JP2008242412A - Laminate, method of forming conductive pattern, conductive pattern obtained thereby, printed wiring board, thin layer transistor and apparatus utilizing these - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a conductive pattern by which a pattern with excellent adhesiveness with a substrate and preferable conductivity can be formed, and to provide a laminate to be used for the above method of forming a conductive pattern. <P>SOLUTION: The laminate comprises: a glass substratum; a polymerization initiation layer of 0.1 to 100 μm thickness formed by chemical bonding to the glass substratum, of a polymer having a radical polymerization initiation moiety and a moiety capable of direct chemical bonding to the glass substratum; and a graft polymer precursor layer containing a polymer having in its molecule a skeleton derived from a structure selected from among (meth)acrylic ester and (meth)acrylamide and having an unsaturated moiety capable of radical polymerization and a moiety capable of adsorbing an electroless plating catalyst. Further, the method of forming a conductive pattern is carried out by use of the laminate. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、積層体、該積層体を用いた導電性パターン形成方法及び導電性パターン、該導電性パターンを備えたプリント配線基板及び薄層トランジスタ、並びにそれらを用いた装置に関する。   The present invention relates to a laminate, a conductive pattern forming method and a conductive pattern using the laminate, a printed wiring board and a thin layer transistor provided with the conductive pattern, and an apparatus using the same.

プリント基板などの電子配線形成において、大面積基板に電気配線を形成する要求が増大している。高精細で導電性に優れた微細配線は、真空成膜法などの気相法により形成されることが一般的である。しかし、この方法では、広い面積にわたって膜厚や膜質が均一な金属膜を成膜することが困難であり、信頼性の高い配線、電極などの形成が切望されていた。
さらに、大面積のパネルに気相法で金属膜を製膜する場合、巨大な真空成膜装置とガス供給設備などの付帯設備が必要となり、莫大な設備投資が必要になるといった問題も発生する。
また、スパッタ装置、ＣＶＤ装置などの真空成膜装置は、真空ポンプを駆動する電力、基板加熱を行なう電力、プラズマを発生させる電力等多くの電力を必要とするが、当然ながら装置の巨大化に伴いこれら製造装置の消費エネルギーが増大するといった問題も発生する。
さらに、金属配線などを形成する際、従来は、真空成膜装置を用いて基板の全面に金属膜を成膜した後、その不要部分をエッチングにより除去することで、電気配線パターンを形成していた。しかし、この手法では、配線の解像度が限定され、金属材料の無駄が発生するといった問題もあった。近年、環境への配慮から、製造工程における消費エネルギーの低減や、材料資源の有効利用が求められ、より簡易に所望の解像度の金属膜パターンを形成しうる方法が求められている。 In the formation of electronic wiring such as a printed circuit board, there is an increasing demand for forming electrical wiring on a large-area substrate. A fine wiring having high definition and excellent conductivity is generally formed by a vapor phase method such as a vacuum film forming method. However, with this method, it is difficult to form a metal film having a uniform film thickness and film quality over a wide area, and formation of highly reliable wiring, electrodes, and the like has been desired.
In addition, when a metal film is formed on a large-area panel by a vapor phase method, a huge vacuum film forming apparatus and ancillary equipment such as a gas supply facility are required, which causes a problem that enormous capital investment is required. .
In addition, vacuum film forming devices such as sputtering devices and CVD devices require a large amount of power, such as power for driving a vacuum pump, power for heating a substrate, and power for generating plasma. Along with this, there is a problem that the energy consumption of these manufacturing apparatuses increases.
Furthermore, when forming a metal wiring or the like, conventionally, after forming a metal film on the entire surface of the substrate using a vacuum film forming apparatus, an unnecessary portion is removed by etching to form an electric wiring pattern. It was. However, this technique has a problem that the resolution of the wiring is limited and the metal material is wasted. In recent years, in consideration of the environment, reduction of energy consumption in the manufacturing process and effective use of material resources are required, and a method capable of forming a metal film pattern with a desired resolution more easily is required.

これに対して、例えば、無電解めっきの反応に必要な触媒層を予め基板上にパターン配置し、触媒層の存在する領域にのみ選択的に金属膜を形成する無電解めっき技術（例えば、特許文献１参照。）や、基板表面に金属酸化膜（例えばＺｎＯ）を形成した後、金属酸化膜をパターニングして、形成された金属酸化膜パターン上に選択的に金属膜パターンを形成する方法（例えば、特許文献２参照。）が提案されている。これらの方法では、所望のパターンで金属配線が形成できるが、前者では、ガラス基板などの表面が平滑な基板上に無電解めっきで金属膜パターンを形成した場合、基板とめっき被膜の密着性が非常に弱く、実用上問題のあるレベルであり、さらに、めっき膜の膜厚を増加させることが困難であった。また、後者では、基板全面に形成された酸化亜鉛膜をパターン化する工程において、レジスト樹脂などの使用が必要であり、工程が煩雑で、且つ、酸化亜鉛の耐薬品性の低さに起因して、エッチングレートの微妙な調整が要求されるとともに、大面積基板上ではエッチング速度の面内均性を向上させることが困難であった。   On the other hand, for example, an electroless plating technique in which a catalyst layer necessary for a reaction of electroless plating is arranged in advance on a substrate and a metal film is selectively formed only in a region where the catalyst layer exists (for example, a patent Reference 1), or a method of selectively forming a metal film pattern on the formed metal oxide film pattern by patterning the metal oxide film after forming a metal oxide film (for example, ZnO) on the substrate surface (see FIG. 1). For example, see Patent Document 2). In these methods, metal wiring can be formed in a desired pattern. In the former case, when a metal film pattern is formed by electroless plating on a substrate having a smooth surface such as a glass substrate, the adhesion between the substrate and the plating film is reduced. It is very weak and has a practically problematic level, and it is difficult to increase the thickness of the plating film. In the latter case, in the process of patterning the zinc oxide film formed on the entire surface of the substrate, the use of a resist resin or the like is necessary, the process is complicated, and the chemical resistance of zinc oxide is low. In addition, fine adjustment of the etching rate is required, and it is difficult to improve the in-plane uniformity of the etching rate on a large area substrate.

また、これらの改良技術として、感光膜に触媒となる材料を担持させ、紫外線露光でパターン化された触媒層を形成し、その領域のみに酸化亜鉛膜を形成し、これを基点として無電解めっきにより金属パターンを形成する方法が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。この方法によれば、解像度の高い酸化亜鉛膜パターンが形成されるという利点を有するが、感光膜などの特殊な材料を必要とし、また、金属膜の形成までに、２つの触媒層の形成を含む５工程を要し、工程が煩雑であった。   In addition, as an improved technology, a photosensitive film is loaded with a material to be a catalyst, a patterned catalyst layer is formed by UV exposure, and a zinc oxide film is formed only in that region. Has proposed a method of forming a metal pattern (see, for example, Patent Document 3). This method has the advantage that a high-resolution zinc oxide film pattern is formed, but requires a special material such as a photosensitive film, and the formation of two catalyst layers before the formation of the metal film. 5 processes were required, and the process was complicated.

これをうけて本願出願人は、２５０ｎｍ〜７００ｎｍの波長のレーザーを走査することによりデジタルデータに基づき直接画像形成が可能な導電性パターン材料及びその形成方法について提案した（例えば、特許文献４参照）。しかしながら、この手法で作製できるめっき膜に関しては、無電解めっき法のみを利用するフルアディティブ法による金属配線の形成には、導電性、耐久性などの観点から数μｍのめっき厚さが必要であるのに対し、基材が石英ガラスを含む様々のガラス基板の場合、無電解めっき処理時にめっき浴が強アルカリ性であることが多く、アルカリによって基板表面が侵食されてしまい、金属配線部を密着させることができない問題が生じる。処理時間を短縮することによりこの問題を解決することも可能であるが、めっき法で配線を形成する場合、処理時間と配線膜厚は比例の関係にあり、抵抗値などの電気特性を満足する配線を形成するのは非常に困難である。
特開２０００−１４７７６２公報 特開２００１−８５３５８公報 特開２００３−２１３４３６公報 特開２００６−１０４０４５公報 In view of this, the applicant of the present application has proposed a conductive pattern material capable of directly forming an image based on digital data by scanning a laser having a wavelength of 250 nm to 700 nm and a method for forming the same (for example, refer to Patent Document 4). . However, regarding the plating film that can be produced by this method, the formation of metal wiring by the full additive method using only the electroless plating method requires a plating thickness of several μm from the viewpoints of conductivity and durability. On the other hand, in the case of various glass substrates including quartz glass as the base material, the plating bath is often strongly alkaline during the electroless plating process, and the substrate surface is eroded by alkali, and the metal wiring part is brought into close contact. Problems that can not be. Although it is possible to solve this problem by shortening the processing time, when wiring is formed by plating, the processing time and the wiring film thickness are in a proportional relationship and satisfy electrical characteristics such as resistance value. It is very difficult to form wiring.
JP 2000-147762 A JP 2001-85358 A JP 2003-213436 A JP 2006-1004045 A

本発明の前記従来における問題点を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明の目的は、基材との密着性に優れ、かつ良好な導電性を有するパターンを形成することができる導電性パターン形成方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、前記導電性パターン形成方法に用いることができる積層体を提供することにある。 An object of the present invention is to solve the conventional problems of the present invention and achieve the following objects.
That is, an object of the present invention is to provide a conductive pattern forming method capable of forming a pattern having excellent adhesion to a base material and good conductivity.
Another object of the present invention is to provide a laminate that can be used in the conductive pattern forming method.

本発明者らは、検討の結果、グラフト重合を利用した導電性パターン等の作製において、ガラス基材上に、ラジカル重合開始能を有する厚さ０．１μｍ以上の重合開始層、及び特定のグラフトポリマー前駆体を有する層を形成することにより、上記問題点を解決しうることを見出し、本発明を完成した。   As a result of the study, the inventors of the present invention have studied that, in the production of a conductive pattern or the like using graft polymerization, a polymerization initiation layer having a thickness of 0.1 μm or more having radical polymerization initiation ability on a glass substrate, and a specific graft It has been found that the above problems can be solved by forming a layer having a polymer precursor, and the present invention has been completed.

前記課題を解決するための手段は以下の通りである。
即ち、本発明の積層体は、ガラス基材上に、ラジカル重合開始部位と前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーが前記ガラス基材に化学結合して形成された厚さ０．１μｍ以上１００μｍ以下の重合開始層、及び、分子内に（メタ）アクリル酸エステル及び（メタ）アクリル酸アミドから選択される構造に由来する骨格を有し且つラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着する部位とを有するポリマーを有することを特徴とする。
この結果、基材との密着性に優れ、かつ良好な導電性を有する導電性パターンの形成に用いうる積層体を得ることができる。尚、前記重合開始層の厚さは、０．３μｍ〜５０μｍであることが好ましく、０．５μｍ〜１０μｍがより好ましい。 Means for solving the above-mentioned problems are as follows.
That is, the laminate of the present invention has a thickness formed by chemically bonding a polymer having a radical polymerization initiation site and a site capable of being directly chemically bonded to the glass substrate on the glass substrate. A polymerization initiating layer of 0.1 μm or more and 100 μm or less, and an unsaturated site having a skeleton derived from a structure selected from (meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid amide in the molecule and capable of radical polymerization It has the polymer which has a site | part which adsorb | sucks an electroless-plating catalyst.
As a result, it is possible to obtain a laminate that can be used to form a conductive pattern that has excellent adhesion to the substrate and has good conductivity. In addition, it is preferable that the thickness of the said polymerization start layer is 0.3 micrometer-50 micrometers, and 0.5 micrometer-10 micrometers are more preferable.

前記ラジカル重合可能な不飽和部位は、（メタ）アクリロイルメチル基から選択される基であることが好ましい。ここで、（メタ）アクリロイルメチル基とは、アクリロイルメチル基又は（メタ）アクリロイルメチル基又はそれらの双方を意味するものである。
また、前記ラジカル重合開始部位と前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーの重量平均分子量は、特に限定されないが、ポリマー溶解性、塗布適正の観点から、１０００〜１００００００であること好ましく、３０００〜１０００００がより好ましく、５０００〜５００００が特に好ましい。ポリマーの重量平均分子量を１０００〜１００００００とすることにより、容易にポリマー溶液を調製することができ、塗布面状も良好であるため好ましい。 The unsaturated site capable of radical polymerization is preferably a group selected from (meth) acryloylmethyl groups. Here, the (meth) acryloylmethyl group means an acryloylmethyl group, a (meth) acryloylmethyl group, or both.
The weight average molecular weight of the polymer having the radical polymerization initiation site and the site capable of being directly chemically bonded to the glass substrate is not particularly limited, but is 1,000 to 1,000,000 from the viewpoint of polymer solubility and coating suitability. Preferably, 3000 to 100,000 is more preferable, and 5000 to 50000 is particularly preferable. By setting the weight average molecular weight of the polymer to 1,000 to 1,000,000, the polymer solution can be easily prepared, and the coated surface shape is also favorable, which is preferable.

また、前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位が、ハロシリル基、アルコキシシリル基、環状エーテル基またはイソシアナート基であることにより、ガラス基材と前記ポリマーが強固に化学結合することから好ましい。更に、前記ガラス基材が酸化ケイ素を主成分とすることが好ましい。   Further, it is preferable that the site capable of being directly chemically bonded to the glass substrate is a halosilyl group, an alkoxysilyl group, a cyclic ether group or an isocyanate group, whereby the glass substrate and the polymer are strongly chemically bonded. Furthermore, it is preferable that the glass base material contains silicon oxide as a main component.

本発明の導電性パターン形成方法は、前記積層体上にパターン状にエネルギーを付与して、該積層体が有する前記重合開始層におけるポリマーのラジカル重合開始部位にラジカルを生成させ、該ラジカルを起点としてグラフトポリマーを生成させる工程、及び、前記生成したグラフトポリマーに無電解めっき触媒又はその前駆体を吸着させた後、無電解めっきを行い、導電性膜を形成する工程、を有する導電性パターン形成方法を提供する。
また、前記導電性膜を形成する工程の後に、更に電気めっき処理工程を有することは、好ましい態様である。 In the conductive pattern forming method of the present invention, energy is applied in a pattern on the laminate, radicals are generated at the radical polymerization initiation site of the polymer in the polymerization initiation layer of the laminate, and the radical is originated. Forming a conductive polymer, and a step of forming a conductive film by electroless plating after adsorbing an electroless plating catalyst or a precursor thereof to the generated graft polymer. Provide a method.
Moreover, it is a preferable aspect to further include an electroplating treatment step after the step of forming the conductive film.

本発明の導電性パターンは、本発明の導電性パターン形成方法を用いて形成された導電性パターンであることを特徴とする。   The conductive pattern of the present invention is a conductive pattern formed using the conductive pattern forming method of the present invention.

本発明のプリント配線基板、及び、本発明の薄層トランジスタは、本発明の導電性パターンを備えたことを特徴とする。
また、更に、本発明の装置は、本発明のプリント配線基板又は本発明の薄層トランジスタを備えたことを特徴とする。 The printed wiring board of the present invention and the thin layer transistor of the present invention are provided with the conductive pattern of the present invention.
Furthermore, the device of the present invention is characterized by including the printed wiring board of the present invention or the thin layer transistor of the present invention.

本発明によれば、基材との密着性に優れ、かつ良好な導電性を有するパターンを形成することができる導電性パターン形成方法、及びそれにより得られた導電性パターンを提供することができる。
また、本発明によれば、前記導電性パターン形成方法に用いることができる積層体を提供することができる。
また、更に、本発明によれば、基材との密着性に優れ、かつ膜厚で良好な導電性膜を有する、プリント配線基板又は薄層トランジスタ、並びにプリント配線基板又は薄層トランジスタを備えた装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the electroconductive pattern formation method which can form the pattern which is excellent in adhesiveness with a base material, and has favorable electroconductivity, and the electroconductive pattern obtained by it can be provided. .
Moreover, according to this invention, the laminated body which can be used for the said conductive pattern formation method can be provided.
Furthermore, according to the present invention, the printed wiring board or the thin layer transistor, and the printed wiring board or the thin layer transistor having a conductive film excellent in adhesion with the base material and having a good film thickness are provided. An apparatus can be provided.

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の積層体は、ガラス基材；ラジカル重合開始部位と前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーが前記ガラス基材に化学結合して形成された厚さ０．１μｍ以上１００μｍ以下の重合開始層；分子内に（メタ）アクリル酸エステル及び（メタ）アクリル酸アミドから選択される構造に由来する骨格を有し且つラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着する部位とを有するポリマーを含有するグラフトポリマー前駆体層；を有する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The laminate of the present invention has a thickness of 0.1 μm or more formed by chemically bonding a glass substrate; a polymer having a radical polymerization initiation site and a site capable of being directly chemically bonded to the glass substrate to the glass substrate. Polymerization initiation layer of 100 μm or less; adsorbs an unsaturated site capable of radical polymerization and an electroless plating catalyst having a skeleton derived from a structure selected from (meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid amide in the molecule A graft polymer precursor layer containing a polymer having a portion to be treated.

