KR20100098993A - 태양 전지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지에 관한 것으로, 태양 전지는 적어도 하나의 비아 홀을 구비한 제1 도전성 타입의 기판, 상기 기판에 형성되어 있고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 에미터부, 상기 에미터부 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제1 전극, 상기 기판을 중심으로 상기 제1 전극의 반대편에 위치하고, 상기 비아 홀을 통해 상기 제1 전극과 연결되어 있는 적어도 하나의 버스 바, 그리고 상기 버스 바와 이격되고, 상기 기판과 연결되어 있는 적어도 하나의 제2 전극을 포함한다. 상기 비아 홀에 복수의 요철이 형성되어 있다. 이로 인해, 비아 홀 내에서 버스 바의 접촉력은 향상된다.
MWT, 태양전지, 비아홀, 버스바, 표면텍스처링, 요철, 표면조직화

Description

태양 전지 및 그 제조 방법{SOLAR CELL AND MANUFACTURING MEHTOD OF THE SAME}
본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생성하는 전지로서, 친환경적이고 에너지원인 태양 에너지가 무한할 뿐만 아니라 수명이 길다는 장점이 있다.
태양전지는 원료 물질에 따라 크게 실리콘 태양 전지(silicon solar cell), 화합물 반도체 태양 전지(compound semiconductor solar cell) 및 적층형 태양 전지(tandem solar cell)로 구분되며, 실리콘 태양 전지가 주류를 이루고 있다.
일반적인 실리콘 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)을 가지는 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter layer), 그리고 기판과 에미터부 위에 각각 형성된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.
이러한 태양 전지에 태양 광이 입사되면, 광기전력 효과(photovoltaic effect)에 의해 n형 또는 p형의 불순물이 도핑된 실리콘 반도체에서 전자와 정공이 발생한다. 예를 들어, n형 실리콘 반도체로 이루어진 n형 에미터부에서는 전자가 다수 캐리어(carrier)로 발생되고, p형 실리콘 반도체로 이루어진 p형 기판에서는 정공이 다수 캐리어로 발생된다. 광기전력 효과에 의해 발생된 캐리어인 전자와 전공은 각각 n형 반도체인 에미터부와 p형 반도체인 기판 쪽으로 끌어 당겨져 각각 기판 및 에미터부와 전기적으로 연결된 전극으로 이동하며, 이 전극들을 전선으로 연결하여 전력을 얻는다.
이때, 에미터부와 반도체 기판 위 각각에는, 에미터부와 반도체 기판 위에 형성된 전극에 연결된 적어도 하나의 버스 바(bus bar)를 위치시켜, 해당 전극에서 수집된 캐리어가 인접한 버스 바를 통해 외부에 연결된 부하로 용이하게 이동할 수 있도록 한다.
하지만, 이 경우, 빛이 입사되지 않은 반도체 기판 위뿐만 아니라 빛이 입사되는 에미터부 위에도 버스 바가 위치하므로, 버스 바로 인해 빛의 입사 면적이 감소하여 태양 전지의 효율이 떨어진다.
버스 바로 인한 태양 전지의 효율 감소를 줄이기 위해, 에미터부와 연결되는 버스 바를 빛이 입사되지 않은 반도체 기판 쪽에 위치시킨 금속 포장 투과형(metal wrap through, MWT) 태양 전지가 개발되어 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 태양 전지의 효율을 향상시키는 것 이다.
본 발명의 한 특징에 따른 태양 전지는, 적어도 하나의 비아 홀을 구비한 제1 도전성 타입의 기판, 상기 기판에 형성되어 있고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 에미터부, 상기 에미터부 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제1 전극, 상기 기판을 중심으로 상기 제1 전극의 반대편에 위치하고, 상기 비아 홀을 통해 상기 제1 전극과 연결되어 있는 적어도 하나의 버스 바, 그리고 상기 버스 바와 이격되고, 상기 기판과 연결되어 있는 적어도 하나의 제2 전극을 포함하고, 상기 비아 홀에 복수의 요철이 형성되어 있다.
상기 기판의 적어도 한 면에 복수의 요철이 형성되어 있는 것이 좋다.
상기 비아 홀에 형성된 요철의 높이는 상기 기판에 형성된 요철의 높이와 다른 것이 좋다.
상기 비아 홀에 형성된 요철의 높이가 상기 기판에 형성된 요철의 높이보다 높을 수 있다.
상기 기판에 형성된 요철의 높이는 약 5㎛ 내지 10㎛이고, 상기 비아 홀에 형성된 요철의 높이는 약 10㎛ 내지 50㎛일 수 있다.
상기 기판의 수광면에 형성된 상기 비아 홀의 직경은 상기 기판의 후면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경보다 작은 것이 바람직하다.
상기 비아 홀의 직경은 상기 기판의 수광면에서 후면부로 갈수록 넓어질 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따른 태양 전지는, 적어도 하나의 비아 홀을 구비한 제1 도전성 타입의 기판, 상기 기판에 형성되어 있고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 에미터부, 상기 에미터부 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제1 전극, 상기 기판을 중심으로 상기 제1 전극의 반대편에 위치하고, 상기 비아 홀을 통해 상기 제1 전극과 연결되어 있는 적어도 하나의 버스 바, 그리고 상기 버스 바와 이격되고, 상기 기판과 연결되어 있는 적어도 하나의 제2 전극을 포함하고, 빛이 입사되는 상기 기판의 전면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경은 상기 전면부와 대향하는 상기 기판의 후면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경과 서로 다르다.
