KR101276444B1 - Coating apparatus and coating method - Google Patents

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KR101276444B1
KR101276444B1 KR1020060099860A KR20060099860A KR101276444B1 KR 101276444 B1 KR101276444 B1 KR 101276444B1 KR 1020060099860 A KR1020060099860 A KR 1020060099860A KR 20060099860 A KR20060099860 A KR 20060099860A KR 101276444 B1 KR101276444 B1 KR 101276444B1
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floating
coating
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후미히코 이케다
다이스케 이케모토
와타루 요시토미
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 도포장치 및 도포방법에 관한 것으로서 기판 (G)의 전단부가 레지스트 노즐 (78)의 바로 아래 부근의 설정 위치 즉 도포 개시 위치에 도착한 시점에서 기판 반송을 정지하고 2차 측정 검사를 실시하고 광학식 거리 센서 (162)에 기판 (G)의 상면 및 하면까지의 거리 (Ld, Le)를 측정시킨다. 그 다음에 상기 기판 (G)의 두께 측정값 (D) 및 부상 높이 측정값 (Hb)를 각각의 설정값 또는 기준치[D] , [Hb]와 비교하고 비교 오차 │[D] -D │, │[Hb] -Hb│의 어느쪽도 각 소정의 허용 범위내에 들어가 있으면 「정상」이라고 판단하고 그렇지 않으면 「이상」이라고 판단하는 부상 반송식의 스핀레스 도포법에 의해 피처리 기판상에 처리액을 도포하는 도포 처리의 택트 타임을 단축함과 동시에 부상 스테이지와 기판과 노즐과의 사이의 높이 위치 관계를 확실하게 관리해 기판상에 처리액의 도포막을 균일한 막두께로 형성하는 기술을 제공한다.The present invention relates to a coating apparatus and a coating method, and the substrate transfer is stopped and the secondary measurement inspection is carried out when the front end portion of the substrate G arrives at the set position near the resist nozzle 78, that is, the coating start position. The distances L d and L e to the upper and lower surfaces of the substrate G are measured by the optical distance sensor 162. Then, the thickness measurement value (D) and the floating height measurement value (H b ) of the substrate (G) are compared with the respective set values or reference values [D] and [H b ], and the comparison error | If either of [H b ] -H b │ falls within each predetermined allowable range, it is judged to be "normal", otherwise it is determined to be "abnormal". A technique for shortening the tact time of the coating treatment to apply the treatment liquid to the substrate, and reliably managing the height position relationship between the floating stage and the substrate and the nozzle to form a coating film of the treatment liquid on the substrate with a uniform film thickness. to provide.

Description

도포 장치 및 도포 방법{COATING APPARATUS AND COATING METHOD}Coating device and coating method {COATING APPARATUS AND COATING METHOD}

도 1은 본 발명의 적용 가능한 도포 현상 처리 시스템의 구성을 나타내는 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows the structure of the application | coating development process system applicable of this invention.

도 2는 실시 형태의 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 처리의 순서를 나타내는 플로차트이다.2 is a flowchart showing a procedure of a process in the coating and developing processing system of the embodiment.

도 3은 실시 형태의 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 레지스트 도포 유니트 및 감압 건조 유니트의 전체 구성을 나타내는 대략 평면도이다.3 is a plan view schematically illustrating the entire configuration of a resist coating unit and a reduced pressure drying unit in the coating and developing processing system of the embodiment.

도 4는 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트의 전체 구성을 나타내는 사시도이다. 4 is a perspective view showing the overall configuration of a resist coating unit in the embodiment;

도 5는 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트의 전체 구성을 나타내는 대략 정면도이다. 5 is a substantially front view showing the overall configuration of a resist coating unit in the embodiment.

도 6은 상기 레지스트 도포 유니트내의 스테이지 도포 영역에 있어서의 분출구와 흡입구의 배열 패턴의 일례를 나타내는 평면도이다.Fig. 6 is a plan view showing an example of an arrangement pattern of the jet port and the suction port in the stage application area in the resist coating unit.

도 7은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 구성을 나타내는 일부 단면 대략 측면도이다.FIG. 7 is a partial cross-sectional side view schematically showing the configuration of the substrate transfer unit in the resist coating unit. FIG.

도 8은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 보유 지지부의 구성을 나타내는 확대 단면도이다.8 is an enlarged cross-sectional view showing the structure of the holding portion of the substrate transfer portion in the resist coating unit.

도 9는 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 패드부의 구성을 나타내는 사시도이다.9 is a perspective view showing the structure of a pad portion of the substrate transfer portion in the resist coating unit.

도 10은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 보유 지지부의 하나의 변형 예를 나타내는 사시도이다.FIG. 10 is a perspective view showing one modified example of the holding portion of the substrate transfer portion in the resist coating unit. FIG.

도 11은 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 노즐 승강기구, 압축 공기 공급 기구 및 진공 공급 기구의 구성을 나타내는 도이다.Fig. 11 is a diagram showing the configuration of the nozzle elevating mechanism, compressed air supply mechanism and vacuum supply mechanism in the resist coating unit.

도 12는 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 레지스트 노즐 및 광학식 거리 센서의 지지 구조(노즐 지지체)를 나타내는 일부 단면 측면도이다.12 is a partial cross-sectional side view showing a support structure (nozzle support) of a resist nozzle and an optical distance sensor in the resist coating unit.

도 13 상기 레지스트 도포 유니트에 있어서의 제어계의 주요한 구성을 나타내는 블럭도이다.Fig. 13 is a block diagram showing the main configuration of the control system in the resist coating unit.

도 14는 실시 형태에 있어서의 일련의 도포 처리 동작 중에서 본 발명의 갭 관리 기능과 관련되는 주요한 순서를 나타내는 플로차트도이다.It is a flowchart which shows the main procedure which concerns on the gap management function of this invention among a series of application | coating process operation in embodiment.

도 15는 실시 형태에 있어서의 갭 관리 기능의 일 단계를 나타내는 사시도이다. 15 is a perspective view illustrating one step of a gap management function according to the embodiment.

도 16은 실시 형태에 있어서의 갭 관리 기능의 일 단계를 나타내는 측면도이다. 16 is a side view illustrating one step of a gap management function according to the embodiment.

도 17은 실시 형태에 있어서의 갭 관리 기능의 일 단계를 나타내는 사시도이다. 17 is a perspective view illustrating one step of a gap management function according to the embodiment.

도 18은 실시 형태에 있어서의 갭 관리 기능의 일 단계를 나타내는 측면도이다. 18 is a side view illustrating one step of a gap management function according to the embodiment.

도 19는 실시 형태에 있어서의 갭 관리 기능의 일 단계를 나타내는 사시도이다. 19 is a perspective view illustrating one step of a gap management function according to the embodiment.

도 20은 실시 형태에 있어서의 갭 관리 기능의 일 단계를 나타내는 측면도이다. 20 is a side view illustrating one step of a gap management function in the embodiment.

도 21은 실시 형태에 있어서의 도포 주사를 나타내는 측면도이다.It is a side view which shows application | coating scan in embodiment.

도 22는 실시 형태의 도포 주사에 있어서의 한 장면을 나타내는 측면도이다.It is a side view which shows one scene in the coating scan of embodiment.

도 23은 실시 형태의 이상 원인 해석 처리에 있어서의 판정 알고리즘의 테이블을 나타내는 도이다.It is a figure which shows the table of the determination algorithm in the abnormal cause analysis process of embodiment.

도 24는 실시 형태의 이상 원인 해석 처리에 있어서의 삼차 측정 검사를 나타내는 측면도이다. It is a side view which shows the tertiary measurement test in the abnormal cause analysis process of embodiment.

도 25는 실시 형태에 있어서의 하나의 변형 예의 구성을 나타내는 측면도이다.It is a side view which shows the structure of one modification in embodiment.

도 26은 실시 형태의 하나의 변형 예로 구해지는 하나의 기능을 나타내는 측면도이다. It is a side view which shows one function calculated | required as one modified example of embodiment.

**주요부위를 나타내는 도면부호의 설명**** Description of reference numerals indicating main parts **

40 레지스트 도포 유니트(CT) 40 resist coating unit (CT)

75 노즐 승강기구75 nozzle lifting mechanism

76 스테이지76 stages

78 레지스트 노즐 78 resist nozzle

84 기판 반송부84 Substrate Carrier

88 분출구 88 spout

90 흡인구 90 suction port

93 레지스트액 공급원 93 Resist Liquid Source

100 반송 구동부100 conveying drive

102 보유 지지부102 Retention Support

Lo4 흡착 패드Lo4 adsorption pad

126 스테이지 기판 부상부 126 stage board floating part

134 노즐 지지체134 nozzle support

162 광학식 거리 센서 162 optical distance sensor

164 리니어 스케일 164 linear scale

166 접촉식 거리 센서 166 contact distance sensor

170 컨트롤러170 controller

174 광학식 거리 센서174 Optical Distance Sensor

M₁ 반입 영역 M₁ import area

M₃ 도포 영역 M₃ coating area

M5 반출 영역M 5 export area

본 발명은 피처리 기판상에 액체를 도포해 도포막을 형성하는 도포 방법 및 도포 장치에 관한다.The present invention relates to a coating method and a coating apparatus for applying a liquid onto a substrate to be formed to form a coating film.

LCD등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에 있어서의 포트리소그래피공정에는 슬릿 형상의 토출구를 가지는 긴형의 레지스트 노즐을 주사 해 피처리 기판(유리 기판 등)상으로 레지스트액을 도포하는 스핀레스의 도포법이 자주 이용되고 있다.In the photolithography process in the manufacturing process of a flat panel display (FPD) such as an LCD, a spinless process is performed by scanning an elongated resist nozzle having a slit-shaped discharge port and applying a resist liquid onto a substrate to be processed (such as a glass substrate). Application methods are often used.

이러한 스핀레스 도포법은 예를 들어 특허 문헌 1에 개시되는 바와 같이 흡착 보유 지지형의 재치대 또는 스테이지상으로 기판을 수평으로 재치하여 이 스테이지상의 기판과 긴형 레지스트 노즐의 토출구의 사이에 100 μm정도의 작을 갭을 설정하고 기판 윗쪽에서 레지스트 노즐을 주사 방향(일반적으로 노즐 긴 방향과 직교하는 수평 방향)으로 이동시키면서 기판상에 레지스트액을 띠형상으로 토출시켜 도포한다. 긴형 레지스트 노즐을 기판의 일단으로부터 타단까지 1회 이동시키는 것만으로 레지스트액을 기판의 밖에 떨어뜨리지 않고 원하는 막두께로 레지스트 도포막을 기판상에 형성할 수가 있다.This spinless coating method is, for example, as described in Patent Literature 1, by placing a substrate horizontally on an adsorption holding base or stage, and about 100 μm between the substrate on this stage and the discharge port of the long resist nozzle. A resist gap is discharged and coated on the substrate while the resist nozzle is moved in the scanning direction (generally the horizontal direction orthogonal to the nozzle long direction) on the substrate. By moving the elongate resist nozzle once from one end of the substrate to the other end, a resist coating film can be formed on the substrate at a desired film thickness without dropping the resist liquid out of the substrate.

상기와 같은 스핀레스법의 도포 장치에 있어서는 기판상에 레지스트액을 원하는 막두께로 도포하기 위해서 상기 노즐-기판간의 갭을 설정값에 맞추는 갭 관리가 요구된다. 이 갭 관리는 기판의 두께(판두께)가 파라미터가 된다. 대체로 기판의 두께는 일정은 아니고, 공차내의 불균형이 있다. 예를 들어, 유리 기판의 두께가 공칭 0.7 mm로 공차가±0.03 mm의 경우 0.67 mm~0.73 mm의 범위내에서 판두께에 불균형이 있다. 레지스트 노즐의 레지스트액을 토출하는 높이 위치가 고정되어 있 으면 판두께의 불균형이 그대로 상기 갭의 불균형이 되어 나아가서는 레지스트 막두께의 불균형이 된다. 거기서 레지스트 도포에 앞서 기판의 두께를 측정해 그 두께 측정값에 따라 레지스트 노즐의 토출구의 높이 위치를 조정해 상기 갭을 설정값에 맞추도록 하고 있다. 기판 두께 측정법으로서는 스테이지상의 기판에 윗쪽으로부터 다이얼 게이지의 촉침을 눌러 게이지 독취값으로부터 기판 상면의 높이 위치를 측정해 그 측정값으로부터 스테이지 상면의 높이 위치(기존의 값)를 공제해 기판의 두께를 요구하는 방법이 이용되고 있다. 최근에는 기판 두께 측정부를 레지스트 노즐에 설치해 기판 두께 측정을 위한 특별한 점유 스페이스나 구동 기구를 생략하는 구성이 취해지고 있다. 또, 다이얼 게이지 대신에 광학식의 거리 센서도 이용되고 있다.In the spinless coating apparatus as described above, gap management is required in which the gap between the nozzle and the substrate is matched to a set value in order to apply the resist liquid onto the substrate to a desired film thickness. In this gap management, the thickness (plate thickness) of the substrate is a parameter. In general, the thickness of the substrate is not constant, but there is an imbalance within tolerances. For example, when the thickness of the glass substrate is nominally 0.7 mm and the tolerance is ± 0.03 mm, there is an unbalance in the plate thickness within the range of 0.67 mm to 0.73 mm. If the height position at which the resist liquid of the resist nozzle is discharged is fixed, the unevenness of the plate thickness becomes the unbalance of the gap as it is, and thus the unevenness of the resist film thickness. Thereafter, the thickness of the substrate is measured prior to applying the resist, and the height position of the discharge port of the resist nozzle is adjusted in accordance with the thickness measurement value so that the gap is adjusted to the set value. In the substrate thickness measurement method, the dial gauge is pressed from the top to the substrate on the stage, the height position of the upper surface of the substrate is measured from the gauge reading value, and the thickness of the substrate is required by subtracting the height position (existing value) of the stage upper surface from the measured value. The method to do is used. In recent years, the structure which arrange | positions a board | substrate thickness measuring part in a resist nozzle and omits the special occupied space and drive mechanism for board | substrate thickness measurement is taken. An optical distance sensor is also used instead of the dial gauge.

[특허 문헌 1] 일본국 특개평10-156255    [Patent Document 1] Japanese Patent Laid-Open No. 10-156255

상기와 같은 흡착 보유 지지형의 스테이지를 이용하는 스핀레스 방식의 레지스트 도포 장치에서는 처리완료의 기판을 스테이지로부터 언로딩 내지 반출해 스테이지 상면을 완전하게 빈상태로 하지 않는 이상 후속의 새로운 기판을 스테이지상으로 반입 내지 재치 할 수가 없다. 이 때문에, 레지스트 노즐을 주사시키는 동작의 소요 시간(Tc)에 미처리의 기판을 스테이지상으로 반입 내지 로딩하는 동작의 소요 시간(Tin)과 처리 완료의 기판을 스테이지에서 언로딩 내지 반출하는 동작의 소요 시간(Tout)을 서로 더한 도포 처리 1 사이클의 소요 시간(Tc+TIN+Tout)이 그대로 택트 타임이 되어 택트 타임의 단축화가 어렵다고 하는 문제가 있다.In the spinless resist coating apparatus using the above adsorption holding type stage, the subsequent new substrate is placed on the stage unless the finished substrate is unloaded or taken out from the stage and the stage upper surface is completely empty. I can't bring it in. For this reason, the operation time T in of the operation which loads or loads an unprocessed board | substrate onto a stage at the time Tc of the operation which scans a resist nozzle, and the operation of unloading or carrying out a process board | substrate from a stage There is a problem that the required time T c + T IN + T out of the coating treatment 1 cycle obtained by adding the required time T out to each other becomes the tact time, which makes it difficult to shorten the tact time.

본 발명은, 상기와 같은 종래 기술의 문제점에 비추어 이루어진 것으로 스핀레스 방식에서 피처리 기판상에 처리액을 도포하는 도포 처리의 택트 타임을 단축하는 부상 반송 방식의 도포 장치 및 도포 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems of the prior art as described above, and provides a float carrier type coating apparatus and a coating method for shortening the tact time of a coating treatment for applying a treatment liquid onto a substrate to be processed in a spinless method. The purpose.

본 발명의 다른 목적은 부상 반송 방식에 있어서 부상 스테이지와 기판과 노즐의 사이의 높이 위치 관계를 확실하게 관리해 기판상에 처리액의 도포막을 균일한 막두께로 형성할 수 있도록 한 도포 장치 및 도포 방법을 제공하는 것에 있다.Another object of the present invention is to provide a coating apparatus and a coating method in which the height position relationship between the floating stage and the substrate and the nozzle in the floating conveying method can be reliably managed to form a coating film of the processing liquid on the substrate. Is to provide.

상기의 목적을 달성하기 위해서 본 발명의 도포 장치는, 피처리 기판을 기체의 압력으로 띄우는 제1의 부상 영역을 가지는 스테이지와 부상 상태의 상기 기판을 소정의 반송 방향으로 반송해 상기 제1의 영역을 통과시키는 기판 반송부와 상기 제1의 부상 영역의 윗쪽에 승강 가능하게 배치되는 노즐을 갖고, 상기 제1의 부상 영역을 통과하는 상기 기판상에 처리액을 도포하기 위해서 상기 노즐에서 상기 처리액을 토출시키는 처리액공급부와 상기 노즐을 승강 이동시키기 위한 노즐 승강부와 상기 제1의 부상 영역에서 상기 처리액을 도포시키기 직전의 상기 기판에 대해서 상기 기판의 두께와 상기 스테이지에 대한 상기 기판의 부상 높이를 측정하는 제1의 측정부를 가진다.In order to achieve the above object, the coating apparatus of the present invention conveys a stage having a first floating area to lift a substrate to be processed under a gas pressure, and the substrate in a floating state in a predetermined conveying direction, thereby providing the first area. The processing liquid at the nozzle for applying a processing liquid onto the substrate passing through the first floating region, the substrate conveying unit configured to pass through the first floating region and a nozzle disposed above and above the first floating region. The thickness of the substrate and the floating of the substrate with respect to the stage with respect to the substrate immediately before applying the processing liquid in the first floating region and the nozzle raising portion for lifting and moving the nozzle; It has a 1st measuring part which measures a height.

또, 본 발명의 도포 방법은 스테이지상으로 반송 방향을 따라 피처리 기판을 상기 스테이지에 반입하기 위한 반입 영역과 상기 반송 방향으로 이동하는 기판상에 윗쪽의 긴형 노즐에서 처리액을 공급해 도포막을 형성하기 위한 도포 영역과 도포 처리 후의 상기 기판을 상기 스테이지로부터 반출하기 위한 반출 영역을 이 순 서로 일렬로 설치해 상기 스테이지의 상면에서 분출하는 기체의 압력으로 상기 기판을 띄우고 상기 도포 영역에서는 상기 기판에 거의 균일한 부상력을 주어 상기 기판을 상기 반입 영역으로부터 상기 반출 영역까지 반송하는 도중 상기 도포 영역에서 상기 처리액을 도포시키기 직전의 상기 기판에 대해서 상기 기판의 두께와 상기 스테이지에 대한 상기 기판의 부상 높이를 측정한다.Moreover, the application | coating method of this invention supplies a process liquid from the upper elongate nozzle on the carry-in area | region for carrying in a to-be-processed board | substrate to the said stage along a conveyance direction on a stage, and the board | substrate which moves to a conveyance direction, and forms a coating film on a stage. An application region for the application and an ejection region for carrying out the substrate after the application treatment from the stage are arranged in this order in order to float the substrate under the pressure of a gas ejected from the upper surface of the stage, and in the application region, the substrate is almost uniform. Measuring the thickness of the substrate and the lift height of the substrate relative to the stage with respect to the substrate immediately before applying the treatment liquid in the application region while conveying the substrate from the loading region to the export region by giving a floating force. do.

