KR20100035134A - 고효율 유기발광소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기발광소자에서 발생된 빛을 외부로 최대한 추출할 수 있는 구조를 갖는 유기발광소자에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명에 따른 유기발광소자는 빛이 방출되는 측에 고굴절율층이 구비됨과 동시에 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층이 구비된 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 유기발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 유기물 층에서 발생한 빛의 방출 효율이 우수한 유기발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 출원은 2008년 9월 25일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2008-0093993호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
유기발광 현상이란 유기물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 즉, 양극과 음극 사이에 적절한 유기물 층을 위치시켰을 때, 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 상기 유기물 층에 주입되게 된다. 이 주입된 정공과 전자가 만났을 때 여기자(exciton)가 형성되고, 이 여기자가 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛을 생성하게 된다.
최근 들어 유기발광을 이용하여 디스플레이나 조명원을 만들고자 하는 연구들이 활발히 이루어지고 있다. 그리고, 효과적인 유기발광소자를 만들기 위하여, 유기물 층을 단층부터 다층구조까지 증착시키는 연구가 진행되어왔다. 현재 사용되 는 대부분의 유기발광소자는 전극과 유기물 층이 평탄하게 증착된 구조를 가지고 있으며, 이 중 도 1에 나타낸 바와 같이 기판 (1) 위에 정공 주입 층, 정공 전달 층, 발광 층 및 전자 전달 층와 같은 다층으로 이루어진 유기물 층(3)과 전극(2, 4)이 평탄하게 증착된 다층구조를 갖는 유기발광소자가 가장 대표적으로 사용되고 있다. 이러한 유기발광소자의 응용에서 발광 효율의 증가는 타 기술과의 경쟁에서 매우 중요한 의미를 가진다. 평면 디스플레이의 경우, 고화질에 대한 이슈 이외에도 전력 소모에 대하여 LCD와 치열한 경쟁을 하고 있으며, 조명의 경우, LED (Light Emitting Diode)와 발광 효율 경쟁을 하고 있다.
평탄 구조의 유기발광소자에 전압을 가하여 전자와 정공을 각각 주입하면, 발광 층에서 이들이 재결합하여 빛을 방출하게 된다. 이때 발광 층에서 발생하는 빛은 각 층에서의 굴절율 차이에 의하여 다음과 같은 두 가지의 다른 경로를 거칠 수 있다. 즉, 빛이 소자 밖으로 나가는 경우와, 투명 기판과 공기 층 사이의 계면 또는 투명 기판과 투명 전극이 이루는 계면에서 전반사 되어 소자 안에 갇히는 경우이다 (도 2). 이때 소자 밖으로 나올 수 있는 빛의 양은 발광 층에서 발생한 전체 빛의 양의 1/2n2(n은 유기물층의 굴절율) 이하이다. 유기물층의 굴절율 값이 1.7이라고 가정하면, 발생된 빛의 약 17% 이하만이 유기발광소자 밖으로 나올 수 있다.
좀 더 상세한 분석에 의하면, 상기 전반사는 투명 기판과 공기 층 사이의 계면에서만 존재하는 것이 아니라, 투명 기판보다 굴절율이 상대적으로 높은 투명 전 극과 투명 기판과의 계면에서도 상당량이 일어나는 것으로 알려져 있다. 일반적으로 유리 기판의 굴절율은 1.5~1.6인 반면, 보편적으로 많이 사용되는 투명 양극인 ITO (인듐 주석 산화물)의 경우 굴절율이 1.8~2.1에 달하므로, 유리 기판과 투명 양극의 계면에서 전반사가 일어나게 된다. 상기 전반사가 발생하기 시작하는 각도는 전반사의 임계각이라고 일컬어지며, 그 각도는 인접하는 두 층의 계면에서의 굴절율에 관계된 식 θC= sin-1 (n2/n1)로 나타낼 수 있다. 여기서, n2는 굴절률이 상대적으로 낮은 매질이며, n1은 굴절률이 상대적으로 높은 매질이다.
이러한 문제를 극복하고 유기발광소자 밖으로 더 많은 빛을 방출하기 위하여 도 1에 나타난 유기발광소자와는 달리 평탄하지 않은 층을 가진 구조, 즉 비평탄구조를 갖는 유기발광소자를 만들기 위한 방법이 시도되어 왔다. 그러나, 아직까지 빛 방출 효율을 크게 향상시킬 수 있는 구조가 개발되지 못한 실정이다.
본 발명은 유기발광소자에서 발생된 빛을 외부로 최대한 추출할 수 있는 구조를 갖는 유기발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 본 발명은 투명 전극과 투명 기판 사이에서 전 반사되는 빛을 최대한 외부로 추출하는 구조를 가져 광 효율이 높은 유기 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 위치한 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치한 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층, 상기 유기물층 상에 위치한 제2 전극을 포함하는 유기발광소자로서, 상기 기판 및 상기 제1 전극이 광투과성을 가지고, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이에는 고굴절율층이 구비되며, 상기 기판과 상기 고굴절율층 사이 또는 상기 제1 전극과 상기 고굴절율층 사이에 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층이 구비된 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다. 여기서, 상기 제2 전극도 광투과성을 가질 수 있다.
또한, 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 위치한 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치한 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층, 상기 유기물층 상에 위치한 제2 전극을 포함하는 유기발광소자로서, 상기 기판 및 상기 제1 전극이 광투과성을 가지고, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이에는 고굴절율층이 구비되며, 상기 고굴절율층이 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 소자를 제공한다. 여기서, 상기 제2 전극도 광투과성을 가질 수 있다.
