KR20060135434A - 유기발광다이오드 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로 특히, 유기발광다이오드 구동소자의 특성변화를 방지할 수 있는 유기발광다이오드 구동회로와 이를 이용한 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 서로 교차하는 다수의 게이트라인들 및 다수의 데이터라인들, 고전위 전원전압이 공급되고 상기 데이터라인들에 평행하게 배치되는 전원전압공급라인들, 상기 게이트라인들에 평행하게 배치되는 리셋라인들, 상기 전원공급라인들 중 어느 하나로부터의 고전위 전원전압에 의해 발생되는 전류로 발광되는 유기발광다이오드 및 상기 게이트라인들 중 어느 하나로부터의 스캔신호에 응답하여 상기 데이터라인들 중 어느 하나로부터의 데이터전압으로 상기 유기발광다이오드를 구동하고 상기 리셋라인들 중 어느 하나로부터의 리셋신호에 응답하여 초기화되는 유기발광다이오드 구동회로를 각각 포함하는 화소들을 구비하는 화소영역, 상기 게이트라인들에 상기 스캔신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로, 상기 리셋라인들에 상기 리셋신호를 순차적으로 공급하는 리셋신호 구동회로, 상기 데이터라인들에 상기 데이터 전압을 각각 공급하는 데이터 구동회로를 구비하고, 상기 게이트 구동회로 및 상기 리셋신호 구동회로는 상기 게이트라인들, 데이터라인들, 전원전압공급라인들, 리셋라인들 및 상기 화소영역이 형성되는 기판과 동일한 기판 상에 형성된다.

Description

유기발광다이오드 표시장치{Organic Light Emitting Diode Display}
도 1은 종래의 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 도면.
도 2는 도 1의 유기발광다이오드 구동회로의 구동 파형을 나타낸 도면.
도 3은 전압 인가 시간에 따른 누적 게이트-바이어스 스트레스를 나타낸 도면.
도 4a는 포지티브 게이트-바이어스 스트레스에 의한 소자의 특성변화를 나타내는 도면.
도 4b는 네가티브 게이트-바이어스 스트레스에 의한 소자의 특성변화를 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 구동회로 내장형 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 도면.
도 6은 도 5의 유기발광다이오드 구동회로의 구동 파형을 나타낸 도면.
도 7은 도 5의 유기발광다이오드 구동회로에 의한 게이트-바이어스 스트레스의 감소를 나타내는 도면.
도 8은 도 5의 게이트 구동회로와 리셋신호 구동회로의 구조를 나타내는 도면.
도 9는 도 5와 다른 유기발광다이오드 구동회로를 구비하는 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11, 101 : 데이터 구동회로 12, 102 : 게이트 구동회로
106 : 리셋라인 구동회로 13, 103 : OLED 패널
D1, D2, … Dm : 데이터 라인 G1, G2, … Gn : 게이트 라인
S1, S2, … Sm : 전원전압공급라인 R1, R2, … Rn : 리셋라인
15, 105, 107 : OLED 구동회로
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로 특히, 유기발광다이오드 구동소자의 특성변화를 방지할 수 있는 유기발광다이오드 구동회로와 이를 이용한 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
최근 음극선관(Cathode Ray Tude)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 대두되고 있다. 이러한 평판 표시장치로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel) 및 발광 다이오드(Light Emitting Diode : 이하, LED라 함) 표시장치 등이 있다.
이들 중 LED 표시장치는 전자와 정공의 재결합으로 형광체를 발광시키는 LED를 이용하며, 이러한 LED는 형광체로 무기 화합물을 사용하는 무기 LED(Inorganic Light Emitting Diode) 표시장치와 유기 화합물을 사용하는 유기 LED(Organic Light Emitting Diode : 이하 OLED라 한다) 표시장치로 구분된다. 이러한 OLED 표시장치는 저전압 구동, 자기발광, 박막형, 넓은 시야각, 빠른 응답속도 및 높은 콘트라스트 등의 많은 장점을 가지고 있어 차세대 표시장치로 기대되고 있다.
