KR20100098004A - 이미지 센서의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 이미지 센서 - Google Patents
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Abstract
이미지 센서의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서의 제조 방법은 패드 영역, OB 영역 및 셀 영역으로 정의된 기판을 제공하고, 기판 일면 상에 금속 배선을 포함하는 절연 구조체를 형성하고, 기판의 타면에 제1 패시베이션막을 형성하고, 패드 영역에 제1 패시베이션막 및 기판을 관통하여 금속 배선의 일부를 노출하는 콘택홀을 형성하고, 콘택홀을 통하여 금속 배선과 전기적으로 연결된 패드 및 OB 영역에 형성되며 패드와 동일한 높이에서 OB 영역을 블로킹하는 블로킹막을 포함하는 도전 패턴을 제1 패시베이션막 상에 형성하는 것을 포함한다.
반도체 소자, 이미지 센서
Description
본 발명은 이미지 센서의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 이미지 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이미지 센서의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 이미지 센서에 관한 것이다.
이미지 센서(image sensor)는 광학 영상을 전기 신호로 변환시키는 소자이다. 최근 들어, 컴퓨터 산업과 통신 산업의 발달에 따라 디지털 카메라, 캠코더, PCS(Personal Communication System), 게임 기기, 경비용 카메라, 의료용 마이크로 카메라, 로보트 등 다양한 분야에서 성능이 향상된 이미지 센서의 수요가 증대되고 있다.
이미지 센서에서는 다층의 배선층 위에 형성된 렌즈로부터 배선층 사이를 통해 광전 변환부로 빛이 입사한다. 이러한 구조에서는 다층의 배선층의 레이아웃에 의해 장해(障害)를 받아 광전 변환부에 실제 도달하는 빛의 양은 충분하지 않다. 즉, 다층 배선층에 의해 광전 변환부에 대한 개구율이 작아져서 광전 변환부에 입사되는 빛의 양이 현저히 줄어들어, 감도가 저하될 수 있다.
이를 해결하기 위하여 타면 조사형의 이미지 센서를 구현한다. 타면 조사형의 이미지 센서는 반도체 기판의 타면측(배선부와 반대측)으로부터 광을 조사하여 광전 변환부에서 수광을 하는 구조로서, 다층 배선층의 레이아웃에 의해 장해를 받지 않고 실효 개구율을 높이고 감도를 향상시킬 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 신뢰성이 향상된 이미지 센서의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 신뢰성이 향상된 이미지 센서를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서의 제조 방법의 일 태양은 패드 영역, OB 영역 및 셀 영역으로 정의된 기판을 제공하고, 상기 기판 일면 상에 금속 배선을 포함하는 절연 구조체를 형성하고, 상기 기판의 타면에 제1 패시베이션막을 형성하고, 상기 패드 영역에 상기 제1 패시베이션막 및 상기 기판을 관통하여 상기 금속 배선의 일부를 노출하는 콘택홀을 형성하고, 상기 콘택홀을 통하여 상기 금속 배선과 전기적으로 연결된 패드 및 상기 OB 영역에 형성되며 상기 패드와 동일한 높이에서 상기 OB 영역을 블로킹하는 블로킹막을 포함하는 도전 패턴을 상기 제1 패시베이션막 상에 형성하는 것을 포함한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서의 제조 방법의 다른 태양은 반도체 기판을 제공하고, 상기 기판의 전면(일면에 지지 기판을 본딩하고, 상기 기판의 타면을 식각하고, 상기 기판의 식각된 타면에 제1 패시베이션막을 형성하고, 상기 제1 패시베이션막 상에 외부 신호를 입출력하는 패드를 포함하는 도전 패턴을 형성하고, 제1 어닐 공정을 진행하여 상기 기판의 댕글링 본드를 제거하는 것을 포함한다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서의 일 태양은 패드 영역, OB 영역 및 센싱 영역이 정의된 반도체 기판, 상기 기판의 일면에 형성된 제1 금속 배선을 포함하는 절연 구조체, 상기 패드 영역에 형성되며 상기 기판을 관통하여 상기 제1 금속 배선을 노출시키는 콘택홀, 상기 패드 영역에서 상기 기판의 타면에 형성되어 상기 제1 금속 배선과 전기적으로 연결된 패드 및 상기 OB 영역에서 상기 패드와 동일한 높이에서 상기 OB 영역을 블로킹하도록 상기 절연 구조체 상에 형성된 블로킹막을 포함하는 도전 패턴 및 상기 기판의 타면과 상기 도전 패턴 사이에 형성된 제1 패시베이션막을 포함한다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따 라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상 의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 그리고, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또, 이하 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 상세히 설명한다.
