KR20080022460A - 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법 - Google Patents
서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
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- 금속층을 포함하는 기판;상기 기판의 금속층 위에 집적하여 실장되는 발광 다이오드 칩;상기 발광 다이오드 칩 위에 몰드형성되는 광 추출부;상기 발광 다이오드 칩이 실장된 상기 기판의 금속층과 상기 광 추출부를 제외하고 상기 금속층 하부구조를 모두 제거하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
- 금속층;상기 금속층을 2개의 영역으로 분리시키도록 금속층 사이에 충진되는 절연부;상기 금속층의 상부면에 실장되고 상기 금속층의 2개의 영역에 각각 전기적으로연결되는 발광 다이오드 칩; 및상기 발광 다이오드 칩의 실장 부위를 포함한 금속층 상의 상부영역에 몰드 형성되는 광 추출부;를 포함하고,상기 금속층의 하부면은 외부로 노출되어 열방출 및 전기적인 접합을 위한 리드가 되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 금속층은 구리 또는 알루미늄을 포함하 며, 20um ~ 800um 의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 기판은 절연재료로 형성되는 지지부를 포함하고, 상기지지부 상부에 금속층이 형성되며, 상기 지지부는 50um ~ 800um 두께이고 랩핑, 그라인딩 또는 에칭 중 어느 하나의 방법에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광 추출부는 실리콘 또는 에폭시 재료로 200um ~ 1000um 두께로 형성하여 상기 금속층을 지지할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 광 추출부는 굴절율 1.4 ~ 2.5 범위의 몰드 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 금속층 중 상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 부위는 오목하게 형성되며, 금속층의 상부면에는 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 반사될 수 있도록 도금층이 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광 추출부 상부 외곽 둘레에는 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 지향성을 갖도록 광 경로를 가이드하는 광 가이드가 형성되고, 상기 광 가이드의 내측으로 몰드를 통해 렌즈부가 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광 추출부의 측면둘레에 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 지향성을 갖도록 광 경로를 가이드하는 광 가이드가 테이핑되어 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 금속층의 상부면 외곽 둘레에 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 지향성을 갖도록 광 경로를 가이드하는 광 가이드가 반사율이 높은 수지에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- a. 발광 다이오드 칩을 집적하여 실장가능한 회로기판을 준비하는 제 1공정;b. 상기 회로기판에서 열전도성 전극이 되는 금속층 위에 발광 다이오드 칩을 집적하여 실장하는 제 2공정;c. 광 추출부 또는 광 가이드부의 몰딩부를 형성하는 제 3공정;d. 상기 금속층을 지지하는 몰딩부를 제외한 나머지를 모두 제거하여 열방출 용 리드구조 및 전류공급용 전극리드 구조를 형성하는 제 4공정; 및e. 각각의 발광 다이오드 소자를 분리하는 제 5공정을 포함하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 제1 공정의 회로기판은 금속층과 상기 금속층의 하부에 절연재료로 형성되는 지지부를 포함하며, 상기 금속층은 20~80um 의 두께로 구리 또는 알루미늄을 포함하며, 상기 지지부는 50~800um 두께의 FR-4, 레지스트류 또는 수지류와 같은 제거 가능한 절연재료층이 되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 제 4공정에서 랩핑(이면연마), 그라인딩 또는 에칭의 방법에 의해 금속층 하부의 절연체층 전체를 제거하는 것을 포함하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 금속층은 최소 2개 이상의 금속판으로 형성되며, 회로기판의 절연체층이 제거된 후 제 3공정으로 형성된 새로운 몰딩부에 의해 상기 금속층이 지지되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 제 1공정의 금속층을 형성할 때 에칭에 의해 p형 영역과 n형 영역으로 분리하여 전극리드를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오 드 패키지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 발광 다이오드 소자를 각각 분리하기 위하여 상기 기판에 다수의 분리구조를 제작하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 금속층에는 반사구조가 2종 이상의 곡률반경을 갖도록 형성되며, 상기 반사구조는 금속층의 하프에칭과 은도금 가공을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 제 3공정에서 굴절율이 1.4~2.5의 범위의 재료로 광추출부를 몰드형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 광 추출부를 실리콘 또는 에폭시 재료로 200um ~ 1000um 두께로 형성하여, 에칭에 의해 분리된 최소 2개 이상의 금속판을 지지하도록 하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
