KR20100118579A - 이미터가 형성된 전면 컨택트 태양 전지 - Google Patents

이미터가 형성된 전면 컨택트 태양 전지 Download PDF

Info

Publication number
KR20100118579A
KR20100118579A KR1020107018200A KR20107018200A KR20100118579A KR 20100118579 A KR20100118579 A KR 20100118579A KR 1020107018200 A KR1020107018200 A KR 1020107018200A KR 20107018200 A KR20107018200 A KR 20107018200A KR 20100118579 A KR20100118579 A KR 20100118579A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
type
solar cell
layer
silicon substrate
substrate
Prior art date
Application number
KR1020107018200A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101462709B1 (ko
Inventor
피터 존 커즌스
Original Assignee
선파워 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=40953996&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20100118579(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 선파워 코포레이션 filed Critical 선파워 코포레이션
Publication of KR20100118579A publication Critical patent/KR20100118579A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101462709B1 publication Critical patent/KR101462709B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

양극 태양 전지(100)는 태양 전지(100)의 후면에 형성된 N형 실리콘 기판(101)과 P형 폴리실리콘 이미터(108)에 의해 형성된 후면 접합을 포함한다. 반사방지 층(103)은 실리콘 기판(100)의 텍스처링된 전면 표면 상에 형성될 수 있다. 태양 전지(100)의 전면 상의 음극성(negative polarity) 금속 컨택트(102)는 기판(101)에 전기적으로 연결되는 반면에, 태양 전지(100)의 후면 상의 양극성(positive polarity) 금속 컨택트(110)는 폴리실리콘 이미터(108)에 전기적으로 연결된다. 외부 전기 회로는 음극성 및 양극성 금속 컨택트에 연결되어 태양 전지(100)에 의해 전력을 공급받을 수 있다. 양극성 금속 컨택트(110)는 하위 유전체(109)와 함께 적외선 반사 층을 형성하여 태양 복사선의 집광을 증가시킬 수 있다.

