KR20080051196A - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 리페어가 용이하고, 화소 영역에서의 기생용량을 감소시킨 액정표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 액정표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 교차배열되 화소영역을 정의하는 게이트배선과 데이터배선; 상기 게이트배선과 데이터배선이 교차하는 영역에 배치된 박막 트랜지스터; 상기 화소영역에 교대로 배치되어 있는 공통전극과 화소전극; 상기 데이터 배선과 오버랩되도록 배치된 리페어 패턴; 및 상기 데이터 배선과 리페어 패턴 양측에 형성된 제 1, 2 격벽패턴을 포함한다.
본 발명은 데이터 배선과 오버랩되도록 리페어 패턴을 형성함으로써, 데이터 배선에 단선 불량을 용이하게 리페어할 수 있는 효과가 있다.
액정표시장치, 화소전극, 리페어 패턴, 격벽패턴

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 화소구조를 도시한 도면이다.
도 2는 상기 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선과 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치의 화소구조를 도시한 도면이다.
도 4a 내지 도 4f는 상기 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선과 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 액정표시패널의 개략적으로 도시한 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
101: 게이트 배선 113: 데이터 배선
103: 공통배선 133a: 제 1 공통전극
133b: 제 2 공통전극 136: 제 1 스토리지 전극
139: 제 2 스토리지 전극 139a: 화소전극
131a: 게이트 전극 137a,137b: 소스/드레인 전극
134: 채널층 P1: 제 1 화소영역
P2: 제 2 화소영역
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 리페어가 용이하고, 화소 영역에서의 기생용량을 감소시킨 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 현대사회가 정보 사회화로 변해 감에 따라 정보표시장치의 하나인 액정표시장치 모듈의 중요성이 점차로 증가되어 가고 있다. 지금까지 가장 널리 사용되고 있는 CRT(Cathode Ray Tube)는 성능이나 가격적인 측면에서 많은 장점을 갖지만, 소형화 또는 휴대성 측면에서 많은 단점이 있다.
이와 같이 CRT의 단점을 보완하기 위해서 경박단소, 고휘도, 대화면, 저소비전력 및 저가격화를 실현할 수 있는 액정표시장치가 개발되었다.
상기 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display)는 표시 해상도가 다른 평판 표시장치보다 뛰어날 뿐만 아니라, 동화상을 구현할 때에도 그 품질이 브라운관에 비할 만큼 빠른 응답 특성이 있다.
상기와 같은 액정표시장치는 상부기판에 형성된 공통전극과, 하부기판에 형성된 화소전극 사이에 전계를 형성하여, 기판 사이에 개재되어 있는 액정을 트위스트 시킴으로써, 화상을 디스플레이하는 트위스트 네마틱(TN : twisted nematic) 방식이 주로 사용되었다.
하지만, 상기 트위스트 네마틱 방식에 의한 액정표시장치는 시야각이 매우 좁은 단점이 있었다.
그래서, 최근에 액정표시장치의 협소한 시야각 문제를 해결하기 위해 여러가지 새로운 방식을 채용한 액정표시장치 개발이 활발하게 진행되었는데, 새로운 방식으로 횡전계 방식(IPS:In-Plane Switching Mode) 또는 OCB방식(Optically Compensated Birefrigence mode) 등이 있다.
이 가운데 상기 횡전계 방식 액정표시장치는 액정 분자를 기판에 대해서 수평을 유지한 상태로 구동시키기 위하여 2개의 전극을 동일한 기판(하부기판) 상에 형성하고, 2개의 전극 사이에 전압을 인가하여 기판에 대해서 수평방향으로 전계를 발생시키는 방식이다.
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 화소구조를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 게이트 배선(1)과 데이터배선(13)이 교차배열되고, 데이터배선(13)을 중심으로 양측에 제 1 화소영역(P1)과 제 2 화소영역(P2)이 정의된다.
