scanning, it is possible to determine which nozzle 373 corresponds to the peak of each rate. . If normal, the waveform of the same height can be repeatedly measured as shown in FIG. In FIG. 16B, the evaporation amount from the heating control block 371BL is reduced. In addition, in FIG. 16C, clogging occurs in one nozzle to show a state in which the discharge amount of the vapor deposition material is decreased.

한편, 상기 실시예에서는 도 14의 (a) 또는 (b)에 나타낸 바와 같은 구멍 형상의 노즐(373C)의 배열을 전제로 하였는데, 도 14의 (c) 또는 (d)에 나타낸 바와 같은 슬롯 홈 형태의 노즐(373S)에서는 관측되는 레이트의 측정값이 도 17의 (a)~(c)에 나타내는 그래프가 되며, 정상이라면 도 17의 (a)와 같이 단부를 제외하고는 위치에 관계없이 일정한 값이 검출된다.On the other hand, in the above embodiment, the arrangement of the hole-shaped nozzles 373C as shown in Figs. 14A and 14B is assumed, and the slot grooves as shown in Figs. 14C and 14D are shown. In the nozzle 373S of the form, the measured value of the observed rate becomes a graph shown in Figs. 17A to 17C, and if it is normal, it is constant regardless of the position except for the end as shown in Fig. 17A. The value is detected.

한편, 일부의 가열 제어 블록에 히터 전력의 공급 불측이 발생한 경우에는, 도 17의 (b)에 나타내는 바와 같이, 문제가 발생한 과열 제어 블록에 대응하는 위치의 막두께 모니터 출력에 레이트의 저하가 발생한다. 또한, 증발원(371)의 슬롯 홈(373S)의 일부에 막힘이 발생한 경우, 도 17의 (c)에 나타내는 바와 같이 막두께 모니터 출력의 일부에 핀포인트의 레이트 저하가 발생한다.On the other hand, when the heating power supply nonsense part occurs in some heating control blocks, as shown in FIG.17 (b), a fall of a rate generate | occur | produces in the film thickness monitor output of the position corresponding to a problem overheating control block. do. In addition, when blockage occurs in a part of the slot groove 373S of the evaporation source 371, as shown in Fig. 17C, a rate reduction of the pinpoint occurs in a part of the film thickness monitor output.

또한, 도 14의 (e)에 나타내는 바와 같이, 증발원(371)의 상면을 다공질의 물질(379)로 덮어, 상기 다공질의 물질(379)을 통해 진공실측에 방출된 증착 재료로 성막할 수도 있다. 이하에 예를 드는 노즐(373)의 길이 방향 또는 배열 방향의 기화한 증착 재료의 방출 레이트 분포의 측정 결과의 응용예에서는, 도 14의 (a) 또는 (b)에 나타낸 바와 같은 구멍 형태의 노즐(373)의 검출을 전제로 하지만, 도 14의 (c) 또는 (d)에 나타낸 바와 같은 슬릿 형태의 노즐인 경우라도 샘플링 위치를 사전에 설정하여 평가를 행하면 마찬가지의 처리가 가능하다. 노즐(373)의 길이 방향 또는 배열 방향의 기화한 증착 재료의 방출 레이트 분포를 측정한 결과를 히터 제어에 응용하면, 종래와 같이 기판에 막 형성을 행하면서 하던 각 히터(371H)에 대한 공급 전력 조정을, 기판에 막 형성하는 일 없이 장치 단독으로 자동적이면서 보다 정밀하게 실시할 수 있다.As shown in Fig. 14E, the upper surface of the evaporation source 371 may be covered with a porous material 379, and a film may be formed of a vapor deposition material discharged to the vacuum chamber side through the porous material 379. . In the application example of the measurement result of the emission rate distribution of the vaporized vapor deposition material of the longitudinal direction or arrangement direction of the nozzle 373 which is given below, the nozzle of a hole form as shown to FIG. 14 (a) or (b) is shown. Although the detection of (373) is premised, even in the case of a slit-shaped nozzle as shown in Fig. 14 (c) or (d), the same processing can be performed by setting the sampling position in advance and performing the evaluation. When the result of measuring the emission rate distribution of the vaporized vapor deposition material in the longitudinal direction or the arrangement direction of the nozzle 373 is applied to the heater control, the supply power to each heater 371H, which is conventionally forming a film on the substrate, is applied. The adjustment can be performed automatically and more precisely with the apparatus alone, without forming a film on the substrate.

예를 들면, 특정한 가열 제어 블록에 있어서의 노즐 각 부의 기화한 증착 재료(371Z)의 방출 레이트가 부분적으로 저하하거나, 과잉되는 경우가 연속 가동 중에 자주 발생한다. 초기의 상태로 증발원(371)의 각 가열 제어 블록(371B)의 온도 균형을 맞추어도, 연속적으로 가동하고 있는 동안에 증발원(371) 내부의 증착 재료(371Z)의 소비 상태 및 그것을 담고 있는 도가니(371C)와의 접촉 상태가 변화되어, 증착 재료의 기화 상태가 변화되는 것이다. 종래에는 성막하고, 막두께를 측정하지 않으면, 이러한 상태를 검지할 수가 없었다.For example, the release rate of the vaporized vapor deposition material 371Z of each nozzle part in a specific heating control block is partially lowered or excessively occurs frequently during continuous operation. Even if the temperature is balanced between the heating control blocks 371B of the evaporation source 371 in the initial state, the consumption state of the evaporation material 371Z in the evaporation source 371 and the crucible 371C containing the same during continuous operation. ) And the vaporization state of the evaporation material is changed. In the past, such a state could not be detected without forming a film and measuring the film thickness.

본 발명에서는 이러한 상태를 자동적으로 검지할 수 있기 때문에, 대응하는 가열 제어 블록(371B)의 히터(371H)에 대한 전력 공급량의 증감을 조정하여, 다시 제2의 막두께 모니터(320B)에서 증발원(371)을 스캔하고, 기화한 증착 재료의 방출 레이트의 분포가 해소되었는지를 상세하게 확인하는 형태로 피드백을 거는 것이 가능해졌다. 상기를 자동적으로 판정하고 조정하는 알고리즘을 장치의 제어 수단(350)에 부가하면, 장치 내에서 자동적으로 기판(61)의 막두께가 균일을 유지하도록, 증발원(371)의 각 히터(371H)에 대한 전력 공급 제어도 행할 수 있다.In this invention, since this state can be detected automatically, the increase and decrease of the electric power supply amount with respect to the heater 371H of the corresponding heating control block 371B are adjusted, and the evaporation source (2) is again performed by the 2nd film thickness monitor 320B. 371), and it became possible to give feedback in the form of confirming in detail whether the distribution of the emission rate of the vaporized vapor deposition material was eliminated. When an algorithm for automatically determining and adjusting the above is added to the control means 350 of the apparatus, it is automatically applied to each heater 371H of the evaporation source 371 so that the film thickness of the substrate 61 is automatically maintained in the apparatus. Power supply control can also be performed.

다음으로, 도 18에 기초하여, 기판(61)에 대한 증착 개시 전에 행하는 증착 레이트 확인 방법을 설명한다.Next, based on FIG. 18, the deposition rate confirmation method performed before the deposition start with respect to the board | substrate 61 is demonstrated.

우선 증착원(371)을 후퇴 위치로 이동시킨다(S1801). 다음으로, 후퇴 위치에서 제2의 막두께 모니터(320B)를 증착원(371)의 노즐 배열 방향으로 일정 속도로 이동시켜, 각 노즐로부터의 기화한 증착 재료의 방출량을 검출한다(S1802). 다음으로, 제어부(350)에 있어서, 막두께 모니터(320B)의 이동 시간과 검출값의 피크값과의 관계로부터, 증착원(371)의 노즐(373) 위치와 측정값의 매칭을 취하고(S1803), 증착원(371)의 각 가열 제어 블록 단위로 각 노즐(373)로부터의 방출량의 피크값의 평균을 구한다(S1804). 다음으로, 제어용 열전대를 부착한 가열 제어 블록의 각 노즐(373)로부터의 방출량의 평균값을 기준으로 하여, 각 가열 블록의 각 노즐(373)로부터의 방출량의 평균치를 비교하여(S1805), 차가 미리 설정한 허용량을 넘어 큰 가열 블록의 유무를 체크하고(S1806), 차가 허용량을 넘어 크다고 판정된 가열 블록에 대해서는 그 과열 블록의 히터 전력을 저감하고(S1807), 다시 S1802부터의 단계를 반복한다. First, the deposition source 371 is moved to the retracted position (S1801). Next, in the retreat position, the second film thickness monitor 320B is moved at a constant speed in the nozzle arrangement direction of the deposition source 371 to detect the discharge amount of vaporized deposition material from each nozzle (S1802). Next, the control unit 350 matches the position of the nozzle 373 of the deposition source 371 and the measured value from the relationship between the movement time of the film thickness monitor 320B and the peak value of the detected value (S1803). ), The average of the peak values of the discharge amounts from the nozzles 373 is obtained in units of the heating control blocks of the deposition source 371 (S1804). Next, based on the average value of the discharge amount from each nozzle 373 of the heating control block with a control thermocouple, the average value of the discharge amount from each nozzle 373 of each heating block is compared (S1805), and the difference is previously made. The presence or absence of a large heating block is checked beyond the set allowable amount (S1806). For the heating block determined to be larger than the allowable amount, the heater power of the overheated block is reduced (S1807), and the steps from S1802 are repeated.

