KR20100120006A - 전력 모듈 패키지 - Google Patents

Abstract

본 발명은 방열특성이 향상된 전력 모듈 패지기의 구조에 관한 것으로, 반도체 소자가 실장된 제1 소자실장면을 갖는 제1 기판 및 반도체 소자가 실장된 제2 소자실장면을 가지며 상기 제2 소자실장면이 상기 제1 소자실장면과 대향하도록 상기 제1 기판 상부에 고정된 제2 기판을 포함하여 구성된다.

양방향, 알루미늄, 양극산화층, 스페이서

Description

전력 모듈 패키지{POWER MODULE PACKAGE}

본 발명은 전력 모듈 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 방열특성이 향상된 전력 모듈 패지기의 구조에 관한 것이다.

최근 전력용 전자 산업이 발전함에 따라 전자제품이 소형화 고밀도화되고 있다. 이에 따라 전자소자 자체의 크기를 줄이는 방법 외에도 최대한 많은 소자와 도선을 정해진 공간 내에 설치하는 방법이 반도체 패키지 설계에 있어 중요한 과제가 되고 있다. 이러한 패키지의 반도체 소자 및 배선 밀도는 점점 더 증가하고 있으며, 패키지 내부에서는 대량의 열이 발생한다. 이러한 고열은 전자 제품의 수명과 작동에 영향을 주기 때문에 고밀도 패키지의 방열 문제 또한 중요한 이슈가 되고 있다.

도 1은 종래의 전력 모듈 패키지의 단면도이다. 이에 나타낸 바와 같이 전력 소자(15) 및 제어소자(13)를 포함한 반도체 소자들은 DCB 회로기판(10)의 금속표면에 납땜 또는 접합된다. 회로기판(10)은 모듈의 베이스플레이트(20)로부터 반도체 소자들을 전기적으로 절연시키는 역할을 하면서 동시에 열적 전도성을 가져야 한다. 이때 베이스플레이트(20)와 회로기판(10)은 세라믹(Al2O3, AlN, SiN, SiC) 또 는 유기물질(epoxy, polymide)로 절연되어 진다.

반도체 소자(13, 15)의 윗면은 얇은 알루미늄 접합선으로 금속표면의 구조화된 영역에 연결된다. 또한 게이트저항, 전류/온도센서 같은 수동소자를 모듈 안에 집적할 수 있고, 보호 및 구동회로 소자 및 회로도 모듈 안에 집적할 수 있다.

이러한 종래의 전력 모듈 패키지는 DCB(Direct Copper Bonding) 기판(10)을 이용하여 하나의 기판(10) 위에 다수의 전력소자(15)와 다이오드를 솔더링(17)하여 붙이고, 이를 열적(Thermal) 특성을 좋게 하기 위해 구리로 이루어진 베이스플레이트(20)에 솔더(23)를 이용하여 다시 붙인 후 하우징을 덮는 구조로 형성되었다. 그리고 전기적인 연결은 웨지 본딩(wedge bonding)을 이용하여 소자(13, 15)와 기판(10)을 연결하고, 기판(10)과 하우징의 터미널(27)에 연결시킨다. 반도체 소자(13, 15)와 와이어는 실리콘 겔에 의해 인캡슐레이션 되고, 베이스기판(20)의 이면에는 방열판(25)이 부착된다.

그러나 상술한 바와 같은 구조의 종래의 전력 모듈 패키지는 다음과 같은 문제점이 있었다.

패키지 소형화에 따라 동일한 공간에 배치된 반도체 소자의 수가 늘어나 패키지의 내부에서 대량의 열이 발생하게 되는데, 방열판이 패키지의 하부에만 배치되는 구조이어서 방열이 효율적으로 이루어질 수 없었다.