본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서는 CCD(Charge Coupled Device)와 CMOS 이미지 센서를 포함한다. 여기서, CCD는 CMOS 이미지 센서에 비해 잡음(noise)이 적고 화질이 우수하지만, 고전압을 요구하며 공정 단가가 비싸다. CMOS 이미지 센서는 구동 방식이 간편하고 다양한 스캐닝(scanning) 방식으로 구현 가능하다. 또한, 신호 처리 회로를 단일칩에 집적할 수 있어 제품의 소형화가 가능하며, CMOS 공정 기술을 호환하여 사용할 수 있어 제조 단가를 낮출 수 있다. 전력 소모 또한 매우 낮아 배터리 용량이 제한적인 제품에 적용이 용이하다. 따라서, 이하에서는 본 발명의 이미지 센서로 CMOS 이미지 센서를 예시하여 설명한다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 그대로 CCD에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다. 도 1에는 APS 어레이가 형성되는 센싱 영역(I), 옵티컬 블랙 영역인 OB 영역(II), 주변 회로가 형성되는 로직 영역(Ⅲ) 및 패드가 형성되는 패드 영역(Ⅳ)을 도시하였다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서는 APS 어레이가 형성되는 센싱 영역(I), 옵티컬 블랙((optical black) 영역인 OB 영역(II), 주변 회로가 형성되는 로직 영역(Ⅲ) 및 패드(194)가 형성되는 패드 영역(?)을 포함한다. 여기서, OB 영역(II)은 빛의 유입을 차단하여 액티브 픽셀 영역에 블랙 신호의 기준을 제공하는 영역으로, 센싱 영역(I)과 동일한 구조로 형성되나 빛의 유입이 차단되도록 형성된다. 따라서, OB 영역(II)의 암전류(dark current)를 기준으로 하여, 센싱 영역(I)의 액티브 픽셀의 암전류를 보정한다. 로직 영역(Ⅲ)은 주변 회로가 형성되는 코어(core) 영역 및 페리(peri) 영역 등을 포함하며, 빛의 유입이 차단되도록 형성된다.
센싱 영역(I) 및 OB 영역(II)의 기판(110) 내에는 광전 변환 소자, 예를 들어 포토 다이오드(PD)가 형성되어 있고, 기판(110) 상에는 다수의 게이트(123)가 배치될 수 있다. 이러한 게이트(123)는 예를 들어, 전하 전송 소자의 게이트, 리셋 소자의 게이트, 드라이브 소자의 게이트 등일 수 있다. 또한, 여러가지 종류의 기판(110)이 사용 가능하나, 예를 들어, P형 또는 N형 벌크 기판을 사용하거나, P형 벌크 기판에 P형 또는 N형 에피층을 성장시켜 사용하거나, N형 벌크 기판에 P형 또는 N형 에피층을 성장시켜 사용할 수도 있다. 또한, 반도체 기판 이외에도 유기(organic) 플라스틱 기판과 같은 기판도 사용할 수 있다. 도 1에서 도시된 기판(110)은 연마 공정(도 5를 통해서 후술함)을 통해서 벌크 기판이 모두 제거되고 에피층만 남은 경우를 도시한 것이나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 즉, 필요에 따라서는 벌크 기판의 일부를 남길 수도 있다.
한편, 로직 영역(Ⅲ)에는 소자의 동작 및 신호의 송수신을 위한 하나 이상의 게이트(127)를 포함하는 집적 회로가 형성될 수 있다.
기판(110)의 전면(FRONT SIDE)에는 절연 구조체(122, 124a~124c, 125, 126)가 배치된다. 절연 구조체(122, 124a~124c, 125, 126)는 층간 절연막(122)과, 센싱 영역(I) 및 OB 영역(II) 상에 형성되고 순차적으로 적층된 다수의 배선(124a~124c)과, 로직 영역(Ⅲ) 상에 형성된 배선(125) 및 패드 영역(Ⅳ) 상에 형성된 제1 금속 배선(126)을 포함한다. 여기서, 제1 금속 배선(126)은 다수의 배선(124a~124c) 중 가장 낮은 레벨의 배선(124a)과 동일한 레벨일 수 있다. 필요에 따라서 제1 금속 배선(126)은 다수의 배선(124a~124c) 중 두번째 또는 세번째로 높은 레벨의 배선(124b 또는 124c)과 동일한 레벨일 수도 있다. 제1 금속 배선(126)은 동일한 레벨을 갖는 배선(도 1에서는 124a에 해당함)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 여기서, 다수의 배선(124a~124c)의 레벨은 기판(110)을 기준으로 측정한 것이다.
절연 구조체(122, 124a~124c, 125, 126) 상에는 지지 기판(132)이 접착, 고정되어 있다. 지지 기판(132)은 연마 공정을 통해서 얇아진 기판(110)의 강도를 확보하기 위한 것이다. 지지 기판(132)은 반도체 기판뿐만 아니라, 기계적 강도가 유지할 수 있는 물질로 이루어진 것이라면 어떤 것이라도 사용할 수 있다. 예를 들어, 유리 기판을 사용할 수 있다.
지지 기판(132)과 절연 구조체(122, 124a~124c, 125, 126)를 접착하기 위해 서, 지지 기판(132)과 절연 구조체(122, 124a~124c, 125, 126) 사이에는 접착막(134a, 134b)이 개재될 수 있다. 지지 기판(132)이 실리콘 기판일 경우에 접착막(134a, 134b)은 예를 들어, 실리콘 산화막일 수 있다.
한편, 기판(110)의 후면(BACKSIDE)에는 반사 방지막(142)가 배치될 수 있다. 반사 방지막(142)은 포토 공정에서 사용하는 광의 파장에 따라, 물질/두께가 달라질 수 있다. 예를 들어, 반사 방지막(142)으로 약 50-200Å 두께의 실리콘 산화막과, 약 300-500Å 두께의 실리콘 질화막을 적층하여 사용할 수 있다.
