KR20080018084A - Vertically structured gan type light emitting diode device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

A vertical gallium nitride-based light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to prevent junction leakage and a short circuit by preventing atoms composing a metal seed layer from penetrating into an active layer. A light emission structure(120) comprising an n-type GaN-based semiconductor layer(121), an active layer, and a p-type GaN-based semiconductor layer(123) is formed on a substrate, and then is etched to divide the light emission structure into units of LED(100). A p-electrode(150) is formed on each of the divided light emission structures, and a non-conductive material is filled between the divided light emission structures. A metal seed layer(160) is formed on the structure, and a first plated layer(170a) is formed on the metal seed layer excluding a region between the light emission structures. A second plated layer(170b) is formed on the metal seed layer between the first plated layers. The substrate is separated from the light emission structures, and then the non-conductive material is removed between the light emission structures exposed by separating the substrate. An n-electrode(180) is formed on the n-type GaN-based semiconductor layer, and then portions of the metal seed layer and the second plated layer are removed between the light emission structures.

Description

수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법{Vertically structured GaN type Light Emitting Diode device And Manufacturing Method thereof}Vertically structured GaN type Light Emitting Diode device And Manufacturing Method

도 1a 내지 도 1f는 종래 기술에 따른 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도.1A to 1F are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a vertical gallium nitride based LED device according to the prior art.

도 2a 내지 도 2m은 본 발명의 실시예에 따른 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도.Figure 2a to 2m is a cross-sectional view sequentially showing the method for manufacturing a vertical gallium nitride-based LED device according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110: 사파이어 기판 120: 발광 구조물110: sapphire substrate 120: light emitting structure

121: n형 질화갈륨계 반도체층 122: 활성층121: n-type gallium nitride based semiconductor layer 122: active layer

123: p형 질화갈륨계 반도체층 130: 전류저지층123: p-type gallium nitride based semiconductor layer 130: current blocking layer

140: 보호막 150: p형 전극140: protective film 150: p-type electrode

PR1: 제1포토레지스트 160: 금속 시드층PR1: first photoresist 160: metal seed layer

PR2: 제2포토레지스트 170: 구조지지층PR2: second photoresist 170: structure support layer

170a: 제1도금층 170b: 제2도금층170a: first plating layer 170b: second plating layer

121a: 표면 요철 h: 콘택홀121a: Surface irregularities h: Contact hole

180: n형 전극 100: LED 소자180: n-type electrode 100: LED element

본 발명은 수직구조(수직전극형) 질화갈륨계(GaN) 발광다이오드(Light Emitting Diode; 이하, 'LED'라 칭함) 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 수직구조 질화갈륨계 LED 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a vertical structure (vertical electrode type) gallium nitride based (GaN) light emitting diode (hereinafter referred to as "LED") device, and more particularly, to improve the reliability of the device. The present invention relates to a vertical structure gallium nitride based LED device and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 질화갈륨계 LED 소자는 사파이어 기판 위에 성장하지만, 이러한 사파이어 기판은 단단하고 전기적으로 부도체이며 열전도 특성이 좋지 않아 질화갈륨계 LED 소자의 크기를 줄여 제조원가를 절감하거나, 광출력 및 칩의 특성을 개선시키는데는 한계가 있었다. 특히, LED 소자의 고출력화를 위해서는 대전류 인가가 필수이므로, LED 소자의 열 방출 문제를 해결하는 것이 매우 중요하다.In general, gallium nitride-based LED devices grow on sapphire substrates, but these sapphire substrates are hard, electrically nonconducting, and have poor thermal conductivity, which reduces the size of gallium nitride-based LED devices, thereby reducing manufacturing costs, or reducing light output and chip characteristics. There was a limit to the improvement. In particular, in order to increase the output power of the LED device is required to apply a large current, it is very important to solve the heat emission problem of the LED device.

이러한 문제를 해결하기 위한 수단으로 종래에는 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off:LLO; 이하, 'LLO' 라 칭함) 기술에 의해 사파이어 기판을 제거한 수직구조 질화갈륨계 LED 소자가 제안되었다.As a means to solve this problem, a vertical gallium nitride-based LED device in which a sapphire substrate is removed by a laser lift-off (LLO) technique has been proposed.

이하, 도 1a 내지 도 1f를 참조하여 종래 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a conventional vertical gallium nitride based LED device will be described in detail with reference to FIGS. 1A to 1F.

도 1a 내지 도 1f는 종래 기술에 따른 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.1A to 1F are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a vertical gallium nitride based LED device according to the prior art.

우선, 도 1a에 도시한 바와 같이, 사파이어 기판(110) 상에 질화갈륨계 반도체층으로 이루어진 발광 구조물(120)을 형성한다. 이때, 상기 발광 구조물(120)은 n형 질화갈륨계 반도체층(121)과 다중우물구조인 GaN/InGaN 활성층(122) 및 p형 질화갈륨계 반도체층(123)을 순차적으로 적층되어 있는 구조를 가진다.First, as shown in FIG. 1A, a light emitting structure 120 made of a gallium nitride based semiconductor layer is formed on a sapphire substrate 110. In this case, the light emitting structure 120 has a structure in which the n-type gallium nitride-based semiconductor layer 121, the multi-well GaN / InGaN active layer 122 and the p-type gallium nitride-based semiconductor layer 123 are sequentially stacked Have

이어서, 도 1b에 도시한 바와 같이, 상기 p형 질화갈륨계 반도체층(123) 상에 복수의 p형 전극(150)을 형성한다. 이 때, 상기 p형 전극(150)은, 전극과 반사막의 역할을 한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 1B, a plurality of p-type electrodes 150 are formed on the p-type gallium nitride based semiconductor layer 123. In this case, the p-type electrode 150 serves as an electrode and a reflective film.

다음으로, 도 1c에 도시한 바와 같이, 상기 발광 구조물(120)을 반응성 이온에칭(RIE) 공정 등에 의해 단위 LED 소자의 크기로 분리한다.Next, as shown in Figure 1c, the light emitting structure 120 is separated into the size of the unit LED device by a reactive ion etching (RIE) process.

