KR20090101816A - Developing apparatus and developing method - Google Patents

Developing apparatus and developing method

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KR20090101816A
KR20090101816A KR1020090007333A KR20090007333A KR20090101816A KR 20090101816 A KR20090101816 A KR 20090101816A KR 1020090007333 A KR1020090007333 A KR 1020090007333A KR 20090007333 A KR20090007333 A KR 20090007333A KR 20090101816 A KR20090101816 A KR 20090101816A
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마사히코 하루모토
미노루 스기야마
타쿠야 쿠로다
마사노리 이마무라
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가부시키가이샤 소쿠도
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Abstract

PURPOSE: A developing apparatus and a developing method thereof are provided to prevent a development failure. CONSTITUTION: A developing apparatus includes a rotation holding support device(10) and a developer supply unit(21). A rotation holding support device supports a substrate horizontally. The rotation holding support device rotates the substrate around an axis vertical to the substrate. The developer supply unit continuously supplies the developer from the center to the edge of the substrate while the substrate is rotated in the rotation holding support device.

Description

현상장치 및 현상방법{DEVELOPING APPARATUS AND DEVELOPING METHOD}Developing apparatus and developing method {DEVELOPING APPARATUS AND DEVELOPING METHOD}

본 발명은, 기판의 현상처리(現像處理)를 행하는 현상장치 및 현상방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the developing apparatus and developing method which perform the image development process of a board | substrate.

종래, 기판 상에 형성된 레지스트막의 현상처리를 행하기 위해서 현상장치가 사용된다. 예를 들면 현상장치는, 기판을 수평으로 보유지지해서 연직축 둘레로 회전시키는 스핀 척과, 기판에 현상액을 공급하는 노즐을 구비한다. 현상처리시에는,스핀 척에 의해 기판이 회전하는 상태에서, 노즐이 현상액을 토출하면서 기판의 외측으로부터 기판의 중심부 윗쪽으로 이동한다(예를 들면 일본 특허공개 2005-210059호 공보 참조).Background Art Conventionally, a developing apparatus is used for developing a resist film formed on a substrate. For example, the developing apparatus includes a spin chuck that holds the substrate horizontally and rotates it around the vertical axis, and a nozzle that supplies the developer to the substrate. In the development process, in a state in which the substrate is rotated by the spin chuck, the nozzle moves from the outside of the substrate to the upper portion of the center of the substrate while discharging the developer (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2005-210059).

이 경우, 기판 상의 전체에 현상액이 공급되어, 기판 상의 레지스트막을 덮도록 현상액의 액층(液層)이 형성된다. 그 상태에서, 기판 상의 레지스트막의 용해반응이 진행한다. 그 후, 기판 상의 현상액 및 용해한 레지스트가 제거되어, 현상처리가 종료한다.In this case, the developer is supplied to the whole on the substrate, and a liquid layer of the developer is formed so as to cover the resist film on the substrate. In this state, the dissolution reaction of the resist film on the substrate proceeds. Thereafter, the developer and the dissolved resist on the substrate are removed to complete the development.

상기한 바와 같이 하여 현상처리를 행할 경우, 레지스트막의 발수성(撥水性)이 높으면, 현상액이 레지스트막 상에서 튕겨나간다. 그 때문에, 현상액의 액층을 양호하게 형성하는 것이 곤란해진다. 그에 의하여, 레지스트막의 원하는 부분을 확실하게 용해시킬 수 없어서, 현상불량이 발생한다.In the development process as described above, if the water repellency of the resist film is high, the developer is thrown out on the resist film. Therefore, it becomes difficult to form the liquid layer of a developing solution favorably. As a result, it is impossible to reliably dissolve the desired portion of the resist film, resulting in poor development.

또한, 노즐로부터의 현상액의 토출유량을 많게 하여 액층을 형성하는 것이 가능하게 되지만, 비용이 증대하는 동시에, 현상불균일이 생기기 쉬워진다.Moreover, although it becomes possible to form a liquid layer by increasing the discharge flow volume of the developing solution from a nozzle, while developing a cost, it becomes easy to produce a development nonuniformity.

본 발명의 목적은, 비용의 증대를 억제하면서 현상불량의 발생을 방지함이 가능한 현상장치 및 현상방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a developing apparatus and a developing method which can prevent the occurrence of developing defects while suppressing an increase in cost.

(1) 본 발명의 한 가지 특징에 따른 현상장치는, 기판을 대략 수평으로 보유지지하면서 그 기판에 수직한 축 둘레로 회전시키는 회전보유지지장치와, 기판이 회전보유지지장치에 의해 회전하는 상태에서, 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액을 공급한 후에 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액을 공급하는 현상액공급부를 구비하는 것이다.(1) A developing apparatus according to one aspect of the present invention is a rotation holding device for holding a substrate substantially horizontally and rotating about an axis perpendicular to the substrate, and a state in which the substrate is rotated by the rotation holding device. In this case, the developer is provided with the developer supplying the developer continuously from the edge of the substrate to the edge portion and then continuously feeding the developer from the edge of the substrate to the edge portion.

이 현상장치에 있어서는, 회전보유지지장치에 의해 기판이 대략 수평으로 보유지지되면서 회전한다. 그 상태에서, 현상액공급부에 의해 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액이 공급된다. 이에 의해, 기판 상의 전체에 현상액이 공급되어, 기판의 표면이 충분히 습윤(濕潤)한 상태가 된다.In this developing device, the substrate is rotated while being held substantially horizontally by the rotation holding device. In that state, the developer is continuously supplied from the central portion of the substrate to the edge portion by the developer supply portion. Thereby, the developing solution is supplied to the whole on a board | substrate, and the surface of a board | substrate will be in the state fully wet.

계속해서, 현상액공급부에 의해 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액이 공급되어, 기판 상에 현상액의 액층이 형성된다. 이 경우, 기판의 표면이 현상액으로 충분하게 습윤한 상태임에 의해, 기판의 표면의 발수성이 높을 경우라도, 기판 상에서 현상액이 튕겨나가기 어렵다. 그에 의하여, 적은 양의 현상액으로 확실하게 현상액의 액층을 형성할 수 있다. 따라서, 비용의 증대를 억제하면서 현상불량의 발생을 방지할 수 있다.Then, the developer is continuously supplied from the edge portion of the substrate to the center portion by the developer supply portion, thereby forming a liquid layer of the developer on the substrate. In this case, the surface of the substrate is sufficiently wetted with the developer, so that even if the surface of the substrate has high water repellency, the developer hardly bounces off the substrate. Thereby, the liquid layer of a developing solution can be formed reliably with a small amount of developing solution. Therefore, occurrence of development defect can be prevented while suppressing increase in cost.

또한, 기판을 회전시킨 상태에서 현상액의 액층을 형성함에 의해, 원심력에 의하여 현상액의 액층을 얇게 펼 수 있다. 그 때문에, 기판을 고정한 상태에서 현상액의 액층을 형성할 경우에 비하여, 현상액의 사용량을 더욱 억제할 수 있다.Moreover, by forming the liquid layer of the developing solution in the state which rotated the board | substrate, the liquid layer of a developing solution can be spread thinly by centrifugal force. Therefore, compared with the case where the liquid layer of a developing solution is formed in the state which fixed the board | substrate, the usage-amount of a developing solution can be further suppressed.

또한, 현상액의 공급위치가 기판의 중심부와 가장자리부와의 사이에서 이동하므로, 기판 상의 특정한 영역에 계속적으로 현상액이 공급될 경우에 비하여, 레지스트막의 반응이 치우쳐서 진행하는 것이 방지된다. 그에 의하여, 현상불균일의 발생이 억제되어, 선폭균일성(線幅均一性)이 향상한다.In addition, since the supply position of the developing solution moves between the center portion and the edge portion of the substrate, the reaction of the resist film is prevented from progressing as compared with the case where the developing solution is continuously supplied to a specific region on the substrate. As a result, occurrence of development irregularities is suppressed, and line width uniformity is improved.

(2) 현상액공급부는, 기판의 바깥둘레단부로부터 외측으로 현상액을 공급하지 않아도 좋다. 이 경우, 기판의 바깥둘레단부를 가로지르도록 현상액이 공급되는 일이 없다. 그에 의하여, 현상액의 비산(飛散)을 억제할 수 있다. 따라서, 현상장치 내의 각 부에 현상액이 부착되는 것을 방지할 수 있다.(2) The developer supply unit may not supply the developer from the outer peripheral end of the substrate to the outside. In this case, the developer is not supplied to cross the outer peripheral end of the substrate. Thereby, scattering of a developing solution can be suppressed. Therefore, it is possible to prevent the developer from adhering to each part in the developing apparatus.

(3) 현상액공급부는, 기판이 제1회전속도로 회전하는 상태에서 기판의 중심부부터 가장자리부에 연속적으로 현상액을 공급하여, 기판이 제1회전속도보다 낮은 제2회전속도로 회전하는 상태에서 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액을 공급해도 좋다.(3) The developer supplying section supplies the developer continuously from the center portion of the substrate to the edge portion in the state where the substrate rotates at the first rotational speed so that the substrate rotates at the second rotational speed lower than the first rotational speed. The developer may be continuously supplied from the edge of the to the center.

이 경우, 기판의 회전속도가 비교적 높은 상태에서 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액을 공급함에 의해, 신속하게 기판의 표면을 현상액으로 습윤시킬 수 있다. 또한, 기판의 회전속도가 비교적 낮은 상태에서 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액을 공급함에 의해, 원심력의 작용이 작은 상태에서 기판 상에 현상액의 액층을 확실하게 형성할 수 있다.In this case, it is possible to quickly wet the surface of the substrate with the developer by supplying the developer continuously from the center of the substrate to the edge portion in a state where the rotational speed of the substrate is relatively high. Further, by continuously supplying the developing solution from the edge portion of the substrate to the center portion in a state where the rotational speed of the substrate is relatively low, it is possible to reliably form the liquid layer of the developing solution on the substrate in a state where the action of the centrifugal force is small.

(4) 회전보유지지장치는, 기판의 회전속도를 제2회전속도로부터 단계적으로 하강시켜도 좋다. 이 경우, 기판 상에 현상액의 액층이 얇게 펴진 상태를 안정하게 유지하면서 기판의 회전속도를 하강시킬 수 있다.(4) The rotation holding device may lower the rotational speed of the substrate in steps from the second rotational speed. In this case, the rotational speed of the substrate can be lowered while maintaining the state in which the liquid layer of the developer is thinly spread on the substrate.

(5) 현상액공급부는, 기판이 제1회전속도보다 낮은 제3회전속도로 회전하는 상태에서 기판의 중심부로 계속적으로 현상액을 공급하여, 기판의 회전속도가 제3회전속도로부터 제1회전속도로 상승한 후에 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액을 공급해도 좋다.(5) The developer supply unit continuously supplies the developer to the center of the substrate while the substrate is rotating at a third rotational speed lower than the first rotational speed, so that the rotational speed of the substrate is changed from the third rotational speed to the first rotational speed. After raising, the developer may be continuously supplied from the center of the substrate to the edge portion.

이 경우, 기판이 제3회전속도로 회전하는 상태에서는, 기판 상에 공급된 현상액에 큰 원심력이 작용하지 않는다. 그 때문에, 현상액이 기판의 중심부 부근의 영역 내에서 보유된다. 기판의 회전속도가 제3회전속도로부터 제1회전속도로 상승할 때에, 기판의 중심부에 보유된 현상액이 원심력에 의해 기판 상의 전체로 순간적으로 퍼진다.In this case, in the state where the substrate rotates at the third rotational speed, a large centrifugal force does not act on the developer supplied on the substrate. Therefore, the developer is retained in the region near the center of the substrate. When the rotational speed of the substrate rises from the third rotational speed to the first rotational speed, the developing solution held in the center of the substrate is instantaneously spread throughout the substrate by centrifugal force.

그에 의하여, 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액이 공급되기 전에, 기판의 표면을 미리 현상액으로 습윤시킬 수 있다. 그에 의하여, 효율 좋게 확실하게 기판의 표면의 전체를 현상액으로 습윤시킬 수 있고, 적은 양의 현상액에 의해 확실하게 현상액의 액층을 형성하는 것이 가능하게 된다.Thereby, before the developer is continuously supplied from the center portion of the substrate to the edge portion, the surface of the substrate can be wetted with the developer in advance. Thereby, the whole surface of the board | substrate can be wetted with a developing solution efficiently and reliably, and it becomes possible to form a liquid layer of a developing solution reliably with a small amount of developing solution.

(6) 본 발명의 다른 특징에 따른 현상방법은, 기판을 대략 수평으로 보유지지하면서 그 기판에 수직한 축 둘레로 회전시키는 공정과, 회전하는 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액을 공급한 후에 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액을 공급하는 공정을 구비하는 것이다.(6) A developing method according to another aspect of the present invention comprises the steps of: holding a substrate approximately horizontally and rotating it about an axis perpendicular to the substrate; and continuously supplying a developing solution from the center of the rotating substrate to the edge portion; The process of supplying a developing solution continuously from the edge part of a board | substrate to a center part is provided.

이 현상방법에 있어서는, 기판이 대략 수평으로 보유지지되면서 회전하는 상태에서, 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액이 공급된다. 이에 의해, 기판 상의 전체에 현상액이 공급되어, 기판의 표면이 충분히 습윤한 상태가 된다.In this developing method, the developer is continuously supplied from the center of the substrate to the edge portion while the substrate is rotated while being held substantially horizontally. Thereby, a developing solution is supplied to the whole on a board | substrate, and the surface of a board | substrate will be in the state fully wet.

