JP2007313453A - Coating method and coating apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the effect of the tolerance and error of the substrate size on the outline and thickness profile of a coating film formed on a substrate in a spin-less coating method. <P>SOLUTION: An alignment mechanism 200 carries out positioning of a substrate G transferred to a transportation region M<SB>1</SB>of a stage 76 by bringing a plurality of, for instance, eight, alignment pints 202A to 208B into contact with four corners of the substrate G. At that time, in the coating scanning direction (X-direction), the distance δX which alignment pints 204A and 204B are moved until the substrate G is pushed to fixed alignment pints 202A and 202B at prescribed positions is measured to compute a measured value of the length of the substrate G from the measured value of the moved distance. While a prescribed parameter is amended from the measured value of the length of the substrate, coating scanning is carried out to cancel the error of the substrate size in the coating scanning. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、長尺形のノズルを用いて被処理基板上に処理液の塗布膜を形成する塗布方法および塗布装置に関する。   The present invention relates to a coating method and a coating apparatus for forming a coating film of a processing liquid on a substrate to be processed using a long nozzle.

LCD等のフラットパネルディスプレイ(FPD)の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程には、スリット状の吐出口を有する長尺形のレジストノズルを走査して被処理基板(ガラス基板等)上にレジスト液を塗布するスピンレスの塗布法がよく用いられている。   In a photolithography process in the manufacturing process of flat panel displays (FPD) such as LCD, a long resist nozzle having a slit-like discharge port is scanned to apply a resist solution onto a substrate to be processed (glass substrate or the like). A spinless coating method is often used.

スピンレス法は、たとえば特許文献1に開示されるように、吸着保持型の載置台またはステージ上に基板を水平に載置して、ステージ上の基板と長尺形レジストノズルの吐出口との間にたとえば数100μm程度の微小な塗布ギャップを設定し、基板上方でレジストノズルを走査方向(一般にノズル長手方向と直交する水平方向)に移動させながら基板上にレジスト液を帯状に吐出させて塗布する。長尺形レジストノズルを基板の一端から他端まで1回移動させるだけで、基板上に所望の膜厚でレジスト塗布膜を形成することができる。   In the spinless method, as disclosed in, for example, Patent Document 1, a substrate is horizontally placed on a suction-holding type placement table or stage, and the substrate on the stage and the discharge port of the long resist nozzle are placed between them. For example, a small coating gap of about several hundred μm is set, and the resist nozzle is moved in the scanning direction (generally in the horizontal direction perpendicular to the longitudinal direction of the nozzle) above the substrate, and the resist solution is discharged onto the substrate in a band shape for coating. . By simply moving the long resist nozzle once from one end of the substrate to the other end, a resist coating film can be formed on the substrate with a desired film thickness.

最近は、大型基板に有利なスピンレス法として、たとえば特許文献2に開示されるように、基板を支持するためのステージを浮上式に構成し、ステージ上で基板を空中に浮かせたまま水平方向に搬送し、所定の塗布位置でステージ上方に設置した長尺形レジストノズルより直下を通過する基板に向けてレジスト液を帯状に吐出させることにより、基板上の一端から他端までレジスト液を塗布するようにした浮上搬送方式が普及している。   Recently, as a spinless method advantageous for large substrates, for example, as disclosed in Patent Document 2, a stage for supporting a substrate is configured to be a floating type, and the substrate is floated horizontally in the air on the stage. The resist solution is applied from one end to the other end of the substrate by ejecting the resist solution in a strip shape toward the substrate that is transported and passes directly below the long resist nozzle installed above the stage at a predetermined application position. The levitation conveyance method as described above is widespread.

上記のようなノズル移動方式および浮上搬送方式のいずれにおいても、1回の塗布走査によって基板上に形成するレジスト塗布膜のアウトラインを基板の形状に合わせるために、塗布走査の開始前にステージ上で基板の位置合わせを行っている。FPD用の矩形の基板については、水平面内で四方からピン等の押圧部材を基板の四辺に押し当てることで、基板の向きを塗布走査の向きに平行に合わせ、基板の中心をステージまたは長尺形レジストノズルの中心に合わせる(センタリングする)ことができる。このようなアライメント機能により、レジスト塗布膜のアウトラインが基板エッジから一定距離だけ内側に収まって基板の各辺と平行になるようにしている。
特開平10−156255 特開2005−244155
In both of the nozzle movement method and the floating conveyance method as described above, the outline of the resist coating film formed on the substrate by one coating scan is matched with the shape of the substrate on the stage before the start of the coating scan. The substrate is aligned. For a rectangular substrate for FPD, a pressing member such as a pin is pressed against the four sides of the substrate from four directions in a horizontal plane so that the orientation of the substrate is parallel to the direction of application scanning, and the center of the substrate is a stage or long It can be aligned (centered) with the center of the resist nozzle. With such an alignment function, the outline of the resist coating film is kept inward by a certain distance from the substrate edge so as to be parallel to each side of the substrate.
JP-A-10-156255 JP-A-2005-244155

一般に、基板上面(被処理面)の周縁部には、製品領域と非製品領域またはマージン領域とを分かつ仮想の領域境界線が設定される。レジスト塗布処理においては、領域境界線より内側の製品領域がレジスト塗布膜の膜厚を保証しなければならない膜厚保証領域である。したがって、製品領域内のレジスト塗布膜を規格内または許容範囲内の膜厚に形成すればよく、領域境界線より外側のマージン領域内ではレジスト塗布膜が許容範囲から如何様に外れても構わない。もっとも、スピンレス法においては、マージン領域内でレジスト塗布膜が許容範囲を超えて盛り上がる傾向があり、特に塗布走査方向の始端付近および終端付近で大きく盛り上がりやすい。そこで、そのようなレジスト塗布膜の盛り上がりが製品領域に及ばないように、塗布走査の開始位置および終了位置を出来るだけ領域境界線よりも外側に離して基板エッジ寄りに設定することも行われている。   In general, a virtual region boundary line is set at the peripheral portion of the upper surface (surface to be processed) of the substrate, dividing the product region from the non-product region or the margin region. In the resist coating process, the product region inside the region boundary line is a film thickness guarantee region where the film thickness of the resist coating film must be guaranteed. Therefore, the resist coating film in the product region may be formed to a thickness within the standard or within the allowable range, and the resist coating film may be out of the allowable range in the margin region outside the region boundary line. . However, in the spinless method, the resist coating film tends to swell beyond the allowable range within the margin region, and is particularly likely to swell significantly near the beginning and end of the coating scanning direction. Therefore, in order to prevent the swell of the resist coating film from reaching the product area, the start position and the end position of the coating scan are set as close to the substrate edge as possible as far as possible from the area boundary line. Yes.

しかしながら、基板の外形寸法には公差があり、たとえば長辺サイズが2mを超えるFPD用の基板にもなると、±1〜2mm程度の公差が出る。さらに、基板の反りも基板外形寸法の誤差になる。従来は、レジスト塗布膜のアウトラインや膜厚プロファイルがそのような基板外形寸法の公差や誤差の影響をまともに受けていた。特に、塗布走査方向においては、基板サイズの公差や誤差によって塗布走査の開始位置または終了位置がそのぶんずれてしまい、上記のようなレジスト塗布膜の始端付近または終端付近の許容値を越える盛り上がりが膜厚保証領域(製品領域)内に入ったり、あるいはレジスト塗布液が基板エッジの外へはみ出てステージを汚すようなことがあった。   However, there is a tolerance in the outer dimensions of the substrate. For example, when the long-side size is larger than 2 m for an FPD substrate, a tolerance of about ± 1 to 2 mm is obtained. Further, the warpage of the substrate also causes an error in the substrate external dimensions. Conventionally, the outline and thickness profile of the resist coating film have been properly affected by such tolerances and errors in the outer dimensions of the substrate. In particular, in the coating scanning direction, the starting position or the ending position of coating scanning is shifted due to the tolerance or error of the substrate size, and the above-described swell exceeds the allowable value near the start or end of the resist coating film. There are cases where the film enters the film thickness guarantee area (product area), or the resist coating solution protrudes out of the edge of the substrate and soils the stage.

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、スピンレス塗布法において基板上に形成される塗布膜のアウトラインや膜厚プロファイルに基板サイズの公差や誤差の影響が現れないようにして、塗布処理の信頼性および製品歩留まりを向上させるようにした塗布方法および塗布装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and the effects of substrate size tolerances and errors on the outline and film thickness profile of the coating film formed on the substrate in the spinless coating method. It is an object of the present invention to provide a coating method and a coating apparatus which improve the reliability of the coating process and the product yield in such a manner that the above-mentioned phenomenon does not appear.

上記の目的を達成するために、本発明の塗布方法は、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を吐出させながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布方法であって、前記塗布走査に先立ち、所定の場所で前記基板をその板面と平行な一次元方向または二次元方向に移動させて前記基板の位置合わせを行う工程と、前記基板の位置合わせの際に前記基板のサイズを所定の方向で測定する工程と、前記基板サイズの測定値にしたがって前記塗布走査のための所定のパラメータを補正する工程とを有する。   In order to achieve the above object, the coating method of the present invention is such that the substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle are substantially horizontally opposed with a minute gap therebetween, and the substrate is processed by the nozzle. A coating method for forming a coating film of the processing liquid on the substrate by performing a coating scan in which the nozzle is moved relatively in a horizontal direction while discharging a liquid, and a predetermined location prior to the coating scan The step of aligning the substrate by moving the substrate in a one-dimensional direction or two-dimensional direction parallel to the plate surface, and measuring the size of the substrate in a predetermined direction during the alignment of the substrate And a step of correcting a predetermined parameter for the application scanning according to the measured value of the substrate size.

また、本発明の塗布装置は、被処理基板をほぼ水平に支持するためのステージと、前記ステージ上で前記基板をその板面と平行な一次元方向または二次元方向に移動させて前記基板の位置合わせを行うアライメント機構と、前記位置合わせの済んだ前記基板に対して長尺形ノズルの吐出口を微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記ノズルより処理液を吐出させながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布処理部と、前記基板の位置合わせの際に前記基板のサイズを所定の方向で測定する基板サイズ測定部と、前記基板サイズの測定値にしたがって前記塗布走査のために前記塗布処理部で用いる所定のパラメータを補正するパラメータ補正部とを有する。   Further, the coating apparatus of the present invention includes a stage for supporting the substrate to be processed substantially horizontally, and the substrate is moved on the stage in a one-dimensional direction or a two-dimensional direction parallel to the plate surface. An alignment mechanism that performs alignment, and an ejection port of a long nozzle facing the substrate that has been aligned substantially horizontally across a minute gap, while discharging a processing liquid from the nozzle, the nozzle And a coating processing section for forming a coating film of the processing liquid on the substrate, and a size of the substrate in a predetermined direction when aligning the substrate. A substrate size measuring unit for measuring; and a parameter correcting unit for correcting a predetermined parameter used in the coating processing unit for the coating scanning in accordance with the measured value of the substrate size.

本発明においては、スピンレス法の塗布走査に先立ち、基板の位置合わせを行う際に基板の一部位が既定の基準位置に合わせられることを利用して、基板のサイズを所定方向で測定する。そして、この基板サイズ測定値を基に塗布走査用の所定のパラメータを補正してから、塗布走査を実行する。これにより、基板サイズの公差や誤差を塗布走査の際にキャンセルして、基板上に所望のアウトラインや膜厚プロファイルで塗布膜を形成することができる。   In the present invention, prior to spin-less coating scanning, the size of the substrate is measured in a predetermined direction by utilizing the fact that a portion of the substrate is aligned with a predetermined reference position when aligning the substrate. Then, a predetermined parameter for application scanning is corrected based on the measured substrate size, and then application scanning is executed. Accordingly, tolerances and errors in the substrate size can be canceled during application scanning, and a coating film can be formed on the substrate with a desired outline or film thickness profile.

本発明において、基板サイズ測定値を基に補正をかける塗布走査用のパラメータとして、好適には、基板上に設定される塗布走査の始点または終点の位置、塗布走査の始点から終点までの距離、基板に対してノズルより処理液の吐出を開始または終了するタイミング、吐出持続時間を選ぶことができる。あるいは、塗布走査において基板に対するノズルの相対移動速度の時間特性を規定する走査速度制御波形や、ノズルより処理液を吐出する圧力の時間特性を規定する吐出圧力制御波形を補正パラメータとすることも可能である。   In the present invention, as a parameter for application scanning to be corrected based on the substrate size measurement value, preferably, the position of the start point or end point of the application scan set on the substrate, the distance from the start point to the end point of the application scan, The timing for starting or ending the discharge of the processing liquid from the nozzle to the substrate and the discharge duration can be selected. Alternatively, the correction parameter can be a scanning speed control waveform that defines the time characteristic of the relative movement speed of the nozzle relative to the substrate in the application scan, or a discharge pressure control waveform that defines the time characteristic of the pressure at which the processing liquid is discharged from the nozzle It is.

本発明の好適な一態様において、基板は矩形であり、塗布走査は基板の第1の辺からそれと反対側の第2の辺に向かって行われ、基板の位置合わせの際には少なくともその第1の辺から第2の辺までの長さが基板サイズとして測定される。この場合、基板の位置合わせにおいては、基板の第1の辺および第2の辺のいずれか一方を既定の基準位置に合わせるのが、位置合わせだけでなく基板サイズ測定のうえでも好ましい。   In a preferred aspect of the present invention, the substrate has a rectangular shape, and the application scan is performed from the first side of the substrate toward the second side opposite to the substrate, and at least the first side is aligned when the substrate is aligned. The length from one side to the second side is measured as the substrate size. In this case, in the alignment of the substrate, it is preferable not only for alignment but also for measuring the substrate size that either one of the first side and the second side of the substrate is aligned with a predetermined reference position.