상기 기판의 전면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경이 상기 기판의 후면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경보다 작은 것이 좋다.
상기 비아 홀의 직경 크기는 상기 후면부에서 상기 전면부쪽으로 갈수록 줄어드는 것이 좋다.
상기 비아 홀의 최장폭과 최단폭의 비율은 약 1: 0.1 내지 0.9일 수 있다.
상기 특징에 따른 태양 전지는 상기 기판의 전면부에 위치한 에미터부 위에 형성되어 있는 반사 방지막을 더 포함할 수 있다.
상기 특징에 따른 태양 전지는 상기 제2 전극과 상기 기판 사이에 위치하고, 상기 기판보다 더 높은 불순물 농도를 가지며 제1 도전성 타입을 갖는 후면 전계부를 더 포함할 수 있다.
상기 기판은 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다.
상기 비아 홀은 복수의 요철을 구비하는 것이 좋다.
본 발명의 또 다른 특징에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 제1 도전성 타입의 기판에 적어도 하나의 비아 홀을 형성하는 단계, 상기 비아 홀의 표면을 텍스처링하여 상기 비아 홀의 표면에 복수의 요철을 형성하는 단계, 상기 기판에 에미터부를 형성하는 단계, 그리고 상기 에미터부에 연결되는 전면 전극, 상기 비아 홀을 통해 상기 전면 전극에 연결되는 버스 바, 그리고 상기 버스 바와 이격되고 상기 기판에 연결되는 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하다.
상기 복수의 요철 형성 단계는 상기 비아 홀의 표면에 상기 요철을 형성할 때, 상기 비아 홀의 손상 부분을 제거하는 것이 좋다.
상기 복수의 요철 형성 단계는 상기 비아 홀의 표면에 상기 요철을 형성할 때, 상기 기판의 표면에도 복수의 요철을 형성할 수 있다.
상기 복수의 요철 형성 단계는 식각액에 초음파 진동을 주입하여 상기 비아 홀이 형성되어 있지 않은 상기 기판 표면 및 상기 비아 홀 내부의 기판 표면에서 행해질 수 있다.
상기 기판의 수광부에 형성되는 상기 비아 홀의 직경과 상기 수광부에 대향하는 상기 기판의 후면부에서 형성되는 상기 비아 홀의 직경은 서로 다른 것이 좋다.
상기 전면 전극, 상기 버스 바 및 상기 후면 전극 형성 단계는 상기 비아 홀과 상기 기판의 후면부에 위치한 상기 비아 홀 주변의 에미터부 위에 제1 도전 물질을 포함한 제1 페이스트를 도포하는 단계, 상기 기판의 전면부에 상기 비아 홀을 통해 드러나 상기 제1 페이스트 및 상기 기판의 전면부에 위치한 상기 비아홀 주변 의 기판 위에 제2 도전 물질을 포함한 제2 페이스트를 도포하는 단계, 상기 기판의 후면부에 상기 제1 페이스트와 이격되게 제3 도전 물질을 포함한 제3 페이스트를 도포하는 단계, 그리고 상기 제1 내지 제3 페이스트가 도포된 상기 기판을 열처리하여 상기 제1 페이스트를 상기 버스 바로 형성하고, 상기 제2 페이스트를 상기 전면 전극으로 형성하며, 상기 제3 페이스트를 상기 후면 전극을 각각 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 비아 홀 형성 단계는 레이저 드릴링에 의해 형성되고, 레이저가 입사되는 상기 기판의 입사면에 형성되는 상기 비아 홀의 직경은 상기 입사면과 대향하는 상기 기판의 후면부에 형성되는 상기 비아 홀의 직경보다 크게 형성될 수 있다.
상기 특징에 따른 태양 전지의 제조 방법은 상기 기판의 측면에 형성된 에미터부 일부 및 상기 후면 전극과 상기 버스 바 사이의 에미터부 일부를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이러한 특징에 따라, 비아 홀 내의 기판 단면적이 증가로 접촉 저항이 감소하여 비아 홀 내에서 버스 바와 접촉력이 증가하며, 버스 바의 전송 효율이 향상된다. 또한, 기판의 수광면과 후면부에 형성된 비아 홀의 직경을 다르게 하므로, 빛의 입사 영역이 증가하고, 비아 홀 내에서 버스 바의 접촉력은 더욱더 향상된다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상 세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 "전체적"으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면(또는 전면)에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지에 대하여 설명한다.
먼저, 도 1, 도 2a 및 도 2b, 그리고 도 3a 및 도 3b를 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 일부 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 한 실시예에 따라 형성된 비아 홀의 단면도이고, 도 2b는 도 2a에 도시한 비아 홀의 부분 확대도이다.
도 1을 참고로 하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지(1)는 복수의 비 아 홀(via hole)(181)을 구비하고 있는 기판(110), 기판(110)에 위치하고 있는 에미터부(emitter layer)(120), 빛이 입사되는 방향의 기판((110)(이하, '전면부(front portion)'라 함)에 형성된 에미터부(120) 위에 위치하는 반사 방지막(antireflection coating layer)(130), 각 비아 홀(181)과 비아홀(181) 주변에 위치한 에미터부(120)에 위치하는 복수의 버스 바(bus bar)(140), 기판(110)의 전면부에서 반사 방지막(130)이 위치하지 않고 노출된 에미터부(120) 위에 위치한 복수의 제1 전극인 복수의 전면 전극(front electrode)(150), 복수의 버스 바(140)와 이격되어 있고, 빛이 입사되지 않고 전면부와 마주보고 있는 기판(110)(이하, '후면부(rear portion)'라 함)에 위치하는 복수의 제2 전극인 복수의 후면 전극(rear electrode)(160), 그리고 각 후면 전극(160)과 그 하부의 기판(110) 사이에 위치하는 복수의 후면 전계(back surface field, BSF)부(170)를 구비한다.