계속해서, 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액이 공급되어, 기판 상에 현상액의 액층이 형성된다. 이 경우, 기판의 표면이 충분히 습윤한 상태임에 따라, 기판의 표면의 발수성이 높을 경우라도, 기판 상에서 현상액이 튕겨나가기 어렵다. 따라서, 적은 양의 현상액으로 확실하게 현상액의 액층을 형성할 수 있다. 따라서, 비용의 증대를 억제하면서 현상불량의 발생을 방지하는 것이 가능하게 된다. Subsequently, the developer is continuously supplied from the edge portion of the substrate to the center portion, whereby a liquid layer of the developer is formed on the substrate. In this case, as the surface of the substrate is sufficiently wet, even if the water repellency of the surface of the substrate is high, the developer hardly bounces off the substrate. Therefore, it is possible to reliably form the liquid layer of the developer with a small amount of developer. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of developing defects while suppressing an increase in cost.

또한, 기판을 회전시킨 상태에서 현상액의 액층을 형성함에 의해, 원심력에 의하여 현상액의 액층을 얇게 펼 수 있다. 그 때문에, 기판을 고정한 상태에서 현상액의 액층을 형성할 경우에 비하여, 현상액의 사용량을 더욱 억제할 수 있다.Moreover, by forming the liquid layer of the developing solution in the state which rotated the board | substrate, the liquid layer of a developing solution can be spread thinly by centrifugal force. Therefore, compared with the case where the liquid layer of a developing solution is formed in the state which fixed the board | substrate, the usage-amount of a developing solution can be further suppressed.

또한, 현상액의 공급위치가 기판의 중심부와 가장자리부와의 사이에서 이동하므로, 기판 상의 특정한 영역에 계속적으로 현상액이 공급될 경우에 비하여, 레지스트막의 반응이 치우쳐서 진행하는 것이 방지된다. 그에 의하여, 현상불균일의 발생이 억제되어, 선폭균일성이 향상한다.In addition, since the supply position of the developing solution moves between the center portion and the edge portion of the substrate, the reaction of the resist film is prevented from progressing as compared with the case where the developing solution is continuously supplied to a specific region on the substrate. Thereby, generation | occurrence | production of image development nonuniformity is suppressed and line width uniformity improves.

본 발명에 의하면, 적은 양의 현상액으로 확실하게 현상액의 액층을 형성할 수 있다. 그에 의하여, 비용의 증대를 억제하면서 현상불량의 발생을 방지하는 것이 가능하다.According to the present invention, the liquid layer of the developer can be reliably formed with a small amount of the developer. Thereby, it is possible to prevent the occurrence of developing defects while suppressing an increase in cost.

(7) 본 발명의 또 다른 특징에 따른 현상장치는, 기판을 대략 수평으로 보유지지하면서 그 기판에 수직한 축 둘레로 회전시키는 회전보유지지장치와, 회전보유지지장치에 의해 회전하는 기판 상에 현상액의 액층을 형성하는 액층형성부를 구비하고, 회전보유지지장치는,액층형성부에 의한 현상액의 액층의 형성시에 기판을 제1회전속도로 회전시켜, 현상액의 액층의 형성 후에 기판의 회전속도를 제1회전속도로부터 단계적으로 하강시키는 것이다.(7) A developing apparatus according to still another aspect of the present invention is a rotating holding device for holding a substrate substantially horizontally and rotating about an axis perpendicular to the substrate, and on a substrate rotating by the rotating holding device. And a liquid layer forming portion for forming a liquid layer of the developing solution, wherein the rotation holding device rotates the substrate at a first rotational speed at the time of forming the liquid layer of the developing solution by the liquid layer forming portion and rotates the substrate after forming the liquid layer of the developing solution. Is to step down from the first rotational speed.

이 현상장치에 있어서는, 회전보유지지장치에 의해 기판이 대략 수평으로 보유지지되면서 회전한다. 기판이 제1회전속도로 회전하는 상태에서, 액층형성부에 의해 기판 상에 현상액의 액층이 형성된다. 이 경우, 기판을 회전시킨 상태에서 현상액의 액층을 형성함에 의해, 원심력에 의해 현상액의 액층을 얇게 펼 수 있다.In this developing device, the substrate is rotated while being held substantially horizontally by the rotation holding device. In the state where the substrate is rotated at the first rotational speed, the liquid layer of the developer is formed on the substrate by the liquid layer forming unit. In this case, by forming the liquid layer of the developing solution in a state where the substrate is rotated, the liquid layer of the developing solution can be spread thinly by centrifugal force.

현상액의 액층이 형성된 후, 기판의 회전속도가 제1회전속도로부터 단계적으로 하강한다. 이 경우, 기판 상에 현상액의 액층이 얇게 펴진 상태를 안정하게 유지하면서 기판의 회전속도를 하강시킬 수 있다. 기판의 회전속도가 하강함에 의해, 원심력에 의해 떨쳐지는 현상액의 양이 감소하여, 현상액의 공급양을 적게 하거나 현상액의 공급을 정지할 수 있다. 그에 의하여, 비용의 증대를 억제하면서 현상불량의 발생을 방지할 수 있다.After the liquid layer of the developing solution is formed, the rotational speed of the substrate is lowered step by step from the first rotational speed. In this case, the rotational speed of the substrate can be lowered while maintaining the state in which the liquid layer of the developer is thinly spread on the substrate. As the rotation speed of the substrate decreases, the amount of the developer dropped by the centrifugal force decreases, so that the supply amount of the developer can be reduced or the supply of the developer can be stopped. Thereby, occurrence of developing defects can be prevented while suppressing an increase in cost.

(8) 액층형성부는, 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액을 공급한 후, 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액을 공급해도 좋다.(8) The liquid layer forming unit may continuously supply the developer from the center to the edge of the substrate, and then supply the developer from the edge of the substrate to the center.

이 경우, 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액이 공급됨에 의해, 기판 상의 전체에 현상액이 공급되어, 기판의 표면이 충분히 습윤한 상태가 된다. 이어서, 액층형성부에 의해 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액이 공급됨에 의해, 기판 상에 현상액의 액층이 형성된다.In this case, the developer is continuously supplied from the center of the substrate to the edge portion, whereby the developer is supplied to the whole of the substrate, and the surface of the substrate is sufficiently wetted. Then, the developer is continuously supplied from the edge portion of the substrate to the center portion by the liquid layer forming portion, whereby a liquid layer of the developer is formed on the substrate.

이처럼, 현상액의 액층의 형성전에, 기판의 표면을 현상액으로 충분히 습윤시킴으로써, 기판의 표면의 발수성이 높을 경우라도, 기판 상에서 현상액이 튕겨나가기 어렵게 된다. 그에 의하여, 적은 양의 현상액으로 확실하게 현상액의 액층을 형성할 수 있다. 따라서, 비용의 증대를 더욱 억제하는 것이 가능하게 됨과 아울러, 보다 확실하게 현상불량의 발생을 방지할 수 있다.In this way, before the formation of the liquid layer of the developing solution, the surface of the substrate is sufficiently wetted with the developing solution, so that even if the water repellency of the surface of the substrate is high, it is difficult for the developing solution to bounce off the substrate. Thereby, the liquid layer of a developing solution can be formed reliably with a small amount of developing solution. Therefore, the increase in cost can be further suppressed, and the occurrence of developing defects can be prevented more reliably.

또한, 현상액의 공급위치가 기판의 중심부와 가장자리부와의 사이에서 이동하므로, 기판 상의 특정한 영역에 계속적으로 현상액이 공급될 경우에 비하여, 레지스트막의 반응이 치우쳐서 진행하는 것이 방지된다. 그에 의하여, 현상불균일의 발생이 억제되어, 선폭균일성이 향상한다.In addition, since the supply position of the developing solution moves between the center portion and the edge portion of the substrate, the reaction of the resist film is prevented from progressing as compared with the case where the developing solution is continuously supplied to a specific region on the substrate. Thereby, generation | occurrence | production of image development nonuniformity is suppressed and line width uniformity improves.

(9) 회전보유지지장치는, 액층형성부에 의해 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액이 공급되는 기간에 기판을 제1회전속도보다도 높은 제2회전속도로 회전시켜, 액층형성부에 의해 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액이 공급되는 기간에 기판을 제1회전속도로 회전시켜도 좋다.(9) The rotation holding device rotates the substrate at a second rotational speed higher than the first rotational speed in a period in which the developer is continuously supplied from the center portion of the substrate to the edge portion by the liquid layer forming unit, and the substrate is held by the liquid layer forming unit. The substrate may be rotated at a first rotational speed in a period in which the developer is continuously supplied from the edge portion to the center portion.

이 경우, 기판의 회전속도가 비교적 높은 상태에서 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액을 공급함에 의해, 신속하게 기판의 표면을 현상액으로 습윤시킬 수 있다. 또한, 기판의 회전속도가 비교적 낮은 상태에서 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액을 공급함에 의해, 원심력의 작용이 작은 상태에서 기판 상에 현상액의 액층을 확실하게 형성할 수 있다.In this case, it is possible to quickly wet the surface of the substrate with the developer by supplying the developer continuously from the center of the substrate to the edge portion in a state where the rotational speed of the substrate is relatively high. Further, by continuously supplying the developing solution from the edge portion of the substrate to the center portion in a state where the rotational speed of the substrate is relatively low, it is possible to reliably form the liquid layer of the developing solution on the substrate in a state where the action of the centrifugal force is small.

(10) 회전보유지지장치는, 액층형성부에 의한 현상액의 액층의 형성전에 기판을 제1회전속도보다도 낮은 제3회전속도로부터 제1회전속도 이상의 제4회전속도로 상승시키고, 액층형성부는, 기판이 제3회전속도로 회전하는 상태에서 기판 중심부에 현상액을 공급해도 좋다.(10) The rotation holding device raises the substrate from the third rotational speed lower than the first rotational speed to the fourth rotational speed more than the first rotational speed before forming the liquid layer of the developer by the liquid layer formation unit, The developer may be supplied to the center of the substrate while the substrate is rotating at the third rotational speed.

이 경우, 기판이 제3회전속도로 회전하는 상태에서는, 기판 상에 공급된 현상액에 큰 원심력이 작용하지 않는다. 그 때문에, 현상액이 기판의 중심부 부근의 영역 내에서 보유된다. 기판의 회전속도가 제3회전속도로부터 제4회전속도로 상승할 때에, 기판의 중심부에 보유된 현상액이 원심력에 의해 기판 상의 전체에 순간적으로 퍼진다.In this case, in the state where the substrate rotates at the third rotational speed, a large centrifugal force does not act on the developer supplied on the substrate. Therefore, the developer is retained in the region near the center of the substrate. When the rotational speed of the substrate rises from the third rotational speed to the fourth rotational speed, the developer held in the center of the substrate is instantaneously spread over the entirety by the centrifugal force.

이에 의해, 기판의 표면을 현상액으로 습윤시킬 수 있고, 적은 양의 현상액으로 확실하게 현상액의 액층을 형성하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 비용의 증대를 더욱 억제하는 것이 가능해지는 동시에, 보다 확실하게 현상불량의 발생을 방지할 수 있다.As a result, the surface of the substrate can be wetted with a developer, and a liquid layer of the developer can be reliably formed with a small amount of developer. Therefore, the increase in cost can be further suppressed, and the occurrence of developing defect can be prevented more reliably.

(11) 본 발명의 또 다른 특징에 의한 현상방법은, 기판을 대략 수평으로 보유지지하면서 기판에 수직한 축 둘레로 회전시키는 공정과, 제1회전속도로 회전하는 기판 상에 현상액의 액층을 형성하는 공정과, 현상액의 액층의 형성 후에 기판의 회전속도를 제1회전속도로부터 단계적으로 하강시키는 공정을 구비하는 것이다.(11) A developing method according to still another aspect of the present invention comprises the steps of rotating a substrate about an axis perpendicular to the substrate while holding the substrate substantially horizontally, and forming a liquid layer of the developing solution on the substrate rotating at a first rotational speed. And a step of lowering the rotational speed of the substrate in steps from the first rotational speed after the formation of the liquid layer of the developing solution.

이 현상방법에 있어서는, 기판이 대략 수평으로 보유지지되면서 제1회전속도로 회전하는 상태에서, 기판 상에 현상액의 액층이 형성된다. 이 경우, 기판을 회전시킨 상태에서 현상액의 액층을 형성함에 의해, 원심력에 의해 현상액의 액층을 얇게 펼 수 있다.In this developing method, a liquid layer of a developing solution is formed on the substrate while the substrate is held substantially horizontally and rotates at the first rotational speed. In this case, by forming the liquid layer of the developing solution in a state where the substrate is rotated, the liquid layer of the developing solution can be spread thinly by centrifugal force.

현상액의 액층이 형성된 후, 기판의 회전속도가 제1회전속도로부터 단계적으로 하강한다. 이 경우, 기판 상에 현상액의 액층이 얇게 펴진 상태를 안정하게 유지하면서 기판의 회전속도를 하강시킬 수 있다. 기판의 회전속도가 하강함에 의해, 원심력에 의해 떨쳐지는 현상액의 양이 감소하여, 현상액의 공급양을 적게 하거나 현상액의 공급을 정지할 수 있다. 그에 의하여, 비용의 증대를 억제하면서 현상불량의 발생을 방지할 수 있다.After the liquid layer of the developing solution is formed, the rotational speed of the substrate is lowered step by step from the first rotational speed. In this case, the rotational speed of the substrate can be lowered while maintaining the state in which the liquid layer of the developer is thinly spread on the substrate. As the rotation speed of the substrate decreases, the amount of the developer dropped by the centrifugal force decreases, so that the supply amount of the developer can be reduced or the supply of the developer can be stopped. Thereby, occurrence of developing defects can be prevented while suppressing an increase in cost.