본 발명에 있어서는 기판을 스테이지상에서 공중에 띄워 스테이지의 제1의 부상 영역(도포 영역)을 통과하는 도중에 긴형 노즐에서 토출되는 처리액의 공급을 받는 것으로 기판상에 처리액의 도포막이 형성된다. 본 발명에 의하면 제1의 부상 영역을 사이에 두어 하류측(반출 영역)에서 처리 완료의 기판을 스테이지의 밖에 반출하는 동작과 상류측(반입 영역)에서 다음에 처리를 받는 신규의 기판을 스테이지상으로 반입하는 동작을 독립적 또는 병렬적으로 실시할 수 있으므로 택트타임을 짧게 할 수가 있다.In the present invention, the coating film of the processing liquid is formed on the substrate by floating the substrate on the stage and receiving the processing liquid discharged from the elongated nozzle in the middle of passing through the first floating region (coating region) of the stage. According to the present invention, an operation of carrying out the substrate to be processed out of the stage on the downstream side (the carrying out region) with the first floating region interposed therebetween, and a new substrate to be processed next on the upstream side (the carrying region) on the stage. The import time can be performed independently or in parallel so that the tact time can be shortened.

무엇보다 이러한 스핀레스법의 도포 처리에서는 노즐-기판간의 도포 갭을 설정값에 정확하게 맞출 필요가 있는 바 스테이지상에서 기판이 부상하고 있기 때문에 기판의 두께의 불균형이나 기판의 부상 높이의 불균형에 도포 갭이 좌우되어 나아가서는 도포막의 품질이 좌우되기 쉽다. 이 점에 관해서 본 발명은 도포 영역에서 처리액을 도포시키기 직전의 기판에 대해서 해당 기판의 두께와 스테이지에 대한 해당 기판의 부상 높이를 측정함으로써 도포 갭을 적절히 제어 또는 관리한다.Above all, in the spinless coating process, it is necessary to precisely adjust the coating gap between the nozzle and the substrate to the set value. Since the substrate is floating on the stage, the coating gap is caused by the unbalance of the thickness of the substrate and the uneven height of the substrate. Furthermore, the quality of a coating film tends to be influenced further. In this regard, the present invention controls or manages the coating gap appropriately by measuring the thickness of the substrate and the floating height of the substrate relative to the stage with respect to the substrate immediately before the treatment liquid is applied in the application region.

본 발명의 매우 적합한 한 종류에 의하면 제1의 측정부에서 구해진 기판의 두께의 측정값 및 부상 높이의 측정값이 각각 소정의 범위내에 있는 것을 확인하고 나서 기판에 대한 도포 처리를 실행한다. 이것에 의해 부상 반송식의 스핀레스 도포법에 의한 도포 처리의 품질을 안정시킬 수가 있다.According to a very suitable type of the present invention, after confirming that the measured value of the thickness of the substrate and the measured value of the floating height obtained in the first measuring unit are each within a predetermined range, the coating process is performed on the substrate. Thereby, the quality of the application | coating process by the floating conveyance spinless coating method can be stabilized.

또, 매우 적합한 한종류에 있어서는 노즐 승강부가 노즐을 지지해 이것과 일체로 승강 이동하는 노즐 지지체를 갖고, 제1의 측정부가 스테이지 또는 기판의 상면과의 거리 간격을 측정하기 위해서 노즐 지지체에 장착된 제1의 광학식 거리 센서를 가진다. 이 경우 제1의 광학식 거리 센서는 노즐 지지체를 개재하여 노즐과 일체적으로 승강 이동해 센서로부터 측정한 스테이지 또는 기판의 상면과의 거리에 근거해 노즐과 스테이지 또는 기판의 상면과의 거리를 구할 수가 있다.In a very suitable type, the nozzle lifter has a nozzle support that supports the nozzle and moves up and down integrally with the nozzle lifter, and the first measurement unit is mounted on the nozzle support to measure the distance between the upper surface of the stage or the substrate. It has a first optical distance sensor. In this case, the first optical distance sensor can be moved up and down integrally with the nozzle through the nozzle support to obtain the distance between the nozzle and the upper surface of the stage or the substrate based on the distance between the stage or the substrate. .

또, 매우 적합한 한 종류에 있어서는 기판의 두께의 측정값 및 부상 높이의 측정값이 각각 소정의 범위내에 있는 것을 확인한 후에 노즐의 토출구와 기판의 상면의 사이에 도포 처리용의 갭을 형성하기 위해서 노즐 승강부에 의해 노즐을 내리고, 제1의 광학식 거리 센서에 의해 기판의 상면과의 거리 간격을 측정해 갭을 확인한다. 이 경우 기판의 두께의 측정값 및 부상 높이의 측정값 또 스테이지 상면의 높이 위치등으로부터 원하는 도포 갭을 얻기 위한 노즐의 높이 위치를 계산하여 구할 수가 있다. 그러나, 스테이지로부터 기판에게 전해지는 기체 압력에 변동이 생기면 실제의 기판 부상 높이는 이론치대로는 가지 않게 된다. 거기서, 도포 처리의 개시 직전에 제1의 광학식 거리 센서에 의해 실제 또는 지금의 기판의 높이를 측정해 도포 갭이 정상적인 것을 확인한다. 이것에 의해 부상 반송식의 스핀레스 도포법에 의한 도포 처리의 신뢰성을 한층 향상시킬 수가 있다.In a very suitable type, in order to form a gap for coating treatment between the discharge port of the nozzle and the upper surface of the substrate after confirming that the measured value of the thickness of the substrate and the measured value of the floating height are each within a predetermined range. The nozzle is lowered by the elevating unit, and the gap is checked by measuring the distance interval with the upper surface of the substrate by the first optical distance sensor. In this case, it is possible to calculate and obtain the height position of the nozzle for obtaining the desired coating gap from the measured value of the thickness of the substrate, the measured value of the floating height, and the height position of the upper surface of the stage. However, when the gas pressure transmitted from the stage to the substrate changes, the actual substrate floating height does not go as theoretical. There, the height of a real or present board | substrate is measured by a 1st optical distance sensor immediately before starting a coating process, and it confirms that a coating gap is normal. Thereby, the reliability of the application | coating process by a float conveyance spinless coating method can be improved further.

또, 매우 적합한 한 종류에 의하면 도포 처리중에 제1의 광학식 거리 센서에 의해 기판의 상면과의 거리 간격을 측정하면서 노즐 승강부에 의해 노즐의 높이 위치를 가변 조정해 갭의 사이즈를 설정값으로 유지한다. 이와 같이, 제1의 광학식 거리 센서의 거리 측정 기능을 갭 유지 관리를 위한 피드백 제어에 이용할 수도 있다.According to one of the most suitable types, the height of the nozzle is variably adjusted by the nozzle lifter while the distance between the upper surface of the substrate is measured by the first optical distance sensor, and the size of the gap is maintained at the set value during the coating process. do. In this manner, the distance measuring function of the first optical distance sensor may be used for feedback control for gap maintenance.

또, 매우 적합한 한 종류에 의하면, 제1의 광학식 거리 센서의 측정 정밀도를 검사하기 위해서 노즐 지지체의 높이 위치를 측정하는 제2의 측정부가 설치된다. 바람직하게는 이 제2의 측정부가 노즐 승강기구에 장착되는 리니어 스케일을 가진다.Moreover, according to one kind which is very suitable, the 2nd measuring part which measures the height position of a nozzle support body is provided in order to test the measurement precision of a 1st optical distance sensor. Preferably, this second measuring unit has a linear scale mounted to the nozzle elevating mechanism.

매우 적합한 한 종류에 있어서는 제1의 광학식 거리 센서의 측정 정밀도와 관련되는 검사를 실시하기 전에 미리 측정 지그를 이용해 노즐을 소정의 기준 높이 위치에 실측으로 맞추었을 때에 제1의 광학식 거리 센서에서 구해지는 제1의 측정값과 제2의 측정부에서 구해지는 제2의 측정값을 기억한다. 그리고, 상기 검사는 측정 지그를 이용하지 않고 제2의 측정부에서 제2의 측정값을 구할 수 있을 때 제1의 광학식 거리 센서에서 구해지는 측정값이 제1의 측정값에 소정의 허용 범위내에서 일치 내지 근사하는지 아닌지를 판정한다. 이 제1의 광학식 거리 센서의 측정 정밀도와 관련되는 검사는 바람직하게는 기판에 대한 제1의 측정부의 측정 처리에 앞서 실행되어도 좋다.In a very suitable type, the measurement is performed by the first optical distance sensor when the nozzle is actually measured at a predetermined reference height position using a measuring jig before performing the inspection relating to the measurement accuracy of the first optical distance sensor. The first measured value and the second measured value obtained by the second measuring unit are stored. In the inspection, when the second measured value can be obtained from the second measuring unit without using the measuring jig, the measured value obtained from the first optical distance sensor is within a predetermined allowable range to the first measured value. Determines whether or not matches or approximates in. The inspection relating to the measurement accuracy of this first optical distance sensor may preferably be performed prior to the measurement processing of the first measurement unit with respect to the substrate.

또한 매우 적합한 한 종류에 의하면 노즐의 장착 위치 정밀도를 검사하기 위해서 노즐 승강부로부터 독립해 스테이지와 노즐의 사이의 거리 간격을 측정하는 제3의 측정부가 설치된다. 바람직하게는, 이 제3의 측정부가 스테이지 측에 설치되 어 노즐의 하단에 촉침을 맞혀 거리를 측정하는 접촉식 거리 센서 혹은 노즐의 하단에 광 빔을 맞혀 거리를 측정하는 제2의 광학식 거리 센서를 가진다. 이 노즐의 장착 위치 정밀도와 관련되는 검사는 바람직하게는 기판에 대한 제 1의 측정부의 측정 처리에 앞서 실행되어도 좋다.According to one kind that is very suitable, a third measuring unit for measuring the distance interval between the stage and the nozzle is provided independently of the nozzle lifting unit to check the mounting position accuracy of the nozzle. Preferably, this third measuring unit is installed on the stage side and the contact distance sensor for measuring the distance by touching the lower end of the nozzle or the second optical distance sensor for measuring the distance by hitting the light beam at the lower end of the nozzle Has The inspection relating to the mounting position accuracy of this nozzle may be preferably performed before the measurement processing of the first measurement unit with respect to the substrate.

또, 매우 적합한 한 종류에 의하면 제1의 측정부가 기판의 두께를 측정하기 위해서 노즐 지지체에 장착된 제3의 광학식 거리 센서, 기판의 두께를 측정하기 위해서 스테이지 측에 설치된 제4의 광학식 거리 센서 및/또는 스테이지에 대한 기판의 부상 높이를 측정하기 위해서 스테이지 측에 설치된 제5의 광학식 거리 센서를 가진다.Moreover, according to one kind which is very suitable, the 3rd optical distance sensor attached to the nozzle support body for a 1st measuring part to measure the thickness of a board | substrate, the 4th optical distance sensor provided in the stage side for measuring the thickness of a board | substrate, And / or have a fifth optical distance sensor installed on the stage side to measure the height of the lift of the substrate relative to the stage.

또, 본 발명의 도포 장치는 매우 적합한 한 종류로서 스테이지의 제1의 부상 영역내에 다수 설치된 기체를 분출하는 분출구와 스테이지의 제1의 부상 영역내에 상기 분출구와 혼재하고 다수 설치된 기체를 흡입하는 흡인구와 제1의 부상 영역을 통과하는 기판에 대해서 분출구에서 더해지는 수직 오름새의 압력과 흡인구에서 더해지는 수직 아래로 향한 압력의 밸런스를 제어하는 부양 제어부를 가진다.Moreover, the coating apparatus of this invention is a very suitable kind, and the ejection opening which blows out the gas installed in the 1st floating area of a stage, and the suction port which inhales the gas mixed in the said blowing opening in the 1st floating area of a stage, and installed in multiple numbers, And a float control unit for controlling the balance of the pressure of the vertical rise added at the jet port and the vertical downward pressure added at the suction port with respect to the substrate passing through the first floating region.

이 경우, 바람직하게는 스테이지가 반송 방향에 있어서 제1의 부상 영역의 상류 측에 기판 (4)를 띄우는 제2의 부상 영역을 가진다. 이 제2의 부상 영역내에는 기판을 반입하기 위한 반입부가 설치되어도 좋다. 그리고 바람직한 한 종류로서 기판 반송부가 기판을 제2의 부상 영역으로부터 제1의 부상 영역으로 향해 반송하고 기판상의 전단부에 설정된 도포 개시 위치가 노즐의 바로 아래에 온 지점에서 기판을 일시정지시켜 제 1의 측정부가 일시정지중의 기판에 대해서 기판의 두께와 스테이지에 대한 기판의 부상 높이를 측정한다.In this case, the stage preferably has a second floating region which floats the substrate 4 on the upstream side of the first floating region in the conveying direction. A carry-in section for carrying in the substrate may be provided in this second floating region. In one preferred embodiment, the substrate conveying unit conveys the substrate from the second floating region to the first floating region and pauses the substrate at a point where the coating start position set at the front end portion on the substrate is immediately below the nozzle. The measuring unit of measures the thickness of the substrate and the floating height of the substrate relative to the stage with respect to the substrate during pause.

바람직한 한 종류로서 스테이지가 반송 방향에 있어서 제1의 부상 영역의 하류 측에 기판을 띄우는 제3의 부상 영역을 가진다. 이 제3의 부상 영역내에는 기판을 반출하기 위한 반출부가 설치되어도 좋다.As a preferable type, the stage has a third floating region which floats the substrate on the downstream side of the first floating region in the conveying direction. A carrying section for carrying out the substrate may be provided in this third floating region.

또, 바람직한 한 종류에 의하면 기판 반송부가 기판의 이동하는 방향과 평행하게 늘어나도록 상기 스테이지의 한쪽측 또는 양측으로 배치되는 가이드 레일과 가이드 레일을 따라 이동 가능한 슬라이더와 이 슬라이더를 가이드 레일을 따라 이동하도록 구동하는 반송 구동부와 슬라이더로부터 스테이지의 중심부로 향해 연장하고 기판의 측 테두리부를 착탈 가능하게 보유 지지하는 보유 지지부를 가진다.According to one preferred type, a slider movable along a guide rail and a guide rail disposed on one side or both sides of the stage so as to extend in parallel with the moving direction of the substrate, and the slider to move along the guide rail. It has a conveyance drive part to drive, and the holding part which extends toward the center part of a stage from a slider, and detachably holds the side edge part of a board | substrate.

이하, 첨부도를 참조해 본 발명의 매우 적합한 실시 형태를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the preferred embodiment of this invention is described with reference to an accompanying drawing.

도 1에, 본 발명의 도포 방법 및 도포 장치의 적용 가능한 구성예로서 도포 현상 처리 시스템을 나타낸다. 이 도포 현상 처리 시스템은 클린 룸내에 설치되어 예를 들어 LCD 기판을 피처리 기판으로 하고 LCD 제조 프로세스에 있어서 포트리소그래피 공정안의 세정, 레지스트 도포, 프리베이크, 현상 및 포스트베이크의 각 처리를 실시하는 것이다. 노광 처리는 이 시스템에 인접해 설치되는 외부의 노광 장치(도시하지 않음)로 행해진다.1 shows a coating and developing treatment system as an example of the applicable structure of the coating method and the coating apparatus of the present invention. This coating and developing treatment system is installed in a clean room, for example, to make an LCD substrate a to-be-processed substrate, and to perform cleaning, resist coating, prebaking, developing, and postbaking in a photolithography process in an LCD manufacturing process. . Exposure processing is performed by an external exposure apparatus (not shown) provided adjacent to this system.

이 도포 현상 처리 시스템은 크게 나누어 카셋트 스테이션(C/S, 10)과 프로세스 스테이션(P/S, 12)와 인터페이스부(I/F, 14)로 구성된다.This coating and developing treatment system is roughly divided into a cassette station (C / S, 10), a process station (P / S, 12), and an interface unit (I / F, 14).

시스템의 일단부에 설치되는 카셋트 스테이션(C/S, 10)은 복수의 기판 (G)를 수용하는 카셋트 (C)를 소정수 예를 들어 4개까지 재치 가능한 카셋트 스테이지 (16)과 이 카셋트 스테이지 (16)상의 측쪽으로 또한 카셋트 (C)의 배열 방향과 평행하게 설치된 반송로 (17)과 이 반송로 (17)상에서 이동 자유롭게 스테이지 (16)상의 카셋트 (C)에 대해서 기판 (G)의 출입을 실시하는 반송 기구 (20)을 갖추고 있다. 이 반송 기구 (20)은 기판 (G)를 보유 지지할 수 있는 수단 예를 들어 반송 아암을 갖고 X, Y, Z, θ의 4축으로 동작 가능하고 후술 하는 프로세스 스테이션(P/S) , 12) 측의 반송 장치 (38)과 기판 (G)의 수수를 실시할 수 있게 되어 있다.The cassette station C / S 10 provided at one end of the system includes a cassette stage 16 and a cassette stage 16 capable of arranging a predetermined number of cassettes C for accommodating a plurality of substrates G, for example, up to four. Entry and exit of the substrate G with respect to the conveying path 17 provided on the side on the 16 and parallel to the arrangement direction of the cassette C and the cassette C on the stage 16 freely moveable on the conveying path 17. The conveyance mechanism 20 which implements this is provided. The conveying mechanism 20 has a means capable of holding the substrate G, for example, has a conveying arm, which can be operated in four axes of X, Y, Z, θ, and is described later. The conveyance apparatus 38 and the board | substrate G of the () side can be conveyed.

프로세스 스테이션(P/S, 12)는 상기 카셋트 스테이션(C/S, 10)측으로부터 차례로 세정 프로세스부 (22)와 도포 프로세스부 (24)와 현상 프로세스부 (26)을 기판 중계부 (23), 약액 공급 유니트 (25) 및 스페이스 (27)을 개재하여 횡일렬로 설치하고 있다.The process station P / S, 12 sequentially rotates the cleaning process unit 22, the application process unit 24, and the development process unit 26 from the cassette station C / S, 10 side to the substrate relay unit 23. And the chemical solution supply unit 25 and the space 27 are provided in a horizontal line.

세정 프로세스부 (22)는 2개의 스크러버 세정 유니트(SCR, 28)과 상하 2단의 자외선 조사/냉각 유니트(UV/COL, 30)과 가열 유니트(HP, 32)와 냉각 유니트(COL,34)를 포함하고 있다.The cleaning process unit 22 includes two scrubber cleaning units (SCR, 28), two upper and lower ultraviolet irradiation / cooling units (UV / COL, 30), heating units (HP, 32), and cooling units (COL, 34). It includes.

