KR20100137362A - Printed circuit board and method for manufacturing the same - Google Patents

Abstract

PURPOSE: A printed circuit board and a manufacturing method thereof are provided to uniformly form the thickness of a conductive metal by controlling the amount of a conductive metal. CONSTITUTION: An insulating substrate(11), a base metal layer(13), and a conductive metal layer(15) are arranged in a conductive metal layer added insulation substrate(10). A part of the conductive metal layer is removed by an etching process. A photoresist layer(20) is formed on the surface of the conductive metal layer. A mask(22), which has a required pattern, is arranged on the photoresist layer. The photoresist layer is exposed by irradiating light from a light source part(24). A pattern(28), which is consisted of a remaining photoresist, is formed by a photolithography process. A narrow wiring pattern and a wide wiring pattern are formed according to the width of the pattern.

Description

프린트 배선 기판 및 그 제조 방법{PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Printed wiring board and its manufacturing method {PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은, 절연 기판의 표면에 도전성 금속층을 통하여 도전성 금속을 전해 석출해서 배선 패턴을 형성하는 프린트 배선 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명은, 절연 기판의 표면에, Ｎｉ,Ｃｒ 등을 포함하는 도전성 금속층을 갖는 도전성 금속층 첨부 절연 기판(ＣＣＬ)을 이용하고, 이 도전성 금속층의 표면에 포토레지스트를 이용해서 형성된 패턴을 마스킹(masking)재로서 사용하여 선택적으로 도전성 금속을 전해 석출시켜서 배선 패턴을 형성한 프린트 배선 기판이며, 형성되는 배선 패턴의 선폭에 따른 도전성 금속 두께의 변동폭이 작은 프린트 배선 기판 및 이 프린트 배선 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.This invention relates to the printed wiring board which electrolytically deposits a conductive metal on the surface of an insulated substrate, and forms a wiring pattern, and its manufacturing method. In more detail, this invention uses the insulating substrate with a conductive metal layer (CCL) which has a conductive metal layer containing Ni, Cr, etc. on the surface of an insulated substrate, and the pattern formed using the photoresist on the surface of this conductive metal layer. A printed wiring board in which a wiring pattern is formed by selectively electrolytically depositing a conductive metal by using a masking material as a masking material, and a printed wiring board having a small variation in the thickness of the conductive metal according to the line width of the formed wiring pattern and the printed wiring board It relates to a method of manufacturing.

전자 부품을 실장하기 위해서 프린트 배선 기판이 사용되고 있다. 이러한 프린트 배선 기판은, 폴리이미드 필름 등으로 이루어지는 절연 필름과, 이 위에 형성된 구리 등의 도전성 금속으로 이루어지는 배선 패턴으로 형성되어 있다. 종래는, 이러한 프린트 배선 기판은, 절연 필름의 표면에 구리박(銅箔)을 배치하고, 이 구리박의 표면에 포토레지스트층을 형성하고, 이 포토레지스트층을 노광·현상해서 원하는 패턴을 형성하고, 이 패턴을 마스킹재로 하여, 구리박을 선택적으로 에칭해서 원하는 배선 패턴을 형성하고 있었지만(서브트랙티브법), 이 방법에서는 선폭을 35㎛ 이하로 하는 것이 매우 곤란해서, 최근의 전자 부품의 고집적화에 대응하는 것이 어렵게 되어 있다.Printed wiring boards are used to mount electronic components. Such a printed wiring board is formed from an insulating film made of a polyimide film or the like and a wiring pattern made of a conductive metal such as copper formed thereon. Conventionally, such a printed wiring board arrange | positions copper foil on the surface of an insulating film, forms a photoresist layer on the surface of this copper foil, exposes and develops this photoresist layer, and forms a desired pattern. Although the pattern was used as a masking material, the copper foil was selectively etched to form a desired wiring pattern (subtractive method). However, in this method, it is very difficult to set the line width to 35 µm or less. It is difficult to cope with high integration.

이것을 대신하는 방법으로서, 최근, 세미애디티브법이 착안되어 있다. 이 방법은, 절연 기판의 표면에 도전성의 기재(基材) 금속층을 형성하고, 이 기재 금속층의 표면에 포토레지스트층을 형성하고, 이 포토레지스트층에 원하는 패턴을 형성하고, 이렇게 해서 형성된 패턴으로부터 노출된 기재 금속층에 도전성 금속을 전해 석출시켜서 배선 패턴을 형성하고자 하는 것이다. 이 방법에 따르면, 선폭 10㎛ 정도의 배선 패턴도 제조가 가능해서, 고밀도화된 전자 부품의 실장에도 대응할 수 있다.As a method of replacing this, the semi-additive method has been conceived in recent years. This method forms a conductive base metal layer on the surface of an insulated substrate, forms a photoresist layer on the surface of the base metal layer, forms a desired pattern on the photoresist layer, and The conductive pattern is electrolytically deposited on the exposed base metal layer to form a wiring pattern. According to this method, a wiring pattern with a line width of about 10 μm can also be manufactured, and it is also possible to cope with mounting of densified electronic components.

이러한 세미애디티브법을 채용한 프린트 배선 기판에 대해서는 다양한 제안이 되어 있지만(예를 들면, 일본국 특개2003-037137호 공보, 일본국 특개2003-258411호 공보, 일본국 특개2002-215059호 공보), 서브트랙티브법에 의해 제조된 프린트 배선 기판과 비교하면, 안정성이 낮다는 문제가 있음을 알았다. 즉, 본 발명자는, 이 세미애디티브법을 채용해서 제조된 프린트 배선 기판의 안정성의 결락(缺落)에 대해서 다앙하게 검토한 결과, 세미애디티브법을 채용해서 제조된 프린트 배선 기판에는, 배선폭이나 피치폭에 따라, 석출되는 도전성 금속의 두께에 편차가 있음을 알았다.Various proposals have been made for printed wiring boards employing such a semi-additive method (for example, JP-A-2003-037137, JP-A-2003-258411, and JP-A-2002-215059). As compared with the printed wiring board manufactured by the subtractive method, it turned out that there exists a problem that stability is low. That is, the present inventors have studied variously about the lack of stability of the printed wiring board manufactured by employing this semiadditive method, and as a result, the printed wiring board manufactured by employing the semiadditive method It was found that there was a variation in the thickness of the conductive metal deposited, depending on the width and pitch width.

일본국 특개2003-037137호 공보JP 2003-037137 A 일본국 특개2003-258411호 공보JP 2003-258411 A 일본국 특개2002-215059호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-215059

본 발명은, 배선 패턴의 선폭이나 피치에 의해 전해 석출되는 도전성 금속층의 두께에 차이가 생기지 않는 프린트 배선 기판 및 이러한 균일성이 높은 배선 두께를 갖는 프린트 배선 기판을 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.An object of the present invention is to provide a printed wiring board having no difference in the thickness of the conductive metal layer electrolytically deposited by the line width and pitch of the wiring pattern, and a method of manufacturing a printed wiring board having such a uniform wiring thickness. Doing.

본 발명의 프린트 배선 기판은, 절연 기판의 표면에 기재 금속층을 통하여, 기재 금속층을 포함하는 도전성 층의 표면에 원하는 형상으로 패터닝된 감광성 수지층을 배치해서 선택적으로 도전성 금속층을 석출시키는 공정을 거쳐 기재 금속층 및 도전성 금속층으로 이루어지는 배선폭이 다른 원하는 형상의 복수의 배선의 패턴이 형성되어 이루어지며, The printed wiring board of the present invention is subjected to a process of depositing a conductive metal layer selectively by arranging a photosensitive resin layer patterned in a desired shape on the surface of the conductive layer including the base metal layer through the base metal layer on the surface of the insulated substrate. The pattern of the some wiring of the desired shape from which the wiring width which consists of a metal layer and a conductive metal layer differs is formed,

그 프린트 배선 기판이 하기의 (1)∼(3)에 기재된 조건 중 어느 하나의 조건을 만족하는 것인 것을 특징으로 하고 있다.The printed wiring board satisfies any one of the conditions described in (1) to (3) below.

(1) 모든 배선에서의 피치폭이 50㎛ 이하의 좁은 피치폭이다.(1) The pitch width in all wirings is a narrow pitch width of 50 µm or less.

(2) 모든 배선에서의 피치폭이 50㎛ 초과 100㎛ 이하이다.(2) The pitch width in all wirings is more than 50 micrometers and 100 micrometers or less.

(3) 상기 프린트 배선 기판에서, 배선에서의 피치폭이 50㎛ 이하인 배선과, 배선에서의 피치폭이 50㎛ 초과 100㎛ 이하인 배선이 혼재할 경우이며, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 배선폭 중 50㎛ 초과 100㎛ 이하인 배선의 배선폭을 a, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미(dummy) 배선의 더미 배선폭을 a', 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선을 무시했을 때의 인접하는 배선과의 거리인 배선 갭(gap)폭을 b, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 배선과 인접하는 더미 배선과의 거리인 갭폭을 b', 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선을 무시했을 때의 배선의 피치폭을 P라고 했을 때에,(3) In the above-mentioned printed wiring board, when the wiring whose pitch width in wiring is 50 micrometers or less and the wiring whose pitch width in wiring is more than 50 micrometers and 100 micrometer or less are mixed, the wiring width formed in the printed wiring board When the wiring width of the wiring exceeding 50 micrometers and 100 micrometers or less is a and the dummy wiring width of the dummy wiring formed in the printed wiring board is a ', and the dummy wiring formed in the printed wiring board is ignored. B is a wiring gap width that is a distance from an adjacent wiring, b is a gap width that is a distance between a wiring formed on the printed wiring board and an adjacent dummy wiring, and a dummy wiring is formed on the printed wiring board. When we assumed pitch width of wiring when we ignored P,

(A) a㎛≥P㎛×0.5, b㎛≤P㎛×0.5, 25㎛<a㎛≤95㎛;(A) a mu m? P mu m 0.5, b mu m? P mu m 0.5, 25 mu m <a mu m <95 mu m;

(B) 그 프린트 배선 기판이 더미 배선을 갖고, a+a'㎛≥P㎛×0.5, b'≤P㎛×0.25, 5㎛≤a㎛≤85㎛, 5㎛≤a'㎛≤85㎛;(B) The printed wiring board has a dummy wiring, and a + a 'mu m ≥ P mu m x 0.5, b' ≤ P mu m x 0.25, 5 mu m ≤ a mu m ≤ 85 mu m, 5 mu ≤ a 'mu m ;

중 어느 하나를 만족한다.Satisfies either.

그리고, 본 발명이 있어서는, 프린트 배선 기판은, 상기 절연 기판의 표면에 기재 금속층을 통하여, 기재 금속층을 포함하는 도전성 층의 표면에 원하는 형상으로 패터닝된 감광성 수지층을 배치해서 선택적으로 도전성 금속층을 석출시키는 공정을 거쳐 기재 금속층 및 도전성 금속층으로 이루어지는 배선폭이 다른 복수의 배선의 패턴이 형성되어 이루어지며,And in this invention, a printed wiring board arrange | positions the photosensitive resin layer patterned in desired shape on the surface of the conductive layer containing a base metal layer through the base metal layer on the surface of the said insulated substrate, and selectively deposits a conductive metal layer. Through a process to make a pattern of a plurality of wirings having a different wiring width consisting of a base metal layer and a conductive metal layer is formed,

그 프린트 배선 기판이The printed wiring board

(3) 상기 프린트 배선 기판에서, 배선에서의 피치폭이 50㎛ 이하인 배선과, 배선에서의 피치폭이 50㎛ 초과 100㎛ 이하인 배선이 혼재하고 있고, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 배선 중 피치폭이 50㎛ 초과 100㎛ 이하인 배선의 배선폭을 a, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선의 더미 배선폭을 a', 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선을 무시했을 때의 인접하는 배선과의 거리인 배선 갭폭을 b, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 배선과 인접하는 더미 배선과의 거리인 갭폭을 b', 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선을 무시했을 때의 배선의 피치폭을 P라고 했을 때에,(3) In the above-described printed wiring board, a wiring having a pitch width of 50 µm or less in wiring and a wiring having a pitch width of 50 µm or more and 100 µm or less in the wiring are mixed, and the pitch among the wirings formed on the printed wiring board. Adjacent when the width of the wiring exceeding 50 µm and the thickness of 100 µm or less is a, the dummy wiring width of the dummy wiring formed on the printed wiring board is a ', and the dummy wiring formed on the printed wiring board is ignored. B is the wiring gap width that is the distance to the wiring, and the gap width that is the distance between the wiring formed on the printed wiring board and the dummy wiring adjacent to the wiring b 'and the dummy wiring formed on the printed wiring board is ignored. When we said pitch width P,

(A) a㎛≥P㎛×0.5, b㎛≤P㎛×0.5, 25㎛<a㎛≤95㎛;(A) a mu m? P mu m 0.5, b mu m? P mu m 0.5, 25 mu m <a mu m <95 mu m;

(B) 그 프린트 배선 기판이 더미 배선을 갖고, a+a'㎛≥P㎛×0.5, b'㎛≤P×0.25, 5㎛≤a㎛≤85㎛, 5㎛≤a'㎛≤85㎛(B) The printed wiring board has dummy wiring, and a + a 'mu m ≥ P mu m x 0.5, b' mu m ≤ P x 0.25, 5 mu m ≤ a mu m ≤ 85 mu m, 5 mu m ≤ a 'mu m ≤ 85 mu m

중 어느 하나를 만족하는 것인 것이 바람직하다.It is preferable to satisfy any one of them.