(12) 본 발명의 또 다른 특징에 따른 현상장치는, 기판을 대략 수평으로 보유지지하면서 그 기판에 수직한 축 둘레로 회전시키는 회전보유지지장치와, 회전보유지지장치에 의해 회전하는 기판에 린스액을 공급하는 린스액공급부와, 회전보유지지장치에 의해 회전하는 기판에 현상액을 공급하는 현상액공급부를 구비하고, 린스액공급부는, 제1기간(期間)에 기판의 중심부에 린스액을 공급하며, 회전보유지지장치는, 린스액공급부에 의해 공급된 린스액이 기판 상에서 보유되도록 제1기간에 기판을 제1회전속도로 회전시키고, 제1기간 후에 기판의 회전속도를 제1회전속도보다도 높은 제2회전속도로 상승시키고, 현상액공급부는, 회전보유지지장치에 의해 기판의 회전속도가 제1회전속도로부터 제2회전속도로 상승할 때에, 기판의 중심부에 현상액을 공급하는 것이다.(12) A developing apparatus according to still another aspect of the present invention is a rotation holding device for holding a substrate substantially horizontally and rotating about an axis perpendicular to the substrate, and rinsing the substrate rotating by the rotation holding device. A rinse solution supply unit for supplying a liquid and a developer supply unit for supplying a developer solution to a substrate rotating by a rotation holding device, wherein the rinse solution supply unit supplies the rinse solution to the center of the substrate in the first period. The rotation holding device rotates the substrate at a first rotational speed in a first period so that the rinse liquid supplied by the rinse liquid supply unit is held on the substrate, and after the first period, the rotational speed of the substrate is higher than the first rotational speed. The developer is supplied at the center of the substrate when the rotation speed of the substrate is increased from the first rotation speed to the second rotation speed by the rotation holding apparatus. It is.

이 현상장치에 있어서는, 제1기간에 회전보유지지장치에 의해 기판이 대략 수평으로 보유지지지되면서 제1회전속도로 회전한다. 그 상태에서, 린스액공급부에 의해 기판의 중심부에 린스액이 공급된다. 그 린스액은, 기판 상에서 보유된다.In this developing apparatus, the substrate is rotated at a first rotational speed while being held substantially horizontally by the rotation holding apparatus in the first period. In this state, the rinse liquid is supplied to the center of the substrate by the rinse liquid supply unit. The rinse liquid is retained on the substrate.

계속해서, 기판의 회전속도가 제1회전속도로부터 제2회전속도로 상승한다. 그에 의해, 기판 상에 보유되는 린스액에 원심력이 작용하여, 린스액이 기판 상에서 퍼지려고 한다. 그 때, 현상액공급부에 의해 기판의 중심부로 현상액이 공급된다. 공급된 현상액은, 린스액과 함께 기판 상의 전체에 순간적으로 퍼진다. 그 후, 기판 상의 린스액이 현상액으로 치환되어, 기판 상에 현상액의 액층이 형성된다.Subsequently, the rotation speed of the substrate increases from the first rotation speed to the second rotation speed. As a result, centrifugal force acts on the rinse liquid retained on the substrate, and the rinse liquid tries to spread on the substrate. At that time, the developer is supplied to the center of the substrate by the developer supply unit. The developing solution supplied is instantaneously spread with the rinse liquid all over the substrate. Thereafter, the rinse liquid on the substrate is replaced with the developer, and a liquid layer of the developer is formed on the substrate.

이렇게, 기판 상에 보유된 린스액이 원심력에 의해 퍼지는 힘을 이용하여, 현상액이 순간적으로 기판 상의 전체로 퍼진다. 그에 의하여, 현상액의 소비량을 억제하면서 효율 좋게 기판 상에 현상액의 액층을 형성할 수 있다.In this way, by using the force by which the rinse liquid held on the substrate is spread by the centrifugal force, the developer is instantaneously spread over the substrate. Thereby, the liquid layer of a developing solution can be formed on a board | substrate efficiently, while suppressing the consumption amount of a developing solution.

또한, 순간적으로 현상액을 기판 상에서 퍼트림에 의해, 기판(W)의 표면의 전체를 현상액으로 습윤시킬 수 있다. 이에 의해, 기판의 표면의 발수성이 높을 경우라도, 기판 상에서 현상액이 튕겨나가기 어려워진다. 그 때문에, 적은 양의 현상액으로 용이하면서 확실하게 액층을 형성하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 비용의 삭감이 가능해지는 동시에, 현상불량의 발생을 방지할 수 있다.In addition, by spreading the developer on the substrate instantaneously, the entire surface of the substrate W can be wetted with the developer. Thereby, even if the water repellency of the surface of a board | substrate is high, it becomes difficult for a developing solution to jump out on a board | substrate. Therefore, it becomes possible to form a liquid layer easily and reliably with a small amount of developing solution. Therefore, the cost can be reduced and the occurrence of developing defects can be prevented.

(13) 회전보유지지장치는, 기판의 회전속도를 제1회전속도로부터 제2회전속도로 상승시킨 후의 제2기간에, 기판을 제2회전속도보다도 낮은 제3회전속도로 회전시키고, 현상액공급부는, 제2기간 동안에 계속적으로 기판에 현상액을 공급해도 좋다.(13) The rotation holding device rotates the substrate at a third rotational speed lower than the second rotational speed in the second period after raising the rotational speed of the substrate from the first rotational speed to the second rotational speed, and supplies the developer. The part may continuously supply the developing solution to the substrate during the second period.

이 경우, 기판의 회전속도가 비교적 낮은 상태에서 계속적으로 기판에 현상액을 공급함에 의해, 원심력의 작용이 작은 상태에서 확실하게 기판 상에 현상액의 액층을 형성할 수 있다.In this case, by continuously supplying the developing solution to the substrate in a state where the rotational speed of the substrate is relatively low, the liquid layer of the developing solution can be reliably formed on the substrate in a state where the action of the centrifugal force is small.

(14) 회전보유지지장치는, 제2기간 후에 기판의 회전속도를 제2회전속도부터 단계적으로 하강시켜도 좋다.(14) The rotation holding device may lower the rotational speed of the substrate in steps from the second rotational speed after the second period.

이 경우, 기판 상에 현상액의 액층이 얇게 펴진 상태를 안정하게 유지하면서 기판의 회전속도를 하강시킬 수 있다.In this case, the rotational speed of the substrate can be lowered while maintaining the state in which the liquid layer of the developer is thinly spread on the substrate.

(15) 현상액공급부는, 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액을 공급한 후, 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액을 공급해도 좋다.(15) The developer supplying part may continuously supply the developer from the center of the substrate to the edge, and then supply the developer from the edge of the substrate to the center.

이 경우, 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액이 공급됨에 의해, 기판 상의 전체에 현상액이 공급되어, 기판의 표면이 충분히 습윤한 상태가 된다. 이어서, 현상액공급부에 의해 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액이 공급됨에 의해, 기판 상에 현상액의 액층이 형성된다.In this case, the developer is continuously supplied from the center of the substrate to the edge portion, whereby the developer is supplied to the whole of the substrate, and the surface of the substrate is sufficiently wetted. Then, the developer is continuously supplied from the edge portion of the substrate to the center portion by the developer supply portion, whereby a liquid layer of the developer is formed on the substrate.

이렇게, 현상액의 액층의 형성전에, 기판의 표면을 충분히 습윤시키는 것이 가능하므로, 적은 양의 현상액으로 보다 확실하게 현상액의 액층을 형성할 수 있다. 따라서, 비용의 증대를 더욱 억제하는 것이 가능해지는 동시에, 더욱 확실하게 현상불량의 발생을 방지할 수 있다.Thus, since the surface of a board | substrate can fully be wet before formation of the liquid layer of a developing solution, the liquid layer of a developing solution can be formed more reliably with a small amount of developing solution. Therefore, it is possible to further suppress the increase in cost and at the same time prevent the occurrence of developing defects more reliably.

또한, 현상액의 공급위치가 기판의 중심부와 가장자리부와의 사이에서 이동하므로, 기판 상의 특정한 영역으로 계속적으로 현상액이 공급될 경우에 비하여, 레지스트막의 반응이 치우쳐서 진행하는 것이 방지된다. 그에 의하여, 현상불균일의 발생이 억제되어, 선폭균일성이 향상한다.In addition, since the supply position of the developing solution moves between the center portion and the edge portion of the substrate, the reaction of the resist film is prevented from proceeding as compared with the case where the developing solution is continuously supplied to a specific region on the substrate. Thereby, generation | occurrence | production of image development nonuniformity is suppressed and line width uniformity improves.

(16) 본 발명의 또 다른 특징에 따른 현상방법은, 기판을 대략 수평으로 보유지지하면서 기판에 수직한 축 둘레로 제1회전속도로 회전시키는 공정과, 제1회전속도에서 회전하는 기판 상에 린스액을 공급하는 공정과, 기판의 회전속도를 제1회전속도부터 제2회전속도로 상승시키는 공정과, 기판의 회전속도가 제1회전속도로부터 제2회전속도로 상승할 때에 기판 상에 현상액을 공급하는 공정을 구비하는 것이다.(16) A developing method according to another aspect of the present invention comprises the steps of: rotating a substrate at a first rotational speed about an axis perpendicular to the substrate while holding the substrate substantially horizontally; Supplying the rinse liquid, increasing the rotational speed of the substrate from the first rotational speed to the second rotational speed, and developing solution on the substrate when the rotational speed of the substrate increases from the first rotational speed to the second rotational speed. It is to provide a step of supplying.

이 현상방법에 있어서는, 기판이 대략 수평으로 보유지지되면서 제1회전속도로 회전하는 상태에서, 기판의 중심부에 린스액이 공급된다. 그 린스액은, 기판 상에서 보유된다.In this developing method, the rinse liquid is supplied to the central portion of the substrate while the substrate is held substantially horizontally and rotates at the first rotational speed. The rinse liquid is retained on the substrate.

계속해서, 기판의 회전속도가 제1회전속도로부터 제2회전속도로 상승한다. 그에 의해, 기판 상에 보유되는 린스액에 원심력이 작용하고, 린스액이 기판 상에서 퍼지려고 한다. 그 때, 기판의 중심부에 현상액이 공급된다. 공급된 현상액은, 린스액과 함께 기판 상의 전체에 순간적으로 퍼진다. 그 후, 기판 상의 린스액이 현상액으로 치환되어, 기판 상에 현상액의 액층이 형성된다.Subsequently, the rotation speed of the substrate increases from the first rotation speed to the second rotation speed. Thereby, the centrifugal force acts on the rinse liquid retained on the substrate, and the rinse liquid tries to spread on the substrate. At that time, the developer is supplied to the center of the substrate. The developing solution supplied is instantaneously spread with the rinse liquid all over the substrate. Thereafter, the rinse liquid on the substrate is replaced with the developer, and a liquid layer of the developer is formed on the substrate.

이렇게, 기판 상에 보유된 린스액이 원심력에 의해 퍼지는 힘을 이용하여, 현상액이 순간적으로 기판 상의 전체에 퍼진다. 그에 의하여, 현상액의 소비량을 억제하면서 효율 좋게 기판 상에 현상액의 액층을 형성할 수 있다.In this way, by using the force by which the rinse liquid held on the substrate is spread by centrifugal force, the developer is instantaneously spread over the entire substrate. Thereby, the liquid layer of a developing solution can be formed on a board | substrate efficiently, while suppressing the consumption amount of a developing solution.

또한, 순간적으로 현상액을 기판 상에서 퍼트림에 의해, 기판(W)의 표면의 전체를 현상액으로 습윤시킬 수 있다. 이에 의해, 기판의 표면의 발수성이 높을 경우라도, 기판 상에서 현상액이 튕겨나가기 어려워진다. 그 때문에, 적은 양의 현상액으로 용이하면서 확실하게 액층을 형성하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 비용의 삭감이 가능해지는 동시에, 현상불량의 발생을 방지할 수 있다.In addition, by spreading the developer on the substrate instantaneously, the entire surface of the substrate W can be wetted with the developer. Thereby, even if the water repellency of the surface of a board | substrate is high, it becomes difficult for a developing solution to jump out on a board | substrate. Therefore, it becomes possible to form a liquid layer easily and reliably with a small amount of developing solution. Therefore, the cost can be reduced and the occurrence of developing defects can be prevented.

본 발명에 의하면, 비용의 증대를 억제하면서 현상불량의 발생을 방지하는 것이 가능한 현상장치 및 현상방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a developing apparatus and a developing method which can prevent the occurrence of developing defects while suppressing an increase in cost.

도 1은 현상장치의 구성을 나타내는 평면도.1 is a plan view showing the configuration of a developing apparatus.

도 2는 도 1의 현상장치의 Q-Q 선단면도.2 is a Q-Q front sectional view of the developing apparatus of FIG.

도 3은 현상액 노즐의 개략사시도.3 is a schematic perspective view of a developer nozzle.

도 4는 현상장치의 제어계를 나타내는 블록도.4 is a block diagram showing a control system of a developing apparatus.

도 5는 기판의 현상처리시에 있어서의 기판의 회전속도, 현상액의 유량 및 린스액의 유량의 변화를 나타내는 타이밍도.5 is a timing chart showing changes in the rotational speed of the substrate, the flow rate of the developing solution and the flow rate of the rinse liquid during the development of the substrate.

도 6은 액층형성공정에 있어서의 현상장치의 동작에 대해서 설명하기 위한 모식적평면도 및 측면도.6 is a schematic plan view and side view for explaining the operation of the developing apparatus in the liquid layer forming step.

도 7은 현상액의 액층의 형성과정을 나타내는 사시도 및 측면도.7 is a perspective view and a side view showing a process of forming a liquid layer of a developing solution.

도 8은 액층형성공정의 다른 예에 있어서의 기판의 회전속도, 현상액의 유량 및 린스액의 유량의 변화를 나타내는 타이밍도.8 is a timing chart showing changes in the rotational speed of the substrate, the flow rate of the developing solution and the flow rate of the rinse liquid in another example of the liquid layer forming step.

도 9는 기판 상에 공급된 현상액의 상태를 나타내는 평면도 및 측면도.9 is a plan view and a side view showing a state of a developer supplied on a substrate.

도 10은 제3동작예에 있어서의 기판(W)의 회전속도, 현상액의 유량 및 린스액의 유량의 변화를 나타내는 타이밍도.10 is a timing chart showing changes in the rotational speed of the substrate W, the flow rate of the developing solution and the flow rate of the rinse liquid in the third operation example.