기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어, p형의 불순물이 도핑되어 p형의 도전성 타입을 갖는 단결정 실리콘이나 다결정 실리콘과 같은 반도체로 이루어진다. 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물을 함유한다. 하지만 이와는 달리, 기판(110)은 n형의 도전성 타입을 가질 수 있고, 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 기판(110)은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유할 수 있다.
이러한 기판(110)은 자신을 관통하는 복수의 복수의 비아 홀(181)을 구비하고 있고, 텍스처링(texturing)되어 복수 개의 요철(101, 102)을 구비한 텍스처링 표면(texturing surface)을 갖는다.
본 실시예에서, 기판(110)의 텍스처링 상태는 반도체 기판(110)의 위치에 따라 달라진다. 예를 들어, 비아 홀(181)이 형성된 부분의 기판 표면과 비아 홀(181)이 형성되지 않은 부분의 기판 표면의 텍스처링 상태가 상이하다. 본 실시예의 경우, 비아 홀(181)이 형성된 부분. 즉 비아 홀(181) 내부의 기판 텍스처링 표면은 약 10㎛ 내지 50㎛의 높이를 갖는 요철(102)을 구비하고, 비아 홀(181)이 형성되지 않은 부분의 기판 텍스처링 표면은 약 5㎛ 내지 10㎛의 높이를 갖는 요철(101)을 구비한다.
이와 같이, 비아 홀(181)이 형성된 부분의 기판 표면이 텍스처링됨에 따라, 비아 홀(181) 내부의 표면 상태가 양호해진다. 예를 들어, 레이저를 이용하여 비아 홀(181)을 형성할 경우, 레이저 빔 조사 등으로 인한 충격이나 열로 인해 비아 홀(181) 부분의 기판(110)이 깨지거나 탄 손상 부분이 발생하게 된다. 하지만, 본 실시예와 같이, 비아 홀(181) 내부의 기판 표면이 텍스처링됨에 따라, 표면(110)의 표면 일부를 제거하여 기판 표면에 요철(101, 102)을 형성할 때, 충격이나 열로 인한 손상 부분도 함께 제거된다[도 2의 (a) 및 (b)]. 이로 인해, 비아 홀(181) 내부의 기판은 손상 부분이 제거된 텍스처링 표면을 갖게 된다.
에미터부(120)는 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, n형의 도전성 타입을 구비하고 있는 불순물부로서, 제2 도전성 타입에 의해 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 이룬다. 에미터부(120)가 n형일 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 반도체의 기판(110)에 도핑하 여, 에미터부(120)를 형성할 수 있다.
반도체의 기판(110)에 빛이 입사됨에 따라 생성된 전하인 전자-정공 쌍은 p-n 접합에 의한 내부 전위차(built-in potential difference)에 의해 전자와 정공으로 분리되어 전자는 n형 쪽으로 이동하고 정공은 p형 쪽으로 이동한다. 따라서, 기판(110)이 p형이고 에미터부(120)가 n형일 경우, 분리된 정공은 기판(110)쪽으로 이동하고 분리된 전자는 에미터부(120)쪽으로 이동하여, 반도체 기판(110)에서 정공은 다수 캐리어가 되며, 에미터부(120)에서 전자는 다수 캐리어가 된다.
에미터부(120)는 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 본 실시예와 달리, 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120)는 p형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 전자는 기판(110)쪽으로 이동하고 분리된 정공은 에미터부(120)쪽으로 이동한다.
기판(110) 전면부의 에미터부(120) 위에 실리콘 질화물(SiNx)이나 실리콘 산화물(SiO2) 등으로 이루어진 반사 방지막(130)이 형성되어 있다. 반사 방지막(130)은 태양 전지(1)로 입사되는 빛의 반사도를 낮춰 태양 전자(1)의 효율을 높인다. 이러한 반사 방지막(130)은 약 70㎚ 내지 80㎚ 의 두께를 가질 수 있다. 반사 방지막(130)은 필요에 따라 생략될 수 있다.
에미터부(120)는 기판(110) 후면부 일부를 노출하는 복수의 노출구(182)를 구비하고 있다. 이들 노출구(182)에 의해 전자를 이동시키고 수집하는 에미터부(120)와 전면 전극(150) 그리고 정공을 수집하는 후면 전극(160) 간의 전기적인 연결이 끊어져 전자와 정공이 이동이 원활하게 이루어진다. 도 1에 도시하지 않았지만, 기판(110)의 측면 분리(edge isolation)를 위해 반사 방지막(130)과 그 하부의 에미터부(120)는 기판(110)의 전면부 일부를 노출하는 복수의 노출구를 더 구비한다.
복수의 전면 전극(150)은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 어느 한 방향으로 뻗어 있다. 이들 도전성 금속 물질의 예는 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.