또한, DCB 기판(10)을 사용함에 따라 방열 특성을 위해 고가인 대형 구리 플레이트(20)를 필요로 한다. 게다가 반도체 소자와 DCB 기판의 본딩 공정과 DCB 기판과 베이스플레이트의 본딩 공정의 두 번의 본딩 공정의 수행이 요구되어 공정이 복잡해짐은 물론, 반도체 소자(13, 15)와 DCB 기판(10)의 본딩 계면(17) 및 DCB 기판(10)과 베이스플레이트(20) 사이의 두 계면구조에 의해 방열특성이 저하되는 문제점이 있었다.

본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자 창출된 것으로서, 전력 모듈 패키지의 구조 및 이에 사용된 모듈 기판의 구조를 개선하여 방열 성능이 향상되고 제조비용이 절감된 전력 모듈 패키지의 구조를 제안한다.

본 발명에 따른 전력 모듈 패키지는, 반도체 소자가 실장된 제1 소자실장면을 갖는 제1 기판; 및 반도체 소자가 실장된 제2 소자실장면을 가지며 상기 제2 소자실장면이 상기 제1 소자실장면과 대향하도록 상기 제1 기판 상부에 고정된 제2 기판;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 바람직한 한 특징으로서, 상기 제2 기판이 상기 제1 기판과 이격되어 상기 제1 기판 상부에 고정되도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재된 스페이서 부재를 더 포함하는 것에 있다.

본 발명의 바람직한 다른 특징으로서, 상기 제1 기판의 상기 제1 소자실장면의 반대면에 설치된 제1 방열판을 더 포함하는 것에 있다.

본 발명의 바람직한 또 다른 특징으로서, 상기 제2 기판의 상기 제2 소자실장면의 반대면에 설치된 제2 방열판을 더 포함하는 것에 있다.

본 발명의 바람직한 또 다른 특징으로서, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 형성된 내부공간을 외부와 차단하도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 감싸는 하우징; 상기 하우징 외부로 돌출된 리드프레임; 및 상기 내부공간에 충전된 실 리콘;을 더 포함하는 것에 있다.

본 발명의 바람직한 또 다른 특징으로서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 베이스플레이트, 상기 베이스플레이트 표면에 형성된 양극산화층, 상기 양극산화층 상부에 형성된 회로층, 및 상기 회로층 상부에 솔더링된 전력소자 및 제어소자를 포함하는 것에 있다.

본 발명의 바람직한 또 다른 특징으로서, 상기 제1 소자실장면에 실장된 반도체 소자와 상기 제2 소자실장면에 실장된 반도체 소자의 위치가 중복되지 않도록 반도체 소자가 교번하여 배열된 것에 있다.

본 발명의 바람직한 또 다른 특징으로서, 상기 스페이서 부재는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 전기신호를 전달하는 금속 포스트인 것에 있다.

본 발명의 바람직한 또 다른 특징으로서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 상기 양극산화층 상부에 적층된 절연층을 더 포함하는 것에 있다.

본 발명의 바람직한 또 다른 특징으로서, 상기 베이스플레이트는 알루미늄으로 이루어진 것에 있다.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.

본 발명에 따른 전력 모듈 패키지에 의하면 반도체 소자를 제1 기판 및 제2 기판에 분할 배치함으로 동일한 공간을 갖는 하나의 기판에 반도체 소자를 배치하는 것에 비하여 반도체 소자 사이의 거리를 최대화할 수 있으며, 제1 기판 및 제2 기판 모두에 방열판을 설치하는 것이 가능하기 때문에 전력 모듈 패키지의 열방출 성능을 극대화할 수 있는 장점이 있다.

또한 본 발명에 사용된 전력 모듈 기판은 1개의 솔더 접합층만을 포함하기 때문에 2개의 솔더 접합층을 갖는 기존의 DCB 기판을 사용한 전력 모듈 기판에 비해 열전달 효율이 높은 장점을 갖는다.