도 11은 제3동작예의 액층형성공정에 있어서의 기판 상의 상태에 대해서 설명하기 위한 모식적 평면도 및 측면도.11 is a schematic plan view and side view for explaining a state on a substrate in a liquid layer forming step of a third operation example.

도 12는 제3동작예의 액층형성공정에 있어서의 기판 상의 상태에 대해서 설명하기 위한 모식적 평면도 및 측면도.12 is a schematic plan view and a side view for explaining a state on a substrate in a liquid layer forming step of a third operation example.

도 13은 액층형성공정의 시점 t3∼t7의 기간에서의 다른 동작예에 대해서 설명하기 위한 측면도.Fig. 13 is a side view for explaining another example of operation in the period of time points t3 to t7 of the liquid layer forming step.

도 14는 린스액토출노즐의 다른 예를 나타내는 외관사시도이다.14 is an external perspective view showing another example of the rinse liquid ejection nozzle.

(바람직한 실시예의 설명)(Description of a Preferred Embodiment)

이하, 본 발명의 일실시형태에 의한 현상장치 및 현상방법에 대해서 도면을 사용하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리기판, 광디스크용 기판, 자기디스크용 기판, 광자기디스크용 기판, 포토마스크용 기판등을 말한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the developing apparatus and developing method which concern on one Embodiment of this invention are demonstrated using drawing. In the following description, a substrate refers to a semiconductor substrate, a liquid crystal display device substrate, a plasma display substrate, a photomask glass substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, a photomask substrate, and the like. Say.

(1) 현상장치의 구성(1) Construction of the developing apparatus

도 1은, 현상장치의 구성을 나타내는 평면도이며, 도 2는 도 1의 현상장치의 Q-Q 선단면도다.1 is a plan view showing the configuration of a developing apparatus, and FIG. 2 is a Q-Q front sectional view of the developing apparatus of FIG.

도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 현상장치(100)는, 기판(W)을 수평자세로 흡착 보유지지지하는 스핀 척(10)을 구비한다. 스핀 척(10)은, 모터(11)(도 2)의 회전축(12)의 선단부에 고정되며, 연직방향의 축 둘레로 회전가능하게 구성되어 있다. 스핀 척(10)의 주위에는, 기판(W)을 둘러싸도록 원형의 내측컵(13)이 상하이동할 수 있게 설치되어 있다. 또한, 내측컵(13)의 주위에는, 정방형의 외측컵(14)이 설치되어 있다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the developing apparatus 100 includes a spin chuck 10 that holds and holds the substrate W in a horizontal position. The spin chuck 10 is fixed to the distal end of the rotating shaft 12 of the motor 11 (FIG. 2) and is configured to be rotatable about an axis in the vertical direction. In the circumference | surroundings of the spin chuck 10, the circular inner cup 13 is provided so that it may be moved so that it may surround the board | substrate W. As shown in FIG. In addition, a square outer cup 14 is provided around the inner cup 13.

도 1에 나타내는 바와 같이, 외측컵(14)의 측방에는, 대기포트(15)가 설치되어 있다. 또한, 외측컵(14) 및 대기포트(15)와 병행하여 뻗도록 가이드레일(16)이 설치되어 있다. 가이드 레일(16)을 따라 이동가능하게 아암 구동부(17)가 설치되어 있다. 아암 구동부(17)에는, 수평면 내에서 가이드 레일(16)에 수직한 방향으로 뻗은 노즐 아암(18)이 부착된다. 노즐 아암(18)은 아암 구동부(17)에 의해 구동되어, 가이드 레일(16)을 따른 방향으로 이동하는 동시에, 상하방향으로 승강한다.As shown in FIG. 1, the standby port 15 is provided on the side of the outer cup 14. In addition, the guide rail 16 is provided to extend in parallel with the outer cup 14 and the standby port 15. An arm drive unit 17 is provided to be movable along the guide rail 16. The arm drive part 17 is attached to the nozzle arm 18 extended in the direction perpendicular | vertical to the guide rail 16 in the horizontal plane. The nozzle arm 18 is driven by the arm drive unit 17, moves in the direction along the guide rail 16, and moves up and down.

스핀 척(10)에 관해서 가이드 레일(16)과 반대측의 영역에는, 세정용린스액으로서 순수를 토출하는 린스액 토출노즐(19)이 화살표R1의 방향으로 회동(回動)가능하게 설치되어 있다.In the region on the side opposite to the guide rail 16 with respect to the spin chuck 10, a rinse liquid discharge nozzle 19 for discharging pure water as a rinse liquid for cleaning is rotatably provided in the direction of an arrow R1. .

도 2에 나타내는 바와 같이, 노즐 아암(18)의 선단부에는, 복수(본 예에서는 5개)의 현상액토출구(22)를 갖는 현상액 노즐(21)이 설치되어 있다. 기판(W)의 현상처리시에는, 노즐 아암(18)이 구동됨에 의해, 현상액 노즐(21)이 대기포트(15)로부터 기판(W)의 윗쪽으로 이동한다.As shown in FIG. 2, at the front-end | tip part of the nozzle arm 18, the developing solution nozzle 21 which has several (5 in this example) the developing solution discharge port 22 is provided. At the time of developing the substrate W, the nozzle arm 18 is driven to move the developer nozzle 21 from the standby port 15 above the substrate W. FIG.

현상액 노즐(21)은, 공급관(31)을 통하여 현상액공급원(G1)에 접속되어 있다. 공급관(31)에는, 밸브(V1)가 장착되어 있다. 밸브(V1)를 엶에 의해, 현상액공급원(G1)으로부터 현상액 노즐(21)로 현상액이 공급된다.The developing solution nozzle 21 is connected to the developing solution supply source G1 through the supply pipe 31. The valve V1 is attached to the supply pipe 31. By closing the valve V1, the developer is supplied from the developer supply source G1 to the developer nozzle 21.

린스액 토출노즐(19)은, 공급관(35)을 통하여 린스액공급원(G2)에 접속되어 있다. 공급관(35)에는, 밸브(V2)가 끼워져 있다. 밸브(V2)을 엶에 의해, 린스액공급원(G2)으로부터 린스액 토출노즐(19)에 린스액이 공급된다.The rinse liquid discharge nozzle 19 is connected to the rinse liquid supply source G2 through the supply pipe 35. The valve V2 is fitted to the supply pipe 35. The rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply source G2 to the rinse liquid discharge nozzle 19 by closing the valve V2.

도 3은, 현상액 노즐(21)의 개략사시도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 현상액노즐(21)에는, 연직 하방으로 향해진 5개의 현상액토출구(22)가 폭방향(도 1의 가이드 레일(16)에 평행한 방향)을 따라 동일한 간격으로 설치되어 있다. 현상액노즐(21)에 공급된 현상액은 현상액토출구(22)로부터 토출된다.3 is a schematic perspective view of the developer nozzle 21. As shown in FIG. 3, five developer discharge ports 22 directed vertically downward are provided at the same interval along the width direction (direction parallel to the guide rail 16 in FIG. 1). have. The developer supplied to the developer nozzle 21 is discharged from the developer discharge port 22.

각 현상액토출구(22)는, 현상액 노즐(21)의 이동에 따라 스핀 척(10)에 보유지지된 기판(W)의 중심부의 윗쪽을 통과하도록 배치되어 있다.Each developer discharge port 22 is disposed to pass through the upper portion of the center of the substrate W held by the spin chuck 10 as the developer nozzle 21 moves.

도 4는, 현상장치(100)의 제어계를 나타내는 블록도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 현상장치(100)는 제어부(50)를 구비한다. 스핀 척(10), 모터(11), 아암 구동부(17), 린스액 토출노즐(19) 및 밸브(V1, V2)의 동작은, 제어부(50)에 의해 제어된다.4 is a block diagram showing a control system of the developing apparatus 100. As shown in FIG. 4, the developing apparatus 100 includes a control unit 50. The operations of the spin chuck 10, the motor 11, the arm drive unit 17, the rinse liquid discharge nozzle 19, and the valves V1, V2 are controlled by the controller 50.

(2) 현상장치의 동작(2) Operation of the developing device

(2-1) 제1동작예(2-1) First operation example

다음으로, 현상장치(100)의 제1동작예에 대해서 설명한다. 도 5는, 기판(W)의 현상처리시에 있어서의 기판(W)의 회전속도, 현상액의 유량 및 린스액의 유량의 변화를 나타내는 타이밍도이다. 본 실시형태에서는, 현상처리의 공정이, 액층형성공정, 현상공정 및 세정공정으로 나뉘어진다. 또한, 이하에 설명하는 현상처리는, 기판(W) 상에 형성된 레지스트막에 노광처리가 실시된 후에 행하여진다.Next, an example of the first operation of the developing apparatus 100 will be described. 5 is a timing chart showing changes in the rotational speed of the substrate W, the flow rate of the developing solution, and the flow rate of the rinse liquid in the development process of the substrate W. FIG. In this embodiment, the process of developing is divided into a liquid layer forming process, a developing process, and a washing process. In addition, the image development process demonstrated below is performed after an exposure process is performed to the resist film formed on the board | substrate W. As shown in FIG.

도 5에 나타내는 바와 같이, 액층형성공정의 시점 t1에서, 스핀 척(10)에 의해 기판(W)의 회전이 개시된다. 계속되는 시점 t2에서, 현상액 노즐(21)로부터의 현상액의 토출이 개시된다. As shown in FIG. 5, the rotation of the board | substrate W is started by the spin chuck 10 at the time point t1 of a liquid layer formation process. At the subsequent time point t2, the discharge of the developer from the developer nozzle 21 is started.

시점 t1∼t3의 기간에서, 기판(W)의 회전속도가 예를 들면 1000rpm로 유지된다.In the period of the time points t1 to t3, the rotation speed of the substrate W is maintained at, for example, 1000 rpm.

시점 t3에서 기판(W)의 회전속도가 예를 들면 200rpm로 하강하고, 시점 t4에서 기판(W)의 회전속도가 예를 들면 50rpm로 하강한다. 그리고, 시점 t5에서, 기판(W)의 회전이 정지된다. 또한, 시점 t6에서, 현상액 노즐(21)로부터의 현상액의 토출이 정지된다. 또한, 시점 t2∼t6의 기간에서, 현상액 노즐(21)은, 현상액을 토출하면서 기판(W)의 중심부의 윗쪽과 가장자리부의 윗쪽 사이를 이동한다. 현상액의 토출유량은, 예를 들면 400ml/min로 유지된다.At a time point t3, the rotational speed of the substrate W drops to 200 rpm, and at time t4, the rotation speed of the substrate W drops to 50 rpm. At the time point t5, the rotation of the substrate W is stopped. Further, at time t6, the discharge of the developer from the developer nozzle 21 is stopped. In the period t2 to t6, the developer nozzle 21 moves between the upper part of the center of the substrate W and the upper part of the edge part while discharging the developer. The discharge flow rate of the developing solution is maintained at 400 ml / min, for example.

이 액층형성공정에서는, 기판(W) 위의 레지스트막을 덮도록 현상액의 액층이 형성된다. 액층형성공정의 상세한 사항에 대해서는 후술한다.In this liquid layer forming step, a liquid layer of a developer is formed so as to cover the resist film on the substrate (W). Details of the liquid layer forming step will be described later.

현상공정의 시점 t6∼t7의 기간에는, 현상액의 토출 및 기판(W)의 회전이 정지된 상태로 유지된다. 이 기간에, 기판(W) 상에 보유된 현상액에 의해 레지스트막의 패턴부를 제외한 부분의 용해반응이 진행한다.During the period t6 to t7 of the developing step, the discharge of the developing solution and the rotation of the substrate W are stopped. In this period, the dissolution reaction of the portion excluding the pattern portion of the resist film proceeds by the developer retained on the substrate W. As shown in FIG.

세정공정의 시점 t7∼t8의 기간에, 스핀 척(10)에 의해 기판(W)이 예컨데700rpm으로 회전하는 동시에, 린스액 토출노즐(19)로부터 기판(W)에 린스액이 토출된다. 그에 의해, 기판(W) 상에 현상액 및 용해한 레지스트가 씻겨내려간다. 계속해서, 시점 t8∼t9의 기간에, 기판(W)이 고속의 예컨데 2000rpm으로 회전한다. 그 회전에 따른 원심력에 의해, 기판(W)에 부착되는 린스액이 떨쳐져, 기판(W)이 건조된다. 이에 의해, 기판(W)의 현상처리가 종료한다.In the period t7 to t8 of the cleaning process, the spin chuck 10 rotates the substrate W at, for example, 700 rpm, and the rinse liquid is discharged from the rinse liquid discharge nozzle 19 to the substrate W. Thereby, the developer and the dissolved resist are washed off on the substrate W. As shown in FIG. Subsequently, in the period of time points t8 to t9, the substrate W rotates at a high speed, for example, 2000 rpm. By the centrifugal force according to the rotation, the rinse liquid adhering to the substrate W is shaken off, and the substrate W is dried. Thereby, the developing process of the board | substrate W is complete | finished.

다음으로, 도 5 및 도 6을 참조하면서 액층형성공정에 있어서의 현상장치(100)의 동작의 상세한 사항에 대해서 설명한다. 도 6은, 액층형성공정에 있어서의 현상장치(100)의 동작에 대해서 설명하기 위한 모식적 평면도 및 측면도이다.Next, the details of the operation of the developing apparatus 100 in the liquid layer forming step will be described with reference to FIGS. 5 and 6. 6 is a schematic plan view and side view for explaining the operation of the developing apparatus 100 in the liquid layer forming step.

도 5의 시점 t2에 있어서, 도 6(a) 및 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 현상액노즐(21)이 기판(W)의 중심부의 윗쪽에 위치하는 상태에서 현상액의 토출을 시작한다.At a time point t2 in FIG. 5, as shown in FIGS. 6A and 6B, the developer solution is discharged in a state where the developer nozzle 21 is located above the central portion of the substrate W. FIG.

