KR20100009621A - 전력반도체 모듈을 구비하는 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 적어도 하나의 전력반도체 소자(20)를 구비하는 기판(2), 하우징(4), 적어도 하나의 전력반도체 소자(20)로부터의 폐열의 소산을 위한 열 싱크(3)를 포함하는 전력반도체 모듈(1)을 구비하는 장치 및 그 생산을 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 하우징(4)은 상기 기판(2)을 파지하기 위해 상기 열 싱크(3)에 대면하는 상기 하우징(4)의 하면(40) 상에 배치되는 컷아웃(41)을 구비한다. 상기 전력반도체 모듈(1)은 상기 하우징(4)의 하면(40) 상에서 리세스(42)와 결합함과 동시에 상기 하우징(4)의 하면(40)의 방향으로의 상기 기판(20)의 임의의 움직임을 제한하도록 설계되는 적어도 하나의 파지요소(5)를 구비한다.
전력반도체 모듈(Power semiconductor module), 열 싱크(Heat sink), 컷아웃(Cutout), 래칭 요부(Latching depression), 래칭 핑거(Latching finger)

Description

전력반도체 모듈을 구비하는 장치 및 그 제조방법{Arrangement having a power semiconductor module, and method for its production}
본 발명은 적어도 하나의 전력반도체 소자를 구비하는 기판, 하우징, 적어도 하나의 전력반도체 소자로부터 폐열을 소산시키기 위한 열 싱크(heat sink)를 구비하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치에 관한 것으로, 상기 하우징은 상기 열 싱크에 대면하는 그 하면 상에 상기 기판을 파지하기 위한 컷아웃(cutout)을 구비한다. 또한, 본 발명은 상기 장치의 제조를 위한 방법에 관한 것이다.
서두에 언급한 유형의 장치는 예를 들면 독일특허 공개 DE 101 49 886 A1로부터 공지된다. 이 공개공보는 베이스 플레이트를 구비하지 않는 전력반도체 모듈을 기술한다. 여기서 기판의 하면은 가압장치에 의해 열 싱크에 대해 가압된다. 열 싱크를 통해 전력반도체 모듈의 동작 중에 열 형태로 발생하는 에너지가 소산된다.
종래, 상기 기판으로부터 열 싱크로의 열전달을 향상시키기 위해, 기판의 하면에 열전도층을 피복하는 것이 유리하다는 것이 밝혀졌다. 예를 들면, 열전도성 페이스트(paste)를 기판의 하면에 인쇄시키는 것이 가능하다.
이와 같은 베이스 플레이트를 구비하지 않는 피복된 전력반도체 모듈은 열 싱크로부터 제거될 때 극히 민감하다. 기판은 상기 열전도성 페이스트의 고접착력에 기인되어 기판이 제거될 때 하우징으로부터 탈락될 수 있다.
본 발명의 목적은 서두에 언급한 유형의 개량된 장치를 생산하는 것이다. 본 발명의 추가의 목적은 이와 같은 개량된 장치의 생산을 위한 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 적어도 하나의 전력반도체 소자를 구비하는 기판, 하우징, 적어도 하나의 전력반도체 소자로부터의 폐열의 소산을 위한 열 싱크를 포함하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치에 있어서, 상기 하우징은 상기 기판을 파지하기 위해 상기 열 싱크에 대면하는 상기 하우징의 하면 상에 배치되는 컷아웃을 구비하고, 상기 전력반도체 모듈은 상기 하우징의 하면 상에서 리세스와 결합함과 동시에 상기 하우징의 하면의 방향으로의 상기 기판의 임의의 움직임을 제한하도록 설계되는 적어도 하나의 파지요소를 구비하는, 전력반도체 모듈을 구비하는 장치에 의해 달성된다.
이와 같은 장치는 열 싱크로부터 분리시킬 때 전력반도체 소자와 함께 기판이 하우징으로부터 탈락될 수 없다는 장점을 가진다. 파지요소는 이것이 제거되는 중에 기판을 하우징 내에 유지시켜준다. 파지요소에 의해 기판과 함께 하우징을 열 싱크로부터 분리시키는 것이 가능하다.
