KR20070114034A - Coating method and coating apparatus - Google Patents

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KR20070114034A
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다이스케 이케모토
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동경 엘렉트론 주식회사
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Abstract

A coating method and a coating apparatus are provided to have no influence of a tolerance or an error of a size of a substrate to the outline or layer thickness profile of a coating layer formed on the substrate, thereby improving the reliability of coating and a production rate. A coating method includes the steps of positioning a substrate by moving the substrate in a one-dimensional direction or two-dimensional direction parallel to a plate surface in a predetermined place before coating injection, measuring the size of the substrate when positioning the substrate, and compensating a predetermined parameter for the coating injection according to a measured value of the substrate size.

Description

도포 방법 및 도포 장치{COATING METHOD AND COATING APPARATUS}Coating method and coating device {COATING METHOD AND COATING APPARATUS}

도 1은 본 발명의 적용 가능한 도포 현상 처리 시스템의 구성을 나타내는 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows the structure of the application | coating development process system applicable of this invention.

도 2는 상기 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 처리 순서를 나타내는 플로차트이다. 2 is a flowchart showing a processing procedure in the coating and developing processing system.

도 3은 상기 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 레지스트 도포 유니트 및 감압 건조 유니트의 전체 구성을 나타내는 대략 평면도이다.3 is a plan view schematically showing the overall configuration of a resist coating unit and a reduced pressure drying unit in the coating and developing processing system.

도 4는 상기 레지스트 도포 유니트의 전체 구성을 나타내는 사시도이다. 4 is a perspective view showing the overall configuration of the resist coating unit.

도 5는 상기 레지스트 도포 유니트의 전체 구성을 나타내는 대략 정면도이다.Fig. 5 is a schematic front view showing the overall configuration of the resist coating unit.

도 6은 상기 레지스트 도포 유니트내의 스테이지 도포 영역에 있어서의 분출구와 흡입구의 배열 패턴의 일례를 나타내는 평면도이다.Fig. 6 is a plan view showing an example of an arrangement pattern of the jet port and the suction port in the stage application area in the resist coating unit.

도 7은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 구성을 나타내는 일부 단면 대략 측면도이다.FIG. 7 is a partial cross-sectional side view schematically showing the configuration of the substrate transfer unit in the resist coating unit. FIG.

도 8은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 유지부의 구성을 나타내는 확대 단면도이다.8 is an enlarged cross-sectional view showing the structure of the holding portion of the substrate transfer portion in the resist coating unit.

도 9는 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 패드부의 구성 을 나타내는 사시도이다. 9 is a perspective view showing the structure of a pad portion of the substrate transfer portion in the resist coating unit.

도 10은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 유지부의 하나의 변형예를 나타내는 사시도이다.Fig. 10 is a perspective view showing one modification of the holding portion of the substrate transfer portion in the resist coating unit.

도 11은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 노즐 승강기구, 압축 공기 공급 기구 및 버큠 공급 기구의 구성을 나타내는 도이다.It is a figure which shows the structure of the nozzle raising mechanism, the compressed air supply mechanism, and the blow supply mechanism in the said resist coating unit.

도 12는 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 레지스트액 공급 기구의 구성을 나타내는 블럭도이다.Fig. 12 is a block diagram showing the structure of a resist liquid supply mechanism in the resist coating unit.

도 13은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 얼라인먼트 기구의 주요부의 구성을 나타내는 사시도이다.It is a perspective view which shows the structure of the principal part of the alignment mechanism in the said resist coating unit.

도 14는 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 얼라인먼트 및 기판 길이 측정의 작용을 설명하기 위한 평면도이다.14 is a plan view for explaining the operation of substrate alignment and substrate length measurement in the resist coating unit.

도 15A는 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 얼라인먼트 기구의 핀 구동부의 구성 및 작용(일단층)을 나타내는 측면도이고, 도 15B는 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 얼라인먼트 기구의 핀 구동부의 구성 및 작용(일단층)을 나타내는 측면도이다.Fig. 15A is a side view showing the structure and the action (single layer) of the pin drive part of the alignment mechanism in the resist coating unit, and Fig. 15B is the configuration and the action (the single layer) of the pin drive portion of the alignment mechanism in the resist coating unit. ) Is a side view.

도 16은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 제어계의 주요한 구성을 나타내는 블럭도이다.Fig. 16 is a block diagram showing the main configuration of the control system in the resist coating unit.

도 17은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 도포 처리 동작의 주요한 순서를 나타내는 플로차트도이다.Fig. 17 is a flowchart showing the main procedure of the coating processing operation in the resist coating unit.

도 18은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 도포 주사로 이용하는 토출 압력 제어 파형 및 주사 속도 제어 파형을 나타내는 파형도이다.Fig. 18 is a waveform diagram showing a discharge pressure control waveform and a scan speed control waveform used for coating scan in the resist coating unit.

도 19는 실시 형태의 도포 주사에 있어서 레지스트 도포막이 형성되는 모습을 나타내는 측면도이다.It is a side view which shows a state in which a resist coating film is formed in the coating scan of embodiment.

도 20은 실시 형태의 도포 주사에 있어서 레지스트 도포막이 형성되는 모습을 나타내는 평면도이다.It is a top view which shows a state in which a resist coating film is formed in the coating scan of embodiment.

도 21은 실시 형태의 도포 주사가 종료했을 때의 스테이지상의 각부의 상태를 나타내는 사시도이다.It is a perspective view which shows the state of each part on a stage when the coating | coating scan of embodiment is complete | finished.

도 22는 실시 형태의 도포 주사가 종료한 후의 기판상의 레지스트 도포막의 패턴을 모식적으로 나타내는 도(측면도 및 평면도)이다.It is a figure (side view and top view) which shows typically the pattern of the resist coating film on the board | substrate after the application | coating scan of embodiment is complete | finished.

** 주요부위를 나타내는 도면부호의 설명**** Explanation of reference numerals indicating major parts **

40 : 레지스트 도포 유니트(CT) 40: resist coating unit (CT)

75 : 노즐 승강기구75: nozzle lifting mechanism

76 : 스테이지76: stage

78 : 레지스트 노즐 78: resist nozzle

78a : 토출구78a: discharge port

84 : 기판 반송부 84 substrate transfer unit

100 : 반송 구동부 100: conveying drive unit

170 : 레지스트액 공급 기구 170: resist liquid supply mechanism

200 : 얼라인먼트 기구200: alignment mechanism

202A, 202B : X방향 고정 얼라인먼트핀 202A, 202B: Fixed alignment pin in X direction

204A, 204B : X방향 가동 얼라인먼트핀 204A, 204B: X-direction movable alignment pin

206A, 206B, 208A, 208B : Y방향 가동 얼라인먼트핀 206A, 206B, 208A, 208B: Y-direction movable alignment pin

210 : 핀 구동부210: pin drive unit

220 : 위치(이동거리) 센서 220: position sensor

230 : 콘트롤러230: controller

본 발명은 긴형의 노즐을 이용해 피처리 기판상에 처리액의 도포막을 형성하는 도포 방법 및 도포 장치에 관한다.This invention relates to the application | coating method and application | coating apparatus which form the coating film of a process liquid on a to-be-processed substrate using an elongate nozzle.

LCD등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에 있어서의 포트리소그래피 공정에는 슬릿 형상의 토출구를 가지는 긴형의 레지스트 노즐을 주사하고 피처리 기판(유리 기판등) 상에 레지스트액을 도포하는 스핀레스의 도포법이 이용되고 있다.In the photolithography process in the manufacturing process of a flat panel display (FPD) such as an LCD, spinless scanning of a long resist nozzle having a slit-shaped discharge port and coating of a resist liquid on a substrate to be processed (such as a glass substrate) is performed. The coating method is used.

스핀레스법은 예를 들어 특허 문헌 1에 개시되는 바와 같이 흡착 유지형의 재치대 또는 스테이지상에 기판을 수평으로 재치하여 스테이지상의 기판과 긴형 레지스트 노즐의 토출구의 사이에 예를 들어 수 1OOμm정도의 작은 도포 갭을 설정해, 기판 윗쪽에서 레지스트 노즐을 주사 방향(일반적으로 노즐 긴 방향과 직교 하는 수평 방향)으로 이동시키면서 기판상에 레지스트액을 띠형상으로 토출시켜 도포한다. 긴형 레지스트 노즐을 기판의 일단으로부터 타단까지 1회 이동시키는 것만으 로 기판상에 원하는 막두께로 레지스트 도포막을 형성할 수가 있다.The spinless method is, for example, as disclosed in Patent Literature 1, by placing a substrate horizontally on a mounting table or stage of an adsorption holding type, for example, between a substrate on a stage and a discharge port of an elongated resist nozzle. The application gap is set, and the resist liquid is discharged in a strip shape onto the substrate while the resist nozzle is moved in the scanning direction (generally a horizontal direction orthogonal to the nozzle long direction) on the substrate to apply the gap. The resist coating film can be formed on the substrate with a desired film thickness only by moving the elongate resist nozzle from one end to the other end of the substrate once.

최근에는 대형 기판에 유리한 스핀레스법으로서 예를 들어 특허 문헌 2에 개시되는바와 같이 기판을 지지하기 위한 스테이지를 부상식으로 구성하고 스테이지상에서 기판을 공중에 띄운 채로 수평 방향으로 반송하고 소정의 도포 위치에서 스테이지 윗쪽에 설치한 긴형 레지스트 노즐보다 바로 아래를 통과하는 기판을 향해 레지스트액을 띠형상으로 토출시키는 것으로 기판상의 일단으로부터 타단까지 레지스트액을 도포하도록 한 부상 반송 방식이 보급되어 있다.In recent years, as a spinless method advantageous for large substrates, for example, as disclosed in Patent Document 2, a stage for supporting a substrate is floated, and the substrate is conveyed in a horizontal direction with the substrate floating in the air on a stage, and a predetermined coating position is provided. The floating conveying method in which the resist liquid is applied from one end of the substrate to the other end by discharging the resist liquid in a band form toward the substrate passing directly below the elongated resist nozzle provided on the stage is popular.

상기와 같은 노즐 이동 방식 및 부상 반송 방식의 어느쪽에 있어서도 1회의 도포 주사에 의해 기판상에 형성하는 레지스트 도포막의 라인을 기판의 형상에 맞추기 위해서 도포 주사의 개시전에 스테이지상에서 기판의 위치 맞춤을 실시하고 있다. FPD용의 구형의 기판에 대해서는 수평면내에서 사방으로부터 핀등의 누름 부재를 기판의 4변에 눌러 맞추는 것으로 기판의 방향을 도포 주사의 방향으로 평행하게 맞추고 기판의 중심을 스테이지 또는 긴형 레지스트 노즐의 중심에 맞출 수 있다(센터링 한다). 이러한 얼라인먼트 기능에 의해 레지스트 도포막의 아웃라인이 기판 엣지로부터 일정 거리만 안쪽에 들어가 기판의 각변과 평행이 되도록 하고 있다.In any of the above nozzle movement methods and floating conveyance methods, the substrate is positioned on the stage before the start of the coating scan in order to match the line of the resist coating film formed on the substrate by one coating scan to the shape of the substrate. have. For spherical substrates for FPD, the pressing members, such as pins, are pushed into four sides of the substrate from all directions in the horizontal plane to align the direction of the substrate in the direction of the coating scan, and the center of the substrate to the stage or the center of the long resist nozzle. Can be centered. By such an alignment function, the outline of the resist coating film enters only a predetermined distance from the edge of the substrate to be parallel to each side of the substrate.

[특허 문헌 1] 일본국 특개평 10-156255[Patent Document 1] Japanese Patent Laid-Open No. 10-156255

[특허 문헌 2] 일본국 특개 2005-244155[Patent Document 2] Japanese Patent Laid-Open No. 2005-244155

일반적으로, 기판 상면(피처리면)의 주변부에는 제품 영역과 비제품 영역 또는 마진 영역을 나누는 가상의 영역 경계선이 설정된다. 레지스트 도포 처리에 있 어서는 영역 경계선보다 안쪽의 제품 영역이 레지스트 도포막의 막두께를 보증하지 않으면 안되는 막두께 보증 영역이다. 따라서, 제품 영역내의 레지스트 도포막을 규격내 또는 허용 범위내의 막두께로 형성하면 좋고 영역 경계선보다 외측의 마진 영역내에서는 레지스트 도포막이 허용 범위로부터 어떻게 빗나가도 상관없다. 무엇보다 스핀레스법에 있어서는 마진 영역내에서 레지스트 도포막이 허용 범위를 넘어 활성하는 경향이 있고 특히 도포 주사 방향의 시작 단 부근 및 종단 부근에서 크게 활성하기 쉽다. 거기서, 그러한 레지스트 도포막의 고조가 제품 영역에 미치지 않게 도포 주사의 개시 위치 및 종료 위치를 가능한 한 영역 경계선보다 외측으로 떨어뜨려 기판 엣지 집합으로 설정하는 것도 행해지고 있다.In general, a virtual region boundary line that divides a product region and a non-product region or a margin region is set at the periphery of the upper surface of the substrate (processed surface). In the resist coating process, the product area inside the area boundary line is a film thickness guarantee area which must guarantee the film thickness of the resist coating film. Therefore, the resist coating film in the product region may be formed to a film thickness within the standard or within the allowable range, and the resist coating film may deviate from the allowable range in the margin region outside the region boundary. Above all, in the spinless method, the resist coating film tends to be active beyond the permissible range in the margin area, and is particularly easy to be greatly activated near the start end and end of the coating scanning direction. Thereby, the start position and the end position of the coating scan are also set outward from the region boundary line as far as possible so that the height of the resist coating film does not reach the product region, and it is also set as the substrate edge assembly.

그렇지만 기판의 외형 치수에는 공차가 있어 예를 들어 장변 사이즈가 2 m를 넘는 FPD용의 기판이라도 되면 ±1~2 mm정도의 공차가 나온다. 또한 기판의 휘어진 상태도 기판 외형 치수의 오차가 된다. 종래는, 레지스트 도포막의 아웃라인이나 막두께 프로 파일이 그러한 기판 외형 치수의 공차나 오차의 영향을 완전히 받고 있었다. 특히, 도포 주사 방향에 있어서는 기판 사이즈의 공차나 오차에 의해 도포 주사의 개시 위치 또는 종료 위치가 그만큼 어긋나 버려 상기와 같은 레지스트 도포막의 시작 단 부근 또는 종단 부근의 허용값을 넘는 고조가 막두께 보증 영역(제품 영역) 내에 들어가거나 혹은 레지스트 도포액이 기판 엣지의 밖으로 돌출하여 스테이지를 더럽히는 경우가 있었다.However, there are tolerances in the external dimensions of the substrate, for example, a tolerance of ± 1 to 2 mm can be obtained for a long-sided FPD substrate with a size of more than 2 m. In addition, the warped state of the substrate also becomes an error in the dimensions of the substrate. Conventionally, the outline and film thickness profile of a resist coating film were fully influenced by the tolerance and the error of such a board | substrate external dimension. In particular, in the coating scan direction, the starting position or the ending position of the coating scan is shifted by the tolerance or error of the substrate size by that amount, and the height exceeding the allowable value near the start end or near the end of the resist coating film as described above is a film thickness guarantee region. In some cases, the resist coating liquid protrudes out of the substrate edge to contaminate the stage.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점에 비추어 이루어진 것으로서 스 핀레스 도포법에 있어서 기판상에 형성되는 도포막의 아웃라인이나 막두께 프로 파일에 기판 사이즈의 공차나 오차의 영향이 나타나지 않게 해 도포 처리의 신뢰성 및 제품 비율을 향상시키도록 한 도포 방법 및 도포 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the problems of the prior art as described above, and the coating treatment is performed so that the influence of the tolerances and errors of the substrate size does not appear in the outline or film thickness profile of the coating film formed on the substrate in the spin coating method. It is an object of the present invention to provide a coating method and a coating apparatus, which are intended to improve the reliability and the product ratio.

