KR20070047487A - Gas supplying device for manufacturing electronic material and method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전자소재 제조용 가스공급장치 및 방법에 관한 것으로, 메인유입밸브에 의해 공정가스를 공급 및 차단하는 가스공급부와, 상기 가스공급부로 부터 공급되는 공정가스를 서로 다른 경로로 전환하여 공급하는 전환밸브부와, 상기 전환밸브부에서 공급되는 공정가스를 각 공정챔버에 분산공급하는 메인공급라인과, 상기 메인공급라인의 이상시 상기 전환밸브부에서 공급되는 공정가스를 상기 각 공정챔버에 우회하여 분산공급하는 예비공급라인을 포함한다. 본 발명에 의하면, 메인공급라인상의 일부 구성부품에 문제가 발생하여도 상기 메인공급라인을 우회하여 각 공정챔버에 원활하게 공정가스가 공급되므로 전자소재 제조공정을 지속적으로 유지시켜 생산성을 월등히 향상시킨다는 효과가 있다.The present invention relates to a gas supply apparatus and method for manufacturing an electronic material, the gas supply unit for supplying and blocking the process gas by the main inlet valve, and the conversion to switch the supply of the process gas supplied from the gas supply in different paths By bypassing the valve unit, the main supply line for distributing and supplying the process gas supplied from the switching valve unit to each process chamber, and the process gas supplied from the switching valve unit in case of abnormality of the main supply line to each process chamber It includes a preliminary supply line for distributed supply. According to the present invention, even if a problem occurs in some components on the main supply line, bypassing the main supply line smoothly supplies the process gas to each process chamber, thereby continuously maintaining the electronic material manufacturing process to greatly improve productivity. It works.

전자소재, 가스공급, 메인공급라인, 예비공급라인, 전환밸브 Electronic material, gas supply, main supply line, preliminary supply line, switching valve

Description

전자소재 제조용 가스공급장치 및 방법{Gas supplying device for manufacturing electronic material and method thereof}Gas supplying device for manufacturing electronic material and method

도 1은 본 발명 전자소재 제조용 가스공급장치의 일실시 구성도이다.1 is a configuration diagram of an embodiment of a gas supply apparatus for manufacturing an electronic material of the present invention.

도 2는 본 발명 전자소재 제조용 가스공급장치의 다른 실시 구성도이다.Figure 2 is another embodiment of the gas supply apparatus for manufacturing an electronic material of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10 : 메인공급라인 11 : 분산공급관10: main supply line 11: distributed supply pipe

20 : 예비공급라인 21 : 예비분산공급관20: preliminary supply line 21: pre-distributed supply pipe

30 : 전환밸브부 31 : 제1전환밸브30: switching valve unit 31: the first switching valve

32 : 제2전환밸브 40 : 퍼지가스공급라인32: second switching valve 40: purge gas supply line

50 : 공정챔버 60 : 가스공급부50: process chamber 60: gas supply unit

AV : 자동밸브 M1 : 제1압력계AV: Automatic valve M1: 1st pressure gauge

M2 : 제2압력계 MV1 : 메인유입밸브M2: 2nd pressure gauge MV1: Main inlet valve

MV2 : 메인공정밸브 REG : 레귤레이터MV2: Main Process Valve REG: Regulator

본 발명은 전자소재 제조용 가스공급장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 각 공정챔버에 공정가스를 끊김없이 지속적으로 공급하는 전자소재 제조용 가스공급장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply apparatus and method for manufacturing an electronic material, and more particularly, to a gas supply apparatus and method for manufacturing an electronic material to continuously supply the process gas to each process chamber.

일반적으로 반도체와 엘씨디(LCD) 및 엘이디(LED) 등의 전자소재를 제조하기 위한 공정챔버(process chamber)는 공정가스(process gas)의 공급을 필요로 한다.In general, a process chamber for manufacturing a semiconductor, electronic materials such as LCD (LCD) and LED (LED) requires the supply of a process gas (process gas).

따라서, 공정챔버(또는 공정장비)는 공정의 진행을 위한 가스를 공급받도록 가스공급장치가 연결설치된다.Therefore, the process chamber (or process equipment) is connected to the gas supply device to receive the gas for the progress of the process.