Description

이미터가 형성된 전면 컨택트 태양 전지{FRONT CONTACT SOLAR CELL WITH FORMED EMITTER}
본 발명은 일반적으로 태양 전지에 관한 것으로, 더 구체적으로는, 태양 전지 제조 프로세스 및 구조에 관한 것이지만 이에 한하지만은 않는다.
태양 전지는 태양 복사선을 전기 에너지로 전환하는 디바이스로 잘 알려져 있다. 그것은 반도체 처리 기술을 이용하여 반도체 웨이퍼 상에 제조될 수 있다. 태양 전지는 접합부를 형성하는 P형 및 N형 확산 영역을 포함한다. 태양 전지 상에의 태양 복사선의 충돌(impinging)은 확산 영역으로 이동하는 전자 및 정공을 생성하고, 그것에 의해 확산 영역들 사이에서 전압 차이를 생성한다. 후면 컨택트 태양 전지에서, 확산 영역과 그것에 연결된 금속 컨택트는 모두 태양 전지의 후면 상에 있다. 금속 컨택트는 외부 전기 회로가 태양 전지에 연결되어 전력을 공급받을 수 있게 한다.
전면 컨택트 태양 전지에서는, 확산 영역에 전기적으로 연결되는 금속 컨택트들 중 적어도 하나가 태양 전지의 전면 상에 있다. 후면과 반대편인 태양 전지의 전면은 정상 동작 중에는 태양을 향하여 태양 복사선을 집광한다. 후면 컨택트 태양 전지가 전면 컨택트 태양 전지에 비해 전면에 금속 컨택트가 없다는 점에서 미학적으로 이점을 가져, 실생활 응용에서 선호되지만, 미학적 요소는 전력 생산이 주요 관심사인 발전소 및 다른 응용에서는 중요한 요건이 아니다. 본원에서는 비교적 효율적이고 비용 효과적인 전면 컨택트 태양 전지를 위한 구조 및 그 제조를 위한 프로세스를 개시한다.
양극 태양 전지는 태양 전지의 후면에 형성된 N형 실리콘 기판과 P형 폴리실리콘 이미터에 의해 형성된 후면 접합을 포함한다. 반사방지 층은 실리콘 기판의 텍스처링된 전면 표면 상에 형성될 수 있다. 태양 전지의 전면 상의 음극성(negative polarity) 금속 컨택트는 기판에 전기적으로 연결되는 반면에, 태양 전지의 후면 상의 양극성(positive polarity) 금속 컨택트는 폴리실리콘 이미터에 전기적으로 연결된다. 외부 전기 회로는 음극성 및 양극성 금속 컨택트에 연결되어 태양 전지에 의해 전력을 공급받을 수 있다. 양극성 금속 컨택트는 하위 유전체와 함께 적외선 반사 층을 형성하여 태양 복사선의 집광을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 이러한 특징 및 다른 특징들은 첨부한 도면과 청구범위를 포함한 본원 전체를 읽음으로써 당업자에게는 쉽게 이해가 될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 태양 전지의 횡단면을 개략적으로 도시한다.
도 2는 도 1의 태양 전지의 전면을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 3은 도 1의 태양 전지의 후면을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 4A-4M을 포함하는 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 도 1의 태양 전지의 제조를 개략적으로 도시한다.
상이한 도면에서 동일한 참조 표시의 사용은 동일한 또는 유사한 구성 요소를 나타낸다. 도면들은 척도에 따라 도시되지 않았다.
본원에서는, 본 발명의 실시예의 충분한 이해를 위해 장치, 프로세스 파라미터, 재료, 프로세스 단계 및 구조의 예들 같은 다수의 구체적인 상세들을 제공한다. 그러나, 본 발명이 하나 이상의 구체적 상세 없이도 실시될 수 있음을 당업자는 알 것이다. 다른 예시에서, 잘 알려진 상세들은 본 발명의 형태들을 흐리지 않기위해 설명되거나 도시되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 태양 전지(100)의 횡단면을 개략적으로 도시한다. 태양 전지(100)는 금속 컨택트(102)가 위치한 전면 및 금속 컨택트(110)와 동일한 측의 후면을 갖는다. 전면은 정상 동작 동안 태양을 향하여 태양 복사선을 집광한다.
