KR20090066266A - Laminate, method of forming conductive pattern, conductive pattern obtained thereby, printed wiring board, thin-layer transistor and apparatus utilizing these - Google Patents

Abstract

A laminate comprising a glass substratum; a polymerization initiation layer of 0.1 to 100 mum thickness formed by chemical bonding, to the glass substratum, of a polymer having a radical polymerization initiation moiety and a moiety capable of direct chemical bonding to the glass substratum; and a graft polymer precursor layer containing a polymer having in its molecule a skeleton derived from a structure selected from among (meth)acrylic ester and (meth)acrylamide and having an unsaturated moiety capable of radical polymerization and a moiety capable of adsorbing an electroless plating catalyst. Further, there is provided a method of forming a conductive pattern with the use of the laminate.

Description

적층체, 도전성 패턴형성방법과 그것에 의해 얻어진 도전성 패턴, 프린트 배선기판 및 박층 트랜지스터, 그리고 그들을 사용한 장치{LAMINATE, METHOD OF FORMING CONDUCTIVE PATTERN, CONDUCTIVE PATTERN OBTAINED THEREBY, PRINTED WIRING BOARD, THIN-LAYER TRANSISTOR AND APPARATUS UTILIZING THESE}Laminated body, conductive pattern forming method and conductive pattern, printed wiring board and thin-layer transistor obtained by the same, and apparatus using them THESE}

본 발명은 적층체, 상기 적층체를 사용한 도전성 패턴형성방법, 도전성 패턴, 상기 도전성 패턴을 구비한 프린트 배선기판, 및 박층 트랜지스터, 그리고 그들을 사용한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a laminate, a method of forming a conductive pattern using the laminate, a conductive pattern, a printed wiring board provided with the conductive pattern, a thin layer transistor, and a device using the same.

프린트 기판 등의 전자 배선 형성에 있어서, 대면적 기판에 전기 배선을 형성하는 요구가 증대하고 있다. 고정밀하고, 도전성이 우수한 미세배선은 진공 성막법 등의 기상법에 의해 형성되는 것이 일반적이다. 그러나, 이 방법에서는 넓은 면적에 걸쳐서 막두께나 막질이 균일한 금속막을 막형성하는 것이 곤란하고, 신뢰성이 높은 배선, 전극 등의 형성이 갈망되고 있었다.In the formation of electronic wiring such as a printed circuit board, there is an increasing demand for forming electrical wiring on a large-area substrate. The micro wiring with high precision and excellent conductivity is generally formed by a gas phase method such as vacuum deposition. However, in this method, it is difficult to form a metal film having a uniform film thickness or film quality over a large area, and the formation of highly reliable wirings, electrodes, and the like has been desired.

또한, 대면적의 패널에 기상법으로 금속막을 제막할 경우, 거대한 진공 성막 장치와 가스 공급 설비 등의 부대 설비가 필요로 되어, 막대한 설비 투자가 필요하게 된다고 하는 문제도 발생한다.In addition, when a metal film is formed into a large area panel by a vapor phase method, an additional facility such as a huge vacuum film forming apparatus and a gas supplying facility is required, and a large facility investment is required.

또한, 스퍼터 장치, CVD 장치 등의 진공 성막 장치는 진공 펌프를 구동하는 전력, 기판 가열을 행하는 전력, 플라즈마를 발생시키는 전력 등 많은 전력을 필요로 하지만, 당연히 장치의 거대화에 따라 이들 제조 장치의 소비 에너지가 증대한다고 하는 문제도 발생한다.In addition, vacuum deposition apparatuses such as a sputtering apparatus and a CVD apparatus require a lot of electric power such as electric power for driving a vacuum pump, electric power for heating a substrate, electric power for generating a plasma, etc. The problem that energy increases also arises.

또한, 금속 배선 등을 형성할 때, 종래는 진공 성막 장치를 사용하여 기판의 전체면에 금속막을 성막한 후, 그 불필요 부분을 에칭에 의해 제거함으로써 전기 배선 패턴을 형성하고 있었다. 그러나, 이 방법으로는 배선의 해상도가 한정되어, 금속 재료의 낭비가 발생한다고 하는 문제도 있었다. 최근, 환경으로의 배려로부터, 제조 공정에 있어서의 소비 에너지의 저감이나, 재료 자원의 유효 이용이 요구되어, 보다 간단하게 소망의 해상도의 금속막 패턴을 형성할 수 있는 방법이 요구되고 있다.Moreover, when forming metal wiring etc., conventionally, after forming a metal film in the whole surface of a board | substrate using a vacuum film-forming apparatus, the electrical wiring pattern was formed by removing the unnecessary part by etching. However, this method also has a problem in that the resolution of the wiring is limited and metal materials are wasted. In recent years, from consideration to the environment, reduction of energy consumption in the manufacturing process and effective use of material resources have been demanded, and a method for more easily forming a metal film pattern having a desired resolution is required.

이에 대하여 예를 들면, 무전해 도금의 반응에 필요한 촉매층을 미리 기판 상에 패턴 배치하고, 촉매층의 존재하는 영역에만 선택적으로 금속막을 형성하는 무전해 도금 기술(예를 들면, 특허문헌 1참조.)이나 기판 표면에 금속 산화막(예를 들면, ZnO)을 형성한 후, 금속 산화막을 패터닝하여 형성된 금속 산화막 패턴 상에 선택적으로 금속막 패턴을 형성하는 방법(예를 들면, 특허문헌 2참조.)이 제안되어 있다. 이들의 방법으로는 소망의 패턴으로 금속 배선을 형성할 수 있지만, 전자에서는 유리 기판 등의 표면이 평활한 기판 상에 무전해 도금으로 금속막 패턴을 형성했을 경우, 기판과 도금 피막의 밀착성이 매우 약하여 실용상 문제가 있는 레벨이며, 또한, 도금막의 막두께를 증가시키는 것이 곤란하였다. 또한, 후자에서는 기판 전체면에 형성된 산화 아연막을 패턴화하는 공정에 있어서, 레지스트 수지 등의 사용이 필요하고, 공정이 번잡하고, 또한, 산화 아연의 내약품성의 낮음으로 기인하여 에칭 속도의 미묘한 조정이 요구됨과 아울러 대면적 기판 상에서는 에칭 속도의 면내 균일성을 향상시키는 것이 곤란하였다.On the other hand, for example, an electroless plating technique in which a catalyst layer required for the reaction of electroless plating is patterned on a substrate in advance, and a metal film is selectively formed only in a region where the catalyst layer is present (see Patent Document 1, for example). Alternatively, after forming a metal oxide film (for example, ZnO) on the substrate surface, a method of selectively forming a metal film pattern on the metal oxide film pattern formed by patterning the metal oxide film (see Patent Document 2, for example) Proposed. Although these methods can form a metal wiring with a desired pattern, in the former, when the metal film pattern is formed by electroless plating on the board | substrate with a smooth surface, such as a glass substrate, the adhesiveness of a board | substrate and a plating film is very It was weak and practically problematic level, and it was difficult to increase the film thickness of a plating film. In the latter case, in the process of patterning the zinc oxide film formed on the entire surface of the substrate, use of a resist resin or the like is required, and the process is complicated, and delicate adjustment of the etching rate is caused due to the low chemical resistance of zinc oxide. In addition to this demand, it was difficult to improve in-plane uniformity of the etching rate on a large-area substrate.

또한, 이들의 개량 기술로서, 감광막에 촉매가 되는 재료를 담지시켜, 자외선 노광으로 패턴화된 촉매층을 형성하고, 그 영역에만 산화 아연막을 형성하고, 이것을 기점으로 하여 무전해 도금에 의해 금속 패턴을 형성하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 3참조.). 이 방법에 의하면, 해상도가 높은 산화 아연막 패턴이 형성된다고 하는 이점을 갖지만, 감광막 등의 특수한 재료를 필요로 하고, 또한 금속막의 형성까지, 2개의 촉매층의 형성을 포함하는 5공정을 필요로 하여 공정이 번잡하였다.Moreover, as an improvement technique of these, a photocatalytic material is supported on a photosensitive film to form a catalyst layer patterned by ultraviolet exposure, and a zinc oxide film is formed only in the region, and the metal pattern is formed by electroless plating based on this. The formation method is proposed (for example, refer patent document 3). This method has the advantage that a high-resolution zinc oxide film pattern is formed, but requires a special material such as a photoresist film, and requires five steps including the formation of two catalyst layers until the formation of a metal film. The process was cumbersome.

이것을 근거로 하여 본원 출원인은 250nm∼700nm 파장의 레이저를 주사함으로써 디지탈 데이터에 기초하여 직접 화상 형성이 가능한 도전성 패턴 재료 및 그 형성 방법에 대해서 제안하였다(예를 들면, 특허문헌 4참조). 그러나, 이 방법으로 제작할 수 있는 도금막에 관해서는 무전해 도금법만을 이용하는 풀애디티브법에 의한 금속 배선의 형성에는 도전성, 내구성 등의 관점으로부터 수㎛의 도금 두께가 필요한 것에 반하여, 기재가 석영 유리를 포함하는 다양한 유리 기판의 경우, 무전해도금 처리시에 도금욕이 강알칼리성인 경우가 많고, 알칼리에 의해 기판 표면이 침식되어버려, 금속 배선부를 밀착시킬 수 없는 문제가 발생한다. 처리 시간을 단축함으로써 이 문제를 해결하는 것도 가능하지만, 도금법으로 배선을 형성할 경우, 처리 시간과 배선 막두께는 비례의 관계에 있고, 저항값 등의 전기 특성을 만족하 는 배선을 형성하는 것은 매우 곤란하다.Based on this, the applicant of this application proposed the conductive pattern material which can form an image directly based on digital data by scanning a laser of 250 nm-700 nm wavelength, and its formation method (for example, refer patent document 4). However, as for the plating film which can be produced by this method, the formation of the metal wiring by the full additive method using only the electroless plating method requires a plating thickness of several μm from the viewpoint of conductivity, durability, etc., whereas the base material is quartz glass. In the case of various glass substrates, the plating bath is often highly alkaline at the time of electroless plating, and the surface of the substrate is eroded by alkali, resulting in a problem that the metal wiring portions cannot be brought into close contact. It is also possible to solve this problem by shortening the processing time. However, when wiring is formed by the plating method, it is necessary to form a wiring that satisfies the electrical characteristics such as the resistance value and the processing time and the wiring film thickness are proportional to each other. Very difficult.

특허문헌 1: 일본특허공개 2000-147762호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-147762

특허문헌 2: 일본특허공개 2001-85358호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-85358

특허문헌 3: 일본특허공개 2003-213436호 공보Patent Document 3: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-213436

특허문헌 4: 일본특허공개 2006-104045호 공보Patent Document 4: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-104045

따라서, 기재와의 밀착성이 우수하고, 또한 양호한 도전성을 갖는 패턴을 형성할 수 있는 도전성 패턴형성방법이 요구되고 있다. 또한, 상기 도전성 패턴형성방법에 사용할 수 있는 적층체가 요구되고 있다Therefore, there is a demand for a conductive pattern forming method capable of forming a pattern having excellent adhesion to a substrate and having good conductivity. Moreover, the laminated body which can be used for the said conductive pattern formation method is calculated | required.

본 발명자들은 검토의 결과, 그래프트 중합을 이용한 도전성 패턴 등의 제작에 있어서, 유리 기재 상에 라디칼 중합 개시 능력을 갖는 두께 0.1㎛이상의 중합개시층, 및 특정한 그래프트 폴리머 전구체를 갖는 층을 형성하고, 본 발명을 완성하였다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of examination, the present inventors formed the superposition | polymerization start layer of 0.1 micrometer or more in thickness which has radical polymerization initiation capability, and the layer which has a specific graft polymer precursor on the glass base material in preparation of electroconductive pattern etc. using graft polymerization, The invention was completed.

본 발명의 제 1 형태는 유리 기재, 라디칼 중합 개시 부위와 상기 유리 기재에 직접 화학 결합 가능한 부위를 갖는 폴리머가 상기 유리 기재에 화학 결합하여 형성된 두께 0.1㎛이상 100㎛이하의 중합 개시층, 및 분자내에 (메타)아크릴산 에스테르 및 (메타)아크릴산 아미드로부터 선택되는 구조로부터 유래하는 골격을 갖고, 또한 라디칼 중합 가능한 불포화 부위와 무전해 도금 촉매를 흡착하는 부위를 갖는 폴리머를 갖는 적층체를 제공한다.A first aspect of the present invention provides a glass substrate, a polymerization initiation layer having a thickness of 0.1 μm or more and 100 μm or less formed by chemically bonding a polymer having a radical polymerization initiation site and a site capable of directly chemically bonding to the glass substrate, and a molecule. Provided is a laminate having a polymer having a skeleton derived from a structure selected from a (meth) acrylic acid ester and a (meth) acrylic acid amide and having an unsaturated moiety capable of radical polymerization and a moiety for adsorbing an electroless plating catalyst.

이 결과, 기재와의 밀착성이 우수하고, 또한 양호한 도전성을 갖는 도전성 패턴의 형성에 사용할 수 있는 적층체를 얻을 수 있다. 또한, 상기 중합 개시층의 두께는 0.3∼50㎛인 것이 바람직하고, 0.5∼10㎛가 보다 바람직하다.As a result, the laminated body which can be used for formation of the electroconductive pattern which is excellent in adhesiveness with a base material and has favorable electroconductivity can be obtained. Moreover, it is preferable that it is 0.3-50 micrometers, and, as for the thickness of the said polymerization start layer, 0.5-10 micrometers is more preferable.

상기 라디칼 중합 가능한 불포화 부위는 (메타)아크릴로일메틸기로부터 선택되는 기인 것이 바람직하다. 여기서, (메타)아크릴로일메틸기란, 아크릴로일메틸기 또는 (메타)아크릴로일메틸기 또는 그들의 쌍방을 의미하는 것이다.It is preferable that the said radically polymerizable unsaturated site is group chosen from the (meth) acryloylmethyl group. Here, a (meth) acryloylmethyl group means an acryloylmethyl group, a (meth) acryloylmethyl group, or both.

또한, 상기 라디칼 중합 개시 부위와 상기 유리 기재에 직접 화학 결합 가능한 부위를 갖는 폴리머의 중량 평균 분자량은 특별하게 한정되지 않지만, 폴리머 용해성, 도포 적정의 관점으로부터, 1000∼1000000인 것이 바람직하고, 3000∼100000이 보다 바람직하고, 5000∼50000이 특히 바람직하다. 폴리머의 중량 평균 분자량을 1000∼1000000으로 함으로써, 용이하게 폴리머 용액을 조제할 수 있고, 도포면상도 양호하기 때문에 바람직하다.Moreover, the weight average molecular weight of the polymer which has the said radical polymerization start site | part and the site | part which can be directly chemically bonded to the said glass base material is not specifically limited, From a viewpoint of polymer solubility and application | coating titration, it is preferable that it is 1000-1 million, 3000- 100000 is more preferable, and 5000-50000 are especially preferable. By making the weight average molecular weight of a polymer into 1000-1 million, since a polymer solution can be easily prepared and an application surface is also favorable, it is preferable.

또한, 상기 유리 기재에 직접 화학결합 가능한 부위가 할로실릴기, 알콕시실릴기, 환상 에테르기 또는 이소시아네이트기인 것에 의해, 유리 기재와 상기 폴리머가 강고하게 화학 결합하기 때문에 바람직하다. 또한, 상기 유리 기재가 산화 규소를 주성분으로 하는 것이 바람직하다.Moreover, since the site | part which can be directly chemically bonded to the said glass base material is a halosilyl group, an alkoxy silyl group, a cyclic ether group, or an isocyanate group, since a glass base material and the said polymer are firmly chemically bonded, it is preferable. Moreover, it is preferable that the said glass base material has silicon oxide as a main component.

본 발명의 제 2 형태는 상기 적층체 상에 패턴상으로 에너지를 부여하고, 상기 적층체가 갖는 상기 중합 개시층에 있어서의 폴리머의 라디칼 중합 개시 부위에 라디칼을 생성시켜, 상기 라디칼을 기점으로 하여 그래프트 폴리머를 생성시키는 공정, 및 상기 생성한 그래프트 폴리머에 무전해 도금 촉매 또는 그 전구체를 흡착시킨 후, 무전해 도금을 행하여 도전성 막을 형성하는 공정을 포함하는 도전성 패턴형성방법을 제공한다.According to a second aspect of the present invention, energy is applied to the laminate in a pattern form, and a radical is generated at a radical polymerization initiation site of the polymer in the polymerization initiation layer included in the laminate, and the graft is started from the radical. A method of forming a polymer, and a step of adsorbing an electroless plating catalyst or a precursor thereof to the resultant graft polymer, followed by electroless plating to form a conductive film is provided.

또한, 상기 도전성 막을 형성하는 공정 후에, 전기 도금 처리 공정을 더 포함하는 것은 바람직한 형태이다.Moreover, it is a preferable aspect to further include an electroplating process process after the process of forming the said electroconductive film.

본 발명의 제 3 형태는 2의 형태에 의해 제공되는 도전성 패턴형성방법을 사용하여 형성된 도전성 패턴을 제공한다.A third aspect of the present invention provides a conductive pattern formed using the conductive pattern forming method provided by the second aspect.

본 발명의 제 4 형태는 제 3 형태에 의해 제공되는 도전성 패턴을 구비한 프린트 배선기판을 제공한다.A fourth aspect of the present invention provides a printed wiring board having a conductive pattern provided by the third aspect.

본 발명의 제 5 형태는 제 3 형태에 의해 제공되는 도전성 패턴을 구비한 박층 트랜지스터를 제공한다.A fifth aspect of the present invention provides a thin layer transistor having a conductive pattern provided by the third aspect.

본 발명의 제 6 형태는 제 4 형태에 의해 제공되는 프린트 배선기판을 구비한 장치를 제공한다.A sixth aspect of the present invention provides an apparatus with a printed wiring board provided by the fourth aspect.

본 발명의 제 7 형태는 제 5 형태에 의해 제공되는 박층 트랜지스터를 구비한 장치를 제공한다.A seventh aspect of the present invention provides an apparatus with a thin layer transistor provided by the fifth aspect.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면, 기재와의 밀착성이 우수하고, 또한 양호한 도전성을 갖는 패턴을 형성할 수 있는 도전성 패턴형성방법 및 그것에 의해 얻어진 도전성 패턴을 제공할 수 있다.According to this invention, the conductive pattern formation method which can form the pattern which is excellent in adhesiveness with a base material, and has favorable electroconductivity, and the conductive pattern obtained by it can be provided.

또한, 본 발명에 의하면, 상기 도전성 패턴형성방법에 사용할 수 있는 적층체를 제공할 수 있다.Moreover, according to this invention, the laminated body which can be used for the said conductive pattern formation method can be provided.

또한, 본 발명에 의하면, 기재와의 밀착성이 우수하고, 또한, 막두께가 양호한 도전성 막을 갖는 프린트 배선기판 또는 박층 트랜지스터, 및 프린트 배선기판 또는 박층 트랜지스터를 구비한 장치를 제공할 수 있다.Further, according to the present invention, a device having a printed wiring board or a thin layer transistor having a conductive film excellent in adhesion to the substrate and having a good film thickness, and a printed wiring board or a thin layer transistor can be provided.

도 1은 본 발명의 도전성 패턴형성방법에 있어서의 광개열 화합물 결합 공정으로부터 그래프트 폴리머 생성 공정의 개략을 나타내는 개념도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a conceptual diagram which shows the outline of the graft polymer formation process from the photo cleavage compound bonding process in the conductive pattern formation method of this invention.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.

본 발명의 적층체는 유리 기재; 라디칼 중합 개시 부위와 상기 유리 기재에 직접 화학결합 가능한 부위를 갖는 폴리머가 상기 유리 기재에 화학결합해서 형성된 두께 0.1㎛이상 100㎛이하의 중합 개시층; 분자내에 (메타)아크릴산 에스테르 및 (메타)아크릴산 아미드로부터 선택되는 구조로부터 유래하는 골격을 갖고, 또한 라디칼 중합 가능한 불포화 부위와 무전해 도금 촉매를 흡착하는 부위를 갖는 폴리머를 함유하는 그래프트 폴리머 전구체층;을 갖는다.The laminate of the present invention comprises a glass substrate; A polymerization initiating layer having a thickness of 0.1 µm or more and 100 µm or less formed by chemically bonding a polymer having a radical polymerization initiation site and a site directly chemically bondable to the glass substrate; A graft polymer precursor layer containing a polymer having a skeleton derived from a structure selected from a (meth) acrylic acid ester and a (meth) acrylic acid amide in the molecule and having a site capable of adsorbing an unsaturated site capable of radical polymerization and an electroless plating catalyst; Has

상기 구성을 갖는 본 발명의 적층체는 기재와의 밀착성이 우수하고, 또한 양호한 도전성 패턴이 형성 가능한 도전성 패턴형성방법에 사용할 수 있다.The laminated body of this invention which has the said structure can be used for the conductive pattern formation method which is excellent in adhesiveness with a base material, and can form a favorable conductive pattern.