本発明の好適な一態様において、アライメント機構は、基板を一次元方向または二次元方向に移動可能に支持する基板支持部と、基板の第1および第2の辺の側面にそれぞれ当接可能な第1および第2の当接部材と、基板の第1および第2の辺のいずれか一方が既定の基準位置に位置決めされるまで第1および第2の当接部材の少なくとも一方を移動させる移動部とを有する。また、基板サイズ測定部は、基板の位置合わせが完了した状態における第1および第2の当接部材の位置に基づいて基板サイズの測定値を求める。   In a preferred aspect of the present invention, the alignment mechanism is capable of abutting on a substrate support portion that supports the substrate so as to be movable in a one-dimensional direction or a two-dimensional direction, and side surfaces of the first and second sides of the substrate. Movement for moving at least one of the first and second contact members until the first and second contact members and one of the first and second sides of the substrate are positioned at a predetermined reference position Part. Further, the substrate size measuring unit obtains a measured value of the substrate size based on the positions of the first and second contact members in a state where the alignment of the substrates is completed.

基板サイズ測定部は、好適な一態様として、基板の第1および第2の辺のいずれか一方が既定の基準位置に位置決めされた状態で他方の辺の位置を検出する位置センサを有し、その位置センサにより得られる位置情報に基づいて基板サイズの測定値を求める。あるいは、別の好適な一態様として、第1および第2の当接部材の少なくとも一方について基板の位置合わせの開始前の原位置から完了時の往動位置までの移動距離を測定する移動距離センサを有し、その移動距離センサにより得られる移動距離測定値に基づいて基板サイズの測定値を求める。   The substrate size measuring unit has a position sensor that detects the position of the other side in a state where one of the first and second sides of the substrate is positioned at a predetermined reference position, as a preferred aspect. A measured value of the substrate size is obtained based on the position information obtained by the position sensor. Alternatively, as another preferred embodiment, a movement distance sensor that measures a movement distance from an original position before starting alignment of the substrate to a forward movement position at completion of at least one of the first and second contact members The measurement value of the substrate size is obtained based on the movement distance measurement value obtained by the movement distance sensor.

本発明の塗布方法および塗布装置によれば、上記のような構成および作用により、スピンレス塗布法において基板上に形成される塗布膜のアウトラインや膜厚プロファイルに基板サイズの公差や誤差の影響が現れないようにして、塗布処理の信頼性および製品歩留まりを向上させることができる。   According to the coating method and the coating apparatus of the present invention, due to the above-described configuration and operation, the influence of the substrate size tolerance and error appear in the outline and film thickness profile of the coating film formed on the substrate in the spinless coating method. In this way, the reliability of the coating process and the product yield can be improved.

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1に、本発明の塗布方法および塗布装置の適用可能な構成例として塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置され、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベークの各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置(図示せず)で行われる。   FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as a configuration example to which the coating method and the coating apparatus of the present invention can be applied. This coating / development processing system is installed in a clean room and uses, for example, an LCD substrate as a substrate to be processed, and performs cleaning, resist coating, pre-baking, development, and post-baking in the photolithography process in the LCD manufacturing process. is there. The exposure process is performed by an external exposure apparatus (not shown) installed adjacent to this system.

この塗布現像処理システムは、大きく分けて、カセットステーション(C/S)10と、プロセスステーション(P/S)12と、インタフェース部(I/F)14とで構成される。   This coating and developing system is roughly divided into a cassette station (C / S) 10, a process station (P / S) 12, and an interface unit (I / F) 14.

システムの一端部に設置されるカセットステーション(C/S)10は、複数の基板Gを収容するカセットCを所定数たとえば4個まで載置可能なカセットステージ16と、このカセットステージ16上の側方でかつカセットCの配列方向と平行に設けられた搬送路17と、この搬送路17上で移動自在でステージ16上のカセットCについて基板Gの出し入れを行う搬送機構20とを備えている。この搬送機構20は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アームを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、後述するプロセスステーション(P/S)12側の搬送装置38と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。   A cassette station (C / S) 10 installed at one end of the system includes a cassette stage 16 on which a predetermined number, for example, four cassettes C for storing a plurality of substrates G can be placed, and a side on the cassette stage 16. And a transport path 17 provided in parallel with the arrangement direction of the cassette C, and a transport mechanism 20 that is movable on the transport path 17 and that allows the substrate C to be taken in and out of the cassette C on the stage 16. The transport mechanism 20 has a means for holding the substrate G, for example, a transport arm, can be operated with four axes of X, Y, Z, and θ, and is transported on the process station (P / S) 12 side described later. And the substrate G can be transferred.

プロセスステーション(P/S)12は、上記カセットステーション(C/S)10側から順に洗浄プロセス部22と、塗布プロセス部24と、現像プロセス部26とを基板中継部23、薬液供給ユニット25およびスペース27を介して(挟んで)横一列に設けている。   The process station (P / S) 12 includes, in order from the cassette station (C / S) 10 side, a cleaning process unit 22, a coating process unit 24, and a development process unit 26, a substrate relay unit 23, a chemical solution supply unit 25, and It is provided in a horizontal row via (spaced) the space 27.

洗浄プロセス部22は、2つのスクラバ洗浄ユニット(SCR)28と、上下2段の紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30と、加熱ユニット(HP)32と、冷却ユニット(COL)34とを含んでいる。   The cleaning process unit 22 includes two scrubber cleaning units (SCR) 28, an upper and lower ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30, a heating unit (HP) 32, and a cooling unit (COL) 34. Contains.

塗布プロセス部24は、スピンレス方式のレジスト塗布ユニット(CT)40と、減圧乾燥ユニット(VD)42と、上下2段型アドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)46と、上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)48と、加熱ユニット(HP)50とを含んでいる。   The coating process unit 24 includes a spinless resist coating unit (CT) 40, a vacuum drying unit (VD) 42, an upper and lower two-stage adhesion / cooling unit (AD / COL) 46, and an upper and lower two-stage heating / cooling. A unit (HP / COL) 48 and a heating unit (HP) 50 are included.

現像プロセス部26は、3つの現像ユニット(DEV)52と、2つの上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)53と、加熱ユニット(HP)55とを含んでいる。   The development process unit 26 includes three development units (DEV) 52, two upper and lower two-stage heating / cooling units (HP / COL) 53, and a heating unit (HP) 55.

各プロセス部22,24,26の中央部には長手方向に搬送路36,51,58が設けられ、搬送装置38,54,60がそれぞれ搬送路36,51,58に沿って移動して各プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Gの搬入/搬出または搬送を行うようになっている。なお、このシステムでは、各プロセス部22,24,26において、搬送路36,51,58の一方の側に液処理系のユニット(SCR,CT,DEV等)が配置され、他方の側に熱処理系のユニット(HP,COL等)が配置されている。   Conveying paths 36, 51, and 58 are provided in the longitudinal direction in the center of each process unit 22, 24, and 26, and the conveying devices 38, 54, and 60 move along the conveying paths 36, 51, and 58, respectively. Each unit in the process unit is accessed to carry in / out or carry the substrate G. In this system, in each process part 22, 24, 26, a liquid processing unit (SCR, CT, DEV, etc.) is disposed on one side of the transport paths 36, 51, 58, and heat treatment is performed on the other side. System units (HP, COL, etc.) are arranged.

システムの他端部に設置されるインタフェース部(I/F)14は、プロセスステーション12と隣接する側にイクステンション(基板受け渡し部)56およびバッファステージ57を設け、露光装置と隣接する側に搬送機構59を設けている。この搬送機構59は、Y方向に延在する搬送路19上で移動自在であり、バッファステージ57に対して基板Gの出し入れを行なうほか、イクステンション(基板受け渡し部)56や隣の露光装置と基板Gの受け渡しを行うようになっている。   The interface unit (I / F) 14 installed at the other end of the system is provided with an extension (substrate transfer unit) 56 and a buffer stage 57 on the side adjacent to the process station 12, and is transported to the side adjacent to the exposure apparatus. A mechanism 59 is provided. The transport mechanism 59 is movable on the transport path 19 extending in the Y direction, and is used to load and unload the substrate G with respect to the buffer stage 57, and to extend from the extension (substrate transfer unit) 56 and the adjacent exposure device. The substrate G is transferred.

図2に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C/S)10において、搬送機構20が、カセットステージ16上の所定のカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、プロセスステーション(P/S)12の洗浄プロセス部22の搬送装置38に渡す(ステップS1)。   FIG. 2 shows a processing procedure in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 10, the transport mechanism 20 takes out one substrate G from a predetermined cassette C on the cassette stage 16, and the cleaning process unit 22 of the process station (P / S) 12. It is transferred to the conveying device 38 (step S1).

洗浄プロセス部22において、基板Gは、先ず紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30に順次搬入され、最初の紫外線照射ユニット(UV)では紫外線照射による乾式洗浄を施され、次の冷却ユニット(COL)では所定温度まで冷却される(ステップS2)。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。   In the cleaning process section 22, the substrate G is first sequentially carried into an ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30, subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation in the first ultraviolet irradiation unit (UV), and then subjected to the next cooling unit ( In COL), the temperature is cooled to a predetermined temperature (step S2). This UV cleaning mainly removes organic substances on the substrate surface.

次に、基板Gはスクラバ洗浄ユニット(SCR)28の1つでスクラビング洗浄処理を受け、基板表面から粒子状の汚れが除去される(ステップS3)。スクラビング洗浄の後、基板Gは、加熱ユニット(HP)32で加熱による脱水処理を受け(ステップS4)、次いで冷却ユニット(COL)34で一定の基板温度まで冷却される(ステップS5)。これで洗浄プロセス部22における前処理が終了し、基板Gは、搬送装置38により基板受け渡し部23を介して塗布プロセス部24へ搬送される。   Next, the substrate G is subjected to a scrubbing cleaning process by one of the scrubber cleaning units (SCR) 28 to remove particulate dirt from the substrate surface (step S3). After the scrubbing cleaning, the substrate G is subjected to dehydration treatment by heating in the heating unit (HP) 32 (step S4), and then cooled to a constant substrate temperature by the cooling unit (COL) 34 (step S5). Thus, the pretreatment in the cleaning process unit 22 is completed, and the substrate G is transferred to the coating process unit 24 by the transfer device 38 via the substrate transfer unit 23.

塗布プロセス部24において、基板Gは、先ずアドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)46に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット(AD)では疎水化処理(HMDS)を受け(ステップS6)、次の冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS7)。   In the coating process unit 24, the substrate G is first sequentially carried into an adhesion / cooling unit (AD / COL) 46, and undergoes a hydrophobic treatment (HMDS) in the first adhesion unit (AD) (step S6). The cooling unit (COL) cools to a constant substrate temperature (step S7).

その後、基板Gは、レジスト塗布ユニット(CT)40でスピンレス法によりレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥ユニット(VD)42で減圧による乾燥処理を受ける(ステップS8)。   Thereafter, the substrate G is coated with a resist solution by a spinless method in a resist coating unit (CT) 40, and then subjected to a drying process by reduced pressure in a reduced pressure drying unit (VD) 42 (step S8).

次に、基板Gは、加熱/冷却ユニット(HP/COL)48に順次搬入され、最初の加熱ユニット(HP)では塗布後のベーキング(プリベーク)が行われ(ステップS9)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。なお、この塗布後のベーキングに加熱ユニット(HP)50を用いることもできる。   Next, the substrate G is sequentially carried into the heating / cooling unit (HP / COL) 48, and the first heating unit (HP) performs baking after coating (pre-baking) (step S9), and then the cooling unit ( COL) to cool to a constant substrate temperature (step S10). In addition, the heating unit (HP) 50 can also be used for baking after this application | coating.

上記塗布処理の後、基板Gは、塗布プロセス部24の搬送装置54と現像プロセス部26の搬送装置60とによってインタフェース部(I/F)14へ搬送され、そこから露光装置に渡される(ステップS11)。露光装置では基板G上のレジストに所定の回路パターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基板Gは、露光装置からインタフェース部(I/F)14に戻される。インタフェース部(I/F)14の搬送機構59は、露光装置から受け取った基板Gをイクステンション56を介してプロセスステーション(P/S)12の現像プロセス部26に渡す(ステップS11)。   After the coating process, the substrate G is transported to the interface unit (I / F) 14 by the transport device 54 of the coating process unit 24 and the transport device 60 of the development process unit 26, and is passed from there to the exposure apparatus (step). S11). In the exposure apparatus, a predetermined circuit pattern is exposed on the resist on the substrate G. After the pattern exposure, the substrate G is returned from the exposure apparatus to the interface unit (I / F) 14. The transport mechanism 59 of the interface unit (I / F) 14 passes the substrate G received from the exposure apparatus to the development process unit 26 of the process station (P / S) 12 via the extension 56 (step S11).

現像プロセス部26において、基板Gは、現像ユニット(DEV)52のいずれか1つで現像処理を受け(ステップS12)、次いで加熱/冷却ユニット(HP/COL)53の1つに順次搬入され、最初の加熱ユニット(HP)ではポストベーキングが行われ(ステップS13)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS14)。このポストベーキングに加熱ユニット(HP)55を用いることもできる。   In the development process unit 26, the substrate G is subjected to development processing in any one of the development units (DEV) 52 (step S12), and then sequentially carried into one of the heating / cooling units (HP / COL) 53, Post baking is performed in the first heating unit (HP) (step S13), and then the substrate is cooled to a constant substrate temperature in the cooling unit (COL) (step S14). A heating unit (HP) 55 can also be used for this post-baking.

現像プロセス部26での一連の処理が済んだ基板Gは、プロセスステーション(P/S)12内の搬送装置60,54,38によりカセットステーション(C/S)10まで戻され、そこで搬送機構20によりいずれか1つのカセットCに収容される(ステップS1)。   The substrate G that has undergone a series of processing in the development process section 26 is returned to the cassette station (C / S) 10 by the transfer devices 60, 54, and 38 in the process station (P / S) 12, where the transfer mechanism 20 is transferred. Is stored in one of the cassettes C (step S1).