각 전면 전극(150)은 에미터부(120)와 전기적으로 연결되어 있으므로, 적어도 하나의 비아 홀(181)을 덮으며 기판(110)의 전면부에 한 방향으로 뻗어 있다. 즉, 각 전면 전극(150)을 따라 적어도 하나의 비아 홀(181)이 기판(110)에 형성되어 있다.
각 전면 전극(150)은 에미터부(120)쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들면 전자를 수집하여 비아 홀(181)을 통해 전기적으로 연결되어 있는 해당 버스 바(140)로 전달한다.
비아 홀(181) 내부와 기판(110)의 후면부 일부에는 복수의 버스 바(140)가 위치하고 있다.
복수의 버스 바(140) 또한 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 비아 홀(181)을 통해 전면 전극(150)과 전기적으로 연결되어 있다. 이들 도전성 금 속 물질의 예는 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다. 본 실시예에서, 복수의 버스 바(140)는 전면 전극(150)과 동일한 물질로 이루어진다.
각 버스 바(140)는 대응하는 전면 전극(150)과 마주하며, 기판(110)의 후면부에 전면 전극(150)과 거의 동일한 방향으로 연장되어 있다.
각 버스 바(140)는 전기적으로 연결된 전면 전극(150)으로부터 전달되는 캐리어, 예를 들어 전자를 외부 장치로 출력한다.
본 실시예에서, 빛이 입사되지 않은 기판(110) 후면부에 전면 전극(150)과 연결되는 복수의 버스 바(140)가 형성되므로, 버스 바(140)가 위치함에 따라 감소하는 빛 입사 면적이 늘어난다.
복수의 후면 전극(160)은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있다. 도전성 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.
각 후면 전극(160)은 각 버스 바(140)와 이격되어 있고, 버스 바(140)와 거의 평행하게 연장되어 있다. 본 실시예에서, 후면 전극(160)과 버스 바(140)는 교대로 배치되어 있다.
각 후면 전극(160)은 반도체의 기판(110)쪽으로 이동한 캐리어 중 하나, 예를 들어 정공을 수집하여 외부 장치로 출력한다. 각 후면 전극(160)의 일부에는 은(Ag)과 같이 전도도가 양호한 도전 물질이 부착되어 외부 장치와의 접촉력을 향상시킬 수 있다.
복수의 후면 전극(160)과 기판(110) 사이에 복수의 후면 전계부(170)가 위치한다. 복수의 후면 전계부(170)는 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(110)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, n+ 영역이다.
기판(110)과 후면 전계부(170)와의 불순물 농도 차이로 인해 전위 장벽이 형성되어 기판(110)의 후면부쪽으로 정공의 이동이 방해되어, 기판(110) 후면부에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것이 방지한다.
이와 같은 구조를 갖는 본 실시예에 따른 태양 전지(1)는 전면 전극(150)과 연결되는 버스 바(140)를 빛이 입사되지 않은 기판(110)의 후면부에 위치시킨 MWT 태양 전지로서, 그 동작은 다음과 같다.
태양 전지(1)로 빛이 조사되어 반사 방지막(130)과 에미터부(120)를 통해 반도체의 기판(110)으로 입사되면 빛 에너지에 의해 반도체의 기판(110)에서 전자-정공 쌍이 발생한다. 이때, 기판(110)의 표면이 복수의 요철(101)을 갖는 텍스처링 표면이므로 기판(110)의 전면부에서의 빛 반사도가 감소하고, 요철 구조에서 복수 번의 입사와 반사 동작이 행해져 태양 전지 내부에 빛이 갇히게 되고 이로 인해 빛의 흡수율이 증가되므로, 태양 전지의 효율이 향상된다. 이어 더하여, 반사 방지막(130)에 의해 기판(110)으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 기판(110)으로 입사되는 빛의 양은 더욱더 증가한다.
이들 전자-정공 쌍은 기판(110)과 에미터부(120)의 p-n접합에 의해 서로 분 리되어 전자는 n형의 도전성 타입을 갖는 에미터부(120)쪽으로 이동하고, 정공은 p형의 도전성 타입을 갖는 기판(110)쪽으로 이동한다. 이처럼, 에미터부(120)쪽으로 이동한 전자는 전면 전극(150)에 의해 수집되어 비아 홀(181)을 통해 전기적으로 연결된 버스 바(140)로 이동하고, 기판(110)쪽으로 이동한 정공은 인접한 후면 전계부(170)를 통해 해당 후면 전극(170)에 의해 수집되어 후면 전극(170)을 따라 이동한다. 이러한 버스 바(140)와 후면 전극(170)을 도선으로 연결하면 전류가 흐르게 되고, 이를 외부에서 전력으로 이용하게 된다.
본 실시예의 경우, 비아 홀(181) 내부의 기판(110) 표면이 텍스처링 되어 복수의 요철(102)을 구비하고 있다. 따라서 비아 홀(181) 내 기판(110)의 단면적이 증가하여, 비아 홀(181) 내의 에미터부(120)와 버스 바(140)와의 접촉 면적이 늘어난다. 이로 인해, 접촉 저항이 감소하여 버스 바(140)의 전도도가 향상되므로 전면 전극(150)에서 전달되는 캐리어의 전송 효율이 좋아진다.
또한, 비아 홀(181) 내부의 기판 텍스처링으로 인해, 비아 홀(181)을 형성할 때 인가되는 충격이나 열 등으로 인한 손상 부분이 제거되어 버스 바(140)와 비아 홀(181) 내 에미터부(120)와의 접촉력이 좋아진다. 이로 인해, 에미터부(120)을 통한 캐리어의 전도도가 더욱 좋아져 캐리어의 전송 효율은 더욱더 증가한다.
