KR20090068602A - Ｅｄｓ 장치 및 니들 평탄도 측정 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 EDS 장치 및 니들 평탄도 측정 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 니들의 평탄도를 측정할 수 있는 장치를 EDS 장치내에 구비하여 니들의 평탄도가 고르지 않은 경우 특정하게 돌출된 한 두개의 니들에 하중이 집중됨으로서 반도체 칩의 패드에 니들이 접촉시 반도체 칩이 손상되는 것을 방지할 수 있는 EDS 장치에 관한 것으로, 본 발명의 EDS 장치는, EDS 검사 대상이 되는 웨이퍼(W)가 안착되며 척 지지대(16)에 의해 지지되는 척(10); 상기 웨이퍼(W)를 구성하는 칩들의 전기적 상태를 검사할 수 있도록 상기 웨이퍼(W)와 접촉하여 전기적 신호를 인가하는 니들(12)이 구비되는 프로브카드(14); 상기 척 지지대(16) 일측에 "L"자 형상으로 끝단이 상부를 향하도록 설치되는 플렛 지지대(100); 및 상기 플렛 지지대(100)의 끝단에 상기 척(10)의 상부면과 동일한 높이에서 평행한 수평면을 가지고 일측은 접지되는 전도성 재질의 플렛(110);을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 EDS 장치에 의하면 반도체 칩의 패드에 니들이 접촉하기 전에 니들의 평탄도를 미리 감지함으로서 특정 니들에 집중되는 하중에 의해 반도체 칩이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
EDS, 장치, 니들, 평탄도, 측정, 방법
Description
본 발명은 EDS 장치 및 니들 평탄도 측정 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 니들의 평탄도를 측정할 수 있는 장치를 EDS 장치내에 구비하여 니들의 평탄도가 고르지 않은 경우 특정하게 돌출된 한 두개의 니들에 하중이 집중됨으로서 반도체 칩의 패드에 니들이 접촉시 반도체 칩이 손상되는 것을 방지할 수 있는 EDS 장치 및 니들 평탄도 측정 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼 상에 패턴을 형성시키는 패브리케이션(fabrication) 공정과 상기 패턴이 형성된 웨이퍼를 각각의 칩으로 조립하는 어셈블리(assembly) 공정을 수행하여 제조된다.
그리고 상기 패브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에는 상기 웨이퍼를 구성하고 있는 각각의 칩의 전기적 특성을 검사하는 이디에스(Electrical Die Sorting, 이하 EDS라고 한다) 공정을 수행한다.
이러한 EDS 공정은 상기 웨이퍼를 구성하고 있는 칩들 중에서 불량칩을 판별하기 위하여 수행한다.
여기서 상기 EDS 공정은 상기 웨이퍼를 구성하는 칩들에 전기적 신호를 인가하여 불량을 판단하는 검사장치를 주로 이용한다.
도 1은 종래 기술에 따른 EDS 장치를 개략적으로 나타낸 정면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 EDS 검사 장치는 EDS 검사 대상이 되는 웨이퍼(W)가 안착되며 척 지지대(16)에 의해 지지되는 척(10); 상기 웨이퍼(W)를 구성하는 칩들의 전기적 상태를 검사할 수 있도록 상기 웨이퍼(W)와 접촉하여 전기적 신호를 인가하는 니들(needle)이 구비되는 프로브 카드(14)를 포함한다.
여기서, 상기 니들(12)은 개별적으로 반도체 칩을 누르는 힘이 크지는 않지만, 접촉되는 탐침 및 반도체 칩의 패드가 많은 경우에는 높은 하중으로 반도체 칩을 누르게 된다.