이러한 가스공급장치는 가스봄베 등의 가스공급원에서 공정가스를 공급받아 다수의 공정챔버에 공정가스를 분산공급하도록 각 공정챔버의 수에 따라 공급라인이 각각 분기되어 연결된다.The gas supply device is branched and connected to a supply line according to the number of process chambers so as to receive process gas from a gas supply source such as a gas cylinder and distribute the process gas to a plurality of process chambers.

이와 같은 가스공급장치의 공급라인상에는 원활한 공정가스의 공급을 위한 다수의 구성부품이 설치된다.On the supply line of the gas supply device, a plurality of components for smooth supply of process gas are installed.

일례로, 가스공급장치는 공급라인상에 설치되어 가스봄베로 부터 공급되는 공정가스를 단속하는 자동밸브(air valve)와 각 공정챔버로 공급되는 공정가스를 단속하는 공정밸브와 공정가스의 압력을 조절하는 레귤레이터(regulator) 및 각 공정챔버로 공급되는 공정가스의 가스압을 측정하는 압력계(manometer) 등이 구비된다.For example, the gas supply device is installed on a supply line to control an air valve for controlling a process gas supplied from a gas cylinder, and a process valve and a process gas pressure for controlling a process gas supplied to each process chamber. A regulator to adjust and a manometer for measuring the gas pressure of the process gas supplied to each process chamber are provided.

그러나, 종래 가스공급장치는 상기 자동밸브, 공정밸브, 레귤레이터, 압력계 중 어느 하나의 구성부품에라도 문제가 발생되면 전체 가스공급이 중단되어야 하므 로 전자소재 제조공정에 차질을 발생시켜 막대한 시간적 경제적 손실을 야기한다는 문제점이 있었다.However, in the conventional gas supply apparatus, if a problem occurs in any of the components of the automatic valve, the process valve, the regulator, and the pressure gauge, the entire gas supply must be stopped, thereby causing an enormous time and economic loss. There was a problem.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 일부 구성부품에 문제가 발생하여도 공정가스를 지속적으로 공급할 수 있는 전자소재 제조용 가스공급장치 및 방법을 제공함에 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a gas supply apparatus and method for manufacturing an electronic material capable of continuously supplying a process gas even when a problem occurs in some component parts.

본 발명의 일측면에 따르면, 메인유입밸브에 의해 공정가스를 공급 및 차단하는 가스공급부와, 상기 가스공급부로 부터 공급되는 공정가스를 서로 다른 경로로 전환하여 공급하는 전환밸브부와, 상기 전환밸브부에서 공급되는 공정가스를 각 공정챔버에 분산공급하는 메인공급라인과, 상기 메인공급라인의 이상시 상기 전환밸브부에서 공급되는 공정가스를 상기 각 공정챔버에 우회하여 분산공급하는 예비공급라인을 포함한다.According to one aspect of the invention, the gas supply unit for supplying and blocking the process gas by the main inlet valve, the switching valve unit for switching the supply of the process gas supplied from the gas supply in different paths, and the switching valve Main supply line for distributing and supplying the process gas supplied from each part to each process chamber, and preliminary supply line for distributing and supplying the process gas supplied from the switching valve part to each process chamber in case of abnormality of the main supply line. Include.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, (a) 가스공급부에서 공급되는 공정가스를 메인공급라인으로 통과시켜 각 공정챔버로 분산공급하는 단계와, (b) 상기 메인공급라인의 이상여부를 판단하는 단계와, (c) 상기 (b)단계에서 이상 감지시 상기 가스공급부에서 공급되는 공정가스를 예비공급라인으로 공급하도록 전환밸브부를 전환하는 단계와, (d) 상기 예비공급라인으로 공급된 공정가스를 상기 각 공정챔버로 우회하여 분산공급하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, (a) passing the process gas supplied from the gas supply unit to the main supply line to supply dispersedly to each process chamber, and (b) determining whether the main supply line is abnormal And (c) switching the switching valve unit to supply the process gas supplied from the gas supply unit to the preliminary supply line when the abnormality is detected in step (b), and (d) process gas supplied to the preliminary supply line. Bypassing and supplying to each of the process chambers.