前記構成を有する本発明の積層体は、基材との密着性に優れ、かつ良好な導電性パターンが形成可能な導電性パターン形成方法に用いることができる。   The laminate of the present invention having the above-described configuration can be used in a conductive pattern forming method that is excellent in adhesion to a substrate and can form a good conductive pattern.

本発明における「導電性パターン」については、原子間顕微鏡（ＡＦＭ）や電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察することにより確認することができる。   The “conductive pattern” in the present invention can be confirmed by observing with an atomic microscope (AFM) or an electron microscope (SEM).

≪積層体≫
［重合開始層］
本発明における重合開始層は、ラジカル重合開始部位とガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーが、ガラス基材に化学結合して形成される厚さ０．１μｍ以上１００μｍ以下の層である。 ≪Laminated body≫
[Polymerization initiation layer]
The polymerization initiation layer in the present invention is a layer having a thickness of 0.1 μm or more and 100 μm or less formed by a polymer having a radical polymerization initiation site and a site that can be directly chemically bonded to the glass substrate, chemically bonded to the glass substrate. It is.

ラジカル重合開始部位を有し、かつガラス基材と直接化学結合可能な部位を有するポリマーが、ガラス基材に化学結合することにより、基材と重合開始層との密着性を向上させることができる。また、形成された重合開始層の厚さを０．１μｍ以上１００μｍ以下とすることにより、ガラス基板へ耐アルカリ性を付与することができる。   A polymer having a radical polymerization initiation site and a site capable of being directly chemically bonded to the glass substrate can improve the adhesion between the substrate and the polymerization initiation layer by chemically bonding to the glass substrate. . Moreover, alkali resistance can be provided to a glass substrate by the thickness of the formed polymerization initiation layer being 0.1 μm or more and 100 μm or less.

重合開始層の厚さは、０．１μｍ以上１００μｍ以下とする必要がある。ガラス基板表面へのアルカリの接近を防ぐ点で０．３μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上１０μｍ以下がより好ましい。重合開始層の厚さを０．３μｍ以上５０μｍ以下の範囲とすることにより耐アルカリ性の効果が増大する傾向となる。このような厚みを有する重合開始層は、後述するポリマーを用いることにより、リジットな層となる。
次に、重合開始層の構成成分について説明する。 The thickness of the polymerization initiation layer needs to be 0.1 μm or more and 100 μm or less. From the point which prevents the approach of the alkali to the glass substrate surface, 0.3 micrometer or more and 50 micrometers or less are preferable, and 0.5 micrometer or more and 10 micrometers or less are more preferable. By setting the thickness of the polymerization initiation layer in the range of 0.3 μm or more and 50 μm or less, the alkali resistance effect tends to increase. The polymerization initiation layer having such a thickness becomes a rigid layer by using a polymer described later.
Next, the components of the polymerization initiation layer will be described.

（ラジカル重合開始部位とガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマー）
重合開始層を形成するポリマーは、ラジカル重合開始部位とガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーである。該ポリマーとしては、ガラス基材に直接化学結合可能な部位（以下、単に、基材結合部位ともいう。）、及び、光開裂によりラジカル重合開始しうる重合開始部位（以下、単に、重合開始部位ともいう。）を有する化合物であることが好ましい。 (Polymer having a radical polymerization initiation site and a site that can be directly chemically bonded to the glass substrate)
The polymer forming the polymerization initiation layer is a polymer having a radical polymerization initiation site and a site that can be chemically bonded directly to the glass substrate. Examples of the polymer include a site that can be directly chemically bonded to a glass substrate (hereinafter also simply referred to as a substrate binding site) and a polymerization initiation site that can initiate radical polymerization by photocleavage (hereinafter simply referred to as a polymerization initiation site). It is also preferred that the compound has a.

以下、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位（重合開始部位（Ｙ））と、ガラス基材に直接化学結合可能な部位（基材結合部位（Ｑ））と、を有するポリマーの構造について具体的に説明する。   Hereinafter, the structure of a polymer having a polymerization initiation site (polymerization initiation site (Y)) capable of initiating radical polymerization by photocleavage and a site (substrate binding site (Q)) that can be directly chemically bonded to a glass substrate. Will be described in detail.

このポリマーについて、図１の概念図における、基材結合部位（Ｑ）と重合開始部位（Ｙ）とを有する化合物（Ｑ−Ｙ）のモデルを用いて詳細に説明する。   This polymer will be described in detail using a model of a compound (QY) having a substrate binding site (Q) and a polymerization initiation site (Y) in the conceptual diagram of FIG.

重合開始部位（Ｙ）は、光により開裂しうる単結合を含む構造である。光により開裂する単結合としては、カルボニルのα開裂、β開裂反応、光フリー転位反応、フェナシルエステルの開裂反応、スルホンイミド開裂反応、スルホニルエステル開裂反応、Ｎ−ヒドロキシスルホニルエステル開裂反応、ベンジルイミド開裂反応、活性ハロゲン化合物の開裂反応などを利用して開裂が可能な単結合が挙げられる。これらの反応により、光により開裂しうる単結合が切断される。この開裂しうる単結合としては、Ｃ−Ｃ結合、Ｃ−Ｎ結合、Ｃ−Ｏ結合、Ｃ−Ｃｌ結合、Ｎ−Ｏ結合、及びＳ−Ｎ結合等が挙げられる。   The polymerization initiation site (Y) is a structure containing a single bond that can be cleaved by light. Single bonds that are cleaved by light include carbonyl α-cleavage, β-cleavage reaction, light-free rearrangement reaction, phenacyl ester cleavage reaction, sulfonimide cleavage reaction, sulfonyl ester cleavage reaction, N-hydroxysulfonyl ester cleavage reaction, benzylimide Examples include a single bond that can be cleaved using a cleavage reaction, a cleavage reaction of an active halogen compound, or the like. These reactions break a single bond that can be cleaved by light. Examples of the single bond that can be cleaved include a C—C bond, a C—N bond, a C—O bond, a C—Cl bond, a N—O bond, and a S—N bond.

光により開裂しうる単結合を含む重合開始部位（Ｙ）は、グラフトポリマー生成工程におけるグラフト重合の起点となることから、光により開裂しうる単結合が開裂すると、その開裂反応によりラジカルを発生させる機能を有する。
このように、光により開裂しうる単結合を有し、かつ、ラジカルを発生可能な重合開始部位（Ｙ）の構造としては、芳香族ケトン基、フェナシルエステル基、スルホンイミド基、スルホニルエステル基、Ｎ−ヒドロキシスルホニルエステル基、ベンジルイミド基、トリクロロメチル基、ベンジルクロライド基などの基を含む構造が挙げられる。 Since the polymerization initiation site (Y) containing a single bond that can be cleaved by light becomes the starting point of graft polymerization in the graft polymer production step, when a single bond that can be cleaved by light is cleaved, a radical is generated by the cleavage reaction. It has a function.
Thus, the structure of the polymerization initiation site (Y) having a single bond that can be cleaved by light and capable of generating radicals includes an aromatic ketone group, a phenacyl ester group, a sulfonimide group, and a sulfonyl ester group. , N-hydroxysulfonyl ester groups, benzylimide groups, trichloromethyl groups, benzyl chloride groups, and other structures.

重合開始部位（Ｙ）は、露光により開裂してラジカルを発生するため、そのラジカル周辺に重合可能な化合物が存在する場合には、このラジカルがグラフト重合反応の起点として機能し、所望のグラフトポリマーを生成することができる（グラフトポリマー生成領域）。   Since the polymerization initiation site (Y) is cleaved by exposure to generate radicals, when there is a polymerizable compound around the radical, this radical functions as a starting point for the graft polymerization reaction, and the desired graft polymer Can be produced (graft polymer production region).

一方、重合開始部位（Ｙ）が露光されなかった領域においては、重合開始部位（Ｙ）の開裂が起きず、当該領域にはグラフトポリマーは生成しない（グラフトポリマー非生成領域）。   On the other hand, in the region where the polymerization initiation site (Y) has not been exposed, cleavage of the polymerization initiation site (Y) does not occur, and no graft polymer is produced in the region (graft polymer non-production region).

一方、基材結合部位（Ｑ）は、ガラス基材表面に存在する官能基（Ｚ）と反応して結合しうる反応性基で構成される。該反応性基としては、ハロシリル基（好ましくは、トリクロロシリル基、ジクロロアルキルシリル基、クロロジアルキルシリル基、より好ましくは、トリクロロシリル基、ジクロロアルキルシリル基である。）、アルコキシシリル基（好ましくは、炭素数１〜２のアルコキシシリル基である。）、環状エーテル基（好ましくは、炭素数２〜６及び酸素数１〜２、より好ましくは炭素数２〜３及び酸素数１の環状エーテル基である。）、又はイソシアナート基が挙げられる。
前記シリル基に置換するアルキル基としては、炭素数１〜２のアルキル基が好ましい。
基材結合部位（Ｑ）として具体的には、以下に示すような基が挙げられるが、これに限定されるものではない。 On the other hand, the substrate binding site (Q) is composed of a reactive group capable of reacting with and binding to the functional group (Z) present on the glass substrate surface. Examples of the reactive group include a halosilyl group (preferably a trichlorosilyl group, a dichloroalkylsilyl group, a chlorodialkylsilyl group, more preferably a trichlorosilyl group and a dichloroalkylsilyl group), an alkoxysilyl group (preferably , An alkoxysilyl group having 1 to 2 carbon atoms), a cyclic ether group (preferably a cyclic ether group having 2 to 6 carbon atoms and 1 to 2 oxygen atoms, more preferably 2 to 3 carbon atoms and 1 oxygen atom). Or an isocyanate group.
As the alkyl group substituted on the silyl group, an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms is preferable.
Specific examples of the substrate binding site (Q) include the following groups, but are not limited thereto.

重合開始部位（Ｙ）と、基材結合部位（Ｑ）と、は直接結合していてもよいし、連結基を介して結合していてもよい。この連結基としては、炭素、窒素、酸素、及び硫黄からなる群より選択される原子を含む連結基が挙げられ、具体的には、例えば、飽和炭素基、芳香族基、エステル基、アミド基、ウレイド基、エーテル基、アミノ基、スルホンアミド基等が挙げられる。なお、この連結基は更に置換基を有していてもよく、その導入可能な置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、等が挙げられる。   The polymerization initiation site (Y) and the substrate binding site (Q) may be directly bonded or may be bonded via a linking group. Examples of the linking group include a linking group containing an atom selected from the group consisting of carbon, nitrogen, oxygen, and sulfur. Specifically, for example, a saturated carbon group, an aromatic group, an ester group, an amide group. Ureido group, ether group, amino group, sulfonamide group and the like. This linking group may further have a substituent, and examples of the substituent that can be introduced include an alkyl group, an alkoxy group, and a halogen atom.

基材結合部位（Ｑ）と、重合開始部位（Ｙ）と、を有する化合物（Ｑ−Ｙ）の具体例〔例示化合物Ｔ１〜例示化合物Ｔ１０〕を、開裂部と共に以下に示すが、本発明はこれらに制限されるものではない。   Specific examples [Exemplary Compound T1 to Exemplified Compound T10] of the compound (QY) having the substrate binding site (Q) and the polymerization initiation site (Y) are shown below together with the cleavage portion. However, it is not limited to these.

重合開始層は、ポリマーの化学結合可能な部位を介してガラス基材上に結合させてなる層である。即ち、図１に示すように、重合開始層は、化合物（Ｑ−Ｙ）をガラス基材表面に存在する官能基（Ｚ）に結合させることにより形成できる。化合物（Ｑ−Ｙ）をガラス基材表面に存在する官能基（Ｚ）に結合させる方法としては、例示化合物（Ｑ−Ｙ）を、トルエン、ヘキサン、アセトンなどの適切な溶媒に溶解又は分散し、その溶液又は分散液を基材表面に塗布する方法、又は、溶液又は分散液中に基材を浸漬する方法などを適用すればよい。   The polymerization initiating layer is a layer formed on a glass substrate through a site where a polymer can be chemically bonded. That is, as shown in FIG. 1, the polymerization initiating layer can be formed by bonding the compound (QY) to a functional group (Z) present on the glass substrate surface. As a method for bonding the compound (QY) to the functional group (Z) present on the surface of the glass substrate, the exemplified compound (QY) is dissolved or dispersed in an appropriate solvent such as toluene, hexane or acetone. A method of applying the solution or dispersion to the surface of the substrate or a method of immersing the substrate in the solution or dispersion may be applied.

このとき、溶液中又は分散液中の化合物（Ｑ−Ｙ）の濃度としては、０．０１質量％〜３０質量％が好ましく、０．１質量％〜１５質量％であることが特に好ましい。溶液又は分散液をガラス基材に接触させる場合の液温としては、０℃〜１００℃が好ましい。接触時間としては、１秒〜５０時間が好ましく、１０秒〜１０時間がより好ましい。   At this time, as a density | concentration of the compound (QY) in a solution or a dispersion liquid, 0.01 mass%-30 mass% are preferable, and it is especially preferable that it is 0.1 mass%-15 mass%. The liquid temperature when the solution or dispersion is brought into contact with the glass substrate is preferably 0 ° C to 100 ° C. The contact time is preferably 1 second to 50 hours, and more preferably 10 seconds to 10 hours.

重合開始層を形成するポリマーは、後述の実施例に記載の方法を用いて合成することができる。   The polymer forming the polymerization initiating layer can be synthesized using the method described in the examples described later.

［グラフトポリマー前駆体層］
グラフトポリマー前駆体層は、分子内に（メタ）アクリル酸エステル及び（メタ）アクリル酸アミドから選択される構造に由来する骨格を有し且つラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着する部位とを有するポリマー（以下、単に、「グラフトポリマー前駆体」ともいう。）を含有する。 [Graft polymer precursor layer]
The graft polymer precursor layer has a skeleton derived from a structure selected from (meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid amide in the molecule, and adsorbs an unsaturated site capable of radical polymerization and an electroless plating catalyst. (Hereinafter simply referred to as “graft polymer precursor”).

ここで、「（メタ）アクリル酸エステル及び（メタ）アクリル酸アミド」とは、アクリル酸エステル、メタアクリル酸エステル、アクリル酸アミド、及びメタクリル酸アミドを意味する。   Here, “(meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid amide” mean acrylic acid ester, methacrylic acid ester, acrylic acid amide, and methacrylic acid amide.

また、「（メタ）アクリル酸エステル及び（メタ）アクリル酸アミドから選択される構造に由来する骨格」とは、下記構造式（Ａ）〜（Ｄ）で示される骨格から選択されるものを意味する。以下、単に「骨格」と称する場合がある。   The “skeleton derived from a structure selected from (meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid amide” means one selected from the skeletons represented by the following structural formulas (A) to (D). To do. Hereinafter, it may be simply referred to as “skeleton”.

構造式（Ａ）〜（Ｄ）中、「＊」は、グラフトポリマー前駆体において、該構造式で示される骨格とそれに隣接する原子との連結部位を示す。   In the structural formulas (A) to (D), “*” represents a linking site between the skeleton represented by the structural formula and an atom adjacent thereto in the graft polymer precursor.

前記ラジカル重合可能な不飽和部位としては、重合性不飽和基（ラジカル重合性基）が挙げられ、ラジカル重合性の観点から、（メタ）アクリロイルメチル基が好ましい。   Examples of the unsaturated site capable of radical polymerization include polymerizable unsaturated groups (radical polymerizable groups), and a (meth) acryloylmethyl group is preferred from the viewpoint of radical polymerization.

また、前記無電解めっき触媒を吸着する部位としては、極性基が挙げられ、該極性基は無電解めっき触媒の吸着性（付着性）の観点から、親水性基であることが好ましい。親水性基としては、例えば、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、アミノ基、水酸基、アミド基、及びエーテル基、等が挙げられる。   Moreover, as a site | part which adsorb | sucks the said electroless-plating catalyst, a polar group is mentioned, It is preferable that this polar group is a hydrophilic group from a viewpoint of the adsorptivity (adhesiveness) of an electroless-plating catalyst. Examples of the hydrophilic group include a carboxyl group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, an amino group, a hydroxyl group, an amide group, and an ether group.

本発明におけるグラフトポリマー前駆体としては、前記骨格を有し、かつ、分子内にラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着する部位と有するポリマーであれば特に限定されない。中でも、無電解めっき触媒を吸着する部位としては、極性基である親水性基が好ましいことから、グラフトポリマー前駆体としては、重合性不飽和基を有する親水性ポリマー、親水性マクロマーなどであって、かつ、前記骨格を有するものが好ましい。   The graft polymer precursor in the present invention is not particularly limited as long as it is a polymer having the skeleton and having an unsaturated site capable of radical polymerization in the molecule and a site adsorbing an electroless plating catalyst. Among them, since the hydrophilic group that is a polar group is preferable as the site that adsorbs the electroless plating catalyst, the graft polymer precursor includes a hydrophilic polymer having a polymerizable unsaturated group, a hydrophilic macromer, and the like. And what has the said frame | skeleton is preferable.