この塗布現像処理システムにおいては、たとえば塗布プロセス部24のレジスト塗布ユニット(CT)40に本発明を適用することができる。以下、図3〜図22につき本発明をレジスト塗布ユニット(CT)40に適用した一実施形態を説明する。   In this coating and developing system, the present invention can be applied to, for example, the resist coating unit (CT) 40 of the coating process unit 24. An embodiment in which the present invention is applied to a resist coating unit (CT) 40 will be described below with reference to FIGS.

図3に、この実施形態におけるレジスト塗布ユニット(CT)40および減圧乾燥ユニット(VD)42の全体構成を示す。   FIG. 3 shows the overall configuration of the resist coating unit (CT) 40 and the vacuum drying unit (VD) 42 in this embodiment.

図3に示すように、支持台または支持フレーム70の上にレジスト塗布ユニット(CT)40と減圧乾燥ユニット(VD)42とがX方向に横一列に配置されている。塗布処理を受けるべき新たな基板Gは、搬送路51側の搬送装置54(図1)により矢印FAで示すようにレジスト塗布ユニット(CT)40に搬入される。レジスト塗布ユニット(CT)40で塗布処理の済んだ基板Gは、支持台70上のガイドレール72に案内されるX方向に移動可能な搬送アーム74により、矢印FBで示すように減圧乾燥ユニット(VD)42に転送される。減圧乾燥ユニット(VD)42で乾燥処理を終えた基板Gは、搬送路51側の搬送装置54(図1)により矢印FCで示すように引き取られる。 As shown in FIG. 3, a resist coating unit (CT) 40 and a vacuum drying unit (VD) 42 are arranged in a horizontal row on the support base or support frame 70 in the X direction. A new substrate G to be subjected to the coating process is carried into the resist coating unit (CT) 40 as indicated by an arrow F A by the transfer device 54 (FIG. 1) on the transfer path 51 side. Substrate G after completion of the coating process in the resist coating unit (CT) 40 is a transfer arm 74 which is movable in the X direction is guided by the guide rails 72 on the support table 70, a vacuum drying unit as indicated by the arrow F B (VD) 42. Substrate G having been subjected to the drying treatment in a vacuum drying unit (VD) 42 is drawn off as shown by the arrow F C by the transfer device 54 of the transport path 51 side (FIG. 1).

レジスト塗布ユニット(CT)40は、X方向に長く延びるステージ76を有し、このステージ76上で基板Gを同方向に平流しで搬送しながら、ステージ76の上方に配置された長尺形のレジストノズル78より基板G上にレジスト液を供給して、スピンレス法で基板上面(被処理面)に一定膜厚のレジスト塗布膜を形成するように構成されている。ユニット(CT)40内の各部の構成および作用は後に詳述する。   The resist coating unit (CT) 40 includes a stage 76 that extends long in the X direction, and a long shape disposed above the stage 76 while carrying the substrate G in a flat flow on the stage 76 in the same direction. A resist solution is supplied onto the substrate G from the resist nozzle 78, and a resist coating film having a constant film thickness is formed on the upper surface (surface to be processed) of the substrate by a spinless method. The configuration and operation of each part in the unit (CT) 40 will be described in detail later.

減圧乾燥ユニット(VD)42は、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバ80と、この下部チャンバ80の上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバ(図示せず)とを有している。下部チャンバ80はほぼ四角形で、中心部には基板Gを水平に載置して支持するためのステージ82が配設され、底面の四隅には排気口83が設けられている。各排気口83は排気管(図示せず)を介して真空ポンプ(図示せず)に通じている。下部チャンバ80に上部チャンバを被せた状態で、両チャンバ内の密閉された処理空間を該真空ポンプにより所定の真空度まで減圧できるようになっている。   The vacuum drying unit (VD) 42 includes a tray or shallow container type lower chamber 80 having an open upper surface, and a lid-shaped upper chamber configured to be tightly fitted or fitted to the upper surface of the lower chamber 80. (Not shown). The lower chamber 80 is substantially rectangular, and a stage 82 for placing and supporting the substrate G horizontally is disposed at the center, and exhaust ports 83 are provided at the four corners of the bottom surface. Each exhaust port 83 communicates with a vacuum pump (not shown) through an exhaust pipe (not shown). With the lower chamber 80 covered with the upper chamber, the sealed processing space in both chambers can be depressurized to a predetermined degree of vacuum by the vacuum pump.

図4および図5に、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布ユニット(CT)40内のより詳細な全体構成を示す。   4 and 5 show a more detailed overall configuration in the resist coating unit (CT) 40 in one embodiment of the present invention.

この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40においては、ステージ76が、従来のように基板Gを固定保持する載置台として機能するのではなく、基板Gを空気圧の力で空中に浮かせるための基板浮上台として機能する。そして、ステージ76の両サイドに配置されている直進運動型の基板搬送部84が、ステージ76上で浮いている基板Gの両側縁部をそれぞれ着脱可能に保持してステージ長手方向(X方向)に基板Gを搬送するようになっている。   In the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment, the stage 76 does not function as a mounting table for fixing and holding the substrate G as in the prior art, but a substrate for floating the substrate G in the air by the force of air pressure. It functions as a levee. Then, the linear movement type substrate transport portions 84 arranged on both sides of the stage 76 hold both side edges of the substrate G floating on the stage 76 in a detachable manner, and the stage longitudinal direction (X direction) The substrate G is transferred to the substrate.

詳細には、ステージ76は、その長手方向(X方向)において5つの領域M1,M2,M3,M4,M5に分割されている(図5)。左端の領域M1は搬入領域であり、塗布処理を受けるべき新規の基板Gはこの領域M1内の所定位置に搬入される。この搬入領域M1には、搬送装置54(図1)の搬送アームから基板Gを受け取ってステージ76上にローディングするためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能な複数本のリフトピン86が所定の間隔を置いて設けられている。これらのリフトピン86は、たとえばエアシリンダ(図示せず)を駆動源に用いる搬入用のリフトピン昇降部85(図16)によって昇降駆動される。 Specifically, the stage 76 is divided into five regions M 1 , M 2 , M 3 , M 4 , and M 5 in the longitudinal direction (X direction) (FIG. 5). The leftmost area M 1 is a carry-in area, and a new substrate G to be subjected to the coating process is carried into a predetermined position in this area M 1 . In this carry-in area M 1 , the substrate G is received from the transfer arm of the transfer device 54 (FIG. 1) and loaded onto the stage 76 so as to move up and down between the original position below the stage and the forward movement position above the stage. A plurality of possible lift pins 86 are provided at predetermined intervals. These lift pins 86 are driven up and down by, for example, a lift pin lift unit 85 (FIG. 16) for loading using an air cylinder (not shown) as a drive source.

この搬入領域M1は浮上式の基板搬送が開始される領域でもあり、この領域内のステージ上面には基板Gを搬入用の浮上高さまたは浮上量Haで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口88が一定の密度で多数設けられている。ここで、搬入領域M1における基板Gの浮上量Haは、特に高い精度を必要とせず、たとえば250〜350μmの範囲内に保たれればよい。また、搬送方向(X方向)において、搬入領域M1のサイズは基板Gのサイズを上回っているのが好ましい。さらに、搬入領域M1には、基板Gをステージ76上で位置合わせするための後述するアライメント機構200(図13〜図15)も設けられている。 The loading area M 1 is also the area substrate transfer of a floating starts, high-pressure or positive pressure to the stage upper surface of the region to float in flying height or flying height H a for carrying the substrate G A number of jet outlets 88 for jetting compressed air are provided at a constant density. Here, the flying height H a of the substrate G in the carrying region M 1 does not require a particularly high accuracy, for example if kept in the range of 250~350Myuemu. Further, it is preferable that the size of the carry-in area M 1 exceeds the size of the substrate G in the transport direction (X direction). Furthermore, an alignment mechanism 200 (FIGS. 13 to 15) described later for aligning the substrate G on the stage 76 is also provided in the carry-in area M 1 .

ステージ76の中心部に設定された領域M3はレジスト液供給領域または塗布領域であり、基板Gはこの塗布領域M3を通過する際に上方のレジストノズル78からレジスト液Rの供給を受ける。塗布領域M3における基板浮上量Hbはノズル78の下端(吐出口)と基板上面(被処理面)との間の塗布ギャップS(たとえば240μm)を規定する。この塗布ギャップSはレジスト塗布膜の膜厚やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、高い精度で一定に維持される必要がある。このことから、塗布領域M3のステージ上面には、たとえば図6に示すような配列または分布パターンで、基板Gを所望の浮上量Hbで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口88と負圧で空気を吸い込む吸引口90とを混在させて設けている。そして、基板Gの塗布領域M3内を通過している部分に対して、噴出口88から圧縮空気による垂直上向きの力を加えると同時に、吸引口90より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御することで、塗布用の浮上量Hbを設定値HS(たとえば50μm)付近に維持するようにしている。搬送方向(X方向)における塗布領域M3のサイズは、レジストノズル78の直下に上記のような狭い塗布ギャップSを安定に形成できるほどの余裕があればよく、通常は基板Gのサイズより小さくてよく、たとえば1/3〜1/4程度でよい。 A region M 3 set at the center of the stage 76 is a resist solution supply region or a coating region, and the substrate G is supplied with the resist solution R from the upper resist nozzle 78 when passing through the coating region M 3 . The substrate flying height Hb in the coating region M 3 defines a coating gap S (for example, 240 μm) between the lower end (discharge port) of the nozzle 78 and the upper surface of the substrate (surface to be processed). The coating gap S is an important parameter that affects the film thickness of the resist coating film and the resist consumption, and must be kept constant with high accuracy. From this, on the upper surface of the stage of the application region M 3 , for example, a jet that ejects high-pressure or positive-pressure compressed air to float the substrate G with a desired flying height H b in an arrangement or distribution pattern as shown in FIG. An outlet 88 and a suction port 90 for sucking air with a negative pressure are mixed and provided. Then, a vertical upward force due to compressed air is applied from the jet outlet 88 to a portion passing through the coating region M 3 of the substrate G, and at the same time, a vertical downward force due to a negative pressure suction force is applied from the suction port 90. In addition, the flying height Hb for application is maintained in the vicinity of a set value H S (for example, 50 μm) by controlling the balance of the opposing forces. The size of the coating region M 3 in the transport direction (X direction) only needs to be large enough to stably form the narrow coating gap S as described above immediately below the resist nozzle 78 and is usually smaller than the size of the substrate G. For example, about 1/3 to 1/4 may be sufficient.

図6に示すように、塗布領域M3においては、基板搬送方向(X方向)に対して一定の傾斜した角度をなす直線C上に噴出口88と吸引口90とを交互に配し、隣接する各列の間で直線C上のピッチに適当なオフセットαを設けている。かかる配置パターンによれば、噴出口88および吸引口90の混在密度を均一にしてステージ上の基板浮上力を均一化できるだけでなく、基板Gが搬送方向(X方向)に移動する際に噴出口88および吸引口90と対向する時間の割合を基板各部で均一化することも可能であり、これによって基板G上に形成される塗布膜に噴出口88または吸引口90のトレースまたは転写跡が付くのを防止することができる。塗布領域M3の入口では、基板Gの先端部が搬送方向と直交する方向(Y方向)で均一な浮上力を安定に受けるように、同方向(直線J上)に配列する噴出口88および吸引口90の密度を高くするのが好ましい。また、塗布領域M3においても、ステージ76の両側縁部(直線K上)には、基板Gの両側縁部が垂れるのを防止するために、噴出口88のみを配置するのが好ましい。 As shown in FIG. 6, in the application region M 3 , the jet ports 88 and the suction ports 90 are alternately arranged on a straight line C that forms an angle inclined with respect to the substrate transport direction (X direction). An appropriate offset α is provided for the pitch on the straight line C between the columns. According to such an arrangement pattern, not only can the mixing density of the nozzles 88 and the suction ports 90 be made uniform, the substrate levitation force on the stage can be made uniform, but also when the substrate G moves in the transport direction (X direction). It is also possible to make the ratio of the time facing the 88 and the suction port 90 uniform in each part of the substrate, whereby the coating film formed on the substrate G is traced or transferred by the ejection port 88 or the suction port 90. Can be prevented. At the entrance of the coating region M 3 , the jet outlets 88 arranged in the same direction (on the straight line J) so that the tip of the substrate G stably receives a uniform levitation force in the direction (Y direction) perpendicular to the transport direction, and It is preferable to increase the density of the suction port 90. Also in the coating region M 3 , it is preferable to arrange only the ejection port 88 at both side edges (on the straight line K) of the stage 76 in order to prevent the both side edges of the substrate G from dripping.

再び図5において、搬入領域M1と塗布領域M3との間に設定された中間の領域M2は、搬送中に基板Gの浮上高さ位置を搬入領域M1における浮上量Haから塗布領域M3における浮上量Hbへ変化または遷移させるための遷移領域である。この遷移領域M2内でもステージ76の上面に噴出口88と吸引口90とを混在させて配置することができる。その場合は、吸引口90の密度を搬送方向に沿って次第に大きくし、これによって搬送中に基板Gの浮上量が漸次的にHaからHbに移るようにしてよい。あるいは、この遷移領域M2においては、吸引口90を含まずに噴出口88だけを設ける構成も可能である。 5 again, the middle region M 2, which is set between the loading area M 1 and the application area M 3 are, coating the flying height of the substrate G during transport from the flying height H a of the loading area M 1 it is a transition region for changing or transition to flying height H b in the area M 3. Even in the transition region M 2 , the jet port 88 and the suction port 90 can be mixed and arranged on the upper surface of the stage 76. In that case, the density of the suction port 90 gradually increases along the conveying direction, whereby it as the flying height of the substrate G during transport moves in H b from progressively H a. Alternatively, in this transition region M 2 , a configuration in which only the ejection port 88 is provided without including the suction port 90 is also possible.