더욱이, 비아 홀(181) 내부에 형성되는 요철(102)의 높이가 비아 홀(181)이 형성되지 않은 기판 표면에 형성되는 요철(101)의 높이보다 높으므로, 바이 홀 내부의 단면적이 증가하여 접촉 저항이 낮아진다.
이러한 버스 바(140)와 후면 전극(160)을 도선으로 연결하면 전류가 흐르게 되고, 이를 외부에서 전력으로 이용하게 된다.
다음, 도 3a 내지 도 3h를 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지(1)의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정도이다.
도 3a에 도시한 것처럼, 먼저, p형 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어진기판(110)에 복수의 비아 홀(181)을 형성한다. 이때, 비아 홀(181)은 레이저 빔을 조사하여 형성하는 레이저 드릴링(laser drilling)에 의해 형성되지만, 이에 한정되지 않는다.
다음, 도 3b에 도시한 것처럼, 기판(110)의 전면을 테스처링하여, 복수의 요철(101, 102)을 형성한다. 기판(110)이 단결정 실리콘으로 이루어질 경우, KOH, NaOH, TMAH 등의 염기 용액을 사용하여 기판(110)의 표면을 텍스처링한다. 반면, 기판(110)이 다결정 실리콘으로 이루어질 경우, HF나 HNO3와 같은 산 용액을 사용한다.
본 실시예의 경우, 기판(110)의 전면을 텍스처링할 때, 정해진 크기의 주파수를 갖는 초음파를 텍스처링용 식각액에 인가하여, 식각액에 초음파 진동을 발생시킨다. 이로 인해, 식각액은 비아 홀(181) 내부까지 용이하게 침투한다.
종래의 경우, 비아 홀(181)의 크기가 약 30㎛ 내지 100㎛로 작기 때문에 비아 홀 내부로 식각액이 침투가 용이하지 않고, 또한 식각액이 비아 홀 내부로 침투 하더라고 비아 홀(181) 전면에 골고루 침투되는 것이 아니라 부분적으로 침투하였다. 이로 인해, 비아 홀(181) 내부의 기판 표면은 식각되지 않거나 부분적으로 식각되어 비아 홀(181) 형성 시 진동이나 열 등으로 인한 손상 부분이 그대로 남게 되어 버스 바(140) 등의 동작 효율에 악영향을 미친다.
하지만 본 실시예의 경우, 초음파 진동에 의해 식각액이 비아 홀(181) 내부까지 용이하게 침투하여, 기판(110)의 전면부 및 후면부뿐만 아니라 비아 홀(181) 내부까지 골고루 식각이 행해진다. 이로 인해, 기판(1110)의 전면부, 후면부 및 비아 홀(181) 내부의 기판 표면이 식각되어 복수의 요철(101, 102)이 형성된다. 이때, 비아 홀(181) 내부의 기판 식각 동작에 의해 손상 부분도 제거되고, 비아 홀(181) 내부의 기판(110)에 형성된 요철(102)로 인해, 비아 홀(181) 내의 기판 단면적이 증가한다. 이때, 이미 비아 홀(181) 내부는 레이저 빔의 조사로 인해, 손상 부분이 발생하므로, 손상되지 않은 부분에 비해, 손상 부분으로의 식각액 침투가 용이하게, 비아 홀(181)이 형성되지 않은 부분에 형성된 요철(101)의 높이보다 비아 홀(181) 내부에 형성된 요철(102)의 높이가 더 높게 된다. 본 실시예에서, 요철(101)의 높이는 약 5㎛ 내지 10㎛이고, 요철(102)의 높이는 약 10㎛ 내지 50㎛일 수 있다.
다음, 도 3c에 도시한 것처럼, 기판(110)에 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 포함하는 물질, 예를 들어, POCl3이나 H3PO4 등을 고온에서 열처리하여 5가 원소의 불순물을 기판(110)에 확산시켜 기판(110) 전체면, 즉 전면부, 후면부, 비아 홀(181)의 내부면 및 측면부에 에미터부(120)를 형성한다. 본 실시예와 달리, 기판(110)의 도전성 타입이 n형일 경우, 3가 원소의 불순물을 포함하는 물질, 예를 들어, B2H6를 고온에서 열처리하거나 적층하여 기판(110) 전면에 p형의 에미터부를 형성할 수 있다. 그런 다음, p형 불순물 또는 n형 불순물이 기판(110) 내부로 확산됨에 따라 생성된 인을 포함하는 산화물(phosphorous silicate glass, PSG)이나 붕소를 포함하는 산화물(boron silicate glass, BSG)을 식각 공정을 통해 제거한다.
다음, 도 3d에 도시한 것처럼, 플라즈마 화학 기상 증착법(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)와 같은 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD)을 이용하여 기판(110)의 전면부에 반사 방지막(130)을 형성한다. 이때, 반사 방지막(130)은 비아 홀(181) 내부에도 형성될 수 있다.
