KR20090121529A

KR20090121529A - Method of manufacturing plasma display panel

Info

Publication number: KR20090121529A
Application number: KR1020080047480A
Authority: KR
Inventors: 윤창번; 김봉관
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2008-05-22
Filing date: 2008-05-22
Publication date: 2009-11-26

Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a plasma display panel is provided to reduce a manufacturing time by partially performing an exhaust process in a temperature-up process before a sealing process. CONSTITUTION: A front substrate and a rear substrate are prepared(S1). The front substrate and the rear substrate are arranged in parallel while interposing a barrier rib. The temperature-up process is provided fro heating the front substrate and the rear substrate(S2). The temperature-up process includes an exhaust process. The front substrate and the second substrate are sealed by heating the front substrate and the rear substrate by a heater(S3). The front substrate and the rear substrate are cooled down. The discharge gas is injected to the inner space between the front substrate and the rear substrate for sealing the exhaust pipe(S4).

Description

플라즈마 표시 패널의 제조 방법 {Method of manufacturing plasma display panel} Method of manufacturing plasma display panel {Method of manufacturing plasma display panel}

본 발명은 플라즈마 표시 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a plasma display panel.

근래에 들어 평면형 벽걸이 텔레비젼 등 대화면 화상 표시 장치로 각광을 받고 있는 플라즈마 디스플레이 패널은, 방전셀 내에서 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 평면 표시 장치이다.Background Art In recent years, a plasma display panel, which has been spotlighted by a large screen image display device such as a flat wall-mounted television, is a flat panel display device that displays characters or images using plasma generated by gas discharge in discharge cells.

이러한 플라즈마 디스플레이 패널은, 소정의 공간(격벽에 의해 복수개로 구획되는 방전 공간들)을 사이에 두고 상호 접착되는 전면 기판과 후면 기판을 포함하여 이루어진다. The plasma display panel includes a front substrate and a rear substrate bonded to each other with a predetermined space (discharge spaces divided into a plurality of partitions) therebetween.

이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하기 위해서는, 전면 기판과 후면 기판의 봉착 공정 및 배기 공정이 적용된다. 이러한 봉착 공정 및 배기 공정은 플라즈마 디스플레이 패널의 특성을 결정짓는 공정 중의 하나이다.In order to manufacture such a plasma display panel, a sealing step and an exhaust step of the front substrate and the rear substrate are applied. The sealing process and the exhaust process are one of the processes for determining the characteristics of the plasma display panel.

봉착 공정은 전면 기판과 후면 기판을 서로 평행하게 얼라인(Align)하고, 클립을 이용하여 임시로 고정한 상태에서 봉착용 프리트(frit)를 용융시켜 상호 간 봉착시키는 것이다. The sealing process aligns the front substrate and the rear substrate in parallel with each other, and melts the sealing frit in a temporarily fixed state by using a clip to seal each other.

배기 공정은 봉착 공정 이후 전면 기판과 후면 기판 사이에 형성된 내부 방전 공간의 불순 가스를 제거하기 위해 외부 장치인 펌프 등을 이용하여 상기 내부 방전 공간을 진공상태(불순 가스를 외부로 방출시키는 상태)로 만드는 것이다. 이러한 배기 공정은 후면 기판의 한쪽 끝에 형성되는 배기홀, 배기홀에 연결되는 배기관을 통해 펌프와 플라즈마 패널을 연결하여 펌핑(puming)함으로써, 플라즈마 디스플레이 패널 내부의 불순 가스를 외부로 방출시킨다.In the exhaust process, the internal discharge space is vacuumed (a state in which the impurity gas is discharged to the outside) by using an external device, such as a pump, to remove the impurity gas in the internal discharge space formed between the front substrate and the rear substrate after the sealing process. To make. Such an exhausting process connects and pumps the pump and the plasma panel through an exhaust hole formed at one end of the rear substrate and an exhaust pipe connected to the exhaust hole, thereby releasing impurity gas inside the plasma display panel.

그런데, 배기 공정은 주로 전면 기판과 후면 기판을 봉착시킨 이후 실시되기 때문에, 전면 기판과 후면 기판의 복잡한 구조, 특히 격벽에 의해 구획되어진 좁은 방전 공간을 통해 불순 가스를 이동시키는 데 있어서 크게 제한받게 된다. However, since the exhaust process is mainly performed after sealing the front substrate and the rear substrate, it is greatly limited in moving the impurity gas through the complicated structure of the front substrate and the rear substrate, particularly through the narrow discharge space partitioned by the partition wall. .

이에 따라, 배기 공정은 플라즈마 디스플레이 패널의 내부 방전 공간에 존재하는 불순 가스를 완벽하게 제거하기 어렵다. 이렇게 배기 공정에서 완벽히 제거되지 않아 플라즈마 디스플레이 패널의 내부 방전 공간에 잔존하는 불순 가스는, 기체 방전에 영향을 주게 되며, 결국 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도를 저하시키며 방전 개시 전압을 상승시키게 되는 문제점이 있다.Accordingly, the exhaust process is difficult to completely remove the impurity gas present in the internal discharge space of the plasma display panel. The impurity gas that is not completely removed in the exhaust process and remains in the internal discharge space of the plasma display panel affects gas discharge, resulting in a decrease in luminance of the plasma display panel and an increase in discharge start voltage.