반사 방지막(142) 상에는 버퍼막(144)이 배치된다. 버퍼막(144)으로는 예를 들어, 약 100~5000Å 두께의 실리콘 산화막을 사용할 수 있다. 한편, 버퍼막(144)은 콘택(192), 패드(194) 및 블로킹막(196)을 포함하는 도전 패턴(192, 194, 196)을 형성하기 위한 패터닝 공정에서 기판(110)이 손상되는 것을 방지하기 위한 것이다. 따라서, 일반적으로, 기판(110)의 손상을 방지할 수 있는 충분한 두께, 예를 들어, 3000-8000Å 정도의 두께로 형성한다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서에 따르면, 버퍼막(144) 상에 SiN 등으로 형성된 제1 패시베이션막(152)을 형성하기 때문에 버퍼막(144)을 지나치게 두껍게 형성하지 않아도 된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서에 따르면, 버퍼막(144)의 두께가 얇아짐에 따라, 버퍼막(144) 등이 형성되지 않은 센싱 영역(Ⅰ)과 버퍼막(144) 등이 형성된 기타 영역들 간의 단차가 적어질 수 있다. 따라서, 기판(110) 전면의 평탄성(unioformitu)가 개선될 수 있어, 보다 안정적인 이미지 소자의 제조가 가능하다.
버퍼막(144) 상에는 제1 패시베이션막(152)이 배치된다. 제1 패시베이션막(152)은 예를 들어, 질화막, 즉 SiN으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 약 1000~5000Å 의 두께로 형성할 수 있다. 제1 패시베이션막(152)은 콘택(192), 패드(194) 및 블로킹막(196)을 포함하는 도전 패턴(192, 194, 196)을 형성하기 위한 패터닝 공정에서 기판(110)을 보호한다. 또한, 제1 패시베이션막(152)은 도전 패턴(192, 194, 196)을 형성한 후에 댕글링 본드를 제거하기 위해 진행되는 어닐링 공정에서 패시베이션막으로 기능할 수 있다. 이 때, 제1 패시베이션막(152)이 기판(110)과 인접하여 형성되어 있기 때문에 댕글링 본드를 보다 효율적으로 제거할 수 있다.
일반적으로, 패시배이션막은 도전 패턴(192, 194, 196) 상부에 형성된다. 따라서, 패시배이션막과 기판(110)과의 이격거리가 상당하며, 패시베이션막과 기판(110) 사이를 도전 패턴(192, 194, 196)이 가로막는다. 따라서, 기판(110)의 댕글링 본드를 제거하기 위한 어닐링 공정을 진행할 때에, 패시베이션 공정이 효율적으로 진행되기 어렵다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서에서는 패다(194) 및 블로킹막(196) 하부에 제1 패시베이션막(152)이 형성되기 때문에, 기판(110)과 제1 패시베이션막(152)이 상당히 근접하여 형성된다. 따라서, 어닐링 공정 시에 댕글링 본드가 보다 효율적으로 제거될 수 있다. 이미지 센서에서는 OB 영역(Ⅳ)의 암전류를 기준으로 같은 라인에 형성된 센싱 영역(Ⅰ)의 액티브 픽셀의 암전류를 보정한다. 이 때, OB 영역(Ⅳ)에서 암전류가 크고, 라인간의 차이가 크면 센싱 영역(Ⅰ)의 액티브 픽셀의 라인간에도 특성 차이가 발생하여 신호 불량 및 노 이즈 증가의 원인이 된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서에서는 댕글링 본드가 효과적으로 제거되어, OB 영역(Ⅳ)에서의 암전류가 현저히 줄어들기 때문에, 보다 신뢰성이 향상된 이미지 센서가 제공될 수 있다.
한편, 패드 영역(Ⅳ)은 제1 패시베이션막(152), 버퍼막(144), 반사 방지막(142), 기판(110)을 관통하여 제1 금속 배선(126)을 노출하는 콘택홀(160)을 포함한다.
콘택홀(160)의 측벽에는 절연 스페이서(170)가 형성된다. 절연 스페이서(170)는 콘택홀(160)의 측벽에 형성되며, 콘택홀(160)의 상부로 갈수록 그 폭이 좁아지도록 형성될 수 있다. 절연 스페이서(170)는 예를 들어, 실리콘 산화막 등의 산화막으로 형성될 수 있다.
제1 패시베이션막(152) 상에는, 패드(194) 및 블로킹막(196)을 포함하는 도전 패턴(192, 194)이 형성된다. 패드(194)는 패드 영역(Ⅳ)에 형성되는데, 기판(110)의 후면(backside)에서 콘택홀(160)을 매립하는 콘택(192)과 연결되어 제1 금속 배선(126)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 절연 스페이서(170)는 콘택(192)과 기판(110)을 절연한다. 블로킹막(196)은 로직 영역(Ⅲ) 및 OB 영역(Ⅱ)에서 패드(194)와 동일한 높이에 로직 영역(Ⅲ) 및 OB 영역(Ⅱ)을 블로킹하도록 형성되어 절연 구조체(122, 124a~124c, 125, 126)로 빛이 입사되지 못하도록 한다.
콘택(192), 패드(194) 및 블로킹막(196)을 포함하는 도전 패턴(192, 194, 196)은 예를 들어, Al을 포함할 수 있다. 또한, 패드(194) 및 블로킹막(196)은 Ti/TiN 등의 배리어막 및/또는 Ti/TiN 등의 캡핑막을 포함할 수 있다. 구체적으로, 예를 들어, Ti/TiN, Al, Ti/TiN이 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 2 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명한 단면도이다.
우선, 도 2를 참조하면, 기판(110)에 STI(Shallow Trench Isolation), DTI(Deep Trench Isolation) 등과 같은 소자 분리 영역(미도시)을 형성하여, 기판(110)에 센싱 영역(I), OB 영역(II), 로직 영역(Ⅲ) 및 패드 영역(Ⅳ)을 정의한다.