또한, 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 위치한 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치한 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층, 상기 유기물층 상에 위치한 제2 전극을 포함하는 유기발광소자로서, 상기 제2 전극이 광투과성을 가지고, 상기 제2 전극 상에 고굴절율층이 구비되며, 상기 고굴절율층의 상부 또는 상기 제2 전극과 상기 고굴절율층 사이에 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층이 구비된 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다. 여기서, 상기 제1 전극도 광투과성을 가질 수 있다.
또한, 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 위치한 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치한 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층, 상기 유기물층 상에 위치한 제2 전극을 포함하는 유기발광소자로서, 상기 제2 전극이 광투과성을 가지고, 상기 제2 전극 상에 고굴절율층이 구비되며, 상기 고굴절율층이 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다. 여기서, 상기 제1 전극도 광투과성을 가질 수 있다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 발광층을 포함하는 발광단위를 하나만 포함하는 단층 구조의 유기발광소자뿐만 아니라, 상기 발광단위를 2 이상 포함하는 스택(stack) 구조의 유기발광소자도 포함한다. 상기 스택 구조의 유기발광소자에 있어서, 적층된 발광단위들 사이에는 중간도전층 또는 전하발생층이 구비될 수 있다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 상기 제1 전극이 양극이고, 상기 제2 전극이 음극인 노말(normal) 구조일 수도 있고, 상기 제1 전극이 음극이고, 상기 제2 전극이 양극인 인버티드(inverted) 구조일 수도 있다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 상이한 재료로 이루어질 수도 있고, 동일한 재료로 이루어질 수도 있다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 유기발광소자를 구동하는 박막 트랜지스터 (Thin film transistor)를 구비할 수 있다.
본 발명에 따른 유기발광소자에서는 두 개의 반대 전극 사이에 위치한 발광 층에서 방출되는 빛 중 전반사에 의하여 소자에 갇히거나 소자 밖으로 방출되기 전에 흡수되어 열로 변할 수 있는 빛을 최대한 소자 밖으로 방출시킴으로써 유기발광소자의 광 추출 효과를 최대화할 수 있다.
이하에서 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
일반적으로 유기발광소자에 있어서, 두 전극 사이에 존재하는 유기물의 두께는 200 nm 이하이며, 투명전극도 역시 200 nm 이하의 두께로 이루어져 있다. 한편, 보편적으로 사용되고 있는 알루미늄을 함유한 전극의 반사율은 93% 가량으로 알려져 있으며, 투명 전극으로 사용되는 ITO나 IZO도 역시 5% 이상의 흡수도를 가진다. 그러므로, 기판이 유리로 형성되고, 상기 기판에 접하는 전극이 ITO 투명 전극이고, 반대 전극이 알루미늄 전극인 경우, 상대적으로 굴절율이 유리 보다 높은 ITO 투명 전극과 유리 기판 사이에서 전반사가 일어난다. 도 2에 나타낸 바와 같이 전반사된 광자는 여러 번의 전반사 과정이 되풀이 되는 동안 ITO와 알루미늄에 의하 여 흡수되어 열로 변하게 된다.
광자가 한 번의 전반사를 일으킬 때마다 ITO와 알루미늄에서 10%가 흡수된다고 가정할 때, 5번의 전반사에 의하여 약 40% 가량의 광자가 흡수되게 된다. 전반사가 일어나는 층의 두께를 0.4 마이크로미터로, 그리고 전반사 각도를 45도로 가정하였을 경우, 빛이 한 번의 전반사에 의하여 수평방향으로 직진하는 거리는 약 0.8 마이크로미터 가량이 된다. 따라서, 가로 및 세로가 각각 50 마이크로미터의 규모(dimension)를 갖는 유기발광소자의 중앙에서 형성된 광자가 전반사되어 기판의 옆면을 통하여 소자 밖으로 방출될 때까지 30번 이상 (25 마이크로미터/0.8 마이크로미터)의 전반사를 거치게 된다.
따라서, 대부분의 전반사된 빛은 열로 변환되며, 발생된 열은 소자의 안정성에 문제를 야기시킬 수 있다. 그러므로, 전반사되어 열로 소멸되는 광자를 최대한 외부로 추출하기 위해서는 기판의 크기를 매우 작게 하여 최소한의 전반사를 거친 후 기판의 옆 면으로 방출시켜야 한다. 그러나, 일반적으로 기판의 두께가 수십에서 수백 마이크론에 달하는 유리 또는 플라스틱 기판을 사용하게 되므로, 가로 및 세로가 각각 수 마이크론에서 수십 마이크론에 달하는 소자를 제작한다는 것은 현실성이 적고, 그 외에도 전극의 연결, 패키징 등의 문제 때문에 현실적으로 제작이 어렵다.
본 발명에서는 기판의 넓이와 상관 없이 전반사되는 횟수를 최소화함으로써 발광 효율을 높이고, 또한 전반사된 빛이 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층에 도달한 경우, 빛이 재활용됨으로써, 소자의 양자 효율을 향상시킬 수 있 다. 이에 의하여 소자로부터 외부로 빠져나오는 총 광량을 증대시킬 수 있다. 이러한 방법은 기존에 연구되어 온 기판과 공기 층 사이의 전반사만을 억제시키는 방법에 비하여 더욱 효과적인 광 추출 방법이다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 빛이 방출되는 측에 고굴절율층이 구비됨과 동시에 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층이 구비된 것을 특징으로 한다.