본 발명에 있어서의「도전성 패턴」에 대해서는, 원자간 현미경(AFM)이나 전자 현미경(SEM)으로 관찰함으로써 확인할 수 있다.About the "conductive pattern" in this invention, it can confirm by observing with an atomic microscope (AFM) or an electron microscope (SEM).

1. 적층체1. Laminate

(중합 개시층)(Polymerization start layer)

본 발명에 있어서의 중합 개시층은 라디칼 중합 개시 부위와 유리 기재에 직 접 화학 결합 가능한 부위를 갖는 폴리머가 유리 기재에 화학 결합해서 형성되는 두께 0.1㎛이상 100㎛이하의 층이다.The polymerization initiation layer in the present invention is a layer having a thickness of 0.1 µm or more and 100 µm or less, in which a polymer having a radical polymerization initiation site and a site capable of chemically bonding to the glass substrate is chemically bonded to the glass substrate.

라디칼 중합 개시 부위를 갖고, 또한, 유리 기재와 직접 화학결합 가능한 부위를 갖는 폴리머가 유리 기재에 화학 결합함으로써, 기재와 중합 개시층의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 형성된 중합 개시층의 두께를 0.1㎛이상 100㎛이하로 함으로써, 유리 기판에 내알칼리성을 부여할 수 있다.The adhesiveness of a base material and a polymerization start layer can be improved by polymerizing a polymer which has a radical polymerization start site and has a site | part which can be directly chemically bonded with a glass base material to a glass base material. Moreover, alkali resistance can be provided to a glass substrate by making thickness of the formed polymerization start layer into 0.1 micrometer or more and 100 micrometers or less.

중합 개시층의 두께는 0.1㎛이상 100㎛이하로 할 필요가 있다. 유리 기판 표면으로의 알칼리의 접근을 막는 점에서 0.3㎛이상 50㎛이하가 바람직하고, 0.5㎛이상 10㎛이하가 보다 바람직하다. 중합 개시층의 두께를 0.3㎛이상 50㎛이하의 범위 로 함으로써 내알칼리성의 효과가 증대하는 경향이 된다. 이러한 두께를 갖는 중합 개시층은 후술하는 폴리머를 사용함으로써, 리지드한 층이 된다.It is necessary to make the thickness of a polymerization start layer into 0.1 micrometer or more and 100 micrometers or less. 0.3 micrometer or more and 50 micrometers or less are preferable, and 0.5 micrometer or more and 10 micrometers or less are more preferable at the point which prevents alkali access to the glass substrate surface. By setting the thickness of the polymerization start layer in a range of 0.3 µm or more and 50 µm or less, the alkali resistance effect tends to increase. The polymerization start layer having such a thickness becomes a rigid layer by using a polymer described later.

다음에 중합 개시층의 구성 성분에 관하여 설명한다.Next, the structural component of a polymerization start layer is demonstrated.

(라디칼 중합 개시 부위와 유리 기재에 직접 화학 결합 가능한 부위를 갖는 폴리머)(Polymer having a radical polymerization initiation site and a site directly chemically bondable to the glass substrate)

중합 개시층을 형성하는 폴리머는 라디칼 중합 개시 부위와 유리 기재에 직접 화학 결합 가능한 부위를 갖는 폴리머이다. 상기 폴리머로서는 유리 기재에 직접 화학 결합 가능한 부위(이하, 단지, 기재 결합 부위라고도 한다.) 및 광개열(光開裂)에 의해 라디칼 중합 개시할 수 있는 중합 개시 부위(이하, 단지, 중합 개시 부위라고도 한다.)를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.The polymer forming the polymerization initiation layer is a polymer having a radical polymerization initiation site and a site directly chemically bondable to the glass substrate. As said polymer, the site | part which can be chemically couple | bonded with a glass base material directly (henceforth only a base bond site | part), and the polymerization start site | part which can start radical polymerization by photo cleavage (hereafter, only a polymerization start site | part) It is preferable that it is a compound having a).

이하, 광개열에 의해 라디칼 중합을 개시할 수 있는 중합 개시 부위(중합 개 시 부위(Y))와 유리 기재에 직접 화학 결합 가능한 부위(기재 결합 부위(Q))를 갖는 폴리머의 구조에 대해서 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the structure of the polymer which has a polymerization start site | part (polymerization start site | part (Y)) which can start radical polymerization by photo cleavage, and the site | part (base material bond site | part (Q)) which can be directly chemically bonded to a glass base material Explain.

이 폴리머에 대해서, 도 1의 개념도에 있어서의 기재 결합 부위(Q)와 중합 개시 부위(Y)를 갖는 화합물(Q-Y)의 모델을 사용하여 상세하게 설명한다.This polymer is demonstrated in detail using the model of the compound (Q-Y) which has a base material binding site (Q) and polymerization start site (Y) in the conceptual diagram of FIG.

중합 개시 부위(Y)는 광에 의해 개열할 수 있는 단일 결합을 포함하는 구조다. 광에 의해 개열하는 단일 결합으로서는 카르보닐의 α개열, β개열 반응, 광 프리 전위 반응, 페나실에스테르의 개열 반응, 술폰이미드 개열 반응, 술포닐에스테르 개열 반응, N-히드록시술포닐에스테르 개열 반응, 벤질이미드 개열 반응, 활성 할로겐 화합물의 개열 반응 등을 이용해서 개열이 가능한 단일 결합이 열거된다. 이들의 반응에 의해, 광에 의해 개열할 수 있는 단일 결합이 절단된다. 이 개열할 수 있는 단일 결합으로서는 C-C결합, C-N결합, C-O결합, C-Cl결합, N-O결합,및 S-N결합 등이 열거된다.The polymerization initiation site (Y) is a structure containing a single bond that can be cleaved by light. Examples of single bonds cleaved by light include α cleavage of carbonyl, β cleavage reaction, light free potential reaction, cleavage of phenacyl ester, sulfonimide cleavage reaction, sulfonyl ester cleavage reaction, and N-hydroxysulfonyl ester cleavage. The single bond which can be cleaved using reaction, a benzylimide cleavage reaction, cleavage reaction of an active halogen compound, etc. is mentioned. By these reactions, single bonds cleavable by light are cleaved. Examples of the cleavable single bond include C-C bonds, C-N bonds, C-O bonds, C-Cl bonds, N-O bonds, and S-N bonds.

광에 의해 개열할 수 있는 단일 결합을 포함하는 중합 개시 부위(Y)는 그래프트 폴리머 생성 공정에 있어서의 그래프트 중합의 기점이 되기 때문에, 광에 의해 개열할 수 있는 단일 결합이 개열하면, 그 개열 반응에 의해 라디칼을 발생시키는 기능을 갖는다.Since the polymerization initiation site (Y) containing the single bond which can be cleaved by light becomes the starting point of the graft polymerization in the graft polymer production step, when the single bond cleavable by light cleaves, the cleavage reaction Has the function of generating radicals.

이와 같이, 광에 의해 개열할 수 있는 단일 결합을 갖고, 또한 라디칼을 발생가능한 중합 개시 부위(Y)의 구조로서는, 방향족 케톤기, 페나실에스테르기, 술폰이미드기, 술포닐에스테르기, N-히드록시술포닐에스테르기, 벤질이미드기, 트리클로로메틸기, 벤질클로라이드기 등의 기를 포함하는 구조가 열거된다.Thus, as a structure of the polymerization start site (Y) which has a single bond which can be cleaved by light, and can generate | occur | produce a radical, Aromatic ketone group, a phenacyl ester group, a sulfonimide group, a sulfonyl ester group, N The structure containing groups, such as a hydroxy sulfonyl ester group, a benzyl imide group, a trichloromethyl group, a benzyl chloride group, is mentioned.

중합 개시 부위(Y)는 노광에 의해 개열해서 라디칼을 발생시키기 때문에, 그 라디칼 주변에 중합가능한 화합물이 존재할 경우에는, 이 라디칼이 그래프트 중합 반응의 기점으로서 기능하고, 소망의 그래프트 폴리머를 생성할 수 있다(그래프트 폴리머 생성 영역).Since the polymerization initiation site (Y) is cleaved by exposure to generate radicals, when a compound capable of polymerization is present around the radicals, these radicals function as a starting point for the graft polymerization reaction and can produce a desired graft polymer. (Graft polymer production region).

한편, 중합 개시 부위(Y)가 노광되지 않은 영역에 있어서는 중합 개시 부위(Y)의 개열이 일어나지 않고, 해당 영역에는 그래프트 폴리머는 생성되지 않는다 (그래프트 폴리머 비생성 영역).On the other hand, in the area | region which the polymerization start site | part Y is not exposed, cleavage of a polymerization start site | part Y does not occur, and a graft polymer is not produced | generated in this area | region (graft polymer non-production area | region).

한편, 기재 결합 부위(Q)는 유리 기재 표면에 존재하는 관능기(Z)와 반응해서 결합할 수 있는 반응성기로 구성된다. 상기 반응성기로서는 할로실릴기(바람직하게는 트리클로로실릴기, 디클로로알킬실릴기, 클로로디알킬실릴기, 보다 바람직하게는 트리클로로실릴기, 디클로로알킬실릴기이다.), 알콕시실릴기(바람직하게는 탄소수 1∼2개의 알콕시실릴기이다.), 환상 에테르기(바람직하게는 탄소수 2∼6개 및 산소수 1∼2개, 보다 바람직하게는 탄소수 2∼3개 및 산소수 1개의 환상 에테르기다.), 또는 이소시아네이트기가 열거된다.On the other hand, the substrate binding site (Q) is composed of a reactive group capable of reacting with and reacting with the functional group (Z) present on the glass substrate surface. Examples of the reactive group include a halosilyl group (preferably trichlorosilyl group, dichloroalkylsilyl group, chlorodialkylsilyl group, more preferably trichlorosilyl group and dichloroalkylsilyl group), and alkoxysilyl group (preferably Is an alkoxysilyl group having 1 to 2 carbon atoms), a cyclic ether group (preferably a cyclic ether group having 2 to 6 carbon atoms and 1 to 2 oxygen atoms, more preferably 2 to 3 carbon atoms and 1 oxygen atom). .) Or an isocyanate group.

상기 실릴기에 치환하는 알킬기로서는 탄소수 1∼2개의 알킬기가 바람직하다.As an alkyl group substituted by the said silyl group, a C1-C2 alkyl group is preferable.

기재 결합 부위(Q)로서 구체적으로는 이하에 나타나 있는 바와 같은 기가 열거되지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.Although the group as specifically shown below is enumerated as base material binding site (Q), It is not limited to this.

중합 개시 부위(Y)와 기재 결합 부위(Q)는 직접 결합하고 있어도 좋고, 연결 기를 통하여 결합하고 있어도 좋다. 이 연결기로서는 탄소, 질소, 산소 및 황으로이루어지는 군에서 선택되는 원자를 포함하는 연결기가 열거되고, 구체적으로는 예를 들면, 포화 탄소기, 방향족기, 에스테르기, 아미드기, 우레이도기, 에테르기, 아미노기, 술폰아미드기 등이 열거된다. 또한, 이 연결기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋고, 그 도입 가능한 치환기로서는 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등이 열거된다.The polymerization initiation site (Y) and the substrate binding site (Q) may be bonded directly or may be bonded via a linking group. Examples of the linking group include a linking group containing an atom selected from the group consisting of carbon, nitrogen, oxygen, and sulfur, and specific examples thereof include a saturated carbon group, an aromatic group, an ester group, an amide group, a ureido group, and an ether group. , Amino groups, sulfonamide groups and the like. In addition, the linking group may further have a substituent, and examples of the substituent which can be introduced include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom and the like.

기재 결합 부위(Q)와 중합 개시 부위(Y)를 갖는 화합물(Q-Y)의 구체예[예시 화합물 T1∼예시 화합물 T10]를 개열부와 함께 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들에 제한되는 것은 아니다.Although the specific example [Example compound T1-Example compound T10] of the compound (QY) which has a base material binding site (Q) and a polymerization start site (Y) is shown below with a cleavage part, this invention is not limited to these. .

중합 개시층은 폴리머의 화학 결합 가능한 부위를 통하여 유리 기재 상에 결합시켜서 이루어지는 층이다. 즉, 도 1에 나타나 있는 바와 같이, 중합 개시층은 화합물(Q-Y)을 유리 기재 표면에 존재하는 관능기(Z)에 결합시킴으로써 형성할 수 있다. 화합물(Q-Y)을 유리 기재 표면에 존재하는 관능기(Z)에 결합시키는 방법으로 서는 예시 화합물(Q-Y)을 톨루엔, 헥산, 아세톤 등의 적절한 용매에 용해 또는 분산시키고, 그 용액 또는 분산액을 기재 표면에 도포하는 방법 또는 용액 또는 분산액중에 기재를 침지시키는 방법 등을 적용하면 좋다.The polymerization initiation layer is a layer formed by bonding onto a glass substrate through a chemically bondable portion of the polymer. That is, as shown in FIG. 1, a polymerization start layer can be formed by bonding a compound (Q-Y) to the functional group (Z) which exists in the glass base surface. As a method of bonding the compound (QY) to the functional group (Z) present on the surface of the glass substrate, the exemplary compound (QY) is dissolved or dispersed in a suitable solvent such as toluene, hexane, acetone, and the solution or dispersion is dispersed on the surface of the substrate. What is necessary is just to apply the method of apply | coating or the method of immersing a base material in a solution or a dispersion liquid.

이 때, 용액 중 또는 분산액 중의 화합물(Q-Y)의 농도로서는 0.01질량%∼30질량%가 바람직하고, 0.1질량%∼15질량%인 것이 특히 바람직하다. 용액 또는 분산액을 유리 기재에 접촉시킬 경우의 액온으로서는 0℃∼100℃가 바람직하다. 접촉 시간으로서는 1초∼50시간이 바람직하고, 10초∼10시간이 보다 바람직하다.At this time, the concentration of the compound (Q-Y) in the solution or in the dispersion is preferably from 0.01% by mass to 30% by mass, particularly preferably from 0.1% by mass to 15% by mass. As a liquid temperature at the time of making a solution or a dispersion liquid contact a glass base material, 0 degreeC-100 degreeC is preferable. As contact time, 1 second-50 hours are preferable, and 10 second-10 hours are more preferable.

중합 개시층을 형성하는 폴리머는 후술의 실시예에 기재된 방법을 사용하여 합성할 수 있다.The polymer which forms a polymerization start layer can be synthesize | combined using the method as described in the Example mentioned later.

(그래프트 폴리머 전구체층)(Graft polymer precursor layer)

그래프트 폴리머 전구체층은 분자내에 (메타)아크릴산 에스테르 및 (메타)아크릴산 아미드에서 선택되는 구조로부터 유래하는 골격을 갖고, 또한 라디칼 중합 가능한 불포화 부위와 무전해 도금 촉매를 흡착하는 부위를 갖는 폴리머(이하, 단지,「그래프트 폴리머 전구체」라고도 한다.)를 함유한다.The graft polymer precursor layer has a polymer derived from a structure selected from (meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid amide in the molecule, and also has a polymer having an unsaturated site capable of radical polymerization and a site for adsorbing an electroless plating catalyst (hereinafter, It is also referred to as "graft polymer precursor."

여기서,「(메타)아크릴산 에스테르 및 (메타)아크릴산 아미드」란, 아크릴산 에스테르, 메타아크릴산 에스테르, 아크릴산 아미드 및 메타크릴산 아미드를 의미한다.Here, "(meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid amide" means acrylic acid ester, methacrylic acid ester, acrylic acid amide, and methacrylic acid amide.

또한, 「(메타)아크릴산 에스테르 및 (메타)아크릴산 아미드에서 선택되는 구조로부터 유래하는 골격」이란, 하기 구조식(A)∼(D)으로 나타내어지는 골격에서 선택되는 것을 의미한다. 이하, 단지「골격」이라고 칭할 경우가 있다.In addition, "skeleton derived from the structure chosen from (meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid amide" means what is chosen from the skeleton represented by the following structural formula (A)-(D). Hereinafter, only "skeleton" may be called.

구조식(A)∼ (D)중「＊」은 그래프트 폴리머 전구체에 있어서, 상기 구조식으로 나타내어지는 골격과 그것에 인접하는 원자의 연결 부위를 나타낸다."*" In structural formula (A)-(D) shows the connection site | part of the frame | skeleton represented by the said structural formula in the graft polymer precursor, and the atom adjacent to it.

상기 라디칼 중합 가능한 불포화 부위로서는 중합성 불포화기(라디칼 중합성 기)가 열거되고, 라디칼 중합성의 관점으로부터 (메타)아크릴로일메틸기가 바람직하다.As an unsaturated site which can be radically polymerized, a polymerizable unsaturated group (radical polymerizable group) is mentioned, A (meth) acryloylmethyl group is preferable from a radical polymerizable viewpoint.

또한, 상기 무전해 도금 촉매를 흡착하는 부위로서는 극성기가 열거되고, 상기 극성기는 무전해 도금 촉매의 흡착성(부착성)의 관점으로부터, 친수성기인 것이 바람직하다. 친수성기로서는 예를 들면, 카르복실기, 술폰산기, 인산기, 아미노기, 수산기, 아미드기 및 에테르기 등이 열거된다.Moreover, a polar group is mentioned as a site | part which adsorb | sucks the said electroless plating catalyst, and it is preferable that the said polar group is a hydrophilic group from a viewpoint of the adsorption property (adhesiveness) of an electroless plating catalyst. As a hydrophilic group, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, an amino group, a hydroxyl group, an amide group, an ether group, etc. are mentioned, for example.

본 발명에 있어서의 그래프트 폴리머 전구체로서는 상기 골격을 갖고, 또한, 분자내에 라디칼 중합 가능한 불포화 부위와 무전해 도금 촉매를 흡착하는 부위를 갖는 폴리머이면, 특별하게 한정되지 않는다. 그 중에서도 무전해 도금 촉매를 흡착하는 부위로서는 극성기인 친수성기가 바람직하기 때문에 그래프트 폴리머 전구체로서는 중합성 불포화기를 갖는 친수성 폴리머, 친수성 매크로머 등이며, 또한, 상기 골격을 갖는 것이 바람직하다.It will not specifically limit, if it is a polymer which has the said frame | skeleton, and has a site | part which adsorb | sucks an unsaturated site which can be radically polymerized in a molecule | numerator, and an electroless plating catalyst in a molecule | numerator in this invention. Especially, since the hydrophilic group which is a polar group is preferable as a site | part which adsorb | sucks an electroless-plating catalyst, as a graft polymer precursor, it is a hydrophilic polymer which has a polymerizable unsaturated group, a hydrophilic macromer, etc., and what has the said frame | skeleton is preferable.

이하, 중합성 불포화기를 갖는 친수성 폴리머 및 친수성 매크로머의 합성에 관하여 설명한다.Hereinafter, the synthesis of a hydrophilic polymer having a polymerizable unsaturated group and a hydrophilic macromer will be described.

-중합성 불포화기를 갖는 친수성 폴리머-Hydrophilic polymer having a polymerizable unsaturated group

중합성 불포화기를 갖는 친수성 폴리머란, 분자내에 비닐기, 알릴기, (메타) 아크릴로일기 등의 에틸렌 부가 중합성 불포화기가 도입된 라디칼 중합성기 함유 친수성 폴리머를 나타낸다. 이 라디칼 중합성기 함유 친수성 폴리머는 중합성기를 주쇄 말단 또는 측쇄에 갖는 것이 바람직하고, 그 쌍방에 중합성기를 갖는 것이 보다 바람직하다.The hydrophilic polymer having a polymerizable unsaturated group refers to a radical polymerizable group-containing hydrophilic polymer in which ethylene addition polymerizable unsaturated groups such as vinyl group, allyl group, and (meth) acryloyl group are introduced into a molecule. It is preferable that this radically polymerizable group containing hydrophilic polymer has a polymeric group in a principal chain terminal or a side chain, and it is more preferable to have a polymeric group in both.

이러한 라디칼 중합성기 함유 친수성 폴리머는 아래와 같이해서 합성할 수 있다.Such radically polymerizable group-containing hydrophilic polymer can be synthesized as follows.

합성 방법으로서는 (a)친수성 모노머와 에틸렌 부가 중합성 불포화기를 갖는 모노머를 공중합시키는 방법, (b)친수성 모노머와 이중 결합 전구체를 갖는 모노머를 공중합시키고, 이어서 염기 등의 처리에 의해 이중 결합을 도입하는 방법, (c)친수성 폴리머의 관능기와 에틸렌 부가 중합성 불포화기를 갖는 모노머를 반응시키는 방법이 열거된다. 이들 중에서도, 특히 바람직한 것은 합성 적성의 관점으로부터 (c)친수성 폴리머의 관능기와 에틸렌 부가 중합성 불포화기를 갖는 모노머를 반응시키는 방법이다.As the synthesis method, (a) a method of copolymerizing a hydrophilic monomer and a monomer having an ethylene addition polymerizable unsaturated group, (b) a copolymer having a hydrophilic monomer and a monomer having a double bond precursor, followed by introducing a double bond by treatment with a base or the like. The method and (c) the method of making the functional group of a hydrophilic polymer and the monomer which has an ethylene addition polymerizable unsaturated group react are mentioned. Among these, especially preferred is a method of reacting a monomer having a functional group of the (c) hydrophilic polymer with a ethylene addition polymerizable unsaturated group from the viewpoint of synthetic aptitude.