또한, 본 발명의 프린트 배선 기판에 있어서는, 상기 배선 패턴의 내에서, 피치폭이, 배선 패턴의 선폭과 갭폭의 합계로 되고, 피치폭(P)이, 50㎛<P≤100㎛로 되는 배선 패턴의 사이에 더미 전극을 배치하고, 그 프린트 배선 기판을 형성하는 배선 패턴의 도전성 금속의 두께를 8.5∼9.2㎛의 범위 내에서 균일화되어 이루어지게 되어 있는 것이 바람직하다.In the printed wiring board of the present invention, in the wiring pattern, the pitch width is the sum of the line width and the gap width of the wiring pattern, and the pitch width P is 50 μm <P ≦ 100 μm. It is preferable to arrange | position a dummy electrode between patterns, and to make the thickness of the conductive metal of the wiring pattern which forms the printed wiring board uniformly in the range of 8.5-9.2 micrometers.

즉, 본 발명의 프린트 배선 기판에 있어서는, 세미애디티브법에 의해 형성되는 좁은 배선 피치의 프린트 배선 기판에 있어서, 좁은 배선폭의 배선 패턴과, 이것보다 폭이 넓은 배선 패턴이 혼재할 경우에, 형성되는 배선 패턴 폭의 넓고 좁음에 관계없이, 배선 패턴 두께가 균일한 프린트 배선 기판을 제공할 수 있다.That is, in the printed wiring board of the present invention, in a printed wiring board having a narrow wiring pitch formed by a semiadditive method, when a wiring pattern having a narrow wiring width and a wiring pattern having a wider width than this are mixed, Regardless of the width and width of the wiring pattern to be formed, a printed wiring board having a uniform wiring pattern thickness can be provided.

또한, 상기한 바와 같이 세미애디티브법에 의해, 배선 패턴을 형성하면, 포토레지스트층을 노광·현상해서 도전성 금속을 석출시킬 때에, 포토레지스트에 의해 규제된 도전성 금속의 석출 부분에, 배선 패턴의 양편의 길이 방향을 따라 도전성 금속이 석출되지 않아 오목부가 형성되는 경우가 있다. 이것은, 포토레지스트층을 원하는 형상으로 노광한 후, 현상할 때에, 포토레지스트가 저부에 잔류함으로써 발생하는 것임을 알았다.As described above, when the wiring pattern is formed by the semi-additive method, when the photoresist layer is exposed and developed to precipitate the conductive metal, the wiring pattern is deposited on the precipitated portion of the conductive metal regulated by the photoresist. A conductive metal may not be precipitated along the longitudinal direction of both sides, and a recess may be formed. It was found that this occurs when the photoresist layer is exposed to a desired shape, and then developed when the photoresist remains at the bottom.

이 포토레지스트가 잔류하기 때문에, 그 잔류물의 부분에 도전성 금속을 석출할 수 없고, 석출한 도전성 금속으로 이루어지는 배선 패턴의 저부에 배선 패턴의 길이 방향을 따라, 도전성 금속이 석출되지 않아 오목부가 발생하는 것이다.Since this photoresist remains, a conductive metal cannot be deposited in the part of the residue, and a conductive metal does not precipitate along the longitudinal direction of the wiring pattern at the bottom of the wiring pattern made of the deposited conductive metal, resulting in a recess. will be.

이러한 오목부의 발생 원인이 되는 포토레지스트가 잔류하는 요인에 대해서 상세하게는 불분명하지만, 포토레지스트층을 노광하고, 현상했을 때에 현상 잔사(殘渣)가 절연 기판 위의 기재 도전성 금속층(구리층) 위에 남게 된다는 사실이 있고, 이것이 오목부를 형성하는 원인이 되고 있음을 알았다. 이 미(未)현상 잔사의 발생을 막기 위해서, 도전성 금속층(구리층)을 화학 연마하여 새롭게 드러난 도전성 금속층(구리층)의 표면을 탈지(脫脂) 처리한 후, 3시간 이내에 포토레지스트층을 형성하고, 이렇게 탈지한 후 형성된 포토레지스트층을 노광하고, 이어서 현상하면, 미현상 잔사가 잔존하지 않으므로, 절연 필름 상의 도전성 금속층(구리층) 위에, 배선 패턴의 폭방향의 내측으로 먹어 들어가는 오목부가 형성될 일이 없고, 절연 필름의 표면에 대하여 거의 수직한 측면을 갖는 배선 패턴이 형성된다.Although it is unclear in detail about the factor which remains the photoresist which causes such a recessed part, when a photoresist layer is exposed and developed, the image development residue will remain on the base conductive metal layer (copper layer) on an insulated substrate. It has been found that this results in the formation of recesses. In order to prevent the occurrence of this undeveloped residue, a photoresist layer is formed within 3 hours after chemically polishing the conductive metal layer (copper layer) by degreasing the surface of the newly exposed conductive metal layer (copper layer). When the photoresist layer formed after degreasing is exposed and subsequently developed, undeveloped residue does not remain. Therefore, a recess is formed in the width direction of the wiring pattern on the conductive metal layer (copper layer) on the insulating film. There is no need to happen, and a wiring pattern having a side surface substantially perpendicular to the surface of the insulating film is formed.

또한, 본 발명의 프린트 배선 기판에서의 배선 패턴의 두께의 배선 상호의 비교에 있어서의 표준편차(STDE)(도전성 금속층의 두께의 표준편차(STDE))가 0.15㎛ 이하인 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the standard deviation STDE (standard deviation STDE of the thickness of the conductive metal layer) in the comparison between the wirings of the thicknesses of the wiring patterns in the printed wiring board of the present invention is 0.15 µm or less.

또한, 본 발명의 프린트 배선 기판은, 상기 배선 패턴의 평균 두께(AVE)에 대한 그 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE)의 비(STDE/AVE)가, 0.005∼0.018의 범위 내에 있는 것이 더 바람직하다.Further, in the printed wiring board of the present invention, the ratio STDE / AVE of the standard deviation STDE of the thickness of the wiring pattern to the average thickness AVE of the wiring pattern is in the range of 0.005 to 0.018. desirable.

본 발명에 있어서, 상기 배선은, 통상은 프린트 배선 기판에 형성된 이너(inner) 리드 또는 아우터(outer) 리드이다.In the present invention, the wiring is usually an inner lead or an outer lead formed on a printed wiring board.

본 발명에서의 도전성 금속은, 기재 금속층의 표면에 전해 석출된 구리 또는 구리 합금이며, 또한, 프린트 배선 기판을 형성하는 절연 기판의 표면에 형성되어 있는 기재 금속층은, Ｎｉ 및 Ｃｒ을 포함하는 기재 금속을 통하여 구리층을 갖는 도전성 금속층 첨부 절연 기판을 이용해서 형성되어 있는 것이 바람직하다.The electroconductive metal in this invention is copper or copper alloy electrolytically deposited on the surface of the base metal layer, and the base metal layer formed in the surface of the insulated substrate which forms a printed wiring board is a base metal containing Ni and Cr. It is preferable to form using the insulated substrate with a conductive metal layer which has a copper layer through.

또한, 본 발명의 프린트 배선 기판은, 기재 금속층을 포함하는 도전성 층의 표면에 원하는 형상으로 패터닝된 감광성 수지층을 배치해서 선택적으로 도전성 금속층을 석출시키는 공정을 거쳐 기재 금속층 및 도전성 금속으로 이루어지는 배선폭이 다른 원하는 형상의 복수의 배선의 패턴을 형성하고,In addition, the printed wiring board of the present invention comprises a photosensitive resin layer patterned in a desired shape on the surface of the conductive layer including the base metal layer, and selectively depositing the conductive metal layer. The pattern of the some wiring of this other desired shape is formed,

절연 기판의 표면에 기재 금속층을 통하여, 도전성 금속으로 이루어지는 배선폭이 다른 복수의 배선의 패턴이 형성된 프린트 배선 기판을 제조함에 있어,In manufacturing the printed wiring board in which the pattern of the some wiring from which the wiring width which consists of electroconductive metal differs through the base metal layer on the surface of an insulated substrate was formed,

그 배선 패턴의 내에서,Within that wiring pattern,

선폭이 5∼85㎛이며, 갭폭이 15∼95㎛일 경우에, 그 배선과 인접하는 배선과의 사이의 갭에 더미 배선이 형성되도록 포토레지스트층을 형성하고,When the line width is 5 to 85 mu m and the gap width is 15 to 95 mu m, a photoresist layer is formed so that dummy wiring is formed in the gap between the wiring and the adjacent wiring,

그 배선과 인접하는 더미 배선과의 갭을 5∼25㎛의 범위 내로 되도록 포토레지스트층을 형성하고, 도전성 금속을 석출시킴으로써 제조할 수 있다.It can manufacture by forming a photoresist layer so that the gap of this wiring and the dummy wiring adjacent to it may be in the range of 5-25 micrometers, and depositing a conductive metal.

그리고, 상기 제조 방법에 있어서, 포토레지스트층을 형성하기 전에, 도전성 금속층의 표면을 탈지 처리한 후, 3시간 이내에 포토레지스트층을 형성함으로써, 오목부의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.In the above production method, before the photoresist layer is formed, the surface of the conductive metal layer is degreased, and then the photoresist layer is formed within 3 hours, whereby the occurrence of recesses can be effectively prevented.

본 발명에 따르면, 도전성 금속층 첨부 절연 기판의 도전성 금속층의 표면에, 포토레지스트를 도포하고, 이것을 노광·현상함으로써 원하는 형상의 패턴을 형성하고, 이 패턴을 마스킹재로 하여, 도전성 금속층의 표면에 새롭게 도전성 금속을 전해 석출시켜서 원하는 배선 패턴을 형성함에 있어, 배선 패턴의 선폭이나 피치폭에 의해 전해 석출되는 도전성 금속의 양을 제어할 수 있으므로, 석출한 도전성 금속의 두께가 다른 경우가 적다. 따라서, 본 발명에 따르면 균일성이 높은 프린트 배선 기판을 얻을 수 있다.According to this invention, a photoresist is apply | coated to the surface of the conductive metal layer of the insulated substrate with a conductive metal layer, and it exposes and develops the pattern of a desired shape, and this pattern is used as a masking material, and is newly renewed on the surface of a conductive metal layer. In forming the desired wiring pattern by electrolytically depositing the conductive metal, the amount of the conductive metal deposited electrolytically can be controlled by the line width and pitch width of the wiring pattern, so that the thickness of the deposited conductive metal is different. Therefore, according to this invention, the printed wiring board with high uniformity can be obtained.

특히, 본 발명에 따르면, 도전성 금속층의 표면을 탈지 처리한 후, 3시간 이내에 포토레지스트층을 형성함으로써, 이 포토레지스트층을 노광해서 현상했을 때에, 현상 제거될 포토레지스트가 도전성 금속층의 표면에 잔존할 일이 없고, 따라서 세미애디티브법에 의해, 도전성 금속(구리)을 새롭게 석출시켜서 배선 패턴을 형성해도, 이 배선 패턴의 측벽 저부에 길이 방향을 따른 오목부가 형성될 일이 없고, 절연 필름 표면에 대하여 거의 수직한 측벽을 갖는 배선 패턴을 형성할 수 있다.In particular, according to the present invention, after the surface of the conductive metal layer is degreased, a photoresist layer is formed within 3 hours so that when the photoresist layer is exposed and developed, the photoresist to be developed and removed remains on the surface of the conductive metal layer. Therefore, even if the conductive metal (copper) is newly precipitated to form the wiring pattern by the semi-additive method, the recess along the longitudinal direction is not formed at the bottom of the side wall of the wiring pattern, and the insulating film surface It is possible to form a wiring pattern having sidewalls which are substantially perpendicular to.

특히, 본 발명은, 디바이스 홀을 갖지 않는 두께 12∼50㎛의 절연 기판의 표면에 배선 패턴을 형성하는 칩온필름(COF)에 바람직하다.In particular, the present invention is suitable for a chip-on film (COF) that forms a wiring pattern on the surface of an insulating substrate having a thickness of 12 to 50 µm without device holes.