게이트 배선(1)과 데이터 배선(13)이 교차하는 영역에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)가 각각 배치되어 있다. 즉, 제 1 화소영역(P1)과 제 2 화소영역(P2)에 TFT가 각각 배치된다.
제 1 화소영역(P1)을 중심으로 설명하면, 게이트 배선(1)과 데이터 배선(13)이 교차배열되어 제 1 화소영역(P1)을 정의하고, 제 1 화소영역(P1)에는 공통배선(3)으로부터 돌출된 제 1 공통전극(33a)과 상기 공통배선(3)과 전기적으로 콘택되면서 제 1 화소영역(P1)으로 돌출된 제 2 공통전극(33b)이 형성되어 있다. 또한, 돌출된 제 1 공통전극(33a) 가장자리에는 스토리지 커패시터 형성을 위한 제 1 스토리지 전극(36)과 일체로 형성되어 있다.
상기 제 2 공통전극(33b)은 제 1 화소영역(P1)에서 화소전극(39a)과 소정의 간격을 두고 교대로 배치되고, 화소전극(39a)의 일측은 제 1 스토리지 전극(36)과 스토리지 커패시터 형성을 위한 제 2 스토리지 전극(39)이 형성되어 있다.
또한, 상기 제 2 스토리 전극(39)과 인접하고, 게이트 배선(1)과 일체로 형성된 게이트 전극(31a)이 형성되어 있고, 게이트 전극(31a) 상에는 소스/드레인 전극(37a, 37b)과 채널층(34)으로 구성된 TFT가 형성되어 있다.
제 2 화소영역(P2) 역시 제 1 화소영역(P1)과 동일한 구조로 형성되어 있다. 따라서, 제 2 화소영역(P2)에 도시된 제 1 공통전극(3a), 제 2 공통전극(3b), 화소전극(7a), 제 1 스토리지 전극(6), 제 2 스토리지 전극(7), 게이트 전극(1a) 들의 구조 설명은 생략한다.
도 2는 상기 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선과 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, Ⅰ-Ⅰ'선은 TFT를 도시한 단면도이고, Ⅱ-Ⅱ'선은 데이터 배선 영역의 단면도이다.
Ⅰ-Ⅰ' 영역은 게이트 전극(31a)과 제 1 스토리지 전극(36)이 형성된 절연기판(10) 상에 게이트 절연막(12)이 형성되어 있고, 게이트 전극(31a) 상부에는 채널층(34)과 오믹접촉층(35) 및 소스/드레인 전극(37a, 37b)으로 구성된 TFT가 형성되어 있다. 또한, 소스/드레인 전극(37a, 37b) 상에는 보호막(38)이 형성되어 있고, 보호막(38) 상에는 드레인 전극(37b)과 콘택되면서 제 1 스토리지 전극(36)과 오버랩되는 제 2 스토리지 전극(39a)이 형성되어 있다.
Ⅱ-Ⅱ' 영역은 데이터 배선(13)을 중심으로 제 2 화소영역(P2)에 형성된 제 1 공통전극(3a)과 제 1 화소영역(P1)에 형성된 제 1 공통전극(33a)이 절연기판(10) 상에 형성되어 있다. 제 2 화소영역(P2)의 제 1 공통전극(3a) 상부에는 게이트 절연막(12)과 보호막(38)을 사이에 두고 제 2 공통전극(3b)이 오버랩되어 있고, 제 1 화소영역(P1)의 제 1 공통전극(33a) 상부에는 게이트 절연막(12)과 보호막(38)을 사이에 두고 제 2 공통전극(33b)이 형성되어 있다.
하지만, 종래 횡전계 방식 액정표시장치의 화소 구조는 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 종래 횡전계 방식 액정표시장치에서는 데이터배선이 공정중 단선되는 경우에는 리페어할 수 없어, 액정표시장치의 생산성이 떨어지는 문제가 있다.
둘째, 데이터 배선 양측으로 공통전극(공통배선 포함) 또는 화소전극이 배치되어 있는데, 게이트 배선과 공통전극 또는 화소전극 사이에는 액정층 또는 절연막이 있어 기생용량이 큰 단점이 있다.