OLED는 통상 음극과 양극 사이에 적층된 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층으로 구성된다. 이러한 OLED에서는 양극과 음극 사이에 소정의 전압을 인가하는 경우 음극으로부터 발생된 전자가 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층 쪽으로 이동하고, 양극으로부터 발생된 정공이 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층 쪽으로 이동한다. 이에 따라, 발광층에서는 전자 수송층과 정공 수송층으로부터 공급되어진 전자와 정공이 재결합함에 의해 빛을 방출하게 된다.
이러한 OLED를 이용하는 액티브 매트릭스 타입 OLED 표시장치는 도 1에 도시된 바와 같이 n 개의 게이트라인들(G1 내지 Gn : 단, n은 양의 정수)과 m 개의 데이터라인들(D1 내지 Dm : 단, m은 양의 정수)의 교차로 정의된 영역에 n×m 매트릭스 형태로 배열된 n×m 개의 화소(P[i,j])들을 포함하는 OLED 패널(13)과, OLED 패널(13)의 게이트라인들(G1 내지 Gn)을 구동하는 게이트 구동회로(12)와, OLED 패널(13)의 데이터라인들(D1 내지 Dm)을 구동하는 데이터 구동회로(11)와, 데이터라인 들(D1 내지 Dm)과 나란히 배열되어 고전위 전원전압(Vdd)을 각 화소(P[i,j])에 공급하는 m 개의 전원전압공급라인(S1 내지 Sm)을 구비한다. 단, P[i,j]는 i행, j열에 위치한 화소, i는 n보다 작거나 같은 양의 정수, j는 m보다 작거나 같은 양의 정수를 말한다.
게이트 구동회로(12)는 1 수평주기마다 스타트신호를 순차적으로 쉬프트시켜 스캔신호를 발생하는 쉬프트 레지스터, 쉬프트 레지스터의 출력신호를 화소 구동에 적합한 스윙폭으로 변환하기 위한 레벨 쉬프터 및 레벨 쉬프터와 게이트라인(G1 내지 Gn) 사이에 접속되는 출력 버퍼를 각각 포함하는 다수의 게이트 드라이브 집적회로들로 구성된다. 이 게이트 구동회로(12)는 스캔펄스를 게이트라인들(G1 내지 Gn)에 순차적으로 공급하여 데이터가 공급되는 유기발광다이오드 패널(13)의 수평라인을 선택한다.
데이터 구동회로(11)는 외부로부터 입력된 디지털 데이터 전압을 아날로그 데이터 전압으로 변환한다. 그리고, 데이터 구동회로(12)는 아날로그 데이터 전압을 스캔신호가 공급될 때마다 데이터라인들(D1 내지 Dm)에 공급하게 된다.
화소(P[i,j])들 각각은 제i 게이트라인(Gi)에 스캔신호가 공급될 때 제j 데이터라인(Dj)으로부터의 데이터 전압을 공급받아 그 데이터 전압에 상응하는 빛을 발생하게 된다.
이를 위하여, 각 화소(P[i,j])들은 제j 전원전압공급라인(Sj)에 양극이 접속된 OLED와, OLED를 구동하기 위하여 OLED의 음극에 접속됨과 아울러 제i 게이트라인(Gi) 및 제j 데이터라인(Dj)과 접속되고 저전위 전원전압(Vss)이 공급되는 OLED 구동회로(15)를 구비한다.
이와 같은 OLED 구동회로(15)는 제i 게이트라인(Gi)로부터의 스캔신호에 응답하여 제j 데이터라인(Dj)으로부터의 데이터 전압을 제1 노드(N1)에 공급하는 제1 트랜지스터(T1)와, 제1 노드(N1)의 전압에 응답하여 OLED에 흐르는 전류량을 제어하는 제2 트랜지스터(T2)와, 제1 노드(N1) 상의 전압이 충전되는 스토리지 커패시터(Cs)를 구비한다.
이 OLED 구동회로(15)의 구동 파형은 도 2에서 보는 바와 같다. 도 2에서 "1F"는 1 프레임기간, "1H"는 1 수평기간, "Vg_i"는 제i 게이트라인(Gi)으로부터 공급되는 게이트전압, "Psc"는 스캔신호, "Vd_j"는 제j 데이터라인(Dj)으로부터 공급되는 데이터전압, "Vr_i"는 제i 리셋라인(Ri)으로부터 공급되는 리셋전압(Vr_i), "Prs"는 리셋신호, "VN1"은 제1 노드(N1) 상의 전압, "IOLED"는 OLED를 통해 흐르는 전류를 나타낸다.