상기 기판 및 제1 전극이 광투과성인 경우, 상기 기판과 제1 전극 사이에 구비된 고굴절율층 및 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층에 의하여 소자의 광추출효율을 향상시킬 수 있다. 이 실시상태에 있어서, 제2 전극도 광투과성일 수도 있다. 여기서, 광투과성이란 발광층에서 발광하는 빛의 파장에 대한 투과도가 30% 이상, 바람직하게는 50% 이상, 더욱 바람직하게는 80% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상인 것을 의미한다.
상기 기판으로는 당기술분야에서 사용되는 광투과성 재료라면 특별히 제한되지 않으며, 유리 또는 플라스틱 기판 또는 필름을 사용할 수 있다.
상기 제1 전극으로는 당기술분야에서 사용되는 광투과성 전극 재료라면 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 상기 제1 전극은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide)와 같은 전도성 산화물로 형성될 수도 있고, 알루미늄, 칼슘, 마그네슘, 은, 세슘 (Cs), 리튬 또는 이들을 포함하는 알로이 (alloy)들을 광투과성을 가질 정도로 얇은 박막의 형태로 사용할 수도 있다. 상기 제1 전극은 양극 역할을 할 수도 있고, 음극 역할을 할 수도 있다.
상기 고굴절율층이 기판과 제1 전극 사이에 위치하는 경우, 고굴절율층의 굴절율은 기판을 구성하는 물질의 굴절율 보다 높다. 일반적인 유리 기판의 굴절율이 1.55이므로 바람직한 고굴절율층의 굴절율은 1.6 이상이다. 상기 고굴절율층의 굴절율의 상한은 특별히 한정되지 않으나, 4이하인 것이 바람직하다. 상기 고굴절율층의 굴절율은 1.65 내지 1.9인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 고굴절율층의 굴절율이 제1 전극의 굴절율과 동일하거나 그 보다 높을 경우는 유기물층으로부터 발광된 광자가 제1 전극을 지나 고굴절율층으로 진입할 때 계면에서의 전반사가 없으므로 효율적인 소자를 제작할 수 있다. 보편적으로 사용되는 투명 전극인 ITO나 IZO 등 인듐 산화물을 기반으로 한 전극의 굴절율이 도핑 물질의 종류, 농도, 그리고 공정 조건에 따라 1.7~2.2까지 폭넓게 변화하므로, 고굴절율층은 굴절율이 1.65 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또한 고굴절율층은 광투과도가 우수한 것이 바람직하다. 광투과도가 낮을 경우 전반사된 빛들이 흡수 및 재발광되기 이전에 고굴절율층에 의하여 흡수되어 열로 변환되므로, 고굴절율층의 광투과율은 50% 이상인 것이 바람직하고, 80% 이상인 것이 더욱 바람직하며, 90% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 이때 광투과율은 가시 광선 영역에서의 투과율을 의미하나, 특히 전자와 정공의 재조합에 의하여 발광층에서 발광되는 파장에 대한 투과도가 최소한 50% 이상인 것이 바람직하다.
상기와 같은 조건을 만족시키는 고굴절율층의 재료로는 실리콘 (silicon), 타이타늄 (titanium), 지르코늄 (zirconium), 몰리브데늄 등의 산화물, 질화물 또는 산화 질화물 등을 포함하는 물질들에서 선택할 수 있다. 상기에서 예시된 고굴 절율층 재료들은 진공중에서 박막형성 공정에 의하여 제작될 수도 있다. 또한, 상기 고굴절율층은 고굴절율을 갖으며 빛을 산란시키지 않는 크기를 갖는 물질의 입자를 고분자 또는 고분자 전구체 등과 혼합하여 기판 위에 코팅함으로써 고굴절율층을 형성할 수도 있다. 입자의 크기가 가시광선의 파장과 유사하거나 커지게 되면 빛의 산란이 일어나게 되므로 고굴절율을 가지며 적절한 크기를 갖는 입자를 선택하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 입자의 크기는 가시광선의 파장보다 작은 것이 바람직하다. 또는, 고굴절율을 갖는 물질의 전구체를 사용하여 기판에 코팅한 후, 열을 가함으로써 상기 전구체를 고굴절을 갖는 물질로 변환시킴으로써 공정성 향상과 함께 고굴절층을 얻을 수 있다. 전술한 고굴절율층의 재료는 단지 예시이며, 상기 굴절율과 투과도를 만족할 수 있는 다양한 물질 군에서 선택할 수 있다.
상기 고굴절율층은 단일층으로 이루어 질 수도 있으나, 필요에 따라서는 상기 투과도를 만족하는 상태에서 다층 구조로 이루어질 수도 있다. 이러한 다층 구조로 형성된 고굴절율층이 제공할 수 있는 장점은 기판(1)과 단일층의 고굴절율층(5)으로 이루어진 구조에서 발생할 수 있는 기계적 또는 열적 물성 차이, 즉 열 팽창계수 등의 차이에서 발생되는 스트레스에 의한 막질의 약화 등을 완화시켜 줄 수도 있다. 상기 고굴절율층 상부에는 다시 제1 전극을 포함한 유기발광소자를 구성해야 하므로, 고굴절율층의 평탄도를 더욱 높이기 위하여 다층 구조를 형성할 수도 있다. 상기 고굴절율층(5)의 두께는 0.2 마이크로미터 이상인 것이 바람직하며 0.5 마이크로미터 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 고굴절율층(5)의 두께는 2mm 이하로 형성될 수 있다.