한편, 차가 허용량을 넘지 않았다고 판단된 경우에는, 다음으로 차가 허용량을 넘어 작은 가열 블록의 유무를 체크하고(S1808), 차가 허용량을 넘어 작다고 판정된 가열 블록에 대해서는 그 가열 블록의 히터 전력을 증가시키고(S1809), 다시 S1802부터의 단계를 반복한다. 모든 가열 블록에 대해서 기준값과의 차가 허용 범위 내에 있다고 판정된 경우에는 정상이라고 판정하고(S1810), 조작을 종료한다.On the other hand, if it is determined that the car has not exceeded the allowable amount, next, the car checks the presence or absence of a small heating block beyond the allowable amount (S1808), and increases the heater power of the heating block for the heating block which is determined to be smaller than the allowable amount. (S1809), the steps from S1802 are repeated again. If it is determined that the difference from the reference value is within the allowable range for all the heating blocks, it is determined to be normal (S1810), and the operation is finished.

이상에서는 기판(61)의 폭에 비해 증발원(371)의 길이 방향의 폭이 충분히 긴 경우를 전제로 하고 있으며, 그 경우에는 어느 노즐(373)로부터도 기화한 증착 재료의 방출 레이트가 동일한 피크값일 필요가 있었다. 그러나, 기판(61)의 폭에 대하여 증발원(371)의 튀어나온 양이 비교적 짧은 경우에, 기판(61) 상에서의 막두께 균일성이 확보되도록 하기 위해서는, 증발원(371)의 양단부의 노즐(373)로부터 방출되는 증착 재료 가스의 방출 레이트가 중앙부보다도 높은 경우를 정상이라고 하는 경우도 생각할 수 있다. 이 경우의 증착 재료 가스의 방출 레이트의 상기 검출계에서의 프로파일의 검출예를 도 19의 (a) 및 (b)에 나타낸다.In the above description, it is assumed that the width of the evaporation source 371 in the longitudinal direction is sufficiently long compared with the width of the substrate 61. There was a need. However, in the case where the amount of protruding of the evaporation source 371 relative to the width of the substrate 61 is relatively short, in order to ensure the film thickness uniformity on the substrate 61, the nozzles 373 at both ends of the evaporation source 371. The case where the release rate of the vapor deposition material gas discharged from the step 2) is higher than the center portion is considered to be normal. Examples of the profile detection in the detection system of the release rate of the vapor deposition material gas in this case are shown in FIGS. 19A and 19B.

도 19의 (a)는, 도 14의 (a) 또는 (b)에 나타낸 바와 같은 구멍 형상의 노즐을 가지는 증착원(371)으로부터의 증발의 상태를 모니터한 결과를 나타낸다. 또한, 도 19의 (b)에는, 도 14의 (c) 또는 (d)에 나타낸 바와 같은 슬릿 형상의 노즐을 가지는 증착원(371)으로부터의 증발의 상태를 모니터한 결과를 나타낸다. 단부에 있어서 가열 온도를 높게 하거나, 노즐(373)을 증설하거나, 노즐(373)을 대구경화하거나, 혹은 노즐(373)의 길이를 짧게 함으로써, 이와 같은 프로파일을 얻을 수 있다. 이러한 경우에 대하여, 부분적으로 기화한 증착 재료 가스의 방출 레이트가 증감하는 경우에도 마찬가지로 자동적으로 온도 제어에 의해 상태를 유지할 수 있다. 이를 실현하기 위해서는, 기판(6) 상의 막이 균일해지는 가열 제어 블록(371B)에 대한 전력 공급 조건하에서의 기화한 증착 재료의 방출 레이트 분포를 기준 프로파일로 정하고, 이후에는, 각 노즐(373)로부터 방출되는 증착 재료 가스의 방출 레이트를 맞추도록 조정하면 된다.FIG. 19A shows the result of monitoring the state of evaporation from the deposition source 371 having the nozzle of the hole shape as shown in FIG. 14A or 14B. 19B shows the result of monitoring the state of evaporation from the deposition source 371 having the slit-shaped nozzle as shown in FIG. 14C or FIG. 14D. Such an profile can be obtained by increasing the heating temperature at the end, increasing the nozzle 373, increasing the diameter of the nozzle 373, or shortening the length of the nozzle 373. In such a case, even in the case where the release rate of the vaporized vapor deposition material gas which is partially vaporized increases or decreases, the state can be maintained automatically by temperature control. In order to realize this, the emission rate distribution of the vaporized evaporation material under the power supply conditions for the heating control block 371B where the film on the substrate 6 becomes uniform is defined as a reference profile, and then emitted from each nozzle 373. What is necessary is just to adjust so that the emission rate of vapor deposition material gas may be matched.

한편, 제2의 막두께 모니터(320B)로 스캔한 결과, 기화한 증착 재료의 방출 레이트가 극단적으로 감소하고 있는 노즐(373)이 있는 경우나, 가열 제어 블록(371B) 중 국소적으로 기화한 증착 재료의 방출 레이트가 저하하고 있는 것이 있는 경우에는, 증착 재료가 어떠한 원인으로 인해 노즐(373)에 석출되어 막히는 현상이 의심된다.On the other hand, as a result of scanning with the second film thickness monitor 320B, when there is a nozzle 373 whose emission rate of vaporized vapor deposition material is extremely reduced, or locally vaporized in the heating control block 371B, If there is a decrease in the release rate of the evaporation material, it is suspected that the evaporation material precipitates and clogs in the nozzle 373 due to some cause.

이러한 상태가 확인되는 경우, 히터에 대한 공급 전력의 조정으로는 기화한 증착 재료의 방출 레이트가 회복하지 않기 때문에, 불량의 제조 방지의 관점에서, 장치 관리자에게 알람을 울리거나 또는 성막실로의 기판의 수용을 정지시키는 등의 처치를 행하는 것이 바람직하다. 이것도 역시, 상기 판정 알고리즘을 제어부(350)에 탑재함으로써, 자동적으로 불량의 제조를 방지하는 기능을 실현할 수 있다.When such a state is confirmed, since the emission rate of vaporized evaporation material does not recover by adjustment of the supply power to a heater, an alarm is issued to the device manager or the board of the substrate to the deposition chamber in view of prevention of defective manufacturing. It is preferable to carry out treatment such as stopping the accommodation. Again, by mounting the determination algorithm on the control unit 350, the function of automatically preventing the manufacture of a defect can be realized.

이상의 동작의 처리 흐름을 도 20을 이용하여 설명한다.The process flow of the above operation is demonstrated using FIG.

우선, 증착원(371)을 후퇴 위치로 이동시킨다(S2001). 다음으로, 후퇴 위치에서 제2의 막두께 모니터(320B)를 증착원(371)의 노즐 배열 방향으로 일정 속도로 이동시켜, 각 노즐로부터의 기화한 증착 재료의 방출량을 검출한다(S2002). 다음으로, 제어부(350)에 있어서, 막두께 모니터(320B)의 이동 시간과 검출값의 피크값과의 관계로부터, 증착원(371)의 노즐(373) 위치와 측정값의 매칭을 취하고(S2003), 증착원(371)의 각 노즐(373)로부터의 방출량의 피크값의 평균을 구한다(S2004). 다음으로, 각 노즐(373)로부터의 방출량의 평균치에 기초하여 기준값을 설정하고(S2005), 각 노즐(373)로부터의 방출양을 기준값과 평균치를 비교하여 차가 미리 설정한 허용값을 넘은 노즐의 유무를 체크하여(S2006), 차가 모두 허용값 이하인 경우는 정상이라고 판단하여(S2007), 조작을 종료한다.First, the deposition source 371 is moved to the retracted position (S2001). Next, in the retreat position, the second film thickness monitor 320B is moved at a constant speed in the nozzle arrangement direction of the deposition source 371 to detect the discharge amount of vaporized deposition material from each nozzle (S2002). Next, the control part 350 matches the position of the nozzle 373 of the vapor deposition source 371, and the measured value from the relationship between the movement time of the film thickness monitor 320B, and the peak value of a detection value (S2003). ), An average of peak values of the discharge amounts from the nozzles 373 of the vapor deposition source 371 is obtained (S2004). Next, a reference value is set based on the average value of the discharge amount from each nozzle 373 (S2005), and the amount of discharge from each nozzle 373 is compared with the reference value and the average value, and the presence or absence of the nozzle exceeding the preset tolerance value. Is checked (S2006), and if the difference is less than or equal to the allowable value, it is determined to be normal (S2007), and the operation is finished.

한편, 차가 허용값 이상인 노즐이 있는 경우에는, S2002부터 S2006까지의 단계를 몇 회 반복하였는지 판단하여(S2008), 반복 수가 미리 설정한 n회 이하인 경우에는 S2002의 단계로 돌아가 S2006까지의 단계를 실행한다. 만약에 S2002부터 S2006까지의 단계를 반복한 회수가 n회에 달해도 차가 허용값 이상인 노즐이 있는 경우에는, 노즐 막힘으로 판정하여(S2009), 처리실(301) 내에 있는 기판(61)을 배제하고 처리실(301)의 게이트 밸브(310)를 닫아서 기판 수용 금지로 하고(S2010), 알람을 울려서(S2011), 종료한다. On the other hand, if there is a nozzle whose difference is greater than or equal to the allowable value, it is determined how many times the steps from S2002 to S2006 are repeated (S2008). do. If there are nozzles whose difference is more than the allowable value even if the number of times of repeating the steps from S2002 to S2006 reaches n times, it is determined that the nozzle is clogged (S2009), and the substrate 61 in the processing chamber 301 is excluded. The gate valve 310 of the processing chamber 301 is closed to prevent the substrate from being accommodated (S2010), an alarm is sounded (S2011), and the process ends.

이상에서 나타낸 증발원(371)의 길이 방향의 기화한 증착 재료(371Z)의 방출 레이트 분포의 측정 데이타는 기판(61)을 1장 성막할 때마다에 있어서, 그 착공전 또는 후에 데이타를 축적하는 것이 가능하다. 이 때문에, 불량 발생시에 원인 공정의 특정을 행하기 위한 품질 관리 데이터로서도 활용할 수 있다.The measurement data of the emission rate distribution of the vaporized evaporation material 371Z in the longitudinal direction of the evaporation source 371 shown above is such that it is necessary to accumulate data before or after the start of the formation of each substrate 61. It is possible. For this reason, it can use also as quality control data for specifying the cause process at the time of a fault.

