KR20100019522A - 태양 전지를 제조하기 위한 보호층 - Google Patents
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Abstract
태양 전지를 제조하기 위한 방법이 기술된다. 본 방법은 우선 공정 챔버 내에 수광 표면을 갖는 기판을 제공하는 것을 포함한다. 그 다음에 공정 챔버 내에서 기판의 수광 표면 위에 반사방지 코팅(anti-reflective coating; ARC) 층이 형성된다. 마지막으로, 공정 챔버로부터 기판을 제거하지 않고, ARC 층 위에 보호층이 형성된다.
태양 전지, 공정 챔버, 수광 표면, 반사방지 코팅(ARC) 층, 보호층
Description
<관련 출원의 교차 참조>
본 출원은 2007년 5월 17일에 출원된 미국 특허 가출원 제60/930,800호의 이익을 주장하며, 그 전체 내용이 본 명세서에 참고로서 포함되어 있다.
<기술 분야>
본 발명의 실시예들은 반도체 제조, 특히, 태양 전지 제조 분야에 관한 것이다.
태양 전지로 통상 알려져 있는 광전지 셀들은 태양 복사를 전기 에너지로 직접 변환하기 위한 장치로서 잘 알려져 있다. 일반적으로, 태양 전지들은 기판의 표면 근처에 p-n 접합을 형성하기 위해 반도체 프로세싱 기술들을 이용하여 반도체 웨이퍼 또는 기판 위에 제조된다. 기판의 표면에 부딪히는 태양 복사는 기판의 벌크에 전자와 정공 쌍들을 생성하며, 이들은 기판의 p-도핑 영역 및 n-도핑 영역으로 침투함으로써, 도핑 영역들 간의 전위 차를 발생시킨다. 도핑 영역들은 태양 전지 상의 금속 컨택트들에 연결되어 전지로부터의 전류를 그에 연결된 외부 회로로 향하게 한다.
통상적으로, 복사를 수신하기 위한 태양 전지의 표면은 반사방지 재료의 층 또는 코팅으로 텍스처링되거나 및/또는 피복되어 광의 반사를 감소시킴으로써, 태양 전지의 효율을 증가시킨다. 이러한 태양 전지의 제조, 특히 p-n 접합 및 그것에의 컨택트들의 형성은, 다수의 상이한 재료층들의 퇴적, 도핑 및 에칭을 포함하는 다수의 복잡한 프로세스 단계들을 수반한다. 이 프로세스 단계들은 제어되는 환경 조건 하에서 다수의 상이한 프로세싱 툴을 이용하여 낮은 편차 허용치를 갖고 행해지거나 수행된다.
따라서, 필요한 별도의 단계들의 수를 감소시킴으로써, 태양 전지를 제조하는 시간 및 비용을 감소시키는 태양 전지의 제조를 위한 간략화된 프로세스에 대한 필요성이 존재한다. 본 방법은 하나 이상의 프로세싱 툴들에 대한 요구를 완전히 제거함으로써, 태양 전지들을 제조하는 비용을 더욱 감소시킨다는 점에서 더욱 바람직하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라, 태양 전지를 제조하는 방법에서의 일련의 동작들을 나타내는 흐름도를 도시한다.
도 2A는 본 발명의 일 실시예에 따라, 도 1의 흐름도에서 동작(102)에 대응하는 기판의 단면도를 도시한다.
도 2B는 본 발명의 일 실시예에 따라, 도 1의 흐름도에서 동작(104)에 대응하는, 반사방지 코팅(anti-reflective coating;ARC) 층이 그 위에 형성된 기판의 단면도를 도시한다.
도 2C는 본 발명의 일 실시예에 따라, 도 1의 흐름도에서 동작(106)에 대응하는, 보호층이 그 위에 형성된 기판의 단면도를 도시한다.
도 2D는 본 발명의 일 실시예에 따라, 마스크층이 그 위에 형성된 기판의 단면도를 도시한다.
도 2E는 본 발명의 일 실시예에 따라, 복수의 컨택트 개구부들이 그위에 형성된 기판의 단면도를 도시한다.