그리고, 도 5의 시점 t2∼t3의 기간에, 도 6(c) 및 도 6(d)에 나타낸 바와 같이, 현상액 노즐(21)이 현상액을 토출하면서 기판(W)의 중심부의 윗쪽에서 가장자리부의 윗쪽까지 이동한다. 이에 의해, 기판(W) 상의 전체에 현상액이 공급된다.Then, in the periods t2 to t3 of FIG. 5, as shown in FIGS. 6C and 6D, the developer nozzle 21 discharges the developer, while the edge portion is located above the center of the substrate W. FIG. Move to the top. Thereby, the developing solution is supplied to the whole on the board | substrate W. As shown in FIG.

도 5의 시점 t3∼t4의 기간에는, 기판(W)의 회전속도가 하강하는 동시에, 도 6(e) 및 도 6(f)에 나타내는 바와 같이, 현상액 노즐(21)이 현상액을 토출하면서 기판(W)의 가장자리부의 윗쪽으로부터 중심부의 윗쪽까지 이동한다. 이 경우, 기판(W)의 바깥쪽으로 떨쳐지는 현상액의 양이 감소하여, 공급된 현상액이 기판(W)상에서 보유된다. 그에 의하여, 기판(W) 상에 현상액의 액층이 형성된다.In the period t3 to t4 in FIG. 5, the rotation speed of the substrate W decreases, and as shown in FIGS. 6E and 6F, the developer nozzle 21 discharges the developer while the substrate is discharged. It moves from the top of the edge of (W) to the top of the center. In this case, the amount of the developing solution falling out of the substrate W is reduced, so that the supplied developing solution is held on the substrate W. FIG. Thereby, the liquid layer of the developing solution is formed on the board | substrate W. As shown in FIG.

여기에서, 시점 t2∼t4의 기간에서, 현상액 노즐(21)은, 현상액토출구(22)가 기판(W)의 윗쪽의 영역으로부터 외측으로 나오지 않도록 이동한다. 이 경우, 기판(W)의 바깥둘레단부를 가로지르도록 현상액이 공급되는 일이 없다. 그에 의하여, 현상액의 비산을 억제할 수 있다. 따라서, 현상장치(100)안의 각 부(部)에 현상액이 부착되는 것을 방지할 수 있다.Here, in the period of the time points t2 to t4, the developing solution nozzle 21 moves so that the developing solution discharge port 22 does not come out from the upper region of the substrate W. In this case, the developer is not supplied to cross the outer circumferential end of the substrate W. Thereby, scattering of a developing solution can be suppressed. Therefore, it is possible to prevent the developer from adhering to the respective portions in the developing apparatus 100.

또한, 현상액 노즐(21)은, 예를 들면 기판(W)의 지름이 300mm일 경우에, 기판(W)의 중심부의 윗쪽으로부터 가장자리부의 윗쪽까지를 예를 들면 1∼3초에 이동하고, 기판(W)의 가장자리부의 윗쪽으로부터 중심부의 윗쪽까지를 예를 들면 1∼5초에 이동한다.In addition, when the diameter of the board | substrate W is 300 mm, the developing solution nozzle 21 moves from upper part of the center part of the board | substrate W to upper part of an edge part in 1 to 3 second, for example, It moves from the upper part of the edge part of (W) to the upper part of a center part in 1 to 5 second, for example.

현상액 노즐(21)의 이동속도는, 일정하여도 좋고, 이동방향 또는 위치에 따라 변화되어도 좋다. 예를 들면, 기판(W)의 가장자리부의 윗쪽부근에 있어서의 현상액노즐(21)의 이동속도가, 기판(W)의 중심부의 윗쪽부근에 있어서의 현상액 노즐(21)의 이동속도보다도 낮아도 좋다. 이 경우, 면적이 큰 기판(W)의 가장자리부의 영역에도 충분히 현상액을 공급할 수 있다.The moving speed of the developing solution nozzle 21 may be constant or may change depending on the moving direction or position. For example, the moving speed of the developing solution nozzle 21 near the upper part of the edge part of the board | substrate W may be lower than the moving speed of the developing solution nozzle 21 near the upper part of the center part of the board | substrate W. FIG. In this case, the developer can be sufficiently supplied to the area of the edge portion of the substrate W having a large area.

도 7은, 현상액의 액층의 형성과정을 나타내는 사시도 및 측면도이다. 도7(a) 및 도7(b)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)이 회전하는 상태에서 현상액 노즐(21)이 현상액을 토출하면서 기판(W)의 가장자리부의 윗쪽으로부터 기판(W)의 중심부의 윗쪽을 향해서 이동함에 의해, 기판(W)의 가장자리부로부터 중심부를 향해서 소용돌이 형상으로 현상액이 공급된다. 그에 의하여, 기판(W)의 가장자리부로부터 중심부를 향해서 현상액의 액층이 형성되어 간다.7 is a perspective view and a side view illustrating a process of forming a liquid layer of a developing solution. As shown in Figs. 7A and 7B, the developer nozzle 21 discharges the developer while the substrate W is rotated, and the center of the substrate W from above the edge of the substrate W. As shown in Figs. By moving upward, the developer is supplied in a vortex from the edge of the substrate W toward the center portion. As a result, the liquid layer of the developing solution is formed from the edge portion of the substrate W toward the center portion.

본 실시형태에서는, 액층을 형성하기 전의 시점 t2∼t3의 기간에, 기판(W)의 표면의 전체에 현상액이 공급된다. 그에 의하여, 기판(W)의 표면의 전체가 현상액으로 습윤하게 한 상태가 되어, 기판(W)의 표면의 젖음성이 좋아진다. 그 때문에, 기판(W)의 표면(레지스트막의 표면)의 발수성이 높을 경우라도, 기판(W) 상에서 현상액이 튕겨나가기 어렵게 된다. 그에 의하여, 적은 양의 현상액으로 확실하게 액층을 형성하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 비용의 증대를 억제하면서 현상불량의 발생을 방지하는 것이 가능하게 된다.In this embodiment, the developing solution is supplied to the whole surface of the board | substrate W in the period of time t2-t3 before forming a liquid layer. Thereby, the whole surface of the board | substrate W becomes the state which made it wet with a developing solution, and the wettability of the surface of the board | substrate W improves. Therefore, even when the water repellency of the surface of the substrate W (the surface of the resist film) is high, it is difficult for the developing solution to bounce off the substrate W. Thereby, it becomes possible to form a liquid layer reliably with a small amount of developer. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of developing defects while suppressing an increase in cost.

또한, 기판(W)을 회전시킨 상태에서 현상액의 액층을 형성함에 의해, 원심력에 의하여 현상액의 액층을 얇게 펼 수 있다. 그 때문에, 기판(W)을 고정한 상태에서 현상액의 액층을 형성할 경우에 비하여, 현상액의 사용량을 억제할 수 있다.Moreover, by forming the liquid layer of the developing solution in the state which rotated the board | substrate W, the liquid layer of the developing solution can be spread thinly by centrifugal force. Therefore, compared with the case where the liquid layer of a developing solution is formed in the state which fixed the board | substrate W, the usage-amount of a developing solution can be suppressed.

또한, 현상액 노즐(21)이 이동하면서 기판(W)에 현상액을 공급함에 의해, 기판(W) 상의 특정한 영역에 있어서 레지스트막의 반응이 치우쳐서 진행하는 것이 방지된다. 그에 의하여, 현상불균일의 발생이 억제되어, CD(선폭)균일성이 향상한다.In addition, by supplying the developer to the substrate W while the developer nozzle 21 moves, the reaction of the resist film in the specific region on the substrate W is prevented from proceeding. This suppresses the occurrence of development unevenness and improves CD (line width) uniformity.

또한, 본 실시형태에서는, 현상액의 액층을 형성한 후, 기판(W)의 회전속도를 일시적으로 저속의 50rpm로 유지하고, 그 후, 기판(W)의 회전을 정지한다. 이처럼, 기판(W)의 회전의 정지 전에 기판(W)의 회전속도를 극히 낮은 상태로 일시적으로 유지함에 의해, 기판(W) 상에 현상액의 액층이 얇게 펴진 상태를 안정하게 유지하면서 기판(W)의 회전을 정지할 수 있다. 그에 의하여, 기판(W)으로의 현상액의 공급을 정지한 상태에서, 레지스트막의 현상을 확실하게 진행시킬 수 있다. 따라서, 현상액의 사용량을 보다 삭감할 수 있다.In addition, in this embodiment, after forming the liquid layer of a developing solution, the rotation speed of the board | substrate W is temporarily maintained at 50 rpm of low speed, and the rotation of the board | substrate W is stopped after that. In this manner, by temporarily maintaining the rotational speed of the substrate W in an extremely low state before the rotation of the substrate W is stopped, the substrate W is stably maintained while the liquid layer of the developer is thinly spread on the substrate W. ) Rotation can be stopped. Thereby, development of a resist film can be reliably advanced in the state which stopped supplying the developing solution to the board | substrate W. As shown in FIG. Therefore, the amount of developer used can be reduced more.

또한, 기판(W)의 회전속도 및 현상액의 유량은, 상기의 예에 한정되지 않고, 기판(W)의 크기 또는 발수성 등의 여러가지 조건에 따라서 적절히 변경해도 좋다.In addition, the rotational speed of the board | substrate W and the flow volume of a developing solution are not limited to the said example, You may change suitably according to various conditions, such as the magnitude | size of a board | substrate W, or water repellency.

예를 들면, 시점 t1∼t3의 기간에서는, 기판(W)의 회전속도를 500rpm이상2000rpm이하의 범위로 조정함이 바람직하다. 시점 t1∼t3의 기간에서의 기판(W)의 회전속도는, 제3항∼제5항에 있어서의 제1회전속도에 상당하고, 제9항에 있어서의 제2회전속도에 상당하고, 제10항에 있어서의 제4회전속도에 상당한다. 기판(W)의 회전속도가 지나치게 빠르면, 기판(W)에 공급된 현상액의 대부분이 원심력에 의해 기판(W)의 바깥쪽으로 떨쳐져서, 기판(W)의 표면을 충분하게 현상액으로 습윤시킬 수 없다. 한편, 기판(W)의 회전속도가 지나치게 느리면, 현상액을 기판(W) 상에서 적절히 퍼트릴 수 없다.For example, it is preferable to adjust the rotation speed of the board | substrate W to the range of 500 rpm or more and 2000 rpm or less in the period of time t1-t3. The rotational speed of the substrate W in the period t1 to t3 corresponds to the first rotational speed in claims 3 to 5, and corresponds to the second rotational speed in claim 9, It corresponds to the 4th rotation speed in Claim 10. If the rotational speed of the substrate W is too fast, most of the developer supplied to the substrate W is shaken out of the substrate W by centrifugal force, and the surface of the substrate W cannot be sufficiently wetted with the developer. . On the other hand, if the rotational speed of the substrate W is too slow, the developer cannot be spread properly on the substrate W.

또한, 시점 t3∼t4의 기간에서는, 기판(W)의 회전속도를 100rpm이상 500rpm이하의 범위로 조정함이 바람직하다. 시점 t3∼t4의 기간에서의 기판(W)의 회전속도는, 제3항∼제5항에 있어서의 제2회전속도에 상당하고, 제7항∼제11항에 있어서의 제1회전속도에 상당한다. 기판(W)의 회전속도가 지나치게 빠르면, 기판(W) 상에서 현상액을 보유할 수 없다. 한편, 기판(W)의 회전속도가 너무 낮으면, 시간효율이 악화한다.Moreover, in the period of time t3-t4, it is preferable to adjust the rotation speed of the board | substrate W to the range of 100 rpm or more and 500 rpm or less. The rotation speed of the board | substrate W in the period of time t3-t4 is corresponded to the 2nd rotation speed in Claims 3-5, and is equivalent to the 1st rotation speed in Claims 7-11. It is considerable. If the rotational speed of the substrate W is too fast, the developer cannot be retained on the substrate W. On the other hand, if the rotational speed of the substrate W is too low, time efficiency deteriorates.

또한, 시점 t4∼t5의 기간에서는, 기판(W)의 회전속도를 10rpm 이상 100rpm 이하의 범위로 조정함이 바람직하다. 기판(W)의 회전속도가 지나치게 빠르면, 기판(W) 상에 현상액의 액층을 안정하게 보유하면서 기판(W)의 회전을 정지시킬 수 없다. 한편, 기판(W)의 회전속도가 지나치게 느리면, 현상액의 액층을 얇게 편 상태로 유지할 수 없어서, 표면장력에 의해 현상액이 기판(W) 상의 일부의 영역에 모일 가능성이 있다.Moreover, in the period of time t4-t5, it is preferable to adjust the rotation speed of the board | substrate W to the range of 10 rpm or more and 100 rpm or less. If the rotation speed of the substrate W is too fast, the rotation of the substrate W cannot be stopped while stably retaining the liquid layer of the developer on the substrate W. On the other hand, if the rotational speed of the substrate W is too slow, the liquid layer of the developing solution cannot be kept in a thinly divided state, and there is a possibility that the developing solution is collected in a part of the area on the substrate W by the surface tension.

또한, 현상액의 유량은, 300ml/min이상 600ml/min의 범위로 조정함이 바람직하다. 또한, 현상액 노즐(21)의 이동방향 또는 위치에 따라 현상액의 유량을 변화시켜도 좋다.Moreover, it is preferable to adjust the flow volume of a developing solution to the range of 300 ml / min or more and 600 ml / min. Moreover, you may change the flow volume of a developing solution according to the moving direction or position of the developing solution nozzle 21.