상기의 실시예에서는, 증발원(371)의 노즐(373)로부터 발생하는 가스 흐름(375)이 기판(61)에 도달하지 않는 후퇴 위치(W)로 증발원(371)을 이동시키고, 증발원(371)의 길이 방향의 기화한 증착 재료의 방출 레이트의 분포를 계측하였다. 그러나, 증발원(371)을 후퇴 위치(W)로 이동시키지 않아도, 기판(61)과 증발원(371)의 사이에 도 5에 나타낸 셔터와 동등한 개폐 가능한 수단을 설치하여, 기판(61)에 대한 증착 재료의 가스 흐름(375)의 도달을 저지하면, 동일한 효과를 얻을 수 있다.In the above embodiment, the gas flow 375 generated from the nozzle 373 of the evaporation source 371 moves the evaporation source 371 to the retreat position W where the gas flow 375 does not reach the substrate 61 and the evaporation source 371. The distribution of the release rate of the vaporized vapor deposition material in the longitudinal direction of was measured. However, even if the evaporation source 371 is not moved to the retracted position W, the opening and closing means equivalent to the shutter shown in FIG. 5 is provided between the substrate 61 and the evaporation source 371 to deposit the substrate 61. Retarding the arrival of the gas flow 375 of the material can achieve the same effect.

다음으로, 제3 실시예에 있어서 막두께 모니터(320A, 320B)를 모니터하여 그 수명을 예측하면서 기판(61)에 대한 증착을 순차적으로 반복하여 실행하는 조작의 순서에 대하여, 도 21을 이용하여 설명한다.Next, referring to FIG. 21 for the procedure of sequentially performing the deposition on the substrate 61 while sequentially monitoring the film thickness monitors 320A and 320B and predicting their lifetime, using FIG. Explain.

우선, 기판(61)에 대한 증착을 개시하기 전의 준비작업으로서, 이하를 실시한다.First, the following operations are performed as preparations before starting vapor deposition on the substrate 61.

먼저, 증발원(371)과 연동하는 막두께 모니터(320A)로 증발원(371)의 각 노즐로부터 방출되는 기화한 증착 재료의 방출 레이트를 측정한다(S2101). 다음으로, 증발원(371)을 소정의 속도로 구동하여 증착에 의해 샘플 기판 상에 박막을 형성한다(S2102).First, the release rate of the vaporized vapor deposition material discharged | emitted from each nozzle of the evaporation source 371 is measured by the film thickness monitor 320A which cooperates with the evaporation source 371 (S2101). Next, the evaporation source 371 is driven at a predetermined speed to form a thin film on the sample substrate by vapor deposition (S2102).

다음으로, 샘플 기판 상에 형성된 박막을 계측하여 막두께의 평균치를 구한다(S2103). S1201에서 측정한 증착 재료의 방출 레이트와 S2103에서 구한 막두께의 평균치에 기초하여, 수학식 1을 이용하여 막두께 모니터(320A)의 보정 계수 α를 산출하고(S2104), 이 산출한 α값을 이용하여 막두께 모니터(320A)를 교정하고(S2105), 증발원(371)을 후퇴 위치로 이동시킨다(S2106).Next, the thin film formed on the sample board | substrate is measured, and the average value of a film thickness is calculated | required (S2103). Based on the average of the emission rate of the vapor deposition material measured in S1201 and the film thickness determined in S2103, the correction coefficient α of the film thickness monitor 320A is calculated using Equation 1 (S2104), and the calculated α value is calculated. The film thickness monitor 320A is calibrated (S2105), and the evaporation source 371 is moved to the retracted position (S2106).

Figure pat00001
Figure pat00001

다음으로, 후퇴 위치에 있어서 막두께 모니터(320B)로 증발원(371) 상을 스캔시켜서 각 노즐로부터의 기화한 증착 재료의 방출량을 검출하고(S2107), 각 노즐로부터의 기화한 증착 재료의 방출량의 피크값의 평균치를 산출한다(S2108). 다음으로, 산출한 각 노즐로부터의 기화한 증착 재료의 방출량의 피크값의 평균치와 교정한 막두께 모니터(320A)의 증착 재료의 방출 레이트를 이용하여, 막두께 모니터(320A)를 기준으로 한 보정 계수 β를 수학식 2를 이용하여 산출하고(S2109), 이 산출한 보정 계수 β를 이용하여 막두께 모니터(320B)를 교정한다(S2110).Next, the evaporation source 371 is scanned on the evaporation source 371 by the film thickness monitor 320B in the retracted position to detect the discharge amount of vaporized vapor deposition material from each nozzle (S2107), The average value of the peak values is calculated (S2108). Next, correction is made based on the film thickness monitor 320A by using the average value of the peak values of the discharge amounts of vaporized evaporation material from each nozzle calculated and the release rate of the evaporation material of the calibrated film thickness monitor 320A. The coefficient β is calculated using Equation 2 (S2109), and the film thickness monitor 320B is corrected using the calculated correction coefficient β (S2110).

Figure pat00002
Figure pat00002

이상으로, 기판(61)에 대한 증착을 개시하기 전의 준비 작업을 종료한다.In the above, the preparation work before starting vapor deposition with respect to the board | substrate 61 is complete | finished.

다음으로, 실제의 기판(61)에 대한 증착을 개시한다. 기판(61)에 대한 증착중 또는 증착 막간에 막두께의 모니터를 행하는 막두께 모니터(320A, 320B)의 수정 진동자(326)의 검출면에 증착 재료가 퇴적되면, 수정 진동자(326)의 수정 발신 주파수가 저하한다. 막두께 모니터(320A, 320B)에서는 단위 시간당의 수정 발신 주파수의 변화를 성막 레이트로 변환하는 것이며, 석출한 막두께와 수정 발신 주파수의 변화가 선형적으로 변화되는 범위에서 사용한다. 그래서, 이 선형적으로 변화되는 범위의 하한을 넘기 전에 막두께 모니터(320A, 320B)의 수명시기를 예측하여 수명시기를 맞기 전에 막두께 모니터(320A) 또는 막두께 모니터(320B)를 교환하는 것이, 막두께 불량품을 내지 않으면서 스루풋을 떨어뜨리지 않고 생산을 계속하는 데 있어서 중요해진다.Next, deposition on the actual substrate 61 is started. When the deposition material is deposited on the detection surface of the crystal vibrator 326 of the film thickness monitors 320A and 320B during the deposition on the substrate 61 or between the deposition films, the crystal transmission of the crystal vibrator 326 is performed. Frequency drops In the film thickness monitors 320A and 320B, the change in the crystal transmission frequency per unit time is converted into the film formation rate, and the film thickness monitors 320A and 320B are used in a range in which the changes in the deposited film thickness and the crystal transmission frequency are linearly changed. Therefore, it is preferable to predict the life time of the film thickness monitors 320A and 320B before the lower limit of this linearly varying range, and to replace the film thickness monitor 320A or the film thickness monitor 320B before the life time is met. Therefore, it becomes important to continue production without dropping the throughput without producing a defective film thickness.

그래서, 기판(61)에 대한 증착을 개시한 후에는, 막두께 모니터(320A, 320B)의 수정 발신 주파수를 검출하여 그 주파수로부터 막두께 모니터(320A, 320B)의 수명을 예측하고(S2121), 수명 도달이 가까워졌는지의 여부를 판단하여(S2122), 막두께 모니터(320A, 320B) 모두 아직 충분히 수명이 남아있는 경우에는, S2121에서 막두께 모니터(320A, 320B)의 수정 발신 주파수를 검출하면서 증착을 반복한다.Therefore, after starting deposition on the substrate 61, the crystal transmission frequency of the film thickness monitors 320A and 320B is detected and the life of the film thickness monitors 320A and 320B is predicted from the frequencies (S2121), It is judged whether or not the end of life has been reached (S2122), and if both of the film thickness monitors 320A and 320B still have sufficient lifespan, the deposition is performed while detecting the crystal transmission frequency of the film thickness monitors 320A and 320B in S2121. Repeat.

한편, 수명 도달이 가까워졌다고 판단한 경우에는, 막두께 모니터(320A, 320B) 모두가 동시에 수명 도달이 가까워진 것인지, 아니면 어느 한쪽이 수명 도달이 가까워진 것인지를 판단하여(S2123), 막두께 모니터(320A, 320B) 모두 동시에 수명 도달이 가까워졌다고 판단한 경우에는, 우선 막두께 모니터(320B)의 직전의 검출값을 기억해 두고(S2131), 막두께 모니터(320A)의 수정 진동자(326)를 교환한다(S2132).On the other hand, when it is judged that the lifetime reaches, the film thickness monitors 320A and 320B simultaneously determine whether the lifetime reach is near, or which one approaches the lifetime reach (S2123), whereby the film thickness monitor 320A, In the case where all of the lifespans are judged to be near at the same time, the detection value immediately before the film thickness monitor 320B is stored (S2131), and the crystal oscillator 326 of the film thickness monitor 320A is replaced (S2132). .

다음으로, 상기 수정 진동자(326)를 교환한 막두께 모니터(320A)로 증발원(371)의 각 노즐로부터 방출되는 기화한 증착 재료의 방출 레이트를 측정하고(S2133), 막두께 모니터(320A)의 보정 계수 α의 새로운 값을 하기의 수학식 3에 의해 산출하여(S2134), 막두께 모니터(320A)를 교정한다(S2135).Next, the release rate of the vaporized vapor deposition material discharged from each nozzle of the evaporation source 371 is measured by the film thickness monitor 320A in which the crystal vibrator 326 is replaced (S2133). The new value of the correction coefficient α is calculated by the following equation (3) (S2134), and the film thickness monitor 320A is corrected (S2135).

