KR19980027150U - 반도체 웨이퍼 검사장치 - Google Patents
반도체 웨이퍼 검사장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19980027150U KR19980027150U KR2019960040069U KR19960040069U KR19980027150U KR 19980027150 U KR19980027150 U KR 19980027150U KR 2019960040069 U KR2019960040069 U KR 2019960040069U KR 19960040069 U KR19960040069 U KR 19960040069U KR 19980027150 U KR19980027150 U KR 19980027150U
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- probe
- defects
- probe pin
- contact
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
- G01R1/07371—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate card or back card with apertures through which the probes pass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
본 고안은 반도체 웨이퍼 검사장치에 관한 것으로, 종래에는 프로우브 카드의 핀 배열 상태의 검사기능은 있지만, 프로우브 카드의 핀 평탄도, 누설정류 및 접촉저항 등에 대한 검사기능을 갖추고 있지 않아 프로우브 핀의 평탄도 불량에 따른 웨이퍼 패드의 프로우빙 횟수 증가와 프로우빙 마크 불량에 따른 칩 외관 불량, 누설 전류 발생에 따른 단선, 단락, 누설전류 및 전원 전류등의 디시 테스트(DC test)불량, 접촉저항 증가에 따른 기능 테스트 불량과 속도 배분 저하 등, 웨이퍼 외관 불량 및 전기적 특성 불량을 유발하는 외부 요인이 되거나 또는 사전에 방지 할 수 없는 문제점이 있었던 바, 본 고안은 피측정 웨이퍼를 일정한 간격과 높이로 이송시키는 웨이퍼 척과, 전기적 신호 전달을 위한 측정 매개물인 프로우브 카드의 프로우브 핀을 감지하기 위한 척 카메라로 구성된 웨이퍼 스테이지 유니트에 프로우브 핀의 평탄도, 누설전류 및 접촉 저항 등을 검사하기 위한 프로우브 핀의 피접촉 매개물로서 상하로 이송가능한 콘택트 플레이트를 설치함으로써, 프로우브 카드의 다양한 검사를 통해 프로우빙 마크 불량, 디시(DC) 및 에이시(AC) 테스트 불량 및 피측정 웨이퍼 외관 불량과 전기적 특성 불량을 유발하는 요인을 사전에 제거할 수 있는 반도체 웨이퍼 검사장치를 제공하고자 한 것이다.
Description
본 고안은 반도체 웨이퍼 검사 장치에 관한 것으로, 웨이퍼를 검사하는 웨이퍼 스테이지 유니트에 콘택트 플레이트를 설치하여 웨이퍼 프로우빙을 하기전에 측정매개물인 프로우브 카드의 기능검사를 가능하도록 한 반도체 웨이퍼 검사장치에 관한 것이다.
종래의 반도체 웨이퍼 검사장치는, 첨부한 도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(5)가 설치되는 웨이퍼 스테이지 유니트(9)와, 그 상부에 설치되어 웨이퍼(5)를 검사하는 프로우브 카드(3)가 장착된 테스트 헤드(1)로 이루어진다.
상기 웨이퍼 스테이지 유니트(9)는 좌우의 방향과 전후의 방향으로 이송가능한 척무브먼트(8)와, 그 상부에 설치되어 측정물인 웨이퍼(5)를 일정한 간격과 높이로 이송시키는 웨이퍼 척(6)과, 웨이퍼(5)의 전기적인 특성을 검사하는 프로우브 핀(4)을 감지하기 위한 척 카메라(7)로 구성된다.
상기 테스트 헤드(1)는 그 하면에 프로우버 헤드 플레이트(2)가 설치되고, 이 프로우버 헤드 플레이트(2) 중앙에는 웨이퍼(5)의 패드(미도시됨)와 결합하여 웨이퍼(5)를 검사하는 프로우브 핀(4)이 설치되어 있는 프로우브 카드(3)가 장착되어 있다.
종래의 반도체 웨이퍼 검사장치를 이용하여 웨이퍼를 검사하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
로더부(loader부, 미도시됨)에서 개략정렬(pre-alignment)된 피측정 대상인 웨이퍼(5)가 웨이퍼 척(6)위에 탑재된다.
상기 웨이퍼 척(6)은 상하 이송되는 것이므로, 웨이퍼(5)를 미세정렬(fine align-ment)하기 위해 시시디 카메라(CCD camera, 미도시됨)가 내장된 얼라인먼트 브리지(alignment bridge, 미도시됨) 밑으로 웨이퍼 척(6)이 이동된다.