파지요소는 하우징 상에 형성되지 않고, 하우징과 일체로 형성되지 않으며, 별도의 독립된 부품으로서, 장치의 개별 요소들이 함께 조립될 때 하우징 상에 장착된다. 파지요소는 임의의 원하는 재료, 바람직하게는 플라스틱 또는 금속으로 형성될 수 있다.
이와 같은 장치의 생산방법에서, 상기 목적은 하기의 단계에 의해 달성된다.
적어도 하나의 전력반도체 소자를 구비하는 기판을 제공하는 단계;
기판을 열 싱크에 대면하는 하우징의 하면 상에 배치되는 하우징 내의 컷아웃 내에 삽입하는 단계;
적어도 하나의 파지요소를 상기 하우징의 하면의 방향으로의 상기 기판의 임의의 움직임을 제한하기 위해 상기 하우징의 하면 상에서 리세스 내에 도입하는 단계; 및
상기 하우징의 하면이 상기 열 싱크 상에 배치되도록 상기 하우징을 열 싱크 상에 장착하는 단계.
이와 같은 방법은 신속하고 용이하게 실시될 수 있고, 그 결과 하우징이 열 싱크로부터 제거될 때 전술한 이점이 얻어진다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.
이 장치의 적어도 하나의 파지요소는 상기 하우징이 열 싱크 상에 장착될 때 하우징을 열 싱크 상에 위치시키기 위해 열 싱크 내의 관련된 리세스 내에 결합되도록 설계되는 것이 바람직하다는 것이 밝혀졌다. 이것에 의해 하우징 및 그에 따라 기판이 열 싱크 상의 중심에 위치될 수 있다. 상기 기판은 조립작업 중에 파지요소에 의해 프리센터링(precentring)될 수 있으므로 조립 중에 기판의 움직임이 방지된다.
이 바람직한 실시예에 의해 상기 하우징이 프리센터링되지 않았을 때 발생하는 장치의 조립시의 결점을 해소한다. 이것은 프리센터링 되어있지 않을 경우 기판이 하우징에 대해 상대 이동되어, 열 싱크 상에서 후속적으로 실시되는 하우징의 위치교정 중에 하우징의 모서리의 하측으로 돌출할 위험성이 초래되기 때문이고, 열전도성 페이스트의 부착의 결과 기판이 손상될 수 있다.
상기 방법에서, 열전도성 페이스트로부터 형성된 열전도층은 적어도 하나의 파지요소가 하우징 내의 리세스 내에 도입되기 전에 기판 상의 열 싱크에 대면하는 면 상에 가해져야 하는 것이 입증되었다. 전술한 바와 같이, 열전도성 페이스트는 파지요소와 간섭됨이 없이 일회의 피복 공정 또는 프린팅 공정에서 기판에 용이하게 도포될 수 있다. 상기 피복 공정 또는 프린팅 공정이 완료된 후, 상기 파지요소는 하우징 내에 이 목적을 위해 제공된 리세스 내에 도입된다.
따라서, 본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시예에 의해 하우징의 센터링을 가능하게 하기 위해 하우징의 생산 중에 센터링 요소(centring element)가 하우징 상에 형성(예를 들면, 주조성형)될 때 발생하는 결점들이 회피된다. 공지의 방법에서 실시되는 바와 같은 하우징 상에 센터링 요소를 형성하는 공정은 특히 하우징에 배치되는 기판 상에 열전도성 페이스트의 프린팅을 불가능하게 하거나 적어도 곤란하게 한다. 종래의 기술과 달리, 본 발명에 따른 파지요소는 기판의 피복작업 후에 하우징 상에 배치될 수 있다.
또, 본 장치에서 리세스의 형상과 열 싱크에 대면함과 동시에 리세스 내에 결합하는 파지요소의 부분의 형상은 상호 대응하는 형상인 것이 바람직하다는 것이 밝혀졌다. 열 싱크 내의 리세스의 형상과 이 리세스 내에 결합하는 파지요소의 부분의 형상의 대응성이 양호하면 양호할수록 열 싱크 상에서의 하우징의 센터링은 더욱 정확해질 수 있다. 하나의 바람직한 실시예에서, 열 싱크 내의 리세스의 형상과 이 리세스에 결합하는 파지요소의 부분의 형상은 파지요소가 열 싱크 내의 리세스 내에서 열 싱크 및 하우징의 접촉면에 평행한 방향으로의 실질적으로 움직일 수 없도록 상호 일치된다. 이와 같은 파지요소에 의해 하우징은 열 싱크 상에서 정확한 사전설정 위치를 확실하게 취할 수 있다.