以下、重合性不飽和基を有する親水性ポリマー及び親水性マクロマーの合成について説明する。   Hereinafter, synthesis of a hydrophilic polymer having a polymerizable unsaturated group and a hydrophilic macromer will be described.

−重合性不飽和基を有する親水性ポリマー−
重合性不飽和基を有する親水性ポリマーとは、分子内に、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイル基などのエチレン付加重合性不飽和基が導入されたラジカル重合性基含有親水性ポリマーを指す。このラジカル重合性基含有親水性ポリマーは、重合性基を主鎖末端又は側鎖に有することが好ましく、その双方に重合性基を有することがより好ましい。 -Hydrophilic polymer having a polymerizable unsaturated group-
A hydrophilic polymer having a polymerizable unsaturated group is a radical polymer-containing hydrophilic polymer in which an ethylene addition polymerizable unsaturated group such as a vinyl group, an allyl group or a (meth) acryloyl group is introduced in the molecule. Point to. This hydrophilic polymer having a radical polymerizable group preferably has a polymerizable group at the end of the main chain or a side chain, and more preferably has a polymerizable group at both of them.

このようなラジカル重合性基含有親水性ポリマーは以下のようにして合成することができる。
合成方法としては、（ａ）親水性モノマーとエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとを共重合する方法、（ｂ）親水性モノマーと二重結合前駆体を有するモノマーとを共重合させ、次に塩基などの処理により二重結合を導入する方法、（ｃ）親水性ポリマーの官能基とエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとを反応させる方法、が挙げられる。これらの中でも、特に好ましいのは、合成適性の観点から、（ｃ）親水性ポリマーの官能基とエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとを反応させる方法である。 Such a radically polymerizable group-containing hydrophilic polymer can be synthesized as follows.
As a synthesis method, (a) a method of copolymerizing a hydrophilic monomer and a monomer having an ethylene addition polymerizable unsaturated group, (b) copolymerizing a hydrophilic monomer and a monomer having a double bond precursor, Next, a method of introducing a double bond by treatment with a base or the like, and (c) a method of reacting a functional group of a hydrophilic polymer with a monomer having an ethylene addition polymerizable unsaturated group. Among these, from the viewpoint of synthesis suitability, (c) a method of reacting a functional group of a hydrophilic polymer with a monomer having an ethylene addition polymerizable unsaturated group is particularly preferable.

上記（ａ）や（ｂ）の方法において、ラジカル重合性基含有親水性ポリマーの合成に用いられる親水性モノマーとしては、（メタ）アクリル酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、イタコン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−モノメチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ジメチロール（メタ）アクリルアミド、アリルアミン若しくはそのハロゲン化水素酸塩、３−ビニルプロピオン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、ビニルスルホン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、２−スルホエチル（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールモノ（メタ）アクリレートなどの、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、アミノ基若しくはそれらの塩、水酸基、アミド基及びエーテル基などの親水性基を有するモノマーが挙げられる。   In the methods (a) and (b), the hydrophilic monomer used for the synthesis of the radical polymerizable group-containing hydrophilic polymer includes (meth) acrylic acid or its alkali metal salt and amine salt, itaconic acid or its alkali. Metal salt and amine salt, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, (meth) acrylamide, N-monomethylol (meth) acrylamide, N-dimethylol (meth) acrylamide, allylamine or its hydrohalide, 3-vinylpropion Acid or alkali metal salt and amine salt thereof, vinyl sulfonic acid or alkali metal salt and amine salt thereof, 2-sulfoethyl (meth) acrylate, polyoxyethylene glycol mono (meth) acrylate, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfone Monomers having hydrophilic groups such as carboxyl groups, sulfonic acid groups, phosphoric acid groups, amino groups or salts thereof, hydroxyl groups, amide groups and ether groups, such as acid phosphooxypolyoxyethylene glycol mono (meth) acrylate Can be mentioned.

また、（ｃ）の方法で用いられる親水性ポリマーとしては、これらの親水性モノマーから選ばれる少なくとも一種を用いて得られる親水性ホモポリマー若しくはコポリマーが用いられる。   As the hydrophilic polymer used in the method (c), a hydrophilic homopolymer or copolymer obtained using at least one selected from these hydrophilic monomers is used.

（ａ）の方法でラジカル重合性基含有親水性ポリマーを合成する際、親水性モノマーと共重合するエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとしては、例えば、アリル基含有モノマーがあり、具体的には、アリル（メタ）アクリレート、２−アリルオキシエチルメタクリレートが挙げられる。   When the radically polymerizable group-containing hydrophilic polymer is synthesized by the method (a), examples of the monomer having an ethylene addition polymerizable unsaturated group that is copolymerized with the hydrophilic monomer include an allyl group-containing monomer. Examples include allyl (meth) acrylate and 2-allyloxyethyl methacrylate.

また、（ｂ）の方法でラジカル重合性基含有親水性ポリマーを合成する際、親水性モノマーと共重合する二重結合前駆体を有するモノマーとしては、２−（３−クロロ−１−オキソプロポキシ）エチルメタクリレー卜が挙げられる。   Further, when the radical polymerizable group-containing hydrophilic polymer is synthesized by the method (b), a monomer having a double bond precursor that is copolymerized with a hydrophilic monomer is 2- (3-chloro-1-oxopropoxy). ) Ethyl methacrylate.

更に、（ｃ）の方法でラジカル重合性基含有親水性ポリマーを合成する際、親水性ポリマー中のカルボキシル基、アミノ基若しくはそれらの塩と、水酸基及びエポキシ基などの官能基と、の反応を利用して不飽和基を導入することが好ましい。このために用いられる付加重合性不飽和基を有するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸、グリシジル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエーテル、２−イソシアナトエチル（メタ）アクリレートなど挙げられる。   Further, when the radical polymerizable group-containing hydrophilic polymer is synthesized by the method (c), a reaction between a carboxyl group, an amino group or a salt thereof in the hydrophilic polymer and a functional group such as a hydroxyl group and an epoxy group is performed. It is preferable to introduce an unsaturated group using it. Examples of the monomer having an addition polymerizable unsaturated group used for this purpose include (meth) acrylic acid, glycidyl (meth) acrylate, allyl glycidyl ether, and 2-isocyanatoethyl (meth) acrylate.

−親水性マクロモノマー−
本発明において用い得るマクロモノマーの製造方法は、例えば、平成１年９月２０日にアイピーシー出版局発行の「マクロモノマーの化学と工業」（編集者 山下雄也）の第２章「マクロモノマーの合成」に各種の製法が提案されている。
本発明で用い得る親水性マクロモノマーで特に有用なものとしては、アクリル酸、メタクリル酸などのカルホキシル基含有のモノマーから誘導されるマクロモノマー、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、ビニルステレンスルホン酸、及びその塩のモノマーから誘導されるスルホン酸系マクロモノマー、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−ビニルカルボン酸アミドモノマーから誘導されるアミド系マクロモノマー、ヒドロキシエチルメタクリレー卜、ヒドロキシエチルアクリレート、グリセロールモノメタクリレートなどの水酸基含有モノマーから誘導されるマクロモノマー、メトキシエチルアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレートなどのアルコキシ基若しくはエチレンオキシド基含有モノマーから誘導されるマクロモノマーである。また、ポリエチレングリコール鎖若しくはポリプロピレングリコール鎖を有するモノマーも本発明のマクロモノマーとして有用に使用することができる。
これらの親水性マクロモノマーのうち有用なものの分子量は、２５０〜１０万の範囲で、特に好ましい範囲は４００〜３万である。 -Hydrophilic macromonomer-
The method for producing a macromonomer that can be used in the present invention is described in, for example, Chapter 2 of “Macromonomer Chemistry and Industry” (Editor, Yuya Yamashita) published on September 20, 1999 by the IP Publishing Bureau. Various production methods have been proposed in “Synthesis”.
Particularly useful hydrophilic macromonomers that can be used in the present invention include macromonomers derived from carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid and methacrylic acid, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, and vinylsterene sulfone. Sulfonic acid macromonomer derived from monomer of acid and its salt, (meth) acrylamide, N-vinylacetamide, N-vinylformamide, amide macromonomer derived from N-vinylcarboxylic amide monomer, hydroxyethyl Macromonomers derived from hydroxyl group-containing monomers such as methacrylic acid, hydroxyethyl acrylate, glycerol monomethacrylate, methoxyethyl acrylate, methoxypolyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol Macromonomers derived from alkoxy group or ethylene oxide group-containing monomers such Lumpur acrylate. A monomer having a polyethylene glycol chain or a polypropylene glycol chain can also be usefully used as the macromonomer of the present invention.
Among these hydrophilic macromonomers, useful ones have a molecular weight in the range of 250 to 100,000, and a particularly preferable range is 400 to 30,000.

本発明におけるグラフトポリマー前駆体は、具体的には、前記重合性不飽和基を有する親水性ポリマー、及び親水性マクロマーを用いて、後述の実施例の記載の方法にて合成することができる。   Specifically, the graft polymer precursor in the present invention can be synthesized by the method described in Examples below using the hydrophilic polymer having a polymerizable unsaturated group and the hydrophilic macromer.

グラフトポリマー前駆体層を重合開始層上に形成する方法としては、グラフトポリマー前駆体が溶解された溶液又は分散された分散液を塗布する方法、その溶液又は分散液に重合開始層を形成した基材を浸漬する方法などがある。   As a method for forming the graft polymer precursor layer on the polymerization initiation layer, a method in which a solution or dispersion in which the graft polymer precursor is dissolved is applied, a group in which the polymerization initiation layer is formed in the solution or dispersion. There is a method of immersing the material.

このとき、溶液中又は分散液のグラフトポリマー前駆体の濃度としては、０．１質量％〜５０質量％が好ましく、特に１質量％〜１０質量％であることが好ましい。   At this time, the concentration of the graft polymer precursor in the solution or in the dispersion is preferably 0.1% by mass to 50% by mass, and particularly preferably 1% by mass to 10% by mass.

グラフトポリマー前駆体の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Specific examples of the graft polymer precursor are shown below, but the present invention is not limited thereto.

−溶媒−
上述のグラフトポリマー前駆体を溶解、分散するための溶媒としては、該化合物や必要に応じて添加される添加剤が溶解可能ならば特に制限はない。
例えば、グラフトポリマー前駆体として親水性の化合物が適用される場合であれば、水、水溶性溶剤などの水性溶剤が好ましく、これらの混合物や、溶剤に更に界面活性剤を添加したものなどが好ましい。水溶性溶剤は、水と任意の割合で混和しうる溶剤を言い、そのような水溶性溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリンの如きアルコール系溶剤、酢酸の如き酸、アセトンの如きケトン系溶剤、ホルムアミドの如きアミド系溶剤などが挙げられる。 -Solvent-
The solvent for dissolving and dispersing the above-mentioned graft polymer precursor is not particularly limited as long as the compound and additives added as necessary can be dissolved.
For example, when a hydrophilic compound is applied as the graft polymer precursor, an aqueous solvent such as water or a water-soluble solvent is preferable, and a mixture thereof or a solvent in which a surfactant is further added is preferable. . The water-soluble solvent refers to a solvent miscible with water in an arbitrary ratio, and examples of such a water-soluble solvent include alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol, and glycerin, acids such as acetic acid, Examples include ketone solvents such as acetone and amide solvents such as formamide.

グラフトポリマー前駆体層の厚みとしては、特に限定されないが、めっき触媒の金属吸着の観点から０．３μｍ〜５μｍが好ましく、０．５μｍ〜２μｍがより好ましい。
前記グラフトポリマー前駆体層の厚さを０．３μｍ〜５μｍの範囲とすることによりめっき触媒の金属の吸着量が増加の傾向となり好ましい。 The thickness of the graft polymer precursor layer is not particularly limited, but is preferably 0.3 μm to 5 μm, more preferably 0.5 μm to 2 μm from the viewpoint of metal adsorption of the plating catalyst.
By making the thickness of the graft polymer precursor layer in the range of 0.3 μm to 5 μm, the metal adsorption amount of the plating catalyst tends to increase, which is preferable.

［ガラス基材］
本発明において用いられるガラス基材としては、特に制限はなく、基材表面に、水酸基、カルボキシル基、アミノ基などの官能基（Ｚ）を有するガラス基材などを適用できる。
前記ガラス基材の成分としては、特に制限はないが、化学的修飾が容易であるという観点から酸化ケイ素を主成分とすることが好ましい。 [Glass substrate]
There is no restriction | limiting in particular as a glass substrate used in this invention, The glass substrate etc. which have functional groups (Z), such as a hydroxyl group, a carboxyl group, and an amino group, can be applied to the substrate surface.
The component of the glass substrate is not particularly limited, but it is preferable that silicon oxide is a main component from the viewpoint of easy chemical modification.

化学的修飾には、シランカップリング剤（片末端にアルコキシシリル基またはハロシリル基を有し、もう一方の末端に特定の官能基を有する化合物）を用いることが、工程が簡易であり、且つ、表面の被覆が効果的で望ましい。この時、特定の官能基として望ましいのがアミノ基、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、エポキシ基、イソシアナート基であり、この中でもラジカル重合開始剤との反応性が高いアミノ基、カルボキシル基、イソシアナート基が好ましい。   For chemical modification, using a silane coupling agent (a compound having an alkoxysilyl group or a halosilyl group at one end and a specific functional group at the other end), the process is simple, and Surface coating is effective and desirable. At this time, amino groups, hydroxyl groups, mercapto groups, carboxyl groups, epoxy groups, and isocyanate groups are desirable as specific functional groups, and among them, amino groups, carboxyl groups, and isocyanate groups that are highly reactive with radical polymerization initiators. A nate group is preferred.

前記シランカップリング剤の具体例としては、上記構成を有するものであれば特に限定されず、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、１１−アミノウンデシルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、（３−トリメトキシシリルプロピル）ジエチレントリアミン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、１１−メルカプトウンデシルトリメトキシシラン、メルカプトメチルメチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、（イソシアナートメチル）メチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、（３−グリシジルプロピル）トリエトキシシラン、（３−グリシジルプロピル）トリメトキシシラン、５，６−エポキシヘキシルトリエトキシシラン、（３−グリシジルプロピル）メチルジエトキシシラン、（３−グリシジルプロピル）メチルジメトキシシラン、（３−グリシジルプロピル）ジメチルエトキシシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン三酢酸ナトリウム、３−（トリエトキシシリル）プロピルコハク酸無水物、等が挙げられ、ラジカル重合開始剤との反応性が高い観点から、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、３−（トリエトキシシリル）プロピルコハク酸無水物が好ましい。   Specific examples of the silane coupling agent are not particularly limited as long as the silane coupling agent has the above-described configuration, and 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, 11- Aminoundecyltriethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, 3-aminopropyldimethylethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl)- 3-aminopropyltriethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, (3-trimethoxysilylpropyl) diethylenetriamine, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane , 11- Lucaptoundecyltrimethoxysilane, mercaptomethylmethyldiethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, 3-isocyanatopropyltrimethoxysilane, (isocyanatomethyl) methyldimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, (3-glycidylpropyl) triethoxysilane, (3-glycidylpropyl) trimethoxysilane, 5,6-epoxyhexyltriethoxysilane, (3-glycidylpropyl) methyldiethoxysilane, (3-glycidylpropyl) methyldimethoxysilane, (3-glycidylpropyl) dimethyl ester From the viewpoint of high reactivity with a radical polymerization initiator, there may be mentioned xylsilane, N- (trimethoxysilylpropyl) ethylenediamine sodium triacetate, 3- (triethoxysilyl) propyl succinic anhydride, etc. Triethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, 3-aminopropyldimethylethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyl Triethoxysilane, 3-isocyanatopropyltrimethoxysilane, and 3- (triethoxysilyl) propyl succinic anhydride are preferred.

また、一般的には、平板状のガラス基材が用いられるが、必ずしも平板状のガラス基材に限定されず、円筒形などの任意の形状のガラス基材であっても用いることができる。これらのガラス基材についてもグラフトポリマーを導入することができる。   In general, a flat glass substrate is used. However, the glass substrate is not necessarily limited to a flat glass substrate, and any glass substrate having an arbitrary shape such as a cylindrical shape can be used. A graft polymer can also be introduced into these glass substrates.

本発明に好適な基材として、具体的には、表面に水酸基を有する各種ガラス基材、及び表面を化学修飾し、表面に前記特定官能基を有する各種ガラス基材が挙げられる。
ガラス基材の厚みは、使用目的に応じて選択され、特に限定はないが、一般的には、１０μｍ〜１０ｃｍ程度である。 Specific examples of the substrate suitable for the present invention include various glass substrates having a hydroxyl group on the surface, and various glass substrates having the specific functional group on the surface by chemically modifying the surface.
The thickness of the glass substrate is selected according to the purpose of use and is not particularly limited, but is generally about 10 μm to 10 cm.