도포 프로세스부 (24)는 스핀레스 방식의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)과 감압 건조 유니트(VD, 42)와 상하 2단형 애드히젼/냉각 유니트(AD/COL, 46)과 상하 2단형 가열/냉각 유니트(HP/COL, 48)과 가열 유니트(HP, 50)을 포함하고 있다.The coating process section 24 includes a spinless resist coating unit (CT, 40), a reduced pressure drying unit (VD, 42), a two-stage upper / lower stage adhi / cooling unit (AD / COL, 46), and a two-stage upper / lower heating / It includes a cooling unit (HP / COL, 48) and a heating unit (HP, 50).

현상 프로세스부 (26)은 3개의 현상 유니트(DEV, 52)와 2개의 상하 2단형 가열/냉각 유니트(HP/COL, 53)과 가열 유니트(HP, 55)를 포함하고 있다.The developing process unit 26 includes three developing units DEV 52 and two upper and lower two-stage heating / cooling units HP / COL 53 and heating units HP 55.

각 프로세스부 (22, 24, 26)의 중앙부에는 긴 방향에 반송로(36, 51, 58)이 설치되고 반송 장치 (38, 54, 60)이 각각 반송로(36, 51, 58)을 따라 이동해 각 프로세스 부내의 각 유니트에 액세스하고 기판 (G)의 반입/반출 또는 반송을 실시하게 되어 있다. 또한 이 시스템에서는, 각 프로세스부 (22, 24, 26)에 있어서 반송로(36, 51, 58)의 한쪽측에 액처리계의 유니트(SCR, CT, DEV등)가 배치되고 한쪽측에 열처리계의 유니트(HP, COL등)가 배치되고 있다.The conveyance paths 36, 51, 58 are provided in the center part of each process part 22, 24, 26 in the longitudinal direction, and the conveying apparatus 38, 54, 60 follows the conveyance paths 36, 51, 58, respectively. It moves to access each unit in each process part, and to carry in, carry in, or convey the board | substrate G. Further, in this system, units (SCR, CT, DEV, etc.) of the liquid treatment system are disposed on one side of the conveyance paths 36, 51, 58 in each of the process sections 22, 24, 26, and heat treated on one side. System units (HP, COL, etc.) are arranged.

시스템의 타단부에 설치되는 인터페이스부(I/F, 14)는 프로세스 스테이션 (12)와 인접하는 측에 익스텐션(기판 수수부, 56) 및 버퍼 스테이지 (57)을 설치해 노광 장치와 인접하는 측에 반송 기구 (59)를 설치하고 있다. 이 반송 기구 (59)는 Y방향으로 연장하는 반송로 (19)상에서 이동 자유롭고 버퍼 스테이지 (57)에 대해서 기판 (G)의 출입을 행하는 것 외에 익스텐션(기판 수수부, 56)이나 근처의 노광 장치와 기판 (G)의 수수를 실시하게 되어 있다.The interface units I / F and 14 provided at the other end of the system are provided with an extension (substrate receiving unit 56) and a buffer stage 57 on the side adjacent to the process station 12, and on the side adjacent to the exposure apparatus. The conveyance mechanism 59 is provided. The conveyance mechanism 59 is free to move on the conveyance path 19 extending in the Y-direction, allows the substrate G to enter and exit the buffer stage 57, and extends (substrate receiving part 56) or an exposure apparatus near the same. And the substrate G are carried out.

도 2에 이 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 처리의 순서를 나타낸다. 먼저 카셋트 스테이션(C/S, 10)에 있어서 반송 기구 (20)이 스테이지 (12)상의 소정의 카셋트 (C)중에서 1개의 기판 (G)를 꺼내 프로세스 스테이션(P/S, 16)의 세정 프로세스부 (22)의 반송 장치 (38)에 넘긴다(스텝 S1).2 shows a procedure of the treatment in this coating and developing treatment system. First, in the cassette station C / S, 10, the conveyance mechanism 20 takes out one board | substrate G from the predetermined | prescribed cassette C on the stage 12, and the cleaning process of the process station P / S, 16 is carried out. It transfers to the conveying apparatus 38 of the part 22 (step S1).

세정 프로세스부 (22)에 있어서 기판 (G)는 먼저 자외선 조사/냉각 유니트(UV/COL, 30)에 차례로 반입되고 최초의 자외선 조사 유니트(UV)에서는 자외선 조사에 의한 건식 세정을 실시시키고 다음의 냉각 유니트(COL)에서는 소정 온도까지 냉각된다(스텝 S2). 이 자외선 세정에서는 주로 기판 표면의 유기물이 제거된다.In the cleaning process section 22, the substrate G is first brought into the ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30 in turn, and the first ultraviolet irradiation unit (UV) is subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation and then In the cooling unit COL, it cools to predetermined temperature (step S2). In this ultraviolet cleaning, the organic substance of the surface of a board | substrate is mainly removed.

다음에 기판 (G)는 스크러버 세정 유니트(SCR, 28)의 하나로 스크러빙 세정 처리를 받아 기판 표면으로부터 입자 형상의 더러움이 제거된다(스텝 S3). 스크러빙 세정후 기판 (G)는 가열 유니트(HP, 32)로 가열에 의한 탈수 처리를 받고(스텝 S4) 그 다음에 냉각 유니트(COL, 34)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S5). 이것으로 세정 프로세스부 (22)에 있어서의 사전 처리가 종료하고 기판 (G)는 반송 장치 (38)에 의해 기판 수수부 (23)을 개재하여 도포 프로세스부 (24)로 반송된다.Subsequently, the substrate G is subjected to a scrubbing cleaning process by one of the scrubber cleaning units SCR 28 to remove particulate dirt from the surface of the substrate (step S3). After the scrubbing cleaning, the substrate G is subjected to dehydration treatment by heating in the heating unit HP 32 (step S4) and then cooled to a constant substrate temperature in the cooling unit COL 34 (step S5). The pretreatment in the washing | cleaning process part 22 is complete | finished by this, and the board | substrate G is conveyed to the application | coating process part 24 via the board | substrate receiving part 23 by the conveying apparatus 38. As shown in FIG.

도포 프로세스부 (24)에 있어서 기판 (G)는 먼저 애드히젼/냉각 유니트(AD/COL, 46)에 차례로 반입되어 최초의 애드히젼유닛트(AD)에서는 소수화 처리(HMDS)를 받고(스텝 S6) 다음의 냉각 유니트(COL)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S7).In the coating process part 24, the board | substrate G is first carried in order by the adhigen / cooling unit (AD / COL) 46, and receives hydrophobization treatment (HMDS) by the first adhigen unit AD (step S6). The next cooling unit COL is cooled to a constant substrate temperature (step S7).

그 후, 기판 (G)는 레지스트 도포 유니트(CT, 40)으로 스핀레스법에 의해 레지스트액을 도포시키고 그 다음에 감압 건조 유니트(VD, 42)로 감압에 의한 건조 처리를 받는다(스텝 S8).Subsequently, the substrate G is coated with the resist liquid by the resist method to the resist coating units CT and 40, and then subjected to a drying process under reduced pressure by the vacuum drying units VD and 42 (step S8). .

다음에, 기판 (G)는 가열/냉각 유니트(HP/COL, 48)에 차례로 반입되어 최초의 가열 유니트(HP)에서는 도포 후에 베이킹(프리베이크)을 하고(스텝 S9), 다음에 냉각 유니트(COL)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S10). 또한 이 도포 후의 베이킹에 가열 유니트(HP, 50)을 이용할 수도 있다.Subsequently, the substrate G is brought into the heating / cooling unit HP / COL 48 in order, and then baked (prebaked) after application in the first heating unit HP (step S9), and then the cooling unit ( COL) is cooled to a constant substrate temperature (step S10). Moreover, the heating unit (HP, 50) can also be used for baking after this application | coating.

상기 도포 처리 뒤 기판 (G)는 도포 프로세스부 (24)의 반송 장치 (54)와 현상 프로세스부 (26)의 반송 장치 (60)에 의해 인터페이스부(I/F, 14)에 반송되어 그곳으로부터 노광 장치에 넘겨진다(스텝 S11). 노광 장치에서는 기판 (G)상의 레 지스트에 소정의 회로 패턴을 노광시킨다. 그리고, 패턴 노광을 끝낸 기판 (G)는 노광 장치로부터 인터페이스부(I/F, 14)에 되돌려진다. 인터페이스부(I/F, 14)의 반송 기구 (59)는 노광 장치로부터 받은 기판 (G)를 익스텐션 (56)을 개재하여 프로세스 스테이션(P/S, 12)의 현상 프로세스부 (26)에 넘긴다(스텝 S11).The substrate G after the coating treatment is conveyed to the interface portions I / F and 14 by the conveying device 54 of the coating process part 24 and the conveying device 60 of the developing process part 26, and therefrom. It is passed to the exposure apparatus (step S11). In an exposure apparatus, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the board | substrate G. And the board | substrate G which finished pattern exposure is returned to the interface part I / F, 14 from an exposure apparatus. The conveyance mechanism 59 of the interface unit I / F, 14 passes the substrate G received from the exposure apparatus to the developing process unit 26 of the process station P / S, 12 via the extension 56. (Step S11).

현상 프로세스부 (26)에 있어서 기판 (G)는 현상 유니트(DEV, 52)의 어느쪽이든 1개로 현상 처리를 받고(스텝 S12), 그 다음에 가열/냉각 유니트(HP/COL) 53의 하나에 차례로 반입되어 최초의 가열 유니트(HP)에서는 포스트베이킹을 하고(스텝 S13), 다음에 냉각 유니트(COL)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S14). 이 포스트베이킹에 가열 유니트(HP, 55)를 이용할 수도 있다.In the developing process part 26, the board | substrate G is subjected to the developing process by either one of the developing units DEV 52 (step S12), and then to one of the heating / cooling units (HP / COL) 53. It is carried in one by one and post-baking is performed in the first heating unit HP (step S13), and it is cooled by the cooling unit COL to the constant substrate temperature (step S14). The heating unit (HP, 55) can also be used for this postbaking.

현상 프로세스부 (26)에서의 일련의 처리가 끝난 기판 (G)는 프로세스 스테이션(P/S, 12)내의 반송 장치 (60, 54, 38)에 의해 카셋트 스테이션(C/S, 10)까지 되돌려져 거기서 반송 기구 (20)에 의해 어느쪽이든 1개의 카셋트 (C)에 수용된다(스텝 S1).The board | substrate G which has processed a series of processes in the image development process part 26 is returned to the cassette station C / S, 10 by the conveying apparatus 60, 54, 38 in the process station P / S, 12. Thereby, it is accommodated in one cassette C either by the conveyance mechanism 20 (step S1).

이 도포 현상 처리 시스템에 있어서는 예를 들어 도포 프로세스부 (24)의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 본 발명을 적용할 수가 있다. 이하, 도 3~도 26에 대해 본 발명을 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 적용한 한 실시 형태를 설명한다.In this application | coating development system, this invention can be applied to the resist application | coating unit (CT, 40) of the application | coating process part 24, for example. 3 to 26, an embodiment in which the present invention is applied to the resist coating units CT and 40 will be described.

도 3에 이 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트(CT, 40) 및 감압 건조 유니트(VD, 42)의 전체 구성을 나타낸다.3, the whole structure of the resist coating unit CT and 40 and the pressure reduction drying unit VD and 42 in this embodiment is shown.

도 3에 나타나는 바와 같이 지지대 또는 지지 프레임 (70) 위에 레지스트 도포 유니트(CT, 40)과 감압 건조 유니트(VD, 42)가 X방향으로 횡일렬로 배치되고 있 다. 도포 처리를 받아야 할 새로운 기판 (G)는 반송로 (51)측의 반송 장치 (54,도 1)에 의해 화살표 FA로 나타나는 바와 같이 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 반입된다. 레지스트 도포 유니트(CT, 40)으로 도포 처리가 끝난 기판 (G)는 지지대 (70)상의 가이드 레일 (72)에 안내되는 X방향으로 이동 가능한 반송 아암 (74)에 의하고 화살표 Fs로 나타내도록(듯이) 감압 건조 유니트(VD, 42)에 전송된다. 감압 건조 유니트(VD, 42)로 건조 처리를 끝낸 기판 (G)는 반송로 (51)측의 반송 장치 (54,도 1)에 의해 화살표 (Fc)로 나타내도록 취해진다.As shown in FIG. 3, the resist coating unit CT 40 and the pressure reduction drying unit VD 42 are arrange | positioned in the X direction on the support stand or the support frame 70. The new substrate G to be subjected to the coating treatment is carried into the resist coating unit CT, 40 as indicated by arrow FA by the conveying apparatus 54 (FIG. 1) on the conveying path 51 side. The substrate G coated with the resist coating units CT and 40 is indicated by an arrow Fs by the transfer arm 74 movable in the X direction guided by the guide rail 72 on the support 70. ) Is sent to a vacuum drying unit (VD, 42). The board | substrate G which completed the drying process by the pressure reduction drying units VD and 42 is taken so that it may be shown by the arrow Fc by the conveying apparatus 54 (FIG. 1) of the conveyance path 51 side.

레지스트 도포 유니트(CT, 40)은 X방향으로 길게 늘어나는 스테이지 (76)을 갖고 이 스테이지 (76)상으로서 기판 (G)를 동방향으로 평설거지대로 반송하면서 스테이지 (76)의 윗쪽에 배치된 긴형의 레지스트 노즐 (78)에서 기판 (G)상으로 레지스트액을 공급하고 스핀레스법으로 기판 상면(피처리면)에 일정 막두께의 레지스트 도포막을 형성하도록 구성되고 있다. 유니트(CT, 40)내의 각부의 구성 및 작용은 후에 상술한다.The resist coating units CT and 40 have a stage 76 that extends in the X direction, and the long type disposed above the stage 76 while conveying the substrate G onto the stage 76 in a flat manner in the same direction. The resist nozzle 78 is supplied so that a resist liquid is supplied onto the substrate G, and a resist coating film having a predetermined film thickness is formed on the upper surface (to-be-processed surface) of the substrate by the spinless method. The configuration and operation of the respective parts in the unit CT 40 will be described later.

감압 건조 유니트(VD, 42)는 상면이 개구하고 있는 트레이 또는 저천용기형의 하부 챔버 (80)과 이 하부 챔버 (80)의 상면에 기밀하게 밀착 또는 끼워맞춤 가능하게 구성된 뚜껑 형상의 상부 챔버(도시하지 않음)를 가지고 있다. 하부 챔버 (80)은 거의 사각형으로 중심부에는 기판 (G)를 수평으로 재치해 지지하기 위한 스테이지 (82)가 설치되어 바닥면의 네 모서리에는 배기구 (83)이 설치되고 있다. 각 배기구 (83)은 배기관(도시하지 않음)을 개재하여 진공 펌프(도시하지 않음)에 통하고 있다. 하부 챔버 (80)에 상부 챔버를 씌운 상태로 양챔버내의 밀폐된 처리 공 간을 상기 진공 펌프에 의해 소정의 진공도까지 감압할 수 있게 되어 있다.The vacuum drying unit (VD) 42 has a lower chamber 80 of a tray or a low-flow container type having an upper surface opened, and a lid-shaped upper chamber configured to be hermetically adhered or fitted to the upper surface of the lower chamber 80. Not shown). The lower chamber 80 is substantially rectangular, and a stage 82 for horizontally mounting and supporting the substrate G is provided at the center thereof, and an exhaust port 83 is provided at four corners of the bottom surface. Each exhaust port 83 is connected to a vacuum pump (not shown) via an exhaust pipe (not shown). The closed processing space in both chambers can be reduced to a predetermined degree of vacuum by the vacuum pump while the upper chamber is covered by the lower chamber 80.

도 4 및 도 5에 본 발명의 한 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)내의 더욱 상세한 전체 구성을 나타낸다.4 and 5 show a more detailed overall structure in the resist coating unit CT 40 in one embodiment of the present invention.

이 실시 형태의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 있어서는 스테이지 (76)이 종래와 같이 기판 (G)를 고정 보유 지지하는 재치대로서 기능하는 것이 아니라 기판 (G)를 공기압의 힘으로 공중에 띄우기 위한 기판 부상대로서 기능한다. 그리고, 스테이지 (76)의 양사이드에 배치되고 있는 직진 운동형의 기판 반송부 (84)가 스테이지 (76)상으로서 떠 있는 기판 (G)의 양측 테두리부를 각각 착탈 가능하게 보유 지지해 스테이지 긴 방향(X방향)에 기판 (G)를 반송하도록 되어 있다.In the resist coating units CT and 40 of this embodiment, the stage 76 does not function as a mounting table for holding and holding the substrate G as in the related art, but instead, the substrate G is floated in the air by the force of air pressure. It serves as a substrate float for. And the board | substrate conveyance part 84 of the linear motion type arrange | positioned at the both sides of the stage 76 detachably holds both edges of the board | substrate G floating on the stage 76, respectively, and the stage longitudinal direction The board | substrate G is conveyed to (X direction).

상세하게는 스테이지 (76)은 그 긴 방향(X방향)에 있어서 5개의 영역 (M₁, M₂, M₃, M₄, M5)으로 분할되어 있다(도 5). 좌단의 영역 (M₁)은 반입 영역이고, 도포 처리를 받아야 할 신규의 기판 (G)는 이 영역 (M₁)내의 소정 위치에 반입된다. 이 반입 영역 (M₁)에는 반송 장치 (54,도 1)의 반송 아암으로부터 기판 (G)를 받아 스테이지 (76)상으로 로딩하기 위해서 스테이지 하부의 원위치와 스테이지 윗쪽의 재치 위치의 사이에 승강 이동 가능한 복수 라인의 리프트 핀 (86)이 소정의 간격을 두어 설치되고 있다. 이들의 리프트 핀 (86)은 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)를 구동원에 이용하는 반입용의 리프트 핀 승강부 (85, 도 13)에 의해 승강 구동된다.In detail, the stage 76 is divided into five regions (M ', M2, M3, M', M5) in its long direction (X direction) (Fig. 5). The region M 'at the left end is a carry-in area, and the new substrate G to be subjected to the coating process is carried in at a predetermined position in this region M'. In order to receive the board | substrate G from the conveyance arm of the conveying apparatus 54 (FIG. 1), and to load it on the stage 76 in this loading area M ', it can move up and down between the original position of a stage lower stage, and the mounting position of a stage upper side. A plurality of lines of lift pins 86 are provided at predetermined intervals. These lift pins 86 are driven up and down by a lift pin lift unit 85 (FIG. 13) for carrying in, for example, using an air cylinder (not shown) as a drive source.