또한, 배기 공정은 불순 가스를 이동시키는데 크게 제한받는 이유로 불순 가스를 제거하는 데 오랜 시간을 요구한다. 이에 따라, 플라즈마 표시 패널의 제조 시간이 길어지는 문제점이 있다.In addition, the exhaust process requires a long time to remove the impurity gas for reasons that are greatly limited in moving the impurity gas. Accordingly, there is a problem that the manufacturing time of the plasma display panel becomes long.

본 발명의 목적은 격벽과 기판 사이에 이격 공간이 형성된 상태에서 불활성 가스를 이용하여 배기 공정을 수행하여, 전면 기판과 후면 기판 사이의 내부 공간에 존재하는 불순 가스를 효과적으로 제거함으로써, 플라즈마 표시 패널의 휘도를 높이고 방전 개시 전압을 낮출 수 있는 플라즈마 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to perform an exhaust process using an inert gas in a state where a separation space is formed between a partition and a substrate, thereby effectively removing impurities in an internal space between a front substrate and a rear substrate, thereby providing a plasma display panel. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a plasma display panel which can increase luminance and lower discharge start voltage.

또한, 본 발명의 다른 목적은 승온 단계에서 배기 공정을 함께 수행하여 전면 기판과 후면 기판 사이의 내부 공간에 존재하는 불순 가스를 미리 어느 정도 제거함으로써, 봉착 단계 이후 별도 수행되는 배기 공정의 소요 시간을 줄여 플라즈마 표시 패널의 전체 제조 시간을 줄일 수 있는 플라즈마 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 데 있다.In addition, another object of the present invention is to remove the impurity gas existing in the internal space between the front substrate and the rear substrate by performing the exhaust process together in the temperature increase step in advance, thereby reducing the time required for the exhaust process performed separately after the sealing step The present invention provides a method of manufacturing a plasma display panel which can reduce the overall manufacturing time of the plasma display panel.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 제조 방법은 격벽을 사이에 두고 서로 평행하게 배치되며, 어느 하나의 가장 자리에 봉착용 프리트가 도포되는 전면 기판 및 후면 기판을 준비하는 전면 기판 및 후면 기판 준비 단계; 상기 전면 기판 및 후면 기판을 가열하여 승온시키는 승온 단계; 상기 전면 기판 및 후면 기판을 봉착 온도까지 더 가열하여 상기 전면 기판과 상기 후면 기판을 봉착시키는 봉착 단계; 및 상기 전면 기판 및 후면 기판을 상 기 봉착 온도 이하로 냉각시키고, 상기 후면 기판에 설치된 배기관을 통해 상기 전면 기판과 상기 후면 기판의 내부로 방전 가스를 주입하고, 상기 배기관을 봉지하는 방전 가스 주입 및 배기관 봉지 단계를 포함하며, 상기 승온 단계는 상기 봉착 온도보다 낮은 배기 온도에서 불활성 가스를 상기 배기관을 통해 상기 전면 기판과 상기 후면 기판의 내부로 주입함으로써, 상기 전면 기판과 상기 후면 기판의 내부에 존재하는 불순 가스를 방출시키는 배기 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the manufacturing method of the plasma display panel according to the embodiment of the present invention is arranged in parallel with each other with the partition wall therebetween, and the front substrate and the rear substrate is coated with a sealing frit at any one edge Preparing a front substrate and a rear substrate; A temperature raising step of heating and heating the front substrate and the rear substrate; A sealing step of further heating the front substrate and the rear substrate to a sealing temperature to seal the front substrate and the rear substrate; And discharging the front substrate and the rear substrate to below the sealing temperature, injecting discharge gas into the front substrate and the rear substrate through an exhaust pipe installed in the rear substrate, and encapsulating the exhaust pipe. And an exhaust pipe encapsulation step, wherein the temperature increase step is present inside the front substrate and the rear substrate by injecting an inert gas into the front substrate and the rear substrate through the exhaust pipe at an exhaust temperature lower than the encapsulation temperature. It characterized in that it comprises an exhaust process for emitting an impure gas.

상기 불활성 가스는 Ne, He, Xe 중 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.The inert gas may include at least one selected from Ne, He, and Xe.

상기 불활성 가스는 상압 이상의 압력으로 주입될 수 있다.The inert gas may be injected at a pressure above atmospheric pressure.

상기 배기 온도는 300℃ 내지 470℃ 일 수 있다.The exhaust temperature may be 300 ℃ to 470 ℃.

상기 전면 기판 및 후면 기판 준비 단계에서 상기 봉착용 프리트가 상기 격벽 높이 이상의 높이로 도포될 수 있다.In the preparing of the front substrate and the rear substrate, the sealing frit may be applied to a height greater than or equal to the height of the partition wall.

상기 승온 단계의 배기 공정은 상기 격벽과 상기 전면 기판 사이에 형성된 이격 공간을 통해 이루어질 수 있다.The exhaust process of the temperature raising step may be made through a separation space formed between the partition wall and the front substrate.

상기 봉착 단계에서 상기 봉착용 프리트의 높이가 상기 격벽의 높이와 동일해질 수 있다.In the sealing step, the height of the sealing frit may be equal to the height of the partition wall.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 제조 방법은 상기 봉착 단계 후에, 상기 전면 기판과 상기 후면 기판의 내부에 발생된 불순 가스를 제거하는 배기 공정을 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention may further include an exhausting process of removing impurity gas generated in the front substrate and the rear substrate after the sealing step.