도 1의 예시에서, 태양 전지(100)는 P형 확산 영역의 역할을 하는 P형 도핑된 폴리실리콘 이미터(108)와 N형 확산 영역의 역할을 하는 N형 실리콘 기판(101)에 의해 형성된 후면 접합을 포함한다. N형 실리콘 기판(101)은 긴 수명(예를 들어, 2 내지 5ms)의 N형 실리콘 웨이퍼를 포함할 수 있고 기판의 후면 표면으로부터 텍스처링된 전면 표면의 끝까지의 측정 두께가 약 100 내지 250㎛일 수 있다. 기판(101)의 전면 표면은 무작위로 텍스처링되고(113으로 표시됨) 기판에 형성된 N형 도핑된 영역(105, 106)을 포함한다. N형 도핑된 영역(105)은 저 전면 표면 재결합을 제공하여 태양 전지의 청색 응답(blue response)을 양보하지 않으면서 측방향 전도성을 향상시킨다. 인(phosphorus) 확산일 수도 있는 영역(106)은 저 컨택트 저항을 제공하여 컨택트 재결합을 최소화한다. 영역(106)은 또한 일 실시예에서, 전면 표면 상에서 고 확산된 영역의 면적을 최소화하는 도트 형상을 형성하기 때문에, "N-도트" 라고도 지칭된다. N형 도핑된 영역(105)은 100 내지 500Ω/sq 면 저항을 가질 수 있는 반면에, N형 도핑된 영역(106)은 10 내지 50Ω/sq 면 저항을 가질 수 있다.
실리콘 질화물 층(103)의 반사방지 코팅(ARC)은 기판(101)의 텍스처링된 전면 표면 상에 형성된다. 텍스처링된 전면 표면과 실리콘 질화물 층(103)은 태양 복사선 집광 효율성을 향상시키는 것을 돕는다. 패시베이션 산화물(124)은 기판(101)의 전면 표면 상에 약 10 내지 250 옹스트롬(Angstrom)의 두께로 열적 성장된 실리콘 이산화물을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 폴리실리콘 이미터(108)는 터널 산화물 층(107) 상에 형성된다. 폴리실리콘 이미터(108)는 저 압력 CVD (LPCVD) 또는 플라즈마 향상 CVD (PECVD) 같은 화학 기상 증착(CVD)과 열적 어닐링을 이용하여 폴리실리콘의 층을 형성함으로써 형성될 수 있다. 폴리실리콘 이미터(108)는 100 Ω/sq의 면 저항과 1000 내지 2000 옹스트롬의 두께를 가질 수 있다. 터널 산화물 층(107)은 기판(101)의 후면 표면 상에서 약 10 내지 50 옹스트롬의 두께로 열적 성장된 실리콘 이산화물을 포함할 수 있다. 금속 컨택트(110)는 실리콘 이산화물 층(109)을 포함하는 유전체를 통해 형성된 컨택트 홀(123)을 통해 폴리실리콘 이미터(108)에 전기적으로 연결된다. 금속 컨택트(110)는 외부 전기 회로가 태양 전지(100)에 연결되어 전력을 공급받을 수 있게 하는 양극성 단자를 제공한다. 실리콘 이산화물 층(109)은 전기적 절연을 제공하고 금속 컨택트(110)가 적외선 반사 층의 역할을 하게 하여 태양 복사선 집광을 증가시킨다. 일 실시예에서, 금속 컨택트(110)는 약 5-25mΩ.cm의 컨덕턴스와 약 15-35㎛의 두께를 갖는 은을 포함한다.
태양 전지(100)의 전면 상에서, 금속 컨택트(102)는 실리콘 질화물 층(103)을 통해 형성된 컨택트 홀(120)을 통해 영역(106)에 전기적으로 연결된다. 금속 컨택트(102)는 외부 전기 회로가 태양 전지(100)에 연결되어 전력을 공급받을 수 있게 하는 음극성 단자를 제공한다. 일 실시예에서, 금속 컨택트(102)는 약 5mΩ.cm의 면 저항과 약 15㎛의 두께를 갖는 은을 포함한다. 인접한 금속 컨택트들(102) 사이의 피치(pitch)는 약 1 내지 4mm 일 수 있다. 일 실시예에서, 금속 컨택트들(102)은 각 금속 컨택트(102)를 따라 400 내지 1000㎛ 간격으로 놓일 수 있다(도 2를 참조).
도 1의 예시에서, 에지 절연 트렌치(111)는 에지 전기적 절연을 제공하기 위해 실리콘 이산화물 층(109), 폴리실리콘 이미터(108), 그리고 기판(101)의 일부분을 통해 형성된다.
도 2는 태양 전지(100)의 전면을 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 2의 예시에서, 두 개의 버스 바(201)는 기판(101)의 전면 상에서 평형하게 뻗어있다. 금속 컨택트(102)가 형성되는 컨택트 홀(120)은 각각 약 50 내지 200㎛의 직경을 가질 수 있다. 복수의 금속 컨택트(102)는 버스 바(201)에 수직으로 형성된다. 각 금속 컨택트(102)는 약 60-120㎛의 폭을 가질 수 있다.
도 3은 태양 전지(100)의 후면을 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 3의 예시에서, 금속 컨택트(110)에 전기적으로 연결된 두 개의 버스 바(301)는 후면 상에서 평행하게 뻗어있다. 실제로는, 버스 바(201, 301)는 인접한 태양 전지의 대응하는 버스 바에 전기적으로 연결되어 태양 전지의 어레이를 형성할 것이다.
태양 전지는 실용적인 재활용가능한 에너지원으로서 에너지 소비자들 사이에서 넓은 지지를 얻어왔다. 여전히, 다른 에너지원들과 경쟁하기 위해서, 태양 전지 제조업자는 비교적 저 비용으로 효율적인 태양 전지를 제조할 수 있어야만 한다. 이러한 목적을 염두에 두고, 태양 전지(100)를 제조하는 프로세스를 도 4A-4M을 참조하여 이하 기술한다.