이 반입 영역 (M₁)은 부상식의 기판 반송이 개시되는 영역이기도 하고 이 영역내의 스테이지 상면에는 기판 (G)를 반입용의 부상 높이 또는 부상량 (Ha)로 띄우기 위해서 고압 또는 정압의 압축 공기를 분출하는 분출구 (88)이 일정한 밀도로 다수 설치되고 있다. 여기서 반입 영역 (M₁)에 있어서의 기판 (G)의 부상 높이 (Ha)는 특히 높은 정밀도를 필요로 하지 않고 예를 들어 100~150μm의 범위내로 유지되면 좋다. 또, 반송 방향(X방향)에 있어서 반입 영역 (M₁)의 사이즈는 기판 (G)의 사이즈를 웃돌고 있는 것이 바람직하다. 또한 반입 영역 (M₁)에는 기판 (G)를 스테이지 (76)상에서 위치 맞춤하기 위한 얼라인먼트부(도시하지 않음)도 설치되어 좋다.A transfer region (M₁) is part also a region in which the substrate feed is started of common sense and the flying height or flying height for importing a substrate (G) on the top surface stage in the area (H a) a high pressure or compressed air of positive pressure to float with Many ejection openings 88 for ejecting are provided at a constant density. The floating height Ha of the board | substrate G in the loading area M 'does not need high precision here, for example, What is necessary is just to keep it in the range of 100-150 micrometers. Moreover, it is preferable that the magnitude | size of the carry-in area | region M 'in the conveyance direction (X direction) exceeds the size of the board | substrate G. Moreover, the alignment part (not shown) for aligning the board | substrate G on the stage 76 may be provided in the loading area M '.

스테이지 (76)의 중심부에 설정된 영역 (M₃)은 레지스트액 공급 영역 또는 도포 영역이고, 기판 (G)는 이 도포 영역 (M₃)을 통과할 때에 윗쪽의 레지스트 노즐 (78)로부터 레지스트액 (R)의 공급을 받는다. 도포 영역 (M₃)에 있어서의 기판 부상 높이 (Hb)는 노즐 (78)의 하단(토출구)과 기판 상면(피처리면)의 사이의 갭 (S, 예를 들어 100 μm)를 규정한다. 이 갭 (S)는 레지스트 도포막의 막두께나 레지스트 소비량을 좌우하는 중요한 파라미터이고 높은 정밀도로 일정하게 유지될 필요가 있다. 이것으로부터 도포 영역 (M₃)의 스테이지 상면에는 예를 들어 도 6에 나타나는 바와 같은 배열 또는 분포 패턴으로 기판 (G)를 원하는 부상 높이 (Hb)로 띄우기 위해서 고압 또는 정압의 압축 공기를 분출하는 분출구 (88)과 부압으로 공기를 흡입하는 흡인구 (90)을 혼재시켜 설치하고 있다. 그리고, 기판 (G)의 도포 영역 (M₃)내를 통과하고 있는 부분에 대해서 분출구 (88)로부터 압축 공기에 의한 수직 오름새의 힘을 더하는 것과 동시, 흡인구 (90)에서 부압흡인력에 의한 수직 아래로 향한 힘을 더하고 상대 저항하는 쌍방향의 힘의 밸런스를 제어하는 것으로, 도포용의 부상 높이 (Hb)를 설정값 (Hs, 예를 들어 50μm) 부근에 유지하도록 하고 있다. 반송 방향(X방향)에 있어서의 도포 영역 (M₃)의 사이즈는 레지스트 노즐 (78)의 바로 아래에 상기와 같은 좁은 도포 갭 (S)를 안정되게 형성할 수 있을 정도의 여유가 있으면 좋고 통상은 기판 (G)의 사이즈보다 작아서 좋고 예를 들어1/3~1/4정도로 좋다.The region M3, which is set at the center of the stage 76, is a resist liquid supply region or an application region, and the substrate G is formed from the upper resist nozzle 78 when passing through the application region M3. Receive the supply of The substrate floating height H b in the application region M 3 defines a gap S (for example, 100 μm) between the lower end (discharge port) of the nozzle 78 and the upper surface of the substrate (to-be-processed surface). This gap S is an important parameter that influences the film thickness and resist consumption of the resist coating film and needs to be kept constant with high precision. From this, on the stage upper surface of the coating area M₃, a spout for blowing compressed air of high pressure or constant pressure in order to float the substrate G to a desired floating height H b in an array or distribution pattern as shown in FIG. 6, for example. (88) and the suction port 90 which takes in air at negative pressure are mixed. Then, at the same time as adding the force of the vertical rise by the compressed air from the jet port 88 to the portion passing through the coating area M3 of the substrate G, the vertical direction by the negative pressure suction force at the suction port 90 adding to the force facing down (for Hs, for example, 50μm) relative to the resistor controlling the balance of the two-way power to, set the flying height (H b) of the coating has a value to maintain at. The size of the coating area M3 in the conveying direction (X direction) should just be enough to be able to stably form such a narrow coating gap S just under the resist nozzle 78, and usually It may be smaller than the size of the substrate G, and may be, for example, about 1/3 to 1/4.

도 6에 나타나는 바와 같이 도포 영역 (M₃) 에 있어서는 기판 반송 방향(X방향)에 대해서 일정한 경사진 각도를 이루는 직선 (C)상으로 분출구 (88)과 흡인구 (90)을 교대로 배치하고 인접하는 각 열의 사이에 직선 (C)상의 피치에 적당한 오프셋 (α)를 설치하고 있다. 관련하는 배치 패턴에 의하면 분출구 (88) 및 흡인구 (90)의 혼재 밀도를 균일하게 해 스테이지상의 기판 부상력을 균일화 가능할 뿐만 아니라 기판 (G)가 반송 방향(X방향)으로 이동할 때에 분출구 (88) 및 흡인구 (90)과 대향하는 시간의 비율을 기판 각부에서 균일화하는 것도 가능하고, 이것에 의해 기판 (G)상으로 형성되는 도포막에 분출구 (88) 또는 흡인구 (90)의 트레스 또는 전사 흔적이 남는 것을 방지할 수가 있다. 도포 영역 (M₃)의 입구에서는 기판 (G)의 선단부가 반송 방향과 직교하는 방향(Y방향)으로 균일한 부상력을 안정되게 받도록, 동방향(직선 J상)으로 배열하는 분출구 (88) 및 흡인구 (90)의 밀도를 높게 하는 것이 바람직하다. 또, 도포 영역 (M₃)에 있어서도 스테이지 (76)의 양 측 주변부(직선 K상)에는 기판 (G)의 양측주변부가 늘어지는 것을 방지하기 위해서 분출구 (88)만을 배치하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 6, in the application | coating area | region M3, the ejection opening 88 and the suction opening 90 are alternately arrange | positioned and adjoined on the straight line C which forms a constant inclined angle with respect to a board | substrate conveyance direction (X direction). The offset (alpha) suitable for the pitch on the straight line C is provided between each row | line | column. According to the related arrangement pattern, not only the mixing density of the jet port 88 and the suction port 90 can be made uniform, so that the substrate floating force on the stage can be uniform, but also the jet port 88 when the substrate G moves in the conveying direction (X direction). ) And the ratio of the time that opposes the suction port 90 can be equalized at each of the substrate portions, whereby the tress of the jet port 88 or the suction port 90 is applied to the coating film formed on the substrate G. It is possible to prevent the transcription traces from remaining. At the inlet of the application region M₃, the ejection opening 88 arranged in the same direction (straight line J phase) so that the tip end portion of the substrate G is stably received a uniform floating force in the direction (Y direction) orthogonal to the conveying direction, and It is preferable to make the density of the suction port 90 high. In addition, in the application region M3, it is preferable to arrange only the ejection openings 88 on both side peripheral portions (straight line K phase) of the stage 76 in order to prevent both side peripheral portions of the substrate G from sagging.

반입 영역 (M₁)과 도포 영역 (M₃)의 사이로 설정된 중간의 영역 (M₂)는 반송중에 기판 (G)의 높이 위치를 반입 영역 (M₁)에 있어서의 부상 높이 (Ha)로부터 도포 영역 (M₃)에 있어서의 부상 높이 (Hb)에 변화 또는 천이시키기 위한 천이 영역이다. 이 천이 영역 (M₂)내에서도 스테이지 (76)의 상면에 분출구 (88)과 흡인구 (90)을 혼재시켜 배치할 수가 있다. 그 경우는 흡인구 (90)의 밀도를 반송 방향을 따라 점차 크게 하고 이것에 의해 반송중에 기판 (G)의 부상 높이가 점차적으로 Ha로부터 Hb로 옮기도록 해도 좋다. 혹은 이 천이 영역 (M₂) 에 있어서는 흡인구 (90)을 포함하지 않고 분출구 (88)만을 설치하는 구성도 가능하다.Import region (M₁) and the coating zone (M₃) region (M₂) of the intermediate set between a is applied from the flying height (H a) in the height position of the substrate (G) while conveying the import region (M₁) region (M₃ It is a transition area for changing or transitioning to the floating height H b in ). Even in this transition region M2, the ejection opening 88 and the suction opening 90 can be mixed and arranged on the upper surface of the stage 76. In that case, the density of the suction port 90 may be gradually increased along the conveyance direction, whereby the floating height of the substrate G may gradually move from H a to H b during conveyance. Or in this transition area | region M2, the structure which does not include the suction port 90 but provides only the injection port 88 is also possible.

도포 영역 (M₃)의 하류측 근처의 영역 (M₄)는 반송중에 기판 (G)의 부상 높이를 도포용의 부상 높이 (Hb)로부터 반출용의 부상 높이 (Hc, 예를 들어 100~150μm)로 바꾸기 위한 천이 영역이다. 이 천이 영역 (M4)에서도 스테이지 (76)의 상면에 분출구 (88)과 흡인구 (90)을 혼재시켜 배치해도 좋고 그 경우는 흡인구 (90)의 밀도를 반송 방향을 따라 점차 작게 하는 것이 좋다. 혹은 흡인구 (90)을 포함하지 않고 분출구 (88)만을 설치하는 구성도 가능하다. 또, 도 6에 나타나는 바와 같이 도포 영역 (M₃)과 같게 천이 영역 (M₄)에서도 기판 (G)상으로 형성된 레지스트 도포막에 전사 흔적이 남는 것을 방지하기 위해서 흡인구 (90, 및 분출구 (88))을 기판 반송 방향(X방향)에 대해서 일정한 경사진 각도를 이루는 직선 E상으로 배치하고 인접하는 각 열간에 배열 피치에 적당한 오프셋 (β)를 설치하는 구성이 바람직하다.The area M₄ near the downstream side of the coating area M₃ is the floating height of the substrate G during the conveyance from the floating height H b for coating to the lifting height Hc (for example, 100 to 150 μm). The transition area to change to. In the transition region M 4 , the ejection opening 88 and the suction opening 90 may be mixed with each other on the upper surface of the stage 76. In that case, the density of the suction opening 90 is gradually decreased along the conveyance direction. good. Alternatively, a configuration in which only the jet port 88 is provided without including the suction port 90 may be provided. In addition, as shown in FIG. 6, the suction port 90 and the blowout port 88 are used to prevent the transfer traces from remaining in the resist coating film formed on the substrate G in the transition region M 'as in the coating region M3. ) Is preferably arranged on a straight line E that forms a constant inclined angle with respect to the substrate conveyance direction (X direction), and an appropriate offset (β) is provided for the arrangement pitch between adjacent rows.

스테이지 (76)의 하류단(우단)의 영역 (M5)는 반출 영역이다. 레지스트 도포 유니트(CT, 40)으로 도포 처리를 받은 기판 (G)는 이 반출 영역 (M5)내의 소정 위치 또는 반출 위치로부터 반송 아암 (74,도 3)에 의해 하류측 근처의 감압 건조 유니트(VD, 42,도 3)에 반출된다. 이 반출 영역 (M5)에는 기판 (G)를 반출용의 부상 높이 (Hc)로 띄우기 위한 분출구 (88)이 스테이지 상면에 일정한 밀도로 다수 설치되고 있는 것과 동시에 기판 (G)를 스테이지 (76)상에서 언로딩 해 반송 아암 (74,도 3)에 수수하기 위해서 스테이지 아래쪽의 원위치와 스테이지 윗쪽의 재치 위치의 사이에 승강 이동 가능한 복수 라인의 리프트 핀 (92)가 소정의 간격을 두어 설치되고 있다. 이들의 리프트 핀 (92)는 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)를 구동원에 이용하는 반출용의 리프트 핀 승강부 (91,도 13)에 의해 승강 구동된다.The region M 5 at the downstream end (right end) of the stage 76 is an unloading area. The substrate G subjected to the coating treatment with the resist coating units CT, 40 is a reduced pressure drying unit VD near the downstream side by the transfer arm 74 (FIG. 3) from a predetermined position or an ejecting position in the export region M5. , 42, Figure 3). In this carrying out area M5, a plurality of blowholes 88 for floating the substrate G at the floating height Hc for carrying out are provided on the stage upper surface with a constant density, and at the same time, the substrate G is placed on the stage 76. In order to unload and receive to the conveyance arm 74 (FIG. 3), the lift pin 92 of several lines which can move up and down is provided in predetermined space | interval between the original position of a stage lower stage, and the mounting position of a stage upper stage. These lift pins 92 are driven up and down by a lift pin lifter 91 (FIG. 13) for carrying out, for example, using an air cylinder (not shown) as a drive source.

레지스트 노즐 (78)은 스테이지 (76)상의 기판 (G)를 일단으로부터 타단까지 커버 할 수 있는 길이로 반송 방향과 직교하는 수평 방향(Y방향)으로 늘어나는 긴길이 형상의 노즐 본체를 갖고, 문형 또는 역コ자형의 노즐 지지체 (130)에 수직 직선 운동 기구 (132) 및 노즐 지지체 (134)를 개재하여 승강 가능하게 지지를 받고(도 11), 레지스트액 공급원 (93, 도 13)으로부터의 레지스트액 공급관 (94, 도 4)에 접속되고 있다.The resist nozzle 78 has a nozzle body of a long length shape extending in the horizontal direction (Y direction) orthogonal to the conveying direction in a length that can cover the substrate G on the stage 76 from one end to the other end, Resist liquid from the resist liquid supply source 93 (FIG. 13) is supported by the inverted-shaped nozzle support 130 so that it can be elevated up and down via the vertical linear motion mechanism 132 and the nozzle support 134 (FIG. 11). It is connected to the supply pipe 94 (FIG. 4).

도 4, 도 7 및 도 8에 나타나는 바와 같이 기판 반송부 (84)는 스테이지 (76)의 좌우양사이드에 평행하게 배치된 한 쌍의 가이드 레일 (96)과 각 가이드 레일 (96)상으로 축방향(X방향)으로 이동 가능하게 장착된 슬라이더 (98)과 각 가이드 레일 (96)상에서 슬라이더 (98)을 직진 이동시키는 반송 구동부 (100)과 각 슬라이더 (98)로부터 스테이지 (76)의 중심부로 향해 늘어나 기판 (G)의 좌우 양측주변부를 착탈 가능하게 보유 지지하는 보유 지지부 (102)를 각각 가지고 있다.As shown in FIG. 4, FIG. 7, and FIG. 8, the board | substrate conveyance part 84 is axially mounted on the pair of guide rails 96 and each guide rail 96 arrange | positioned parallel to the left and right sides of the stage 76. FIG. From the slider 98 which is movably mounted in the direction (X direction) and the conveyance drive part 100 which moves the slider 98 straight on each guide rail 96, and each slider 98 to the center part of the stage 76, It has the holding | maintenance part 102 which extends toward and detachably and hold | maintains the left and right both sides peripheral parts of the board | substrate G, respectively.

여기서, 반송 구동부 (100)은 직진형의 구동 기구 예를 들어 리니어 모터에 의해 구성되고 있다. 또, 보유 지지부 (102)는, 기판 (G)의 좌우 양측주변부의 하면에 진공 흡착력으로 결합하는 흡착 패드 (104)와 선단부에서 흡착 패드 (104)를 지지하고 슬라이더 (98)측의 기단부를 지점으로서 선단부의 높이 위치를 바꿀 수 있도록 탄성변형 가능한 판용수철형의 패드 지지부 (106)을 각각 가지고 있다. 흡착 패드 (104)는 일정한 피치로 일렬로 배치되어 패드 지지부 (106)은 각각의 흡착 패드 (104)를 독립하여 지지하고 있다. 이것에 의해 개개의 흡착 패드 (104) 및 패드 지지부 (106)이 독립한 높이 위치에서(다른 높이 위치에서도) 기판 (G)를 안정되게 유지할 수 있게 되어 있다.Here, the conveyance drive part 100 is comprised by the linear drive mechanism, for example, a linear motor. Moreover, the holding | maintenance part 102 supports the adsorption pad 104 couple | bonded with the vacuum suction force to the lower surface of the left and right peripheral parts of the board | substrate G, and supports the adsorption pad 104 by the front end part, and points the base end part of the slider 98 side. As an example, each of the pad springs 106 is elastically deformable so as to change the height position of the tip portion. The suction pads 104 are arranged in a row at a constant pitch so that the pad support portion 106 independently supports the respective suction pads 104. Thereby, the individual adsorption pad 104 and the pad support part 106 can hold | maintain the board | substrate G stably in independent height position (even in another height position).

도 7 및 도 8에 나타나는 바오 같이 실시 형태에 있어서의 패드 지지부 (106)은 슬라이더 (98)의 내측면에 승강 가능하게 장착된 판 형상의 패드 승강 부재 (108)에 장착되고 있다. 슬라이더 (98)에 탑재되고 있는 예를 들어 에어 실린더로부터 되는 패드액츄에이터 (109, 도 13)가 패드 승강 부재 (108)을 기판 (G)의 부상 높이 위치보다 낮은 원위치(퇴피 위치)와 기판 (G)의 부상 높이 위치에 대응 하는 주행위치(결합 위치)의 사이에 승강 이동시키게 되어 있다.As shown in FIG. 7 and FIG. 8, the pad support part 106 in the embodiment is attached to a plate-shaped pad lifting member 108 that is mounted on the inner surface of the slider 98 so as to be liftable. For example, a pad actuator 109 (FIG. 13) formed from an air cylinder mounted on the slider 98 causes the pad lifting member 108 to have its original position (retraction position) lower than the floating height position of the substrate G and the substrate G. It moves up and down between the traveling positions (coupling positions) corresponding to the floating height positions of.

도 9에 나타나는 바와 같이 각각의 흡착 패드 (104)는 예를 들어 합성고무제로 직방체 형상의 패드 본체 (110)의 상면에 복수의 흡인구 (112)를 설치하고 있다. 이들의 흡인구 (112)는 슬릿 형상의 긴 구멍이지만 고리나 구형의 작은 구멍이라도 좋다. 흡착 패드 (104)에는 예를 들어 합성고무로부터 이루어지는 띠형상의 진공관 (114)가 접속되고 있다. 이들의 진공관 (114)의 관로 (116)은 패드 흡착 제어부 (115, 도 13)의 진공원에 각각 통하고 있다.As shown in FIG. 9, each suction pad 104 is provided with the some suction port 112 in the upper surface of the pad main body 110 of a rectangular parallelepiped shape, for example. These suction ports 112 are slit-shaped long holes, but may be rings or spherical small holes. A strip-shaped vacuum tube 114 made of, for example, synthetic rubber is connected to the suction pad 104. The pipeline 116 of these vacuum tubes 114 communicates with the vacuum source of the pad adsorption control part 115 (FIG. 13), respectively.