도 2F는 본 발명의 일 실시예에 따라, 보호층과 마스크층이 제거된 기판의 단면도를 도시한다.
도 2G는 본 발명의 일 실시예에 따라, 복수의 컨택트 개구부에 형성된 복수의 컨택트를 갖는 기판의 단면도를 도시한다.
태양 전지를 제조하는 방법들이 본 명세서에 기술된다. 이하의 설명에서는, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위하여, 특정 치수들과 같은 수치의 특정 세부사항이 기술된다. 본 기술 분야의 당업자들에게는 본 발명이 이러한 특정한 세부사항 없이도 구현될 수 있다는 것이 명백할 것이다. 다른 예들에 있어서, 패터닝 단계들과 같은 잘 알려진 프로세싱 단계들에 대해서는, 본 발명을 불필요하게 이해하기 어렵지 않게 하기 위하여 상세하게 기술되지 않는다. 또한, 도면들에 도시된 다양한 실시예들은 예시적인 표현들이며 반드시 일정한 비율로 도시되지 않는다는 점이 이해되어야 한다.
태양 전지를 제조하기 위한 방법이 본 명세서에 개시된다. 수광 표면을 갖는 기판이 공정 챔버에 제공될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 공정 챔버에서 기판의 수광 표면 위에 반사방지 코팅(ARC) 층이 그 다음에 형성된다. 마지막으로, 공정 챔버로부터 기판을 제거하지 않고, 그 다음에 ARC층 위에 보호층(또한 에치 마스크로도 알려짐)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 보호층은 비정질 탄소를 포함한다. 다른 실시예에서, 보호층은 비정질 실리콘을 포함한다.
ARC 층 상의 보호층의 형성은 태양 전지의 제조에 있어서 다양한 프로세스 동작들 중에 ARC 층의 보존을 가능하게 할 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 일 실시예에 따라, 태양 전지 기판을 BOE(buffered oxide etch)에 노출시키는 중에 태양 전지 기판 상에 배치된 ARC 층의 무결성을 유지하기 위해, 보호층이 사용된다. 완벽한 태양 전지를 제조하는데 필요한 프로세싱 단계들의 수를 감소시키기 위해, ARC 층과 동일한 프로세스 툴에서 보호층이 제조될 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 일 실시예에 따라, 공정 챔버에서 태양 전지 기판 상에 ARC 층이 먼저 형성된다. 그 다음에, 공정 챔버로부터 기판을 제거하지 않고, 보호층이 ARC 층 위에 형성된다.
태양 전지를 제조할 때 보호층이 이용될 수 있다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라, 태양 전지를 제조하는 방법에서의 일련의 동작들을 나타내는 흐름도(100)를 도시한다. 도 2A-2G는 본 발명의 일 실시예에 따라, 태양 전지의 제조 시의 동작들을 나타내는 단면도를 도시한다.
도 2A는 본 발명의 일 실시예에 따라, 흐름도(100)에서 동작(102)에 대응하는 기판의 단면도를 도시한다. 흐름도(100)의 동작(102) 및 대응하는 도 2A를 참조하면, 수광 표면을 갖는 기판이 공정 챔버에 제공된다.
도 2A를 참조하면, 기판(200)은 수광 표면(202) 및 후면(back surface)(204)을 갖는다. 일 실시예에서, 수광 표면(202)은 도 2A에 도시된 바와 같이 텍스처링되어 태양 복사 수집 효율 중에 바람직하지 않은 반사를 경감시킨다. 기판(200)의 후면(204)에 복수의 액티브 영역(206)이 형성된다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 복수의 액티브 영역(206)은 도 2A에 도시된 바와 같이, 교차하는 N+ 및 P+ 영역들을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 기판(200)은 실리콘으로 구성되고, N+ 영역들은 인 도펀트 불술문 원자들을 포함하고 P+ 영역들은 붕소 도펀트 불순물 원자들을 포함한다. 유전체층(208)은 기판(200)의 후면(204) 상에 배치된다. 일 실시예에 있어서, 유전체층(208)은 실리콘 이산화물 등의 재료로 구성되며, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2B는 본 발명의 일 실시예에 따라, 흐름도(100)에서 동작(104)에 대응하는, 반사방지 코팅(ARC) 층이 그 위에 형성된 기판의 단면도를 도시한다. 흐름도(100)의 동작(104) 및 대응하는 도 2B를 참조하면, ARC 층이 공정 챔버 내의 기판(200)의 수광 표면(202) 위에 형성된다.
