KR20100023769A - 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법 - Google Patents

배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법 Download PDF

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카즈나리 쿠리타
슈이치 오모테
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가부시키가이샤 사무코
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Abstract

본 발명은 전면부에 형성된 광전 변환 디바이스 및 전하 전송 트랜지스터 및 배면부에 수광면을 갖는 복수의 픽셀을 포함하는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법에 있어서, 소정의 에피택셜막으로 제조된 활성층을 C-함유 CZ 결정으로 제조된 실리콘 웨이퍼 상에 직접 또는 절연막을 통해 형성시키고, 다음에 활성층 바로 아래의 위치에 게터링 싱크로서 C 및 O를 함유한 석출물을 형성시키기 위해 열처리를 수행함을 특징으로 하는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다.
촬상 소자용 웨이퍼

Description

배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING WAFER FOR BACKSIDE ILLUMINATION TYPE SOLID IMAGING DEVICE}
본 발명은 실리콘 기판, 이의 제조 방법 및 상기 기판을 사용한 디바이스에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 이동 전화, 디지털 비디오 카메라 등에 사용되고 효율적으로 백색 결함(white defect)을 억제할 수 있는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체를 사용한 고성능 고체 촬상 소자가 이동 전화, 디지털 비디오 카메라 등에 장착됨으로 인해, 픽셀의 수 등과 같은 성능이 놀랄 만큼 개선되었다. 통상의 고체 촬상 소자에서 예측되는 기능으로서는 고화질 픽셀 및 동영상 촬영 능력이 있으며, 추가적으로 소형화가 요구된다. 동영상을 촬영하기 위해서는, 고속 컴퓨팅 디바이스 및 메모리 디바이스가 조합될 필요가 있고, 따라서 시스템 온 칩(SoC)에 용이하게 허용되는 CMOS 이미지 센서가 사용되고 상기 CMOS 이미지 센서의 축소화가 진행되었다.
그러나, CMOS 이미지 센서를 축소하게 되면 광전 변환 디바이스(photoelectric conversion device)로서 포토 다이오드의 개구율(aperture ratio)을 필연적으로 감소시켜 광전 변환 디바이스의 양자 효율이 저하되고, 이는 이미지화된 데이터의 S/N 비율의 개선을 어렵게 하는 문제점을 초래한다. 따라서, 광전 변환 디바이스, 등의 전면부 내로 내부 렌즈를 삽입함에 의해 입사광량을 증가시키는 방법이 시도되었다. 그러나, S/N 비율의 현저한 개선은 실현될 수 없었다.
따라서, 입사광량을 증가시켜 이미지 데이터의 S/N 비율을 개선하기 위해, 광전 변환 디바이스의 배면으로부터 입사광을 공급하는 방식이 시도되었다. 디바이스의 배면으로부터 광을 입사하는 방식의 가장 큰 이점은 전면부로부터의 광 입사 방식과 비교하여 디바이스 표면의 반사 또는 회절에 기인하는 제한 또는 디바이스의 광 수신 영역이 제거된다는 점에 있다. 반면에, 광이 배면으로부터 들어오는 경우, 광전 변환 디바이스의 기판인 실리콘 웨이퍼를 통한 광의 흡수가 억제되어야 하므로 고체 촬상 소자의 전체 두께는 50 μm 이하가 될 필요가 있다. 결과적으로, 고체 촬상 소자의 작업 및 취급이 어려워지고, 생산성이 극도로 낮아지는 문제점을 초래한다.
예를 들어, JP-A-2007-13089 및 JP-A-2007-59755에 공개된 바와 같이 상술한 기술적 문제를 해결할 목적으로 언급된 고체 촬상 소자가 있다.
JP-A-2007-13089에 기재된 고체 촬상 소자의 제조 방법을 사용하는 경우, 전극을 조명된 표면과 마주보는 표면으로부터 상대적으로 간단하고 용이하게 빼낼 수 있는 구조를 갖는 배면조사형 CMOS 고체 촬상 소자를 제조할 수 있다.