이하, 본 발명에 따른 전력 모듈 패키지의 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 첨부된 도면의 전체에 걸쳐, 동일하거나 대응하는 구성요소는 동일한 도면부호로 지칭되며, 중복되는 설명은 생략한다. 본 명세서에서, 제1, 제2 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다.

도 2 내지 도 4는 각각 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 바람직한 실시예의 단면도이다.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 전력 모듈 패키지는 반도체 소자가 실장된 제1 소자실장면을 갖는 제1 기판(100) 및 반도체 소자가 실장된 제2 소자실장면을 가지며 제2 소자실장면이 제1 소자실장면과 대향하도록 제1 기판(100) 상부에 고정된 제2 기판(500)을 포함하는 구성이다.

본 실시예에서 사용되는 제1 기판(100) 및 제2 기판(500)은 베이스플레이트(110, 510), 베이스플레이트(110, 510) 표면에 형성된 양극산화층(113, 513), 양극산화층(113, 513) 상부에 형성된 회로층(130, 530), 및 회로층(130, 530) 상부에 솔더(140, 540)에 의해 접합된 전력소자(151, 551) 및 제어소자(153, 553)를 포함하여 이루어진 것이 바람직하다. 즉, 본 실시예의 제1 기판(100) 및 제2 기판(500)은 종래의 패키지 기판과는 달리 DCB(Direct Copper Bonding) 기판을 포함하지 않으며 제1 기판(100) 및 제2 기판(500)의 구성 및 제조방법에 대해서는 추후에 상세히 서술한다. 다만 이에 앞서 DCB 기판이 없는 제1 기판(100) 및 제2 기판(500)의 사용은 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐이며 본 발명이 이에 국한되는 것은 아니라는 점을 미리 밝혀둔다.

반도체 소자는 예를 들면 전력소자(151, 551) 및 제어소자(153, 553)가 될 수 있다. 반도체 소자와 반도체 소자 사이는 와이어(160)에 의해 전기적으로 연결되며, 반도체 소자와 회로층(130) 역시 와이어(161)에 의해 전기적으로 연결된다. 한편 회로층(130)은 리드핀과 와이어(163) 연결되어 하우징(600) 외부와 연통한다.

스페이서 부재(300)는 제2 기판(500)이 제1 기판(100)과 이격되어 제1 기판(100) 상부에 고정되도록 제1 기판(100)과 제2 기판(500) 사이에 개재된다. 스페 이서 부재(300)는 물리적으로 제2 기판(500)을 제1 기판(100) 상부에 고정할 수 있는 경질의 소재로 이루어진다. 이때, 스페이서 부재(300)는 물리적으로 제2 기판(500)을 제2 기판(500) 상부에 고정할 뿐만 아니라 제1 기판(100)과 제2 기판(500)을 전기적으로 연결하는 기능을 수행하도록 형성할 수 있다. 스페이서 부재(300)가 상술한 물리적 기능과 전기적 기능을 수행하기 위해서는 금속 포스트인 것이 바람직하며, 예를 들면, 구리, 니켈, 알루미늄 등의 금속으로 이루어질 수 있다.

하우징(600)은 제1 기판(100)과 제2 기판(500) 사이에 형성된 내부공간을 외부와 차단하도록 제1 기판(100)과 제2 기판(500)을 감싸는 구성이며 플라스틱 등 고분자 소재로 이루어진다. 제1 기판(100) 및 제2 기판(500)의 회로층(130, 530)과 접속하여 반도체 소자의 구동신호를 제공하는 리드핀(L1, L2)이 하우징(600) 외부로 돌출되어 있다. 리드핀(L1, L2)의 위치는 설계에 따라 변경될 수 있는데 도면에는 하우징(600)의 상방향으로 배치된 리드핀(L2)과 하우징(600)의 좌우측으로 돌출될 리드핀(L1)이 예시적으로 도시된다. 이때, 도 3에 도시된 바와 같이, 하우징(600) 내부에서 제2 기판(500)과 접속하는 리드핀(L2)이 제1 기판(100)과 접속하는 리드핀(L1)에 통합될 수 있다.