이어서, 센싱 영역(I) 및 OB 영역(II) 내에 다수의 픽셀을 형성한다. 구체적으로, 센싱 영역(I) 및 OB 영역(II) 내에 광전 변환 소자, 예를 들어, 포토 다이오드(PD)를 형성하고, 다수의 게이트(123)를 형성한다. 이러한 게이트(123)는 예를 들어, 전하 전송 소자의 게이트, 리셋 소자의 게이트, 드라이브 소자의 게이트 등일 수 있다. 한편, 로직 영역(Ⅲ)에는 소자의 동작 및 신호의 송수신을 위한 하나 이상의 게이트(127)를 포함하는 집적 회로를 형성할 수 있다.
이어서, 기판(110)의 전면(FRONT SIDE)에 절연 구조체(122, 124a~124c, 125, 126)를 형성한다. 구체적으로, 절연 구조체(122, 124a~124c, 125, 126)는 층간 절연막(122)과, 센싱 영역(I) 및 OB 영역(II) 상에 형성되고 순차적으로 적층된 다수의 배선(124a~124c)과, 로직 영역(Ⅲ) 상에 형성된 배선(125) 및 패드 영역(I) 상에 형성된 제1 금속 배선(126)을 포함한다. 여기서, 제1 금속 배선(126)은 다수의 배선(124a~124c) 중 가장 낮은 레벨의 배선(124a)과 동일한 레벨일 수 있다.
도 3을 참조하면, 절연 구조체(122, 124a~124c, 125, 126) 상에 지지 기판(132)을 접착한다.
구체적으로, 절연 구조체(122, 124a~124c, 125, 126) 상에 접착막(134a)을 형성하여 표면을 평탄화한다. 지지 기판(132) 상에 접착막(134b)을 형성한다. 그 후, 접착막(134a, 134b)끼리 서로 대향하도록 하여, 기판(110)과 지지 기판(132)을 접착시킨다.
도 4를 참조하면, 기판(110)의 상하를 반전시킨다.
도 5를 참조하면, 기판(110)의 후면(BACKSIDE)을 연마한다. 구체적으로, CMP(Chemical Mechanical Polishing), BGR(Back Grinding), 반응성 이온 에칭 혹은 이들의 조합을 이용하여 기판(110)의 후면을 연마한다. 연마되고 남은 기판(110)의 두께는 예를 들어, 약 3-5㎛있으나, 이에 제한되지 않음은 물론이다.
도 6을 참조하면, 기판(110)의 후면에 반사 방지막(142)을 형성한다. 예를 들어, CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용해서, 약 50-200Å 두께의 실리콘 산화막과, 약 300-500Å 두께의 실리콘 질화막을 적층하여 형성할 수 있다.
이어서, 반사 방지막(142) 상에 버퍼막(144)인 후면 층간 절연막을 형성한다. 예를 들어, CVD 방법을 이용해서, 약 100~5000Å 두께의 실리콘 산화막을 적층하여 형성할 수 있다.
이어서, 버퍼막(144) 상에 제1 패시베이션막(152)을 형성한다. 예를 들어, PE-CVD 방법을 이용하여, 약1000~5000Å 두께의 실리콘 질화막, 즉 SiN을 증착하여 형성할 수 있다.
도 7를 참조하면, 패드 영역(Ⅳ)에 콘택홀(160)을 형성한다. 구체적으로, 사진 식각 공정을 진행하여 제1 패시베이션막(152) 상에 포토 레지스트 패턴(미도시)을 형성한다. 이어서, 포토 레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여, 제1 패시베이션막(152), 버퍼막(144), 반사 방지막(142) 및 기판(110)을 관통하고 제1 금속 배선(126)을 노출하는 콘택홀(160)을 형성한다. 콘택홀(160)을 형성할 때에는 예를 들어, 이방성 에칭을 사용할 수 있다.
도 8을 참조하면, 콘택홀(160) 내에 절연 물질을 증착하고, 일부 식각하여 절연 스페이서(170)를 형성한다.
예를 들어 설명하면, CVD 등을 이용하여 콘택홀(160) 내에 절연 물질을 증착하고, 제1 금속 배선(126)이 노출되도록 절연 물질을 에치백하여, 절연 스페이서(170)를 형성한다.
도 9를 참조하면, 콘택(192), 패드(194) 및 블로킹막(196)을 포함하는 도전 패턴(192, 194, 196)을 형성한다.
구체적으로, 패드 영역(Ⅳ)에는 콘택홀(160) 내의 도전 스페이서(180?)와 전기적으로 연결되는 콘택(192) 및 패드(194)를 형성하고, 내를 매립하는 콘택(192) 및 콘택(192)에서부터 제1 패시베이션막(152) 상으로 확장된 패드(194)와 OB 영역(II) 및 로직 영역(Ⅲ)에는 빛을 차단하는 블로킹막(196)을 형성한다.
보다 구체적으로, 제1 패시베이션막(152)과 절연 스페이서(170)를 따라 도전 물질(미도시)을 컨포말하게 형성하고, 도전 물질을 패터닝한다. 이와 같이 함으로써, 콘택(192), 패드(194) 및 블로킹막(196)이 동시에 형성된다. 한편, 여기서는 콘택(192)과 패드(194)가 동시에 형성되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 필요에 따라서는, 별도 공정을 이용하여 제1 금속 배선(126)과 전기적으로 연결된 콘택을 먼저 형성하고, 이어서 콘택과 전기적으로 연결된 패드(194)를 형성할 수도 있다.
이어서, 도 10을 참조하면, 제1 어닐링 공정을 진행한다.