도 4A-4M을 포함하는 도 4는 본 발명의 실시예에 따라 태양 전지(100)의 제조를 개략적으로 도시한다.
도 4A에서, N형 실리콘 기판(101)은 손상 에칭 단계를 겪음으로써 태양 전지로 처리되기 위한 준비가 된다. 기판(101)은 이러한 예시에서 웨이퍼 형태로 존재하고, 웨이퍼 벤더에 의해 기판(101)을 잉곳(ingot)으로부터 얇게 커팅하기 위해 사용되는 소잉(sawing) 프로세스 때문에 통상은 손상된 표면을 가진다. 기판(101)은 웨이퍼 벤더로부터 받은 것과 같은 약 100 내지 200 마이크로미터의 두께일 수 있다. 일 실시예에서, 손상 에칭 단계는 칼륨 수산화물을 포함하는 습식 에칭 프로세스를 이용하여 기판(101)의 각 면으로부터 약 10 내지 20㎛를 제거하는 것을 수반한다. 손상 에칭 단계는 또한 금속 오염을 제거하는 기판(101)의 세정을 포함할 수 있다.
도 4B에서, 터널 산화물(402, 107)은 각자 기판(101)의 전면 및 후면 표면 상에 형성된다. 터널 산화물(402, 107)은 N형 실리콘 기판(101)의 표면 상에 약 10 내지 50 옹스트롬의 두께로 열적 성장된 실리콘 이산화물을 포함할 수 있다. 이어서, 폴리실리콘의 층은 터널 산화물(402, 107) 상에 형성되어 각각 폴리실리콘 층(401)과 폴리실리콘 이미터(108)를 형성한다. 각각의 폴리실리콘 층(401)과 폴리실리콘 이미터(108)는 CVD에 의해 약 1000 내지 2000 옹스트롬의 두께로 형성될 수 있다.
도 4C에서, P형 도펀트 소스(461)는 폴리실리콘 이미터(108) 상에 형성된다. 그 명칭이 함축하는 것처럼, P형 도펀트 소스(461)는 후속 도펀트 드라이브-인 단계에서 폴리실리콘 이미터(108)로의 확산을 위한 P형 도펀트의 소스를 제공한다. 유전체 캐핑(capping) 층(462)은 드라이브-인 단계 도중 태양 전지의 후면으로부터 도펀트가 빠져나가는 것을 방지하기 위해 P형 도펀트 소스(461) 상에 형성된다. 일 실시예에서, P형 도펀트 소스는 대기압 CVD (APCVD)에 의해 약 500 내지 1000 옹스트롬의 두께로 퇴적된 BSG (붕규산염 유리)를 포함하고 5 내지 10 중량%의 도펀트 농도를 가지는 반면에, 캐핑 층(462)은 역시 APCVD에 의해 약 2000 내지 3000 옹스트롬의 두께로 형성된 도핑되지 않은 실리콘 이산화물을 포함한다.
도 4D에서, 에지 절연 트렌치(111)는 후면 상에서 기판(101)의 에지 근처에 형성된다. 트렌치(111)는 비교적 얕고 (예를 들어, 기판(101)으로 10㎛의 깊이) 에지 전기적 절연을 제공한다. 일 실시예에서, 트렌치(111)는 레이저를 이용하여 캐핑 층(462), P형 도펀트 소스(461), 폴리실리콘 이미터(108), 터널 산화물(107) 및 기판(101)의 얕은 부분을 통해 커팅함으로써 형성된다.
도 4E에서, 기판(101)의 전면 표면 상의 노출된 영역은 랜덤하게 텍스처링되어 텍스처링된 표면(113)을 형성한다. 일 실시예에서, 기판(101)의 전면 표면은 칼륨 수산화물과 이소프로필 알코올을 포함하는 습식 에칭 프로세스를 이용하여 랜덤 피라미드로 텍스처링된다.
도 4F에서, N형 도펀트 소스(412)는 텍스처링된 표면(113)의 영역 상에 형성되고 여기에는 기판(101)에 전기적으로 연결되는 금속 컨택트(102)가 후속하여 형성될 컨택트 홀(120)(도 1 참조)이 후속하여 형성된다. 그 명칭이 함축하는 것처럼, N형 도펀트 소스(412)는 기판(101)의 전면으로의 확산을 위한 N형 도펀트의 소스를 제공한다. 일 실시예에서, N형 도펀트 소스(412)는 도펀트 재료를 기판(101)에 직접적으로 잉크젯 프린팅하는 것에 의해 형성된다.
일 실시예에서, N형 도펀트 소스(412)는 인으로 도핑된 실리콘 이산화물을 포함한다. 단지 하나의 N형 도펀트 소스(412)가 도시의 명확성을 위해 도 4F에 도시되어 있다. 실제로는, 다수의 도트 형상의 N형 도펀트 소스(412)가 있고, 각 영역마다 컨택트 홀(120)이 형성된다(도 2 참조). 이것은 이제 도 4G를 참조하여 설명할 후속 수행되는 드라이브-인 단계 이후에 다수의 도트 형상의 N형 도핑된 영역(106)을 형성하게 한다(도 1 참조).