塗布領域M3の下流側隣の領域M4は、搬送中に基板Gの浮上量を塗布用の浮上量Hbから搬出用の浮上量Hc(たとえば250〜350μm)に変えるための遷移領域である。この遷移領域M4でも、ステージ76の上面に噴出口88と吸引口90とを混在させて配置してもよく、その場合は吸引口90の密度を搬送方向に沿って次第に小さくするのがよい。あるいは、吸引口90を含まずに噴出口88だけを設ける構成も可能である。また、図6に示すように、塗布領域M3と同様に遷移領域M4でも、基板G上に形成されたレジスト塗布膜に転写跡が付くのを防止するために、吸引口90(および噴出口88)を基板搬送方向(X方向)に対して一定の傾斜した角度をなす直線E上に配置し、隣接する各列間で配列ピッチに適当なオフセットβを設ける構成が好ましい。 A region M 4 adjacent to the downstream side of the coating region M 3 is a transition region for changing the flying height of the substrate G from the flying height H b for coating to the flying height H c (for example, 250 to 350 μm) during transportation. It is. Even in the transition region M 4 , the ejection port 88 and the suction port 90 may be mixed on the upper surface of the stage 76, and in this case, the density of the suction port 90 should be gradually reduced along the transport direction. . Alternatively, a configuration in which only the ejection port 88 is provided without including the suction port 90 is also possible. In addition, as shown in FIG. 6, in the transition region M 4 as well as the coating region M 3 , the suction port 90 (and the spray nozzle 90) is used to prevent the transfer mark from being applied to the resist coating film formed on the substrate G. It is preferable that the outlet 88) is disposed on a straight line E that forms a certain inclined angle with respect to the substrate transport direction (X direction), and an appropriate offset β is provided in the arrangement pitch between adjacent rows.

ステージ76の下流端(右端)の領域M5は搬出領域である。レジスト塗布ユニット(CT)40で塗布処理を受けた基板Gは、この搬出領域M5内の所定位置または搬出位置から搬送アーム74(図3)によって下流側隣の減圧乾燥ユニット(VD)42(図3)へ搬出される。この搬出領域M5には、基板Gを搬出用の浮上量Hcで浮かせるための噴出口88がステージ上面に一定の密度で多数設けられているとともに、基板Gをステージ76上からアンローディングして搬送アーム74(図3)へ受け渡すためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能な複数本のリフトピン92が所定の間隔を置いて設けられている。これらのリフトピン92は、たとえばエアシリンダ(図示せず)を駆動源に用いる搬出用のリフトピン昇降部91(図16)によって昇降駆動される。 A region M 5 at the downstream end (right end) of the stage 76 is a carry-out region. The resist coating unit (CT) substrate G having received a coating process with 40, the transport arm 74 from a predetermined position or unloading position of the unloading area M 5 vacuum drying unit on the downstream side next (FIG. 3) (VD) 42 ( 3). In the carry-out area M 5 , a number of jet outlets 88 for floating the substrate G with a flying height H c for carrying out are provided on the upper surface of the stage at a constant density, and the substrate G is unloaded from the stage 76. Thus, a plurality of lift pins 92 that can be moved up and down between the original position below the stage and the forward movement position above the stage are provided at predetermined intervals for delivery to the transfer arm 74 (FIG. 3). These lift pins 92 are driven up and down by, for example, a lift pin lift unit 91 (FIG. 16) for carrying out using an air cylinder (not shown) as a drive source.

レジストノズル78は、ステージ76上の基板Gを一端から他端までカバーできる長さで搬送方向と直交する水平方向(Y方向)に延びる長尺状のノズル本体の下端にスリット状の吐出口78aを有し、門形または逆さコ字形のノズル支持体130に昇降可能に取り付けられ、レジスト液供給機構170(図12、図16)からのレジスト液供給管94(図4)に接続されている。   The resist nozzle 78 has a length that can cover the substrate G on the stage 76 from one end to the other end, and has a slit-like discharge port 78a at the lower end of a long nozzle body that extends in the horizontal direction (Y direction) perpendicular to the transport direction. And is attached to a nozzle-shaped or inverted U-shaped nozzle support 130 so as to be movable up and down, and is connected to a resist solution supply pipe 94 (FIG. 4) from the resist solution supply mechanism 170 (FIGS. 12 and 16). .

図4、図7および図8に示すように、基板搬送部84は、ステージ76の左右両サイドに平行に配置された一対のガイドレール96と、各ガイドレール96上に軸方向(X方向)に移動可能に取り付けられたスライダ98と、各ガイドレール96上でスライダ98を直進移動させる搬送駆動部100と、各スライダ98からステージ76の中心部に向かって延びて基板Gの左右両側縁部を着脱可能に保持する保持部102とをそれぞれ有している。   As shown in FIGS. 4, 7, and 8, the substrate transport unit 84 includes a pair of guide rails 96 arranged in parallel on the left and right sides of the stage 76, and an axial direction (X direction) on each guide rail 96. A slider 98 movably attached to each other, a transport drive unit 100 for moving the slider 98 linearly on each guide rail 96, and right and left side edges of the substrate G extending from each slider 98 toward the center of the stage 76. And a holding portion 102 that holds the detachable holder.

ここで、搬送駆動部100は、直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されている。また、保持部102は、基板Gの左右両側縁部の下面に真空吸着力で結合する吸着パッド104と、先端部で吸着パッド104を支持し、スライダ98側の基端部を支点として先端部の高さ位置を変えられるように弾性変形可能な板バネ型のパッド支持部106とをそれぞれ有している。吸着パッド104は一定のピッチで一列に配置され、パッド支持部106は各々の吸着パッド104を独立に支持している。これにより、個々の吸着パッド104およびパッド支持部106が独立した高さ位置で(異なる高さ位置でも)基板Gを安定に保持できるようになっている。   Here, the conveyance drive unit 100 is configured by a linear drive mechanism such as a linear motor. The holding unit 102 supports the suction pad 104 coupled to the lower surfaces of the left and right side edges of the substrate G by a vacuum suction force, and supports the suction pad 104 at the distal end, with the proximal end on the slider 98 side serving as a fulcrum. And a plate spring type pad support portion 106 that can be elastically deformed so that the height position of each can be changed. The suction pads 104 are arranged in a line at a constant pitch, and the pad support part 106 supports each suction pad 104 independently. As a result, the individual suction pads 104 and the pad support portions 106 can stably hold the substrate G at independent height positions (even at different height positions).

図7および図8に示すように、この実施形態におけるパッド支持部106は、スライダ98の内側面に昇降可能に取り付けられた板状のパッド昇降部材108に取り付けられている。スライダ98に搭載されているたとえばエアシリンダからなるパッドアクチエータ109(図16)が、パッド昇降部材108を基板Gの浮上高さ位置よりも低い原位置(退避位置)と基板Gの浮上高さ位置に対応する往動位置(結合位置)との間で昇降移動させるようになっている。   As shown in FIGS. 7 and 8, the pad support portion 106 in this embodiment is attached to a plate-like pad elevating member 108 attached to the inner surface of the slider 98 so as to be elevable. A pad actuator 109 (FIG. 16) made of, for example, an air cylinder mounted on the slider 98 moves the pad elevating member 108 from the original position (retracted position) lower than the flying height position of the substrate G and the flying height of the substrate G. It is configured to move up and down between the forward movement position (coupling position) corresponding to the position.

図9に示すように、各々の吸着パッド104は、たとえば合成ゴム製で直方体形状のパッド本体110の上面に複数個の吸引口112を設けている。これらの吸引口112はスリット状の長穴であるが、丸や矩形の小孔でもよい。吸着パッド104には、たとえば合成ゴムからなる帯状のバキューム管114が接続されている。これらのバキューム管114の管路116はパッド吸着制御部115(図16)の真空源にそれぞれ通じている。   As shown in FIG. 9, each suction pad 104 is provided with a plurality of suction ports 112 on the upper surface of a rectangular parallelepiped pad body 110 made of, for example, synthetic rubber. These suction ports 112 are slit-like long holes, but may be round or rectangular small holes. For example, a belt-like vacuum tube 114 made of synthetic rubber is connected to the suction pad 104. The pipe lines 116 of these vacuum pipes 114 respectively communicate with the vacuum source of the pad suction control unit 115 (FIG. 16).

保持部102においては、図4に示すように、片側一列の真空吸着パッド104およびパッド支持部106が1組毎に分離している分離型または完全独立型の構成が好ましい。しかし、図10に示すように、切欠き部118を設けた一枚の板バネで片側一列分のパッド支持部120を形成してその上に片側一列の真空吸着パッド104を配置する一体型の構成も可能である。   As shown in FIG. 4, the holding unit 102 preferably has a separation type or completely independent type in which the vacuum suction pads 104 and the pad support units 106 on one side are separated for each set. However, as shown in FIG. 10, a single plate spring provided with a notch 118 is used to form a pad support portion 120 for one row on one side, and a vacuum suction pad 104 is placed on one row on the pad support portion 120. Configuration is also possible.

上記のように、ステージ76の上面に形成された多数の噴出口88およびそれらに浮上力発生用の圧縮空気を供給する圧縮空気供給機構122(図11)、さらにはステージ76の塗布領域M3内に噴出口88と混在して形成された多数の吸引口90およびそれらに真空の圧力を供給するバキューム供給機構124(図11)により、搬入領域M1や搬出領域M5では基板Gを搬入出や高速搬送に適した浮上量で浮かせ、塗布領域M3では基板Gを安定かつ正確なレジスト塗布走査に適した設定浮上量HSで浮かせるためのステージ基板浮上部145(図16)が構成されている。 As described above, the large number of jets 88 formed on the upper surface of the stage 76, the compressed air supply mechanism 122 (FIG. 11) for supplying the compressed air for generating the levitation force to them, and the coating region M 3 of the stage 76. The substrate G is carried in the carry-in area M 1 and the carry-out area M 5 by a large number of suction ports 90 formed in the inside of the jet outlet 88 and a vacuum supply mechanism 124 (FIG. 11) for supplying vacuum pressure thereto. A stage substrate floating portion 145 (FIG. 16) for floating the substrate G at a set flying height H S suitable for stable and accurate resist coating scanning is formed in the coating region M 3 . Has been.

図11に、ノズル昇降機構75、圧縮空気供給機構122およびバキューム供給機構124の構成を示す。ノズル昇降機構75は、塗布領域M3の上を搬送方向(X方向)と直交する水平方向(Y方向)に跨ぐように架設された門形フレーム130と、この門形フレーム130に取り付けられた左右一対の鉛直運動機構132L,132Rと、これらの鉛直運動機構132L,132Rの間に跨る移動体(昇降体)のノズル支持体134とを有する。各鉛直運動機構132L,132Rの駆動部は、たとえばパルスモータからなる電動モータ138L、138R、ボールネジ140L,140Rおよびガイド部材142L,142Rを有している。パルスモータ138L、138Rの回転力がボールネジ機構(140L,142L)、(140R,142R)によって鉛直方向の直線運動に変換され、昇降体のノズル支持体134と一体にレジストノズル78が鉛直方向に昇降移動する。パルスモータ138L,138Rの回転量および回転停止位置によってレジストノズル78の左右両側の昇降移動量および高さ位置を任意に制御できるようになっている。ノズル支持体134は、たとえば角柱の剛体からなり、その下面または側面にレジストノズル78をフランジ、ボルト等を介して着脱可能に取り付けている。 FIG. 11 shows the configuration of the nozzle lifting mechanism 75, the compressed air supply mechanism 122, and the vacuum supply mechanism 124. The nozzle raising / lowering mechanism 75 is attached to the gate-shaped frame 130 and the portal frame 130 laid so as to straddle the coating region M 3 in the horizontal direction (Y direction) orthogonal to the transport direction (X direction). It has a pair of left and right vertical motion mechanisms 132L and 132R, and a nozzle support 134 of a moving body (lifting body) straddling between these vertical motion mechanisms 132L and 132R. The drive units of the vertical motion mechanisms 132L and 132R include electric motors 138L and 138R made of, for example, pulse motors, ball screws 140L and 140R, and guide members 142L and 142R. The rotational force of the pulse motors 138L and 138R is converted into a linear motion in the vertical direction by the ball screw mechanisms (140L and 142L) and (140R and 142R), and the registration nozzle 78 is moved up and down integrally with the nozzle support 134 of the lifting body. Moving. The amount of elevation movement and the height position of the left and right sides of the registration nozzle 78 can be arbitrarily controlled by the rotation amounts and rotation stop positions of the pulse motors 138L and 138R. The nozzle support 134 is made of, for example, a prismatic rigid body, and a resist nozzle 78 is detachably attached to the lower surface or side surface of the nozzle support 134 via a flange, a bolt, or the like.

圧縮空気供給機構122は、ステージ76上面で分割された複数のエリア別に噴出口88に接続された正圧マニホールド144と、それら正圧マニホールド144にたとえば工場用力の圧縮空気供給源146からの圧縮空気を送り込む圧縮空気供給管148と、この圧縮空気供給管148の途中に設けられるレギュレータ150とを有している。バキューム供給機構124は、ステージ76上面で分割された複数のエリア別に吸引口90に接続された負圧マニホールド152と、それらの負圧マニホールド152からたとえば工場用力の真空源154に空気を引き込むバキューム管156と、このバキューム管156の途中に設けられる絞り弁158とを有している。   The compressed air supply mechanism 122 includes a positive pressure manifold 144 connected to a jet outlet 88 for each of a plurality of areas divided on the upper surface of the stage 76, and compressed air from a compressed air supply source 146 of factory force, for example, to the positive pressure manifold 144. Compressed air supply pipe 148 and a regulator 150 provided in the middle of the compressed air supply pipe 148. The vacuum supply mechanism 124 includes a negative pressure manifold 152 connected to the suction port 90 for each of a plurality of areas divided on the upper surface of the stage 76, and a vacuum pipe that draws air from the negative pressure manifold 152 into, for example, a vacuum source 154 of factory power. 156 and a throttle valve 158 provided in the middle of the vacuum pipe 156.