Figure pat00003
Figure pat00003

다음으로, 상기 교정한 막두께 모니터(320A)를 이용하여 S2122로 돌아가서 기판(61)에 대한 증착을 행하고, 막두께 모니터(320A, 320B)의 수정 발신 주파수를 검출하여 그 주파수로부터 다시 막두께 모니터(320A, 320B)의 수명을 예측한다. 그 결과, S2123에서 한쪽의 막두께 모니터의 수명 도달이 가까워졌다고 판단한 경우에는, 어느 막두께 모니터인가를 판단하여(S2141), 막두께 모니터(320A)라고 판단한 경우에는 상술한 S2131부터 S2135까지의 단계를 실행한다.Next, using the calibrated film thickness monitor 320A, the process returns to S2122 to deposit the substrate 61, detects the crystal transmission frequency of the film thickness monitors 320A and 320B, and monitors the film thickness again from the frequency. Predict the lifetime of 320A, 320B. As a result, when it is determined in S2123 that the lifetime of one of the film thickness monitors is near, it is determined which film thickness monitor (S2141), and when it is determined that the film thickness monitor 320A is determined, the steps from S2131 to S2135 described above. Run

한편, 막두께 모니터(320B)의 수명 도달이 가까워졌다고 판단한 경우에는, 막두께 모니터(320A)의 직전의 검출값을 기억해 두고(S2142), 막두께 모니터(320B)의 수정 진동자(326)를 교환한다(S2143). 다음으로, 상기 수정 진동자(326)를 교환한 막두께 모니터(320B)로 증발원(371)의 각 노즐로부터 방출되는 기화한 증착 재료의 방출 레이트를 측정하고(S2144), 증발원(371)의 각 노즐마다의 방출량 검출의 피크값의 평균치를 계산하여(S2145), 막두께 모니터(A)를 기준으로 한 막두께 모니터(320B)의 보정 계수 β의 새로운 값을 하기의 수학식 4에 의해 산출하고(S2146), 막두께 모니터(320B)를 교정한다(S2147).On the other hand, when it is judged that the lifetime of the film thickness monitor 320B is near, the detection value immediately before the film thickness monitor 320A is stored (S2142), and the crystal oscillator 326 of the film thickness monitor 320B is replaced. (S2143). Next, the emission rate of the vaporized vapor deposition material discharged from each nozzle of the evaporation source 371 is measured by the film thickness monitor 320B which replaced the crystal vibrator 326 (S2144), and each nozzle of the evaporation source 371 is measured. The average value of the peak values of the emission amount detection per step is calculated (S2145), and a new value of the correction coefficient β of the film thickness monitor 320B based on the film thickness monitor A is calculated by the following equation (4): S2146), the film thickness monitor 320B is corrected (S2147).

Figure pat00004
Figure pat00004

다음으로, 상기 교정한 막두께 모니터(320B)를 이용하여 S2122로 돌아가서 기판(61)에 대한 증착을 행하고, 막두께 모니터(320A, 320B)의 수정 발신 주파수를 검출하여 그 주파수로부터 다시 막두께 모니터(320A, 320B)의 수명을 예측하는 것을 기판(61)의 처리를 반복하면서 실행한다.Next, using the calibrated film thickness monitor 320B, the process returns to S2122 to deposit the substrate 61, detects the crystal transmission frequency of the film thickness monitors 320A and 320B, and monitors the film thickness again from the frequency. Predicting the lifetime of the 320A and 320B is performed while the processing of the substrate 61 is repeated.

도 15에 나타낸 구성에 있어서, 증발원(371)에 고정한 제1의 막두께 모니터(320A)와 증발원(371)의 노즐(373)의 길이 방향 또는 배열 방향의 기화한 증착 재료(371Z)의 방출 레이트의 분포를 측정하는 제2의 막두께 모니터(320B)와의 사이에서, 증발원(371)이 가동 중에 종래보다도 고정밀도로 자동 교정하는 예를 나타낸다.In the configuration shown in FIG. 15, the emission rate of the vaporized evaporation material 371Z in the longitudinal direction or the arrangement direction of the first film thickness monitor 320A fixed to the evaporation source 371 and the nozzles 373 of the evaporation source 371. An example in which the evaporation source 371 is automatically calibrated with higher precision than before while the second film thickness monitor 320B for measuring the distribution of is in operation is shown.

진공 증착 장치를 장기간 연속 가동시키는 경우, 도 15에 나타내는 바와 같이, 제1과 제2의 막두께 모니터(320A, 320B)의 측정에서는 수정 진동자(326)를 이용하여 행한다. 각 막두께 모니터(320A, 320B)는 수정 진동자(326)를 복수 가진다. 복수의 수정 진동자(326A-1~3, 326B1~3)는 각각 터렛(turret)(329A) 또는 터렛(329B)에 고정된다. 수정진동자(326A-1~3, 326B1~3)는 막두께 모니터(320A, 320B)와 측정 위치에서 전기적으로 접속되어 수정 진동자(326A-1~3, 326B1~3)의 발신 주파수가 측정된다.When the vacuum evaporation apparatus is continuously operated for a long time, as shown in FIG. 15, the crystal oscillator 326 is used to measure the first and second film thickness monitors 320A and 320B. Each film thickness monitor 320A, 320B has a plurality of crystal oscillators 326. The plurality of quartz crystal oscillators 326A-1 to 3 and 326B1 to 3 are respectively fixed to the turret 329A or the turret 329B. The crystal oscillators 326A-1 to 3 and 326B1 to 3 are electrically connected to the film thickness monitors 320A and 320B at the measurement positions so that the outgoing frequencies of the crystal oscillators 326A-1 to 3 and 326B1 to 3 are measured.

수정 진동자(326A-1~3, 326B1~3)의 검출면에 증착 재료가 퇴적되면, 수정 발진 주파수가 저하되어 간다. 막두께 모니터(320A, 320B)에서는 단위 시간당의 수정 발신 주파수의 변화를 성막 레이트로 변환하는 것이다. 막두께 모니터(320A, 320B)에서는, 석출한 막두께와 수정 발신 주파수의 변화가 선형적으로 변화되는 범위에서 사용하기 때문에, 그 범위의 하한 부근에서 터렛을 바꾸어 다른 수정 진동자(326A-1~3, 326B-1~3)를 세팅한다.When the deposition material is deposited on the detection surfaces of the crystal oscillators 326A-1 to 3 and 326B1 to 3, the crystal oscillation frequency decreases. In the film thickness monitors 320A and 320B, the change in the crystal transmission frequency per unit time is converted into the film formation rate. Since the film thickness monitors 320A and 320B are used in a range in which the changes in the deposited film thickness and the crystal transmission frequency are linearly changed, the turret is changed in the vicinity of the lower limit of the range and other crystal oscillators 326A-1 to 3 are used. , 326B-1 ~ 3).

일반적으로 막두께 모니터의 구성에서는 기판에 막 형성을 행하여, 막두께 계측을 행한 결과에 기초하여 행해지고 있다. 수정 진동자(326A-1~3, 326B1~3)는 그 선형성에 근소하나마 개체 차를 갖는다. 이 때문에, 종래에는, 정밀하게 막두께를 제어하는 경우에 있어서, 모든 수정 진동자(326A-1~3, 326B1~3)에 대하여 기판에 성막하여 교정해야만 하였기 때문에, 준비에 시간을 필요로 하였다.Generally, in the structure of a film thickness monitor, film formation is performed on a board | substrate and it is performed based on the result of film thickness measurement. The crystal oscillators 326A-1 to 3 and 326B1 to 3 have individual differences at least in their linearity. For this reason, in the past, when precisely controlling the film thickness, all crystal oscillators 326A-1 to 3 and 326B1 to 3 had to be formed on the substrate and calibrated, which required time for preparation.

본 실시예에서는, 적어도 증착 개시의 1회만큼은, 기판(61)에 증착해서의 막두께의 측정 데이타를 이용한 막두께 모니터(320A, 320B)의 교정이 필요하지만, 그 이후 연속 가동하고 있을 때에는, 기판(61)에 대한 막 형성을 행하지 않고 교정을 하는 것이 가능하다.In the present embodiment, at least once at the start of deposition, calibration of the film thickness monitors 320A and 320B using the measurement data of the film thickness deposited on the substrate 61 is required. It is possible to perform calibration without performing film formation on the substrate 61.

우선, 증발원(371)을 성막 하기 위한 온도설정으로 한다. 그 후, 소정의 스캔 속도로 증발원(371)을 스캔하고, 기판(61)에 성막 처리를 실시한다. 그때의 증발원(371)과 연동하여 움직이는 제1의 막두께 모니터(320A)의 증발 레이트를 기록하는 동시에, 기판(61)에 부착된 막두께를 계측한다. 그리고, 제1의 막두께 모니터의 증발 레이트 측정값과 실제로 기판에 부착된 막두께의 비가 소정의 기준값과 차이가 생기는 경우에는, 보정 계수(툴링 팩터)를 곱하여 계측한 증발 레이트의 값을 교정한다. 한편, 스캔 속도를 변경하는 경우에는, 증발 레이터에 대하여 막두께와 스캔 속도의 곱의 비로부터 툴링 팩터를 구해도 된다.First, temperature setting for forming the evaporation source 371 is performed. Thereafter, the evaporation source 371 is scanned at a predetermined scan speed, and the film forming process is performed on the substrate 61. The evaporation rate of the first film thickness monitor 320A moving in conjunction with the evaporation source 371 at that time is recorded, and the film thickness attached to the substrate 61 is measured. When the ratio of the evaporation rate measurement value of the first film thickness monitor to the film thickness actually attached to the substrate differs from the predetermined reference value, the value of the evaporation rate measured by multiplying the correction factor (tooling factor) is corrected. . On the other hand, when changing the scanning speed, the tooling factor may be obtained from the ratio of the product of the film thickness and the scanning speed with respect to the evaporator.

