KR100865487B1 - 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법 - Google Patents
서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
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- 금속층;상기 금속층을 2개의 영역으로 분리시키도록 금속층 사이에 충진되는 절연부;상기 금속층의 상부면에 실장되고 상기 금속층의 2개의 영역에 각각 전기적으로연결되는 발광 다이오드 칩; 및상기 발광 다이오드 칩의 실장 부위를 포함한 금속층 상의 상부영역에 몰드 형성되는 광 추출부;를 포함하고,상기 금속층의 하부면은 외부로 노출되어 열방출 및 전기적인 접합을 위한 리드가 되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- 제 2항에 있어서, 상기 금속층은 구리 또는 알루미늄을 포함하며, 20um ~ 800um 의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
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- 제 2항에 있어서, 상기 광 추출부는 실리콘 또는 에폭시 재료로 200um ~ 1000um 두께로 형성하여 상기 금속층을 지지할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- 제 2항에 있어서,상기 광 추출부는 굴절율 1.4 ~ 2.5 범위의 몰드 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- 제 2항에 있어서, 상기 금속층 중 상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 부위는 오목하게 형성되며, 금속층의 상부면에는 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 반사될 수 있도록 도금층이 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- 제 2항에 있어서, 상기 광 추출부 상부 외곽 둘레에는 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 지향성을 갖도록 광 경로를 가이드하는 광 가이드가 형성되고, 상기 광 가이드의 내측으로 몰드를 통해 렌즈부가 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- 제 2항에 있어서, 상기 광 추출부의 측면둘레에 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 지향성을 갖도록 광 경로를 가이드하는 광 가이드가 테이핑되어 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
- 제 2항에 있어서, 상기 금속층 상의 상부영역에 몰드 형성되는 광 추출부의 상부면 외곽 둘레에 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 지향성을 갖도록 광 경로를 가이드하는 광 가이드가 반사율이 높은 수지에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지.
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- a. 2개의 영역으로 분리되는 금속층, 상기 금속층이 2개의 영역으로 분리되는 경계에 충진되는 절연부 및 상기 금속층의 하부에 형성되는 지지부를 포함하는 기판을 마련하는 단계;b. 상기 금속층의 2개의 영역에 각각 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 금속층 상의 일 영역에 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계;c. 상기 발광 다이오드 칩의 실장부위를 포함한 금속층 상의 상부영역에 몰드형성하여 광 추출부를 형성하는 단계;d. 상기 기판의 지지부를 제거하는 것을 통해 상기 금속층을 노출시키는 단계; 및e. 상기 a 내지 d의 단계를 통해 형성된 다수의 발광 다이오드 패키지로부터 각각의 발광 다이오드 패키지를 분리하는 단계;를 포함하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
- 제 20항에 있어서,a1. 상기 금속층의 일 영역 중 일부를 식각하여 오목하게 형성하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 제조방법.
- 제 21항에 있어서,a2. 상기 금속층의 상부면에 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 반사될 수 있도록 도금층을 형성하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 제조방법.
- 제 20항에 있어서,c1. 상기 광 추출부 상부면의 외곽 둘레에 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 지향성을 갖도록 광 경로를 가이드하는 광 가이드를 형성하고, 상기 광 가이드의 내측에 몰드 형성하여 렌즈부를 추가적으로 형성하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 제조방법.
- 제 20항에 있어서,e1. 패키지의 분리 후에 상기 광 추출부의 측면둘레에 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 방출광이 지향성을 갖도록 광 경로를 가이드하는 광 가이드가 테이핑되어 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 제조방법.
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- 제 20항에 있어서, 상기 금속층은 구리 또는 알루미늄을 포함하며, 20um ~ 800um 의 두께로 형성되고, 상기 지지부는 50um ~ 800um 두께의 제거 가능한 절연재료로 형성되며, 상기 지지부는 랩핑, 그라인딩 또는 에칭 중 어느 하나의 방법에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 서브 마운트 타입 발광 다이오드 패키지 제조방법.
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