상기와 같이 구성되는 본 발명의 실시 예들을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.When described in detail with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention configured as described above are as follows.

<실시예 1><Example 1>

도 1은 본 발명 전자소재 제조용 가스공급장치의 일실시 구성도이다.1 is a configuration diagram of an embodiment of a gas supply apparatus for manufacturing an electronic material of the present invention.

이를 참조하면, 본 발명에 따른 전자소재 제조용 가스공급장치의 일실시예는 공정가스를 공급 및 차단하는 가스공급부(60)와, 상기 가스공급부(60)로 부터 공급되는 공정가스를 서로 다른 경로로 전환하여 공급하는 전환밸브부(30)와, 상기 전환밸브부(30)에서 공급되는 공정가스를 각 공정챔버(50)에 분산공급하는 메인공급라인(10)과, 상기 메인공급라인(10)의 이상발생시 공정가스를 상기 각 공정챔버에 우회하여 분산공급하는 예비공급라인(20)을 포함한다.Referring to this, one embodiment of a gas supply device for manufacturing an electronic material according to the present invention is a gas supply unit 60 for supplying and blocking a process gas and the process gas supplied from the gas supply unit 60 in different paths. Switching valve unit 30 for switching and supplying, the main supply line 10 for distributing and supplying the process gas supplied from the switching valve unit 30 to each process chamber 50, and the main supply line 10 And a preliminary supply line 20 for distributing and supplying the process gas to each of the process chambers when an abnormality occurs.

한편, 상기에서 공정챔버(50)는 공정을 수행하는 공정장비(미도시)가 될 수 있다.On the other hand, the process chamber 50 may be a process equipment (not shown) for performing the process.

이러한 가스공급부(60)와 전환밸브부(30)와 메인공급라인(10) 및 예비공급라인(20)이 캐비넷(미도시, cabinet) 내에 설치되고, 상기 캐비넷 내에는 가스 누출 등의 문제발생을 감지하는 디텍터(미도시, detector)가 설치된다.The gas supply unit 60, the switching valve unit 30, the main supply line 10, and the preliminary supply line 20 are installed in a cabinet (not shown, cabinet), and problems such as gas leakage occur in the cabinet. A detector (detector, not shown) is installed.

상기 가스공급부(60)는 가스봄베(61)가 구비되고 메인유입밸브(MV1)가 설치되어 전환밸브부(30)에 공정가스를 공급하거나 차단한다.The gas supply unit 60 is provided with a gas cylinder 61 and the main inlet valve (MV1) is installed to supply or block the process gas to the switching valve unit 30.

상기 전환밸브부(30)는 메인공급라인(10) 또는 예비공급라인(20)측으로 가스 공급을 전환하는 구성부품이다.The switching valve unit 30 is a component for switching the gas supply to the main supply line 10 or the preliminary supply line 20 side.

즉, 전환밸브부(30)는 가스공급부(60)에서 공정가스를 공급받아 메인공급라인(10)에 공급하다가 메인공급라인(10)에 이상이 발생되면 공정가스를 예비공급라인(20)으로 전환공급한다.That is, the switching valve unit 30 receives the process gas from the gas supply unit 60 and supplies the process gas to the main supply line 10, and when an abnormality occurs in the main supply line 10, the process gas is supplied to the preliminary supply line 20. Switch supply.

이러한 전환밸브부(30)는 메인공급라인(10)으로의 공정가스 유입을 단속하는 제1전환밸브(31)와, 예비공급라인(20)으로의 공정가스 유입을 단속하는 제2전환밸브(32)를 포함한다.The switching valve unit 30 has a first switching valve 31 for regulating the inflow of process gas into the main supply line 10 and a second switching valve for regulating the inflow of process gas into the preliminary supply line 20 ( 32).

그리고, 전환밸브부(30)는 정상적인 상태에서는 메인공급라인(10)으로 공정가스가 공급되도록 제1전환밸브(31)는 개방하고 제2전환밸브(32)는 차단한다.In the normal state, the switching valve unit 30 opens the first switching valve 31 and blocks the second switching valve 32 so that the process gas is supplied to the main supply line 10.

상기 메인공급라인(10)은 각 공정챔버(50)에 공정가스를 분산공급하는 공급라인이다.The main supply line 10 is a supply line for distributing and supplying a process gas to each process chamber 50.