≪導電性パターン形成方法≫
本発明の導電性パターン形成方法は、前記積層体上にパターン状にエネルギーを付与して、該積層体が有する重合開始層におけるポリマーのラジカル重合開始部位にラジカルを生成させ、該ラジカルを起点としてグラフトポリマーを生成させる工程（以下、「グラフトポリマー生成工程」ともいう。）と、前記パターン状に形成されたグラフトポリマーに無電解めっき触媒又はその前駆体を吸着させた後、無電解めっきを行い、導電性膜を形成する工程（以下、「導電性膜形成工程」ともいう。）と、を有することを特徴とする。 << Conductive pattern formation method >>
In the conductive pattern forming method of the present invention, energy is applied in a pattern on the laminate, radicals are generated at the radical polymerization initiation site of the polymer in the polymerization initiation layer of the laminate, and the radical is used as a starting point. A step of generating a graft polymer (hereinafter also referred to as “graft polymer generation step”), and an electroless plating catalyst or a precursor thereof is adsorbed on the graft polymer formed in the pattern, and then electroless plating is performed. And a step of forming a conductive film (hereinafter also referred to as a “conductive film forming step”).

この方法を用いることで、基材上に所望の導電性パターンを形成することができ、特に、超微細の導電性パターンを形成することができる。また、導電性パターン形成において、前記積層体を用いることにより、導電性膜と基材との密着性、有用なグラフトポリマーの無電解めっき浴中のアルカリ性への耐性を著しく向上させることができる。   By using this method, a desired conductive pattern can be formed on the substrate, and in particular, an ultrafine conductive pattern can be formed. Further, in the formation of the conductive pattern, by using the laminate, it is possible to remarkably improve the adhesion between the conductive film and the substrate and the resistance to alkalinity of the useful graft polymer in the electroless plating bath.

ここで、本発明における「超微細」とは、少なくとも導電性膜（導電性パターン）の幅が１０００ｎｍ以下であるものを指し、好ましくは、ラインアンドスペースの幅がそれぞれ１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲のものであり、ラインアンドスペースの幅がそれぞれ１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であることがより好ましい。
本発明における「超微細の導電性パターン」については、原子間顕微鏡（ＡＦＭ）や電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察することにより確認することができる。 Here, “ultrafine” in the present invention means that at least the width of the conductive film (conductive pattern) is 1000 nm or less, and preferably the line and space width is in the range of 10 nm to 1000 nm, respectively. More preferably, the width of the line and space is in the range of 10 nm to 500 nm.
The “ultrafine conductive pattern” in the present invention can be confirmed by observing with an atomic microscope (AFM) or an electron microscope (SEM).

以下に、本発明の導電性パターン形成方法におけるグラフトポリマー生成工程と導電性膜形成工程について詳細に説明する。   Below, the graft polymer production | generation process and conductive film formation process in the conductive pattern formation method of this invention are demonstrated in detail.

（グラフトポリマー生成工程）
本発明の導電性パターン形成方法におけるグラフトポリマー生成工程では、前記積層体にパターン状にエネルギーを付与（パターン露光）して、重合開始層におけるポリマーのラジカル重合開始部位に発生したラジカルを起点として、グラフトポリマー前駆体との間で、グラフト重合反応を生起、進行させて、その結果、露光領域のみにグラフトポリマーが生成する。 (Graft polymer production process)
In the graft polymer generation step in the conductive pattern forming method of the present invention, energy is imparted to the laminate in a pattern (pattern exposure), and the radical generated at the radical polymerization initiation site of the polymer in the polymerization initiation layer is the starting point. A graft polymerization reaction occurs and proceeds with the graft polymer precursor, and as a result, a graft polymer is formed only in the exposed area.

本発明ではグラフトポリマー前駆体として、前記の特定のポリマーを用いるため、厚くで丈夫なグラフト膜ができる。   In the present invention, since the specific polymer is used as the graft polymer precursor, a thick and strong graft film can be formed.

前記グラフトポリマー生成工程において、前記パターン露光する際に用いうる露光方法には特に制限はなく、エネルギーを付与できる露光であれば、紫外光で、可視光でよい。なかでも、より微細なグラフトパターンを形成する観点から可視領域（３６０〜７００ｎｍ）に極大吸収波長を有するレーザー走査露光、若しくは水銀灯等による紫外領域を含む露光とフォトマスクを用いるパターン露光が好ましい。   In the graft polymer generation step, the exposure method that can be used for the pattern exposure is not particularly limited, and may be ultraviolet light or visible light as long as it can provide energy. Among these, from the viewpoint of forming a finer graft pattern, laser scanning exposure having a maximum absorption wavelength in the visible region (360 to 700 nm), exposure including an ultraviolet region using a mercury lamp or the like, and pattern exposure using a photomask are preferable.

前記レーザー走査露光の好ましい前記極大吸収波長は３６０ｎｍ〜５５０ｎｍであり、より好ましくは３６５ｎｍ〜４５０ｎｍである。   The maximum absorption wavelength of the laser scanning exposure is preferably 360 nm to 550 nm, more preferably 365 nm to 450 nm.

また、露光エネルギーとしては、１０００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましく５００ｍＪ／ｃｍ^２以下がより好ましく、３００ｍＪ／ｃｍ^２以下がより好ましい。 As the exposure energy, more preferably preferably 500 mJ / cm ² or less is at 1000 mJ / cm ² or less, 300 mJ / cm ² or less being more preferred.

露光に用いられる光源としては、紫外光、深紫外光、レーザー光等が挙げられ、具体的には、紫外光、ｉ線、ｇ線、ＫｒＦ、ＡｒＦなどのエキシマレーザーが用いられる。中でも、好ましくは、ｉ線、ｇ線、エキシマレーザーである。   Examples of the light source used for exposure include ultraviolet light, deep ultraviolet light, and laser light. Specifically, excimer lasers such as ultraviolet light, i-line, g-line, KrF, and ArF are used. Among these, i-line, g-line, and excimer laser are preferable.

本発明の導電性パターン形成方法における前記グラフトポリマー前駆体は、前述の積層体に含有されるグラフトポリマー前駆体と同様であり、好ましい例も同様である。   The graft polymer precursor in the conductive pattern forming method of the present invention is the same as the graft polymer precursor contained in the above-mentioned laminate, and preferred examples are also the same.

本発明における前記グラフトポリマー生成工程により形成されたグラフトパターンの解像度は、前記パターン露光における露光条件に左右される。
本発明における前記グラフトポリマー生成工程により、超微細なグラフトポリマーパターンの形成が可能であり、高精細のパターン露光を施すことにより、露光に応じた高精細なグラフトポリマーパターンが形成される。高精細なグラフトポリマーパターン形成のための露光方法としては、前述の通り、光学系を用いた光ビーム走査露光、マスクを用いた露光などが挙げられ、所望のパターンの解像度に応じた露光方法をとればよい。
特に、ラインアンドスペースの線幅が１０００ｎｍ以下の超微細なグラフトポリマーパターンを形成する際のパターン露光としては、具体的には、ｉ線ステッパー、ｇ線ステッパー、ＫｒＦステッパー、ＡｒＦステッパーのようなステッパー露光や、二光束干渉露光機による露光などが挙げられる。 The resolution of the graft pattern formed by the graft polymer production step in the present invention depends on the exposure conditions in the pattern exposure.
According to the graft polymer generation step of the present invention, an ultrafine graft polymer pattern can be formed, and a high-definition graft polymer pattern corresponding to the exposure is formed by performing high-definition pattern exposure. As described above, the exposure method for forming a high-definition graft polymer pattern includes light beam scanning exposure using an optical system, exposure using a mask, and the like, and an exposure method corresponding to the resolution of a desired pattern is used. Just do it.
In particular, pattern exposure when forming an ultrafine graft polymer pattern with a line width of 1000 nm or less is specifically a stepper such as an i-line stepper, a g-line stepper, a KrF stepper, or an ArF stepper. Examples thereof include exposure and exposure using a two-beam interference exposure machine.

このように、本発明におけるグラフトポリマー生成工程において、ガラス基材表面にグラフトポリマー生成領域と非生成領域とが形成された基材は、露光後、溶剤浸漬などの処理を行って、残存するグラフトポリマー前駆体やホモポリマーを除去し精製する。具体的には、水やアセトンによる洗浄、乾燥などが挙げられる。グラフトポリマー前駆体やホモポリマーの除去性の観点から、超音波などの手段を採ることが好ましい。
精製後の基材は、その表面に残存するグラフトポリマー前駆体やホモポリマーが完全に除去され、基材と強固に結合したパターン状のグラフトポリマーのみが存在することになる。 As described above, in the graft polymer generation step in the present invention, the substrate in which the graft polymer generation region and the non-generation region are formed on the surface of the glass substrate is subjected to a treatment such as solvent immersion after the exposure, thereby remaining grafts. Remove and purify polymer precursors and homopolymers. Specifically, washing with water or acetone, drying and the like can be mentioned. From the viewpoint of the removability of the graft polymer precursor or homopolymer, it is preferable to adopt means such as ultrasonic waves.
In the purified substrate, the graft polymer precursor and homopolymer remaining on the surface are completely removed, and only the patterned graft polymer firmly bonded to the substrate exists.

上記本発明におけるグラフトポリマー生成工程を経由することにより、露光の解像度に応じた微細なパターンが容易に形成されることから、その応用範囲は広い。
本発明におけるグラフトポリマー生成工程の方法により得られたグラフトポリマーパターンは、例えば、微細加工用レジスト等に適用することができる。 Since the fine pattern according to the resolution of exposure is easily formed by passing through the graft polymer production | generation process in the said invention, the application range is wide.
The graft polymer pattern obtained by the method of the graft polymer production step in the present invention can be applied to, for example, a fine processing resist.

（導電性膜形成工程）
次に、本発明の導電性パターン形成方法における導電性膜を形成する工程（導電性膜形成工程）について説明する。
本工程では、生成されたグラフトポリマーに無電解めっき触媒又はその前駆体を吸着させた後、無電解めっきを行い、導電性膜（以下、単に「めっき膜」ともいう。）を形成する工程である。 (Conductive film forming process)
Next, a process of forming a conductive film (conductive film forming process) in the conductive pattern forming method of the present invention will be described.
In this step, an electroless plating catalyst or a precursor thereof is adsorbed on the generated graft polymer, and then electroless plating is performed to form a conductive film (hereinafter also simply referred to as “plating film”). is there.

（めっき膜の形成）
導電性膜形成工程は、グラフトポリマーが有する極性基に対し、無電解めっき触媒又はその前駆体を吸着させた後、無電解めっきを行い、めっき膜を形成する方法である。この方法により、めっき膜からなる導電性膜が形成される。
このように、めっき膜は、グラフトポリマーの極性基に吸着している触媒や前駆体に対し無電解めっきされて形成されることから、めっき膜とグラフトポリマーとが強固に結合しており、その結果、基材とめっき膜との密着性に優れると共に、めっき条件により導電性を調整することができるという利点を有する。 (Formation of plating film)
The conductive film forming step is a method of forming a plating film by performing electroless plating after adsorbing an electroless plating catalyst or a precursor thereof to a polar group of the graft polymer. By this method, a conductive film made of a plating film is formed.
Thus, since the plating film is formed by electroless plating with respect to the catalyst or precursor adsorbed on the polar group of the graft polymer, the plating film and the graft polymer are firmly bonded. As a result, the adhesion between the substrate and the plating film is excellent, and the conductivity can be adjusted according to the plating conditions.

まず、無電解めっき触媒又はその前駆体の付与方法について説明する。
本発明において用いられる無電解めっき触媒とは、主に０価金属であり、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏなどが挙げられる。本発明においては、特に、Ｐｄ、Ａｇがその取り扱い性の良さ、触媒能の高さから好ましい。０価金属を相互作用性領域に固定する手法としては、例えば、グラフトポリマーの極性基と相互作用するように荷電を調節した金属コロイドを、グラフトポリマーが生成した基材に付与する手法が用いられる。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤又は荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。金属コロイドの荷電は、ここで使用される界面活性剤又は保護剤により調節することができ、このように荷電を調節した金属コロイドを、グラフトポリマーが有する極性基と相互作用させることで、グラフトポリマーに金属コロイド（無電解めっき触媒）を付着させることができる。 First, a method for applying an electroless plating catalyst or a precursor thereof will be described.
The electroless plating catalyst used in the present invention is mainly a zero-valent metal, and examples thereof include Pd, Ag, Cu, Ni, Al, Fe, and Co. In the present invention, Pd and Ag are particularly preferable because of their good handleability and high catalytic ability. As a method for fixing the zero-valent metal to the interactive region, for example, a method is used in which a metal colloid whose charge is adjusted so as to interact with the polar group of the graft polymer is applied to the base material on which the graft polymer is generated. . In general, a metal colloid can be prepared by reducing metal ions in a solution containing a charged surfactant or a charged protective agent. The charge of the metal colloid can be adjusted by the surfactant or the protective agent used here, and by interacting the metal colloid thus controlled in charge with the polar group of the graft polymer, the graft polymer A metal colloid (electroless plating catalyst) can be adhered to the substrate.

本発明において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には上記無電解めっき触媒で用いた０価金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である０価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンはグラフトポリマーが生成した基材に付与した後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよいし、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属（無電解めっき触媒）に変化させてもよい。   The electroless plating catalyst precursor used in the present invention can be used without particular limitation as long as it can become an electroless plating catalyst by a chemical reaction. Mainly, metal ions of zero-valent metal used in the electroless plating catalyst are used. The metal ion that is an electroless plating catalyst precursor becomes a zero-valent metal that is an electroless plating catalyst by a reduction reaction. After the metal ion, which is an electroless plating catalyst precursor, is applied to the base material on which the graft polymer is formed, it can be converted into a zero-valent metal by a reduction reaction before immersion in the electroless plating bath. Alternatively, the electroless plating catalyst precursor may be immersed in an electroless plating bath and changed to a metal (electroless plating catalyst) by a reducing agent in the electroless plating bath.

実際には、無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩の状態でグラフトポリマーに付与する。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるものであれば特に制限はなく、Ｍ（ＮＯ_３）ｎ、ＭＣｌｎ、Ｍ_２／ｎ（ＳＯ_４）、Ｍ_３／ｎ（ＰＯ_４）（Ｍは、ｎ価の金属原子を表す）などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。具体例としては、例えば、Ａｇイオン、Ｃｕイオン、Ａｌイオン、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｐｄイオンが挙げられ、Ａｇイオン、Ｐｄイオンが触媒能の点で好ましい。 In practice, the metal ion that is the electroless plating catalyst precursor is imparted to the graft polymer in the form of a metal salt. The metal salt used is not particularly limited as long as it is dissolved in an appropriate solvent and dissociated into a metal ion and a base (anion), and M (NO ₃ ) n, MCn, M _{2 / n} (SO ₄ ), M _{3 / n} (PO ₄ ) (M represents an n-valent metal atom), and the like. As a metal ion, the thing which said metal salt dissociated can be used suitably. Specific examples include, for example, Ag ions, Cu ions, Al ions, Ni ions, Co ions, Fe ions, and Pd ions, and Ag ions and Pd ions are preferable in terms of catalytic ability.

無電解めっき触媒である金属コロイド、或いは、無電解めっき触媒前駆体である金属塩をグラフトポリマーに付与する方法としては、金属コロイドを適当な分散媒に分散、或いは、金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液を調製し、その溶液をグラフトポリマーが生成した基材に塗布するか、或いは、その溶液中にグラフトポリマーが生成した基材を浸漬すればよい。金属イオンを含有する溶液を接触させることで、グラフトポリマーが有する極性基に、イオン−イオン相互作用、又は、双極子−イオン相互作用を利用して金属イオンを付着させること、或いは、相互作用性領域に金属イオンを含浸させることができる。このような付着又は含浸を充分に行なわせるという観点からは、接触させる溶液中の金属イオン濃度、或いは金属塩濃度は０．０１〜５０質量％の範囲であることが好ましく、０．１〜３０質量％の範囲であることが更に好ましい。また、接触時間としては、１分〜２４時間程度であることが好ましく、５分〜１時間程度であることがより好ましい。   As a method of imparting a metal colloid as an electroless plating catalyst or a metal salt as an electroless plating catalyst precursor to a graft polymer, the metal colloid is dispersed in an appropriate dispersion medium, or the metal salt is added with an appropriate solvent. A solution containing dissolved and dissociated metal ions may be prepared, and the solution may be applied to the base material on which the graft polymer is generated, or the base material on which the graft polymer is generated may be immersed in the solution. By contacting a solution containing metal ions, metal ions are attached to polar groups of the graft polymer using ion-ion interaction or dipole-ion interaction, or interactive properties. The region can be impregnated with metal ions. From the viewpoint of sufficiently performing such adhesion or impregnation, the metal ion concentration or the metal salt concentration in the solution to be contacted is preferably in the range of 0.01 to 50% by mass, preferably 0.1 to 30%. More preferably, it is in the range of mass%. Further, the contact time is preferably about 1 minute to 24 hours, more preferably about 5 minutes to 1 hour.

次に、無電解めっき方法について説明する。
無電解めっき触媒又はその前駆体が付与された基材に対して、無電解めっきを行うことで、グラフトポリマー生成領域に応じた導電性膜が形成される。
無電解めっきとは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。 Next, the electroless plating method will be described.
By performing electroless plating on the substrate to which the electroless plating catalyst or its precursor is applied, a conductive film corresponding to the graft polymer generation region is formed.
Electroless plating refers to an operation of depositing a metal by a chemical reaction using a solution in which metal ions to be deposited as a plating are dissolved.