제1 어닐링 공정은 패시베이션을 위한 어닐링 공정일 수 있다. 제1 어닐링 공정을 진행하면, 기판(110)과 인접한 제1 패시베이션막(152)을 통하여 기판(110) 내의 댕글링 본드가 제거된다. 구체적으로, 제1 패시베이션막(152)을 통하여 기판(110)에 공급된 수소가 Si-H 결합을 하여 댕글링 본드가 제거될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법에 따르면, 제1 패시베이션막(152)을 기판(110)에 보다 인접하게 형성한다. 즉, 패드(194) 및 블로킹막(196) 하부에 제1 패시베이션막(152)이 형성된다. 제1 패시베이션막(152)이 기판(110)과 인접하게 형성되기 때문에 제1 패시베이션막(152)을 사용한 댕글링 본드 제거를 위한 제1 어닐링 공정 시에 댕글링 본드가 보다 효과적으로 제거될 수 있다.
이어서, 다시 도 11을 참조하면, 도전 패턴(192, 194, 196)을 식각 마스크로 노출된 제1 패시베이션막(152)을 제거한다.
이 때, 제1 패시베이션막(152)을 제거하는 것은, 예를 들어, 에치 백(etch bach) 공정으로 진행할 수 있다. 즉, 추가 포토 공정없이 노출된 제1 패시베이션막(152)을 제거할 수 있다. 노출된 제1 패시베이션막(152)이 제거되면, 버퍼 막(144)이 일부 노출된다. 이 때, 도 10에서, 패드 영역(Ⅳ)의 일부 영역 및 센싱 영역(Ⅰ)의 제1 패시베이션막(152)이 노출되어 있었지 때문에, 패드 영역(Ⅳ)의 일부 영역 및 센싱 영역(Ⅰ) 상의 제1 패시베이션막(152)이 제거되어 버퍼막(144)이 노출된다. 제1 패시베이션막(152)은 SiN 등으로 형성되므로, 빛의 투과성이 좋지 못하다. 따라서, 센싱 영역(Ⅰ)의 제1 패시베이션막(152)은 제거함으로써, 빛의 수광 효율이 저하되지 않도록 한다.
이어서, 도 12을 참조하면, 제2 어닐링 공정을 진행한다.
제2 어닐링 공정은 UV 어닐링 공정일 수 있다. 제2 어닐링 공정은 제1 패시베이션막(152) 식각 시의 기판(110)의 손상을 치유한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법에 따르면, 제1 패시베이션막(152)을 기판(110)에 보다 인접하게 형성한다. 즉, 패드(194) 및 블로킹막(196) 하부에 제1 패시베이션막(152)이 형성된다. 제1 패시베이션막(152)이 기판(110)과 인접하게 형성되기 때문에 제1 패시베이션막(152)을 사용한 댕글링 본드 제거를 위한 제1 어닐링 공정 시에 댕글링 본드가 보다 효과적으로 제거될 수 있다. 또한, 제1 패시베이션막(152)을 형성한 후, 제1 어닐링 공정을 진행하고, 제1 패시베이션막(152) 상에 패드(194) 및 블로킹막(196)을 형성하고 센싱 영역(Ⅰ)의 제1 패시베이션막(152)을 노출한 후, 제2 어닐링 공정을 진행한다. 즉, 어닐링 공정을 2차로 나누어 진행함으로써, 제조 공정에서의 기판(110) 손상이 보다 효과적으로 치유될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법에 따르면, 도전 패턴(192, 194, 196)을 형성하기 위한 포토 공정이 한번 요구될 뿐, 제1 패시베이션막(152)을 패터닝하는데 있어서, 포토 공정이 요구되지 않는다. 도전 패턴(192, 194, 196)을 식각 마스크로 에치 백 공정으로 제1 패시베이션막(152)의 일부를 제거할 수 있기 때문이다. 따라서, 이미지 센서의 후면을 형성하는데 있어서, 적은 포토 공정으로 이미지 센서가 제조 가능하다. 즉, 고가의 공정인 포토 공정을 줄일 수 있기 때문에, 비용이 절감되어 생산성이 향상될 수 있다.
이하, 도 13을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서를 설명한다. 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서는 도전 패턴(192, 194, 196) 상부에 형성된 제2 패시베이션막(154)을 더 포함한다.
제2 패시베이션막(154)은 센싱 영역(Ⅰ) 상에는 형성되지 않으며, OB 영역(Ⅱ) 및 로직 영역(Ⅲ) 상에는 블로킹막(196) 상에 형성된다. 패드 영역(Ⅳ) 상에는 패드(194) 상부에 형성되되, 패드(194) 상부 영역을 일부 오픈하도록 형성된다.
이하, 도 2 내지 도 8, 도 13 내지 도 18을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명한다. 도 14 내지 도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 2 내지 도 8를 참조하면, 기판(110) 상에 반사 방지막(142), 버퍼막(144) 및 제1 패시베이션막(152)을 형성하고, 패드 영역(Ⅳ) 내에 콘택홀(160)을 형성하는 것까지의 내용은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법에 대한 것과 그 내용이 동일하므로 그 설명을 생략한다.
이어서, 도 14를 참조하면, 콘택(192), 패드(194) 및 블로킹막(196)을 포함하는 도전 패턴(192, 194, 196)을 형성한다.
즉, 패드 영역(Ⅳ)에는 콘택홀(160) 내를 매립하여 제1 금속 배선(126)과 전기적으로 연결되는 콘택(192) 및 패드(194)를 형성하고, OB 영역(II) 및 로직 영역(Ⅲ)에는 빛을 차단하는 블로킹막(196)을 형성한다.
구체적으로, 제1 패시베이션막(152)과 절연 스페이서(170)를 따라 도전 물질(미도시) 및 산화 물질(미도시)을 컨포말하게 형성하고 패터닝하여, 도전 패턴(192, 194, 196) 및 도전 패턴(192, 194, 196) 상에 형성된 산화막 패턴(180)을 형성한다.