세째, 이와 같이 데이터 배선과 공통전극(공통배선 포함) 또는 화소전극 사이에 형성되는 기생용량이 증가되면, 데이터 신호를 공급하는 데이터 드라이브 IC에 많은 부하가 걸려 열을 발생하는 문제가 있다. 이와 같이 데이터 드라이브 IC의 발열 현상은 액정표시장치의 화면 품위를 저하시키는 원인이 된다.
본 발명은, 데이터 배선과 오버랩되도록 리페어 패턴을 형성함으로써, 데이터 배선에 단선 불량을 용이하게 리페어할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 데이터배선의 양측에 액정층 또는 절연막보다 작은 유전율 값을 갖는 격벽을 형성함으로써, 데이터배선과 공통전극(공통배선 포함) 또는 화소전극과의 기생용량을 최소화한 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 다른 목적이 있다.
또한, 본 발명은 데이터 배선의 양측에 형성되는 격벽이 액정표시패널의 셀갭을 유지하는 스페이서 역할을 하도록 하여 공정을 단순화한 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 또 다른 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 액정표시장치는,
기판;
상기 기판 상에 교차배열되 화소영역을 정의하는 게이트배선과 데이터배선;
상기 게이트배선과 데이터배선이 교차하는 영역에 배치된 박막 트랜지스터;
상기 화소영역에 교대로 배치되어 있는 공통전극과 화소전극;
상기 데이터 배선과 오버랩되도록 배치된 리페어 패턴; 및
상기 데이터 배선과 리페어 패턴 양측에 형성된 제 1, 2 격벽패턴을 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 액정표시장치 제조방법은,
절연기판 상에 게이트배선, 게이트 전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극이 형성된 절연기판 상에 회절 마스크 또는 하프톤 마스크를 포함하는 포토리쏘그래피 방법으로 채널층, 오믹접촉층, 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 형성하는 단계;
상기 소스/드레인 전극이 형성된 절연기판 상에 보호막을 형성하고, 드레인 전극 일부와, 데이터배선의 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계;
상기 보호막이 형성된 절연기판 상에 투명성 도전물질을 형성한 다음, 패터닝하여 화소영역에 화소전극과, 상기 데이터배선과 오버랩되도록 리페어 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 화소전극이 형성된 절연기판 상의 데이터 배선 양측에 격벽 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의한 액정표시장치는,
제 1 기판;
화소영역을 정의하는 게이트배선과 데이터배선과, 상기 게이트배선과 데이터배선이 교차하는 영역에 배치된 박막 트랜지스터와, 상기 화소영역에 교대로 배치되어 있는 공통전극과 화소전극과, 상기 데이터 배선과 오버랩되도록 배치된 리페어 패턴; 및 상기 데이터 배선과 리페어 패턴 양측에 형성된 제 1, 2 격벽패턴을 포함하는 제 2 기판; 및
상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다.
본 발명에 의하면, 데이터 배선과 오버랩되도록 리페어 패턴을 형성함으로써, 데이터 배선에 단선 불량을 용이하게 리페어할 수 있다.
또한, 본 발명은 데이터 배선의 양측에 액정층 또는 절연막보다 작은 유전율 값을 갖는 격벽을 형성함으로써, 데이터 배선과 공통전극(공통배선 포함) 또는 화 소전극과의 기생용량을 최소화하였다.
또한, 본 발명은 데이터 배선의 양측에 형성되는 격벽이 액정표시패널의 셀갭을 유지하는 스페이서 역할을 하도록 하여 공정을 단순화하였다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치의 화소구조를 도시한 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 게이트 배선(101)과 데이터배선(113)이 교차배열되고, 데이터배선(113)을 중심으로 양측에 제 1 화소영역(P1)과 제 2 화소영역(P2)이 정의된다.
