KR20070009905A - Unit for supplying treating solution and apparatus for manufacturing semiconductor devices with the unit - Google Patents

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Abstract

A process solution supply apparatus and equipment for fabricating a semiconductor device with the same are provided to quickly adjust a temperature of a process solution when wafers having different temperature are subjected to a process. An apparatus includes a process solution supply pipe(100) through which a process solution flows, and a fluid supply pipe disposed to enclose a portion of the process solution supply pipe and supplying a fluid for adjusting a temperature of the process solution flowing through the process solution supply pipe through heat exchange of the process solution. The fluid supply pipe has a gas supply pipe(300) through which gas flows. The fluid supply pipe has a liquid supply pipe(200) through which liquid flows. The gas supply pipe encloses a portion of the liquid supply pipe.

Description

처리액 공급 장치 및 이를 가지는 반도체 소자 제조 장치{UNIT FOR SUPPLYING TREATING SOLUTION AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES WITH THE UNIT}Processing liquid supply device and semiconductor device manufacturing device having the same {UNIT FOR SUPPLYING TREATING SOLUTION AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES WITH THE UNIT}

도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치를 개략적으로 보여주는 도면;1 schematically shows a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention;

도 2는 도 1의 처리액 공급 장치의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면;FIG. 2 is a view schematically showing an example of the treatment liquid supply device of FIG. 1; FIG.

도 3은 도 2의 선 A-A를 따라 절단한 단면도;3 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 2;

도 4는 도 1의 처리액 공급 장치의 다른 예를 보여주는 도 3과 같은 단면도; 그리고4 is a sectional view like FIG. 3 showing another example of the treatment liquid supply device of FIG. 1; And

도 5a와 도 5b는 각각 도 1의 처리액 공급 장치의 또 다른 예를 보여주는 도 3과 같은 단면도들이다.5A and 5B are cross-sectional views of FIG. 3 illustrating still another example of the treatment liquid supply device of FIG. 1.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 처리액 공급관 200 : 액체 공급관100: treatment liquid supply pipe 200: liquid supply pipe

220 : 액체 온도 조절기 300 : 기체 공급관220: liquid temperature controller 300: gas supply pipe

320 : 기체 온도 조절기 400 : 제어기320: gas temperature controller 400: controller

500 : 누설검출 센서500: leak detection sensor

본 발명은 반도체 소자 제조에 사용되는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼와 같은 반도체 기판으로 포토레지스트와 같은 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for use in the manufacture of semiconductor devices, and more particularly, to a processing liquid supply apparatus for supplying a processing liquid such as photoresist to a semiconductor substrate such as a wafer.

일반적으로 여러 가지 반도체 제조 공정을 거쳐 제작되는 웨이퍼에는 각각의 공정, 특히 박막(thin film) 형성 공정을 거친 후 일정한 패턴을 형성하기 위하여 포토 레지스터(photo resister)와 같은 처리액을 이용하여 도포를 실시한 후 사진(photolithography) 공정을 실시한다. 이때 사진 공정은 웨이퍼에 형성된 포토레지스터에 마스크(mask) 패턴(pattern)을 이용하여 노광을 수행한다. 노광 후 웨이퍼 상의 포토 레지스터를 현상함으로써 웨이퍼에 원하는 패턴을 형성하게 된다. 이때, 포토레지스터의 종류 및 웨이퍼에 도포되는 포토레지스트의 두께에 따라 적용되는 포토레지스트의 공정 온도는 상이하다. 웨이퍼에 도포되는 포토 레지스터는 온도의 변화에 매우 민감하며 공정 온도는 포토레지스터의 두께 균일도에 영향을 미친다. 따라서 포토 레지스터의 온도를 설정된 공정온도로 일정하게 유지하여야 한다.Generally, wafers manufactured through various semiconductor manufacturing processes are coated with a treatment solution such as a photoresist to form a predetermined pattern after each process, in particular, a thin film forming process. A photolithography process is then performed. In this case, the photo process is performed by using a mask pattern on the photoresist formed on the wafer. By developing the photoresist on the wafer after exposure, a desired pattern is formed on the wafer. At this time, the process temperature of the photoresist is different depending on the type of photoresist and the thickness of the photoresist applied to the wafer. The photoresist applied to the wafer is very sensitive to changes in temperature and the process temperature affects the thickness uniformity of the photoresist. Therefore, the temperature of the photoresist must be kept constant at the set process temperature.

일반적으로, 각종 처리액을 사용하는 반도체 제조장치는 처리액의 온도를 제어하기 위해 순환 장치(circulator)를 가진다. 이와 같은 순환 장치는 저장조에 충진되는 항온수(예컨대, 탈이온수 : Deionized Water)를 냉각 또는 가열시켜 원하는 온도에 도달하게 한 후, 이를 순환시켜 포토레지스트와 같은 각종 처리액의 온도를 제어한다.In general, a semiconductor manufacturing apparatus using various processing liquids has a circulator to control the temperature of the processing liquid. Such a circulation device cools or heats constant temperature water (eg, deionized water) filled in a storage tank to reach a desired temperature, and then circulates to control the temperature of various treatment liquids such as photoresist.

일반적으로 사용되는 처리액 공급 장치는 처리액을 공급하는 처리액 공급관과 처리액을 일정온도로 유지시키기 위해 탈이온수와 같은 항온수가 공급되는 액체 공급관을 가지며, 액체 공급관은 처리액 공급관의 일부를 감싸도록 설치된다. 액체 공급관에는 액체 온도 조절기가 설치되어 있어 탈이온수의 온도를 제어하며, 처리액 공급관을 흐르는 처리액은 탈이온수와의 열교환을 통해 온도가 조절된 후 웨이퍼에 공급된다.Generally used treatment liquid supply apparatus has a treatment liquid supply pipe for supplying the treatment liquid and a liquid supply tube to which constant temperature water such as deionized water is supplied to maintain the treatment liquid at a constant temperature, and the liquid supply tube surrounds a portion of the treatment liquid supply pipe. Is installed. A liquid temperature controller is installed in the liquid supply pipe to control the temperature of the deionized water, and the processing liquid flowing through the processing liquid supply pipe is supplied to the wafer after the temperature is controlled through heat exchange with the deionized water.

처리액의 온도를 일정하게 유지하기 위해서는 처리액의 온도 변화에 대응하여 탈이온수의 온도가 가변되어야 한다. 그러나 액체 온도 조절기에 의해 온도가 조절된 탈이온수가 처리액 공급관의 끝단과 인접한 영역으로 흐르기까지 많은 시간이 소요된다. 따라서 한 그룹의 웨이퍼들에 대해 공정이 완료된 후 이와 상이한 공정온도를 요구하는 다른 그룹의 웨이퍼들에 대해 공정을 진행할 때, 처리액 공급관의 끝단 영역에서 처리액의 온도가 안정화되기까지 많은 시간이 소요되며, 이로 인해 설비 가동률이 저하된다. In order to keep the temperature of the treatment liquid constant, the temperature of the deionized water must be varied in response to the temperature change of the treatment liquid. However, it takes a long time for the deionized water whose temperature is controlled by the liquid temperature controller to flow to the region adjacent to the end of the treatment liquid supply pipe. Therefore, when the process is completed for one group of wafers and the process is performed for other groups of wafers requiring different process temperatures, it takes a long time for the temperature of the processing liquid to stabilize in the end region of the processing liquid supply pipe. This lowers the facility utilization rate.