다음으로, 증발원(371)의 노즐의 길이 방향 또는 배열 방향의 기화한 증착 재료(371Z)의 방출 레이트의 분포를 판독하는 제2의 막두께 모니터(320B)로 증발원(371)을 스캔함으로써, 기화한 증착 재료(371Z)의 방출 레이트의 평균치를 구한다. 그리고, 교정이 끝난 제1의 막두께 모니터(320A)와의 비를 구한다. 양자에 차이가 생긴 경우에는, 보정 계수를 구하여, 소정의 값이 되도록 맞추도록 한다.Next, vaporization is performed by scanning the evaporation source 371 with the second film thickness monitor 320B which reads the distribution of the emission rate of the vaporized vapor deposition material 371Z in the longitudinal direction or the arrangement direction of the nozzle of the evaporation source 371. The average value of the emission rate of one vapor deposition material 371Z is obtained. Then, the ratio with the calibrated first film thickness monitor 320A is obtained. If there is a difference between the two, a correction coefficient is obtained and adjusted to a predetermined value.

상기 2개의 조작에서는 제2의 막두께 모니터(320B)를 먼저 교정하고, 제2의 막두께 모니터(320B)를 기준으로 제1의 막두께 모니터(320A)를 교정해도 상관없다.In the above two operations, the second film thickness monitor 320B may first be calibrated, and the first film thickness monitor 320A may be calibrated based on the second film thickness monitor 320B.

연속 가동중에는, 제1 혹은 제2의 막두께 모니터(320A, 320B)에 있어서 어느 한쪽의 수정 진동자(326A-1~3, 326B1~3)의 사용 한도에 근접한 경우에, 사용 한도에 근접한 막두께 모니터(320A, 320B)의 수정 진동자(326A-1~3, 326B1~3)를 바꾸고, 또 한쪽의 막두께 모니터(320A, 320B)의 교환 직전의 측정 결과를 기준으로 교정함으로써, 생산을 멈추지 않고, 단시간이면서 고정밀도의 교정이 가능해진다.During continuous operation, when the first or second film thickness monitors 320A and 320B are close to the usage limits of either of the quartz crystal oscillators 326A-1 to 3 and 326B1 to 3, the film thickness is close to the usage limit. By changing the crystal oscillators 326A-1 to 3 and 326B1 to 3 of the monitors 320A and 320B and correcting them based on the measurement result immediately before the replacement of one of the film thickness monitors 320A and 320B, the production is not stopped. This enables short time and high accuracy calibration.

만약 제1 혹은 제2의 막두께 모니터(320A, 320B)가 동시에 사용 한도에 근접한 경우에는, 예를 들면, 수정 진동자(326A-1~3, 326B1~3)에 대한 막이 빨리 퇴적하는 제1의 막두께 모니터의 수정 진동자(326A-1~3)를 바꾸고, 교정이 끝나고나서 제2의 막두께 모니터의 수정 진동자(326B-1~3)를 바꾸어서 교정을 하면 된다.If the first or second film thickness monitors 320A and 320B are close to the limit of use at the same time, for example, the first film of the crystal oscillators 326A-1 to 3 and 326B1 to 3 is deposited quickly. The correction vibrators 326A-1 to 3 of the film thickness monitor may be replaced, and the correction vibrators 326B-1 to 3 of the second film thickness monitor may be corrected after the calibration is completed.

본 실시예에서는 유기 EL 표시 장치의 제조 공정에 있어서의 증착 프로세스에 대한 본 발명의 적용예를 나타내었다. 본실시예에 따르면, 유기막 뿐만 아니라 금속막의 증착 프로세스에서도 마찬가지의 효과를 나타낸다. 또한, 유기 EL 표시 장치 이외에도 대면적 기판에 대한 증착 프로세스를 채용하는 유기 EL 조명 장치의 제조 공정에서도 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.In this embodiment, an application example of the present invention to a deposition process in a manufacturing process of an organic EL display device is shown. According to this embodiment, the same effect is exhibited not only in the organic film but also in the deposition process of the metal film. In addition to the organic EL display device, the same effect can be obtained in the manufacturing process of the organic EL illuminating device employing the deposition process for a large area substrate.

또한, 상기한 실시예에서는, 진공 증착에 의해 유기 증착막을 기판 상에 형성하는 장치의 예를 설명했지만, 본원 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 유기막 이외의 증착 박막, 예를 들면 금속 박막이나, 무기 재료계의 박막의 형성에도 적용할 수 있다.In addition, in the above-described embodiment, an example of an apparatus for forming an organic vapor deposition film on a substrate by vacuum deposition has been described, but the present invention is not limited to this, but vapor deposition thin films other than organic films, for example, metal thin films, The present invention can also be applied to the formation of an inorganic thin film.

<제4 실시예><Fourth Embodiment>

제3 실시예에서는 처리실(301a)에 운반되는 기판(61)이 1장인 경우를 예로 들어서 설명하였다. 여기에서는 도 22에 나타내는 바와 같이, 처리실(401) 내에 기판(62)을 수평 방향으로 배열하여 2장 놓고, 2개의 성막 포지션 R, L을 가지는 일 실시 형태를 이하에 나타낸다. 또한, 도 23에서는, 처리실(401)과 반송 로봇(405)의 상세를 나타낸다. 본 실시예에 있어서의 처리실(401)의 구성은, 제3 실시예에서 설명한 도 13 및 도 15에서 설명한 구성과 기본적으로는 동일하지만, 하나의 처리실(401)의 내부에 2개의 성막 포지션 R과 L을 마련하여, 그 사이를 증발원(471)이 이동하는 점이 상이하다. 진공 내에서의 반송 로봇(405)은 보통 암의 신축, 선회, 상하의 3개의 동작을 행하는 것이며, 예를 들면 하나의 처리실(401a) 내에 평행하게 배열한 성막 포지션 R과 L을 준비하는 경우, 기판(62)의 방향을 반송 로봇(405)의 신축 방향에 대하여 기판(62)을 기울이지 않으면 2장의 기판(62)은 평행하게 배열되지 않는다. 도 22 및 도 23에 나타내는 바와 같이, 처리실(401a)에 있어서 2장의 기판을 병렬로 배열하는 데에 있어서, 수수실(402a)에서 반송 로봇(405)이 기판(62)을 받기 전에 소정량 기판(62)을 기울이고, 핸드(452) 상에서 기판(62)을 받을 때에 반송 로봇(405)의 암(451)의 신축 방향에 대하여 기울도록 유지시켜, 처리실(401a)에 기판(62)을 두었을 때에, 2개의 기판(62)이 평행하게 배열되도록 한다. 404a~c는, 수수실이다.In the third embodiment, the case where only one substrate 61 is carried in the processing chamber 301a has been described as an example. Here, as shown in FIG. 22, the board | substrate 62 is arrange | positioned in the horizontal direction two pieces in the process chamber 401, and one Embodiment which has two film-forming positions R and L is shown below. 23 shows the details of the processing chamber 401 and the transfer robot 405. The configuration of the processing chamber 401 in this embodiment is basically the same as the configuration described in FIGS. 13 and 15 described in the third embodiment, but two film deposition positions R and one inside the processing chamber 401 are formed. The point where L is provided and the evaporation source 471 moves between them is different. The conveyance robot 405 in a vacuum performs three operations of an arm expansion, a rotation, and an up-and-down movement normally, for example, when preparing the film-forming positions R and L arranged in parallel in one process chamber 401a, a board | substrate Two board | substrates 62 are not arranged in parallel unless the board | substrate 62 is inclined with respect to the expansion direction of the conveyance robot 405 in the direction of the 62. As shown in FIG. 22 and FIG. 23, in arranging two board | substrates in parallel in the process chamber 401a, a predetermined amount board | substrate is received before the transfer robot 405 receives the board | substrate 62 in the delivery chamber 402a. When the substrate 62 is tilted and the substrate 62 is received on the hand 452, the substrate 62 is placed in the processing chamber 401a so as to be inclined with respect to the stretching direction of the arm 451 of the transfer robot 405. At this time, the two substrates 62 are arranged in parallel. 404a-c are sorghum chambers.

도 22 및 도 23에 나타낸 예에서는, 처리실(401a)의 제1의 성막 포지션 R에 있어서, 한쪽의 기판(62)에 대하여 증발원(471)을 스캔시켜서 소정의 막두께의 증착 재료의 막이 되도록 성막한다. 동시에 처리실(401a)의 제2의 성막 포지션 L에서는, 반송 로봇(405)에 의해 처리 완료된 기판(62)을 반출하고, 미처리인 기판(62)을 반입하여 기판(62)과 새도우 마스크(481)와의 위치 맞춤을 행하여 기판(62)을 새도우 마스크(481)와 정렬하여 겹친 상태로 대기한다.In the example shown in FIG. 22 and FIG. 23, in the 1st film-forming position R of the process chamber 401a, the evaporation source 471 is scanned with respect to one board | substrate 62, and it forms into a film of vapor deposition material of predetermined film thickness. do. At the same time, in the second film forming position L of the processing chamber 401a, the processed substrate 62 is carried out by the transfer robot 405, and the unprocessed substrate 62 is loaded to bring the substrate 62 and the shadow mask 481. The substrate 62 is aligned with the shadow mask 481 to stand by and overlap with each other.

증발원(471)의 구성은, 제3의 실시예에서 도 15를 이용하여 설명한 것과 동일한 구조를 가지고 있다.The configuration of the evaporation source 471 has the same structure as that described with reference to FIG. 15 in the third embodiment.