상기 고굴절율층이 제2 전극측에 위치하는 경우, 상기 고굴절율층의 굴절율은 일반적인 유리기판의 굴절율을 기준으로 1.6 이상, 더욱 바람직하게는 1.65 이상인 것이 좋다.
상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층은 단일층일 수도 있으나, 수직 또는 수평으로 2층 이상의 복합층으로 이루어질 수도 있다. 또한, 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층은 단일 물질로 이루어질 수도 있으나, 2 이상의 물질로 이루어질 수도 있다.
상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층은 전반사된 빛을 흡수하여 모든 방향으로 재발광시킴으로써 전반사된 빛을 재활용하는 역할을 할 수 있다. 이 경우, 빛을 재활용할 수 있을 뿐만 아니라, 발광층으로부터 나온 빛을 흡수한 후 다른 파장의 빛을 재발광하므로, 발광층에서 발광하는 파장과 상기 재발광하는 빛의 파장의 합에 의하여 원하는 색상을 구현할 수 있다.
전반사된 빛을 흡수하여 재발광시키기 위하여, 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층은 형광 또는 인광 성질을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 전반사된 빛은 기판의 평면에 대하여 일정한 각도 범위 내에서 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층으로 진입한다. 이때 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층이 존재하지 않을 경우, 대부분의 빛은 전반사 과정 중에 소자에 흡수되어 열로 변환된다. 그러나, 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층이 존재할 경우, 전반사된 빛은 형광성 또는 인광성 물질에 흡수되고, 흡수된 빛은 다시 입사된 빛보다 긴 파장의 빛을 재발광하게 된다. 이때 재 발광하는 빛은 전반사되어 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층으로 일정한 각도 이내로 입사된 빛과는 다르게, 모든 방향으로 재발광하게 된다. 따라서, 상당량의 빛이 다시 기판 밖으로 빠져 나갈 수 있게 되며 이에 따라 소자의 효율이 상승할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층의 존재에 따른 빛의 경로를 도 9에 예시하였다. 굴절율이 상대적으로 낮은 투명 기판(1)과 상대적으로 굴절율이 높은 고굴절층(5)의 계면에서 전반사를 이루는 각도로 발생된 빛은 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층에 도달한다. 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층은 투명 기판과 투명 전극 사이의 계면에서 전반사되어 진행하는 빛의 각도를 변형시키는 역할을 함으로써 내부에 갇힌 빛을 외부로 방출시키는 역할을 한다.
상기와 같이 빛을 흡수 및 재발광하는 역할을 하기 위해서는, 상기 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층이 유기발광소자의 발광층에서 방출된 후 전반사되어 도달하는 빛을 흡수할 수 있어야 하며, 흡수된 빛을 재발광하는 효율이 높을수록 바람직하다. 그러므로, 발광층에서 발생하는 빛의 스펙트럼의 긴 파장의 영역과 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층의 재료의 흡수 스펙트럼의 단파장 영역의 적어도 일부가 중첩되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층의 형광성 또는 인광성 물질은 한 개의 광자를 흡수할 경우 적어도 0.2개 이상의 광자, 더 바람직하게는 0.5개 이상의 광자를 재발광할 수 있는 능력을 갖는 것이 좋다. 이를 위하여, 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층은 1가지 이상의 형광성 또는 인광성 물질을 포함하여야 하며, 이러한 성질을 갖는 물질들은 유기물 또는 무기물 등에서 선택될 수 있다.
상기와 같은 성질을 갖는 유기물로는 루브렌 (rubrene) 계열의 물질, 티오펜(thiophene) 계열의 물질, 이미다졸 (imidazole) 계열의 물질, 큐마렌 (coumarine) 계열의 물질, 옥사졸 (oxazole) 계열의 물질, 티아졸 (thiazole) 계열의 물질 등의 물질들이 있으며, 안트라센 (anthracene), 테트라센 (tetracene), 펜타센 (petacene) 등을 함유하는 유기화합물 및 이들의 유도체 등이 있으나, 이들은 단지 예시일 뿐 본 발명의 범위가 이들 예로만 한정되는 것은 아니다. 상기와 같은 성질을 갖는 유기물들은 기존의 형광 증백제 (Brightner), 레이저 다이 (LASER Dye) 또는 유기발광 소자의 발광 호스트 또는 발광 도판트 등의 용도에 널리 사용되어 왔으며, 본 발명에서는 이들을 직접 사용하거나 본 발명의 목적에 맞는 구조의 유도체들로 변형하여 사용할 수도 있다.