게이트 배선(101)과 데이터 배선(113)이 교차하는 영역에는 스위치 소자인 TFT가 각각 배치되어 있다. 즉, 제 1 화소영역(P1)과 제 2 화소영역(P2)에 TFT가 각각 배치된다.
제 1 화소영역(P1)을 중심으로 설명하면, 게이트 배선(101)과 데이터 배선(113)이 교차배열되어 제 1 화소영역(P1)을 정의하고, 제 1 화소영역(P1)에는 공통배선(103)으로부터 돌출된 제 1 공통전극(133a)과 상기 공통배선(103)과 전기적으로 콘택되면서 제 1 화소영역으로 돌출된 제 2 공통전극(133b)이 형성되어 있다. 또한, 돌출된 제 1 공통전극(133a) 가장자리에는 스토리지 커패시터 형성을 위한 제 1 스토리지 전극(136)과 일체로 형성되어 있다.
상기 제 2 공통전극(133b)은 제 1 화소영역(P1)에서 화소전극(139a)과 소정의 간격을 두고 교대로 배치되고, 화소전극(139a)의 일측은 제 1 스토리지 전 극(136)과 스토리지 커패시터 형성을 위한 제 2 스토리지 전극(139)이 형성되어 있다.
또한, 상기 제 2 스토리 전극(139)과 인접하고, 게이트 배선(101)과 일체로 형성된 게이트 전극(131a)이 형성되어 있고, 게이트 전극(131a) 상에는 소스/드레인 전극(137a, 137b)과 채널층(134)으로 구성된 TFT가 형성되어 있다.
본 발명에서는 데이터 배선(113)이 공정중 단선된 경우 이를 리페어하기 위해 데이터 배선(113)과 화소영역에서 오버랩되도록 리페어 패턴(120)이 형성되어 있다. 리페어 패턴(120)은 화소전극(139a)과 동일한 인듐-옥사이드(Indium-Tin-Oxide ; 이하" ITO" 라 함), 인듐-아연-옥사이드(Indium-Zinc-Oxide ; 이하" IZO" 라 함), 인듐-틴-아연-옥사이드(Indium-Tin-Zinc-Oxide ; 이하" ITZO" 라함) 등의 투명한 도전성 물질로 형성된다. 하지만, 상기 리페어 패턴(120)은 데이터 배선(113) 전영역에서 오버랩되도록 형성될 수 있다.
또한, 데이터 배선(113)의 양측 인접영역에는 제 1 화소영역(P1)과 제 2 화소영역(P2)에 평행한 방향으로 각각 제 1 격벽패턴(150a)과 제 2 격벽패턴(150b)이 형성되어 있다. 제 1 격벽패턴(150a)과 제 2 격벽패턴(150b)은 데이터 배선(113)과 평행한 방향으로 서로 인접하도록 형성되고, 그 물질은 액정의 유전율보다 작은 유전율을 갖는 무기물질 또는 유기물질로 형성된다.
제 2 화소영역(P2) 역시 제 1 화소영역(P1)과 동일한 구조로 형성되어 있다. 따라서, 제 2 화소영역(P2)에 도시된 제 1 공통전극(103a), 제 2 공통전극(103b), 화소전극(107a), 제 1 스토리지 전극(106), 제 2 스토리지 전극(107), 게이트 전 극(101a) 들의 구조 설명은 생략한다.
따라서, 본 발명에서는 데이터 배선(113)의 리페어를 위해 리페어 패턴(120)을 형성하여, 공정중 발생되는 데이터 배선 단선불량을 용이하게 리페어할 수 있도록 하였다.
또한, 데이터 배선(113)의 양측에 유전율이 낮은 격벽패턴들을 형성함으로써, 화소전극 또는 공통전극(공통배선 포함)과의 사이에서 발생되는 기생용량을 최소화한 효과가 있다.