本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された基材を、水洗して余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行なう。使用される無電解めっき浴としては、一般的に知られている無電解めっき浴を使用することができる。   The electroless plating in this step is performed, for example, by immersing the substrate provided with the electroless plating catalyst in water and removing the excess electroless plating catalyst (metal) and then immersing it in an electroless plating bath. As the electroless plating bath used, a generally known electroless plating bath can be used.

また、無電解めっき触媒前駆体が付与された基材の場合、つまり、無電解めっき触媒前駆体がグラフトポリマーに付着又は含浸した状態の基材を無電解めっき浴に浸漬する場合には、基材を水洗して余分な前駆体（金属塩など）を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬される。この場合には、無電解めっき浴中において、前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここ使用される無電解めっき浴としても、上記同様、一般的に知られている無電解めっき浴を使用することができる。   In the case of a substrate provided with an electroless plating catalyst precursor, that is, when a substrate with the electroless plating catalyst precursor attached or impregnated with a graft polymer is immersed in an electroless plating bath, The material is washed with water to remove excess precursors (such as metal salts) and then immersed in an electroless plating bath. In this case, reduction of the precursor and subsequent electroless plating are performed in the electroless plating bath. As the electroless plating bath used here, a generally known electroless plating bath can be used as described above.

一般的な無電解めっき浴の組成としては、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加物が含まれていてもよい。
無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。 The composition of a general electroless plating bath is as follows: 1. metal ions for plating; 2. reducing agent; Additives (stabilizers) that improve the stability of metal ions are mainly included. In addition to these, the plating bath may contain known additives such as a plating bath stabilizer.
Copper, tin, lead, nickel, gold, palladium, and rhodium are known as the types of metals used in the electroless plating bath, and copper and gold are particularly preferable from the viewpoint of conductivity.

また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物がある。例えば、銅の無電解めっき浴は、銅塩としてＣｕ（ＳＯ_４）_２、還元剤としてＨＣＯＨ、添加剤として銅イオンの安定剤であるＥＤＴＡやロッシェル塩などのキレート剤が含まれている。また、ＣｏＮｉＰの無電解めっきに使用されるめっき浴には、その金属塩として硫酸コバルト、硫酸ニッケル、還元剤として次亜リン酸ナトリウム、錯化剤としてマロン酸ナトリウム、りんご酸ナトリウム、こはく酸ナトリウムが含まれている。また、パラジウムの無電解めっき浴は、金属イオンとして（Ｐｄ（ＮＨ_３）_４）Ｃｌ_２、還元剤としてＮＨ_３、Ｈ_２ＮＮＨ_２、安定化剤としてＥＤＴＡが含まれている。これらのめっき浴には、上記成分以外の成分が入っていてもよい。 In addition, there are optimum reducing agents and additives according to the above metals. For example, a copper electroless plating bath contains Cu (SO ₄ ) ₂ as a copper salt, HCOH as a reducing agent, and a chelating agent such as EDTA or Rochelle salt as a copper ion stabilizer as an additive. The plating bath used for electroless plating of CoNiP includes cobalt sulfate and nickel sulfate as metal salts, sodium hypophosphite as a reducing agent, sodium malonate, sodium malate and sodium succinate as complexing agents. It is included. Further, the electroless plating bath of palladium contains (Pd (NH ₃ ) ₄ ) Cl ₂ as metal ions, NH ₃ and H ₂ NNH ₂ as reducing agents, and EDTA as a stabilizer. These plating baths may contain components other than the above components.

このようにして形成される導電性膜の膜厚は、めっき浴の金属塩又は金属イオン濃度、めっき浴への浸漬時間、或いは、めっき浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、０．５μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましい。また、めっき浴への浸漬時間としては、１分〜３時間程度であることが好ましく、１分〜１時間程度であることがより好ましい。   The film thickness of the conductive film thus formed can be controlled by the concentration of the metal salt or metal ion in the plating bath, the immersion time in the plating bath, or the temperature of the plating bath. From the viewpoint, it is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 3 μm or more. Further, the immersion time in the plating bath is preferably about 1 minute to 3 hours, and more preferably about 1 minute to 1 hour.

以上のようにして得られる導電性膜は、ＳＥＭによる断面観察により、グラフトポリマー膜中に無電解めっき触媒やめっき金属の微粒子がぎっしりと分散しており、更にその上に比較的大きな粒子が析出していることが確認された。界面はグラフトポリマーと微粒子とのハイブリッド状態であるため、基材表面の平均粗さ（Ｒｚ）が３μｍ以下であっても、基材（有機成分）と無機物（無電解めっき触媒又はめっき金属）との密着性が良好であった。   In the conductive film obtained as described above, fine particles of the electroless plating catalyst and the plating metal are firmly dispersed in the graft polymer film by cross-sectional observation by SEM, and relatively large particles are deposited thereon. It was confirmed that Since the interface is a hybrid state of the graft polymer and fine particles, even if the average roughness (Rz) of the substrate surface is 3 μm or less, the substrate (organic component) and the inorganic substance (electroless plating catalyst or plating metal) The adhesion of was good.

（電気めっき処理工程）
また、導電性膜形成工程における無電解めっき終了後、電気めっき処理工程を有することが好ましい。即ち、電気めっきは、前述の無電解めっきにより得られた導電性膜を電極として行う。これにより基材との密着性に優れた導電性膜をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつめっき膜を容易に形成することができる。この工程を付加することにより、めっき膜を目的に応じた厚みに形成することができる。 (Electroplating process)
Moreover, it is preferable to have an electroplating treatment process after the end of electroless plating in the conductive film forming process. That is, electroplating is performed using the conductive film obtained by the above-described electroless plating as an electrode. As a result, a plating film having an arbitrary thickness can be easily formed on the basis of the conductive film having excellent adhesion to the substrate. By adding this step, the plating film can be formed to a thickness according to the purpose.

本発明における電気めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、電気めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。   A conventionally known method can be used as the electroplating method in the present invention. In addition, as a metal used for electroplating, copper, chromium, lead, nickel, gold | metal | money, silver, tin, zinc etc. are mentioned, Copper, gold | metal | money, silver is preferable from a conductive viewpoint, and copper is more preferable.

電気めっきにより得られるめっき膜の膜厚については、用途に応じて異なるものであり、めっき浴中に含まれる金属濃度、浸漬時間、或いは、電流密度などを調整することでコントロールすることができる。   The film thickness of the plating film obtained by electroplating varies depending on the application and can be controlled by adjusting the concentration of metal contained in the plating bath, the immersion time, or the current density.

以上の通り、本発明の導電性パターン形成方法により、基材との密着性に優れ、且つ、超微細な導電性膜（めっき膜）を有する導電性パターンをガラス基材上に形成することができる。   As described above, by the conductive pattern forming method of the present invention, it is possible to form a conductive pattern having excellent adhesion to the substrate and having an ultrafine conductive film (plating film) on the glass substrate. it can.

≪導電性パターン≫
本発明の導電性パターンは、前述の導電性パターン形成方法を用いて形成されたものであり、プリント配線基板、薄層トランジスタなど、精細でかつ導電性に優れた微細配線を必要とする各種の用途に適用できる。 ≪Conductive pattern≫
The conductive pattern of the present invention is formed by using the above-described conductive pattern forming method, and various kinds of fine wiring that requires fine and excellent conductivity, such as a printed wiring board and a thin layer transistor. Applicable to usage.

≪プリント配線基板≫
本発明のプリント配線基板は、前述の導電性パターン形成方法を用いて形成された導電性パターンを備えたことを特徴とする。プリント配線基板が前記導電性パターン形成方法を用いて形成される導電性パターンを備えることにより、高精細でかつ導電性に優れた微細配線を広い面積にわたって、膜厚、膜質を均一にすることができる。これにより、信頼性の高い配線、電極を有するプリント配線基板とすることができる。 ≪Printed wiring board≫
The printed wiring board of the present invention includes a conductive pattern formed by using the above-described conductive pattern forming method. By providing the conductive pattern formed on the printed wiring board using the conductive pattern forming method, the fine wiring having high definition and excellent conductivity can be made uniform in film thickness and film quality over a wide area. it can. As a result, a printed wiring board having highly reliable wiring and electrodes can be obtained.

本発明により得られる高精細で導電性に優れた微細配線は、従来の真空成膜法などに比べて、広い面積にわたって膜厚や膜質が均一な金属膜を成膜することができ、信頼性の高い配線、電極などとすることができる。さらに、莫大な設備投資が必要にないため、消費エネルギーは少なくて済む。真空成膜装置を用いた方法は、基板の全面に金属膜を成膜した後、その不要部分をエッチングにより除去することで、電気配線パターンを形成するが、本発明においては配線の解像度が限定されるため、金属材料の無駄がないことから環境への負荷が極めて少ない。   High-definition and highly conductive fine wiring obtained by the present invention can form a metal film with a uniform film thickness and film quality over a wide area compared to conventional vacuum film-forming methods, etc. High wiring, electrodes, and the like. Furthermore, since no huge capital investment is required, less energy is consumed. In the method using the vacuum film forming apparatus, an electric wiring pattern is formed by forming a metal film on the entire surface of the substrate and then removing unnecessary portions by etching. However, in the present invention, the wiring resolution is limited. Therefore, the load on the environment is extremely small because there is no waste of the metal material.

前記プリント配線基板は、導電性を更に向上させる観点から、前記導電性パターン形成方法を用いて形成される導電性膜（導電性パターン）を備えた後、電気めっき（金属めっき）処理工程を設けて形成されることが好ましい。前記金属めっきとしては、銅めっきであることが好ましい。   From the viewpoint of further improving the conductivity, the printed wiring board is provided with a conductive film (conductive pattern) formed using the conductive pattern forming method, and then an electroplating (metal plating) treatment step is provided. It is preferable to be formed. The metal plating is preferably copper plating.

なお、本発明のプリント配線基板を作製する場合、めっき膜の膜厚は、導電性の観点から、０．３μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましい。   In addition, when producing the printed wiring board of this invention, it is preferable that the film thickness of a plating film is 0.3 micrometer or more from a conductive viewpoint, and it is more preferable that it is 3 micrometers or more.

≪薄層トランジスタ≫
本発明の薄層トランジスタは、前述の導電性パターン形成方法を用いて形成された導電性パターンを備えたことを特徴とする。 ≪Thin layer transistor≫
The thin layer transistor of the present invention is characterized by having a conductive pattern formed by using the conductive pattern forming method described above.

更に詳細には、本発明の薄層トランジスタは前記導電性パターン形成方法を用いて形成された導電性パターンである、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極又は金属配線を有することが好ましい。   More specifically, the thin layer transistor of the present invention preferably has a gate electrode, a drain electrode, a source electrode, or a metal wiring, which is a conductive pattern formed using the conductive pattern forming method.

薄層トランジスタが前記導電性パターン形成方法を用いて形成される導電性パターンを備えることにより、高精細でかつ導電性に優れた微細配線を広い面積にわたって、膜厚、膜質が均一に形成することができる。これにより、信頼性の高い配線、電極を有する薄層トランジスタとすることができる。   By forming a thin layer transistor with a conductive pattern formed by using the conductive pattern forming method, a fine wiring with high definition and excellent conductivity can be formed uniformly over a wide area. Can do. Accordingly, a thin layer transistor having highly reliable wiring and electrodes can be obtained.

≪装置≫
本発明の装置は、前記プリント基板又は薄層トランジスタを備えたことを特徴とする。
このような装置としては、液晶表示装置（ＬＣＤ）、フィールドエミッション表示装置（ＦＥＤ）、電気泳動表示装置（ＥＰＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）、エレクトロクロミック表示装置（ＥＣＤ）、エレクトロルミネッセント表示装置（ＥＬＤ）などのフラットパネルディスプレイが挙げられる。本発明のプリント配線基板又は薄層トランジスタを備えた装置とすることにより、所望の解像度で基板との密着性も良好であり、装置の小型化、高集積化を達成することができる。 ≪Device≫
The apparatus of the present invention includes the printed circuit board or the thin layer transistor.
Such devices include liquid crystal display (LCD), field emission display (FED), electrophoretic display (EPD), plasma display (PDP), electrochromic display (ECD), and electroluminescent display. A flat panel display such as a device (ELD) may be mentioned. By using the printed wiring board or the thin film transistor of the present invention as a device, the adhesion to the substrate is good at a desired resolution, and the device can be miniaturized and highly integrated.

本発明の装置としては、前記プリント配線基板又は薄層トランジスタを備えたこと以外は、特に限定されず、公知の構成要素を有することができ、中でも、表示装置であるが好ましい。   The device of the present invention is not particularly limited except that it includes the printed wiring board or the thin-layer transistor, and can have known constituent elements. Among them, a display device is preferable.

以上のように、本発明の前記により得られた導電性パターンを適用したゲート電極、ドレイン電極、ソース電極或いは金属配線を有する、液晶表示装置（ＬＣＤ）、フィールドエミッション表示装置（ＦＥＤ）、電気泳動表示装置（ＥＰＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）、エレクトロクロミック表示装置（ＥＣＤ）、エレクトロルミネッセント表示装置（ＥＬＤ）などのフラットパネルディスプレイは、所望の解像度で基板との密着性に優れた電極や配線を容易に形成でき、ＴＦＴの小型化、高性能化、或いは液晶表示装置などの配線の低抵抗化のために導電層が使用されるすべての場合に、有効である。   As described above, a liquid crystal display device (LCD), a field emission display device (FED), an electrophoresis having a gate electrode, a drain electrode, a source electrode or a metal wiring to which the conductive pattern obtained by the present invention is applied. Flat panel displays such as display devices (EPD), plasma display devices (PDP), electrochromic display devices (ECD), and electroluminescent display devices (ELD) are electrodes having a desired resolution and excellent adhesion to the substrate. This is effective in all cases where a conductive layer is used to reduce the size and performance of a TFT, or reduce the resistance of a wiring such as a liquid crystal display device.

本発明における好適な液晶表示装置は、ドライ成膜に代わって、湿式成膜による電極或いは配線の形成が求められる場合や、表示面積の大面積化が求められる場合に極めて有用である。また、本発明における好適なアクティブマトリックス型表示装置は、フラットパネルディスプレイのみならず、フラットパネル型イメージセンサにも適用することができ、本発明の薄層トランジスタ（ＴＦＴ素子ともいう。）を組み込んだアクティブマトリクス基板は種々の液晶表示装置に好適に使用しうる。   The preferred liquid crystal display device of the present invention is extremely useful when it is required to form electrodes or wirings by wet film formation instead of dry film formation, or when a large display area is required. The preferred active matrix display device of the present invention can be applied not only to a flat panel display but also to a flat panel image sensor, and incorporates a thin layer transistor (also referred to as a TFT element) of the present invention. The active matrix substrate can be suitably used for various liquid crystal display devices.

以下、本発明について実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated concretely, this invention is not limited to this.

（合成例１）：重合開始層形成ポリマーＴ１
イルガキュア２９５９（チバスペシャリティケミカルズ社製）９．００ｇをＴＨＦ３０ｍＬに溶解し、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇと２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート６．２８ｇ、ジブチルチンジラウレート８１ｍｇを添加し、５０℃、４時間反応させた。溶媒を減圧除去し、酢酸エチル―ヘキサンを用い再結晶し、白色固体を得た。
次に、この白色固体１０ｇをメチルエチルケトン５０ｍＬに溶解、グリシジルメタクリレート１５．７ｇ、ＡＩＢＮ １４０ｍｇを添加し、７０℃に加温、６時間反応させた。その後、この溶液をヘキサンで再沈殿することにより重合開始層形成ポリマーＴ１を得た。
なお、重合開始層形成ポリマーＴ１は、化合物（Ｑ−Ｙ）の具体例として挙げた例示化合物Ｔ１である。 (Synthesis Example 1): Polymerization initiation layer forming polymer T1
Irgacure 2959 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals) 9.00 g was dissolved in 30 mL of THF, 20 mg of p-methoxyphenol, 6.28 g of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate and 81 mg of dibutyltin dilaurate were added, and reacted at 50 ° C. for 4 hours. . The solvent was removed under reduced pressure, and recrystallization was performed using ethyl acetate-hexane to obtain a white solid.
Next, 10 g of this white solid was dissolved in 50 mL of methyl ethyl ketone, 15.7 g of glycidyl methacrylate and 140 mg of AIBN were added, and the mixture was heated to 70 ° C. and reacted for 6 hours. Thereafter, this solution was reprecipitated with hexane to obtain a polymerization initiation layer forming polymer T1.
The polymerization initiation layer forming polymer T1 is the exemplified compound T1 given as a specific example of the compound (QY).