특히 파지요소의 상기 열 싱크에 대면하는 부분은 원통형인 것이 바람직하다. 파지요소의 상기 열 싱크에 대면하는 부분의 하나의 바람직한 형상은 챔퍼(chamfer)를 구비하는, 즉 열 싱크에 대면하는 모서리 부분에 경사부를 가지는 원통형이다. 또, 파지요소는 예를 들면 그 종축선을 따라 연속되는, 바람직하게는 원통상의, 컷아웃을 가지는 중공체인 것이 바람직하다.
상기 적어도 하나의 파지요소는 상기 기판을 파지하기 위해 컷아웃 내로 돌출하고, 상기 하우징의 하면의 방향으로의 기판의 움직임을 제한하는 돌출부를 가지는 것이 바람직하다. 상기 파지요소 상의 돌출부는 용이하게 형성될 수 있고, 기계적으로 신뢰성이 있는 파지장치를 형성한다.
상기 하우징은 파지요소가 결합되는 리세스가 내재되는 외주 하우징 프레임을 구비하는 것이 바람직하다.
특히 상기 하우징의 하면 상의 리세스는 하우징의 하면을 향해 개방되는 블라인드 홀(blind hole)의 형태로 하고, 적어도 하나의 파지요소는 하우징의 하면으 로부터 결합되어야 하는 것이 입증되었다.
특히, 적어도 하나의 파지요소는 래칭/센터링 홀더(latching/centring holder)의 형태로 되어야 하는 것이 입증되었다. 상기 파워 모듈은 조립 중에 조합된 래칭/센터링 홀더에 기인되어 사전에 센터링되고, 동시에 조립 중에 기판의 움직임이 방지된다. 동시에, 상기 기판은 제거 중에 상기 래칭/센터링 홀더에 의해 하우징 내에 유지된다. 따라서 기판은 열 싱크로부터 분리시킬 수 있다.
상기 적어도 하나의 파지요소는 착탈식 연결체에 의해 하우징에 연결되는 것이 바람직하다. 특히, 이것에 관련하여, 상기 착탈식 연결체는 나사 연결체의 형태로 되어야 하는 것이 입증되었다. 즉, 하우징의 리세스 내에 결합되는 부분 상에서 파지요소는 수나사산을 구비하고, 하우징 리세스는 상기 수나사산과 결합되는 암나사산을 구비한다. 또, 상기 하우징의 리세스 내에 결합되는 부분 상에서 상기 파지요소는 적어도 하나의 탄성 래칭 핑거를 구비할 수 있고, 하우징 리세스는 상기 래칭 핑거와 결합하는 래칭 요부를 구비할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 실시예에서, 적어도 하나의 파지요소는 접착식 연결체에 의해 관련되는 하우징의 리세스 내에 고정된다.
또한, 상기 전력반도체 모듈은 적어도 2개의 파지요소를 구비해야 하는 것이 입증되었다. 본 발명의 특히 바람직한 실시예에서, 상기 전력반도체 모듈은 적어도 3개의 파지요소를 구비한다. 상기 적어도 2개의 파지요소와 결합하는 리세스는 하우징의 하면 상에 배치되고, 바람직하게는 하우징의 대향면, 특히 대각선 방향의 대향측 상에 배치된다. 적어도 2개 또는 적어도 3개의 파지요소의 배열은 기판이 하우징 내의 리세스 내에 안전하게 유지된다는 장점을 가진다. 또, 적어도 2개 또는 적어도 3개의 파지요소에 의해 하우징은 열 싱크 상에서 복수의 방향으로 특히 양호하게 사전 센터링될 수 있다.
특히, 상기 장치는 기판과 열 싱크의 사이에 열전도성 페이스트로 형성된 열전도층을 가져야 하는 것이 입증되었다. 이것에 의해 기판 상에 배치되는 전력반도체 소자로부터 폐열을 소산시키는 열 싱크로의 열전달이 매우 향상될 수 있다.
상기 장치의 생산을 위한 방법에서, 상기 하우징은 적어도 하나의 파지요소가 열 싱크 내의 관련되는 리세스 내에 결합하도록 열 싱크 상에 위치시키는 것이 유리하다는 것이 밝혀졌다. 이것에 의해 하우징은 열 싱크 상에서 센터링될 수 있다.