반면에, JP-A-2007-59755에 기재된 고체 촬상 소자의 제조 방법을 사용하는 경우, 높은 정밀도를 갖는 박막 고체 촬상 소자를 제조할 수 있다.
그러나, JP-A-2007-13089 및 JP-A-2007-59755의 고체 촬상 소자는, 기판(웨이퍼)의 게터링 능력이 낮으므로, 제조 공정에서 백색 결함을 발생시키고 중금속 오염을 일으키는 문제가 있다. 따라서, 배면조사형 고체 촬상 소자를 실용적으로 바꾸기 위해서는 이들 문제점들을 해결할 필요가 있다.
상술한 문제점들을 해결하기 위한 제조 방법으로써 언급된 고체 촬상 장치의 제조 방법이 있다. 예를 들어, JP-A-2002-353434에서는 매립된(buried) 게터링 싱크(gettering sink)층을 형성하기 위해 탄소 등과 같은 성분이 실리콘 기판 내로 도입되고, 결정성장층을 형성하기 위해 실리콘이 실리콘 기판의 전면(front surface)에 결정-성장되고, 외부 게터링 싱크층을 형성하는 경우보다 낮은 온도에서 결정성장층 및 이의 상부층에서 고체 촬상 소자를 형성하기 위해 인(phosphorus) 등과 같은 성분이 실리콘 기판의 배면으로 도입된다.
그러나, JP-A-2002-353434에서 기재된 제조 방법에서는, 매립된 게터링 싱크층의 형성 후에 실리콘 기판이 열처리되는 경우, 탄소 주입에 의해 형성된 결정 결함(crystal defects)이 매립된 게터링 싱크층의 기능이 저하되도록 경감되고, 후에 중금속(들)으로 오염될 우려가 있다. 따라서, 게터링 싱크의 형성은 고체 촬상 소자의 제조 공정 단계 바로 이전에 수행되어야 할 것으로 예측된다.
발명의 요약
따라서, 본 발명의 목적은 전면부에 광전 변환 디바이스 및 전하 전송 트랜지스터 및 배면부에 수광면(light receiving surface)을 갖는 복수의 픽셀을 포함하며, 백색 결함의 발생 및 중금속 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 요약 및 구성은 아래와 같다.
(1) 전면부에 형성된 광전 변환 디바이스 및 전하 전송 트랜지스터 및 배면부에 수광면을 갖는 복수의 픽셀을 포함하는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법에 있어서, 소정의 에피택셜막으로 제조된 활성층을 C-함유 CZ 결정으로 제조된 실리콘 웨이퍼 상에 직접 또는 절연막을 통해 형성시키고, 다음에 활성층 바로 아래의 위치에 게터링 싱크로서 C 및 O를 함유한 석출물을 형성시키기 위해 열처리를 수행함을 특징으로 하는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
(2) (1)항에 있어서, 상기 석출물이 5.0×1015 내지 1.0×1017 atoms/cm3의 C 농도를 갖는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
(3) (1)항에 있어서, 상기 석출물이 1.0×1018 내지 1.0×1019 atoms/cm3의 O 농도를 갖는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
(4) (1)항에 있어서, 상기 열처리가 600 내지 1000℃에서 질소 기체 및 산소 기체의 혼합된 기체 대기(atmosphere)하에 수행되는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
(5) (1)항에 있어서, 상기 열처리가, 5℃/분 이하의 속도에서 900 내지 1100℃로 가열하고, 1-4시간 동안 900 내지 1100℃의 상태를 유지하고, 다음에 5℃/분 이하의 속도에서 600℃ 이하로 냉각함에 의해 수행되는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 백색 결함의 발생 및 중금속 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법을 제공할 수 있다.
발명의 상세한 설명
본 발명에 따른 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법을 도면을 참조로 하여 설명한다. 도 1(a) 내지 (c)는 본 발명에 따른 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다. 도 2는 본 발명에 따른 제조 단계에 의해 제조된 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼를 사용한 배면조사형 고체 촬상 소자의 개략적인 단면도이다.