본 예에서는, 액층형성공정에 있어서 현상액 노즐(21)이 현상액을 토출하면서 기판(W)의 중심부의 윗쪽과 가장자리부의 윗쪽과의 사이를 이동하지만, 이에 한하지 않고, 현상액노즐(21)이 기판(W)의 중심부의 윗쪽에서 계속적으로 현상액을 토출해도 좋다.In this example, in the liquid layer forming step, the developer nozzle 21 moves between the upper part of the center of the substrate W and the upper part of the edge portion while discharging the developer, but the developer nozzle 21 is not limited thereto. The developer may be continuously discharged from above the center of (W).

(2-2) 제2동작예(2-2) Second operation example

그 다음에, 현상장치(100)의 제2동작예에 대해서, 상기 제1동작예와 다른 점을 설명한다. 도 8은, 제2동작예의 액층형성공정에 있어서의 기판(W)의 회전속도, 현상액의 유량 및 린스액의 유량의 변화를 나타내는 타이밍도이다. 또한, 현상공정 및 세정공정에 있어서의 현상장치(100)의 동작은, 상기 제1동작예와 마찬가지이다.Next, a second operation example of the developing apparatus 100 will be described different from the first operation example. FIG. 8 is a timing chart showing changes in the rotational speed of the substrate W, the flow rate of the developing solution and the flow rate of the rinse liquid in the liquid layer forming step of the second operation example. In addition, the operation | movement of the developing apparatus 100 in a developing process and a washing process is the same as that of the said 1st operation example.

본 예가 도 5에 나타낸 예와 다른 것은 이하와 같은 점이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 본 예에서는, 우선 시점 t11에서 기판(W)이 저속인 20rpm로 회전을 시작하는 동시에, 현상액 노즐(21)이 기판(W)의 중심부의 윗쪽에 있어서 현상액의 토출을 시작한다. 그 후, 기판(W)의 회전속도가 1000rpm로 상승하는 동시에 현상액 노즐(21)이 현상액을 토출하면서 이동을 시작한다. 그리고, 상기의 예와 같은 동작이 행해진다. 또한, 시점 t11∼t1의 기간에서의 기판(W)의 회전속도는, 제5항에서의 제3회전속도에 상당하고, 제10항에서의 제3회전속도에 상당한다.This example differs from the example shown in FIG. 5 in the following points. As shown in FIG. 8, in this example, first, the substrate W starts to rotate at a low speed of 20 rpm at the time point t11, and the developer nozzle 21 discharges the developer from above the center of the substrate W. As shown in FIG. To start. Thereafter, the rotation speed of the substrate W rises to 1000 rpm and the developer nozzle 21 starts to move while discharging the developer. Then, the same operation as in the above example is performed. In addition, the rotation speed of the board | substrate W in the period of time t11 thru | or t1 is corresponded to the 3rd rotation speed in Claim 5, and corresponds to the 3rd rotation speed in Claim 10. As shown in FIG.

도 9는, 기판(W) 상에 공급된 현상액의 상태를 나타내는 평면도 및 측면도이다. 도 8의 시점 t11∼t1의 기간에는, 기판(W)의 회전속도가 낮으므로, 기판(W)에 공급된 현상액에 원심력이 작용하지 않는다. 그 때문에, 도 9(a) 및 도 9(b)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 중심부에 공급된 현상액이, 기판(W)의 가장자리부로 퍼지지 않고 표면장력에 의해 거의 일정한 영역 내에서 보유된다.9 is a plan view and a side view showing a state of a developer supplied on a substrate W. FIG. In the period t11 to t1 in FIG. 8, since the rotation speed of the substrate W is low, the centrifugal force does not act on the developer supplied to the substrate W. FIG. Therefore, as shown in Figs. 9A and 9B, the developer supplied to the center portion of the substrate W does not spread to the edge portion of the substrate W, but is held within a substantially constant region by surface tension. do.

도 8의 시점 t1에서 기판(W)의 회전속도가 상승하면, 도 9(c) 및 도 9(d)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 중심부 상에 보유된 현상액이 원심력에 의해 기판(W) 상의 전체로 순간적으로 퍼진다.When the rotational speed of the substrate W rises at the time point t1 in FIG. 8, as shown in FIGS. 9C and 9D, the developer retained on the central portion of the substrate W is subjected to centrifugal force to cause the substrate ( W) Instantly spreads over the entire phase.

이렇게, 시점 t1에서 미리 기판(W)의 표면의 전체에 현상액을 펼 수 있으므로, 효율 좋고 확실하게 기판(W)의 표면의 전체를 현상액으로 습윤시킬 수 있다. 따라서, 적은 양의 현상액으로 보다 확실하게 액층을 형성하는 것이 가능하게 된다.In this way, since the developer can be spread over the entire surface of the substrate W in advance at the time point t1, the entire surface of the substrate W can be wetted with the developing solution efficiently and reliably. Therefore, it becomes possible to form a liquid layer more reliably with a small amount of developing solution.

또한, 본 예에서는, 시점 t11∼t6의 기간에서 현상액이 계속해서 토출되지만, 시점 t11로부터 소정량의 현상액이 토출된 후, 현상액의 토출이 일단 정지되어도 좋다.In addition, in this example, the developing solution is continuously discharged in the period of the time points t11 to t6. After the predetermined amount of the developing solution is discharged from the time point t11, the discharge of the developing solution may be stopped once.

(2-3) 제3동작예(2-3) Third operation example

그 다음에, 현상장치(100)의 제3동작예에 대해서, 상기 제1동작예와 다른 점을 설명한다. 도 10은, 제3동작예에 있어서의 기판(W)의 회전속도, 현상액의 유량및 린스액의 유량의 변화를 나타내는 타이밍도이다.Next, a third operation example of the developing apparatus 100 will be described different from the first operation example. FIG. 10 is a timing chart showing changes in the rotational speed of the substrate W, the flow rate of the developing solution and the flow rate of the rinse liquid in the third operation example.

도 10에 나타내는 바와 같이, 시점 t21에서, 스핀 척(10)에 의해 예를 들면 20rpm의 회전속도로 기판(W)의 회전이 개시되는 동시에, 린스액 토출노즐(19)부터 의 린스액의 토출이 개시된다. 이 경우, 린스액은 기판(W)의 중심부로 토출되고, 그 토출유량은 예를 들면 800ml/min로 유지된다.As shown in FIG. 10, at the time point t21, the spin chuck 10 starts to rotate the substrate W at a rotational speed of, for example, 20 rpm, and discharges the rinse liquid from the rinse liquid discharge nozzle 19. This is disclosed. In this case, the rinse liquid is discharged to the center of the substrate W, and the discharge flow rate is maintained at 800 ml / min, for example.

시점 t22에서, 린스액 토출노즐(19)로부터의 린스액의 토출이 정지된다. 계속되는 시점 t23에서, 기판(W)의 회전속도가 예를 들면 1000rpm로 상승함과 아울러, 현상액 노즐(21)로부터의 현상액의 토출이 개시된다. 이 경우, 현상액은 기판(W)의 중심부로 토출되고, 그 토출유량은 예를 들면 400m1/min로 유지된다.At the time point t22, the discharge of the rinse liquid from the rinse liquid discharge nozzle 19 is stopped. At the subsequent time point t23, the rotational speed of the substrate W rises to, for example, 1000 rpm, and discharge of the developer from the developer nozzle 21 is started. In this case, the developing solution is discharged to the center of the substrate W, and the discharge flow rate is maintained at 400 m 1 / min, for example.

시점 t24에서 기판(W)의 회전속도가 예를 들면 200rpm로 하강하고, 시점 t25에서 기판(W)의 회전속도가 예를 들면 50rpm로 하강한다. 그리고, 시점 t26에서, 기판(W)의 회전이 정지된다. 또한, 시점 t27에서, 현상액 노즐(21)로부터의 현상액의 토출이 정지된다. At a time point t24, the rotational speed of the substrate W decreases to 200 rpm, for example, and at a time point t25, the rotational speed of the substrate W decreases to 50 rpm. At the time point t26, the rotation of the substrate W is stopped. Further, at time t27, the discharge of the developer from the developer nozzle 21 is stopped.

또한, 현상공정 및 세정공정에 있어서의 현상장치(100)의 동작은, 상기 제1동작예와 같다.In addition, the operation | movement of the developing apparatus 100 in a developing process and a washing process is the same as that of the said 1st operation example.

그 다음에, 도 10∼도 12를 참조하면서 액층형성공정에 있어서의 현상장치(100)의 동작의 상세한 사항에 대해서 설명한다. 도 11 및 도 12는, 액층형성공정에 있어서의 기판(W) 상의 상태에 대해서 설명하기 위한 모식적 평면도 및 측면도이다.Next, with reference to FIGS. 10-12, the detail of the operation | movement of the developing apparatus 100 in a liquid layer formation process is demonstrated. 11 and 12 are schematic plan and side views for explaining the state on the substrate W in the liquid layer forming step.

도 10의 시점 t21∼t22의 기간에서, 기판(W)의 중심부에 린스액이 공급된다. 이 기간에는, 기판(W)의 회전속도가 낮으므로, 기판(W) 상의 린스액에 원심력이 작용하지 않는다. 그 때문에, 도 11(a) 및 도 11(b)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 중심부에 공급된 린스액이, 표면장력에 의해 거의 일정한 영역 내에서 보유된다.In the period t21 to t22 in FIG. 10, the rinse liquid is supplied to the central portion of the substrate W. As shown in FIG. In this period, since the rotation speed of the substrate W is low, no centrifugal force acts on the rinse liquid on the substrate W. Therefore, as shown in FIG. 11 (a) and FIG. 11 (b), the rinse liquid supplied to the center part of the board | substrate W is hold | maintained in substantially constant area by surface tension.

도 10의 시점 t23에서 기판(W)의 회전속도가 상승하면, 도 11(c) 및 도 11(d)에 나타내는 바와 같이, 기판(W) 상에 보유되어 있는 린스액에 원심력이 작용하여, 린스액이 기판(W)의 가장자리부를 향해서 퍼지려고 한다. 그 때, 현상액 노즐(21)로부터 기판(W)의 중심부에 현상액이 공급된다. 이 경우, 도 11(e) 및 도 11(f)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 중심부에 공급된 현상액이, 린스액과 함께 혹은 펼쳐진 린스액 상에서 기판(W) 상의 전체로 순간적으로 퍼진다.When the rotational speed of the substrate W rises at the time point t23 in FIG. 10, as shown in FIGS. 11C and 11D, the centrifugal force acts on the rinse liquid held on the substrate W, The rinse liquid tries to spread toward the edge of the substrate W. As shown in FIG. At that time, the developer is supplied from the developer nozzle 21 to the center portion of the substrate W. FIG. In this case, as shown in FIGS. 11E and 11F, the developer supplied to the central portion of the substrate W is instantaneously spread over the substrate W together with the rinse liquid or on the unfolded rinse liquid. .

그 후, 현상액이 계속적으로 공급됨에 의해, 기판(W) 상의 린스액이 현상액으로 치환된다. 그리고, 도 10의 시점 t24에서 기판(W)의 회전속도가 저하하면, 기판(W)의 바깥쪽으로 떨쳐지는 현상액의 양이 감소하여, 현상액이 기판(W) 상에서 보유된다. 그에 의하여, 도 12(g) 및 도 12(h)에 나타내는 바와 같이, 기판(W) 상에 현상액의 액층이 형성된다.Thereafter, the developer is continuously supplied, whereby the rinse liquid on the substrate W is replaced with the developer. And when the rotation speed of the board | substrate W falls at the time point t24 of FIG. 10, the quantity of the developer which falls outward of the board | substrate W will decrease, and a developer will be hold | maintained on the board | substrate W. As shown in FIG. As a result, as shown in FIGS. 12G and 12H, a liquid layer of a developing solution is formed on the substrate W. As shown in FIG.

이처럼, 본 예에서는, 기판(W) 상에 보유된 린스액이 원심력에 의해 퍼지는 힘을 이용하여, 현상액이 순간적으로 기판(W) 상의 전체로 퍼진다. 그에 의하여, 현상액의 소비량을 억제하면서 효율 좋게 기판(W) 상에 현상액의 액층을 형성할 수 있다.As described above, in this example, the developer is instantaneously spread over the whole of the substrate W by using a force in which the rinse liquid held on the substrate W is spread by the centrifugal force. Thereby, the liquid layer of the developing solution can be efficiently formed on the board | substrate W, suppressing the consumption amount of a developing solution.

또한, 순간적으로 현상액을 기판(W) 상에 퍼트림에 의해, 기판(W)의 표면의 전체를 현상액으로 습윤시킬 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 표면의 젖음성이 좋게 된다. 그 때문에, 기판(W)의 표면(레지스트막의 표면)의 발수성이 높을 경우라도, 적은 양의 현상액으로 용이하면서 확실하게 액층을 형성하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 비용의 삭감이 가능해지는 동시에, 현상불량의 발생을 방지할 수 있다.In addition, by spreading the developer on the substrate W instantaneously, the entire surface of the substrate W can be wetted with the developer. Thereby, the wettability of the surface of the board | substrate W becomes favorable. Therefore, even when the water repellency of the surface of the substrate W (the surface of the resist film) is high, it is possible to easily and reliably form the liquid layer with a small amount of developer. Therefore, the cost can be reduced and the occurrence of developing defects can be prevented.

또한, 기판(W)을 회전시킨 상태에서 현상액의 액층을 형성하므로, 원심력에 의하여 현상액의 액층을 얇게 펼 수 있다. 그 때문에, 기판(W)을 고정한 상태로 현상액의 액층을 형성할 경우에 비하여, 현상액의 사용량을 보다 억제하는 것이 가능하다.Moreover, since the liquid layer of the developing solution is formed in the state which rotated the board | substrate W, the liquid layer of a developing solution can be spread thinly by centrifugal force. Therefore, compared with the case where the liquid layer of a developing solution is formed in the state which fixed the board | substrate W, it is possible to suppress the usage-amount of a developing solution more.