상기와 같은 플라즈마 표시 패널의 제조 방법에 의해, 높은 휘도 효율을 가 지며, 낮은 방전 개시 전압을 가지는 플라즈마 표시 패널이 제조될 수 있다. By the above method of manufacturing a plasma display panel, a plasma display panel having high luminance efficiency and having a low discharge start voltage can be manufactured.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 제조 방법은 봉착 단계 이전인 승온 단계(용융되지 않은 봉착용 프리트의 높이와 격벽의 높이차로 인해 격벽과 하나의 기판 사이에 이격 공간이 형성된 상태임)에서 불활성 가스를 이용하여 배기 공정을 수행함으로써, 전면 기판과 후면 기판 사이의 내부 공간에 존재하는 불순 가스를 효과적으로 제거하여 플라즈마 표시 패널의 휘도를 높이고 방전 개시 전압을 낮출 수 있다.In the method of manufacturing a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, in a temperature rising step before the sealing step (a space between the partition wall and one substrate is formed due to the height difference between the height of the unsealed sealing frit and the partition wall). By performing the exhaust process using an inert gas, impurities in the internal space between the front substrate and the rear substrate can be effectively removed to increase the brightness of the plasma display panel and lower the discharge start voltage.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 제조 방법은 봉착 단계 이후 별도 수행되었던 배기 공정을 봉착 단계 이전의 승온 단계에서 일부 수행함으로써, 플라즈마 표시 패널의 전체 제조 시간을 줄일 수 있는 플라즈마 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 데 있다.In addition, the method of manufacturing a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention performs a part of an exhaust process, which is performed separately after the sealing step, in a temperature raising step before the sealing step, thereby reducing the overall manufacturing time of the plasma display panel. It is providing the manufacturing method of the.

이하 도면을 참조하면서 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 제조 방법의 흐름도이고, 도 2a 및 도 2b는 도 1의 전면 기판 및 후면 기판 준비 단계를 설명하기 위한 도면들이고, 도 2c는 도 1의 승온 단계를 설명하기 위한 도면이고, 도 2d는 도 1의 봉착 단계를 설명하기 위한 도면이고, 도 2e는 도 1의 방전 가스 주입 및 배기관 봉지 단계를 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 본 발명의 플라즈마 표시 패널의 제조시 시간에 대한 온도 프로파일을 개략적으로 나타낸 그래프이다.FIG. 1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention. FIGS. 2A and 2B are diagrams for explaining a front substrate and a rear substrate preparation step of FIG. 1, and FIG. 2C is a view of FIG. 1. 2D is a view for explaining the sealing step of Figure 1, Figure 2e is a view for explaining the discharge gas injection and exhaust pipe sealing step of Figure 1, Figure 3 is a view of the present invention A graph schematically showing a temperature profile with respect to time in the manufacture of a plasma display panel.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 제조 방법은 전면 기판 및 후면 기판 준비 단계(S1), 승온 단계(S2), 봉착 단계(S3), 및 방전 가스 주입 및 배기관 봉지 단계(S4)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a method of manufacturing a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention includes preparing a front substrate and a rear substrate (S1), a temperature raising step (S2), a sealing step (S3), and a discharge gas injection and exhaust pipe. The sealing step (S4) is included.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 상기 전면 기판 및 후면 기판 준비 단계(S1)는 격벽(33)을 사이에 두고 서로 평행하게 배치되며, 어느 하나의 가장 자리에 봉착용 프리트(40)가 도포되는 전면 기판(20) 및 후면 기판(30)을 준비하는 단계이다.2A and 2B, the front substrate and the rear substrate preparation step S1 are disposed in parallel with each other with the partition 33 therebetween, and the sealing frit 40 is applied to one edge thereof. In this step, the front substrate 20 and the rear substrate 30 are prepared.

상기 전면 기판(20) 및 후면 기판(30)은 직사각형 또는 정사각형 형태를 가지며, 서로 평행하고 마주보도록 배치된다. 도시되진 않았지만, 상기 전면 기판(20) 및 후면 기판(30)은 클립(미도시)을 이용하여 상호 고정 상태로 유지된다.The front substrate 20 and the rear substrate 30 have a rectangular or square shape and are arranged to be parallel to and face each other. Although not shown, the front substrate 20 and the rear substrate 30 are held in a fixed state by using a clip (not shown).

구체적으로, 상기 전면 기판(20)은 후면 기판(30)과 마주보는 면에 방전 전압이 인가되는 스캔 전극 및 유지 전극(21), 상기 스캔 전극 및 유지 전극(21)을 덮는 제 1 유전체층(22), 상기 제 1 유전체층(22)을 덮는 보호막(23)을 포함하여 구성될 수 있다.In detail, the front substrate 20 includes a scan electrode and a sustain electrode 21 to which a discharge voltage is applied to a surface facing the rear substrate 30, and a first dielectric layer 22 covering the scan electrode and the sustain electrode 21. ), And a passivation layer 23 covering the first dielectric layer 22.

상기 후면 기판(30)은 상기 전면 기판(20)과 마주보는 면에 방전 전압이 인가되는 어드레스 전극(31), 상기 어드레스 전극(31)을 덮는 제 2 유전체층(32), 상 기 제 2 유전체층(32) 상에 형성되어 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30) 사이에 방전 공간을 형성하는 격벽(33), 및 상기 격벽(33) 내부에 형성되는 형광체층(34)을 포함하여 구성될 수 있다.The rear substrate 30 includes an address electrode 31 to which a discharge voltage is applied to a surface facing the front substrate 20, a second dielectric layer 32 covering the address electrode 31, and a second dielectric layer ( A partition 33 formed on the 32 to form a discharge space between the front substrate 20 and the rear substrate 30, and a phosphor layer 34 formed inside the partition 33. Can be.