도 1은 본 발명의 프린트 배선 기판을 제조할 때의 각 공정에서의 단면도.
도 2는 패턴 도금의 전류의 집중 상태를 모식적으로 나타내는 도면.
도 3은 세미애디티브법에 의해, 석출하는 도전성 금속 두께를 균일화하는 방법의 예를 나타내는 구체예.
도 4는 선폭/갭폭과, 도전성 금속의 석출 두께와의 관계를 나타내는 그래프.
도 5는 표 1에 나타낸 피치, 선폭, 갭, 도금 두께의 관계를 나타내는 그래프.
도 6은 본 발명에서 규정하는 배선폭(a), 더미 배선폭(a'), 배선 갭폭(b), 갭폭(b'), 피치폭(P)의 관계를 나타내는 도면.
도 7은 종래의 방법으로 감광성 수지층(드라이 필름)을, 도전성 금속층의 표면에 부설하고, 노광하며, 현상 공정을 거쳐 도전성 금속을 석출시켜서 얻을 수 있는 배선 패턴의 단면의 예를 나타내는 공정도로서, 언더컷(undercut)이 발생한 배선 패턴이 형성되는 공정을 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 방법에 따라, 도전성 금속층(구리층)의 표면을 탈지한 후, 3시간 이내에 감광성 수지층(드라이 필름)을, 도전성 금속층의 표면에 부설하고, 노광하며, 현상한 후, 도전성 금속을 석출시켜서 얻을 수 있는 언더컷이 발생하지 않은 본 발명의 공정의 예를 나타내는 공정도.
도 9는 본 발명의 방법에 따라 도전성 금속층 표면을 탈지한 후, 감광성 수지층을 형성하기까지의 시간을 변화시켰을 때의 언더컷(하부잔류물)의 발생 상황을 나타낸 전자현미경 사진.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Sectional drawing in each process at the time of manufacturing the printed wiring board of this invention.
2 is a diagram schematically showing a concentrated state of a current of pattern plating.
Fig. 3 is a specific example showing an example of a method of uniformizing the thickness of the conductive metal to be precipitated by the semiadditive process.
4 is a graph showing the relationship between the line width / gap width and the deposition thickness of the conductive metal.
5 is a graph showing the relationship between the pitch, line width, gap, and plating thickness shown in Table 1. FIG.
Fig. 6 is a diagram showing a relationship between wiring width a, dummy wiring width a ', wiring gap width b, gap width b', and pitch width P defined in the present invention.
FIG. 7 is a process chart showing an example of a cross section of a wiring pattern obtained by attaching a photosensitive resin layer (dry film) to the surface of a conductive metal layer, exposing it, and depositing a conductive metal through a developing step by a conventional method. A diagram showing a step of forming a wiring pattern in which an undercut has occurred.
8, after degreasing the surface of the conductive metal layer (copper layer) in accordance with the method of the present invention, the photosensitive resin layer (dry film) is placed on the surface of the conductive metal layer, exposed and developed within 3 hours, The process chart which shows the example of the process of this invention in which the undercut obtained by depositing a conductive metal did not generate | occur | produce.
Fig. 9 is an electron micrograph showing the occurrence of undercuts (lower residues) when the time taken to form the photosensitive resin layer after degreasing the surface of the conductive metal layer in accordance with the method of the present invention.

다음에 본 발명의 프린트 배선 기판에 대해서, 도면을 참조하면서 더욱 상세하게 설명한다.Next, the printed wiring board of this invention is demonstrated in detail, referring drawings.

도 1은 본 발명의 프린트 배선 기판을 제조할 때의 제조 공정에 의해 얻을 수 있는 기판의 단면의 예를 나타내는 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows the example of the cross section of the board | substrate obtained by the manufacturing process at the time of manufacturing the printed wiring board of this invention.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 프린트 배선 기판을 제조함에 있어서는, 우선, 절연 기판(11)의 표면에 기재 금속층(13)을 통하여 도전성 금속층(15)이 배치된 도전성 금속층 첨부 절연 기판(ＣＣＬ)(10)을 준비한다.As shown in FIG. 1, in manufacturing the printed wiring board of this invention, the insulating substrate with conductive metal layer (CCL) with which the conductive metal layer 15 is arrange | positioned first through the base metal layer 13 on the surface of the insulating substrate 11 is shown. Prepare (10).

여기서 절연 기판으로서는, 폴리이미드 필름 또는 폴리아미드이미드 수지 필름인 것이 바람직하다. 특히 이 절연 필름이 폴리이미드 필름인 것이 바람직하고, 이 경우, 폴리이미드 필름 중에서도, 피로멜리틱산 2무수물과 방향족 디아민으로 합성되는 전방향족 폴리이미드, 비페닐테트라카르본산 2무수물과 방향족 디아민으로 합성되는 비페닐 골격을 갖는 전방향족 폴리이미드인 것이 바람직하다.It is preferable that it is a polyimide film or a polyamide-imide resin film as an insulated substrate here. It is especially preferable that this insulation film is a polyimide film, and in this case, it is synthesize | combined with the wholly aromatic polyimide synthesize | combined by a pyromellitic dianhydride, an aromatic diamine, biphenyl tetracarboxylic dianhydride, and an aromatic diamine also in a polyimide film. It is preferable that it is a wholly aromatic polyimide which has a biphenyl skeleton.

상기와 같은 ＣＣＬ에서의 절연 필름의 두께는 통상은 5∼100㎛의 범위 내, 바람직하게는 12∼75㎛의 범위 내에 있다. 특히 본 발명의 프린트 배선 기판이 칩온필름(COF)일 경우에는, 디바이스 홀을 형성하지 않고, 절연 필름을 투과한 광량의 차이에 따라 표면에 형성된 배선 패턴의 형상 및 위치를 특정하기 때문에, 충분한 투과 광량을 확보할 수 있도록, 절연 필름의 두께를 12∼50㎛의 범위 내로 하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 상기와 같은 두께의 절연 필름을 절연 기판(11)으로서 이용함으로써, ＣＣＬ(10)의 이면측에서 본딩 툴을 절연 기판(11)에 가압하여 본딩할 때에 충분한 열과 초음파를 접속하는 리드 부분에 전달시킬 수 있다.The thickness of the insulating film in the above-mentioned CCL is usually in the range of 5 to 100 µm, preferably in the range of 12 to 75 µm. In particular, in the case where the printed wiring board of the present invention is a chip-on film (COF), since the shape and position of the wiring pattern formed on the surface are specified according to the difference in the amount of light transmitted through the insulating film without forming device holes, sufficient transmission is achieved. It is especially preferable to make thickness of an insulation film into the range of 12-50 micrometers so that light quantity can be ensured. In addition, by using an insulating film having the thickness as described above as the insulating substrate 11, the lead portion for connecting sufficient heat and ultrasonic waves when the bonding tool is pressed against the insulating substrate 11 at the back surface side of the CCL 10 by bonding. Can be delivered.

상기와 같은 ＣＣＬ(10)에서의 기재 금속층(13)은, 절연 기판(11)의 표면에, 통상은, 니켈, 크롬 등 도전성 기재 금속을 예를 들면 스퍼터링법, 진공증착법 등의 방법을 이용해서 형성된다.As for the base metal layer 13 in the above-mentioned CLC 10, the surface of the insulated substrate 11 is usually made of a conductive base metal such as nickel or chromium using a method such as sputtering or vacuum deposition. Is formed.

또한, 상기와 같이 해서 형성된 기재 금속층(13)의 표면에는 도전성 금속으로 이루어지는 도전성 금속층(15)이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 여기서 도전성 금속층(15)을 형성하는 금속으로서는, 구리 또는 구리 합금을 이용하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the conductive metal layer 15 made of a conductive metal is formed on the surface of the base metal layer 13 formed as described above. It is preferable to use copper or a copper alloy as a metal which forms the electroconductive metal layer 15 here.

이 도전성 금속층(15)은, 기재 금속층(13)을 전극으로 하여 전해 석출시킴으로써 형성할 수도 있고, 무전해 도금법을 채용해서 형성할 수도 있다. 또한, 진공증착 등, 기상(氣相)으로 형성할 수도 있다.The conductive metal layer 15 may be formed by electrolytic precipitation using the base metal layer 13 as an electrode, or may be formed by employing an electroless plating method. Moreover, it can also form in a gaseous phase, such as vacuum deposition.

이러한 ＣＣＬ(10)의 전형적인 단면의 예를 도 1의 (ａ)에 나타낸다.An example of a typical cross section of such CCL 10 is shown in FIG.

이러한 ＣＣＬ(10)에 있어서, 기재 금속층(13)의 두께는, 통상은 0.005∼0.04㎛, 바람직하게는 0.007∼0.025㎛의 범위 내에 있다. 또한, 이 기재 금속층(13)의 표면에 형성되어 있는 도전성 금속층(15)의 두께는, 통상은 0.1∼8㎛, 바람직하게는 0.1∼1.5㎛의 범위 내에 있다. 본 발명에서는 이러한 두께를 갖는 도전성 금속층(15) 위에 배선 패턴을 직접 형성해도 되지만, 보다 양호한 정밀도의 배선 패턴을 형성하기 위해서는, 도전성 금속층(15)의 적어도 일부를, 산 세정 등에 의해 제거한 후, 새롭게 도전성 금속을 선택적으로 석출시켜서 배선 패턴을 형성하는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서, 도전성 금속층(15)을 형성하는 금속으로서는, 후(後)의 공정에서 배선 패턴을 형성할 것을 고려하면, 구리 또는 구리 합금인 것이 바람직하다.In the CLC 10, the thickness of the base metal layer 13 is usually in the range of 0.005 to 0.04 μm, preferably 0.007 to 0.025 μm. In addition, the thickness of the conductive metal layer 15 formed on the surface of the base metal layer 13 is usually 0.1 to 8 µm, preferably 0.1 to 1.5 µm. In the present invention, a wiring pattern may be directly formed on the conductive metal layer 15 having such a thickness. However, in order to form a wiring pattern with better accuracy, at least a part of the conductive metal layer 15 is removed by acid cleaning or the like, and then newly formed. It is preferable to form a wiring pattern by selectively depositing a conductive metal. In the present invention, the metal forming the conductive metal layer 15 is preferably copper or a copper alloy in consideration of forming a wiring pattern in a later step.

ＣＣＬ(10)에 미리 형성되어 있던 도전성 금속층(15)의 적어도 일부를 제거할 경우, ＣＣＬ(10)에 형성되어 있던 도전성 금속층(15)의 두께가, 최초에 형성되어 있던 도전성 금속층의 통상은 0.1∼100%, 바람직하게는 6∼100%, 특히 바람직하게는 6∼99%가 되도록 도전성 금속을 제거한다. 이렇게 미리 형성되어 있던 도전성 금속층(15)의 일부를 제거한 후, 세미애디티브법에 의해 배선 패턴을 형성함으로써, 보다 선명한 배선 패턴을 형성할 수 있다. 도 1의 (b)는 도전성 금속층(15)의 일부를 제거한 상태의 ＣＣＬ의 단면도이다. 한편, 도전성 금속층(15)을 에칭할 때에 이용하는 에칭액으로서는, 도전성 금속을 균일하게 용해할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 통상은 염산 등의 광산(鑛酸)을 베이스로 해서 염화철, 염화구리, 과수황산(過水硫酸)계 화합물 등을 함유하는 에칭액을 사용하는 것이 바람직하다.When at least a part of the conductive metal layer 15 previously formed in the CLC 10 is removed, the thickness of the conductive metal layer 15 formed in the CCL 10 is usually 0.1 of the conductive metal layer initially formed. The conductive metal is removed to be from 100% to 100%, preferably from 6% to 100%, particularly preferably from 6% to 99%. After removing a part of the conductive metal layer 15 previously formed in this way, a clearer wiring pattern can be formed by forming a wiring pattern by a semiadditive process. FIG. 1B is a cross-sectional view of the CCL in which a part of the conductive metal layer 15 is removed. On the other hand, the etching liquid used for etching the conductive metal layer 15 is not particularly limited as long as it can dissolve the conductive metal uniformly. However, iron chloride, copper chloride, and fruit water are usually based on a mineral acid such as hydrochloric acid as a base. It is preferable to use an etching solution containing a sulfuric acid compound or the like.

상기한 바와 같이, 필요에 따라 도전성 금속층(15)의 일부를 제거한 후, 또는, 이러한 도전성 금속층(15)의 제거를 행하지 않고, 도 1의 (ｃ)에 나타내는 바와 같이, 도전성 금속층(15)의 표면에 포토레지스트층(20)을 형성한다.As mentioned above, after removing a part of conductive metal layer 15 as needed, or without removing such conductive metal layer 15, as shown in FIG.1 (c), of the conductive metal layer 15 The photoresist layer 20 is formed on the surface.

종래는, 이렇게 하여 새롭게 노출한 도전성 금속층(구리층)(15)의 표면에 직접 포토레지스트층(감광성 수지층)(20)을 형성하고, 이 포토레지스트층을 노광하고, 현상하면, 도 7에 나타내는 바와 같이 도전성 금속층(15)과 포토레지스트층(20)의 경계 부분에 포토레지스트가 잔존하는 경우가 있었다. 이렇게 포토레지스트가 잔존하면, 도전성 금속을 석출시키는 다음 공정에서 이 잔존한 포토레지스트 부분에는 도전성 금속을 석출할 수 없으므로, 도 7에 나타내는 바와 같이 석출한 도전성 금속에 언더컷이 발생한다. 이렇게 언더컷이 발생하면, 배선 패턴과 하지층을 형성하는 금속의 밀착 면적이 감소하여, 배선 패턴의 벗겨짐의 원인이 된다.Conventionally, when the photoresist layer (photosensitive resin layer) 20 is formed directly on the surface of the newly exposed conductive metal layer (copper layer) 15 in this way, this photoresist layer is exposed and developed, it is shown in FIG. As shown, the photoresist might remain at the boundary between the conductive metal layer 15 and the photoresist layer 20. If the photoresist is left in this manner, the conductive metal cannot be deposited in the remaining photoresist portion in the next step of depositing the conductive metal, and thus an undercut occurs in the deposited conductive metal as shown in FIG. When undercut occurs in this way, the adhesion area of the metal which forms a wiring pattern and an underlying layer reduces, and it becomes a cause of peeling of a wiring pattern.