상기 (a)나 (b)의 방법에 있어서, 라디칼 중합성기 함유 친수성 폴리머의 합성에 사용되는 친수성 모노머로서는 (메타)아크릴산 또는 그 알칼리 금속염 및 아민염, 이타콘산 또는 그 알칼리 금속염 및 아민염, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레 이트, (메타)아크릴아미드, N-모노메틸올(메타)아크릴아미드, N-디메틸올(메타)아크릴아미드, 알릴아민 또는 그 할로겐화 수소산염, 3-비닐프로피온산 또는 그 알칼리 금속염 및 아민염, 비닐술폰산 또는 그 알칼리 금속염 및 아민염, 2-술포에틸 (메타)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 2-아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, 액시드포스포옥시폴리옥시에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트 등의 카르복실기, 술폰산기, 인산기, 아미노기 또는 그들의 염, 수산기, 아미드기 및 에테르기 등의 친수성기를 갖는 모노머가 열거된다.In the method of (a) or (b), examples of the hydrophilic monomer used for the synthesis of the radical polymerizable group-containing hydrophilic polymer include (meth) acrylic acid or its alkali metal salt and amine salt, itaconic acid or its alkali metal salt and amine salt, 2 -Hydroxyethyl (meth) acrylate, (meth) acrylamide, N-monomethylol (meth) acrylamide, N-dimethylol (meth) acrylamide, allylamine or its halogenated hydrochloride, 3-vinylpropionic acid Or alkali metal salts and amine salts thereof, vinylsulfonic acid or alkali metal salts and amine salts thereof, 2-sulfoethyl (meth) acrylate, polyoxyethylene glycol mono (meth) acrylate, 2-acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, Parents, such as carboxyl groups, such as acid phosphooxy polyoxyethylene glycol mono (meth) acrylate, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, an amino group, or their salts, a hydroxyl group, an amide group, and an ether group A monomer having a group are exemplified.

또한, (c)의 방법으로 사용되는 친수성 폴리머로서는 이들의 친수성 모노머로부터 선택되는 적어도 1종을 이용하여 얻어지는 친수성 호모폴리머 또는 코폴리머가 사용된다.In addition, as a hydrophilic polymer used by the method of (c), the hydrophilic homopolymer or copolymer obtained using at least 1 sort (s) chosen from these hydrophilic monomers is used.

(a)의 방법으로 라디칼 중합성기 함유 친수성 폴리머를 합성할 때, 친수성 모노머와 공중합하는 에틸렌 부가 중합성 불포화기를 갖는 모노머로서는 예를 들면 알릴기 함유 모노머가 있고, 구체적으로는 알릴(메타)아크릴레이트, 2-알릴옥시에틸메타크릴레이트가 열거된다.When synthesize | combining a radically polymerizable group containing hydrophilic polymer by the method of (a), as a monomer which has an ethylene addition polymerizable unsaturated group copolymerized with a hydrophilic monomer, there exists an allyl-group containing monomer, for example, allyl (meth) acrylate specifically, And 2-allyloxyethyl methacrylate are listed.

또한, (b)의 방법으로 라디칼 중합성기 함유 친수성 폴리머를 합성할 때, 친수성 모노머와 공중합하는 2중 결합 전구체를 갖는 모노머로서는 2-(3-클로로-1-옥소프로폭시)에틸메타크릴레이트가 열거된다.In addition, when synthesize | combining a radically polymerizable group containing hydrophilic polymer by the method of (b), as a monomer which has a double bond precursor copolymerizing with a hydrophilic monomer, 2- (3-chloro-1- oxopropoxy) ethyl methacrylate is mentioned. Listed.

또한, (c)의 방법으로 라디칼 중합성기 함유 친수성 폴리머를 합성할 때, 친수성 폴리머 중의 카르복실기, 아미노기 또는 그들의 염과 수산기 및 에폭시기 등의 관능기의 반응을 이용해서 불포화기를 도입하는 것이 바람직하다. 이 때문에 사 용되는 부가 중합성 불포화기를 갖는 모노머로서는 (메타)아크릴산, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 2-이소시아나토에틸(메타)아크릴레이트 등이 열거된다.Moreover, when synthesize | combining a radically polymerizable group containing hydrophilic polymer by the method of (c), it is preferable to introduce an unsaturated group using reaction of carboxyl group, an amino group, or their salt, and functional groups, such as a hydroxyl group and an epoxy group, in a hydrophilic polymer. For this reason, (meth) acrylic acid, glycidyl (meth) acrylate, allyl glycidyl ether, 2-isocyanatoethyl (meth) acrylate, etc. are mentioned as a monomer which has an addition polymeric unsaturated group used.

-친수성 매크로 모노머-Hydrophilic Macro Monomer

본 발명에 있어서 사용할 수 있는 매크로 모노머의 제조 방법은 예를 들면 1989년 9월 20일에 아이피시 출판국 발행의 「매크로 모노머의 화학과 공업」(편집자 야마시타 유우지)의 제2장 「매크로 모노머의 합성」에 각종의 제법이 제안되어 있다.The method for producing a macromonomer that can be used in the present invention is, for example, Chapter 2, "Synthesis of Macromonomers," Chapter 2 of the Chemical and Industry of Macromonomers (editor Yamashita Yuji), published on September 20, 1989. Various manufacturing methods have been proposed.

본 발명에서 사용할 수 있는 친수성 매크로 모노머로 특히 유용한 것으로서는 아크릴산, 메타크릴산 등의 카르복실기 함유의 모노머로부터 유도되는 매크로 모노머, 2-아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, 비닐스티렌술폰산 및 그 염의 모노머로부터 유도되는 술폰산계 매크로 모노머, (메타)아크릴아미드, N-비닐아세트아미드, N-비닐포름아미드, N-비닐카르복실산 아미드모노머로부터 유도되는 아미드계 매크로 모노머, 히드록시에틸메타크릴레이트, 히드록시에틸아크릴레이트, 글리세롤모노메타크릴레이트 등의 수산기 함유 모노머로부터 유도되는 매크로 모노머, 메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트 등의 알콕시기 또는 에틸렌옥시드기 함유 모노머로부터 유도되는 매크로 모노머이다. 또한, 폴리에틸렌글리콜쇄 또는 폴리프로필렌글리콜쇄를 갖는 모노머도 본 발명의 매크로 모노머로서 유용하게 사용할 수 있다.Particularly useful as the hydrophilic macromonomer that can be used in the present invention include macromonomers derived from carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid and methacrylic acid, monomers of 2-acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, vinylstyrenesulfonic acid and salts thereof. Sulfonic acid-based macromonomer derived, (meth) acrylamide, N-vinylacetamide, N-vinylformamide, amide-based macromonomer derived from N-vinylcarboxylic acid amide monomer, hydroxyethyl methacrylate, hydroxy Macro monomers derived from hydroxyl group-containing monomers such as ethyl acrylate and glycerol monomethacrylate, derived from alkoxy groups or ethylene oxide group-containing monomers such as methoxyethyl acrylate, methoxy polyethylene glycol acrylate and polyethylene glycol acrylate It is a macromonomer. Moreover, the monomer which has a polyethyleneglycol chain | strand or a polypropylene glycol chain can also be usefully used as a macromonomer of this invention.

이들 친수성 매크로 모노머 중 유용한 것의 분자량은 250∼10만의 범위이고, 특히 바람직한 범위는 400∼3만이다.The molecular weight of useful among these hydrophilic macromonomers is in the range of 250 to 100,000, and particularly preferably in the range of 400 to 30,000.

본 발명에 있어서의 그래프트 폴리머 전구체는 구체적으로는 상기 중합성 불포화기를 갖는 친수성 폴리머 및 친수성 매크로머를 사용하여, 후술의 실시예의 기재된 방법으로 합성할 수 있다.The graft polymer precursor in this invention can be synthesize | combined by the method as described in the below-mentioned Example specifically, using the hydrophilic polymer and hydrophilic macromer which have the said polymerizable unsaturated group.

그래프트 폴리머 전구체층을 중합 개시층 상에 형성하는 방법으로서는 그래프트 폴리머 전구체가 용해된 용액 또는 분산된 분산액을 도포하는 방법, 그 용액또는 분산액에 중합 개시층을 형성한 기재를 침지하는 방법 등이 있다.As a method of forming a graft polymer precursor layer on a polymerization start layer, the method of apply | coating the solution in which the graft polymer precursor melt | dissolved, or the dispersed dispersion liquid, the method of immersing the base material which provided the polymerization start layer in this solution or dispersion liquid, etc. are mentioned.

이 때, 용액 중 또는 분산액의 그래프트 폴리머 전구체의 농도로서는 0.1질량%∼50질량%가 바람직하고, 특히 1질량%∼10질량%인 것이 바람직하다.At this time, as a density | concentration of the graft polymer precursor of a solution or a dispersion liquid, 0.1 mass%-50 mass% are preferable, and it is especially preferable that they are 1 mass%-10 mass%.

그래프트 폴리머 전구체의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the specific example of a graft polymer precursor is shown below, this invention is not limited to these.

-용매--menstruum-

상술의 그래프트 폴리머 전구체를 용해, 분산시키기 위한 용매로서는 상기 화합물이나 필요에 따라서 첨가되는 첨가제가 용해가능하면, 특별히 제한은 없다.There is no restriction | limiting in particular as a solvent for melt | dissolving and disperse | distributing the above-mentioned graft polymer precursor as long as the said compound and the additive added as needed can melt | dissolve.

예를 들면, 그래프트 폴리머 전구체로서 친수성의 화합물이 적용되는 경우이면, 물, 수용성 용제 등의 수성 용제가 바람직하고, 이들의 혼합물이나 용제에 계면활성제를 더 첨가한 것 등이 바람직하다. 수용성 용제는 물로 임의의 비율로 혼 화할 수 있는 용제를 말하고, 그러한 수용성 용제로서는 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 에틸렌글리콜, 글리세린 과 같은 알콜계 용제, 아세트산과 같은 산, 아세톤과 같은 케톤계 용제, 포름아미드와 같은 아미드계 용제 등이 열거된다.For example, when a hydrophilic compound is applied as a graft polymer precursor, aqueous solvents, such as water and a water-soluble solvent, are preferable, and what added surfactant further to these mixtures and a solvent is preferable. A water-soluble solvent refers to a solvent that can be mixed with water in an arbitrary ratio. Examples of such water-soluble solvents include alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol and glycerin, acids such as acetic acid, and ketones such as acetone. Solvents, amide solvents such as formamide, and the like.

그래프트 폴리머 전구체층의 두께로서는 특별하게 한정되지 않지만, 도금 촉매의 금속 흡착의 관점으로부터 0.3㎛∼5㎛가 바람직하고, 0.5㎛∼2㎛가 보다 바람직하다.Although it does not specifically limit as thickness of a graft polymer precursor layer, 0.3 micrometer-5 micrometers are preferable from a viewpoint of metal adsorption of a plating catalyst, and 0.5 micrometer-2 micrometers are more preferable.

상기 그래프트 폴리머 전구체층의 두께를 0.3㎛∼5㎛의 범위로 함으로써 도금 촉매의 금속의 흡착량이 증가의 경향이 되어 바람직하다.By setting the thickness of the graft polymer precursor layer in the range of 0.3 µm to 5 µm, the adsorption amount of the metal of the plating catalyst tends to increase, which is preferable.

(유리 기재)(Glass material)

본 발명에 있어서 사용되는 유리 기재로서는 특별히 제한은 없고, 기재 표면에 수산기, 카르복실기, 아미노기 등의 관능기(Z)를 갖는 유리 기재 등을 적용할 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as a glass base material used in this invention, The glass base material etc. which have functional groups (Z), such as a hydroxyl group, a carboxyl group, and an amino group, can be applied to a base material surface.

상기 유리 기재의 성분으로서는 특별히 제한은 없지만, 화학적 수식이 용이하다고 하는 관점으로부터 산화 규소를 주성분으로 하는 것이 바람직하다.Although there is no restriction | limiting in particular as a component of the said glass base material, It is preferable to have silicon oxide as a main component from a viewpoint that chemical modification is easy.

화학적 수식에는 실란 커플링제(편말단에 알콕시실릴기 또는 할로실릴기를 갖고, 다른 쪽의 말단에 특정한 관능기를 갖는 화합물)를 사용하는 것이 공정이 간이하고, 또한 표면의 피복이 효과적이어서 바람직하다. 이 때, 특정한 관능기로서 바람직한 것이 아미노기, 수산기, 메르캅토기, 카르복실기, 에폭시기, 이소시아네이트기이고, 이 중에서도 라디칼 중합 개시제의 반응성이 높은 아미노기, 카르복실기, 이소시아네이트기가 바람직하다.It is preferable to use a silane coupling agent (a compound having an alkoxysilyl group or a halosilyl group at one end and a specific functional group at the other end) for chemical modification because the process is simple and the surface coating is effective. At this time, preferable specific functional groups are amino group, hydroxyl group, mercapto group, carboxyl group, epoxy group, and isocyanate group, and among these, amino group, carboxyl group, and isocyanate group having high reactivity of the radical polymerization initiator are preferable.

상기 실란 커플링제의 구체예로서는 상기 구성을 갖는 것이면, 특별하게 한정되지 않고, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 4-아미노부틸트리에톡시실란, 11-아미노운데실트리에톡시실란, 3-아미노프로필메틸디에톡시실란, 3-아미노프로필디메틸에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, (3-트리메톡시실릴프로필)디에틸렌트리아민, 3-메르캅토프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 11-메르캅토운데실트리메톡시실란, 메르캅토메틸메틸디에톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-이소시아나토프로필트리에톡시실란, 3-이소시아나토프로필트리메톡시실란, (이소시아네이트메틸)메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, (3-글리시딜프로필)트리에톡시실란, (3-글리시딜프로필)트리메톡시실란, 5,6-에폭시헥실트리에톡시실란, (3-글리시딜프로필)메틸디에톡시실란, (3-글리시딜프로필)메틸디메톡시실란, (3-글리시딜프로필)디메틸에톡시실란, N-(트리메톡시실릴프로필)에틸렌디아민 삼아세트산 나트륨, 3-(트리에톡시실릴)프로필숙신산무수물 등이 열거되고, 라디칼 중합 개시제와의 반응성이 높은 관점으로부터, 3-아미노프로필트리에톡시시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 4-아미노부틸트리에톡시실란, 3-아미노프로필디메틸에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-이소시아나토프로필트리에톡시실란, 3-이소시아나토프로필트리메톡시실란, 3-(트리에톡시실릴)프로필숙신산 무수물이 바람직하다.As a specific example of the said silane coupling agent, if it has the said structure, it will not specifically limit, 3-aminopropyl triethoxysilane, 3-aminopropyl trimethoxysilane, 4-aminobutyl triethoxysilane, 11-aminoound Siltriethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, 3-aminopropyldimethylethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, (3-trimethoxysilylpropyl) diethylenetriamine, 3-mercaptopropyltriethoxy Silane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 11-mercaptodecyltrimethoxysilane, mercaptomethylmethyldiethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxy Silane, 3-isocyanatopropyltrimethoxysilane, (isocyanate me ) Methyldimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, (3-glycidylpropyl) trie Methoxysilane, (3-glycidylpropyl) trimethoxysilane, 5,6-epoxyhexyltriethoxysilane, (3-glycidylpropyl) methyldiethoxysilane, (3-glycidylpropyl) methyldimeth Methoxysilane, (3-glycidylpropyl) dimethylethoxysilane, N- (trimethoxysilylpropyl) ethylenediamine sodium triacetate, 3- (triethoxysilyl) propylsuccinic anhydride, and the like. From the viewpoint of high reactivity with, 3-aminopropyltriethoxysisilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, 3-aminopropyldimethylethoxysilane, N- (2- Aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, 3-isocyanatopropyltrimeth Sisilran, a propyl succinic anhydride are preferable 3- (triethoxysilyl).

또한, 일반적으로는 평판상의 유리 기재가 사용되지만, 반드시 평판상의 유리 기재에 한정되지 않고, 원통형 등의 임의인 형상의 유리 기재이어도 사용할 수 있다. 이들의 유리 기재에 관해서도 그래프트 폴리머를 도입할 수 있다.In addition, although a flat glass substrate is generally used, it is not necessarily limited to a flat glass substrate, The glass substrate of arbitrary shapes, such as cylindrical shape, can also be used. Graft polymers can also be introduced in these glass substrates.

본 발명에 바람직한 기재로서, 구체적으로는 표면에 수산기를 갖는 각종 유리 기재 및 표면을 화학 수식하고, 표면에 상기 특정 관능기를 갖는 각종 유리 기재가 열거된다.As a preferable base material for this invention, the various glass base material which has a hydroxyl group on the surface, and a surface are specifically chemically modified, and the various glass base material which has the said specific functional group on the surface are mentioned.

유리 기재의 두께는 사용 목적에 따라서 선택되고, 특별하게 한정은 없지만, 일반적으로는 10㎛∼10cm정도이다.Although the thickness of a glass base material is selected according to a use purpose, there is no limitation in particular, Usually, it is about 10 micrometers-about 10 cm.

2. 도전성 패턴형성방법2. Conductive Pattern Formation Method

본 발명의 도전성 패턴형성방법은 상기 적층체 상에 패턴상으로 에너지를 부여하고, 상기 적층체가 갖는 중합 개시층에 있어서의 폴리머의 라디칼 중합 개시 부위에 라디칼을 생성시켜, 상기 라디칼을 기점으로 하여 그래프트 폴리머를 생성시키는 공정(이하, 「그래프트 폴리머 생성 공정」이라고도 한다.)과 상기 패턴상으로 형성된 그래프트 폴리머에 무전해 도금 촉매 또는 그 전구체를 흡착시킨 후, 무전해 도금을 행하여 도전성막을 형성하는 공정(이하, 「도전성 막형성 공정」이라고도 한다.)를 갖는 것을 특징으로 한다.In the conductive pattern forming method of the present invention, energy is applied onto the laminate in a pattern form, and radicals are generated at a radical polymerization initiation site of the polymer in the polymerization initiation layer included in the laminate, and the graft is started from the radical. A step of producing a polymer (hereinafter also referred to as a "graft polymer generation step") and a step of adsorbing an electroless plating catalyst or a precursor thereof to the graft polymer formed in the pattern shape, followed by electroless plating to form a conductive film ( Hereinafter, it is also called "the conductive film forming process."

이 방법을 사용함으로써 기재 상에 소망의 도전성 패턴을 형성할 수 있고, 특히, 초미세의 도전성 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 도전성 패턴형성에 있어서, 상기 적층체를 사용함으로써, 도전성 막과 기재의 밀착성, 유용한 그래프트 폴리머의 무전해 도금욕 중의 알칼리성으로의 내성을 현저하게 향상시킬 수 있다.By using this method, a desired conductive pattern can be formed on the substrate, and in particular, an ultrafine conductive pattern can be formed. Further, in the formation of the conductive pattern, by using the laminate, the adhesion between the conductive film and the substrate and the resistance of the useful graft polymer to alkalinity in the electroless plating bath can be significantly improved.

여기서, 본 발명에 있어서의 「초미세」란, 적어도 도전성 막(도전성 패턴)의 폭이 1000nm이하인 것을 나타내고, 바람직하게는 라인앤드스페이스의 폭이 각각 10nm∼1000nm의 범위의 것이고, 라인앤드스페이스의 폭이 각각 10nm∼500nm의 범위인 것이 보다 바람직하다.Here, the "ultra fine" in the present invention means that the width of the conductive film (conductive pattern) is at least 1000 nm, preferably the width of the line and space is in the range of 10 nm to 1000 nm, respectively, It is more preferable that the widths are in the range of 10 nm to 500 nm, respectively.

본 발명에 있어서의「초미세의 도전성 패턴」에 대해서는, 원자간 현미경(AFM)이나 전자 현미경(SEM)으로 관찰함으로써 확인할 수 있다.About the "super fine conductive pattern" in this invention, it can confirm by observing with an atomic microscope (AFM) or an electron microscope (SEM).

이하에, 본 발명의 도전성 패턴형성방법에 있어서의 그래프트 폴리머 생성 공정과 도전성 막형성 공정에 대해서 상세하게 설명한다.Below, the graft polymer formation process and electroconductive film formation process in the conductive pattern formation method of this invention are demonstrated in detail.

(그래프트 폴리머 생성 공정)(Graft polymer production process)

본 발명의 도전성 패턴형성방법에 있어서의 그래프트 폴리머 생성 공정에서는 상기 적층체에 패턴상으로 에너지를 부여(패턴 노광)하고, 중합 개시층에 있어서의 폴리머의 라디칼 중합 개시 부위에 발생한 라디칼을 기점으로 하여, 그래프트 폴리머 전구체의 사이에서, 그래프트 중합 반응을 발생, 진행시키고, 그 결과, 노광 영역에만 그래프트 폴리머가 생성된다.In the graft polymer production step in the conductive pattern forming method of the present invention, energy is applied (pattern exposure) to the laminate in a pattern form, and the radicals generated at the radical polymerization initiation site of the polymer in the polymerization initiation layer are used as a starting point. The graft polymerization reaction is generated and advanced between the graft polymer precursors, and as a result, the graft polymer is generated only in the exposure region.