미세 정렬 완료후 프로우브 핀(4)과 웨이퍼(5)의 패드(미도시됨)와의 접촉을 위해 척 카메라(7)가 미리 입력된 좌표를 기초로 프로우브 핀(4) 선단을 검출한다.
프로우브 핀(4)의 배열에 이상이 없으면 웨이퍼 척(6)이 상승하여 프로우브 핀(4)과 웨이퍼 패드를 접촉시키고, 에지 센서(edge sensor, 미도시됨)에 의해 접촉 높이가 산출된다.
그러나, 종래의 웨이퍼 검사장치는 프로우브 핀(4)의 배열 상태에 대한 검가기능은 있지만, 프로우브 핀(4)의 평탄도, 누설정류 및 접촉저항 등에 대한 검사기능을 갖추고 있지 않다.
따라서, 프로우브 핀(4)의 평탄도 불량에 따른 웨이퍼 패드의 프로우빙 횟수 증가와 프로우빙 마크 불량에 따른 칩 외관 불량, 누설 전류 발생된 따른 단선, 단락, 누설전류 및 전원 전류 등의 디시 테스트(DC test)불량, 접촉저항 증가에 따른 기능 테스트 불량과 속도 배분 저하 등의 웨이퍼 외관 불량 및 전기적 특성 불량을 유발하는 외부 요인이 되는 문제점이 있었던바, 이에 대한 보완이 요구되어 왔다.
따라서, 본 고안은 피측정 웨이퍼를 일정한 간격과 높이로 이송시키는 웨이퍼 척과, 전기적 신호 전달을 위한 측정 매개물인 프로우브 카드의 프로우브 핀을 감지하기 위한 척 카메라로 구성된 반도체 웨이퍼 검사장치에 프로우브 핀의 평탄도, 누설전류 및 접촉 저항 등을 검사하기 위하여 상하로 이송가능한 콘택트 플레이트를 설치함으로써, 프로우브 카드의 다양한 검사를 통해 프로우빙 마크 불량, 디시(DC) 및 에이시(AC) 테스트 불량 및 피측정 웨이퍼의 외관 불량과 전기적 특성 불량을 유발하는 요인을 사전에 제거할 수 있는 반도체 웨이퍼 검사장치를 제공하는데 그 목적이 있는 것이다.
도 1은 종래의 반도체 웨이퍼 검사장치를 나타내는 개략도,
도 2는 본 고안의 반도체 웨이퍼 검사장치를 나타내는 개략도,
도 3은 본 고안의 콘텍트 플레이트를 사용하여 프로우브 카드를 검사하는 것을 도시한 개략도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10:콘택트 플레이트20:테스트 유니트
21:전류 측정기22:전압 공급기
23a, 23b:릴레이 스위치
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해서 본 고안은 웨이퍼를 일정한 간격과 높이로 이송시키는 웨이퍼 척이 설치된 웨이퍼 스테이지 유니트와, 상기 웨이퍼를 검사하는 프로우브 핀과 프로우브 카드가 장착된 테스트 헤드로 구성되는 웨이퍼 검사장치에 있어서, 상기 웨이퍼 척의 주변에 상하이동이 가능하고 프로우브 핀의 평탄도, 누설전류 및 접촉저항을 검사할 수 있는 콘택트 플레이트를 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 검사장치가 제공된다.
이하, 본 고안의 반도체 웨이퍼 검사장치를 첨부한 도면에 도시한 실시예에 따라 설명하면 다음과 같다.
본 고안에 따른 반도체 웨이퍼 검사장치는, 도 2에 도시한 바와 같이, 좌우의 방향과 전후의 방향으로 이송가능한 척 무브먼트(8)와, 그 상부에 설치되어 측정물인 웨이퍼(5)를 일정한 간격과 높이로 이송시키는 웨이퍼 척(6)과, 웨이퍼(5)의 전기적인 특성을 검사하는 프로우브 핀(4)을 감지하기 위한 척 카메라(7)로 구성되는 웨이퍼 스테이지 유니트(9)의 상부에 프로우브 핀(4)을 장착한 프로우브 카드(3)가 설치되는 것은 종래의 것과 동일하다.