본 발명에서는, 이러한 포토레지스트의 잔류를 방지하기 위해서 다양하게 검토한 결과, 상기 공정에서 도전성 금속을 에칭해서 그 일부를 제거하고, 도전성 금속으로 이루어지는 층의 표면을 정면(整面)하고, 이 정면한 도전성 금속층의 표면을 탈지 처리한 후, 3.5시간 이내, 바람직하게는 3시간 이내에 포토레지스트층을 형성한다. 이렇게 탈지 처리함으로써, 도전성 금속층 표면에 있는 산화물층 등이 제거되고, 포토레지스트층을 노광하고, 현상했을 때에 현상된 포토레지스트 잔사가 도전성 금속층 표면에 잔존하지 않고, 절연 필름에 대하여 수직하게 잘라낸 포토레지스트층의 측벽이 형성된다.In the present invention, various studies have been conducted to prevent the remaining of the photoresist. As a result, the conductive metal is etched in the above step to remove a portion thereof, and the front surface of the layer made of the conductive metal is faced. After degreasing the surface of one conductive metal layer, a photoresist layer is formed within 3.5 hours, preferably within 3 hours. In this degreasing treatment, the oxide layer on the surface of the conductive metal layer is removed, and the photoresist residue developed when the photoresist layer is exposed and developed does not remain on the surface of the conductive metal layer, and is vertically cut out with respect to the insulating film. The side wall of the layer is formed.

따라서, 본 발명의 방법에 따라, 도전성 금속층 표면을 탈지 처리한 후에 3.5시간 이내, 바람직하게는 3시간 이내에 포토레지스트층을 형성해서 노광하고, 현상한 후에 도전성 금속을 석출시켜서 형성된 배선 패턴은, 절연 필름의 표면으로부터 수직하게 일어선 샤프한 형상을 갖고 있어, 언더컷 등은 발생하지 않는다. 이 때문에 하지층의 도전성 금속과, 석출한 도전성 금속이 높은 접착 강도로 접합하고 있어, 석출하는 것에 의해 형성된 배선 패턴이 기재(基材)인 도전성 금속으로부터 박리할 일이 없다.Therefore, according to the method of the present invention, after the surface of the conductive metal layer is degreased, a photoresist layer is formed and exposed within 3.5 hours, preferably within 3 hours, and the wiring pattern formed by depositing the conductive metal after development is insulated. It has the sharp shape which stood up perpendicularly from the surface of a film, and an undercut does not generate | occur | produce. For this reason, the conductive metal of the base layer and the deposited conductive metal are bonded with high adhesive strength, and the wiring pattern formed by precipitation does not peel from the conductive metal which is a base material.

상기와 같은 탈지 공정에서 사용하는 용매로서는, 통상은, 산성 클리너, 유기 용매가 사용된다. 여기서 사용되는 유기 용매로서는, 새롭게 노출된 무기산이나 도전성 금속층 표면에 형성된 산화막 등의 불순물을 제거할 수 있는 용매를 사용한다. 이러한 유기 용매의 예로서는, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로판올, n-부탄올, 에틸셀로솔브(ethyl cellosolve) 등의 알코올류, 아세톤, 케톤류, 에테르류를 들 수 있다. 또한, 본 발명에서 사용되는 산성 클리너로서는, 예를 들면 3∼7용량％ 황산을 함유하는 클리너를 사용할 수 있다. 한편, 이들 용매는 단독으로 또는 조합시켜서 사용할 수 있다. 이러한 용매를, 천, 부직포 등에 배어들게 해서, 새롭게 노출된 도전성 금속층의 표면을 청소하거나, 용매 중에 침지해서 표면을 청소한다. 탈지 공정에 특히 제한은 없지만, 상기와 같은 새롭게 노출된 도전성 금속면을 일방향으로 문질러서, 도전성 금속층의 표면에 있는 도전성 금속 이외의 것을 닦아내도록 하거나, 용매 중에 침지해서 탈지하는 것이 바람직하다.As a solvent used in such a degreasing process, an acidic cleaner and an organic solvent are used normally. As an organic solvent used here, the solvent which can remove impurities, such as an oxide film formed in the surface of the newly exposed inorganic acid and a conductive metal layer, is used. Examples of such organic solvents include alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropanol, n-butanol and ethyl cellosolve, acetone, ketones and ethers. Moreover, as an acidic cleaner used by this invention, the cleaner containing 3-7 volume% sulfuric acid can be used, for example. In addition, these solvent can be used individually or in combination. Such a solvent is soaked in a cloth, a nonwoven fabric or the like to clean the surface of the newly exposed conductive metal layer, or the surface is cleaned by immersion in a solvent. Although there is no restriction | limiting in particular in a degreasing process, it is preferable to rub such a newly exposed conductive metal surface in one direction, and to wipe off the thing other than the conductive metal on the surface of a conductive metal layer, or to immerse in solvent.

본 발명에 있어서, 상기와 같은 탈지 공정은, 상온에서 행할 수도 있지만, 탈지에 이용하는 용액을 20∼40℃의 온도로 해서, 10∼120초, 바람직하게는 20∼90초간 용액을 접촉시키는 것이 바람직하다. 이렇게 하여 탈지함으로써, 새롭게 노출된 도전성 금속층의 표면을 청정하게 할 수 있고, 이러한 표면 상태는 통상은 3.5시간, 바람직하게는 3시간 유지된다.In the present invention, the above degreasing step can be carried out at room temperature, but it is preferable that the solution used for degreasing is brought into contact with the solution for 10 to 120 seconds, preferably 20 to 90 seconds, at a temperature of 20 to 40 ° C. Do. By degreasing in this way, the surface of the newly exposed conductive metal layer can be made clean, and this surface state is normally maintained for 3.5 hours, preferably 3 hours.

이렇게 해서 탈지 처리를 행한 후, 이 탈지 처리된 도전성 금속층 표면에 포토레지스트층(감광성 수지층)을 3.5시간 이내, 바람직하게는 3시간 이내에 부설한다. 즉, 새롭게 노출된 도전성 금속층의 표면에 산화물 또는 그 밖의 성분이 부착되지 않는 동안에 포토레지스트층을 형성함으로써, 감광하고, 노광한 후에, 이 도전성 금속층의 표면의 횡단면의 양 가장자리에 포토레지스트의 하부잔류물이 발생하지 않고, 절연 필름에 대하여 거의 수직하게 일어선 측벽을 갖는 배선 패턴을 형성할 수 있다.After performing the degreasing treatment in this way, a photoresist layer (photosensitive resin layer) is laid on the surface of this degreasing conductive metal layer within 3.5 hours, preferably within 3 hours. That is, by forming a photoresist layer while the oxide or other component is not adhered to the surface of the newly exposed conductive metal layer, the photoresist layer is exposed to light, and after exposure, the lower residue of the photoresist on both edges of the cross section of the surface of the conductive metal layer. Water does not generate | occur | produce, and the wiring pattern which has the side wall which stood up substantially perpendicular to the insulating film can be formed.

여기서 사용하는 포토레지스트로서는, 노광함으로써, 노광 부분이 경화하는 타입의 포토레지스트를 사용할 수도 있고, 노광함으로써, 노광 부분이 현상액에 가용(可溶)으로 되는 포토레지스트를 사용할 수도 있다. 또한, 포토레지스트층은, 포토레지스트 잉크를 도포하여 형성할 수도 있고, 시트 형상으로 미리 형성된 포토레지스트 시트를 부착해서 형성할 수도 있다.As a photoresist used here, the photoresist of the type which hardens an exposure part by exposure can also be used, and the photoresist which an exposure part becomes soluble in a developing solution can also be used by exposure. The photoresist layer may be formed by applying photoresist ink, or may be formed by adhering a photoresist sheet previously formed in a sheet shape.

이렇게 해서 형성되는 포토레지스트층(20)의 두께는, 형성하려고 하는 배선 패턴의 두께와 거의 동일하게 하는 것이 바람직하고, 통상은, 5∼20㎛, 바람직하게는 8∼15㎛이다.It is preferable to make the thickness of the photoresist layer 20 formed in this way substantially the same as the thickness of the wiring pattern to be formed, Usually, it is 5-20 micrometers, Preferably it is 8-15 micrometers.

이렇게 해서 포토레지스트층(20)을 형성한 후, 원하는 패턴이 형성된 마스크(22)를 포토레지스트층(20) 위에 배치하고, 광원(24)으로부터 광선을 조사하여, 도 1의 (ｅ)에 나타내는 바와 같이, 포토레지스트층(20)을 노광·현상해서 잔존하는 포토레지스트로 이루어지는 패턴(28)을 형성한다.After forming the photoresist layer 20 in this way, the mask 22 in which the desired pattern was formed is arrange | positioned on the photoresist layer 20, the light beam is irradiated from the light source 24, and is shown in FIG. As described above, the photoresist layer 20 is exposed and developed to form a pattern 28 made of the remaining photoresist.

본 발명에 있어서는, 상기와 같이 해서 포토레지스트로 이루어지는 패턴을 형성한 후, 도 1의 (ｆ)에 나타내는 바와 같이, 상기의 패턴(28) 사이에 노출하는 도전성 금속층(15)에 전력을 공급하고, 표면에 있는 도전성 금속층(15)의 표면에 새롭게 도전성 석출 금속층(15')을 전해 석출시킨다.In the present invention, after forming a pattern made of photoresist as described above, as shown in Fig. 1B, electric power is supplied to the conductive metal layer 15 exposed between the patterns 28. The electroconductive precipitation metal layer 15 'is newly electrolytically deposited on the surface of the conductive metal layer 15 on the surface.

일반적으로 프린트 배선 기판에 형성되는 배선 패턴에는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 패턴(28)의 폭에 따라, 형성되는 배선 패턴에 선폭이 좁은 배선 패턴(30)과 선폭의 넓은 배선 패턴(31)이 혼재한다. 선폭이 좁은 배선 패턴(30)은, 비교적 두꺼운 배선 패턴을 형성하기 쉽지만, 배선폭이 넓은 부분에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이 비교적 얇은 배선 패턴이 형성되기 쉽다. 이러한 배선 패턴의 도전성 금속층의 두께는, 피치(P)폭이 넓을 경우에는 약간의 차이이며, 특별히 문제는 생기지 않았다. 그렇지만, 전자 부품의 실장 밀도가 높아져서, 피치폭(P)이 좁아짐에 따라, 약간의 배선 패턴의 두께의 차이가 문제시 되기에 이르고 있다. 구체적으로는, 하나의 전자 부품 실장용의 프린트 배선 기판에 선폭이 넓은 배선 패턴과 선폭이 좁은 배선 패턴이 공존할 경우, 배선 패턴의 두께에 따라 배선 패턴의 전기 저항값 등에도 차이가 생겨서 전자 부품이 오작동하는 경우가 있고, 또한, 본딩 등에 의해 다른 장치의 전극과의 사이에서 전기적 접속을 확립시키려고 할 경우에 접속 불량을 초래하는 등의 문제가 생기는 경우가 있다.Generally, in the wiring pattern formed in a printed wiring board, as shown in FIG. 2, the wiring pattern 30 with narrow line width, and the wide wiring pattern 31 with line width are formed in accordance with the width of the pattern 28. FIG. This is mixed. Although the wiring pattern 30 with a narrow line width is easy to form a comparatively thick wiring pattern, a relatively thin wiring pattern is easy to be formed in the part with large wiring width as shown in FIG. The thickness of the conductive metal layer of such a wiring pattern is a slight difference when the pitch P width is wide, and no particular problem occurs. However, as the mounting density of an electronic component becomes high and the pitch width P becomes narrow, the difference of the thickness of a some wiring pattern has become a problem. Specifically, when a wide wiring pattern and a narrow wiring pattern coexist on a printed wiring board for mounting an electronic component, the electrical resistance value of the wiring pattern may be different depending on the thickness of the wiring pattern. This malfunction may occur, and a problem such as connection failure may occur when attempting to establish an electrical connection between the electrodes of another apparatus by bonding or the like.

그래서, 본 발명에서는, 예를 들면 더미 배선을 형성하는 것 등에 의해, 전해액이 집중하는 것 및 전류 밀도가 상승하는 것을 방지하여, 균질한 배선을 형성하고 있다.Therefore, in the present invention, for example, by forming a dummy wiring, the concentration of the electrolyte solution and the increase of the current density are prevented to form a uniform wiring.

즉, 본 발명에서는, 배선 패턴의 내에서, 피치폭(P)이, 배선 패턴의 선폭과 갭폭의 합계로 되고, 피치폭(P)이, 50㎛<P≤100㎛로 되는 배선 패턴의 사이에 더미 전극을 배치하고, 그 프린트 배선 기판을 형성하는 배선 패턴의 도전성 금속의 두께를 8.5∼9.2㎛의 범위 내에서 균일화되어 이루어지도록 하고, 이 도전성 금속 두께의 범위 내에서 배선 패턴을 구성하는 도전성 금속의 두께를 균일화한다.That is, in the present invention, within the wiring pattern, the pitch width P is the sum of the line width and the gap width of the wiring pattern, and the pitch width P is between the wiring patterns in which 50 µm <P ≤ 100 µm. The dummy electrode is disposed in the substrate, and the thickness of the conductive metal of the wiring pattern for forming the printed wiring board is uniformized within the range of 8.5 to 9.2 占 퐉, and the conductive material constituting the wiring pattern within the range of the thickness of the conductive metal. Uniformize the thickness of the metal.

예를 들면, 피치폭이 넓은 개소에서는, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 배선간에 더미 배선(41)을 형성함으로써, 각 배선에서의 전류 밀도의 상승을 억제할 수 있고, 균일성이 높은 프린트 배선 기판을 얻을 수 있다.For example, at a location with a large pitch width, as shown in Fig. 3A, by forming the dummy wiring 41 between the wirings, an increase in the current density in each wiring can be suppressed, resulting in uniformity. A high printed wiring board can be obtained.