도 4G에서, 도펀트 드라이브-인 단계를 수행하여, N형 도펀트 소스(412)로부터 기판(101)으로 N형 도펀트를 확산시켜 N형 도핑된 영역(106)을 형성하고, P형 도펀트 소스(461)로부터 폴리실리콘 이미터(108)로 P형 도펀트를 확산시키고, 기판(101)의 전면으로 N형 도펀트를 확산시켜 N형 도핑된 영역(105)을 형성한다. 실리콘 이산화물 층(109)은 드라이브-인 단계 이후의 층(461, 462)을 나타낸다. 폴리실리콘 이미터(108)는 또한 드라이브-인 단계 이후의 P형 도핑된 층이 된다. N형 도핑된 영역(105)은 예컨대 도 4G의 샘플을 확산로(diffusion furnace)의 인에 노출함시킴으로써 형성될 수 있다. N형 도펀트 소스(412)의 이용은 더 제어되고 집중적인 N형 도핑된 영역(106)에 대한 N형 확산을 가능하게 한다. 얇은 열적 실리콘 이산화물 층(124)은 드라이브-인 프로세스 동안에 텍스처링된 표면(113) 상에서 성장할 수 있다.
후면 상의 폴리실리콘 이미터(108)를 도핑하고 전면 상의 N형 도핑된 영역(105, 106)을 형성하는 드라이브-인 단계는 인시츄(in-situ) 형성될 수 있고, 이것은 본원의 문맥상 노(furnace) 또는 다른 단일 챔버 또는 다중 챔버 프로세싱 툴에서의 기판(101)의 단일 수동 (즉, 제조 직원에 의한) 로딩을 의미한다. 일 실시예에서, 드라이브-인 단계에 이르는 확산로에서 수행된다. 드라이브-인 단계에 이르는 단계들의 이전 시퀀스는 인시츄 확산을 허용하여 제작 비용을 낮추는 것을 유리하게 도와준다.
N형 도펀트 소스(412)를 이용하여 도펀트를 N형 도핑된 영역(106)으로 확산시키는 단계는 일부 용례에서는 생략될 수 있음을 유의해야 한다. 즉, 대안적 프로세스에서, 도 4F의 N형 도펀트 소스(412)의 형성은 생략될 수 있다. 그러한 경우에, N형 도핑된 영역(105, 106)은 모두 드라이브-인 단계 동안 확산로에서 N형 도펀트들의 도입함으로써 도핑될 것이다. 본원에 개시된 모든 다른 프로세스 단계는 필수적으로 동일하게 유지한다.
도 4H에서, 실리콘 질화물 층(103)의 반사방지 코팅은 N형 도펀트 소스(412)의 제거 후에 텍스처링된 표면(113) 위에 형성된다. 반사방지 코팅 이외에도, 실리콘 질화물 층(103)은 바람직하게는 전면 표면 재결합을 감소시키기 위해 선택적 컨택트가 전면 표면 상에 형성되는 것을 가능하게 하는 유전체 역할도 한다. 실리콘 질화물 층(103)은 예를 들어, PECVD에 의해 약 450 옹스트롬의 두께로 형성될 수 있다.
도 4I에서, 전면 컨택트 마스크(420)는 컨택트 홀(120)(도 1 참조)을 정의하는 패턴(421)을 생성하기 위해 실리콘 질화물 층(103) 상에 형성된다. 마스크(420)는 레지스트와 같은 산성 저항 유기 재료를 포함할 수 있고, 스크린 프린팅 또는 잉크젯 프린팅과 같은 프린팅 프로세스를 이용하여 형성될 수 있다.
도 4J에서, 후면 컨택트 마스크(422)는 컨택트 홀(123)(도 1 참조)을 정의하는 패턴(423)을 생성하기 위해 실리콘 이산화물 층(109) 상에 형성된다. 마스크(420)와 유사하게, 마스크(422)는 프린팅 프로세스를 이용하여 형성되는 유기 재료를 포함할 수 있다.
도 4K에서, 컨택트 홀(120, 123)은 컨택트 에칭 단계에서 실리콘 질화물 층(103)과 실리콘 이산화물(109)의 노출된 부분들을 제거함으로써 형성된다. 일 실시예에서, 컨택트 홀(120)은 실리콘 질화물 층(103)의 노출된 부분을 제거하고 기판(101)에서 정지하는 선택적인 에칭 프로세스를 이용함으로써 생성된다. 동일한 에칭 프로세스가 실리콘 이산화물(109)의 노출된 부분을 제거하고 폴리실리콘 이미터(108)에서 정지한다. 일 실시예에서, 에칭 프로세스는 BOE(buffered oxide etch)를 포함한다.
도 4L에서, 금속 컨택트(110)는 실리콘 이산화물 층(109) 상에 형성되어 컨택트 홀(123)을 채우고 폴리실리콘 이미터(108)에 전기적으로 연결된다. 금속 컨택트(110)는 프린팅 프로세스를 이용하여 형성될 수 있다. 금속 컨택트(110)는 실리콘 이산화물 층(109)과 함께 우수한 후면 적외선 반사물을 만드는 은을 포함할 수 있다. 예컨대 알루미늄과 같은 다른 금속 또한 금속 컨택트(110)로 사용될 수 있다.
도 4M에서, 금속 컨택트(120)는 실리콘 질화물 층(103) 상에 형성되어 컨택트 홀(120)을 채우고 기판(101)에 전기적으로 연결된다. 금속 컨택트(120)는 은을 포함하고 프린팅 프로세스를 이용하여 형성될 수 있다.
금속 컨택트(110, 102)의 형성 후에는 소성(firing) 단계가 올 수 있다. 소성 단계는 금속 컨택트로서 스크린 프린팅된 은 페이스트를 이용하였을 때 적용가능 하고, 다른 프로세스나 금속을 이용하였을 때에는 그렇지 않다. 그 후 태양 전지(100)는 시각적으로 검증 및 테스트될 수 있다.
본 발명의 특정 실시예들이 제공되었으나, 이러한 실시예들은 예시적인 것이지 제한적인 것이 아님을 알아야 한다. 많은 추가적인 실시예들이 본원을 읽은 당업자에게는 명확할 것이다.