（合成例２）：重合開始層形成ポリマーＴ２
２，４−ビストリクロロメチル−６−（４−ヒドロキシフェニル）トリアジン１６．４ｇをＴＨＦ５０ｍＬに溶解し、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇと２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート６．２８ｇ、ジブチルチンジラウレート８１ｍｇを添加し、５０℃、４時間反応させた。溶媒を減圧除去し、酢酸エチル−ヘキサンを用い再結晶し、黄色固体を得た。
次に、この黄色固体１０ｇをジメチルアセトアミド１６８ｍＬに溶解、グリシジルメタクリレート８．８５ｇ、ＡＩＢＮ １４０ｍｇを添加し、７０℃に加温、６時間反応させた。その後、この溶液をヘキサンで再沈殿することにより重合開始層形成ポリマーＴ２を得た。なお、重合開始層形成ポリマーＴ２は、化合物（Ｑ−Ｙ）の具体例として挙げた例示化合物Ｔ２である。 (Synthesis Example 2): Polymerization initiation layer forming polymer T2
16.4 g of 2,4-bistrichloromethyl-6- (4-hydroxyphenyl) triazine is dissolved in 50 mL of THF, 20 mg of p-methoxyphenol, 6.28 g of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, and 81 mg of dibutyltin dilaurate are added, The reaction was carried out at 50 ° C. for 4 hours. The solvent was removed under reduced pressure, and recrystallization was performed using ethyl acetate-hexane to obtain a yellow solid.
Next, 10 g of this yellow solid was dissolved in 168 mL of dimethylacetamide, 8.85 g of glycidyl methacrylate and 140 mg of AIBN were added, and the mixture was heated to 70 ° C. and reacted for 6 hours. Thereafter, this solution was reprecipitated with hexane to obtain a polymerization initiation layer forming polymer T2. The polymerization initiation layer forming polymer T2 is the exemplified compound T2 given as a specific example of the compound (QY).

（合成例３）：親水性ポリマーＰ１
ポリアクリル酸（平均分子量２５，０００）１８ｇをＤＭＡｃ３００ｇに溶解し、ハイドロキノン０．４１ｇと２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート３．５３ｇとジブチルチンジラウレート０．２５ｇを添加し、６５℃、４時間反応させた。得られたポリマーの酸価は７．０２ｍｅｑ／ｇであった。１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液でカルボキシル基を中和し、酢酸エチルに加えポリマーを沈殿させ、よく洗浄し親水性ポリマーＰ１を得た。 (Synthesis Example 3): Hydrophilic polymer P1
18 g of polyacrylic acid (average molecular weight 25,000) was dissolved in 300 g of DMAc, 0.41 g of hydroquinone, 3.53 g of 2-acryloyloxyethyl isocyanate, and 0.25 g of dibutyltin dilaurate were added and reacted at 65 ° C. for 4 hours. . The acid value of the obtained polymer was 7.02 meq / g. The carboxyl group was neutralized with 1N aqueous sodium hydroxide solution, and the polymer was precipitated in addition to ethyl acetate, and washed well to obtain hydrophilic polymer P1.

（合成例４）：親水性ポリマーＰ２
ポリアクリル酸（平均分子量２５，０００）１８ｇをＤＭＡｃ３００ｇに溶解し、グリコール酸メチル９．００ｇと炭酸水素ナトリウム２２ｇを添加し、６０℃、８時間反応させた。その後、１Ｎ塩酸を用いて中和し、続いてハイドロキノン０．４１ｇと２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート２１．２ｇとジブチルチンジラウレート０．４０ｇを添加し、６５℃、４時間反応させた。この溶液を酢酸エチルに加えポリマーを沈殿させ、よく洗浄し親水性ポリマーＰ２を得た。 (Synthesis Example 4): Hydrophilic polymer P2
18 g of polyacrylic acid (average molecular weight 25,000) was dissolved in 300 g of DMAc, 9.00 g of methyl glycolate and 22 g of sodium hydrogen carbonate were added, and reacted at 60 ° C. for 8 hours. Thereafter, neutralization was performed using 1N hydrochloric acid, and subsequently hydroquinone 0.41 g, 2-acryloyloxyethyl isocyanate 21.2 g and dibutyltin dilaurate 0.40 g were added and reacted at 65 ° C. for 4 hours. This solution was added to ethyl acetate to precipitate the polymer and washed well to obtain a hydrophilic polymer P2.

（合成例５）：重合開始層形成ポリマーＴ７
イルガキュア２９５９（チバスペシャリティケミカルズ社製）９．００ｇをＴＨＦ３０ｍＬに溶解し、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇと２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート６．２８ｇ、ジブチルチンジラウレート８１ｍｇを添加し、５０℃、４時間反応させた。溶媒を減圧除去し、酢酸エチル―ヘキサンを用い再結晶し、白色固体を得た。
次に、この白色固体１０．０ｇをメチルエチルケトン３５ｍＬに溶解、３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート１．６４ｇ、ＡＩＢＮ ６５．０ｍｇを添加し、７０℃に加温、６時間反応させた。その後、この溶液をヘキサンで再沈殿することにより重合開始層形成ポリマーＴ７を得た。
なお、重合開始層形成ポリマーＴ７は、化合物（Ｑ−Ｙ）の具体例として挙げた例示化合物Ｔ７である。 (Synthesis Example 5): Polymerization initiation layer forming polymer T7
Irgacure 2959 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals) 9.00 g was dissolved in 30 mL of THF, 20 mg of p-methoxyphenol, 6.28 g of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate and 81 mg of dibutyltin dilaurate were added, and reacted at 50 ° C. for 4 hours. . The solvent was removed under reduced pressure, and recrystallization was performed using ethyl acetate-hexane to obtain a white solid.
Next, 10.0 g of this white solid was dissolved in 35 mL of methyl ethyl ketone, 1.64 g of 3- (trimethoxysilyl) propyl methacrylate and 65.0 mg of AIBN were added, and the mixture was heated to 70 ° C. and reacted for 6 hours. Thereafter, this solution was reprecipitated with hexane to obtain a polymerization initiation layer forming polymer T7.
The polymerization initiation layer forming polymer T7 is the exemplified compound T7 given as a specific example of the compound (QY).

（合成例６）：重合開始層形成ポリマーＴ８
Ｎ−［４−［４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］−４−ヒドロキシベンズアミド（富士フイルム（株）製）４０．０ｇをＴＨＦ２００ｍＬに溶解。トリエチルアミン１５．８ｍＬ、ピリジン０．６０ｍＬを添加し、氷浴にて０℃に冷却。無水メタクリル酸１２．３ｇを滴下、室温で１２時間撹拌、その後溶媒を減圧除去し、油状物を得た。この油状物をヘキサンで晶出、アセトニトリルで洗浄し、黄色固体を得た。
次に、この黄色固体１０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド６２．２ｍＬに溶解、３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート０．４６ｇ、ＡＩＢＮ １１５ｍｇ添加し、７０℃に加温、６時間反応させた。その後、反応溶液にＴＨＦ３０ｍＬを加え、ヘキサンで最沈殿することにより、重合開始層形成ポリマーＴ８を得た。
なお、重合開始層形成ポリマーＴ８は、化合物（Ｑ−Ｙ）の具体例として挙げた例示化合物Ｔ８である。 (Synthesis Example 6): Polymerization initiation layer forming polymer T8
40.0 g of N- [4- [4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazin-2-yl] -4-hydroxybenzamide (manufactured by FUJIFILM Corporation) was dissolved in 200 mL of THF. Add 15.8 mL of triethylamine and 0.60 mL of pyridine, and cool to 0 ° C. in an ice bath. 12.3 g of methacrylic anhydride was added dropwise and stirred at room temperature for 12 hours, and then the solvent was removed under reduced pressure to obtain an oil. The oil was crystallized from hexane and washed with acetonitrile to give a yellow solid.
Next, 10 g of this yellow solid was dissolved in 62.2 mL of N, N-dimethylacetamide, 0.46 g of 3- (trimethoxysilyl) propyl methacrylate and 115 mg of AIBN were added, and the mixture was heated to 70 ° C. and reacted for 6 hours. Thereafter, 30 mL of THF was added to the reaction solution, and precipitation with hexane was performed to obtain a polymerization initiation layer forming polymer T8.
The polymerization initiation layer forming polymer T8 is the exemplified compound T8 cited as a specific example of the compound (QY).

（合成例７）：重合開始層形成ポリマーＴ９
イルガキュア２９５９（チバスペシャリティケミカルズ社製）９．００ｇをＴＨＦ３０ｍＬに溶解し、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇと２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート６．２８ｇ、ジブチルチンジラウレート８１ｍｇを添加し、５０℃、４時間反応させた。溶媒を減圧除去し、酢酸エチル―ヘキサンを用い再結晶し、白色固体を得た。
次に、この白色固体１０．０ｇをメチルエチルケトン１３２ｍＬに溶解、次にカレンズＭＯＩ（昭和電工社製）８．１８ｇ、ベンジルメタクリレート９．２９ｇ、ＡＩＢＮ ２８７ｍｇを添加し、７０℃に加温、６時間反応させた。その後、この溶液をヘキサンで再沈殿することにより重合開始層形成ポリマーＴ９を得た。
なお、重合開始層形成ポリマーＴ９は、化合物（Ｑ−Ｙ）の具体例として挙げた例示化合物Ｔ９である。 (Synthesis Example 7): Polymerization initiation layer forming polymer T9
Irgacure 2959 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals) 9.00 g was dissolved in 30 mL of THF, 20 mg of p-methoxyphenol, 6.28 g of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate and 81 mg of dibutyltin dilaurate were added, and reacted at 50 ° C. for 4 hours. . The solvent was removed under reduced pressure, and recrystallization was performed using ethyl acetate-hexane to obtain a white solid.
Next, 10.0 g of this white solid was dissolved in 132 mL of methyl ethyl ketone, and then 8.18 g of Karenz MOI (manufactured by Showa Denko KK), 9.29 g of benzyl methacrylate and 287 mg of AIBN were added, and the mixture was heated to 70 ° C. and reacted for 6 hours. I let you. Thereafter, this solution was reprecipitated with hexane to obtain a polymerization initiation layer forming polymer T9.
The polymerization initiation layer forming polymer T9 is the exemplified compound T9 given as a specific example of the compound (QY).

（合成例８）：重合開始層形成ポリマーＴ１０
Ｎ−［４−［４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］−４−ヒドロキシベンズアミド（富士フイルム製）４０．０ｇをＴＨＦ２００ｍＬに溶解。トリエチルアミン１５．８ｍＬ、ピリジン０．６０ｍＬを添加し、氷浴にて０℃に冷却。無水メタクリル酸１２．３ｇを滴下、室温で１２時間撹拌、その後溶媒を減圧除去し、油状物を得た。この油状物をヘキサンで晶出、アセトニトリルで洗浄し、黄色固体を得た。
次に、この黄色固体１０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８４．０ｍＬに溶解、グリシジルメタクリレート７．１７ｇ、ベンジルメタクリレート２．９６ｇ、ＡＩＢＮ １７９ｍｇ添加し、７０℃に加温、６時間反応させた。その後、反応溶液にＴＨＦ５０ｍＬを加え、ヘキサンで最沈殿することにより、重合開始層形成ポリマーＴ１０を得た。
なお、重合開始層形成ポリマーＴ１０は、化合物（Ｑ−Ｙ）の具体例として挙げた例示化合物Ｔ１０である。 (Synthesis Example 8): Polymerization initiation layer forming polymer T10
40.0 g of N- [4- [4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazin-2-yl] -4-hydroxybenzamide (manufactured by Fujifilm) was dissolved in 200 mL of THF. Add 15.8 mL of triethylamine and 0.60 mL of pyridine, and cool to 0 ° C. in an ice bath. 12.3 g of methacrylic anhydride was added dropwise and stirred at room temperature for 12 hours, and then the solvent was removed under reduced pressure to obtain an oil. The oil was crystallized from hexane and washed with acetonitrile to give a yellow solid.
Next, 10 g of this yellow solid was dissolved in 84.0 mL of N, N-dimethylacetamide, 7.17 g of glycidyl methacrylate, 2.96 g of benzyl methacrylate and 179 mg of AIBN were added, and the mixture was heated to 70 ° C. and reacted for 6 hours. Thereafter, 50 mL of THF was added to the reaction solution, and precipitation with hexane was performed to obtain a polymerization initiation layer forming polymer T10.
The polymerization initiation layer forming polymer T10 is the exemplified compound T10 cited as a specific example of the compound (QY).

［実施例１］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行った。
次に、前記例示化合物Ｔ１を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして２０質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１７０℃で１時間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して、例示化合物Ｔ１がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ１を得た（重合開始層の厚み：５．０μｍ）。 [Example 1]
(Photocleavable compound binding step)
Surface cleaning was performed on a glass substrate (Nippon Sheet Glass) by performing UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Nippon Laser Electronics Co., Ltd.).
Next, the exemplified compound T1 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 20 mass% solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 170 ° C. for 1 hour, and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Then, it dried with the air gun and obtained board | substrate A1 which has the polymerization start layer formed by the exemplary compound T1 couple | bonding with a glass substrate (the thickness of a polymerization start layer: 5.0 micrometers).

（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例３で得られた親水性ポリマーＰ１ ０．５ｇを炭酸水素ナトリウム水溶液４．６２ｇ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．０５ｇおよびアセトニトリル１．５ｇの混合溶媒に溶解させてグラフトポリマー前駆体層形成用塗布液とした。
上記で得られた前記基板Ａ１の片面表面に前記グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液を塗布後の基板を、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。 (Graft polymer production process)
0.5 g of the hydrophilic polymer P1 obtained in Synthesis Example 3 was dissolved in a mixed solvent of 4.62 g of sodium hydrogen carbonate aqueous solution, 0.05 g of dimethylacetamide (DMAc) and 1.5 g of acetonitrile to form a graft polymer precursor layer. A coating solution was obtained.
The coating solution for forming the graft polymer precursor layer was spin-coated on one surface of the substrate A1 obtained above. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. The substrate after the coating solution for forming the graft polymer precursor layer was applied was dried at 80 ° C. for 5 minutes to form a graft polymer precursor layer.

（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ１を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し，次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、表面にパターン状に形成されたグラフトポリマー層を有するガラス基板Ｂ１を形成した。 (exposure)
The substrate A1 after the formation of the graft polymer precursor layer was exposed according to a predetermined pattern with an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by USHIO INC.). After the exposure, the substrate surface was washed with water while lightly rubbing with a wiper (Bencott, Ozu Sangyo Co., Ltd.), and then washed with acetone.
As described above, a glass substrate B1 having a graft polymer layer formed in a pattern on the surface was formed.

得られたパターンを原子間顕微鏡ＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ１の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。   The obtained pattern was observed with an atomic microscope AFM (Nanopics 1000, manufactured by Seiko Instruments Inc., using a DFM cantilever). As a result, it was confirmed that a pattern having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed on the surface of the glass substrate B1.

（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ１を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。その後下記組成の無電解めっき浴（ｐＨ：１２．４）に３０分間浸漬して無電解めっきを行った。無電解めっき後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。 (Conductive material layer formation process)
<Electroless plating>
The obtained glass substrate B1 was immersed in a 1.0% aqueous solution of silver nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) for 1 minute, washed with water, and dried with an air gun. Thereafter, electroless plating was performed by immersing in an electroless plating bath (pH: 12.4) having the following composition for 30 minutes. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

−無電解めっき浴の組成−
水 ３００ｇ
硫酸銅（ＩＩ）五水和物 ３．０ｇ
ＥＤＴＡ−２Ｎａ二水和物 ８．９ｇ
ポリエチレングリコール（平均分子量１０００） ０．０３ｇ
２，２’−ビピリジル ０．３ｍｇ
エチレンジアミン ０．１２ｇ
水酸化ナトリウム ２．５ｇ
ホルムアルデヒド水溶液（３６．０〜３８．０％） １．６ｇ -Composition of electroless plating bath-
300 g of water
Copper (II) sulfate pentahydrate 3.0g
EDTA-2Na dihydrate 8.9g
Polyethylene glycol (average molecular weight 1000) 0.03g
2,2'-bipyridyl 0.3mg
Ethylenediamine 0.12g
Sodium hydroxide 2.5g
Formaldehyde aqueous solution (36.0-38.0%) 1.6 g

この表面を電子顕微鏡（Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ ＴＭ−１０００ ＨＩＴＡＣＨＩ製）で観察したところ線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在する導電性パターン１が形成されていることが確認された。   When this surface was observed with an electron microscope (manufactured by Miniscope TM-1000 HITACHI), it was confirmed that a conductive pattern 1 having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed was formed.

［実施例２］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行った。
次に、前記例示化合物２を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして１５質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１７０℃で１時間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して、例示化合物Ｔ２がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ２を得た（重合開始層の厚み：４．１μｍ）。 [Example 2]
(Photocleavable compound binding step)
Surface cleaning was performed on a glass substrate (Nippon Sheet Glass) by performing UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Nippon Laser Electronics Co., Ltd.).
Next, the exemplified compound 2 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 15 mass% solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 170 ° C. for 1 hour, and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Then, it dried with the air gun and obtained board | substrate A2 which has the polymerization start layer formed by the exemplary compound T2 couple | bonding with a glass substrate (thickness of a polymerization start layer: 4.1 micrometers).