본 발명의 프린트 배선 기판은, 상기와 같은 피치폭과 배선폭과 석출 금속 두께의 관계를 이용하고, 절연 기판의 표면에 기재 금속층을 통하여, 도전성 금속으로 이루어지는 배선폭이 다른 복수의 배선 패턴을 형성하는 것이다.The printed wiring board of the present invention uses the above-described relationship between pitch width, wiring width, and deposited metal thickness, and forms a plurality of wiring patterns having different wiring widths of conductive metal on the surface of the insulating substrate through the base metal layer. It is.

본 발명에 있어서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 배선폭 중 50㎛ 초과 100㎛ 이하인 배선의 배선폭을 a, 이 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선의 더미 배선폭을 a', 이 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선을 무시했을 때의 인접하는 배선과의 거리인 배선 갭폭을 b, 이 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 배선과 인접하는 더미 배선의 거리인 갭폭을 b', 이 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선을 무시했을 때의 배선의 피치폭을 P라고 했을 때에, 본 발명의 프린트 배선 기판이 하기의 (1)∼(3)에 기재된 조건 중 어느 하나를 만족함으로써, 균질한 배선 패턴을 형성할 수 있다.In this invention, as shown in FIG. 6, the wiring width of the wiring which is more than 50 micrometers and 100 micrometers or less of the wiring width formed in the printed wiring board of this invention is a dummy of dummy wiring formed in this printed wiring board. Wiring width is a 'and wiring gap width which is distance from adjacent wiring when the dummy wiring formed in this printed wiring board is ignored, b is wiring distance of dummy wiring adjacent to wiring formed in this printed wiring board, When the gap width is b 'and the pitch width of the wiring when the dummy wiring formed in the printed wiring board is ignored is P, the printed wiring board of the present invention is in the conditions described in the following (1) to (3). By satisfying any one, a homogeneous wiring pattern can be formed.

(1) 모든 배선에서의 피치폭이 50㎛ 이하의 좁은 피치폭이다.(1) The pitch width in all wirings is a narrow pitch width of 50 µm or less.

(2) 모든 배선에서의 피치폭이 50㎛ 초과 100㎛ 이하의 넓은 피치폭이다.(2) The pitch width in all wirings is a wide pitch width of more than 50 µm and 100 µm or less.

(3) 상기 프린트 배선 기판에서, 배선에서의 피치폭이 50㎛ 이하인 배선과, 배선에서의 피치폭이 50㎛ 초과 100㎛ 이하인 배선이 혼재할 경우에 있어서, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 배선폭 중 50㎛ 초과 100㎛ 이하인 배선의 배선폭을 a, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선의 더미 배선폭을 a', 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선을 무시했을 때의 인접하는 배선과의 거리인 배선 갭폭을 b, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 배선과 인접하는 더미 배선과의 거리인 갭폭을 b', 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선을 무시했을 때의 배선의 피치폭을 P라고 했을 때에,(3) In the printed wiring board, when the wiring having a pitch width of 50 µm or less in the wiring and the wiring having a pitch width of 50 µm or more and 100 µm or less in the wiring are mixed, the wiring formed on the printed wiring board. When the wiring width of the wiring which is more than 50 micrometers and 100 micrometers or less of width is a, the dummy wiring width of the dummy wiring formed in the printed wiring board is a ', and the dummy wiring formed in the printed wiring board is ignored, B is the wiring gap width that is the distance to the wiring, and the gap width that is the distance between the wiring formed on the printed wiring board and the dummy wiring adjacent to the wiring b 'and the dummy wiring formed on the printed wiring board is ignored. When we said pitch width P,

(A) a㎛≥P㎛×0.5, b㎛≤P㎛×0.5, 25㎛<a㎛≤95㎛;(A) a mu m? P mu m 0.5, b mu m? P mu m 0.5, 25 mu m <a mu m <95 mu m;

(B) 그 프린트 배선 기판이 더미 배선을 갖고, a+a'㎛≥P㎛×0.5, b'≤P㎛×0.25, 5㎛≤a㎛≤85㎛, 5㎛≤a'㎛≤85㎛;(B) The printed wiring board has a dummy wiring, and a + a 'mu m ≥ P mu m x 0.5, b' ≤ P mu m x 0.25, 5 mu m ≤ a mu m ≤ 85 mu m, 5 mu ≤ a 'mu m ;

의 A 또는 B 중 어느 하나를 만족하면 충분하다.It is enough to satisfy either A or B.

특히 본 발명의 프린트 배선 기판에서는, 선폭과 갭의 비(선폭/갭)를 관리함으로써 도전성 금속의 두께를, 8.5∼9.2㎛의 범위에서 균일화할 수 있다.In particular, in the printed wiring board of the present invention, the thickness of the conductive metal can be made uniform in the range of 8.5 to 9.2 mu m by managing the ratio (line width / gap) of the line width and the gap.

예를 들면, 선폭/갭폭이, 1.0 이상, 바람직하게는 1.0∼1.2인 경우, 도전성 금속의 두께는, 통상은, 8.6∼9.0㎛, 바람직하게는 8.6∼8.7㎛의 범위 내로 되고,For example, when the line width / gap width is 1.0 or more, preferably 1.0 to 1.2, the thickness of the conductive metal is usually in the range of 8.6 to 9.0 µm, preferably 8.6 to 8.7 µm,

또한 선폭과 갭의 비(선폭/갭)가 1.0 미만 0.5 이상인 경우, 도전성 금속의 두께가 통상은 8.6∼8.9㎛, 바람직하게는 8.6∼8.8㎛의 범위 내로 되고,In addition, when the ratio (line width / gap) of the line width and the gap is less than 1.0 and 0.5 or more, the thickness of the conductive metal is usually in the range of 8.6 to 8.9 mu m, preferably 8.6 to 8.8 mu m,

선폭과 갭의 비(선폭/갭)가 0.5 미만, 바람직하게는 0.4㎛ 이상 0.5㎛ 미만인 경우, 도전성 금속의 두께가 통상은 8.9㎛∼9.2㎛, 바람직하게는 8.9∼9.1㎛의 범위 내로 된다.When the ratio (line width / gap) of the line width and the gap is less than 0.5, preferably 0.4 µm or more and less than 0.5 µm, the thickness of the conductive metal is usually in the range of 8.9 µm to 9.2 µm, preferably 8.9 to 9.1 µm.

한편, 본 발명에 있어서 더미 배선은, 이 프린트 배선 기판에 있어서는, 전기적인 접속을 형성할 수 없는 배선이다.In addition, in this invention, a dummy wiring is wiring which cannot form an electrical connection in this printed wiring board.

본 발명에 있어서는, 배선간에 다소의 편차는 생기지만, 상기의 도전성 금속의 두께의 표준편차(STDE)은, 통상은, 0.15㎛ 이하, 바람직하게는 0.13∼0.05㎛의 범위 내에 있는 것이 특히 바람직하다.In the present invention, some deviation occurs between the wirings, but the standard deviation STDE of the thickness of the conductive metal is usually 0.15 µm or less, preferably 0.13 to 0.05 µm. .

또한, 상기한 바와 같이 해서 형성된 프린트 배선 기판 중에서 그 배선 패턴의 평균 두께(AVE)에 대한 그 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE)의 비(STDE/AVE)를, 바람직하게 0.005∼0.018의 범위 내로 조정한 배선은, 매우 균질성이 높고, 본딩시에 안정된 접속을 확립할 수 있는 동시에, 배선 자체의 전기 저항값을 일정한 값으로 안정시킬 수 있다.Further, among the printed wiring boards formed as described above, the ratio STDE / AVE of the standard deviation STDE of the thickness of the wiring pattern to the average thickness AVE of the wiring pattern is preferably in the range of 0.005 to 0.018. The wiring adjusted inside can be very homogeneous, can establish a stable connection at the time of bonding, and can stabilize the electrical resistance value of the wiring itself to a fixed value.

이렇게 배선폭, 갭폭과의 관계를 조정함으로써, 세미애디티브법의 문제점으로 되어 있던 석출 도전성 금속의 두께의 편차를 해소할 수 있고, 균일성이 높은 배선 패턴을 얻을 수 있다.By adjusting the relationship between the wiring width and the gap width in this way, the variation in the thickness of the deposited conductive metal which has been a problem of the semi-additive method can be eliminated, and a highly uniform wiring pattern can be obtained.

이렇게 해서 형성되는 배선은, 통상은, 프린트 배선 기판에 직선적으로 형성된 이너 리드 또는 아우터 리드이다. 이러한 이너 리드 또는 아우터 리드에 형성되어 있는 배선(리드)은 동일한 선폭을 갖고 있지 않은 경우가 있고, 배선폭 또는 피치폭이 다른 리드가 인접해서 형성되어 있는 경우가 있다.The wiring formed in this way is usually an inner lead or an outer lead formed linearly on a printed wiring board. Wirings (leads) formed on such inner leads or outer leads may not have the same line width, and leads with different wiring widths or pitch widths may be formed adjacent to each other.

상기한 바와 같이 해서 이 절연 기판(11)의 표면에 형성된 도전성 금속층(15), 이 도전성 금속층(15)의 표면에 형성된 원하는 형상을 갖는 패턴(28), 이 패턴이 형성되어 있지 않은 도전성 금속층(15)의 표면에 석출한 도전성 금속층(15')으로 이루어지는 적층체를 도 1의 (ｆ)에 나타낸다. 여기서, 도전성 금속층(15)과 석출한 도전성 금속층(15')은, 통상은 구리 또는 구리 합금과 같은 동일한 금속으로 형성되어 있기 때문에, 도전성 금속층(15)과 석출한 도전성 금속층(15')은 일체화하므로, 본 발명에서는, 특별히 구별할 필요가 없는 한, 도전성 금속층(15)으로 표기한다.As described above, the conductive metal layer 15 formed on the surface of the insulating substrate 11, the pattern 28 having the desired shape formed on the surface of the conductive metal layer 15, and the conductive metal layer on which the pattern is not formed ( The laminated body which consists of the electroconductive metal layer 15 'which precipitated on the surface of 15) is shown in FIG. Here, since the conductive metal layer 15 and the deposited conductive metal layer 15 'are usually formed of the same metal as copper or a copper alloy, the conductive metal layer 15 and the deposited conductive metal layer 15' are integrated. Therefore, in the present invention, the conductive metal layer 15 is referred to unless otherwise specified.

이렇게 해서 형성된 적층체를 예를 들면 알칼리 세정함으로써, 포토레지스트로 이루어지는 패턴(28)을 제거할 수 있다. 패턴(28)이 제거된 상태를 도 1의 (g)에 나타낸다.Thus, the alkali formed by the laminated body formed in this way can remove the pattern 28 which consists of photoresists, for example. The state in which the pattern 28 was removed is shown in Fig. 1G.

상기와 같이 해서 패턴(28)을 제거하면, 패턴(28)이 형성되어 있던 부분에는 도전성 금속층(15)이 노출하고, 그 하부에는 기재 금속층(13)이 존재하고 있다.When the pattern 28 is removed as described above, the conductive metal layer 15 is exposed at the portion where the pattern 28 is formed, and the base metal layer 13 is present at the lower portion thereof.

패턴(28)이 형성되어 있던 부분에 있는 도전성 금속층은, 매우 얇기 때문에, 통상의 에칭액과 단시간 접촉하는 것에 의해 제거할 수 있다. 또한, 이때, 기재 금속층(13)을 형성하는 금속의 일부, 예를 들면 니켈 등도 제거할 수 있다. 그렇지만, 기재 금속층(13)을 형성하고 있는 크롬 등의 금속은, 상기와 같은 에칭액과의 접촉에 의해 완전히 제거하는 것은 곤란하다. 이러한 경우, 상기와 같은 에칭공정을 거친 후, 과망간산 칼륨과 같은 산화성의 에칭제와 이 기판을 접촉시킴으로써, 크롬 등의 기재 금속층(13)을 형성하고 있던 금속을 제거하거나, 또는, 전기적으로 부동태화할 수 있다.Since the conductive metal layer in the part in which the pattern 28 was formed is very thin, it can remove by contacting with normal etching liquid for a short time. At this time, a part of the metal forming the base metal layer 13, for example nickel, may also be removed. However, it is difficult to completely remove metals such as chromium forming the base metal layer 13 by contact with the etching solution as described above. In this case, after the above etching process, the substrate is brought into contact with an oxidizing etchant such as potassium permanganate to remove the metal forming the base metal layer 13 such as chromium or electrically passivated. can do.

또한, 산화성의 처리액을 이용함으로써, 절연 기판 표면을 겨우 용해할 수 있으므로, 예를 들면 스퍼터링법 등에 의해 기재 금속층을 형성했을 경우에, 절연 기판 표면에 먹어 들어간 기재 금속을 절연 기판 표면과 함께 제거할 수 있다. 또한, 스퍼터링법 혹은 진공증착법 등에 의해 절연 기판을 형성하는 수지에 생긴 수산기, 아미드기 등의 극성기를 함유하는 표면 부분도 동시에 용해 제거되므로, 이온 마이그레이션 등에 의한 단락이 발생하기 어려운 프린트 배선 기판을 얻을 수 있다.In addition, since the surface of an insulating substrate can be melt | dissolved only by using an oxidizing process liquid, when the base metal layer is formed by the sputtering method etc., the base metal ingested in the insulating substrate surface is removed with the insulating substrate surface. can do. In addition, since the surface portion containing the polar groups such as hydroxyl groups and amide groups formed in the resin forming the insulating substrate by the sputtering method or the vacuum deposition method is also dissolved and removed at the same time, a printed wiring board which is unlikely to cause short circuit due to ion migration or the like can be obtained. have.