여기서 도시되지는 않았지만, 제1 기판(100) 및 제2 기판(500)과 하우징(600)에 의해 형성된 내부공간에는 반도체 소자(151, 153, 551, 553)와 와이어(160, 161, 163)를 외부의 진동 및 오염으로부터 보호하기 위해 실리콘 겔(silicone gel)이 충전된 것이 바람직하다.

한편 제1 기판(100)의 제1 소자실장면의 반대면 및 제2 기판(500)의 제2 소자실장면의 반대면에는 반도체 소자로부터 발생하는 열을 방출하기 위한 제1 방열판(170) 및 제2 방열판(570)이 구비된 것이 바람직하다. 제1 방열판(170) 및 제2 방열판(570)은 접착층(171, 571)에 의해 부착된다. 물론 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 방열판(170)만을 구비한 구조나 도시되지는 않았지만 제2 방열판(570)만을 구비한 구조도 가능하다. 다만, 전력 패키지 모듈에서 발생하는 열의 방출을 효과적으로 수행하기 위해 제1 방열판(170) 및 제2 방열판(570)을 모두 구비한 것이 요구될 수 있다.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 제조방법을 개략적으로 도시하는 도면이다. 여기에서는 발명의 명료한 설명을 위해 하우징(600)을 도시하지는 않았지만, 제2 기판(500)을 제1 기판(100) 상부에 고정하기 이전 단계에 제1 기판(100)에 하우징(600)을 결합하는 것이 바람직할 수 있다.

먼저, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 기판(100)이 제공되면 제1 기판(100)의 상부에 접착재(310)를 도포한다. 접착재(310)로는 솔더 또는 전도성 에폭시와 같은 전도성 접착재(310)를 이용한다. 접착재(310)의 도포 부위는 제1 기판(100)과 제2 기판(500)의 전기적인 연결 및 물리적 하중을 지지할 수 있는 위치를 고려하여 결정된다. 이때, 접착재(310) 이용 방식 이외에도 전해 도금을 통한 금속 포스트 형성 방식이 이용될 수 있다.

다음 도 6에 도시된 바와 같이 접착재(310)가 도포된 부위에 스페이서 부 재(300)를 부착한다. 상술한 바와 같이, 스페이서 부재(300)는 제2 기판(500)을 제1 기판(100)에 고정하는 물리적 기능 및 제1 기판(100)과 제2 기판(500)을 전기적으로 접속하는 전기적 기능을 수행하기 위해 구리, 니켈, 알루미늄 등의 금속 포스트로 이루어진 것이 바람직하다.

다음, 도 7에 도시된 바와 같이, 스페이서 부재(300) 상단 또는 제2 기판(500)의 스페이서 부재(300) 부착 위치에 접착재(330)를 도포하고 제2 기판(500)을 플립(Flip)하여 제1 기판(100) 상부에 올린 다음 승온하여 제2 기판(500)을 제1 기판(100)에 상부에 본딩 고정한다.

제2 기판(500)을 제1 기판(100) 상부에 부착함으로써 소자 실장면이 대향하도록 배치되어 소자가 2층에 걸쳐 배열된 전력 모듈 패키지를 제조할 수 있다.

도 8 및 도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 사시도를 도시한다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 제1 기판(100) 및 제2 기판(500)이 제1 소자실장면과 제2 소자실장면이 대향하도록 배치되고 하우징(600)에 의해 내부공간이 형성된다. 도 8에는 제2 기판(500)이 하우징(600) 상부에 올려진 실시예가 도시되며, 하우징(600)의 외부로는 반도체 소자의 구동신호를 전송하는 리드핀(L1)과 터미널 단자(610)가 형성된다.