제1의 성막 포지션 R에서의 성막이 완료하면, 증발원(471)을 후퇴 위치 W로 이동시켜, 기판(62) 또는 새도우 마스크(481)에 증착 재료의 가스 흐름(475)이 직접 닫지 않도록 한다. 그리고, 증발원(471)은 성막 포지션 R로부터 성막 포지션 L로 이동한다. 이때의 후퇴 위치 W에서의 증발원(471)의 이동 수단의 상세를 도 24에 나타낸다. 2개의 성막 포지션 R, L이 스캔 방향과 평행한 위치 관계인 경우에는, 증발원 후퇴 위치 W에 있어서, 증발원의 길이 방향(스캔 방향과 직각 방향)으로 증발원(471)을 이동시킨다.When film formation at the first deposition position R is completed, the evaporation source 471 is moved to the retracted position W so that the gas flow 475 of the deposition material does not directly close to the substrate 62 or the shadow mask 481. Then, the evaporation source 471 moves from the deposition position R to the deposition position L. As shown in FIG. The detail of the moving means of the evaporation source 471 in the retraction position W at this time is shown in FIG. When two film-forming positions R and L have a positional relationship parallel to a scanning direction, the evaporation source 471 is moved in the evaporation source retreat position W in the longitudinal direction (orthogonal to a scanning direction) of an evaporation source.

증발원(471)은, 후퇴 위치 W에 도달하면 리니어 가이드(489)와 볼 나사(492P) 및 이동 블록(491)으로 구성되는 이동 기구와 가이드 핀(490)으로 결합한다. 이 상태에서 처리실(401)의 외부에 설치한 모터(492M)로 진공 회전 도입 기구(492S)를 통해 볼 나사(492)를 회전시킴으로써 이동 블록(491)과 가이드 핀(490)과 결합하고 있는 증발원(471)을 길이 방향으로 성막 포지션 R로부터 성막 포지션 L로 이동시킴으로써, 성막 포지션 R에 설치한 증발원(471)을 스캔시키는 증발원 베이스(478A)로부터 성막 포지션 L에 설치한 증발원 베이스(478B)로 증발원(471)을 가이드 홈(479)을 따라 슬라이드 시켜, 바꿔 탑재한다.When the evaporation source 471 reaches the retreat position W, the evaporation source 471 engages with the guide pin 490 and the moving mechanism composed of the linear guide 489, the ball screw 492P, and the moving block 491. In this state, the evaporation source engaged with the moving block 491 and the guide pin 490 by rotating the ball screw 492 through the vacuum rotation introduction mechanism 492S with a motor 492M installed outside the processing chamber 401. By moving 471 from the deposition position R to the deposition position L in the longitudinal direction, the evaporation source from the evaporation source base 478A for scanning the evaporation source 471 provided at the deposition position R to the evaporation source base 478B provided at the deposition position L. 471 is slid along the guide grooves 479 to be mounted.

상기 증발원(471)의 이동 기구는 일례이며, 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다면 어떤 구조라도 상관없다.The moving mechanism of the evaporation source 471 is an example, and any structure may be used as long as the same effect can be obtained.

이렇게 하여, 기판의 성막을 2개의 성막 포지션에서 교대로 처리함으로써, 불필요한 시간을 배제할 수 있어 증발원의 가동율이 높아지고, 고가인 증착 재료의 사용 효율이 높아진다. 특히 성막 시간이 기판의 반입·반출, 기판과 마스크의 정렬에 드는 시간보다도 긴 경우에는, 불필요한 시간을 증발원의 이동 시간만으로 단축할 수 있게 된다.In this way, by processing the film formation of the substrate alternately in two film formation positions, unnecessary time can be eliminated, the operation rate of the evaporation source is increased, and the use efficiency of expensive deposition material is increased. In particular, when the film formation time is longer than the time required for carrying in and carrying out the substrate and aligning the substrate and the mask, unnecessary time can be shortened only by the movement time of the evaporation source.

상기한 바와 같이 증발원(471)이 이동하는 경우에는, 증발원(471)의 노즐의 길이 방향 또는 배열 방향의 기화한 증착 재료의 방출 레이트의 분포를 측정하는 제2의 막두께 모니터(420B)를 증발원(471)의 성막 포지션 R로부터 성막 포지션 L로의 이동 경로 상에 설치함으로써, 증발원의 노즐의 길이 방향 또는 배열 방향의 기화한 증착 재료의 방출 레이트의 분포를 측정할 수 있다. 이 경우, 제2의 막두께 모니터(420B)는, 2개의 성막 포지션 R과 L의 중간 부근의 처리실(410)측에 고정하면 된다. 이렇게 하면, 제3 실시예와 같이 증발원(471)의 노즐(473)의 길이 방향 또는 배열 방향의 기화한 증착 재료(471Z)의 방출 레이트의 분포를 측정하는 것이 가능해 진다.When the evaporation source 471 moves as described above, the second film thickness monitor 420B for measuring the distribution of the emission rate of vaporized evaporation material in the longitudinal direction or the arrangement direction of the nozzle of the evaporation source 471 is evaporated source. By installing on the movement path from the film-forming position R of 471 to the film-forming position L, distribution of the discharge rate of the vaporized vapor deposition material of the evaporation source nozzle in the longitudinal direction or arrangement direction can be measured. In this case, what is necessary is just to fix the 2nd film thickness monitor 420B to the process chamber 410 side of the middle of two film-forming positions R and L. As shown in FIG. This makes it possible to measure the distribution of the release rate of the vaporized evaporation material 471Z in the longitudinal direction or the arrangement direction of the nozzle 473 of the evaporation source 471 as in the third embodiment.

다음으로, 제4 실시예에 있어서 증착 개시 전에 행하는 증착 레이트 확인의 처리 순서를 도 27을 이용하여 설명한다.Next, the processing procedure of vapor deposition rate confirmation performed before vapor deposition start in 4th Example is demonstrated using FIG.

우선, 증착원(471)을 후퇴 위치로 이동시킨다(S2701). 다음으로, 후퇴 위치에서 제2의 막두께 모니터(420B)와 대향하는 위치에서 증착원(471)을 노즐이 배열된 길이 방향으로 일정 속도로 이동시키고, 각 노즐로부터의 기화한 증착 재료의 방출량을 검출한다(S2702). 다음으로, 제어부(450)에 있어서, 막두께 모니터(420B)의 이동 시간과 검출값의 피크값과의 관계로부터, 증착원(471)의 노즐(473) 위치와 측정값과의 매칭을 취하고(S2703), 증착원(471)의 각 가열 제어 블록 단위로 각 노즐(473)로부터의 방출량의 피크값의 평균을 구한다(S2704). 다음으로, 제어용 열전대를 부착한단 가열 제어 블록의 각 노즐(473)로부터의 방출량의 평균치를 기준으로 하여, 각 가열 블록의 각 노즐(473)로부터의 방출량의 평균치를 비교하여 차를 구하고(S2705), 차가 미리 설정한 허용값을 넘어 방출양이 큰 가열 블록의 유무를 체크하고(S2706), 차가 허용값을 넘어 방출량이 큰 가열 블록이 있는 경우에는, 그 가열 블록의 히터 전력을 저감시키고(S2707), 다시 S2702의 단계부터 반복한다.First, the deposition source 471 is moved to the retracted position (S2701). Next, the deposition source 471 is moved at a constant speed in the longitudinal direction in which the nozzles are arranged at a position opposed to the second film thickness monitor 420B at the retracted position, and the amount of vaporized deposition material emitted from each nozzle is discharged. It is detected (S2702). Next, in the control unit 450, matching is made between the position of the nozzle 473 of the deposition source 471 and the measured value from the relationship between the movement time of the film thickness monitor 420B and the peak value of the detected value ( S2703) The average of the peak value of the discharge | emission amount from each nozzle 473 is calculated | required by each heating control block unit of the vapor deposition source 471 (S2704). Next, based on the average value of the discharge amount from each nozzle 473 of the stage heating control block with a control thermocouple attached, the difference is calculated by comparing the average value of the discharge amount from each nozzle 473 of each heating block (S2705). In step S2706, if there is a heating block with a large amount of discharge exceeding the allowable value, the difference is exceeded, and if there is a heating block with a large amount of discharge exceeding the allowable value, the heater power of the heating block is reduced (S2707). Repeat again from step S2702.

한편, 차가 허용량을 넘어 큰 가열 블록이 없다고 판단된 경우에는, 다음으로 차가 허용량을 넘어 작은 가열 블록의 유무를 체크하고(S2708), 차가 허용량을 넘어 작다고 판정된 가열 블록이 있는 경우에는, 그 가열 블록의 히터 전력을 증가시키고(S2709), 다시 S2702부터의 단계를 반복한다. 모든 가열 블록에 대하여 기준값과의 차가 허용 범위 내에 있다고 판정된 경우에는 정상이라고 판정하여(S2710), 조작을 종료한다.On the other hand, if it is determined that there is no large heating block beyond the allowable amount, the next step is to check the presence or absence of a small heating block beyond the allowable amount (S2708), and if there is a heating block determined to be smaller than the allowable amount, the heating is performed. The heater power of the block is increased (S2709), and the steps from S2702 are repeated again. If it is determined that the difference from the reference value is within the allowable range for all the heating blocks, it is determined to be normal (S2710), and the operation is finished.