상기의 목적을 달성하기 위해서 본 발명의 도포 방법은 피처리 기판과 긴형 노즐의 토출구를 작은 갭을 두고 거의 수평으로 대향시켜 상기 기판에 대해서 상기 노즐에서 처리액을 토출시키면서 상기 노즐을 상대적으로 수평 방향으로 이동시키는 도포 주사를 실시하여 상기 기판상에 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포 방법으로서 상기 도포 주사에 앞서 소정의 장소에서 상기 기판을 그 기판면과 평행한 일차원 방향 또는 이차원 방향으로 이동시켜 상기 기판의 위치 맞춤을 실시하는 공정과 상기 기판의 위치 맞춤 시에 상기 기판의 사이즈를 소정의 방향으로 측정하는 공정과 상기 기판 사이즈의 측정값에 따라 상기 도포 주사를 위한 소정의 파라미터를 보정하는 공정을 가진다.In order to achieve the above object, in the coating method of the present invention, the discharge port of the substrate to be processed and the elongated nozzle face each other almost horizontally with a small gap to discharge the processing liquid from the nozzle with respect to the substrate while the nozzle is relatively horizontal. A coating method for forming a coating film of the treatment liquid on the substrate by carrying out a coating scan to move the substrate, wherein the substrate is moved in a one-dimensional direction or a two-dimensional direction parallel to the substrate surface at a predetermined place prior to the coating scan. A process of aligning the substrate, a process of measuring the size of the substrate in a predetermined direction at the time of aligning the substrate, and a process of correcting a predetermined parameter for the coating scan according to the measured value of the substrate size Have

또, 본 발명의 도포 장치는 피처리 기판을 거의 수평으로 지지하기 위한 스테이지와 상기 스테이지상에서 상기 기판을 그 기판면과 평행한 일차원 방향 또는 이차원 방향으로 이동시켜 상기 기판의 위치 맞춤을 실시하는 얼라인먼트 기구와 상기 위치 맞춤이 끝난 상기 기판에 대해서 긴형 노즐의 토출구를 약간의 갭을 두고 거의 수평으로 대향시켜, 상기 노즐에서 처리액을 토출시키면서 상기 노즐을 상대적으로 수평 방향으로 이동시키는 도포 주사를 실시하고 상기 기판상에 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포 처리부와 상기 기판의 위치 맞춤 시에 상기 기판의 사이즈를 소정의 방향으로 측정하는 기판 사이즈 측정부와 상기 기판 사이즈의 측정값에 따라 상기 도포 주사를 위해서 상기 도포 처리부에서 이용하는 소정의 파라미터를 보정하는 파라미터 보정부를 가진다.Moreover, the application | coating apparatus of this invention is a stage for supporting a to-be-processed board | substrate substantially horizontally, and the alignment mechanism which arranges the said board | substrate by moving the said board | substrate in the one-dimensional direction or two-dimensional direction parallel to the substrate surface on the said stage. And the ejection openings of the elongated nozzles are almost horizontally opposed to the substrate having the alignment, with a slight gap, to perform a coating scan to move the nozzles in a relatively horizontal direction while discharging the processing liquid from the nozzles. For the coating scan according to the substrate size measuring unit for measuring the size of the substrate in a predetermined direction and the substrate size measuring unit for forming the coating film of the processing liquid on the substrate and the substrate in alignment with the substrate. Correcting a predetermined parameter used in the coating processing unit It has parts la meter calibration.

본 발명에 있어서는 스핀레스법의 도포 주사에 앞서 기판의 위치 맞춤을 실시할 때에 기판의 한부위가 기존 정한 기준 위치에 맞추어진 것을 이용해, 기판의 사이즈를 소정 방향으로 측정한다. 그리고 이 기판 사이즈 측정값을 기본으로 도포 주사용의 소정의 파라미터를 보정하고 나서 도포 주사를 실행한다. 이것에 의해, 기판 사이즈의 공차나 오차를 도포 주사시에 캔슬해 기판상에 원하는 아웃라인이나 막두께 프로 파일로 도포막을 형성할 수가 있다.In the present invention, the size of the substrate is measured in a predetermined direction by using one of the substrates aligned to a predetermined reference position when the substrate is aligned before the spinless coating scan. The coating scan is executed after correcting a predetermined parameter for coating scan on the basis of the substrate size measured value. Thereby, the tolerance and the error of a board | substrate size can be canceled at the time of an application | coating scan, and a coating film can be formed in a desired outline or film thickness profile on a board | substrate.

본 발명에 있어서 기판 사이즈 측정값을 기본으로 보정을 거는 도포 주사용의 파라미터로서 매우 적합하게 기판상으로 설정되는 도포 주사의 시점 또는 종점의 위치, 도포 주사의 시점에서 종점까지의 거리, 기판에 대해서 노즐에서 처리액의 토출을 개시 또는 종료하는 타이밍, 토출 지속 시간을 선택할 수가 있다. 혹은, 도포 주사에 있어서 기판에 대한 노즐의 상대 이동 속도의 시간 특성을 규정하는 주사 속도 제어 파형이나 노즐에서 처리액을 토출하는 압력의 시간 특성을 규정하는 토출 압력 제어 파형을 보정 파라미터로 하는 것도 가능하다.In the present invention, as a parameter for coating scans based on the substrate size measurement value, the starting point or the position of the end point of the coating scan, which is set on the substrate very suitably, the distance from the starting point of the coating scan to the end point, and the substrate. The timing for starting or ending the discharge of the processing liquid from the nozzle and the discharge duration can be selected. Alternatively, the correction parameter may be a scanning speed control waveform that defines the time characteristic of the relative movement speed of the nozzle with respect to the substrate and a discharge pressure control waveform that defines the time characteristic of the pressure for discharging the processing liquid from the nozzle in the coating scan. Do.

본 발명의 매우 적합한 한 종류에 있어서 기판은 구형이고, 도포 주사는 기판의 제1의 변으로부터 그것과 반대측의 제2의 변으로 향해 행해지고 기판의 위치 맞춤 시에는 적어도 그 제1의 변으로부터 제2의 변까지의 길이가 기판 사이즈로서 측정된다. 이 경우, 기판의 위치맞춤에서는 기판의 제1의 변 및 제2의 변의 어느쪽 이든 한쪽을 기존 정한 기준 위치에 맞추는 것이 위치 맞춤 뿐만이 아니고 기판 사이즈 측정 후에서도 바람직하다.In a very suitable type of the invention, the substrate is spherical, and the coating scan is made from the first side of the substrate to the second side opposite to it and at least from the first side to the second side when the substrate is aligned. The length to the side of is measured as the substrate size. In this case, in alignment of a board | substrate, it is preferable not only not only to alignment but also to board | substrate size measurement that one of the 1st side and the 2nd side of a board | substrate is set to the existing reference position.

본 발명의 매우 적합한 한 종류에 있어서 얼라인먼트 기구는 기판을 일차원 방향 또는 이차원 방향으로 이동 가능하게 지지하는 기판 지지부와 기판의 제1 및 제2의 변의 측면으로 각각 접하는 것이 가능한 제1 및 제2의 맞닿는 부재와 기판의 제1 및 제2의 변의 어느쪽이든 한쪽이 기존 정한 기준 위치에 위치 결정될 때까지 제1 및 제2의 맞닿는 부재의 적어도 한쪽을 이동시키는 이동부를 가진다. 또, 기판 사이즈 측정부는 기판의 위치 맞춤이 완료한 상태에서의 제1 및 제2의 맞닿는 부재의 위치에 근거해 기판 사이즈의 측정값을 요구한다.In a very suitable type of the present invention, the alignment mechanism includes a substrate support portion that supports the substrate so as to be movable in one or two dimensional directions, and first and second abutment which can be in contact with the side surfaces of the first and second sides of the substrate, respectively. Either of the first and second sides of the member and the substrate has a moving portion for moving at least one of the first and second abutting members until one is positioned at a predetermined reference position. In addition, the substrate size measuring unit requests the measured value of the substrate size based on the positions of the first and second abutting members in the state where the alignment of the substrate is completed.

기판 사이즈 측정부는 매우 적합한 한 종류로서 기판의 제1 및 제2의 변의 어느쪽이든 한쪽이 기존 정한 기준 위치에 위치 결정된 상태로 다른쪽 변의 위치를 검출하는 위치 센서를 갖고 그 위치 센서에 의해 구해지는 위치 정보에 근거해 기판 사이즈의 측정값을 요구한다. 혹은 다른 매우 적합한 한 상태로서 제1 및 제2의 맞닿는 부재의 적어도 한쪽에 대해서 기판의 위치 맞춤의 개시전의 원위치로부터 완료시의 주행이동위치까지의 이동거리를 측정하는 이동거리 센서를 갖고 그 이동거리 센서에 의해 얻을 수 있는 이동거리 측정값에 근거해 기판 사이즈의 측정값을 요구한다.Substrate size measuring unit is a very suitable type, and either of the first and second sides of the substrate has a position sensor which detects the position of the other side with one side positioned at a predetermined reference position and is obtained by the position sensor Based on the information, a measurement of the substrate size is required. Or as another very suitable state, the movement distance sensor having a movement distance sensor for measuring at least one of the first and second abutting members from the original position before the start of alignment of the substrate to the traveling movement position at completion. The measured value of the substrate size is required based on the measured moving distance obtained by.

이하, 첨부도를 참조해 본 발명의 매우 적합한 실시 형태를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the preferred embodiment of this invention is described with reference to an accompanying drawing.

도 1에, 본 발명의 도포 방법 및 도포 장치의 적용 가능한 구성예로서 도포 현상 처리 시스템을 나타낸다. 본 도포 현상 처리 시스템은 클린 룸내에 설치되어 예를 들어 LCD 기판을 피처리 기판으로 하고 LCD 제조 프로세스에 있어서 포트리소그래피 공정중의 세정, 레지스트 도포, 프리베이크, 현상 및 포스트베이크의 각 처리를 실시하는 것이다. 노광 처리는 본 시스템에 인접하여 설치되는 외부의 노광 장치(도시하지 않음)로 행해진다.1 shows a coating and developing treatment system as an example of the applicable structure of the coating method and the coating apparatus of the present invention. The present coating development processing system is installed in a clean room, for example, an LCD substrate is used as a substrate to be treated, and in the LCD manufacturing process, each process of cleaning, resist coating, prebaking, developing, and postbaking in a port lithography process is performed. will be. Exposure processing is performed by an external exposure apparatus (not shown) provided adjacent to this system.

본 도포 현상 처리 시스템은 크게 나누어 카셋트 스테이션(C/S,10)과 프로세스 스테이션(P/S,12)와 인터페이스부(I/F,14)로 구성된다. The present coating development processing system is roughly divided into a cassette station (C / S, 10), a process station (P / S, 12), and an interface unit (I / F, 14).

시스템의 일단부에 설치되는 카셋트 스테이션(C/S,10)은 복수의 기판 (G)를 수용하는 카셋트 (C)를 소정수 예를 들어 4개까지 재치 가능한 카셋트 스테이지 (16)과 본 카셋트 스테이지 (16)상의 측쪽으로 또한 카셋트 (C)의 배열 방향과 평행하게 설치된 반송로 (17)과 반송로 (17)상에서 이동 자유롭게 스테이지 (16)상의 카셋트 (C)에 대해서 기판 (G)의 출입을 실시하는 반송 기구 (20)을 구비하고 있다. 본 반송 기구 (20)은 기판 (G)를 유지할 수 있는 수단 예를 들어 반송 아암을 갖고, X, Y, Z, θ의 4축으로 동작 가능하고 후술하는 프로세스 스테이션(P/S, 12)측의 반송 장치 (38)과 기판 (G)의 수수를 실시할 수 있게 되어 있다.The cassette station C / S, 10 provided at one end of the system includes a cassette stage 16 and a bone cassette stage in which a plurality of cassettes C, which accommodate a plurality of substrates G, can be placed, for example, up to a predetermined number. The substrate G can be moved in and out with respect to the cassette C on the stage 16 freely movable on the conveying path 17 and the conveying path 17 provided on the side on the side 16 and parallel to the arrangement direction of the cassette C. The conveyance mechanism 20 to implement is provided. The conveying mechanism 20 has a means capable of holding the substrate G, for example, a conveying arm, which is operable in four axes of X, Y, Z, θ, and is described later on the process station (P / S, 12) side. The conveyance apparatus 38 and the board | substrate G of the delivery can be carried out.

프로세스 스테이션(P/S, 12)는 상기 카셋트 스테이션(C/S,10)측으로부터 차례로 세정 프로세스부 (22)와 도포 프로세스부 (24)와 현상 프로세스부 (26)을 기판 중계부 (23), 약액 공급 유니트 (25) 및 스페이스 (27)을 개재하여(끼워서) 횡일렬로 설치하고 있다.The process station P / S, 12 sequentially rotates the cleaning process unit 22, the application process unit 24, and the development process unit 26 from the cassette station C / S, 10 side to the substrate relay unit 23. And the chemical liquid supply unit 25 and the space 27 are provided in a horizontal line.

세정 프로세스부 (22)는 2개의 스크러버 세정 유니트(SCR, 28)과 상하 2단의 자외선 조사/냉각 유니트(UV/COL, 30)과 가열 유니트(HP, 32)와 냉각 유니트(COL, 34)를 포함하고 있다.The cleaning process unit 22 includes two scrubber cleaning units (SCR, 28), two upper and lower ultraviolet irradiation / cooling units (UV / COL, 30), heating units (HP, 32), and cooling units (COL, 34). It includes.

도포 프로세스부 (24)는 스핀레스 방식의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)과 감압 건조 유니트(VD, 42)와 상하 2단형 애드히젼/냉각 유니트(AD/COL, 46)과 상하 2단형 가열/냉각 유니트(HP/COL, 48)과 가열 유니트(HP, 50)을 포함하고 있다.The coating process section 24 includes a spinless resist coating unit (CT, 40), a reduced pressure drying unit (VD, 42), a two-stage upper / lower stage adhi / cooling unit (AD / COL, 46), and a two-stage upper / lower heating / It includes a cooling unit (HP / COL, 48) and a heating unit (HP, 50).

현상 프로세스부 (26)은, 3개의 현상 유니트(DEV, 52)와 2개의 상하 2단형 가열/냉각 유니트(HP/COL, 53)과 가열 유니트(HP, 55)를 포함하고 있다.The developing process unit 26 includes three developing units DEV, 52, two upper and lower two-stage heating / cooling units HP / COL 53, and heating units HP 55.

각 프로세스부 (22, 24, 26)의 중앙부에는 긴 방향으로 반송로 (36, 51, 58)이 설치되고 반송 장치 (38, 54, 60)이 각각 반송로 (36, 51, 58)을 따라 이동해 각 프로세스 부내의 각 유니트에 액세스하고 기판 (G)의 반입/반출 또는 반송을 실시하게 되어 있다. 또한 이 시스템에서는 각 프로세스부 (22, 24, 26)에서 반송로 (36, 51, 58)의 한쪽측에 액처리계의 유니트(SCR, CT, DEV등 )가 배치되고 다른쪽측에 열처리계의 유니트(HP, COL등 )가 배치되고 있다.The conveyance paths 36, 51, 58 are provided in the center part of each process part 22, 24, 26 in a longitudinal direction, and the conveying apparatus 38, 54, 60 follows the conveyance paths 36, 51, 58, respectively. It moves, accesses each unit in each process part, and carries in / out of a board | substrate G, or conveys it. In this system, the unit (SCR, CT, DEV, etc.) of the liquid treatment system is disposed on one side of the conveyance paths 36, 51, 58 in each process section 22, 24, 26, and the heat treatment system is disposed on the other side. Units (HP, COL, etc.) are placed.

시스템의 타단부에 설치되는 인터페이스부(I/F,14)는 프로세스 스테이션 (12)와 인접하는 측에 익스텐션(기판 수수부, 56) 및 버퍼 스테이지 (57)을 설치하고 노광 장치와 인접하는 측에 반송 기구 (59)를 설치하고 있다. 본 반송 기구 (59)는 Y방향으로 연장하는 반송로 (19)상에서 이동 자유롭고, 버퍼 스테이지 (57)에 대해서 기판 (G)의 출입을 행하는 것 외에 익스텐션(기판 수수부, 56)이나 근처의 노광 장치와 기판 (G)의 수수를 실시하게 되어 있다.The interface unit I / F 14 provided at the other end of the system is provided with an extension (substrate receiving unit 56) and a buffer stage 57 on the side adjacent to the process station 12 and adjacent to the exposure apparatus. The conveyance mechanism 59 is provided in this. The conveying mechanism 59 is free to move on the conveying path 19 extending in the Y-direction, allows the substrate G to enter and exit the buffer stage 57, and exposes the extension (substrate receiving part 56) and the nearby exposure. It is supposed to carry out the device and the substrate G.

도 2에 본 도포 현상 처리 시스템에서의 처리의 순서를 나타낸다. 먼저, 카 셋트 스테이션(C/S, 10)에 있어서 반송 기구 (20)이 카셋트 스테이지 (16)상의 소정의 카셋트 (C)중에서 1개의 기판 (G)를 꺼내 프로세스 스테이션(P/S, 12)의 세정 프로세스부 (22)의 반송 장치 (38)에 건네준다(스텝 S1).2 shows a procedure of the process in the coating and developing treatment system. First, in the cassette station C / S, 10, the conveyance mechanism 20 takes out one board | substrate G from the predetermined | prescribed cassette C on the cassette stage 16, and the process station P / S, 12 is carried out. It is passed to the conveying apparatus 38 of the washing process part 22 (step S1).

세정 프로세스부 (22)에 있어서 기판 (G)는 먼저 자외선 조사/냉각 유니트(UV/COL, 30)에 차례로 반입되어 최초의 자외선 조사 유니트(UV)에서는 자외선 조사에 의한 건식 세정을 실시시키고 다음의 냉각 유니트(COL)에서는 소정 온도까지 냉각된다(스텝 S2). 본 자외선 세정에서는 주로 기판 표면의 유기물이 제거된다.In the cleaning process section 22, the substrate G is first brought into the ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30 in turn, and the first ultraviolet irradiation unit (UV) is subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation, and then In the cooling unit COL, it cools to predetermined temperature (step S2). In this ultraviolet cleaning, the organic substance of the surface of a board | substrate is mainly removed.