또한, 현상액이 기판(W) 상에 도달함(적하됨)과 동시에 기판(W) 상의 전체로 퍼지므로, 기판(W) 상의 특정한 영역에 있어서 레지스트막의 반응이 치우쳐서 진행하는 것이 방지된다. 그에 의하여, 현상불균일의 발생이 억제되어, CD(선폭)균일성이 향상한다.In addition, since the developing solution reaches (drops) on the substrate W and spreads throughout the substrate W, the reaction of the resist film in the specific region on the substrate W is prevented from progressing. This suppresses the occurrence of development unevenness and improves CD (line width) uniformity.

또한, 본 예에서는, 현상액의 액층을 형성한 후, 기판(W)의 회전속도를 일시적으로 저속인 50rpm로 유지하고, 그 후, 기판(W)의 회전을 정지한다. 이렇게, 기판(W)의 회전의 정지 전에 기판(W)의 회전속도를 지극히 낮은 상태로 일시적으로 유지함으로써, 기판(W) 상에 현상액의 액층이 얇게 펴진 상태를 안정하게 유지하면서 기판(W)의 회전을 정지할 수 있다. 그에 의하여, 기판(W)으로의 현상액으로의 공급을 정지한 상태로, 레지스트막의 반응을 진행시킬 수 있다. 따라서, 현상액의 사용량을 더 삭감할 수 있다. In this example, after the liquid layer of the developing solution is formed, the rotation speed of the substrate W is temporarily maintained at a low speed of 50 rpm, after which the rotation of the substrate W is stopped. Thus, by temporarily maintaining the rotational speed of the substrate W in an extremely low state before the rotation of the substrate W is stopped, the substrate W is stably maintained while the liquid layer of the developer is thinly spread on the substrate W. Can stop the rotation. Thereby, reaction of a resist film can be advanced in the state which stopped supplying to the developing solution to the board | substrate W. FIG. Therefore, the amount of the developer used can be further reduced.

또한, 본 예에서는, 시점 t23에서, 기판(W)의 회전속도가 상승함과 동시에 현상액의 토출이 개시되지만, 현상액의 토출타이밍은, 기판(W)과 현상액노즐(21)과의 거리 또는 현상액의 토출속도 등에 따라서 시점 t23의 앞뒤 수 초의 범위에서 적절히 변경해도 좋다.In this example, at the time t23, the rotational speed of the substrate W increases and discharge of the developer is started. However, the discharge timing of the developer is determined by the distance between the substrate W and the developer nozzle 21 or the developer. May be appropriately changed within the range of several seconds before and after the time t23 depending on the discharge speed and the like.

구체적으로, 현상액을 기판(W) 상에서 효율 좋고 확실하게 퍼트리기 위해서는, 기판(W)의 회전의 가속시에 현상액이 기판(W) 상에 도달하는 것이 바람직하다. 따라서, 기판(W)과 현상액 노즐(21)과의 거리가 멀 경우, 또는 현상액의 토출속도가 낮을 경우에는, 기판(W)의 회전속도를 상승시키는 타이밍보다도 약간 전의 타이밍으로 현상액의 토출을 시작하는 것이 바람직하다. Specifically, in order to spread the developer on the substrate W efficiently and reliably, it is preferable that the developer reaches the substrate W at the time of acceleration of the rotation of the substrate W. FIG. Therefore, when the distance between the substrate W and the developer nozzle 21 is long or when the discharge speed of the developer is low, the developer is discharged at a timing slightly before the timing of increasing the rotational speed of the substrate W. FIG. It is desirable to.

또한, 기판(W)의 회전속도, 현상액의 유량 및 린스액의 유량은, 상기의 예에 한정되지 않고, 기판(W)의 크기 또는 발수성 등의 여러가지 조건에 따라서 적절히 변경해도 좋다.In addition, the rotational speed of the board | substrate W, the flow volume of a developing solution, and the flow volume of a rinse liquid are not limited to the said example, You may change suitably according to various conditions, such as the magnitude | size of a board | substrate W, or water repellency.

예를 들면, 시점 t21∼t23의 기간에서는, 린스액을 기판(W)의 중심부 부근의 영역에 안정하게 보유하기 위해서, 기판(W)의 회전속도를 10rpm이상 100rpm 이하의 범위로 조정함이 바람직하다. For example, in the period t21 to t23, in order to stably retain the rinse liquid in the region near the center of the substrate W, it is preferable to adjust the rotational speed of the substrate W in a range of 10 rpm or more and 100 rpm or less. Do.

또한, 시점 t21∼t23의 기간은 제12항~제16항에 있어서의 제1기간에 상당하고, 시점 t21∼t23의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전속도는 제12항~제16항에 있어서의 제1회전속도에 상당한다. 또한, 시점 t23∼t24의 기간에서는, 린스액 및 현상액을 확실하게 기판(W) 상의 전체로 퍼트리기 위하여, 기판(W)의 회전속도를 500rpm이상 1500rpm 이하의 범위로 조정함이 바람직하다. 시점 t23∼t24의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전속도는, 제12항~제16항에 있어서의 제2회전속도에 상당한다.In addition, the period of time t21-t23 is corresponded to the 1st period in Claims 12-16, and the rotational speed of the board | substrate W in the period of time t21-t23 is 12th-16th. It corresponds to the 1st rotation speed in. In addition, in the time period t23-t24, it is preferable to adjust the rotational speed of the board | substrate W to the range of 500 rpm or more and 1500 rpm or less in order to spread rinse liquid and developing solution to the whole on the board | substrate W reliably. The rotation speed of the board | substrate W in the period of time t23-t24 is corresponded to the 2nd rotation speed in Claims 12-16.

또한, 시점 t24∼t25의 기간에서는, 기판(W)의 회전속도를 100rpm 이상500rpm이하의 범위로 조정함이 바람직하다. 기판(W)의 회전속도가 지나치게 빠르면, 기판(W) 상에서 현상액을 보유할 수 없다. 한편, 기판(W)의 회전속도가 지나치게 느리면, 시간효율이 악화한다. 또한, 시점 t24∼t25의 기간은 제13항, 제14항에 있어서의 제2기간에 상당하고, 시점 t24∼t25의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전속도는, 제13항, 제14항에 있어서의 제3회전속도에 상당한다. In the period t24 to t25, the rotational speed of the substrate W is preferably adjusted in the range of 100 rpm or more and 500 rpm or less. If the rotational speed of the substrate W is too fast, the developer cannot be retained on the substrate W. On the other hand, if the rotational speed of the substrate W is too slow, time efficiency deteriorates. In addition, the period of time t24-t25 is corresponded to the 2nd period in Claim 13, 14, and the rotation speed of the board | substrate W in the period of time t24-t25 is 13th, 14th. It corresponds to the 3rd rotation speed in a term.

또한, 시점 t25∼t26의 기간에서는, 기판(W)의 회전속도를 10rpm이상 100rpm이하의 범위로 조정함이 바람직하다. 기판(W)의 회전속도가 너무 빠르면, 기판(W) 상에 현상액의 액층을 안정하게 보유하면서 기판(W)의 회전을 정지시킬 수 없다. 한편, 기판(W)의 회전속도가 지나치게 느리면, 현상액의 액층을 얇게 당겨 편 상태로 유지할 수 없어서, 표면장력에 의해 현상액이 기판(W) 상의 일부의 영역에 모일 가능성이 있다.In the period t25 to t26, the rotation speed of the substrate W is preferably adjusted in the range of 10 rpm or more and 100 rpm or less. If the rotation speed of the substrate W is too fast, the rotation of the substrate W cannot be stopped while stably retaining the liquid layer of the developer on the substrate W. On the other hand, if the rotational speed of the substrate W is too slow, the liquid layer of the developing solution cannot be pulled thin and held in a state where it is possible to develop the developer in a part of the area on the substrate W due to the surface tension.

또한, 현상액의 유량은, 300ml/min이상 600ml/min의 범위로 조정함이 바람직하고, 린스액의 유량은, 200ml/min이상 1200ml /min의 범위로 조정함이 바람직하다. 또한, 현상액의 유량 및 린스액의 유량은, 일정하여도 좋고 타이밍에 따라서 변화되어도 좋다.Moreover, it is preferable to adjust the flow volume of a developing solution to the range of 300 ml / min or more and 600 ml / min, and to adjust the flow volume of a rinse liquid to the range of 200 ml / min or more and 1200 ml / min. In addition, the flow volume of a developing solution and the flow rate of a rinse liquid may be constant, and may change according to a timing.

(2-4) 제4동작예(2-4) Fourth Operation Example

그 다음에, 현상장치(100)의 제4동작예에 대해서, 상기 제3동작예와 다른 점을 설명한다. 상기 제3동작예에서는, 시점 t23∼t27의 기간에서, 현상액 노즐(21)이 기판(W)의 중심부의 윗쪽에 위치한 상태로 계속해서 현상액을 토출하지만, 제4동작예에서는, 상기 제1동작예 및 제2동작예와 같이, 현상액 노즐(21)이 기판(W)의 윗쪽을 이동하면서 기판(W)에 현상액을 토출한다.Next, a fourth operation example of the developing apparatus 100 will be described with differences from the third operation example. In the third operation example, the developer is continuously discharged while the developer nozzle 21 is located above the central portion of the substrate W in the period t23 to t27. In the fourth operation example, the first operation is performed. As in the example and the second operation example, the developer nozzle 21 discharges the developer onto the substrate W while moving above the substrate W. FIG.

도 13은, 액층형성공정의 시점 t23∼t27의 기간에서의 다른 동작예에 대하여 설명하기 위한 측면도이다.FIG. 13 is a side view for explaining another example of operation during the periods t23 to t27 of the liquid layer forming step. FIG.

도 10의 시점 t23에 있어서, 도 13(a)에 나타내는 바와 같이, 현상액 노즐(21)이 기판(W)의 중심부의 윗쪽에 위치한 상태에서 현상액의 토출을 시작한다. 그리고, 도 10 의 시점 t23∼t24의 기간에, 도 13(b)에 나타내는 바와 같이, 현상액 노즐(21)이 현상액을 토출하면서 기판(W)의 중심부의 윗쪽으로부터 가장자리부의 윗쪽까지 이동한다.At the time point t23 in FIG. 10, as shown in FIG. 13A, the developer solution is discharged in a state where the developer nozzle 21 is located above the central portion of the substrate W. As shown in FIG. In the period t23 to t24 in FIG. 10, as shown in FIG. 13B, the developer nozzle 21 moves from the top of the center portion of the substrate W to the top of the edge portion while discharging the developer.

도 10의 시점 t24∼t25의 기간에는, 도 13(c)에 나타내는 바와 같이, 현상액노즐(21)이 현상액을 토출하면서 기판(W)의 가장자리부의 윗쪽으로부터 중심부의 윗쪽까지 이동한다. 그에 의하여, 기판(W) 상에 현상액의 액층이 형성된다.In the period t24 to t25 in FIG. 10, as shown in FIG. 13C, the developer nozzle 21 moves from the top of the edge portion of the substrate W to the top of the center while discharging the developer. Thereby, the liquid layer of the developing solution is formed on the board | substrate W. As shown in FIG.

이렇게, 현상액 노즐(21)이 이동하면서 기판(W)에 현상액을 공급함에 의해, 기판(W)의 표면의 전체를 보다 충분히 현상액으로 습윤시킬 수 있다. 그에 의해, 현상액의 액층을 보다 용이하게 형성하는 것이 가능하게 되고, 현상액의 사용양을 더욱 저감하는 것이 가능하게 된다. 또한, 기판(W) 상에 있어서의 현상액의 공급위치가 이동하므로, 특정한 영역에 있어서 레지스트막의 반응이 치우쳐서 진행하는 것이 보다 확실하게 방지된다.In this way, by supplying the developer to the substrate W while the developer nozzle 21 moves, the entire surface of the substrate W can be fully wetted with the developer. Thereby, it becomes possible to form the liquid layer of a developing solution more easily, and it becomes possible to further reduce the use amount of a developing solution. In addition, since the supply position of the developer on the substrate W is shifted, it is more reliably prevented that the reaction of the resist film progresses in a specific region.

또한, 시점 t23∼t25의 기간에서, 현상액 노즐(21)은, 현상액토출구(22)가 기판(W)의 윗쪽의 영역으로부터 바깥쪽으로 나오지 않도록 이동하는 것이 바람직하다. 그 경우, 기판(W)의 단부를 가로지르도록 현상액이 공급되는 일이 없다. 그 때문에, 현상액의 비산을 억제할 수 있다. 따라서, 현상장치(100) 내의 각 부에 현상액이 부착되는 것을 방지할 수 있다.In the period t23 to t25, the developer nozzle 21 is preferably moved so that the developer discharge port 22 does not extend outward from the upper region of the substrate W. As shown in FIG. In that case, the developer is not supplied to cross the end of the substrate W. Therefore, scattering of the developing solution can be suppressed. Therefore, it is possible to prevent the developer from adhering to each part in the developing apparatus 100.

또한, 현상액 노즐(21)은, 예를 들면 기판(W)의 지름이 300mm일 경우에, 기판(W)의 중심부의 윗쪽으로부터 가장자리부의 윗쪽까지를 예를 들면 1∼3초에 이동하고, 기판(W)의 가장자리부의 윗쪽으로부터 중심부의 윗쪽까지를 예를 들면 1∼5초에 이동한다.In addition, when the diameter of the board | substrate W is 300 mm, the developing solution nozzle 21 moves from upper part of the center part of the board | substrate W to upper part of an edge part in 1 to 3 second, for example, It moves from the upper part of the edge part of (W) to the upper part of a center part in 1 to 5 second, for example.