상기와 같이 해서 배선 패턴을 형성한 후, 통상은, 전자 부품과 접속하는 이너 리드 및 이 배선 기판과 외부에 있는 배선을 접속하는 아우터 리드를 노출하도록 솔더레지스트층을 형성한다. 솔더레지스트층은, 솔더레지스트 잉크를 원하는 형상으로 개구된 스크린을 이용해서 도포함으로써 형성할 수도 있고, 솔더레지스트층을 형성하는 필름을 원하는 형상으로 천공하여, 소정의 위치에 부착함으로써 형성할 수 있다.After forming a wiring pattern as mentioned above, a soldering resist layer is normally formed so that the inner lead which connects an electronic component and the outer lead which connect this wiring board and an external wiring are formed. A soldering resist layer can also be formed by apply | coating soldering resist ink using the screen opened to the desired shape, and can be formed by perforating the film which forms a soldering resist layer to a desired shape, and attaching it to a predetermined position.

이렇게 해서 솔더레지스트층을 형성한 후, 솔더레지스트층으로부터 노출한 이너 리드 및 아우터 리드의 표면에, 주석 도금층, 땜납 도금층, 금 도금층, 니켈·금 도금층 등의 도금층을 형성한다. 이러한 도금층의 두께는, 통상은 0.1∼1㎛, 바람직하게는 0.2∼0.6㎛의 범위 내에 있다. 한편, 상기 설명은, 솔더레지스트층을 형성한 후, 도금층을 형성하는 방법에 관한 것이지만, 도금층은, 솔더레지스트층을 형성하기 전에 형성해도 되고, 또한 솔더레지스트층을 형성하기 전에 배선 패턴 전체에 얇은 도금층을 형성하고, 솔더레지스트층을 형성한 후, 솔더레지스트층으로부터 노출한 리드 부분에 다시 도금층을 형성할 수도 있다.After forming a soldering resist layer in this way, plating layers, such as a tin plating layer, a solder plating layer, a gold plating layer, and a nickel-gold plating layer, are formed in the surface of the inner lead and the outer lead exposed from the solder resist layer. The thickness of such a plating layer is normally 0.1-1 micrometer, Preferably it exists in the range of 0.2-0.6 micrometer. In addition, although the said description relates to the method of forming a plating layer after forming a soldering resist layer, a plating layer may be formed before forming a soldering resist layer, and is thin in the whole wiring pattern before forming a soldering resist layer. After forming a plating layer and forming a soldering resist layer, you may form a plating layer again in the lead part exposed from the soldering resist layer.

이렇게 본 발명의 프린트 배선 기판은, 세미애디티브법에 의해 배선 패턴을 형성할 때에 석출하는 도전성 금속층의 두께를, 배선 패턴의 선폭에 관계없이 일정한 범위 내로 조정할 수 있다. 이렇게 도전성 금속층의 두께를 균일화함으로써, 배선 패턴에 전류가 흘렀을 때에 생기는 저항치를 일정하게 할 수 있고, 전자 부품에 안정된 전력 또는 전기 신호를 공급할 수 있으므로, 전자 부품의 오작동 등을 방지할 수 있다. 또한, 세미애디티브법에 의해 균일성이 높은 배선 패턴을 형성할 수 있다. 세미애디티브법은, 서브트랙티브법과 비교해서 선폭이 미세한 배선 패턴을 형성하는 것이 가능한 반면, 형성된 배선 패턴의 두께가 일정하지 않다는 문제점을 갖고 있지만, 본 발명에 따르면 균질성이 높은 세선(細線)을 갖는 프린트 배선 기판을 형성할 수 있다.Thus, the printed wiring board of this invention can adjust the thickness of the electroconductive metal layer which precipitates when forming a wiring pattern by the semiadditive method within a fixed range irrespective of the line width of a wiring pattern. By uniformizing the thickness of the conductive metal layer in this manner, the resistance value generated when a current flows through the wiring pattern can be made constant, and a stable power or electric signal can be supplied to the electronic component, thereby preventing malfunction of the electronic component and the like. In addition, a highly uniform wiring pattern can be formed by the semiadditive process. The semi-additive method has a problem in that a wiring pattern having a finer line width can be formed in comparison with the subtractive method, while the thickness of the formed wiring pattern is not constant. However, according to the present invention, a thin wire having high homogeneity is formed. The printed wiring board which can be formed can be formed.

특히 프린트 배선 기판 중에 피치폭 또는 선폭이 다른 배선이 혼재해 있어도, 배선의 굵기에 따라, 배선의 두께가 변동하지 않는다는 특성을 갖고 있다. 이러한 특성은 실장되는 전자 부품의 고집적화가 더욱 진행함에 따라서, 매우 중요해지고 있다.In particular, even when wirings having different pitch widths or line widths are mixed in the printed wiring board, the thickness of the wirings does not vary depending on the thickness of the wirings. Such characteristics become very important as the integration of electronic components to be mounted is further advanced.

또한, 본 발명의 프린트 배선 기판은, 절연 필름 위에 형성된 도전성 금속층을 부분적으로 에칭해서 그 도전성 금속층 표면에 형성된 배선 패턴의 하단부에 언더컷이 형성될 일이 없고, 배선 패턴이 강고하게 도전성 금속층 표면에 접합하여, 형성된 배선 패턴이 박리할 일이 없다.In the printed wiring board of the present invention, the conductive metal layer formed on the insulating film is partially etched so that the undercut is not formed at the lower end of the wiring pattern formed on the surface of the conductive metal layer, and the wiring pattern is firmly bonded to the surface of the conductive metal layer. Thus, the formed wiring pattern does not peel off.

[실시예][Example]

다음에 본 발명의 실시예를 나타내고 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만 본 발명은 이것들에 의해 한정되는 것은 아니다.Next, Examples of the present invention will be described and the present invention will be described in more detail, but the present invention is not limited thereto.

〔실시예 1〕EXAMPLE 1

두께 38㎛의 폴리이미드 필름의 표면에 두께 0.025㎛의 니켈, 크롬으로 이루어지는 기재 금속층이 형성되고, 이 기재 금속층의 표면에 두께 1.3㎛의 구리층이 형성된 ＣＣＬ을 준비했다.A base metal layer made of nickel and chromium having a thickness of 0.025 μm was formed on the surface of the polyimide film having a thickness of 38 μm, and a CCL having a copper layer having a thickness of 1.3 μm was formed on the surface of the base metal layer.

이 ＣＣＬ의 도전성 금속을 에칭액과 접촉시켜서, 도전성 금속의 두께를 0.3㎛로 조정했다.The conductive metal of this CCL was brought into contact with the etching solution, and the thickness of the conductive metal was adjusted to 0.3 µm.

이렇게 해서 표면에 있는 도전성 금속을 에칭해서 제거한 후, 이 새롭게 노출된 절연제 금속층의 표면을 우에무라공업(上村工業)(주)제(製)의 스루컵(THRU-CUP) ACL-067을 물에 의해 13%로 희석한 액(30℃)에 40초간 함침시켜서 탈지했다. 이렇게 하여 탈지한 후, 1시간 후에 포토레지스트를 라미네이트했다.After etching and removing the conductive metal on the surface in this way, the surface of this newly exposed insulating metal layer was washed with a THRU-CUP ACL-067 manufactured by Uemura Industrial Co., Ltd. The solution (30 ° C) diluted to 13% was impregnated for 40 seconds and degreased. After degreasing in this way, the photoresist was laminated after 1 hour.

이렇게 조정한 ＣＣＬ의 도전성 금속의 표면에 건조 두께가 두께 15㎛로 되도록 포토레지스트를 라미네이트하고, 선폭/갭이 표 1에 나타내는 바와 같이 되도록 노광·현상했다.The photoresist was laminated so that the dry thickness might be 15 micrometers on the surface of the electrically conductive metal of CLC adjusted in this way, and it exposed and developed so that line width / gap might be as shown in Table 1.

상기와 같이 해서 노광한 포토레지스트층을 전자현미경으로 관찰했지만, 도 9의 1h에 나타내는 바와 같이 포토레지스트의 하부잔류물은 발생해 있지 않았다.Although the photoresist layer exposed as mentioned above was observed with the electron microscope, as shown in 1H of FIG. 9, the lower residue of the photoresist did not generate | occur | produce.

여기서 형성되는 배선 패턴은 피치폭이 50㎛ 이하의 좁은 피치의 프린트 배선 기판이며 더미 전극은 형성되어 있지 않다.The wiring pattern formed here is a printed wiring board with a narrow pitch of 50 mu m or less in pitch width, and no dummy electrode is formed.

상기와 같은 패턴을 이용해서 통상적인 방법에 따라, 세미애디티브법에 의해 프린트 배선 기판을 제조했다.The printed wiring board was manufactured by the semiadditive process according to the conventional method using the above patterns.

이렇게 해서 형성된 배선 패턴의 두께를, 접촉식 막후계(film thickness meter)인 니콘 디지마이크로 ＭＤ-5Ｃ(주식회사 니콘(NIKON)제)를 이용하여, 3피스에 대해서 동일 개소를 2회 측정했다.The thickness of the wiring pattern thus formed was measured twice using the Nikon DigiMAD-5C (manufactured by Nikon Corporation), which is a contact film thickness meter, for the three pieces.

상기의 방법에 의해 형성된 프린트 배선 기판의 배선 패턴의 평균 두께(AVE), 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE), 배선 패턴의 평균 두께(AVE)에 대한 그 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE)의 비(STDE/AVE)를 구했다.Standard deviation of the thickness of the wiring pattern with respect to the average thickness (AVE) of the wiring pattern, the standard deviation of the thickness of the wiring pattern (STDE), and the average thickness (AVE) of the wiring pattern formed by the above method. ), The ratio (STDE / AVE) is obtained.

결과를 표 1 및 도 5에 나타낸다.The results are shown in Table 1 and FIG. 5.

또한, 상기와 같이 해서 포토레지스트의 하부잔류물이 발생해 있지 않으므로, 하부잔류물에 기인한 언더컷이 발생할 일은 없었다.In addition, since the lower residue of the photoresist did not generate | occur | produce as mentioned above, the undercut resulting from the lower residue did not generate | occur | produce.

〔실시예 2〕EXAMPLE 2

실시예 1에 있어서, 피치폭을 표 1에 나타내는 바와 같이 50㎛ 초과 100㎛ 이하로 한 것 외에는 동일하게 해서 세미애디티브법에 의해 프린트 배선 기판을 제조했다.In Example 1, the printed wiring board was produced by the semiadditive process similarly except having made pitch width more than 50 micrometers and 100 micrometers or less as shown in Table 1.

한편, 이 실시예 2에 있어서도, 실시예 1과 마찬가지로 표면에 있는 도전성 금속을 에칭해서 제거한 후, 이 새롭게 노출된 절연제 금속층의 표면을 우에무라공업(주)제의 스루컵 ACL-067을 물에 의해 13%로 희석한 액(30℃)에 40초간 함침시켜서 탈지했다. 이렇게 하여 탈지한 후, 1시간 후에 포토레지스트를 라미네이트했다.On the other hand, also in this Example 2, after etching and removing the conductive metal on the surface similarly to Example 1, the surface of this newly exposed insulating metal layer was made of the through cup ACL-067 made by Uemura Industry Co., Ltd. The solution (30 ° C) diluted to 13% was impregnated for 40 seconds and degreased. After degreasing in this way, the photoresist was laminated after 1 hour.

이렇게 해서 포토레지스트층을 형성한 후, 포토레지스트를 노광하고, 현상해서 전자현미경을 이용하여 관찰했지만, 도 9와 마찬가지로, 하부잔류물은 발생해 있지 않았다.After forming the photoresist layer in this manner, the photoresist was exposed, developed, and observed using an electron microscope, but as in FIG. 9, no lower residue was generated.

얻어진 프린트 배선 기판에 대해서, 실시예 1과 마찬가지로 배선 패턴의 두께를 측정했다.About the obtained printed wiring board, the thickness of the wiring pattern was measured similarly to Example 1.

상기의 방법에 의해 측정한 프린트 배선 기판의 배선 패턴의 평균 두께(AVE), 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE), 배선 패턴의 평균 두께(AVE)에 대한 그 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE)의 비(STDE/AVE)를 실시예 1과 동일하게 해서 구했다.Standard deviation of the thickness of the wiring pattern with respect to the average thickness (AVE) of the wiring pattern, the standard deviation of the thickness of the wiring pattern (STDE), and the average thickness (AVE) of the wiring pattern measured by the above-described method ( The ratio (STDE / AVE) of STDE) was calculated | required similarly to Example 1.

결과를 표 1 및 도 5에 나타낸다.The results are shown in Table 1 and FIG. 5.

또한, 상기와 같이 해서 형성된 배선 패턴을 전자현미경을 이용하여 관찰했지만, 언더컷은 발생해 있지 않았다.In addition, although the wiring pattern formed as mentioned above was observed using the electron microscope, undercut did not generate | occur | produce.