도 4a 내지 도 4f는 상기 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선과 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4a에 도시한 바와 같이, Ⅲ-Ⅲ' 영역은 박막 트랜지스터 형성 영역이고, Ⅳ-Ⅳ' 영역은 데이터 배선 형성 영역이다. 절연기판(100) 상에 금속박막을 증착한 다음, 마스크를 포함하는 포토리쏘그래피 방법으로 게이트 배선(101), 게이트 전극(131a), 제 1 공통전극(103a, 133a) 및 제 1 스토리지 전극(136)을 형성한다.
도면에는 도시되지 않았지만, 제 1 공통전극(103a, 133a)은 공통배선으로부터 제 1, 2 화소영역으로 돌출되고, 제 1 스토리지 전극(136)과 일체로 형성한다.
상기와 같이, 게이트 배선(101), 게이트 전극(131a) 등이 형성되면, 도 4b에 도시한 바와 같이, 절연기판(100) 상에 게이트 절연막(102), 비정질 실리콘막, 도핑된 비정질 실리콘막 및 금속박막을 순차적으로 형성한 다음 회절 마스크 또는 하프톤 마스크를 포함하는 포토리쏘그래피 방법으로 식각하여 게이트 전극(131a) 상에 채널층(134), 오믹접촉층(135) 및 소스/드레인 전극(137a, 137b)를 형성한다.
이때, 소스 전극(137a)과 일체로 형성되는 데이터 배선(113)을 게이트 배선(101)과 교차 배열되도록 형성한다.
Ⅳ-Ⅳ' 영역에 도시된 바와 같이, 화소영역을 사이에 두고 데이터 배선(113)이 형성되어 있고, 회절 마스크 또는 하프톤 마스크를 포함하는 포토리쏘그래피 방법의 특성상 데이터 배선(113) 하부에는 도핑된 비정질실리콘패턴(135a)와 비정질실리콘패턴(134a)이 형성되어 있다.
상기와 같이 절연기판(100) 상에 소스/드레인 전극(137a, 137b)이 형성되면, 도 4c에 도시한 바와 같이, 절연기판(100)의 전영역 상에 보호막(138)을 형성한 다음, 포토리쏘그래피 방법으로 드레인 전극(137b)의 일부를 노출시키는 콘택홀(140)을 형성한다. 이때, 화소영역에 대응되는 데이터 배선(113)의 제 1 스토리지 전극 영역과 공통배선 영역에도 각각 콘택홀(141)을 형성한다.
그런 다음, 도 4d에 도시한 바와 같이, 절연기판(100) 상에 투명성 도전물질인 ITO, IZO, ITZO중 어느 하나로된 금속박막을 형성한 다음, 포토리쏘그래피 방법으로 식각하여 화소전극, 제 2 스토리지 전극, 제 2 공통전극 및 리페어 패턴(120)을 형성한다.
상기 제 2 스토리지 전극(139)은 화소 영역에 슬릿 형태로 형성된 화소전극과 일체로 형성되면서, 드레인 전극(137b)에 형성된 콘택홀을 통해 드레인 전극(137b)과 전기적으로 콘택되어 있다.
또한, 리페어 패턴(120)은 데이터 배선(113)과 오버랩되도록 형성되면서 데이터 배선(113) 상에 형성된 콘택홀(141)을 통하여 전기적으로 콘택되어 있다. 이 것은 데이터 배선(113) 형성 공정중 또는 정전기로 인하여 단선되는 경우에는 리페어 패턴(120)이 브릿지 역할을 하여 리페어될 수 있도록 하기 위해서이다.
상기와 같이 절연기판(100) 상에 리페어 패턴(120)과 화소전극 등이 형성되면, 도 4e에 도시한 바와 같이, 절연기판(100) 상에 액정층보다 유전율이 작은(대략 유전율값이 10-1 ~ 10) 무기물질 또는 유기물질을 형성한다.
무기물질인 경우에는 포토리쏘그래피 공정으로 식각 패턴하고, 유기물인 경우에는 노광 및 현상 공정으로 패터닝하여 데이터 배선(113) 양측에 격벽패턴(150a, 150b)을 각각 형성한다.