보유 지지부 (102)에 있어서는 도 4에 나타나는 바와 같이 한쪽측 일렬의 진공 흡착 패드 (104) 및 패드 지지부 (106)이 1조 마다 분리하고 있는 분리형 또는 완전 독립형의 구성이 바람직하다. 그러나, 도 10에 나타나는 바와 같이 노치 부분 (118)을 설치한 한 장의 판용수철로 한쪽측 일렬분의 패드 지지부 (120)을 형성해 그 위에 한쪽측 일렬의 진공 흡착 패드 (104)를 배치하는 일체형의 구성도 가능하다.In the holding part 102, as shown in FIG. 4, the structure of the separated type | mold or completely independent type which isolate | separates one side of the vacuum suction pad 104 and the pad support part 106 per set is preferable. However, as shown in Fig. 10, a single piece of spring for which the notch portion 118 is provided to form the pad support portion 120 for one side and the vacuum suction pad 104 for one side is disposed thereon. Configuration is also possible.

상기와 같이 스테이지 (76)의 상면에 형성된 다수의 분출구 (88) 및 그들로 부상력 발생용의 압축 공기를 공급하는 압축 공기 공급 기구 (122,도 11), 또 스테이지 (76)의 도포 영역 (M₃)내에 분출구 (88)과 혼재해 형성된 다수의 흡인구 (90) 및 그들에 진공의 압력을 공급하는 진공 공급 기구 (124,도 11)에 의하고 반입 영역 (M₁)이나 반출 영역 (M5)에서는 기판 (G)를 반입출이나 고속 반송으로 적절한 부상량으로 띄우고 도포 영역 (M₃)에서는 기판 (G)를 안정하고 또한 정확한 레지스트 도포 주사에 적절한 설정 부상량 (Hs)로 띄우기 위한 스테이지 기판 부상부 (126,도 13)이 구성되고 있다.As described above, the plurality of jet holes 88 formed on the upper surface of the stage 76 and the compressed air supply mechanism 122 (FIG. 11) for supplying the compressed air for generating the floating force thereto, and the application area of the stage 76 ( M₃) in the air outlet 88 and are mixed to a plurality of the suction port 90 and carried in their uihago the vacuum supply mechanism for supplying vacuum pressure (124, Fig. 11) regions formed (M₁) and out area (M 5) The stage substrate floating part for floating the substrate (G) at an appropriate floating amount by loading and unloading or high-speed conveying, and for floating the substrate (G) at a set floating amount (Hs) suitable for stable and accurate resist coating scanning in the application area (M₃). 126 and FIG. 13 are comprised.

도 11에 노즐 승강기구 (75), 압축 공기 공급 기구 (122) 및 진공 공급 기구 (124)의 구성을 나타낸다. 노즐 승강기구 (75)는 도포 영역 (M₃) 위를 반송 방향(X방향)과 직교하는 수평 방향(Y방향)으로 넘도록 가설된 문형 프레임 (130)과 이 문형 프레임 (130)에 장착된 수직 직선 운동 기구 (132)와 이 수직 직선 운동 기구 (132)의 이동체(승강체)인 노즐 지지체 (134)를 가진다. 여기서, 직선 운동 기구 (132)의 구동부는 전동 모터 (138), 볼 나사 (140) 및 가이드 부재 (142)를 가지고 있다. 전동 모터 (138)의 회전력이 볼 나사 기구(140, 142, 134)에 의해 수직 방향의 직선 운동으로 변환되어 승강체의 노즐 지지체 (134)와 일체로 노즐 (78)이 수직 방향으로 승강 이동한다. 전동 모터 (138)의 회전량 및 회전 정지 위치에 의해 레지스트 노즐 (78)의 승강 이동량 및 높이 위치를 임의로 제어할 수 있게 되어 있다. 노즐 지지체 (134)는 도 12에 나타나는 바와 같이 예를 들어 각기둥의 강체로 이루어지고, 그 하면 또는 측면으로 레지스트 노즐 (78)을 플랜지, 볼트등을 개재하여 착탈 가능하게 장착하고 있다.The structure of the nozzle elevating mechanism 75, the compressed air supply mechanism 122, and the vacuum supply mechanism 124 is shown in FIG. The nozzle elevating mechanism 75 is provided with a door-shaped frame 130 constructed to pass over the application area M₃ in a horizontal direction (Y direction) orthogonal to the conveying direction (X direction) and a vertical straight line mounted to the door-shaped frame 130. It has the movement mechanism 132 and the nozzle support body 134 which is a moving body (elevating body) of this vertical linear movement mechanism 132. Here, the drive part of the linear motion mechanism 132 has the electric motor 138, the ball screw 140, and the guide member 142. As shown in FIG. The rotational force of the electric motor 138 is converted into linear motion in the vertical direction by the ball screw mechanisms 140, 142 and 134 so that the nozzle 78 moves up and down in a vertical direction integrally with the nozzle support 134 of the lifting body. . The lifting amount and height position of the resist nozzle 78 can be arbitrarily controlled by the rotation amount and rotation stop position of the electric motor 138. As shown in FIG. 12, the nozzle support body 134 consists of rigid bodies, for example, and it attach | attaches the resist nozzle 78 detachably via a flange, a bolt, etc. by the lower surface or the side surface.

압축 공기 공급 기구 (122)는 스테이지 (76) 상면에서 분할된 복수의 지역별로 분출구 (88)에 접속된 정압매니폴드 (144)와 그들 정압매니폴드 (144)에 예를 들어 공장용력의 압축 공기 공급원 (146)으로부터의 압축 공기를 보내는 압축 공기 공급관 (148)과 이 압축 공기 공급관 (148)의 도중에 설치되는 레귤레이터 (150)을 가지고 있다. 진공 공급 기구 (124)는 스테이지 (76) 상면에서 분할된 복수의 지역별로 흡인구 (90)에 접속된 부압매니폴드 (152)와 그러한 부압매니폴드 (152)에 예를 들어 공장용력의 진공원 (154)로부터의 진공을 보내는 진공관 (156)과 이 진공관 (156)의 도중에 설치되는 조임밸브 (158)을 가지고 있다.The compressed air supply mechanism 122 is, for example, compressed air of factory power to the positive pressure manifold 144 connected to the spout 88 and the positive pressure manifold 144 by a plurality of regions divided on the upper surface of the stage 76. It has a compressed air supply pipe 148 which sends compressed air from the supply source 146, and the regulator 150 provided in the middle of this compressed air supply pipe 148. As shown in FIG. The vacuum supply mechanism 124 is provided with a negative pressure manifold 152 connected to the suction port 90 by a plurality of regions divided on the upper surface of the stage 76 and a vacuum source of factory power, for example, to the negative pressure manifold 152. The vacuum tube 156 which sends a vacuum from 154, and the tightening valve 158 provided in the middle of this vacuum tube 156 are provided.

이 레지스트 도포 유니트(CT, 40)은 스테이지 (76)의 도포 영역 (M₃) 에 있어서 레지스트 노즐 (78)과 기판 (G)의 사이의 갭 (S) 및 기판 (G)의 부상 높이 (Hb)를 확실하게 관리하기 위해서 도포 처리로 중요한 파라미터가 되는 각부의 거리 또는 위치를 측정하는 복수의 측정부 또는 측정 수단을 갖추고 있다.This resist coating unit CT, 40 has a gap S between the resist nozzle 78 and the substrate G and the floating height Hb of the substrate G in the application region M3 of the stage 76. In order to reliably manage this, it is equipped with the several measuring part or measuring means which measures the distance or position of each part used as an important parameter by an application | coating process.

즉, 스테이지 (76) 또는 기판 (G)노즐의 거리 간격을 측정하기 위해서 지지체 (134)에 광학식의 거리 센서 (162)가 장착되고 있다(도 4, 도 5, 도 7, 도 11, 도 12). 이 광학식 거리 센서 (162)는, 레지스트 노즐 (78)의 한측쪽(바람직하게는 반송 상류측 또는 반입 영역 (M₁)측)에게 레지스트 노즐 (78)과 일체로 승강 가능하게 배치되어 임의의 높이 위치에서 바로 아래의 물체 즉 스테이지 (76) 또는 기판 (G)와의 거리를 광학적으로 측정한다. 이 광학적인 거리 측정을 위해서(때문에), 광학식 거리 센서 (162)는 수직 하부에 광 빔을 투광하는 투광부와 상기 광 빔이 맞은 물체(스테이지 (76) 또는 기판 (G))로부터 반사해 오는 빛을 측정 거리에 따른 위치에서 수광하는 수광부를 포함하고 있다. 도시의 구성예는 레지스트 노즐 (78)의 긴 방향(Y방향)으로 광학식 거리 센서 (162)를 좌우에 한 쌍 설치하고 스테이지 (76) 또는 기판 (G)와의 거리를 좌우 양단부에서 각각 측정하고 양측정값의 평균을 잡도록 하고 있다. 이 광학식 거리 센서 (162)의 측정 정밀도는 주로 수직 직선 운동 기구 (132)의 기계 정밀도에 좌우되어 경시적으로 변화하는 경우가 있 다.That is, the optical distance sensor 162 is attached to the support body 134 in order to measure the distance interval of the stage 76 or the substrate G nozzle (Fig. 4, Fig. 5, Fig. 7, Fig. 11, Fig. 12). ). The optical distance sensor 162 is disposed at one side of the resist nozzle 78 (preferably upstream of the conveyance upstream side or the carry-in region M 강 side) so that the optical distance sensor 162 can be raised and lowered integrally with the resist nozzle 78 at an arbitrary height position. Optically measures the distance directly below the object ie stage 76 or substrate G. For this optical distance measurement, the optical distance sensor 162 reflects from the object (stage 76 or the substrate G) where the light beam is projected by the light projecting portion which transmits the light beam in the vertical lower part. It includes a light receiving unit for receiving light at a position according to the measurement distance. In the illustrated configuration, a pair of optical distance sensors 162 are provided on the left and right in the long direction (Y direction) of the resist nozzle 78, and the distance from the stage 76 or the substrate G is measured at both ends of the left and right, respectively. It is trying to average the measured values. The measurement accuracy of this optical distance sensor 162 may change with time depending mainly on the mechanical precision of the vertical linear motion mechanism 132.

또, 상기 광학식 거리 센서 (162)의 측정 정밀도를 검사 내지 감시하기 위해서 문형 프레임 (130)과 노즐 지지체 (134)의 사이에 리니어 스케일 (164)가 장착되고 있다(도 11). 이 리니어 스케일 (164)는 문형 프레임 (130)에 고정된 Z방향으로 늘어나는 눈금부 (164a)와 이 눈금부 (164a)를 노즐 지지체 (134)의 높이 위치에 따른 레벨로 광학적으로 읽어내도록 노즐 지지체 (134)에 고정된 눈금 독취부 (164b)로 구성되고 있다. 문형 프레임 (130)이 견고하게 바닥에 정확히 고정되고 있는 한 이 리니어 스케일 (164)의 측정 정밀도가 미치는 것은 대부분 없고 노즐 지지체 (134)내지 광학식 거리 센서 (162)의 높이 위치를 항상 정확하게 측정할 수가 있다.In addition, a linear scale 164 is attached between the sentence frame 130 and the nozzle support 134 in order to inspect or monitor the measurement accuracy of the optical distance sensor 162 (FIG. 11). The linear scale 164 is a nozzle support so as to optically read the scale portion 164a extending in the Z direction fixed to the door frame 130 and the scale portion 164a at a level according to the height position of the nozzle support 134. It consists of the scale reading part 164b fixed to 134. As shown to FIG. As long as the door frame 130 is firmly fixed to the floor, there is almost no measurement accuracy of the linear scale 164, and the height position of the nozzle support 134 to the optical distance sensor 162 can always be measured accurately. have.

또한 노즐 지지체 (134)에 착탈 가능하게 장착되는 레지스트 노즐 (78)의 장착 위치 정밀도를 검사 내지 감시하기 위해서 스테이지 (76) 측에 접촉식의 거리 센서 (166)이 설치되고 있다(도 7, 도 11). 이 접촉식 거리 센서 (166)은 예를 들어 다이얼 게이지로부터 이루어지고 레지스트 노즐 (78)의 하단에 아래로부터 수직에 촉침을 눌러 레지스트 노즐 (78)과의 거리 나아가서는 스테이지 (76) 상면에 대한 레지스트 노즐 (78)의 높이 위치를 직접 측정한다. 도시의 구성예는 접촉식 거리 센서 (166)을 스테이지 (76)의 좌우 양측면에 한 쌍 장착하여, 레지스트 노즐 (78)의 좌우 양단부의 높이 위치를 각각 측정하고 양측정값의 평균을 잡도록 하고 있다.Moreover, in order to inspect or monitor the mounting position precision of the resist nozzle 78 detachably attached to the nozzle support body 134, the contact-type distance sensor 166 is provided in the stage 76 side (FIG. 7, FIG. 7). 11). This contact distance sensor 166 is made from, for example, a dial gauge and is pressed against the bottom of the resist nozzle 78 vertically from below with its distance from the resist nozzle 78 and thus the resist to the top surface of the stage 76. The height position of the nozzle 78 is measured directly. In the illustrated configuration, a pair of contact distance sensors 166 are mounted on the left and right sides of the stage 76 so as to measure the height positions of the left and right ends of the resist nozzle 78 and average the measured values. .

도 13에, 이 실시 형태의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 있어서의 제어계 의 주요한 구성을 나타낸다. 컨트롤러 (170)은, 마이크로 컴퓨터로부터 이루어지고 상기 광학식 거리 센서 (162), 리니어 스케일 (164), 접촉식 거리 센서 (166)으로부터 각 측정값을 받아 유니트내의 각부 특히 레지스트액 공급원 (93), 노즐 승강기구 (75), 스테이지 기판 부상부 (126), 반송 구동부 (100), 패드 흡착 제어부 (115), 패드액츄에이터 (109), 반입용 리프트 핀 승강부 (85), 반출용 리프트 핀 승강부 (91)등의 개개의 동작과 전체의 동작(순서)을 제어한다. 또한 컨트롤러 (170)은 이 도포 현상 처리 시스템의 전체를 통괄 제어하는 호스트 컨트롤러나 다른 외부 장치에도 접속되고 있다.13, the main structure of the control system in the resist coating unit CT and 40 of this embodiment is shown. The controller 170 is made from a microcomputer and receives the respective measured values from the optical distance sensor 162, the linear scale 164, the contact distance sensor 166, and the respective parts of the unit, particularly the resist liquid supply source 93, the nozzles. Lifting mechanism 75, stage substrate floating portion 126, conveying drive portion 100, pad adsorption control portion 115, pad actuator 109, lift pin lift portion 85 for carrying in, lift pin lift portion for carrying out ( 91) and the entire operation (sequence). The controller 170 is also connected to a host controller or other external device that collectively controls the entire coating and developing processing system.

다음에, 이 실시 형태의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 있어서의 도포 처리 동작을 설명한다. 컨트롤러 (170)은 예를 들어 광디스크등의 기억 매체에 격납되고 있는 레지스트 도포 처리 프로그램을 주메모리에 넣어 실행하고 프로그램된 일련의 도포 처리 동작을 제어한다. 이 일련의 도포 처리 동작 중서 본 발명의 갭 관리 기능과 관련되는 주요한 순서를 도 14의 플로차트에 나타낸다.Next, the application | coating process operation in the resist application | coating unit (CT, 40) of this embodiment is demonstrated. The controller 170 puts a resist coating processing program stored in a storage medium such as an optical disk into the main memory, and executes the programmed series of coating processing operations. The main procedure related to the gap management function of this invention among this series of application | coating process operations is shown in the flowchart of FIG.

반송 장치 (54,도 1)에서 미처리의 새로운 기판 (G)가 스테이지 (76)의 반입 영역 (M₁)에 반입되면 리프트 핀 (86)이 재치 위치에서 상기 기판 (G)를 받는다. 반송 장치 (54)가 퇴출 한 후 리프트 핀 (86)이 하강해 기판 (G)를 반송용의 높이 위치 즉 부상 위치 (Ha,도 5)까지 내린다. 그 다음에 얼라인먼트부(도시하지 않음)가 작동하고 부상 상태의 기판 (G)에 사방으로부터 누름 부재(도시하지 않음)를 눌러 기판 (G)를 스테이지 (76)상에서 위치 맞춤한다. 얼라인먼트 동작이 완료하면 그 직후에 기판 반송부 (84)에 있어서 패드액츄에이터 (109)가 작동하고 흡착 패드 (104)를 원위치(퇴피 위치)로부터 재치 위치(결합 위치)에 상승(UP)시킨다. 흡착 패드 (104)는 그 전부터 진공이 온하고 있어 부상 상태의 기판 (G)의 측주변부에 접촉하거나 진공 흡착력으로 결합한다. 흡착 패드 (104)가 기판 (G)의 측주변부에 결합한 직후에 얼라인먼트부는 누름 부재를 소정 위치로 퇴피시킨다.In the conveying apparatus 54 (FIG. 1), when the unprocessed new board | substrate G is carried in to the loading area M 'of the stage 76, the lift pin 86 receives the said board | substrate G in a mounting position. After the conveying apparatus 54 is withdrawn, the lift pin 86 descends and lowers the board | substrate G to the height position for conveyance, ie, the floating position Ha (FIG. 5). The alignment portion (not shown) is then operated and the pressing member (not shown) is pushed from all sides against the substrate G in the floating state to position the substrate G on the stage 76. Immediately after the alignment operation is completed, the pad actuator 109 is operated in the substrate conveyance unit 84 and the suction pad 104 is raised (UP) from the original position (retraction position) to the mounting position (combination position). The suction pad 104 has been turned on before the vacuum, and the suction pad 104 comes into contact with the side periphery of the substrate G in a floating state or is coupled with a vacuum suction force. Immediately after the adsorption pad 104 engages the side peripheral portion of the substrate G, the alignment portion retracts the pressing member to a predetermined position.

다음에 기판 반송부 (84)는 보유 지지부 (102)로 기판 (G)의 측주변부를 보유 지지한 채로 슬라이더 (98)을 반송 시점 위치로부터 반송 방향(X방향)에 비교적 고속의 일정 속도로 직진 이동시킨다. 이렇게 해 기판 (G)가 스테이지 (76)상을 뜬 상태로 반송 방향(X방향)에 직진 이동하고 기판 (G)의 전단부가 레지스트 노즐 (78)의 바로아래 부근의 설정 위치 즉 도포 개시 위치에 도착한 지점에서 기판 반송부 (84)가 제1 단계의 기판 반송을 정지한다(도 14의 스텝 S6).Next, the board | substrate conveyance part 84 moves the slider 98 straight from a conveyance time position to a conveyance direction (X direction) at a comparatively high speed with the holding part 102 holding the side periphery of the board | substrate G. Move it. In this way, the board | substrate G moves straight to a conveyance direction (X direction) in the state which floated on the stage 76, and the front-end part of the board | substrate G is set in the setting position of the immediate vicinity of the resist nozzle 78, ie, application start position. At the point of arrival, the board | substrate conveyance part 84 stops the board | substrate conveyance of a 1st step (step S6 of FIG. 14).