도 2B를 참조하면, 기판(200)의 수광 표면(202) 위에 그리고 그 수광 표면(202)과 등각으로 ARC 층(220)이 형성된다. 일 실시예에서, ARC 층(220)은 실리콘 질화물, 실리콘 이산화물 또는 티타늄 산화물 등의 재료로 구성되며, 이에 한정되는 것은 아니다. 특정 실시예에 있어서, ARC 층(220)은 수광 표면(202)에 바로 인접한 실리콘 이산화물 부분, 및 그 실리콘 이산화물 부분에 바로 인접한 실리콘 질화물 부분을 포함하는 다층 스택이다. ARC 층(220)은 도 2B에 도시된 바와 같이 수광 표면(202) 위에 등각층을 배치하기에 적합한 임의의 기술에 의해 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따라, ARC 층(220)의 적어도 일부는 화학 기상 증착법, 플라즈마 강화 화학 기상 증착법, 상압 화학 기상 증착법 또는 물리 기상 증착법 등의 기술에 의해 형성되지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 특정 실시예에 있어서, ARC 층(220)은 플라즈마 강화 화학 기상 증착 프로세스에 의해 퇴적된 실리콘 질화물로 구성되며 대략 10-100 나노미터의 범위의 두께로 형성된다.
도 2C는 본 발명의 일 실시예에 따라, 흐름도(100)에서 동작(106)에 대응하는, 보호층이 그 위에 형성된 기판의 단면도를 도시한다. 흐름도(100)의 동작(106) 및 대응하는 도 2C를 참조하면, 공정 챔버로부터 기판(200)을 제거하지 않고, ARC 층(220) 위에 보호층이 형성된다.
도 2C를 참조하면, ARC 층(220) 위에 그리고 그 ARC 층(220)과 등각으로 보호층(230)이 형성된다. 보호층(230)은 ARC 층(220)의 등각 커버리지(conformal coverage)를 제공하기에 적절한 재료로 구성되고 등각 커버리지를 제공하는데 적절한 기술에 의해 형성된다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 보호층(230)은 비정질 탄소로 구성된다. 일 실시예에 있어서, 보호층(230)은 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 프로판(C3H8), 에틸렌(C2H4) 또는 프로필렌(C3H6) 등이지만 이에 한정되지 않는 기체를 이용하여 기상 증착함으로써 형성된다. 일 실시예에서, 보호층(230)은, 아르곤(Ar), 질소(N2), 헬륨(He) 또는 수소(H2) 등이지만 이에 한정되지 않는 운반 기체에 의해 수송되는 톨루엔(C7H8) 등이지만 이에 한정되지 않는 액체 탄화수소 전구체를 이용하여 형성된다. 특정 실시예에 있어서, 보호층(230)은 비정질 탄소로 구성되고, 대략 섭씨 500도보다 낮은 온도에서, 더욱 바람직하게는 대략 섭씨 400도보다 낮은 온도에서 형성된다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 보호층(230)은 비정질 실리콘으로 구성된다. 일 실시예에서, 보호층(230)은 실란(SiH4) 기체 등이지만 이에 한정되지 않는 기체를 이용하여 기상 증착함으로써 형성된다. 보호층(230)은 ARC 층(220)의 핀홀 없는 커버리지를 제공하는데 적절하면서 후속 프로세싱 단계에서 제거하기에 충분히 용이한 두께로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 보호층(230)은 대략 1-30 나노미터의 범위의 두께로 형성된다. 