이와같이 메인공급라인(10)은 전환밸브부(30)에서 공정가스를 공급받고, 자동밸브(AV)에 통과시켜 각 공정챔버(50)에 분산공급한다.In this way, the main supply line 10 receives the process gas from the switching valve unit 30, passes through the automatic valve AV, and supplies the process gas 50 to each process chamber 50.

또한 메인공급라인(10)은 자동밸브(AV) 출력측에서 각각 분기되어 각 공정챔버(50)로 연결되는 각 분산공급관(11)을 포함한다.In addition, the main supply line 10 includes respective distributed supply pipes 11 which are branched at the output side of the automatic valve AV and connected to the respective process chambers 50.

그리고, 각 분산공급관(12)은 공정가스를 단속하는 각 메인공정밸브(MV2)를 포함한다.Each of the distributed supply pipes 12 includes each main process valve MV2 for controlling the process gas.

따라서, 각 메인공정밸브(MV2)는 메인공급라인(10)에서 각 분산공급관(11)에 공급되는 공정가스를 선택적으로 단속한다.Therefore, each main process valve MV2 selectively interrupts the process gas supplied to each distributed supply pipe 11 in the main supply line 10.

상기 예비공급라인(20)은 메인공급라인(10)상에 문제발생시 메인공급라인 (10)을 우회하여 각 공정챔버(50)로 공정가스를 분산공급하는 공급라인이다.The preliminary supply line 20 is a supply line for distributing process gas to each process chamber 50 by bypassing the main supply line 10 when a problem occurs on the main supply line 10.

이러한 예비공급라인(20)은 각 분산공급관(11)측으로 각각 분기되어 연결되는 각 예비분산공급관(21)을 포함한다.The preliminary supply line 20 includes preliminary distributed supply pipes 21 which are branched to each of the distributed supply pipes 11.

한편, 예비공급라인(20)의 각 예비분산공급관(21)에는 각 메인공정밸브(MV2)가 설치될 수 있어 공정가스의 유입이 선택적으로 단속된다.On the other hand, each main process valve (MV2) can be installed in each of the pre-distribution supply pipe 21 of the pre-supply line 20, the inflow of process gas is selectively interrupted.

이러한 각 예비분산공급관(21)은 각 분산공급관(11)에 연결되되, 각 공정챔버(50)와 후술할 각 제2압력계(M2) 사이에 연결된다.Each preliminary dispersion supply pipe 21 is connected to each distribution supply pipe 11, and is connected between each process chamber 50 and each second pressure gauge M2 to be described later.

그리고, 메인공급관(11)은 자동밸브(AV)와 분산공급관(11) 사이에 제1압력계(M1)를 더 포함한다.In addition, the main supply pipe 11 further includes a first pressure gauge M1 between the automatic valve AV and the dispersion supply pipe 11.

이러한 제1압력계(M1)는 메인공급라인(10)상에서 공정가스의 가스압을 측정하는 것이다. 일례로, 작업자는 자동밸브(AV)에 고장이 발생될 경우 메인공급라인(10)에 정상적인 공정가스 공급이 이루어지지 않으므로 제1압력계(M1)를 확인하여 가스압 이상여부를 점검한다. The first pressure gauge M1 measures the gas pressure of the process gas on the main supply line 10. For example, the operator checks whether the gas pressure is abnormal by checking the first pressure gauge M1 since normal process gas is not supplied to the main supply line 10 when a failure occurs in the automatic valve AV.

또한, 각 분산공급관(11)은 각 메인공정밸브(MV2)와 각 공정챔버(50) 사이에 순차적으로 설치되는 각 레귤레이터(REG)와 각 제2압력계(M2)를 더 포함한다.In addition, each distributed supply pipe 11 further includes each regulator REG and each second pressure gauge M2 sequentially installed between each main process valve MV2 and each process chamber 50.

따라서, 각 분산공급관(11)을 통과하는 공정가스는 각 레귤레이터(REG)에 의해 압력조절되어 각 공정챔버(50)로 공급되고, 각 제2압력계(M2)에 의해 공정가스의 가스압이 측정된 후 각 공정챔버(50)로 공급된다.Therefore, the process gas passing through each of the dispersion supply pipes 11 is pressure-controlled by each regulator REG to be supplied to each process chamber 50, and the gas pressure of the process gas is measured by each second pressure gauge M2. After that, it is supplied to each process chamber 50.