상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층을 구성하는 형광성 또는 인광성 물질로서, 상기에서 언급된 유기물 이외에 무기물을 사용할 수도 있다. 무기물 형광체 또는 인광체도 역시 발광층에서 발광한 후 소자의 외부로 빠져 나가지 못하고 전반사되어 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층으로 진입하는 빛을 흡수하여 재발광하는 역할을 한다. 그러므로 이때 사용되는 무기물 형광체 또는 인광체도 역시 발광층에서 발광하는 파장을 흡수할 수 있어야 하며, 그 빛을 흡수한 후 높은 효율로 재발광할 수 있는 양자효율이 높은 물질에서 선택 하는 것이 바람직하다. SrGa2S4:Eu, Y3Al5O12:Ce, (Y,Gd)3Al5O12:Ce, Gd3Al5O12:Ce , CaS:Ce3 +,Na+, CaS:Eu2 +,Ce3 +, ZnS:Te,Mn, ZnS:Se,Te,Mn, ZnS:Ce,Li, ZnS:Cu,Al, (Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu2 +, Y2O2S:Eu3 + 또는 Li2SrSiO4:Eu2+, Ba9Sc2Si6O24:Eu2 +, Ca3Si2O7:Eu2 +, Ba2MgSi2O7:Eu2 +와 같이 유로퓸(europium)이 도핑된 실리케이트 화합물 등을 사용할 수 있다. 그러나 상기 예들은 단지 예시일 뿐 본 발명의 범위가 이들 예로만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서는, 상기와 같은 성질을 갖는 무기물 형광체 또는 인광체로서, 기존의 PDP (plasma display panel), LED (Light emitting diode), CCFL (cold cathode fluorescent lamp)과 같이 단파장의 빛을 흡수하여 가시광선을 방출하는, 평판 디스플레이나 조명원으로 사용하는 기술에 사용되던 무기물 형광체 또는 인광체를 사용하거나, 발광층에서 나오는 빛을 좀 더 효율적으로 흡수하고 방출할 수 있도록 상기와 같은 형광체 또는 인광체의 구조를 변형하여 사용할 수도 있다. 또한, 인광체로서 유기발광소자에서 발광층을 인광물질로 구성하는 기술에서 사용하는 인광성 도판트를 사용할 수 있다. 일반적으로 상기의 인광성 도판트들은 이리듐 (Ir) 또는 백금 (Pt) 또는 유로피윰 (Eu) 등의 원자를 함유하기도 한다. 또한, ZnS, ZnSe 등과 같은 물질을 나노 사이즈로 형성하여, 그 사이즈에 따라 발광 파장을 달리하는 나노 사이즈 형광체를 이용할 수도 있다.
본 발명에 있어서, 상기 형광 또는 인광 성질을 갖는 유기물 또는 무기물을 단독으로 이용하여 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층을 형성할 수도 있으나, 상기 형광 또는 인광 성질을 갖는 유기물 또는 무기물을 다른 고분자와 혼합하여 상기 층을 형성할 수도 있다. 다른 고분자와 혼합하는 목적 중의 하나는 양질의 위치 안정성 및 치수 안정성을 부여하는 것이다. 이 때 사용되는 고분자는 상기 층을 형성한 후 자외선 또는 열 경화에 의하여 가교 반응이 진행될 수도 있다. 이러한 가교 반응은 상기 층의 용매에 대한 안정성, 위치 안정성, 치수 안정성 및 열 안정성을 증진시킬 수 있다.
고분자를 사용하는 대신, 상기 형광성 또는 인광성 유기물 또는 무기물과 모노머 형태의 물질을 혼합한 후, 열경화나 광경화를 통하여 모노머를 고분자화 하는 것도 사용 가능하다. 또는 형광 또는 인광 성질을 나타내는 고분자 자체를 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층을 구성하는 물질로 사용할 수 있다.
일반적으로, 형광성 또는 인광성 물질을 포함하는 층을 형성하기 위하여는, 형광성 또는 인광성 물질을 단독으로, 또는 고분자나 모노머와 혼합하여 코팅 또는 프린팅하여 층을 형성할 수도 있고, 필요에 따라서는 증착 공정을 이용하여 층을 형성할 수도 있다. 예컨대, 스크린 프린팅, 롤 프린팅 오프셋 프린팅, 잉크젯 프린팅 방식 등의 방법을 적용할 수 있으며, 목적에 따라서 포토리쏘그라피도 사용 가능하다. 상기 프린팅 방식 또는 포토리쏘그라피 방식을 진행하기 위해서는 적절한 점도를 갖는 고분자를 혼합할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층이 형광성 또는 인광성 물질을 함유할 경우, 1종의 형광성 또는 인광성 물질을 사용할 수 있으나, 필요에 따라서는 서로 발광 파장이 다른 2종 이상의 형광성 또는 인광성 물질을 사용할 수도 있다. 이 때, 하나의 층에 2종 이상의 형광성 또는 인광성 물질을 포함시킬 수도 있다. 서로 다른 2종 이상의 형광성 또는 인광성 물질을 사용하는 경우, 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층은 2종 이상의 형광성 또는 인광성 물질에 의하여 서로 상이한 두 개의 파장으로 발광할 수도 있고, 이 층과 발광층에서 발광하는 파장의 합에 의하여 원하는 색상을 구현할 수 있다. 이 경우 2종 이상의 형광성 또는 인광성 물질에서 발광하는 넓은 스펙트럼의 빛을 얻을 수 있으므로, 적절한 형광성 또는 인광성 물질의 선택과 이들의 적절한 비율 조절에 의하여 원하는 색상을 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 유기발광소자의 실시상태를 도 3 내지 8에 예시하였다. 그러나, 본 발명의 범위가 상기 도면에 도시된 구조에 의하여 한정되는 것은 아니다.
도 3은 기판(1)과 제1 전극(2) 사이에 고굴절율층(5)이 구비되고, 제1 전극(2)과 고굴절율층(5) 사이에 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층(6)이 구비된 예를 도시한 것이다.