図12に、レジスト液供給機構170の構成を示す。このレジスト液供給機構170は、レジスト液Rを貯留するボトル172より吸入管174を介して少なくとも塗布処理1回分(基板1枚分)のレジスト液Rをレジストポンプ176に予め充填しておき、塗布処理時にレジストポンプ176よりレジスト液Rを吐出管またはレジスト液供給管94を介してレジストノズル78に所定の圧力で圧送し、レジストノズル78から基板G上にレジスト液Rを所定の流量で吐出するようになっている。   FIG. 12 shows the configuration of the resist solution supply mechanism 170. The resist solution supply mechanism 170 pre-fills the resist pump 176 with the resist solution R for at least one application process (for one substrate) from the bottle 172 storing the resist solution R through the suction pipe 174 to apply the resist solution R. At the time of processing, the resist solution R is sent from the resist pump 176 to the resist nozzle 78 through the discharge pipe or the resist liquid supply pipe 94 at a predetermined pressure, and the resist liquid R is discharged onto the substrate G from the resist nozzle 78 at a predetermined flow rate. It is like that.

ボトル172は密閉されており、ボトル内の液面に向けてガス管178より圧送ガスたとえばN2ガスが一定の圧力で供給されるようになっている。ガス管178には、たとえばエアオペレートバルブからなる開閉弁180が設けられている。 The bottle 172 is hermetically sealed, and pressurized gas such as N 2 gas is supplied at a constant pressure from the gas pipe 178 toward the liquid level in the bottle. The gas pipe 178 is provided with an on-off valve 180 made of, for example, an air operated valve.

吸入管174の途中には、フィルタ182、脱気モジュール184および開閉弁186が設けられている。フィルタ182はボトル172から送られてくるレジスト液R中の異物(ごみ類)を除去し、脱気モジュール184はレジスト液中の気泡を除去する。開閉弁186は、たとえばエアオペレートバルブからなり、吸入管174におけるレジスト液Rの流れをオン(全開導通)またはオフ(遮断)する。   A filter 182, a deaeration module 184, and an on-off valve 186 are provided in the middle of the suction pipe 174. The filter 182 removes foreign matter (dust) in the resist solution R sent from the bottle 172, and the degassing module 184 removes bubbles in the resist solution. The on-off valve 186 is composed of, for example, an air operated valve, and turns on (fully opens) or turns off (cuts off) the flow of the resist solution R in the suction pipe 174.

レジスト液供給管94の途中には、開閉弁188が設けられている。フィルタやサックバックバルブは設けられていない。この開閉弁188は、たとえばエアオペレートバルブからなり、レジスト液供給管94におけるレジスト液Rの流れをオン(全開導通)またはオフ(遮断)する。レジストポンプ176は、たとえばシリンジポンプからなり、ポンプ室を有するポンプ本体190と、ポンプ室の容積を任意に変えるためのピストンまたはプランジャ192と、このプランジャ192を往復運動させるためのポンプ駆動部194とを有している。   An open / close valve 188 is provided in the middle of the resist solution supply pipe 94. There is no filter or suckback valve. The on-off valve 188 is composed of, for example, an air operated valve, and turns on (fully opens) or turns off (cuts off) the flow of the resist solution R in the resist solution supply pipe 94. The resist pump 176 is composed of, for example, a syringe pump, and includes a pump main body 190 having a pump chamber, a piston or plunger 192 for arbitrarily changing the volume of the pump chamber, and a pump drive unit 194 for reciprocating the plunger 192. have.

レジスト液供給制御部196は、局所コントローラであり、コントローラ230(図16)からの指令に応じてレジスト液供給機構170内の各部、特にレジストポンプ176のポンプ駆動部194や各開閉弁180,186,188等を制御する。   The resist solution supply control unit 196 is a local controller, and in response to a command from the controller 230 (FIG. 16), each unit in the resist solution supply mechanism 170, particularly the pump drive unit 194 of the resist pump 176 and the on-off valves 180 and 186. , 188 and the like are controlled.

図13〜図15に、ステージ76の搬入領域M1に設けられるアライメント機構200の構成を示す。このアライメント機構200は、図13に示すように、ステージ76の搬入領域M1に搬入された基板Gの四隅に当接可能な複数本たとえば8本のアライメントピン202A,202B,204A,204B,206A,206B,208A,208Bを有している。 In FIGS. 13 to 15 shows the configuration of the alignment mechanism 200 provided in the carrying region M 1 stage 76. The alignment mechanism 200, as shown in FIG. 13, the stage 76 of the carry four corners can contact a plurality of areas M 1 to the loaded substrate G example 8 alignment pins 202A, 202B, 204A, 204B, 206A , 206B, 208A, 208B.

図14に示すように、これら8本のアライメントピンのうち、塗布領域M3寄りの2本のピン202A,202Bは、既定の基準位置Paで基板Gの前端の辺Gaを受け止めるようにしてこれに当接するようになっている。また、固定ピン202A,202Bと対向する2本のピン204A,204Bは、既定の原位置Pbから上記基準位置Paに向かって移動を開始して、途中から基板Gの後端の辺Gbに当接しながら同方向に移動し、基板Gの前端の辺Gaを反対側の固定ピン202A,202Bに押し付けるように機能する。塗布走査方向を基準として左側の2本のピン206A,206Bおよび右側の2本のピン208A,208Bは、それぞれ既定の原位置Pc,Pdからステージ76の中心を通る線(仮想線)76Cに向かって互いに接近する方向に同時に移動して、基板Gの左側の辺Gcおよび右側の辺Gdにそれぞれ当接し(基板Gを左右両側から挟んで)、基板Gの中心線をステージ中心線76Cに合わせる(センタリングする)ように動作する。 As shown in FIG. 14, of these eight alignment pins, two pins 202A of coating area M 3 closer, 202B is so receive the edges G a of the front end of the substrate G at a predetermined reference position P a It comes into contact with this. The fixed pins 202A, 202B facing the two pins 204A, 204B is started to move from the default situ P b toward the reference position P a, side G of the rear end of the substrate G from the middle move contact while in the same direction b, which functions to press the side G a of the front end of the substrate G opposite the fixing pins 202A, the 202B. The two pins 206A and 206B on the left side and the two pins 208A and 208B on the right side with respect to the application scanning direction are lines (virtual lines) 76C passing through the center of the stage 76 from predetermined original positions P c and P d , respectively. and simultaneously move toward each other toward the contacts respectively to the sides G c and right side G d on the left side of the substrate G (across the substrate G from the left and right sides), the stage about the center line of the substrate G It operates so as to be aligned (centered) with the line 76C.

図15Aおよび図15Bに、X方向可動アライメントピン204A,204Bを駆動するためのピン駆動部210の構成例を示す。Y方向可動アライメントピン206A,206B,208A,208Bの駆動にも、ピン駆動部210と同様のピン駆動部を用いることができる。   FIG. 15A and FIG. 15B show a configuration example of the pin driver 210 for driving the X-direction movable alignment pins 204A and 204B. A pin drive unit similar to the pin drive unit 210 can also be used to drive the Y-direction movable alignment pins 206A, 206B, 208A, and 208B.

ピン駆動部210は、たとえばシリンダからなる昇降駆動部212と、この昇降駆動部212の垂直駆動軸の先端(上端)に結合された水平支持板214と、この水平支持板214の上に取付された水平駆動部216とを有している。水平駆動部216のピン駆動軸218が、その先端部にアライメントピン204A(204B)を鉛直に支持して一定の水平方向(X方向)に前進移動または後退移動し、可動範囲内の任意の位置で停止できるようになっている。   The pin drive unit 210 is attached on the horizontal support plate 214, the vertical drive unit 212 made of, for example, a cylinder, the horizontal support plate 214 coupled to the tip (upper end) of the vertical drive shaft of the vertical drive unit 212. And a horizontal driving unit 216. The pin drive shaft 218 of the horizontal drive unit 216 supports the alignment pin 204A (204B) vertically at the tip thereof, and moves forward or backward in a certain horizontal direction (X direction), and any position within the movable range. You can stop at.

水平駆動部216は、図示省略するが、たとえば電動モータと、この電動モータの回転力をピン駆動軸218の水平直進運動に変換するための運動変換機構と、電動モータの動作(回転・停止)を制御するための制御部とを備えている。アライメントピン204A(204B)の前進移動の際に負荷トルクが一定値を超えると、制御部が電動モータの回転を停止させ、アライメントピン204A(204B)をその停止位置に保持するようになっている。   Although not shown, the horizontal drive unit 216 includes, for example, an electric motor, a motion conversion mechanism for converting the rotational force of the electric motor into a horizontal linear motion of the pin drive shaft 218, and the operation (rotation / stop) of the electric motor. And a control unit for controlling. When the load torque exceeds a certain value during the forward movement of the alignment pin 204A (204B), the control unit stops the rotation of the electric motor and holds the alignment pin 204A (204B) at the stop position. .

この実施形態では、アライメントの際に塗布走査方向(X方向)における基板Gの長さを測定するための位置(または移動距離)センサ220をピン駆動部210に搭載している。図示の構成例の位置(移動距離)センサ220は水平リニアスケールであり、水平支持板214に固定されたピン移動方向(X方向)と平行に延びる目盛部220aと、この目盛部220aをアライメントピン204A(204B)側から光学的に読み取るようにピン駆動軸218に取付された目盛読取部220bとを有している。   In this embodiment, a position (or movement distance) sensor 220 for measuring the length of the substrate G in the coating scanning direction (X direction) during the alignment is mounted on the pin driving unit 210. The position (movement distance) sensor 220 in the illustrated configuration example is a horizontal linear scale, and a scale portion 220a that extends parallel to the pin movement direction (X direction) fixed to the horizontal support plate 214, and this scale portion 220a is used as an alignment pin. A scale reading unit 220b attached to the pin drive shaft 218 so as to optically read from the 204A (204B) side.

アライメント動作において、基板Gがリフトピン86の下降によってステージ76の搬入領域M1に上方から搬入されると、先ずシリンダ212の昇降駆動により、アライメントピン204A(204B)がステージ76よりも低い所定の退避位置から基板Gよりもピン先端が高くなる所定の往動位置まで垂直に上昇する。この時、アライメントピン204A(204B)は移動方向(X方向)において原位置Pbに在り、基板Gの後端の辺Gbと不定の距離を隔てて向き合う。 In the alignment operation, when the substrate G is carried into the carry-in area M 1 of the stage 76 from above by the lowering of the lift pins 86, first, the cylinder 212 is driven to move up and down, so that the alignment pins 204 A (204 B) are lower than the stage 76. Ascend vertically from the position to a predetermined forward movement position where the tip of the pin is higher than the substrate G. At this time, the alignment pins 204A (204B) is at the original position P b in the moving direction (X direction), opposite spaced sides G b and indeterminate distance of the rear end of the substrate G.

次に、水平駆動部216が動作して、アライメントピン204A(204B)を前進させる。アライメントピン204A(204B)はこの前進移動の途中で基板Gの後側辺Gbの側面に当接し、そのまま基板Gを押しながら前進移動する。基板Gは、ステージ76の噴出口88より与えられる空気圧(浮上力)で浮いており、水平方向にスムースに移動することができる。こうして、基板Gはアライメントピン204A(204B)に押されて押圧方向(X方向)に移動し、やがてその前端側の辺Gaの側面が固定アライメントピン202A,202Bに当接する(図14)。そうすると、X方向において基板Gは可動アライメントピン204A,204Bと固定アライメントピン202A,202Bとで挟まれて動かなくなり、負荷トルクの上昇により水平駆動部216の駆動も停止して、X方向におけるアライメントが完了する(図15B)。一方、Y方向においては、左側の可動アライメントピン206A,206Bと右側の可動アライメントピン208A,208Bとが基板Gを左右両側から挟み込んだ状態でアライメントが完了する。 Next, the horizontal driving unit 216 operates to advance the alignment pin 204A (204B). Alignment pins 204A (204B) abuts the side surface of the side G b after middle substrate G of this forward movement, moves forward while it down the substrate G. The substrate G is floated by the air pressure (levitation force) applied from the jet outlet 88 of the stage 76, and can move smoothly in the horizontal direction. Thus, the substrate G is moved by being pushed by the alignment pins 204A (204B) in the pressing direction (X direction), eventually side edges G a of the front end side abuts against the fixed alignment pins 202A, 202B (FIG. 14). Then, in the X direction, the substrate G is sandwiched between the movable alignment pins 204A and 204B and the fixed alignment pins 202A and 202B, and stops moving, and the driving of the horizontal driving unit 216 is stopped due to an increase in load torque, so that the alignment in the X direction is performed. Completion (FIG. 15B). On the other hand, in the Y direction, the alignment is completed with the left movable alignment pins 206A and 206B and the right movable alignment pins 208A and 208B sandwiching the substrate G from the left and right sides.

こうしてアライメントが完了してから、位置(移動距離)センサ220を通じて、可動アライメントピン204A,204Bの現在位置つまり往動位置Pb'を読み取る。コントローラ230(図16)は、位置(移動距離)センサ220で読み取った可動アライメントピン204A,204Bの往動位置Pb'(測定値)と固定アライメントピン202A,202Bの基準位置Pa(既定値)との間の距離間隔DGを求め、この距離間隔DGを当該基板Gの基板長さの測定値とする。あるいは、位置(移動距離)センサ220を通じて可動アライメントピン204A,204Bの原位置Pbから往動位置Pb'までの移動距離δXを求め、その原位置Pb(既定値)と固定アライメントピン202A,202B側の基準位置Pa(既定値)との間の基準距離(既定値)Dxから移動距離δX(測定値)を引いて、その差(Dx−δX)の値を基板Gの長さの測定値とすることも可能である。 After the alignment is completed in this way, the current position of the movable alignment pins 204A and 204B, that is, the forward movement position P b ′ is read through the position (movement distance) sensor 220. The controller 230 (FIG. 16) reads the forward movement position P b ′ (measured value) of the movable alignment pins 204A and 204B read by the position (movement distance) sensor 220 and the reference position P a (default value) of the fixed alignment pins 202A and 202B. ) Is determined, and this distance interval DG is used as a measurement value of the substrate length of the substrate G. Alternatively, the movement distance δX from the original position P b to the forward movement position P b ′ of the movable alignment pins 204A and 204B is obtained through the position (movement distance) sensor 220, and the original position P b (default value) and the fixed alignment pin 202A are obtained. , minus the 202B side of the reference position P a reference distance moving distance [delta] x (measured value) from the (default) D x between the (default), the difference value of the substrate G (D x -δX) It can also be a length measurement.