이어서, 도 1d에 도시한 바와 같이, 상기 결과의 전체 구조물 상에 상기 p형 전극(150)을 노출시키도록 보호막(140)을 형성한다. 그런 다음, 상기 보호막(140) 및 p형 전극(150) 상에 금속 시드층(160)을 형성하고 나서, 상기 금속 시드층(160)을 이용하여 전해 도금 또는 무전해 도금하여 도금층으로 이루어진 구조지지층(170)을 형성한다. 상기 구조지지층(170)은 최종적인 LED 소자의 지지층 및 전극으로서의 역할을 수행한다. 이 때, 상기 구조지지층(170)은 각 발광 구조물(120) 사이의 영역에도 형성되어, 이 영역에는 비교적 두꺼운 두께의 구조지지층(170)이 형성된다.Subsequently, as shown in FIG. 1D, the passivation layer 140 is formed to expose the p-type electrode 150 on the entire structure. Then, the metal seed layer 160 is formed on the passivation layer 140 and the p-type electrode 150, and then the structural support layer is formed of a plating layer by electrolytic plating or electroless plating using the metal seed layer 160. Form 170. The structural support layer 170 serves as a support layer and an electrode of the final LED device. At this time, the structural support layer 170 is also formed in the region between each light emitting structure 120, the structural support layer 170 of a relatively thick thickness is formed in this region.

그런 다음, 도 1e에 도시한 바와 같이, LLO 공정을 통해 상기 사파이어 기판(110)을 상기 발광 구조물(120)로부터 분리한다.Then, as shown in FIG. 1E, the sapphire substrate 110 is separated from the light emitting structure 120 through an LLO process.

그 다음에, 도 1f에 도시한 바와 같이, 상기 사파이어 기판(110)으로부터 분리되어 노출된 상기 n형 질화갈륨계 반도체층(121) 상에 n형 전극(180)을 각각 형성한 후, 상기 구조지지층(170)을 다이싱(dicing) 또는 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정에 의해 단위 LED 소자의 크기로 분리하여 복수의 질화갈륨계 LED 소자(100)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 1F, the n-type electrode 180 is formed on the n-type gallium nitride based semiconductor layer 121 exposed separately from the sapphire substrate 110, and then the structure The support layer 170 is separated into unit LED elements by dicing or laser scribing to form a plurality of gallium nitride based LED elements 100.

그러나, 비교적 두꺼운 두께를 갖는 상기 구조지지층(170)의 다이싱 또는 레이저 스크라이빙 공정을 진행하는 과정에서, 상기 발광 구조물(120)이 깨지거나 손상될 수 있다.However, during the dicing or laser scribing process of the structural support layer 170 having a relatively thick thickness, the light emitting structure 120 may be broken or damaged.

*그리고, 상기 구조지지층(170)의 형성시에 상기 발광 구조물(120)과, 각 발광 구조물(120)의 사이에 형성된 상기 구조지지층(170)의 열팽창 계수 차이에 의해, 상기 구조지지층(170)을 포함한 전체 구조물의 휨 현상이 발생됨으로써, 후속 공정을 진행하기가 용이하지 않다.In addition, when the structural support layer 170 is formed, the structural support layer 170 may be formed due to a difference in thermal expansion coefficient between the light emitting structure 120 and the structural support layer 170 formed between the light emitting structures 120. Since warpage of the entire structure occurs, including, it is not easy to proceed to the subsequent process.

또한, 상기 금속 시드층(160)을 구성하는 원자들이 활성층(122)으로 침투함으로써 정션 리키지(junction leakage) 및 쇼트(short) 현상 등이 발생되는 문제점이 있다.In addition, as the atoms constituting the metal seed layer 160 penetrate into the active layer 122, there is a problem that a junction leakage and a short phenomenon occur.

상술한 바와 같이, 종래 기술에 따라 수직구조 질화갈륨계 LED 소자를 제조하게 되면, 상기 문제점들로 인하여 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 신뢰성이 낮아지는 문제가 있다.As described above, when manufacturing the vertical gallium nitride-based LED device according to the prior art, there is a problem that the reliability of the vertical gallium nitride-based LED device due to the above problems.

따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 소자 분리를 위한 다이싱 또는 스크라이빙 공정을 용이하게 하고, 구조지지층을 포함한 전체 구조물의 휨 현상 및 쇼트 현상 등을 방지하여, 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 수직구조 질화갈륨계 LED 소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to facilitate the dicing or scribing process for device separation in order to solve the above problems, to prevent the bending and short phenomenon of the entire structure including the structural support layer, It is to provide a vertical structure gallium nitride-based LED device and a method of manufacturing the same that can improve the reliability of the.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판 상에 n형 질화갈륨계 반도체층과 활성층 및 p형 질화갈륨계 반도체층이 순차 적층되어 있는 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물을 식각하여 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 단계; 상기 분리된 발광 구조물 상에 p형 전극을 형성하는 단계; 상기 분리된 발광 구조물의 사이에 비전도성 물질을 충진하는 단계; 상기 결과의 구조물 상에 금속 시드층을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물 사이의 영역을 제외한 상기 금속 시드층 상에 제1도금층을 형성하는 단계; 상기 제1도금층 및 상기 제1도금층 사이의 상기 금속 시드층 표면에 제2도금층을 형성하는 단계; 상기 기판을 상기 발광 구조물로부터 분리하는 단계; 상기 기판이 분리되어 노출된 상기 발광 구조물 사이의 상기 비전도성 물질을 제거하는 단계; 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계; 및 상기 발광 구조물 사이의 상기 금속 시드층 및 상기 제2도금층 부분을 제거하는 단계;를 포함하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention comprises the steps of forming a light emitting structure in which the n-type gallium nitride-based semiconductor layer, the active layer and the p-type gallium nitride-based semiconductor layer are sequentially stacked; Etching the light emitting structure and separating the light emitting structure by the size of a unit LED device; Forming a p-type electrode on the separated light emitting structure; Filling a non-conductive material between the separated light emitting structures; Forming a metal seed layer on the resulting structure; Forming a first plating layer on the metal seed layer except for a region between the light emitting structures; Forming a second plating layer on a surface of the metal seed layer between the first plating layer and the first plating layer; Separating the substrate from the light emitting structure; Removing the nonconductive material between the light emitting structures in which the substrate is separated and exposed; Forming an n-type electrode on the n-type gallium nitride based semiconductor layer; And removing a portion of the metal seed layer and the second plating layer between the light emitting structures.

또한, 상기 본 발명의 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에서, 상기 비전도성 물질은 포토레지스트인 것이 바람직하다.In addition, in the manufacturing method of the vertical structure gallium nitride-based LED device of the present invention, the non-conductive material is preferably a photoresist.