본 발명에 의해 적어도 하나의 전력반도체 소자를 구비하는 기판, 하우징, 적어도 하나의 전력반도체 소자로부터 폐열을 소산시키기 위한 열 싱크(heat sink)를 구비하는 전력반도체 모듈을 가지는 개량된 장치 및 그 제조방법이 얻어진다.
이하, 도 1 내지 도 6d를 참조하여 예시로서의 본 발명에 대해 상세히 설명한다. 도 1은 2개의 기판(2)을 파지하기 위한 컷아웃(41)을 가지는 하우징(4)의 하면(40)을 도시한다. 기판(2)은 예를 들면 DCB(Direct Copper Bonded) 기판의 형태일 수 있다. 나사를 통과시킬 수 있는 부착개구(45)가 하우징(4) 내에 배치되고, 이것은 하우징(4)을 열 싱크(도시 생략) 상에 장착시키기 위해 사용된다. 하 우징(4)은 그 하면(40) 상에 외주 프레임(43)을 구비하고, 이 외주 프레임에는 파지요소(5)를 유지하기 위한 리세스(42)가 배치된다.
도 2는 도 1에 도시된 하우징(4)의 우측부의 확대도이다.
도 3a는 도 2의 IIIa 선을 따라 취한 파지요소(5)의 단면도이다. 파지요소(5)는 하우징(4) 내의 리세스(42) 내에 결합된다. 파지요소(5)는 하우징(4)의 하면(40) 상에 안착되는 돌출부(54)를 가진다. 파지요소 상의 돌출부(54)는 하우징(4)의 외주 프레임(43)으로부터 기판(2)의 방향으로 돌출한다. 상기 돌출부(54)는 기판(2)을 위한 스토퍼로서 사용되고, 하우징(4)의 하면(40) 방향을 향하는 기판(2)의 움직임을 제한한다. 이것은 파지요소(5)가 기판을 고정하여 기판(2)이 리세스(41)로부터 탈락하지 않도록 고정한다는 것을 의미한다.
도 3b는 도 2의 IIIb 선을 따라 취한 파지요소(5)의 단면도이다. 열 싱크(3)에 대면하는 파지요소(5)의 부분(51)은 컵 형상의 외형을 가진다. 하우징 리세스(42) 내에 결합되는 파지요소(5)의 부분(52)은 2개의 래칭 핑거(latching fingers; 53)를 구비하고, 이들 래칭 핑거는 리세스(42) 내의 대응하는 래칭 요부(44)와 결합하여 스냅식 래칭 결합을 달성한다.
도 4는 본 발명에 따른 장치의 횡단면도이다. 이 장치는 2개의 전력반도체 소자(20)를 구비하는 기판(2), 하우징(4), 및 전력반도체 소자(20)로부터의 폐열의 소산을 위한 열 싱크(3)를 포함하는 전력반도체 모듈(1)을 가진다. 상기 하우징(4)은 상기 열 싱크(3)에 대면하는 상기 기판(2)을 파지하기 위한 컷아웃(41)을 상기 하우징(4)의 하면(40) 상에 구비한다. 더욱, 상기 전력반도체 모듈(1)은 하 우징 리세스(42) 내에 결합되는 2개의 파지요소(5)를 가진다. 상기 리세스는 하우징(4)의 하면(40) 상에서 파지요소(5)와 결합되고, 하우징의 하면(40)의 방향으로의 기판(2)의 임의의 움직임을 제한한다. 열전도층(6)은 열전도성 페이스트(paste)로 형성되는 것으로 기판(2)과 열 싱크(3)의 사이에 배치된다. 상기 하우징 리세스(42)는 래칭 요부(44)를 가진다. 이들 래칭 요부(44) 내에 상기 파지요소(5) 상의 대응하는 래칭 핑거(53)가 결합된다. 상기 파지요소(5)는 상기 래칭 핑거(53) 및 래칭 요부(44)에 의해 형성되는 래칭 스냅 작용 연결체(latching snap-action connections)에 의해 상기 하우징(4)의 내부 또는 표면에 고정된다. 상기 열 싱크(3)는 2개의 리세스(30)를 가지고, 그 내부에 파지요소(5)가 결합된다. 상기 리세스(30) 내에 결합되는 파지요소(5)의 부분(51)들의 형상은 열 싱크(3) 내의 리세스(30)의 형상과 일치하고, 그 결과 하우징(4)은 열 싱크(3) 상의 소망의 위치 및 규정된 위치에만 위치될 수 있다.