다음, 도3e에 도시한 것처럼, 스크린 인쇄(screen printing)법을 이용하여, 원하는 부분에 은(Ag)을 포함한 버스바용 페이스트(141)를 도포한 후, 약 170℃에서 건조시킨다. 버스바용 페이스트(141)는 비아 홀(181)의 내부를 채우게 된다. 버스바용 페이스트(141)는 은(Ag) 대신 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다음, 도 3f에 도시한 것처럼, 스크린 인쇄법을 이용하여, 비아 홀(181)에 채워진 버스바용 페이스트(141)와 접촉하고 정해진 한 방향으로 거의 일직선으로 연장하게 은(Ag)을 포함한 전면 전극용 페이스트(151)를 해당 부분에 도포한 후 약 170℃에서 건조시킨다. 대안적인 실시예에서, 전면 전극용 페이스트(151)는 은(Ag) 대신 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
그런 다음, 도 3g에 도시한 것처럼, 버스바용 페이스트(141)와 이격되고, 버스바용 페이스트(141)와 거의 평행하게 연장하는 후면 전극용 페이스트(161)를 해당 부분에 도포한 후, 약 170℃에서 건조시킨다. 이때, 후면 전극용 페이스트(161)는 알루미늄(Al)을 포함하지만, 이와는 달리, 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 도전 물질을 포함할 수 있다.
다음, 약 750℃ 내지 800℃의 온도에서 기판(110)을 소성(sinter)하여, 복수의 전면 전극(150), 복수의 전면 전극(150)와 연결된 복수의 버스 바(140), 복수의 후면 전극(160) 및 복수의 후면 전계부(170)을 형성한다(도 3h).
대안적인 실시예에서, 스크린 인쇄법 대신 화학 기상 증착법 등을 이용하여 원하는 부분에 버스바(140), 전면 전극(150) 및 후면 전극(160)을 형성할 수 있다. 이 경우, 건조와 소성 동작 등이 생략될 수 있다.
그런 다음, 레이저를 이용하여 기판(110) 후면부에 형성된 에미터부(120) 부분과 그 하부 기판(110)에 복수의 노출구(182)를 형성하여 태양 전지(1)를 완성한다(도 1). 이때, 노출구(182)의 형성 위치는 후면 전극(170)과 버스 바(140) 사이 이고, 이로 인해, 후면 전극(160)과 전면 전극(150)이 전기적으로 분리된다. 복수의 노출구(182)를 형성할 때, 기판(110)의 측면에 형성된 에미터부(120) 부분에 노출구(도시하지 않음)를 형성하여 측면 분리(edge isolation)를 실시한다. 대안적으로 복수의 노출구(182)의 형성과 측면 분리는 레이저 대신 PECVD법 등을 이용하여 행해질 수 있다.
다음, 도 4 내지 도 6을 참고로 하여 본 발명의 다른 실시예에 대하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지의 일부 단면도이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따라 형성된 비아 홀의 단면도이다. 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지의 일부 단면도이다.
도 1과 비교할 때, 동일한 기능을 수행하는 부분에 대해서는 같은 도면 부호를 부여하고, 그에 대한 자세한 설명도 생략한다.
도 4를 참고로 하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(10)는 도 1과 동일하게 복수의 비아 홀(181a)을 구비하고 있는 기판(110), 기판(110)에 위치하고 있는 에미터부(120), 에미터부(120) 위에 위치하는 반사 방지막(130), 각 비아 홀(181a)과 비아 홀(181a) 주변에 위치한 에미터부(120)에 연결되어 있고, 기판(110)의 후면부에서 위치하는 복수의 버스 바(bus bar)(140), 기판(110) 전면부 위의 에미터부(120) 위에 위치하고 버스 바(181a)와 연결되어 있는 복수의 전면 전극(150), 복수의 버스 바(140)와 이격되어 있고 기판(110)의 후면부 위에 위치하는 복수의 후면 전극(160), 그리고 각 후면 전극(160)과 그 하부의 기판(110) 사이에 위치하는 복수의 후면 전계부(170)를 구비한다.
하지만, 도 1과는 달리, 도 4에 도시한 태양 전지(10)의 각 비아 홀(181a)은 경사진 형상(tapered-shape)을 갖고 있고, 이때, 비아 홀(181a)의 폭은 기판(110)의 후면부 부분이 기판(110)의 전면부 부분보다 더 크다. 본 실시예에서, 비아 홀(181a)의 최장폭(d1)과 최단폭(d2)의 비율은 약 1: 0.1 내지 0.9이고, 바람직하게는 약 1: 0.4 내지 0.9이다. 또한, 기판(110)의 전면부에 대한 비아 홀(181a)의 경사각은 약 45˚ 내지 85˚일 수 있다.
또한, 도 1과 비교할 때, 도 4에 도시한 태양 전지(10)는 비아 홀(181a) 내부의 기판(110) 표면이 텍스처링 되어 있지 않다.
이와 같이, 도 5에 도시한 것처럼, 각 비아 홀(181a)의 형상이 경사진 경우, 비아 홀(181a)의 폭은 위치에 무관하게 거의 동일하지 않고 위치에 따라 가변하여, 기판(110)의 전면부쪽으로 갈수록 점차적으로 좁아짐으로 빛의 수광 면적이 증가하고 전면 전극(150)의 전송 효율이 향상된다. 즉, 기판(110)의 후면부쪽에서 빛이 입사되는 기판(110)의 전면부쪽으로 갈수록 비아 홀(181a)의 폭(지름)이 좁아져 비아 홀(181a)이 크기가 줄어든다. 따라서 비아 홀(181a) 형성으로 인한 수광 면적 감소가 줄어들고, 전면 전극(150) 내에 형성되는 비아 홀(181a)의 폭이 줄어들어 비아 홀(181a) 형성으로 인한 전면 전극(150)의 손실율이 또한 감소하여 전면 전극(150)의 전송 효율이 역시 좋아진다.