다음에, 기판 (G)는 스크러버 세정 유니트(SCR, 28)의 하나로 스크러빙 세정 처리를 받아 기판 표면으로부터 입자 형상의 더러움이 제거된다(스텝 S3). 스크러빙 세정후 기판 (G)는 가열 유니트(HP, 32)로 가열에 의한 탈수 처리를 받고(스텝 S4) 그 다음에 냉각 유니트(COL, 34)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S5). 이것으로 세정 프로세스부 (22)에서의 사전 처리가 종료하고 기판 (G)는 반송 장치 (38)에 의해 기판 수수부 (23)을 개재하여 도포 프로세스부 (24)에 반송된다.Subsequently, the substrate G is subjected to a scrubbing cleaning process with one of the scrubber cleaning units SCR 28 to remove particulate dirt from the substrate surface (step S3). After the scrubbing cleaning, the substrate G is subjected to dehydration treatment by heating in the heating unit HP 32 (step S4) and then cooled to a constant substrate temperature in the cooling unit COL 34 (step S5). Preprocessing by the washing | cleaning process part 22 is complete | finished by this, and the board | substrate G is conveyed to the application | coating process part 24 via the board | substrate receiving part 23 by the conveying apparatus 38. FIG.

도포 프로세스부 (24)에 있어서 기판 (G)는 먼저 애드히젼/냉각 유니트(AD/COL, 46)에 차례로 반입되고 최초의 애드히젼유닛트(AD)에서는 소수화 처리(HMDS)를 받고(스텝 S6), 다음의 냉각 유니트(COL)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S7).In the application | coating process part 24, the board | substrate G is first carried in to the adhigen / cooling unit (AD / COL) 46 one by one, and receives the hydrophobization process (HMDS) in the first adhigen unit AD (step S6). The substrate is cooled to a constant substrate temperature by the next cooling unit COL (step S7).

그 후 기판 (G)는 레지스트 도포 유니트(CT, 40)으로 스핀레스법에 의해 레지스트액을 도포시키고 그 다음에 감압 건조 유니트(VD, 42)로 감압에 의한 건조 처리를 받는다(스텝 S8).Subsequently, the substrate G is coated with the resist liquid by the resist coating method to the resist coating units CT and 40, and then subjected to a drying process under reduced pressure by the vacuum drying units VD and 42 (step S8).

다음에, 기판 (G)는 가열/냉각 유니트(HP/COL, 48)에 차례로 반입되어 최초의 가열 유니트(HP)에서는 도포 후의 베이킹(프리크)을 행하고(스텝 S9), 다음에 냉각 유니트(COL)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S10). 또한 상기 도포 후 베이킹에 가열 유니트(HP, 50)을 이용할 수도 있다.Subsequently, the board | substrate G is carried in to heating / cooling unit HP / COL 48 sequentially, and baking (frik) after application | coating is performed in the first heating unit HP (step S9), and then a cooling unit ( COL) is cooled to a constant substrate temperature (step S10). It is also possible to use a heating unit (HP, 50) for baking after the application.

상기 도포 처리 후, 기판 (G)는 도포 프로세스부 (24)의 반송 장치 (54)와 현상 프로세스부 (26)의 반송 장치 (60)에 의해 인터페이스부 (I/F,14)에 반송되어 그곳으로부터 노광 장치에 건네진다(스텝 S11). 노광 장치에서는 기판 (G)상의 레지스트에 소정의 회로 패턴을 노광시킨다. 그리고, 패턴 노광을 끝낸 기판 (G)는 노광 장치로부터 인터페이스부(I/F,14)에 되돌려진다. 인터페이스부(I/F,14)의 반송 기구 (59)는 노광 장치로부터 받은 기판 (G)를 익스텐션 (56)을 개재하여 프로세스 스테이션(P/S, 12)의 현상 프로세스부 (26)에 건네준다(스텝 S11).After the said coating process, the board | substrate G is conveyed to the interface part I / F, 14 by the conveying apparatus 54 of the application | coating process part 24, and the conveying apparatus 60 of the image development process part 26, and there It is passed to an exposure apparatus from (step S11). In the exposure apparatus, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. And the board | substrate G which finished pattern exposure is returned to the interface part I / F, 14 from an exposure apparatus. The conveyance mechanism 59 of the interface unit I / F, 14 passes the substrate G received from the exposure apparatus to the developing process unit 26 of the process station P / S, 12 via the extension 56. (Step S11).

현상 프로세스부 (26)에 있어서 기판 (G)는 현상 유니트(DEV, 52)의 어느쪽이든 1개로 현상 처리를 받고(스텝 S12) 그 다음에 가열/냉각 유니트(HP/COL, 53)의 하나에 차례로 반입되어 최초의 가열 유니트(HP)에서는 포스트베이킹을 하고(스텝 S13), 다음에 냉각 유니트(COL)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S14). 이 포스트베이킹에 가열 유니트(HP, 55)를 이용할 수도 있다.In the developing process part 26, the board | substrate G is subjected to the developing process by either one of the developing units DEV, 52 (step S12), and then to one of the heating / cooling units (HP / COL, 53). It is carried in one by one and post-baking is performed in the first heating unit HP (step S13), and it is cooled by the cooling unit COL to the constant substrate temperature (step S14). The heating unit (HP, 55) can also be used for this postbaking.

현상 프로세스부 (26)에서의 일련의 처리가 끝난 기판 (G)는 프로세스 스테이션(P/S,12)내의 반송 장치 (60, 54, 38)에 의해 카셋트 스테이션(C/S, 10)까지 되돌려져 거기서 반송 기구 (20)에 의해 어느쪽이든 1개의 카셋트 (C)에 수용된다 (스텝 S1).The board | substrate G which has processed a series in the image development process part 26 is returned to the cassette station C / S, 10 by the conveying apparatus 60, 54, 38 in the process station P / S, 12. It is accommodated in one cassette C either by the conveyance mechanism 20 there (step S1).

상기 도포 현상 처리 시스템에 있어서는 예를 들어 도포 프로세스부 (24)의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 본 발명을 적용할 수가 있다. 이하, 도 3~도 22에 대해 본 발명을 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 적용한 하나의 실시 형태를 설명한다.In the coating and developing treatment system, the present invention can be applied to, for example, the resist coating units CT and 40 of the coating process unit 24. 3 to 22, one embodiment to which the present invention is applied to the resist coating units CT and 40 will be described.

도 3에 본 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트(CT, 40) 및 감압 건조 유니트(VD, 42)의 전체 구성을 나타낸다.3, the whole structure of the resist coating unit CT and 40 and the pressure reduction drying unit VD and 42 in this embodiment is shown.

도 3에 나타나는 바와 같이 지지대 또는 지지 프레임 (70) 위에 레지스트 도포 유니트(CT, 40)과 감압 건조 유니트(VD, 42)가 X방향으로 횡일렬로 배치되고 있다. 도포 처리를 받아야 할 새로운 기판 (G)는 반송로 (51)측의 반송 장치 (54,도 1)에 의해 화살표 FA로 나타나는 바와 같이 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 반입된다. 레지스트 도포 유니트(CT, 40)으로 도포 처리가 끝난 기판 (G)는 지지대 (70)상의 가이드 레일 (72)에 안내되는 X방향으로 이동 가능한 반송 아암 (74)에 의해 화살표 FB로 나타나는 바와 같이 감압 건조 유니트(VD, 42)에 전송된다. 감압 건조 유니트(VD, 42)로 건조 처리를 끝낸 기판 (G)는 반송로 (51)측의 반송 장치 (54,도 1)에 의해 화살표 Fc로 나타나는 바와 같이 물러난다.As shown in FIG. 3, the resist application | coating unit (CT, 40) and the pressure reduction drying unit (VD, 42) are arrange | positioned in the X direction on the support stand or the support frame 70. The new substrate G to be subjected to the coating treatment is carried into the resist coating units CT, 40 as indicated by the arrow F A by the conveying apparatus 54 (FIG. 1) on the conveying path 51 side. The substrate G, which has been coated with the resist coating units CT, 40, is indicated by an arrow F B by the transfer arm 74 which is movable in the X direction guided by the guide rail 72 on the support 70. Is sent to a vacuum drying unit (VD, 42). The board | substrate G which completed the drying process by the pressure reduction drying units VD and 42 is backed off by the conveyance apparatus 54 (FIG. 1) by the conveyance path 51 side as shown by arrow Fc.

레지스트 도포 유니트(CT, 40)은 X방향으로 길게 연장하는 스테이지 (76)을 갖고 스테이지 (76)상에서 기판 (G)를 동일 방향으로 평류하여 반송하면서, 스테이지 (76)의 윗쪽에 배치된 긴형의 레지스트 노즐 (78)에서 기판 (G)상에 레지스트액 을 공급하고 스핀레스법으로 기판 상면(피처리면)에 일정 막두께의 레지스트 도포막을 형성하도록 구성되고 있다. 유니트(CT, 40)내의 각부의 구성 및 작용은 후에 상술 한다.The resist coating units CT and 40 have a stage 76 extending in the X-direction, and are elongated disposed on the stage 76 while the substrate G is flown in parallel in the same direction on the stage 76. The resist nozzle 78 is configured to supply a resist liquid onto the substrate G and form a resist coating film having a predetermined film thickness on the upper surface (to-be-processed surface) of the substrate by the spinless method. The configuration and operation of each part in the unit CT 40 will be described later.

감압 건조 유니트(VD, 42)는 상면이 개구하고 있는 트레이 또는 저천용기형의 하부 챔버 (80)과 하부 챔버 (80)의 상면에 기밀하게 밀착 또는 끼워맞춤 가능하게 구성된 뚜껑 형상의 상부 챔버(도시하지 않음)를 가지고 있다. 하부 챔버 (80)은 대략 사각형으로 중심부에는 기판 (G)를 수평으로 재치하여 지지하기 위한 스테이지 (82)가 배치하여 설치되고 바닥면의 네 모서리에는 배기구 (83)이 설치되고 있다. 각 배기구 (83)은 배기관(도시하지 않음)을 개재하여 진공 펌프(도시하지 않음)에 통하고 있다. 하부 챔버 (80)에 상부 챔버를 씌운 상태로 양 챔버내의 밀폐된 처리 공간을 상기 진공 펌프에 의해 소정의 진공도까지 감압할 수 있게 되어 있다.The vacuum drying unit (VD) 42 has a lid-shaped upper chamber (not shown) configured to be hermetically adhered or fitted to the upper surface of the lower chamber 80 and the lower chamber 80 of a tray or a low-air container type with an upper surface opened. Not). The lower chamber 80 has a substantially rectangular shape, and a stage 82 for horizontally mounting and supporting the substrate G is disposed at the center thereof, and an exhaust port 83 is provided at four corners of the bottom surface. Each exhaust port 83 is connected to a vacuum pump (not shown) via an exhaust pipe (not shown). The closed processing space in both chambers can be reduced to a predetermined degree of vacuum by the vacuum pump while the upper chamber is covered by the lower chamber 80.

도 4 및 도 5에 본 발명의 하나의 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)내에 의해 상세한 전체 구성을 나타낸다.FIG. 4 and FIG. 5 show the whole detailed structure by the inside of the resist coating unit CT and 40 in one Embodiment of this invention.

본 실시 형태의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 있어서는 스테이지 (76)이 종래와 같이 기판 (G)를 고정 유지하는 재치대로서 기능하는 것이 아니라 기판 (G)를 공기압의 힘으로 공중에 띄우기 위한 기판 부상대로서 기능한다. 그리고, 스테이지 (76)의 양사이드에 배치되고 있는 직진 운동형의 기판 반송부 (84)가 스테이지 (76)상에서 떠 있는 기판 (G)의 양측 주변부를 각각 탈착 가능하게 유지해 스테이지 긴 방향(X방향)에 기판 (G)를 반송하도록 되어 있다.In the resist coating units CT and 40 of the present embodiment, the stage 76 does not function as a mounting table for holding and holding the substrate G as in the related art, but for floating the substrate G in the air by the force of air pressure. Functions as a substrate float. Subsequently, the linear movement substrate transfer part 84 disposed on both sides of the stage 76 maintains both side peripheral portions of the substrate G floating on the stage 76 in a detachable manner, and the stage longitudinal direction (X direction). ), The substrate G is conveyed.

상세하게는 스테이지 (76)은 긴 방향(X방향)에 있어서 5개의 영역 (M₁), M₂, M₃, M₄, M5에 분할되고 있다(도 5). 좌단의 영역 (M₁)은 영역이고, 도포 처리를 받아야 할 신규의 기판 (G)는 이 영역 (M₁)내의 소정 위치에 반입된다. 반입 영역 (M₁)에는 반송 장치 (54,도 1)의 반송 아암으로부터 기판 (G)를 받아 스테이지 (76)상에 로딩하기 위해서 스테이지 아래쪽의 원위치와 스테이지 윗쪽의 주행 이동위치의 사이에 승강 이동 가능한 복수개의 리프트 핀 (86)이 소정의 간격을 두고 설치되고 있다. 이들의 리프트 핀 (86)은 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)를 구동원에 이용하는 반입용의 리프트 핀 승강부(85,도 16)에 의해 승강 구동된다.In detail, the stage 76 is divided into five regions M ', M2, M3, M', and M5 in the long direction (X direction) (Fig. 5). The area M 'at the left end is an area, and the new substrate G to be subjected to the coating process is carried in at a predetermined position in this area M'. In order to receive the board | substrate G from the conveyance arm of the conveying apparatus 54 (FIG. 1), and to load it on the stage 76, the carry-in area | region M 'can move up and down between the original position of a stage below, and the traveling movement position of a stage upper side. A plurality of lift pins 86 are provided at predetermined intervals. These lift pins 86 are driven up and down by a lift pin lift unit 85 (FIG. 16) for carrying in, for example, using an air cylinder (not shown) as a drive source.

상기 반입 영역 (M₁)은 부상식의 기판 반송이 개시되는 영역이기도 하고 영역내의 스테이지 상면에는 기판 (G)를 반입용의 부상 높이 또는 부상량 (Ha)로 띄우기 위해서 고압 또는 정압의 압축 공기를 분출하는 분출구 (88)이 일정한 밀도로 다수 설치되고 있다. 여기서, 반입 영역 (M₁)에 있어서의 기판 (G)의 부상량 (Ha)는, 특히 높은 정밀도를 필요로 하지 않고, 예를 들어 250~350μm의 범위내로 유지되면 좋다. 또, 반송 방향(X방향)에 있어서 반입 영역 (M₁)의 사이즈는 기판 (G)의 사이즈를 웃돌고 있는 것이 바람직하다. 또한 반입 영역 (M₁)에는 기판 (G)를 스테이지 (76)상에서 위치 맞춤하기 위한 후술하는 얼라인먼트 기구 (200,도 13~도 15)도 설치되고 있다.The carry-in region M 'is also a region in which floating-type substrate transfer is started, and blows high-pressure or constant-pressure compressed air on the upper surface of the stage in the region in order to float the substrate G at the lift height or the lift amount Ha for loading. Many ejection openings 88 are provided at a constant density. Here, the floating amount Ha of the board | substrate G in the carry-in area | region M 'does not require especially high precision, For example, what is necessary is just to maintain in 250-350 micrometers. Moreover, it is preferable that the magnitude | size of the carry-in area | region M 'in the conveyance direction (X direction) exceeds the size of the board | substrate G. Moreover, the alignment mechanism 200 (FIGS. 13-15) mentioned later for positioning the board | substrate G on the stage 76 is also provided in loading area M '.

스테이지 (76)의 중심부로 설정된 영역 (M₃)은 레지스트액 공급 영역 또는 도포 영역이고, 기판 (G)는 도포 영역 (M₃)을 통과할 때에 윗쪽의 레지스트 노즐 (78)로부터 레지스트액 (R)의 공급을 받는다. 도포 영역 (M₃)에 있어서의 기판 부상량 (Hb)는 노즐 (78)의 하단(토출구)와 기판 상면(피처리면) 사이의 도포 갭 (S) , 예를 들어 240μm)를 규정한다. 상기 도포 갭 (S)는 레지스트 도포막의 막두께나 레지스트 소비량을 좌우하는 중요한 파라미터이고 높은 정밀도로 일정하게 유지될 필요가 있다. 이것으로부터 도포 영역 (M₃)의 스테이지 상면에는 예를 들어 도 6에 나타나는 바와 같은 배열 또는 분포 패턴으로 기판 (G)를 원하는 부상량 (Hb)로 띄우기 위해서 고압 또는 정압의 압축 공기를 분출하는 분출구 (88)과 부압으로 공기를 흡인하는 흡인구 (90)을 혼재시켜 설치하고 있다. 그리고, 기판 (G)의 도포 영역 (M₃)내를 통과하고 있는 부분에 대해서 분출구 (88)로부터 압축 공기에 의한 수직상향의 힘을 더하는 것과 동시에 흡인구 (90)에서 부압흡인력에 의한 수직 하향의 힘을 더해 상대 저항하는 쌍방향의 힘의 밸런스를 제어하는 것으로 도포용의 부상량 (Hb)를 설정값 (Hs,예를 들어 50μm) 부근에 유지하도록 하고 있다. 반송 방향(X방향)에 있어서의 도포 영역 (M₃)의 사이즈는 레지스트 노즐 (78)의 바로아래에 상기와 같은 좁은 도포 갭 (S)를 안정되게 형성할 수 있을 정도의 여유가 있으면 좋고 통상은 기판 (G)의 사이즈보다 작아 좋은 예를 들어 1/3~1/4정도로 좋다.The region M3, which is set to the center of the stage 76, is a resist liquid supply region or an application region, and the substrate G is formed from the upper resist nozzle 78 when the resist liquid R passes through the application region M₃. Receive the supply. The substrate floating amount Hb in the coating region M 3 defines the coating gap S, for example, 240 μm, between the lower end (discharge port) of the nozzle 78 and the upper surface of the substrate (to-be-processed surface). The coating gap S is an important parameter that determines the film thickness and resist consumption of the resist coating film and needs to be kept constant with high precision. From this, on the upper surface of the stage of the application region M₃, for example, a spout port for blowing compressed air of high pressure or constant pressure in order to float the substrate G in a desired flotation amount Hb in an arrangement or distribution pattern as shown in FIG. 88 and a suction port 90 that suck air at negative pressure are provided in a mixture. Then, the vertical upward force by the compressed air from the jet port 88 is added to the portion passing through the coating area M3 of the substrate G, and the vertical downward direction is caused by the negative pressure suction force at the suction port 90. The force is added to control the balance of the bidirectional force of the relative resistance so that the floating amount Hb for application is kept near the set value Hs (for example, 50 µm). The size of the coating area M3 in the conveying direction (X direction) should just be enough to be able to stably form the narrow coating gap S as described above directly under the resist nozzle 78. Smaller than the size of the substrate G, for example, 1/3 to 1/4 may be good.