본 발명에 따른 제조 방법은 도 2에서 보여주는 바와 같이 전면부(30a)에 광전 변환 디바이스(50) 및 전하 전송 트랜지스터(60) 및 배면부(20a)에 수광면을 갖는 복수의 픽셀(70)을 포함하는 배면조사형 고체 촬상 소자(100)에 사용되는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법이다.
도 1(a) 내지 (c)에서 보여주는 바와 같이, 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼(10)의 제조 방법은 소정의 에피택셜막(도 1(b))으로 제조된 활성층(30)을 C-함유 CZ 결정(도 1(a))으로 제조된 실리콘 웨이퍼(20) 상에 직접 또는 절연막(도 1에 직접)을 통해 형성시키고, 다음에 활성층(도 1(c)) 바로 아래의 위치에 게터링 싱크로서 C 및 O를 함유한 석출물(40)을 형성시키기 위해 열처리를 수행함을 특징으로 한다.
채택된 이러한 구조에 의해, 웨이퍼(10)가 배면조사형 고체 촬상 소자(100)에 사용되는 경우, 종래의 촬상 소자와 비교하여 백색 결함의 발생 및 중금속 오염이 효과적으로 억제될 수 있도록, 고체 촬상 소자의 제조에 있어 열처리 단계에서 활성층 바로 아래에 형성된 C 및 O를 함유한 석출물(40)이 게터링 사이트로서 활성화될 수 있다. 또한, 석출물(40)이 에피택셜막(30)의 성장 후에 형성되기 때문에 순차적 열처리에 의한 결정 결함의 경감으로 인한 게터링 능력의 저하(석출물(40)의 소멸)를 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼(10) 내의 구성 요소를 아래에서 설명한다.
본 발명에 따른 지지 기판(20)은 상기 게터링 효과를 개선하기 위해 소정의 C의 양을 함유할 필요가 있다. 다른 조건이 특별히 제한되지 않기 때문에, 웨이퍼는 n-타입 웨이퍼 또는 p-타입 웨이퍼가 될 수 있다.
또한, 실리콘 웨이퍼(20)에서 C 농도는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 1.0 ×1016 내지 1.0×1017 atoms/cm3의 범위를 갖는 것이 바람직하다. C 농도가 1.0×1016 atoms/cm3 미만인 경우, 후술하는 바와 같이 게터링 싱크로서 작용하는 석출물(40)이 충분히 형성될 수 없으며, 따라서 백색 결함의 발생 및 중금속 오염이 충분히 억제될 수 없음이 염려되고, 반면에 1.0×1017 atoms/cm3 초과인 경우, 석출물(40)의 크기가 50 nm 미만이므로 중금속을 게터링할 수 있는 스트레인 에너지가 유지될 수 없음이 염려된다.
또한, 도 2에서 보여주는 바와 같이 본 발명에 따른 웨이퍼(10)가 배면조사형 고체 촬상 소자(100)에 사용되는 경우, 실리콘 웨이퍼(20)는 두께가 20 μm 이하가 될 때까지 가공될 수 있다. 통상의 배면조사형 고체 촬상 소자에 사용되는 웨이퍼에서 지지 기판의 두께는 40 내지 150 μm인 반면, 본 발명에서는 두꺼운 막 SOI 구조가 사용되기 때문에 상기 두께가 20 μm 이하로 될 수 있다.
또한, 실리콘 웨이퍼(20)는 CZ 결정으로 구성되는데, 왜냐하면 적은 결함을 갖는 실리콘 단결정이 쉽게 얻어질 수 있기 때문이다. 실리콘 웨이퍼(20) 내로 소정의 양의 C를 함유시키는 방법으로써, 실리콘 기판 내로 C 원자를 도핑하는 방법, 이온 주입 등의 방법이 있으며, 이에 의해 실리콘 웨이퍼(20) 내로 C 원자를 포함시킬 수 있다.