상술한 문제로 인해 공정 수행을 위한 허용온도를 넓게 설정하여 공정을 수행할 수 있으나, 이 경우 하나의 그룹에서 처음으로 공정이 수행되는 웨이퍼와 마지막으로 공정이 수행되는 웨이퍼간 포토레지스트의 온도차가 크므로 이들 웨이퍼들 상에 도포된 포토레지스트의 두께에 대한 공정 균일도가 저하된다. Due to the above problem, the process may be performed by setting a wide allowable temperature for performing the process, but in this case, the temperature difference between the photoresist between the first wafer and the last wafer in which the process is performed is large. As a result, process uniformity with respect to the thickness of the photoresist applied on these wafers is reduced.

또한, 액체 공급관의 일부에 크랙 등 손상이 이루어지는 경우, 액체 공급관으로부터 누설된 탈이온수가 하우징 내에 위치된 웨이퍼로 떨어져 공정 불량이 발생된다. In addition, when a part of the liquid supply pipe is damaged such as a crack, deionized water leaked from the liquid supply pipe falls to the wafer located in the housing, thereby causing a process defect.

또한, 처리액 공급관은 테프론 재질로 이루어져 액체 공급관을 흐르는 액체와 처리액 공급관을 흐르는 처리액 간 열전달 효율이 낮다. In addition, the treatment liquid supply pipe is made of Teflon material has low heat transfer efficiency between the liquid flowing through the liquid supply pipe and the treatment liquid flowing through the treatment liquid supply pipe.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 처리액의 온도를 공정 조건에 따라 원하는 온도로 신속 하게 제어할 수 있는 처리액 공급 장치 및 이를 가지는 반도체 소자 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a processing liquid supply device capable of rapidly controlling the temperature of the processing liquid to a desired temperature according to process conditions and a semiconductor device manufacturing apparatus having the same.

또한, 본 발명은 액체 공급관에 크랙 등의 손상이 발생되는 경우에도 이로부터 누설된 탈이온수로 인해 공정 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 처리액 공급 장치 및 이를 가지는 반도체 소자 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention is to provide a processing liquid supply device and a semiconductor device manufacturing apparatus having the same that can prevent the process failure occurs due to the deionized water leaked from even when damage such as cracks in the liquid supply pipe The purpose.

또한, 본 발명은 처리액과 탈이온수간 열전달 효율을 향상시킬 수 있는 처리액 공급 장치 및 이를 가지는 반도체 소자 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a treatment liquid supply apparatus and a semiconductor device manufacturing apparatus having the same that can improve the heat transfer efficiency between the treatment liquid and deionized water.

본 발명은 반도체 기판으로 처리액을 공급하는 장치를 제공한다. 일 특징에 의하면, 본 발명의 장치는 상기 반도체 기판으로 공급되는 처리액이 흐르는 처리액 공급관과 상기 처리액 공급관의 일부분을 감싸도록 배치되며 처리액과의 열교환을 통해 상기 처리액 공급관을 흐르는 처리액의 온도를 조절하는 유체를 공급하는 유체 공급관을 가지며, 상기 유체 공급관은 기체가 흐르는 기체 공급관을 포함한다. The present invention provides an apparatus for supplying a processing liquid to a semiconductor substrate. According to one feature, the apparatus of the present invention is disposed to surround a portion of the processing liquid supply pipe and a processing liquid supply pipe through which the processing liquid supplied to the semiconductor substrate flows, and the processing liquid flowing through the processing liquid supply pipe through heat exchange with the processing liquid. It has a fluid supply pipe for supplying a fluid for controlling the temperature of the fluid supply pipe includes a gas supply pipe flowing gas.

일 예에 의하면, 상기 유체 공급관에는 상기 처리액 공급관의 일부분을 감싸도록 위치되며 액체가 흐르는 액체 공급관이 제공되고, 상기 기체 공급관은 상기 액체 공급관의 일부분을 감싸도록 위치된다. 상기 액체 공급관은 상기 처리액 공급관의 끝단과 인접한 영역을 포함한 일정 영역을 감싸도록 제공되고, 상기 기체 공급관은 상기 액체 공급관의 끝단과 인접한 영역을 포함한 일정 영역을 감싸도록 제공되는 것이 바람직하다. In one embodiment, the fluid supply pipe is provided to surround a portion of the treatment liquid supply pipe and is provided with a liquid supply pipe through which liquid flows, and the gas supply pipe is positioned to surround a portion of the liquid supply pipe. The liquid supply pipe may be provided to surround a predetermined area including an area adjacent to an end of the treatment liquid supply pipe, and the gas supply pipe may be provided to surround a certain area including an area adjacent to an end of the liquid supply pipe.

일 예에 의하면, 상기 장치에는 상기 액체 공급관으로 공급되는 액체의 온도를 조절하는 액체 온도 조절기가 제공된다. 또한, 상기 처리액 공급관의 끝단과 인접한 영역에서 액체의 온도를 측정하는 제 1 액체 온도센서가 제공되고, 상기 액체 온도 조절기와 인접한 영역에서 액체의 온도를 측정하는 제 2 액체 온도센서가 제공된다. 상기 액체 온도 조절기는 상기 제 1액체 온도센서와 상기 제 2액체 온도센서로부터 측정신호를 전송받아 상기 액체의 온도를 조절한다. In one example, the apparatus is provided with a liquid temperature controller for controlling the temperature of the liquid supplied to the liquid supply pipe. Further, a first liquid temperature sensor for measuring a temperature of a liquid in an area adjacent to an end of the processing liquid supply pipe is provided, and a second liquid temperature sensor for measuring a temperature of a liquid in an area adjacent to the liquid temperature controller is provided. The liquid temperature controller receives a measurement signal from the first liquid temperature sensor and the second liquid temperature sensor to adjust the temperature of the liquid.

일 예에 의하면, 상기 장치에는 상기 기체 공급관으로 공급되는 기체의 온도를 조절하는 기체 온도조절기가 제공된다. 또한, 상기 처리액 공급관의 끝단과 인접한 영역에서 기체의 온도를 측정하는 제 1 기체 온도센서와 상기 기체 온도조절기와 인접한 영역에서 기체의 온도를 측정하는 제 2 기체 온도센서가 제공된다. 상기 기체 온도 조절기는 상기 제 1기체 온도센서와 상기 제 2 기체 온도센서로부터 측정신호를 전송받아 기체의 온도를 조절한다.In one example, the apparatus is provided with a gas temperature controller for controlling the temperature of the gas supplied to the gas supply pipe. In addition, a first gas temperature sensor for measuring the temperature of the gas in the region adjacent to the end of the treatment liquid supply pipe and a second gas temperature sensor for measuring the temperature of the gas in the region adjacent to the gas temperature controller is provided. The gas temperature controller receives a measurement signal from the first gas temperature sensor and the second gas temperature sensor to adjust the temperature of the gas.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 처리액 공급관은 금속 재질 또는 금속과 비금속의 합금 재질로 이루어진다. 이는 처리액과 액체간에 열전달 효율을 높도록 한다. 또한, 상기 액체 공급관은 금속 재질 또는 금속과 비금속의 합금 재질로 이루어진다. 이는 액체와 기체간 열전달 효율을 높인다. According to another feature of the invention, the treatment liquid supply pipe is made of a metal material or an alloy material of metal and non-metal. This makes the heat transfer efficiency between the treatment liquid and the liquid high. In addition, the liquid supply pipe is made of a metal material or an alloy material of a metal and a nonmetal. This increases the heat transfer efficiency between the liquid and the gas.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기체 공급관에는 액체가 상기 액체 공급관으로부터 상기 기체 공급관으로 누설되었는지 여부를 검출하는 누설검출 센서가 설치된다. According to another feature of the invention, the gas supply pipe is provided with a leak detection sensor for detecting whether or not the liquid leaked from the liquid supply pipe to the gas supply pipe.