또한, 상기 후면 기판(30)은 방전 공간의 배기 공정 및 방전 가스의 주입을 위한 배기홀(35)을 더 포함하여 구성될 수 있다. 상기 배기홀(35)은, 이후 승온 단계에서 배기홀(35) 주변에 도포되는 접착제(36)에 의해 부착되는 배기관(37)과 연결된다. 여기서, 접착제(36)는 이후 설명되는 봉착용 프리트(40)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다.In addition, the rear substrate 30 may further include an exhaust hole 35 for discharging the discharge space and injecting the discharge gas. The exhaust hole 35 is then connected to an exhaust pipe 37 attached by an adhesive 36 applied around the exhaust hole 35 in a temperature raising step. Here, the adhesive 36 may be made of the same material as the sealing frit 40 described later.

상기 봉착용 프리트(40)는 상기 전면 기판(20) 및 후면 기판(30) 중 어느 하나의 가장 자리에 도포되어, 이후의 봉착 단계를 통해 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)을 서로 부착시키는 역할을 한다. 이러한 봉착용 프리트(40)는 글래스 파우더(glass power)와 바인더(binder) 등을 배합하여 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 봉착용 프리트(40)는 격벽(33) 높이 이상의 높이로 도포된다. 이는, 상기 격벽(33)이 전면 기판(20)에 완전히 접촉하지 않게 하여 상기 격벽(33)과 전면 기판(20) 사이에 이격 공간을 형성함으로써, 이후의 승온 단계에서 이루어지는 배기 공정이 상기 이격 공간을 통해 불순 가스의 배출을 용이하게 할 수 있도록 하기 위함이다.The sealing frit 40 is applied to one of the edges of the front substrate 20 and the rear substrate 30, and the front substrate 20 and the rear substrate 30 are mutually bonded through a subsequent sealing step. It serves to attach. The sealing frit 40 may be made by mixing glass powder (glass power) and a binder (binder). Here, the sealing frit 40 is applied to the height of the partition 33 or more. This is because the partition 33 is not completely in contact with the front substrate 20 to form a separation space between the partition 33 and the front substrate 20, so that the exhaust process performed in a subsequent temperature raising step is the separation space. This is to facilitate the discharge of impurity gas through.

상기와 같이, 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)은 클립에 의해 상호 고정 상태를 유지하면서, 배기 공정 및 봉착 공정 등을 수행하기 진공 챔버(미도시)로 이동된다. 도시되진 않았지만, 상기 진공 챔버는 승온 단계(S2), 봉착 단계(S3), 방전 가스 주입 및 배기관 봉지 단계(S4)를 위해 가열 장치, 펌프, 불활성 가스(즉, 방전 가스)를 충전하는 가스 충전 장치 등과 연결되어 있다. As described above, the front substrate 20 and the rear substrate 30 are moved to a vacuum chamber (not shown) to perform an exhaust process, a sealing process, and the like, while maintaining a fixed state by a clip. Although not shown, the vacuum chamber is filled with a gas filling the heating device, the pump, the inert gas (ie, the discharge gas) for the temperature raising step S2, the sealing step S3, the discharge gas injection and the exhaust pipe sealing step S4. Connected to a device or the like.

다음, 도 2c 및 도 3을 참조하면, 상기 승온 단계(S2)는 전면 기판(20) 및 후면 기판(30)을 가열하여 승온시키는 단계이다. 상기 승온 단계(S2)는 배기 공정을 더 포함하여 이루어질 수 있다.Next, referring to FIGS. 2C and 3, the temperature raising step S2 is a step of heating and heating the front substrate 20 and the rear substrate 30. The temperature raising step S2 may further include an exhaust process.

상기 승온 단계(S2)는 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)을 실질적으로 봉착시키기 전에 실시되는 예열 단계로서, 가열 장치(미도시)에 의해 봉착용 프리트(40)를 연화시키면서 용융시키지 않는 온도(대략 495℃)까지 상기 전면 기판(20) 및 후면 기판(30)을 가열시킨다. 여기서, 상기 봉착용 프리트(40)는 용융되지 않은 상태이기 때문에, 격벽(33)이 전면 기판(20)에 완전히 접촉하지 않은 상태이다.The temperature raising step S2 is a preheating step performed before substantially encapsulating the front substrate 20 and the rear substrate 30, and melting the sealing frit 40 by a heating device (not shown). The front substrate 20 and the back substrate 30 are heated to a temperature that is not high (approximately 495 ° C.). Here, since the sealing frit 40 is not melted, the partition 33 is not completely in contact with the front substrate 20.

이에 따라, 상기 승온 단계(S2)는 상기 격벽(33)이 상기 전면 기판(20)에 완전히 접촉하지 않은 상태를 이용하여, 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)의 내부공간에 존재하는 불순 가스를 상기 격벽(33)과 전면 기판(20) 사이의 이격 공간을 통해 용이하게 방출하는 배기 공정을 실시할 수 있다. Accordingly, the temperature raising step S2 is performed in the interior space of the front substrate 20 and the rear substrate 30 by using the state in which the partition 33 is not completely in contact with the front substrate 20. An exhaust gas may be easily discharged through the separation space between the barrier rib 33 and the front substrate 20.