도1 및 도 2를 참조하면, 제1 트랜지스터(T1)는 게이트라인(Gi)을 통해 스캔신호가 공급되면 턴-온되어 데이터라인(Dj)으로부터 공급된 데이터 전압(Vd)을 제1 노드(N1)에 공급한다. 제1 노드(N1)에 공급된 데이터 전압(Vd)은 스토리지 커패시터(Cs)에 충전됨과 아울러 제2 트랜지스터(T2)의 게이트단자로 공급된다. 이와 같이 공급되는 데이터 전압(Vd)에 의해 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되면, OLED를 통해 전류가 흐르게 된다. 이 때, OLED를 통해 흐르는 전류는 고전위 전원전압(Vdd)에 의해 발생되며, 전류량은 제2 트랜지스터(T2)에 인가되는 데이터 전압(Vd)의 크 기에 비례한다. 그리고, 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프 되더라도 제2 트랜지스터(T2)는 스토리지 커패시터(Cs)에 의한 제1 노드 전압(VNO1)에 의해 턴-온 상태를 유지하여 다음 프레임의 데이터 전압(Vd)이 공급될 때까지 OLED를 경유하여 흐르는 전류량을 제어한다.
한편, 이러한 OLED 구동회로(15)에는 다음과 같은 문제점이 있다.
도 2를 참조하면, OLED를 구동하는 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에는 포지티브(Positive)의 데이터 전압(Vd)이 장시간 인가된다. 이와 같이 장시간 인가되는 포지티브의 데이터 전압(Vd)에 의해 제2 트랜지스터(T2)에는 도 3에서 보는 바와 같이 누적 게이트-바이어스 스트레스가 발생하며, 이러한 누적 게이트-바이어스 스트레스로 인해 제2 트랜지스터(T2)에는 도 4a에서 보는 바와 같이 열화에 의한 특성 변화가 발생한다. 도 4a는 포지티브(Positive) 게이트-바이어스 스트레스로 인한 트랜지스터의 특성 변화를 나타내고, 도 4b는 네가티브(Negative) 게이트-바이어스 스트레스로 인한 트랜지스터의 특성 변화를 나타내며, 도4a 및 도 4b에서 화살표는 트랜지스터의 문턱전압 이동을 나타낸다. 이와 같이 게이트-바이어스 스트레스에 의해 발생하는 제2 트랜지스터(T2)와 같은 OLED 구동 소자의 특성 변화는 OLED에 흐르는 전류의 양을 변화시켜 OLED 구동회로(15) 동작의 신뢰성을 저하시키며, 나아가 OLED 표시장치의 동작에 대한 신뢰성을 저하시키게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 OLED 구동 소자의 특성 변화를 방지하여 OLED 구동회로의 동작의 신뢰성을 확보하며, 나아가 OLED 표시장치의 동작의 신뢰성을 확보할 수 있는 OLED 구동회로와 이를 이용한 OLED 표시장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 서로 교차하는 다수의 게이트라인들 및 다수의 데이터라인들, 고전위 전원전압이 공급되고 상기 데이터라인들에 평행하게 배치되는 전원전압공급라인들, 상기 게이트라인들에 평행하게 배치되는 리셋라인들, 상기 전원공급라인들 중 어느 하나로부터의 고전위 전원전압에 의해 발생되는 전류로 발광되는 유기발광다이오드 및 상기 게이트라인들 중 어느 하나로부터의 스캔신호에 응답하여 상기 데이터라인들 중 어느 하나로부터의 데이터전압으로 상기 유기발광다이오드를 구동하고 상기 리셋라인들 중 어느 하나로부터의 리셋신호에 응답하여 초기화되는 유기발광다이오드 구동회로를 각각 포함하는 화소들을 구비하는 화소영역, 상기 게이트라인들에 상기 스캔신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로, 상기 리셋라인들에 상기 리셋신호를 순차적으로 공급하는 리셋신호 구동회로, 상기 데이터라인들에 상기 데이터 전압을 각각 공급하는 데이터 구동회로를 구비하고, 상기 게이트 구동회로 및 상기 리셋신호 구동회로는 상기 게이트라인들, 데이터라인들, 전원전압공급라인들, 리셋라인들 및 상기 화소영역이 형성되는 기판과 동일한 기판 상에 형성된다.