なお、固定アライメントピン202A,202Bは、基準位置Paで鉛直方向にのみ移動すればよく、図示省略するが、たとえば昇降駆動部212(図15A,図15B)に直結されるものでよい。 The fixed alignment pins 202A, 202B may be moved only in the vertical direction at the reference position P a, although not shown, for example, the elevation driving unit 212 (FIG. 15A, FIG. 15B) may be those which are directly connected to.

図16に、この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40における制御系の主要な構成を示す。コントローラ230は、マイクロコンピュータからなり、ユニット内の各部、特にレジスト液供給機構170、ノズル昇降機構75、ステージ基板浮上部145、基板搬送部84(搬送駆動部100、パッド吸着制御部115、パッドアクチエータ109)、搬入用リフトピン昇降部85、搬出用リフトピン昇降部91、アライメント機構200、位置(移動距離)センサ220等の個々の動作と全体の動作(シーケンス)を制御する。   FIG. 16 shows the main configuration of the control system in the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment. The controller 230 includes a microcomputer, and each unit in the unit, particularly the resist solution supply mechanism 170, the nozzle lifting mechanism 75, the stage substrate floating portion 145, the substrate transport unit 84 (the transport drive unit 100, the pad suction control unit 115, the pad actuator). Eta 109), carry-in lift pin lift unit 85, carry-out lift pin lift unit 91, alignment mechanism 200, position (movement distance) sensor 220, and other individual operations and overall operations (sequence) are controlled.

次に、この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40における塗布処理動作を説明する。   Next, the coating processing operation in the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment will be described.

コントローラ230は、たとえば光ディスク等の記憶媒体に格納されている塗布処理プログラムを主メモリに取り込んで実行し、プログラムされた一連の塗布処理動作を制御する。図17に、この塗布処理動作の主要な手順を示す。   The controller 230 fetches and executes a coating processing program stored in a storage medium such as an optical disk in the main memory, and controls a series of programmed coating processing operations. FIG. 17 shows the main procedure of this coating treatment operation.

最初に、搬送装置54(図1)より未処理の新たな基板Gがステージ76の搬入領域M1に搬入される。この場合、リフトピン86が往動位置で該基板Gを受け取り、搬送装置54が退出した後に、リフトピン86が下降して基板Gを搬送用の高さ位置つまり浮上量Haの高さ位置(図5)まで降ろす(ステップA1)。 First, a new unprocessed substrate G is carried into the carry-in area M 1 of the stage 76 from the transfer device 54 (FIG. 1). In this case, receiving the substrate G lift pin 86 is in the forward position, after the conveying device 54 has exited, the height position of the height position that is the flying height H a (FIG lift pin 86 is lowered for transporting the substrate G 5) (Step A 1 ).

次いで、アライメント機構200が作動し、上記のように浮上状態の基板Gに四方からアライメントピン202A〜208Bを押し付けるようにして、基板Gをステージ76上で位置合わせする(ステップA2)。このアライメントの際に、上記したように位置(移動距離)センサ220を通じて搬送方向における基板Gの長さサイズを測定する(ステップA3)。 Next, the alignment mechanism 200 is actuated, and the substrate G is aligned on the stage 76 by pressing the alignment pins 202A to 208B from the four sides to the substrate G in the floating state as described above (step A 2 ). At the time of this alignment, the length size of the substrate G in the transport direction is measured through the position (movement distance) sensor 220 as described above (step A 3 ).

コントローラ230は、基板長さサイズの測定値を基に、この基板Gに対する塗布走査のための所定のパラメータを補正する。かかる補正パラメータとして、基板Gに対する塗布走査の開始位置、終了位置、走査距離、走査時間、レジスト液吐出の開始タイミング、終了タイミング、吐出持続時間等を選ぶことができる。   The controller 230 corrects a predetermined parameter for application scanning on the substrate G based on the measured value of the substrate length size. As such correction parameters, the start position, end position, scanning distance, scanning time, resist solution discharge start timing, end timing, discharge duration, etc., for the substrate G can be selected.

あるいは、レジストノズル78の吐出圧力および基板Gの搬送速度をそれぞれ制御するための図18に示すような吐出圧力制御波形SP(t)および走査速度制御波形SV(t)の波形を可変の補正パラメータとすることもできる。これらの吐出圧力制御波形SP(t)および走査速度制御波形SV(t)は、塗布走査に際してコントローラ230がメモリから波形信号または圧力制御信号および搬送速度制御信号として読み出してレジスト液供給機構170および基板搬送部84に与えるものである。   Alternatively, the discharge pressure control waveform SP (t) and the scanning speed control waveform SV (t) as shown in FIG. 18 for controlling the discharge pressure of the resist nozzle 78 and the conveyance speed of the substrate G are variable correction parameters. It can also be. The discharge pressure control waveform SP (t) and the scanning speed control waveform SV (t) are read by the controller 230 from the memory as a waveform signal, a pressure control signal, and a transport speed control signal during coating scanning, and the resist solution supply mechanism 170 and the substrate. This is given to the conveyance unit 84.

このような吐出圧力制御波形SP(t)および走査速度制御波形SV(t)は時間軸上に設定されており、これを塗布走査方向のX軸上の波形SP(x),SV(x)に置き換えることができる。その場合、走査速度制御波形SV(t)においては、その立ち上がりの始端が塗布走査の開始位置に対応し、立ち下がりの終端が塗布走査の終了位置に対応する。なお、吐出圧力制御波形SP(t)と走査速度制御波形SV(t)の間には任意の時間差が設けられてよく、たとえば吐出圧力制御波形SP(t)に対して走査速度制御波形SV(t)が幾らか遅れるように両者のタイミング関係が設定される。   Such a discharge pressure control waveform SP (t) and a scanning speed control waveform SV (t) are set on the time axis, and are used as waveforms SP (x) and SV (x) on the X axis in the application scanning direction. Can be replaced. In this case, in the scanning speed control waveform SV (t), the start end of the rising corresponds to the start position of the application scanning, and the end of the falling corresponds to the end position of the application scanning. An arbitrary time difference may be provided between the discharge pressure control waveform SP (t) and the scanning speed control waveform SV (t). For example, the scanning speed control waveform SV (t) is compared with the discharge pressure control waveform SP (t). The timing relationship between the two is set so that t) is somewhat delayed.

一般に、吐出圧力制御波形SP(t)と走査速度制御波形SV(t)は、基板長さの規格値または標準値に基づいて設定されている。したがって、外形寸法の公差や反り等で基板Gの基板長さが標準値からずれていた場合に、標準の吐出圧力制御波形SP(t)および走査速度制御波形SV(t)を用いて塗布走査を行ったならば、その基板のずれ(誤差)に応じて塗布走査の開始位置または塗布走査の終了位置がずれることになる。通常、ステージ76上では上記したアライメントだけでなく塗布走査でも基板Gの前端の辺Gaを基準位置に合わせるので、基板長さの誤差の有無や誤差の度合いに拘らず基板G上の塗布走査の開始を常に一定位置に制御することができる。つまり、基板長さが標準値からずれていると、概して塗布走査の終了位置に影響が現れ、たとえば当該基板Gの基板長さが標準値よりも小さく、その誤差の度合いが大きいと、基板Gの後端を行き過ぎてしまい、基板Gの外へレジスト液をこぼしてしまうこともある。 In general, the discharge pressure control waveform SP (t) and the scanning speed control waveform SV (t) are set based on the standard value or standard value of the substrate length. Therefore, when the substrate length of the substrate G deviates from the standard value due to tolerances or warpage of the outer dimensions, the application scanning is performed using the standard discharge pressure control waveform SP (t) and the scanning speed control waveform SV (t). Then, the start position of the application scan or the end position of the application scan is shifted according to the deviation (error) of the substrate. Normally, on the stage 76, the front edge G a of the substrate G is aligned with the reference position not only in the above-described alignment but also in the application scan, so that the application scan on the substrate G is performed regardless of the presence or absence of the substrate length error and the degree of error. Can always be controlled at a fixed position. That is, if the substrate length is deviated from the standard value, the application scanning end position is generally affected. For example, if the substrate length of the substrate G is smaller than the standard value and the degree of error is large, the substrate G In other cases, the resist solution may spill out of the substrate G.

そこで、この実施形態では、上記のようにステージ76の搬入領域M1における基板Gのアライメントの際に得られる基板長さの測定値を基に、コントローラ230において吐出圧力制御波形SP(t)および走査速度制御波形SV(t)を補正する(ステップA4)。具体的には、標準の吐出圧力制御波形SP(t)および走査速度制御波形SV(t)を上記のようにX軸上の吐出圧力制御波形SP(x)および走査速度制御波形SV(x)に置き換えて、両波形SP(x),SV(x)に基板長さの測定値に応じた補正をかけ、補正後の両波形SP(x),SV(x)を時間軸上の吐出圧力制御波形SP(t)および走査速度制御波形SV(t)に置き換える。あるいは、基板長さの測定値を時間に換算して、標準の吐出圧力制御波形SP(t)および走査速度制御波形SV(t)に直接補正をかけることも可能である。 Therefore, in this embodiment, the controller 230 uses the discharge pressure control waveform SP (t) and the measured value of the substrate length obtained during the alignment of the substrate G in the loading region M 1 of the stage 76 as described above. The scanning speed control waveform SV (t) is corrected (Step A 4 ). Specifically, the standard discharge pressure control waveform SP (t) and the scanning speed control waveform SV (t) are converted into the discharge pressure control waveform SP (x) and the scanning speed control waveform SV (x) on the X axis as described above. Is applied to both waveforms SP (x) and SV (x) in accordance with the measured value of the substrate length, and both waveforms SP (x) and SV (x) after correction are discharged pressure on the time axis. The control waveform SP (t) and the scanning speed control waveform SV (t) are replaced. Alternatively, it is also possible to directly correct the standard discharge pressure control waveform SP (t) and the scanning speed control waveform SV (t) by converting the measured value of the substrate length into time.

この実施形態においては、上記のような塗布走査パラメータ補正機能により、たとえば当該基板Gの基板長さが標準値よりも小さい場合は、図18において一点鎖線で示すように、吐出圧力制御波形SP(t)および走査速度制御波形SV(t)の終端部分を短縮するような補正がかけられる。この補正は塗布走査が開始される前に行われる。   In this embodiment, for example, when the substrate length of the substrate G is smaller than the standard value by the coating scanning parameter correction function as described above, as shown by a one-dot chain line in FIG. Correction is performed so as to shorten the end portion of t) and the scanning speed control waveform SV (t). This correction is performed before the application scan is started.

上記のようにして搬入領域M1において基板Gのアライメントおよび基板長さ測定が済むと、アライメント機構200はアライメントピン202A〜208Bを基板Gから離して垂直下方に退避位置まで下ろす。その直後に、基板搬送部84は、保持部102で基板Gの側縁部を保持したままスライダ98を搬送始点位置から搬送方向(X方向)へ比較的高速の一定速度で直進移動させる。こうして基板Gがステージ76上を浮いた状態で搬送方向(X方向)へ直進移動し、基板Gの前端部が塗布領域M3内の設定位置または塗布走査開始位置に着いたところで、基板搬送部84が第1段階の基板搬送を停止する。 When the loading area M 1 in the manner described above requires alignment and substrate length measurements of the substrate G, the alignment mechanism 200 lower the alignment pin 202A~208B to the retracted position vertically downward away from the substrate G. Immediately thereafter, the substrate transport unit 84 moves the slider 98 straight from the transport start point position to the transport direction (X direction) at a relatively high constant speed while holding the side edge of the substrate G by the holding unit 102. Thus straight movement in the conveying direction (X direction) in a state where the substrate G is floated on the stage 76, where the front end of the substrate G has reached the set position or applying scanning start position in the application region M 3, the substrate transport unit 84 stops the substrate transfer in the first stage.

上記のように基板Gが塗布領域M3内の設定位置つまり塗布走査開始位置に到着しそこで停止すると、コントローラ230の制御の下でノズル昇降機構75(図11)が作動して、レジストノズル78を垂直下方に降ろし、ノズルの吐出口78aと基板Gとの距離間隔または塗布ギャップを初期値(たとえば60μm)に合わせる。次いで、コントローラ230の制御の下で、レジスト液供給機構170(図12)がレジスト液Rの吐出を開始するのと同時に基板搬送部84も第2段階の基板搬送を開始し、一方でノズル昇降機構75がレジストノズル78を塗布ギャップが設定値SA(たとえば240μm)になるまで一瞬に上昇させ、その後はそのまま基板Gを水平移動させる。こうして、レジスト液供給機構170におけるレジスト液吐出動作と基板搬送部84における基板搬送動作との同期のとれた協働または連携により、基板Gに対する塗布走査が行われる(ステップA5)。 As described above, when the substrate G arrives at the set position in the coating area M 3 , that is, stops at the coating scanning start position, the nozzle lifting mechanism 75 (FIG. 11) operates under the control of the controller 230, and the resist nozzle 78. Is lowered vertically, and the distance interval or the coating gap between the nozzle outlet 78a and the substrate G is adjusted to the initial value (for example, 60 μm). Next, under the control of the controller 230, the substrate transport unit 84 also starts the second stage substrate transport at the same time as the resist solution supply mechanism 170 (FIG. 12) starts to discharge the resist solution R. The mechanism 75 raises the resist nozzle 78 instantaneously until the coating gap reaches a set value S A (for example, 240 μm), and thereafter moves the substrate G horizontally. In this way, the application scanning with respect to the substrate G is performed by the synchronized cooperation or cooperation between the resist solution discharge operation in the resist solution supply mechanism 170 and the substrate transfer operation in the substrate transfer unit 84 (step A 5 ).