구체적으로, 배기 공정은, 승온 단계(S2) 중 미리 정해진 배기 온도에서 가스 충전 장치(미도시)에 충전된 불활성 가스를, 펌프(미도시)에 의해 미리 정해진 주입 압력으로 상기 배기관(37)을 통해 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)의 내부 공간으로 주입한다. 그럼, 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)의 내부 공간에 주입된 불활성 가스는, 상기 주입 압력에 의해 상기 전면 기판(20)과 후면 기 판(30)의 내부 공간에 존재하는 불순 가스를 상기 이격 공간을 통해 외부의 펌프(미도시)로 밀어내게 된다. 이에 따라, 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)의 내부 공간에 존재하는 불순 가스가 제거될 수 있다. Specifically, the exhaust process, the inlet gas filled in the gas filling device (not shown) at a predetermined exhaust temperature during the temperature increase step (S2), the exhaust pipe (37) at a predetermined injection pressure by a pump (not shown) Inject into the interior space of the front substrate 20 and the rear substrate 30 through. Then, the inert gas injected into the interior space of the front substrate 20 and the rear substrate 30 is an impurity gas existing in the interior space of the front substrate 20 and the rear substrate 30 by the injection pressure. It is pushed to the external pump (not shown) through the separation space. Accordingly, the impurity gas existing in the inner spaces of the front substrate 20 and the rear substrate 30 may be removed.

상기 배기 공정을 위한 배기 온도는 300 ℃ 내지 470 ℃ 로 설정될 수 있다. 여기서, 배기 온도의 최소 온도를 300℃로 설정하는 이유는, 300℃의 온도가 상기 봉착용 프리트(40)가 연화될 수 있는 최소 온도, 즉 봉착용 프리트(40)와 동일한 물질로 형성되는 상기 접착제(36)가 연화될 수 있는 최소 온도로서, 연화된 접착제(36)를 이용하여 상기 후면 기판(30)에 배기 공정을 수행하기 위해 필요한 배기관(37)을 부착시키기 위함이다. 또한, 배기 온도의 최대 온도를 470℃로 설정하는 이유는, 470℃의 온도를 초과하면 상기 봉착용 프리트(40)가 용융되기 직전 또는 용융되는 상태가 되어, 상기 주입 압력을 가해 배기 공정을 실시할 경우 용융되기 직전 또는 용융되는 상태인 봉착용 프리트(40)가 심하게 변형될 수 있기 때문이다. 이 경우, 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)의 외관상 문제가 발생될 수 있다. The exhaust temperature for the exhaust process may be set to 300 ℃ to 470 ℃. The reason why the minimum temperature of the exhaust temperature is set to 300 ° C is because the temperature of 300 ° C is formed of the same material as the minimum temperature at which the sealing frit 40 can be softened, that is, the sealing frit 40. The minimum temperature at which the adhesive 36 can be softened is to attach the exhaust pipe 37 necessary for performing the exhaust process to the rear substrate 30 using the softened adhesive 36. The reason why the maximum temperature of the exhaust temperature is set to 470 ° C. is that when the temperature exceeds 470 ° C., the sealing frit 40 is immediately before or melted, and the injection pressure is applied to perform the exhaust process. This is because the sealing frit 40 that is in the molten state or immediately before melting may be severely deformed. In this case, a problem may occur in appearance of the front substrate 20 and the rear substrate 30.

또한, 상기 배기 공정을 위한 불활성 가스의 주입 압력은 상압(760 Torr) 이상으로 설정될 수 있다. 이는 불활성 가스의 주입 압력이 상압 미만이면, 압력이 대기압 미만으로 낮아 불활성 가스를 이용해 전면 기판(20)과 후면 기판(30)의 내부 공간에 존재하는 불순 가스를 외부로 밀어줄 수 없기 때문이다. 여기서, 상기 불활성 가스의 주입 압력이 상압 이상이기만 하면, 불활성 가스가 전면 기판(20)과 후면 기판(30)의 내부 공간에 존재하는 불순 가스를 충분히 외부로 밀어줄 수 있으므로, 상기 불활성 가스의 주입 압력에 대한 상한값을 설정하지 않는다.In addition, the injection pressure of the inert gas for the exhaust process may be set above the normal pressure (760 Torr). This is because if the injection pressure of the inert gas is less than the normal pressure, the pressure is lower than the atmospheric pressure so that impurity gas existing in the inner space of the front substrate 20 and the rear substrate 30 cannot be pushed out using the inert gas. Here, if the injection pressure of the inert gas is higher than or equal to the normal pressure, the inert gas can sufficiently push the impurity gas existing in the inner space of the front substrate 20 and the rear substrate 30 to the outside, thereby injecting the inert gas. Do not set an upper limit for pressure.

또한, 상기 배기 공정을 위해 사용되는 불활성 가스는, 방전 가스로 이용되는 네온(Ne), 헬륨(He) 및 제논(Xe) 중 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 가스일 수 있다. 여기서, 상기 불활성 가스는 방전 가스를 그대로 이용하기 때문에, 배기 공정을 위한 별도의 제조 라인을 설계할 필요가 없다.In addition, the inert gas used for the exhaust process may be a gas including any one or more selected from neon (Ne), helium (He), and xenon (Xe) used as the discharge gas. Here, since the inert gas uses the discharge gas as it is, it is not necessary to design a separate production line for the exhaust process.