（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例４で得られた親水性ポリマーＰ２ ０．５ｇを炭酸水素ナトリウム水溶液４．６２ｇ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．０５ｇおよびアセトニトリル１．５ｇの混合溶媒に溶解させてグラフトポリマー前駆体層形成用塗布液とした。
上記で得られた前記基板Ａ２の片面表面に前記グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液を塗布後の基板Ａ２は、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。 (Graft polymer production process)
0.5 g of the hydrophilic polymer P2 obtained in Synthesis Example 4 was dissolved in a mixed solvent of 4.62 g of an aqueous sodium hydrogen carbonate solution, 0.05 g of dimethylacetamide (DMAc) and 1.5 g of acetonitrile to form a graft polymer precursor layer. A coating solution was obtained.
The coating solution for forming the graft polymer precursor layer was spin-coated on one surface of the substrate A2 obtained above. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. Substrate A2 after the coating solution for forming the graft polymer precursor layer was applied was dried at 80 ° C. for 5 minutes to form a graft polymer precursor layer.

（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ２を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し，次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、表面にパターン状に形成されたグラフトポリマー層を有するガラス基板Ｂ２を形成した。 (exposure)
The substrate A2 after the formation of the graft polymer precursor layer was exposed according to a predetermined pattern with an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by Ushio Electric Co., Ltd.). After the exposure, the substrate surface was washed with water while lightly rubbing with a wiper (Bencott, Ozu Sangyo Co., Ltd.), and then washed with acetone.
As described above, a glass substrate B2 having a graft polymer layer formed in a pattern on the surface was formed.

得られたパターンをＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ２の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。   The obtained pattern was observed with AFM (Nanopics 1000, manufactured by Seiko Instruments Inc., using DFM cantilever). As a result, it was confirmed that a pattern having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed on the surface of the glass substrate B2.

（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ２を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
次に、下記組成の無電解めっき浴（市販品）に３０分間浸漬して、無電解めっきを行った。無電解めっき後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。 (Conductive material layer formation process)
<Electroless plating>
The obtained glass substrate B2 was immersed in a 1.0% aqueous solution of silver nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) for 1 minute, washed with water, and dried with an air gun.
Next, it was immersed in an electroless plating bath (commercial product) having the following composition for 30 minutes to perform electroless plating. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

−無電解めっき浴の組成−
水 ２５８ｇ
ＡＴＳアドカッパーＩＷ−Ａ １５ｍＬ
ＡＴＳアドカッパーＩＷ−Ｍ ２４ｍＬ
ＡＴＳアドカッパーＩＷ−Ｃ ３ｍＬ -Composition of electroless plating bath-
258g of water
ATS Ad Copper IW-A 15mL
ATS Ad Copper IW-M 24mL
ATS Ad Copper IW-C 3mL

この表面を電子顕微鏡（Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ ＴＭ−１０００ ＨＩＴＡＣＨＩ製）で観察したところ線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在する導電性パターン２が形成されていることが確認された。   When this surface was observed with an electron microscope (manufactured by Miniscope TM-1000 HITACHI), it was confirmed that a conductive pattern 2 having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed was formed.

［実施例３］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行った。そのガラス基板を１質量％の３−アミノプロピルトリエトキシシラン（東京化成製）水溶液に浸漬し、１０分間静置した。基板を取り出し、蒸留水で洗浄を行い、乾燥させた。
次に、前記例示化合物Ｔ２を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして１５質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１７０℃で１時間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して、例示化合物Ｔ２がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ３を得た（重合開始層の厚み：４．１μｍ）。 [Example 3]
(Photocleavable compound binding step)
Surface cleaning was performed on a glass substrate (Nippon Sheet Glass) by performing UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Nippon Laser Electronics Co., Ltd.). The glass substrate was immersed in a 1% by mass aqueous solution of 3-aminopropyltriethoxysilane (manufactured by Tokyo Chemical Industry) and allowed to stand for 10 minutes. The substrate was taken out, washed with distilled water and dried.
Next, the exemplary compound T2 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 15 mass% solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 170 ° C. for 1 hour, and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Thereafter, the substrate A3 was dried by an air gun to obtain a substrate A3 having a polymerization initiation layer formed by binding the exemplified compound T2 to a glass substrate (the thickness of the polymerization initiation layer: 4.1 μm).

（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例４で得られた親水性ポリマーＰ２ ０．５ｇを炭酸水素ナトリウム水溶液４．６２ｇ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．０５ｇおよびアセトニトリル１．５ｇの混合溶媒に溶解させてグラフトポリマー前駆体層形成用塗布液とした。
上記で得られた基板Ａ３の片面表面にグラフトポリマー前駆体層形成用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液の塗布後の基板Ａ３は、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。 (Graft polymer production process)
0.5 g of the hydrophilic polymer P2 obtained in Synthesis Example 4 was dissolved in a mixed solvent of 4.62 g of an aqueous sodium hydrogen carbonate solution, 0.05 g of dimethylacetamide (DMAc) and 1.5 g of acetonitrile to form a graft polymer precursor layer. A coating solution was obtained.
A coating solution for forming a graft polymer precursor layer was spin-coated on one surface of the substrate A3 obtained above. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. Substrate A3 after application of the coating solution for forming the graft polymer precursor layer was dried at 80 ° C. for 5 minutes to form a graft polymer precursor layer.

（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ２を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し，次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、表面にパターン状に形成されたグラフトポリマー層を有するガラス基板Ｂ３を形成した。 (exposure)
The substrate A2 after the formation of the graft polymer precursor layer was exposed according to a predetermined pattern with an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by Ushio Electric Co., Ltd.). After the exposure, the substrate surface was washed with water while lightly rubbing with a wiper (Bencott, Ozu Sangyo Co., Ltd.), and then washed with acetone.
As described above, a glass substrate B3 having a graft polymer layer formed in a pattern on the surface was formed.

得られたパターンをＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ３の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。   The obtained pattern was observed with AFM (Nanopics 1000, manufactured by Seiko Instruments Inc., using DFM cantilever). As a result, it was confirmed that a pattern having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed on the surface of the glass substrate B3.

（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ３を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。その後、前記実施例１記載の無電解めっき浴（ｐＨ：１２．４）に３０分間浸漬して無電解めっきを行った。無電解めっき後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。 (Conductive material layer formation process)
<Electroless plating>
The obtained glass substrate B3 was immersed in a 1.0% aqueous solution of silver nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) for 1 minute, washed with water, and dried with an air gun. Thereafter, electroless plating was performed by immersing in the electroless plating bath (pH: 12.4) described in Example 1 for 30 minutes. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

この表面を電子顕微鏡（Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ ＴＭ−１０００ ＨＩＴＡＣＨＩ製）で観察したところ線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在する導電性パターン３が形成されていることが確認された。   When this surface was observed with an electron microscope (manufactured by Miniscope TM-1000 HITACHI), it was confirmed that a conductive pattern 3 having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed was formed.

［実施例４］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行い、その基板を３−アミノプロピルトリメトキシシランの１質量％水溶液に１０分間浸漬、水で洗浄し、エアーガンで乾燥した。
次に、前記例示化合物Ｔ１を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして２０質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１７０℃で１時間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して、例示化合物Ｔ１がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ４を得た（重合開始層の厚み：５．０μｍ）。 [Example 4]
(Photocleavable compound binding step)
A glass substrate (Nippon Sheet Glass) is subjected to UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Nippon Laser Electronics Co., Ltd.), and the substrate is cleaned with 1 mass of 3-aminopropyltrimethoxysilane. It was immersed in a 10% aqueous solution for 10 minutes, washed with water, and dried with an air gun.
Next, the exemplified compound T1 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 20 mass% solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 170 ° C. for 1 hour, and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Thereafter, the substrate A4 was dried with an air gun to obtain a substrate A4 having a polymerization initiation layer formed by binding the exemplified compound T1 to a glass substrate (the thickness of the polymerization initiation layer: 5.0 μm).

（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例３で得られた親水性ポリマーＰ１ ０．５ｇを炭酸水素ナトリウム水溶液４．６２ｇ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．０５ｇおよびアセトニトリル１．５ｇの混合溶媒に溶解させてグラフトポリマー前駆体層形成用塗布液とした。
上記で得られた前記基板Ａ４の片面表面に前記グラフト形成層用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液を塗布後の基板を、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。 (Graft polymer production process)
0.5 g of the hydrophilic polymer P1 obtained in Synthesis Example 3 was dissolved in a mixed solvent of 4.62 g of sodium hydrogen carbonate aqueous solution, 0.05 g of dimethylacetamide (DMAc) and 1.5 g of acetonitrile to form a graft polymer precursor layer. A coating solution was obtained.
The coating liquid for graft formation layer was spin-coated on one surface of the substrate A4 obtained above. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. The substrate after the coating solution for forming the graft polymer precursor layer was applied was dried at 80 ° C. for 5 minutes to form a graft polymer precursor layer.

（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ１を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し，次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、表面にパターン状に形成されたグラフトポリマー形成層を有するガラス基板Ｂ４を形成した。 (exposure)
The substrate A1 after the formation of the graft polymer precursor layer was exposed according to a predetermined pattern with an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by USHIO INC.). After the exposure, the substrate surface was washed with water while lightly rubbing with a wiper (Bencott, Ozu Sangyo Co., Ltd.), and then washed with acetone.
As described above, a glass substrate B4 having a graft polymer forming layer formed in a pattern on the surface was formed.

得られたパターンを原子間顕微鏡ＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ４の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。   The obtained pattern was observed with an atomic microscope AFM (Nanopics 1000, manufactured by Seiko Instruments Inc., using a DFM cantilever). As a result, it was confirmed that a pattern having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed on the surface of the glass substrate B4.

（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ４を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。その後、実施例２記載の市販無電解めっき浴（ＡＴＳアドカッパー、ｐＨ＝１２．７、奥野製薬工業（株）製）に２０分間浸漬して、無電解めっきを行った。無電解めっき後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。 (Conductive material layer formation process)
<Electroless plating>
The obtained glass substrate B4 was immersed in a 1.0% aqueous solution of silver nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) for 1 minute, washed with water, and dried with an air gun. Then, it was immersed in a commercially available electroless plating bath described in Example 2 (ATS Adcopper, pH = 12.7, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) for 20 minutes to perform electroless plating. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

この表面を電子顕微鏡（Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ ＴＭ−１０００ ＨＩＴＡＣＨＩ製）で観察したところ線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在する導電性パターン４が形成されていることが確認された。   When this surface was observed with an electron microscope (manufactured by Miniscope TM-1000 HITACHI), it was confirmed that a conductive pattern 4 having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed was formed.

［実施例５］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行った。
次に、前記例示化合物Ｔ７を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして２０質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を８０℃で２０分間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して、例示化合物Ｔ７がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ５を得た（重合開始層の厚み：５．４μｍ）。 [Example 5]
(Photocleavable compound binding step)
Surface cleaning was performed on a glass substrate (Nippon Sheet Glass) by performing UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Nippon Laser Electronics Co., Ltd.).
Next, the exemplified compound T7 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 20 mass% solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 80 ° C. for 20 minutes, and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Thereafter, the substrate A5 was dried with an air gun to obtain a substrate A5 having a polymerization initiation layer formed by binding the exemplified compound T7 to a glass substrate (the thickness of the polymerization initiation layer: 5.4 μm).

（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例３で得られた親水性ポリマーＰ１ ０．５ｇを炭酸水素ナトリウム水溶液４．６２ｇ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．０５ｇおよびアセトニトリル１．５ｇの混合溶媒に溶解させてグラフト形成層用塗布液とした。
上記で得られた前記基板Ａ５の片面表面に前記グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフトポリマー前駆体層形成層用塗布液を塗布後の基板を、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。 (Graft polymer production process)
0.5 g of the hydrophilic polymer P1 obtained in Synthesis Example 3 was dissolved in a mixed solvent of 4.62 g of an aqueous sodium hydrogen carbonate solution, 0.05 g of dimethylacetamide (DMAc) and 1.5 g of acetonitrile, and a coating solution for a graft forming layer was obtained. It was.
The coating solution for forming the graft polymer precursor layer was spin-coated on one surface of the substrate A5 obtained above. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. The substrate after the coating solution for the graft polymer precursor layer forming layer was applied was dried at 80 ° C. for 5 minutes to form a graft polymer precursor layer.

（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ５を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し，次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、表面にパターン状に形成されたグラフトポリマー層を有するガラス基板Ｂ５を形成した。
得られたパターンを原子間顕微鏡ＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ５の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。 (exposure)
The substrate A5 after the formation of the graft polymer precursor layer was exposed in accordance with a predetermined pattern using an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by USHIO INC.). After the exposure, the substrate surface was washed with water while lightly rubbing with a wiper (Bencott, Ozu Sangyo Co., Ltd.), and then washed with acetone.
As described above, a glass substrate B5 having a graft polymer layer formed in a pattern on the surface was formed.
The obtained pattern was observed with an atomic microscope AFM (Nanopics 1000, manufactured by Seiko Instruments Inc., using a DFM cantilever). As a result, it was confirmed that a pattern having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed on the surface of the glass substrate B5.

（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ５を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。その後下記組成の無電解めっき浴（ｐＨ：１２．４）に３０分間浸漬して無電解めっきを行った。無電解めっき後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
−無電解めっき浴の組成−
水 ３００ｇ
硫酸銅（ＩＩ）五水和物 ３．０ｇ
ＥＤＴＡ−２Ｎａ二水和物 ８．９ｇ
ポリエチレングリコール（平均分子量１０００） ０．０３ｇ
２，２’−ビピリジル ０．３ｍｇ
エチレンジアミン ０．１２ｇ
水酸化ナトリウム ２．５ｇ
ホルムアルデヒド水溶液（３６．０〜３８．０％） １．６ｇ (Conductive material layer formation process)
<Electroless plating>
The obtained glass substrate B5 was immersed in a 1.0% aqueous solution of silver nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) for 1 minute, washed with water and dried with an air gun. Thereafter, electroless plating was performed by immersing in an electroless plating bath (pH: 12.4) having the following composition for 30 minutes. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.
-Composition of electroless plating bath-
300 g of water
Copper (II) sulfate pentahydrate 3.0g
EDTA-2Na dihydrate 8.9g
Polyethylene glycol (average molecular weight 1000) 0.03g
2,2'-bipyridyl 0.3mg
Ethylenediamine 0.12g
Sodium hydroxide 2.5g
Formaldehyde aqueous solution (36.0-38.0%) 1.6 g

この表面を電子顕微鏡（Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ ＴＭ−１０００ ＨＩＴＡＣＨＩ製）で観察したところ線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在する導電性パターン５が形成されていることが確認された。   When this surface was observed with an electron microscope (manufactured by Miniscope TM-1000 HITACHI), it was confirmed that a conductive pattern 5 having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed was formed.

［実施例６］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行い、その基板を３−アミノプロピルトリメトキシシランの１重量％水溶液に１０分間浸漬、水で洗浄し、エアーガンで乾燥した。
次に、前記例示化合物Ｔ９を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして１０質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１２０℃で４０分間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して、例示化合物Ｔ１がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ６を得た（重合開始層の厚み：２．６μｍ）。 [Example 6]
(Photocleavable compound binding step)
A glass substrate (Nippon Sheet Glass) is subjected to UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Nippon Laser Electronics Co., Ltd.), and the substrate is cleaned with 1 weight of 3-aminopropyltrimethoxysilane. It was immersed in a 10% aqueous solution for 10 minutes, washed with water, and dried with an air gun.
Next, the exemplified compound T9 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 10 mass% solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 120 ° C. for 40 minutes, and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Then, it dried with the air gun and obtained board | substrate A6 which has the polymerization start layer which the exemplary compound T1 couple | bonds with a glass substrate (the thickness of a polymerization start layer: 2.6 micrometers).

（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例４で得られた親水性ポリマーＰ２ ０．５ｇを炭酸水素ナトリウム水溶液４．６２ｇ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．０５ｇおよびアセトニトリル１．５ｇの混合溶媒に溶解させてグラフトポリマー前駆体層形成用塗布液とした。
上記で得られた前記基板Ａ６の片面表面に前記グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフト形成層用塗布液塗布後の基板Ａ６は、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。 (Graft polymer production process)
0.5 g of the hydrophilic polymer P2 obtained in Synthesis Example 4 was dissolved in a mixed solvent of 4.62 g of an aqueous sodium hydrogen carbonate solution, 0.05 g of dimethylacetamide (DMAc) and 1.5 g of acetonitrile to form a graft polymer precursor layer. A coating solution was obtained.
The coating solution for forming a graft polymer precursor layer was spin-coated on one surface of the substrate A6 obtained above. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. Substrate A6 after application of the coating solution for the graft forming layer was dried at 80 ° C. for 5 minutes to form a graft polymer precursor layer.

（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ６を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し、次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、表面にパターン状に形成されたグラフトポリマー層を有するガラス基板Ｂ６を形成した。
得られたパターンをＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ６の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。 (exposure)
The substrate A6 after the formation of the graft polymer precursor layer was exposed according to a predetermined pattern with an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by USHIO INC.). After the exposure, the surface of the substrate was washed with water while gently rubbing with a wiper (Bencot, manufactured by Ozu Sangyo Co., Ltd.), and then washed with acetone.
As described above, a glass substrate B6 having a graft polymer layer formed in a pattern on the surface was formed.
The obtained pattern was observed with AFM (Nanopics 1000, manufactured by Seiko Instruments Inc., using DFM cantilever). As a result, it was confirmed that a pattern having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed on the surface of the glass substrate B6.