〔실시예 3〕EXAMPLE 3

피치폭을 표 1에 나타내는 바와 같이 50㎛ 이하의 좁은 피치와 50㎛ 초과 100㎛ 이하의 넓은 피치를 혼재시킨 것 외에는 실시예 1과 동일하게 해서 하기 조건을 충족하도록 형성했다.As shown in Table 1, pitch width was formed similarly to Example 1 except having mixed the narrow pitch of 50 micrometers or less, and the wide pitch of 50 micrometers or more and 100 micrometers or less, and formed so that it might satisfy the following conditions.

a㎛≥P㎛×0.5,aμm≥Pμm × 0.5,

b㎛≤P㎛×0.5,b μm ≦ P μm × 0.5,

25㎛<a㎛≤95㎛25 μm <a μm ≦ 95 μm

한편, 이 실시예 3에 있어서도, 실시예 1과 마찬가지로 표면에 있는 도전성 금속을 에칭해서 제거한 후, 이 새롭게 노출된 절연제 금속층의 표면을 우에무라공업(주)제의 스루컵 ACL-067을 물에 의해 13%로 희석한 액(30℃)에 40초간 함침시켜서 탈지했다. 이렇게 해서 탈지한 후, 1시간 후에 포토레지스트를 라미네이트했다.On the other hand, also in this Example 3, after etching and removing the conductive metal on the surface similarly to Example 1, the surface of this newly exposed insulating metal layer was removed by the through cup ACL-067 made by Uemura Industries, Ltd. The solution (30 ° C) diluted to 13% was impregnated for 40 seconds and degreased. After degreasing in this way, the photoresist was laminated after 1 hour.

얻어진 프린트 배선 기판에 대해서, 실시예 1과 마찬가지로 배선 패턴의 도전성 금속의 도금 두께를 측정했다.About the obtained printed wiring board, the plating thickness of the conductive metal of the wiring pattern was measured similarly to Example 1.

상기의 방법에 의해 측정한 프린트 배선 기판의 배선 패턴의 평균 두께(AVE), 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE), 배선 패턴의 평균 두께(AVE)에 대한 그 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE)의 비(STDE/AVE)를 실시예 1과 동일하게 해서 구했다.Standard deviation of the thickness of the wiring pattern with respect to the average thickness (AVE) of the wiring pattern, the standard deviation of the thickness of the wiring pattern (STDE), and the average thickness (AVE) of the wiring pattern measured by the above-described method ( The ratio (STDE / AVE) of STDE) was calculated | required similarly to Example 1.

결과를 표 1 및 도 5에 나타낸다.The results are shown in Table 1 and FIG. 5.

또한, 상기와 같이 해서 형성된 배선 패턴을 전자현미경을 이용하여 관찰했지만, 언더컷은 발생해 있지 않았다.In addition, although the wiring pattern formed as mentioned above was observed using the electron microscope, undercut did not generate | occur | produce.

〔실시예 4〕EXAMPLE 4

피치폭을 표 1에 나타내는 바와 같이 50㎛ 이하의 좁은 피치와 50㎛ 초과 100㎛ 이하의 넓은 피치가 혼재할 때, 50㎛ 초과 100㎛ 이하의 넓은 피치인 부분(피치폭 100㎛)에, 하기 조건을 충족하도록 더미 패턴을 형성했다. 다른 조건은 실시예 1과 동일하다.As shown in Table 1, when the narrow pitch of 50 micrometers or less and the wide pitch of 50 micrometers or more and 100 micrometers or less mix, the part (pitch width 100 micrometers) which is a wide pitch of 50 micrometers or more and 100 micrometers or less, Dummy patterns were formed to meet the conditions. Other conditions are the same as in Example 1.

이렇게 해서 포토레지스트층을 형성한 후, 포토레지스트를 노광하고, 현상해서 전자현미경을 이용하여 관찰했지만, 도 9와 마찬가지로, 하부잔류물은 발생해 있지 않았다.After forming the photoresist layer in this manner, the photoresist was exposed, developed, and observed using an electron microscope, but as in FIG. 9, no lower residue was generated.

a+a'㎛≥P㎛×0.5,a + a 'mu m ≥ P mu m x 0.5,

b'㎛≤P㎛×0.25,b'µm≤Pµm × 0.25,

5㎛≤a㎛≤85㎛,5 μm ≦ a μm ≦ 85 μm,

5㎛≤a'㎛≤85㎛5㎛≤a'㎛≤85㎛

얻어진 프린트 배선 기판에 대해서, 실시예 1과 마찬가지로 배선 패턴의 도전성 금속의 도금 두께를 측정했다.About the obtained printed wiring board, the plating thickness of the conductive metal of the wiring pattern was measured similarly to Example 1.

상기의 방법에 의해 측정한 프린트 배선 기판의 배선 패턴의 평균 두께(AVE), 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE), 배선 패턴의 평균 두께(AVE)에 대한 그 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE)의 비(STDE/AVE)를 실시예 1과 동일하게 해서 구했다.Standard deviation of the thickness of the wiring pattern with respect to the average thickness (AVE) of the wiring pattern, the standard deviation of the thickness of the wiring pattern (STDE), and the average thickness (AVE) of the wiring pattern measured by the above-described method ( The ratio (STDE / AVE) of STDE) was calculated | required similarly to Example 1.

결과를 표 1 및 도 5에 나타낸다.The results are shown in Table 1 and FIG. 5.

또한, 상기와 같이 해서 형성된 배선 패턴을 전자현미경을 이용하여 관찰했지만, 언더컷은 발생해 있지 않았다.In addition, although the wiring pattern formed as mentioned above was observed using the electron microscope, undercut did not generate | occur | produce.

〔비교예 1〕[Comparative Example 1]

표 1에 나타내는 바와 같이 20㎛, 30㎛, 100㎛ 피치가 혼재하고 있는 것 외에는 실시예 1과 동일하게 프린트 배선 기판을 제조했다.As shown in Table 1, the printed wiring board was produced like Example 1 except having the pitch of 20 micrometers, 30 micrometers, and 100 micrometers mixed.

얻어진 프린트 배선 기판에 대해서, 실시예 1과 마찬가지로 배선 패턴의 도전성 금속의 도금 두께를 측정했다.About the obtained printed wiring board, the plating thickness of the conductive metal of the wiring pattern was measured similarly to Example 1.

상기의 방법에 의해 측정한 프린트 배선 기판의 배선 패턴의 평균 두께(AVE), 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE), 배선 패턴의 평균 두께(AVE)에 대한 그 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE)의 비(STDE/AVE)를 실시예 1과 동일하게 해서 구했다.Standard deviation of the thickness of the wiring pattern with respect to the average thickness (AVE) of the wiring pattern, the standard deviation of the thickness of the wiring pattern (STDE), and the average thickness (AVE) of the wiring pattern measured by the above-described method ( The ratio (STDE / AVE) of STDE) was calculated | required similarly to Example 1.

결과를 표 1 및 도 5에 나타낸다.The results are shown in Table 1 and FIG. 5.

〔비교예2〕Comparative Example 2

표 1에 나타내는 바와 같이 20㎛, 40㎛, 75㎛ 피치가 혼재하고 있는 것 외에는 실시예 1과 동일하게 프린트 배선 기판을 제조했다.As shown in Table 1, the printed wiring board was produced like Example 1 except having mixed 20 micrometers, 40 micrometers, and 75 micrometer pitches.

얻어진 프린트 배선 기판에 대해서, 실시예 1과 마찬가지로 배선 패턴의 도전성 금속의 도금 두께를 측정했다.About the obtained printed wiring board, the plating thickness of the conductive metal of the wiring pattern was measured similarly to Example 1.

상기의 방법에 의해 측정한 프린트 배선 기판의 배선 패턴의 평균 두께(AVE), 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE), 배선 패턴의 평균 두께(AVE)에 대한 그 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE)의 비(STDE/AVE)를 실시예 1과 동일하게 해서 구했다.Standard deviation of the thickness of the wiring pattern with respect to the average thickness (AVE) of the wiring pattern, the standard deviation of the thickness of the wiring pattern (STDE), and the average thickness (AVE) of the wiring pattern measured by the above-described method ( The ratio (STDE / AVE) of STDE) was calculated | required similarly to Example 1.

결과를 표 1에 나타낸다.The results are shown in Table 1.

[표 1]TABLE 1

상기 표 1에 나타낸 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 프린트 배선 기판은 형성되는 배선 패턴의 두께(도금층의 두께)에 편차가 없고, 균질성이 높은 배선 패턴이 형성된다. 특히 병행하여 다수의 배선이 형성되고, 게다가 그 배선의 피치폭이 다른 경우, 더욱이, 피치폭이 50㎛를 경계로 해서 크게 다른 경우에는, 본 발명의 프린트 배선 기판에 따르면, 피치폭이 더 크게 다름에도 불구하고, 높은 균질성을 갖는 배선 패턴을 형성할 수 있다.As can be seen from the results shown in Table 1, the printed wiring board of the present invention has no variation in the thickness (thickness of the plating layer) of the wiring pattern to be formed, and a highly homogeneous wiring pattern is formed. In particular, in the case where a plurality of wirings are formed in parallel, and the pitch widths of the wirings are different, moreover, when the pitch widths are largely different with a 50 μm boundary, according to the printed wiring board of the present invention, the pitch width is larger. Despite the difference, a wiring pattern having high homogeneity can be formed.

〔실시예 5〕[Example 5]

실시예 1에 있어서, 탈지 공정으로부터 10분 이내에 포토레지스트 시트를 부착한 것 외에는 동일하게 해서 프린트 배선 기판을 형성했지만, 포토레지스트의 하부잔류물은 허용되지 않았다.In Example 1, a printed wiring board was formed in the same manner except that the photoresist sheet was attached within 10 minutes from the degreasing step, but the lower residue of the photoresist was not allowed.

〔실시예 6〕EXAMPLE 6

실시예 1에 있어서, 탈지 공정으로부터 2시간 후에 포토레지스트 시트를 부착한 것 외에는 동일하게 해서 프린트 배선 기판을 형성했지만, 포토레지스트의 하부잔류물은 거의 허용되지 않았다.In Example 1, a printed wiring board was formed in the same manner except that a photoresist sheet was attached after 2 hours from the degreasing step, but almost no residue of the photoresist was allowed.

〔실시예 7〕EXAMPLE 7

실시예 1에 있어서, 탈지 공정으로부터 3시간 후에 포토레지스트 시트를 부착한 것 외에는 동일하게 해서 프린트 배선 기판을 형성했지만, 포토레지스트의 하부잔류물은 약간 허용되었다.In Example 1, a printed wiring board was formed in the same manner except that a photoresist sheet was attached after 3 hours from the degreasing step, but the lower residue of the photoresist was slightly allowed.

〔실시예 8〕[Example 8]

실시예 1에 있어서, 탈지 공정으로부터 3시간 15분 후에 포토레지스트 시트를 부착한 것 외에는 동일하게 해서 프린트 배선 기판을 형성했지만, 포토레지스트의 하부잔류물은 약간 허용되었지만, 배선 패턴의 박리 강도의 저하에 이를 정도의 큰 하부잔류물은 발생하지 않았다.In Example 1, the printed wiring board was formed in the same manner except that the photoresist sheet was attached after 3 hours and 15 minutes from the degreasing step, but the lower residue of the photoresist was slightly allowed, but the peeling strength of the wiring pattern was lowered. No large residues reached this level.

〔비교예 3∼7〕[Comparative Examples 3-7]

실시예 1에 있어서, 탈지 공정으로부터 4시간(4h, 비교예 3), 7시간(7h, 비교예 4), 18시간(18h, 비교예 5), 20시간(20h, 비교예 6), 24시간(24h, 비교예 7) 경과한 후, 포토레지스트 시트를 부착한 후, 노광하고, 현상을 행하여, 이 때의 하부잔류물의 상태를 실시예와 동일하게 해서 관찰했다.In Example 1, 4 hours (4h, comparative example 3), 7 hours (7h, comparative example 4), 18 hours (18h, comparative example 5), 20 hours (20h, comparative example 6), 24 from a degreasing process. After the time (24h, Comparative Example 7) had elapsed, the photoresist sheet was attached, and then exposed and developed, the state of the bottom residue at this time was observed in the same manner as in Example.

탈지 후 4시간 경과 후는, 하부잔류물의 잔류가 현저하고, 4시간을 초과해도 하부잔류물의 발생 정도는 대폭적으로는 증가하지 않는다.After 4 hours of degreasing, the residues of the lower residues are remarkable, and even if it exceeds 4 hours, the degree of occurrence of the lower residues does not significantly increase.

그러나, 처리 후 1시간 경과 후에 포토레지스트 시트를 부착한 실시예에서는, 포토레지스트의 하부잔류물이 매우 적고, 따라서, 세미애디티브법을 이용함으로써, 형성되는 배선 패턴의 측벽 저부에 언더컷부가 형성되기 어려운 것이 명백하다. 특히 3.5시간 이내, 바람직하게는 3시간 이내에 포토레지스트층을 형성하면, 언더컷은 거의 발생하지 않는 것에 비해, 탈지 후 4시간을 초과해서 포토레지스트층을 형성하면 시간의 경과와 함께 언더컷이 커지고, 약 16시간까지는 이 언더컷은 시간의 경과와 함께 커지지만 16시간을 초과하면 그 이상의 언더컷의 증대는 현저하게는 허용되지 않게 된다.However, in the embodiment in which the photoresist sheet was attached one hour after the treatment, the lower residue of the photoresist was very small, and therefore, the undercut portion was formed at the bottom of the sidewall of the wiring pattern formed by using the semiadditive method. It is obvious that it is difficult. In particular, when the photoresist layer is formed within 3.5 hours, preferably within 3 hours, the undercut hardly occurs, whereas when the photoresist layer is formed for more than 4 hours after degreasing, the undercut increases with time. Up to 16 hours, this undercut grows with time, but beyond 16 hours, further undercut increases are notably acceptable.