상기 게이트 구동회로는 상기 기판의 일측 상에 형성되고, 상기 리셋신호 구 동회로는 상기 화소영역을 사이에 두고 상기 게이트 구동회로의 반대편 일측 상에 형성된다.
상기 유기발광다이오드 구동회로는 스캔신호에 응답하여 데이터 전압을 제1 노드에 공급하는 제1 트랜지스터, 상기 제1 노드 상의 전압에 의해 유기발광다이오드에 흐르는 전류량을 제어하는 제2 트랜지스터 및 리셋신호에 응답하여 상기 제1 노드를 방전시키는 제3 트랜지스터를 구비한다.
상기 리셋신호는 상기 스캔펄스보다 지연된다.
상기 리셋신호는 상기 스캔펄스보다 1/2 프레임기간 지연된다.
상기 제1 내지 제3 트랜지스터는 비정질 트랜지스터이다.
상기 게이트 구동회로 및 상기 리셋신호 구동회로는 비정질 트랜지스터를 포함한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 5 내지 도 9를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시장치는 n 개의 게이트라인들(G1 내지 Gn : 단, n은 양의 정수)과 m 개의 데이터라인들(D1 내지 Dm : 단, m은 양의 정수)의 교차로 정의된 영역에 n×m 매트릭스 형태로 배열된 n×m 개의 화소(P[i,j])들, 데이터라인들(D1 내지 Dm)과 나란히 배열되어 고전위 전원전압(Vdd)을 각 화소(P[i,j])에 공급하는 m 개의 전원전압공급라인들(S1 내지 Sm), 게 이트라인들(G1 내지 Gn)과 나란히 배열되어 리셋신호를 각 화소(P[i,j])에 공급하는 리셋라인들(R1 내지 Rn), 게이트라인들(G1 내지 Gn)을 구동하는 게이트 구동회로(102) 및 리셋라인들(R1 내지 Rn)을 구동하는 리셋신호 구동회로(106)를 포함하는 구동회로 내장 OLED 패널(103)과 데이터라인들(D1 내지 Dm)을 구동하는 데이터 구동회로(101)를 구비한다. 단, P[i,j]는 i행, j열에 위치한 화소, i는 n보다 작거나 같은 양의 정수, j는 m보다 작거나 같은 양의 정수를 말한다.
게이트 구동회로(102)는 1 수평주기마다 스타트신호를 순차적으로 쉬프트시키는 쉬프트 레지스터를 구비하여 게이트라인들(G1 내지 Gn)에 스캔신호를 순차적으로 공급한다. 이 게이트 구동회로(102)는 비정질 실리콘(a-Si)을 이용한 다수의 트랜지스터들로 구성되며, OLED 패널(103)의 기판 상 일측에 형성된다.
리셋신호 구동회로(106)는 게이트 구동회로(102)와 동일한 구조를 가지며, 게이트 구동회로(102)와는 독립적으로 동작하여 리셋라인들(G1 내지 Gn)에 리셋신호를 순차적으로 공급한다. 이 리셋신호 구동회로(106)는 화소(P[i,j])들로 이루어진 화소영역(108)을 사이에 두고 게이트 구동회로(102)의 반대 편 일측에 형성된다.
이와 같이 OLED 패널(103)에 내장형으로 형성되는 게이트 구동회로(102)와 리셋신호 구동회로(106)는 화소(P[i,j])들 및 신호라인들(게이트라인들, 데이터라인들 등)의 형성시 같이 형성되므로 별도의 공정이 추가되지 않으며, 게이트 드라이브 집적회로가 필요없게 되어 OLED 표시장치의 박막화, 제작 공정의 단순화 및 비용 절감 등의 효과를 가진다. 이러한 게이트 구동회로(102) 및 리셋신호 구동회 로(106)의 구조와 그 동작에 관하여는 이후 설명하기로 한다.