이때 상기 하중을 이겨내거나 완충할 수 있는 수단이 마련되어 있지 않아서 높은 하중은 니들의 평탄도가 고르지 않은 경우에는 특정하게 돌출된 한 두개의 니들에 집중되어 지므로, 높은 하중으로 반도체 칩의 패드에 니들이 접촉하게 되어 반도체 칩의 손상이 발생하게 되는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 니들의 평탄도를 측정할 수 있는 장치를 EDS 장치내에 구비하여 반도체 칩의 패드에 니들이 접촉하기 전에 니들의 평탄도를 미리 감지하여 반도체 칩의 손상을 방지할 수 있는 EDS 장치 및 니들 평탄도 측정 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 EDS 장치는, EDS 검사 대상이 되는 웨이퍼가 안착되며 척 지지대에 의해 지지되는 척; 상기 웨이퍼를 구성하는 칩들의 전기적 상태를 검사할 수 있도록 상기 웨이퍼와 접촉하여 전기적 신호를 인가하는 니들이 구비되는 프로브카드; 상기 척 지지대 일측에 "L"자 형상으로 끝단이 상부를 향하도록 설치되는 플렛 지지대; 및 상기 플렛 지지대의 끝단에 상기 척의 상부면과 동일한 높이에서 평행한 수평면을 가지고 일측은 접지되는 전도성 재질의 플렛;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 플렛은 상기 니들 중 상기 플렛과 단락된 니들이 감지된 이후 6 내지 8 ㎛ 상승하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 플렛 지지대는 비전도성 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 모니터부를 더 포함하여 상기 니들 중 상기 플렛과 단락된 니들이 감지된 이후 상기 플렛이 6 내지 8 ㎛ 상승한 다음에도 상기 플렛과 단락되지 않은 니들이 있는 경우에는 에러메세지를 영상으로 출력하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 일 측면으로서 본 발명의 니들 평탄도 측정 방법은, EDS 검사 대상이 되는 웨이퍼가 안착되며 척 지지대에 의해 지지되는 척; 상기 웨이퍼를 구성하는 칩들의 전기적 상태를 검사할 수 있도록 상기 웨이퍼와 접촉하여 전기적 신호를 인가하는 니들이 구비되는 프로브카드; 상기 척 지지대 일측에 "L"자 형상으로 끝단이 상부를 향하도록 설치되는 플렛 지지대; 및 상기 플렛 지지대의 끝단에 상기 척의 상부면과 동일한 높이에서 평행한 수평면을 가지고 일측은 접지되는 전도성 재질의 플렛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 EDS 장치를 구비하는 1 단계; 상기 니들이 상기 플렛의 상부면에 접촉하는 2 단계; 및 상기 니들 중 첫 번째 니들이 상기 플렛과 단락된 이후 상기 플렛이 6 내지 8 ㎛ 상승하는 3 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 3 단계 다음에는 상기 니들 중 상기 플렛과 단락된 니들이 감지된 이후 상기 플렛이 6 내지 8 ㎛ 상승한 다음에도 상기 플렛과 단락되지 않은 니들이 있는 경우에는 에러메세지가 모니터부에 의해 영상으로 출력되는 4 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 EDS 장치 및 니들 평탄도 측정 방법에 의하면 니들의 평탄도를 측정할 수 있는 장치를 EDS 장치내에 구비하여 반도체 칩의 패드에 니들이 접촉하기 전에 니들의 평탄도를 미리 감지함으로서 특정 니들에 집중되는 하중에 의해 반도체 칩이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 니들과 반도체 칩의 패드 간의 접촉 불량을 사전에 방지하여 수율의 증대를 이룰 수 있다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 EDS 장치의 개략도이다. 종래 기술과 동일한 구성부재에 대하여는 동일한 번호를 부여하였다.
본 발명의 EDS 장치는, 종래 기술과 동일하게 EDS 검사 대상이 되는 웨이퍼(W)가 안착되며 척 지지대(16)에 의해 지지되는 척(10); 상기 웨이퍼(W)를 구성하는 칩들의 전기적 상태를 검사할 수 있도록 상기 웨이퍼(W)와 접촉하여 전기적 신호를 인가하는 니들(12)이 구비되는 프로브카드(14); 상기 척 지지대(16) 일측에 "L"자 형상으로 끝단이 상부를 향하도록 설치되는 플렛 지지대(100)를 포함한다.
그리고, 니들의 평탄도를 측정하기 위해 본 발명은 상기 플렛 지지대(100)의 끝단에 상기 척(10)의 상부면과 동일한 높이에서 평행한 수평면을 가지고 일측은 접지되는 전도성 재질의 플렛(110)을 더 포함한다.
여기서, 상기 플렛(110)은 상기 니들(12) 중 첫 번째 니들이 상기 플렛(110)과 단락된 이후 6 내지 8 ㎛ 상승하도록 하여 주어진 스펙(spec) 범위에서 상기 니들의 평탄도를 측정하도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 플렛(110)은 척 지지대(16)의 구동에 의해 1 ㎛ 단위로 상승하도록 함으로서 상기 니들(12)에 가해지는 압력을 최소화하는 것이 바람직하다.
이와 더불어, 상기 플렛 지지대(100)는 비전도성 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
그리고, 모니터부(200)를 더 포함하여 상기 첫 번째 니들이 상기 플렛(110)과 단락된 이후 상기 플렛(110)이 6 내지 8 ㎛ 상승한 다음에도 상기 플렛(110)과 단락되지 않은 니들이 있는 경우에는 에러메세지를 영상으로 출력하여 EDS 장치의 운영자가 니들의 평탄도가 스펙 아웃(spec out)임을 인식하도록 하는 것이 바람직 하다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 상기와 같은 구성을 가지는 본 발명의 EDS 장치의 동작을 설명한다.
가장 먼저, 모든 니들(12)에 0.5 V의 전압을 인가하고 상기 니들(12)을 상기 플렛(110)의 상부면 가까이 위치시킨다.