한편, 여기서는 콘택(192)과 패드(194)가 동시에 형성되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 필요에 따라서는, 별도 공정을 이용하여 제1 금속 배선(126)과 전기적으로 연결된 콘택을 먼저 형성하고, 이어서 콘택과 전기적으로 연결된 패드(194)를 형성할 수도 있다.
이어서, 도 15을 참조하면, 도전 패턴(192, 194, 196)이 형성된 기판(110) 상에 제2 패시베이션막(154)을 형성한다.
제2 패시베이션막(154)은 기판(110)의 전체를 덮도록 형성될 수 있으며, 예를 들어, PE-CVD 방법을 이용하여, 실리콘 질화막, 즉 SiN을 증착하여 형성할 수 있다.
이어서, 도 16을 참조하면, 제1 어닐링 공정을 진행한다.
제1 어닐링 공정을 진행하면, 제1 패시베이션막(152) 및 제2 패시베이션 막(154)을 통하여 기판(110) 내의 댕글링 본드가 제거된다. 구체적으로, 제1 패시베이션막(152) 및 제2 패시베이션막(154)을 통하여 기판(110)에 공급된 수소가 Si-H 결합을 하여 댕글링 본드가 제거될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법에 따르면, 제1 패시베이션막(152)을 기판(110)에 보다 인접하게 형성한다. 즉, 패드(194) 및 블로킹막(196) 하부에 제1 패시베이션막(152)이 형성된다. 제1 패시베이션막(152)이 기판(110)과 인접하게 형성되기 때문에 제1 패시베이션막(152)을 사용한 댕글링 본드 제거를 위한 제1 어닐링 공정 시에 댕글링 본드가 보다 효과적으로 제거될 수 있다.
또한, 패드(194) 및 블로킹막(196)의 하부에 제1 패시베이션막(152)을 형성하고, 도전 패턴(192, 194, 196)의 상부에는 제2 패시베이션막(154)을 형성함으로써, 도전 패턴(192, 194, 196)의 패터닝 공정에서의 일부 손상을 보다 효과적으로 치유할 수 있다.
이어서, 도 17을 참조하면, 제1 및 제2 패시베이션막(154)을 패터닝한다.
구체적으로, 사진 식각 공정을 진행하여 제1 및 제2 패시베이션막(154)을 일부 제거한다. 이 때, 센싱 영역(Ⅰ) 상의 제1 및 제2 패시베이션막(154)을 모두 제거하며, 패드 영역(Ⅳ)의 일부 영역이 오픈되도록 제2 패시베이션막(154)을 제거한다.
즉, 상기 패터닝 공정에 의해 센싱 영역(Ⅰ)에는 제1 및 제2 패시베이션막(154)이 모두 제거되어, 빛의 투과율을 향상시킬 수 있다. 한편, OB 영역(Ⅱ) 및 로직 영역(Ⅲ) 상에는 제1 패시베이션막(152), 블로킹막(196) 및 제2 패시베이션막(154)이 순차적으로 적층되어 빛이 투과되는 것을 완전히 차단한다. 또한, 패드 영역(Ⅳ)에는 제1 패시베이션막(152) 상에 패드(194)가 형성되고, 패드(194) 상에 제2 패시베이션막(154)이 형성되되, 제2 패시베이션막(154)의 일부가 제거되어 패드(194)가 외부 단자와 접속할 수 있도록 한다.
이어서, 도 18을 참조하면, 제2 어닐링 공정을 진행한다.
제2 어닐링 공정은 예를 들어, UV 어닐링 공정일 수 있으며, 어닐링 공정에 의해 제조 공정에서의 기판(110) 손상, 특히 제1 및 제2 패시베이션막(154)의 패터닝 공정에서의 손상을 치유할 수 있다.
이하에서는, 도 19 내지 도 22를 이용하여 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 이용한 장치를 설명한다. 도 19는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 구현한 칩을 설명하기 위한 도면이고, 도 20 내지 도 22는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 포함하는 프로세서 기반 장치를 설명하기 위한 도면들이다. 도 20는 컴퓨터 장치를 나타내고, 도 21a, 도 21b는 카메라 장치를 나타내고, 도 22는 휴대폰 장치를 나타낸 것이다. 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서는 전술한 장치 이외에 다른 장치(예를 들어, 스캐너, 기계화된 시계 장치, 네비게이션 장치, 비디오폰, 감독 장치, 자동 포커스 장치, 추적 장치, 동작 감시 장치, 이미지 안정화 장치 등)에도 사용될 수 있음은 자명하다.
도 19를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 구현한 칩(200)은 광센싱 소자를 포함하는 픽셀들이 이차원적으로 배열되어 이루어진 센서 어레이(210), 타이밍 발생기(timing generator)(220), 로우 디코더(row decoder)(230), 로우 드라이버(row driver)(240), 상관 이중 샘플러(Correlated Double Sampler, CDS)(250), 아날로그 디지털 컨버터(Analog to Digital Converter, ADC)(260), 래치부(latch)(270), 컬럼 디코더(column decoder)(280) 등을 포함한다.
센서 어레이(210)는 2차원적으로 배열된 다수의 단위 픽셀들을 포함한다. 다수의 단위 픽셀들은 광학 영상을 전기적인 출력 신호로 변환하는 역할을 한다. 센서 어레이(210)는 로우 드라이버(240)로부터 행 선택 신호, 리셋 신호, 전하 전송 신호 등 다수의 구동 신호를 수신하여 구동된다. 또한, 변환된 전기적인 출력 신호는 수직 신호 라인을 통해서 상관 이중 샘플러(250)에 제공된다.