Claims (20)

  1. 정상 동작 동안 태양을 향하여 태양 복사선을 집광하는 전면과 전면의 반대인 후면을 갖는 태양 전지로서,
    N형 실리콘 기판과,
    태양 전지의 전면 상의 상기 N형 실리콘 기판 상의 텍스처링된 표면과,
    상기 N형 실리콘 기판의 상기 텍스처링된 표면 위의 반사방지 층과,
    상기 N형 실리콘 기판과 후면 접합을 형성하는 P형 폴리실리콘 이미터와,
    태양 전지의 전면으로부터 상기 N형 실리콘 기판에 전기적으로 연결되는 음극성 금속 컨택트와,
    태양 전지의 후면으로부터 상기 P형 실리콘 기판에 전기적으로 연결되는 양극성 금속 컨택트
    를 포함하는 태양 전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반사방지 층은 실리콘 질화물의 층을 포함하는 태양 전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 P형 폴리실리콘 이미터 위의 유전체 층을 더 포함하는 태양 전지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 유전체 층은 실리콘 이산화물을 포함하는 태양 전지.
  5. 제3항에 있어서,
    태양 전지의 후면 상에서 상기 유전체 층과 상기 P형 폴리실리콘 이미터와 N형 실리콘 기판의 일부분을 통해 커팅한 트렌치를 더 포함하는 태양 전지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 양극성 금속 컨택트는 유전체 층과 함께 적외선 반사 층을 형성하는 금속을 포함하는 태양 전지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 양극성 금속 컨택트는 실리콘 이산화물을 포함하는 유전체 층과 함께 적외선 반사 층을 형성하는 은을 포함하는 태양 전지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 음극성 금속 컨택트는 상기 N형 실리콘 기판에 대한 컨택트 홀에 형성된 금속을 포함하는 태양 전지.
  9. 정상 동작 동안 태양을 향하여 태양 복사선을 집광하는 전면과 전면의 반대인 후면을 갖는 태양 전지를 제조하는 방법으로서,
    태양 전지의 후면 상의 N형 실리콘 기판의 후면 표면 위에 폴리실리콘의 층을 형성하는 단계와,
    상기 폴리실리콘의 층 위에 P형 도펀트 소스를 형성하는 단계와,
    상기 P형 도펀트 소스 위에 캐핑(capping) 층을 형성하는 단계와,
    상기 N형 실리콘 기판과의 후면 접합을 형성하기 위해 상기 P형 도펀트 소스로부터 상기 폴리실리콘의 층으로 P형 도펀트들을 확산시키는 단계와,
    상기 N형 실리콘 기판의 전면 표면으로 N형 도펀트들을 확산시키는 단계
    를 포함하는 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 P형 도펀트 소스는 붕규산염 유리를 포함하는 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 N형 실리콘 기판의 전면 표면으로 N형 도펀트들을 확산시키는 단계는 상기 N형 실리콘 기판 위에 N형 도펀트 소스를 형성하고 상기 N형 도펀트 소스로부터 상기 N형 실리콘 기판으로 N형 도펀트들을 확산시키는 단계를 포함하는 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 N형 도펀트 소스는 인 도핑된 실리콘 이산화물을 포함하는 방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 N형 실리콘 기판의 전면 표면을 텍스처링하는 단계와,
    상기 N형 실리콘 기판의 텍스처링된 전면 표면 위에 반사방지 층을 형성하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 반사방지 층은 실리콘 질화물을 포함하는 방법.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 P형 도펀트 소스로부터 상기 폴리실리콘의 층으로 P형 도펀트들을 확산시키는 단계와 상기 N형 실리콘 기판의 전면 표면으로 N형 도펀트들을 확산시키는 단계는 인시츄(in-situ) 수행되는 방법.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 캐핑 층은 도핑되지 않은 실리콘 이산화물을 포함하는 방법.
  17. 정상 동작 동안 태양을 향하여 태양 복사선을 집광하는 전면과 전면의 반대인 후면을 갖는 태양 전지로서,
    텍스처링된 전면 표면을 갖는 기판과,
    상기 기판의 후면 표면 위에 형성된 이미터 층 - 상기 이미터 층은 상기 기판과의 후면 접합을 형성함 - 과,
    태양 전지의 전면 상에서 상기 기판에 전기적으로 연결되는 제1 금속 컨택트와,
    태양 전지의 후면 상에서 상기 이미터 층에 전기적으로 연결되는 제2 금속 컨택트 - 상기 제1 금속 컨택트와 상기 제2 금속 컨택트는 외부 전기 회로가 태양 전지에 의해 전력을 공급받을 수 있게 하도록 구성됨 -
    를 포함하는 태양 전지.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 기판의 텍스처링된 전면 표면 위의 반사방지 층을 더 포함하는 태양 전지.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 기판은 N형 실리콘 기판을 포함하고 상기 이미터 층은 P형 도핑된 폴리실리콘을 포함하는 태양 전지.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 제2 금속 컨택트는 실리콘 이산화물의 층 위에 형성된 은을 포함하는 태양 전지.
KR1020107018200A 2008-02-20 2009-01-29 이미터가 형성된 전면 컨택트 태양 전지 KR101462709B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/070,742 US8222516B2 (en) 2008-02-20 2008-02-20 Front contact solar cell with formed emitter
US12/070,742 2008-02-20
PCT/US2009/032345 WO2009105314A1 (en) 2008-02-20 2009-01-29 Front contact solar cell with formed emitter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100118579A true KR20100118579A (ko) 2010-11-05
KR101462709B1 KR101462709B1 (ko) 2014-11-18

