KR20090113116A - 작은 대전력 광원 램프를 위한 효과적인 열방출 구조의리드 프레임, 전자 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 135
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 135
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 18
- IYZWUWBAFUBNCH-UHFFFAOYSA-N 2,6-dichlorobiphenyl Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1C1=CC=CC=C1 IYZWUWBAFUBNCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000272168 Laridae Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJDPJFRMHVXWPT-UHFFFAOYSA-N barium sulfide Chemical compound [S-2].[Ba+2] CJDPJFRMHVXWPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000036448 vitalisation Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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Abstract
Description
Claims (18)
- 절연체의 상하에 각각 상부 금속층 및 하부 금속층이 형성된 PCB에,상기 상부 금속층을 패턴한 두 개 이상의 전극 리드들과상기 상부 금속층으로부터 상기 절연체까지 제거된 한 개 이상의 홈 형태의 플랫폼을 형성한 후,상기 전극 리드들과 상기 플랫폼 위에 금속 코팅층을 형성한 리드 프레임을 이용하여,상기 플랫폼 영역의 상기 금속 코팅층 위에 칩을 실장한 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 플랫폼은 레이저 가공 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 금속 코팅층은,도금을 통하여 라우팅 측면을 따라 상기 전극 리드들 각각을 상기 하부 금속층의 분리된 해당 패턴과 전기적으로 연결시키는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 전자 소자는 SMD 타입 LED를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 칩의 주위를 소정 형광제를 혼합한 투명 수지로 몰딩한 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 칩의 실장을 위한 리드 프레임에 있어서,절연체의 상하에 각각 상부 금속층 및 하부 금속층이 형성된 PCB에,상기 상부 금속층을 패턴한 두 개 이상의 전극 리드들과상기 상부 금속층으로부터 상기 절연체까지 제거된 한 개 이상의 홈 형태의 플랫폼을 형성한 후,상기 전극 리드들과 상기 플랫폼 위에 금속 코팅층을 형성한 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
- 제6항에 있어서, 상기 금속 코팅층의 형성을 위한 도금을 통하여 상기 절연체를 매개로 상기 PCB의 상부 금속층과 상기 플랫폼 영역의 상기 PCB의 하부 금속층을 전기적으로 연결시켜서,상기 플랫폼 상에 실장되는 칩에서 발생하는 열을 순환 방출시키는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
- 제6항에 있어서, 상기 금속 코팅층은,도금을 통하여 라우팅 측면을 따라 상기 전극 리드들 각각을 상기 하부 금속층 의 분리된 해당 패턴과 전기적으로 연결시키는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
- 제6항에 있어서,상기 금속 코팅층에 의하여 상기 전극 리드들 중 한 전극이 상기 플랫폼 영역의 상기 하부 금속층과 전기적으로 연결되고,상기 플랫폼과 상기 전극 리드들 중 다른 전극 사이에 상기 상부 금속층으로부터 상기 절연체까지 제거된 도랑(gully) 형상을 포함하고,상기 금속 코팅층에 의하여 상기 다른 전극이 상기 도랑 형상 영역의 상기 하부 금속층과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
- 제9항에 있어서, 상기 도랑 형상은 레이저 가공을 이용하여 형성한 직선 형태, 또는 직선의 일부가 적어도 한번 이상 꺽인 후 다시 직선으로 복귀한 형태를 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
- 제6항에 있어서, 상기 PCB는 FR-4 또는 BT를 절연체로 포함하는 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
- 칩의 실장을 위한 리드 프레임의 제조 방법에 있어서,(A1)절연체의 상하에 각각 상부 금속층 및 하부 금속층이 형성된 PCB의 상기 상부 금속층을 패터닝하여 두 개 이상의 전극 리드들을 형성하는 단계;(A2)상기 하부 금속층을 패터닝하여 상기 전극 리드들에 대응되는 패턴을 형성하는 단계;(A3)상기 상부 금속층으로부터 상기 절연체까지 제거된 한 개 이상의 홈 형태의 플랫폼을 형성하는 단계; 및(A4)상기 전극 리드들과 상기 플랫폼 위에 금속 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 (A3) 단계는,(B1)레이저 가공을 이용하여 플랫폼을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 (A4) 단계는,(C1)도금을 통하여 상기 절연체를 매개로 상기 PCB의 상부 금속층과 상기 플랫폼 영역의 상기 PCB의 하부 금속층을 전기적으로 연결시키는 단계를 포함하고,상기 상부 금속층과 상기 하부 금속층의 전기적 연결을 통하여 상기 플랫폼 상에 실장되는 칩에서 발생하는 열을 순환 방출시키는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 (A4) 단계는,(C2)도금을 통하여 라우팅 측면을 따라 상기 전극 리드들 각각을 상기 하부 금속층의 분리된 해당 패턴과 전기적으로 연결시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 (A4) 단계 전에,(A5)상기 플랫폼과 상기 전극 리드들 중 한 전극 사이에 상기 상부 금속층으로부터 상기 절연체까지 제거된 도랑(gully) 형상을 가공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 (A4) 단계는,(C3)도금을 통하여 상기 전극 리드들 중 한 전극을 상기 플랫폼 영역의 상기 하부 금속층과 전기적으로 연결시키고, 상기 다른 전극을 상기 도랑 형상 영역의 상기 하부 금속층과 전기적으로 연결시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 (A5) 단계는,(D1)레이저 가공을 이용하여 직선 형태, 또는 직선의 일부가 적어도 한번 이상 꺽인 후 다시 직선으로 복귀한 형태로 상기 도랑 형상을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080039026A KR101003769B1 (ko) | 2008-04-25 | 2008-04-25 | 작은 대전력 광원 램프를 위한 효과적인 열방출 구조의리드 프레임, 전자 소자 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080039026A KR101003769B1 (ko) | 2008-04-25 | 2008-04-25 | 작은 대전력 광원 램프를 위한 효과적인 열방출 구조의리드 프레임, 전자 소자 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090113116A true KR20090113116A (ko) | 2009-10-29 |
KR101003769B1 KR101003769B1 (ko) | 2010-12-24 |
Family
ID=41554231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080039026A KR101003769B1 (ko) | 2008-04-25 | 2008-04-25 | 작은 대전력 광원 램프를 위한 효과적인 열방출 구조의리드 프레임, 전자 소자 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101003769B1 (ko) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4735941B2 (ja) | 2005-01-06 | 2011-07-27 | 日立化成工業株式会社 | 発光素子用の配線基板 |
-
2008
- 2008-04-25 KR KR1020080039026A patent/KR101003769B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101003769B1 (ko) | 2010-12-24 |
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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|
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|
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|
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|
FPAY | Annual fee payment |
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