타이밍 발생기(220)는 로우 디코더(230) 및 컬럼 디코더(280)에 타이밍(timing) 신호 및 제어 신호를 제공한다.
로우 드라이버(240)는 로우 디코더(230)에서 디코딩된 결과에 따라 다수의 단위 픽셀들을 구동하기 위한 다수의 구동 신호를 액티브 픽셀 센서 어레이(210)에 제공한다. 일반적으로 행렬 형태로 단위 픽셀이 배열된 경우에는 각 행별로 구동 신호를 제공한다.
상관 이중 샘플러(250)는 액티브 픽셀 센서 어레이(210)에 형성된 출력 신호를 수직 신호 라인을 통해 수신하여 유지(hold) 및 샘플링한다. 즉, 특정한 잡음 레벨(noise level)과, 상기 출력 신호에 의한 신호 레벨을 이중으로 샘플링하여, 잡음 레벨과 신호 레벨의 차이에 해당하는 차이 레벨을 출력한다.
아날로그 디지털 컨버터(260)는 차이 레벨에 해당하는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력한다.
래치부(270)는 디지털 신호를 래치(latch)하고, 래치된 신호는 컬럼 디코더(280)에서 디코딩 결과에 따라 순차적으로 영상 신호 처리부(도면 미도시)로 출력된다.
도 19에 도시된 모든 기능 블록들은 원칩(one chip)으로 구성되어 있을 수도 있고, 여러 개의 칩으로 구성되어 있을 수도 있다. 예를 들어, 타이밍 발생기(220)는 별도의 하나의 칩으로 구성되고, 나머지 칩은 하나의 칩으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 설명된 칩들은 패키지 형태로 구현될 수 있다.
도 20을 참조하면, 컴퓨터 장치(300)은 버스(305)를 통해 입출력(I/O) 소자(330)와 커뮤니케이션할 수 있는 마이크로프로세서 등과 같은 중앙 정보 처리 장치(CPU)(320)를 포함한다. 이미지 센서(310)는 버스(305) 또는 다른 통신 링크를 통해서 장치와 커뮤니케이션할 수 있다. 또, 프로세서 기반 장치(300)은 버스(305)를 통해 CPU(320)와 커뮤니케이션할 수 있는 RAM(340) 및/또는 포트(360)을 더 포함할 수 있다. 포트(360)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 소자 등을 커플링하거나, 또 다른 장치와 데이터를 통신할 수 있는 포트일 수 있다. 이미지 센서(310)는 CPU, 디지털 신호 처리 장치(DSP) 또는 마이크로프로세서 등과 함께 집적될 수 있다. 또, 메모리가 함께 집적될 수도 있다. 물론 경우에 따라서는 프로세서와 별개의 칩에 집적될 수도 있다.
도 21a를 참조하면, 카메라 장치(400)은 이미지 센서(413)가 회로 기판(411) 상에 본딩 와이어를 통하여 실장되어 있는 이미지 센서 패키지(410)을 포함한다. 또한, 회로 기판(411) 상에는 하우징(420)이 부착되고, 하우징(420)은 회로 기판(411) 및 이미지 센서(413)를 외부 환경으로부터 보호한다.
하우징(420)에는 촬영하고자 하는 영상이 통과하는 경통부(421)가 형성되고, 경통부(421)의 외부를 향하는 외측 단부에는 보호 커버(422)가 설치되고, 경통부(421)의 내측 단부에는 적외선 차단 및 반사 방지 필터(423)가 장착될 수 있다. 또한, 경통부(421)의 내부에는 렌즈(424)가 장착되고, 경통부(421)의 나사산을 따라서 렌즈(424)가 이동될 수 있다.
도 21b를 참조하면, 카메라 장치(500)는 관통 비아(through via)(572)를 이용한 이미지 센서 패키지(501)를 사용한다. 관통 비아(572)를 이용하면, 와이어 본딩을 이용하지 않고도 이미지 센서(570)와 회로 기판(560)이 전기적으로 접속할 수 있다. 여기서 설명되지 않은 부호인 520은 제1 렌즈이고, 540은 제2 렌즈이고, 526, 527은 렌즈 컴포넌트(lens component)이다. 또한, 505는 지지부(support member), 545는 어퍼쳐(aperture), 510, 530은 투명 기판, 550은 유리이다.
도 22를 참조하면, 핸드폰 시스템(450)의 소정 위치에 이미지 센서(452)가 부착되어 있다. 도 22에 도시된 위치와 다른 부분에 이미지 센서(452)가 부착될 수도 있음은 당업자에게 자명하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서를 나타낸 단면도이다.
도 2 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서를 나타낸 단면도이다.
도 14 내지 도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 19는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 구현한 칩을 설명하기 위한 도면이다.