- a. 2개의 영역으로 분리되는 금속층, 상기 금속층이 2개의 영역으로 분리되는 경계에 충진되는 절연부 및 상기 금속층의 하부에 형성되는 지지부를 포함하는 기판을 마련하는 단계;b. 상기 금속층의 2개의 영역에 각각 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 금속층 상의 일 영역에 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계;c. 상기 발광 다이오드 칩의 실장부위를 포함한 금속층 상의 상부영역에 몰드형성하여 광 추출부를 형성하는 단계;d. 상기 기판의 지지부를 제거하는 것을 통해 상기 금속층을 노출시키는 단계; 및e. 각각의 발광 다이오드 패키지를 분리하는 단계;를 포함하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
- 제 20항에 있어서,a1. 상기 금속층의 일 영역 중 일부를 식각하여 오목하게 형성하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 제조방법.
- 제 21항에 있어서,a2. 상기 금속층의 상부면에 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 반사될 수 있도록 도금층을 형성하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 제조방법.
- 제 20항에 있어서,c1. 상기 광 추출부 상부면의 외곽 둘레에 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 지향성을 갖도록 광 경로를 가이드하는 광 가이드를 형성하고, 상기 광 가이드의 내측에 몰드 형성하여 렌즈부를 추가적으로 형성하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 제조방법.
- 제 20항에 있어서,e1. 패키지의 분리 후에 상기 광 추출부의 측면둘레에 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 지향성을 갖도록 광 경로를 가이드하는 광 가이드가 테이핑되어 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 제조방법.
- 제 20항에 있어서,a1. 상기 금속층의 상부면 외곽 둘레에 광 반사율이 높은 수지를 통해 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 지향성을 갖도록 광 경로를 가이드하는 광 가이드를 형성하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 제조방법.
- 제 20항에 있어서, 상기 금속층은 구리 또는 알루미늄을 포함하며, 20um ~ 800um 의 두께로 형성되고, 상기 지지부는 50um ~ 800um 두께의 제거 가능한 절연재료로 형성되며, 상기 지지부는 랩핑, 그라인딩 또는 에칭 중 어느 하나의 방법에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060085904A KR100865487B1 (ko) | 2006-09-06 | 2006-09-06 | 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법 |
JP2006339136A JP4865525B2 (ja) | 2006-08-03 | 2006-12-15 | Sml型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060085904A KR100865487B1 (ko) | 2006-09-06 | 2006-09-06 | 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080022460A true KR20080022460A (ko) | 2008-03-11 |
KR100865487B1 KR100865487B1 (ko) | 2008-10-27 |
Family
ID=39396417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060085904A KR100865487B1 (ko) | 2006-08-03 | 2006-09-06 | 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100865487B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100869376B1 (ko) * | 2008-05-20 | 2008-11-19 | 주식회사 정진넥스텍 | 발광다이오드 칩 실장용 리드 프레임 어셈블리와 그의 제조방법 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101641100B1 (ko) * | 2014-12-12 | 2016-07-29 | 주식회사 루멘스 | 착탈형 발광 소자 패키지 모듈과, 조명 장치 및 제조 방법 |
KR102503215B1 (ko) | 2016-03-28 | 2023-02-24 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100593935B1 (ko) * | 2005-03-24 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
-
2006
- 2006-09-06 KR KR1020060085904A patent/KR100865487B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100869376B1 (ko) * | 2008-05-20 | 2008-11-19 | 주식회사 정진넥스텍 | 발광다이오드 칩 실장용 리드 프레임 어셈블리와 그의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100865487B1 (ko) | 2008-10-27 |
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
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