즉, 각 제2압력계(M2)는 각 분산공급관(11)상에서 공정가스의 가스압을 측정하는 것이다. 일례로, 작업자는 각 메인공정밸브(MV2) 또는 각 레귤레이터(REG)에 고장이 발생될 경우 각 분산공급관(11)에 정상적인 공정가스 공급이 이루어지지 않으므로 제2압력계(M2)를 확인하여 가스압 이상여부를 점검한다.That is, each second pressure gauge M2 measures the gas pressure of the process gas on each of the distributed supply pipes 11. For example, when a failure occurs in each main process valve MV2 or each regulator REG, the operator checks the second pressure gauge M2 because the normal process gas is not supplied to each distributed supply pipe 11. Check for availability.

따라서, 작업자는 상기 디텍터 또는 제1압력계(M1) 또는 각 제2압력계(M2)에서 이상이 감지될 경우 각 분산공급관(11)으로 공급되는 공정가스를 차단하고, 예비공급라인(20)으로 공정가스를 전환공급한다.Therefore, when the operator detects an abnormality in the detector or the first pressure gauge M1 or the second pressure gauge M2, the worker cuts off the process gas supplied to each of the distributed supply pipes 11 and processes the preliminary supply line 20. Switch gas supply.

한편, 각 분산공급관(11)은 각 메인공정밸브(MV2)와 각 레귤레이터(REG) 사이에 퍼지가스공급라인(40)이 연결되어, 공정가스의 공급이 차단된 후 퍼지가스공급라인(40)을 따라 퍼지가스가 공급된다.On the other hand, each of the distributed supply pipe 11 is connected to the purge gas supply line 40 between each main process valve (MV2) and each regulator (REG), the supply of the process gas is cut off purge gas supply line 40 Purge gas is supplied along.

이와 같은 본 발명 전자소재 제조용 가스공급장치의 일실시예는 메인공급라인(10)상에 설치되는 구성부품에 문제가 발생시 메인공급라인(10)을 우회하여 각 공정챔버(50)로 공정가스를 공급한다.Such an embodiment of the gas supply apparatus for manufacturing an electronic material of the present invention bypasses the main supply line 10 when a problem occurs in a component installed on the main supply line 10, thereby transferring process gas to each process chamber 50. Supply.

구체적으로, 본 발명 전자소재 제조용 가스공급장치의 일실시예는 메인공급라인(10)을 통하여 공정가스의 공급이 진행되는 도중에 상기 디텍터 또는 제1압력계(M1) 또는 각 제2압력계(M2)에서 이상이 감지되는 경우에 개방되어 있던 제1전환밸브(31)를 차단하고 차단되어 있던 제2전환밸브(32)를 개방하여 가스공급부(60)로 부터 유입되는 공정가스를 예비공급라인(20)으로 전환공급한다.Specifically, one embodiment of the gas supply apparatus for manufacturing an electronic material of the present invention is the detector or the first pressure gauge (M1) or each of the second pressure gauge (M2) in the process of supplying the process gas through the main supply line (10) When the abnormality is detected, the preliminary supply line 20 cuts off the open first switching valve 31 and opens the blocked second switching valve 32 to supply the process gas introduced from the gas supply unit 60. Switch to supply.

따라서, 가스공급부(60)로 부터 유입된 공정가스는 메인공급라인(10)의 각 분산공급관(11)을 일부 통과하지만 메인공급라인(10)상에 설치되는 구성부품들을 우회하여 각 공정챔버(50)에 분산공급된다.Therefore, the process gas introduced from the gas supply unit 60 passes through each of the distributed supply pipes 11 of the main supply line 10, but bypasses the components installed on the main supply line 10 to process the process chambers ( 50).

그리고, 상기와 같이 메인공급라인(10)의 각 분산공급관(11)에는 퍼지가스가 공급될 수 있어 이상이 발생된 것으로 판단되는 구성부품을 교체하기 전 퍼지작업이 먼저 수행된다.As described above, purge gas may be supplied to each of the distributed supply pipes 11 of the main supply line 10 so that a purge operation is first performed before replacing the component that is determined to have an abnormality.