또한, 본 발명은 반도체 소자를 제조하는 장치를 제공한다. 일 특징에 의하면, 본 발명의 장치는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징, 상기 공간 내에 위치되며 기판을 지지하는 지지부재, 상기 지지부재로 처리액을 공급하는 처리액 공급관, 그리고 상기 처리액 공급관의 일부분을 감싸도록 배치되며 처리액과의 열교환을 통해 상기 처리액 공급관을 흐르는 처리액의 온도를 조절하는 유체를 공급하는 유체 공급관을 가지며, 상기 유체 공급관은 기체가 흐르는 기체 공급관을 포함한다. The present invention also provides an apparatus for manufacturing a semiconductor device. According to one feature, the apparatus of the present invention includes a housing for providing a space in which a process is performed, a support member positioned in the space for supporting a substrate, a treatment liquid supply pipe for supplying a treatment liquid to the support member, and the treatment liquid supply pipe. Is disposed to surround a portion of the fluid supply pipe for supplying a fluid for controlling the temperature of the processing liquid flowing through the processing liquid supply pipe through heat exchange with the processing liquid, the fluid supply pipe includes a gas supply pipe flowing gas.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity.

도 1은 본 발명의 반도체 소자 제조 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 본 실시예에서는 본 발명의 장치로 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 현상액 또 는 식각액고 같은 처리액을 사용하여 공정을 수행하는 다른 종류의 장치에 사용 가능하다. 1 is a view schematically showing an embodiment of a semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention. In the present embodiment, an apparatus for applying photoresist on the wafer W with the apparatus of the present invention will be described as an example. However, the technical idea of the present invention can be used for other kinds of apparatuses for performing a process using a treating solution such as a developer or an etching solution.

도 1을 참조하면, 본 발명의 도포 장치(1)는 하우징(10), 지지부재(20), 그리고 처리액 공급 장치(30)를 가진다. 하우징(10)은 도포 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(10)은 상부가 개방된 공간을 가지는 보울(bowl) 형상으로 형성되며, 하우징(10)의 저면에는 공정에 사용된 처리액이 배출되는 배출라인(14)이 제공된다. Referring to FIG. 1, the coating device 1 of the present invention has a housing 10, a support member 20, and a treatment liquid supply device 30. The housing 10 provides a space in which the application process is performed. The housing 10 is formed in a bowl shape having an open space at an upper portion thereof, and a discharge line 14 through which the treatment liquid used in the process is discharged is provided at the bottom of the housing 10.

지지부재(20)는 하우징(10) 내에 배치되며, 공정 진행 중 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지부재(20)는 대체로 원판 형상을 가지며 웨이퍼(W)가 놓이는 지지판(22)과 그 하면으로부터 아래로 연장되며 모터(26)에 의해 회전가능한 회전축(24)을 가진다. 지지판(22)은 클램프와 같은 기계적 방식으로 웨이퍼(W)를 지지하거나 진공 흡착 방식으로 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다.The support member 20 is disposed in the housing 10 and supports the wafer W during the process. The support member 20 generally has a disc shape, a support plate 22 on which the wafer W is placed, and a rotation shaft 24 extending downward from the bottom surface thereof and rotatable by the motor 26. The support plate 22 may support the wafer W in a mechanical manner such as a clamp or support the wafer W in a vacuum suction method.

처리액 공급 장치(30)는 처리액 저장부(120)로부터 웨이퍼(W) 상에 도포되는 처리액을 공급하는 처리액 공급관(100)을 가진다. 처리액으로는 포토레지스트와 같은 감광액이 사용된다. 처리액 공급관(100)은 상하방향으로 직선이동되거나 회전 가능한 구조를 가지며, 처리액 공급관(100)에는 그 내부 통로를 개폐하거나 유량을 조절하기 위한 밸브(110)가 설치된다. 공정 진행 중 웨이퍼(W) 상에 원하는 두께의 포토 레지스트를 도포하기 위해 포토레지스트는 적정 공정온도로 유지된 상태에서 웨이퍼(W)로 공급되어야 한다. 포토레지스트의 적정 공정온도는 사용되는 포토레지스트의 종류 및 웨이퍼(W)에 도포되는 두께에 따라 다양하다. 포토레지스트의 온도 조절을 위해 처리액 공급 장치(30)는 유체 공급관을 가진다. The processing liquid supply device 30 has a processing liquid supply pipe 100 for supplying a processing liquid applied on the wafer W from the processing liquid storage unit 120. As the treatment liquid, a photosensitive liquid such as a photoresist is used. The treatment liquid supply pipe 100 has a structure capable of linearly moving or rotating in the vertical direction, and the treatment liquid supply pipe 100 is provided with a valve 110 for opening and closing its inner passage or adjusting a flow rate. In order to apply a photoresist having a desired thickness on the wafer W during the process, the photoresist must be supplied to the wafer W while being maintained at an appropriate process temperature. The proper process temperature of the photoresist varies with the type of photoresist used and the thickness applied to the wafer (W). The treatment liquid supply device 30 has a fluid supply pipe for controlling the temperature of the photoresist.

도 2는 유체 공급관의 일 예가 개략적으로 도시된 도면이고, 도 3은 도 2의 선 A-A를 따라 절단한 단면도이다. 도 2과 도 3을 참조하면, 유체 공급관은 액체 공급관(200)과 기체 공급관(300)을 가진다. 2 is a view schematically showing an example of a fluid supply pipe, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 2. 2 and 3, the fluid supply pipe has a liquid supply pipe 200 and a gas supply pipe 300.

액체 공급관(200)은 처리액 공급관(100)의 적어도 일부를 감싸도록 배치된다. 액체 공급관(200)에는 처리액 공급관(100)을 흐르는 포토레지스트와 열교환을 통해 포토레지스트의 온도를 조절하는 액체가 공급된다. 포토 레지스트가 웨이퍼(W)로 공급되기 직전까지 열교환이 이루어지도록 액체 공급관(200)은 처리액 공급관(100)의 끝단과 인접한 영역을 포함한 일정 영역을 감싸도록 배치된다. 액체 공급관(200)에는 그 내부 통로를 개폐하거나 그 내부를 흐르는 액체의 유량을 조절하기 위한 밸브(210)가 설치된다. 액체로는 탈이온수(deionized water)가 사용될 수 있다.The liquid supply pipe 200 is disposed to surround at least a portion of the treatment liquid supply pipe 100. The liquid supply pipe 200 is supplied with a liquid for controlling the temperature of the photoresist through heat exchange with a photoresist flowing through the processing liquid supply pipe 100. The liquid supply pipe 200 is disposed to surround a predetermined area including an area adjacent to an end of the processing liquid supply pipe 100 so that heat exchange is performed until the photoresist is supplied to the wafer W. The liquid supply pipe 200 is provided with a valve 210 for opening and closing the inner passage or adjusting the flow rate of the liquid flowing therein. Deionized water may be used as the liquid.

처리액 공급관의 외벽이 마른 상태로 제공되면, 처리액 공급관의 내벽에서 포토레지스트가 굳어지며 이는 공정에 악영향을 미친다. 그러나 본 발명의 실시예에서 처리액 공급관의 주변에는 탈이온수가 흐르므로 처리액 공급관의 외벽은 젖은 상태를 유지한다. 이로 인해 처리액 공급관의 내벽에서 포토레지스트가 굳어지는 것을 최소화할 수 있다.If the outer wall of the treatment liquid supply pipe is provided dry, the photoresist hardens on the inner wall of the treatment liquid supply pipe, which adversely affects the process. However, in the embodiment of the present invention, since deionized water flows around the treatment liquid supply pipe, the outer wall of the treatment liquid supply pipe is kept wet. This minimizes the hardening of the photoresist on the inner wall of the treatment liquid supply pipe.