ここで、レジスト液供給機構170におけるレジスト液吐出動作は、上記のようにアライメント動作の際に得られた基板長さ測定値を基づいて補正した吐出圧力制御波形SP(t)にしたがって行われる。また、基板搬送部84における第2段階つまり塗布走査用の基板搬送は、上記のようにアライメントの際に得られた基板長さ測定値に基づいて補正した走査速度制御波形SV(t)にしたがって行われる。   Here, the resist solution discharge operation in the resist solution supply mechanism 170 is performed according to the discharge pressure control waveform SP (t) corrected based on the measured substrate length obtained during the alignment operation as described above. Further, the second stage in the substrate transport section 84, that is, the substrate transport for coating scanning, is performed according to the scanning speed control waveform SV (t) corrected based on the measured substrate length obtained at the time of alignment as described above. Done.

こうして、塗布領域M3内において、基板Gが水平姿勢で搬送方向(X方向)に一定速度VSで移動するのと同時に、長尺形のレジストノズル78が直下の基板Gに向けてレジスト液Rを一定の吐出圧力PSで帯状に吐出することにより、図19および図20に示すように基板Gの前端側から後端側に向かってレジスト液の塗布膜RMが一定の膜厚で形成されていく。 Thus, in the coating region M 3 , the substrate G moves at a constant speed V S in the transport direction (X direction) in a horizontal posture, and at the same time, the long resist nozzle 78 moves toward the substrate G directly below the resist solution. By discharging R in a strip shape with a constant discharge pressure P S , a resist solution coating film RM is formed with a constant film thickness from the front end side to the rear end side of the substrate G as shown in FIGS. It will be done.

図21に示すように、塗布領域M3で上記のような塗布処理が済むと、つまり基板Gの後端部がレジストノズル78の直下を過ぎるあたりで、レジスト液供給機構170がレジストノズル78からのレジスト液Rの吐出を終了させる。これとほぼ同時に、基板搬送部84は第2段階(塗布走査用)の基板搬送を停止する。 As shown in FIG. 21, when the above-described coating process is completed in the coating region M 3 , that is, when the rear end portion of the substrate G passes just below the resist nozzle 78, the resist solution supply mechanism 170 moves from the resist nozzle 78. The discharge of the resist solution R is terminated. At substantially the same time, the substrate transport unit 84 stops the substrate transport in the second stage (for application scanning).

図22に、上記のような塗布走査によって基板G上に形成されるレジスト塗布膜RMの塗布走査終了後のパターンを模式的に示す。基板Gの周縁部には、一点鎖線Lで示すように、製品領域つまり膜厚保証領域ESと非製品領域つまり膜厚非保証領域(マージン領域)EMとを分かつ仮想の領域境界線が設定されている。   FIG. 22 schematically shows a pattern after the end of the application scan of the resist coating film RM formed on the substrate G by the application scan as described above. On the peripheral edge of the substrate G, as indicated by a one-dot chain line L, a product region, that is, a film thickness guarantee region ES, and a non-product region, that is, a film thickness non-guaranteed region (margin region) EM are divided. ing.

この実施形態においては、上記のように基板Gの基板長さ測定値を基に補正した吐出圧力制御波形SP(t)および走査速度制御波形SV(t)にしたがって塗布走査が行われるので、基板G上にレジスト塗布膜RMを所望のアウトライン(外郭線)および膜厚プロファイルで形成することができる。つまり、図22に示すように、基板G上でレジスト塗布膜RMのアウトラインを基板エッジの外へはみ出させることなくマージン領域EM内の所望の位置に合わせ、塗布走査の開始位置付近および終了位置付近にできるレジスト塗布膜RMの盛り上がりRMAを実質的にマージン領域EM内に止める(膜厚保証領域ESに入ってこないようにする)ことができる。   In this embodiment, since the application scanning is performed according to the discharge pressure control waveform SP (t) and the scanning speed control waveform SV (t) corrected based on the measured substrate length of the substrate G as described above, the substrate is scanned. A resist coating film RM can be formed on G with a desired outline (outline) and a film thickness profile. That is, as shown in FIG. 22, the outline of the resist coating film RM on the substrate G is aligned with a desired position in the margin area EM without protruding outside the substrate edge, and near the start position and end position of the coating scan. The rising RMA of the resist coating film RM that can be formed can be substantially stopped in the margin area EM (so as not to enter the film thickness guarantee area ES).

なお、塗布走査方向と直交する方向(Y方向)においても、アライメントの際に基板Gをステージ76上でセンタリングしてレジストノズル78の中心線に合わせているので、基板Gの幅サイズに公差や誤差があっても、その誤差を左右均等に2分割して、レジスト塗布膜RMのアウトラインおよび膜厚プロファイルを左右均等に揃えることができる。   Even in the direction (Y direction) orthogonal to the application scanning direction, the substrate G is centered on the stage 76 and aligned with the center line of the resist nozzle 78 at the time of alignment. Even if there is an error, the error can be equally divided into left and right, and the outline and film thickness profile of the resist coating film RM can be evenly aligned on the left and right.

上記のような塗布走査が終了した後に、ノズル昇降機構75がレジストノズル78を垂直上方に持ち上げて基板Gから退避させる。次いで、基板搬送部84は搬送速度の比較的大きい第3段階の基板搬送を開始する。そして、基板Gが搬出領域M5内の搬送終点位置に着くと、基板搬送部84は第3段階の基板搬送を停止する。この直後に、パッド吸着制御部115が吸着パッド104に対するバキュームの供給を止め、これと同時にパッドアクチエータ109が吸着パッド104を往動位置(結合位置)から原位置(退避位置)へ下ろし、基板Gの両側端部から吸着パッド104を分離させる。この時、パッド吸着制御部115は吸着パッド104に正圧(圧縮空気)を供給し、基板Gからの分離を速める。代わって、リフトピン92が基板Gをアンローディングするためにステージ下方の原位置からステージ上方の往動位置へ上昇する。 After the application scanning as described above is completed, the nozzle lifting mechanism 75 lifts the resist nozzle 78 vertically upward and retracts it from the substrate G. Next, the substrate transport unit 84 starts the third stage substrate transport with a relatively high transport speed. When the substrate G arrives at the conveying end position in the unloading area M 5, the substrate conveying unit 84 to stop the substrate carrying the third stage. Immediately after this, the pad suction control unit 115 stops the supply of vacuum to the suction pad 104, and at the same time, the pad actuator 109 lowers the suction pad 104 from the forward movement position (coupling position) to the original position (retraction position), and the substrate The suction pad 104 is separated from both end portions of G. At this time, the pad suction control unit 115 supplies positive pressure (compressed air) to the suction pad 104 to speed up the separation from the substrate G. Instead, the lift pins 92 rise from the original position below the stage to the forward movement position above the stage in order to unload the substrate G.

しかる後、搬出領域M5に搬出機つまり搬送アーム74がアクセスし、リフトピン92から基板Gを受け取ってステージ76の外へ搬出する(ステップA6)。基板搬送部84は、基板Gをリフトピン92に渡したなら直ちに搬入領域M1へ高速度で引き返す。搬出領域M5で上記のように処理済の基板Gが搬出される頃に、搬入領域M1では次に塗布処理を受けるべき新たな基板Gについて上記と同様にして搬入、アライメント、基板長さ測定、搬送開始が順次行われる。 Thereafter, access is unloaded machine clogging the transfer arm 74 to the unloading area M 5, are carried out from the lift pins 92 receiving the substrate G out of the stage 76 (Step A 6). The substrate transport unit 84 immediately returns the substrate G to the loading region M 1 at a high speed when the substrate G is transferred to the lift pins 92. When the processed substrate G is unloaded as described above in the unloading region M 5 , the loading, alignment, and substrate length of the new substrate G to be subjected to the coating process next in the loading region M 1 are the same as described above. Measurement and transfer start are performed sequentially.

上記のように、この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40は、ステージ76の塗布領域M3における塗布走査に先立って、搬入領域M1でアライメント機構200により基板Gの位置合わせを行うとともに、位置(移動距離)センサ220を用いて基板Gの長さサイズを測定し、基板サイズ測定値に応じて塗布走査用の所定のパラメータ、たとえば塗布走査開始位置(タイミング)、塗布走査終了位置(タイミング)、塗布走査距離(塗布走査時間)あるいは吐出圧力制御波形SP(t)および走査速度制御波形SV(t)等に補正をかける。そして、こうして補正をかけたパラメータを用いて塗布領域M3で塗布走査を行うことにより、基板Gのサイズに公差や誤差があっても、基板G上に形成されるレジスト塗布膜RMのアウトラインや膜厚プロファイルに基板サイズの誤差の影響が現れないようにすることが可能であり、ひいては塗布処理の信頼性および製品歩留まりを向上させることができる。 As described above, the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment aligns the substrate G by the alignment mechanism 200 in the carry-in region M 1 prior to coating scanning in the coating region M 3 of the stage 76, and A position (movement distance) sensor 220 is used to measure the length size of the substrate G, and predetermined parameters for application scanning, such as application scan start position (timing), application scan end position (timing), according to the measured substrate size. ), The application scanning distance (application scanning time), the discharge pressure control waveform SP (t), the scanning speed control waveform SV (t), etc. are corrected. Then, by performing coating scanning in the coating region M 3 using the parameters thus corrected, even if there is a tolerance or error in the size of the substrate G, the outline of the resist coating film RM formed on the substrate G, It is possible to prevent the influence of the substrate size error from appearing in the film thickness profile, and as a result, the reliability of the coating process and the product yield can be improved.

以上本発明を好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術思想の範囲内で種々の変形が可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the technical idea.

たとえば、上記実施形態では、可動アライメントピン204A,204Bの位置または移動距離を測定するために、光学式のセンサ(水平リニアスケール220)を用いた。しかし、非光学式のセンサも使用可能であり、水平駆動部216内の電動モータの回転量から移動距離測定値を求めることも可能である。   For example, in the above embodiment, an optical sensor (horizontal linear scale 220) is used to measure the position or moving distance of the movable alignment pins 204A and 204B. However, a non-optical sensor can also be used, and the movement distance measurement value can be obtained from the rotation amount of the electric motor in the horizontal drive unit 216.

また、上記実施形態では、アライメントの際に基板Gのサイズを塗布走査方向のみで測定した。しかし、塗布走査方向(X方向)と直交する方向(Y方向)で基板サイズを測定してもよく、その基板サイズ測定値に基づいて塗布処理用の所定のパラメータを補正することができる。たとえば、Y方向において基板Gのセンタリングを行わず、基板Gの片方の辺を基準位置に合わせる場合、基板サイズに公差や誤差があると、基板Gの中心線がステージ中心線76Cの中心線からずれる。そこで、Y方向において基板サイズ測定値に応じてレジストノズル78を変位させることも可能である。他面において、基板Gに対するアライメントを塗布走査方向(X方向)のみで行い、それと直交する方向(Y方向)では省くことも可能である。また、塗布走査方向(X方向)において、アライメントピン202A,202Bを固定型から可動型に変更することも可能である。   Moreover, in the said embodiment, the size of the board | substrate G was measured only in the application | coating scanning direction in the case of alignment. However, the substrate size may be measured in a direction (Y direction) orthogonal to the coating scanning direction (X direction), and a predetermined parameter for coating processing can be corrected based on the measured substrate size. For example, when the substrate G is not centered in the Y direction and one side of the substrate G is aligned with the reference position, if there is a tolerance or an error in the substrate size, the center line of the substrate G is separated from the center line of the stage center line 76C. Shift. Therefore, it is also possible to displace the resist nozzle 78 in accordance with the substrate size measurement value in the Y direction. On the other surface, the alignment with respect to the substrate G can be performed only in the application scanning direction (X direction), and can be omitted in the direction (Y direction) perpendicular thereto. In the application scanning direction (X direction), the alignment pins 202A and 202B can be changed from a fixed type to a movable type.

上記した実施形態は浮上搬送式のスピンレス塗布法に係るものであったが、本発明は吸着固定型のステージ上に基板を水平に載置固定して、基板上方で長尺形レジストノズルをノズル長手方向と直交する水平方向に移動させながら基板上の端から端までレジスト液を塗布する方式のスピンレス塗布法にも適用可能である。その場合でも、吸着固定型ステージの上で基板の位置合わせを行うためのアライメント機構を設けるとともに、アライメントの際に基板のサイズ(特に塗布走査方向のサイズ)を測定する基板サイズ測定部を備えることができる。   The above-described embodiment relates to the levitation transfer type spinless coating method, but the present invention horizontally mounts and fixes the substrate on the suction-fixed type stage, and the long resist nozzle is nozzled above the substrate. The present invention can also be applied to a spinless coating method in which a resist solution is applied from end to end on a substrate while moving in a horizontal direction perpendicular to the longitudinal direction. Even in such a case, an alignment mechanism for aligning the substrate on the suction-fixed stage is provided, and a substrate size measuring unit that measures the size of the substrate (particularly, the size in the application scanning direction) is provided at the time of alignment. Can do.

また、本発明における基板サイズの測定は塗布走査の直前に行うのが最も好ましいが、塗布現像処理システム(図1)内でレジスト塗布ユニット(CT)40よりもプロセスフローに関して上流に位置する任意のユニットで基板のアライメントが行われる場合にはその場所で基板のサイズを測定することも可能である。   The measurement of the substrate size in the present invention is most preferably performed immediately before the application scan, but any arbitrary position upstream in the process flow from the resist application unit (CT) 40 in the application development processing system (FIG. 1). When the substrate is aligned in the unit, the size of the substrate can be measured at that location.