일례로, 각 메인공정밸브(MV2) 중 어느 하나의 메인공정밸브(MV2)에 고장이 발생된 것으로 판단될 경우, 해당 메인공정밸브(MV2)는 교체되어야 한다.For example, when it is determined that a failure has occurred in one of the main process valves MV2, the corresponding main process valve MV2 should be replaced.

이를 위해 해당 메인공정밸브(MV2)를 포함한 해당 분산공급관(11)과 메인공급라인(10) 및 해당 공정챔버(50)는 퍼지가스에 의해 중화되어야 한다.To this end, the corresponding distributed supply pipe 11 and the main supply line 10 and the corresponding process chamber 50 including the corresponding main process valve MV2 should be neutralized by purge gas.

우선, 상기와 같이 메인공급라인(10)에 문제가 발생되면 공정가스가 예비공급라인(20)으로 전환공급된다.First, when a problem occurs in the main supply line 10 as described above, the process gas is switched to the preliminary supply line 20.

다음, 문제가 발생된 분산공급관(11)의 해당 공정챔버에서 공정의 진행이 잠시 중단되는 시기에 문제가 발생된 분산공급관(11)에 연결된 예비분산공급관(21)의 메인공정밸브(MV2)는 차단하고 퍼지공정밸브(MV4)는 개방하여 분산공급관(11)과 메인공급라인(10)으로 퍼지가스를 주입한다. 그와 동시에 공정챔버는 진공상태로 감압하여 라인내부의 가스를 모두 배기하여 퍼지작업을 완료한 다음, 문제가 발생된 밸브를 교체할 수 있다.Next, the main process valve (MV2) of the pre-dispersion supply pipe (21) connected to the dispersion supply pipe (11) where the problem occurs at a time when the process is stopped in the process chamber of the dispersion supply pipe (11) where the problem occurs Shut off and the purge process valve (MV4) is opened to inject the purge gas into the distribution supply pipe 11 and the main supply line (10). At the same time, the process chamber is depressurized to a vacuum state to exhaust all gas in the line to complete the purge operation, and then replace the problematic valve.

이와같이 교체작업이 진행되는 동안에도 해당 공정챔버(50)를 제외한 각 공정챔버(50)에는 예비공급라인(20)을 따라 지속적으로 공정가스가 공급되는 것은 물론이다.As described above, the process gas is continuously supplied along the preliminary supply line 20 to each process chamber 50 except for the process chamber 50 even during the replacement operation.

한편, 미설명된 도면부호 CV는 퍼지공급라인(40)의 각 퍼지공정밸브(MV4) 입력측에 설치되는 체크밸브이다.Meanwhile, reference numeral CV, which is not described, is a check valve installed at the input side of each purge process valve MV4 of the purge supply line 40.

<실시예 2><Example 2>

도 2는 본 발명 전자소재 제조용 가스공급장치의 다른 실시 구성도이다. 여기서 앞서 도시된 도면에서와 동일한 도면부호는 동일한 기능을 하는 부재를 가리킨다.Figure 2 is another embodiment of the gas supply apparatus for manufacturing an electronic material of the present invention. Here, the same reference numerals as in the above-described drawings indicate members having the same function.

이를 참조하면, 본 발명에 따른 전자소재 제조용 가스공급장치의 다른 실시예는 공정가스를 공급 및 차단하는 가스공급부(60)와, 상기 가스공급부(60)로 부터 공급되는 공정가스를 서로 다른 경로로 전환하여 공급하는 전환밸브부(30)와, 상기 전환밸브부(30)에서 공급되는 공정가스를 각 공정챔버(50)에 분산공급하는 메인공급라인(10)과, 상기 메인공급라인(10)의 이상발생시 공정가스를 상기 각 공정챔버에 우회하여 분산공급하는 예비공급라인(20)을 포함한다.Referring to this, another embodiment of a gas supply device for manufacturing an electronic material according to the present invention is a gas supply unit 60 for supplying and blocking a process gas and the process gas supplied from the gas supply unit 60 in different paths. Switching valve unit 30 for switching and supplying, the main supply line 10 for distributing and supplying the process gas supplied from the switching valve unit 30 to each process chamber 50, and the main supply line 10 And a preliminary supply line 20 for distributing and supplying the process gas to each of the process chambers when an abnormality occurs.