Family

ID=40953996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107018200A KR101462709B1 (ko) 2008-02-20 2009-01-29 이미터가 형성된 전면 컨택트 태양 전지

Country Status (6)

Country Link
US (5) US8222516B2 (ko)
EP (4) EP4345921A3 (ko)
JP (3) JP5572895B2 (ko)
KR (1) KR101462709B1 (ko)
CN (1) CN201812825U (ko)
WO (1) WO2009105314A1 (ko)

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8222516B2 (en) 2008-02-20 2012-07-17 Sunpower Corporation Front contact solar cell with formed emitter
EP2259337A4 (en) * 2008-03-27 2011-08-24 Mitsubishi Electric Corp PHOTOVOLTAIC POWER DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US8207444B2 (en) 2008-07-01 2012-06-26 Sunpower Corporation Front contact solar cell with formed electrically conducting layers on the front side and backside
US8242354B2 (en) * 2008-12-04 2012-08-14 Sunpower Corporation Backside contact solar cell with formed polysilicon doped regions
DE102009008152A1 (de) * 2009-02-09 2010-08-19 Nb Technologies Gmbh Siliziumsolarzelle
US20110048505A1 (en) * 2009-08-27 2011-03-03 Gabriela Bunea Module Level Solution to Solar Cell Polarization Using an Encapsulant with Opened UV Transmission Curve
NL2003511C2 (en) * 2009-09-18 2011-03-22 Solar Cell Company Holding B V Method for fabricating a photovoltaic cell and a photovoltaic cell obtained using such a method.
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
US8796060B2 (en) * 2009-11-18 2014-08-05 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
TW201133905A (en) * 2010-03-30 2011-10-01 E Ton Solar Tech Co Ltd Method of forming solar cell
US9214576B2 (en) 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
DE102010017590B4 (de) * 2010-06-25 2014-01-09 Hanwha Q.CELLS GmbH Beidseitig kontaktierte Solarzelle und Solarmodul
US8377738B2 (en) 2010-07-01 2013-02-19 Sunpower Corporation Fabrication of solar cells with counter doping prevention
US8334161B2 (en) * 2010-07-02 2012-12-18 Sunpower Corporation Method of fabricating a solar cell with a tunnel dielectric layer
US9773928B2 (en) 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
US8802486B2 (en) * 2011-04-25 2014-08-12 Sunpower Corporation Method of forming emitters for a back-contact solar cell
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
LT5937B (lt) 2011-09-01 2013-05-27 Uab "Precizika - Met Sc" Puslaidininkinis elementas, turintis legiruotas p/n struktūras, ir būdas jas izoliuoti naudojant ultratrumpus ultravioletinius lazerio impulsus
US8586397B2 (en) * 2011-09-30 2013-11-19 Sunpower Corporation Method for forming diffusion regions in a silicon substrate
US9559228B2 (en) 2011-09-30 2017-01-31 Sunpower Corporation Solar cell with doped groove regions separated by ridges
US8992803B2 (en) 2011-09-30 2015-03-31 Sunpower Corporation Dopant ink composition and method of fabricating a solar cell there from
US8664015B2 (en) * 2011-10-13 2014-03-04 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing photoelectric device
US8822262B2 (en) * 2011-12-22 2014-09-02 Sunpower Corporation Fabricating solar cells with silicon nanoparticles
JP6108858B2 (ja) * 2012-02-17 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 ｐ型半導体材料および半導体装置
AU2013326971B2 (en) 2012-10-04 2016-06-30 Tesla, Inc. Photovoltaic devices with electroplated metal grids
US9865754B2 (en) 2012-10-10 2018-01-09 Tesla, Inc. Hole collectors for silicon photovoltaic cells
US9812590B2 (en) 2012-10-25 2017-11-07 Sunpower Corporation Bifacial solar cell module with backside reflector
US9035172B2 (en) 2012-11-26 2015-05-19 Sunpower Corporation Crack resistant solar cell modules
US9312406B2 (en) 2012-12-19 2016-04-12 Sunpower Corporation Hybrid emitter all back contact solar cell
US8796061B2 (en) 2012-12-21 2014-08-05 Sunpower Corporation Module assembly for thin solar cells
US9530923B2 (en) * 2012-12-21 2016-12-27 Sunpower Corporation Ion implantation of dopants for forming spatially located diffusion regions of solar cells
US9281436B2 (en) 2012-12-28 2016-03-08 Solarcity Corporation Radio-frequency sputtering system with rotary target for fabricating solar cells
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US9412884B2 (en) 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
NL2010116C2 (en) 2013-01-11 2014-07-15 Stichting Energie Method of providing a boron doped region in a substrate and a solar cell using such a substrate.
CN109599450A (zh) 2013-04-03 2019-04-09 Lg电子株式会社 太阳能电池
US9624595B2 (en) 2013-05-24 2017-04-18 Solarcity Corporation Electroplating apparatus with improved throughput
US9685571B2 (en) 2013-08-14 2017-06-20 Sunpower Corporation Solar cell module with high electric susceptibility layer
DE102013219564A1 (de) * 2013-09-27 2015-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Solarzelle mit einem Heteroübergang
CN103594541B (zh) * 2013-10-12 2017-01-04 南昌大学 用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
KR102219804B1 (ko) * 2014-11-04 2021-02-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그의 제조 방법
US9722104B2 (en) 2014-11-28 2017-08-01 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
KR102320551B1 (ko) * 2015-01-16 2021-11-01 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
JP6456279B2 (ja) * 2015-01-29 2019-01-23 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
US9947822B2 (en) 2015-02-02 2018-04-17 Tesla, Inc. Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells
KR102272433B1 (ko) 2015-06-30 2021-07-05 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
CN105097978A (zh) * 2015-09-07 2015-11-25 中国东方电气集团有限公司 一种n型背结晶体硅电池及其制备方法
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
CN106784129A (zh) * 2015-11-20 2017-05-31 上海神舟新能源发展有限公司 背发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法
US9842956B2 (en) 2015-12-21 2017-12-12 Tesla, Inc. System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures
US9496429B1 (en) 2015-12-30 2016-11-15 Solarcity Corporation System and method for tin plating metal electrodes
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
JP6595410B2 (ja) * 2016-06-15 2019-10-23 株式会社Ｓｏｋｅｎ 噴射弁の冷却装置
WO2018021546A1 (ja) * 2016-07-28 2018-02-01 京セラ株式会社 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法
USD822890S1 (en) 2016-09-07 2018-07-10 Felxtronics Ap, Llc Lighting apparatus
CN109844962A (zh) * 2016-09-27 2019-06-04 松下知识产权经营株式会社 太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法
US10775030B2 (en) 2017-05-05 2020-09-15 Flex Ltd. Light fixture device including rotatable light modules
USD862777S1 (en) 2017-08-09 2019-10-08 Flex Ltd. Lighting module wide distribution lens
USD872319S1 (en) 2017-08-09 2020-01-07 Flex Ltd. Lighting module LED light board
USD846793S1 (en) 2017-08-09 2019-04-23 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD832494S1 (en) 2017-08-09 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module heatsink
USD877964S1 (en) 2017-08-09 2020-03-10 Flex Ltd. Lighting module
USD833061S1 (en) 2017-08-09 2018-11-06 Flex Ltd. Lighting module locking endcap
USD832495S1 (en) 2017-08-18 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862778S1 (en) 2017-08-22 2019-10-08 Flex Ltd Lighting module lens
KR102053912B1 (ko) * 2017-09-01 2019-12-09 주식회사 한화 계면 특성이 향상된 perc 솔라셀, 솔라셀 제조 방법 및 제조 장치
USD888323S1 (en) 2017-09-07 2020-06-23 Flex Ltd Lighting module wire guard
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
CN109192817A (zh) * 2018-09-05 2019-01-11 浙江晶科能源有限公司 一种n型太阳能电池制备方法及n型太阳能电池
CN110277471A (zh) * 2019-05-17 2019-09-24 上海神舟新能源发展有限公司 基于晶体硅N型Poly发射结太阳能电池制作方法
CN114068730A (zh) * 2021-11-22 2022-02-18 厦门乾照光电股份有限公司 一种太阳能电池及其制作方法