상기와 같이, 승온 단계(S2)에서의 배기 공정은, 격벽(33)과 전면 기판(20)이 이격된 상태에서 이루어지므로 전면 기판(20)과 후면 기판(30)의 내부 공간에 존재하는 불순 가스를 용이하게 효과적으로 제거할 수 있다. 또한, 승온 단계(S2)에서 배기 공정이 일부 이루어져, 봉착 단계(S3) 이후에 수행되는 배기 공정에 소요되는 시간을 줄일 수 있다. As described above, the exhaust process in the temperature raising step (S2), the partition 33 and the front substrate 20 is made in a state separated from the impurities present in the interior space of the front substrate 20 and the rear substrate 30. The gas can be easily and effectively removed. In addition, a part of the exhaust process is performed in the temperature increasing step S2, so that the time required for the exhaust process performed after the sealing step S3 may be reduced.

다음, 도 2d 및 도 3을 참조하면, 상기 봉착 단계(S3)는 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)을 봉착시키는 단계이다.Next, referring to FIGS. 2D and 3, the sealing step S3 is a step of sealing the front substrate 20 and the rear substrate 30.

봉착 단계(S3)는 가열 장치(미도시)에 의해 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)을 승온 단계(S2)에서 가열한 온도보다 더 높은 온도(봉착 온도; 대략 495℃ 이상)로 가열시킨다. 여기서, 상기 봉착용 프리트(40)는 용융되어 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)을 실질적으로 봉착시킨다. 이때, 상기 봉착용 프리트(40)는 용융되어 높이가 낮아지기 때문에, 상기 봉착용 프리트(40)의 높이가 상기 격벽(33)의 높이와 동일하게 된다. 이에 따라, 상기 격벽(33)과 상기 전면 기판(20)의 이격 공간은 없어지게 된다. The sealing step S3 is a temperature (sealing temperature; approximately 495 ° C. or more) higher than the temperature at which the front substrate 20 and the rear substrate 30 are heated in the temperature raising step S2 by a heating device (not shown). Heat. Here, the sealing frit 40 is melted to substantially seal the front substrate 20 and the rear substrate 30. At this time, since the sealing frit 40 is melted and the height is lowered, the height of the sealing frit 40 is equal to the height of the partition 33. Accordingly, the separation space between the partition 33 and the front substrate 20 is lost.

한편, 봉착 단계(S3)가 완료되면, 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)을 상 기 봉착 온도 이하로 냉각시키고, 상기 봉착 단계(S3)에서 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30) 사이에 발생된 불순 가스를 제거하기 위해 배기 공정을 다시 한번 수행한다. 그리고 나서, 다시 한번 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)을 냉각시킨다.On the other hand, when the sealing step (S3) is completed, the front substrate 20 and the rear substrate 30 is cooled to below the sealing temperature, and in the sealing step (S3) the front substrate 20 and the rear substrate ( The exhaust process is once again performed to remove the impurity gas generated in between. Then, the front substrate 20 and the rear substrate 30 are cooled once again.

다음, 도 2e 및 도 3을 참조하면, 상기 방전 가스 주입 및 배기관 봉지 단계(S4)는 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)의 내부 공간에 방전 가스를 주입한 후, 상기 배기관(37)을 봉지하는 단계이다.Next, referring to FIGS. 2E and 3, in the discharging gas injection and exhaust pipe encapsulation step S4, after discharging the discharging gas into the interior spaces of the front substrate 20 and the rear substrate 30, the exhaust pipe 37 ) Is a step of encapsulating.

구체적으로, 방전 가스 주입 및 배기관 봉지 단계(S4)는 가스 충전 장치(미도시)로부터 방전 가스를, 펌프(미도시)를 이용하여 상기 후면 기판(30)에 설치된 배기관(37)을 통해 상기 전면 기판(20)과 후면 기판(30)의 내부로 주입하고 난 후, 상기 배기관(37)을 봉지한다. 이에 따라, 플라즈마 표시 패널(50)이 완성된다.Specifically, in the discharge gas injection and exhaust pipe encapsulation step (S4), the discharge gas is discharged from a gas filling device (not shown) through the exhaust pipe 37 installed on the rear substrate 30 using a pump (not shown). After the injection into the substrate 20 and the rear substrate 30, the exhaust pipe 37 is sealed. As a result, the plasma display panel 50 is completed.

상기와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 제조 방법은 봉착 단계(S3) 이전인 승온 단계(S2)(용융되지 않은 봉착용 프리트(40)의 높이와 격벽(33)의 높이차로 인해 격벽과 전면 기판(20) 사이에 이격 공간이 형성된 상태임)에서 불활성 가스를 이용하여 배기 공정을 수행함으로써, 전면 기판(20)과 후면 기판(30)의 내부 공간에 존재하는 불순 가스를 상기 이격 공간을 통해 효과적으로 제거하여 플라즈마 표시 패널(50)의 휘도를 높이고 방전 개시 전압을 낮출 수 있다.As described above, the method of manufacturing the plasma display panel according to the exemplary embodiment of the present invention includes the temperature raising step S2 (the height of the unmelted sealing frit 40 and the height of the partition 33) before the sealing step S3. By performing the exhaust process using an inert gas in the separation space between the partition wall and the front substrate 20 due to the difference, impurity gas existing in the interior space of the front substrate 20 and the rear substrate 30 By effectively removing the gap through the space, the luminance of the plasma display panel 50 may be increased and the discharge start voltage may be decreased.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 제조 방법은, 종래에 봉착 단계 이후 별도 수행되었던 배기 공정을, 봉착 단계(S3) 이전의 승온 단계(S2)에서 일부 수행함으로써, 플라즈마 표시 패널(50)의 전체 제조 시간을 줄일 수 있다In addition, in the method of manufacturing the plasma display panel according to the exemplary embodiment of the present invention, the plasma display panel may be manufactured by partially performing an exhaust process that has been performed separately after the sealing step in the temperature raising step S2 before the sealing step S3. Can reduce the overall manufacturing time of 50)