상기 예비공급라인(20)은 메인공급라인(10)상에 문제발생시 메인공급라인(10)을 우회하여 각 공정챔버(50)로 공정가스를 분산공급하는 공급라인이다.The preliminary supply line 20 is a supply line for distributing process gas to each process chamber 50 by bypassing the main supply line 10 when a problem occurs on the main supply line 10.

이러한 예비공급라인(20)은 메인공급라인(10)의 각 분산공급관(11)측으로 각각 분기되어 연결되는 각 예비분산공급관(21)을 포함한다.The preliminary supply line 20 includes preliminary distributed supply pipes 21 each branched to each of the distributed supply pipes 11 side of the main supply line 10.

또한, 예비공급라인(20)의 각 예비분산공급관(21)은 각 분산공급관(11)에 연결되되, 각 메인공정밸브(MV2)와 각 레귤레이터(REG) 사이에 연결된다.In addition, each preliminary dispersion supply pipe 21 of the preliminary supply line 20 is connected to each distributed supply pipe 11, and is connected between each main process valve MV2 and each regulator REG.

따라서, 예비공급라인(20)으로 공급되어 각 분산공급관(11)에 유입된 공정가스는 각 레귤레이터(REG)를 통과하므로 압력조절되어 각 공정챔버(50)에 공급된다.Therefore, the process gas supplied to the preliminary supply line 20 and flowed into each of the distributed supply pipes 11 passes through each regulator REG and is pressure-controlled to be supplied to each process chamber 50.

이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예들을 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예들에 한정되지 않으며 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능함은 물론이다.The present invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above-described embodiments and the general knowledge in the technical field to which the present invention pertains without departing from the technical spirit of the present invention. Of course, various changes and modifications are possible.

상기와 같이 본 발명은 메인공급라인상의 일부 구성부품에 문제가 발생하여도 상기 메인공급라인을 우회하여 각 공정챔버에 원활하게 공정가스가 공급되므로 전자소재 제조공정을 지속적으로 유지시켜 생산성을 월등히 향상시킨다는 효과가 있다.As described above, in the present invention, even if a problem occurs in some components on the main supply line, the process gas is smoothly supplied to each process chamber by bypassing the main supply line, thereby continuously maintaining the electronic material manufacturing process to greatly improve productivity. It is effective.

Claims (9)