본 고안의 척 무브먼트(8)의 상부에는 프로우브 핀(4)의 평탄도, 누설전류 및 접촉 저항 등을 검사하기 위한 프로우브 핀(4)의 피접촉 매개물로써 상하 이동이 가능한 콘텍트 플레이트(10)가 설치된다.
본 고안의 콘텍트 플레이트(10)는 자체 저항을 최소화할 수 있는 금도금 니켈 또는 그 대체품으로 되고, 32칩을 동시에 프로우빙 할 수 있는 크기로 되는 것이 바람직하다.
상기한 바와 같은 본 고안의 반도체 웨이퍼 검사장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.
웨이퍼 로더부(loader부, 미도시됨)에서 개략정렬(pre-alignment)된 피측정 대상인 웨이퍼(5)가 웨이퍼 척(6)위에 탑재된다.
상기 웨이퍼 척(6)은 상하 이송되는 것이므로, 웨이퍼(5)를 미세정렬(fine alignment)하기 위해 시시디 카메라(CCD camera. 미도시됨)가 내장된 얼라인먼트 브리지(alignment bridge, 미도시됨) 밑으로 웨이퍼 척(6)이 이동된다.
미세 정렬 완료후 프로우브 핀(4)과 웨이퍼(5)의 패드(미도시됨)와의 접촉을 위해 척 카메라(7)가 미리 입력된 좌표를 기초로 프로우브 핀(4) 선단을 검출한다.
이때, 프로우브 핀(4) 배열에 이상이 없으면 척 무브먼트(8)가 이동하여 콘텍트 플레이트(10)를 프로우브 카드(3) 밑으로 이동시킨다.
본 고안의 웨이퍼 검사 장치는, 첨부한 도 3에 도시한 바와 같이, 전압을 인가하고 전류를 측정하는 테스트 유니트(20)를 이용하여 누설 전류를 측정하는 것으로, 웨이퍼 프로우버에 별도 장치로서 내장되어 있거나 웨이퍼 프로우버와 인터페이스(interface)되어 있는 테스트 시스템(tset system)의 테스트 유니트(20)을 사용한다.
상기 테스트 유니트(20)는 릴레이 스위치(13a, 13b)로 콘택트 플레이트(10)와 테스트 헤드(1)에 연결되고, 전압 공급기(12)에 의해 전압이 공급되면 전류 측정기(11)에 의해 전류를 측정하게 된다.
이때, 누설전류가 없으면 콘텍트 플레이트(10)가 수직상승하여 프로우브 핀(4)과 접촉한다.
상기 테스트 유니트(20)의 전류 유무에 의해 최초 접촉 프로우브 핀(4)과 최종 접촉 프로우브 핀(4)의 높이차를 산출하여 평탄도를 검사한다.
또한, 전체 프로우브 핀(4)의 접촉시 입력 전압과 전류를 이용하여 접촉저항을 산출한다.
프로우브 핀(4)의 검사가 완료한 후, 콘택트 플레이트(10)는 수직하강하여 웨이퍼 척(6)보다 낮은 높이에 위치한다.
프로우브 핀(4)과 웨이퍼(5)의 패드와의 접촉을 위해 웨이퍼 척(6)이 수직상승하여 프로우브 핀(4)과 패드를 접촉시키며, 에지 센서에 의해 접촉 높이가 산출된다.
웨이퍼 테스트를 위해 웨이퍼 척(6)을 일정한 간격과 높이로 이송시켜 웨이퍼 프로우빙을 실행한다.
상기와 같은 프로우브 카드(3) 검사는 프로우빙 조건 설정에 의해 웨이퍼(5) 셋업시 웨이퍼(5)의 프로우빙 전에 실행토록 한다.