도 5는 하우징(4) 내의 관련된 리세스(42) 내에 결합되는 파지요소(5)의 단면도이다. 파지요소(5)는 하우징(4)의 하면(40)으로부터 리세스(42) 내에 도입된다. 이 파지요소(5)는 리세스(42) 내의 대응하는 래칭 요부(44) 내에 래칭되는 2개의 래칭 핑거(53)를 가진다. 상기 하우징(4)의 상면(46)으로부터 적절한 공구를 도입하여 탄성의 래칭 핑거(53)를 서로를 향해 접근하는 방향으로 이동시키면 상기 래칭 스냅 작용 연결이 해제될 수 있고, 파지요소(5)는 파손되지 않은 상태로 하우징(4)으로부터 제거될 수 있다.
도 6a 내지 도 6d는 전력반도체 모듈(1)을 구비하는 본 발명에 따른 장치의 파지요소(5)의 다양한 도면이다.
도 6a는 파지요소(5)의 저부로부터 도시된 사시도이다. 상기 파지요소(5)는 열 싱크(3) 내의 리세스(30) 내에 결합되는 상측 부분(51)과, 하우징(4) 내의 하우징 리세스(42) 내에 결합되는 하측 부분(52)을 구비한다. 하측 부분(52)은 2개의 탄성 래칭 핑거(53)을 구비하고, 이것은 하우징(4) 내의 관련된 리세스(42)와 함께 래칭 스냅 작용 연결체를 형성한다.
도 6b는 도 6a에 도시된 파지요소(5)의 저면도이다.
도 6c는 도 6a에 도시된 파지요소(5)의 측면도이다.
도 6d는 도 6a에 도시된 파지요소(5)의 제2의 측면도이다.
도 1은 하우징의 하면 사시도이다;
도 2는 도 2의 상세도이다;
도 3a 및 도 3b는 하우징의 리세스 내에 도입된 파지요소의 단면도이다;
도 4는 본 발명에 따른 장치의 횡단면도이다;
도 5는 하우징 프레임 내의 파지요소의 단면을 보여주는 사시도이다;
도 6a 내지 도 6d는 다양하게 도시된 파지요소이다.
도면의 부호설명
1: 전력반도체 모듈(Power semiconductor module)
2: 기판(Substrate)
20: 전력반도체 소자(Power semiconductor element)
3: 열 싱크(Heat sink)
30: 열 싱크 내의 리세스(Recess)
4: 하우징
40: 하우징의 하면
41: 기판을 파지하기 위한 하우징 내의 컷아웃(Cutout)
42: 하우징 내의 리세스
43: 하우징의 프레임
44: 래칭 요부(Latching depression)
45: 부착 개구(Attachment hole)
5: 파지요소(Holding element)
51: 파지요소(5)의 열 싱크에 대면하는 부분
52: 파지요소(5)의 리세스(42) 내에 결합되는 부분
53: 파지요소(5)의 래칭 핑거(Latching finger)
54: 파지요소(5) 상의 돌출부
6: 열전도층

Claims (17)

  1. 적어도 하나의 전력반도체 소자(20)를 구비하는 기판(2), 하우징(4), 적어도 하나의 전력반도체 소자(20)로부터의 폐열의 소산을 위한 열 싱크(3)를 포함하는 전력반도체 모듈(1)을 구비하는 장치에 있어서, 상기 하우징(4)은 상기 기판(2)을 파지하기 위해 상기 열 싱크(3)에 대면하는 상기 하우징(4)의 하면(40) 상에 배치되는 컷아웃(41)을 구비하고,
    상기 전력반도체 모듈(1)은 상기 하우징(4)의 하면(40) 상에서 리세스(42)와 결합함과 동시에 상기 하우징(4)의 하면(40)의 방향으로의 상기 기판(20)의 임의의 움직임을 제한하도록 설계되는 적어도 하나의 파지요소(5)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 파지요소(5)는, 상기 하우징(4)이 상기 열 싱크(3) 상에 장착될 때, 상기 열 싱크(3) 상에 하우징(4)을 위치시키기 위해 열 싱크(3) 내의 결합용 리세스(30) 내에 결합되도록 설계되는 것을 특징으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 열 싱크(3) 내에서 상기 적어도 하나의 파지요소(5)와 결합하는 리세스(30) 및 상기 열 싱크(3)에 대면함과 동시에 상기 리세스(30) 내에 결합하는 상기 파지요소(5)의 부분(51)은 상호 대응하는 형상을 가지는 것을 특징 으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열 싱크(3)에 대면하는 상기 적어도 하나의 파지요소(5)의 부분(51)은 원통형인 것을 특징으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 파지요소(5)는 상기 기판(2)을 파지하기 위해 상기 컷아웃(41) 내로 돌출함과 동시에 상기 기판(2)의 상기 하우징(4)의 하면(40)의 방향으로의 움직임을 제한하는 돌출부(54)를 