메인유입밸브에 의해 공정가스를 공급 및 차단하는 가스공급부;Gas supply unit for supplying and blocking the process gas by the main inlet valve; 상기 가스공급부로 부터 공급되는 공정가스를 서로 다른 경로로 전환하여 공급하는 전환밸브부;A switching valve unit for supplying the process gas supplied from the gas supply unit by switching to a different path; 상기 전환밸브부에서 공급되는 공정가스를 각 공정챔버에 분산공급하는 메인공급라인; 및A main supply line for distributing and supplying the process gas supplied from the switching valve unit to each process chamber; And 상기 메인공급라인의 이상시 상기 전환밸브부에서 공급되는 공정가스를 상기 각 공정챔버에 우회하여 분산공급하는 예비공급라인을 포함하는 전자소재 제조용 가스공급장치.And a preliminary supply line for bypassing and supplying the process gas supplied from the switching valve unit to the respective process chambers in case of abnormality of the main supply line. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 메인공급라인은 상기 각 공정챔버측으로 각각 분기되어 연결되는 분산공급관을 포함하고,The main supply line includes a distributed supply pipe branched to each of the process chamber side, respectively, 상기 예비공급라인은 상기 각 분산공급관으로 각각 분기되어 연결되는 예비분산공급관을 포함하며,The preliminary supply line includes a predispersed supply pipe which is branched to each of the distributed supply pipes, respectively, 상기 분산공급관 및 상기 예비분산공급관에는 공정가스를 단속하는 메인공정밸브가 구비된 것을 특징으로 하는 전자소재 제조용 가스공급장치.The dispersion supply pipe and the pre-dispersion supply pipe is a gas supply device for manufacturing an electronic material, characterized in that the main process valve for controlling the process gas is provided. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 메인공급라인은 상기 분산공급관의 분기되기 전 구간에 제1압력계를 더 포함하는 전자소재 제조용 가스공급장치.The main supply line is a gas supply device for electronic material manufacturing further comprises a first pressure gauge in the section before the branch of the distribution supply pipe. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 분산공급관은 상기 메인공정밸브와 상기 공정챔버 사이에 순차적으로 설치되는 레귤레이터와 제2압력계를 더 포함하고,The distributed supply pipe further includes a regulator and a second pressure gauge sequentially installed between the main process valve and the process chamber, 상기 예비분산공급관은 상기 제2압력계와 상기 공정챔버 사이에 연결되는 전자소재 제조용 가스공급장치.The pre-dispersion supply pipe is a gas supply device for manufacturing an electronic material is connected between the second pressure gauge and the process chamber. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 분산공급관에는 상기 메인공정밸브와 상기 레귤레이터 사이에 퍼지가스공급라인이 연결되는 전자소재 제조용 가스공급장치.The distribution supply pipe is a gas supply device for electronic material manufacturing that the purge gas supply line is connected between the main process valve and the regulator. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 분산공급관은 상기 메인공정밸브와 상기 공정챔버 사이에 순차적으로 설치되는 레귤레이터와 제2압력계를 더 포함하고,The distributed supply pipe further includes a regulator and a second pressure gauge sequentially installed between the main process valve and the process chamber, 상기 예비분산공급관은 상기 메인공정밸브와 상기 레귤레이터 사이에 연결되는 전자소재 제조용 가스공급장치.The pre-dispersion supply pipe is a gas supply device for electronic material manufacturing is connected between the main process valve and the regulator. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 전환밸브부는,The switching valve unit, 상기 메인공급라인으로의 공정가스 유입을 단속하는 제1전환밸브; 및 A first switching valve for regulating the inflow of process gas into the main supply line; And 상기 예비공급라인으로의 공정가스 유입을 단속하는 제2전환밸브를 포함하는 전자소재 제조용 가스공급장치.Electronic supply manufacturing gas supply device comprising a second switching valve for intermittent process gas flow into the preliminary supply line. (a) 가스공급부에서 공급되는 공정가스를 메인공급라인으로 통과시켜 각 공정챔버로 분산공급하는 단계;(a) distributing and supplying the process gas supplied from the gas supply unit to each process chamber by passing the process gas through the main supply line; (b) 상기 메인공급라인의 이상여부를 판단하는 단계;(b) determining whether the main supply line is abnormal; (c) 상기 (b)단계에서 이상 감지시 상기 가스공급부에서 공급되는 공정가스를 예비공급라인으로 공급하도록 전환밸브부를 전환하는 단계; 및(c) switching the switching valve part to supply the process gas supplied from the gas supply part to the preliminary supply line when the abnormality is detected in step (b); And (d) 상기 예비공급라인으로 공급된 공정가스를 상기 각 공정챔버로 우회하여 분산공급하는 단계를 포함하는 전자소재 제조용 가스공급방법.(d) bypassing and supplying the process gas supplied to the preliminary supply line to the respective process chambers and supplying them to each other. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 (d)단계는 상기 메인공급라인으로 연결되는 퍼지가스공급라인을 통하여 상기 메인공급라인을 퍼지하는 단계를 더 포함하는 전자소재 제조용 가스공급방법.The step (d) further comprises the step of purging the main supply line through a purge gas supply line connected to the main supply line.
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Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000059893A (en) * 1999-03-09 2000-10-16 윤종용 Control apparatus of gas line for sputtering apparatus
KR20010073407A (en) * 2000-01-14 2001-08-01 김재욱 bulk specialty gas supply system
KR20010075942A (en) * 2000-01-21 2001-08-11 윤종용 Ventilation system of semiconductor process apparatus
JP4361713B2 (en) 2002-03-29 2009-11-11 株式会社日立国際電気 Substrate processing equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100941424B1 (en) * 2007-07-27 2010-02-11 주식회사 케이씨텍 Gas supplier and method for thereof

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