또한, 상기 본 발명의 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에서, 상기 p형 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 분리된 각 발광 구조물을 포함한 기판의 상부 표면을 따라 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 절연층을 선택적으로 식각하여 상기 발광 구조물의 상면 중앙부에 전류저지층을 형성함과 동시에, 상기 발광 구조물의 양측면에 보호막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다.In addition, in the method of manufacturing a vertical gallium nitride-based LED device of the present invention, before the step of forming the p-type electrode, forming an insulating layer along the upper surface of the substrate including each of the separated light emitting structure; And selectively etching the insulating layer to form a current blocking layer on a central portion of the upper surface of the light emitting structure, and simultaneously forming protective films on both side surfaces of the light emitting structure.

또한, 상기 본 발명의 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에서, 상기 발광 구조물을 형성하는 단계 이후에, 래핑(lapping) 및 폴리싱(polishing) 공정을 통해 상기 기판의 하부를 소정 두께만큼 제거하는 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다.In addition, in the manufacturing method of the vertical structure gallium nitride-based LED device of the present invention, after the step of forming the light emitting structure, by removing the lower portion of the substrate by a predetermined thickness through a lapping (lapping) and polishing (polishing) process. It is preferable to further include;

또한, 상기 본 발명의 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에서, 상기 발광 구조물 사이의 영역을 제외한 금속 시드층 상에 제1도금층을 형성하는 단계는, 상기 발광 구조물 사이의 금속 시드층 상에 포토레지스트를 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 사이의 금속 시드층 상에 제1도금층을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하는 단계;를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, in the method of manufacturing a vertical gallium nitride-based LED device of the present invention, the step of forming a first plating layer on the metal seed layer except for the region between the light emitting structure, on the metal seed layer between the light emitting structure Forming a photoresist; Forming a first plating layer on the metal seed layer between the photoresists; And removing the photoresist.

또한, 상기 본 발명의 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에서, 상기 발광 구조물 사이의 상기 금속 시드층 및 상기 제2도금층 부분을 제거하는 단계는, 다이싱, 스크라이빙 및 습식 식각 중 어느 하나의 공정으로 수행하는 것이 바람직하다.Further, in the method of manufacturing a vertical gallium nitride-based LED device of the present invention, removing the metal seed layer and the second plating layer portion between the light emitting structure, any one of dicing, scribing and wet etching. It is preferable to carry out in one process.

또한, 상기 본 발명의 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에서, 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 n형 질화갈륨계 반도체층의 표면에 표면 요철을 형성하는 단계; 및 상기 n형 전극이 형성될 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 부분을 소정 두께만큼 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다.Further, in the manufacturing method of the vertically structured gallium nitride-based LED device of the present invention, before the step of forming an n-type electrode on the n-type gallium nitride-based semiconductor layer, the surface on the surface of the n-type gallium nitride-based semiconductor layer Forming irregularities; And removing a portion of the n-type gallium nitride-based semiconductor layer on which the n-type electrode is to be formed by a predetermined thickness to form a contact hole.

또한, 상기 본 발명의 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에서, 상기 제1도금층은, Ni 및 Au가 순차 적층된 2층 구조로 형성하는 것이 바람직하다.In addition, in the manufacturing method of the vertical structure gallium nitride-based LED device of the present invention, the first plating layer is preferably formed of a two-layer structure in which Ni and Au are sequentially stacked.

또한, 상기 본 발명의 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에서, 상기 제2도금층은, Au, Ni 및 Au가 순차 적층된 3층 구조로 형성하는 것이 바람직하다.In the method of manufacturing a vertical gallium nitride-based LED device of the present invention, the second plating layer is preferably formed in a three-layer structure in which Au, Ni and Au are sequentially stacked.

또한, 본 발명은 n형 전극; 상기 n형 전극 하면에 형성된 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 측벽에 형성된 보호막; 상기 보호막이 형성된 발광 구조물 하면에 형성된 p형 전극; 상기 발광구조물 및 상기 p형 전극의 전면에 형성된 금속 시드층; 및 상기 금속 시드층 하부에 형성된 도전성 기판을 포함하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자를 제공한다.In addition, the present invention is an n-type electrode; A light emitting structure formed under the n-type electrode; A protective film formed on sidewalls of the light emitting structure; A p-type electrode formed on a lower surface of the light emitting structure in which the protective film is formed; A metal seed layer formed on an entire surface of the light emitting structure and the p-type electrode; And it provides a vertical structure gallium nitride-based light emitting diode device comprising a conductive substrate formed under the metal seed layer.

상기 발광 구조물은, n형 질화갈륨계 반도체층, 활성층, p형 질화갈륨계 반도체층을 포함하며, 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 상면은, 요철형태로 형성될 수도 있다.The light emitting structure may include an n-type gallium nitride-based semiconductor layer, an active layer, and a p-type gallium nitride-based semiconductor layer, and an upper surface of the n-type gallium nitride-based semiconductor layer may be formed in an uneven shape.

또한, 상기 발광 구조물 하면의 중앙부에 전류저지층을 더 포함할 수도 있다.In addition, a current blocking layer may be further included in a central portion of the lower surface of the light emitting structure.

그리고, 상기 도전성 기판은 제1도금층 및 제2도금층으로 구성되어 있으며, 상기 제1도금층은, Ni 및 Au가 순차 적층된 2층 구조로 형성되고, 상기 제2도금층은, Au, Ni 및 Au가 순차 적층된 3층 구조로 형성되어 있다.The conductive substrate includes a first plating layer and a second plating layer, wherein the first plating layer is formed in a two-layer structure in which Ni and Au are sequentially stacked, and the second plating layer is formed of Au, Ni, and Au. It is formed by the three-layer structure laminated sequentially.

또한, 본 발명은 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상부에 형성된 금속 시드층; 상기 금속 시드층의 중앙부에 형성된 전류저지층; 상기 금속 시드층 상의 전규저지층의 양측에 형성된 제1전극; 상기 제1전극 상에 형성된 발광 구조물의 외곽면에 형성된 보호막; 및 상기 발광 구조물 상에 형성된 제2전극을 포함하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자를 제공한다.In addition, the present invention is a conductive substrate; A metal seed layer formed on the conductive substrate; A current blocking layer formed at a central portion of the metal seed layer; First electrodes formed on both sides of an all-jersey layer on the metal seed layer; A protective film formed on an outer surface of the light emitting structure formed on the first electrode; And it provides a vertical structure gallium nitride-based light emitting diode device comprising a second electrode formed on the light emitting structure.

이때에도, 상기 발광 구조물은, p형 질화갈륨계 반도체층, 활성층, n형 질화갈륨계 반도체층을 포함하여 구성되며, 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 상면은, 요철형태로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제1전극은 p형 전극이고, 상기 제2전극은 n형 전극일 수 있다.In this case, the light emitting structure may include a p-type gallium nitride-based semiconductor layer, an active layer, and an n-type gallium nitride-based semiconductor layer, and the upper surface of the n-type gallium nitride-based semiconductor layer may have an uneven shape. The first electrode may be a p-type electrode, and the second electrode may be an n-type electrode.

또한, 상기 도전성 기판은 제1도금층 및 제2도금층으로 구성되어 있으며, 상기 제1도금층은, Ni 및 Au가 순차 적층된 2층 구조로 형성되고, 상기 제2도금층은, Au, Ni 및 Au가 순차 적층된 3층 구조로 형성된다.In addition, the conductive substrate is composed of a first plating layer and a second plating layer, wherein the first plating layer is formed of a two-layer structure in which Ni and Au are sequentially stacked, and the second plating layer is formed of Au, Ni, and Au. It is formed into a three-layer structure stacked sequentially.

이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나 타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like reference numerals designate like parts throughout the specification.

이제 본 발명의 실시예에 따른 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에 대하여 도 2a 내지 도 2m을 참고로 하여 상세하게 설명한다.Now, a method of manufacturing a vertical gallium nitride based LED device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2A to 2M.

도 2a 내지 도 2m은 본 발명의 실시예에 따른 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.2A to 2M are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a vertical gallium nitride based LED device according to an exemplary embodiment of the present invention.

우선, 도 2a에 도시한 바와 같이, 기판(100) 상에 질화갈륨계 반도체층으로 이루어진 발광 구조물(120)을 형성한다. 이 때, 상기 발광 구조물(120)은 n형 질화갈륨계 반도체층(121)과 다중우물구조인 GaN/InGaN 활성층(122) 및 p형 질화갈륨계 반도체층(123)을 순차적으로 적층되어 있는 구조를 가진다.First, as shown in FIG. 2A, a light emitting structure 120 made of a gallium nitride based semiconductor layer is formed on a substrate 100. In this case, the light emitting structure 120 is a structure in which the n-type gallium nitride-based semiconductor layer 121, the multi-well GaN / InGaN active layer 122 and the p-type gallium nitride-based semiconductor layer 123 are sequentially stacked Has

여기서, 상기 기판(110)은 바람직하게, 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성하며, 사파이어 이외에, 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(aluminum nitride, AlN) 등으로 형성할 수 있다.Here, the substrate 110 is preferably formed using a transparent material including sapphire, in addition to sapphire, zinc oxide (ZnO), gallium nitride (GaN), silicon carbide (silicon carbide) , SiC) and aluminum nitride (AlN).

또한, 상기 n형 및 p형 질화갈륨계 반도체층(121, 123) 및 활성층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 질화갈륨계 반도체 물질일 수 있으며, MOCVD 및 MBE 공정과 같은 공지의 질화물 증착공정을 통해 형성될 수 있다.In addition, the n-type and p-type gallium nitride-based semiconductor layers 121, 123 and the active layer 122 is Al x In y Ga (1-xy) N composition formula (where 0≤x≤1, 0≤y≤1 , 0 ≦ x + y ≦ 1), and may be formed through known nitride deposition processes such as MOCVD and MBE processes.

한편, 상기 활성층(122)은 하나의 양자우물층 또는 더블헤테로 구조로 형성될 수 있다. 또한, 상기 활성층(122)은 이를 구성하고 있는 인듐(In)의 양으로 다이오드가 녹색 발광 소자인지 청색 발광 소자인지를 결정한다. 보다 상세하게는 청색빛을 갖는 발광소자에 대해서는, 약 22% 범위의 인듐이 사용되며, 녹색빛을 갖는 발광소자에 대해서는, 약 40% 범위의 인듐이 사용된다. 즉, 상기 활성층(122)을 형성하는데 사용되는 인듐의 양은 필요로 하는 청색 또는 녹색 파장에 따라 변한다.Meanwhile, the active layer 122 may be formed of one quantum well layer or a double hetero structure. In addition, the active layer 122 determines whether the diode is a green light emitting device or a blue light emitting device by the amount of indium (In) constituting it. More specifically, about 22% of indium is used for light emitting devices having blue light, and about 40% of indium is used for light emitting devices having green light. That is, the amount of indium used to form the active layer 122 varies depending on the required blue or green wavelength.

따라서, 상기 활성층(122)은 상술한 바와 같이, 질화갈륨계 LED 소자의 특성 및 신뢰성에 매우 큰 영향을 미치므로, 전반적인 질화갈륨계 LED 소자 제조 공정에 있어서, 도전물 침투 등과 같은 불량으로부터 안전하게 보호되어야 한다.Therefore, since the active layer 122 has a great influence on the characteristics and reliability of the gallium nitride-based LED device, as described above, in the overall gallium nitride-based LED device manufacturing process, it is safely protected from defects such as infiltration of conductive materials. Should be.

다음으로, 도 2b에 도시한 바와 같이, 래핑(lapping) 및 폴리싱(polishing) 공정을 통해 상기 기판(110)의 하부를 소정 두께만큼 제거한다. 상기 래핑 및 폴리싱 공정은 후속적으로 진행될 사파이어 기판의 LLO 공정을 용이하게 수행하기 위한 것으로서, 이는 생략이 가능하다.Next, as shown in FIG. 2B, the lower portion of the substrate 110 is removed by a predetermined thickness through a lapping and polishing process. The lapping and polishing process is to facilitate the LLO process of the sapphire substrate to be subsequently performed, which can be omitted.

그런 다음, 도 2c에 도시한 바와 같이, 상기 발광 구조물(120)을 식각하여 단위 LED 소자의 크기로 분리한다. 이와 같이 발광 구조물(120)을 미리 식각하여 서로 분리함에 따라, 후속의 LLO 공정 시 레이저(laser)에 의해 발광 구조물(120)을 구성하는 질화갈륨계 반도체층이 파손되는 것을 방지할 수 있다.Then, as shown in FIG. 2C, the light emitting structure 120 is etched and separated into unit LED elements. As the light emitting structure 120 is previously etched and separated from each other, the gallium nitride based semiconductor layer constituting the light emitting structure 120 may be prevented from being damaged by a laser during a subsequent LLO process.

그 다음에, 상기 분리된 각 발광 구조물(120)을 포함한 기판(110)의 상부 표면을 따라 절연층(도시안함)을 형성한 후, 이를 선택적으로 식각하여 도 2d에 도시 한 바와 같이, 상기 발광 구조물(120)의 상면 중앙부에 전류저지층(current blocking layer; 130)을 형성함과 동시에, 상기 발광 구조물(120)의 양측면에 보호막(140)을 형성한다.Next, an insulating layer (not shown) is formed along the upper surface of the substrate 110 including the separated light emitting structures 120, and then selectively etched, as shown in FIG. 2D. A current blocking layer 130 is formed at the center of the upper surface of the structure 120, and a protective layer 140 is formed on both sides of the light emitting structure 120.

여기서, 상기 전류저지층(130)은, 후속적으로 형성되는 n형 전극(180)의 하부에 집중되는 전류를 그 이외의 영역으로 확산시켜, 전류 확산 효율을 증가시키고, 이를 통해 균일한 발광을 얻을 수 있도록 해준다.In this case, the current blocking layer 130 diffuses the current concentrated in the lower portion of the n-type electrode 180 that is subsequently formed to other regions, thereby increasing the current diffusion efficiency, thereby providing uniform light emission. To get it.

다음으로, 도 2e에 도시한 바와 같이, 상기 전류저지층(130)이 형성되지 않은 상기 발광 구조물(120) 상에 p형 전극(150)을 형성한다. 상기 p형 전극(150)은, 전극과 반사막의 역할을 동시에 할 수 있도록 Ag 계열 또는 Al 계열 등의 물질을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.Next, as shown in FIG. 2E, the p-type electrode 150 is formed on the light emitting structure 120 in which the current blocking layer 130 is not formed. The p-type electrode 150 is preferably formed using a material such as Ag-based or Al-based so as to simultaneously serve as an electrode and a reflective film.

한편, 도면에 도시하지는 않았지만, 상기 p형 전극(150)은 상기한 바와 같이, 전류저지층(130)이 형성되지 않은 부분에 형성할 수도 있지만, 상기 발광 구조물(120) 상에 상기 전류저지층(130)을 덮도록 형성할 수도 있다.Although not shown in the drawing, the p-type electrode 150 may be formed at a portion where the current blocking layer 130 is not formed, as described above, but the current blocking layer is formed on the light emitting structure 120. It may be formed to cover 130.

그런 다음, 도 2f에 도시한 바와 같이, 상기 분리된 각 발광 구조물(120)의 사이에 비전도성 물질, 예컨대 제1포토레지스트(PR1)를 충진시킨다.Then, as shown in Figure 2f, a non-conductive material, such as the first photoresist (PR1) is filled between each of the separated light emitting structure (120).

본 발명의 실시예에서, 상기 제1포토레지스트(PR1)는, 후속적으로 형성되는 금속 시드층(160)을 구성하는 원자들이 활성층(122)으로 침투하는 것을 차단하여 정션 리키지 및 쇼트 현상 등을 방지하게 된다.In an embodiment of the present invention, the first photoresist PR1 may block the infiltration of atoms constituting the metal seed layer 160 to be subsequently formed into the active layer 122 to prevent junction leakage and short phenomenon. Will be prevented.

그 다음에, 도 2g에 도시한 바와 같이, 상기 결과의 구조물 상에 금속 시드층(160)을 형성한다. 상기 금속 시드층(160)은, 후술하는 구조지지층(170)의 도금 공정 시 결정핵 역할을 한다. 이러한 금속 시드층(160)은 스퍼터링(sputtering)법 또는 진공증착법 등의 방법으로 형성될 수 있다.A metal seed layer 160 is then formed on the resulting structure, as shown in FIG. 2G. The metal seed layer 160 serves as a crystal nucleus during the plating process of the structural support layer 170 to be described later. The metal seed layer 160 may be formed by a method such as sputtering or vacuum deposition.

그런 후에, 도 2h에 도시한 바와 같이, 상기 발광 구조물(120) 사이의 금속 시드층(160) 상에 제2포토레지스트(PR2)를 형성한 다음, 상기 제2포토레지스트(PR2) 사이의 금속 시드층(160) 상에 전기 도금하여 제1도금층(170a)을 형성한다. 이 때, 상기 제1도금층(170a)은, Ni 및 Au가 순차 적층된 2층 구조로 형성하는 것이 바람직하다. 이 중에서, 상기 Au는 상기 Ni의 표면 산화를 방지하고, 후술하는 제2도금층(170b)과의 밀착력을 향상시키기 위한 것이다.Thereafter, as shown in FIG. 2H, the second photoresist PR2 is formed on the metal seed layer 160 between the light emitting structures 120, and then the metal between the second photoresist PR2 is formed. The first plating layer 170a is formed by electroplating on the seed layer 160. In this case, the first plating layer 170a is preferably formed in a two-layer structure in which Ni and Au are sequentially stacked. Among these, Au is used to prevent surface oxidation of the Ni and to improve adhesion to the second plating layer 170b described later.

다음으로, 도 2i에 도시한 바와 같이, 상기 제2포토레지스트(PR2)를 제거하고 나서, 상기 제1도금층(170a)과 상기 제1도금층(170a) 사이의 금속 시드층(160)의 표면에 제2도금층(170b)을 형성하여, 상기 제1 및 제2도금층(170a,170b)으로 구성되는 구조지지층(170)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2I, after the second photoresist PR2 is removed, a surface of the metal seed layer 160 between the first plating layer 170a and the first plating layer 170a is removed. The second plating layer 170b is formed to form the structural support layer 170 including the first and second plating layers 170a and 170b.

상기 제2도금층(170b)은, Au, Ni 및 Au가 순차 적층된 3층 구조로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 제2도금층(170b)을 구성하는 Au 중 최하부의 Au는 상기 제1도금층(170a)과의 밀착력을 향상시키기 위한 것이고, 최상부의 Au는 Ni의 표면 산화를 방지하고, 후속의 패키징 공정 중 다이 본딩(die bonding) 공정에서의 밀착력을 향상시키기 위한 것이다.The second plating layer 170b is preferably formed in a three-layer structure in which Au, Ni, and Au are sequentially stacked. Au in the lowermost part of Au constituting the second plating layer 170b is for improving adhesion to the first plating layer 170a, and the uppermost Au prevents surface oxidation of Ni and die during subsequent packaging processes. This is to improve the adhesion in the die bonding process.

한편, 종래에는 각 발광 구조물(120) 사이의 영역에까지 형성된 구조지지층(170)과 상기 발광 구조물(120)의 열팽창 계수 차이에 의해, 상기 구조지지층(170)을 포함한 전체 구조물의 휨 현상이 발생되었으나, 본 발명의 실시예에 의 하면, 상기와 같이 분리된 각 발광 구조물(120)의 사이에 구조지지층 대신에 제1포토레지스트(PR1)가 형성되고, 본 발명에 의한 구조지지층(170)은 발광 구조물(120)의 상부에만 일정한 두께로 형성됨으로써, 구조지지층(170)을 포함한 전체 구조물의 휨 현상을 방지할 수 있는 바, 후속 공정 진행의 어려움을 극복할 수 있다.On the other hand, conventionally, due to the difference in the thermal expansion coefficient between the structural support layer 170 and the light emitting structure 120 formed in the region between each light emitting structure 120, the bending phenomenon of the entire structure including the structural support layer 170 occurred. According to an embodiment of the present invention, the first photoresist PR1 is formed between the light emitting structures 120 separated as described above, instead of the structure support layer, and the structure support layer 170 according to the present invention emits light. By forming a predetermined thickness only on the upper portion of the structure 120, it is possible to prevent the bending of the entire structure including the structural support layer 170, it can overcome the difficulty of the subsequent process.

상기 구조지지층(170)은 최종적인 LED 소자의 지지층 및 전극으로서의 역할을 수행한다. 또한, 상기 구조지지층(170)은 열전도가 우수한 금속, 예컨대 Ni 및 Au 등으로 이루어지므로, LED 소자에서 발생하는 열을 외부로 쉽게 방출할 수 있다. 따라서, LED 소자에 고전류가 인가되어도 열을 효율적으로 방출할 수 있으므로, 고전류에서도 LED 소자의 특성이 열화되는 현상을 방지할 수 있다.The structural support layer 170 serves as a support layer and an electrode of the final LED device. In addition, since the structural support layer 170 is made of a metal having excellent thermal conductivity, such as Ni and Au, the structure support layer 170 can easily release heat generated from the LED device to the outside. Therefore, even when a high current is applied to the LED element, heat can be efficiently discharged, thereby preventing the phenomenon of deterioration of the characteristics of the LED element even at a high current.

그런 다음, 도 2j에 도시한 바와 같이, LLO 공정을 통해 상기 기판(110)을 상기 발광 구조물(120)로부터 분리한다.Then, as shown in FIG. 2J, the substrate 110 is separated from the light emitting structure 120 through an LLO process.

이어서, 도 2k에 도시한 바와 같이, 상기 기판(110)이 분리되어 노출된 상기 발광 구조물(120) 사이의 보호막(140) 부분과 상기 제1포토레지스트(PR1)를 제거한 후, 상기 n형 질화갈륨계 반도체층(121)의 표면에, 광추출 효율을 높이기 위하여 표면 요철(121a)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 2K, after removing the portion of the passivation layer 140 and the first photoresist PR1 between the light emitting structure 120 where the substrate 110 is separated and exposed, the n-type nitride is removed. Surface unevenness 121a is formed on the surface of the gallium-based semiconductor layer 121 in order to increase light extraction efficiency.

그 다음에, 도 2l에 도시한 바와 같이, n형 전극(180)이 형성될 상기 n형 질화갈륨계 반도체층(121) 부분을 소정 두께만큼 제거하여 콘택홀(h)을 형성한 후, 상기 콘택홀(h) 상에 n형 전극(180)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2L, a portion of the n-type gallium nitride based semiconductor layer 121 on which the n-type electrode 180 is to be formed is removed by a predetermined thickness to form a contact hole h. An n-type electrode 180 is formed on the contact hole h.

그런 다음, 도 2m에 도시한 바와 같이, 상기 발광 구조물(120) 사이의 금속 시드층(160) 및 제2도금층(170b) 부분을 다이싱(dicing) 공정에 의해 단위 LED 소 자의 크기로 분리하여 복수의 질화갈륨계 LED 소자(100)를 형성한다. 상기 LED 소자(100)의 분리는, 상기한 다이싱 공정 이외에, 레이저 스크라이빙 또는 습식 식각 공정 등을 통해 이루어질 수 있다.Then, as shown in FIG. 2m, the metal seed layer 160 and the second plating layer 170b between the light emitting structures 120 are separated into unit LED elements by a dicing process. A plurality of gallium nitride-based LED device 100 is formed. Separation of the LED device 100 may be performed through a laser scribing or wet etching process, in addition to the dicing process described above.

여기서, 종래기술에 따른 LED 소자(100)의 최종적인 분리는, 비교적 두꺼운 두께를 갖는 구조지지층(170)의 다이싱을 통해 이루어졌으나, 본 발명의 실시예에서는, 상기 LED 소자(100)의 최종적인 분리가, 종래의 구조지지층에 비해 훨씬 얇은 두께를 갖는 금속 시드층(160) 및 제2도금층(170b)의 다이싱을 통해 이루어지기 때문에, 상기 다이싱 공정 시 발광 구조물(120)이 깨지거나 손상되는 것을 막을 수 있다.Here, the final separation of the LED device 100 according to the prior art is made through the dicing of the structural support layer 170 having a relatively thick thickness, in the embodiment of the present invention, the final of the LED device 100 Since the conventional separation is performed through dicing of the metal seed layer 160 and the second plating layer 170b having a much thinner thickness than the conventional structure supporting layer, the light emitting structure 120 may be broken during the dicing process. It can prevent damage.

한편,도 2m에 도시된 바와 같이, 상기한 바와 같은 공정을 통해 제작된 본 발명의 수직구조 질화갈륨계 LED 소자는, 도전성 기판(170)과, 상기 도전성 기판(170) 상면에 형성된 금속시드층(160) 및 상기 금속시드층(160) 상에 형성된 발광 구조물(120)로 구성된다.On the other hand, as shown in Figure 2m, the vertical structure gallium nitride based LED device of the present invention produced through the process as described above, the conductive substrate 170, the metal seed layer formed on the upper surface of the conductive substrate 170 And a light emitting structure 120 formed on the metal seed layer 160.

상기 도전성 기판(170)은 제1도금층(170a)과 제2도금층(170b)으로 이루어지며, 공정과정에서 전술한 바와 같이, 상기 제1도금층(170a)은, Ni 및 Au가 순차 적층된 2층 구조로 형성되고, 상기 제2도금층(170b)은, Au, Ni 및 Au가 순차 적층된 3층 구조로 형성된다.The conductive substrate 170 includes a first plating layer 170a and a second plating layer 170b. As described above in the process, the first plating layer 170a includes two layers in which Ni and Au are sequentially stacked. The second plating layer 170b is formed in a three-layer structure in which Au, Ni, and Au are sequentially stacked.

상기 발광 구조물(120)은, n형 질화갈륨계 반도체층(121), 활성층(122), p형 질화갈륨계 반도체층(123)으로 이루어지며, 상기 발광 구조물(120)의 외곽부에는 보호막(140)이 형성된다.The light emitting structure 120 may include an n-type gallium nitride based semiconductor layer 121, an active layer 122, and a p-type gallium nitride based semiconductor layer 123, and a protective film may be formed on an outer portion of the light emitting structure 120. 140 is formed.

또한, 상기 p형 질화갈륨계 반도체층(123)의 하면 중앙부에는 전류저지층(130)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 전류저지층(130)의 양측의 p형 질화갈륨계 반도체층(123) 상에는 p형 전극(150)이 형성되고, 상기 n형 질화물계 반도체층(121) 상면에는 n형 전극(180)이 형성된다.In addition, a current blocking layer 130 is formed at the center of the lower surface of the p-type gallium nitride based semiconductor layer 123. The p-type electrode 150 is formed on the p-type gallium nitride-based semiconductor layer 123 on both sides of the current blocking layer 130, and the n-type electrode 180 is formed on the n-type nitride-based semiconductor layer 121. ) Is formed.

그리고, 상기 n형 질화물계 반도체층(121)의 상면은 광추출 효율을 높이기 위한 요철(121a)이 형성되어 있다.In addition, an upper surface of the n-type nitride based semiconductor layer 121 is formed with an unevenness 121a to increase light extraction efficiency.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 개시된 실시예에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the scope of the present invention is not limited to the disclosed embodiments, but various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims also belong to the scope of the present invention.

상기한 바와 같이, 본 발명은 발광 구조물을 단위 LED 소자의 크기로 분리한 다음, 상기 분리된 각 발광 구조물의 사이에 포토레지스트를 충진시킴으로써, 금속 시드층을 구성하는 원자들이 활성층으로 침투하는 것을 차단하여 정션 리키지 및 쇼트 현상 등을 방지할 수 있고, 구조지지층을 포함한 전체 구조물의 휨 현상을 방지하여 후속 공정의 진행을 용이하게 할 수 있다.As described above, the present invention divides the light emitting structure into the size of the unit LED device, and then fills the photoresist between the separated light emitting structure, thereby preventing the atoms constituting the metal seed layer from penetrating into the active layer. It is possible to prevent the junction and short-circuit phenomenon, and to prevent the warpage of the entire structure including the structural support layer to facilitate the progress of the subsequent process.

또한, 본 발명은 LED 소자의 최종적인 분리가, 기존의 구조지지층에 비해 훨 씬 얇은 두께를 갖는 금속 시드층 및 제2도금층의 다이싱 공정 등을 통해 이루어지므로, 상기 다이싱 공정시 발광 구조물이 깨지거나 손상되는 것을 막을 수 있는 등 소자 분리 공정을 용이하게 진행할 수 있다.In addition, the final separation of the LED device is made through the dicing process of the metal seed layer and the second plating layer having a much thinner thickness than the conventional structure supporting layer, the light emitting structure during the dicing process Device separation process can be easily carried out, such as to prevent breakage or damage.

따라서, 본 발명은 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Therefore, the present invention can improve the characteristics and reliability of the vertical gallium nitride-based LED device.

Claims (24)