현상액 노즐(21)의 이동속도는, 일정하여도 좋고, 이동방향 또는 위치에 따라서 변화되어도 좋다. 예를 들면, 기판(W)의 가장자리부의 윗쪽부근에 있어서의 현상액노즐(21)의 이동속도가, 기판(W)의 중심부의 윗쪽부근에 있어서의 현상액 노즐(21)의 이동속도보다도 낮아도 좋다. 이 경우, 면적이 큰 기판(W)의 가장자리부의 영역에도 충분히 현상액을 공급할 수 있다.The moving speed of the developing solution nozzle 21 may be constant, and may change according to a moving direction or a position. For example, the moving speed of the developing solution nozzle 21 near the upper part of the edge part of the board | substrate W may be lower than the moving speed of the developing solution nozzle 21 near the upper part of the center part of the board | substrate W. FIG. In this case, the developer can be sufficiently supplied to the area of the edge portion of the substrate W having a large area.

(2-5) 또 다른 동작예(2-5) Another example of operation

상기의 예에서는, 현상처리공정에 있어서 기판(W)의 회전을 정지하고 있지만, 이에 한하지 않고, 현상처리공정에 있어서 기판의 회전을 유지해도 좋다. 그 경우, 기판(W)의 회전속도가 예를 들면 200rpm이하로 조정된다. 또한, 그 경우, 회전하는 기판(W)에 계속적으로 현상액을 공급해도 좋다.In the above example, the rotation of the substrate W is stopped in the developing process, but the rotation of the substrate may be maintained in the developing process without being limited thereto. In that case, the rotation speed of the board | substrate W is adjusted to 200 rpm or less, for example. In addition, in that case, you may supply a developing solution to the rotating board | substrate W continuously.

또한, 현상처리공정에 있어서 기판의 회전을 유지할 경우, 기판(W)의 회전속도를 단계적으로 하강시킴에 의해, 기판(W) 상에 현상액의 액층이 얇게 펴진 상태를 안정하게 유지할 수 있다.In addition, in the case of maintaining the rotation of the substrate in the developing step, the state in which the liquid layer of the developer is thinly spread on the substrate W can be stably maintained by lowering the rotational speed of the substrate W stepwise.

(3) 린스액토출노즐의 다른 예(3) Other examples of rinse liquid ejection nozzles

상기 실시형태에서는, 린스액 토출노즐(19)이 스핀 척(10)의 바깥쪽으로 독립해서 설치되지만, 린스액 토출노즐(19)이 현상액 노즐(21)과 일체적으로 설치되어도 좋다. 도 14는, 린스액토출노즐의 다른 예를 나타내는 외관사시도이다.In the above embodiment, the rinse liquid discharge nozzle 19 is provided independently of the spin chuck 10, but the rinse liquid discharge nozzle 19 may be provided integrally with the developer nozzle 21. 14 is an external perspective view showing another example of the rinse liquid discharging nozzle.

도 14의 예에서는, 린스액토출구(32)를 갖는 린스액 노즐(19a)이, 현상액 노즐(21)과 함께 노즐 아암(18)에 부착되어 있다. 이렇게, 현상액 노즐(21)과 린스액 노즐(19a)을 일체적으로 설치함에 의해, 동작제어를 간략화함이 가능해지는 동시에, 현상장치(100)의 소형화 및 공간을 적게 차지함이 가능하게 된다.In the example of FIG. 14, the rinse liquid nozzle 19a having the rinse liquid discharge port 32 is attached to the nozzle arm 18 together with the developer liquid nozzle 21. In this way, by providing the developer nozzle 21 and the rinse liquid nozzle 19a integrally, operation control can be simplified, and the development apparatus 100 can be made smaller and take up less space.

(4) 청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 요소와의 대응(4) Correspondence between each component of the claim and each component of the embodiment

이하, 청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 요소와의 대응의 예에 대해서 설명하지만, 본 발명은 하기의 예에 한정되지 않는다.Hereinafter, although the example of correspondence of each component of an Claim and each element of embodiment is demonstrated, this invention is not limited to the following example.

상기 실시형태에서는, 스핀 척(10) 및 모터(11)가 회전보유지지장치의 예이며, 린스액 토출노즐(19)이 린스액공급부의 예이며, 현상액 노즐(21)이 현상액공급부 및 액층형성부의 예이다.In the above embodiment, the spin chuck 10 and the motor 11 are examples of the rotary holding device, the rinse liquid discharge nozzle 19 is an example of the rinse liquid supply unit, and the developer nozzle 21 is the developer supply unit and the liquid layer formation. It is an example of wealth.

청구항의 각 구성요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는다른 여러가지 요소를 사용할 수도 있다.As each component of a claim, other various elements which have the structure or function which were described in a claim may be used.

Claims (16)

기판을 대략 수평으로 보유지지하면서 그 기판에 수직한 축 둘레로 회전시키는 회전보유지지장치와,A rotation holding device for holding the substrate substantially horizontally and rotating about an axis perpendicular to the substrate; 기판이 상기 회전보유지지장치에 의해 회전하는 상태에서, 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액(現像液)을 공급한 후에 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액을 공급하는 현상액공급부를 구비하는 현상장치(現像裝置).Developing with a developer supplying the developer from the edge of the substrate to the center continuously after supplying the developer from the center of the substrate to the edge part while the substrate is rotated by the rotary holding device Device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 현상액공급부는, 기판의 바깥둘레단부보다 외측으로 현상액을 공급하지 않는 현상장치.And the developing solution supply unit does not supply the developing solution to the outside of the outer peripheral end of the substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 현상액공급부는, 기판이 제1회전속도로 회전하는 상태에서 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액을 공급하여, 기판이 제1회전속도보다 낮은 제2회전속도로 회전하는 상태에서 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액을 공급하는 현상장치.The developer supply unit continuously supplies the developer from the center of the substrate to the edge portion in a state in which the substrate rotates at the first rotational speed, so that the edge portion of the substrate is rotated at a second rotational speed lower than the first rotational speed. A developing device for continuously supplying developer from the center to the center. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 회전보유지지장치는, 기판의 회전속도를 상기 제2회전속도로부터 단계적으로 하강시키는 현상장치.The rotation holding device is a developing device for lowering the rotational speed of the substrate in steps from the second rotational speed. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 현상액공급부는, 기판이 상기 제1회전속도보다 낮은 제3회전속도로 회전하는 상태에서 기판의 중심부에 계속적으로 현상액을 공급하고, 기판의 회전속도가 상기 제3회전속도로부터 상기 제1회전속도로 상승한 후에 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액을 공급하는 현상장치.The developer supply unit continuously supplies the developer to the center of the substrate in a state in which the substrate is rotated at a third rotational speed lower than the first rotational speed, and the rotational speed of the substrate is from the third rotational speed to the first rotational speed. And a developer for continuously supplying the developer from the center of the substrate to the edge portion after ascending. 기판을 대략 수평으로 보유지지하면서 그 기판에 수직한 축 둘레로 회전시키는 공정과,Rotating the substrate about an axis perpendicular to the substrate while holding the substrate approximately horizontally; 회전하는 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액을 공급한 후에 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액을 공급하는 공정을 구비하는 현상방법.And a step of continuously supplying the developer solution from the edge of the substrate to the edge portion, and subsequently supplying the developer solution from the edge portion of the substrate to the edge portion. 기판을 대략 수평으로 보유지지하면서 그 기판에 수직한 축 둘레로 회전시키는 회전보유지지장치와,A rotation holding device for holding the substrate substantially horizontally and rotating about an axis perpendicular to the substrate; 상기 회전보유지지장치에 의해 회전하는 기판 상에 현상액의 액층을 형성하는 액층형성부를 구비하고,A liquid layer forming unit for forming a liquid layer of a developing solution on a substrate rotated by the rotation holding device; 상기 회전보유지지장치는, 상기 액층형성부에 의한 현상액의 액층의 형성시에 기판을 제1회전속도로 회전시켜, 현상액의 액층의 형성 후에 기판의 회전속도를 상기 제1회전속도로부터 단계적으로 하강시키는 현상장치.The rotation holding device rotates the substrate at a first rotational speed when the liquid layer of the developer is formed by the liquid layer forming unit, and thereby lowers the rotational speed of the substrate from the first rotational speed after formation of the liquid layer of the developer. Developing device. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 액층형성부는, 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액을 공급한 후, 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액을 공급하는 현상장치.And the liquid layer forming unit continuously supplies the developer from the center of the substrate to the edge, and then continuously supplies the developer from the edge of the substrate to the center. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 회전보유지지장치는, 상기 액층형성부에 의해 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액이 공급되는 기간에 기판을 상기 제1회전속도보다도 높은 제2회전속도로 회전시켜, 상기 액층형성부에 의해 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액이 공급되는 기간에 기판을 상기 제1회전속도로 회전시키는 현상장치.The rotation holding device rotates the substrate at a second rotational speed higher than the first rotational speed in a period in which the developer is continuously supplied from the central portion of the substrate to the edge portion by the liquid layer forming unit, and the liquid layer forming unit And a developing device for rotating the substrate at the first rotational speed in a period in which the developer is continuously supplied from the edge portion of the substrate to the center portion. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 회전보유지지장치는, 상기 액층형성부에 의한 현상액의 액층의 형성전에 기판을 상기 제1회전속도보다도 낮은 제3회전속도로부터 제1회전속도 이상의 제4회전속도로 상승시키고,The rotation holding device raises the substrate from a third rotational speed lower than the first rotational speed to a fourth rotational speed higher than or equal to the first rotational speed before formation of the liquid layer of the developer by the liquid layer forming unit, 상기 액층형성부는, 기판이 상기 제3회전속도로 회전하는 상태에서 기판의 중심부에 현상액을 공급하는 현상장치.And the liquid layer forming unit supplies a developer to a central portion of the substrate while the substrate rotates at the third rotational speed. 기판을 대략 수평으로 보유지지하면서 기판에 수직한 축 둘레로 회전시키는 공정과,Rotating the substrate about an axis perpendicular to the substrate while holding the substrate approximately horizontally; 제1회전속도로 회전하는 기판 상에 현상액의 액층을 형성하는 공정과,Forming a liquid layer of a developing solution on the substrate rotating at a first rotational speed; 현상액의 액층의 형성 후에 기판의 회전속도를 상기 제1회전속도로부터 단계적으로 하강시키는 공정을 구비하는 현상방법.And a step of lowering the rotational speed of the substrate step by step from the first rotational speed after formation of the liquid layer of the developing solution. 기판을 대략 수평으로 보유지지하면서 그 기판에 수직한 축 둘레로 회전시키는 회전보유지지장치와,A rotation holding device for holding the substrate substantially horizontally and rotating about an axis perpendicular to the substrate; 상기 회전보유지지장치에 의해 회전하는 기판에 린스액을 공급하는 린스액공급부와,A rinse liquid supply unit for supplying a rinse liquid to the substrate rotated by the rotation holding device; 상기 회전보유지지장치에 의해 회전하는 기판에 현상액을 공급하는 현상액공급부를 구비하고,And a developing solution supply unit supplying a developing solution to the substrate rotated by the rotation holding device, 상기 린스액공급부는, 제1기간(期間)에 기판의 중심부에 린스액을 공급하고,The rinse liquid supply unit supplies the rinse liquid to the center of the substrate in the first period, 상기 회전보유지지장치는, 상기 린스액공급부에 의해 공급된 린스액이 기판 상에서 보유되도록 상기 제1기간에 기판을 제1회전속도로 회전시키고, 상기 제1기간 뒤에 기판의 회전속도를 상기 제1회전속도보다도 높은 제2회전속도로 상승시키고,The rotation holding device rotates the substrate at a first rotational speed in the first period so that the rinse liquid supplied by the rinse liquid supply unit is held on the substrate, and rotates the rotational speed of the substrate after the first period. To the second rotation speed higher than the rotation speed, 상기 현상액공급부는, 상기 회전보유지지장치에 의해 기판의 회전속도가 상기 제1회전속도로부터 상기 제2회전속도로 상승할 때에, 기판의 중심부에 현상액을 공급하는 현상장치.And the developing solution supply unit supplies the developing solution to the central portion of the substrate when the rotating speed of the substrate increases from the first rotating speed to the second rotating speed by the rotation holding device. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 회전보유지지장치는, 기판의 회전속도를 상기 제1회전속도로부터 상기 제2회전속도로 상승시킨 후의 제2기간에, 기판을 상기 제2회전속도보다도 낮은 제3회전속도로 회전시키고,The rotation holding device rotates the substrate at a third rotational speed lower than the second rotational speed in a second period after the rotational speed of the substrate is increased from the first rotational speed to the second rotational speed, 상기 현상액공급부는, 상기 제2기간 동안에 계속적으로 기판에 현상액을 공급하는 현상장치.And the developer supplying unit continuously supplies the developer to the substrate during the second period. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 회전보유지지장치는, 상기 제2기간 후에 기판의 회전속도를 상기 제3회전속도로부터 단계적으로 하강시키는 현상장치.And the rotation retaining apparatus lowers the rotational speed of the substrate step by step from the third rotational speed after the second period. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 현상액공급부는, 기판의 중심부로부터 가장자리부로 연속적으로 현상액을 공급한 후, 기판의 가장자리부로부터 중심부로 연속적으로 현상액을 공급하는 현상장치.And the developer supplying portion continuously supplies the developer from the center of the substrate to the edge portion, and then continuously supplies the developer from the edge of the substrate to the center portion. 기판을 대략 수평으로 보유지지하면서 기판에 수직한 축 둘레로 제1회전속도로 회전시키는 공정과,Rotating the substrate at a first rotational speed about an axis perpendicular to the substrate while holding the substrate substantially horizontally; 상기 제1회전속도로 회전하는 기판 상에 린스액을 공급하는 공정과,Supplying a rinse liquid onto the substrate rotating at the first rotational speed; 기판의 회전속도를 상기 제1회전속도로부터 제2회전속도로 상승시키는 공정과,Increasing the rotational speed of the substrate from the first rotational speed to the second rotational speed; 기판의 회전속도가 상기 제1회전속도로부터 상기 제2회전속도로 상승할 때에 기판 상에 현상액을 공급하는 공정을 구비하는 현상방법.And developing the developer on the substrate when the rotational speed of the substrate increases from the first rotational speed to the second rotational speed.
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