또한, 기판(110)의 후면부에 버스 바(140)를 형성할 때, 비아 홀(181a)의 폭이 갈수록 좁아지므로, 비아 홀(181a) 내에 버스 바(140)의 형성이 용이하다. 특 히, 버스 바(140) 형성을 위해, 스크린 인쇄법으로 버스바용 페이스트를 인쇄할 때, 경사진 비아홀(181a) 형상으로 인해, 비아 홀(181a) 내부에 페이스트가 용이하게 채워져, 전면 전극(150)과 버스 바(140)의 접속 효율이 향상된다.
이러한 태양 전지(10)를 제조하기 위한 방법은 도 3a 내지 도 3h에 도시한 제조 방법 중 복수의 비아 홀(181a)을 형성하기 위한 단계와 기판(110) 표면을 텍스처링하는 단계를 제외하면 도 3c 내지 도 3h에 도시한 제조 방법과 동일하므로, 그에 대한 자세한 설명은 생략한다.
즉, 기판(110)에 복수의 비아 홀(181a)을 형성하기 위해 기판(110)에 레이저를 조사하는 단계(도 3a)에서, 본 실시예에 따른 제조 방법은 시간에 따라 레이저의 에너지를 다르게 한다, 예를 들어 시간이 경과할수록 조사되는 레이저의 에너지를 점차적으로 감소시킨다.
이때, 경사진 비아 홀(181a)의 형성하기 위해 조사되는 레이저 빔의 조사 횟수, 조사 시간 또는 레이저 빔의 조사 에너지는 기판(110)의 종류나 비아 홀(181a)의 크기 등에 따라 변한다. 또한, 본 실시예에서, 레이저 빔의 조사 에너지(세기)는 시간이나 조사 횟수가 증가할 수록 감소한다. 본 실시예에서, 약 355nm 파장을 갖는 레이저를 이용하여 비아 홀(181a)을 형성할 경우, 레이저 빔 에너지는 약 1W 내지 5W의 범위를 가질 수 있고, 약 532m 파장을 갖는 레이저를 이용할 경우, 레이저 빔 에너지는 약 5W 내지 10W의 범위를 가질 수 있으며, 약 1064nm 파장을 갖는 레이저를 이용할 경우, 레이저 빔 에너지는 약 10W 내지 20W의 범위를 가질 수 있다.
하지만, 이와는 달리, 비아 홀(181a)을 형성하기 위해 조사되는 레이저 빔의 초점 위치를 조사 시간이나 조사 횟수 등에 따라 변경하여 경사진 비아 홀(181a)을 형성할수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 태양 전지(10)를 제조할 경우, 도 3b에 도시한 것과는 달리, 경사진 비아 홀(181a) 내부의 기판 표면을 텍스처링하기 위한 초음파 진동을 이용하지 않는다.
하지만, 도 6에 도시한 것처럼, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지(10a)는 도 4에 도시한 것과 같이, 경사진 비아 홀(181b)을 구비하고, 도 1과 같이 기판(110) 표면을 텍스처링할 경우 초음파 진동을 이용하여 비아 홀(181b) 내부의 기판 표면을 텍스처링하여 비아 홀(181b)이 형성되지 않은 부분뿐만 아니라 비아 홀(181b) 내부에도 복수의 요철(101, 102)을 형성한다. 이러한 태양 전지(10a)는 도 3a 내지 도 3h 및 도 4를 참고로 하여 설명한 것과 동일한 방법으로 제조되므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.
이로 인해, 도 6에 도시한 태양 전지(10a)는 도 1 및 도 4을 참고로 하여 기재한 장점을 모두 얻게 되므로, 도 1 및 도 4에 도시한 태양 전지(1, 10)보다 태양 전지(10a)의 효율은 더욱 향상된다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 일부 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 한 실시예에 따라 형성된 비아 홀의 단면도이다.
도 2b는 도 2a에 도시한 비아 홀의 부분 확대도이다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지의 일부 단면도이다
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따라 형성된 비아 홀의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지의 일부 단면도이다.

Claims (23)

  1. 적어도 하나의 비아 홀을 구비한 제1 도전성 타입의 기판,
    상기 기판에 형성되어 있고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 에미터부,
    상기 에미터부 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제1 전극,
    상기 기판을 중심으로 상기 제1 전극의 반대편에 위치하고, 상기 비아 홀을 통해 상기 제1 전극과 연결되어 있는 적어도 하나의 버스 바, 그리고
    상기 버스 바와 이격되고, 상기 기판과 연결되어 있는 적어도 하나의 제2 전극
    을 포함하고,
    상기 비아 홀에 복수의 요철이 형성되어 있는
    태양 전지.
  2. 제1항에서,
    상기 기판의 적어도 한 면에 복수의 요철이 형성되어 있는 태양 전지.
  3. 제2항에서,
    상기 비아 홀에 형성된 요철의 높이는 상기 기판에 형성된 요철의 높이와 다른 태양 전지
  4. 제3항에서,
    상기 비아 홀에 형성된 상기 요철의 높이가 상기 기판에 형성된 상기 요철의 높이보다 높은 태양 전지.
  5. 제4항에서,
    상기 기판에 형성된 요철의 높이는 약 5㎛ 내지 10㎛이고, 상기 비아 홀에 형성된 요철의 높이는 약 10㎛ 내지 50㎛인 태양 전지.