도 1(b)에서 보여주는 바와 같이, 결함이 적고 우수한 품질을 갖는 활성층(30)이 상대적으로 쉽게 얻어질 수 있다는 관점에서, 본 발명에 따른 활성층(30)은 실리콘 웨이퍼(20) 상에 형성된 층이며, 소정의 에피택셜막으로 제조된다. 또 한, 에피택셜막으로 제조된 활성층(30)은 도 1(b)에서 보여주는 바와 같이 실리콘 웨이퍼(20) 상에 직접 형성되거나 절연막을 통해 형성된다.
본 발명에 따른 C 및 O를 함유한 석출물(40)은 도 1(c)에서 보여주는 바와 같이 활성층(30)의 바로 아래에 형성되는 C 및 O를 함유한 산소 석출물이며, 게터링 싱크의 역할을 한다. 게터링 싱크로서의 기능 때문에 석출물(40)은 백색 결함의 발생 및 중금속 오염을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, O 원자의 함유는 활성층 내로의 C 원자의 분산을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 여기서 사용된 용어 "C 함유"가 5.0×1015 atoms/cm3 이상의 C 농도를 의미하고 용어 "O 함유"가 1.0×1017 atoms/cm3 이상의 O 농도를 의미하도록, C 및 O 원자는 실리콘 웨이퍼 내로 필연적으로 포함된다.
또한, 석출물(40)에서 C 농도는 5.0×1015 내지 1.0×1017 atoms/cm3의 범위가 되는 것이 바람직하다. C 농도가 5.0×1015 atoms/cm3 미만인 경우, 게터링 능력이 충분히 개선될 수 없으며 백색 결함의 발생 및 중금속 오염이 충분히 억제될 수 없음이 염려되고, 반면에 1.0×1017 atoms/cm3 초과인 경우, 석출물(40)의 크기가 50 nm 미만이므로 중금속을 게터링할 수 있는 스트레인 에너지가 유지될 수 없음이 염려된다.
또한, 석출물(40)에서 O 농도는 1.0×1018 내지 1.0×1019 atoms/cm3의 범위가 되는 것이 바람직하다. O 농도가 1.0×1018 atoms/cm3 미만인 경우, 산소 석출물의 촉진이 충분하지 않고, 게터링 능력이 부족하며, 반면에 1.0×1019 atoms/cm3 초과인 경우, 산소 석출물이 과도해지고 이는 결함을 유도한다.
또한, 석출물(40)은 에피택셜막으로 제조된 활성층(30)이 C 함유 실리콘 웨이퍼(20) 상에 형성된 후 소정의 열처리에 의해 형성된다. 이 경우, 웨이퍼(20) 내에 함유된 C 원자는 산소 함유 물질의 석출을 촉진하기 위해 실리콘 격자 사이의 위치로 인입되고, C 및 O를 포함하는 석출물(40)의 형성이라는 결과를 낳는다.
추가로, 소정의 열처리는 600 내지 1000℃에서 질소 기체 및 산소 기체의 혼합된 기체 대기하에 수행되는 것이 바람직하다. 탄소가 첨가된 결정에서 산소 석출이 상기 온도 범위에서 촉진되기 때문이다.
또한, 소정의 열처리는 5℃/분 이하의 속도에서 900 내지 1100℃로 가열하고, 1-4시간 동안 900 내지 1100℃의 상태를 유지하고, 다음에 5℃/분 이하의 속도에서 600℃ 이하로 냉각함에 의해 수행되는 것이 바람직하다. 5℃/분 이하의 속도에서 900 내지 1100℃로 가열하는 것이 산소 석출핵의 형성을 촉진하기 위한 바람직한 온도범위이기 때문에, 가열 온도가 900℃ 미만이면 산소 석출핵의 형성이 억제되고, 반면에 1100℃ 초과이면 산소 석출핵이 단지 임계적 크기에서만 성장을 유지하므로, 고밀도 석출물의 성장이 억제된다. 또한, 고온 상태(900 내지 1100℃)를 1-4 시간 동안 유지하는 이유는, 유지 시간이 1시간 미만인 경우 산소 석출핵의 성장이 충분하지 않고, 반면에 4시간을 초과하는 경우 산소 석출핵의 과도한 성장 이 우려되기 때문이다. 또한, 5℃/분 이하의 속도에서 600℃ 이하로 냉각하는 이유는 온도가 600℃를 초과하는 경우 산소 석출물의 과도한 성장을 초래할 우려가 있기 때문이다.