도 4는 기판(1)과 제1 전극(2) 사이에 고굴절율층(5)이 구비되고, 기판(1)과 고굴절율층(5) 사이에 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층(6)이 구비된 예를 도시한 것이다.
도 5는 기판(1)과 제1 전극(2) 사이에 고굴절율층(5)이 구비되고, 상기 고굴절율층(5)이 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 예를 도시한 것이다.
도 6은 제2 전극(4) 측에 고굴절율층(5)이 구비되고, 제2 전극(4)과 고굴절율층(5) 사이에 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층(6)이 구비된 예를 도시한 것이다.
도 7은 제2 전극(4) 측에 고굴절율층(5)이 구비되고, 고굴절율층(5)의 상부에 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층(6)이 구비된 예를 도시한 것이다.
도 8은 제2 전극(4) 측에 고굴절율층(5)이 구비되고, 상기 고굴절율층(5)이 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 예를 도시한 것이다.
본 발명에 따른 유기발광소자의 유기물층(3)은 단일층으로 형성될 수도 있으나, 필요에 따라서는 발광 층 이외에 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전자 저지 층, 정공 저지 층 및 전자 이송 층 중 적어도 하나의 층을 더 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
또한, 상기 유기발광소자는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 발광층을 포함하는 발광단위를 하나만 포함하는 단층 유기발광소자일 수도 있고, 발광층을 포함하는 발광단위를 2 이상 포함하는 스택 구조의 유기발광소자일 수도 있다. 이와 같이 스택 구조의 유기발광소자는 발광층을 포함하는 단층 또는 다층의 발광단위가 2개 이상 적층된 구조를 포함하므로, 소자에 주입되는 전류의 양이 동일하면서도 발생하는 빛의 양을 두 배 또는 3배 이상으로 늘릴 수 있다. 상기 스택 구조의 유기발광소자는 상기 발광단위들 각각의 사이에 중간도전층 또는 전하발생층을 포함할 수 있다. 상기 전하발생층은 전극 역할을 하는 중간도전층이 없는 경우에 도, 전압을 가하였을 때 발광단위와 발광단위 사이에서 전하가 발생되는 구조를 제공한다.
도 10은 제1 전극(2)과 제2 전극(4) 사이에 제1 유기 발광단위(3)과 제2 유기 발광단위(9)이 적층되고, 상기 유기 발광단위(3, 9) 사이에 중간도전층 또는 전하발생층(8)이 구비된 스택 구조의 유기발광소자를 예시한 것이다. 2 이상의 발광유닛은 서로 동일한 재료 또는 구조로 이루어질 수도 있고, 서로 상이한 재료 또는 구조로 이루어질 수도 있다. 유기 발광단위(3, 9)는 단일층으로 형성될 수도 있으나, 필요에 따라서는 발광 층 이외에 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전자 저지 층, 정공 저지 층 및 전자 이송 층 중 적어도 하나의 층을 더 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
예컨대, 각각의 발광유닛은 동일한 발광 물질을 사용할 수도 있고 서로 다른 발광 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 발광단위(3)는 청색의 발광물질을 함유하고 상기 유기 발광단위(9)는 녹색의 발광 물질을 함유할 경우, 소자에서 발광되는 빛은 상기 유기 발광단위(3)와 상기 유기 발광단위(9)에서 각각 방출되는 빛의 파장을 모두 포함하는 장파장의 청색을 나타내게 된다. 또한, 상기와 같이 적층된 발광유닛 각각의 발광색상을 조절하여 백색 광을 구현할 수도 있다. 또한, 각각의 발광유닛을 이루는 상기 유기 발광단위(3)와 상기 유기 발광단위(9)가 동일한 발광 물질을 사용할 경우, 하나의 발광유닛만을 사용한 소자와 비교하여 동일한 주입 전류에서 최대 2배의 발광 효율을 낼 수 있다.
도 10의 도면부호 8은 발광유닛들 사이에 구비된 중간도전층 또는 전하발생 층으로서, 전하발생층이 구비되는 경우 별도의 중간 전극 없이 층과 층 사이에서 전하를 생성시킬 수도 있다.
상기 제2 전극은 당기술분야에서 통상적으로 사용되는 전극 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 상기 제1 전극이 양극인 경우 상기 제2 전극은 음극으로 작용할 수 있고, 상기 제1 전극이 음극인 경우 상기 제2 전극은 양극으로 작용할 수 있다. 상기 제2 전극은 광투과성 재료로 이루어질 수도 있고, 광반사성 재료로 이루어질 수도 있다. 상기 제2 전극의 재료는 전술한 제1 전극의 재료로 예시한 재료들에서 선택될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 전극과 유기물층 사이에 위치하며 동시에 제1 전극과 접하는 전도성 층이 추가로 구비될 수 있다. 상기 전도성층은 제1 전극의 전기전도도가 충분치 않을 때 전원에서 공급되는 전류를 제1 전극층에 균일하게 공급하는 역할을 한다. 상기 전도성층의 전기 저항은 10-6 Ω m 이하인 것이 바람직하다. 상기 전도성 층의 재료로는 알루미늄 (Al), 구리 (Cu), 몰리브덴 (Mo), 은 (Ag), 금 (Au), 백금 (Pt), 크롬 (Cr), 니켈 (Ni), 아연 (Zn), 인듐 (In) 등을 사용할 수 있으며 또는 이들을 주성분으로한 합금을 사용할 수도 있다. 상기 전도성 층의 두께는 2~2000 나노미터인 것이 바람직하다. 상기 전도성층은 패턴된 형태로 형성될 수 있으며, 이 때 패턴된 면적은 상기 제1 전극 면적의 30% 이하가 바람직하다. 또한, 상기 전도성층이 패턴된 형태인 경우 그 두께는 0.1 마이크로미터 내지 1,000 마이크로미터인 것이 바람직하고, 0.3 마이크로미터 내지 0.5 마이크로미 터인 것이 더욱 바람직하다. 상기 전도성층의 두께가 너무 얇으면 전기전도도를 높이는데 기여하기 어렵고, 너무 두꺼우면 그 상부에 유기물층을 포함하는 층들을 형성하기 어려울 수 있다. 본 발명에 따른 유기발광소자는 전술한 고굴절율층 및 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층을 포함하는 것을 제외하고는 그 구성 및 제조방법으로서 당기술분야에 알려져 있는 기술을 이용할 수 있다.