  6. 제1항에서,
    상기 기판의 수광면에 형성된 상기 비아 홀의 직경은 상기 기판의 후면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경보다 작은 태양 전지.
  7. 제1항에서,
    상기 비아 홀의 직경은 상기 기판의 수광면에서 후면부로 갈수록 넓어지는 태양 전지.
  8. 적어도 하나의 비아 홀을 구비한 제1 도전성 타입의 기판,
    상기 기판에 형성되어 있고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 에미터부,
    상기 에미터부 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제1 전극,
    상기 기판을 중심으로 상기 제1 전극의 반대편에 위치하고, 상기 비아 홀을 통해 상기 제1 전극과 연결되어 있는 적어도 하나의 버스 바, 그리고
    상기 버스 바와 이격되고, 상기 기판과 연결되어 있는 적어도 하나의 제2 전극
    을 포함하고,
    빛이 입사되는 상기 기판의 전면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경은 상기 전면부와 대향하는 상기 기판의 후면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경과 서로 다른 태양 전지.
  9. 제8항에서,
    상기 기판의 전면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경이 상기 기판의 후면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경보다 작은 태양 전지.
  10. 제9항에서,
    상기 비아 홀의 직경 크기는 상기 후면부에서 상기 전면부쪽으로 갈수록 줄어드는 태양 전지.
  11. 제9항에서,
    상기 비아 홀의 최장폭과 최단폭의 비율은 약 1: 0.1 내지 0.9인 태양 전지.
  12. 제1항 또는 제8항에서,
    상기 기판의 전면부에 위치한 에미터부 위에 형성되어 있는 반사 방지막을 더 포함하는 태양 전지.
  13. 제1항 또는 제8항에서,
    상기 제2 전극과 상기 기판 사이에 위치하고, 상기 기판보다 더 높은 불순물 농도를 가지며 제1 도전성 타입을 갖는 후면 전계부를 더 포함하는 태양 전지.
  14. 제1항 또는 제8항에서,
    상기 기판은 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어진 태양 전지.
  15. 제8항에서,
    상기 비아 홀은 복수의 요철을 구비한 태양 전지.
  16. 제1 도전성 타입의 기판에 적어도 하나의 비아 홀을 형성하는 단계,
    상기 비아 홀의 표면을 텍스처링하여 상기 비아 홀의 표면에 복수의 요철을 형성하는 단계,
    상기 기판에 에미터부를 형성하는 단계, 그리고
    상기 에미터부에 연결되는 전면 전극, 상기 비아 홀을 통해 상기 전면 전극에 연결되는 버스 바, 그리고 상기 버스 바와 이격되어 있고 상기 기판에 연결되는 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  17. 제16항에서,
    상기 복수의 요철 형성 단계는 상기 비아 홀의 표면에 상기 요철을 형성할 때, 상기 비아 홀의 손상 부분을 제거하는 태양 전지의 제조 방법.
  18. 제16항에서,
    상기 복수의 요철 형성 단계는 상기 비아 홀의 표면에 상기 요철을 형성할 때, 상기 기판의 표면에도 복수의 요철을 형성하는 태양 전지의 제조 방법.
  19. 제18항에서,
    상기 복수의 요철 형성 단계는 식각액에 초음파 진동을 주입하여 상기 비아 홀이 형성되어 있지 않은 상기 기판 표면 및 상기 비아 홀 내부의 기판 표면에서 행해지는 태양 전지의 제조 방법.
  20. 제16항에서,
    상기 기판의 수광부에 형성되는 상기 비아 홀의 직경과 상기 수광부에 대향하는 상기 기판의 후면부에서 형성되는 상기 비아 홀의 직경은 서로 다른 태양 전지의 제조 방법.
  21. 제16항에서,
    상기 전면 전극, 상기 버스 바 및 상기 후면 전극 형성 단계는,
    상기 비아 홀과 상기 기판의 후면부에 위치한 상기 비아 홀 주변의 에미터부 위에 제1 도전 물질을 포함한 제1 페이스트를 도포하는 단계,
    상기 기판의 전면부에 상기 비아 홀을 통해 드러나 상기 제1 페이스트 및 상기 기판의 전면부에 위치한 상기 비아홀 주변의 기판 위에 제2 도전 물질을 포함한 제2 페이스트를 도포하는 단계,
    상기 기판의 후면부에 상기 제1 페이스트와 이격되게 제3 도전 물질을 포함한 제3 페이스트를 도포하는 단계, 그리고
    상기 제1 내지 제3 페이스트가 도포된 상기 기판을 열처리하여 상기 제1 페이스트를 상기 버스 바로 형성하고, 상기 제2 페이스트를 상기 전면 전극으로 형성하며, 상기 제3 페이스트를 상기 후면 전극을 각각 형성하는 단계
    를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  22. 제16항에서,
    상기 비아 홀 형성 단계는 레이저 드릴링에 의해 형성되고, 레이저가 입사되는 상기 기판의 입사면에 형성되는 상기 비아 홀의 직경은 상기 입사면과 대향하는 상기 기판의 후면부에 형성되는 상기 비아 홀의 직경보다 크게 형성되는 태양 전지의 제조 방법.
  23. 제16항에서,
    상기 기판의 측면에 형성된 에미터부 일부 및 상기 후면 전극과 상기 버스 바 사이의 에미터부 일부를 제거하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
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