도 6에 나타나는 바와 같이 도포 영역 (M₃)에 있어서는 기판 반송 방향(X방향)에 대해서 일정한 경사진 각도를 이루는 직선 (C)상에 분출구 (88)과 흡인구 (90)을 교대로 배치하고 인접하는 각 열 사이에 직선 (C)상의 피치에 적당한 오프 셋 (α)를 설치하고 있다. 관련하는 배치 패턴에 의하면 분출구 (88) 및 흡인구 (90)의 혼재 밀도를 균일하게 해 스테이지상의 기판 부상력을 균일화 가능할 뿐만 아니라 기판 (G)가 반송 방향(X방향)으로 이동할 때에 분출구 (88) 및 흡인구 (90)과 대향하는 시간의 비율을 기판 각부에서 균일화하는 것도 가능하고 이것에 의해 기판 (G)상에 형성되는 도포막에 분출구 (88) 또는 흡인구 (90)의 트레이스 또는 전사 흔적이 남는 것을 방지할 수가 있다. 도포 영역 (M₃)의 입구에서는 기판 (G)의 선단부가 반송 방향과 직교하는 방향(Y방향)으로 균일한 부상력을 안정되게 받도록 동일 방향(직선 J상)으로 배열하는 분출구 (88) 및 흡인구 (90)의 밀도를 높게 하는 것이 바람직하다. 또, 도포 영역 (M₃)에 있어서도 스테이지 (76)의 양측주변부(직선 K상)에는 기판 (G)의 양측 주변부가 늘어지는 것을 방지하기 위해서 분출구 (88)만을 배치하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 6, in the application | coating area | region M3, the ejection opening 88 and the suction opening 90 are alternately arrange | positioned adjacently on the straight line C which makes a constant inclination angle with respect to a board | substrate conveyance direction (X direction). The offset (alpha) suitable for the pitch on the straight line (C) is provided between each row | line | column. According to the related arrangement pattern, not only the mixing density of the jet port 88 and the suction port 90 can be made uniform, so that the substrate floating force on the stage can be uniform, but also the jet port 88 when the substrate G moves in the conveying direction (X direction). ) And the ratio of time opposed to the suction port 90 can be equalized at each of the substrates, whereby the trace or transfer of the jet port 88 or the suction port 90 to the coating film formed on the substrate G. You can prevent the traces from leaving. At the inlet of the coating area M₃, the ejection opening 88 and the suction port 88 arranged in the same direction (straight line J-phase) so as to stably receive the uniform floating force in the direction (Y direction) orthogonal to the conveying direction at the tip of the substrate G. It is desirable to make the density of the population 90 high. In addition, in the coating area M3, it is preferable to arrange only the ejection opening 88 in both peripheral portions (straight line K phase) of the stage 76 in order to prevent both peripheral portions of the substrate G from sagging.

다시 도 5에 있어서 반입 영역 (M₁)과 도포 영역 (M₃)의 사이로 설정된 중간의 영역 (M₂)는 반송중에 기판 (G)의 부상 높이 위치를 반입 영역 (M₁)에 있어서 부상량 (Ha)로부터 도포 영역 (M₃)에 있어서의 부상량 (Hb)로 변화 또는 천이시키기 위한 천이 영역이다. 상기 천이 영역 (M₂)내에서도 스테이지 (76)의 상면에 분출구 (88)과 흡인구 (90)을 혼재시켜 배치할 수가 있다. 그때 흡인구 (90)의 밀도를 반송 방향을 따라 점차 크게 하고, 이것에 의해 반송중에 기판 (G)의 부상량이 점차적으로 Ha로부터 Hb로 옮기도록 해도 좋다. 혹은, 상기 천이 영역 (M₂)에 있어서는 흡인구 (90)을 포함하지 않고 분출구 (88)만을 설치하는 구성도 가능하다.In FIG. 5 again, the intermediate region M2 set between the carry-in region M 'and the application region M₃ is used to determine the floating height position of the substrate G during the transfer from the floating amount Ha in the carry-in region M'. It is a transition region for changing or transitioning to the floating amount Hb in the application region M3. Even in the transition region M2, the ejection opening 88 and the suction opening 90 can be mixed and disposed on the upper surface of the stage 76. At that time, the density of the suction port 90 may be gradually increased along the conveyance direction, whereby the floating amount of the substrate G may be gradually transferred from Ha to Hb during conveyance. Or in the said transition area | region M2, the structure which does not include the suction port 90 but provides only the jet port 88 can also be provided.

도포 영역 (M₃)의 하류측 근처의 영역 (M₄)는 반송중에 기판 (G)의 부상량을 도포용의 부상량 (Hb)로부터 반출용의 부상량 (Hc,예를 들어 250~350μm)로 바꾸기 위한 천이 영역이다. 천이 영역 (M₄)에서도 스테이지 (76)의 상면에 분출구 (88)과 흡인구 (90)을 혼재시켜 배치해도 좋고 그때 흡인구 (90)의 밀도를 반송 방향을 따라 점차 작게 하는 것이 좋다. 혹은 흡인구 (90)을 포함하지 않고 분출구 (88)만을 설치하는 구성도 가능하다. 또, 도 6에 나타나는 바와 같이 도포 영역 (M₃)와 동일하게 천이 영역 (M₄)에서도 기판 (G)상에 형성된 레지스트 도포막에 전사 흔적이 남는 것을 방지하기 위해서 흡인구 (90 및 분출구 (88)을 기판 반송 방향(X방향)에 대해서 일정한 경사진 각도를 이루는 직선 (E)상에 배치하고 인접하는 각 열간에 배열 피치로 적당한 오프셋 (β)을 설치하는 구성이 바람직하다.The area M₄ near the downstream side of the coating area M₃ is the floating amount of the substrate G from the floating amount Hb for coating to the floating amount Hc (for example, 250 to 350 μm) during conveyance. The transition area to change. Also in the transition region M ', the jet port 88 and the suction port 90 may be mixed on the upper surface of the stage 76, and the density of the suction port 90 may be gradually reduced along the conveyance direction. Alternatively, a configuration in which only the jet port 88 is provided without including the suction port 90 may be provided. In addition, as shown in FIG. 6, the suction port 90 and the ejection opening 88 are used to prevent the transfer traces from remaining in the resist coating film formed on the substrate G in the transition region M 영역 similarly to the coating region M₃. Is preferably arranged on a straight line E that forms a constant inclined angle with respect to the substrate conveyance direction (X direction), and a configuration in which an appropriate offset β is provided at an arrangement pitch between adjacent rows.

스테이지 (76)의 하류단(우단)의 영역 (M5)는 반출 영역이다. 레지스트 도포 유니트(CT, 40)으로 도포 처리를 받은 기판 (G)는 반출 영역 (M5)내의 소정 위치 또는 반출 위치로부터 반송 아암 (74, 도 3)에 의해 하류측 근처의 감압 건조 유니트(VD,42 ;도 3)에 반출된다. 반출 영역 (M5)에는 기판 (G)를 반출용의 부상량 (Hc)로 띄우기 위한 분출구 (88)이 스테이지 상면에 일정한 밀도로 다수 설치되고 있는 것과 동시에 기판 (G)를 스테이지 (76)상에서 언로딩 해 반송 아암 (74,도 3)에 수수하기 위해서 스테이지 아래쪽의 원위치와 스테이지 윗쪽의 주행 이동위치의 사이에 승강 이동 가능한 복수개의 리프트 핀 (92)가 소정의 간격을 두고 설치되고 있다. 이들의 리프트 핀 (92)는 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)를 구동원으로 이용하는 반출용의 리프트 핀 승강부 (91, 도 16)에 의해 승강 구동된다.The region M 5 at the downstream end (right end) of the stage 76 is an unloading area. The substrate G subjected to the coating treatment with the resist coating units CT, 40 is a reduced pressure drying unit VD near the downstream side by the transfer arm 74 (FIG. 3) from a predetermined position or an ejecting position in the carrying out region M 5 . , 42; and FIG. 3). In the carrying out area M 5 , a plurality of blowout holes 88 for floating the substrate G as the floating amount Hc for carrying out are provided on the stage upper surface with a constant density, and at the same time, the substrate G is placed on the stage 76. In order to unload and receive the conveyance arm 74 (FIG. 3), the several lift pin 92 which can move up and down between the original position below a stage and the traveling movement position of a stage upper side is provided at predetermined intervals. These lift pins 92 are driven up and down by a lift pin lifter 91 (FIG. 16) for carrying out, for example, using an air cylinder (not shown) as a drive source.

레지스트 노즐 (78)은 스테이지 (76)상의 기판 (G)를 일단으로부터 타단까지 커버 할 수 있는 길이로 반송 방향과 직교하는 수평 방향(Y방향)으로 연장하는 긴길이 형상의 노즐 본체의 하단에 슬릿 형상의 토출구 (78a)를 갖고, 문형 또는 역コ 자형의 노즐 지지체 (130)에 승강 가능하게 장착되어 레지스트액 공급 기구 (170, 도 12, 도 16)으로부터의 레지스트액 공급관(94,도 4)에 접속되고 있다.The resist nozzle 78 is a slit at the lower end of the long-length nozzle main body extending in the horizontal direction (Y direction) orthogonal to the conveying direction in a length that can cover the substrate G on the stage 76 from one end to the other end. The resist liquid supply pipe 94 (FIG. 4) from the resist liquid supply mechanism 170 (FIG. 12, FIG. 16) which has a discharge outlet 78a of a shape, is attached to the gate support body 130 of a gate type | mold or an inverted | corrugated shape, and can be elevated. Is connected to.

도 4, 도 7 및 도 8에 나타나는 바와 같이 기판 반송부 (84)는 스테이지 (76)의 좌우 양사이드에 평행하게 배치된 한 쌍의 가이드 레일 (96)과 각 가이드 레일 (96)상에 축방향(X방향)으로 이동 가능하게 장착된 슬라이더 (98)과 각 가이드 레일 (96)상에서 슬라이더 (98)을 직진 이동시키는 반송 구동부 (100)과 각 슬라이더 (98)로부터 스테이지 (76)의 중심부로 향해 연장하여 기판 (G)의 좌우 양측 주변부를 탈착 가능하게 유지하는 유지부 (102)를 각각 가지고 있다.As shown in FIG. 4, FIG. 7, and FIG. 8, the board | substrate conveyance part 84 has a shaft on each guide rail 96 and a pair of guide rails 96 arrange | positioned in parallel to the left and right sides of the stage 76. FIG. From the slider 98 which is movably mounted in the direction (X direction) and the conveyance drive part 100 which moves the slider 98 straight on each guide rail 96, and each slider 98 to the center part of the stage 76, It has the holding | maintenance part 102 which extends toward and detachably holding both left and right peripheral parts of the board | substrate G. As shown in FIG.

여기서, 반송 구동부 (100)은 직진형의 구동 기구 예를 들어 리니어 모터에 의해 구성되고 있다. 또, 유지부 (102)는 기판 (G)의 좌우 양측 주변부의 하면에 진공 흡착력으로 결합하는 흡착 패드 (104)와 선단부에서 흡착 패드 (104)를 지지하고 슬라이더 (98)측의 기단부를 지점으로서 선단부의 높이 위치를 바꿀 수 있도록 탄성변형 가능한 판용수철형의 패드 지지부 (106)을 각각 가지고 있다. 흡착 패드 (104)는 일정한 피치로 일렬로 배치되어 패드 지지부 (106)은 각각의 흡착 패드 (104)를 독립으로 지지하고 있다. 이것에 의해 개개의 흡착 패드 (104) 및 패드 지지부 (106)이 독립한 높이 위치에서(다른 높이 위치에서도) 기판 (G)를 안정되게 유지할 수 있게 되어 있다.Here, the conveyance drive part 100 is comprised by the linear drive mechanism, for example, a linear motor. Moreover, the holding | maintenance part 102 supports the adsorption pad 104 which couples to the lower surface of the left and right peripheral parts of the board | substrate G by vacuum adsorption force, and the adsorption pad 104 in the front end part, and the base end part of the slider 98 side as a point. Each of the spring supporting pads 106 is elastically deformable so as to change the height position of the tip portion. Suction pads 104 are arranged in a row at a constant pitch so that the pad support portion 106 independently supports each of the suction pads 104. Thereby, the individual adsorption pad 104 and the pad support part 106 can hold | maintain the board | substrate G stably in independent height position (even in another height position).

도 7 및 도 8에 나타나는 바와 같이 본 실시 형태에 있어서의 패드 지지부 (106)은 슬라이더 (98)의 내측면에 승강 가능하게 장착된 판 형상의 패드 승강 부재 (108)에 장착되고 있다. 슬라이더 (98)에 탑재되고 있는 예를 들어 에어 실린더로부터 이루어지는 패드 액츄에이터 (109, 도 16)이 패드 승강 부재 (108)을 기판 (G)의 부상 높이 위치보다 낮은 원위치(퇴피 위치)와 기판 (G)의 부상 높이 위치에 대응하는 주행 이동 위치(결합 위치)의 사이에 승강 이동시키게 되어 있다.As shown to FIG. 7 and FIG. 8, the pad support part 106 in this embodiment is attached to the plate-shaped pad lifting member 108 of the plate shape so that lifting and lowering was possible to the inner surface of the slider 98. As shown in FIG. The pad actuator 109 (FIG. 16) formed from the air cylinder, for example, mounted on the slider 98 causes the pad elevating member 108 to have its original position (retracted position) lower than the lift height position of the substrate G and the substrate G. It moves up and down among the traveling movement positions (coupling position) corresponding to the floating height position of ().

도 9에 나타나는 바와 같이 각각의 흡착 패드 (104)는 예를 들어 합성고무제로 직방체 형상의 패드 본체 (110)의 상면에 복수개의 흡인구 (112)를 설치하고 있다. 이들의 흡인구 (112)는 슬릿 형상의 긴 구멍이지만 고리나 구형의 작은 구멍이라도 좋다. 흡착 패드 (104)에는, 예를 들어 합성고무로 이루어지는 띠형상의 버큠관 (114)가 접속되고 있다. 이들의 버큠관 (114)의 관로 (116)은 패드 흡착 제어부 (115,도 16)의 진공원에 각각 통하고 있다.As shown in FIG. 9, each suction pad 104 is provided with the some suction port 112 in the upper surface of the pad main body 110 of a rectangular parallelepiped shape, for example. These suction ports 112 are slit-shaped long holes, but may be rings or spherical small holes. The suction pad 104 is connected to a belt shaped tube 114 made of, for example, synthetic rubber. The ducts 116 of these suction pipes 114 communicate with the vacuum source of the pad adsorption control part 115 (FIG. 16), respectively.

유지부 (102)에 있어서는 도 4에 나타나는 바와 같이 한쪽측 일렬의 진공 흡착 패드 (104) 및 패드 지지부 (106)이 1조별로 분리하고 있는 분리형 또는 완전 독립형의 구성이 바람직하다. 그러나, 도 10에 나타나는 바와 같이 노치 부분 (118)을 설치한 한 장의 판용수철로 한쪽측 일렬 분의 패드 지지부 (120)을 형성해 그 위에 한쪽측 일렬의 진공 흡착 패드 (104)를 배치하는 일체형의 구성도 가능하다.As for the holding | maintenance part 102, as shown in FIG. 4, the structure of the separated type | mold or completely independent type which isolate | separates one row of the vacuum suction pad 104 and the pad support part 106 by one set is preferable. However, as shown in Fig. 10, a single piece of spring for which the notch portion 118 is provided to form a pad support portion 120 for one side, and the one side of the vacuum suction pad 104 is disposed thereon. Configuration is also possible.