다음은, 상기와 같은 방법에 의해 승온 단계(S2)에서 배기 공정이 실시되어 완성된 플라즈마 표시 패널(50)과, 배기 공정이 봉착 단계 이후에만 실시된 종래의 방법에 의해 완성된 종래의 플라즈마 표시 패널의 광학 특성 및 방전 개시 전압(Vf)의 특성을 비교하여 설명하기로 한다.Next, the plasma display panel 50 completed by the exhaust process is performed in the temperature increasing step S2 by the above method, and the conventional plasma display completed by the conventional method in which the exhaust process is performed only after the sealing step. The optical characteristics of the panel and the characteristics of the discharge start voltage Vf will be compared and explained.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 제조 방법에 의해 제조된 플라즈마 표시 패널과, 종래 플라즈마 표시 패널의 제조 방법에 의해 제조된 플라즈마 표시 패널의 광학 특성을 비교한 표이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 제조 방법에 의해 제조된 플라즈마 표시 패널과, 종래 플라즈마 표시 패널의 제조 방법에 의해 제조된 플라즈마 표시 패널의 방전 개시 전압(Vf)을 측정한 결과표이다.4 is a table comparing optical characteristics of a plasma display panel manufactured by a method of manufacturing a plasma display panel and a plasma display panel manufactured by a method of manufacturing a conventional plasma display panel according to an embodiment of the present invention. 5 is a result table of measuring the discharge start voltage Vf of the plasma display panel manufactured by the method of manufacturing the plasma display panel and the plasma display panel manufactured by the conventional method of manufacturing the plasma display panel. to be.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법에 의해 완성된 플라즈마 표시 패널(50)이, 종래의 플라즈마 표시 패널보다 색좌표에서 0.293에서 0.284로 더 낮아진 청색(Blue) Y좌표값을 가지는 것을 알 수 있다. 색좌표에서는 청색(Blue) Y좌표값이 낮을수록 파란색에 가까워짐을 나타내며, 이로부터 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법에 의해 완성된 플라즈마 표시 패널(50)은, 종래 플 라즈마 표시 패널보다 약 5% 정도(0.060과 0.055의 차이) 높은 청색(Blue) 형광체의 효율을 가져 높은 청색(Blue) 휘도를 가질 수 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 4, the plasma display panel 50 completed by the manufacturing method according to the exemplary embodiment of the present invention has a blue Y coordinate value lower from 0.293 to 0.284 in color coordinates than the conventional plasma display panel. It can be seen that it has. In the color coordinates, the lower the value of the blue Y coordinate, the closer to the blue color. From this, the plasma display panel 50 completed by the manufacturing method according to the exemplary embodiment of the present invention is weaker than the conventional plasma display panel. 5% (difference between 0.060 and 0.055) It can be seen that the efficiency of the blue (Blue) phosphor can have a high blue brightness.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법에 의해 완성된 플라즈마 표시 패널(50)이, 종래의 플라즈마 표시 패널보다 210.66(cd/m²)에서 244.48(cd/m²)로 더 높은 F/W(Full White)의 휘도를 가지는 것을 알 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법 의해 완성된 플라즈마 표시 패널(50)은, 종래 플라즈마 표시 패널보다 높은 화질을 가질 수 있음을 알 수 있다.In addition, the plasma display panel 50. The completed by the manufacturing method according to an embodiment of the present invention, from 210.66 (cd / m ²⁾ than the conventional plasma display panel 244.48 (cd / m ²⁾ to a higher F / It can be seen that it has a luminance of W (Full White). Accordingly, it can be seen that the plasma display panel 50 completed by the manufacturing method according to the exemplary embodiment of the present invention may have higher image quality than the conventional plasma display panel.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법 의해 완성된 플라즈마 표시 패널(50)이, 종래의 플라즈마 표시 패널보다 평균적으로 263.6(V)에서 252.1(V)로 더 낮은 레벨의 방전 개시 전압(Vf)을 가지는 것을 알 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법 의해 완성된 플라즈마 표시 패널(50)은, 종래의 플라즈마 표시 패널보다 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 필요한 전압을 줄일 수 있어, 저전압에서 구동을 가능하게 할 수 있다. Referring to FIG. 5, the plasma display panel 50 completed by the manufacturing method according to the embodiment of the present invention discharges at a lower level from 263.6 (V) to 252.1 (V) on average than the conventional plasma display panel. It can be seen that it has a starting voltage Vf. Accordingly, the plasma display panel 50 completed by the manufacturing method according to the embodiment of the present invention can reduce the voltage required for the address electrode, the scan electrode, and the sustain electrode, compared to the conventional plasma display panel, thereby driving at low voltage. You can do that.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이 다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments illustrated in the accompanying drawings, it is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Could be. Accordingly, the true scope of protection of the invention should be defined only by the appended claims.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 제조 방법의 흐름도이다.1 is a flowchart of a method of manufacturing a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2a 및 도 2b는 도 1의 전면 기판 및 후면 기판 준비 단계를 설명하기 위한 도면들이다.2A and 2B are diagrams for describing a front substrate and a rear substrate preparation step of FIG. 1.