도 20 내지 도 22는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 포함하는 프로세서 기반 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
1: 이미지 센서 110: 기판
126: 제1 금속 배선 132: 지지 기판
142: 반사 방지막 144: 버퍼막
152: 제1 패시베이션막 154: 제2 패시베이션막
160: 콘택홀 170: 절연 스페이서
192: 콘택 194: 패드
196: 블로킹막 192, 194, 196: 도전 패턴
Claims (26)
- 패드 영역, OB 영역 및 셀 영역으로 정의된 기판을 제공하고,상기 기판 일면 상에 금속 배선을 포함하는 절연 구조체를 형성하고,상기 기판의 타면에 제1 패시베이션막을 형성하고,상기 패드 영역에 상기 제1 패시베이션막 및 상기 기판을 관통하여 상기 금속 배선의 일부를 노출하는 콘택홀을 형성하고,상기 콘택홀을 통하여 상기 금속 배선과 전기적으로 연결된 패드 및 상기 OB 영역에 형성되며 상기 패드와 동일한 높이에서 상기 OB 영역을 블로킹하는 블로킹막을 포함하는 도전 패턴을 상기 제1 패시베이션막 상에 형성하는 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 도전 패턴을 형성한 후에, 제1 어닐 공정을 진행하여 상기 기판의 댕글링 본드를 제거하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 2항에 있어서,상기 제1 패시베이션막을 형성하기 전에,상기 기판의 식각된 타면에 버퍼막을 형성하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 3항에 있어서,상기 제1 어닐 공정을 진행한 후에,상기 제1 패시베이션막을 일부 식각하여 상기 버퍼막의 일부를 노출하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 4항에 있어서,상기 제1 패시베이션막을 일부 식각하는 것은 에치백 공정으로 진행하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 4항에 있어서,상기 제1 패시베이션막을 일부 식각한 후에,제2 어닐 공정을 진행하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 도전 패턴을 형성한 후에,상기 기판 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 제2 패시베이션막을 형성한 후에, 제1 어닐링 공정을 진행하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 제1 및 제2 패시베이션막을 일부 식각하여 상기 버퍼막의 일부를 노출하고 상기 패드의 일부를 오픈하는 콘택홀을 형성하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 제1 및 제2 패시베이션막을 일부 식각한 후에,제2 어닐 공정을 진행하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 반도체 기판에는 로직 영역이 더 정의되며, 상기 OB 영역 상에 상기 블로킹막을 형성할 때에 상기 로직 영역에도 같이 형성하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 도전 패턴을 형성하는 것은, 상기 기판의 타면 전체에 도전막을 형성하고,상기 도전막을 패터닝하여 상기 패드 영역 상에는 패드를 형성하고, 상기 OB 영역에는 블로킹막을 형성하되, 상기 셀 영역 상부는 노출되도록 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 기판 일면 상에 상기 절연 구조체를 형성한 후에,상기 절연 구조체 상에 지지 기판을 본딩하고, 상기 기판의 타면을 식각하는 것을 더 포함하여,상기 제1 패시베이션막은 상기 기판의 식각된 타면 상에 형성되는 이미지 센서의 제조 방법.
- 반도체 기판을 제공하고,상기 기판의 일면에 지지 기판을 본딩하고,상기 기판의 타면을 식각하고,상기 기판의 식각된 타면에 제1 패시베이션막을 형성하고,상기 제1 패시베이션막 상에 외부 신호를 입출력하는 패드를 포함하는 도전 패턴을 형성하고,제1 어닐 공정을 진행하여 상기 기판의 댕글링 본드를 제거하는 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 14항에 있어서,상기 제1 패시베이션막을 형성하기 전에,상기 기판의 식각된 타면에 버퍼막을 형성하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 15항에 있어서,상기 제1 어닐 공정을 진행한 후에,상기 제1 패시베이션막을 일부 식각하여 상기 버퍼막의 일부를 노출하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 16항에 있어서,상기 제1 패시베이션막을 일부 식각하는 것은 에치백 공정으로 진행하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 16항에 있어서,상기 제1 패시베이션막을 일부 식각한 후에, 제2 어닐 공정을 진행하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 패드 영역, OB 영역 및 센싱 영역이 정의된 반도체 기판;상기 기판의 일면에 형성된 제1 금속 배선을 포함하는 절연 구조체;상기 패드 영역에 형성되며 상기 기판을 관통하여 상기 제1 금속 배선을 노출시키는 콘택홀;상기 패드 영역에서 상기 기판의 타면에 형성되어 상기 제1 금속 배선과 전기적으로 연결된 패드 및 상기 OB 영역에서 상기 패드와 동일한 높이에서 상기 OB 영역을 블로킹하도록 상기 절연 구조체 상에 형성된 블로킹막을 포함하는 도전 패턴; 및상기 기판의 타면과 상기 도전 패턴 사이에 형성된 제1 패시베이션막을 포함하는 이미지 센서.
- 제 19항에 있어서,상기 기판의 타면과 상기 제1 패시베이션막 사이에 상기 기판의 전체를 덮도록 형성된 버퍼 산화막을 더 포함하는 이미지 센서.
- 제 20항에 있어서,상기 제1 패시베이션막은 상기 버퍼 산화막 상에 상기 도전 패턴과 동일한 패턴으로 형성된 이미지 센서.
- 제 19항에 있어서,상기 도전 패턴 상에 형성된 제2 패시베이션막을 더 포함하는 이미지 센서.
- 제 22항에 있어서,상기 제2 패시베이션막은 상기 패드의 적어도 일부를 오픈하는 콘택홀을 포함하는 이미지 센서.
- 제 19항에 있어서,상기 기판의 타면과 상기 제1 패시베이션막 사이에 상기 기판의 전체를 덮도록 형성된 버퍼 산화막을 더 포함하는 이미지 센서.
- 제 20항에 있어서,상기 제1 및 제2 패시베이션막은 상기 센싱 영역의 버퍼 산화막을 노출하도록 패터닝된 이미지 센서.
- 제 19항에 있어서,상기 반도체 기판에는 로직 영역이 더 정의되며, 상기 블로킹막은 상기 로직 영역의 상기 절연 구조체 상에도 형성되어 상기 로직 영역으로 빛이 입사되는 것을 블로킹하는 이미지 센서.
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