（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ６を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
次に、下記組成の市販無電解めっき浴ＡＴＳアドカッパー（奥野製薬工業（株）製）に３０分間浸漬して、無電解めっきを行った。無電解めっき後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。 (Conductive material layer formation process)
<Electroless plating>
The obtained glass substrate B6 was immersed in a 1.0% aqueous solution of silver nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) for 1 minute, washed with water and dried with an air gun.
Next, it was immersed in a commercially available electroless plating bath ATS ad copper (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) having the following composition for 30 minutes for electroless plating. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

−無電解めっき浴の組成−
水 ２５８ｇ
ＡＴＳアドカッパーＩＷ−Ａ １５ｍＬ
ＡＴＳアドカッパーＩＷ−Ｍ ２４ｍＬ
ＡＴＳアドカッパーＩＷ−Ｃ ３ｍＬ -Composition of electroless plating bath-
258g of water
ATS Ad Copper IW-A 15mL
ATS Ad Copper IW-M 24mL
ATS Ad Copper IW-C 3mL

この表面を電子顕微鏡（Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ ＴＭ−１０００ ＨＩＴＡＣＨＩ製）で観察したところ線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在する導電性パターン６が形成されていることが確認された。   When this surface was observed with an electron microscope (manufactured by Miniscope TM-1000 HITACHI), it was confirmed that a conductive pattern 6 having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed was formed.

［実施例７］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行った。そのガラス基板上に１０質量％の３−アミノプロピルトリエトキシシラン（東京化成製）水溶液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１２０℃で２０分間加熱し、基板を取り出し、蒸留水で洗浄を行い、乾燥させた。 [Example 7]
(Photocleavable compound binding step)
Surface cleaning was performed on a glass substrate (Nippon Sheet Glass) by performing UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Nippon Laser Electronics Co., Ltd.). A 10 mass% aqueous solution of 3-aminopropyltriethoxysilane (manufactured by Tokyo Chemical Industry) was spin-coated on the glass substrate. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 120 ° C. for 20 minutes, the substrate was taken out, washed with distilled water and dried.

次に、前記例示化合物Ｔ１０を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして１５質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１７０℃で１時間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して例示化合物Ｔ１０がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ７を得た（重合開始層の厚み：３．７μｍ）。   Next, the exemplified compound T10 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 15% by mass solution, which was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 170 ° C. for 1 hour, and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Then, it dried with the air gun and obtained board | substrate A7 which has the polymerization start layer formed by the exemplary compound T10 couple | bonding with a glass substrate (The thickness of a polymerization start layer: 3.7 micrometers).

（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例４で得られた親水性ポリマーＰ２ ０．５ｇを２−メトキシー１−プロパノールに溶解させてグラフト形成層用塗布液とした。
上記で得られた基板Ａ３の片面表面にグラフトポリマー前駆体層形成用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフトホ゜リマー前駆体層形成用塗布液を塗布後の基板Ａ７は、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。 (Graft polymer production process)
0.5 g of the hydrophilic polymer P2 obtained in Synthesis Example 4 was dissolved in 2-methoxy-1-propanol to obtain a coating solution for a graft forming layer.
A coating solution for forming a graft polymer precursor layer was spin-coated on one surface of the substrate A3 obtained above. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. Substrate A7 after the coating solution for forming the graft polymer precursor layer was applied was dried at 80 ° C. for 5 minutes to form a graft polymer precursor layer.

（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ２を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し、次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、グラフトポリマーが表面にパターン状に形成されたガラス基板Ｂ７を形成した。 (exposure)
The substrate A2 after the formation of the graft polymer precursor layer was exposed according to a predetermined pattern with an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by Ushio Electric Co., Ltd.). After the exposure, the surface of the substrate was washed with water while gently rubbing with a wiper (Bencot, manufactured by Ozu Sangyo Co., Ltd.), and then washed with acetone.
As described above, a glass substrate B7 having a graft polymer formed in a pattern on the surface was formed.

得られたパターンをＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ７の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。   The obtained pattern was observed with AFM (Nanopics 1000, manufactured by Seiko Instruments Inc., using DFM cantilever). As a result, it was confirmed that a pattern having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed on the surface of the glass substrate B7.

（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ７を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。その後、前記実施例１記載の無電解めっき浴（ｐＨ：１２．４）に３０分間浸漬して無電解めっきを行った。無電解めっき後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。 (Conductive material layer formation process)
<Electroless plating>
The obtained glass substrate B7 was immersed in a 1.0% aqueous solution of silver nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) for 1 minute, washed with water and dried with an air gun. Thereafter, electroless plating was performed by immersing in the electroless plating bath (pH: 12.4) described in Example 1 for 30 minutes. After electroless plating, it was washed with water and dried with an air gun.

この表面を電子顕微鏡（Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ ＴＭ−１０００ ＨＩＴＡＣＨＩ製）で観察したところ線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在する導電性パターン７が形成されていることが確認された。   When this surface was observed with an electron microscope (manufactured by Miniscope TM-1000 HITACHI), it was confirmed that a conductive pattern 7 having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed was formed.

［比較例１］
実施例１において、例示化合物Ｔ１の代わりに下記化合物Ｔ７を用い、親水性ポリマーＰ１の代わりに例示化合物Ｐ４（下記参照）を用いた以外は、実施例１と同様の工程を行った。ここで、下記化合物Ｔ７は特開２００６−１０４０４５号公報に記載の化合物を用いた。
導電性膜の膜厚が１μｍ以上の導電性素材層（導電性膜）を形成しようとした場合、無電解めっき処理中で剥離してしまった。 [Comparative Example 1]
In Example 1, the same process as in Example 1 was performed except that the following compound T7 was used instead of the exemplary compound T1, and the exemplary compound P4 (see below) was used instead of the hydrophilic polymer P1. Here, as the following compound T7, a compound described in JP-A-2006-104045 was used.
When an attempt was made to form a conductive material layer (conductive film) having a conductive film thickness of 1 μm or more, it peeled off during the electroless plating process.

＜導電性・膜厚の評価＞
実施例及び比較例により得られた導電性パターンについて、導電性膜が形成された部分の表面導電性をロレスタ−ＦＰ（ＬＯＲＥＳＴＡ−ＦＰ：三菱化学（株）製）を用いて四探針法により、膜厚をＮａｎｏｐｉｘ１０００（セイコーインスツルメンツ（株）製）を用いて測定した。結果は表１に示す。 <Evaluation of conductivity and film thickness>
About the electroconductive pattern obtained by the Example and the comparative example, the surface electroconductivity of the part in which the electroconductive film was formed was measured by the four probe method using Loresta-FP (LORESTA-FP: manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). The film thickness was measured using Nanopix 1000 (manufactured by Seiko Instruments Inc.). The results are shown in Table 1.

＜導電性膜密着性の評価＞
実施例１〜４と同様にして、導電性領域（導電性膜）（１０（ｍｍ）×２００（ｍｍ））を形成し、ＪＩＳ ５４００の碁盤目テープ法に準じ、カットした碁盤目に対するテープの引き剥がしテストを行い、膜密着性を評価した。１００個の碁盤目のうち基板側に残った碁盤の数を表１に示す。 <Evaluation of adhesion of conductive film>
In the same manner as in Examples 1 to 4, a conductive region (conductive film) (10 (mm) x 200 (mm)) was formed, and the tape was cut against the cut grid according to JIS 5400 A peel test was performed to evaluate film adhesion. Table 1 shows the number of grids remaining on the substrate side among the 100 grids.

［比較例２］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行った。
次に、前記例示化合物Ｔ２を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして０．０７質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１７０℃で１時間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して例示化合物Ｔ２がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ９を得た（重合開始層の厚み：２０ｎｍ）。 [Comparative Example 2]
(Photocleavable compound binding step)
Surface cleaning was performed on a glass substrate (Nippon Sheet Glass) by performing UV ozone treatment for 10 minutes using a UV ozone cleaner (UV42, manufactured by Nippon Laser Electronics Co., Ltd.).
Next, the exemplary compound T2 was dissolved in dehydrated ethyl methyl ketone (2-butanone) to prepare a 0.07% by mass solution, and this was spin-coated on the substrate surface. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. After spin coating, the glass substrate was heated at 170 ° C. for 1 hour, and the surface was washed with ethyl methyl ketone. Then, it dried with the air gun and obtained board | substrate A9 which has the polymerization start layer formed by the exemplary compound T2 couple | bonding with a glass substrate (thickness of a polymerization start layer: 20 nm).

（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例４で得られた親水性ポリマーＰ２ ０．５ｇを炭酸水素ナトリウム水溶液４．６２ｇ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．０５ｇおよびアセトニトリル１．５ｇの混合溶媒に溶解させてグラフトポリマー前駆体層形成層用塗布液とした。
上記で得られた前記基板Ａ９の片面表面に前記グラフトポリマー前駆体層形成層用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフトポリマー前駆体層形成層用塗布液を塗布後の基板Ａ９は、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。 (Graft polymer production process)
0.5 g of the hydrophilic polymer P2 obtained in Synthesis Example 4 was dissolved in a mixed solvent of 4.62 g of an aqueous sodium hydrogen carbonate solution, 0.05 g of dimethylacetamide (DMAc) and 1.5 g of acetonitrile to form a graft polymer precursor layer. A layer coating solution was obtained.
The coating liquid for graft polymer precursor layer forming layer was spin-coated on one surface of the substrate A9 obtained above. The spin coater was first rotated at 300 rpm for 5 seconds and then at 750 rpm for 20 seconds. Substrate A9 after applying the coating solution for the graft polymer precursor layer forming layer was dried at 80 ° C. for 5 minutes to form a graft polymer precursor layer.

（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ９を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し，次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、表面にパターン状に形成されたグラフトポリマー層を有するガラス基板Ｂ９を形成した。 (exposure)
The substrate A9 after the formation of the graft polymer precursor layer was exposed according to a predetermined pattern using an exposure machine (Unicure UVX-02516S1LP01, manufactured by USHIO INC.). After the exposure, the substrate surface was washed with water while lightly rubbing with a wiper (Bencott, Ozu Sangyo Co., Ltd.), and then washed with acetone.
As described above, a glass substrate B9 having a graft polymer layer formed in a pattern on the surface was formed.

得られたパターンをＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ９の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。   The obtained pattern was observed with AFM (Nanopics 1000, manufactured by Seiko Instruments Inc., using DFM cantilever). As a result, it was confirmed that a pattern having a line width of 10 μm and a gap width of 10 μm alternately formed on the surface of the glass substrate B9.

（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ２を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
次に、下記組成の市販無電解めっき浴ＡＴＳアドカッパー（奥野製薬工業（株）製）に３０分間浸漬して、無電解めっき処理を行ったが、処理中に剥離してしまった。 (Conductive material layer formation process)
<Electroless plating>
The obtained glass substrate B2 was immersed in a 1.0% aqueous solution of silver nitrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) for 1 minute, washed with water, and dried with an air gun.
Next, it was immersed in a commercially available electroless plating bath ATS add copper (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) having the following composition for 30 minutes to carry out the electroless plating treatment, but it peeled off during the treatment.

以上の結果より、本発明の方法で得られた導電性パターン１〜７における導電性領域は、良好な導電性を有し、且つ、基板との密着性に優れることが確認された。一方、比較例１及び２の導電性膜は無電解めっき処理中で剥離してしまって、導電性パターンは得られなかった。   From the above results, it was confirmed that the conductive regions in the conductive patterns 1 to 7 obtained by the method of the present invention have good conductivity and excellent adhesion to the substrate. On the other hand, the conductive films of Comparative Examples 1 and 2 were peeled off during the electroless plating process, and no conductive pattern was obtained.

本発明の導電性パターン形成方法における光開裂化合物結合工程からグラフトポリマー生成工程の概略を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the outline of the graft polymer production | generation process from the photocleavable compound coupling | bonding process in the conductive pattern formation method of this invention.

Claims (16)

ガラス基材上に、ラジカル重合開始部位と前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーが前記ガラス基材に化学結合して形成された厚さ０．１μｍ以上１００μｍ以下の重合開始層、及び、分子内に（メタ）アクリル酸エステル及び（メタ）アクリル酸アミドから選択される構造に由来する骨格を有し且つラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着する部位とを有するポリマーを含有するグラフトポリマー前駆体層、を有することを特徴とする積層体。   Polymerization having a thickness of 0.1 μm or more and 100 μm or less formed by chemically bonding a polymer having a radical polymerization initiation site and a site capable of being directly chemically bonded to the glass substrate on the glass substrate. A layer, a skeleton derived from a structure selected from (meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid amide in the molecule, and a site capable of radical polymerization and a site adsorbing an electroless plating catalyst A laminate comprising a graft polymer precursor layer containing a polymer having the following. 前記ラジカル重合可能な不飽和部位が、（メタ）アクリロイルメチル基であることを特徴とする請求項１に記載の積層体。   The laminate according to claim 1, wherein the unsaturated site capable of radical polymerization is a (meth) acryloylmethyl group. 前記ラジカル重合開始部位と前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーの重量平均分子量が、１０００〜１００００００の範囲であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の積層体。   3. The laminate according to claim 1, wherein the polymer having the radical polymerization initiation site and the site capable of being directly chemically bonded to the glass substrate has a weight average molecular weight in the range of 1,000 to 1,000,000. body. 前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位が、ハロシリル基、アルコキシシリル基、環状エーテル基またはイソシアナート基であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の積層体。   The laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein a site capable of being directly chemically bonded to the glass substrate is a halosilyl group, an alkoxysilyl group, a cyclic ether group, or an isocyanate group. body. 前記ガラス基材が、酸化ケイ素を主成分とすることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の積層体。   The laminate according to any one of claims 1 to 4, wherein the glass base material contains silicon oxide as a main component. 前記ガラス基材の表面が、アミノ基、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、エポキシ基、イソシアナート基の中から選択される少なくとも１種類以上の官能基で修飾されていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の積層体。   The surface of the glass substrate is modified with at least one functional group selected from amino group, hydroxyl group, mercapto group, carboxyl group, epoxy group, and isocyanate group. The laminated body of any one of Claims 1-5. 前記ガラス基材の表面が、アミノ基、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、エポキシ基、又はイソシアナート基を有するシランカップリング剤を用いて修飾されたことを特徴とする請求項６に記載の積層体。   The laminate according to claim 6, wherein the surface of the glass substrate is modified with a silane coupling agent having an amino group, a hydroxyl group, a mercapto group, a carboxyl group, an epoxy group, or an isocyanate group. body. 前記重合開始層の厚さが０．３μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の積層体。   The thickness of the said polymerization start layer is 0.3 micrometer or more and 50 micrometers or less, The laminated body of any one of Claims 1-7 characterized by the above-mentioned. 前記グラフトポリマー前駆体層の厚さが０．３μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか1項に記載の積層体。   The laminate according to any one of claims 1 to 8, wherein a thickness of the graft polymer precursor layer is 0.3 µm or more and 5 µm or less. 請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の積層体上にパターン状にエネルギーを付与して、該積層体が有する前記重合開始層におけるポリマーのラジカル重合開始部位にラジカルを生成させ、該ラジカルを起点としてグラフトポリマーを生成させる工程、及び、
前記生成したグラフトポリマーに無電解めっき触媒又はその前駆体を吸着させた後、無電解めっきを行い、導電性膜を形成する工程、
を有することを特徴とする導電性パターン形成方法。 Applying energy in a pattern on the laminate according to any one of claims 1 to 9, generating radicals at the radical polymerization initiation site of the polymer in the polymerization initiation layer of the laminate, Producing a graft polymer starting from the radical; and
A step of adsorbing an electroless plating catalyst or a precursor thereof to the generated graft polymer and then performing electroless plating to form a conductive film;
A method for forming a conductive pattern, comprising: 前記導電性膜を形成する工程の後に、更に電気めっき処理工程を有することを特徴とする請求項１０に記載の導電性パターン形成方法。   The method for forming a conductive pattern according to claim 10, further comprising an electroplating treatment step after the step of forming the conductive film. 請求項１０又は請求項１１に記載の導電性パターン形成方法を用いて形成された導電性パターン。   The electroconductive pattern formed using the electroconductive pattern formation method of Claim 10 or Claim 11. 請求項１２に記載の導電性パターンを備えたことを特徴とするプリント配線基板。   A printed wiring board comprising the conductive pattern according to claim 12. 請求項１２に記載の導電性パターンを備えたことを特徴とする薄層トランジスタ。   A thin layer transistor comprising the conductive pattern according to claim 12. 請求項１３に記載のプリント配線基板を備えたことを特徴とする装置。   An apparatus comprising the printed wiring board according to claim 13. 請求項１４に記載の薄層トランジスタを備えたことを特徴とする装置。   An apparatus comprising the thin-film transistor according to claim 14.

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