특정 실시예에서, 보호층(230)은 BOE에 대해 저항력이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 보호층(230)은 ARC 층(220)의 형성 직후에 동일한 공정 챔버에서 형성된다. 예를 들면, 일 실시예에서, ARC 층(220)이 먼저 공정 챔버에서 형성되고, 그 다음에 공정 챔버로부터 기판(200)을 제거하지 않고 ARC 층(220) 위에 보호층(230)이 형성된다. 따라서, 본 발명의 실시예에서는, 태양 전지를 제조하기 위한 통합 방식에서 적어도 하나의 완전한 프로세스 단계가 제거된다. 일 실시예에서, ARC 층(220) 및 보호층(230)은 화학 기상 증착법, 플라즈마 강화 화학 기상 증착법, 상압 화학 기상 증착법 또는 물리 기상 증착법 등이지만 이에 한정되지 않는 동일한 기술에 의해 형성된다. 특정 실시예에서, ARC 층(220) 및 보호층(230)은, 공정 챔버에 적어도 제1 공정 기체 및 제2 공정 기체를 우선 유입하여 기판(200)의 수광 표면(202) 위에 ARC 층(220)을 형성함으로써 형성된다. 그 다음에, 공정 챔버로부터 기판(200)을 제거하지 않고, 적어도 제1 공정 기체이지만 제2 공정 기체는 아닌 기체를 유입시켜 ARC 층(220) 위에 보호층(230)을 형성한다. 특별한 실시예에서, ARC 층(220)은 실리콘 질화물, 실리콘 옥시나이트라이드 또는 탄소 도핑된 실리콘 산화물 등이지만 이에 한정되지 않는 재료로 구성되고, 보호층(230)은 비정질 실리콘으로 구성되고, 제1 공정 기체는 실란(SiH4)이며 제2 공정 기체는 암모니아(NH3)이다.
보호층(230)의 형성에 후속하여, 유전체층(208)을 패터닝하여 기판(200)의 후면(204)에서 복수의 액티브 영역(206)으로의 복수의 컨택트 개구부를 형성할 수 있다. 도 2D는 본 발명의 일 실시예에 따라, 마스크층이 그 위에 형성된 기판의 단면도를 도시한다. 도 2D를 참조하면, 마스크층(240)이 유전체층(208) 상에 배치된다. 일 실시예에서, 마스크층(240)의 패턴은 복수의 컨택트 개구부가 후속하여 형성될 위치를 결정한다. 일 실시예에서, 마스크층(240)은 유기 잉크 또는 유기 포토레지스트 등이지만 이에 한정되지 않는 재료로 이루어진다.
도 2E는 본 발명의 일 실시예에 따라, 복수의 컨택트 개구부들이 그위에 형성된 기판의 단면도를 도시한다. 도 2E를 참조하면, 복수의 컨택트 개구부(250)는 마스크층(240)에 의해 결정된 영역들 내의 유전체층(208)에 형성된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 복수의 컨택트 개구부(250)는 BOE를 이용하여 유전체층(208)을 에칭함으로써 형성된다. 일 실시예에서, 보호층(230)은 BOE를 이용하여 복수의 컨택트 개구부(250)를 형성하는 중에 ARC 층(220)을 보호한다. 특정 실시예에서, BOE는 플루오르화수소산(HF) 및 플루오르화 암모늄(NH4F)을 포함하는 수용액으로 이루어진다. 특별한 실시예에서, HF:NH4F 비는 대략 1:4 - 1:10의 범위에 있으며 BOE는 대략 섭씨 30-40도의 범위내의 온도에서 대략 3-10분 범위의 지속기간 동안 유전체층(208)에 도포된다.