이 때, 레지스트 노즐 (78)은 도 17에 나타나는 바와 같이 윗쪽의 높이 위치 (Za)로 대기하고 있다. 여기서, 이 노즐 높이 위치 (Za)는 스테이지 (76)의 상면을 기준면으로 하는 레지스트 노즐 (78)의 하단 즉 토출구의 높이 위치이고 직전에 실시되고 있는 일차 측정 검사(스텝 S1~S5)로 Za의 값이 허용 범위내에 있는 것이 확인되고 있다. 또, 이 때의 광학식 거리 센서 (162)의 측정 정밀도도 일차 측정 검사(스텝 S1~S5)로 허용 범위내에 있는 것이 확인되고 있다.At this time, the resist nozzle 78 is waiting at the position Za of the upper side as shown in FIG. Here, this nozzle height position Za is the lower position of the resist nozzle 78 which makes the upper surface of the stage 76 the reference plane, that is, the height position of the discharge port, and is the primary measurement test (steps S1 to S5) performed immediately before the Za It is confirmed that the value is within the allowable range. In addition, it is confirmed that the measurement accuracy of the optical distance sensor 162 at this time is also within the permissible range by the primary measurement inspection (steps S1 to S5).

이 일차 측정 검사(스텝 S1~S5)는 도 15 및 도 16에 나타나는 바와 같은 방법으로 행해진다. 즉, 도 15에 나타나는 바와 같이 먼저 레지스트 노즐 (78)을 소정의 윗쪽 퇴피 위치로부터 상기 Za의 높이 위치까지 내린다. 이 경우, 컨트롤러 (170)은 리니어 스케일 (164)가 나타내는 측정값이 메모리에 기억하고 있는 절대 기준 위치 (Zc)에 일치할 때까지 노즐 지지체 (134)를 내린다(스텝 S1). 그리고, 도 16에 나타나는 바와 같이 광학식 거리 센서 (162)에 스테이지 (76)의 상면까지의 거리 (Lb)를 측정시킨다(스텝 S2). 한편, 스테이지 (76)측의 접촉식 거리 센서 (166)은 그 촉침 (166a)를 레지스트 노즐 (78)의 하단에 맞혀 스테이지 (76) 상면과 레지스트 노즐 (78)의 거리 간격 (La) 즉 노즐 높이 위치 (Za)를 측정한다(스텝 S3).This primary measurement test (steps S1-S5) is performed by the method as shown to FIG. 15 and FIG. That is, as shown in FIG. 15, the resist nozzle 78 is first lowered from the predetermined upper retreat position to the height position of Za. In this case, the controller 170 lowers the nozzle support 134 until the measured value indicated by the linear scale 164 coincides with the absolute reference position Zc stored in the memory (step S1). And thereby measuring the distance (L b) to the upper surface of the stage 76, the optical distance sensor 162 as shown in Figure 16 (step S2). On the other hand, the contact distance sensor 166 on the side of the stage 76 adjusts the stylus 166a to the lower end of the resist nozzle 78 so that the distance gap L a between the upper surface of the stage 76 and the resist nozzle 78 is defined. The nozzle height position Za is measured (step S3).

컨트롤러 (170)은 광학식 거리 센서 (162)로 구해진 거리 측정값 (Lb)를 메모리에 기억하고 있는 비교 기준치 (LB)와 비교한다(스텝 S4). 여기서, 비교 기준치 (LB)는 이 레지스트 도포 유니트(CT, 40)의 조립시 또는 메인터넌스시에 행해지는 활성 검사 또는 정기 검사로 리니어 스케일 (164)의 절대 기준 위치 (Zc)와 대응 또는 연관해 광학식 거리 센서 (162)로 구해진 거리 측정값이다. 즉, 예를 들어 심(shim) 등의 지그를 이용해 레지스트 노즐 (78)의 높이 위치 또는 스테이지 상면으로부터의 거리를 소정의 기준치 Lo(예를 들어 1mm)에 실측으로 맞추었을 때에 리니어 스케일 (164)가 나타낸 높이 위치의 측정값을 절대 기준 위치 (Zc)로서 메모리에 기억하고 동시에 광학식 거리 센서 (162)가 나타낸 거리 측정값을 비교 기준치 (LB)로서 메모리에 기억해 둔다. 그리고, 유니트 가동중은 리니어 스케일 (164)의 측정 정밀도에 변화나 이상은 없는 것으로 간주하고 상기와 같이 리니어 스케일 (164)의 측정값이 절대 기준 위치 (Zc)에 일치할 때까지 노즐 지지체 (134)를 내린다(스텝 S1).The controller 170 compares the distance measurement value L b obtained by the optical distance sensor 162 with the comparison reference value LB stored in the memory (step S4). Here, the comparison reference value L B corresponds to or correlates with the absolute reference position Zc of the linear scale 164 by an active inspection or periodic inspection performed at the time of assembly or maintenance of the resist coating unit CT, 40. It is a distance measurement value obtained by the optical distance sensor 162. That is, the linear scale 164 when the height position of the resist nozzle 78 or the distance from the upper surface of the stage is measured to a predetermined reference value Lo (for example, 1 mm) using, for example, a jig such as a shim. The measured value of the height position indicated by is stored in the memory as the absolute reference position Zc, and the distance measured value indicated by the optical distance sensor 162 is stored in the memory as the comparison reference value L B. Then, it is assumed that there is no change or abnormality in the measurement accuracy of the linear scale 164 during operation of the unit, and the nozzle support 134 until the measured value of the linear scale 164 coincides with the absolute reference position Zc as described above. ) (Step S1).

따라서, 가동시에 광학식 거리 센서 (162)가 상기 활성 검사 또는 정기 검사 때와 같은 측정 정밀도를 유지하고 있으면 거리 측정값 (Lb)는 비교 기준치 (LB)에 동일한 값이고, 그 측정 정밀도가 열화 또는 저하하는 만큼 양자의 비교 오차 │LB-Lb│는 커진다. 거기서, 컨트롤러 (170)은 비교 오차 │LB-Lb│가 일정한 허용 범위내(예를 들어5% 이내)에 있으면 광학식 거리 센서 (162)의 측정 정밀도는 「정상」이라고 판정한다(스텝 S5). 그러나, 비교 오차 │LB-Lb│가 상기 허용 범위로부터 빗나가 있을 때는 광학식 거리 센서 (162)의 측정 정밀도에 이상이 생겼는지 혹은 그 밖에 어떠한 이상이 있는 것으로 판정하고 후술하는 이상 원인 해석 처리를 실시한다(스텝 S5→S13).Therefore, if the optical distance sensor 162 maintains the same measurement accuracy as the active inspection or periodic inspection at the time of operation, the distance measurement value L b is the same value as the comparison reference value L B , and the measurement accuracy is As the degradation or deterioration occurs, the comparison error | L B -L b | of both becomes larger. There, the controller 170 determines that the measurement accuracy of the optical distance sensor 162 is "normal" if the comparison error | L B -L b | is within a certain allowable range (for example, within 5%) (step S5). ). However, when the comparison error L B -L b deviates from the allowable range, it is determined that there is an abnormality in the measurement accuracy of the optical distance sensor 162 or any other abnormality, and the error cause analysis process described later is performed. (Step S5-> S13).

한편, 컨트롤러 (170)은 접촉식 거리 센서 (166)에 의해 구해지는 노즐-스테이지간의 거리 측정값 (La)를 상기 기준치 (LO, 1mm)와 비교한다(스텝 S4). 그리고, 양자의 비교 오차 │LO -La│가 일정한 허용 범위내(예를 들어5% 이내)에 있으면, 레지스트 노즐 (78)의 장착 위치가 활성 검사 또는 정기 검사 때와 거의 변함없다, 즉 「정상」이라고 판정한다(스텝 S5). 그러나, 비교 오차 │LO-La│가 상기 허용 범위로부터 빗나가 있을 때는 레지스트 노즐 (78)의 장착 위치가 어긋나고 있는지 혹은 그 밖에 어떠한 이상이 있는 것으로 판정 하고 후술 하는 이상 원인 해석 처리를 실시한다(스텝 S5→S13).On the other hand, the controller 170 is a nozzle which is determined by the contact-type distance sensor (166) is compared with the reference value (L O, 1mm), a distance measure between the stage (L a) (step S4). And, if the comparison error | L O -L a | of both is within a certain permissible range (for example, within 5%), the mounting position of the resist nozzle 78 is almost unchanged from that of the active inspection or the periodic inspection, that is, It determines with "normal" (step S5). However, when the comparison error L O -L a deviates from the allowable range, it is determined that the mounting position of the resist nozzle 78 is shifted or there are other abnormalities, and an abnormal cause analysis process described later is performed ( Step S5-> S13).

상기와 같은 일차 측정 검사로 광학식 거리 센서 (162)의 측정 정밀도 및 레지스트 노즐 (78)의 높이 위치의 모두 「정상」이라고 판단했을 때는(스텝 S5), 직후에 기판 (G)가 도포 개시 위치에서 정지하고 나서(도 17, 스텝 S6), 2차 측정 검사(스텝 S7~Sg)를 실시하기 위해서, 광학식 거리 센서 (162)에 기판 (G)의 상면 및 하면까지의 거리 (Ld, Le)를 측정시킨다(도 18). 이 경우, 광학식 거리 센서 (162)는 바로 아래의 기판 (G)를 향해 1개 또는 복수 라인의 광 빔을 투광하고 기판 (G)의 상면 및 하면으로부터의 반사광을 각각 수광한 위치로부터 측정 거리 (Ld, Le)를 구한다. 컨트롤러 (170)은 이들의 거리 측정값 (Ld, Le)를 기본으로 다음식(1), (2)를 연산해 해당 기판 (G)의 두께 측정값 (D) 및 부상 높이 측정값 (Hb)를 구한다(스텝 S7).When it is judged that both the measurement accuracy of the optical distance sensor 162 and the height position of the resist nozzle 78 are "normal" by the above-mentioned primary measurement inspection (step S5), the board | substrate G is immediately after application | coating start position. After stopping (FIG. 17, step S6), in order to perform secondary measurement test | inspection (step S7-Sg), distance to the upper surface and lower surface of the board | substrate G to the optical distance sensor 162 (L d , L e). ) Is measured (FIG. 18). In this case, the optical distance sensor 162 transmits one or a plurality of lines of light beams toward the substrate G directly below, and measures the distance from the position where the reflected light from the upper and lower surfaces of the substrate G is received, respectively. L d , L e ) The controller 170 calculates the following equations (1) and (2) based on their distance measurement values (L d , L e ) to measure the thickness measurement value (D) and the floating height measurement value (D) of the substrate (G). H b ) is obtained (step S7).

D=Le-Ld ···· (1) D = L e -L d (1)

Hb=Lb-Le ···· (2)H b = L b -L e (2)

그 다음에, 컨트롤러 (170), 상기와 같이 하여 구한 상기 기판 (G)의 두께 측정값 (D) 및 부상 높이 측정값 (Hb)를 각각의 설정값 또는 기준치[D] [Hb]와 비교한다(스텝 S8). 그리고, 비교 오차 │[D] -D │, │[Hb] -Hb│의 어느쪽도 각 소정의 허용 범위내에 들어가 있으면 「정상」이라고 판단하고 그렇지 않으면 「이상」이라고 판단한다(스텝 S9). 여기서 「이상」이라고 판단했을 때는 알람 출력 처리를 실시한다 (스텝 S9→S14).Then, the controller 170, the thickness measurement value D and the floating height measurement value H b of the substrate G obtained as described above are compared with the respective set values or reference values [D] [H b ]. It compares (step S8). Then, if either of the comparison error │ [D] -D │ and │ [H b ] -H b │ falls within each predetermined allowable range, it is determined to be "normal", otherwise it is determined to be "abnormal" (step S9). ). When it determines with "abnormal" here, an alarm output process is performed (from step S9 to step S14).

또한 도포 영역 (M₃, 특히 노즐 (78)의 바로 아래) 에 있어서 기판 (G)의 부상 높이 (Hb)가 설정값 [Hb]부근에 있는 것은, 도포 갭 (S)를 일정하게 유지할 뿐만 아니라 기판 (G)의 수평도를 유지하는데도 중요하다. 즉, 부상 높이 설정값[Hb]는 기판 (G)가 스테이지 (76)의 상면을 마찰할 우려가 없고, 또한 부상 상태의 기판 (G)를 수평으로 유지하는데 충분한 강성(기판 부상 강성)을 얻는데 최적인것으로 선택되고 있다. 실제의 기판 부상 높이 (Hb)가 설정값 [Hb]보다 크면 기판 부상 강성이 감소하고 기판 (G)가 상하로 흔들리거나 수평도를 잃어 도포 얼룩짐이 생기기 쉽다. 한편, 기판 부상 높이 (Hb)가 설정값 [Hb]보다 작으면 부상 반송중의 기판 (G)에 스테이지 (76)상의 쓰레기등의 이물이 닿거나 부착하는 등의 지장이 생기기 쉽다. 따라서, 2차 측정 검사로 부상 높이 측정값 (Hb)가 허용 범위로부터 빗나가 있을 때는 부상 반송식의 스핀레스법에 의한 레지스트 도포 처리의 품질을 보증 할수 없게 된다.In addition, the coating area is located near the flying height (H b) of the substrate (G) is set, the value [H b] in the (M₃, in particular directly below the nozzle 78), as regularly maintain the coating gap (S) It is also important to maintain the horizontality of the substrate G. That is, the floating height set value [H b ] does not have a possibility that the board | substrate G rubs against the upper surface of the stage 76, and it has sufficient rigidity (substrate floating rigidity) to keep the board | substrate G in a floating state horizontal. It is chosen to be the best to get. If the actual substrate floating height H b is larger than the set value [H b ], the substrate floating stiffness decreases, and the substrate G is shaken up and down or loses its horizontality, and coating staining is likely to occur. On the other hand, when the substrate floating height H b is smaller than the set value [H b ], trouble such as foreign matter such as garbage or the like on the stage 76 comes into contact with the substrate G during floating conveyance. Therefore, when the floating height measurement value H b deviates from the allowable range by the secondary measurement inspection, the quality of the resist coating process by the floating conveyance spinless method cannot be guaranteed.

상기와 같은 2차 측정 검사로 「정상」이라고 판단했을 때는 도 19에 나타나는 바와 같이 레지스트 노즐 (78)의 토출구와 기판 (G)의 상면의 사이에 원하는 사이즈(예를 들어 100μm)의 갭 (S)를 형성하는 높이 위치 (Zd)까지 레지스트 노즐 (78)을 내린다(스텝 S10). 이 경우의 강하량(Za-Zd)는 다음식 (3)에서 주어진다.When it is judged as "normal" by the above secondary measurement test | inspection, as shown in FIG. 19, the gap S of a desired size (for example, 100 micrometers) between the discharge port of the resist nozzle 78 and the upper surface of the board | substrate G is shown. ), The resist nozzle 78 is lowered up to the height position Z d (step S10). The drop amount (Z a -Z d ) in this case is given by the following equation (3).

Za-Zd=La- (S+D+Hb) ···· (3) Z a -Z d = L a - (S + D + H b) ···· (3)

한편, 컨트롤러 (170)은 노즐 강하 완료 후에 광학식 거리 센서 (162)에 기 판 (G)상면과의 거리 (Lf)를 측정시킨다. 이론적으로는, 이 측정 거리 (Lf)는 다음식(4)에서 구해지는 값[Lf]에 일치한다.On the other hand, the controller 170 measures the distance L f with the upper surface of the substrate G by the optical distance sensor 162 after completion of the nozzle drop. Theoretically, this measurement distance L f corresponds to the value [L f ] obtained by the following equation (4).

[Lf] =Ld- (Za-Zd)[L f ] = L d- (Z a -Z d )

=Ld-La+ (S+D+Hb) ···· (4)= L d -L a + (S + D + H b ) (4)

그러나, 하등의 이유로써 거리 측정값 (Lf)가 이론치[Lf]와 일치하지 않는 경우도 있을 수 있다. 예를 들어, 스테이지 기판 부상부 (126)으로 압축 공기 및/또는 진공의 압력이 변동하고 그 영향으로 기판 (G)의 부상 높이 (Hb)가 변동했을 경우는 이론치대로는 가지 않게 된다. 거기서, 도포 처리(스텝 S12)에는, 실제 또는 지금의 값인 거리 측정값 (Lf)를 우선적으로 이용한다. 또, 도포 처리 개시전에 거리 측정값 (Lf)를 노즐 승강기구 (75)에 피드백 해 도포 갭 (S)를 설정값에 맞추는 것도 가능하다.However, for some reason, the distance measurement value L f may not coincide with the theoretical value [L f ]. For example, in the case where compressed air and / or a vacuum pressure swing and a variable flying height (H b) of the substrate (G) by the impact with the substrate stage portion 126 is not of as the theoretical value. There, the distance measurement value L f which is an actual or present value is preferentially used for application | coating process (step S12). In addition, it is also possible to feed back the distance measurement value L f to the nozzle elevating mechanism 75 to adjust the coating gap S to the set value before the coating process starts.

도포 처리(스텝 S12)에서는 레지스트액공급원 (93)을 온 시켜 레지스트 노즐 (78)에서 기판 (G)의 상면을 향해 레지스트액의 토출을 개시시킨다. 이 때, 최초로 미량의 레지스트액을 내어 노즐 토출구와 기판 (G) 어느 갭 (S)를 완전하게 막고 나서 정규의 유량으로 토출을 개시하는 것이 바람직하다. 한편, 기판 반송부 (84)에 제2 단계의 기판 반송을 개시시킨다. 이 제2 단계 즉 도포시의 기판 반송에는, 비교적 저속의 일정 속도로 행해진다. 이렇게 하고 도포 영역 (M₃)내에 있어서, 기판 (G)가 수평 자세로 반송 방향(X방향)으로 일정 속도로 이동하는 것과 동시에, 긴형의 레지스트 노즐 (78)이 바로 아래의 기판 (G)를 향해 레지스트액 (R)를 일정한 유량으로 띠형상으로 토출하는 것으로 도 21에 나타나는 바와 같이 기판 (G)의 전단측으로부터 후단 측에 향해 레지스트액의 도포막 (RM)이 형성되어 간다.In the coating process (step S12), the resist liquid supply source 93 is turned on to start discharging the resist liquid toward the upper surface of the substrate G from the resist nozzle 78. At this time, it is preferable to first discharge a small amount of resist liquid to completely close the nozzle discharge port and any gap S of the substrate G, and then start discharging at a normal flow rate. On the other hand, the board | substrate conveyance part 84 starts the board | substrate conveyance of a 2nd step. This 2nd step, ie, conveyance of the substrate at the time of coating, is performed at a relatively low constant speed. In this way, in the application | coating area | region M3, the board | substrate G moves to a conveyance direction (X direction) in a horizontal position at the constant speed, and the elongate resist nozzle 78 is directed toward the board | substrate G just below. By discharging the resist liquid R in a band at a constant flow rate, the coating film RM of the resist liquid is formed from the front end side to the rear end side of the substrate G as shown in FIG. 21.