본 발명에서는 그래프트 폴리머 전구체로서, 상기의 특정한 폴리머를 사용하기 때문에 두껍고 강고한 그래프트 막이 될 수 있다.In the present invention, since the specific polymer is used as the graft polymer precursor, it can be a thick and rigid graft film.

상기 그래프트 폴리머 생성 공정에 있어서, 상기 패턴 노광할 때에 사용할 수 있는 노광 방법에는 특별히 제한은 없고, 에너지를 부여할 수 있는 노광이면, 자외광이어도, 가시광선이어도 좋다. 그 중에서도 보다 미세한 그래프트 패턴을 형성하는 관점으로부터 가시 영역(360∼700nm)에서 극대 흡수 파장을 갖는 레이저 주 사 노광, 또는 수은등 등에 의한 자외 영역을 포함하는 노광과 포토마스크를 사용하는 패턴 노광이 바람직하다.In the graft polymer production step, there is no particular limitation on the exposure method that can be used for the pattern exposure, and ultraviolet light or visible light may be used as long as it is an exposure that can provide energy. Among them, from the viewpoint of forming a finer graft pattern, laser scanning exposure having a maximum absorption wavelength in the visible region (360 to 700 nm), or an exposure including an ultraviolet region by a mercury lamp or the like and a pattern exposure using a photomask are preferable. .

상기 레이저 주사 노광의 바람직한 상기 극대 흡수 파장은 360nm∼550nm이고, 보다 바람직하게는 365nm∼450nm이다.The said maximum absorption wavelength of the said laser scanning exposure is 360 nm-550 nm, More preferably, it is 365 nm-450 nm.

또한, 노광 에너지로서는 1000mJ/cm²이하인 것이 바람직하고, 500mJ/cm²이하가 보다 바람직하고, 300mJ/cm²이하가 더욱 바람직하다.Moreover, as exposure energy, it is preferable that it is 1000 mJ / cm <^2> or less, 500 mJ / cm <^2> or less is more preferable, 300 mJ / cm <^2> or less is more preferable.

노광에 사용되는 광원으로서는 자외광, 심자외광, 레이저광 등이 열거되고, 구체적으로는 자외광, i선, g선, KrF, ArF 등의 엑시머 레이저가 사용된다. 그 중에서도 바람직하게는 i선, g선, 엑시머레이저이다.Examples of the light source used for exposure include ultraviolet light, deep ultraviolet light, laser light, and the like, and specifically, excimer lasers such as ultraviolet light, i-ray, g-ray, KrF and ArF are used. Especially, i line | wire, g line | wire, and an excimer laser are preferable.

본 발명의 도전성 패턴형성방법에 있어서의 상기 그래프트 폴리머 전구체는 상술의 적층체에 함유되는 그래프트 폴리머 전구체와 동일하고, 바람직한 예도 동일하다.The graft polymer precursor in the conductive pattern forming method of the present invention is the same as the graft polymer precursor contained in the above-mentioned laminate, and the preferred examples are also the same.

본 발명에 있어서의 상기 그래프트 폴리머 생성 공정에 의해 형성된 그래프트 패턴의 해상도는 상기 패턴 노광에 있어서의 노광 조건에 좌우된다.The resolution of the graft pattern formed by the graft polymer production step in the present invention depends on the exposure conditions in the pattern exposure.

본 발명에 있어서의 상기 그래프트 폴리머 생성 공정에 의해, 초미세한 그래프트 폴리머 패턴의 형성이 가능하고, 고정밀의 패턴 노광을 실시함으로써, 노광에 따른 고세밀한 그래프트 폴리머 패턴이 형성된다. 고정밀한 그래프트 폴리머 패턴 형성을 위한 노광 방법으로서는 상술한 바와 같이, 광학계를 사용한 광빔 주사 노광, 마스크를 사용한 노광 등이 열거되고, 소망의 패턴의 해상도에 따른 노광 방 법을 취하면 된다.By the said graft polymer production process in this invention, an ultra-fine graft polymer pattern can be formed, and the high-definition graft polymer pattern is formed by performing a high-precision pattern exposure. As an exposure method for forming a high-precision graft polymer pattern, the light beam scanning exposure using an optical system, the exposure using a mask, etc. are mentioned as mentioned above, What is necessary is just to take the exposure method according to the resolution of a desired pattern.

특히, 라인앤드스페이스의 선폭이 1000nm이하인 초미세한 그래프트 폴리머 패턴을 형성할 때의 패턴 노광으로서는 구체적으로는 i선 스텝퍼, g선 스텝퍼, KrF스텝퍼, ArF스텝퍼와 같은 스텝퍼 노광이나, 이광속 간섭 노광기에 의한 노광 등이 열거된다.Particularly, the pattern exposure when forming an ultra-fine graft polymer pattern having a line width of line and space of 1000 nm or less is specifically used for stepper exposure such as i-line stepper, g-line stepper, KrF stepper, ArF stepper, or two-beam interference exposure machine. Exposure and the like are listed.

이와 같이, 본 발명에 있어서의 그래프트 폴리머 생성 공정에 있어서, 유리 기재 표면에 그래프트 폴리머 생성 영역과 비생성 영역이 형성된 기재는 노광 후, 용제 침지 등의 처리를 행하고, 잔존하는 그래프트 폴리머 전구체나 호모 폴리머를 제거하여 정제한다. 구체적으로는, 물이나 아세톤에 의한 세정, 건조 등이 열거된다. 그래프트 폴리머 전구체나 호모 폴리머의 제거성의 관점으로부터, 초음파 등의 수단을 선택하는 것이 바람직하다.As described above, in the graft polymer production step of the present invention, the substrate having the graft polymer generation region and the non-production region formed on the surface of the glass substrate is subjected to treatment such as solvent immersion after exposure, and the remaining graft polymer precursor and homopolymer Purify by removing. Specifically, washing with water or acetone, drying, etc. are mentioned. It is preferable to select means, such as an ultrasonic wave, from a viewpoint of the removal property of a graft polymer precursor and a homopolymer.

정제 후의 기재는 그 표면에 잔존하는 그래프트 폴리머 전구체나 호모 폴리머가 완전하게 제거되어, 기재와 강고하게 결합한 패턴상의 그래프트 폴리머만이 존재하게 된다.As for the base material after purification, the graft polymer precursor and the homopolymer remaining on the surface of the substrate are completely removed, and only the graft polymer in a pattern form firmly bonded to the base material is present.

상기 본 발명에 있어서의 그래프트 폴리머 생성 공정을 경유함으로써, 노광의 해상도에 따른 미세한 패턴이 용이하게 형성되기 때문에 그 응용 범위는 넓다.Since the fine pattern according to the resolution of exposure is formed easily by the graft polymer production | generation process in the said invention, the application range is wide.

본 발명에 있어서의 그래프트 폴리머 생성 공정의 방법에 의해 얻어진 그래프트 폴리머 패턴은 예를 들면, 미세가공용 레지스트 등에 적용할 수 있다.The graft polymer pattern obtained by the method of the graft polymer production process in the present invention can be applied to, for example, a resist for microfabrication.

(도전성 막형성 공정)(Conductive Film Formation Process)

다음에 본 발명의 도전성 패턴형성방법에 있어서의 도전성 막을 형성하는 공 정(도전성 막형성 공정)에 관하여 설명한다.Next, a process (conductive film forming step) for forming a conductive film in the conductive pattern forming method of the present invention will be described.

본 공정에서는 생성된 그래프트 폴리머에 무전해 도금 촉매 또는 그 전구체를 흡착시킨 후, 무전해 도금을 행하여 도전성 막(이하, 단지 「도금막」이라고도 한다.)을 형성하는 공정이다.In this step, an electroless plating catalyst or a precursor thereof is adsorbed to the produced graft polymer, followed by electroless plating to form a conductive film (hereinafter also referred to simply as a "plated film").

(도금막의 형성)(Formation of Plating Film)

도전성 막형성 공정은 그래프트 폴리머가 갖는 극성기에 대하여, 무전해 도금 촉매 또는 그 전구체를 흡착시킨 후, 무전해 도금을 행하여 도금막을 형성하는 방법이다. 이 방법이 의해, 도금막으로 이루어지는 도전성 막이 형성된다.The conductive film forming step is a method of forming a plated film by electroless plating after adsorbing an electroless plating catalyst or a precursor thereof to a polar group of the graft polymer. By this method, a conductive film made of a plated film is formed.

이와 같이, 도금막은 그래프트 폴리머의 극성기에 흡착되어 있는 촉매나 전구체에 대하여 무전해 도금되어서 형성되기 때문에 도금 막과 그래프트 폴리머가 강고하게 결합되어 있고, 그 결과, 기재와 도금막의 밀착성이 우수함과 아울러, 도금 조건에 의해 도전성을 조정할 수 있다고 하는 이점을 갖는다.Thus, since the plating film is formed by electroless plating with respect to the catalyst or precursor adsorbed on the polar group of the graft polymer, the plating film and the graft polymer are firmly bonded, and as a result, the adhesion between the substrate and the plating film is excellent, It has an advantage that the conductivity can be adjusted by the plating conditions.

우선, 무전해 도금 촉매 또는 그 전구체의 부여 방법에 관하여 설명한다.First, a method of applying an electroless plating catalyst or a precursor thereof will be described.

본 발명에 있어서 사용되는 무전해 도금 촉매란, 주로 0가 금속이고, Pd, Ag, Cu, Ni, Al, Fe, Co 등이 열거된다. 본 발명에 있어서는 특히, Pd, Ag가 그 취급성이 좋고, 촉매 능력이 높기 때문에 바람직하다. 0가 금속을 상호 작용성 영역에 고정하는 방법으로서는 예를 들면, 그래프트 폴리머의 극성기와 상호 작용하도록 하전(荷電)을 조절한 금속 콜로이드를 그래프트 폴리머가 생성한 기재에 부여하는 방법이 사용된다. 일반적으로 금속 콜로이드는 하전을 지닌 계면활성제 또는 하전을 지닌 보호제가 존재하는 용액 중에 있어서, 금속 이온을 환원함으로써 제작할 수 있다. 금속 콜로이드의 하전은 여기서, 사용되는 계면활성제 또는 보호제에 의해 조절할 수 있고, 이렇게 하전을 조절한 금속 콜로이드를 그래프트 폴리머가 갖는 극성기와 상호 작용시킴으로써, 그래프트 폴리머에 금속 콜로이드(무전해 도금 촉매)를 부착시킬 수 있다.The electroless plating catalyst used in the present invention is mainly a 0-valent metal, and includes Pd, Ag, Cu, Ni, Al, Fe, Co and the like. In the present invention, Pd and Ag are particularly preferable because of their good handleability and high catalytic ability. As a method of fixing the zero-valent metal to the interactive region, for example, a method of applying a metal colloid whose charge is adjusted to interact with the polar group of the graft polymer to the substrate produced by the graft polymer is used. In general, metal colloids can be prepared by reducing metal ions in a solution in which a charged surfactant or a charged protective agent is present. The charge of the metal colloid can be controlled here by the surfactant or protecting agent used, and the metal colloid (electroless plating catalyst) is attached to the graft polymer by interacting the charged metal colloid with the polar group of the graft polymer. You can.

본 발명에 있어서 사용되는 무전해 도금 촉매 전구체란, 화학 반응에 의해 무전해 도금 촉매가 될 수 있는 것이면, 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 주로는 상기 무전해 도금 촉매로 사용한 0가 금속의 금속 이온이 사용된다. 무전해 도금 촉매 전구체인 금속 이온은 환원 반응에 의해 무전해 도금 촉매인 0가 금속이 된다. 무전해 도금 촉매 전구체인 금속 이온은 그래프트 폴리머가 생성한 기재에 부여된 후, 무전해 도금욕으로의 침지전에, 별도 환원 반응에 의해 0가 금속으로 변화시켜서 무전해 도금 촉매로 하여도 좋고, 무전해 도금 촉매 전구체인채로 무전해 도금욕에 침지되어 무전해 도금욕 중의 환원제에 의해 금속(무전해 도금 촉매)으로 변화되어도 좋다.The electroless plating catalyst precursor used in the present invention can be used without particular limitation as long as it can be an electroless plating catalyst by chemical reaction. Mainly, metal ions of a zero-valent metal used as the electroless plating catalyst are used. The metal ion which is an electroless plating catalyst precursor becomes a zero-valent metal which is an electroless plating catalyst by a reduction reaction. The metal ions, which are electroless plating catalyst precursors, may be imparted to a substrate produced by the graft polymer and then converted into a zero-valent metal by a separate reduction reaction before being immersed in the electroless plating bath to be an electroless plating catalyst. It may be immersed in an electroless plating bath as an electroplating catalyst precursor, and may be changed into a metal (electroless plating catalyst) by the reducing agent in an electroless plating bath.

실제로는 무전해 도금 촉매 전구체인 금속 이온은 금속염의 상태로 그래프트 폴리머에 부여된다. 사용되는 금속염으로서는 적절한 용매에 용해해서 금속 이온과 염기(음이온)로 분해되는 것이면 특별히 제한은 없고, M(NO₃)n, MCln, M_2/n(SO₄), M_3/n(PO₄)(M은 n가의 금속 원자를 나타낸다.) 등이 열거된다. 금속 이온으로서는 상기의 금속염이 분해된 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 구체예로서는 예를 들면 Ag이온, Cu이온, Al이온, Ni이온, Co이온, Fe이온, Pd이온이 열거되고, Ag이온, Pd 이온이 촉매 능력의 점에서 바람직하다.Metal ions, which are actually electroless plating catalyst precursors, are imparted to the graft polymer in the form of metal salts. As long as it might be used a metal salt by dissolution in an appropriate solvent to be decomposed into metal ion and base (anion) is not particularly _{limited, M (NO 3) n,} MCln, M 2 / n (SO 4), M 3 / n (PO 4 (M represents an n-valent metal atom). As a metal ion, what decomposed said metal salt can be used preferably. Specific examples include Ag ions, Cu ions, Al ions, Ni ions, Co ions, Fe ions, and Pd ions, and Ag ions and Pd ions are preferable in terms of catalytic ability.

무전해 도금 촉매인 금속 콜로이드 또는 무전해 도금 촉매 전구체인 금속염을 그래프트 폴리머에 부여하는 방법으로서는 금속 콜로이드를 적당한 분산매에 분산, 또는 금속염을 적절한 용매로 용해하고, 분해된 금속 이온을 포함하는 용액을 조제하고 그 용액을 그래프트 폴리머가 생성한 기재에 도포하거나 또는 그 용액 중에 그래프트 폴리머가 생성한 기재를 침지하면 좋다. 금속 이온을 함유하는 용액을 접촉시킴으로써 그래프트 폴리머가 갖는 극성기에 이온-이온 상호작용 또는 쌍극자-이온 상호 작용을 이용해서 금속이온을 부착시키는 것, 또는 상호 작용성 영역에 금속 이온을 함침시킬 수 있다. 이러한 부착 또는 함침을 충분히 행하게 한다고 하는 관점으로부터는 접촉시키는 용액 중의 금속 이온 농도, 또는 금속염 농도는 0.01∼50질량%의 범위인 것이 바람직하고, 0.1∼30질량%의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 또한 접촉 시간으로서는 1분∼24시간 정도인 것이 바람직하고, 5분∼1시간정도인 것이 보다 바람직하다.As a method of imparting a metal colloid as an electroless plating catalyst or a metal salt as an electroless plating catalyst precursor to a graft polymer, a metal colloid is dispersed in a suitable dispersion medium or a metal salt is dissolved in a suitable solvent to prepare a solution containing decomposed metal ions. The solution may be applied to the substrate produced by the graft polymer, or the substrate produced by the graft polymer may be dipped in the solution. By contacting the solution containing the metal ions, the polar group of the graft polymer can be attached to the metal ion using ion-ion interaction or dipole-ion interaction, or the metal ion can be impregnated into the interactive region. From the viewpoint of sufficiently performing such adhesion or impregnation, the metal ion concentration or the metal salt concentration in the solution to be contacted is preferably in the range of 0.01 to 50% by mass, more preferably in the range of 0.1 to 30% by mass. Moreover, as contact time, it is preferable that it is about 1 minute-about 24 hours, and it is more preferable that it is about 5 minutes-about 1 hour.

다음에, 무전해 도금 방법에 관하여 설명한다.Next, the electroless plating method will be described.

무전해 도금 촉매 또는 그 전구체가 부여된 기재에 대하여, 무전해 도금을 행함으로써 그래프트 폴리머 생성 영역에 따른 도전성 막이 형성된다.Electroless plating is performed on the substrate to which the electroless plating catalyst or its precursor is applied to form a conductive film corresponding to the graft polymer generation region.

무전해 도금이란, 도금으로서 석출시키고 싶은 금속 이온을 용해시킨 용액을 사용하여, 화학 반응에 의해 금속을 석출시키는 조작을 말한다.Electroless plating means the operation which precipitates a metal by a chemical reaction using the solution which melt | dissolved the metal ion to be deposited as plating.

본 공정에 있어서의 무전해 도금은 예를 들면, 무전해 도금 촉매가 부여된 기재를 수세하여 여분의 무전해 도금 촉매(금속)를 제거한 후, 무전해 도금욕에 침 지해서 행한다. 사용되는 무전해 도금욕으로서는 일반적으로 알려져 있는 무전해도금욕을 사용할 수 있다.The electroless plating in this step is performed by, for example, washing a substrate provided with an electroless plating catalyst to remove excess electroless plating catalyst (metal) and then immersing it in an electroless plating bath. As the electroless plating bath to be used, generally known electroless plating baths can be used.

또한, 무전해 도금 촉매 전구체가 부여된 기재의 경우, 즉, 무전해 도금 촉매 전구체가 그래프트 폴리머에 부착 또는 함침된 상태의 기재를 무전해 도금욕에 침지할 경우에는 기재를 수세해서 여분의 전구체(금속염 등)를 제거한 후, 무전해도금욕 중으로 침지한다. 이 경우에는 무전해 도금욕 중에 있어서, 전구체의 환원과 이것에 이어서 무전해 도금이 행해진다. 여기 사용되는 무전해 도금욕으로서도 상기와 같은 일반적으로 알려져 있는 무전해 도금욕을 사용할 수 있다.In addition, in the case of a substrate to which an electroless plating catalyst precursor is provided, that is, when the substrate in which the electroless plating catalyst precursor is attached or impregnated to the graft polymer is immersed in the electroless plating bath, the substrate is washed with water and an extra precursor ( After removing metal salt), it is immersed in electroless plating bath. In this case, in the electroless plating bath, reduction of the precursor followed by electroless plating is performed. As the electroless plating bath used here, the above-mentioned generally known electroless plating bath can be used.

일반적인 무전해 도금욕의 조성으로서는 1. 도금용의 금속 이온, 2. 환원제, 3. 금속 이온의 안정성을 향상시키는 첨가제(안정제)가 주로 포함되어 있다. 이 도금욕에는 이들에 더해서, 도금욕의 안정제 등 공지의 첨가물이 포함되어 있어도 좋다.As the composition of the general electroless plating bath, additives (stabilizers) for improving the stability of 1. metal ions for plating, 2. reducing agents, and 3. metal ions are mainly included. In addition to these, this plating bath may contain well-known additives, such as a stabilizer of a plating bath.

무전해 도금욕에 사용되는 금속의 종류로서는 동, 주석, 납, 니켈, 금, 팔라듐, 로듐이 알려지고 있어, 그 중에서도, 도전성의 관점으로부터는 동, 금이 특히 바람직하다.Copper, tin, lead, nickel, gold, palladium, rhodium is known as a kind of metal used for an electroless plating bath, Especially, copper and gold are especially preferable from a conductive viewpoint.

또한, 상기 금속에 따라서 최적인 환원제, 첨가물이 있다. 예를 들면, 동의 무전해 도금욕은 동염으로서 Cu(SO₄)₂, 환원제로서 HCOH, 첨가제로서 동 이온의 안정제인 EDTA나 로셸염 등의 킬레이트제가 포함되어 있다. 또한, CoNiP의 무전해 도금에 사용되는 도금욕에는 그 금속염으로서 황산 코발트, 황산 니켈, 환원제로서 차아 인산 나트륨, 착화제로서 말론산 나트륨, 사과산 나트륨, 숙신산 나트륨이 포함되어 있다. 또한, 팔라듐의 무전해 도금욕은 금속 이온으로서 (Pd(NH₃)₄)Cl₂, 환원제로서 NH₃, H₂NNH₂, 안정화제로서 EDTA가 포함되어 있다. 이들의 도금욕에는 상기 성분 이외의 성분이 들어가 있어도 좋다.In addition, there are optimum reducing agents and additives depending on the metal. For example, copper electroless plating baths contain chelating agents such as Cu (SO ₄ ) ₂ as copper salt, HCOH as reducing agent, and stabilizer of copper ions as additive. In addition, the plating bath used for the electroless plating of CoNiP contains cobalt sulfate, nickel sulfate, sodium hypophosphite as a reducing agent, sodium malonate, sodium malate, and sodium succinate as a complexing agent. Further, the electroless plating bath for palladium may contain a metal ion-EDTA (Pd (NH _{3) 4)} as Cl _2, the reducing agent as NH _3, H ₂ NNH _2, stabilizing agent. These plating baths may contain components other than the above components.