상기 격벽패턴(150a, 150b)은 리페어패턴(120)과 화소영역 단위로 데이터 배선(113)과 나란히 형성하거나, 데이터배선(113) 전체를 따라 일체로 양측에 형성할 수 있다.
또한, 상기 격벽패턴(150a, 150b)은 잉크젯 방식을 적용하여 데이터 배선(113) 양측을 따라 분사하여 형성할 수 있다. 이 경우에는 마스크에 의한 노광 및 현상 공정을 진행하지 않는다.
상기와 같이 데이터 배선(113) 양측에 격벽패턴(150a, 150b)이 형성되면, 도 4f에 도시한 바와 같이, 절연기판(100) 전 영역에 배향막(180)을 형성한다.
이때, 격벽패턴(150a, 150b)은 액정표시패널의 셀갭유지를 위한 스페이서 역할을 하기 때문에 별도 추가 공정으로 스페이서 형성 공정을 생략할 수 있다.
만약, 상기와 같이 격벽패턴(150a, 150b)을 화소전극과 데이터 배선(113) 사 이의 기생용량을 감소시키면서, 스페이서 역할도 하도록 한다면 격벽패턴(150a, 150b)의 높이를 스페이서 높이만큼 두껍게 형성한다.
하지만, 격벽패턴(150a, 150b)을 기생용량 감소를 위한 기능으로만 사용한 다면, 추가적으로 스페이서 형성 공정을 추가할 수 있다. 이때, 컬러필터기판 상에는 스페이서를 형성하지 않는다.
이와 같이, 본 발명에서는 데이터 배선 리페어를 위한 리페어패턴(120)을 형성하면서, 데이터 배선과 리페어패턴 양측에 각각 격벽패턴을 형성하여 화소영역에서 발생되는 기생용량을 최소화 하였다.
5는 본 발명에 따른 액정표시패널의 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 절연기판(100) 상에 형성된 격벽패턴(150a, 150b)이 액정표시패널의 셀갭 유지를 위한 스페이서 역할을 하는 경우를 도시하였다.
도 3과 도 4f의 Ⅳ-Ⅳ' 영역에 대한 액정표시패널의 단면도이므로, 설명하지 않은 부호는 이를 참조한다.
화소전극과 데이터 배선 등이 형성된 어레이기판에 액정층(250)을 사이에 두고 컬러필터기판(200)이 합착되어 있다. 절연기판(100) 상에 형성된 격벽패턴(150a, 150b)이 컬러필터기판과 접촉되어 셀갭을 유지하고 있다. 상기 격벽패턴(150a, 150b)은 데이터 배선(113) 및 리페어패턴(120)이 형성 영역과, 제 1 공통전극(103a, 133a) 및 제 2 공통전극(103b, 133b) 형성된 영역 사이에 형성되어 화소영역에서의 기생용량을 최소화하였다.
왜냐하면, 제 1 공통전극(103a, 133a) 및 제 2 공통전극(103b, 133b)과 데이 터 배선(113) 및 리페어패턴(120) 사이에는 유전율이 낮은 격벽패턴(150a, 150b)이 형성되어 있기 때문이다.
이와 같이, 본 발명에서는 화소영역을 구분하는 데이터배선 영역 양측에 격벽패턴(150a, 150b)을 형성하여 화소영역에서의 기생용량이 최소화하면서, 셀갭을 유지할 수 있도록 한 이점이 있다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 데이터 배선과 오버랩되도록 리페어 패턴을 형성함으로써, 데이터 배선에 단선 불량을 용이하게 리페어할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 데이터 배선의 양측에 액정층 또는 절연막보다 작은 유전율 값을 갖는 격벽을 형성함으로써, 데이터 배선과 공통전극(공통배선 포함) 또는 화소전극과의 기생용량을 최소화한 효과가 있다.