도 2F는 본 발명의 일 실시예에 따라, 보호층과 마스크층이 제거된 기판의 단면도를 도시한다. 도 2F를 참조하면, 보호층(230)이 제거되어 ARC 층(220)의 상부 표면이 재노출되고 마스크층(240)이 제거되어 유전체층(208)의 상부 표면이 재노출된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 보호층(230)은 복수의 컨택트 개구부(250)를 형성하기 위해 단지 유전체층(208)의 패터닝의 전체에 걸쳐 유지될 필요가 있다. 일 실시예에서, 보호층(230) 및 마스크층(240)은 동일한 프로세스 단계에서 제거된다. 예를 들면, 특정 실시예에서, 보호층(230)은 비정질 탄소로 구성되고 황산(H2SO4) 및 과산화수소(H2O2)를 포함하고 10-30초 범위의 기간동안 도포되는 습식 식각액을 이용하여 제거된다. 다른 특정 실시예에서, 보호층(230)은 비정질 실리콘으로 구성되고 수산화칼륨(KOH) 및 물을 포함하는 습식 식각액으로서 비정질 실리콘 보호층을 완전히 제거하기에는 충분히 길지만 기판(200)의 후면(204)의 노출된 부분으로부터 실리콘의 임의의 해로운 손실을 경감시키기에는 충분히 짧은 기간동안 도포되는 습식 식각액을 이용하여 제거된다. 특별한 실시예에서, 기판(200)의 후면(204)의 노출된 부분으로부터의 실리콘의 손실은 대략 10 나노미터 보다 작아지도록 목표로 삼아진다.
도 2G는 본 발명의 일 실시예에 따라, 복수의 컨택트 개구부에 형성된 복수의 컨택트를 갖는 기판의 단면도를 도시한다. 도 2G를 참조하면, 복수의 컨택트(260)는 복수의 컨택트 개구부(250) 내로 금속 함유 재료를 퇴적함으로써 형성된다. 일 실시예에서, 금속 함유 재료는 알루미늄, 은, 팔라듐 또는 이들의 합금 등이지만 이에 한정되지 않는 금속으로 이루어진다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 후면 컨택트 태양 전지(290)가 이와 같이 형성된다.
이와 같이, 태양 전지를 제조하는 방법이 개시되었다. 본 발명의 실시예에 따라, 수광 표면을 갖는 기판이 공정 챔버에 제공된다. 그 다음에 공정 챔버 내에서 기판의 수광 표면 위에 ARC 층이 형성된다. 마지막으로, 공정 챔버로부터 기판을 제거하지 않고, 보호층이 ARC 층 위에 형성된다. 일 실시예에서, 보호층은 비정질 탄소를 포함한다. 다른 실시예에서, 보호층은 비정질 실리콘을 포함한다.
이전 또는 종래의 전지들 및 방법들에 비해 본 발명의 태양 전지를 제조하는 방법의 이점은, (ⅰ) ARC 층을 위한 보호층을 형성하기 위해 전용 툴에 대한 필요성을 제거하는 것에 의해 태양 전지를 제조하는 비용에서의 실질적인 절약, (ⅱ) ARC 층 및 보호층 퇴적 단계들의 결합에 의해 태양 전지들을 제조하는데 필요한 시간의 현저한 감소, 및 (ⅲ) ARC 층을 형성하는데 이용되는 것과 동일한 공정 챔버 내에서 보호층을 퇴적함으로써 취득된 기판의 핸들링을 감소시킴으로써 개선된 수율을 포함할 수 있다.
Claims (20)
- 태양 전지를 제조하는 방법으로서,공정 챔버에 수광 표면을 갖는 기판을 제공하는 단계;상기 공정 챔버에서, 상기 기판의 수광 표면 위에 반사방지 코팅(ARC) 층을 형성하는 단계; 및상기 공정 챔버로부터 상기 기판을 제거하지 않고, 상기 ARC 층 위에 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 보호층은 비정질 탄소를 포함하는 태양 전지 제조 방법.
- 제2항에 있어서,상기 보호층은 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 프로판(C3H8), 에틸렌(C2H4), 프로필렌(C3H6), 및 아르곤(Ar), 질소(N2), 헬륨(He) 및 수소(H2)로 이루어진 그룹에서 선택된 운반 기체에 의해 수송되는 액체 톨루엔(C7H8)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 기체를 이용하는 기상 증착법에 의해 형성되는 태양 전지 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 보호층은 비정질 실리콘을 포함하는 태양 전지 제조 방법.