상기와 같이, 스테이지 (76)의 상면에 형성된 다수의 분출구 (88) 및 그들로 부상력 발생용의 압축 공기를 공급하는 압축 공기 공급 기구 (122, 도 11), 또 스테이지 (76)의 도포 영역 (M₃)내에 분출구 (88)과 혼재해 형성된 다수의 흡인구 (90) 및 그들에 진공의 압력을 공급하는 버큠 공급 기구 (124, 도 11)에 의해 반입 영역 (M₁)이나 반출 영역 (M5)에서는 기판 (G)를 반입출이나 고속 반송에 적절한 부상량으로 띄우고 도포 영역 (M₃)에서는 기판 (G)를 안정되며 또한 정확한 레지스트 도포 주사에 적절한 설정 부상량 (Hs)로 띄우기 위한 스테이지 기판 부상부 (145,도 16)가 구성되고 있다.As described above, the plurality of jet holes 88 formed on the upper surface of the stage 76 and the compressed air supply mechanism 122 (FIG. 11) for supplying the compressed air for generating the floating force thereto, and the application area of the stage 76 (M₃) in the air outlet 88 and are mixed to formed a plurality of the suction port (90) and import area by beokyum supply mechanism (124, 11) for supplying a vacuum pressure to them (M₁) and out area (M 5 ) Floats the substrate (G) at a floating level suitable for loading and unloading or high-speed transfer, and staging of the substrate (G) at the application area (M₃) to stabilize the substrate (G) at a set floating amount (Hs) suitable for accurate resist coating scanning. The part 145 (FIG. 16) is comprised.

도 11에, 노즐 승강기구 (75), 압축 공기 공급 기구 (122) 및 버큠 공급 기구 (124)의 구성을 나타낸다. 노즐 승강기구 (75)는 도포 영역 (M₃) 위를 반송 방향(X방향)과 직교하는 수평 방향(Y방향)으로 넘도록 가설된 문형 프레임 (130)과 문형 프레임 (130)에 장착된 좌우 한 쌍의 수직 운동 기구 (132L, 132R)과 이들의 수직 운동 기구 (132L, 132R)의 사이에 걸치는 이동체(승강체)의 노즐 지지체 (134)를 가진다. 각 수직 운동 기구 (132L, 132R)의 구동부는 예를 들어 플러스모터로 이루어지는 전동 모터 (138L, 138R), 볼 나사 (140L, 140R) 및 가이드 부재 (142L, 142R)을 가지고 있다. 플러스모터 (138L, 138R)의 회전력이 볼 나사 기구(140L,142L), (140R, l42R)에 의해 수직 방향의 직선 운동으로 변환되어 승강체의 노즐 지지체 (134)와 일체로 레지스트 노즐 (78)이 수직 방향으로 승강 이동한다. 플러스모터 (138L, 138R)의 회전량 및 회전 정지 위치에 의해 레지스트 노즐 (78)의 좌우 양측의 승강 이동량 및 높이 위치를 임의로 제어할 수 있게 되어 있 다. 노즐 지지체 (134)는 예를 들어 각진 기둥의 강체로 이루어지고 그 하면 또는 측면으로 레지스트 노즐 (78)을 플랜지, 볼트등을 개재하여 탈착 가능하게 장착하고 있다.11, the structure of the nozzle elevating mechanism 75, the compressed air supply mechanism 122, and the blower supply mechanism 124 is shown. The nozzle elevating mechanism 75 is a pair of left and right mounted on the door-shaped frame 130 and the door-shaped frame 130, which are arranged to pass over the application area M₃ in a horizontal direction (Y direction) orthogonal to the conveying direction (X direction). It has a nozzle support 134 of the movable body (elevating body) between the vertical movement mechanisms 132L and 132R of these, and these vertical movement mechanisms 132L and 132R. The drive part of each vertical movement mechanism 132L, 132R has the electric motors 138L and 138R which consist of plus motors, the ball screws 140L and 140R, and the guide members 142L and 142R, for example. The rotational force of the positive motors 138L and 138R is converted into linear motion in the vertical direction by the ball screw mechanisms 140L, 142L and 140R and l42R so that the resist nozzle 78 is integral with the nozzle support 134 of the lifting body. It moves up and down in the vertical direction. The lifting amounts and height positions of the left and right sides of the resist nozzle 78 can be arbitrarily controlled by the rotation amounts and the rotation stop positions of the plus motors 138L and 138R. The nozzle support 134 is made of, for example, a rigid body of an angled pillar, and the resist nozzle 78 is detachably attached to the lower surface or the side thereof via a flange, a bolt, or the like.

압축 공기 공급 기구 (122)는 스테이지 (76) 상면에서 분할된 복수의 지역별로 분출구 (88)에 접속된 정압머니홀드 (144)와 그들 정압머니홀드 (144)에 예를 들어 공장용력의 압축 공기 공급원 (146)으로부터의 압축 공기를 보내는 압축 공기 공급원 (146)과 압축 공기 공급원 (146)의 도중에 설치되는 레귤레이터 (150)을 가지고 있다. 버큠 공급 기구 (124)는 스테이지 (76) 상면에서 분할된 복수의 지역별로 흡인구 (90)에 접속된 부압머니홀드 (152)와 그들 부압머니홀드 (152)로부터 예를 들어 공장용력의 진공원 (154)에 공기를 끌어 들이는 버큠관 (156)과 버큠관 (156)의 도중에 설치되는 조임밸브 (158)을 가지고 있다.The compressed air supply mechanism 122 is connected to the constant pressure money holder 144 connected to the spout 88 for each of the plurality of regions divided on the upper surface of the stage 76 and the compressed air of factory power, for example. It has a compressed air source 146 which sends compressed air from the source 146, and the regulator 150 provided in the middle of the compressed air source 146. As shown in FIG. The vacuum supply mechanism 124 is, for example, a vacuum source of plant power from the negative pressure hold 152 and the negative pressure hold 152 connected to the suction port 90 for each of the plurality of regions divided on the upper surface of the stage 76. 154 has a suction pipe 156 which draws in air and a tightening valve 158 provided in the middle of the suction pipe 156.

도 12에, 레지스트액 공급 기구 (170)의 구성을 나타낸다. 본 레지스트액 공급 기구 (170)은 레지스트액 (R)을 저장하는 병 (172)에서 흡입관 (174)를 개재하여 적어도 도포 처리 1회분 (기판 1매분 )의 레지스트액 (R)을 레지스트 펌프 (176)에 미리 충전해 두어 도포 처리시에 레지스트 펌프 (176)에서 레지스트액 (R)을 토출관 또는 레지스트액 공급관 (94)를 개재하여 레지스트 노즐 (78)에 소정의 압력으로 압송하고 레지스트 노즐 (78)으로부터 기판 (G)상에 레지스트액 (R)을 소정의 유량으로 토출하게 되어 있다.12, the structure of the resist liquid supply mechanism 170 is shown. The resist liquid supplying mechanism 170 is configured to pass the resist liquid R at least once for one coating process (for one substrate) through the suction pipe 174 in the bottle 172 storing the resist liquid R. ), The resist liquid R is pushed to the resist nozzle 78 at a predetermined pressure through the discharge pipe or the resist liquid supply pipe 94 by the resist pump 176 at the time of the coating process, and the resist nozzle 78 ), The resist liquid R is discharged onto the substrate G at a predetermined flow rate.

병 (172)는 밀폐되고 있어 병내의 액면을 향해 가스관 (178)에서 압송 가스 예를 들어 N2가스가 일정한 압력으로 공급되게 되어 있다. 가스관 (178)에는, 예를 들어 에어 오퍼레이트에 밸브로부터 이루어지는 개폐 밸브 (180)이 설치되고 있다.The bottle 172 is sealed, and a pressurized gas, for example, N 2 gas, is supplied at a constant pressure from the gas pipe 178 toward the liquid level in the bottle. The gas pipe 178 is provided with the opening / closing valve 180 which consists of a valve in air operation, for example.

흡입관 (174)의 도중에는 필터 (182), 탈기모듈 (184) 및 개폐 밸브 (186)이 설치되고 있다. 필터 (182)는 병 (172)로부터 보내져 오는 레지스트액 (R)안의 이물(쓰레기류)을 제거하고, 탈기모듈 (184)는 레지스트액안의 기포를 제거한다. 개폐 밸브 (186)은 예를 들어 에어 오퍼레이트 밸브로 이루어지는 흡입관 (174)에 있어서의 레지스트액 (R)의 흐름을 온(전개 도통) 또는 오프(차단) 한다.The filter 182, the degassing module 184, and the opening / closing valve 186 are provided in the middle of the suction pipe 174. The filter 182 removes foreign matter (garbage) in the resist liquid R sent from the bottle 172, and the degassing module 184 removes bubbles in the resist liquid. The opening / closing valve 186 turns on (development conduction) or off (blocks) the flow of the resist liquid R in the suction pipe 174 which consists of an air operated valve, for example.

레지스트액 공급관 (94)의 도중에는, 개폐 밸브 (188)이 설치되고 있다. 필터나 색 백 밸브는 설치되지 않았다. 본 개폐 밸브 (188)은, 예를 들어 에어 오퍼레이트 밸브로 이루어지는 레지스트액 공급관 (94)에 있어서의 레지스트액 (R)의 흐름을 온(전개 도통) 또는 오프(차단) 한다. 레지스트 펌프 (176)은 예를 들어 실린지(syringe))펌프로 이루어지고 펌프실을 가지는 펌프 본체 (190)과 펌프실의 용적을 임의로 바꾸기 위한 피스톤 또는 플런저 (192)와 본 플런저 (192)를 왕복 운동시키기 위한 펌프 구동부 (194)를 가지고 있다.An open / close valve 188 is provided in the middle of the resist liquid supply pipe 94. No filter or color bag valves were installed. The on-off valve 188 turns on (development conduction) or off (blocks) the flow of the resist liquid R in the resist liquid supply pipe 94 which consists of an air operated valve, for example. The resist pump 176 is composed of, for example, a syringe pump and reciprocates the pump body 190 having the pump chamber and the piston or plunger 192 and the bone plunger 192 for arbitrarily changing the volume of the pump chamber. It has a pump drive 194 to make it.

레지스트액 공급 제어부 (196)은 국소 콘트롤러이고, 콘트롤러 (230,도 16)으로부터의 지령에 따라 레지스트액 공급 기구 (170)내의 각부, 특히 레지스트 펌프 (176)의 펌프 구동부 (194)나 각 개폐 밸브 (180, 186, 188)등을 제어한다.The resist liquid supply control unit 196 is a local controller, and according to instructions from the controller 230 (FIG. 16), each part in the resist liquid supply mechanism 170, in particular, the pump drive unit 194 or each open / close valve of the resist pump 176 is controlled. (180, 186, 188) and the like.

도 13~도 15에, 스테이지 (76)의 반입 영역 (M₁)에 설치되는 얼라인먼트 기구 (200)의 구성을 나타낸다. 얼라인먼트 기구 (200)은 도 13에 나타나는 바와 같이, 스테이지 (76)의 반입 영역 (M₁)에 반입된 기판 (G)의 네 모서리에 접할 수 있는 복수개 예를 들어 8개의 얼라인먼트핀 (202A, 202B, 204A, 204B, (206A, 206B), 208A, 208B)를 가지고 있다.13-15, the structure of the alignment mechanism 200 provided in the carry-in area | region M 'of the stage 76 is shown. As shown in FIG. 13, the alignment mechanism 200 includes a plurality of, for example, eight alignment pins 202A, 202B, which may contact four corners of the substrate G carried in the carry-in area M₁ of the stage 76. 204A, 204B, (206A, 206B), 208A, 208B).

도 14에 나타나는 바와 같이 이들 8개의 얼라인먼트핀 가운데, 도포 영역 (M₃)집합의 2개의 핀 (202A, 202B)는 기존 정한 기준 위치 (Pa)로 기판 (G)의 전단의 변 (Ga)를 지지하도록 하여 이것에 접하도록 되어 있다. 또, 고정 핀 (202A, 202B)와 대향하는 2개의 핀 (204A, 204B)는, 기존 정한 원위치 (Pb)로부터 상기 기준 위치 (Pa)로 향해 이동을 개시하고, 도중에 기판 (G)의 후단의 변 (Gb)에 접하면서 동일방향으로 이동하고 기판 (G)의 전단의 변 (Ga)를 반대측의 고정 핀 (202A, 202B)에 밀어 붙히도록 기능한다. 도포 주사 방향을 기준으로서 좌측의 2개의 핀 (206A, 206B) 및 우측의 2개의 핀 (208A, 208B)는 각각 기존 정한 원위치 Pc, Pd로부터 스테이지 (76)의 중심을 지나는 선(가상선, 76C)로 향해 서로 접근하는 방향으로 동시에 이동해, 기판 (G)의 좌측의 변 (Gc) 및 우측의 변 (Gd)에 각각 접해(기판 (G)를 좌우 양측으로부터 사이에 두어), 기판 (G)의 중심선을 스테이지 중심선 (76C)에 맞추도록(센터링함) 동작한다.As shown in FIG. 14, of these eight alignment pins, the two pins 202A and 202B of the application area M₃ set support the edge Ga of the front end of the substrate G at a predetermined reference position Pa. It is supposed to touch this. In addition, the two pins 204A and 204B facing the fixing pins 202A and 202B start their movement from the previously defined home position Pb toward the reference position Pa, and are located at the rear end of the substrate G on the way. It functions to move in the same direction while contacting the side Gb and to push the side Ga of the front end of the substrate G to the fixing pins 202A and 202B on the opposite side. The two pins 206A and 206B on the left side and the two pins 208A and 208B on the right side respectively refer to the line passing through the center of the stage 76 from the previously defined home position Pc and Pd (virtual line, 76C). ) Move simultaneously in the direction of approaching each other toward), contacting the left side (Gc) and the right side (Gd) of the substrate (G) between the left and right sides respectively, the substrate (G) Align the centerline of the centerline with the centerline 76C.

도 15A 및 도 15B에, X방향 가동 얼라인먼트핀 (204A, 204B)를 구동하기 위한핀 구동부 (210)의 구성예를 나타낸다. Y방향 가동 얼라인먼트핀 (206A, 206B), (208A, 208B)의 구동에도 핀 구동부 (210)과 같은 핀 구동부를 이용할 수가 있다.15A and 15B show an example of the configuration of the pin driver 210 for driving the X-direction movable alignment pins 204A and 204B. The same pin driver as the pin driver 210 can be used to drive the Y-direction movable alignment pins 206A, 206B and 208A, 208B.

핀 구동부 (210)은 예를 들어 실린더로부터 이루어지는 승강 구동부 (212)와 승강 구동부 (212)의 수직 구동축의 선단(상단)에 결합된 수평 지지판 (214)와 수 평 지지판 (214) 위에 장착된 수평 구동부 (216)을 가지고 있다. 수평 구동부 (216)의 핀 구동축 (218)이 그 선단부에 얼라인먼트핀 (204A, 204B)를 수직으로 지지해 일정한 수평 방향(X방향)으로 전진 이동 또는 후퇴 이동해 가동 범위내의 임의의 위치에서 정지할 수 있게 되어 있다.The pin driver 210 is mounted horizontally on the horizontal support plate 214 and the horizontal support plate 214, for example, coupled to the lift drive unit 212 made of a cylinder and the tip (top) of the vertical drive shaft of the lift drive unit 212. It has a drive unit 216. The pin drive shaft 218 of the horizontal drive unit 216 vertically supports the alignment pins 204A, 204B at its distal end, and moves forward or backward in a constant horizontal direction (X direction) to stop at any position within the movable range. It is supposed to be.

수평 구동부 (216)은 도시 생략 하지만, 예를 들어 전동 모터와 전동 모터의 회전력을 핀 구동축 (218)의 수평 직진 운동으로 변환하기 위한 운동 변환 기구와 전동 모터의 동작(회전·정지)을 제어하기 위한 제어부를 구비하고 있다. 얼라인먼트핀 (204A, 204B)의 전진 이동 시에 부하 토르크가 일정값을 넘으면 제어부가 전동 모터의 회전을 정지시키고 얼라인먼트핀 (204A, 204B)를 그 정지 위치로 유지하게 되어 있다.Although the horizontal drive part 216 is not shown in figure, for example, the motion conversion mechanism for converting the rotational force of an electric motor and an electric motor into the horizontal linear motion of the pin drive shaft 218, and controlling the operation (rotation and stop) of an electric motor are shown. It is provided with a control unit. If the load torque exceeds a certain value during the forward movement of the alignment pins 204A and 204B, the control unit stops the rotation of the electric motor and maintains the alignment pins 204A and 204B at their stop positions.

본 실시 형태에서는 얼라인먼트 시에 도포 주사 방향(X방향)에 있어서의 기판 (G)의 길이를 측정하기 위한 위치(또는 이동거리) 센서 (220)을 핀 구동부 (210)에 탑재하고 있다. 도시의 구성 예의 위치(이동거리) 센서 (220)은 수평 리니어 스케일이고, 수평 지지판 (214)에 고정된 핀 이동 방향(X방향)과 평행하게 연장하는 눈금부 (220A)와 눈금부 (220A)를 얼라인먼트핀 (204A, 204B) 측으로부터 광학적으로 독취하도록 핀 구동축 (218)에 장착된 눈금 독취부 (220B)를 가지고 있다.In this embodiment, the pin drive part 210 mounts the position (or moving distance) sensor 220 for measuring the length of the board | substrate G in an application | coating scanning direction (X direction) at the time of alignment. Position (movement distance) sensor 220 of the structural example of the figure is a horizontal linear scale, and the scale part 220A and the scale part 220A which extend in parallel with the pin movement direction (X direction) fixed to the horizontal support plate 214 Has a scale reading part 220B attached to the pin drive shaft 218 so as to read optically from the alignment pins 204A and 204B side.