또한, 본 발명은 데이터 배선의 양측에 형성되는 격벽이 액정표시패널의 셀갭을 유지하는 스페이서 역할을 하도록 하여 공정을 단순화한 효과가 있다.
본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.

Claims (25)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 교차배열되 화소영역을 정의하는 게이트배선과 데이터배선;
    상기 게이트배선과 데이터배선이 교차하는 영역에 배치된 박막 트랜지스터;
    상기 화소영역에 교대로 배치되어 있는 공통전극과 화소전극;
    상기 데이터 배선과 오버랩되도록 배치된 리페어 패턴; 및
    상기 데이터 배선과 리페어 패턴 양측에 형성된 제 1, 2 격벽패턴을 포함하는 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 화소전극은 ITO, IZO 또는 ITZO중 어느 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 리페어 패턴은 화소전극과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 리페어 패턴은 화소영역 단위로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 리페어 패턴의 양측 가장자리 영역은 상기 데이터 배선과 전기적으로 콘택된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 2 격벽패턴은 무기물질 또는 유기물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 , 2 격벽패턴은 유전율값이 10-1 ~ 10인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  8. 절연기판 상에 게이트배선, 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극이 형성된 절연기판 상에 회절 마스크 또는 하프톤 마스크를 포함하는 포토리쏘그래피 방법으로 채널층, 오믹접촉층, 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 형성하는 단계;
    상기 소스/드레인 전극이 형성된 절연기판 상에 보호막을 형성하고, 드레인 전극 일부와, 데이터배선의 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계;
    상기 보호막이 형성된 절연기판 상에 투명성 도전물질을 형성한 다음, 패터닝하여 화소영역에 화소전극과, 상기 데이터배선과 오버랩되도록 리페어 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 화소전극이 형성된 절연기판 상의 데이터 배선 양측에 격벽 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 투명성 도전물질은 ITO, IZO 또는 ITZO중 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 리페어 패턴은 화소영역 단위로 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 리페어 패턴의 양측 가장자리는 각각 데이터 배선의 일부 노출된 영역과 콘택된 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 격벽패턴은 데이터 배선 양측을 따라 평행하게 형성되거나 화소영역 단위로 분리되어 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  13. 제 8 항에 있어서, 상기 격벽패턴의 유전율은 액정층의 유전율 보다 작은 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 격벽패턴의 유전율값은 10-1 ~ 10인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  15. 제 8 항에 있어서, 상기 격벽패턴은 잉크젯 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  16. 제 8 항에 있어서, 상기 격벽패턴 형성후 절연기판 상에 배향막을 도포하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  17. 제 1 기판;
    화소영역을 정의하는 게이트배선과 데이터배선과, 상기 게이트배선과 데이터배선이 교차하는 영역에 배치된 박막 트랜지스터와, 상기 화소영역에 교대로 배치되어 있는 공통전극과 화소전극과, 상기 데이터 배선과 오버랩되도록 배치된 리페어 패턴; 및 상기 데이터 배선과 리페어 패턴 양측에 형성된 제 1, 2 격벽패턴을 포함하는 제 2 기판; 및
    상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함하는 액정표시장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 화소전극은 ITO, IZO 또는 ITZO중 어느 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 리페어 패턴은 화소전극과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  20. 제 17 항에 있어서, 상기 리페어 패턴은 화소영역 단위로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 리페어 패턴의 양측 가장자리 영역은 상기 데이터 배선과 전기적으로 콘택된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  22. 제 17 항에 있어서, 상기 제 1, 2 격벽패턴은 무기물질 또는 유기물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  23. 제 17 항에 있어서, 상기 제 1 , 2 격벽패턴은 유전율값이 10-1 ~ 10인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  24. 제 17 항에 있어서, 상기 제 1, 2 격벽패턴은 상기 제 1 기판과의 셀갭을 유지하도록 제 1 기판과 접촉되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  25. 제 17 항에 있어서, 상기 제 1 기판은 R, G, B 컬러필터를 포함하는 컬러필터기판인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
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