- 제4항에 있어서,상기 보호층은 실란(SiH4) 기체를 이용하여 기상 증착법에 의해 형성되는 태양 전지 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 보호층은 대략 1-30 나노미터 범위의 두께로 형성되는 태양 전지 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 ARC 층 및 상기 보호층은 모두 화학 기상 증착법, 플라즈마 강화 화학 기상 증착법, 상압 화학 기상 증착법 및 물리 기상 증착법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 기술에 의해 형성되는 태양 전지 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 보호층은 BOE(buffered oxide etch)에 대해 저항력이 있는 태양 전지 제조 방법.
- 태양 전지를 제조하는 방법으로서,수광 표면, 및 복수의 액티브 영역을 갖는 제2 표면을 갖는 기판을 제공하는 단계;공정 챔버에, 상기 기판의 수광 표면 위에 반사방지 코팅(ARC) 층을 형성하는 단계;상기 공정 챔버로부터 상기 기판을 제거하지 않고, 상기 ARC 층 위에 보호층을 형성하는 단계;BOE(buffered oxide etch)를 이용하여 상기 기판의 제2 표면에서 상기 복수의 액티브 영역으로의 복수의 컨택트 개구부를 형성하는 단계 - 상기 보호층은 상기 복수의 컨택트 개구부의 형성 중에 상기 ARC 층을 보호함 - ;상기 보호층을 제거하는 단계; 및상기 복수의 컨택트 개구부 내에 복수의 컨택트를 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 보호층은 비정질 탄소를 포함하는 태양 전지 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 보호층은 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 프로판(C3H8), 에틸렌(C2H4), 프로필렌(C3H6), 및 아르곤(Ar), 질소(N2), 헬륨(He) 및 수소(H2)로 이루어진 그룹에서 선택된 운반 기체에 의해 수송되는 액체 톨루엔(C7H8)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 기체를 이용하는 기상 증착법에 의해 형성되는 태양 전지 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 보호층은 비정질 실리콘을 포함하는 태양 전지 제조 방법.
- 제12항에 있어서,상기 보호층은 실란(SiH4) 기체를 이용하여 기상 증착법에 의해 형성되는 태양 전지 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 보호층은 대략 1-30 나노미터 범위의 두께로 형성되는 태양 전지 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 ARC 층 및 상기 보호층은 모두 화학 기상 증착법, 플라즈마 강화 화학 기상 증착법, 상압 화학 기상 증착법 및 물리 기상 증착법으로 이루어진 그룹으로 부터 선택된 기술에 의해 형성되는 태양 전지 제조 방법.
- 태양 전지를 제조하는 방법으로서,공정 챔버에 수광 표면을 갖는 기판을 제공하는 단계;상기 공정 챔버에, 적어도 제1 공정 기체 및 제2 공정 기체를 유입하여 상기 기판의 수광 표면 위에 반사방지 코팅(ARC) 층을 형성하는 단계; 및상기 공정 챔버로부터 상기 기판을 제거하지 않고, 상기 공정 챔버에서, 상기 제2 공정 기체는 아닌 적어도 상기 제1 공정 기체를 유입하여 상기 ARC 층 위에 상기 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지 제조 방법.
- 제16항에 있어서,상기 보호층은 비정질 실리콘을 포함하고, 상기 ARC 층은 실리콘 질화물, 실리콘 옥시나이트라이드 및 탄소 도핑된 실리콘 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 재료를 포함하는 태양 전지 제조 방법.
- 제17항에 있어서,상기 제1 공정 기체는 실란(SiH4)이고 상기 제2 공정 기체는 암모니아(NH3)인 태양 전지 제조 방법.
- 제16항에 있어서,상기 보호층은 대략 1-30 나노미터 범위의 두께로 형성되는 태양 전지 제조 방법.
- 제16항에 있어서,상기 ARC 층 및 상기 보호층은 모두 화학 기상 증착법, 플라즈마 강화 화학 기상 증착법, 상압 화학 기상 증착법 및 물리 기상 증착법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 기술에 의해 형성되는 태양 전지 제조 방법.
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