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3961997A (en) 1975-05-12 1976-06-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Fabrication of polycrystalline solar cells on low-cost substrates
US4427839A (en) * 1981-11-09 1984-01-24 General Electric Company Faceted low absorptance solar cell
US4665277A (en) * 1986-03-11 1987-05-12 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Floating emitter solar cell
US4927770A (en) 1988-11-14 1990-05-22 Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia Method of fabricating back surface point contact solar cells
US5217539A (en) 1991-09-05 1993-06-08 The Boeing Company III-V solar cells and doping processes
US5053083A (en) 1989-05-08 1991-10-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Bilevel contact solar cells
US5479018A (en) * 1989-05-08 1995-12-26 Westinghouse Electric Corp. Back surface illuminated infrared detector
US5030295A (en) 1990-02-12 1991-07-09 Electric Power Research Institut Radiation resistant passivation of silicon solar cells
US5057439A (en) 1990-02-12 1991-10-15 Electric Power Research Institute Method of fabricating polysilicon emitters for solar cells
JPH04290274A (ja) * 1991-03-19 1992-10-14 Sharp Corp 光電変換装置
US5164019A (en) 1991-07-31 1992-11-17 Sunpower Corporation Monolithic series-connected solar cells having improved cell isolation and method of making same
US5356488A (en) * 1991-12-27 1994-10-18 Rudolf Hezel Solar cell and method for its manufacture
US5266125A (en) 1992-05-12 1993-11-30 Astropower, Inc. Interconnected silicon film solar cell array
JP3203076B2 (ja) * 1992-11-30 2001-08-27 シャープ株式会社 宇宙用シリコン太陽電池
US5360990A (en) 1993-03-29 1994-11-01 Sunpower Corporation P/N junction device having porous emitter
US5369291A (en) 1993-03-29 1994-11-29 Sunpower Corporation Voltage controlled thyristor
JPH0794431A (ja) * 1993-04-23 1995-04-07 Canon Inc アモルファス半導体用基板、該基板を有するアモルファス半導体基板、及び該アモルファス半導体基板の製造方法
JPH0786271A (ja) 1993-09-17 1995-03-31 Fujitsu Ltd シリコン酸化膜の作製方法
JPH07106611A (ja) * 1993-09-29 1995-04-21 Tonen Corp Ｂｓｆ型太陽電池の製造方法
JP3158027B2 (ja) * 1995-06-21 2001-04-23 シャープ株式会社 太陽電池及びその製造方法
US5641362A (en) 1995-11-22 1997-06-24 Ebara Solar, Inc. Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell
US5620904A (en) 1996-03-15 1997-04-15 Evergreen Solar, Inc. Methods for forming wraparound electrical contacts on solar cells
EP0851511A1 (en) * 1996-12-24 1998-07-01 IMEC vzw Semiconductor device with two selectively diffused regions
US6552414B1 (en) 1996-12-24 2003-04-22 Imec Vzw Semiconductor device with selectively diffused regions
AUPP437598A0 (en) * 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
US6262359B1 (en) * 1999-03-17 2001-07-17 Ebara Solar, Inc. Aluminum alloy back junction solar cell and a process for fabrication thereof
US6387726B1 (en) 1999-12-30 2002-05-14 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
US6423568B1 (en) 1999-12-30 2002-07-23 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
US6274402B1 (en) 1999-12-30 2001-08-14 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
US6337283B1 (en) 1999-12-30 2002-01-08 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
US6313395B1 (en) 2000-04-24 2001-11-06 Sunpower Corporation Interconnect structure for solar cells and method of making same
US6333457B1 (en) 2000-08-29 2001-12-25 Sunpower Corporation Edge passivated silicon solar/photo cell and method of manufacture
DE10042733A1 (de) * 2000-08-31 2002-03-28 Inst Physikalische Hochtech Ev Multikristalline laserkristallisierte Silicium-Dünnschicht-Solarzelle auf transparentem Substrat
CA2370731A1 (en) 2001-02-07 2002-08-07 Ebara Corporation Solar cell and method of manufacturing same
JP2002270869A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池
US20020142500A1 (en) * 2001-03-27 2002-10-03 Pietro Foglietti Ultra-thin interface oxidation by ozonated water rinsing for emitter poly structure
US6524880B2 (en) * 2001-04-23 2003-02-25 Samsung Sdi Co., Ltd. Solar cell and method for fabricating the same
JP2005510885A (ja) 2001-11-26 2005-04-21 シェル・ゾラール・ゲーエムベーハー 背面接点を有する太陽電池の製造
US7388147B2 (en) 2003-04-10 2008-06-17 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
US6998288B1 (en) 2003-10-03 2006-02-14 Sunpower Corporation Use of doped silicon dioxide in the fabrication of solar cells
WO2005083799A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-09 Bp Corporation North America Inc Process for manufacturing photovoltaic cells
US7838868B2 (en) * 2005-01-20 2010-11-23 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
US20060130891A1 (en) 2004-10-29 2006-06-22 Carlson David E Back-contact photovoltaic cells
TW200634170A (en) 2004-11-10 2006-10-01 Daystar Technologies Inc Pressure control system in a photovoltaic substrate deposition apparatus
ATE510306T1 (de) 2005-02-18 2011-06-15 Clean Venture 21 Corp Matrixanordnung sphärischer solarzellen und ihr herstellungsverfahren
DE102005040871A1 (de) * 2005-04-16 2006-10-19 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rückkontaktierte Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102005019225B4 (de) * 2005-04-20 2009-12-31 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Heterokontaktsolarzelle mit invertierter Schichtstrukturgeometrie
US20070023081A1 (en) 2005-07-28 2007-02-01 General Electric Company Compositionally-graded photovoltaic device and fabrication method, and related articles
US7468485B1 (en) * 2005-08-11 2008-12-23 Sunpower Corporation Back side contact solar cell with doped polysilicon regions
US7339728B2 (en) 2005-10-11 2008-03-04 Cardinal Cg Company Low-emissivity coatings having high visible transmission and low solar heat gain coefficient
DE102006003283A1 (de) * 2006-01-23 2007-07-26 Gp Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit unterschiedlich stark dotierten Bereichen
US7737357B2 (en) * 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
US7928317B2 (en) 2006-06-05 2011-04-19 Translucent, Inc. Thin film solar cell
JP4767110B2 (ja) * 2006-06-30 2011-09-07 シャープ株式会社 太陽電池、および太陽電池の製造方法
KR100880946B1 (ko) 2006-07-03 2009-02-04 엘지전자 주식회사 태양전지 및 그 제조방법
JP2008135654A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
US20080173347A1 (en) 2007-01-23 2008-07-24 General Electric Company Method And Apparatus For A Semiconductor Structure
US20090159111A1 (en) 2007-12-21 2009-06-25 The Woodside Group Pte. Ltd Photovoltaic device having a textured metal silicide layer
WO2009094578A2 (en) * 2008-01-24 2009-07-30 Applied Materials, Inc. Improved hit solar cell structure
US8222516B2 (en) 2008-02-20 2012-07-17 Sunpower Corporation Front contact solar cell with formed emitter
US8207444B2 (en) * 2008-07-01 2012-06-26 Sunpower Corporation Front contact solar cell with formed electrically conducting layers on the front side and backside
US20110132444A1 (en) 2010-01-08 2011-06-09 Meier Daniel L Solar cell including sputtered reflective layer and method of manufacture thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014150276A (ja) 2014-08-21
US8878053B2 (en) 2014-11-04
JP5806360B2 (ja) 2015-11-10
EP4345921A2 (en) 2024-04-03
JP2016006907A (ja) 2016-01-14
WO2009105314A1 (en) 2009-08-27
US20090205712A1 (en) 2009-08-20
JP5572895B2 (ja) 2014-08-20
US20230021009A1 (en) 2023-01-19
EP2245671A1 (en) 2010-11-03
JP2011512689A (ja) 2011-04-21
EP2245671A4 (en) 2015-11-25
EP4345921A3 (en) 2024-07-03
EP4343861A2 (en) 2024-03-27
US20190393368A1 (en) 2019-12-26
US8222516B2 (en) 2012-07-17
EP3425682A1 (en) 2019-01-09
US20150083215A1 (en) 2015-03-26
JP6145144B2 (ja) 2017-06-07
US20140038338A1 (en) 2014-02-06
KR101462709B1 (ko) 2014-11-18
EP2245671B1 (en) 2018-07-25
CN201812825U (zh) 2011-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230021009A1 (en) Front contact solar cell with formed emitter
US12009448B2 (en) Front contact solar cell with formed electrically conducting layers on the front side and backside
US7468485B1 (en) Back side contact solar cell with doped polysilicon regions
KR100974221B1 (ko) 레이저 어닐링을 이용한 태양전지의 선택적 에미터형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법
KR101225978B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
US20120180860A1 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US20140162395A1 (en) Method for Manufacturing Solar Cell

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171018

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181025

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191030

Year of fee payment: 6