도 1은 종래 유기발광소자의 구조를 예시한 것이다.
도 2는 종래 유기발광소자에서 전반사되어 소멸되는 빛의 경로를 예시한 것이다.
도 3 내지 도 8은 본 발명에 따른 유기발광소자의 구조를 예시한 것이다.
도 9는 본 발명에 따른 유기발광소자에서의 빛의 경로를 예시한 것이다.
도 10은 발광유닛을 2개 포함하는 본 발명에 따른 유기발광소자의 구조를 예시한 것이다.
Claims (12)
- 기판, 상기 기판 상에 위치한 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치한 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층, 상기 유기물층 상에 위치한 제2 전극을 포함하는 유기발광소자로서, 상기 기판 및 상기 제1 전극이 광투과성을 가지고, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이에는 고굴절율층이 구비되며, 상기 기판과 상기 고굴절율층 사이 또는 상기 제1 전극과 상기 고굴절율층 사이에 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층이 구비된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 기판, 상기 기판 상에 위치한 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치한 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층, 상기 유기물층 상에 위치한 제2 전극을 포함하는 유기발광소자로서, 상기 기판 및 상기 제1 전극이 광투과성을 가지고, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이에는 고굴절율층이 구비되며, 상기 고굴절율층이 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 기판, 상기 기판 상에 위치한 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치한 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층, 상기 유기물층 상에 위치한 제2 전극을 포함하는 유기발광소자로서, 상기 제2 전극이 광투과성을 가지고, 상기 제2 전극 상에 고굴절율층이 구비되며, 상기 고굴절율층 상부 또는 상기 제2 전극과 상기 고굴절율층 사이에 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 층이 구비된 것을 특징으 로 하는 유기발광소자.
- 기판, 상기 기판 상에 위치한 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치한 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층, 상기 유기물층 상에 위치한 제2 전극을 포함하는 유기발광소자로서, 상기 제2 전극이 광투과성을 가지고, 상기 제2 전극 상에 고굴절율층이 구비되며, 상기 고굴절율층이 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
- 청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 고굴절율층의 굴절율은 상기 기판의 굴절율보다 큰 것인 유기발광소자.
- 청구항 1 내지 4 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 고굴절율층의 굴절율은 1.6 이상인 것인 유기발광소자.
- 청구항 1 내지 4 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 고굴절율층의 굴절율은 1.65 이상 1.9 이하인 것인 유기발광소자.
- 청구항 1 내지 4 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 고굴절율층의 광투과율은 50% 이상인 것인 유기발광소자.
- 청구항 1 내지 4 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 빛을 흡수하여 재발광시키는 재료는 형광성 또는 인광성 물질인 것인 유기발광소자.
- 청구항 1 내지 4 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하는 발광유닛을 2 이상 적층된 형태로 포함하는 것인 유기발광소자.
- 청구항 10에 있어서, 상기 발광유닛들 사이에는 중간도전층 또는 전하발생층이 구비된 것인 유기발광소자.