데이터 구동회로(101)는 외부로부터 입력된 디지털 데이터 전압을 아날로그 데이터 전압으로 변환한다. 그리고, 데이터 구동회로(102)는 아날로그 데이터 전압을 스캔신호가 공급될 때마다 데이터라인들(D1 내지 Dm)에 공급하게 된다.
화소(P[i,j])들 각각은 제i 게이트라인(Gi)에 스캔신호가 공급될 때 제j 데이터라인(Dj)으로부터의 데이터 전압을 공급받아 그 데이터 전압에 상응하는 빛을 발생하게 되며, 이와 같은 화소(P[i,j])들로 이루어진 화소영역(108)에 의해 화상이 표시된다.
이를 위하여, 각 화소(P[i,j])들은 제j 전원전압공급라인(Sj)에 양극이 접속된 OLED와, OLED를 구동하기 위하여 OLED의 음극에 접속됨과 아울러 제i 게이트라인(Gi), 제j 데이터라인(Dj) 및 제i 리셋라인(Ri)과 접속되고 저전위 전원전압(Vss)이 공급되는 OLED 구동회로(105)를 구비한다.
제i 행 제j 열의 화소(P[i,j])에 포함된 OLED 구동회로(105)는 제i 게이트라인(Gi)로부터의 스캔신호에 응답하여 제j 데이터라인(Dj)으로부터의 데이터 전압을 제1 노드(N1)에 공급하는 제1 트랜지스터(T1)와, 제1 노드(N1) 상의 전압에 응답하여 OLED에 흐르는 전류량을 제어하는 제2 트랜지스터(T2)와, 제i 리셋라인(Ri)으로부터의 리셋신호에 응답하여 제1 노드(N1)를 방전시키는 제3 트랜지스터(T3)를 구비한다. 이러한 제1 내지 제3 트랜지스터(T1 내지 T3)들은 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다.
이 OLED 구동회로(105)의 구동 파형은 도 6에서 보는 바와 같다. 도 6에서 "1F"는 1 프레임기간, "1H"는 1 수평기간, "Vg_i"는 제i 게이트라인(Gi)으로부터 공급되는 게이트전압, "Psc"는 스캔신호, "Vd_j"는 제j 데이터라인(Dj)으로부터 공급되는 데이터전압, "Vr_i"는 제i 리셋라인(Ri)으로부터 공급되는 리셋전압(Vr_i), "Prs"는 리셋신호, "VN1"은 제1 노드(N1) 상의 전압, "IOLED"는 OLED를 통해 흐르는 전류를 나타낸다.
이 OLED 구동회로(105)의 제1 트랜지스터(T1)는 제i 게이트라인(Gi)을 통해 스캔신호가 공급되면 턴-온되어 제j 데이터라인(Dj)으로부터 공급된 데이터 전압(Vd_j)을 제1 노드(N1)에 공급한다. 제1 노드(N1)에 공급된 데이터 전압(Vd_j)은 제2 트랜지스터(T2)의 게이트단자로 공급된다. 이와 같이 공급되는 데이터 전압(Vd_j)에 의해 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되면, OLED를 통해 전류가 흐르게 된다. 이 때, OLED를 통해 흐르는 전류는 고전위 전원전압(Vdd)에 의해 발생되며, 그 전류량은 제2 트랜지스터(T2)의 게이트전극에 인가되는 데이터 전압(Vd_j)의 크기에 비례한다. 그리고, 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프 되어도 제1 노드(N1) 상에 플로팅(Float)된 데이터 전압에 의해 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온 상태를 유지하게 되며, 제i 리셋라인(Ri)으로부터 공급되는 리셋신호(Prs)에 의해 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온되어 제1 노드(N1)가 방전될 때까지 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온 상태를 유지한다. 이 때, 제i 리셋라인(Ri)으로부터의 리셋신호(Prs)는 프레임기간마다 스캔신호(Psc)에 1/2 프레임기간 지연되어 공급된다.
이와 같이 스캔신호(Psc)와 1/2 프레임기간의 간격을 두고 발생하는 리셋신 호(Prs)에 의해 제3 트랜지스터(T3)를 통한 제1 노드(N1)의 방전이 이루어 짐으로써, 제2 트랜지스터(T2)는 1/2 프레임기간의 구동(Driving) 기간과 1/2 프레임기간 동안의 회복(Recovery) 기간을 가지게 된다. 즉, 도 7에서 보는 바와 같이 1/2 프레임기간의 구동 기간 동안 제2 트랜지스터(T2)에 누적되어 증가하는 게이트-바이어스 스트레스는 회복 기간의 1/2 프레임기간 감소하게 된다.