도 2c는 도 1의 승온 단계를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2C is a diagram for describing a temperature raising step of FIG. 1.

도 2d는 도 1의 봉착 단계를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2D is a view for explaining the sealing step of FIG. 1.

도 2e는 도 1의 방전 가스 주입 및 배기관 봉지 단계를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2E is a view for explaining a discharge gas injection and exhaust pipe encapsulation step of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 플라즈마 표시 패널의 제조시 시간에 대한 온도 프로파일을 개략적으로 나타낸 그래프이다.FIG. 3 is a graph schematically illustrating a temperature profile with respect to time in the manufacture of a plasma display panel of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 제조 방법에 의해 제조된 플라즈마 표시 패널과 종래 플라즈마 표시 패널의 제조 방법에 의해 제조된 플라즈마 표시 패널의 광학 특성을 비교한 표이다.4 is a table comparing optical characteristics of a plasma display panel manufactured by a method of manufacturing a plasma display panel and a plasma display panel manufactured by a method of manufacturing a conventional plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 제조 방법에 의해 제조된 플라즈마 표시 패널과 종래 플라즈마 표시 패널의 제조 방법에 의해 제조된 플라즈마 표시 패널의 방전 개시 전압(Vf)을 측정한 결과표이다.5 is a result table of measuring a discharge start voltage Vf of a plasma display panel manufactured by a method of manufacturing a plasma display panel and a plasma display panel manufactured by a method of manufacturing a conventional plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention. to be.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

20: 전면 기판 30: 후면 기판20: front substrate 30: rear substrate

33: 격벽 40: 봉착용 프리트33: partition 40: sealing frit

50: 플라즈마 표시 패널50: plasma display panel

Claims

격벽을 사이에 두고 서로 평행하게 배치되며, 어느 하나의 가장 자리에 봉착용 프리트가 도포되는 전면 기판 및 후면 기판을 준비하는 전면 기판 및 후면 기판 준비 단계;A front substrate and a rear substrate preparation step of preparing a front substrate and a rear substrate disposed parallel to each other with a partition wall interposed therebetween, and having a sealing frit applied to one edge thereof;

상기 전면 기판 및 후면 기판을 가열하여 승온시키는 승온 단계;A temperature raising step of heating and heating the front substrate and the rear substrate;

상기 전면 기판 및 후면 기판을 봉착 온도까지 더 가열하여 상기 전면 기판과 상기 후면 기판을 봉착시키는 봉착 단계; 및A sealing step of further heating the front substrate and the rear substrate to a sealing temperature to seal the front substrate and the rear substrate; And

상기 전면 기판 및 후면 기판을 상기 봉착 온도 이하로 냉각시키고, 상기 후면 기판에 설치된 배기관을 통해 상기 전면 기판과 상기 후면 기판의 내부로 방전 가스를 주입하고, 상기 배기관을 봉지하는 방전 가스 주입 및 배기관 봉지 단계를 포함하며,Discharge gas injection and exhaust pipe encapsulation for cooling the front and rear substrates below the sealing temperature, injecting discharge gas into the front substrate and the rear substrate through an exhaust pipe installed in the rear substrate, and sealing the exhaust pipe. Steps,

상기 승온 단계는 상기 봉착 온도보다 낮은 배기 온도에서 불활성 가스를 상기 배기관을 통해 상기 전면 기판과 상기 후면 기판의 내부로 주입함으로써, 상기 전면 기판과 상기 후면 기판의 내부에 존재하는 불순 가스를 방출시키는 배기 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널의 제조 방법.The temperature raising step is to exhaust the inert gas at the exhaust temperature lower than the sealing temperature into the interior of the front substrate and the rear substrate through the exhaust pipe, thereby releasing impurities gas existing in the interior of the front substrate and the rear substrate A method of manufacturing a plasma display panel comprising a step.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 불활성 가스는 Ne, He, Xe 중 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널의 제조 방법.The inert gas includes at least one selected from Ne, He, and Xe.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 불활성 가스는 상압 이상의 압력으로 주입되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널의 제조 방법.And the inert gas is injected at a pressure equal to or greater than normal pressure.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 배기 온도는 300℃ 내지 470℃ 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널의 제조 방법.The exhaust temperature is a method of manufacturing a plasma display panel, characterized in that 300 ℃ to 470 ℃.

제 1 항에 있어서The method of claim 1

상기 전면 기판 및 후면 기판 준비 단계에서 상기 봉착용 프리트가 상기 격벽 높이 이상의 높이로 도포되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널의 제조 방법.And the sealing frit is applied at a height equal to or greater than the height of the barrier rib in the front substrate and back substrate preparation step.

제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein

상기 승온 단계의 배기 공정은 상기 격벽과 상기 전면 기판 사이에 형성된 이격 공간을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널의 제조 방법.And wherein the exhausting step of the temperature increasing step is performed through a separation space formed between the barrier rib and the front substrate.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 봉착 단계에서 상기 봉착용 프리트의 높이가 상기 격벽의 높이와 동일해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널의 제조 방법.And the height of the sealing frit is equal to the height of the partition wall in the sealing step.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 봉착 단계 후에, 상기 전면 기판과 상기 후면 기판의 내부에 발생된 불순 가스를 제거하는 배기 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널의 제조 방법.And an exhausting step of removing impurity gas generated in the front substrate and the rear substrate after the sealing step.