탈이온수는 액체 저장부(240)로부터 액체 공급관(200)으로 공급되며, 처리액과의 열교환이 끝나면 액체 회수관(280)을 통해 액체 저장부(240)로 회수된다. 액체 공급관(200) 상에는 액체의 온도를 조절하는 액체 온도 조절기(220)가 설치된 다. 액체 공급관(200)에는 제 1액체 온도센서(262)와 제 2 액체 온도센서(264)가 설치된다. 제 1액체 온도센서(262)는 처리액 공급관(100)의 끝단과 인접한 영역에서 액체 공급관(200)을 흐르는 액체의 온도를 측정한다. 제 2 액체 온도센서(264)는 액체 온도 조절기(220)와 인접한 영역에서 액체 공급관(200)을 흐르는 액체의 온도를 측정한다. 제 1액체 온도센서(262)와 제 2액체 온도센서(264)는 측정된 액체의 온도에 관한 정보를 액체 온도 조절기(220)로 전송된다. 액체 온도 조절기(220)는 온도센서들(262, 264)로부터 전송된 정보를 참조하여 처리액 공급관(100)을 흐르는 포토레지스트가 공정 온도로 일정하게 유지될 수 있도록 액체의 온도를 계속적으로 조절한다. 제 1액체 온도센서(262)에 의해 전송된 정보는 현재 포토레지스트의 온도에 관한 정보를 간접적으로 제공하고, 제 2액체 온도센서(264)에 의해 전송된 정보는 액체 온도 조절기(22)에서 온도가 조절된 탈이온수의 온도에 관한 정보를 제공한다. 상술한 예와 달리 제 1액체 온도센서(262) 또는 제 2액체 온도센서(264) 중 어느 하나만이 액체 공급관(200) 상에 설치될 수 있다.Deionized water is supplied from the liquid reservoir 240 to the liquid supply pipe 200, and when the heat exchange with the treatment liquid is completed, the deionized water is recovered to the liquid reservoir 240 through the liquid recovery tube 280. The liquid temperature controller 220 is installed on the liquid supply pipe 200 to adjust the temperature of the liquid. The liquid supply pipe 200 is provided with a first liquid temperature sensor 262 and a second liquid temperature sensor 264. The first liquid temperature sensor 262 measures the temperature of the liquid flowing through the liquid supply pipe 200 in the region adjacent to the end of the processing liquid supply pipe 100. The second liquid temperature sensor 264 measures the temperature of the liquid flowing through the liquid supply pipe 200 in the region adjacent to the liquid temperature controller 220. The first liquid temperature sensor 262 and the second liquid temperature sensor 264 transmit information about the measured temperature of the liquid to the liquid temperature controller 220. The liquid temperature controller 220 continuously adjusts the temperature of the liquid so that the photoresist flowing through the treatment liquid supply pipe 100 may be constantly maintained at the process temperature with reference to information transmitted from the temperature sensors 262 and 264. . The information sent by the first liquid temperature sensor 262 indirectly provides information about the temperature of the current photoresist, and the information sent by the second liquid temperature sensor 264 is the temperature at the liquid temperature controller 22. Provides information on the temperature of the controlled deionized water. Unlike the above-described example, only one of the first liquid temperature sensor 262 or the second liquid temperature sensor 264 may be installed on the liquid supply pipe 200.

일반적으로 웨이퍼(W)는 복수개씩 그룹지어진 상태로 공정이 수행된다. 동일 그룹에 속하는 웨이퍼들(W)에 공급되는 포토레지스트의 공정 온도는 동일하다. 공정 진행 중 포토레지스트의 온도를 계속적으로 일정하게 유지하기 위해 액체 온도 조절기(220)는 액체의 온도를 계속적으로 조절한다. 그러나 조절된 액체가 처리액 공급관(100)의 끝단을 감싸는 부분까지 공급되기에는 많은 시간이 소요되므로 처리액 공급관(100)의 끝단으로부터 토출되어 웨이퍼(W)로 공급되는 포토레지스트의 온도는 공정온도로부터 벗어난다. In general, a process is performed in a state where a plurality of wafers W are grouped. Process temperatures of the photoresists supplied to the wafers W belonging to the same group are the same. In order to keep the temperature of the photoresist constant during the process, the liquid temperature controller 220 continuously adjusts the temperature of the liquid. However, since it takes a long time for the controlled liquid to be supplied to the portion surrounding the end of the processing liquid supply pipe 100, the temperature of the photoresist discharged from the end of the processing liquid supply pipe 100 and supplied to the wafer W is a process temperature. Depart from

또한, 하나의 그룹에 속하는 웨이퍼들(W)에 대해 공정이 완료된 후, 다른 그룹에 속하는 웨이퍼들(W)에 대해 공정을 수행할 때, 포토레지스트의 온도를 해당 그룹에 대해 설정된 공정온도로 신속하게 변화하여야 한다. 그러나 액체 공급관(200) 만을 제공된 경우, 포토레지스트의 온도조절에 많은 시간이 소요되며, 이로 인해 해당 그룹에서 첫 번째로 도포가 이루어지는 웨이퍼(W)와 마지막에 도포가 이루어지는 웨이퍼(W) 간 도포두께의 차이가 크다. In addition, after the process is completed for the wafers (W) belonging to one group, when performing the process for the wafers (W) belonging to another group, the temperature of the photoresist quickly to the process temperature set for the group Should be changed. However, if only the liquid supply pipe 200 is provided, it takes a lot of time to control the temperature of the photoresist, which is why the coating thickness between the first wafer (W) and the last wafer (W) is applied in the group The difference is large.

본 발명에 의하면, 액체 공급관(200)의 적어도 일부를 감싸도록 배치되는 기체 공급관(300)이 제공된다. 기체 공급관(300)에는 액체 공급관(200)을 흐르는 액체와 열교환을 통해 액체의 온도를 조절하는 기체가 공급된다. 기체 공급관(300)을 흐르는 기체는 액체 온도 조절기(220)에 의해 조절된 액체의 온도를 액체 온도 조절기(220)와 인접한 영역에서 처리액 공급관의 끝단을 감싸는 영역까지 신속하게 전달한다. 포토 레지스트가 웨이퍼(W)로 공급되기 직전까지 열교환이 이루어지도록, 기체 공급관(300)은 액체 공급관(200)의 끝단과 인접한 영역을 포함한 일정 영역에서 액체 공급관(200)을 감싸도록 배치된다. 기체로는 공기(air)가 사용될 수 있다.According to the present invention, there is provided a gas supply pipe 300 disposed to surround at least a portion of the liquid supply pipe 200. The gas supply pipe 300 is supplied with a gas for controlling the temperature of the liquid through heat exchange with a liquid flowing through the liquid supply pipe 200. The gas flowing through the gas supply pipe 300 rapidly transfers the temperature of the liquid controlled by the liquid temperature controller 220 from the region adjacent to the liquid temperature controller 220 to the region surrounding the end of the treatment liquid supply tube. The gas supply pipe 300 is disposed to surround the liquid supply pipe 200 in a predetermined area including an area adjacent to an end of the liquid supply pipe 200 so that heat exchange is performed until the photoresist is supplied to the wafer W. Air may be used as the gas.