- 청구항 1 내지 4 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1 전극과 유기물층 사이에 위치하고 동시에 상기 제1 전극과 접하는 전도성 층이 추가로 구비된 유기발광소자.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8710496B2 (en) | 2012-04-05 | 2014-04-29 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Organic light emitting diode device and fabrication method thereof |
| US8993994B2 (en) | 2011-06-30 | 2015-03-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Light-emitting device and organic light emitting display apparatus including the same |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101182462B1 (ko) * | 2008-09-25 | 2012-09-12 | 주식회사 엘지화학 | 고효율 유기발광소자 및 이의 제조 방법 |
| KR101074804B1 (ko) * | 2009-11-24 | 2011-10-19 | 한국과학기술원 | 유기 발광 소자, 이를 포함하는 조명장치, 및 이를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치 |
| JP2012022997A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Jsr Corp | 発光素子および粒子含有層形成用組成物 |
| TWI463717B (zh) * | 2011-07-29 | 2014-12-01 | Au Optronics Corp | 有機發光元件及其製造方法及使用其之照明裝置 |
| CN102916135A (zh) * | 2011-08-05 | 2013-02-06 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 倒置型有机电致发光器件及其制备方法 |
| JP5913938B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2016-05-11 | 富士フイルム株式会社 | 光拡散性転写材料、光拡散層の形成方法、及び有機電界発光装置の製造方法 |
| JP5919821B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-05-18 | 大日本印刷株式会社 | 光学基板及びその製造方法並びに発光表示装置 |
| JP6082907B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2017-02-22 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| KR102014827B1 (ko) * | 2012-06-12 | 2019-08-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광학 필름 및 이를 포함하는 유기 전계 표시 장치 |
| KR101942092B1 (ko) | 2012-07-30 | 2019-01-25 | 한국전자통신연구원 | 유기발광소자 제조방법 |
| JP6226279B2 (ja) * | 2012-09-13 | 2017-11-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR20150056605A (ko) * | 2012-10-26 | 2015-05-26 | 파이오니아 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 |
| WO2014064834A1 (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | パイオニア株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| KR102044923B1 (ko) * | 2013-04-15 | 2019-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR101488660B1 (ko) | 2013-08-14 | 2015-02-02 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| US10141378B2 (en) | 2013-10-30 | 2018-11-27 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting device free of TFT and chiplet |
| US20150144928A1 (en) * | 2013-11-26 | 2015-05-28 | The Regents Of The University Of Michigan | BURIED GRID FOR OUTCOUPLING WAVEGUIDED LIGHT IN OLEDs |
| JPWO2015097971A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2017-03-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置 |
| TWI586012B (zh) * | 2014-01-02 | 2017-06-01 | 財團法人工業技術研究院 | 發光元件 |
| CN105810834B (zh) * | 2014-12-29 | 2018-02-27 | 固安翌光科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
| US10038167B2 (en) | 2015-01-08 | 2018-07-31 | The Regents Of The University Of Michigan | Thick-ETL OLEDs with sub-ITO grids with improved outcoupling |
| US11209412B2 (en) | 2015-02-16 | 2021-12-28 | The Regents Of The University Of California | Microbial microfluidic biosensor |
| CN104637988A (zh) * | 2015-03-11 | 2015-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示装置及其制备方法 |
| US10663745B2 (en) | 2016-06-09 | 2020-05-26 | 3M Innovative Properties Company | Optical system |
| US10847756B2 (en) * | 2017-02-20 | 2020-11-24 | Kateeva, Inc. | Inkjet printing systems and techniques for light-emitting devices with enhanced light outcoupling |
| CN107579166B (zh) * | 2017-08-31 | 2024-04-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板制作方法 |
| CN110518138B (zh) * | 2019-09-04 | 2021-12-07 | 淮阴工学院 | 一种像素结构有机发光二极管及其制备方法 |
| CN111312795B (zh) * | 2020-04-02 | 2022-10-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置、显示面板及其制作方法 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2838063B2 (ja) | 1995-09-20 | 1998-12-16 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US6091195A (en) * | 1997-02-03 | 2000-07-18 | The Trustees Of Princeton University | Displays having mesa pixel configuration |
| JP2000268980A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
| JP2003077680A (ja) | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Konica Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
| KR100581850B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2006-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치와 그 제조 방법 |
| JP4226835B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2009-02-18 | 三星エスディアイ株式会社 | 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置 |
| JP4350996B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2009-10-28 | 日東電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置 |
| US8704253B2 (en) * | 2003-03-25 | 2014-04-22 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting device and organic electroluminescence light-emitting device |
| JP4822243B2 (ja) | 2003-03-25 | 2011-11-24 | 国立大学法人京都大学 | 発光素子及び有機エレクトロルミネセンス発光素子 |
| JP2004363049A (ja) | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備える表示装置 |
| JP4195352B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2008-12-10 | 三星エスディアイ株式会社 | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 |
| JP5005164B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2012-08-22 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 発光素子，発光型表示装置及び照明装置 |
| JP2005327522A (ja) | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Nitto Denko Corp | エレクトロルミネッセンス素子と照明装置および表示装置 |
| US7579775B2 (en) | 2004-12-11 | 2009-08-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescence display device with improved external light coupling efficiency and method of manufacturing the same |
| JP4747626B2 (ja) | 2005-03-25 | 2011-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置 |
| KR100665219B1 (ko) * | 2005-07-14 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 파장변환형 발광다이오드 패키지 |
| JP2007080579A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Toyota Industries Corp | 面発光装置 |
| JP2007095326A (ja) | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| JP2007129010A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2007141736A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
| EP1830421A3 (en) | 2006-03-03 | 2012-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, manufacturing method of light emitting device, and sheet-like sealing material |
| US7524746B2 (en) | 2006-03-13 | 2009-04-28 | Evident Technologies, Inc. | High-refractive index materials comprising semiconductor nanocrystal compositions, methods of making same, and applications therefor |
| JP2007258113A (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 発光装置 |
| JP2008060038A (ja) | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機発光デバイス |
| JP2008108439A (ja) | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Nec Lighting Ltd | 電界発光素子および電界発光パネル |
| JP2008112592A (ja) | 2006-10-28 | 2008-05-15 | Aitesu:Kk | 微細構造を持つ有機ｅｌ素子 |
| KR101182462B1 (ko) * | 2008-09-25 | 2012-09-12 | 주식회사 엘지화학 | 고효율 유기발광소자 및 이의 제조 방법 |
| KR101068505B1 (ko) | 2011-05-17 | 2011-09-28 | 박은숙 | 리드와이어 성형장치 |
-
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2011
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-
2013
- 2013-11-25 JP JP2013242980A patent/JP2014060170A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8993994B2 (en) | 2011-06-30 | 2015-03-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Light-emitting device and organic light emitting display apparatus including the same |
| US8710496B2 (en) | 2012-04-05 | 2014-04-29 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Organic light emitting diode device and fabrication method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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