이 도포 주사중도 광학식 거리 센서 (162)는 기판 (G)상면과의 거리 (Lf)를 측정하고 그 측정값을 컨트롤러 (170)에 계속 보낼 수가 있다. 컨트롤러 (170)은 광학식 거리 센서 (162)로부터의 거리 측정값 (Lf)를 노즐 승강기구 (75)에 피드백 하는 것으로 도 22에 나타나는 바와 같이, 예를 들어 스테이지 기판 부상부 (126)에 있어서의 압력의 변동에 의해 기판 (G)가 상하에 흔들려도 도포 갭 (S)를 설정값으로 유지할 수가 있다. 또한 레지스트 노즐 (78)의 높이 위치를 고속으로 또한약하게 변위시키기 때문에 노즐 승강기구 (75)에 압전 소자등을 구성하는 것도 가능하다.The optical distance sensor 162 can measure the distance L f with the upper surface of the board | substrate G, and can continuously send the measured value to the controller 170 also during this coating scanning. As shown in FIG. 22, the controller 170 feeds back the distance measurement value L f from the optical distance sensor 162 to the nozzle elevating mechanism 75, for example, in the stage substrate floating portion 126. Even if the board | substrate G shakes up and down by the fluctuation | variation of the pressure, the application | coating gap S can be kept at a set value. Moreover, since the height position of the resist nozzle 78 is displaced at high speed and weakly, it is also possible to comprise a piezoelectric element etc. in the nozzle lifting mechanism 75.

도포 영역 (M₃)에서 상기와 같은 도포 처리(스텝 Sl2)가 끝나면 즉 기판 (G)의 후단부가 레지스트 노즐 (78)의 바로 아래를 지나면 레지스트액 공급원 (93)이 레지스트 노즐 (78)으로부터의 레지스트액 (R)의 토출을 종료시킨다. 이것과 동시에 노즐 승강기구 (75)가 레지스트 노즐 (78)을 수직 윗쪽으로 들어 올려 기판 (G)로부터 퇴피시킨다. 한편, 기판 반송부 (84)는 반송 속도의 비교적 큰 제3 단계의 기판 반송으로 전환한다. 그리고, 기판 (G)가 반출 영역 (M5)내의 반송 종점 위치에 도착하면 기판 반송부 (84)는 제3 단계의 기판 반송을 정지한다. 이 직후에, 패드 흡착 제어부 (115)가 흡착 패드 (104)에 대한 진공의 공급을 멈추어 이것과 동시에 패드액츄에이터 (109)가 흡착 패드 (104)를 주행위치(결합 위치)에서 원위치(퇴피 위치)에 내리고 기판 (G)의 양측 단부로부터 흡착 패드 (104)를 분리시킨다. 이 때, 패드 흡착 제어부 (115)는 흡착 패드 (104)에 정압(압축 공기)을 공급하고 기판 (G)로부터의 분리를 빨리 한다. 대신에 리프트 핀 (92)가 기판 (G)를 언로딩 하기 위해서 스테이지 하부의 원위치에서 스테이지 윗쪽의 주행위치로 상승한다.When the above-described application treatment (step Sl2) is completed in the application region M₃, that is, the rear end portion of the substrate G passes directly under the resist nozzle 78, the resist liquid supply source 93 becomes the resist from the resist nozzle 78. The discharge of the liquid R is terminated. At the same time, the nozzle elevating mechanism 75 lifts the resist nozzle 78 vertically upward to evacuate the substrate G. As shown in FIG. On the other hand, the board | substrate conveyance part 84 switches to the board | substrate conveyance of the comparatively large 3rd step of conveyance speed. And when the board | substrate G arrives at the conveyance end point position in the carrying out area | region M5, the board | substrate conveyance part 84 stops the board | substrate conveyance of a 3rd step. Immediately after this, the pad adsorption control unit 115 stops supplying the vacuum to the adsorption pad 104, and at the same time, the pad actuator 109 moves the adsorption pad 104 from the traveling position (coupling position) to its original position (retraction position). Lower the suction pad 104 from both ends of the substrate (G). At this time, the pad adsorption control unit 115 supplies the static pressure (compressed air) to the adsorption pad 104 and speeds up separation from the substrate G. Instead, the lift pin 92 ascends from the original position below the stage to the traveling position above the stage in order to unload the substrate G. FIG.

그 후, 반출 영역 (M5)에 반출기 즉 반송 아암 (74)가 액세스하고 리프트 핀 (92)로부터 기판 (G)를 받아 스테이지 (76)의 밖에 반출한다. 기판 반송부 (84)는 기판 (G)를 리프트 핀 (92)에 건네주었다면 즉시 반입 영역 (M₁)에 고속도로 되돌린다. 반출 영역 (M5)로 상기와 같이 처리 완료의 기판 (G)가 반출되는 무렵에, 반입 영역 (M₁)에서는 다음에 도포 처리를 받아야 할 새로운 기판 (G)에 대해서 반입, 얼라인먼트 내지 반송 개시를 한다.Thereafter, the ejector, that is, the transfer arm 74, accesses the transport region M 5 , receives the substrate G from the lift pin 92, and transports it out of the stage 76. The board | substrate conveyance part 84 returns to the loading area M 'by the highway immediately if the board | substrate G was passed to the lift pin 92. FIG. Out area (M 5) in the, import, alignment to start conveyance for import region (M₁) in the next new substrate (G) to obtain a coating on the time that the substrate (G) of the processed out as described above do.

여기서, 이상 원인 해석 처리(스텝 S13)에 대해서 설명한다. 이 실시 형태에서는 상술한 것처럼 부상 반송 방식의 갭 관리를 위해서 복수의 거리 또는 위치 센서 (162,164,166)을 이용하고 있으므로, 일차 측정 검사(스텝 S1~S5)로 구해진 각 센서의 측정 결과(정상/이상)로부터 도 23의 판정 알고리즘에 따라 이상 원인을 밝혀낼 수가 있다. 또한 도 23에서는, 광학식 거리 센서 (162)를 「광 센서」라고 약기하고 접촉식 거리 센서 (166)을 「접촉 센서」라고 약기하고 있다.Here, the abnormal cause analysis process (step S13) is demonstrated. In this embodiment, since the plurality of distance or position sensors 162, 164, 166 are used for the gap management of the floating conveying method as described above, the measurement result (normal / abnormal) of each sensor obtained by the primary measurement test (steps S1 to S5). The cause of the abnormality can be found from the determination algorithm shown in FIG. In addition, in FIG. 23, the optical distance sensor 162 is abbreviated as "light sensor", and the contact distance sensor 166 is abbreviated as "contact sensor."

즉, 광학식 거리 센서 (162)의 측정 결과가 「이상」이고, 또한 접촉식 거리 센서 (166)의 측정 결과도 「이상」일 때는, 스테이지 (76)에 원인(예를 들어 위치 어긋남)이 있다고 판정한다. 예를 들어, 스테이지 (76) 상면의 높이가 어떠한 원인으로 예를 들어 10μm 내렸을 경우는 광학식 거리 센서 (162) 및 접촉식 거리 센서 (166)의 측정값은 각각 각 기준치로부터 10 μm를 넘게 되고 어느 쪽으로부터도 「이상」의 측정 결과가 구해진다.That is, when the measurement result of the optical distance sensor 162 is "abnormal" and the measurement result of the contact distance sensor 166 is also "abnormal," there is a cause (for example, position shift) in the stage 76. Determine. For example, when the height of the upper surface of the stage 76 is lowered, for example, by 10 μm, for example, the measured values of the optical distance sensor 162 and the contact distance sensor 166 are each exceeded 10 μm from each reference value. The measurement result of "ideal" is calculated | required also from the side.

광학식 거리 센서 (162)의 측정 결과가「이상」으로, 접촉식 거리 센서 (166)의 측정 결과가 「정상」일 때는, 광학식 거리 센서 (162)의 장착 위치 혹은 광학적 기능에 어긋남 또는 오차가 생기고 있는 것으로 판정한다.When the measurement result of the optical distance sensor 162 is "abnormal" and the measurement result of the contact distance sensor 166 is "normal", a deviation or an error occurs in the mounting position or optical function of the optical distance sensor 162. It is determined that there is.

광학식 거리 센서 (162)의 측정 결과가 「정상」으로 접촉식 거리 센서 (166)의 측정 결과가 「이상」일 때는, 2가지의 원인을 생각할 수 있다. 즉, 접촉식 거리 센서 (166)의 장착 위치 혹은 게이지 기능에 어긋남 또는 오차가 생기고 있는 경우 (1)과 레지스트 노즐 (78)의 장착 위치 정밀도에 어긋남이 생기고 있는 경우 (2)이다. 이 2개의 케이스(1)(2)의 구별을 짓기 위해서 예를 들어 도 24에 나타나는 바오 같은 삼차 측정 검사를 실시해도 좋다. 이 삼차 측정 검사는 기준 블럭 (172)를 기준 위치 비록 스테이지 (76)의 상면 높이 위치에 배치하고 이 기준 블럭 (172)에 대한 거리 (Lg)를 접촉식 거리 센서 (166)에 측정시킨다. 이 거리 측정값 (Lg)가 정상적이면, 접촉식 거리 센서 (166) 자체에 이상은 없고, 레지스트 노즐 (78)의 장착 위치 정밀도가 어긋나고 있다, 즉 케이스 (1)이라고 판정한다. 그러나, 거리 측정값 (Lg)에 이변이 있으면 접촉식 거리 센서 (166)의 측정 정밀도에 이상이 생기고 있다 즉 케이스 (2)라고 판정한다.When the measurement result of the optical distance sensor 162 is "normal" and the measurement result of the contact distance sensor 166 is "abnormal", two causes can be considered. That is, the case where the shift | offset | difference or an error generate | occur | produces in the mounting position or gauge function of the contact type distance sensor 166 (1) and the case where the shift | offset | difference occurs in the mounting position precision of the resist nozzle 78 (2). In order to make a distinction between these two cases 1 and 2, for example, a third measurement test such as Bao shown in FIG. 24 may be performed. This third measurement test places the reference block 172 at the reference position, although at the top height position of the stage 76, and measures the distance L g for this reference block 172 on the contact distance sensor 166. When the distance measurement value (L g), normally, no more than the contact distance sensor 166 itself, the mounting position accuracy of the resist nozzle 78 is shifted, that is, it is determined that the case (1). However, if the distance measurement value L g has an abnormality, an abnormality occurs in the measurement accuracy of the contact distance sensor 166, that is, the case 2 is determined.

이와 같이, 컨트롤러 (170)은 일차 측정 검사(스텝 S1~S5)로 이상을 찾아냈을 때는 이상 원인 해석 처리(스텝 S13)에 의해 그 원인을 밝혀낼 수가 있다. 그리고, 알람 출력 처리(스텝 S14) 시에 알람 신호와 함께 이상 원인의 데이터를 호스트 컨트롤러에 보낼 수가 있다.In this way, when the controller 170 finds an abnormality by the primary measurement test (steps S1 to S5), the cause can be found by the abnormal cause analysis process (step S13). At the alarm output process (step S14), data of an abnormal cause can be sent to the host controller together with an alarm signal.

상기와 같이, 이 실시 형태에 있어서는 스테이지 (76)상으로 반입 영역 (M₁), 도포 영역 (M₃), 반출 영역 (M5)를 따로 따로 설치해 그러한 각 영역에 기판을 차례로 전송하고 기판 반입 동작, 레지스트액 공급 동작, 기판 반출 동작을 각 영역에서 독립 또는 병렬적으로 실시하도록 하고 있고 이것에 의해 1매의 기판 (G)에 대해서 스테이지 (76)상으로 반입하는 동작에 필요로 하는 시간 (TIN)과 스테이지 (76)상으로서 반입 영역 (M₁)로부터 반출 영역 (M5)까지 반송하는데 필요로 하는 시간 (Tc)와 반출 영역 (M5)로부터 반출하는데 필요로 하는 시간(Tout)을 서로 더한 도포 처리 1 사이클의 소요 시간(Tc+TIN+Tou)보다, 택트 타임을 단축할 수가 있다.As described above, this embodiment in the form of stage 76 is brought region (M₁) with a coating region (M₃), out area (M 5) for separately installing transfer the substrate in such respective regions, and then the substrate carry operation, The resist liquid supplying operation and the substrate carrying out operation are carried out independently or in parallel in each region, and thus the time required for the operation of bringing one substrate G onto the stage 76 (T IN). ) And the time T c required for carrying out from the carrying out area M₁ to the carrying out area M 5 , and the time T out required for carrying out from the carrying out area M 5 on the stage 76. Tact time can be shortened rather than the time ( Tc + TIN + Tou ) of 1 cycle of application | coating processes which mutually added.

더구나 스테이지 (76)의 상면에 설치한 분출구 (88)에서 분출하는 기체의 압력을 이용해 기판 (G)를 공중에 띄워 떠 있는 기판 (G)를 스테이지 (76)상으로서 반송하면서 긴형 레지스트 노즐 (78)에서 기판 (G)상으로 레지스트액을 공급해 도포하도록 했으므로, 기판의 대형화에 무리없이 효율적으로 대응할 수가 있다.Furthermore, the elongate resist nozzle 78 conveys the substrate G floating in the air on the stage 76 by using the pressure of the gas ejected from the ejection opening 88 provided on the upper surface of the stage 76. ), The resist liquid is supplied onto the substrate G and coated, so that the substrate can be efficiently scaled up without difficulty.

그리고, 스테이지 (76)과 기판 (G)와 레지스트 노즐 (78)의 사이의 높이 위치 관계를 확실하게 관리하도록 했으므로, 부상 반송식의 스핀레스 도포법으로 기판 (G)상으로 레지스트 도포막을 원하는 또한 균일한 막두께로 형성하는 도포 처리의 재현성 및 신뢰성을 크게 향상시킬 수가 있다.And since the height position relationship between the stage 76, the board | substrate G, and the resist nozzle 78 was managed reliably, the desired and uniformity which a resist coating film is desired on the board | substrate G by the floating conveyance type spinless coating method is desired. The reproducibility and reliability of the coating treatment formed with one film thickness can be greatly improved.

이상, 본 발명의 매우 적합한 실시 형태를 설명했지만 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니고, 그 기술적 사상의 범위내에서 여러 가지의 변형이 가능하다.As mentioned above, although highly suitable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible within the scope of the technical idea.

예를 들어, 상기한 실시 형태에 있어서의 접촉식 거리 센서 (166)을 도 25에 나타나는 바와 같이 광학식 거리 센서 (174)에 치환할 수가 있다. 이 광학식 거리 센서 (174)는 레지스트 노즐 (78)의 바로 밑의 소정의 높이 위치에서 스테이지 (76)의 한 측면 또는 양 측면에 장착되어 레지스트 노즐 (78)의 하단과의 거리 (Li)를 광학적으로 측정한다. 이 경우, 광학식 거리 센서 (174)와 스테이지 (76) 상면의 고도차이 또는 거리를 (He, 기존의 값)으로 하면, 레지스트 노즐 (78)과 스테이지 (76) 상면의 사이의 거리 (La)는 La=Li-He로 구해진다. 이 광학적인 거리 측정을 위해서광학식 거리 센서 (174)는 수직 윗쪽에 광 빔을 투광하는 투광부와 상기 광 빔이 맞은 물체(레지스트 노즐 (78)의 하단)로부터 반사해 오는 빛을 측정 거리에 따른 위치에서 수광하는 수광부를 갖추고 있다.For example, the contact distance sensor 166 in the above embodiment can be replaced with the optical distance sensor 174 as shown in FIG. 25. The optical distance sensor 174 has the right at a predetermined height position of the bottom is attached to one or both sides of the stage 76, the distance (L i) of the bottom and the resist nozzle 78 of the resist nozzle 78 Measure optically In this case, if the altitude difference or distance between the optical distance sensor 174 and the upper surface of the stage 76 is (H e , the existing value), the distance between the resist nozzle 78 and the upper surface of the stage 76 (L a ) Is obtained by L a = L i -H e . For this optical distance measurement, the optical distance sensor 174 transmits a light projecting portion that transmits a light beam vertically upward, and reflects light reflected from an object (the lower end of the resist nozzle 78) to which the light beam fits, according to the measurement distance. It has a light receiving unit that receives light at a position.

또한 이 스테이지측의 하부 광학식 거리 센서 (174)는 스테이지 (76)상으로서 레지스트 노즐 (78)의 바로 아래에 기판 (G)가 들어 오면 도 26에 나타나는 바와 같이 이 기판 (G)와의 거리를 측정할 수가 있다. 따라서, 2차 측정 검사(스텝 S6~S9)로 기판 (G)의 두께 (D) 및 부상 높이 (Hb)를 측정할 때는, 레지스트 노즐 (78)측의 상부 광학식 거리 센서 (162)가 기판 (G)의 상면과의 거리 (Ld)를 측정하고 하부 광학식 거리 센서 (174)가 기판 (G)의 하면과의 거리 (Lj)를 측정해도 좋다. 이 경우, 기판 (G)의 부상 높이 (Hb)는 Hb=Lj-He로 구해진다. 또, 기판 (G)의 두께 (D)는 D=Lb-(Ld+Hb)로 구해진다.The lower optical distance sensor 174 on the stage side measures the distance to the substrate G as shown in FIG. 26 when the substrate G enters the stage 76 directly below the resist nozzle 78. You can do it. Therefore, the secondary measurement test (step S6 ~ S9) to when measuring the thickness (D) and the flying height (H b) of the substrate (G), the resist nozzle 78 side of the upper optical distance sensor 162, the substrate The distance L d from the upper surface of (G) may be measured, and the lower optical distance sensor 174 may measure the distance L j from the lower surface of the substrate G. In this case, the floating height H b of the substrate G is determined by H b = L j -H e . Moreover, the thickness D of the board | substrate G is calculated | required by D = L b- (L d + H b ).

또한 상부 광학식 거리 센서 (162) 또는 하부 광학식 거리 센서 (174)를 좌우 양측으로 설치하는 구성에 있어서 좌우 각각의 측정값이 크게 다른 경우에는, 기판 (G)가 경사하고 있는 등의 이상 사태가 생기고 있는 것으로 판정해도 좋다. 그리고, 알람을 출력하거나 도포 처리 동작을 중단 또는 중지해도 괜찮다.Moreover, in the structure which installs the upper optical distance sensor 162 or the lower optical distance sensor 174 to both left and right sides, when the measured value of each left and right differs significantly, abnormal conditions, such as the board | substrate G incline, will arise. You may judge that there exists. The alarm may be output or the application process may be interrupted or stopped.

상기한 실시 형태에 있어서의 기판 반송부 (84)의 보유 지지부 (102)는 진공 흡착식의 패드 (104)를 가지는 것이었지만, 기판 (G)의 측주변부를 매커니컬로(예를 들어 협착하여) 보유 지지하는 패드등도 가능하다. 또, 패드 (104)를 기판 (G)의 측주변부에 착탈 자유롭게 결합하기 위한 기구(패드 지지부 (106), 패드 승강부 (108), 패드 액츄에이터 (109))에도 여러 가지의 방식, 구성을 채용할 수가 있다. 또, 상기 실시 형태에 있어서의 기판 반송부 (84)는 기판 (G)의 좌우 양측 주변부를 보유 지지해 반송했지만, 기판 (G)의 한쪽측의 측주변부만을 보유 지지해 기판 반송을 실시하는 것도 가능하다.Although the holding part 102 of the board | substrate conveyance part 84 in above-mentioned embodiment had the pad 104 of a vacuum suction type | mold, the side periphery of the board | substrate G is mechanically (for example, narrowed, ) Hold pads are also available. In addition, various methods and configurations are employed in the mechanism (pad support portion 106, pad lifter 108, pad actuator 109) for detachably attaching the pad 104 to the side periphery of the substrate G. You can do it. In addition, although the board | substrate conveyance part 84 in the said embodiment hold | maintained and conveyed the left and right both sides peripheral parts of the board | substrate G, it also hold | maintains only the side peripheral part of one side of the board | substrate G, and also carries out board | substrate conveyance. It is possible.