본 고안은 웨이퍼 검사장치를 사용하면 피측정 웨이퍼의프로우빙 전에 측정 매개물인 프로우브 카드의 다양한 검사를 통해 프로우빙 마크 불량, 디시 및 에이시 테스트 불량 등, 피측정 웨이퍼의 외관 불량 및 전기적 특성 불량을 유발하는 요인을 사전에 제거할 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 웨이퍼를 일정한 간격과 높이로 이송시키는 웨이퍼 척이 설치된 웨이퍼 스테이지 유니트와, 상기 웨이퍼를 검사하는 프로우브 핀과 프로우브 카드가 장착된 테스트 헤드로 구성되는 웨이퍼 검사 장치에 있어서, 상기 웨이퍼 척의 주변에 상하이동이 가능하고 프로우브 핀의 평탄도, 누설전류 및 접촉저항을 검사할 수 있는 콘택트 플레이트를 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 검사장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019960040069U KR200169688Y1 (ko) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 반도체 웨이퍼 검사장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019960040069U KR200169688Y1 (ko) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 반도체 웨이퍼 검사장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980027150U true KR19980027150U (ko) | 1998-08-05 |
KR200169688Y1 KR200169688Y1 (ko) | 2000-02-01 |
Family
ID=19473842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019960040069U KR200169688Y1 (ko) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 반도체 웨이퍼 검사장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR200169688Y1 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100805833B1 (ko) * | 2006-01-24 | 2008-02-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 테스트 장비의 고장을 검출하기 위한 테스트 장치및 방법 |
KR100929121B1 (ko) * | 2007-12-24 | 2009-11-30 | 주식회사 에스디에이 | 프로브 카드 통합검사장치 및 그 제공방법 |
KR101237665B1 (ko) * | 2008-08-08 | 2013-02-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 프로브 방법 및 프로브용 프로그램 |
CN112834907A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 杭州广立微电子股份有限公司 | 一种支持log文件配置的测试*** |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100936971B1 (ko) | 2007-08-07 | 2010-01-14 | (주)하이비젼시스템 | 프로브카드의 오에스, 평탄도 및 누설전류 측정방법 및 그시스템 |
-
1996
- 1996-11-14 KR KR2019960040069U patent/KR200169688Y1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100805833B1 (ko) * | 2006-01-24 | 2008-02-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 테스트 장비의 고장을 검출하기 위한 테스트 장치및 방법 |
KR100929121B1 (ko) * | 2007-12-24 | 2009-11-30 | 주식회사 에스디에이 | 프로브 카드 통합검사장치 및 그 제공방법 |
KR101237665B1 (ko) * | 2008-08-08 | 2013-02-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 프로브 방법 및 프로브용 프로그램 |
CN112834907A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 杭州广立微电子股份有限公司 | 一种支持log文件配置的测试*** |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR200169688Y1 (ko) | 2000-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900001040B1 (ko) | 프루브 검사방법 | |
JP7109167B2 (ja) | プローブカード、及びそれを含むテスト装置 | |
KR100805833B1 (ko) | 반도체 테스트 장비의 고장을 검출하기 위한 테스트 장치및 방법 | |
US6856154B2 (en) | Test board for testing IC package and tester calibration method using the same | |
KR200169688Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼 검사장치 | |
US5933309A (en) | Apparatus and method for monitoring the effects of contact resistance | |
TWI383160B (zh) | 電性連接瑕疵偵測系統及方法 | |
KR100897982B1 (ko) | 프로브카드 니들과 패드간의 미스 얼라인 방지 패턴 및 그방법 | |
KR20090014914A (ko) | 프로브카드의 오에스, 평탄도 및 누설전류 측정방법 및 그시스템 | |
JP2002107417A (ja) | 半導体集積回路の試験装置及びその管理方法 | |
JP2865046B2 (ja) | 電子部品の半田接続検査方法及び検査装置 | |
JP2970893B2 (ja) | 検査装置 | |
JP2735048B2 (ja) | 電子部品の半田接続検査方法及び検査装置 | |
JP3456782B2 (ja) | 半導体装置の検査方法及びプローブカード | |
KR20090068602A (ko) | Eds 장치 및 니들 평탄도 측정 방법 | |
JPH1019958A (ja) | Icのインサーキットテスタによる足浮き検出方法並びに接触式ヒータープローブ | |
TW202411670A (zh) | 檢測電路 | |
JP2002100658A (ja) | 半導体装置の検査装置 | |
JPH04315068A (ja) | プリント回路板の検査装置 | |
KR100523609B1 (ko) | 프로버 시스템의 프로브 카드 | |
KR100265854B1 (ko) | 웨이퍼의 전기적 특성 측정장치 및 측정방법 | |
KR100797318B1 (ko) | 프로브 카드 니들의 접촉저항 측정장치 및 측정방법 | |
JPS6030147A (ja) | 半導体ウェ−ハ | |
JPH0346246A (ja) | 検査装置 | |
JPS54162475A (en) | Inspection unit for semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
REGI | Registration of establishment | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20091028 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |