KR20080003256A - 마스크의 제조 방법, 배선 패턴의 제조 방법, 및 플라스마디스플레이의 제조 방법 - Google Patents

마스크의 제조 방법, 배선 패턴의 제조 방법, 및 플라스마디스플레이의 제조 방법 Download PDF

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KR20080003256A
KR20080003256A KR1020070063647A KR20070063647A KR20080003256A KR 20080003256 A KR20080003256 A KR 20080003256A KR 1020070063647 A KR1020070063647 A KR 1020070063647A KR 20070063647 A KR20070063647 A KR 20070063647A KR 20080003256 A KR20080003256 A KR 20080003256A
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도시미츠 히라이
히로시 기구치
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 저비용으로 마스크를 얻는 마스크의 제조 방법을 제공하고, 저렴한 마스크를 사용함으로써 저비용인 것을 얻는 배선 패턴의 제조 방법을 제공하고, 저렴한 마스크를 사용함으로써 저비용인 것을 얻는 플라스마 디스플레이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것을 과제로 한다.
투광성 기판(5)의 적어도 한쪽 면에 발액 처리를 실시한다. 그리고, 투광성 기판(5)에 있어서의 발액 처리면(6) 위에, 액적 토출법을 이용하여 원하는 형상으로 차광 재료를 배치한다. 그리고, 차광 재료를 소성(燒成)하여, 투광성 기판(5) 위에 차광 패턴(MP)을 형성한다.
마스크, 유리 기판(투광성 기판), 광 촉매, 어드레스 전극

Description

마스크의 제조 방법, 배선 패턴의 제조 방법, 및 플라스마 디스플레이의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING MASK, METHOD FOR MANUFACTURING WIRING PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING PLASMA DISPLAY}
도 1은 일 실시예에 따른 마스크의 제조 방법의 공정을 설명하는 도면.
도 2는 도 1에 이어지는 마스크의 제조 방법의 공정을 설명하는 도면.
도 3은 도 2에 이어지는 마스크의 제조 방법의 공정을 설명하는 도면.
도 4는 배선 형성용 기판을 발액화 처리하는 공정을 나타내는 도면.
도 5는 배선 형성용 기판에 친액 패턴을 형성하는 공정을 설명하는 도면.
도 6은 자외선 조사(照射) 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도.
도 7은 배선 형성용 기판 위에 형성된 친액 패턴을 나타내는 도면.
도 8은 친액 패턴에 도전성 잉크를 배치한 상태를 나타내는 도면.
도 9는 배선 형성 기판 위에 형성된 배선 패턴을 나타내는 도면.
도 10은 배선 패턴의 적층 구조를 나타내는 도면.
도 11은 실시예에 따른 제조 방법에 의해 얻은 플라스마 디스플레이의 사시도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
M : 마스크 P : 유리 기판(투광성 기판)
A : 기능 잉크(차광 재료) MP : 마스크 패턴(차광 패턴)
20 : 광 촉매 30 : 친액 패턴
40 : 배선 패턴 50 : 도전성 잉크(도전성 기능액)
500 : 플라스마 디스플레이 511 : 어드레스 전극
512a : 버스(bus) 전극
본 발명은 마스크의 제조 방법, 배선 패턴의 제조 방법, 및 플라스마 디스플레이의 제조 방법에 관한 것이다.
기판 위에 패턴(배선 패턴)을 형성하는 방법으로서는, 일반적으로 스크린 인쇄법, 스퍼터링법, 증착법 등이 사용되고 있다. 이들 방법은 모두 마스크를 사용함으로써 원하는 형상으로 배선 형성 재료를 도포 또는 부착시킴으로써 패턴을 형성하고 있다.
또한, 마스크를 사용하는 다른 패턴 형성 방법으로서, 기판 위에 젖음성 변화층을 설치하고, 마스크를 통하여 자외선 등의 에너지를 부여함으로써 젖음성이 높은 영역과 낮은 영역을 형성하고, 이들 영역에 도액(塗液)을 나눠 칠함으로써 패턴을 형성하는 것이 알려져 있다(예를 들어 특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본국 공개특허 제2004-71473호 공보
그런데, 상기 특허문헌 1에서 사용되는 마스크는, 투광성을 갖는 마스크 기판과, 상술한 패턴 형성 방법, 예를 들어 스퍼터법을 사용함으로써 상기 마스크 기판 위에 형성된, 마스크 패턴으로 구성되어 있다. 그러나, 스퍼터법에 의한 마스크 패턴의 형성 공정은, 패터닝 시에 원판용 마스크가 필요해진다. 일반적으로, 원판용 마스크는 매우 고가이기 때문에, 마스크의 제조 비용을 충분히 저감할 수 없었다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 안출된 것으로서, 저비용으로 마스크를 얻는 마스크의 제조 방법을 제공하고, 저렴한 마스크를 사용함으로써 저비용화가 도모된 배선 패턴의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 저렴한 마스크를 사용함으로써 저비용화가 도모된 플라스마 디스플레이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 마스크의 제조 방법은, 투광성 기판의 적어도 한쪽 면에 발액 처리를 실시하는 공정과, 상기 투광성 기판에 있어서의 발액 처리면 위에, 액적 토출법을 이용하여 원하는 형상으로 차광 재료를 배치하는 공정과, 그 차광 재료를 소성(燒成)하여, 상기 투광성 기판 위에 차광 패턴을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 마스크의 제조 방법에 의하면, 액적 토출법에 의해 차광 패턴을 원하는 위치에 형성하고 있기 때문에, 예를 들어 차광 재료를 패터닝할 때에 패턴 형상에 대응한 원판용 마스크가 불필요해지고, 마스크의 제조 비용을 저감할 수 있 다. 특히, 배선 패턴 형성용 마스크와 같은 다품종 소량 생산의 마스크를 제조할 때에 본 발명을 적용하면, 이 마스크를 이용하여 형성되는 배선 패턴 등을 저비용으로 형성할 수 있다.
본 발명의 배선 패턴의 제조 방법은, 투광성 기판의 적어도 한쪽 면에 발액 처리를 실시하고, 상기 투광성 기판의 발액 처리면 위에, 액적 토출법을 이용하여 차광 재료를 배치하고, 그 차광 재료를 소성함으로써 상기 투광성 기판 위에 차광 패턴을 형성하는 마스크 형성 공정과, 기체(基體)의 한쪽 면 측에 발액 처리를 실시하는 공정과, 상기 마스크를 통하여, 상기 기체의 발액 처리면에 광 조사를 행하여, 상기 발액 처리면의 일부를 친액화하고 친액 영역을 형성하는 공정과, 상기 친액 영역에, 액적 토출법을 이용하여 도전성 기능액을 배치하는 공정과, 그 도전성 기능액을 소성하여, 배선 패턴을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 배선 패턴의 제조 방법에 의하면, 액적 토출법에 의해 차광 패턴을 원하는 위치에 형성하고 있기 때문에, 종래와 같이 차광 재료의 패터닝 시에 별도 필요해지는 패턴 형상에 따른 마스크가 불필요해지고, 마스크의 제조 비용을 저감하고 있다. 따라서, 저비용의 마스크를 사용함으로써 저비용의 배선 패턴을 제조할 수 있다. 특히, 다품종이고 또한 소량 생산의 마스크를 이용하여 배선 패턴을 형성할 경우에 본 발명을 적용하면, 보다 저비용으로 배선 패턴을 제조할 수 있다.
그런데, 작은 폭의 배선 패턴을 형성할 경우에 사용하는 마스크의 차광 패턴은, 액적 토출법에 의해 토출된 액적의 토출 직경보다도 폭을 작게 할 수 없지만, 토출 직경보다도 작은 간격으로 배치할 수는 있다. 이와 같이 액적의 토출 직경보다도 작은 간격으로 배치된 차광 패턴 사이를 투과한 광은, 발액 처리면에 토출 직경보다도 작은 폭의 친액 영역을 형성할 수 있다.
따라서, 액적의 토출 직경이 친액 영역의 폭보다도 큰 경우에도, 상기 친액 영역에 배치된 도전성 기능액은, 그 친액 영역의 주변이 발액 영역으로 되어 있기 때문에, 상기 친액 영역 내에 양호하게 젖어 퍼지고, 액적의 직경보다도 작은 폭의 배선 패턴을 형성할 수 있다.
상기 배선 패턴의 제조 방법에 있어서, 상기 배선 패턴을 절연막으로 덮는 공정과, 그 절연막에 상기 발액 처리를 실시하는 공정과, 상기 마스크 형성 공정에서 형성한 마스크를 이용하여, 상기 절연막의 발액 처리면에 상기 친액 영역을 형성하는 공정과, 그 친액 영역에 다른 배선 패턴을 형성하는 공정을 반복함으로써, 배선 패턴의 적층 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 미세한 배선 패턴을 적층하여 고(高)집적화가 가능한 구조를, 저비용으로 제공할 수 있다.
상기 배선 패턴의 제조 방법에 있어서, 상기 마스크 형성 공정에서는, 광 조사를 받아 친액화를 촉진하는 광 촉매를, 상기 차광 패턴 사이에 그 차광 패턴의 높이 이상이 되도록 배열 설치하는 공정을 구비하고, 상기 기체의 발액 처리면에 상기 광 촉매를 접촉시키도록 하여 상기 마스크를 배치하고, 광 조사를 행함으로써 상기 친액 영역을 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 광 조사 시에 발액 처리면에 접촉한 광 촉매 재료에 의한 광 촉매 효과에 의해 친액화 처리가 촉진되고, 친액 패턴을 확실하고 또한 단시간에 형성할 수 있다.
본 발명의 플라스마 디스플레이의 제조 방법은, 서로 대향하여 배치되는 한 쌍의 기판과, 한쪽 기판에 설치된 어드레스 선과, 다른쪽 기판에 설치된 버스(bus) 전극을 구비한 플라스마 디스플레이의 제조 방법에 있어서, 투광성 기판의 적어도 한쪽 면에 발액 처리를 실시하고, 상기 투광성 기판의 발액 처리면 위에, 액적 토출법을 이용하여 차광 재료를 배치하고, 그 차광 재료를 소성함으로써 상기 투광성 기판 위에 차광 패턴을 형성하는 마스크 형성 공정과, 상기 한 쌍의 기판 중 적어도 한쪽에 있어서의, 한쪽 면 측에 발액 처리를 실시하는 공정과, 상기 마스크를 통하여, 상기 기판의 발액 처리면에 광 조사를 행하여, 상기 발액 처리면의 일부를 친액화하여 친액 영역을 형성하는 공정과, 액적 토출법을 이용하여, 상기 친액 영역에 도전성 기능액을 배치하는 공정과, 그 도전성 기능액을 소성하여, 상기 어드레스 배선 및 버스 전극 중 적어도 한쪽을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 플라스마 디스플레이의 제조 방법에 의하면, 액적 토출법에 의해 차광 패턴을 원하는 위치에 배치 형성함으로써 비용의 저감이 도모된 마스크를 이용하여, 어드레스 전극 및 버스 전극 중 적어도 한쪽을 제조하고 있기 때문에, 그 어드레스 전극 및 버스 전극을 구비하는 플라스마 디스플레이를 저비용으로 제공할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 실시예에 대해서 설명한다.
처음으로, 마스크의 제조 방법의 일 실시예에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시예에 의해 얻어지는 마스크는, 후술하는 배선 패턴의 제조 방법, 및 플라스마 디스플레이의 제조 방법에 사용되는 것이다.
도 1 내지 도 3은 본 실시예의 마스크의 제조 공정의 개략을 나타내는 도면이다. 또한, 본 발명에 따른 마스크의 제조 방법은, 특히 다품종이고 또한 소량 생산의 것을 제조할 경우에 효과적이다.
처음으로, 마스크의 기재(基材)로서 유리 기판(투광성 기판)(5)을 준비하고, 도 1에 나타낸 바와 같이, 유리 기판(5)에 있어서의 한쪽 면에 발액 처리를 실시한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 있어서는, 유리 기판(5)에 발액성을 부여하는 방법으로서, 유기 분자 등으로 이루어지는 자기(自己) 조직화막(자기 조직화 단분자막 : SAM(Self Assembled Monolayer))(6)을 형성했다. 또한, 자기 조직화막(6)을 형성하기 전에, 유리 기판(5)의 표면에 자외선 조사나 용매에 의해 세정하는 등의 전(前) 처리를 실시하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 자기 조직화막(6)은 유리 기판(5)의 표층 원자와 반응 가능한 결합성 관능기와 그 이외의 직쇄 분자로 이루어지며, 직쇄 분자의 상호 작용에 의해 극히 높은 배향성을 갖는 화합물을 배향시켜 형성된 막이다. 이 자기 조직화막(6)은 단(單)분자를 배향시켜 형성되어 있기 때문에, 막 두께가 극히 얇고, 또한 분자 레벨에서 균일한 막이 된다. 즉, 막 표면에 동일한 분자가 위치함으로써, 막 표면에 균일하고 또한 우수한 발액성을 부여할 수 있다.
높은 배향성을 가지며, 상기 자기 조직화막(6)을 적합하게 형성하는 화합물 로서, 플루오로알킬실란(이하, FAS라고 함)을 들 수 있고, 구체적으로는 헵타데카플루오로-1,1,2,2테트라히드로데실트리에톡시실란, 헵타데카플루오로-1,1,2,2테트라히드로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로-1,1,2,2테트라히드로데실트리클로로실란, 트리데카플루오로-1,1,2,2테트라히드로옥틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로-1,1,2,2테트라히드로옥틸트리메톡시실란, 트리데카플루오로-1,1,2,2테트라히드로옥틸트리클로로실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 사용 시에는, 하나의 화합물을 단독으로 사용하는 것도 바람직하지만, 2종 이상의 화합물을 조합시켜 사용할 수도 있다.
FAS는 일반적으로 구조식 Rn-Si-X(4-n)으로 표현된다. 여기서, n은 1 이상 3 이하의 정수를 표현하고, X는 메톡시기, 에톡시기, 할로겐 원자 등의 가수 분해기이다. 또한, R은 플루오로알킬기이며, (CF3)(CF2)x(CH2)y의(여기서 x는 0 이상 10 이하의 정수를, y는 0 이상 4 이하의 정수를 표현함) 구조를 가지고, 복수개의 R 또는 X가 Si에 결합하고 있을 경우에는, R 또는 X는 각각 전부 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. X로 표현되는 가수 분해기는 가수 분해에 의해 실란올을 형성하고, 하지(下地)인 유리 기판(5)의 히드록실기와 반응하여 실록산 결합으로 유리 기판(5)과 결합한다.
한편, R은 표면에 (CF3) 등의 플루오로기를 갖기 때문에, 하지인 유리 기판(5)의 표면을 젖지 않는(표면 에너지가 낮고, 발액성이 높은) 표면으로 개질(改質)한다.
상술한 자기 조직화막(6)을 형성하는 방법으로서는, 상기 자기 조직화막(6)의 원료로 되는 화합물이 기상(氣相) 또는 액상(液相)일 수도 있다. 상기 화합물이 기상일 경우에는, 상기 화합물과 유리 기판(5)을 동일한 밀폐 용기 속에 수용하고, 실온의 경우에는 2 내지 3일 정도 방치함으로써 유리 기판(5) 위에 자기 조직화막이 형성된다. 또한, 상기 밀폐 용기 전체를 100℃로 유지함으로써, 유리 기판(5) 위에 자기 조직화막(6)이 형성되는 시간을 3시간 정도까지 단축할 수도 있다. 한편, 상기 화합물이 액상일 경우에는, 예를 들어 상기 화합물을 포함하는 용액 중에 유리 기판(5)을 담그고, 세정, 건조함으로써 유리 기판(5) 위에 자기 조직화막(6)을 얻을 수 있다.
자기 조직화막을 형성하는 이외에, 유리 기판(5)에 발액성을 부여하는 수단으로서, 상압(常壓) 또는 진압(眞壓) 중에서 플라스마 조사하는 방법을 들 수 있다. 플라스마 조사에 사용하는 가스류는, 유리 기판(5)의 표면 재질을 고려하여 다양하게 선택할 수 있다. 예를 들어, 4불화메탄, 퍼플루오로헥산, 퍼플루오로데칸 등의 플루오로카본계 가스를 처리 가스로서 사용할 수 있다. 이 경우, 유리 기판(5)의 표면에 발액성의 불화 중합막을 형성할 수 있다. 플라스마 처리의 조건은, 예를 들어 플라스마 파워가 50∼1000W, 4불화탄소 가스 유량(流量)이 50∼100mL/min, 플라스마 방전 전극에 대한 기체 반송 속도가 0.5∼1020㎜/sec, 기체 온도가 70∼90℃로 된다.
이어서, 발액 처리가 실시된 유리 기판(5)의 자기 조직화막(6) 위에 액적 토출법(잉크젯법)에 의해 마스크 패턴을 구성하기 위한 차광성을 갖는 기능 잉크(차 광 재료)(7)를 배치한다. 이 기능 잉크(7)로서는 도전성 미립자를 분산매에 분산한 분산액으로 이루어지는 것이다. 본 실시예에서는 도전성 미립자로서, 예를 들어, 은, 구리, 크롬, 및 니켈 등을 함유하는 금속 미립자가 사용된다. 이들 도전성 미립자의 분산성을 향상시키기 위해서, 표면에 유기물 등을 코팅할 수도 있다.
또한, 분산매로서는, 상기 도전성 미립자를 분산할 수 있는 것으로 응집을 일으키지 않는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 미립자의 분산성과 분산액의 안정성, 또한 액적 토출법에의 적용 용이성의 점에서, 물, 알코올류, 탄화수소계 화합물, 에테르계 화합물을 들 수 있다.
그런데, 액적 토출법의 토출 기술로서는, 대전 제어 방식, 가압 진동 방식, 전기 기계 변환식, 전기열 변환 방식, 정전 흡인 방식 등을 들 수 있다. 대전 제어 방식은 재료에 대전 전극에서 전하를 부여하고, 편향 전극에서 재료의 비상 방향을 제어하여 토출 노즐로부터 토출시키는 것이다. 또한, 가압 진동 방식은 재료에 30㎏/㎠ 정도의 초고압을 인가하여 노즐 선단(先端) 측에 재료를 토출시키는 것이며, 제어 전압을 인가하지 않을 경우에는 재료가 직진하여 토출 노즐로부터 토출되고, 제어 전압을 인가하면 재료 사이에 정전적인 반발이 일어나고, 재료가 비산(飛散)하여 토출 노즐로부터 토출되지 않는다. 또한, 전기 기계 변환 방식은, 피에조 소자(압전 소자)가 펄스적인 전기 신호를 받아 변형하는 성질을 이용한 것으로, 피에조 소자가 변형함으로써 재료를 저장한 공간에 가요(可撓) 물질을 통하여 압력을 부여하고, 이 공간으로부터 재료를 압출하여 토출 노즐로부터 토출시키는 것이다.
또한, 전기열 변환 방식은 재료를 저장한 공간 내에 설치한 히터에 의해, 재료를 급격하게 기화시켜 버블(기포)을 발생시키고, 버블의 압력에 의해 공간 내의 재료를 토출시키는 것이다. 정전 흡인 방식은 재료를 저장한 공간 내에 미소(微小) 압력을 가하고, 토출 노즐에 재료의 메니스커스를 형성하고, 이 상태에서 정전 인력을 가하고나서 재료를 인출하는 것이다. 또한, 이 이외에, 전기장에 의한 유체(流體)의 점성 변화를 이용하는 방식이나, 방전 불꽃으로 스파크하는 방식 등의 기술도 적용 가능하다. 액적 토출법은 재료 사용에 낭비가 적고, 또한 원하는 위치에 원하는 양의 재료를 정확하게 배치할 수 있다는 이점(利点)을 갖는다.
본 실시예에서는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 잉크젯 장치(액적 토출 장치)의 잉크젯 헤드(액적 토출 헤드)(H)로부터 유리 기판(5)에 대하여 기능 잉크(7)를 토출(적하(滴下))한다. 이러한 잉크젯 장치를 사용함으로써, 원하는 위치에 기능 잉크(7)를 배치할 수 있고, 마스크를 사용한 포토리소그래피 공정을 사용하지 않고, 유리 기판(5) 위에 원하는 패턴을 형성할 수 있다.
그런데, 도 2에 나타낸 바와 같이, 유리 기판(5) 위에 토출된 기능 잉크(7)에 의해 묘화되는 패턴은, 잉크젯 헤드(H)로부터 토출된 액적(7a)의 토출 직경(B)(예를 들어, 50㎛)과 동등 이상이 되고, 토출 직경(B)보다 현격하게 폭을 작게 할 수 없다. 그러나, 잉크젯 헤드(H)의 위치를 제어함으로써 토출 직경(B)보다도 작은 간격(A)(예를 들어, 40㎛)으로 기능 잉크(7)를 토출하고, 패턴을 묘화하는 것은 가능하다.
(소성 공정)
이어서, 유리 기판(5) 위에 기능 잉크(7)를 배치한 후, 예를 들어 유리 기판(5)에 대하여 열 처리를 실시하고, 기능 잉크(7)를 소성한다.
열 처리는 통상 대기 중에서 행해지지만, 필요에 따라, 질소, 아르곤, 헬륨 등의 불활성 가스 분위기 중에서 행할 수도 있다. 열 처리의 처리 온도는, 분산매의 비점(沸点)(증기압), 분위기 가스의 종류나 압력, 미립자의 분산성이나 산화성 등의 열적 거동, 코팅재(材)의 유무(有無)나 양, 기재의 내열 온도 등을 고려하여 적당하게 결정된다. 예를 들어, 대기 중 클린(clean) 오븐에서 150℃∼200℃로 10∼20분간의 소성 공정을 행한다. 또한, 예를 들어 유기 은 화합물의 유기분을 제거하기 위해서는, 약 200℃로 소성하는 것이 필요하다. 이상의 공정에 의해 토출 공정 후의 기능 잉크(7)는, 도 3에 나타내는 마스크 패턴(차광 패턴)(MP)으로 변환한다.
이와 같이 하여 형성된 마스크 패턴(MP)은 토출 직경(B)보다도 작은 간격(A)으로 배치된 것으로 된다.
이어서, 유리 기판(5) 위에 형성된 상기 마스크 패턴(MP) 사이에, 상기 마스크 패턴(MP)의 높이 이상, 더 바람직하게는 상기 마스크 패턴(MP)의 높이와 동등해지도록 광 촉매(20)를 배치한다. 이 광 촉매(20)는 후술의 광 조사를 받아 친액화 처리를 촉진하는 재료로 구성되는 것으로서, 예를 들어 이산화티타늄, 산화아연, 산화주석 등을 들 수 있고, 이들로부터 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
이들 광 촉매(20) 중, 특히 이산화티타늄이 밴드갭(band gap) 에너지가 높 고, 화학적으로 안정적이고 독성도 없고, 입수도 용이하기 때문에 본 실시예에서 사용했다. 이산화티타늄으로 이루어지는 광 촉매(20)는 사염화티타늄 등의 티타늄 무기염, 또는 테트라에톡시티타늄 등의 유기 티타늄 화합물을 유리 기판(5) 위에서 가수 분해 및 탈수 축합(縮合)하고, 이어서 소성함으로써 형성할 수 있다. 이상의 공정에 의해 마스크(M)가 제조된다.
본 실시예에 의하면, 잉크젯법에 의해 마스크 패턴(MP)을 원하는 위치에 배치 형성할 수 있기 때문에, 차광 재료를 패터닝할 때의 패턴 형상에 따른 마스크가 불필요해지고, 마스크의 제조 비용을 저감할 수 있다. 또한, 특히 다품종 또한 소량 생산의 것을 제조할 경우에 본 발명을 적용하면, 상기 마스크(M)가 보다 비용이 낮은 것으로 되기 때문에, 후술하는 바와 같이 그 마스크(M)를 이용하여 저비용인 배선 패턴을 제조할 수 있다.
이어서, 배선 패턴의 제조 방법에 따른 일 실시예에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는 후술하는 바와 같이, 잉크젯 헤드(H)로부터 토출되는 액적보다도 좁은 폭의 배선 패턴을 형성할 경우에 대해서 설명하지만, 본 발명에 따른 배선 패턴의 제조 방법은 임의인 폭의 배선 패턴을 형성할 때에 적용할 수 있다.
본 실시예는 상기 마스크의 제조 방법에 의해 얻어진 마스크(M)를 사용하고, 발액 처리가 실시된 기체 위에 광 조사를 함으로써 발액 영역에 친액 패턴을 형성하고, 잉크젯법(액적 토출법)에 의해 기체 위에 배선 패턴을 형성하는 것이다. 따라서, 상기 마스크(M)를 형성하는 공정에 대한 설명은 생략한다. 본 발명에 있어서 기체는 기판뿐만 아니라 기판 위에 설치된 절연층도 포함하고 있다.
배선 패턴을 형성하는 배선 형성용 기판(기체에 포함됨)(100)을 준비한다. 본 실시예에서는 배선 형성용 기판(100)으로서 유리 기판을 사용했다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 상기 배선 형성용 기판(100)의 한쪽 면 측에, 상기 마스크의 제조 공정과 동일하게 FAS에 의한 발액 처리를 행한다. 이것에 의해, 배선 형성용 기판(100)에는 자기 조직화막(발액 처리면)(106)이 형성된다. 또한, 다른 발액 처리로서는, 불소 관능기 도입 실리콘, 불소수지, 또는 불소계 실란 커플링제(劑) 등을 배선 형성용 기판(100) 위에 형성할 수도 있다.
이와 같이 하여 자기 조직화막(106)을 형성한 후, 상기 마스크(M)를 이용하여 자기 조직화막(106)에 광(자외선) 조사를 행하고, 친액 영역을 형성한다.
구체적으로는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 마스크(M)에 있어서, 마스크 패턴(MP) 및 광 촉매(20)가 형성된 측을 배선 형성용 기판(100)에 대향시키도록 배치한다. 이 때, 상술한 바와 같이 광 촉매(20)는 마스크 패턴(MP)의 높이 이상으로 되도록 배치되어 있기 때문에, 광 촉매(20)는 배선 형성용 기판(100)의 면에 접촉한 상태로 된다. 이러한 상태에서, 상기 마스크(M)를 통하여 배선 형성용 기판(100)에 자외선(UV)을 조사한다.
도 6은 상기 자기 조직화막(106)이 형성된 배선 형성용 기판(100)에 대하여, 자외광을 조사하는 자외선 조사 장치(200)를 나타내는 모식도이다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 자외선 조사 장치(200)는 소정의 파장을 갖는 자외광(UV)을 사출 가능한 자외선 사출부(211)와, 유리 기판(5)을 지지하는 스테이지(212)를 구비하고 있다. 자외선 사출부(211)로부터 사출된 자외광은 스테이 지(212)에 지지된 마스크(M), 및 배선 형성용 기판(100)에 조사된다.
스테이지(212)에는 스테이지 구동부(213)가 설치되어 있으며, 이 스테이지 구동부(213)에 의해 배선 형성용 기판(100)을 지지한 스테이지(212)를 소정 방향으로 주사 가능하게 되어 있다. 자외선 조사 장치(200)는 소정 방향에 배선 형성용 기판(100)을 주사하면서 자외선 사출부(211)로부터 자외광을 사출함으로써, 배선 형성용 기판(100)에 대하여 자외광을 조사한다. 배선 형성용 기판(100)이 작은 경우는, 배선 형성용 기판(100)을 주사하지 않고 자외광을 조사할 수도 있다. 물론, 자외선 사출부(211)를 이동하면서 배선 형성용 기판(100)에 자외광을 조사할 수도 있다.
자외선 조사의 조건의 일례로서는, 파장 254㎚, 램프 강도 15㎽/㎠의 램프이면, 17㎜ 정도는 떨어뜨리고, 전면(全面) 균일하게 자외선이 조사하도록 유리 기판(5)을 4㎜/sec으로 램프 아래를 3번 왕복시킨다.
여기서, 자외선 조사 장치(200)는, 도 5에 나타낸 바와 같이 마스크(M)를 통하여, 배선 형성용 기판(100)의 표면에 자외광이 조사되도록 되어 있다. 자외광은 차광성을 갖는 마스크 패턴(MP)에 의해 차단되고, 마스크 패턴(MP) 사이에 설치된 광 촉매(20)를 투과하고, 상기 자기 조직화막(106)에 조사된다. 마스크(M)를 광이 투과할 때에는, 상기 마스크 패턴(MP)의 측면부가 셀프얼라이닝(self-aligning)적으로 기능한다. 또한, 광이 투과하는 영역에 있어서는, 배선 형성 기판(100) 위에 형성된 자기 조직화막(106)에 광 촉매(20)가 접촉하고 있기 때문에, 그 접촉면에서는 광 촉매 효과에 의해 친액 처리가 촉진된다. 또한, 광 촉매 효과에 대해서는, 반드시 자기 조직화막(106)에 광 촉매(20)를 접촉시킬 필요는 없고, 친액 처리가 촉진된다.
따라서, 도 7에 나타낸 바와 같이, 자외선이 조사된 영역에 있어서의 자기 조직화막(106)은 발액성이 저하함으로써 친액화되고, 친액 패턴(친액 영역)(108)으로 되며, 한편, 자외선이 조사되지 않는 자기 조직화막(106)은 발액성을 유지함으로써 발액 패턴(107)으로 된다. 즉, 배선 형성용 기판(100)의 면 위에는, 친액 패턴(108)과 발액 패턴(107)이 형성된다.
상기 친액 패턴(108)은 마스크 패턴(MP) 사이를 투과한 자외선이 조사된 영역에 대응하는 것이다. 따라서, 친액 패턴(108)의 폭은 인접하는 마스크 패턴(MP) 사이의 간격으로 되어 있다. 즉, 마스크 패턴(MP)은, 도 2에 나타낸 바와 같이 잉크젯 헤드(H)로부터 토출되는 토출 직경보다도 작은 간격(A)으로 배치되어 있기 때문에, 상기 친액 패턴(108)의 폭(도 2 중에 나타내는 간격(A))이 잉크젯 헤드(H)로부터 토출되는 액적 직경보다도 작아진다.
이어서, 도 8에 나타낸 바와 같이, 배선 형성용 기판(100)의 상기 친액 패턴(108)에 잉크젯 헤드(도시 생략)로부터 도전성 잉크(도전성 기능액)(50)를 토출한다. 또한, 잉크 배치 공정을 개시하기 전에, 상기 마스크(M)는 배선 형성용 기판(100) 위로부터 제거해 둔다.
이러한 도전성 잉크(50)로서는, 예를 들어 유기 은화합물을 사용하고, 용매(분산매)로서 디에틸렌글리콜디에틸에테르를 사용한 것을 사용했다. 이 때, 액적이 토출되는 배선 패턴 형성 예정 영역으로서의 친액 패턴(108)은 주위가 발액성을 나타내는 발액 패턴(107)에 둘러싸여 있기 때문에, 토출된 액적의 직경이 친액 패턴(108)의 폭보다도 큰 경우에도, 친액 패턴(108)의 길이 방향에 양호하게 젖어 퍼지고, 양호하게 친액 패턴(108) 내에 위치된다.
그리고, 상기 도전성 잉크(50)에 열 처리를 실시하여 소성함으로써, 도 9에 나타낸 바와 같이 배선 패턴(40)을 형성할 수 있다. 소성 공정으로서는, 상술한 마스크(M)의 제조 공정 중에서 행해지는 처리와 동일하기 때문에, 설명을 생략한다.
본 실시예에 따른 배선 패턴(40)의 제조 방법에 의하면, 잉크젯법에 의해 마스크 패턴(MP)을 원하는 위치에 형성하고 있기 때문에, 종래와 같이 차광 재료의 패터닝 시에 별도 필요해지는 패턴 형상에 대응하는, 일반적으로 매우 고가인 원판용 마스크가 불필요해지고, 마스크(M)의 제조 비용이 저감되고 있다. 따라서, 이러한 저비용의 마스크(M)를 사용함으로써 배선 패턴(40)을 저비용으로 제조할 수 있다.
따라서, 마스크의 제조 비용에 크게 영향을 주는 원판용 마스크가 불필요함으로써, 특히 상기 마스크(M)가 다품종이고 또한 소량 생산의 것일 경우에는 제조 비용을 대폭 저감할 수 있다. 따라서, 이러한 마스크(M)를 사용함으로써 배선 패턴(40)을 따라 저비용으로 제조할 수 있다.
또한, 마스크 패턴(MP)은 액적(7a)의 토출 직경보다도 작은 간격으로 배치되어 있기 때문에, 그 마스크 패턴(MP) 사이를 투과한 자외선에 의해, 액적(7a)의 토출 직경보다도 작은 폭의 친액 패턴(108)을 형성할 수 있다. 따라서, 이러한 친액 패턴(108)을 구비한 상기 마스크(M)를 사용함으로써 도전성 잉크(50)의 액적의 직경보다도 작은 폭의 배선 패턴(40)을 저비용으로 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 배선 패턴의 제조 방법을 이용하여, 도 10에 나타낸 바와 같은 배선 패턴의 적층 구조(70)를 형성하도록 할 수도 있다.
이 경우, 상기 배선 형성용 기판(100)에 배선 패턴(40)을 형성한 후, 배선 패턴(40)을 절연막(60)으로 덮는 공정과, 그 절연막(60)에 발액 처리를 실시하는 공정과, 상기 마스크(M)를 이용하여, 상기 절연막(60)의 발액 처리면에 친액 패턴(친액 영역)(108’)을 형성하는 공정과, 그 친액 패턴(108’)에 다른 배선 패턴(40’)을 형성하는 공정을 반복함으로써 배선 패턴의 적층 구조(70)를 형성할 수 있다. 또한, 도 10에서는 배선 패턴(40, 40’)이 2층 적층된 경우를 나타내고 있지만, 본 발명의 배선 패턴의 제조 방법은 3층 이상의 배선 패턴이 적층된 구조에도 적응할 수 있다.
이어서, 플라스마 디스플레이의 제조 방법의 일 실시예에 의해 얻어진 플라스마 디스플레이에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
도 11은 플라스마 디스플레이(500)를 나타내는 분해 사시도이다. 이 플라스마 디스플레이(500)는 서로 대향하여 배치된 유리 기판(한쪽 기판)(501)과 유리 기판(다른쪽 기판)(502)과, 이들 사이에 형성된 방전 표시부(510)로 개략 구성되어 있다.
방전 표시부(510)는 복수의 방전실(516)이 집합되어 이루어지며, 복수의 방전실(516) 중, 적색 방전실(516(R)), 녹색 방전실(516(G)), 청색 방전실(516(B))의 3개의 방전실(516)이 쌍이 되어 1화소를 구성하도록 배치되어 있다. 상기 (유리) 기판(501)의 상면(上面)에는 소정의 간격으로 스트라이프 형상으로 어드레스 전극(511)이 형성되고, 그들 어드레스 전극(511)과 기판(501)의 상면을 덮도록 유전체층(519)이 형성되고, 또한 유전체층(519) 위에 있어서 어드레스 전극(511, 511) 사이에 위치하여 각 어드레스 전극(511)을 따르도록 격벽(515)이 형성되어 있다. 또한, 격벽(515)에 있어서는 그 길이 방향의 소정 위치에 있어서 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향에도 소정의 간격으로 구획되어 있으며(도시 생략), 기본적으로는 어드레스 전극(511)의 폭 방향 좌우 양측에 인접하는 격벽과, 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향으로 연장 설치된 격벽에 의해 구획되는 직사각형 형상의 영역이 형성되고, 이들 직사각형 형상의 영역에 대응하도록 방전실(516)이 형성되고, 이들 직사각형 형상의 영역이 3개가 한 쌍으로 되어 1화소가 구성된다. 또한, 격벽(515)으로 구획되는 직사각형 형상의 영역의 내측에는 형광체(517)가 배치되어 있다. 형광체(517)는 적, 녹, 청 중 어느 하나의 형광을 발광하는 것으로, 적색 방전실(516(R))의 저부(底部)에는 적색 형광체(517(R))가, 녹색 방전실(516(G))의 저부에는 녹색 형광체(517(G))가, 청색 방전실(516(B))의 저부에는 청색 형광체(517(B))가 각각 배치되어 있다.
다음으로, 상기 유리 기판(502) 측에는, 앞의 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향에 복수의 ITO로 이루어지는 투명 표시 전극(512)이 스트라이프 형상으로 소정 간격으로 형성되는 동시에, 고(高)저항의 ITO를 보충하기 위해서 금속으로 이루어지는 버스 전극(512a)이 형성되어 있다. 또한, 이들을 덮어 유전체층(513)이 형성되고, 또한 MgO 등으로 이루어지는 보호막(514)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 유리 기판(501)과 유리 기판(502) 중 2개의 기판이, 상기 어드레스 전극(511)과 표시 전극(512)을 서로 직교시키도록 대향시켜 상호 접합되고, 유리 기판(501)과 격벽(515)과 유리 기판(502) 측에 형성되어 있는 보호막(514)으로 둘러싸인 공간 부분을 배기(排氣)하여 희(希)가스를 봉입함으로써 방전실(516)이 형성되어 있다. 또한, 유리 기판(502) 측에 형성되는 표시 전극(512)은 각 방전실(516)에 대하여 2개씩 배치되도록 형성되어 있다. 상기 어드레스 전극(511)과 표시 전극(512)은 교류 전원(도시 생략)에 접속되고, 각 전극에 통전함으로써 필요한 위치의 방전 표시부(510)에 있어서 형광체(517)를 여기(勵起) 발광시키고, 컬러 표시를 할 수 있도록 되어 있다.
본 실시예에 따른 플라스마 디스플레이의 제조 방법에서는, 특히 상기 유리 기판(501) 측에 설치된 상기 어드레스 전극(511)과, 상기 유리 기판(502) 측에 설치된 상기 버스 전극(512a)을 상술한 배선 패턴의 제조 방법에 의해 형성하고 있다.
즉, 이들 어드레스 전극(511)이나 버스 전극(512a)은 상술한 마스크(M)를 이용하여 유리 기판(501, 502) 위에 형성한 친액 패턴에 도전성 잉크를 토출하고, 소성함으로써 형성된다. 따라서, 상기 도전성 잉크의 토출 직경 보다도 작은 폭의 어드레스 전극(511) 및 버스 전극(512a)을 저비용으로 제조할 수 있고, 이들 어드레스 전극(511) 및 버스 전극(512a)을 구비한 플라스마 디스플레이(500)도 저비용으로 제공할 수 있다.
상술한 바에 의하면, 본 발명은 저비용으로 마스크를 얻는 마스크의 제조 방법, 저렴한 마스크를 사용함으로써 저비용화가 도모된 배선 패턴의 제조 방법, 그리고 저렴한 마스크를 사용함으로써 저비용화가 도모된 플라스마 디스플레이의 제조 방법을 제공할 수 있다.

Claims (5)

  1. 투광성 기판의 적어도 한쪽 면에 발액 처리를 실시하는 공정과,
    상기 투광성 기판에 있어서의 발액 처리면 위에, 액적 토출법을 이용하여 원하는 형상으로 차광 재료를 배치하는 공정과,
    그 차광 재료를 소성(燒成)하여, 상기 투광성 기판 위에 차광 패턴을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
  2. 투광성 기판의 적어도 한쪽 면에 발액 처리를 실시하고, 상기 투광성 기판의 발액 처리면 위에, 액적 토출법을 이용하여 차광 재료를 배치하고, 그 차광 재료를 소성함으로써 상기 투광성 기판 위에 차광 패턴을 형성하는 마스크 형성 공정과,
    기체의 한쪽 면 측에 발액 처리를 실시하는 공정과,
    상기 마스크를 통하여, 상기 기체의 발액 처리면에 광 조사를 행하여, 상기 발액 처리면의 일부를 친액화하여 친액 영역을 형성하는 공정과,
    상기 친액 영역에, 액적 토출법을 이용하여 도전성 기능액을 배치하는 공정과,
    그 도전성 기능액을 소성하여, 배선 패턴을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 배선 패턴을 절연막으로 덮는 공정과, 그 절연막에 상기 발액 처리를 실시하는 공정과, 상기 마스크 형성 공정에서 형성한 마스크를 이용하여, 상기 절연막의 발액 처리면에 상기 친액 영역을 형성하는 공정과, 그 친액 영역에 다른 배선 패턴을 형성하는 공정을 반복함으로써, 배선 패턴의 적층 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 제조 방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 마스크 형성 공정에서는, 광 조사를 받아 친액화를 촉진하는 광 촉매를, 상기 차광 패턴 사이에 그 차광 패턴의 높이 이상이 되도록 배열 설치하는 공정을 구비하고, 상기 기체의 발액 처리면에 상기 광 촉매를 접촉시키도록 하여 상기 마스크를 배치하고, 광 조사를 행함으로써 상기 친액 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 제조 방법.
  5. 서로 대향하여 배치되는 한 쌍의 기판과, 한쪽 기판에 설치된 어드레스 선과, 다른쪽 기판에 설치된 버스 전극을 구비한 플라스마 디스플레이의 제조 방법에 있어서,
    투광성 기판의 적어도 한쪽 면에 발액 처리를 실시하고, 상기 투광성 기판의 발액 처리면 위에, 액적 토출법을 이용하여 차광 재료를 배치하고, 그 차광 재료를 소성함으로써 상기 투광성 기판 위에 차광 패턴을 형성하는 마스크 형성 공정과,
    상기 한 쌍의 기판 중 적어도 한쪽에 있어서의, 한쪽 면 측에 발액 처리를 실시하는 공정과,
    상기 마스크를 통하여, 상기 기판의 발액 처리면에 광 조사를 행하여, 상기 발액 처리면의 일부를 친액화하여 친액 영역을 형성하는 공정과,
    액적 토출법을 이용하여, 상기 친액 영역에 도전성 기능액을 배치하는 공정과,
    그 도전성 기능액을 소성하여, 상기 어드레스 배선 및 버스 전극 중 적어도 한쪽을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이의 제조 방법.
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Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102449108B (zh) 2009-04-06 2015-06-24 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会 四配位铂络合物的合成以及它们在发光器件中的应用
JP5246001B2 (ja) * 2009-04-10 2013-07-24 パナソニック株式会社 基板の加工方法および半導体チップの製造方法ならびに樹脂接着層付き半導体チップの製造方法
US9296870B2 (en) * 2009-07-27 2016-03-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Modification of surfaces with nanoparticles
US9324957B2 (en) 2010-04-30 2016-04-26 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Synthesis of four coordinated gold complexes and their applications in light emitting devices thereof
KR20130067276A (ko) 2010-04-30 2013-06-21 아리조나 보드 오브 리젠츠 퍼 앤 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 ４개의 배위된 팔라듐 착물의 합성 및 그것에 관한 발광 디바이스에서의 그의 적용
US8816080B2 (en) 2011-02-18 2014-08-26 Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University Four coordinated platinum and palladium complexes with geometrically distorted charge transfer state and their applications in light emitting devices
WO2012162488A1 (en) 2011-05-26 2012-11-29 Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University Synthesis of platinum and palladium complexes as narrow-band phosphorescent emitters for full color displays
KR20130106677A (ko) * 2012-03-20 2013-09-30 한국과학기술원 포토마스크 제조방법
US9711741B2 (en) 2012-08-24 2017-07-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal compounds and methods and uses thereof
US9882150B2 (en) 2012-09-24 2018-01-30 Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University Metal compounds, methods, and uses thereof
US20150274762A1 (en) 2012-10-26 2015-10-01 Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University Metal complexes, methods, and uses thereof
TWI617629B (zh) * 2013-05-01 2018-03-11 Jsr股份有限公司 具有凹圖案的基材的製造方法、組成物、導電膜的形成方法、電子電路及電子元件
US9673409B2 (en) 2013-06-10 2017-06-06 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Phosphorescent tetradentate metal complexes having modified emission spectra
JP6804823B2 (ja) 2013-10-14 2020-12-23 アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティーＡｒｉｚｏｎａ Ｂｏａｒｄ ｏｆ Ｒｅｇｅｎｔｓ ｏｎ ｂｅｈａｌｆ ｏｆ Ａｒｉｚｏｎａ Ｓｔａｔｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ 白金錯体およびデバイス
US9224963B2 (en) 2013-12-09 2015-12-29 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Stable emitters
US10020455B2 (en) 2014-01-07 2018-07-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complex emitters containing phenyl-pyrazole and its analogues
WO2015131158A1 (en) 2014-02-28 2015-09-03 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Chiral metal complexes as emitters for organic polarized electroluminescent devices
US9941479B2 (en) 2014-06-02 2018-04-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate cyclometalated platinum complexes containing 9,10-dihydroacridine and its analogues
US9923155B2 (en) 2014-07-24 2018-03-20 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum (II) complexes cyclometalated with functionalized phenyl carbene ligands and their analogues
US9502671B2 (en) 2014-07-28 2016-11-22 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tridentate cyclometalated metal complexes with six-membered coordination rings
US9818959B2 (en) 2014-07-29 2017-11-14 Arizona Board of Regents on behlaf of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent emitters containing tridentate ligands
WO2016025921A1 (en) 2014-08-15 2016-02-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Non-platinum metal complexes for excimer based single dopant white organic light emitting diodes
WO2016029137A1 (en) 2014-08-22 2016-02-25 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Organic light-emitting diodes with fluorescent and phosphorescent emitters
WO2016029186A1 (en) 2014-08-22 2016-02-25 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent materials as co-host materials for fluorescent oleds
TWI559074B (zh) * 2014-09-10 2016-11-21 國立成功大學 光罩
US10033003B2 (en) 2014-11-10 2018-07-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate metal complexes with carbon group bridging ligands
US9865825B2 (en) 2014-11-10 2018-01-09 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Emitters based on octahedral metal complexes
US9711739B2 (en) 2015-06-02 2017-07-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate metal complexes containing indoloacridine and its analogues
US9879039B2 (en) 2015-06-03 2018-01-30 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate and octahedral metal complexes containing naphthyridinocarbazole and its analogues
US10158091B2 (en) 2015-08-04 2018-12-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum (II) and palladium (II) complexes, devices, and uses thereof
US11335865B2 (en) 2016-04-15 2022-05-17 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University OLED with multi-emissive material layer
US10177323B2 (en) 2016-08-22 2019-01-08 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum (II) and palladium (II) complexes and octahedral iridium complexes employing azepine functional groups and their analogues
KR20240014475A (ko) 2016-10-12 2024-02-01 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 협대역 적색 인광성 4좌 백금(ii) 착물
US11183670B2 (en) 2016-12-16 2021-11-23 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Organic light emitting diode with split emissive layer
US11708385B2 (en) 2017-01-27 2023-07-25 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent emitters employing pyrido-pyrrolo-acridine and analogues
US11101435B2 (en) 2017-05-19 2021-08-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complexes based on biscarbazole and analogues
US10516117B2 (en) 2017-05-19 2019-12-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent emttters employing benzo-imidazo-phenanthridine and analogues
WO2019079508A2 (en) 2017-10-17 2019-04-25 Jian Li PREFERRED MOLECULAR ORIENTATED PHOSPHORESCENT EXCIMERS AS MONOCHROMATIC TRANSMITTERS FOR DISPLAY AND LIGHTING APPLICATIONS
WO2019079505A1 (en) 2017-10-17 2019-04-25 Jian Li HOLES LOCKING MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODES
US12037348B2 (en) 2018-03-09 2024-07-16 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Blue and narrow band green and red emitting metal complexes
KR102678588B1 (ko) * 2018-11-14 2024-06-27 램 리써치 코포레이션 차세대 리소그래피에서 유용한 하드 마스크들을 제조하기 위한 방법들
US11878988B2 (en) 2019-01-24 2024-01-23 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Blue phosphorescent emitters employing functionalized imidazophenthridine and analogues
US11594691B2 (en) 2019-01-25 2023-02-28 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Light outcoupling efficiency of phosphorescent OLEDs by mixing horizontally aligned fluorescent emitters
US11785838B2 (en) 2019-10-02 2023-10-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Green and red organic light-emitting diodes employing excimer emitters
US11945985B2 (en) 2020-05-19 2024-04-02 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal assisted delayed fluorescent emitters for organic light-emitting diodes

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2865578B2 (ja) * 1994-10-25 1999-03-08 富士通株式会社 レジストパターンの作成方法、その方法により得られるプリント配線板及びその作成装置
JP3942732B2 (ja) 1998-06-01 2007-07-11 シャープ株式会社 インク、カラーフィルタ、カラー表示装置およびこれらの製造方法
US6973710B2 (en) * 2001-08-03 2005-12-13 Seiko Epson Corporation Method and apparatus for making devices
JP4068883B2 (ja) 2002-04-22 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 導電膜配線の形成方法、膜構造体の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の製造方法
JP2004071473A (ja) 2002-08-08 2004-03-04 Dainippon Printing Co Ltd パターンの形成方法
JP2004311957A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Seiko Epson Corp デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
US7081322B2 (en) * 2003-03-27 2006-07-25 Kodak Graphics Communications Canada Company Nanopastes as ink-jet compositions for printing plates

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