10 : ＣＣＬ
11 : 절연 기판
13 : 기재 금속층
15 : 도전성 금속층
15' : 석출된 도전성 금속층
22 : 마스크
24 : 광원
28 : 패턴
30 : 선폭이 좁은 배선 패턴
31 : 선폭이 넓은 배선 패턴
41 : 더미 배선
42 : 굵은 배선
43 : 미세한 배선
a : 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 피치폭이 50㎛ 초과 100㎛ 이하의 배선의 배선폭
a' : 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선의 더미 배선폭
b : 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선을 무시했을 때의 인접하는 배선과의 거리인 배선 갭폭
b' : 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 배선과 인접하는 더미 배선의 거리인 갭폭
P : 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선을 무시했을 때의 배선의 피치폭10: CCL
11: insulated substrate
13: base metal layer
15: conductive metal layer
15 ': Precipitated conductive metal layer
22: mask
24: light source
28: pattern
30: narrow wiring pattern
31: wide wiring pattern
41: dummy wiring
42: thick wiring
43: fine wiring
a: Wiring width of the wiring formed in the printed wiring board more than 50 micrometers and 100 micrometers or less
a ': dummy wiring width of the dummy wiring formed on the printed wiring board
b: Wiring gap width which is a distance from the adjacent wiring when the dummy wiring formed in the printed wiring board is ignored
b ': gap width which is the distance between the wirings formed on the printed wiring board and the adjacent dummy wirings
P: pitch width of wiring when the dummy wiring formed on the printed wiring board is ignored

Claims (12)

절연 기판의 표면에 기재(基材) 금속층을 통하여, 기재 금속층을 포함하는 도전성 층의 표면에 원하는 형상으로 패터닝된 감광성 수지층을 배치해서 선택적으로 도전성 금속층을 석출시키는 공정을 거쳐 기재 금속층 및 도전성 금속층으로 이루어지는 배선폭이 다른 복수의 배선의 패턴이 형성되어 이루어지며,
그 프린트 배선 기판이 하기의 (1)∼(3)에 기재된 조건 중 어느 하나의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판;
(1) 모든 배선에서의 피치폭이 50㎛ 이하의 좁은 피치폭임;
(2) 모든 배선에서의 피치폭이 50㎛ 초과 100㎛ 이하임;
(3) 상기 프린트 배선 기판에서, 배선에서의 피치폭이 50㎛ 이하인 배선과, 배선에서의 피치폭이 50㎛ 초과 100㎛ 이하인 배선이 혼재할 경우에, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 배선 중 피치폭이 50㎛ 초과 100㎛ 이하인 배선의 배선폭을 a, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미(dummy) 배선의 더미 배선폭을 a', 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선을 무시했을 때의 인접하는 배선과의 거리인 배선 갭(gap)폭을 b, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 배선과 인접하는 더미 배선과의 거리인 갭폭을 b', 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선을 무시했을 때의 배선의 피치폭을 P라고 했을 때에,
(A) a㎛≥P㎛×0.5, b㎛≤P㎛×0.5, 25㎛<a㎛≤95㎛;
(B) 그 프린트 배선 기판이 더미 배선을 갖고, a+a'㎛≥P㎛×0.5, b'≤P㎛×0.25, 5㎛≤a㎛≤85㎛, 5㎛≤a'㎛≤85㎛
중 어느 하나를 만족함.The base metal layer and the conductive metal layer are disposed on the surface of the insulating substrate through a process of disposing a photosensitive resin layer patterned in a desired shape on the surface of the conductive layer including the base metal layer and selectively depositing the conductive metal layer. A plurality of wiring patterns having different wiring widths are formed,
The printed wiring board satisfies any one of the conditions described in (1) to (3) below;
(1) the pitch width in all wirings is a narrow pitch width of 50 µm or less;
(2) the pitch width in all wirings is more than 50 µm and 100 µm or less;
(3) Among the wirings formed on the printed wiring board in the above-described printed wiring board, when the wiring having a pitch width of 50 m or less and the wiring having a pitch width of 50 m or more and 100 m or less in the wiring are mixed. The wiring width of the wiring having a pitch width exceeding 50 µm and 100 µm or less is a, and the dummy wiring width of the dummy wiring formed on the printed wiring board is a 'and the dummy wiring formed on the printed wiring board is ignored. The gap formed by the printed wiring board is b ', and the gap width, which is the distance from the dummy wiring adjacent to the wiring formed on the printed wiring board, is b'. When we assumed pitch width of wiring when we ignored wiring, P,
(A) a mu m? P mu m 0.5, b mu m? P mu m 0.5, 25 mu m <a mu m <95 mu m;
(B) The printed wiring board has dummy wiring, and a + a 'mu m ≥ P mu m x 0.5, b' ≤ P mu m x 0.25, 5 mu m ≤ a mu m ≤ 85 mu m, 5 mu m ≤ a 'mu m ≤ 85 mu m
Satisfy any one of 제 1 항에 있어서,
상기 절연 기판의 표면에 기재 금속층을 통하여, 기재 금속층을 포함하는 도전성 층의 표면에 원하는 형상으로 패터닝된 감광성 수지층을 배치해서 선택적으로 도전성 금속층을 석출시키는 공정을 거쳐 기재 금속층 및 도전성 금속층으로 이루어지는 배선폭이 다른 복수의 배선의 패턴이 형성되어 이루어지며,
그 프린트 배선 기판이
(3) 상기 프린트 배선 기판에서, 배선에서의 피치폭이 50㎛ 이하인 배선과, 배선에서의 피치폭이 50㎛ 초과 100㎛ 이하인 배선이 혼재하고 있고, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 배선 중 피치폭이 50㎛ 초과 100㎛ 이하인 배선의 배선폭을 a, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선의 더미 배선폭을 a', 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선을 무시했을 때의 인접하는 배선과의 거리인 배선 갭폭을 b, 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 배선과 인접하는 더미 배선과의 거리인 갭폭을 b', 그 프린트 배선 기판에 형성되어 있는 더미 배선을 무시했을 때의 배선의 피치폭을 P라고 했을 때에,
(A) a㎛≥P㎛×0.5, b㎛≤P㎛×0.5, 25㎛<a㎛≤95㎛;
(B) 그 프린트 배선 기판이 더미 배선을 갖고, a+a'㎛≥P㎛×0.5, b'㎛≤P×0.25, 5㎛≤a㎛≤85㎛, 5㎛≤a'㎛≤85㎛
중 어느 하나를 만족하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판.The method of claim 1,
Wiring made of a base metal layer and a conductive metal layer through a process of depositing a conductive metal layer selectively by placing a photosensitive resin layer patterned in a desired shape on a surface of the conductive layer including the base metal layer on the surface of the insulating substrate. A plurality of wiring patterns having different widths are formed,
The printed wiring board
(3) In the above-described printed wiring board, a wiring having a pitch width of 50 µm or less in wiring and a wiring having a pitch width of 50 µm or more and 100 µm or less in the wiring are mixed, and the pitch among the wirings formed on the printed wiring board. Adjacent when the width of the wiring exceeding 50 µm and the thickness of 100 µm or less is a, the dummy wiring width of the dummy wiring formed on the printed wiring board is a ', and the dummy wiring formed on the printed wiring board is ignored. B is the wiring gap width that is the distance to the wiring, and the gap width that is the distance between the wiring formed on the printed wiring board and the dummy wiring adjacent to the wiring b 'and the dummy wiring formed on the printed wiring board is ignored. When we said pitch width P,
(A) a mu m? P mu m 0.5, b mu m? P mu m 0.5, 25 mu m <a mu m <95 mu m;
(B) The printed wiring board has dummy wiring, and a + a 'mu m ≥ P mu m x 0.5, b' mu m ≤ P x 0.25, 5 mu m ≤ a mu m ≤ 85 mu m, 5 mu m ≤ a 'mu m ≤ 85 mu m
The printed wiring board which satisfy | fills any one of them. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 배선 패턴의 내에서, 피치폭(P)이, 배선 패턴의 선폭과 갭폭의 합계로 될 경우에, 피치폭(P)이, 50㎛<P≤100㎛로 되는 배선 패턴의 사이에 더미 전극을 배치하고, 그 프린트 배선 기판을 형성하는 배선 패턴의 도전성 금속의 두께를 8.5∼9.2㎛의 범위 내에서 균일화되어 이루어지게 하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판.The method according to claim 1 or 2,
In the wiring pattern, when the pitch width P is the sum of the line width and the gap width of the wiring pattern, the dummy electrode is between the wiring patterns such that the pitch width P is 50 µm <P? 100 µm. And arranging the thickness of the conductive metal of the wiring pattern forming the printed wiring board to be uniform within the range of 8.5 to 9.2 mu m. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 절연 필름과 접촉하는 배선 패턴의 길이방향의 양편을 따라, 절연 필름에 배선 패턴이 접촉하지 않는 언더컷부가 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판.The method according to claim 1 or 2,
A printed wiring board according to claim 1, wherein undercut portions not contacting the wiring pattern are not formed in the insulating film along both sides of the wiring pattern in contact with the insulating film. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 도전성 금속층의 두께의 표준편차(STDE)가 0.15㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판.The method according to claim 1 or 2,
The standard deviation (STDE) of the thickness of the said conductive metal layer is 0.15 micrometer or less, The printed wiring board characterized by the above-mentioned. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 배선 패턴의 평균 두께(AVE)에 대한 그 배선 패턴의 두께의 표준편차(STDE)의 비(STDE/AVE)가, 0.005∼0.018의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판.The method according to claim 1 or 2,
A ratio (STDE / AVE) of the standard deviation (STDE) of the thickness of the wiring pattern to the average thickness (AVE) of the wiring pattern is in the range of 0.005 to 0.018. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 배선이 이너(inner) 리드 또는 아우터(outer) 리드인 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판.The method according to claim 1 or 2,
A printed wiring board, wherein said wiring is an inner lead or an outer lead. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 도전성 금속층이 기재 금속층의 표면에 전해 석출된 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판.The method according to claim 1 or 2,
A printed wiring board, wherein the conductive metal layer is made of copper or a copper alloy electrolytically deposited on the surface of the base metal layer. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 프린트 배선 기판이, 디바이스 홀을 갖지 않는 두께 12∼50㎛의 절연 기판의 표면에 직접 배선 패턴이 형성되어 이루어지는 칩온필름(COF)인 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판.The method according to claim 1 or 2,
The printed wiring board is a chip-on-film (COF) in which a wiring pattern is directly formed on a surface of an insulated substrate having a thickness of 12 to 50 µm without device holes. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 프린트 배선 기판이, 절연 기판의 표면에 Ｎｉ 및 Ｃｒ을 포함하는 기재 금속을 통하여 구리층을 갖는 도전성 금속층 첨부 절연 기판을 이용해서 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판.The method according to claim 1 or 2,
The said printed wiring board is formed using the insulated substrate with a conductive metal layer which has a copper layer through the base metal containing Ni and Cr on the surface of an insulated substrate, The printed wiring board characterized by the above-mentioned. 기재 금속층을 포함하는 도전성 층의 표면에 원하는 형상으로 패터닝된 감광성 수지층을 배치해서 선택적으로 도전성 금속층을 석출시키는 공정을 거쳐 기재 금속층 및 도전성 금속으로 이루어지는 배선폭이 다른 원하는 형상의 복수의 배선의 패턴이 형성되고,
절연 기판의 표면에 기재 금속층을 통하여, 도전성 금속으로 이루어지는 배선폭이 다른 복수의 배선의 패턴이 형성된 프린트 배선 기판을 제조함에 있어,
그 배선 패턴의 내에서,
선폭이 5∼85㎛이며, 갭폭이 15∼95㎛일 경우에, 그 배선과 인접하는 배선과의 사이의 갭에 더미 배선이 형성되도록 포토레지스트층을 형성하고,
그 배선과 인접하는 더미 배선과의 갭을 5∼25㎛의 범위 내로 되도록 포토레지스트층을 형성하고, 도전성 금속을 석출시키는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판의 제조 방법.The pattern of the plurality of wirings of the desired shape with different wiring widths which consist of a base metal layer and a conductive metal through the process of arrange | positioning the photosensitive resin layer patterned in the desired shape on the surface of the conductive layer containing a base metal layer, and selectively depositing a conductive metal layer. Is formed,
In manufacturing the printed wiring board in which the pattern of the some wiring from which the wiring width which consists of electroconductive metal differs through the base metal layer on the surface of an insulated substrate was formed,
Within that wiring pattern,
When the line width is 5 to 85 mu m and the gap width is 15 to 95 mu m, a photoresist layer is formed so that dummy wiring is formed in the gap between the wiring and the adjacent wiring,
A photoresist layer is formed such that a gap between the wiring and a dummy wiring adjacent to the wiring is within a range of 5 to 25 µm, and a conductive metal is deposited. 제 11 항에 있어서,
상기 포토레지스트층을 형성하기 전에, 도전성 금속층의 표면을 탈지 처리한 후, 3시간 이내에 포토레지스트층을 형성하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선 기판의 제조 방법.The method of claim 11,
A method of manufacturing a printed wiring board, wherein a photoresist layer is formed within 3 hours after degreasing the surface of the conductive metal layer before forming the photoresist layer.

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