또한, 이상의 예에서는 2개의 성막 포지션과 스캔 방향이 병행일 경우에 대하여 나타냈지만, 도 25에 나타내는 바와 같이 2개의 성막 포지션이 증발원(471)의 스캔 방향(X 방법)과 동일 방향으로 배열되어 있는 경우에는, 성막 포지션 R과 L의 사이에 증발원(471)의 후퇴 위치 W를 준비한다. 이 경우, 도 26에 나타내는 바와 같이 제2의 막두께 모니터(420B) 측에 진공 회전 도입 기구(429S)를 통해 모터(424M)에 의해 구동되는 볼 나사(424P)와 결합되어 있는 이동 기구(425)를 설치하고, 상기 이동 기구(425)로 지지된 암(426)으로 막두께 모니터(420B)를 유지하는 구성으로 하고, 모터(424M)로 볼 나사(424P)를 구동하여 막두께 모니터(420B)를 대기 위치 W에서 정지하고 있는 증발원(471)을 따라 이동시킴으로써, 증발원(471)의 노즐(473) 각 부의 증발 레이트를 모니터링할 수 있다. 도 25 및 도 26에 있어서, 도 23에서 설명한 것과 동일한 부품에 대해서는 부품 번호를 공통으로 하여 그 설명을 생략한다.In addition, in the above example, although it showed about the case where two film-forming positions and a scanning direction are parallel, as shown in FIG. 25, two film-forming positions are arrange | positioned in the same direction as the scanning direction (X method) of the evaporation source 471. In this case, the retreat position W of the evaporation source 471 is prepared between the film deposition positions R and L. In this case, as shown in FIG. 26, the movement mechanism 425 couple | bonded with the ball screw 424P driven by the motor 424M via the vacuum rotation introduction mechanism 429S on the 2nd film thickness monitor 420B side. ) To hold the film thickness monitor 420B with the arm 426 supported by the moving mechanism 425, and drive the ball screw 424P with the motor 424M to monitor the film thickness monitor 420B. The evaporation rate of each part of the nozzle 473 of the evaporation source 471 can be monitored by moving along the evaporation source 471 stopped at the standby position W. In FIGS. 25 and 26, the same parts as those described in FIG. 23 have the same part numbers, and description thereof is omitted.

본 실시예에서는 기판을 2장 병행 처리하는 예를 나타냈지만, 기판 반입·반출이나 기판과 마스크의 위치 맞춤이 성막 시간보다도 긴 경우, 3장 이상의 병렬 처리로 하여도 좋다. 이 경우에는, 각 성막 포지션의 사이에 제2의 막두께 모니터(420B)를 설치하여도 좋다. 또한, 증발원(471)과 함께 이동하고, 항상 정점 관측하는 막두께 모니터(420A)를 포함시켜 복수의 막두께 모니터(420A, 420B)를 이용하면, 각각의 막두께 모니터간의 교정을 하여 측정 결과를 통일할 필요가 있다. 이에 대해서는, 증발원(471)의 후퇴 위치 W에 설치한 막두께 모니터(420A, 420B) 중 어느 하나를 기준으로 하여 교정을 하면 된다.Although the example which processed two board | substrates in parallel in this Example was shown, when the board | substrate carrying in / out of a board | substrate and the alignment of a board | substrate and a mask are longer than the film-forming time, three or more parallel processes may be used. In this case, the second film thickness monitor 420B may be provided between each film deposition position. In addition, when a plurality of film thickness monitors 420A and 420B are included with the film thickness monitor 420A moving along with the evaporation source 471 and always observing peaks, the measurement results are measured by calibrating between the film thickness monitors. We need to unify. This may be corrected based on any one of the film thickness monitors 420A and 420B provided at the retreat position W of the evaporation source 471.

여기서 구해진 기화한 증착 재료의 방출 레이트의 분포를 제1 실시예와 마찬가지로, 히터에의 공급 전력을 조정하여 증발원(471)의 노즐(473)의 길이 방향 또는 배열 방향의 기화한 증착 재료(471Z)의 방출 레이트의 분포가 저감되도록 제어하거나, 노즐 막힘을 관측하는 등의 판단 재료나 품질 관리에 활용할 수 있다.The vaporized deposition material 471Z in the longitudinal direction or the arrangement direction of the nozzle 473 of the evaporation source 471 is adjusted by adjusting the power supply to the heater in the same manner as in the first embodiment by using the distribution of the emission rate of the vaporized deposition material obtained here. It can be utilized for the control material or quality control, such as controlling so that distribution of the emission rate of this may be reduced, or observing nozzle clogging.

본 발명은 그 정신 또는 기본 특성 내에서 다른 특정 형태로 구현될 수도 있다. 따라서, 본 실시예는 모든 점에서 제한적이기보다는 예시적인 것으로 여겨져야만하고, 본 발명의 범위는 앞선 설명보다는 첨부 청구범위에 의해 정의되고, 따라서 청구범위의 등가 범위 및 의도 내에서 구현되는 모든 변화는 그 안에 모두 포함되는 것이다.The invention may be embodied in other specific forms within its spirit or basic characteristics. Accordingly, the present embodiments are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive, and the scope of the invention is defined by the appended claims rather than the foregoing description, and therefore, all changes implemented within the equivalent scope and intent of the claims It is all included in it.

Claims (18)