기체는 기체 저장부(340)로부터 기체 공급관(300)으로 공급되며, 액체와의 열교환이 끝나면 기체 회수관(380)을 통해 기체 저장부(340)로 회수된다. 기체 공급관(300) 상에는 기체의 온도를 조절하는 기체 온도 조절기(320)가 설치된다. 기체 공급관(300)에는 제 1기체 온도센서(362)와 제 2기체 온도센서(364)가 설치된다. 제 1기체 온도센서(362)는 액체 공급관(200)의 끝단과 인접한 영역에서 기체 공급관(300)을 흐르는 기체의 온도를 측정한다. 제 2기체 온도센서(364)는 기체 온도 조절기(320)와 인접한 영역에서 기체 공급관(300)을 흐르는 기체의 온도를 측정한다. 제 1기체 온도센서(362)와 제 2기체 온도센서(364)는 측정된 기체의 온도에 관한 정보를 기체 온도 조절기(320)로 전송된다. 제 1기체 온도센서(362)에 의해 전송된 정보는 현재 포토레지스트의 온도 또는 탈이온수의 온도에 관한 정보를 간접적으로 제공하고, 제 2기체 온도센서(364)에 의해 전송된 정보는 기체 온도 조절기(320)에서 온도가 조절된 공기의 온도에 관한 정보를 제공한다. 상술한 예와 달리 제 1기체 온도센서(362) 또는 제 2기체 온도센서(364)만이 기체 공급관(300) 상에 설치될 수 있다. 기체 온도 조절기(320)는 온도센서들(362, 364)로부터 전송된 정보를 참조하여 처리액 공급관(100)을 흐르는 포토레지스트가 공정 온도로 일정하게 유지될 수 있도록 기체의 온도를 계속적으로 조절한다. The gas is supplied from the gas storage unit 340 to the gas supply pipe 300, and when the heat exchange with the liquid is completed, the gas is recovered to the gas storage unit 340 through the gas recovery pipe 380. The gas temperature controller 320 is installed on the gas supply pipe 300 to control the temperature of the gas. The gas supply pipe 300 is provided with a first gas temperature sensor 362 and a second gas temperature sensor 364. The first gas temperature sensor 362 measures the temperature of the gas flowing through the gas supply pipe 300 in a region adjacent to the end of the liquid supply pipe 200. The second gas temperature sensor 364 measures the temperature of the gas flowing through the gas supply pipe 300 in a region adjacent to the gas temperature controller 320. The first gas temperature sensor 362 and the second gas temperature sensor 364 transmit information about the measured temperature of the gas to the gas temperature controller 320. The information sent by the first gas temperature sensor 362 indirectly provides information about the temperature of the current photoresist or the temperature of the deionized water, and the information sent by the second gas temperature sensor 364 is a gas temperature controller. At 320, information regarding the temperature of the temperature-controlled air is provided. Unlike the above example, only the first gas temperature sensor 362 or the second gas temperature sensor 364 may be installed on the gas supply pipe 300. The gas temperature controller 320 continuously adjusts the temperature of the gas so that the photoresist flowing through the treatment liquid supply pipe 100 may be constantly maintained at the process temperature with reference to information transmitted from the temperature sensors 362 and 364. .

액체 온도 조절기(220)와 기체 온도 조절기(320)는 제어기(400)에 의해 제어된다. 제어기(400)는 그룹별로 그룹지어진 웨이퍼들(W)에 적합한 공정온도를 저장하며, 공정 진행시 포토레지스트가 저장된 공정온도를 유지할 수 있도록 액체 온도 조절기(220) 및 기체 온도 조절기(320)를 제어한다. 공정온도는 특정값으로 제공되거나, 공정 진행이 허용되는 범위(이하, 허용범위)로 제공될 수 있다.The liquid temperature controller 220 and the gas temperature controller 320 are controlled by the controller 400. The controller 400 stores process temperatures suitable for the wafers W grouped by group, and controls the liquid temperature controller 220 and the gas temperature controller 320 to maintain the stored process temperature during the process. do. The process temperature may be provided at a specific value or may be provided in a range (hereinafter, acceptable range) in which process progress is allowed.

상술한 제 1, 2 액체 온도센서(262, 264)와 제 1, 2 기체 온도센서(362, 364)는 제어기(400)로 신호를 전송하고, 제어기(400)가 공정 진행 중 계속적으로 액체 온도 조절기(220)와 기체 온도 조절기(320)의 온도를 제어할 수 있다.The first and second liquid temperature sensors 262 and 264 and the first and second gas temperature sensors 362 and 364 transmit signals to the controller 400, and the controller 400 continuously keeps the liquid temperature during the process. The temperature of the controller 220 and the gas temperature controller 320 may be controlled.

하나의 그룹에 속하는 웨이퍼들(W)에 대해 공정이 완료되고, 다른 그룹에 속 하는 웨이퍼들(W)에 대해 공정 수행시 공기의 온도와 탈이온수의 온도는 재세팅된다. 온도가 조절된 탈이온수는 처리액 공급관(100)의 끝단 주변 영역까지 비교적 천천히 이동된다. 그러나 온도가 조절된 공기는 처리액 공급관(100)의 끝단 주변 영역까지 빠르게 이동된다. 공기는 기체 온도 조절기(320)에 의해 온도가 조절된 후 빠르게 이동되어 처리액 공급관(100)의 끝단과 인접한 영역을 흐르는 탈이온수의 온도를 조절한다. 또한, 공기는 탈이온수의 주변을 흐르면서 액체 온도 조절기(220)와 인접한 영역에서 탈이온수의 온도를 처리액 공급관(100)의 끝단과 인접한 영역을 흐르는 탈이온수로 전달한다. 예컨대, 현재 공정이 수행되는 그룹에 속하는 웨이퍼들(W)의 공정온도가 이전에 공정이 수행된 그룹에 속하는 웨이퍼들(W)의 공정 온도보다 높은 경우, 공기는 액체 온도 조절기(220)와 인접한 영역을 흐르는 탈이온수로부터 열을 전달받아 이를 처리액 공급관(100)의 끝단과 인접한 영역을 흐르는 탈이온수로 전달한다. The process is completed for the wafers W belonging to one group, and the temperature of the air and the temperature of deionized water are reset when the process is performed for the wafers W belonging to another group. The temperature controlled deionized water is moved relatively slowly to the area around the end of the treatment liquid supply pipe (100). However, the temperature controlled air is rapidly moved to the area around the end of the treatment liquid supply pipe (100). The air is rapidly moved after the temperature is adjusted by the gas temperature controller 320 to control the temperature of the deionized water flowing through the region adjacent to the end of the treatment liquid supply pipe 100. In addition, the air flows around the deionized water while passing the temperature of the deionized water in the region adjacent to the liquid temperature controller 220 to the deionized water flowing in the region adjacent to the end of the treatment liquid supply pipe 100. For example, when the process temperature of the wafers W belonging to the group in which the current process is performed is higher than the process temperature of wafers W belonging to the group in which the process was previously performed, the air is adjacent to the liquid temperature controller 220. The heat is received from the deionized water flowing through the region and transferred to the deionized water flowing through the region adjacent to the end of the treatment liquid supply pipe 100.