더욱이, 도 2에서 보여주는 바와 같이, 이미지 데이터를 전송하기 위해 매립된 전극(보여지지 않음)이 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼(10)를 포함하는 픽셀(70)과 연결될 때, 배면조사형 고체 촬상 소자(100)가 제조될 수 있다. 본 발명에 따른 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼(10)의 게터링 효과에 의해, 통상적인 배면조사형 고체 촬상 소자와 비교하여 백색 결함의 발생 및 중금속 오염을 억제하는 능력이 우수한 배면조사형 고체 촬상 소자(100)가 제공될 수 있다. 도 2에서, 매립된 배선(61)이 전하 전송 트랜지스터(60)에 배치되고, 또한 기판(80)이 픽셀(70)에 대한 베이스로서 배열된다.
비록 본 발명의 단지 한 구체예에 관하여 상술한 내용이 기재되었지만, 첨부된 청구항의 영역을 벗어나지 않은 채 다양한 변형이 이루어질 수 있다.
본 발명에 따르면, 백색 결함의 발생 및 중금속 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법이 제공될 수 있으며, 또한 웨이퍼의 게터링 효과에 의해 통상적인 배면조사형 고체 촬상 소자와 비교하여 백색 결함의 발생 및 중금속 오염을 억제하는 능력이 우수한 배면조사형 고체 촬상 소자를 제공하도록 할 수 있다.
본 발명에 따른 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼는 아래에 기재된 것처럼 시편으로서 제조되고 그 성능이 평가될 수 있다.
(실시예 1)
도 1에서 보여주는 바와 같이, Si의 에피택셜막을 활성층(30)(도 1(b))으로서 CVD 방법을 통해 C-함유 n-타입 실리콘(C 농도: 1.0×1016 atoms/cm3, 고유 저항: 10 Ω·cm)(도 1(a))으로 제조된 실리콘 웨이퍼(20) 상에 형성시켰다. 다음에 활성층(30)이 제공된 실리콘 웨이퍼(20)를 질소 및 산소의 혼합된 기체 대기하에 5℃/분 이하의 속도에서 900 내지 1000℃로 가열하고, 4시간 동안 900 내지 1000℃의 상태를 유지시키고, 다음에 5℃/분 이하의 속도에서 600℃ 이하로 냉각시켰고, 이에 의해 시편으로서 3.0×1016 atoms/cm3의 C 농도 및 1.4×1018 atoms/cm3의 O 농도를 갖는 석출물(40)을 고체 촬상 소자용 웨이퍼(10)를 얻기 위해 활성층(30) 바로 아래의 위치(활성층으로부터 약 10 μm의 깊이)(도 1(c))에 형성시켰다.
(비교 실시예 1)
CVD 방법을 통해 Si의 에피택셜막이 실리콘 웨이퍼(20)(C를 함유하지 않음)(도 1(a)) 상의 활성층(30)으로써 형성된 점을 제외하고는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼(10)가 실시예 1과 동일한 조건하에서 얻어졌다.
(비교 실시예 2)
1.0×1015 atoms/cm3의 C 농도 및 5.0×1016 atoms/cm3의 O 농도를 갖는 웨이퍼(10)(본 발명에 따른 C 및 O를 함유한 석출물이 형성되지 않음)을 제조하기 위해 활성층(30)이 제공된 실리콘 웨이퍼(20)를 질소의 기체 대기하에 5℃/분 이하의 속도에서 1000℃까지 가열하고, 4시간 동안 상기 온도에서 유지시키고, 다음에 5℃/분 이하의 속도에서 600℃로 냉각시킨 점을 제외하고는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼(10)가 실시예 1과 동일한 조건하에서 얻어졌다.