얼라인먼트 동작에 있어서 기판 (G)가 리프트 핀 (86)의 하강에 의해 스테이지 (76)의 반입 영역 (M₁)에 윗쪽으로부터 반입되면 먼저 실린더 (212)의 승강 구동에 의해, 얼라인먼트핀 (204A, 204B)가 스테이지 (76)보다 낮은 소정의 퇴피 위치로부터 기판 (G)보다 핀 선단이 높아지는 소정의 주행 이동위치까지 수직으로 상승한다. 이 때, 얼라인먼트핀 (204A, 204B)는 이동 방향(X방향)에 있어서 원위치 (Pb)에 있어 기판 (G)의 후단의 변 (Gb)와 부정의 거리를 멀리해 마주본다.In the alignment operation, when the substrate G is carried in from the upper portion into the carry-in region M 'of the stage 76 by the lowering of the lift pin 86, the alignment pins 204A and 204B are first driven by the lifting and lowering drive of the cylinder 212. ) Rises vertically from a predetermined retracted position lower than the stage 76 to a predetermined traveling movement position at which the tip of the pin is higher than the substrate G. At this time, the alignment pins 204A and 204B face the distance Gb at the rear end of the substrate G away from the negative position in the home position Pb in the moving direction (X direction).

다음에, 수평 구동부 (216)이 동작해 얼라인먼트핀 (204A, 204B)를 전진 시킨다. 얼라인먼트핀 (204A, 204B)는 전진이동 도중에 기판 (G)의 뒤측변 (Gb)의 측면으로 접해 그대로 기판 (G)를 누르면서 전진 이동한다. 기판 (G)는 스테이지 (76)의 분출구 (88)에서 주어지는 공기압(부상력)으로 떠 있어 수평 방향으로 유연하게 이동할 수가 있다. 이렇게 해 기판 (G)는 얼라인먼트핀 (204A, 204B)에 밀려 누름 방향(X방향)으로 이동하고 머지않아 전단측의 변 (Ga)의 측면이 고정 얼라인먼트핀 (202A, 202B)에 접한다(도 14). 그렇다면 X방향에 있어서 기판 (G)는 가동 얼라인먼트핀 (204A, 204B)와 고정 얼라인먼트핀 (202A, 202B)에서 끼여서 움직이지 못하게 되어 부하 토르크의 상승에 의해 수평 구동부 (216)의 구동도 정지하고 X방향에 있어서의 얼라인먼트가 완료한다(도 15B). 한편 Y방향에 있어서는, 좌측의 가동 얼라인먼트핀 (206A, 206B)와 우측의 가동 얼라인먼트핀 (208A, 208B)가 기판 (G)를 좌우 양측으로부터 끼워진 상태로 얼라인먼트가 완료한다.Next, the horizontal drive unit 216 operates to advance the alignment pins 204A and 204B. The alignment pins 204A and 204B are in contact with the side surface of the rear side Gb of the substrate G during the forward movement and move forward while pressing the substrate G as it is. The board | substrate G is floated by the air pressure (floating force) given by the blowing port 88 of the stage 76, and can be moved to the horizontal direction flexibly. In this way, the board | substrate G is pushed by the alignment pins 204A and 204B, and moves to a pushing direction (X direction), and the side surface of the side edge Ga of a front end side soon contacts the fixed alignment pins 202A and 202B (FIG. 14). ). Then, in the X direction, the substrate G is caught by the movable alignment pins 204A, 204B and the fixed alignment pins 202A, 202B, and cannot move, so that the driving of the horizontal drive unit 216 is stopped by the increase of the load torque. Alignment in the direction is completed (FIG. 15B). On the other hand, in the Y direction, the alignment is completed with the left movable alignment pins 206A and 206B and the right movable alignment pins 208A and 208B sandwiching the substrate G from both the left and right sides.

이렇게 해 얼라인먼트가 완료하고 나서 위치(이동거리) 센서 (220)을 통해서가동 얼라인먼트핀 (204A, 204B)의 현재 위치 즉 주행 이동 위치 (Pb')를 독취한다. 콘트롤러 (230, 도 16)은 위치(이동거리) 센서 (220)으로 독취한 가동 얼라인먼트핀 (204A, 204B)의 주행 이동위치 (Pb', 측정값)과 고정 얼라인먼트핀 (202A, 202B)의 기준 위치 (Pa, 기존 정한값) 사이의 거리 간격 (DG)를 구하고 거리 간격 (Dc)를 해당 기판 (G)의 기판 길이가 측정값으로 한다. 혹은, 위치(이동거리) 센서 (220)을 통해서 가동 얼라인먼트핀 (204A, 204B)의 원위치 (Pb)로부터 주행 이동 위치 (Pb')까지의 이동거리 (δX)를 구하고 원위치 (Pb, 기존 정한값)과 고정 얼라인먼트핀 (202A, 202B)측의 기준 위치 (Pa, 기존 정한값)과의 사이의 기준 거리(기존 정한값, Dx)로부터 이동거리 (δX)(측정값)을 빼고 그 차이 (Dx- δX) 값을 기판 (G)의 길이의 측정값으로 하는 것도 가능하다.In this way, after the alignment is completed, the current position of the movable alignment pins 204A and 204B, that is, the traveling movement position Pb ', is read through the position (travel distance) sensor 220. The controller 230 (FIG. 16) is a reference of the traveling movement position (Pb ', measured value) of the movable alignment pins 204A and 204B read by the position (travel distance) sensor 220 and the fixed alignment pins 202A and 202B. The distance interval D G between positions (Pa, the existing fixed value) is obtained, and the distance interval Dc is the substrate length of the substrate G as the measured value. Alternatively, the travel distance (δX) from the home position (Pb) of the movable alignment pins (204A, 204B) to the travel movement position (Pb ') is obtained via the position (travel distance) sensor 220, and the home position (Pb, previously determined value) is obtained. ) And the difference (Dx) by subtracting the movement distance (δX) (measured value) from the reference distance (existing limit value, Dx) between the reference position (Pa, existing limit value) on the side of the fixed alignment pins (202A, 202B). It is also possible to set the value [Delta] X) to the measured value of the length of the substrate G.

또한 고정 얼라인먼트핀 (202A, 202B)는 기준 위치 (Pa)로 수직 방향으로 만 이동하면 좋고 도시 생략 하지만 예를 들어 승강 구동부 (212, 도 15A, 도 l5B)에 직결되는 것으로 좋다.In addition, the fixed alignment pins 202A and 202B may move only in the vertical direction to the reference position Pa, and may be omitted. For example, the fixed alignment pins 202A and 202B may be directly connected to the lifting drive unit 212 (FIG. 15A, L5B).

도 16에 본 실시 형태의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 있어서의 제어계의 주요한 구성을 나타낸다. 콘트롤러 (230)은, 마이크로 컴퓨터로 이루어지는 유니트내의 각부 특히 레지스트액 공급 기구 (170), 노즐 승강기구 (75), 스테이지 기판 부상부 (145), 기판 반송부 (84),반송 구동부 (100), 패드 흡착 제어부 (115), 패드 액츄에이터 (109), 반입용 리프트 핀 승강부 (85), 반출용 리프트 핀 승강부 (91), 얼라인먼트 기구 (200), 위치(이동거리) 센서 (220)등의 개개의 동작과 전체의 동작(씨퀀스)를 제어한다.The main structure of the control system in the resist coating unit (CT, 40) of this embodiment is shown in FIG. The controller 230 includes the respective parts in the unit consisting of a microcomputer, in particular, the resist liquid supply mechanism 170, the nozzle lift mechanism 75, the stage substrate floating portion 145, the substrate transfer portion 84, the transfer drive portion 100, The pad adsorption control part 115, the pad actuator 109, the lift pin lift part 85 for carrying in, the lift pin lift part 91 for carrying out, the alignment mechanism 200, the position (moving distance) sensor 220, etc. Control individual operations and overall operations (sequences).

다음에, 본 실시 형태의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 있어서의 도포 처리 동작을 설명한다.Next, the application | coating process operation | movement in the resist application | coating unit (CT, 40) of this embodiment is demonstrated.

콘트롤러 (230)은 예를 들어 광디스크등의 기억 매체에 격납되고 있는 도포 처리 프로그램을 주메모리에 취입하여 실행하고 프로그램된 일련의 도포 처리 동작을 제어한다. 도 17에, 본 도포 처리 동작의 주요한 순서를 나타낸다.The controller 230, for example, executes and executes a coating process program stored in a storage medium such as an optical disc into the main memory, and controls the programmed series of coating process operations. The main procedure of this coating process operation is shown in FIG.

먼저 반송 장치 (54,도 1)에서 미처리의 새로운 기판 (G)가 스테이지 (76)의 반입 영역 (M₁)에 반입된다. 이 경우, 리프트 핀 (86)이 주행 이동 위치에서 상기 기판 (G)를 수취하고 반송 장치 (54)가 퇴출 한 후에 리프트 핀 (86)이 하강해 기판 (G)를 반송용의 높이 위치 즉 부상량 (Ha)의 높이 위치(도 5)까지 내린다(스텝A₁).First, the unprocessed new board | substrate G is carried in to the loading area M 'of the stage 76 by the conveying apparatus 54 (FIG. 1). In this case, after the lift pin 86 receives the said board | substrate G in a travel movement position, and the conveying apparatus 54 is withdrawn, the lift pin 86 will descend | fall and the board | substrate G will be lifted in the height position for conveyance, ie, floating. It descends to the height position (FIG. 5) of quantity Ha (step A ').

그 다음에, 얼라인먼트 기구 (200)이 작동하고 상기와 같이 부상 상태의 기판 (G)에 사방으로부터 얼라인먼트핀 (202A~208B)를 밀어 붙이도록 하여 기판 (G)를 스테이지 (76)상에서 위치 맞춤 한다(스텝A2). 상기 얼라인먼트 시에 상기한 바와 같이 위치(이동거리) 센서 (220)을 통해서 반송 방향에 있어서의 기판 (G)의 길이 사이즈를 측정한다(스텝A₃).Subsequently, the alignment mechanism 200 is operated and the substrate G is positioned on the stage 76 by pushing the alignment pins 202A to 208B from all directions to the substrate G in the floating state as described above. (Step A2). At the time of the alignment, the length size of the substrate G in the conveying direction is measured via the position (moving distance) sensor 220 (step A₃).

콘트롤러 (230)은 기판 길이 사이즈의 측정값을 기본으로 기판 (G)에 대한 도포 주사를 위한 소정의 파라미터를 보정한다. 관련되는 보정 파라미터로서 기판 (G)에 대한 도포 주사의 개시 위치, 종료 위치, 주사 거리, 주사 시간, 레지스트액 토출의 개시 타이밍, 종료 타이밍, 토출 지속 시간등을 선택할 수가 있다.The controller 230 corrects certain parameters for the application scan on the substrate G based on the measurement of the substrate length size. As a related correction parameter, a start position, an end position, a scan distance, a scan time, a start timing of a resist liquid discharge, an end timing, a discharge duration and the like can be selected.

혹은, 레지스트 노즐 (78)의 토출 압력 및 기판 (G)의 반송 속도를 각각 제어하기 위한 도 18에 나타나는 바와 같은 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)의 파형을 가변의 보정 파라미터로 할 수도 있다. 이들의 토출 압 력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)는 도포 주사에 있어 콘트롤러 (230)이 메모리로부터 파형 신호 또는 압력 제어 신호 및 반송 속도 제어 신호로서 독출하여 레지스트액 공급 기구 (170) 및 기판 반송부 (84)에 주는 것이다.Alternatively, the waveforms of the discharge pressure control waveform SP (t) and the scan speed control waveform SV (t) as shown in FIG. 18 for controlling the discharge pressure of the resist nozzle 78 and the conveyance speed of the substrate G are varied. It can also be set as a correction parameter. These discharge pressure control waveform SP (t) and scan speed control waveform SV (t) are read out from the memory as a waveform signal or a pressure control signal and a conveyance speed control signal by the controller 230 in the coating scan, and the resist liquid supply mechanism It supplies to 170 and the board | substrate conveyance part 84.

이러한 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)는 시간축상으로 설정되어 있고 이것을 도포 주사 방향의 X축상의 파형 SP(x), SV(x)에 치환할 수가 있다. 그 경우, 주사 속도 제어 파형 SV(t)에 있어서는 그 활성 시작 단이 도포 주사의 개시 위치에 대응하고 비활성의 종단이 도포 주사의 종료 위치에 대응한다. 또한 토출 압력 제어 파형 SP(t)와 주사 속도 제어 파형 SV(t)의 사이에는 임의의 시간차이가 설치되어 좋은 예를 들어 토출 압력 제어 파형 SP(t)에 대해서 주사 속도 제어 파형 SV(t)가 다소 늦어지도록 양자의 타이밍 관계가 설정된다.The discharge pressure control waveform SP (t) and the scanning speed control waveform SV (t) are set on the time axis and can be replaced by the waveforms SP (x) and SV (x) on the X axis in the coating scan direction. In that case, in the scanning speed control waveform SV (t), the active start end corresponds to the start position of the application scan, and the end of inactivity corresponds to the end position of the application scan. In addition, an arbitrary time difference may be provided between the discharge pressure control waveform SP (t) and the scan speed control waveform SV (t). For example, the scan speed control waveform SV (t) may be used for the discharge pressure control waveform SP (t). The timing relationship of both is set so that is slightly later.

일반적으로, 토출 압력 제어 파형 SP(t)와 주사 속도 제어 파형 SV(t)는 기판 길이가 규격값 또는 표준값에 근거해 설정되어 있다. 따라서 외형 치수의 공차나 휘어짐 등으로 기판 (G)의 기판 길이가 표준값으로부터 어긋나 있는 경우에, 표준의 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)를 이용해 도포 주사를 실시하면 그 기판이 어긋남(오차)에 따라 도포 주사의 개시 위치 또는 도포 주사의 종료 위치가 어긋나게 된다. 통상, 스테이지 (76)상에서는 상기한 얼라인먼트 뿐만이 아닌 도포 주사에서도 기판 (G)의 전단의 변 (Ga)를 기준 위치에 맞추어 기판 길이가 오차의 유무나 오차의 정도에 구애받지 않고 기판 (G)상의 도포 주사의 개시를 항상 일정 위치에 제어할 수가 있다. 즉, 기판 길이가 표준값으로부터 어긋나고 있으면, 대체로 도포 주사의 종료 위치에 영향이 나타나 예를 들어 해당 기판 (G)의 기판 길이가 표준값보다 작고, 그 오차의 정도가 크면 기판 (G)의 후단을 지나쳐 버려 기판 (G)의 밖으로 레지스트액을 흘려 버리는 경우도 있다.In general, the discharge pressure control waveform SP (t) and the scan speed control waveform SV (t) are set based on the substrate length or the standard value. Therefore, when the substrate length of the substrate G deviates from the standard value due to the tolerances of the external dimensions, the warpage, etc., the coating scan is performed using the standard discharge pressure control waveform SP (t) and the scanning speed control waveform SV (t). As the substrate shifts (errors), the start position of the coating scan or the end position of the coating scan is shifted. Normally, on the stage 76, the edge of the front end of the substrate G is adjusted to the reference position in the coating scan as well as the above-described alignment, regardless of the presence or absence of the error and the degree of the error. The start of coating injection can always be controlled at a fixed position. That is, if the substrate length is shifted from the standard value, the effect is generally affected at the end position of the coating scan. For example, if the substrate length of the substrate G is smaller than the standard value, and the degree of the error is large, it passes over the rear end of the substrate G. In some cases, the resist liquid may flow out of the substrate G.

상기에서 본 실시 형태에서는 상기와 같이 스테이지 (76)의 반입 영역 (M₁)에 있어서의 기판 (G)의 얼라인먼트 시에 구해지는 기판 길이의 측정값을 기본으로, 콘트롤러 (230)에 있어서 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)를 보정한다(스텝A₄). 구체적으로는 표준의 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)를 상기와 같이 X축상의 토출 압력 제어 파형 SP(x) 및 주사 속도 제어 파형 SV(x)에 치환하여 양쪽 파형 SP(x), SV(x)에 기판 길이가 측정값에 따른 보정을 걸고 보정 후의 양쪽 파형 SP(x), SV(x)를 시간축상의 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)에 치환한다. 혹은, 기판 길이의 측정값을 시간으로 환산해 표준의 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)에 직접 보정을 거는 것도 가능하다.In the present embodiment described above, the discharge pressure is controlled in the controller 230 based on the measured value of the substrate length determined at the time of alignment of the substrate G in the carry-in region M (of the stage 76 as described above. The waveform SP (t) and the scanning speed control waveform SV (t) are corrected (step A '). Specifically, the standard discharge pressure control waveform SP (t) and the scan speed control waveform SV (t) are replaced with the discharge pressure control waveform SP (x) and the scan speed control waveform SV (x) on the X-axis as described above. The substrate length is corrected to the waveforms SP (x) and SV (x) according to the measured value, and the discharge pressure control waveform SP (t) and the scan speed control waveform on the time axis are adjusted to both waveforms SP (x) and SV (x) after the correction. Substitute in SV (t). Alternatively, the measured value of the substrate length can be converted into time to directly correct the standard discharge pressure control waveform SP (t) and the scan speed control waveform SV (t).