상기한 실시 형태는 LCD 제조의 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 레지스트 도포 장치와 관련되는 것이었지만 본 발명은 피처리 기판상에 처리액을 공급하는 임의의 처리 장치나 어플리케이션에 적용 가능하다. 따라서, 본 발명에 있어서의 처리액으로서는 레지스트액 이외로도 예를 들어 층간 절연 재료, 유전체 재료, 배선 재료등의 도포액도 가능하고, 현상액이나 린스액등도 가능하다. 본 발명에 있어서의 피처리 기판은 LCD 기판에 한정하지 않고 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판, 반도체 웨이퍼, CD기판, 유리 기판, 유리기판, 포토마스크 기판등도 가능하다.Although the above embodiment relates to a resist coating apparatus in a coating and developing processing system of LCD manufacture, the present invention can be applied to any processing apparatus or application for supplying a processing liquid onto a substrate to be processed. Therefore, as the processing liquid in the present invention, in addition to the resist liquid, for example, a coating liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, a wiring material, or the like can be used. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, but other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, glass substrates, photomask substrates, and the like can also be used.

본 발명의 도포 장치 또는 도포 방법에 의하면 상기와 같은 구성과 작용에 의해 피처리 기판상에 스핀레스 방식에서 처리액을 도포하는 도포 처리의 택트 타임을 단축할 수 있는 것과 동시에, 부상 반송식의 스핀레스 도포법에 있어서 부상 스테이지와 기판과 노즐의 사이의 높이 위치 관계를 확실하게 관리해 기판상에 처리액의 도포막을 균일한 막두께로 형성할 수가 있다.According to the coating apparatus or the coating method of this invention, the tact time of the coating process which apply | coats a process liquid to a to-be-processed board | substrate by a spinless system by the above structure and operation can be shortened, and the float conveyance type spinless In the coating method, it is possible to reliably manage the height positional relationship between the floating stage and the substrate and the nozzle, thereby forming a coating film of the processing liquid on the substrate with a uniform film thickness.

Claims (25)

피처리 기판을 기체의 압력으로 띄우는 제1의 부상 영역을 가지는 스테이지와,A stage having a first floating region for floating the substrate to be processed under a gas pressure, 부상 상태의 상기 기판을 소정의 반송 방향으로 반송해 상기 제1의 부상 영역을 통과시키는 기판 반송부와,A substrate conveying unit for conveying the substrate in a floating state in a predetermined conveying direction and passing the first floating region; 상기 제1의 부상 영역의 윗쪽에 승강 가능하게 배치되는 노즐을 갖고, 상기 제1의 부상 영역을 통과하는 상기 기판상에 처리액을 도포하기 위해서 상기 노즐에서 상기 처리액을 토출시키는 처리액공급부와,A processing liquid supply unit having a nozzle disposed above and above the first floating region, for discharging the processing liquid from the nozzle to apply the processing liquid onto the substrate passing through the first floating region; , 상기 노즐을 승강 이동시키기 위해, 상기 노즐을 지지해 이것과 일체로 승강 이동하는 노즐 지지체를 갖는 노즐 승강부와,A nozzle raising and lowering unit having a nozzle support for supporting the nozzle and lifting and lowering integrally therewith to move the nozzle up and down; 상기 스테이지 또는 상기 기판의 상면과의 거리 간격을 측정하기 위해서 상기 노즐 지지체에 장착된 제1의 광학식 거리 센서를 가지는 상기 제1의 부상 영역에서 상기 처리액을 도포시키기 직전의 상기 기판에 대해서 상기 기판의 두께와 상기 스테이지에 대한 상기 기판의 부상 높이를 상기 제1의 광학식 거리 센서를 이용하여 측정하는 제1의 측정부와,The substrate with respect to the substrate immediately before applying the treatment liquid in the first floating region having a first optical distance sensor mounted to the nozzle support for measuring a distance distance from the stage or an upper surface of the substrate. A first measuring unit for measuring the thickness of the substrate and the floating height of the substrate with respect to the stage by using the first optical distance sensor; 바닥에 고정되고 있는 고정 지지 부재와 상기 노즐 지지체의 사이에 장착된 리니어 스케일을 갖고, 상기 제1의 광학식 거리 센서의 측정 정밀도를 검사하기 위해서 상기 노즐 지지체의 높이 위치를 상기 리니어 스케일을 이용하여 측정하는 제2의 측정부를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치. A linear scale mounted between the fixed support member fixed to the floor and the nozzle support, and the height position of the nozzle support is measured using the linear scale to check the measurement accuracy of the first optical distance sensor. It has a 2nd measuring part made, The coating apparatus characterized by the above-mentioned. 피처리 기판을 기체의 압력으로 띄우는 제1의 부상 영역을 가지는 스테이지와,A stage having a first floating region for floating the substrate to be processed under a gas pressure, 부상 상태의 상기 기판을 소정의 반송 방향으로 반송해 상기 제1의 부상 영역을 통과시키는 기판 반송부와,A substrate conveying unit for conveying the substrate in a floating state in a predetermined conveying direction and passing the first floating region; 상기 제1의 부상 영역의 윗쪽에 승강 가능하게 배치되는 노즐을 갖고, 상기 제1의 부상 영역을 통과하는 상기 기판상에 처리액을 도포하기 위해서 상기 노즐에서 상기 처리액을 토출시키는 처리액공급부와,A processing liquid supply unit having a nozzle disposed above and above the first floating region, for discharging the processing liquid from the nozzle to apply the processing liquid onto the substrate passing through the first floating region; , 상기 노즐을 승강 이동시키기 위한 노즐 승강부와,A nozzle elevating unit for elevating and moving the nozzle; 상기 제1의 부상 영역에서 상기 처리액을 도포시키기 직전의 상기 기판에 대해서 상기 기판의 두께와 상기 스테이지에 대한 상기 기판의 부상 높이를 측정하는 제1의 측정부와,A first measuring unit for measuring the thickness of the substrate and the height of lift of the substrate relative to the stage with respect to the substrate immediately before the treatment liquid is applied in the first floating region; 상기 노즐의 장착 위치 정밀도를 검사하기 위해서 상기 노즐 승강부로부터 독립해 상기 스테이지와 상기 노즐 사이의 거리 간격을 측정하는 제3의 측정부를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And a third measuring unit which measures the distance interval between the stage and the nozzle independently of the nozzle lifting unit to check the mounting position accuracy of the nozzle. 청구항 1 또는 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1의 측정부에서 구해진 상기 기판의 두께의 측정값 및 상기 부상 높이의 측정값이 각각 소정의 범위내에 있는 것을 확인하고 나서, 상기 기판에 대한 도포 처리를 실행하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.The application | coating apparatus characterized by applying to the said board | substrate after confirming that the measured value of the thickness of the said board | substrate calculated | required by the said 1st measuring part, and the measured value of the said floating height are respectively in a predetermined range. 청구항 1 또는 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판의 두께의 측정값 및 상기 부상 높이의 측정값이 각각 소정의 범위내에 있는 것을 확인한 후에, 상기 노즐의 토출구와 상기 기판의 상면의 사이에 도포 처리용의 갭을 형성하기 위해서 상기 노즐 승강부에 의해 상기 노즐을 내리고, 상기 제1의 광학식 거리 센서에 의해 상기 기판의 상면과의 거리 간격을 측정해 상기 갭을 확인하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.After confirming that the measured value of the thickness of the substrate and the measured value of the floating height are each within a predetermined range, the nozzle raising and lowering portion for forming a gap for coating treatment between the discharge port of the nozzle and the upper surface of the substrate. The nozzle is lowered, and the gap is confirmed by measuring a distance interval with the upper surface of the substrate by the first optical distance sensor. 청구항 4에 있어서,The method of claim 4, 도포 처리중에 상기 제1의 광학식 거리 센서에 의해 상기 기판의 상면과의 거리 간격을 측정하면서 상기 노즐 승강부에 의해 상기 노즐의 높이 위치를 가변 조정하고 상기 갭의 사이즈를 설정값으로 유지하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.The height position of the nozzle is variably adjusted by the nozzle elevating unit while the distance between the upper surface of the substrate is measured by the first optical distance sensor during the coating process, and the size of the gap is maintained at a set value. Application apparatus made into. 청구항 2에 있어서,The method according to claim 2, 바닥에 고정되고 있는 고정 지지 부재와 상기 노즐 지지체의 사이에 장착된 리니어 스케일을 갖고, 상기 제1의 광학식 거리 센서의 측정 정밀도를 검사하기 위해서 상기 노즐 지지체의 높이 위치를 상기 리니어 스케일을 이용하여 측정하는 제2의 측정부를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.A linear scale mounted between the fixed support member fixed to the floor and the nozzle support, and the height position of the nozzle support is measured using the linear scale to check the measurement accuracy of the first optical distance sensor. It has a 2nd measuring part made, The coating apparatus characterized by the above-mentioned. 청구항 1 또는 6에 있어서,The method according to claim 1 or 6, 상기 제1의 광학식 거리 센서의 측정 정밀도와 관련되는 검사를 실시하기 전에 미리 측정 지그를 이용해 상기 노즐을 소정의 기준 높이 위치에 실측으로 맞추었을 때에 상기 제1의 광학식 거리 센서에서 구해지는 제 1의 측정값과 상기 제2의 측정부에서 구해지는 제2의 측정값을 기억하고, 상기 검사에서는 상기 측정 지그를 이용하지 않고 상기 제2의 측정부에서 상기 제2의 측정값을 구해졌을 때 상기 제1의 광학식 거리 센서에서 구해지는 측정값이 상기 제1의 측정값에 소정의 허용 범위내에서 일치 내지 근사하는지 아닌지를 판정하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.A first step obtained by the first optical distance sensor when the nozzle is actually measured at a predetermined reference height position using a measuring jig before performing inspection relating to the measurement accuracy of the first optical distance sensor; The second measured value obtained by the second measuring unit is stored when the second measured value is obtained by the second measuring unit without using the measuring jig. A coating device, characterized in that it is determined whether or not the measured value obtained by the optical distance sensor of 1 matches or approximates to the first measured value within a predetermined tolerance range. 청구항 6에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1의 광학식 거리 센서의 측정 정밀도와 관련되는 검사는 상기 기판에 대한 상기 제1의 측정부의 측정 처리에 앞서 행해지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.An inspection apparatus relating to the measurement accuracy of the first optical distance sensor is performed prior to the measurement processing of the first measurement unit with respect to the substrate. 청구항 7에 있어서,The method of claim 7, 상기 제1의 광학식 거리 센서의 측정 정밀도와 관련되는 검사는 상기 기판에 대한 상기 제1의 측정부의 측정 처리에 앞서 행해지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.An inspection apparatus relating to the measurement accuracy of the first optical distance sensor is performed prior to the measurement processing of the first measurement unit with respect to the substrate. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 노즐의 장착 위치 정밀도를 검사하기 위해서 상기 노즐 승강부로부터 독립해 상기 스테이지와 상기 노즐 사이의 거리 간격을 측정하는 제3의 측정부를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And a third measuring unit which measures the distance interval between the stage and the nozzle independently of the nozzle lifting unit to check the mounting position accuracy of the nozzle. 청구항 2 또는 10에 있어서,The method according to claim 2 or 10, 상기 제3의 측정부가 상기 스테이지 측에 설치되어 상기 노즐의 하단에 촉침을 맞혀 거리를 측정하는 접촉식 거리 센서를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And the third measuring unit has a contact distance sensor provided at the side of the stage to measure a distance by touching the lower end of the nozzle. 청구항 2 또는 10에 있어서,The method according to claim 2 or 10, 상기 제3의 측정부가 상기 스테이지 측에 설치되어 상기 노즐의 하단에 광 빔을 맞혀 거리를 측정하는 제2의 광학식 거리 센서를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And the third measuring unit has a second optical distance sensor provided on the stage side to measure a distance by hitting a light beam at a lower end of the nozzle. 청구항 2 또는 10에 있어서,The method according to claim 2 or 10, 상기 노즐의 장착 위치 정밀도와 관련되는 검사는 상기 기판에 대한 상기 제1의 측정부의 측정 처리에 앞서 행해지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.The inspection relating to the mounting position accuracy of the nozzle is performed prior to the measurement processing of the first measuring unit with respect to the substrate. 청구항 1 또는 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1의 측정부가, 상기 기판의 두께를 측정하기 위해서 상기 노즐 지지체에 장착된 제3의 광학식 거리 센서를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And the first measuring unit has a third optical distance sensor mounted to the nozzle support for measuring the thickness of the substrate. 청구항 1 또는 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1의 측정부가 상기 기판의 두께를 측정하기 위해서 상기 스테이지 측에 설치된 제4의 광학식 거리 센서를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And the first measuring unit has a fourth optical distance sensor provided on the stage side to measure the thickness of the substrate. 청구항 1 또는 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1의 측정부가 상기 스테이지에 대한 상기 기판의 부상 높이를 측정하기 위해서 상기 스테이지 측에 설치된 제5의 광학식 거리 센서를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And the first measuring unit has a fifth optical distance sensor provided on the stage side to measure the height of the floating of the substrate relative to the stage. 청구항 1 또는 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 스테이지의 제1의 부상 영역내에 다수 설치된 기체를 분출하는 분출구와,A jet port for ejecting a plurality of gases provided in the first floating region of the stage; 상기 스테이지의 제1의 부상 영역내에 상기 분출구와 혼재해 다수 설치된 기체를 흡입하는 흡인구와,A suction port for suctioning a plurality of gases mixed with the jet port in the first floating region of the stage; 상기 제1의 부상 영역을 통과하는 상기 기판에 대해서 상기 분출구에 의해 가해지는 수직 상향의 압력과 상기 흡인구에 의해 가해지는 수직 하향의 압력의 밸런스를 제어하는 부양 제어부를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치. And a flotation control unit for controlling a balance between the vertical upward pressure applied by the jet port and the vertical downward pressure applied by the suction port with respect to the substrate passing through the first floating region. . 청구항 1 또는 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 스테이지가 상기 반송 방향에 있어서 상기 제1의 부상 영역의 상류측에 상기 기판을 띄우는 제2의 부상 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And the stage has a second floating region which floats the substrate on an upstream side of the first floating region in the conveying direction. 청구항 18에 있어서,19. The method of claim 18, 상기 제2의 부상 영역내에 상기 기판을 반입하기 위한 반입부가 설치되는 것을 특징으로 하는 도포 장치.An application device for carrying in the substrate in the second floating area is provided. 청구항 18에 있어서,The method according to claim 18, 상기 기판 반송부가 상기 기판을 상기 제2의 부상 영역으로부터 상기 제1의 부상 영역으로 향해 반송하고 상기 기판상의 전단부에 설정된 도포 개시 위치가 상기 노즐의 바로 아래에 온 시점에서 상기 기판을 일시정지시키고,The substrate conveying unit conveys the substrate from the second floating region toward the first floating region and pauses the substrate when the application start position set at the front end portion on the substrate is directly below the nozzle; , 상기 제1의 측정부가, 일시정지중의 상기 기판에 대해서 상기 기판의 두께와 상기 스테이지에 대한 상기 기판의 부상 높이를 측정하는 것을 특징으로 하는 도포 장치  Wherein said first measuring unit measures the thickness of said substrate and the height of lift of said substrate relative to said stage with respect to said substrate during pause. 청구항 1 또는 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 스테이지가 상기 반송 방향에 있어서 상기 제1의 부상 영역의 하류 측 에 상기 기판을 띄우는 제3의 부상 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And said stage has a third floating region which floats said substrate on the downstream side of said first floating region in said conveying direction. 청구항 21에 있어서,23. The method of claim 21, 상기 제3의 부상 영역내에 상기 기판을 반출하기 위한 반출부가 설치되는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And a carrying-out portion for carrying out the substrate in the third floating region. 청구항 1 또는 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판 반송부가, The substrate transfer unit, 상기 기판의 이동하는 방향과 평행하게 연장하도록 상기 스테이지의 한쪽측 또는 양측으로 배치되는 가이드 레일과,A guide rail disposed on one side or both sides of the stage to extend in parallel with the moving direction of the substrate; 상기 가이드 레일을 따라 이동 가능한 슬라이더와,A slider movable along the guide rail, 상기 슬라이더를 상기 가이드 레일을 따라 이동하도록 구동하는 반송 구동부와,A conveying drive unit which drives the slider to move along the guide rail; 상기 슬라이더로부터 상기 스테이지의 중심부로 향해 연장하고 상기 기판의 측 테두리부를 착탈 가능하게 보유 지지하는 보유 지지부를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 장치.And a holding portion extending from the slider toward the center of the stage and detachably holding the side edge portion of the substrate. 스테이지상으로 반송 방향을 따라 피처리 기판을 상기 스테이지에 반입하기 위한 반입 영역과 상기 반송 방향으로 이동하는 기판상에 윗쪽의 긴형 노즐에서 처리액을 공급해 도포막을 형성하기 위한 도포 영역과 도포 처리 후의 상기 기판을 상기 스테이지로부터 반출하기 위한 반출 영역을 이 순서로 일렬로 설치하고,The carrying-in area for carrying in a to-be-processed board | substrate to the said stage along a conveyance direction on a stage, The application | coating area | region for supplying a process liquid from an upper elongate nozzle on a board | substrate moving to a said conveyance direction, and forming a coating film, The said after coating process An export region for carrying out the substrate from the stage is provided in a row in this order; 상기 스테이지의 상면에서 분출하는 기체의 압력으로 상기 기판을 띄워 상기 도포 영역에서는 상기 기판에 균일한 부상력을 전하고,The substrate is floated by the pressure of the gas that is ejected from the upper surface of the stage, and the uniform floating force is applied to the substrate in the coating area. 상기 노즐 승강부로부터 독립해 상기 스테이지와 상기 노즐 사이의 거리 간격을 측정하고, 상기 노즐의 장착 위치 정밀도를 검사하여,Independently from the nozzle lifting unit, the distance interval between the stage and the nozzle is measured, and the mounting position accuracy of the nozzle is checked, 상기 검사로 상기 노즐의 장착 위치 정밀도가 정상이라고 판단했을 때는, 상기 기판을 상기 반입 영역으로부터 상기 반출 영역까지 반송하는 도중 상기 도포 영역에서 상기 처리액을 도포시키기 직전의 상기 기판에 대해서 상기 기판의 두께와 상기 스테이지에 대한 상기 기판의 부상 높이를 측정하여,When the inspection determines that the mounting position accuracy of the nozzle is normal, the thickness of the substrate with respect to the substrate immediately before applying the processing liquid in the application region while conveying the substrate from the carry-in region to the carry-out region. And measuring the height of lift of the substrate relative to the stage, 상기 기판의 두께의 측정값 및 상기 부상 높이의 측정값이 각각 소정의 범위내에 있는 것을 확인하고 나서 상기 기판에 대한 도포 처리를 실행하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.The coating method of the said board | substrate is performed after confirming that the measured value of the thickness of the said board | substrate and the measured value of the said floating height are respectively in a predetermined range. 삭제delete
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