이렇게 하여 형성되는 도전성 막의 막두께는 도금욕의 금속염 또는 금속 이온 농도, 도금욕으로의 침지 시간 또는 도금욕의 온도 등에 의해 제어할 수 있지만, 도전성의 관점으로부터는 0.5㎛이상인 것이 바람직하고, 3㎛이상인 것이 보다 바람직하다. 또한 도금욕으로의 침지 시간으로서는, 1분∼3시간 정도인 것이 바람직하고, 1분∼1시간정도인 것이 보다 바람직하다.The film thickness of the conductive film formed in this way can be controlled by the metal salt or metal ion concentration of the plating bath, the immersion time in the plating bath, the temperature of the plating bath, and the like. It is more preferable that it is above. Moreover, as immersion time in a plating bath, it is preferable that it is about 1 minute-about 3 hours, and it is more preferable that it is about 1 minute-about 1 hour.

이상과 같이 해서 얻어지는 도전성 막은 SEM에 의한 단면 관찰에 의해, 그래프트 폴리머 막 중에 무전해 도금 촉매나 도금 금속의 미립자가 빽빽이 분산되어 있고, 또한, 그 상에 비교적 큰 입자가 석출되어 있는 것이 확인되었다. 계면은 그래프트 폴리머와 미립자의 하이브리드 상태이기 때문에, 기재 표면의 평균 조도(Rz)가 3㎛이하이여도, 기재(유기 성분)와 무기물(무전해 도금 촉매 또는 도금 금속)의 밀착성이 양호하였다.SEM observation of the conductive film obtained as described above confirmed that the electroless plating catalyst and the fine particles of the plating metal were densely dispersed in the graft polymer film, and relatively large particles were deposited thereon. Since the interface is a hybrid state of the graft polymer and the fine particles, the adhesion between the substrate (organic component) and the inorganic substance (electroless plating catalyst or plating metal) was good even if the average roughness Rz of the surface of the substrate was 3 µm or less.

(전기 도금 처리 공정)(Electroplating process)

또한, 도전성 막형성 공정에 있어서의 무전해 도금 종료 후, 전기 도금 처리 공정을 갖는 것이 바람직하다. 즉 전기 도금은 상술의 무전해 도금에 의해 얻어진 도전성 막을 전극으로서 행한다. 이것에 의해 기재와의 밀착성이 우수한 도전성 막 을 베이스로 하고, 거기에서 새롭게 임의의 두께를 지닌 도금막을 용이하게 형성할 수 있다. 이 공정을 부가함으로써, 도금막을 목적에 따른 두께로 형성할 수 있다.Moreover, it is preferable to have an electroplating process process after completion | finish of electroless plating in a conductive film formation process. That is, electroplating is performed as an electrode the electroconductive film obtained by the above-mentioned electroless plating. Thereby, based on the electroconductive film excellent in adhesiveness with a base material, the plating film | membrane of arbitrary thickness can be newly formed easily from there. By adding this process, a plating film can be formed in the thickness according to the objective.

본 발명에 있어서의 전기 도금 방법으로서는 종래 공지의 방법을 사용할 수 있다. 또한, 전기 도금에 사용되는 금속으로서는 동, 크롬, 납, 니켈, 금, 은, 주석, 아연 등이 열거되고, 도전성의 관점으로부터, 동, 금, 은이 바람직하고, 동이 보다 바람직하다.As the electroplating method in the present invention, a conventionally known method can be used. Moreover, as metal used for electroplating, copper, chromium, lead, nickel, gold, silver, tin, zinc, etc. are mentioned, From a viewpoint of electroconductivity, copper, gold, silver is preferable, and copper is more preferable.

전기 도금에 의해 얻어지는 도금 막의 막두께에 대해서는 용도에 따라서 다른 것이고, 도금욕 중에 포함되는 금속 농도, 침지 시간 또는 전류 밀도 등을 조정하는 것으로 컨트롤할 수 있다.The film thickness of the plated film obtained by electroplating is different depending on the application, and can be controlled by adjusting the metal concentration, immersion time or current density contained in the plating bath.

이상과 같이 본 발명의 도전성 패턴형성방법에 의해, 기재와의 밀착성이 우수하고, 또한, 초미세한 도전성 막(도금막)을 갖는 도전성 패턴을 유리 기재 상에 형성할 수 있다.As mentioned above, the conductive pattern formation method of this invention is excellent in adhesiveness with a base material, and can form the conductive pattern which has an ultrafine conductive film (plating film) on a glass base material.

3. 도전성 패턴3. Conductive Pattern

본 발명의 도전성 패턴은 상술의 도전성 패턴형성방법을 이용하여 형성된 것이고, 프린트 배선기판, 박층 트랜지스터 등, 정밀하고 또한 도전성이 우수한 미세 배선을 필요로 하는 각종의 용도에 적용할 수 있다.The conductive pattern of the present invention is formed using the above-described conductive pattern forming method, and can be applied to various applications that require fine wiring with precision and excellent conductivity, such as printed wiring boards and thin layer transistors.

4.프린트 배선기판4. Printed wiring board

본 발명의 프린트 배선기판은 상술의 도전성 패턴형성방법을 사용하여 형성된 도전성 패턴을 구비한 것을 특징으로 한다. 프린트 배선기판이 상기 도전성 패턴형성방법을 사용하여 형성되는 도전성 패턴을 구비함으로써, 고정밀하고, 또한 도전성이 우수한 미세배선을 넓은 면적에 걸쳐서, 막두께, 막질을 균일하게 할 수 있다. 이것에 의해서 신뢰성이 높은 배선, 전극을 갖는 프린트 배선기판으로 할 수 있다.The printed wiring board of the present invention is characterized by having a conductive pattern formed using the above-described conductive pattern forming method. Since the printed wiring board is provided with the conductive pattern formed using the above-mentioned conductive pattern forming method, the film thickness and the film quality can be uniformed over a large area of fine wiring with high precision and excellent conductivity. This makes it possible to obtain a printed wiring board having highly reliable wiring and electrodes.

본 발명에 의해 얻어지는 고정밀하고, 도전성이 우수한 미세배선은 종래의 진공성막법 등에 비하여 넓은 면적에 걸쳐서 막두께나 막질이 균일한 금속막을 성막할 수 있고, 신뢰성이 높은 배선, 전극 등으로 할 수 있다. 또한, 막대한 설비 투자가 필요없기 때문에, 소비 에너지는 적게 하여 완료된다. 진공 성막 장치를 사용한 방법은 기판의 전체면에 금속막을 성막한 후, 그 불필요 부분을 에칭에 의해 제거함으로써 전기 배선 패턴을 형성하지만, 본 발명에 있어서는 배선의 해상도가 한정되기 때문에, 금속 재료의 낭비가 없으므로 환경으로의 부하가 매우 적다.The high-precision and excellent electrical wiring obtained by the present invention can form a metal film with a uniform film thickness and film quality over a large area as compared with the conventional vacuum film forming method, and can be used as a highly reliable wiring, an electrode, or the like. . In addition, since huge equipment investment is not required, energy consumption is completed with little. The method using the vacuum film forming apparatus forms an electrical wiring pattern by forming a metal film on the entire surface of the substrate and then removing the unnecessary portion by etching. However, in the present invention, since the resolution of the wiring is limited, waste of metal material There is very little load on the environment.

상기 프린트 배선기판은 도전성을 더욱 향상시키는 관점으로부터, 상기 도전성 패턴형성방법을 사용하여 형성되는 도전성 막(도전성 패턴)을 구비한 후, 전기도금(금속 도금) 처리 공정을 설치해서 형성되는 것이 바람직하다. 상기 금속 도금으로서는 동도금인 것이 바람직하다.The printed wiring board is preferably formed by providing an electroplating (metal plating) treatment step after the conductive film (conductive pattern) formed by using the conductive pattern forming method from the viewpoint of further improving the conductivity. . As said metal plating, it is preferable that it is copper plating.

또한, 본 발명의 프린트 배선기판을 제작할 경우, 도금막의 막두께는 도전성의 관점으로부터, 0.3㎛이상인 것이 바람직하고, 3㎛이상인 것이 보다 바람직하다.In addition, when manufacturing the printed wiring board of this invention, it is preferable that it is 0.3 micrometer or more from a viewpoint of electroconductivity, and, as for the film thickness of a plating film, it is more preferable that it is 3 micrometers or more.

5.박층 트랜지스터5.Thin Layer Transistor

본 발명의 박층 트랜지스터는 상술의 도전성 패턴형성방법을 사용하여 형성된 도전성 패턴을 구비한 것을 특징으로 한다.The thin layer transistor of the present invention is characterized by having a conductive pattern formed using the above-described conductive pattern forming method.

더욱 상세하게는 본 발명의 박층 트랜지스터는 상기 도전성 패턴형성방법을 사용하여 형성된 도전성 패턴인 게이트 전극, 드레인 전극, 소스 전극 또는 금속 배선을 갖는 것이 바람직하다.More specifically, the thin layer transistor of the present invention preferably has a gate electrode, a drain electrode, a source electrode or a metal wiring, which is a conductive pattern formed using the conductive pattern forming method.

박층 트랜지스터가 상기 도전성 패턴형성방법을 사용하여 형성되는 도전성 패턴을 구비함으로써, 고정밀하고, 또한 도전성이 우수한 미세배선을 넓은 면적에 걸쳐서, 막두께, 막질이 균일하게 형성할 수 있다. 이것에 의해, 신뢰성이 높은 배선, 전극을 갖는 박층 트랜지스터로 할 수 있다.By providing the thin film transistor with the conductive pattern formed using the said conductive pattern formation method, the fine wiring which is highly precise and excellent in electroconductivity can be formed uniformly over a large area, and film thickness and film quality. Thereby, it can be set as the thin-layer transistor which has a highly reliable wiring and an electrode.

6.장치6. Device

본 발명의 장치는 상기 프린트 기판 또는 박층 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 한다.The apparatus of the present invention is characterized in that it comprises the printed board or the thin-film transistor.

이러한 장치로서는 액정표시장치(LCD), 필드 에미션 표시장치(FED), 전기영동표시장치(EPD), 플라즈마 표시장치(PDP), 일렉트로크로믹 표시장치(ECD), 일렉트로루미네선트(ELD) 등의 플랫 패널 디스플레이가 열거된다. 본 발명의 프린트 배선기판 또는 박층 트랜지스터를 구비한 장치로 함으로써, 소망의 해상도로 기판과의 밀착성도 양호하고, 장치의 소형화, 고집적화를 달성할 수 있다.Such devices include liquid crystal display (LCD), field emission display (FED), electrophoretic display (EPD), plasma display (PDP), electrochromic display (ECD), electroluminescent (ELD) And flat panel displays are listed. By using the printed wiring board or the thin film transistor of the present invention, the adhesion to the substrate can be satisfactory at a desired resolution, and the device can be miniaturized and highly integrated.

본 발명의 장치로서는 상기 프린트 배선기판 또는 박층 트랜지스터를 구비한 것 이외는, 특별하게 한정되지 않고, 공지의 구성 요소를 가질 수 있고, 그 중에서도 표시장치인 것이 바람직하다.The device of the present invention is not particularly limited, except that the printed wiring board or the thin film transistor is provided, and may have a known component, and among these, a display device is preferable.

이상과 같이, 본 발명의 상기에 의해 얻어진 도전성 패턴을 적용한 게이트 전극, 드레인 전극, 소스 전극 또는 금속 배선을 갖는 액정표시장치(LCD), 필드 에미션 표시장치(FED), 전기영동 표시장치(EPD), 플라즈마 표시장치(PDP), 일렉트로 크로믹 표시장치(ECD), 일렉트로루미네선트 표시장치(ELD) 등의 플랫 패널 디스플레이는 소망의 해상도로 기판과의 밀착성이 우수한 전극이나 배선을 용이하게 형성할 수 있고, TFT의 소형화, 고성능화 또는 액정표시장치 등의 배선의 저저항화를 위해 도전층이 사용되는 모든 경우에 유효하다.As described above, a liquid crystal display device (LCD), a field emission display device (FED), and an electrophoretic display device (EPD) having a gate electrode, a drain electrode, a source electrode or a metal wiring to which the conductive pattern obtained by the above of the present invention is applied. ), Flat panel displays such as plasma displays (PDPs), electrochromic displays (ECDs), and electroluminescent displays (ELDs) can easily form electrodes or wires with excellent adhesion to substrates at desired resolutions. This is effective in all cases where a conductive layer is used for miniaturization of TFTs, high performance, or low resistance of wirings such as liquid crystal displays.

본 발명에 있어서의 바람직한 액정표시장치는 드라이 성막을 대신하여, 습식성막에 의한 전극 또는 배선의 형성이 요구될 경우나, 표시 면적의 대면적화가 요구될 경우에 매우 유용하다. 또한, 본 발명에 있어서의 바람직한 액티브 매트릭스형 표시장치는 플랫 패널 디스플레이 뿐만아니라, 플랫 패널형 이미지센서에도 적용할 수 있고, 본 발명의 박층 트랜지스터(TFT 소자라고도 한다.)를 조립한 액티브 매트릭스 기판은 각종 액정표시장치에 바람직하게 사용할 수 있다.The preferred liquid crystal display device of the present invention is very useful in the case where the formation of electrodes or wirings by a wet film is required in place of dry film formation, or when a large display area is required. In addition, the preferred active matrix display device in the present invention can be applied not only to flat panel displays but also to flat panel image sensors, and the active matrix substrate in which the thin layer transistor (also referred to as a TFT element) of the present invention is assembled is It can be used suitably for various liquid crystal display devices.

(실시예)(Example)

이하, 본 발명에 대해서 실시예를 들어서 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated concretely, this invention is not limited to this.

합성예 1: 중합 개시층 형성 폴리머 T1Synthesis Example 1 Polymerization Initiation Layer Formation Polymer T1

일가큐아 2959(Chiba Specialty Chemicals Co.,Ltd.제작) 9.00g을 THF 30mL에 용해하고, p-메톡시페놀 20mg과 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 6.28g, 디부틸틴디라우레이트 81mg을 첨가하고, 50℃, 4시간 반응시켰다. 용매를 감압 제거하고, 아세트산 에틸헥산을 사용하여 재결정하여 백색 고체를 얻었다.9.00 g of Ilgacua 2959 (manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.) was dissolved in 30 mL of THF, and 20 mg of p-methoxyphenol, 6.28 g of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, and 81 mg of dibutyl tin dilaurate were added. And it was made to react at 50 degreeC for 4 hours. The solvent was removed under reduced pressure and recrystallized using ethyl hexane to give a white solid.

이어서, 이 백색고체 10g을 메틸에틸케톤 50mL에 용해, 글리시딜메타크릴레이트 15.7g, AIBN 140mg을 첨가하고, 70℃에서 가온, 6시간 반응시켰다. 그 후에 이 용액을 헥산으로 재침전함으로써 중합 개시층 형성 폴리머 T1을 얻었다.Subsequently, 10 g of this white solid was dissolved in 50 mL of methyl ethyl ketone, 15.7 g of glycidyl methacrylate and 140 mg of AIBN were added, followed by heating at 70 ° C. for 6 hours. Then, this solution was reprecipitated with hexane and the polymerization start layer formation polymer T1 was obtained.

또한, 중합 개시층 형성 폴리머 T1은 화합물(Q-Y)의 구체예로서 열거된 예시 화합물 T1이다.In addition, polymerization start layer formation polymer T1 is exemplary compound T1 listed as an example of compound (Q-Y).

합성예 2: 중합 개시층 형성 폴리머 T2Synthesis Example 2: Polymerization Initiation Layer Formation Polymer T2

2,4-비스트리클로로메틸-6-(4-히드록시페닐)트리아진 16.4g을 THF 50mL에 용해하고, p-메톡시페놀 20mg과 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 6.28g, 디부틸틴디라우레이트 81mg을 첨가하고, 50℃, 4시간 반응시켰다. 용매를 감압 제거하고, 아세트산 에틸-헥산을 사용해 재결정하여 황색 고체를 얻었다.16.4 g of 2,4-bistrichloromethyl-6- (4-hydroxyphenyl) triazine was dissolved in 50 mL of THF, 20 mg of p-methoxyphenol, 6.28 g of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, and dibutyl 81 mg of tindilaurate was added, and it was made to react at 50 degreeC for 4 hours. The solvent was removed under reduced pressure and recrystallized with ethyl acetate-hexane to give a yellow solid.

다음에 이 황색 고체 10g을 디메틸아세트아미드 168mL에 용해, 글리시딜메타크릴레이트 8.85g, AIBN 140mg을 첨가하고, 70℃에서 가온, 6시간 반응시켰다. 그 후, 이 용액을 헥산으로 재침전시킴으로써 중합 개시층 형성 폴리머 T2를 얻었다. 또한, 중합 개시층 형성 폴리머 T2는 화합물(Q-Y)의 구체예로서 열거된 예시 화합물 T2이다.Next, 10 g of this yellow solid was dissolved in 168 mL of dimethylacetamide, 8.85 g of glycidyl methacrylate and 140 mg of AIBN were added, followed by heating at 70 ° C. for 6 hours. Then, this solution was reprecipitated with hexane and the polymerization start layer formation polymer T2 was obtained. In addition, polymerization start layer formation polymer T2 is exemplary compound T2 listed as an example of compound (Q-Y).

합성예 3: 친수성 폴리머 P1Synthesis Example 3: Hydrophilic Polymer P1

폴리아크릴산(평균 분자량 25,000) 18g을 DMAc 300g에 용해하고, 하이드로퀴논 0.41g과 2-아크릴로일옥시메틸이소시아네이트 3.53g과 디부틸틴디라우레이트 0.25g을 첨가하여 65℃, 4시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 산가는 7.02meq/g이었다. 1N 수산화 나트륨 수용액으로 카르복실기를 중화하고, 아세트산 에틸에 가하여 폴리머를 침전시키고, 잘 세정하여 친수성 폴리머 P1을 얻었다.18 g of polyacrylic acid (average molecular weight 25,000) was dissolved in 300 g of DMAc, 0.41 g of hydroquinone, 3.53 g of 2-acryloyloxymethyl isocyanate, and 0.25 g of dibutyl tin dilaurate were added and reacted at 65 DEG C for 4 hours. The acid value of the obtained polymer was 7.02 meq / g. The carboxyl group was neutralized with 1N aqueous sodium hydroxide solution, added to ethyl acetate to precipitate the polymer, and washed well to obtain hydrophilic polymer P1.

합성예 4: 친수성 폴리머 P2Synthesis Example 4 Hydrophilic Polymer P2

폴리아크릴산(평균 분자량 25,000) 18g을 DMAc 300g에 용해하고, 글리콜산 메틸 9.00g과 탄산수소나트륨 22g을 첨가하여 60℃, 8시간 반응시켰다. 그 후, 1N염산을 사용하여 중화하고, 이어서 하이드로퀴논 0.41g과 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트 21.2g과 디부틸틴디라우레이트 0.40g을 첨가하여 65℃, 4시간 반응시켰다. 이 용액을 아세트산 에틸에 가하여 폴리머를 침전시키고, 잘 세정하여 친수성 폴리머 P2를 얻었다.18 g of polyacrylic acid (average molecular weight 25,000) was dissolved in 300 g of DMAc, and 9.00 g of methyl glycolate and 22 g of sodium hydrogen carbonate were added and reacted at 60 ° C for 8 hours. Thereafter, the mixture was neutralized with 1N hydrochloric acid, and then 0.41 g of hydroquinone, 21.2 g of 2-acryloyloxyethyl isocyanate, and 0.40 g of dibutyl tin dilaurate were added and reacted at 65 ° C for 4 hours. This solution was added to ethyl acetate to precipitate the polymer, and washed well to obtain hydrophilic polymer P2.

합성예 5: 중합 개시층 형성 폴리머 T7Synthesis Example 5 Polymerization Initiation Layer Formation Polymer T7

이가큐아(Irgacure) 2959(Chiba Specialty Chemicals Co.,Ltd. 제작) 9.00g을 THF 30mL에 용해하고, p-메톡시페놀 20mg과 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 6.28g, 디부틸틴디라우레이트 81mg을 첨가하여 50℃, 4시간 반응시켰다. 용매를 감압 제거하고, 아세트산 에틸-헥산을 사용하여 재결정하여 백색고체를 얻었다.9.00 g of Irgacure 2959 (manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.) was dissolved in 30 mL of THF, 20 mg of p-methoxyphenol and 6.28 g of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, dibutyl tin dilaurate 81 mg was added and reacted at 50 degreeC for 4 hours. The solvent was removed under reduced pressure and recrystallized with ethyl acetate-hexane to obtain a white solid.