본 실시 형태에 있어서는, 상기와 같은 도포 주사 파라미터 보정 기능에 의해, 예를 들어 해당 기판 (G)의 기판 길이가 표준값보다 작은 경우는 도 18에 있어서 일점 쇄선으로 나타나는 바왁 kx이 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)의 종단 부분을 단축하는 바와 같은 보정을 걸 수 있다. 이 보정은 도포 주사가 개시되기 전에 행해진다.In this embodiment, when the substrate length of the said board | substrate G is smaller than a standard value by the above-mentioned application | coating scanning parameter correction function, for example, the barak kx represented by a dashed-dotted line in FIG. 18 is discharge pressure control waveform SP. (t) and a correction such as shortening the terminal portion of the scan speed control waveform SV (t) can be applied. This correction is made before the coating scan is started.

상기와 같이 하여 반입 영역 (M₁)에 있어서 기판 (G)의 얼라인먼트 및 기판 길이 측정이 끝나면 얼라인먼트 기구 (200)은 얼라인먼트핀 (202A~208B)를 기판 (G)로부터 떼어 놓아 수직 아래쪽으로 퇴피 위치까지 내린다. 그 직후에, 기판 반 송부 (84)는 유지부 (102)로 기판 (G)의 측주변부를 유지한 채로 슬라이더 (98)을 반송 시점 위치로부터 반송 방향(X방향)에 비교적 고속의 일정 속도로 직진 이동시킨다. 이렇게 해 기판 (G)가 스테이지 (76)상을 뜬 상태로 반송 방향(X방향)에 직진 이동해 기판 (G)의 전단부가 도포 영역 (M₃)내의 설정 위치 또는 도포 주사 개시 위치에 도착한 지점에서 기판 반송부 (84)가 제1 단계의 기판 반송을 정지한다.After the alignment of the substrate G and the measurement of the substrate length in the carry-in area M₁ are completed as described above, the alignment mechanism 200 separates the alignment pins 202A to 208B from the substrate G to the retracted position vertically downward. Get off. Immediately thereafter, the substrate conveying unit 84 moves the slider 98 at a relatively high speed in the conveying direction (X direction) from the conveying time position while maintaining the side periphery of the substrate G in the holding unit 102. Move straight. In this way, the board | substrate G moves straight to a conveyance direction (X direction) in the state which floated on the stage 76, and the board | substrate at the point where the front-end | tip part of the board | substrate G arrived at the setting position in the application | coating area | region M₃ or the application | coating scanning start position is carried out. The conveyance part 84 stops conveyance of the board | substrate of a 1st step.

상기와 같이 기판 (G)가 도포 영역 (M₃)내의 설정 위치 즉 도포 주사 개시 위치에 도착해 거기서 정지하면 콘트롤러 (230)의 제어아래에서 노즐 승강기구 (75,도 11)가 작동하고 레지스트 노즐 (78)을 수직 아래쪽에 내리고, 노즐의 토출구 (78a)와 기판 (G)의 거리 간격 또는 도포 갭을 초기값(예를 들어 60μm)에 맞춘다. 그 다음에, 콘트롤러 (230)의 제어아래에서 레지스트액 공급 기구 (170, 도 12)이 레지스트액 (R)의 토출을 개시하는 것과 동시에 기판 반송부 (84)도 제2 단계의 기판 반송을 개시하고 한편 노즐 승강기구 (75)가 레지스트 노즐 (78)을 도포 갭이 설정값 (SA , 예를 들어 240μm)가 될 때까지 일순간으로 상승시키고 그 후는 그대로 기판 (G)를 수평 이동시킨다. 이렇게 해 레지스트액 공급 기구 (170)에 있어서의 레지스트액 토출 동작과 기판 반송부 (84)에 있어서의 기판 반송 동작의 동기가 취해진 협동 또는 제휴에 의해 기판 (G)에 대한 도포 주사가 행해진다(스텝A5).As described above, when the substrate G arrives at the set position in the application region M3, that is, the application scanning start position, and stops there, the nozzle elevating mechanism 75 (Fig. 11) is operated under the control of the controller 230, and the resist nozzle ( 78) is lowered vertically, and the distance or coating gap of the discharge port 78a of the nozzle and the board | substrate G is set to the initial value (for example, 60 micrometers). Then, under the control of the controller 230, the resist liquid supply mechanism 170 (FIG. 12) starts discharging the resist liquid R, and the substrate transfer part 84 also starts the substrate transfer in the second step. On the other hand, the nozzle elevating mechanism 75 raises the resist nozzle 78 at an instant until the coating gap becomes the set value S A (for example, 240 μm), and then horizontally moves the substrate G as it is. In this way, the application | coating scan to the board | substrate G is performed by the cooperation or cooperation which the synchronization of the resist liquid discharge operation in the resist liquid supply mechanism 170 and the board | substrate conveyance operation in the board | substrate conveyance part 84 was performed ( Step A 5 ).

여기서, 레지스트액 공급 기구 (170)에 있어서의 레지스트액 토출 동작은, 상기와 같이 얼라인먼트 동작 시에 구해진 기판 길이 측정값을 기초로 보정한 토출 압력 제어 파형 SP(t)에 따라 행해진다. 또, 기판 반송부 (84)에 있어서의 제2 단계 즉 도포 주사용의 기판 반송은 상기와 같이 얼라인먼트 시에 구해진 기판 길이 측정값에 근거해 보정한 주사 속도 제어 파형 SV(t)에 따라 행해진다.Here, the resist liquid discharge operation in the resist liquid supply mechanism 170 is performed in accordance with the discharge pressure control waveform SP (t) corrected based on the substrate length measured value obtained at the time of the alignment operation. In addition, the 2nd step in the board | substrate conveyance part 84, ie, the board | substrate conveyance for application | coating scan, is performed according to the scanning speed control waveform SV (t) correct | amended based on the board | substrate length measurement value calculated | required at the time of alignment as mentioned above. .

이렇게 해 도포 영역 (M₃)내에 있어서 기판 (G)가 수평 자세로 반송 방향(X방향)으로 일정 속도 (Vs)로 이동하는 것과 동시에 긴형의 레지스트 노즐 (78)이 바로아래의 기판 (G)를 향해 레지스트액 (R)을 일정한 토출 압력 (Ps)로 띠형상으로 토출하는 것으로 도 19 및 도 20에 나타나는 바와 같이 기판 (G)의 전단측으로부터 후단 측에 향해 레지스트액의 도포막 (RM)이 일정한 막두께로 형성되어 간다.In this way, in the coating area M₃, the substrate G moves at a constant speed Vs in the conveyance direction (X direction) in a horizontal posture, and at the same time, the elongated resist nozzle 78 moves the substrate G immediately below. As shown in FIGS. 19 and 20, the coating film RM of the resist liquid is discharged from the front end side to the rear end side of the substrate G by discharging the resist liquid R at a constant discharge pressure Ps. It is formed to a certain film thickness.

도 21에 나타나는 바와 같이 도포 영역 (M₃)에서 상기와 같은 도포 처리가 끝나면 즉 기판 (G)의 후단부가 레지스트 노즐 (78)의 바로 아래를 지나는 부근에서, 레지스트액 공급 기구 (170)이 레지스트 노즐 (78)로부터의 레지스트액 (R)의 토출을 종료시킨다. 이것과 거의 동시에 기판 반송부 (84)는 제2 단계(도포 주사용)의 기판 반송을 정지한다.As shown in FIG. 21, when the above-mentioned application | coating process is complete | finished in the application | coating area | region M3, ie, in the vicinity where the rear end part of the board | substrate G passes just under the resist nozzle 78, the resist liquid supply mechanism 170 is a resist nozzle. Discharge of the resist liquid R from 78 is terminated. Almost simultaneously with this, the board | substrate conveyance part 84 stops the board | substrate conveyance of a 2nd step (for coating scan).

도 22에, 상기와 같은 도포 주사에 의해 기판 (G)상에 형성되는 레지스트 도포막 (RM)의 도포 주사 종료후의 패턴을 모식적으로 나타낸다. 기판 (G)의 주변부에는 일점 쇄선 (L)로 나타나는 바와 같이 제품 영역 즉 막두께 보증 영역 (ES)와 비제품 영역 즉 막두께비 보증 영역(마진 영역, EM)을 나누는 가상의 영역 경계선이 설정되어 있다.In FIG. 22, the pattern after completion | finish scan of the resist coating film RM formed on the board | substrate G by the above-mentioned coating scan is shown typically. As shown by the dashed-dotted line L, the periphery of the board | substrate G sets the virtual area | region boundary which divides a product area | region, a film thickness guarantee area ES, and a non-product area, a film thickness ratio guarantee area (margin area | region, EM). have.

본 실시 형태에 있어서는 상기와 같이 기판 (G)의 기판 길이 측정값을 기본으로 보정한 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t)에 따라 도 포 주사를 함으로 기판 (G)상에 레지스트 도포막 (RM)를 원하는 아웃라인(외곽선) 및 막두께 프로 파일로 형성할 수가 있다. 즉, 도 22에 나타나는 바와 같이 기판 (G)상에서 레지스트 도포막 (RM)의 아웃라인을 기판 엣지의 밖으로 돌출시키는 경우 없이 마진 영역 (EM)내의 원하는 위치에 맞추어 도포 주사의 개시 위치 부근 및 종료 위치 부근으로 할 수 있는 레지스트 도포막 (RM)의 액무덤(RMA)을 실질적으로 마진 영역 (EM)내에 멈추는(막후 보증 영역 (ES)에 들어 오지 않게 한다)것이 가능하다.In the present embodiment, the substrate G is subjected to application scanning in accordance with the discharge pressure control waveform SP (t) and the scan speed control waveform SV (t), which are corrected based on the substrate length measurement value of the substrate G as described above. The resist coating film RM can be formed on a desired outline (outline) and film thickness profile on the film. That is, as shown in FIG. 22, the start and end positions of the coating scan are made in accordance with the desired position in the margin area EM without projecting the outline of the resist coating film RM on the substrate G out of the substrate edge. It is possible to substantially stop the liquid tomb RMA of the resist coating film RM which can be near (without entering the post-film guarantee region ES) in the margin area EM.

또한 도포 주사 방향과 직교하는 방향(Y방향)에 있어서도 얼라인먼트 시에 기판 (G)를 스테이지 (76)상에서 센터링해 레지스트 노즐 (78)의 중심선에 맞추고 있으므로 기판 (G)의 폭사이즈에 공차나 오차가 있어도 그 오차를 좌우 균등하게 2 분할하여 레지스트 도포막 (RM)의 아웃라인 및 막두께 프로 파일을 좌우 균등하게 정렬 할 수가 있다.In addition, in the direction (Y direction) orthogonal to the coating scanning direction, the substrate G is centered on the stage 76 at the time of alignment so that the substrate G is aligned with the center line of the resist nozzle 78, so that the tolerance and error in the width size of the substrate G are adjusted. Even if there is a gap, the error is divided into two equally to the left and right, and the outline and the film thickness profile of the resist coating film RM can be equally aligned to the left and right.

상기와 같은 도포 주사가 종료한 후에 노즐 승강기구 (75)가 레지스트 노즐 (78)을 수직 윗쪽으로 들어 올려 기판 (G)로부터 퇴피시킨다. 다음에 기판 반송부 (84)는 반송 속도가 비교적 큰 제3 단계의 기판 반송을 개시한다. 그리고, 기판 (G)가 반출 영역 (M5)내의 반송 종점 위치에 도착하면 기판 반송부 (84)는 제3 단계의 기판 반송을 정지한다. 이 직후에, 패드 흡착 제어부 (115)가 흡착 패드 (104)에 대한 버큠 공급을 멈추고 이것과 동시에 패드 액츄에이터 (109)가 흡착 패드 (104)를 주행 이동 위치(결합 위치)에서 원위치(퇴피 위치)로 내리고 기판 (G)의 양측 단부로부터 흡착 패드 (104)를 분리시킨다. 이 때, 패드 흡착 제어부 (115)는 흡착 패드 (104)에 정압(압축 공기)을 공급하고 기판 (G)로부터의 분리를 빠르게 한다. 대신해, 리프트 핀 (92)가 기판 (G)를 언로딩 하기 위해서 스테이지 아래쪽의 원위치에서 스테이지 윗쪽의 주행 이동 위치에 상승한다.After the above-described application scanning is completed, the nozzle elevating mechanism 75 lifts the resist nozzle 78 vertically upward to evacuate the substrate G. Next, the board | substrate conveyance part 84 starts the board | substrate conveyance of a 3rd step with a comparatively large conveyance speed. Then, when the substrate (G) arrives at the conveying end position in the out zone (5 M) the substrate feed section 84 stops the substrate carrying the third step. Immediately after this, the pad adsorption control unit 115 stops supplying the suction pad 104 to the suction pad 104 and at the same time, the pad actuator 109 moves the suction pad 104 from the traveling movement position (coupling position) to its original position (retraction position). Lower and separate the adsorption pad 104 from both ends of the substrate G. At this time, the pad adsorption control unit 115 supplies the positive pressure (compressed air) to the adsorption pad 104 and accelerates separation from the substrate G. Instead, the lift pin 92 ascends from the original position below the stage to the traveling movement position above the stage to unload the substrate G. FIG.

다음에 반출 영역 (M5)에 반출기 즉 반송 아암 (74)가 액세스 해, 리프트 핀 (92)로부터 기판 (G)를 수취하여 스테이지 (76)의 밖에 반출한다(스텝A6). 기판 반송부 (84)는 기판 (G)를 리프트 핀 (92)에 건네주었다면 즉시 반입 영역 (M₁)으로 고속도로 되돌린다. 반출 영역 (M5)로 상기와 같이 처리완료의 기판 (G)가 반출될 즈음에 반입 영역 (M₁)에서는 다음에 도포 처리를 받아야 할 새로운 기판 (G)에 대해서 상기와 같이 하여 반입, 얼라인먼트, 기판 길이 측정, 반송 개시가 차례로 행해진다.Next, the carrying out machine ie, the conveying arm 74, accesses the carrying out area M 5 , receives the substrate G from the lift pin 92, and takes it out of the stage 76 (step A 6 ). The board | substrate conveyance part 84 immediately returns to the loading area M 'if the substrate G is passed to the lift pin 92. When the processed substrate G is carried out to the carry-out area M 5 as described above, in the carry-in area M₁ as described above, the new substrate G to be subjected to the coating process is carried out as described above. Substrate length measurement and conveyance start are performed in order.

상기와 같이 본 실시 형태의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)은 스테이지 (76)의 도포 영역 (M₃)에 있어서의 도포 주사에 앞서 반입 영역 (M₁)로 얼라인먼트 기구 (200)에 의해 기판 (G)의 위치 맞춤을 실시하는 것과 동시에 위치(이동거리) 센서 (220)을 이용해 기판 (G)의 길이 사이즈를 측정하고 기판 사이즈 측정값에 따라 도포 주사용의 소정의 파라미터 예를 들어 도포 주사 개시 위치(타이밍), 도포 주사 종료 위치(타이밍) 도포 주사 거리(도포 주사 시간) 혹은 토출 압력 제어 파형 SP(t) 및 주사 속도 제어 파형 SV(t) 등에 보정을 건다. 그리고, 이렇게 해 보정을 걸친 파라미터를 이용해 도포 영역 (M₃)에서 도포 주사를 실시하는 것으로, 기판 (G)의 사이즈에 공차나 오차가 있어도 기판 (G)상에 형성되는 레지스트 도포막 (RM)의 아웃라인이나 막두께 프로 파일에 기판 사이즈의 오차의 영향이 나타나지 않게 하는 것이 가능하고 나아가서는 도포 처리의 신뢰성 및 제품 비율을 향상시킬 수가 있다.As described above, the resist coating units CT and 40 of the present embodiment are arranged by the alignment mechanism 200 by the alignment mechanism 200 to the loading region M₁ prior to the coating scan in the coating region M3 of the stage 76. The length size of the substrate G is measured using the position (movement distance) sensor 220 at the same time as the alignment of the substrate, and the predetermined parameter for coating coating, for example, the coating scanning starting position ( Timing), coating scan end position (timing), coating scan distance (coating scan time), or discharge pressure control waveform SP (t) and scanning speed control waveform SV (t). In this way, the coating scan is performed in the coating area M3 by using the parameters which have been corrected. Thus, even if there is a tolerance or an error in the size of the substrate G, the resist coating film RM formed on the substrate G is removed. It is possible to prevent the influence of the error of the substrate size from appearing in the outline or the film thickness profile, and further improve the reliability and product ratio of the coating process.