본 실시예에 의하면, 연속적으로 공정이 진행되는 그룹들간에 공정온도의 변화폭이 큰 경우에도 처리액 공급관(100)의 끝단 영역에서 처리액의 온도를 설정된 공정온도 범위로 빠르게 조절할 수 있다. 웨이퍼(W)로 공급되는 포토레지스트의 공정온도가 크게 변화될 때 포토레지스트의 온도가 안정화될 때까지 설비가 중단되는 시간을 단축할 수 있다. 또한, 처리액의 온도를 빠르게 조절할 수 있으므로 공정 허용범위의 폭을 좁게 설정할 수 있으며, 이로 인해 동일 그룹 내에서 처음으로 공정이 수행되는 웨이퍼와 마지막으로 공정이 수행되는 웨이퍼로 제공되는 포토레지스트의 온도 차이를 줄여, 도포두께의 균일도를 향상시킬 수 있다.According to the present embodiment, even when the process temperature is largely changed between the groups in which the process is continuously performed, the temperature of the processing liquid in the end region of the processing liquid supply pipe 100 can be quickly adjusted to the set process temperature range. When the process temperature of the photoresist supplied to the wafer W is greatly changed, it is possible to shorten the time for which the equipment is stopped until the temperature of the photoresist is stabilized. In addition, the temperature of the processing liquid can be quickly adjusted, so that the width of the process allowance can be narrowly set, and thus, the temperature of the photoresist provided to the wafer to be processed first and to the wafer to be processed last in the same group. By reducing the difference, the uniformity of the coating thickness can be improved.

동일 그룹 또는 하나의 웨이퍼에 대해 공정이 수행되는 동안에도 처리액 공급관(100)의 끝단과 인접한 영역에서 액체의 온도는 계속적으로 감지된다. 액체의 온도가 설정범위를 벗어난 경우, 탈이온수의 온도가 액체 온도 조절기(220)에 의해 조절되며, 액체 온도 조절기(220)와 인접한 영역에서 탈이온수의 온도는 이를 감싸는 공기에 의해 처리액 공급관(100)의 끝단과 인접한 영역의 탈이온수까지 빠르게 전달된다. 따라서 처리액 공급관(100)으로부터 토출되고 있는 포토레지스트의 온도를 빠르게 조절할 수 있다.While the process is performed on the same group or one wafer, the temperature of the liquid is continuously sensed in an area adjacent to the end of the processing liquid supply pipe 100. When the temperature of the liquid is out of the set range, the temperature of the deionized water is controlled by the liquid temperature controller 220, the temperature of the deionized water in the region adjacent to the liquid temperature controller 220 is the treatment liquid supply pipe ( It is rapidly delivered to the deionized water in the region adjacent to the end of 100). Therefore, the temperature of the photoresist discharged from the processing liquid supply pipe 100 can be adjusted quickly.

액체 공급관(200)을 흐르는 탈이온수와 처리액 공급관(100)을 흐르는 포토레지스트 간에, 그리고 기체 공급관(300)을 흐르는 공기와 액체 공급관(200)을 흐르는 탈이온수 간에 열교환이 잘 이루어지도록 처리액 공급관(100)은 열전달이 우수한 재질로 이루어진다. 예컨대, 처리액 공급관(100)은 금속 재질로 이루어지거나 금속과 비금속의 합금 재질로 이루어질 수 있다. The treatment liquid supply pipe allows heat exchange between the deionized water flowing through the liquid supply pipe 200 and the photoresist flowing through the treatment liquid supply pipe 100, and between the air flowing through the gas supply pipe 300 and the deionized water flowing through the liquid supply pipe 200. 100 is made of a material excellent in heat transfer. For example, the treatment liquid supply pipe 100 may be made of a metal material or an alloy material of a metal and a nonmetal.

처리액 공급관(100), 액체 공급관(200), 그리고 기체 공급관(300)은 이들의 수직 이동이 원활하게 이루어지도록 신축 가능한 주름관으로서 제공될 수 있다. 이 경우, 이들 공급관들(100, 200, 300)은 금속과 비금속의 합금 재질로 이루어진 것이 바람직하다.The treatment liquid supply pipe 100, the liquid supply pipe 200, and the gas supply pipe 300 may be provided as a flexible corrugated pipe so that vertical movement thereof is smoothly performed. In this case, these supply pipes (100, 200, 300) is preferably made of an alloy material of metal and non-metal.

기체 공급관(300) 내에는 누설검출 센서(500)가 설치된다. 누설검출 센서(500)는 액체 공급관(200) 또는 처리액 공급관(100)으로부터 탈이온수 또는 포토레지스트가 누설되어 기체 공급관(300) 내에 잔류하는지 여부를 감지한다. 이는 액체 공급관(200) 또는 처리액 공급관(100)에 크랙이나 깨짐 등과 같은 손상이 발생되었 는지 여부를 검출할 수 있다. 기체가 공급되고 있는 관 내에 탈이온수 또는 포토레지스트와 같은 액체가 잔류하는지 여부를 검출하기 위한 센서의 구조는 당업자에게 널리 알려져 있으므로 상세한 설명은 생략한다. 기체 공급관(300) 내에서 탈이온수 또는 포토레지스트를 감지하면 누설검출 센서(500)는 이에 해당되는 신호를 제어기(400)로 전송한다. 제어기(400)는 작업자에게 이를 알려주기 위해 표시 패널(도시되지 않음)에 해당 사항을 표시하거나 경고기(도시되지 않음)를 통해 경고음을 발생시킬 수 있다. The leak detection sensor 500 is installed in the gas supply pipe 300. The leak detection sensor 500 detects whether deionized water or photoresist leaks from the liquid supply pipe 200 or the processing liquid supply pipe 100 and remains in the gas supply pipe 300. This may detect whether damage such as cracks or cracks has occurred in the liquid supply pipe 200 or the treatment liquid supply pipe 100. Since the structure of the sensor for detecting whether liquid such as deionized water or photoresist remains in the tube to which gas is supplied is well known to those skilled in the art, a detailed description thereof will be omitted. When the deionized water or the photoresist is detected in the gas supply pipe 300, the leak detection sensor 500 transmits a signal corresponding thereto to the controller 400. The controller 400 may display a corresponding item on a display panel (not shown) or generate a warning sound through a warning device (not shown) to inform the operator.

일반적인 장치와 같이 액체 공급관이 외부로 노출되어 있는 경우, 처리액 공급관의 끝단과 인접한 영역에서 액체 공급관에 크랙 등과 같은 손상이 있는 경우, 액체 공급관으로부터 누설된 탈이온수가 웨이퍼 상으로 떨어져 공정불량을 유발한다. 그러나 본 발명의 경우 액체 공급관(200)으로부터 탈이온수가 누설되는 경우에도, 액체 공급관(200)의 외부를 기체 공급관(300)이 감싸고 있으므로 탈이온수가 웨이퍼 상으로 떨어지는 것을 방지할 수 있다.When the liquid supply pipe is exposed to the outside as in a general apparatus, if there is damage such as a crack in the liquid supply pipe in an area adjacent to the end of the processing liquid supply pipe, deionized water leaked from the liquid supply pipe drops onto the wafer and causes a process defect. do. However, in the present invention, even when deionized water leaks from the liquid supply pipe 200, since the gas supply pipe 300 surrounds the outside of the liquid supply pipe 200, it is possible to prevent deionized water from falling onto the wafer.

또한, 일반적인 장치와 같이 액체 공급관이 외부로 노출되어 있는 경우, 외부의 환경 변화에 따라 포토레지스트와 열교환이 이루어지는 탈이온수가 직접 영향을 받는다. 그러나 본 발명의 경우 기체 공급관(300)이 액체 공급관(200)을 감싸고 있으므로 포토레지스트가 외부 환경의 변화에 민감하게 변화되지 않는다. 따라서 포토레지스트의 온도를 더욱 안정적으로 유지할 수 있다.In addition, when the liquid supply pipe is exposed to the outside as in a general apparatus, deionized water in which heat exchange with the photoresist is directly affected by external environmental changes. However, in the case of the present invention, since the gas supply pipe 300 surrounds the liquid supply pipe 200, the photoresist is not sensitive to changes in the external environment. Therefore, the temperature of the photoresist can be maintained more stably.