이때, 제1 소자실장면에 실장된 반도체 소자와 제2 소자실장면에 실장된 반도체 소자의 위치가 중복되지 않도록 반도체 소자가 교번하여 지그재그로 배열된 것이 바람직하다. 반도체 소자의 위치가 중복되지 않도록 지그재그로 배치하는 방식에는 여러가지가 있을 수 있으며, 본 실시예에서는 제1 기판(100)의 전력소 자(151)과 제2 기판(500)의 전력소자(551)가 열을 달리하여 배열된 것이 예시적으로 도시된다.

즉, 본 실시예에 따른 전력 모듈 패키지를 위에서 내려다볼 때 제1 소자실장면에 실장된 소자와 제2 소자실장면에 실장된 소자가 겹치기 않도록 소자들이 배치되면 족하다. 이러한 이유는 고열을 방출하는 반도체 소자를 근접하게 배치되는 것을 피해 반도체 소자를 보호하고 국부적인 열적 불균형이 발생하는 것을 억제하며 내부공간의 열 방출을 효과적으로 달성하기 위함이다.

도 9에는 제2 기판(500)이 하우징(600) 내부로 삽입된 구조의 실시예가 도시되고 리드핀(L2)이 하우징(600)의 상방향으로 돌출된 예를 보여준다.

제2 기판(500)이 제1 기판(100) 상부에 부착되면 제1 기판(100)과 제2 기판(500) 사이에 실리콘 겔(미도시)을 충전하여 내부 구조를 보호한다.

본 실시예에 따른 전력 모듈 패키지에 의하면 반도체 소자를 제1 기판(100) 및 제2 기판(500)에 분할 배치함으로 동일한 공간을 갖는 하나의 기판에 반도체 소자를 배치하는 것에 비하여 반도체 소자 사이의 거리를 최대화할 수 있으며, 제1 기판(100) 및 제2 기판(500) 모두에 방열판을 설치하는 것이 가능하기 때문에 전력 모듈 패키지의 열방출 성능을 극대화할 수 있는 장점이 있다.

또한, 파워 모듈의 특성상 반도체 소자의 병렬 전류 연결을 제1 기판(100) 및 제2 기판(500)의 위 아래로 연결시켜 전기적 특성 향상할 수 있다.

또한, 반도체 소자 사이의 거리를 충분히 이격시켜 배치하는 것이 가능하기 때문에 고용량 칩을 사용하는 대신 저가격의 저용량 칩을 병렬로 연결시켜 구현할 수 있는 장점이 있다.

또한, 두께는 증가 하지만 칩이 실장되는 면이 두 배로 증가 되기 때문에 기존 모듈에 비해 크기를 1/2로 줄일 수 있다.

도 10 내지 도 13은 제1 기판(100)을 제조하는 공정을 공정순서대로 도시하는 도면이다.

먼저, 도 10에 도시된 바와 같이, 양극산화층(113)이 형성된 베이스플레이트(110)의 상부 회로층(130)에 솔더(140)를 도포한다. 베이스플레이트(110)는 구리, 알루미늄 등의 금속판이 될 수 있으며, 비용 측면에서 알루미늄을 사용하는 것이 바람직하다. 도면에는 베이스플레이트(110)의 표면 전체에 양극산화층(113)이 형성된 것을 예시적으로 도시하였지만 양극산화층(113)은 추후에 반도체 소자 등이 실장되는 소자실장면에만 형성된 것도 가능하다.

이때, 선택적으로 양극산화층(113) 상부에 적층된 절연층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 이 경우에도 양극산화층(113)이 있기 때문에 절연층을 두께를 얇게 할 수 있다.

다음, 도 11에 도시된 바와 같이, 전력 소자(151), 제어 소자(153) 등의 반도체 소자를 솔더(140) 상부에 배치하고, 리플로우 공정을 수행하여 도 12에 도시된 바와 같이, 반도체 소자를 고정한다.