진공 배기된 챔버 내에 있어서, 기판에 가열에 의해 기화된 증착 재료를 증착하는 증착 장치이며,
기판을 유지하는 기판 유지 수단과,
증착 재료를 기화시켜서 노즐로부터 방출하는 일방향으로 긴 형상을 가지는 증발원과,
상기 증발원의 긴 일방향과 수직한 방향으로 상기 증발원 또는 상기 기판을 유지하는 기판 유지 수단의 적어도 한쪽을 이동시키는 제1의 이동 수단과,
상기 증발원으로부터의 상기 증착 재료의 방출 레이트를 검출하는 검출 수단과,
상기 증발원 또는 상기 검출 수단의 적어도 한쪽을 상기 증발원의 긴 일방향(길이 방향)과 평행으로 이동시키는 제2의 이동 수단과,
상기 기판 유지 수단과 상기 증발원과 상기 제1의 이동 수단과 상기 검출 수단과 상기 제2의 이동 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고,
당해 제어 수단으로 상기 제2의 이동 수단을 제어하여 상기 검출 수단 또는 상기 증발원의 적어도 한쪽을 이동시킴으로써 상기 증발원의 방출 레이트의 상기 길이 방향의 분포를 계측하는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 장치.A vapor deposition apparatus for depositing vaporized vapor deposition material on a substrate in a vacuum evacuated chamber,
Substrate holding means for holding a substrate,
An evaporation source having a long shape in one direction which vaporizes the vapor deposition material and discharges it from the nozzle,
First moving means for moving at least one of the evaporation source or the substrate holding means for holding the substrate in a direction perpendicular to the elongated one direction of the evaporation source;
Detection means for detecting a release rate of the deposition material from the evaporation source;
Second moving means for moving at least one of the evaporation source or the detection means in parallel with one long direction (length direction) of the evaporation source;
And control means for controlling the substrate holding means, the evaporation source, the first moving means, the detecting means, and the second moving means,
The vacuum vapor deposition apparatus characterized by controlling the said 2nd moving means by the said control means, and measuring the distribution of the said longitudinal direction of the discharge rate of the said evaporation source by moving at least one of the said detection means or the said evaporation source. 제1항에 있어서, 상기 증발원은, 일방향으로 긴 형상을 가지며 복수의 가열 수단을 가지는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 장치.The vacuum vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the evaporation source has a shape elongated in one direction and has a plurality of heating means. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제어 수단은, 상기 기판 유지 수단 또는 상기 증발원의 적어도 어느 한쪽을 제어하고, 상기 검출 수단으로 상기 증발원의 방출 레이트의 상기 긴 일방향의 분포의 계측을 행할 때, 상기 증발원의 노즐로부터 방출된 증착 재료가 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판에 도달하지 않는 위치로 상기 기판 유지 수단과 상기 증발원을 상대적으로 이동시키는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 장치.The said control means controls at least one of the said board | substrate holding means or the said evaporation source, and the said measuring means measures the distribution of the said long one direction of the emission rate of the said evaporation source by the said detection means. And moving the substrate holding means and the evaporation source relatively to a position where the deposition material discharged from the nozzle of the evaporation source does not reach the substrate held by the substrate holding means. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판 유지 수단과 상기 증발원의 사이에 상기 증발원과 상대적으로 이동 가능하게 설치된 셔터 혹은 차폐판 수단을 더 구비하고, 당해 셔터 혹은 차폐판 수단은, 상기 검출 수단이 상기 증발원의 방출 레이트의 상기 길이 방향의 분포를 적어도 계측할 때에 상기 증발원의 노즐의 전면 또는 측방을 덮도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 장치.The shutter or shield plate means according to claim 1 or 2, further comprising a shutter or a shield plate means provided between the substrate holding means and the evaporation source so as to be movable relative to the evaporation source. The vacuum vapor deposition apparatus characterized by covering the front surface or the side of the nozzle of the said evaporation source, when measuring the distribution of the said longitudinal direction of the discharge rate of the said evaporation source at least. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 검출 수단의 검출부가 수정 진동자이며, 당해 검출부의 주변에 통 형상 또는 판 형상의 차폐판을 설치한 것을 특징으로 하는, 진공 증착 장치.The vacuum vapor deposition apparatus according to claim 1 or 2, wherein the detection unit of the detection unit is a crystal oscillator, and a cylindrical or plate-shaped shielding plate is provided around the detection unit. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판 유지 수단은, 상기 피처리 기판을 수직으로 세워서 유지하고, 상기 기판 유지 수단 또는 상기 증발원의 적어도 어느 한쪽이 연직 방향 또는 연직 방향에 대하여 직각 방향으로 주사함으로써 기판 상에 성막을 실시하는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 장치.The said board | substrate holding means holds the said to-be-processed board | substrate vertically, and the said board | substrate holding means or at least one of the said evaporation source scans in a perpendicular | vertical direction or a perpendicular | vertical direction with respect to a perpendicular direction. The film deposition on a substrate is carried out, thereby vacuum deposition apparatus. 내부를 배기하여 진공 상태로 유지한 진공조 내에 있어서 피처리 기판의 표면에 증착에 의해 박막을 형성하는 진공 증착부를 가지는 진공 증착 장치이며,
선 상에 배치한 복수의 노즐을 통해 가열에 의해 기화시킨 증착 재료를 상기 진공조 내로 방출시키는 증발원과,
상기 처리 기판을 유지하는 기판 유지 수단과,
상기 기판 유지 수단으로 유지된 피처리 기판을 따라 상기 증발원을 상기 선 상에 배치한 복수의 노즐의 배열 방향에 대하여 직각인 방향으로 상대적으로 주사시키는 구동 수단과,
상기 증발원이 가지는 상기 노즐에 있어서, 1개 또는 인접하는 복수의 노즐을 그룹으로 하여, 상기 노즐의 그룹 각각으로부터 방출되는 상기 증착 재료의 개별의 방출 레이트를 검출하는 검출 수단을 구비한 것을 특징으로 하는, 진공 증착 장치.It is a vacuum vapor deposition apparatus which has a vacuum vapor deposition part which forms a thin film by vapor deposition on the surface of a to-be-processed substrate in the vacuum chamber which exhausted the inside and maintained in a vacuum state,
An evaporation source for discharging vapor deposition material vaporized by heating into the vacuum chamber through a plurality of nozzles arranged on a line;
Substrate holding means for holding the processing substrate;
Drive means for relatively scanning the evaporation source along a substrate to be held by the substrate holding means in a direction perpendicular to an arrangement direction of a plurality of nozzles arranged on the line;
In the nozzle of the evaporation source, detection means for detecting an individual release rate of the vapor deposition material discharged from each of the nozzle groups by using one or a plurality of adjacent nozzles as a group is provided. , Vacuum deposition apparatus. 제7항에 있어서, 상기 진공 증착부는, 상기 기판 유지 수단과 상기 구동 수단을 2조 내부에 구비하고, 또한, 상기 증발원을 상기 2조의 구동 수단의 사이를 이송하는 증발원 이송 수단을 구비하고, 상기 검출 수단을 상기 증발원 이송 수단으로 상기 증발원을 상기 2조의 구동 수단의 사이를 이송하는 이송계로 상에 배치한 것을 특징으로 하는, 진공 증착 장치.The said vacuum vapor deposition part is equipped with the said board | substrate holding means and the said drive means in two tanks, and is provided with the evaporation source transfer means which transfers the said evaporation source between the two sets of drive means, A vacuum vapor deposition apparatus, characterized in that a detection means is disposed on a transfer system path for transferring the evaporation source between the two sets of drive means to the evaporation source transfer means. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 처리 기판은, 적어도 증착에 의해 박막을 형성할 때에 표면을 새도우 마스크로 덮힌 상태에서 상기 기판 유지 수단에 유지되어 있는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 장치.The vacuum vapor deposition apparatus according to claim 7 or 8, wherein the processing substrate is held by the substrate holding means in a state where the surface is covered with a shadow mask at least when forming a thin film by vapor deposition. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 진공 증착부를 복수 구비하고, 진공 분위기 중에 있어서 상기 피처리 기판을 상기 복수의 상기 진공 증착부간에서 반송하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 장치.The vacuum vapor deposition apparatus according to claim 7 or 8, further comprising: a plurality of vacuum vapor deposition units, and means for conveying the substrate to be processed between the plurality of vacuum vapor deposition units in a vacuum atmosphere. 제7항 또는 제8항에 있어서, 기화한 상기 증착 재료의 방출 레이트의 상기 검출 수단에 의해, 상기 노즐의 그룹 중 어느 하나로부터의 상기 증착 재료의 방출 상태가 이상한 것을 검지했을 때, 이상에 관한 정보를 출력하는 이상 정보 출력 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 장치.The abnormality according to claim 7 or 8, wherein the detecting means of the vaporization rate of the vaporized vapor deposition material detects that the vapor deposition state of the vapor deposition material from any one of the nozzle groups is abnormal. An abnormality information output means which outputs information is provided, The vacuum vapor deposition apparatus characterized by the above-mentioned. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 검출 수단으로 검출한 상기 노즐의 그룹마다의 상기 증착 재료의 방출 레이트의 정보를 이용하여 상기 증발원을 제어하는 제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 장치.The vacuum vapor deposition according to claim 7 or 8, further comprising control means for controlling the evaporation source by using information of the release rate of the deposition material for each group of the nozzles detected by the detection means. Device. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 증발원은 개별적으로 제어 가능한 복수의 가열부를 구비하고, 상기 검출 수단으로 검출한 상기 노즐의 그룹마다의 방출 레이트에 따라 상기 복수의 가열부를 개별적으로 제어하는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 장치.The method according to claim 7 or 8, wherein the evaporation source includes a plurality of individually controllable heating units, and individually controls the plurality of heating units in accordance with the discharge rate for each group of the nozzles detected by the detecting means. Characterized in that the vacuum deposition apparatus. 내부를 배기하여 진공 상태로 유지한 진공조에 접속한 제1의 진공 증착부에 있어서, 표면을 새도우 마스크로 덮은 피처리 기판의 표면에 증착에 의해 박막을 형성하고, 당해 박막을 형성한 기판을 진공으로 유지된 분위기 중에서 상기 제1의 진공 증착부로부터 제2의 진공 증착부로 수수하여 당해 제2의 진공 증착부에서 처리하는 진공 증착 방법이며,
상기 제1의 진공 증착부에 있어서,
상기 피처리 기판에 증착막을 형성하기 전에 상기 증발원을 대기 위치에 위치하고 있는 상태에서, 상기 증발원의 선 상에 배치한 복수의 노즐과 제2의 검출 수단을 상대적으로 주사하여 상기 증발원의 선 상에 배치한 복수의 노즐의 개개의 노즐로부터의 상기 증착 재료의 방출 레이트를 검출하고,
상기 처리 기판을 상기 새도우 마스크로 덮은 상태에서, 증발원의 선 상에 배치한 복수의 노즐을 통해 증착 재료를 상기 진공조 내로 방출시키면서 당해 증발원을 상기 피처리 기판을 따라 상기 선 상에 배치한 복수의 노즐의 배열 방향에 대하여 직각인 방향으로 상대적으로 이동시킴으로써, 상기 새도우 마스크를 통해 피처리 기판에 증착막을 형성하고,
당해 피처리 기판에 증착막을 형성하고 있는 경우에 상기 증발원으로부터 방출되는 상기 증착 재료의 방출 레이트를 제1의 검출 수단으로 검출하는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 방법.In the first vacuum deposition unit connected to a vacuum chamber in which the inside is evacuated and maintained in a vacuum state, a thin film is formed on the surface of the substrate to be covered with a shadow mask by vapor deposition, and the substrate on which the thin film is formed is vacuumed. It is a vacuum deposition method which is processed from the first vacuum deposition unit to the second vacuum deposition unit in the atmosphere maintained in the second vacuum deposition unit, and treated in the second vacuum deposition unit,
In the first vacuum deposition unit,
Before the deposition film is formed on the substrate to be processed, in a state where the evaporation source is positioned at a standby position, the plurality of nozzles and the second detection means arranged on the line of the evaporation source are relatively scanned and arranged on the line of the evaporation source. Detecting the release rate of the deposition material from each nozzle of one of the plurality of nozzles,
In the state which covered the said process board | substrate with the said shadow mask, the said some evaporation source arrange | positioned on the said line along the said to-be-processed substrate with the said vapor deposition material discharged into the said vacuum chamber through the some nozzle arrange | positioned on the line of the evaporation source. By moving relatively in the direction perpendicular to the arrangement direction of the nozzle, a deposition film is formed on the substrate to be processed through the shadow mask,
When the vapor deposition film is formed in the said to-be-processed substrate, the vacuum vapor deposition method characterized by detecting the discharge rate of the said vapor deposition material discharge | released from the said evaporation source with a 1st detection means. 제14항에 있어서, 상기 제1의 진공 증착부는, 상기 기판을 유지하는 수단과 상기 증발원을 상기 기판을 따라 상대적으로 구동하는 수단을 2조 구비하고, 상기 제2의 검출 수단은 상기 증발원을 상기 2조의 증발원을 상대적으로 구동하는 수단의 사이를 이송하는 이송계로 상에서 상기 증발원의 선 상에 배치한 복수의 노즐의 개개의 노즐로부터의 상기 증착 재료의 방출 레이트를 검출하는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 방법.15. The apparatus of claim 14, wherein the first vacuum deposition unit includes two sets of means for holding the substrate and two means for relatively driving the evaporation source along the substrate, and the second detection means provides the evaporation source. Detecting the release rate of the deposition material from the individual nozzles of the plurality of nozzles arranged on the line of the evaporation source on a transfer system for transferring between two sets of evaporation source relatively means, vacuum deposition, characterized in that Way. 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 증착 재료의 방출 레이트를 검출하여 상기 증착 재료의 방출 상태가 이상한 것을 검지하였을 때, 이상에 관한 정보를 출력하는 이상 정보 출력 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 방법.16. The apparatus according to claim 14 or 15, further comprising abnormality information output means for outputting information on an abnormality when detecting a release rate of said vapor deposition material and detecting that said vapor deposition state is abnormal. , Vacuum deposition method. 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 검출한 상기 복수의 노즐마다의 상기 증착 재료의 방출 레이트의 정보를 이용하여 상기 증발원을 제어하는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 방법.The vacuum evaporation method according to claim 14 or 15, wherein the evaporation source is controlled using information of the release rate of the evaporation material for each of the detected plurality of nozzles. 제17항에 있어서, 상기 증발원은 개별적으로 제어 가능한 복수의 가열부를 구비하고, 상기 검출 수단으로 검출한 상기 노즐의 방출 상태에 따라서 상기 복수의 가열부를 개별적으로 제어하는 것을 특징으로 하는, 진공 증착 방법.18. The vacuum vapor deposition method according to claim 17, wherein the evaporation source includes a plurality of individually controllable heating units, and individually controls the plurality of heating units in accordance with the discharge state of the nozzle detected by the detecting means. .
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