기판 상에 n형 질화갈륨계 반도체층과 활성층 및 p형 질화갈륨계 반도체층이 순차 적층되어 있는 발광 구조물을 형성하는 단계;Forming a light emitting structure in which an n-type gallium nitride-based semiconductor layer, an active layer, and a p-type gallium nitride-based semiconductor layer are sequentially stacked on a substrate; 상기 발광 구조물을 식각하여 단위 LED 소자의 크기로 분리하는 단계;Etching the light emitting structure and separating the light emitting structure by the size of a unit LED device; 상기 분리된 발광 구조물 상에 p형 전극을 형성하는 단계;Forming a p-type electrode on the separated light emitting structure; 상기 분리된 발광 구조물의 사이에 비전도성 물질을 충진하는 단계;Filling a non-conductive material between the separated light emitting structures; 상기 결과의 구조물 상에 금속 시드층을 형성하는 단계;Forming a metal seed layer on the resulting structure; 상기 발광 구조물 사이의 영역을 제외한 상기 금속 시드층 상에 제1도금층을 형성하는 단계;Forming a first plating layer on the metal seed layer except for a region between the light emitting structures; 상기 제1도금층 및 상기 제1도금층 사이의 상기 금속 시드층 표면에 제2도금층을 형성하는 단계;Forming a second plating layer on a surface of the metal seed layer between the first plating layer and the first plating layer; 상기 기판을 상기 발광 구조물로부터 분리하는 단계;Separating the substrate from the light emitting structure; 상기 기판이 분리되어 노출된 상기 발광 구조물 사이의 상기 비전도성 물질을 제거하는 단계;Removing the nonconductive material between the light emitting structures in which the substrate is separated and exposed; 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계; 및Forming an n-type electrode on the n-type gallium nitride based semiconductor layer; And 상기 발광 구조물 사이의 상기 금속 시드층 및 상기 제2도금층 부분을 제거하는 단계;Removing portions of the metal seed layer and the second plating layer between the light emitting structures; 를 포함하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법.Method of manufacturing a vertical gallium nitride-based light emitting diode device comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 비전도성 물질은 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법.And the nonconductive material is a photoresist. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 p형 전극을 형성하는 단계 이전에,Prior to forming the p-type electrode, 상기 분리된 각 발광 구조물을 포함한 기판의 상부 표면을 따라 절연층을 형성하는 단계; 및Forming an insulating layer along an upper surface of the substrate including the separated light emitting structures; And 상기 절연층을 선택적으로 식각하여 상기 발광 구조물의 상면 중앙부에 전류저지층을 형성함과 동시에, 상기 발광 구조물의 양측면에 보호막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법.Selectively etching the insulating layer to form a current blocking layer at the center of the upper surface of the light emitting structure, and simultaneously forming a protective film on both sides of the light emitting structure; vertical structure gallium nitride-based light emitting further comprising a Method of manufacturing a diode device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광 구조물을 형성하는 단계 이후에,After forming the light emitting structure, 래핑(lapping) 및 폴리싱(polishing) 공정을 통해 상기 기판의 하부를 소정 두께만큼 제거하는 단계;Removing the lower portion of the substrate by a predetermined thickness through a lapping and polishing process; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법.Method of manufacturing a vertical structure gallium nitride-based light emitting diode device further comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광 구조물 사이의 영역을 제외한 금속 시드층 상에 제1도금층을 형성하는 단계는,Forming the first plating layer on the metal seed layer except for the region between the light emitting structures, 상기 발광 구조물 사이의 금속 시드층 상에 포토레지스트를 형성하는 단계;Forming a photoresist on the metal seed layer between the light emitting structures; 상기 포토레지스트 사이의 금속 시드층 상에 제1도금층을 형성하는 단계; 및Forming a first plating layer on the metal seed layer between the photoresists; And 상기 포토레지스트를 제거하는 단계;Removing the photoresist; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법.Method of manufacturing a vertical structure gallium nitride-based light emitting diode device comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광 구조물 사이의 상기 금속 시드층 및 상기 제2도금층 부분을 제거하는 단계는,Removing the metal seed layer and the second plating layer portion between the light emitting structures, 다이싱, 스크라이빙 및 습식 식각 중 어느 하나의 공정으로 수행하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법.A method of manufacturing a vertical gallium nitride-based light emitting diode device, characterized in that performed by one of dicing, scribing and wet etching. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계 이전에,Before forming the n-type electrode on the n-type gallium nitride based semiconductor layer, 상기 n형 질화갈륨계 반도체층의 표면에 표면 요철을 형성하는 단계; 및Forming surface irregularities on a surface of the n-type gallium nitride based semiconductor layer; And 상기 n형 전극이 형성될 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 부분을 소정 두께만큼 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계;Removing a portion of the n-type gallium nitride based semiconductor layer on which the n-type electrode is to be formed by a predetermined thickness to form a contact hole; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법.Method of manufacturing a vertical structure gallium nitride-based light emitting diode device further comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1도금층은, Ni 및 Au가 순차 적층된 2층 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법.The first plating layer is a method of manufacturing a vertical gallium nitride-based light emitting diode device, characterized in that formed in a two-layer structure in which Ni and Au are sequentially stacked. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2도금층은, Au, Ni 및 Au가 순차 적층된 3층 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법.The second plating layer is a method of manufacturing a vertical gallium nitride-based light emitting diode device, characterized in that formed in a three-layer structure of Au, Ni and Au sequentially stacked. n형 전극;n-type electrode; 상기 n형 전극 하면에 형성된 발광 구조물;A light emitting structure formed under the n-type electrode; 상기 발광 구조물의 외곽면에 형성된 보호막;A protective film formed on an outer surface of the light emitting structure; 상기 보호막이 형성된 발광 구조물 하면에 형성된 p형 전극;A p-type electrode formed on a lower surface of the light emitting structure in which the protective film is formed; 상기 발광구조물 및 상기 p형 전극의 전면에 형성된 금속 시드층; 및A metal seed layer formed on an entire surface of the light emitting structure and the p-type electrode; And 상기 금속 시드층 하부에 형성된 도전성 기판을 포함하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.And a gallium nitride-based light emitting diode device including a conductive substrate formed under the metal seed layer. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 발광 구조물은, n형 질화갈륨계 반도체층, 활성층, p형 질화갈륨계 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.The light emitting structure is a vertical gallium nitride-based light emitting diode device comprising an n-type gallium nitride-based semiconductor layer, an active layer, a p-type gallium nitride-based semiconductor layer. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 상면은, 요철형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.The upper surface of the n-type gallium nitride-based semiconductor layer, the vertical structure gallium nitride-based light emitting diode device, characterized in that made of irregularities. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 발광 구조물 하면의 중앙부에 전류저지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.And a current blocking layer in a central portion of the lower surface of the light emitting structure. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 도전성 기판은 제1도금층 및 제2도금층으로 구성된 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.The conductive substrate is a vertical gallium nitride-based light emitting diode device, characterized in that consisting of a first plating layer and a second plating layer. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 제1도금층은, Ni 및 Au가 순차 적층된 2층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.The first plating layer is a vertical gallium nitride-based light emitting diode device, characterized in that formed in a two-layer structure in which Ni and Au are sequentially stacked. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 제2도금층은, Au, Ni 및 Au가 순차 적층된 3층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.The second plating layer is a vertical gallium nitride-based light emitting diode device, characterized in that formed in a three-layer structure of Au, Ni and Au sequentially stacked. 도전성 기판;Conductive substrates; 상기 도전성 기판 상부에 형성된 금속 시드층;A metal seed layer formed on the conductive substrate; 상기 금속 시드층의 중앙부에 형성된 전류저지층;A current blocking layer formed at a central portion of the metal seed layer; 상기 금속 시드층 상의 전규저지층의 양측에 형성된 제1전극;First electrodes formed on both sides of an all-jersey layer on the metal seed layer; 상기 제1전극 상에 형성된 발광 구조물의 외곽면에 형성된 보호막; 및A protective film formed on an outer surface of the light emitting structure formed on the first electrode; And 상기 발광 구조물 상에 형성된 제2전극을 포함하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.Vertical structure gallium nitride-based light emitting diode device comprising a second electrode formed on the light emitting structure. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 발광 구조물은, p형 질화갈륨계 반도체층, 활성층, n형 질화갈륨계 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.The light emitting structure includes a p-type gallium nitride-based semiconductor layer, an active layer, n-type gallium nitride-based semiconductor layer, characterized in that the vertical structure gallium nitride-based light emitting diode device. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 상면은, 요철형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.The upper surface of the n-type gallium nitride-based semiconductor layer, the vertical structure gallium nitride-based light emitting diode device, characterized in that made of irregularities. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 제1전극은 p형 전극인 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.And the first electrode is a p-type electrode. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 제2전극은 n형 전극인 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.The second electrode is a vertical gallium nitride-based light emitting diode device, characterized in that the n-type electrode. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 도전성 기판은 제1도금층 및 제2도금층으로 구성된 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.The conductive substrate is a vertical gallium nitride-based light emitting diode device, characterized in that consisting of a first plating layer and a second plating layer. 제22항에 있어서,The method of claim 22, 상기 제1도금층은, Ni 및 Au가 순차 적층된 2층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.The first plating layer is a vertical gallium nitride-based light emitting diode device, characterized in that formed in a two-layer structure in which Ni and Au are sequentially stacked. 제22항에 있어서,The method of claim 22, 상기 제2도금층은, Au, Ni 및 Au가 순차 적층된 3층 구조로 형성된 것을 특 징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자.The second plating layer is a vertical gallium nitride-based light emitting diode device, characterized in that formed in a three-layer structure in which Au, Ni and Au are sequentially stacked.
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