가지는 것을 특징으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하우징(4)은 외주의 하우징 프레임(43)을 가지고, 상기 하우징 프레임에 상기 파지요소(5)가 결합되는 리세스(42)가 배치되는 것을 특징으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하우징(4)의 하면(40) 상의 하우징 리세스(42)는 상기 하우징(4)의 하면(40)을 향해 개방되는 블라인드 홀(blind hole)의 형태이고, 상기 적어도 하나의 파지요소(5)는 상기 하우징(4)의 하면(40)으로부터 결합되는 것을 특징으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 파지요소(5)는 래칭/센터링 홀더(latching/centring holder)의 형태인 것을 특징으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 파지요소(5)는 착탈식 연결체에 의해 상기 하우징(4)에 연결되는 것을 특징으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 하우징 리세스(42) 내에 결합되는 부분(52) 상에서, 상기 파지요소(5)는 수나사산을 가지고, 상기 하우징 리세스(42)는 상기 수나사산에 결합되는 암나사산을 가지는 것을 특징으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 하우징 리세스(42) 내에 결합되는 부분(52) 상에서, 상기 파지요소(5)는 적어도 하나의 탄성의 래칭 핑거(latching finger; 53)를 가지고, 상기 하우징 리세스(42)는 상기 래칭 핑거(53)에 결합되는 래칭 요부(latching depression; 44)를 가지는 것을 특징으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 파지요소(5)는 접착식 연결체에 의해 결합용 하우징 리세스(42) 내에 고정되는 것을 특징 으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전력반도체 모듈(1)은 적어도 2개, 바람직하게는 적어도 3개의 파지요소(5)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치.
  14. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전력반도체 모듈(1)은 상기 기판(2) 및 상기 열 싱크(3)의 사이에 열전도성 페이스트에 의해 형성되는 열전도층(6)을 가지는 것을 특징으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 전력반도체 모듈(1)을 구비하는 장치의 생산방법에 있어서,
    적어도 하나의 전력반도체 소자(20)를 구비하는 기판(2)을 제공하는 단계;
    기판을 열 싱크(3)에 대면하는 하우징(4)의 하면(40) 상에 배치되는 하우징(4) 내의 컷아웃(41) 내에 삽입하는 단계;
    적어도 하나의 파지요소(5)를 상기 하우징(4)의 하면(40)의 방향으로의 상기 기판(20)의 임의의 움직임을 제한하기 위해 상기 하우징(4)의 하면(40) 상에서 리세스(42) 내에 도입하는 단계; 및
    상기 하우징(4)의 하면(40)이 상기 열 싱크(3) 상에 배치되도록 상기 하우징(4)을 열 싱크(3) 상에 장착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력반도 체 모듈을 구비하는 장치의 생산방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 적어도 하나의 파지요소(5)가 상기 열 싱크(3) 내의 결합용 리세스(30) 내에 결합되도록 상기 열 싱크(3) 상에 상기 하우징(4)을 위치시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치의 생산방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 적어도 하나의 파지요소(5)가 상기 하우징(4) 내의 리세스(42) 내에 도입되기 전에, 상기 기판(2)의 열 싱크(3)에 대면하는 면 상에 열전도성 페이스트에 의해 형성되는 열전도층(6)을 적용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력반도체 모듈을 구비하는 장치의 생산방법.
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