이어서, 이 백색고체 10.0g을 메틸에틸케톤 35mL에 용해, 3-(트리메톡시실릴)프로필메타크릴레이트 1.64g, AIBN 65.0mg을 첨가하고, 70℃에서 가온, 6시간반응시켰다. 그 후, 이 용액을 헥산으로 재침전함으로써 중합 개시층 형성 폴리머 T7를 얻었다.Subsequently, 10.0 g of this white solid was dissolved in 35 mL of methyl ethyl ketone, 1.64 g of 3- (trimethoxysilyl) propyl methacrylate and 65.0 mg of AIBN were added, followed by heating at 70 ° C for 6 hours. Then, this solution was reprecipitated with hexane and the polymerization start layer formation polymer T7 was obtained.

또한, 중합 개시층 형성 폴리머 T7는 화합물(Q-Y)의 구체예로서 열거한 예시 화합물 T7이다.In addition, the polymerization start layer formation polymer T7 is exemplary compound T7 listed as a specific example of a compound (Q-Y).

합성예 6: 중합 개시층 형성 폴리머 T8Synthesis Example 6 Polymerization Initiation Layer Formation Polymer T8

N-[4-[4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진-2-일]-4-히드록시벤즈아미드(FujiFilm Corporation 제작) 40.0g을 THF 200mL에 용해하고, 트리에틸아민 15.8mL, 피리딘 0.60mL을 첨가하고, 빙욕으로 0℃에서 냉각하고, 무수 메타크릴산 12.3g을 적하, 실온에서 12시간 교반, 그 후 용매를 감압 제거하여 유상물을 얻었다. 이 유상물을 헥산으로 결정화하고, 아세토니트릴로 세정하여 황색 고체를 얻었다.40.0 g of N- [4- [4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazin-2-yl] -4-hydroxybenzamide (manufactured by FujiFilm Corporation) was dissolved in 200 mL of THF, Then, 15.8 mL of triethylamine and 0.60 mL of pyridine were added, the mixture was cooled at 0 ° C. in an ice bath, 12.3 g of methacrylic anhydride was added dropwise, stirred at room temperature for 12 hours, and then the solvent was removed under reduced pressure to obtain an oily substance. This oily substance was crystallized from hexane and washed with acetonitrile to obtain a yellow solid.

이어서, 이 황색 고체 10g을 N, N-디메틸아세트아미드 62.2mL에 용해, 3- (트리메톡시실릴)프로필메타크릴레이트 0.46g, AIBN 115mg 첨가하고, 70℃에서 가온, 6시간 반응시켰다. 그 후, 반응 용액에 THF 30mL를 가하고, 헥산으로 최침전함으로써, 중합 개시층 형성 폴리머 T8를 얻었다.Subsequently, 10 g of this yellow solid was dissolved in 62.2 mL of N and N-dimethylacetamide, 0.46 g of 3- (trimethoxysilyl) propyl methacrylate and 115 mg of AIBN were added, followed by heating at 70 ° C. for 6 hours. Thereafter, 30 mL of THF was added to the reaction solution, and the precipitate was precipitated with hexane to obtain a polymerization initiation layer-forming polymer T8.

또한, 중합 개시층 형성 폴리머 T8은 화합물(Q-Y)의 구체예로서 열거한 예시 화합물 T8이다.In addition, the polymerization start layer formation polymer T8 is exemplary compound T8 listed as a specific example of a compound (Q-Y).

합성예 7: 중합 개시층 형성 폴리머 T9Synthesis Example 7: Polymerization Initiation Layer Formation Polymer T9

이가큐아 2959(Chiba Specialty Chemicals Co.,Ltd. 제작) 9.00g을 THF 30mL에 용해하고, p-메톡시페놀 20mg과 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 6.28g, 디부틸틴디라우레이트 81mg을 첨가하고, 50℃, 4시간 반응시켰다. 용매를 감압 제거하고, 아세트산 에틸-헥산을 사용하여 재결정하여 백색 고체를 얻었다.Dissolve 9.00 g of Igacua 2959 (manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.) in 30 mL of THF, add 20 mg of p-methoxyphenol, 6.28 g of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, and 81 mg of dibutyltin dilaurate. And it was made to react at 50 degreeC for 4 hours. The solvent was removed under reduced pressure and recrystallized with ethyl acetate-hexane to give a white solid.

다음에 이 백색고체 10.0g을 메틸에틸케톤 132mL에 용해하고, 이어서, 카렌즈(Karenz) MOI(Showa Denko K.K. 제작) 8.18g, 벤질메타크릴레이트 9.29g, AIBN 287mg을 첨가하고, 70℃에서 가온, 6시간 반응시켰다. 그 후에 이 용액을 헥산으로 재침전함으로써 중합 개시층 형성 폴리머 T9를 얻었다.Next, 10.0 g of this white solid was dissolved in 132 mL of methyl ethyl ketone, followed by 8.18 g of Karenz MOI (manufactured by Showa Denko KK), 9.29 g of benzyl methacrylate, and 287 mg of AIBN, followed by heating at 70 ° C. It was reacted for 6 hours. Thereafter, this solution was reprecipitated with hexane to obtain a polymerization initiation layer-forming polymer T9.

또한, 중합 개시층 형성 폴리머 T9는 화합물(Q-Y)의 구체예로서 열거한 예시 화합물 T9이다.In addition, the polymerization start layer formation polymer T9 is exemplary compound T9 enumerated as a specific example of a compound (Q-Y).

합성예 8: 중합 개시층 형성 폴리머 T10Synthesis Example 8: Polymerization Initiation Layer Formation Polymer T10

N-[4-[4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진-2-일]-4-히드록시벤즈아미드(FujiFilm Corporation 제작) 40.0g을 THF 200mL에 용해하고, 트리에틸아민 15.8mL, 피리딘 0.60mL을 첨가하고, 빙욕으로 0℃에서 냉각하고, 무수 메타크릴산 12.3g을 적하하고, 실온에서 12시간 교반하고, 그 후 용매를 감압 제거하여 유상물을 얻었다. 이 유상물을 헥산으로 결정화하고, 아세토니트릴로 세정하여 황색 고체를 얻었다.40.0 g of N- [4- [4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazin-2-yl] -4-hydroxybenzamide (manufactured by FujiFilm Corporation) was dissolved in 200 mL of THF, 15.8 mL of triethylamine and 0.60 mL of pyridine were added, cooled at 0 ° C. in an ice bath, 12.3 g of methacrylic anhydride was added dropwise, stirred at room temperature for 12 hours, and then the solvent was removed under reduced pressure to obtain an oily substance. . This oily substance was crystallized from hexane and washed with acetonitrile to obtain a yellow solid.

이어서, 이 황색 고체 10g을 N,N-디메틸아세트아미드 84.0mL에 용해하고, 글리시딜메타크릴레이트 7.17g, 벤질메타크릴레이트 2.96g, AIBN 179mg 첨가하고, 70℃에서 가온, 6시간 반응시켰다. 그 후, 반응 용액에 THF 50mL을 가하고, 헥산으로 재침전시킴으로써, 중합 개시층 형성 폴리머 T10을 얻었다.Subsequently, 10 g of this yellow solid was dissolved in 84.0 mL of N, N-dimethylacetamide, 7.17 g of glycidyl methacrylate, 2.96 g of benzyl methacrylate, and 179 mg of AIBN were added, followed by heating at 70 ° C. for 6 hours. . Thereafter, 50 mL of THF was added to the reaction solution and reprecipitated with hexane to obtain a polymerization start layer-forming polymer T10.

또한, 중합 개시층 형성 폴리머 T10은 화합물(Q-Y)의 구체예로서 열거한 예시 화합물 T10이다.In addition, the polymerization start layer formation polymer T10 is exemplary compound T10 enumerated as a specific example of a compound (Q-Y).

실시예 1Example 1

(광개열 화합물 결합 공정)(Photo cleavage compound bonding process)

유리 기판(Nippon Sheet Glass Co., Ltd. 제작)에, UV오존 클리너(UV 42, Japan Laser Corporation 제작)을 사용하여 10분간 UV오존 처리를 행함으로써 표면세정을 행하였다.Surface cleaning was performed to a glass substrate (made by Nippon Sheet Glass Co., Ltd.) by UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV 42, manufactured by Japan Laser Corporation).

다음에 상기 예시 화합물 T1을 탈수 에틸메틸케톤(2-부타논)에 용해시켜 20 질량% 용액을 조제하고, 이것을 상기의 기판 표면에 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 스핀코트 후, 상기 유리 기판을 170℃에서 1시간 가열하고, 표면을 에틸메틸케톤으로 세정하였다. 그 후, 에어 건으로 건조하여 예시 화합물 T1이 유리 기판에 결합해서 이루어지는 중합 개시층을 갖는 기판 A1을 얻었다(중합 개시층의 두께: 5.0㎛).Next, the exemplary compound T1 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 20 mass% solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 170 ° C. for 1 hour and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Then, it dried with the air gun and obtained the board | substrate A1 which has a superposition | polymerization initiation layer formed by combining Example compound T1 with a glass substrate (thickness of a polymerization initiation layer: 5.0 micrometers).

(그래프트 폴리머 생성 공정)(Graft polymer production process)

상기 합성예 3에서 얻어진 친수성 폴리머 P1 0.5g을 탄산수소나트륨 수용액 4.62g, 디메틸아세트아미드(DMAc) 0.05g 및 아세토니트릴 1.5g의 혼합 용매에 용해시켜서 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액으로 하였다.0.5 g of hydrophilic polymer P1 obtained in Synthesis Example 3 was dissolved in a mixed solvent of 4.62 g of sodium bicarbonate aqueous solution, 0.05 g of dimethylacetamide (DMAc) and 1.5 g of acetonitrile to obtain a coating liquid for graft polymer precursor layer formation.

상기에서 얻어진 상기 기판 A1의 편면 표면에 상기 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액을 스핀코트하였다. 스핀 코터는 우선 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액을 도포 후의 기판을 80℃에서 5분간 건조하여 그래프트 폴리머 전구체층을 형성하였다.The coating liquid for graft polymer precursor layer formation was spin-coated on the single side | surface surface of the said board | substrate A1 obtained above. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. The board | substrate after apply | coating the coating liquid for graft polymer precursor layer formation was dried at 80 degreeC for 5 minutes, and the graft polymer precursor layer was formed.

(노광)(Exposure)

그래프트 폴리머 전구체층 형성 후의 기판 A1을, 노광기(유니 큐어 UVX-02516S1LP01, Ushio Inc.제작)로 소정의 패턴에 따라서 노광하였다. 노광 후, 기판표면을 와이퍼(벤코트, Ozu Corporation 제작)로 가볍게 문지르면서 물로 세정하고, 이어서 아세톤으로 세정하였다.The substrate A1 after the graft polymer precursor layer formation was exposed in accordance with a predetermined pattern with an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by Ushio Inc.). After the exposure, the substrate surface was washed with water while gently rubbed with a wiper (Bencourt, manufactured by Ozu Corporation), followed by washing with acetone.

이상과 같이 하여 표면에 패턴상으로 형성된 그래프트 폴리머층을 갖는 유리 기판 B1을 형성하였다.As described above, the glass substrate B1 having the graft polymer layer formed in a pattern on the surface was formed.

얻어진 패턴을 원자간 현미경 AFM(나노픽스 1000, Seiko Instruments Inc.제작, DFM 캔틸레버(Cantilever) 사용)으로 관찰하였다. 그 결과, 유리 기판 B1의 표면에 선폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 패턴이 형성되어 있는 것이 확인되었다.The obtained pattern was observed with an atomic microscope AFM (nanopix 1000, manufactured by Seiko Instruments Inc., using a DFM cantilever). As a result, it was confirmed that the pattern in which the line width 10 micrometers and the pore width 10 micrometers alternately exist is formed in the surface of the glass substrate B1.

(도전성 소재층 형성 공정)(Conductive Material Layer Formation Process)

<무전해 도금><Electroless Plating>

얻어진 유리 기판 B1을 질산은(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작) 1.0% 수용액에 1분간 침지하고, 물로 세정하여 에어 건으로 건조하였다. 그 후, 하기 조성의 무전해 도금욕(pH: 12.4)에 30분간 침지하여 무전해 도금을 행하였다.무전해 도금 후, 물로 세정하여 에어 건으로 건조하였다.The obtained glass substrate B1 was immersed in 1.0% aqueous solution of silver nitrate (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) for 1 minute, washed with water, and dried with an air gun. Thereafter, electroless plating was performed by immersing in an electroless plating bath (pH: 12.4) having the following composition for 30 minutes. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

-무전해 도금욕의 조성-Composition of electroless plating bath

물 300g300 g of water

황산동(II) 5수화물 3.0g3.0 g of copper sulfate (II) sulfate

EDTA-2Na 2수화물 8.9gEDTA-2Na dihydrate 8.9 g

폴리에틸렌글리콜(평균 분자량 1000) 0.03gPolyethylene glycol (average molecular weight 1000) 0.03 g

2,2'-비피리딜 0.3mg0.3 mg 2,2'-bipyridyl

에틸렌디아민 0.12g0.12 g of ethylenediamine

수산화 나트륨 2.5gSodium hydroxide 2.5g

포름알데히드 수용액(36.0∼38.0%) 1.6g1.6 g of formaldehyde aqueous solution (36.0-38.0%)

이 표면을 전자현미경(Miniscope TM-1000 HITACHI 제작)으로 관찰한 바, 선 폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 도전성 패턴 1이 형성되어 있는 것이 확인되었다.This surface was observed with an electron microscope (manufactured by Miniscope TM-1000 HITACHI) to find that conductive pattern 1 having a line width of 10 m and a pore width of 10 m alternately was formed.

실시예 2Example 2

(광개열 화합물 결합 공정)(Photo cleavage compound bonding process)

유리 기판(Nippon Sheet Glass Co., Ltd.제작)에, UV 오존 클리너(UV 42, Japan Laser Corporation 제작)를 사용하여 10분간 UV오존 처리를 행함으로써 표면세정을 행하였다.Surface cleaning was performed to a glass substrate (made by Nippon Sheet Glass Co., Ltd.) by UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV 42, manufactured by Japan Laser Corporation).

이어서, 상기 예시 화합물 2를 탈수 에틸메틸케톤(2-부타논)에 용해시켜 15질량% 용액을 조제하고, 이것을 상기의 기판 표면에 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 스핀코트 후, 상기 유리 기판을 170℃에서 1시간 가열하고, 표면을 에틸메틸케톤으로 세정하였다. 그 후, 에어 건으로 건조하고, 예시 화합물 T2가 유리 기판에 결합되어 이루어지는 중합 개시층을 갖는 기판 A2를 얻었다 (중합 개시층의 두께: 4.1㎛).Subsequently, the exemplary compound 2 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 15 mass% solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 170 ° C. for 1 hour and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Then, it dried with the air gun and obtained the board | substrate A2 which has a superposition | polymerization initiation layer by which Example compound T2 is couple | bonded with the glass substrate (thickness of a polymerization initiation layer: 4.1 micrometer).

(그래프트 폴리머 생성 공정)(Graft polymer production process)

상기 합성예 4에서 얻어진 친수성 폴리머 P2 0.5g을 탄산수소나트륨 수용액 4.62g, 디메틸아세트아미드(DMAc) 0.05g 및 아세토니트릴 1.5g의 혼합 용매에 용해시켜서 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액으로 하였다.0.5 g of hydrophilic polymer P2 obtained in Synthesis Example 4 was dissolved in a mixed solvent of 4.62 g of sodium bicarbonate aqueous solution, 0.05 g of dimethylacetamide (DMAc) and 1.5 g of acetonitrile to obtain a coating liquid for graft polymer precursor layer formation.

상기에서 얻어진 상기 기판 A2의 편면 표면에 상기 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액을 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액을 도포 후의 기판 A2는 80℃에서 5분간 건조하여 그래프트 폴리머 전구체층을 형성하였다.The coating liquid for graft polymer precursor layer formation was spin-coated on the single side | surface surface of the said board | substrate A2 obtained above. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. Substrate A2 after applying the coating liquid for graft polymer precursor layer formation was dried at 80 degreeC for 5 minutes, and the graft polymer precursor layer was formed.

(노광)(Exposure)

그래프트 폴리머 전구체층 형성 후의 기판 A2를 노광기(유니 큐어 UVX-02516S1LP01, Ushio Inc.제작)로 소정의 패턴에 따라서 노광하였다. 노광 후, 기판표면을 와이퍼(벤코트, Ozu Corporation 제작)로 가볍게 문지르면서 물로 세정하고, 이어서 아세톤으로 세정하였다.Substrate A2 after the graft polymer precursor layer formation was exposed to a predetermined pattern with an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by Ushio Inc.). After the exposure, the substrate surface was washed with water while gently rubbed with a wiper (Bencourt, manufactured by Ozu Corporation), followed by washing with acetone.

이상과 같이 하여 표면에 패턴상으로 형성된 그래프트 폴리머층을 갖는 유리 기판 B2를 형성하였다.As described above, the glass substrate B2 having the graft polymer layer formed in a pattern on the surface was formed.

얻어진 패턴을 AFM(나노픽스 1000, Seiko Instruments Inc. 제작, DFM 캔틸레버 사용)으로 관찰하였다. 그 결과, 유리 기판 B2의 표면에 선폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 패턴이 형성되어 있는 것이 확인되었다.The obtained pattern was observed by AFM (nanopix 1000, the Seiko Instruments Inc. make, DFM cantilever). As a result, it was confirmed that the pattern in which the line width 10 micrometers and the pore width 10 micrometers alternately exist is formed in the surface of glass substrate B2.

(도전성 소재층 형성 공정)(Conductive Material Layer Formation Process)

<무전해 도금><Electroless Plating>

얻어진 유리 기판 B2를 질산은(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작) 1.0% 수용액에 1분간 침지하고, 물로 세정하여 에어 건으로 건조하였다.The obtained glass substrate B2 was immersed in 1.0% aqueous solution of silver nitrate (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) for 1 minute, washed with water, and dried with an air gun.

이어서, 하기 조성의 무전해 도금욕(시판품)에 30분간 침지하여 무전해 도금을 행하였다. 무전해 도금 후, 물로 세정해서 에어 건으로 건조하였다.Subsequently, it was immersed for 30 minutes in the electroless plating bath (commercially available product) of the following composition, and electroless plating was performed. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

-무전해 도금욕의 조성-Composition of electroless plating bath

물 258g258 g of water

ATS 아도카파 IW-A 15mLATS Adocapa IW-A 15mL

ATS 아도카파 IW-M 24mLATS Adocapa IW-M 24mL

ATS 아도카파 IW-C 3mLATS Adocapa IW-C 3mL

이 표면을 전자현미경(Miniscope TM-1000 HITACHI 제작)으로 관찰한 바, 선폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 도전성 패턴 2가 형성되어 있는 것이 확인되었다.This surface was observed with an electron microscope (manufactured by Miniscope TM-1000 HITACHI), and it was confirmed that a conductive pattern 2 having a line width of 10 m and a pore width of 10 m alternately was formed.

실시예 3Example 3

(광개열 화합물 결합 공정)(Photo cleavage compound bonding process)

유리 기판(Nippon Sheet Glass Co., Ltd.)에 UV오존 클리너(UV42, Japan Laser Corporation 제작)을 사용하여 10분간 UV오존 처리를 행함으로써 표면 세정을 행하였다. 그 유리 기판을 1질량%의 3-아미노프로필트리에톡시실란(Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd. 제작) 수용액에 침지하고, 10분간 정치하였다. 기판을 꺼내고, 증류수로 세정을 행하여 건조시켰다.Surface cleaning was performed by carrying out UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Japan Laser Corporation) on a glass substrate (Nippon Sheet Glass Co., Ltd.). This glass substrate was immersed in 1 mass% 3-aminopropyl triethoxysilane (made by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) aqueous solution, and left still for 10 minutes. The substrate was taken out, washed with distilled water and dried.

이어서, 상기 예시 화합물 T2를 탈수 에틸메틸케톤(2-부타논)에 용해시켜서 15질량% 용액을 조제하고, 이것을 상기의 기판 표면에 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 스핀코트 후, 상기 유리 기판을 170℃에서 1시간 가열하고, 표면을 에틸메틸케톤으로 세정하였다. 그 후, 에어 건으로 건조하고, 예시 화합물 T2가 유리 기판에 결합되어 이루어지는 중합 개시층을 갖는 기판 A3을 얻었다(중합 개시층의 두께: 4.1㎛).Subsequently, the exemplary compound T2 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 15 mass% solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 170 ° C. for 1 hour and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Then, it dried with the air gun and obtained the board | substrate A3 which has a polymerization start layer which the exemplary compound T2 is couple | bonded with the glass substrate (thickness of a polymerization start layer: 4.1 micrometers).

(그래프트 폴리머 생성 공정)(Graft polymer production process)

상기 합성예 4에서 얻어진 친수성 폴리머 P2 0.5g을 탄산수소나트륨 수용액 4.62g, 디메틸아세트아미드(DMAc) 0.05g 및 아세토니트릴 1.5g의 혼합 용매에 용해시켜서 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액으로 하였다.0.5 g of hydrophilic polymer P2 obtained in Synthesis Example 4 was dissolved in a mixed solvent of 4.62 g of sodium bicarbonate aqueous solution, 0.05 g of dimethylacetamide (DMAc) and 1.5 g of acetonitrile to obtain a coating liquid for graft polymer precursor layer formation.