이상 본 발명을 매우 적합한 실시 형태에 대해서 설명했지만 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니고 그 기술 사상의 범위내에서 여러 가지의 변형이 가능하다.As mentioned above, although highly suitable embodiment was described, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible within the scope of the technical idea.

예를 들어, 상기 실시 형태에서는 가동 얼라인먼트핀 (204A, 204B)의 위치 또는 이동거리를 측정하기 위해서 광학식의 센서(수평 리니어 스케일 220)를 이용했다. 그러나, 비광학식의 센서도 사용 가능하고 수평 구동부 (216)내의 전동 모터의 회전량으로부터 이동거리 측정값을 구하는 것도 가능하다.For example, in the said embodiment, the optical sensor (horizontal linear scale 220) was used in order to measure the position or moving distance of movable alignment pin 204A, 204B. However, a non-optical sensor can also be used, and it is also possible to obtain a moving distance measured value from the rotation amount of the electric motor in the horizontal drive unit 216.

또, 상기 실시 형태에서, 얼라인먼트 시에 기판 (G)의 사이즈를 도포 주사 방향만으로 측정했다. 그러나, 도포 주사 방향(X방향)과 직교하는 방향(Y방향)으로 기판 사이즈를 측정해도 좋고 기판 사이즈 측정값에 근거해 도포 처리용의 소정의 파라미터를 보정할 수가 있다. 예를 들어, Y방향에 있어서 기판 (G)의 센터링을 실시하지 않고 기판 (G)의 다른 한쪽의 변을 기준 위치에 맞추는 경우 기판 사이즈에 공차나 오차가 있으면 기판 (G)의 중심선이 스테이지 중심선 (76C)의 중심선으로부터 어긋난다. 거기서 Y방향에 있어서 기판 사이즈 측정값에 따라 레지스트 노즐 (78)을 변위시키는 것도 가능하다. 다른면에 있어서, 기판 (G)에 대한 얼라인먼트를 도포 주사 방향(X방향)만으로 실시해, 그것과 직교하는 방향(Y방향)에서는 생략 하는 것도 가능하다. 또, 도포 주사 방향(X방향)에 있어서 얼라인먼트핀 (202A, 202B)를 고정형으로부터 가동형으로 변경하는 것도 가능하다.Moreover, in the said embodiment, the size of the board | substrate G was measured only in the coating scan direction at the time of alignment. However, the substrate size may be measured in the direction (Y direction) orthogonal to the coating scan direction (X direction), or the predetermined parameter for the coating process can be corrected based on the substrate size measured value. For example, when adjusting the other side of the substrate G to the reference position without centering the substrate G in the Y direction, if there is a tolerance or an error in the substrate size, the centerline of the substrate G is the stage centerline. Deviate from the centerline of (76C). It is also possible to displace the resist nozzle 78 in the Y direction according to the substrate size measurement value. On the other side, alignment with respect to the board | substrate G can be performed only in an application | coating scanning direction (X direction), and can also be abbreviate | omitted in the direction orthogonal to it. It is also possible to change the alignment pins 202A and 202B from the fixed mold to the movable mold in the coating scanning direction (X direction).

상기한 실시 형태는 부상 반송식의 스핀레스 도포법과 관련되는 것이었지만, 본 발명은 흡착 고정형의 스테이지상에 기판을 수평에 재치 고정하고, 기판 윗쪽에서 긴형 레지스트 노즐을 노즐 긴 방향과 직교하는 수평 방향으로 이동시키면서 기판상의 구석 끝으로부터 구석 끝까지 레지스트액을 도포하는 방식의 스핀레스 도포법에도 적용 가능하다. 그 경우에서도 흡착 고정형 스테이지 위에서 기판의 위치 맞춤을 행하기 위한 얼라인먼트 기구를 설치하는 것과 동시에 얼라인먼트 시에 기판의 사이즈(특히 도포 주사 방향의 사이즈)를 측정하는 기판 사이즈 측정부를 갖출 수가 있다.Although the above-described embodiment is related to the floating transfer type spinless coating method, the present invention is to mount the substrate horizontally on the suction fixed stage, and to place the long resist nozzle in the horizontal direction perpendicular to the nozzle long direction on the substrate. It is also applicable to the spinless coating method of applying the resist liquid from the corner end to the corner end on the substrate while moving. Also in this case, it is possible to provide a substrate size measuring unit for measuring the size of the substrate (particularly the size in the coating scan direction) during alignment, while providing an alignment mechanism for positioning the substrate on the adsorption fixed stage.

또, 본 발명에 있어서의 기판 사이즈의 측정은 도포 주사의 직전에 실시하는 것이 가장 바람직하지만 도포 현상 처리 시스템(도 1) 내에서 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에서 프로세스 플로우에 관하여 상류에 위치하는 임의의 유니트로 기판의 얼라인먼트를 하는 경우에는 그 장소에서 기판의 사이즈를 측정하는 것도 가능하다.In addition, although the measurement of the board | substrate size in this invention is performed most immediately before application | coating scan, it is located upstream with respect to a process flow in the resist application | coating unit (CT) 40 in the application | coating development process system (FIG. 1). When the substrate is aligned in any unit, it is also possible to measure the size of the substrate at the location.

본 발명에 있어서의 처리액으로서는 레지스트액 이외로도 예를 들어 층간 절연 재료, 유전체 재료, 배선 재료등의 도포액도 가능하고, 현상액이나 린스액등도 가능하다. 본 발명에 있어서의 피처리 기판은 LCD 기판에 한정하지 않고, 다른 플랫패널 디스플레이용 기판, 반도체 웨이퍼, CD기판, 포토마스크, 프린트 기판등도 가능하다.As the processing liquid in the present invention, in addition to the resist liquid, for example, a coating liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, and a wiring material can be used, and a developing solution, a rinse liquid, and the like can also be used. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, but other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, photomasks, printed substrates, and the like can also be used.

본 발명의 도포 방법 및 도포 장치에 의하면 상기와 같은 구성 및 작용에 의해 스핀레스 도포법에 있어서 기판상에 형성되는 도포막의 아웃라인이나 막두께 프로 파일에 기판 사이즈의 공차나 오차의 영향이 나타나지 않게 하고 도포 처리의 신뢰성 및 제품 비율을 향상시킬 수가 있다.According to the coating method and the coating apparatus of the present invention, the influence of the tolerance and the error of the substrate size does not appear in the outline or the film thickness profile of the coating film formed on the substrate in the spinless coating method by the above-described configuration and action. And the reliability and product ratio of the coating treatment can be improved.

Claims (21)

피처리 기판과 긴형 노즐의 토출구를 작은 갭을 두고 대략 수평으로 대향시켜, 상기 기판에 대해서 상기 노즐에서 처리액을 토출시키면서 상기 노즐을 상대적으로 수평 방향으로 이동시키는 도포 주사를 실시하고, 상기 기판상에 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포 방법으로서,The discharge port of the substrate to be processed and the elongated nozzle are opposed to each other substantially horizontally with a small gap, and a coating scan is performed to move the nozzle in a relatively horizontal direction while discharging the processing liquid from the nozzle with respect to the substrate. As a coating method of forming the coating film of the said processing liquid in 상기 도포 주사에 앞서 소정의 장소에서 상기 기판을 판면과 평행한 일차원 방향 또는 이차원 방향으로 이동시켜 상기 기판의 위치 맞춤을 실시하는 공정과,  Moving the substrate in a one-dimensional direction or a two-dimensional direction parallel to the plate surface at a predetermined place prior to the coating scan to perform alignment of the substrate; 상기 기판의 위치 맞춤 시에 상기 기판의 사이즈를 측정하는 공정과,Measuring the size of the substrate when the substrate is aligned; 상기 기판 사이즈의 측정값에 따라 상기 도포 주사를 위한 소정의 파라미터를 보정하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 도포 방법. And a step of correcting a predetermined parameter for the coating scan according to the measured value of the substrate size. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 파라미터는 상기 기판상으로 설정되는 상기 도포 주사의 시점 또는 종점의 위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.And wherein said parameter comprises the position of the start or end point of said coating scan set on said substrate. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 파라미터는 상기 기판상으로 설정되는 상기 도포 주사의 시점에서 종점까지의 거리를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.And wherein said parameter comprises a distance from a time point of said coating scan set on said substrate to an end point. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 파라미터는 상기 도포 주사에 있어서 상기 기판에 대한 상기 노즐의 상대 이동 속도의 시간 특성을 규정하는 주사 속도 제어 파형을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.And wherein said parameter comprises a scan speed control waveform that defines the time characteristic of the relative movement speed of said nozzle with respect to said substrate in said coating scan. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 파라미터는 상기 기판상에 대해서 상기 노즐에서 상기 처리액의 토출을 개시 또는 종료하는 타이밍을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.And said parameter includes a timing for starting or terminating the discharge of said processing liquid from said nozzle onto said substrate. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 파라미터는 상기 기판상에 대해서 상기 노즐에서 상기 처리액의 토출을 개시하고 나서 종료할 때까지의 토출 지속 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.And the parameter includes a discharge duration time from the start of the discharge of the processing liquid to the end of the processing liquid on the substrate to the end. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 파라미터는 상기 도포 주사에 있어서 상기 노즐에서 처리액을 토출하는 압력의 시간 특성을 규정하는 토출 압력 제어 파형을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.And said parameter includes a discharge pressure control waveform that defines a time characteristic of a pressure for discharging the processing liquid from said nozzle in said coating scan. 청구항 1 내지 7 중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 7, 상기 기판은 구형이고,The substrate is spherical, 상기 도포 주사는 상기 기판의 제1의 변으로부터 그것과 반대측의 제2의 변으로 향해 행해지고, 상기 기판 사이즈 측정 공정은 적어도 상기 기판의 제1의 변으로부터 제2의 변까지의 길이를 측정하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.The coating scan is performed from the first side of the substrate to the second side opposite to the substrate, and the substrate size measuring step measures measuring at least the length from the first side to the second side of the substrate. Application method characterized by the above-mentioned. 청구항 8에 있어서,The method according to claim 8, 상기 기판 위치 맞춤 공정은 상기 기판의 제1의 변 및 제2의 변의 어느 한쪽을 기존 정한 기준 위치에 맞추는 것을 특징으로 하는 도포 방법.The substrate positioning step is a coating method characterized in that one of the first side and the second side of the substrate is aligned to a predetermined reference position. 피처리 기판을 대략 수평으로 지지하기 위한 스테이지와,A stage for supporting the substrate to be processed substantially horizontally, 상기 스테이지상에서 상기 기판을 판면과 평행한 일차원 방향 또는 이차원 방향으로 이동시켜 상기 기판의 위치 맞춤을 실시하는 얼라인먼트 기구와,An alignment mechanism for aligning the substrate by moving the substrate on the stage in one or two dimensional directions parallel to the plate surface; 상기 위치 맞춤이 끝난 상기 기판에 대해서 긴형 노즐의 토출구를 원하는 갭을 두어 대략 수평으로 대향시켜, 상기 노즐에서 처리액을 토출시키면서 상기 노즐을 상대적으로 수평 방향으로 이동시키는 도포 주사를 실시하고 상기 기판상에 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포 처리부와,The ejection openings of the elongated nozzles are opposed to the horizontally aligned substrates with a desired gap and are substantially horizontal, and a coating scan is performed to move the nozzles in a relatively horizontal direction while discharging the processing liquid from the nozzles. A coating treatment section for forming a coating film of the treatment liquid in 상기 기판의 위치 맞춤 시에 상기 기판의 사이즈를 측정하는 기판 사이즈 측정부와,A substrate size measuring unit which measures a size of the substrate when the substrate is aligned; 상기 기판 사이즈의 측정값에 따라 상기 도포 주사를 위해서 상기 도포 처리 부에서 이용하는 소정의 파라미터를 보정하는 파라미터 보정부를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And a parameter correction unit for correcting a predetermined parameter used in the coating processing unit for the coating scan according to the measured value of the substrate size. 청구항 10에 있어서,The method according to claim 10, 상기 파라미터 보정부는 상기 기판상으로 설정되는 상기 도포 주사의 시점 또는 종점의 위치를 보정하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And the parameter correction unit corrects the position of the start point or the end point of the coating scan set on the substrate. 청구항 10에 있어서,The method according to claim 10, 상기 파라미터 보정부는 상기 기판상으로 설정되는 상기 도포 주사의 시점에서 종점까지의 거리를 보정하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And the parameter correction unit corrects the distance from the time point of the coating scan set on the substrate to the end point. 청구항 10에 있어서,The method according to claim 10, 상기 파라미터 보정부는 상기 도포 주사에 있어서 상기 기판에 대한 상기 노즐의 상대 이동 속도의 시간 특성을 규정하는 주사 속도 제어 파형을 보정하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And the parameter correction unit corrects a scanning speed control waveform that defines a time characteristic of the relative movement speed of the nozzle with respect to the substrate in the coating scan. 청구항 10에 있어서,The method according to claim 10, 상기 파라미터 보정부는 상기 기판상에 대해서 상기 노즐에서 상기 처리액의 토출을 개시 또는 종료하는 타이밍을 보정하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And the parameter correction unit corrects the timing of starting or ending the discharge of the processing liquid from the nozzle on the substrate. 청구항 10에 있어서,The method according to claim 10, 상기 파라미터 보정부는 상기 기판상에 대해서 상기 노즐에서 상기 처리액의 토출을 개시하고 나서 종료할 때까지의 지속 시간을 보정하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And the parameter correction unit corrects the duration from the start of the discharge of the processing liquid to the end of the nozzle on the substrate. 청구항 10에 있어서,The method according to claim 10, 상기 파라미터 보정부는 상기 도포 주사에 있어서 상기 노즐에서 처리액을 토출하는 압력의 시간 특성을 규정하는 토출 압력 제어 파형을 보정하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And the parameter correction unit corrects a discharge pressure control waveform that defines a time characteristic of a pressure for discharging the processing liquid from the nozzle in the coating scan. 청구항 10 내지 16중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 10 to 16, 상기 기판은 구형이고, ·The substrate is spherical; 상기 도포 처리부는 상기 기판의 제1의 변으로부터 그것과 반대측의 제2의 변으로 향해 상기 도포 처리를 실시하고,The said coating process part performs the said coating process toward the 2nd side of the opposite side to the 1st side of the said board | substrate, 상기 기판 사이즈 측정부는 적어도 상기 기판의 제1의 변으로부터 제2의 변까지의 길이를 측정하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.The substrate size measuring unit measures a length from at least a first side to a second side of the substrate. 청구항 17에 있어서,The method according to claim 17, 상기 얼라인먼트 기구는,The alignment mechanism, 상기 기판을 상기 일차원 방향 또는 이차원 방향으로 이동 가능하게 지지하 는 기판 지지부와,A substrate support part for supporting the substrate to be movable in the one-dimensional direction or the two-dimensional direction; 상기 기판의 제1 및 제2의 변의 측면으로 각각 맞닿는 것이 가능한 제1 및 제2의 맞닿는 부재와,First and second abutting members capable of abutting on side surfaces of the first and second sides of the substrate, respectively; 상기 기판의 제1 및 제2의 변의 어느 한쪽이 기존 정한 기준 위치에 위치 결정될 때까지 상기 제1 및 제2의 맞닿는 부재의 적어도 한쪽을 이동시키는 이동부를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치. And a moving part for moving at least one of the first and second abutting members until either one of the first and second sides of the substrate is positioned at a predetermined reference position. 청구항 18에 있어서,The method according to claim 18, 상기 기판 사이즈 측정부는 상기 기판의 위치 맞춤이 완료한 상태에 있어서의 상기 제1 및 제2의 맞닿는 부재의 위치에 근거해 상기 기판 사이즈의 측정값을 구하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.The substrate size measuring unit obtains the measured value of the substrate size based on the positions of the first and second abutting members in the state where the alignment of the substrate is completed. 청구항 19에 있어서,The method according to claim 19, 상기 기판 사이즈 측정부는 상기 기판의 제1 및 제2의 변의 어느 한쪽이 기존 정한 기준 위치에 위치 결정된 상태로 다르쪽 변의 위치를 검출하는 위치 센서를 갖고 위치 센서에 의해 구해지는 위치 정보에 근거해 상기 기판 사이즈의 측정값을 구하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.The substrate size measuring unit has a position sensor which detects the position of the other side in a state where one of the first and second sides of the substrate is positioned at a predetermined reference position, and based on the position information obtained by the position sensor. The coating apparatus which calculate | requires the measured value of a board | substrate size. 청구항 19에 있어서, The method according to claim 19, 상기 기판 사이즈 측정부는 상기 제1 및 제2의 맞닿는 부재의 적어도 한쪽에 대해서 상기 기판의 위치 맞춤의 개시전의 원위치로부터 완료시의 주행 이동위치까지의 이동거리를 측정하는 이동거리 센서를 갖고, 이동거리 센서에 의해 구해지는 이동거리 측정값에 근거해 상기 기판 사이즈의 측정값을 구하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.The substrate size measuring unit has a moving distance sensor for measuring at least one of the first and second abutting members from the original position before the start of alignment of the substrate to the traveling moving position at completion. The coating apparatus of Claim 1 which calculates the measured value of the said board | substrate size based on the movement distance measured value calculated by the.
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