本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はLCD基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、CD基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。   In addition to the resist solution, for example, a coating solution such as an interlayer insulating material, a dielectric material, and a wiring material can be used as the processing solution in the present invention, and a developing solution, a rinsing solution, and the like are also possible. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, photomasks, printed substrates and the like are also possible.

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the application | coating development processing system which can apply this invention. 上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process sequence in the said application | coating development processing system. 上記塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニットおよび減圧乾燥ユニットの全体構成を示す略平面図である。It is a schematic plan view showing the entire configuration of a resist coating unit and a vacuum drying unit in the coating and developing treatment system. 上記レジスト塗布ユニットの全体構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the whole structure of the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットの全体構成を示す略正面図である。It is a schematic front view which shows the whole structure of the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニット内のステージ塗布領域における噴出口と吸入口の配列パターンの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the array pattern of the jet nozzle and suction inlet in the stage application | coating area | region in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の構成を示す一部断面略側面図である。It is a partial cross section schematic side view which shows the structure of the board | substrate conveyance part in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の保持部の構成を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the structure of the holding | maintenance part of the board | substrate conveyance part in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部のパッド部の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the pad part of the board | substrate conveyance part in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の保持部の一変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one modification of the holding | maintenance part of the board | substrate conveyance part in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおけるノズル昇降機構、圧縮空気供給機構およびバキューム供給機構の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the nozzle raising / lowering mechanism, compressed air supply mechanism, and vacuum supply mechanism in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおけるレジスト液供給機構の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the resist liquid supply mechanism in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおけるアライメント機構の要部の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the principal part of the alignment mechanism in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおける基板アライメントおよび基板長さ測定の作用を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the effect | action of the board | substrate alignment in the said resist coating unit and board | substrate length measurement. 上記レジスト塗布ユニットにおけるアライメント機構のピン駆動部の構成および作用(一段階)を示す側面図である。It is a side view which shows the structure and effect | action (one step) of the pin drive part of the alignment mechanism in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおけるアライメント機構のピン駆動部の構成および作用(一段階)を示す側面図である。It is a side view which shows the structure and effect | action (one step) of the pin drive part of the alignment mechanism in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおける制御系の主要な構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the main structures of the control system in the said resist application unit. 上記レジスト塗布ユニットにおける塗布処理動作の主要な手順を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows the main procedures of the coating processing operation in the said resist coating unit. 上記レジスト塗布ユニットにおける塗布走査で用いる吐出圧力制御波形および走査速度制御波形を示す波形図である。It is a wave form diagram which shows the discharge pressure control waveform and scanning speed control waveform which are used by the application | coating scanning in the said resist application | coating unit. 実施形態の塗布走査においてレジスト塗布膜が形成される様子を示す側面図である。It is a side view which shows a mode that a resist coating film is formed in the application | coating scanning of embodiment. 実施形態の塗布走査においてレジスト塗布膜が形成される様子を示す平面図である。It is a top view which shows a mode that the resist coating film is formed in the application | coating scanning of embodiment. 実施形態の塗布走査が終了した時のステージ上の各部の状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state of each part on the stage when the application | coating scanning of embodiment is complete | finished. 実施形態の塗布走査が終了した後の基板上のレジスト塗布膜のパターンを模式的に示す図(側面図および平面図)である。It is a figure (side view and top view) which shows typically the pattern of the resist coating film on the board | substrate after the application | coating scan of embodiment is complete | finished.

符号の説明Explanation of symbols

40 レジスト塗布ユニット(CT)
75 ノズル昇降機構
76 ステージ
78 レジストノズル
78a 吐出口
84 基板搬送部
100 搬送駆動部
170 レジスト液供給機構
200 アライメント機構
202A,202B X方向固定アライメントピン
204A,204B X方向可動アライメントピン
206A,206B,208A,208B Y方向可動アライメントピン
210 ピン駆動部
220 位置(移動距離)センサ
230 コントローラ
40 resist coating unit (CT)
75 Nozzle lifting mechanism 76 Stage 78 Resist nozzle 78a Ejection port 84 Substrate transport unit 100 Transport drive unit 170 Resist liquid supply mechanism 200 Alignment mechanism 202A, 202B X direction fixed alignment pin 204A, 204B X direction movable alignment pin 206A, 206B, 208A, 208B Y direction movable alignment pin 210 Pin driver 220 Position (movement distance) sensor 230 Controller

Claims (21)

被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を吐出させながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布方法であって、
前記塗布走査に先立ち、所定の場所で前記基板をその板面と平行な一次元方向または二次元方向に移動させて前記基板の位置合わせを行う工程と、
前記基板の位置合わせの際に前記基板のサイズを測定する工程と、
前記基板サイズの測定値にしたがって前記塗布走査のための所定のパラメータを補正する工程と
を有する塗布方法。
The substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle are opposed substantially horizontally with a minute gap, and the nozzle is moved in the horizontal direction while discharging the processing liquid from the nozzle to the substrate. A coating method for performing a coating scan to form a coating film of the treatment liquid on the substrate,
Prior to the application scan, the substrate is moved at a predetermined location in a one-dimensional direction or a two-dimensional direction parallel to the plate surface, and the substrate is aligned.
Measuring the size of the substrate during alignment of the substrate;
Correcting a predetermined parameter for the application scanning according to the measured value of the substrate size.
前記パラメータは、前記基板上に設定される前記塗布走査の始点または終点の位置を含む請求項1に記載の塗布方法。   The coating method according to claim 1, wherein the parameter includes a position of a start point or an end point of the coating scan set on the substrate. 前記パラメータは、前記基板上に設定される前記塗布走査の始点から終点までの距離を含む請求項1に記載の塗布方法。   The coating method according to claim 1, wherein the parameter includes a distance from a start point to an end point of the coating scan set on the substrate. 前記パラメータは、前記塗布走査において前記基板に対する前記ノズルの相対移動速度の時間特性を規定する走査速度制御波形を含む請求項1に記載の塗布方法。   The coating method according to claim 1, wherein the parameter includes a scanning speed control waveform that defines a temporal characteristic of a relative movement speed of the nozzle with respect to the substrate in the coating scanning. 前記パラメータは、前記基板上に対して前記ノズルより前記処理液の吐出を開始または終了するタイミングを含む請求項1に記載の塗布方法。   The coating method according to claim 1, wherein the parameter includes a timing at which discharge of the processing liquid from the nozzle is started or ended on the substrate. 前記パラメータは、前記基板上に対して前記ノズルより前記処理液の吐出を開始してから終了するまでの吐出持続時間を含む請求項1に記載の塗布方法。   The coating method according to claim 1, wherein the parameter includes a discharge duration time from the start of discharge of the treatment liquid from the nozzle to the end of the substrate on the substrate. 前記パラメータは、前記塗布走査において前記ノズルより処理液を吐出する圧力の時間特性を規定する吐出圧力制御波形を含む請求項1に記載の塗布方法。   The coating method according to claim 1, wherein the parameter includes a discharge pressure control waveform that defines a time characteristic of a pressure at which the processing liquid is discharged from the nozzle in the coating scan. 前記基板は矩形であり、
前記塗布走査は、前記基板の第1の辺からそれと反対側の第2の辺に向かって行われ、
前記基板サイズ測定工程は、少なくとも前記基板の第1の辺から第2の辺までの長さを測定する請求項1〜7のいずれか一項に記載の塗布方法。
The substrate is rectangular;
The application scan is performed from the first side of the substrate toward the second side opposite to the first side,
The coating method according to claim 1, wherein the substrate size measurement step measures at least a length from a first side to a second side of the substrate.
前記基板位置合わせ工程は、前記基板の第1の辺および第2の辺のいずれか一方を既定の基準位置に合わせる請求項8に記載の塗布方法。   The coating method according to claim 8, wherein in the substrate alignment step, one of the first side and the second side of the substrate is aligned with a predetermined reference position. 被処理基板をほぼ水平に支持するためのステージと、
前記ステージ上で前記基板をその板面と平行な一次元方向または二次元方向に移動させて前記基板の位置合わせを行うアライメント機構と、
前記位置合わせの済んだ前記基板に対して長尺形ノズルの吐出口を微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記ノズルより処理液を吐出させながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布処理部と、
前記基板の位置合わせの際に前記基板のサイズを測定する基板サイズ測定部と、
前記基板サイズの測定値にしたがって前記塗布走査のために前記塗布処理部で用いる所定のパラメータを補正するパラメータ補正部と
を有する塗布装置。
A stage for supporting the substrate to be processed substantially horizontally;
An alignment mechanism for aligning the substrate by moving the substrate in a one-dimensional direction or a two-dimensional direction parallel to the plate surface on the stage;
The discharge port of the long nozzle is opposed to the aligned substrate substantially horizontally with a small gap, and the nozzle is moved relatively in the horizontal direction while discharging the processing liquid from the nozzle. A coating processing unit that performs coating scanning to form a coating film of the processing liquid on the substrate;
A substrate size measuring unit for measuring the size of the substrate at the time of alignment of the substrate;
And a parameter correction unit that corrects a predetermined parameter used in the coating processing unit for the coating scanning in accordance with the measured value of the substrate size.
前記パラメータ補正部は、前記基板上に設定される前記塗布走査の始点または終点の位置を補正する請求項10に記載の塗布装置。   The coating apparatus according to claim 10, wherein the parameter correction unit corrects a position of a start point or an end point of the coating scan set on the substrate. 前記パラメータ補正部は、前記基板上に設定される前記塗布走査の始点から終点までの距離を補正する請求項10に記載の塗布装置。   The coating apparatus according to claim 10, wherein the parameter correction unit corrects a distance from a start point to an end point of the coating scan set on the substrate. 前記パラメータ補正部は、前記塗布走査において前記基板に対する前記ノズルの相対移動速度の時間特性を規定する走査速度制御波形を補正する請求項10に記載の塗布装置。   The coating apparatus according to claim 10, wherein the parameter correction unit corrects a scanning speed control waveform that defines a time characteristic of a relative movement speed of the nozzle with respect to the substrate in the coating scanning. 前記パラメータ補正部は、前記基板上に対して前記ノズルより前記処理液の吐出を開始または終了するタイミングを補正する請求項10に記載の塗布装置。   The coating apparatus according to claim 10, wherein the parameter correction unit corrects a timing at which discharge of the processing liquid from the nozzle is started or ended with respect to the substrate. 前記パラメータ補正部は、前記基板上に対して前記ノズルより前記処理液の吐出を開始してから終了するまでの持続時間を補正する請求項10に記載の塗布装置。   11. The coating apparatus according to claim 10, wherein the parameter correction unit corrects a duration time from the start of the discharge of the processing liquid from the nozzle to the end thereof on the substrate. 前記パラメータ補正部は、前記塗布走査において前記ノズルより処理液を吐出する圧力の時間特性を規定する吐出圧力制御波形を補正する請求項10に記載の塗布装置。   The coating apparatus according to claim 10, wherein the parameter correction unit corrects a discharge pressure control waveform that defines a time characteristic of a pressure at which the processing liquid is discharged from the nozzle in the coating scan. 前記基板は矩形であり、
前記塗布処理部は、前記基板の第1の辺からそれと反対側の第2の辺に向かって前記塗布処理を行い、
前記基板サイズ測定部は、少なくとも前記基板の第1の辺から第2の辺までの長さを測定する請求項10〜16のいずれか一項に記載の塗布装置。
The substrate is rectangular;
The coating treatment unit performs the coating treatment from the first side of the substrate toward the second side opposite to the first side,
The coating apparatus according to claim 10, wherein the substrate size measuring unit measures at least a length from a first side to a second side of the substrate.
前記アライメント機構は、
前記基板を前記一次元方向または二次元方向に移動可能に支持する基板支持部と、
前記基板の第1および第2の辺の側面にそれぞれ当接可能な第1および第2の当接部材と、
前記基板の第1および第2の辺のいずれか一方が既定の基準位置に位置決めされるまで前記第1および第2の当接部材の少なくとも一方を移動させる移動部と
を有する請求項17に記載の塗布装置。
The alignment mechanism is
A substrate support unit that supports the substrate so as to be movable in the one-dimensional direction or the two-dimensional direction;
First and second contact members capable of contacting the side surfaces of the first and second sides of the substrate, respectively;
The moving part which moves at least one of the said 1st and 2nd contact member until any one of the 1st and 2nd edge | side of the said board | substrate is positioned in the predetermined reference position. Coating device.
前記基板サイズ測定部は、前記基板の位置合わせが完了した状態における前記第1および第2の当接部材の位置に基づいて前記基板サイズの測定値を求める請求項18に記載の塗布装置。   The coating apparatus according to claim 18, wherein the substrate size measurement unit obtains a measurement value of the substrate size based on positions of the first and second contact members in a state where the alignment of the substrate is completed. 前記基板サイズ測定部は、前記基板の第1および第2の辺のいずれか一方が既定の基準位置に位置決めされた状態で他方の辺の位置を検出する位置センサを有し、その位置センサにより得られる位置情報に基づいて前記基板サイズの測定値を求める請求項19に記載の塗布装置。   The substrate size measuring unit has a position sensor that detects the position of the other side in a state where either one of the first and second sides of the substrate is positioned at a predetermined reference position. The coating apparatus according to claim 19, wherein a measured value of the substrate size is obtained based on the obtained position information. 前記基板サイズ測定部は、前記第1および第2の当接部材の少なくとも一方について前記基板の位置合わせの開始前の原位置から完了時の往動位置までの移動距離を測定する移動距離センサを有し、その移動距離センサにより得られる移動距離測定値に基づいて前記基板サイズの測定値を求める請求項19に記載の塗布装置。




The substrate size measuring unit includes a movement distance sensor that measures a movement distance from an original position before starting the alignment of the substrate to a forward movement position at the completion of at least one of the first and second contact members. The coating apparatus according to claim 19, wherein the substrate size measurement value is obtained based on a movement distance measurement value obtained by the movement distance sensor.




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