(평가 방법)
상기 실시예 및 비교 실시예에서 제조된 각 시편을 아래의 평가 방법에 의해 평가하였다.
(1) 백색 결함
배면조사형 고체 촬상 소자는 상기 실시예 및 비교 실시예에서 제조된 각 시편을 사용하여 제조하였고, 이후 배면조사형 고체 촬상 소자에서 포토다이오드의 암누설 전류(dark leakage current)를 측정하고 반도체 파라미터 분석 장치로 픽셀 데이터(백색 결함 갯수의 데이터)로 전환하여, 이에 의해 단위 면적(cm2) 당 백색 결함의 갯수를 카운트하고 백색 결함의 발생의 억제 정도를 평가하였다. 평가의 기준을 아래에 나타내었으며 측정 결과 및 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
◎: 5개 이하
○: 5개 초과 내지 50개 이하
×: 50개 초과
(2) 중금속 오염
시편의 표면상의 결함 밀도(결함 갯수/cm2)를 스핀코트 오염법(spin coat soiling method)에 의한 니켈(1.0×1012 atoms/cm2)로의 시편 표면 오염에 의해 측정하고 이후 900℃에서 1시간 동안 열처리를 수행하고, 다음에 시편의 표면을 선택적으로 에칭하였다. 평가의 기준을 아래에 나타내었으며 측정 결과 및 평가 결과를 표 1에 나타내었다.
◎: 5개 이하
○: 5개 초과 내지 50개 이하
×: 50개 초과
표 1
Figure 112009051199413-PAT00001
표 1의 결과에서 보여주는 바와 같이, 실시예 1은 비교 실시예 1 및 2에 비해 백색 결함의 발생 및 중금속 오염을 억제할 수 있으며 우수한 게터링 능력을 갖는다.
본 발명은 아래의 첨부된 도면을 참조로 설명된다.
도 1은 본 발명에 따른 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 단계들을 개략적으로 예시한 플로우 차트이고, 여기서 (a)는 실리콘 웨이퍼를 보여주며, (b)는 이의 위에 형성된 활성층을 갖는 웨이퍼를 보여주며, (c)는 활성층 바로 아래의 위치에 형성된 C 및 O를 함유한 석출물을 갖는 본 발명에 따른 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼를 보여준다.
도 2는 본 발명의 배면조사형 고체 촬상 소자의 개략적인 단면도이다.

Claims (5)

  1. 전면부에 형성된 광전 변환 디바이스 및 전하 전송 트랜지스터 및 배면부에 수광면을 갖는 복수의 픽셀을 포함하는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법에 있어서, 소정의 에피택셜막으로 제조된 활성층을 C-함유 CZ 결정으로 제조된 실리콘 웨이퍼 상에 직접 또는 절연막을 통해 형성시키고, 다음에 활성층 바로 아래의 위치에 게터링 싱크로서 C 및 O를 함유한 석출물을 형성시키기 위해 열처리를 수행함을 특징으로 하는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 석출물이 5.0×1015 내지 1.0×1017 atoms/cm3의 C 농도를 갖는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 석출물이 1.0×1018 내지 1.0×1019 atoms/cm3의 O 농도를 갖는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 열처리가 600 내지 1000℃에서 질소 기체 및 산소 기체의 혼합된 기체 대기(atmosphere)하에 수행되는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 열처리가, 5℃/분 이하의 속도에서 900 내지 1100℃로 가열하고, 1-4시간 동안 900 내지 1100℃의 상태를 유지하고, 다음에 5℃/분 이하의 속도에서 600℃ 이하로 냉각함에 의해 수행되는 배면조사형 고체 촬상 소자용 웨이퍼의 제조 방법.
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