다음, 도 13에 도시된 바와 같이, 반도체 소자와 반도체 소자 또는 반도체 소자와 회로층(130)을 전기적으로 접속하는 와이어(161) 본딩을 수행한다. 제2 기 판(500) 역시 제1 기판(100)과 동일한 공정을 제조할 수 있다.

상술한 공정으로 제조된 제1 기판(100)은 1개의 솔더(140) 접합층만을 포함하기 때문에 2개의 솔더(140) 접합층을 갖는 기존의 DCB 기판을 사용한 전력 모듈 기판에 비해 열전달 효율이 높은 장점을 갖는다.

또한, 기존 DCB 기판은 두번의 픽앤드플레이스(Pick&Placement) 공정과 리플로우(Reflow) 공정이 필요했으나 본 실시예에서는 픽앤드플레이스 공정과 리플로우 공정을 1회로 줄일 수 있어 제조공정의 신뢰성을 향상할 수 있다.

또한, 양극 산화층 상부에 절연층을 구비하는 경우라도 기존의 절연층보다 두께를 얇게 할 수 있기 때문에 열 특성이 향상된다.

또한, 베이스플레이트(110)로 알루미늄을 사용하는 경우 구리 플레이트를 사용한 경우에 비해 공정비용을 절감할 수 있다.

한편 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형을 할 수 있음은 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명하다. 따라서, 그러한 변형예 또는 수정예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 해야 할 것이다.

도 1은 종래의 전력 모듈 패키지의 단면도이다.

도 2 내지 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 바람직한 실시예의 단면도이다.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 제조방법을 개략적으로 도시하는 도면이다.

도 8 및 도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 사시도를 도시한다.

도 10 내지 도 13은 제1 기판을 제조하는 공정을 공정순서대로 도시하는 도면이다.

< 도면의 주요 부호에 대한 설명 >

100 제1 기판 500 제2 기판

110, 510 베이스플레이트 113, 513 양극산화층

130, 530 회로층 140, 540 솔더

151, 551 전력소자 153, 553 제어소자

160, 161 와이어 171, 571 접착층

170 제1 방열판 570 제2 방열판

300 스페이서 부재

Claims (10)

1. 반도체 소자가 실장된 제1 소자실장면을 갖는 제1 기판; 및

   반도체 소자가 실장된 제2 소자실장면을 가지며 상기 제2 소자실장면이 상기 제1 소자실장면과 대향하도록 상기 제1 기판 상부에 고정된 제2 기판;

   을 포함하는 전력 모듈 패키지.
2. 제1항에 있어서,

   상기 제2 기판이 상기 제1 기판과 이격되어 상기 제1 기판 상부에 고정되도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재된 스페이서 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
3. 제1항에 있어서,

   상기 제1 기판의 상기 제1 소자실장면의 반대면에 설치된 제1 방열판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
4. 제1항에 있어서,

   상기 제2 기판의 상기 제2 소자실장면의 반대면에 설치된 제2 방열판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
5. 제1항에 있어서,

   상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 형성된 내부공간을 외부와 차단하도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 감싸는 하우징;

   상기 하우징 외부로 돌출된 리드프레임; 및

   상기 내부공간에 충전된 실리콘;

   을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
6. 제1항에 있어서,

   상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 베이스플레이트, 상기 베이스플레이트 표면에 형성된 양극산화층, 상기 양극산화층 상부에 형성된 회로층, 및 상기 회로층 상부에 솔더링된 전력소자 및 제어소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
7. 제1항에 있어서,

   상기 제1 소자실장면에 실장된 반도체 소자와 상기 제2 소자실장면에 실장된 반도체 소자의 위치가 중복되지 않도록 반도체 소자가 교번하여 배열된 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
8. 제2항에 있어서,

   상기 스페이서 부재는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 전기신호를 전 달하는 금속 포스트인 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
9. 제6항에 있어서,

   상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 상기 양극산화층 상부에 적층된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.
10. 제6항에 있어서,

    상기 베이스플레이트는 알루미늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전력 모듈 패키지.

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