도 4 내지 도 5b는 각각 유체 공급관의 다른 예들을 개략적으로 보여주는 도면으로 도 3과 같은 단면도이다. 4 to 5B are cross-sectional views as shown in FIG. 3, which schematically show other examples of the fluid supply pipe.

일 예에 의하면, 도 4에 도시된 바와 같이, 유체 공급관은 처리액 공급관(100)의 적어도 일부를 감싸도록 배치되는 기체 공급관(300)을 가지고, 기체 공급관(300)을 흐르는 공기와 처리액 공급관을 흐르는 포토레지스트간 열교환이 직접 이루어질 수 있다. According to an example, as shown in FIG. 4, the fluid supply pipe has a gas supply pipe 300 disposed to surround at least a portion of the processing liquid supply pipe 100, and the air flowing through the gas supply pipe 300 and the processing liquid supply pipe. Heat exchange between the photoresist flowing through can be made directly.

다른 예에 의하면, 유체 공급관은 복수개의 액체 공급관들(200)과 복수개의 기체 공급관들(300)을 가지고, 액체 공급관들(200) 사이에 하나 또는 복수의 기체 공급관들(300)이 제공되거나 기체 공급관들(300) 사이에 하나 또는 복수의 액체 공급관들(200)이 제공될 수 있다. 예컨대, 도 5a와 도 5b에 도시된 바와 같이, 유체 공급관은 제 1액체 공급관(200a), 제 2액체 공급관(200b), 제 1기체 공급관(300a), 그리고 제 2기체 공급관(300b)을 가진다. 도 5a와 같이 제 1액체 공급관(200a)이 처리액 공급관(100)을 감싸도록 배치되고, 다음에 순차적으로 제 1기체 공급관(300a), 제 2액체 공급관(200b), 제 2기체 공급관(300b)이 안쪽에 위치되는 공급관을 감싸도록 배치될 수 있다. 선택적으로 도 5b와 같이 제 1기체 공급관(300a)이 처리액 공급관(100)을 감싸도록 배치되고, 다음에 순차적으로 제 1액체 공급관(200a), 제 2기체 공급관(300b), 제 2액체 공급관(200b)이 안쪽에 위치되는 공급관을 감싸도록 배치될 수 있다. According to another example, the fluid supply pipe has a plurality of liquid supply pipes 200 and a plurality of gas supply pipes 300, and one or a plurality of gas supply pipes 300 are provided between the liquid supply pipes 200, or a gas One or a plurality of liquid supply pipes 200 may be provided between the supply pipes 300. For example, as shown in FIGS. 5A and 5B, the fluid supply pipe has a first liquid supply pipe 200a, a second liquid supply pipe 200b, a first gas supply pipe 300a, and a second gas supply pipe 300b. . As shown in FIG. 5A, the first liquid supply pipe 200a is disposed to surround the processing liquid supply pipe 100, and subsequently, the first gas supply pipe 300a, the second liquid supply pipe 200b, and the second gas supply pipe 300b. ) May be arranged to surround the supply pipe located inside. Optionally, as shown in FIG. 5B, the first gas supply pipe 300a is disposed to surround the processing liquid supply pipe 100, and then the first liquid supply pipe 200a, the second gas supply pipe 300b, and the second liquid supply pipe are sequentially disposed. 200b may be disposed to surround the supply pipe located inside.

상술한 실시예에서 액체 공급관을 통하여 공급되는 액체는 탈이온수이고 기체 공급관을 통하여 공급되는 기체는 공기인 경우를 예로 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리 탈이온수 및 공기 대신 온도조절이 용이한 다른 종류의 액체 또는 기체가 사용될 수 있다. In the above-described embodiment, the liquid supplied through the liquid supply pipe is deionized water and the gas supplied through the gas supply pipe has been described as an example. Alternatively, other types of liquids or gases may be used instead of deionized water and air, which are easier to control.

본 발명에 의하면, 하나의 그룹에 속하는 웨이퍼들에 대해 공정이 완료된 후, 이와 상이한 공정온도를 가지는 다른 그룹에 속하는 웨이퍼들에 대해 공정을 수행할 때, 처리액의 온도를 빠르게 조절할 수 있으므로 설비가동률을 향상시킬 수 있다. According to the present invention, after the process is completed for the wafers belonging to one group, when the process is performed on the wafers belonging to another group having a different process temperature, it is possible to quickly adjust the temperature of the processing liquid and thus the facility operation rate Can improve.

또한, 본 발명에 의하면, 공정 진행시 허용온도범위를 좁게 설정할 수 있으므로 동일 그룹에서 첫번째로 공정이 수행되는 웨이퍼와 마지막으로 공정이 수행되는 웨이퍼로 공급되는 포토레지스트의 온도편차를 줄일 수 있다.In addition, according to the present invention, since the allowable temperature range can be set narrowly during the process, the temperature deviation of the photoresist supplied to the wafer on which the process is performed first and the wafer on which the process is performed can be reduced.

또한, 본 발명에 의하면, 처리액 공급관의 끝단과 인접한 영역에서 온도를 감지 후 그 영역의 포토레지스트의 온도가 매우 빠르게 조절되므로 웨이퍼로 공급되는 포토레지스트의 온도를 설정온도로 유지할 수 있다.In addition, according to the present invention, since the temperature of the photoresist in the region is controlled very quickly after sensing the temperature in the region adjacent to the end of the processing liquid supply pipe, the temperature of the photoresist supplied to the wafer can be maintained at the set temperature.

또한, 본 발명에 의하면, 처리액과 직접 열교환이 이루어지는 탈이온수가 주변 환경의 영향에 의해 온도가 변화되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the present invention, it is possible to prevent the temperature of the deionized water which is directly heat exchanged with the treatment liquid due to the influence of the surrounding environment.

또한, 본 발명에 의하면, 액체 공급관에 크랙 등이 발생되는 경우에도 액체 공급관을 흐르는 탈이온수가 웨이퍼로 떨어져 공정 불량을 유발하는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to the present invention, even when a crack or the like occurs in the liquid supply pipe, it is possible to prevent deionized water flowing through the liquid supply pipe from falling onto the wafer to cause process defects.

Claims (22)