상기에서 얻어진 기판 A3의 편면 표면에 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액을 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액의 도포 후의 기판 A3은 80℃에서 5분간 건조하여 그래프트 폴리머 전구체층을 형성하였다.The coating liquid for graft polymer precursor layer formation was spin-coated on the single side | surface surface of the board | substrate A3 obtained above. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. Substrate A3 after application | coating of the coating liquid for graft polymer precursor layer formation was dried at 80 degreeC for 5 minutes, and the graft polymer precursor layer was formed.

(노광)(Exposure)

그래프트 폴리머 전구체층 형성 후의 기판 A2를 노광기(유니 큐어 UVX-02516S1LP01, Ushio Inc. 제작)로 소정의 패턴에 따라서 노광하였다. 노광 후, 기판 표면을 와이퍼(벤코트, Ozu Corporation 제작)로 가볍게 문지르면서 물로 세정하고, 이어서 아세톤으로 세정하였다.Substrate A2 after the graft polymer precursor layer formation was exposed to a predetermined pattern with an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by Ushio Inc.). After exposure, the substrate surface was washed with water while lightly rubbed with a wiper (Bencourt, manufactured by Ozu Corporation), followed by washing with acetone.

이상과 같이 하여 표면에 패턴상으로 형성된 그래프트 폴리머층을 갖는 유리 기판 B3을 형성하였다.As described above, the glass substrate B3 having the graft polymer layer formed in a pattern on the surface was formed.

얻어진 패턴을 AFM(나노픽스 1000, Seiko Instruments Inc. 제작, DFM 캔틸레버 사용)으로 관찰하였다. 그 결과, 유리 기판 B3의 표면에 선폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 패턴이 형성되어 있는 것이 확인되었다.The obtained pattern was observed by AFM (nanopix 1000, the Seiko Instruments Inc. make, DFM cantilever). As a result, it was confirmed that the pattern in which the line width 10 micrometers and the pore width 10 micrometers alternately exist is formed in the surface of glass substrate B3.

(도전성 소재층 형성 공정)(Conductive Material Layer Formation Process)

<무전해 도금><Electroless Plating>

얻어진 유리 기판 B3을 질산은(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작) 1.0% 수용액에 1분간 침지하고, 물로 세정해서 에어 건으로 건조하였다. 그 후, 상 기 실시예 1 기재의 무전해 도금욕(pH: 12.4)에 30분간 침지해서 무전해 도금을 행하였다. 무전해 도금 후, 물로 세정해서 에어 건으로 건조하였다.The obtained glass substrate B3 was immersed in 1.0% aqueous solution of silver nitrate (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) for 1 minute, washed with water, and dried with an air gun. Thereafter, electroless plating was performed by immersion for 30 minutes in the electroless plating bath (pH: 12.4) described in Example 1 above. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

이 표면을 전자현미경(Miniscope TM-1000 HITACHI 제작)으로 관찰한 바, 선폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 도전성 패턴 3이 형성되어 있는 것이 확인되었다.This surface was observed with an electron microscope (manufactured by Miniscope TM-1000 HITACHI) to find that conductive pattern 3 having a line width of 10 m and a pore width of 10 m alternately was formed.

실시예 4Example 4

(광개열 화합물 결합 공정)(Photo cleavage compound bonding process)

유리 기판(Nippon Sheet Glass Co., Ltd. 제작)에 UV오존 클리너(UV42, Japan Laser Corporation 제작)을 사용하여 10분간 UV오존 처리를 행함으로써 표면 세정을 행하고, 그 기판을 3-아미노프로필트리메톡시실란의 1질량% 수용액에 10분간 침지, 물로 세정하고, 에어 건으로 건조하였다.The glass substrate (made by Nippon Sheet Glass Co., Ltd.) was subjected to surface cleaning by performing a UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Japan Laser Corporation), and the substrate was subjected to 3-aminopropyltrime. It was immersed in 1 mass% aqueous solution of oxysilane for 10 minutes, it wash | cleaned with water, and it dried with the air gun.

이어서, 상기 예시 화합물 T1을 탈수 에틸메틸케톤(2-부타논)에 용해시켜서 20질량% 용액을 조제하고, 이것을 상기의 기판 표면에 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선, 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 스핀코트 후, 상기 유리 기판을 170℃에서 1시간 가열하고, 표면을 에틸메틸케톤으로 세정하였다. 그 후, 에어 건으로 건조하고, 예시 화합물 T1이 유리 기판에 결합해서 이루어지는 중합 개시층을 갖는 기판 A4를 얻었다(중합 개시층의 두께: 5.0㎛).Subsequently, the exemplary compound T1 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 20 mass% solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 170 ° C. for 1 hour and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Then, it dried with the air gun and obtained the board | substrate A4 which has a polymerization start layer which the exemplary compound T1 couple | bonds with a glass substrate (thickness of a polymerization start layer: 5.0 micrometers).

(그래프트 폴리머 생성 공정)(Graft polymer production process)

상기 합성예 3에서 얻어진 친수성 폴리머 P1 0.5g을 탄산수소나트륨 수용액 4.62g, 디메틸아세트아미드(DMAc) 0.05g 및 아세토니트릴 1.5g의 혼합 용매에 용해 시켜서 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액으로 하였다.0.5 g of the hydrophilic polymer P1 obtained in Synthesis Example 3 was dissolved in a mixed solvent of 4.62 g of sodium bicarbonate aqueous solution, 0.05 g of dimethylacetamide (DMAc) and 1.5 g of acetonitrile to obtain a coating liquid for forming a graft polymer precursor layer.

상기에서 얻어진 상기 기판 A4의 편면 표면에 상기 그래프트 형성층용 도포액을 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액을 도포 후의 기판을, 80℃에서 5분간 건조하여 그래프트 폴리머 전구체층을 형성하였다.The coating liquid for graft formation layers was spin-coated on the single side | surface surface of the said board | substrate A4 obtained above. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. The board | substrate after apply | coating the coating liquid for graft polymer precursor layer formation was dried at 80 degreeC for 5 minutes, and the graft polymer precursor layer was formed.

(노광)(Exposure)

그래프트 폴리머 전구체층 형성 후의 기판 A1을 노광기(유니 큐어 UVX-02516S1LP01, Ushio Inc.제작)로 소정의 패턴에 따라서 노광하였다. 노광 후, 기판표면을 와이퍼(벤코트, Ozu Corporation 제작)로 가볍게 문지르면서 물로 세정하고, 이어서 아세톤으로 세정하였다.Substrate A1 after the graft polymer precursor layer formation was exposed to a predetermined pattern with an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by Ushio Inc.). After the exposure, the substrate surface was washed with water while gently rubbed with a wiper (Bencourt, manufactured by Ozu Corporation), followed by washing with acetone.

이상과 같이 하여 표면에 패턴상으로 형성된 그래프트 폴리머 형성층을 갖는 유리 기판 B4를 형성하였다.As described above, the glass substrate B4 having the graft polymer forming layer formed in a pattern on the surface was formed.

얻어진 패턴을 원자간 현미경 AFM(나노픽스 1000, Seiko Instruments Inc.제작, DFM 캔틸레버 사용)으로 관찰하였다. 그 결과, 유리 기판 B4의 표면에 선폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 패턴이 형성되어 있는 것이 확인되었다.The obtained pattern was observed with an atomic microscope AFM (nanopix 1000, manufactured by Seiko Instruments Inc., using a DFM cantilever). As a result, it was confirmed that the pattern in which the line width 10 micrometers and the pore width 10 micrometers alternately exist is formed in the surface of glass substrate B4.

(도전성 소재층 형성 공정)(Conductive Material Layer Formation Process)

<무전해 도금><Electroless Plating>

얻어진 유리 기판 B4를 질산은(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작) 1.0% 수용액에 1분간 침지하고, 물로 세정해서 에어 건으로 건조하였다. 그 후, 실시예 2기재의 시판 무전해 도금욕(ATS 아도카파, pH=12.7, Okuno Pharmaceuticals Incorporated Company 제작)에 20분간 침지하여 무전해 도금을 행하였다. 무전해 도금 후, 물로 세정해서 에어 건으로 건조하였다.The obtained glass substrate B4 was immersed in 1.0% aqueous solution of silver nitrate (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) for 1 minute, washed with water, and dried with an air gun. Thereafter, electroless plating was performed by immersing in a commercially available electroless plating bath (ATS Adocapa, pH = 12.7, manufactured by Okuno Pharmaceuticals Incorporated Company) of Example 2 for 20 minutes. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

이 표면을 전자현미경(Miniscope TM-1000 HITACHI 제작)으로 관찰한 바, 선폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 도전성 패턴 4가 형성되어 있는 것이 확인되었다.This surface was observed with an electron microscope (manufactured by Miniscope TM-1000 HITACHI), and it was confirmed that a conductive pattern 4 having a line width of 10 m and a pore width of 10 m alternately was formed.

실시예 5Example 5

(광개열 화합물 결합 공정)(Photo cleavage compound bonding process)

유리 기판(Nippon Sheet Glass Co., Ltd.제작)에 UV오존 클리너(UV42, Japan Laser Corporation 제작)을 사용하여 10분간 UV오존 처리를 행함으로써 표면 세정을 행하였다.Surface cleaning was performed by performing UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Japan Laser Corporation) on a glass substrate (manufactured by Nippon Sheet Glass Co., Ltd.).

다음에 상기 예시 화합물 T7을 탈수 에틸메틸케톤(2-부타논)에 용해시켜서 20질량% 용액을 조제하고, 이것을 상기의 기판 표면에 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 스핀코트 후, 상기 유리 기판을 80℃에서 20분간 가열하고, 표면을 에틸메틸케톤으로 세정하였다. 그 후, 에어 건으로 건조하고, 예시 화합물 T7이 유리 기판에 결합되어 이루어지는 중합 개시층을 갖는 기판 A5를 얻었다(중합 개시층의 두께: 5.4㎛).Next, the exemplary compound T7 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 20 mass% solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 80 ° C. for 20 minutes and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Then, it dried with the air gun and obtained the board | substrate A5 which has a polymerization start layer which the exemplary compound T7 couple | bonds with a glass substrate (thickness of a polymerization start layer: 5.4 micrometers).

(그래프트 폴리머 생성 공정)(Graft polymer production process)

상기 합성예 3에서 얻어진 친수성 폴리머 P1 0.5g을 탄산수소나트륨 수용액 4.62g, 디메틸아세트아미드(DMAc) 0.05g 및 아세토니트릴 1.5g의 혼합 용매에 용해시켜서 그래프트 형성층용 도포액으로 하였다.0.5 g of the hydrophilic polymer P1 obtained in Synthesis Example 3 was dissolved in a mixed solvent of 4.62 g of an aqueous sodium bicarbonate solution, 0.05 g of dimethylacetamide (DMAc), and 1.5 g of acetonitrile to obtain a coating solution for the graft forming layer.

상기에서 얻어진 상기 기판 A5의 편면 표면에 상기 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액을 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 그래프트 폴리머 전구체층 형성층용 도포액을 도포후의 기판을 80℃에서 5분간 건조하여 그래프트 폴리머 전구체층을 형성하였다.The coating liquid for graft polymer precursor layer formation was spin-coated on the single side | surface surface of the said board | substrate A5 obtained above. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. The board | substrate after apply | coating the coating liquid for graft polymer precursor layer forming layer was dried at 80 degreeC for 5 minutes, and the graft polymer precursor layer was formed.

(노광)(Exposure)

그래프트 폴리머 전구체층 형성 후의 기판 A5를 노광기(유니 큐어 UVX-02516S1LP01, Ushio Inc.제작)로 소정의 패턴에 따라서 노광하였다. 노광 후, 기판표면을 와이퍼(벤코트, Ozu Corporation 제작)로 가볍게 문지르면서 물로 세정하고, 이어서, 아세톤으로 세정하였다.Substrate A5 after the graft polymer precursor layer formation was exposed to a predetermined pattern with an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by Ushio Inc.). After the exposure, the substrate surface was washed with water while lightly rubbed with a wiper (Bencourt, manufactured by Ozu Corporation), followed by washing with acetone.

이상과 같이 하여 표면에 패턴상으로 형성된 그래프트 폴리머층을 갖는 유리 기판 B5를 형성하였다.As described above, the glass substrate B5 having the graft polymer layer formed in a pattern on the surface was formed.

얻어진 패턴을 원자간 현미경 AFM(나노픽스 1000, Seiko Instruments Inc.제작, DFM 캔틸레버 사용)으로 관찰하였다. 그 결과, 유리 기판 B5의 표면에 선폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 패턴이 형성되어 있는 것이 확인되었다.The obtained pattern was observed with an atomic microscope AFM (nanopix 1000, manufactured by Seiko Instruments Inc., using a DFM cantilever). As a result, it was confirmed that the pattern in which the line width of 10 micrometers and the pore width of 10 micrometers alternately exist is formed in the surface of glass substrate B5.

(도전성 소재층 형성 공정)(Conductive Material Layer Formation Process)

<무전해 도금><Electroless Plating>

얻어진 유리 기판 B5를 질산은(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작) 1.0% 수용액에 1분간 침지하고, 물로 세정해서 에어 건으로 건조하였다. 그 후, 하기 조성의 무전해 도금욕(pH:12.4)에 30분간 침지해서 무전해 도금을 행하였다. 무전해 도금 후, 물로 세정해서 에어 건으로 건조하였다.The obtained glass substrate B5 was immersed in 1.0% aqueous solution of silver nitrate (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) for 1 minute, washed with water, and dried with an air gun. Then, it immersed for 30 minutes in the electroless plating bath (pH: 12.4) of the following composition, and electroless plating was performed. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

-무전해 도금욕의 조성-Composition of electroless plating bath

물 300g300 g of water

황산동(II) 5수화물 3.0g3.0 g of copper sulfate (II) sulfate

EDTA-2Na 2수화물 8.9gEDTA-2Na dihydrate 8.9 g

폴리에틸렌글리콜(평균 분자량1000) 0.03gPolyethylene glycol (average molecular weight 1000) 0.03 g

2,2'-비피리딜 0.3mg0.3 mg 2,2'-bipyridyl

에틸렌디아민 0.12g0.12 g of ethylenediamine

수산화 나트륨 2.5gSodium hydroxide 2.5g

포름알데히드 수용액(36.0∼38.0%) 1.6g1.6 g of formaldehyde aqueous solution (36.0-38.0%)

이 표면을 전자 현미경(Miniscope TM-1000 HITACHI 제작)으로 관찰한 바, 선폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 도전성 패턴 5이 형성되어 있는 것이 확인되었다.This surface was observed with an electron microscope (manufactured by Miniscope TM-1000 HITACHI) to find that conductive pattern 5 having a line width of 10 m and a pore width of 10 m alternately was formed.

실시예 6Example 6

(광개열 화합물 결합 공정)(Photo cleavage compound bonding process)

유리 기판(Nippon Sheet Glass Co., Ltd.)에 UV오존 클리너(UV42, Japan Laser Corporation 제작)를 사용하여 10분간 UV오존 처리를 행함으로써 표면 세정을 행하고, 그 기판을 3-아미노프로필트리메톡시실란의 1중량% 수용액에 10분간 침지, 물로 세정하고, 에어 건으로 건조하였다.The surface was cleaned by performing UV ozone treatment on a glass substrate (Nippon Sheet Glass Co., Ltd.) using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Japan Laser Corporation) for 10 minutes, and the substrate was subjected to 3-aminopropyltrimethoxy. It was immersed in a 1 wt% aqueous solution of silane for 10 minutes, washed with water, and dried with an air gun.

이어서, 상기 예시 화합물 T9를 탈수 에틸메틸케톤(2-부타논)에 용해시켜서 10질량% 용액을 조제하고, 이것을 상기의 기판 표면에 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 스핀코트 후, 상기 유리 기판을 120℃에서 40분간 가열하고, 표면을 에틸메틸케톤으로 세정하였다. 그 후, 에어 건으로 건조하고, 예시 화합물 T1이 유리 기판에 결합되어 이루어지는 중합 개시층을 갖는 기판 A6을 얻었다(중합 개시층의 두께: 2.6㎛).Subsequently, the exemplary compound T9 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 10 mass% solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 120 ° C. for 40 minutes and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Then, it dried with the air gun and obtained the board | substrate A6 which has a superposition | polymerization initiation layer by which Example compound T1 is couple | bonded with the glass substrate (thickness of a polymerization initiation layer: 2.6 micrometers).

(그래프트 폴리머 생성 공정)(Graft polymer production process)

상기 합성예 4에서 얻어진 친수성 폴리머 P2 0.5g을 탄산수소나트륨 수용액 4.62g, 디메틸아세트아미드(DMAc) 0.05g 및 아세토니트릴 1.5g의 혼합 용매에 용해시켜서 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액으로 하였다.0.5 g of hydrophilic polymer P2 obtained in Synthesis Example 4 was dissolved in a mixed solvent of 4.62 g of sodium bicarbonate aqueous solution, 0.05 g of dimethylacetamide (DMAc) and 1.5 g of acetonitrile to obtain a coating liquid for graft polymer precursor layer formation.

상기에서 얻어진 상기 기판 A6의 편면 표면에 상기 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액을 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 그래프트 형성층용 도포액 도포 후의 기판 A6은 80℃에서 5분간 건조하여 그래프트 폴리머 전구체층을 형성하였다.The coating liquid for graft polymer precursor layer formation was spin-coated on the single side | surface surface of the said board | substrate A6 obtained above. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. Substrate A6 after application | coating of the coating liquid for graft formation layers was dried at 80 degreeC for 5 minutes, and the graft polymer precursor layer was formed.

(노광)(Exposure)

그래프트 폴리머 전구체층 형성 후의 기판 A6을 노광기(유니 큐어 UVX-02516S1LP01, Ushio Inc. 제작)로 소정의 패턴에 따라서 노광하였다. 노광 후, 기판 표면을 와이퍼(벤코트, Ozu Corporation 제작)로 가볍게 문지르면서 물로 세정하고, 이어서 아세톤으로 세정하였다.Substrate A6 after the graft polymer precursor layer formation was exposed to a predetermined pattern with an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by Ushio Inc.). After exposure, the substrate surface was washed with water while lightly rubbed with a wiper (Bencourt, manufactured by Ozu Corporation), followed by washing with acetone.

이상과 같이 하여 표면에 패턴상으로 형성된 그래프트 폴리머층을 갖는 유리 기판 B6을 형성하였다.As described above, the glass substrate B6 having the graft polymer layer formed in a pattern on the surface was formed.

얻어진 패턴을 AFM(나노픽스 1000, Seiko Instruments Inc. 제작, DFM 캔틸 레버 사용)으로 관찰하였다. 그 결과, 유리 기판 B6의 표면에 선폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 패턴이 형성되어 있는 것이 확인되었다.The obtained pattern was observed by AFM (nanopix 1000, the Seiko Instruments Inc. make, DFM cantilever lever). As a result, it was confirmed that the pattern in which the line width 10 micrometers and the pore width 10 micrometers alternately exist is formed in the surface of glass substrate B6.

(도전성 소재층 형성 공정)(Conductive Material Layer Formation Process)

<무전해 도금><Electroless Plating>

얻어진 유리 기판 B6을 질산은(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작) 1.0% 수용액에 1분간 침지하고, 물로 세정해서 에어 건으로 건조하였다.The obtained glass substrate B6 was immersed in 1.0% aqueous solution of silver nitrate (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) for 1 minute, washed with water, and dried with an air gun.

이어서, 하기 조성의 시판 무전해 도금욕 ATS 아도카파(Okuno Pharmaceuticals Incorporated Company 제작)에 30분간 침지하여 무전해 도금을 행하였다. 무전해 도금 후, 물로 세정해서 에어 건으로 건조하였다.Subsequently, it was immersed for 30 minutes in the commercial electroless plating bath ATS ado kappa (made by Okuno Pharmaceuticals Incorporated Company) of the following composition, and electroless plating was performed. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

-무전해 도금욕의 조성-Composition of electroless plating bath

물 258g258 g of water

ATS 아도카파 IW-A 15mLATS Adocapa IW-A 15mL

ATS 아도카파 IW-M 24mLATS Adocapa IW-M 24mL

ATS 아도카파 IW-C 3mLATS Adocapa IW-C 3mL

이 표면을 전자현미경(Miniscope TM-1000 HITACHI 제작)으로 관찰한 바, 선폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 도전성 패턴 6이 형성되어 있는 것이 확인되었다.This surface was observed with an electron microscope (manufactured by Miniscope TM-1000 HITACHI) to find that a conductive pattern 6 having a line width of 10 m and a pore width of 10 m alternately was formed.