그리고 상기 니들(12)을 향하여 상기 플렛(110)을 천천히 1 ㎛ 씩 상승시킨다.
상기 니들(12) 중 상기 플렛(110)과 단락(short)되는 니들이 감지되면 상기 플렛(110)을 6 내지 8 ㎛ 상승시킨다.
상기 플렛(110)은 상기 척 지지대(16)의 상승에 의해 이루어진다.
상기 니들(12)과 상기 플렛(110)의 단락 여부는 상기 니들(12)에 흐르는 전류의 변화를 통해 감지할 수 있다.
즉, 상기 니들(12)은 상기 플렛(110)과 단락되기 전에는 상기 니들(12)의 일측 끝단은 개방(open)되어 있으므로 상기 니들(12)에 흐르는 전류는 0 A이다.
이와 달리, 상기 니들(12)이 상기 플렛(110)과 단락하게 되면 상기 니들에 소정의 전류가 흐르게 된다.
여기서, 상기 니들(12) 중 상기 플렛(110)과 단락된 니들이 감지된 다음에 상기 플렛(110)을 6 내지 8 ㎛ 상승시킨다.
그 다음으로, 상기 플렛(110)이 6 내지 8 ㎛ 상승한 다음에도 상기 플렛(110)과 단락되지 않은 니들이 있는 경우에는 스펙 아웃이므로 에러메세지가 모니터부(200)에 의해 영상으로 출력된다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정·변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 EDS 장치를 개략적으로 나타낸 정면도,
도 2는 본 발명에 따른 EDS 장치의 개략도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
W : 웨이퍼 10 : 척
12 : 니들 14 : 프로브카드
16 : 척 지지대
100 : 플렛 지지대 110 : 플렛
200 : 모니터부
Claims (6)
- EDS 검사 대상이 되는 웨이퍼가 안착되며 척 지지대에 의해 지지되는 척;상기 웨이퍼를 구성하는 칩들의 전기적 상태를 검사할 수 있도록 상기 웨이퍼와 접촉하여 전기적 신호를 인가하는 니들이 구비되는 프로브카드;상기 척 지지대 일측에 "L"자 형상으로 끝단이 상부를 향하도록 설치되는 플렛 지지대; 및상기 플렛 지지대의 끝단에 상기 척의 상부면과 동일한 높이에서 평행한 수평면을 가지고 일측은 접지되는 전도성 재질의 플렛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 EDS 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 플렛은 상기 니들 중 상기 플렛과 단락된 니들이 감지된 이후 6 내지 8 ㎛ 상승하는 것을 특징으로 하는 EDS 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 플렛 지지대는 비전도성 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 EDS 장치.
- 제 3 항에 있어서, 모니터부를 더 포함하며 상기 모니터부는 상기 니들 중 상기 플렛과 단락된 니들이 감지된 이후 상기 플렛이 6 내지 8 ㎛ 상승한 다음에도 상기 플렛과 단락되지 않은 니들이 있는 경우에는 에러메세지를 영상으로 출력하는 것을 특징으로 하는 EDS 장치.
- EDS 검사 대상이 되는 웨이퍼가 안착되며 척 지지대에 의해 지지되는 척; 상기 웨이퍼를 구성하는 칩들의 전기적 상태를 검사할 수 있도록 상기 웨이퍼와 접촉하여 전기적 신호를 인가하는 니들이 구비되는 프로브카드; 상기 척 지지대 일측에 "L"자 형상으로 끝단이 상부를 향하도록 설치되는 플렛 지지대; 및 상기 플렛 지지대의 끝단에 상기 척의 상부면과 동일한 높이에서 평행한 수평면을 가지고 일측은 접지되는 전도성 재질의 플렛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 EDS 장치를 구비하는 1 단계;상기 니들이 상기 플렛의 상부면에 접촉하는 2 단계; 및상기 니들 중 상기 플렛과 단락된 니들이 감지된 이후 상기 플렛이 6 내지 8 ㎛ 상승하는 3 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 니들 평탄도 측정 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 3 단계 다음에는 상기 니들 중 상기 플렛과 단락된 니들이 감지된 이후 상기 플렛이 6 내지 8 ㎛ 상승한 다음에도 상기 플렛과 단락되지 않은 니들이 있는 경우에는 에러메세지가 모니터부에 의해 영상으로 출력되는 4 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 니들 평탄도 측정 방법.
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| KR (1) | KR20090068602A (ko) |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN102680876A (zh) * | 2011-03-14 | 2012-09-19 | 三星电子株式会社 | 半导体器件测试***和方法 |
| CN102878974A (zh) * | 2012-10-19 | 2013-01-16 | 上海华岭集成电路技术股份有限公司 | 探针卡平整度检测方法 |
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2007
- 2007-12-24 KR KR1020070136286A patent/KR20090068602A/ko not_active Application Discontinuation
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