반도체 기판으로 처리액을 공급하는 장치에 있어서,An apparatus for supplying a processing liquid to a semiconductor substrate, 상기 반도체 기판으로 공급되는 처리액이 흐르는 처리액 공급관과;A processing liquid supply pipe through which the processing liquid supplied to the semiconductor substrate flows; 상기 처리액 공급관의 일부분을 감싸도록 배치되며, 처리액과의 열교환을 통해 상기 처리액 공급관을 흐르는 처리액의 온도를 조절하는 유체를 공급하는 유체 공급관을 포함하되,A fluid supply pipe disposed to surround a portion of the processing liquid supply pipe and supplying a fluid for controlling a temperature of the processing liquid flowing through the processing liquid supply pipe through heat exchange with the processing liquid, 상기 유체 공급관은 기체가 흐르는 기체 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치. The fluid supply pipe is a treatment liquid supply device, characterized in that it comprises a gas supply pipe flowing gas. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유체 공급관은 상기 처리액 공급관의 일부분을 감싸도록 위치되며, 액체가 흐르는 액체 공급관을 더 포함하고,The fluid supply pipe is positioned to surround a portion of the treatment liquid supply pipe, and further includes a liquid supply pipe through which liquid flows, 상기 기체 공급관은 상기 액체 공급관의 일부분을 감싸도록 위치되는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.And the gas supply line is positioned to surround a portion of the liquid supply line. 제 2항에 있어서The method of claim 2 상기 장치는 상기 액체 공급관으로 공급되는 액체의 온도를 조절하는 액체 온도 조절기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.The apparatus further comprises a liquid temperature controller for controlling the temperature of the liquid supplied to the liquid supply pipe. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 액체 공급관은 상기 처리액 공급관의 끝단과 인접한 영역을 포함한 일정 영역을 감싸도록 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 처리액 공급 장치.And the liquid supply pipe is provided so as to surround a predetermined area including an area adjacent to an end of the processing liquid supply pipe. 제 3항에 있어서The method of claim 3 상기 장치는,The device, 상기 처리액 공급관의 끝단과 인접한 영역에서 액체의 온도를 측정하는 제 1 액체 온도센서와; A first liquid temperature sensor measuring a temperature of the liquid in an area adjacent to an end of the treatment liquid supply pipe; 상기 액체 온도 조절기와 인접한 부분에서 액체의 온도를 측정하는 제 2 액체 온도센서를 더 포함하고,A second liquid temperature sensor for measuring the temperature of the liquid at a portion adjacent to the liquid temperature controller, 상기 액체 온도 조절기는 상기 제 1액체 온도센서와 상기 제 2액체 온도센서로부터 측정 신호를 전송받아 액체의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.The liquid temperature controller is a processing liquid supply device characterized in that for adjusting the temperature of the liquid by receiving a measurement signal from the first liquid temperature sensor and the second liquid temperature sensor. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 기체 공급관은 상기 액체 공급관의 끝단과 인접한 영역을 포함한 일정 영역을 감싸도록 제공되는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.The gas supply pipe is provided to surround a predetermined area including an area adjacent to the end of the liquid supply pipe. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 장치는 상기 기체 공급관으로 공급되는 기체의 온도를 조절하는 기체 온도조절기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.The apparatus further comprises a gas temperature controller for adjusting the temperature of the gas supplied to the gas supply pipe. 제 7항에 있어서The method of claim 7, 상기 장치는,The device, 상기 처리액 공급관의 끝단과 인접한 영역에서 기체의 온도를 측정하는 제 1 기체 온도센서와;A first gas temperature sensor measuring a temperature of a gas in an area adjacent to an end of the treatment liquid supply pipe; 상기 기체 온도조절기와 인접한 영역에서 액체의 온도를 측정하는 제 2 기체 온도센서를 더 포함하고,A second gas temperature sensor for measuring the temperature of the liquid in the region adjacent to the gas temperature controller, 상기 기체 온도조절기는 상기 제 1기체 온도센서 또는 상기 제 2기체 온도센서로부터 측정 신호를 전송받아 기체의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.The gas temperature controller is a processing liquid supply device characterized in that for controlling the temperature of the gas receives a measurement signal from the first gas temperature sensor or the second gas temperature sensor. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 처리액 공급관은 금속 재질 또는 금속과 비금속의 합금 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.The treatment liquid supply pipe is a treatment liquid supply device, characterized in that made of a metal material or an alloy material of a metal and a non-metal. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 액체 공급관은 금속 재질 또는 금속과 비금속의 합금 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.The liquid supply pipe is a treatment liquid supply device, characterized in that made of a metal material or an alloy material of metal and non-metal. 제 2항에 있어서The method of claim 2 상기 장치는 상기 기체 공급관에 설치되며 액체가 상기 액체 공급관으로부터 상기 기체 공급관으로 누설되었는지 여부를 검출하는 누설검출 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.The apparatus further comprises a leak detection sensor installed in the gas supply pipe and detecting whether liquid has leaked from the liquid supply pipe to the gas supply pipe. 제 2항에 있어서The method of claim 2 상기 처리액은 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치. And a treatment liquid is a photoresist. 제 2항에 있어서The method of claim 2 상기 액체는 탈이온수인 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.And said liquid is deionized water. 제 2항에 있어서The method of claim 2 상기 기체는 공기인 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치. The gas is processing liquid supply apparatus, characterized in that the air. 제 2항에 있어서The method of claim 2 상기 장치는,The device, 상기 액체 공급관으로 공급되는 액체의 온도를 조절하는 액체 온도 조절기와;A liquid temperature controller for controlling a temperature of a liquid supplied to the liquid supply pipe; 상기 기체 공급관으로 공급되는 기체의 온도를 조절하는 기체 온도 조절기 와;A gas temperature controller for controlling a temperature of a gas supplied to the gas supply pipe; 상기 액체 온도 조절기와 상기 기체 온도 조절기를 제어하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.And a controller for controlling said liquid temperature controller and said gas temperature controller. 반도체 소자를 제조하는 장치에 있어서,In the apparatus for manufacturing a semiconductor element, 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징과;A housing providing a space in which the process is performed; 상기 공간 내에 위치되며 기판을 지지하는 지지부재와;A support member positioned in the space and supporting the substrate; 상기 지지부재로 처리액을 공급하는 처리액 공급관과; 그리고A processing liquid supply pipe for supplying a processing liquid to the support member; And 상기 처리액 공급관의 일부분을 감싸도록 배치되며, 처리액과의 열교환을 통해 상기 처리액 공급관을 흐르는 처리액의 온도를 조절하는 유체를 공급하는 유체 공급관을 포함하되,A fluid supply pipe disposed to surround a portion of the processing liquid supply pipe and supplying a fluid for controlling a temperature of the processing liquid flowing through the processing liquid supply pipe through heat exchange with the processing liquid, 상기 유체 공급관은 기체가 흐르는 기체 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치. The fluid supply pipe is a semiconductor device manufacturing apparatus comprising a gas supply pipe flowing gas. 제 16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 유체 공급관은 상기 처리액 공급관의 일부분을 감싸도록 위치되며, 액체가 흐르는 액체 공급관을 더 포함하고,The fluid supply pipe is positioned to surround a portion of the treatment liquid supply pipe, and further includes a liquid supply pipe through which liquid flows, 상기 기체 공급관은 상기 액체 공급관의 일부분을 감싸도록 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.And the gas supply pipe is positioned to surround a portion of the liquid supply pipe. 제 17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 장치는,The device, 상기 액체 공급관으로 공급되는 액체의 온도를 조절하는 액체 온도조절기와;A liquid temperature controller for controlling a temperature of a liquid supplied to the liquid supply pipe; 상기 기체 공급관으로 공급되는 기체의 온도를 조절하는 기체 온도조절기와;A gas temperature controller for controlling a temperature of a gas supplied to the gas supply pipe; 상기 액 온도조절기와 상기 기체 온도조절기를 제어하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.And a controller for controlling the liquid temperature controller and the gas temperature controller. 제 17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 처리액 공급관은 금속 재질 또는 금속과 비금속의 합금 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.The processing liquid supply pipe is a semiconductor device manufacturing apparatus, characterized in that made of a metal material or an alloy material of metal and non-metal. 제 17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 액체 공급관은 금속 재질 또는 금속과 비금속의 합금 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.The liquid supply pipe is a semiconductor device manufacturing apparatus, characterized in that made of a metal material or an alloy material of metal and non-metal. 제 17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 장치는 상기 기체 공급관에 설치되며 액체가 상기 액체 공급관으로부터 상기 기체 공급관으로 누설되었는지 여부를 검출하는 누설검출 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.And the apparatus further comprises a leak detection sensor installed in the gas supply pipe and detecting whether liquid has leaked from the liquid supply pipe to the gas supply pipe. 제 17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 처리액은 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.The processing liquid is a photoresist, characterized in that the semiconductor device manufacturing apparatus.
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