실시예 7Example 7

(광개열 화합물 결합 공정)(Photo cleavage compound bonding process)

유리 기판(Nippon Sheet Glass Co., Ltd.)에, UV오존 클리너(UV42, Japan Laser Corporation 제작)을 사용하여 10분간 UV오존 처리를 행함으로써 표면세정을 행하였다. 그 유리 기판 상에 10질량%의 3-아미노프로필트리에톡시실란(Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd. 제작) 수용액을 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 스핀코트 후, 상기 유리 기판을 120℃에서 20분간 가열하고, 기판을 꺼내고, 증류수로 세정을 행하여 건조시켰다.Surface cleaning was performed to a glass substrate (Nippon Sheet Glass Co., Ltd.) by UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Japan Laser Corporation). 10 mass% 3-aminopropyl triethoxysilane (made by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) aqueous solution was spin-coated on this glass substrate. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 120 ° C. for 20 minutes, the substrate was taken out, washed with distilled water, and dried.

이어서, 상기 예시 화합물 T10을 탈수 에틸메틸케톤(2-부타논)에 용해시켜서 15질량% 용액을 조제하고, 이것을 상기의 기판 표면에 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선, 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 스핀코트 후, 상기 유리 기판을 170℃에서 1시간 가열하고, 표면을 에틸메틸케톤으로 세정하였다. 그 후, 에어 건으로 건조해서 예시 화합물 T10이 유리 기판에 결합되어 이루어지는 중합 개시층을 갖는 기판 A7을 얻었다(중합 개시층의 두께:3.7㎛).Subsequently, the exemplary compound T10 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 15 mass% solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 170 ° C. for 1 hour and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Then, it dried with the air gun and obtained the board | substrate A7 which has a polymerization start layer which the exemplary compound T10 is couple | bonded with the glass substrate (thickness of a polymerization start layer: 3.7 micrometers).

(그래프트 폴리머 생성 공정)(Graft polymer production process)

상기 합성예 4에서 얻어진 친수성 폴리머 P2 0.5g을 2-메톡시―1-프로판올에 용해시켜서 그래프트 형성층용 도포액으로 하였다.0.5 g of hydrophilic polymer P2 obtained in Synthesis Example 4 was dissolved in 2-methoxy-1-propanol to obtain a coating liquid for graft forming layer.

상기에서 얻어진 기판 A3의 편면 표면에 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액을 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 그래프트 폴리머 전구체층 형성용 도포액을 도포 후의 기판 A7은 80℃에서 5분간 건조하여 그래프트 폴리머 전구체층을 형성하였다.The coating liquid for graft polymer precursor layer formation was spin-coated on the single side | surface surface of the board | substrate A3 obtained above. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. Substrate A7 after apply | coating the coating liquid for graft polymer precursor layer formation was dried at 80 degreeC for 5 minutes, and the graft polymer precursor layer was formed.

(노광)(Exposure)

그래프트 폴리머 전구체층 형성 후의 기판 A2를 노광기(유니 큐어 UVX-02516S1LP01, Ushio Inc. 제작)로 소정의 패턴에 따라서 노광하였다. 노광 후, 기판 표면을 와이퍼(벤코트, Ozu Corporation 제작)로 가볍게 문지르면서 물로 세정하고, 이어서 아세톤으로 세정하였다.Substrate A2 after the graft polymer precursor layer formation was exposed to a predetermined pattern with an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by Ushio Inc.). After exposure, the substrate surface was washed with water while lightly rubbed with a wiper (Bencourt, manufactured by Ozu Corporation), followed by washing with acetone.

이상과 같이 하여 그래프트 폴리머가 표면에 패턴상으로 형성된 유리 기판 B7을 형성하였다.As described above, the glass substrate B7 in which the graft polymer was formed in a pattern on the surface was formed.

얻어진 패턴을 AFM(나노픽스 1000, Seiko Instruments Inc. 제작, DFM캔틸레버 사용)으로 관찰하였다. 그 결과, 유리 기판 B7의 표면에 선폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 패턴이 형성되어 있는 것이 확인되었다.The obtained pattern was observed by AFM (nanopix 1000, the Seiko Instruments Inc. make, DFM cantilever). As a result, it was confirmed that the pattern in which the line width of 10 micrometers and the pore width of 10 micrometers alternately exist is formed in the surface of glass substrate B7.

(도전성 소재층 형성 공정)(Conductive Material Layer Formation Process)

<무전해 도금><Electroless Plating>

얻어진 유리 기판 B7을 질산은(Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작) 1.0% 수용액에 1분간 침지하고, 물로 세정해서 에어 건으로 건조하였다. 그 후에 상기 실시예 1 기재의 무전해 도금욕(pH:12.4)에 30분간 침지해서 무전해 도금을 행하였다. 무전해 도금 후, 물로 세정해서 에어 건으로 건조하였다.The obtained glass substrate B7 was immersed in 1.0% aqueous solution of silver nitrate (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) for 1 minute, washed with water, and dried with an air gun. Thereafter, the electroless plating was performed by immersion for 30 minutes in the electroless plating bath (pH: 12.4) described in Example 1 above. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

이 표면을 전자현미경(Miniscope TM-1000 HITACHI 제작)으로 관찰한 바, 선폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 도전성 패턴 7이 형성되어 있는 것이 확인되었다.This surface was observed with an electron microscope (manufactured by Miniscope TM-1000 HITACHI), and it was confirmed that a conductive pattern 7 was formed in which a line width of 10 m and a pore width of 10 m alternately existed.

비교예 1Comparative Example 1

실시예 1에 있어서, 예시 화합물 T1의 대신에 하기 화합물 T7을 사용하고, 친수성 폴리머 P1 대신에 예시 화합물 P4(하기 참조)를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 동일한 공정을 행하였다. 여기서, 하기 화합물 T7은 일본특허공개 2006-104045호 공보에 기재된 화합물을 사용하였다.In Example 1, the same process as Example 1 was performed except that following compound T7 was used instead of exemplary compound T1, and exemplary compound P4 (see below) was used instead of hydrophilic polymer P1. Here, the following compound T7 used the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-104045.

도전성 막의 막두께가 1㎛ 이상의 도전성 소재층(도전성 막)을 형성하고자 했을 경우, 무전해 도금 처리 중에 박리되어버렸다.When the film thickness of an electroconductive film was going to form the electroconductive material layer (electroconductive film) 1 micrometer or more, it peeled during the electroless plating process.

<도전성·막두께의 평가><Evaluation of Conductivity and Film Thickness>

실시예 및 비교예에 의해 얻어진 도전성 패턴에 대해서, 도전성 막이 형성된 부분의 표면 도전성을 로레스타-FP(LORESTA-FP: Mitsubishi Chemical Corporation 제작)을 이용하여 4탐침법에 의해, 막두께를 Nanopix 1000(Seiko Instruments Inc. 제작)을 이용하여 측정하였다. 결과는 표 1에 나타낸다.For the conductive patterns obtained by the examples and the comparative examples, the surface conductivity of the portion where the conductive film was formed was determined by four probe method using LORESTA-FP (LORESTA-FP (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)), and the film thickness was measured by Nanopix 1000 ( Seiko Instruments Inc.) was used. The results are shown in Table 1.

<도전성 막 밀착성의 평가><Evaluation of Conductive Film Adhesion>

실시예 1∼4과 동일하게 하여 도전성 영역(도전성 막)(10(mm)×200 (mm))을 형성하고, JIS 5400의 바둑판 눈금 테이프법에 준하여, 커팅된 바둑판 눈금에 대한 테이프의 박리 테스트를 행하여 막 밀착성을 평가하였다. 100개의 바둑판눈금 중 기판측에 남은 바둑판의 수를 표 1에 나타낸다.A conductive stripe (conductive film) (10 (mm) x 200 (mm)) was formed in the same manner as in Examples 1 to 4, and the peeling test of the tape against the cut checker scale was performed according to the checkerboard scale tape method of JIS 5400. Was performed to evaluate the film adhesion. Table 1 shows the number of checkers remaining on the substrate side among 100 checkerboard scales.

비교예 2Comparative Example 2

(광개열 화합물 결합 공정)(Photo cleavage compound bonding process)

유리 기판(Nippon Sheet Glass Co., Ltd.)에 UV오존 클리너(UV42, Japan Laser Corporation 제작)을 사용하여 10분간 UV오존 처리를 행함으로써 표면 세정을 행하였다.Surface cleaning was performed by carrying out UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Japan Laser Corporation) on a glass substrate (Nippon Sheet Glass Co., Ltd.).

이어서, 상기 예시 화합물 T2를 탈수 에틸메틸케톤(2-부타논)에 용해시켜 0.07질량% 용액을 조제하고, 이것을 상기의 기판 표면에 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 스핀코트 후, 상기 유리 기판을 170℃에서 1시간 가열하고, 표면을 에틸메틸케톤으로 세정하였다. 그 후, 에어 건으로 건조해서 예시 화합물 T2가 유리 기판에 결합되어 이루어지는 중합 개시층을 갖는 기판 A9을 얻었다(중합 개시층의 두께: 20nm).Subsequently, the exemplary compound T2 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 0.07 mass% solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 170 ° C. for 1 hour and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Then, it dried with the air gun and obtained the board | substrate A9 which has a superposition | polymerization initiation layer by which Example compound T2 is couple | bonded with the glass substrate (thickness of a polymerization initiation layer: 20 nm).

(그래프트 폴리머 생성 공정)(Graft polymer production process)

상기 합성예 4에서 얻어진 친수성 폴리머 P2 0.5g을 탄산수소나트륨 수용액 4.62g, 디메틸 아세트아미드(DMAc) 0.05g 및 아세토니트릴 1.5g의 혼합 용매에 용해시켜서 그래프트 폴리머 전구체층 형성층용 도포액으로 하였다.0.5 g of hydrophilic polymer P2 obtained in Synthesis Example 4 was dissolved in a mixed solvent of 4.62 g of sodium bicarbonate aqueous solution, 0.05 g of dimethyl acetamide (DMAc) and 1.5 g of acetonitrile to obtain a coating liquid for a graft polymer precursor layer forming layer.

상기에서 얻어진 상기 기판 A9의 편면 표면에 상기 그래프트 폴리머 전구체층 형성층용 도포액을 스핀코트하였다. 스핀코터는 우선, 300rpm으로 5초간, 그 후 750rpm으로 20초간 회전시켰다. 그래프트 폴리머 전구체층 형성층용 도포액을 도포후의 기판 A9은 80℃에서 5분간 건조하여 그래프트 폴리머 전구체층을 형성하였다.The coating liquid for graft polymer precursor layer forming layer was spin-coated on the single side | surface surface of the said board | substrate A9 obtained above. The spin coater was first spun at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. Substrate A9 after apply | coating the coating liquid for graft polymer precursor layer forming layers was dried at 80 degreeC for 5 minutes, and the graft polymer precursor layer was formed.

(노광)(Exposure)

그래프트 폴리머 전구체층 형성 후의 기판 A9을 노광기(유니 큐어 UVX-02516S1LP01, Ushio Inc. 제작)로 소정의 패턴에 따라서 노광하였다. 노광 후, 기판 표면을 와이퍼(벤코트, Ozu Corporation 제작)로 가볍게 문지르면서 물로 세정하고, 이어서 아세톤으로 세정하였다.Substrate A9 after the graft polymer precursor layer formation was exposed to a predetermined pattern with an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by Ushio Inc.). After exposure, the substrate surface was washed with water while lightly rubbed with a wiper (Bencourt, manufactured by Ozu Corporation), followed by washing with acetone.

이상과 같이 하여 표면에 패턴상으로 형성된 그래프트 폴리머층을 갖는 유리 기판 B9을 형성하였다.As described above, the glass substrate B9 having the graft polymer layer formed in a pattern on the surface was formed.

얻어진 패턴을 AFM(나노픽스 1000, Seiko Instruments Inc. 제작, DFM 캔틸레버 사용)으로 관찰하였다. 그 결과, 유리 기판 B9의 표면에 선폭 10㎛, 공극폭 10㎛가 교대로 존재하는 패턴이 형성되어 있는 것이 확인되었다.The obtained pattern was observed by AFM (nanopix 1000, the Seiko Instruments Inc. make, DFM cantilever). As a result, it was confirmed that the pattern in which the line width of 10 micrometers and the pore width of 10 micrometers alternately exist is formed in the surface of glass substrate B9.

(도전성 소재층 형성 공정)(Conductive Material Layer Formation Process)

<무전해 도금><Electroless Plating>

얻어진 유리 기판 B2를 질산은(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.제작) 1.0% 수용액에 1분간 침지하고, 물로 세정해서 에어 건으로 건조하였다.The obtained glass substrate B2 was immersed in 1.0% aqueous solution of silver nitrate (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) for 1 minute, washed with water, and dried with an air gun.

이어서, 하기 조성의 시판 무전해 도금욕 ATS 아도카파(Okuno Pharmaceuticals Incorporated Company제작)에 30분간 침지하여 무전해 도금 처리를 행하였지만, 처리 중에 박리되어버렸다.Subsequently, it was immersed in a commercial electroless plating bath ATS adocapa (manufactured by Okuno Pharmaceuticals Incorporated Company) having the following composition for 30 minutes to perform electroless plating, but peeled off during the treatment.

도전성 패턴Conductive pattern 도전성 (μΩ·cm)Conductivity (μΩcm) 막두께 (㎛)Film thickness (㎛) 밀착성Adhesion 실시예 1Example 1 도전성 패턴 1Conductive Pattern 1 77 33 100 (박리가 보이지 않음)100 (no peeling visible) 실시예 2Example 2 도전성 패턴 2Conductive pattern 2 77 55 100 (박리가 보이지 않음)100 (no peeling visible) 실시예 3Example 3 도전성 패턴 3Conductive pattern 3 77 33 100 (박리가 보이지 않음)100 (no peeling visible) 실시예 4Example 4 도전성 패턴 4Conductive pattern 4 99 22 100 (박리가 보이지 않음)100 (no peeling visible) 실시예 5Example 5 도전성 패턴 5Conductive Pattern 5 77 33 100 (박리가 보이지 않음)100 (no peeling visible) 실시예 6Example 6 도전성 패턴 6Conductive Pattern 6 77 33 100 (박리가 보이지 않음)100 (no peeling visible) 실시예 7Example 7 도전성 패턴 7Conductive Pattern 7 55 33 100 (박리가 보이지 않음)100 (no peeling visible) 비교예 1Comparative Example 1 무전해 도금 처리 중에 박리되어 버렸다.It peeled off during the electroless plating process. 비교예 2Comparative Example 2 무전해 도금 처리 중에 박리되어 버렸다.It peeled off during the electroless plating process.

이상의 결과로부터, 본 발명의 방법으로 얻어진 도전성 패턴 1∼7에 있어서의 도전성 영역은 양호한 도전성을 갖고, 또한 기판과의 밀착성이 우수한 것이 확인되었다. 한편, 비교예 1 및 2의 도전성 막은 무전해 도금 처리 중에 박리되어 버려서 도전성 패턴은 얻어지지 않았다.From the above result, it was confirmed that the electroconductive area | region in the electroconductive patterns 1-7 obtained by the method of this invention has favorable electroconductivity, and was excellent in adhesiveness with a board | substrate. On the other hand, the electroconductive films of Comparative Examples 1 and 2 peeled off during the electroless plating treatment, and no conductive pattern was obtained.

일본 출원 2006-264706, 2007-047719 및 2007-223870의 개시는 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 포함되어 있다. 본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허출원 및 기술규격은 개개의 문헌, 특허출원 및 기술규격이 참조에 의해 포함되는 것이 구체적이고, 개별적으로 기록되었을 경우와 동일한 정도로 본 명세서 중에 참조에 의해 포함된다.As for the indication of Japanese application 2006-264706, 2007-047719, and 2007-223870, the whole is integrated in this specification by reference. All documents, patent applications, and technical specifications described in this specification are specifically incorporated by reference to the same extent as if the individual documents, patent applications and technical specifications were incorporated by reference, and if individually recorded.

Claims (16)

유리 기재; Glass substrates; 라디칼 중합 개시 부위와 상기 유리 기재에 직접 화학결합 가능한 부위를 갖는 폴리머가 상기 유리 기재에 화학 결합해서 형성된 두께 0.1㎛이상 100㎛이하의 중합 개시층; 및 A polymerization initiation layer having a thickness of 0.1 µm or more and 100 µm or less formed by chemically bonding a polymer having a radical polymerization initiation site and a site directly chemically bondable to the glass substrate; And 분자내에 (메타)아크릴산 에스테르 및 (메타)아크릴산 아미드에서 선택되는 구조로부터 유래하는 골격을 갖고, 또한 라디칼 중합 가능한 불포화 부위와 무전해 도금 촉매를 흡착하는 부위를 갖는 폴리머를 함유하는 그래프트 폴리머 전구체층을 갖는 것을 특징으로 하는 적층체.A graft polymer precursor layer containing a polymer having a skeleton derived from a structure selected from a (meth) acrylic acid ester and a (meth) acrylic acid amide in the molecule and having a site capable of adsorbing an unsaturated site capable of radical polymerization and an electroless plating catalyst, It has a laminated body characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 라디칼 중합 가능한 불포화 부위가 (메타)아크릴로일메틸기인 것을 특징으로 하는 적층체.The said radically polymerizable unsaturated site is a (meth) acryloylmethyl group, The laminated body characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 라디칼 중합 개시 부위와 상기 유리 기재에 직접 화학 결합 가능한 부위를 갖는 폴리머의 중량 평균 분자량이 1000∼1000000의 범위인 것을 특징으로 하는 적층체.The weight average molecular weight of the polymer which has the said radical polymerization start site | part and the site | part chemically bondable with the said glass base material is the range of 1000-1 million, The laminated body characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 유리 기재에 직접 화학 결합 가능한 부위가 할로실릴기, 알콕시실릴기, 환상 에테르기 또는 이소시아네이트기인 것을 특징으로 하는 적층체.A site | part which can be chemically bonded to the said glass base material is a halosilyl group, the alkoxy silyl group, a cyclic ether group, or an isocyanate group, The laminated body characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 유리 기재는 산화 규소를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 적층체.The said glass base material has silicon oxide as a main component, The laminated body characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 유리 기재의 표면은 아미노기, 수산기, 메르캅토기, 카르복실기, 에폭시기, 이소시아네이트기 중에서 선택되는 1종류 이상의 관능기로 수식되어 있는 것을 특징으로 하는 적층체.The surface of the said glass base material is modified by the 1 or more types of functional group chosen from an amino group, a hydroxyl group, a mercapto group, a carboxyl group, an epoxy group, and an isocyanate group. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 유리 기재의 표면은 아미노기, 수산기, 메르캅토기, 카르복실기, 에폭시기 또는 이소시아네이트기를 갖는 실란 커플링제를 사용하여 수식된 것을 특징으로 하는 적층체.The surface of the said glass base material was modified using the silane coupling agent which has an amino group, a hydroxyl group, a mercapto group, a carboxyl group, an epoxy group, or an isocyanate group. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 중합 개시층의 두께가 0.3㎛이상 50㎛이하인 것을 특징으로 하는 적층체.The thickness of the said polymerization start layer is 0.3 micrometer or more and 50 micrometers or less, The laminated body characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 그래프트 폴리머 전구체층의 두께가 0.3㎛이상 5㎛이하인 것을 특징으로 하는 적층체.The thickness of the said graft polymer precursor layer is 0.3 micrometer or more and 5 micrometers or less. 제 1 항에 기재된 적층체 상에 패턴상으로 에너지를 부여하여 상기 적층체가 갖는 상기 중합 개시층에 있어서의 폴리머의 라디칼 중합 개시 부위에 라디칼을 생성시키고, 상기 라디칼을 기점으로 하여 그래프트 폴리머를 생성시키는 공정; 및Energy is applied to the laminate according to claim 1 in a pattern form to generate radicals at the radical polymerization initiation site of the polymer in the polymerization initiation layer included in the laminate, and to produce a graft polymer using the radical as a starting point. fair; And 상기 생성된 그래프트 폴리머에 무전해 도금 촉매 또는 그 전구체를 흡착시킨 후, 무전해 도금을 행하여 도전성 막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴형성방법.And adsorbing an electroless plating catalyst or a precursor thereof to the produced graft polymer, and then performing electroless plating to form a conductive film. 제 10 항에 있어서, The method of claim 10, 상기 도전성 막을 형성하는 공정 후에 전기 도금 처리 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴형성방법.And a further electroplating step after the step of forming the conductive film. 제 10 항 또는 제 11 항에 기재된 도전성 패턴형성방법을 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 도전성 패턴.The conductive pattern formed using the conductive pattern formation method of Claim 10 or 11. 제 12 항에 기재된 도전성 패턴을 구비한 것을 특징으로 하는 프린트 배선기 판.The electroconductive pattern of Claim 12 was provided, The printed wiring board. 제 12 항에 기재된 도전성 패턴을 구비한 것을 특징으로 하는 박층 트랜지스터.The electroconductive pattern of Claim 12 was provided. The thin-layer transistor characterized by the above-mentioned. 제 13 항에 기재된 프린트 배선기판을 구비한 것을 특징으로 하는 장치.An apparatus comprising the printed wiring board according to claim 13. 제 14 항에 기재된 박층 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 장치.An apparatus comprising the thin film transistor according to claim 14.

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