다시 말해, 구동 기간의 1/2 프레임기간 동안 제2 트랜지스터(T2)에 발생된 특성변화가 회복 기간의 1/2 프레임 기간 동안 회복되므로, 제2 트랜지스터(T2), 즉 OLED 구동 소자의 열화에 의한 특성변화를 방지하여 OLED 구동회로의 동작에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
한편, 스캔신호와 스캔신호의 시간 간격을 1/2 프레임기간으로 설명하였지만 이러한 시간 간격은 조절이 가능하다.
도 8은 위와 같은 스캔신호(Psc)와 리셋신호(Prs)를 공급하기 위한 게이트 구동회로(102) 및 리셋신호 구동회로(106)의 구성을 간략히 나타낸 것이다.
도 8을 참조하면, 게이트 구동회로(102)는 종속적으로 접속된 n 개의 스테이지로 구성되는 쉬프트 레지스터를 포함한다. 이러한 쉬프트 레지스터에서 제1 스테이지에는 제1 스타트신호(Vst1)가 입력되고 제2 내지 제n 스테이지들은 스타트신호로써 이전 단의 출력신호가 입력된다. 또한, 각 스테이지는 동일한 회로구성을 가지며 클럭신호에 응답하여 스타트신호(Vst1) 또는 이전 단의 출력신호를 쉬프트시킴으로써 1 수평기간의 펄스폭을 가지는 스캔신호를 발생한다. 이와 같이 발생하는 스캔신호는 게이트라인들(G1 내지 Gn)에 순차적으로 공급된다.
리셋신호 구동회로(106)는 게이트 구동회로(102)와 동일한 회로구성을 가지며, 제1 스타트신호(Vst1)보다 지연된 타이밍에 발생되는 제2 스타트신호(Vst2)에 의해 스캔신호보다 지연된 리셋신호를 리셋라인들(R1 내지 Rn)에 순차적으로 공급한다. 이와 같이 제1 스타트신호(Vst1)와 제2 스타트신호(Vst2)의 발생 간격의 제어에 의해 위에서 설명한 스캔신호와 리셋신호와의 시간 간격이 조절된다. 즉, OLED 구동 소자의 동작 기간과 회복 기간이 조절된다.
도 8에서는 양 구동회로에 인가되는 클럭신호(CLKs)를 2상으로 예시하고 있으나, 이러한 클럭신호는 4상(CLKs) 또는 그 외 여러 위상의 클럭신호도 가능하며, 양 구동회로에는 같은 클럭신호를 사용할 수도 있고, 각각 독립적인 클럭신호(CLKs)를 사용할 수도 있다.
한편, 본 실시예에서는 각 화소(P[i,j])의 OLED 구동회로(105)가 OLED의 음극에 접속된 구조를 나타내었지만, 이는 선택적 사항이며 도 9에서 보는 바와 같이 OLED 구동회로(107)가 OLED의 양극에 접속되는 구조도 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 유기발광다이오드 구동소자의 열화에 의한 특성 변화를 방지하여 유기발광다이오드 구동회로의 동작의 신뢰성이 확보되며, 아울러 게이트 구동회로 및 리셋신호 구동회로를 유기발광다이오드 패널에 내장함으로써 박막화와 비용 절감에 유리하다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하 는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (11)

  1. 서로 교차하는 다수의 게이트라인들 및 다수의 데이터라인들과;
    고전위 전원전압이 공급되고 상기 데이터라인들에 평행하게 배치되는 전원전압공급라인들과;
    상기 게이트라인들에 평행하게 배치되는 리셋라인들과;
    상기 전원공급라인들 중 어느 하나로부터의 고전위 전원전압에 의해 발생되는 전류로 발광되는 유기발광다이오드 및 상기 게이트라인들 중 어느 하나로부터의 스캔신호에 응답하여 상기 데이터라인들 중 어느 하나로부터의 데이터전압으로 상기 유기발광다이오드를 구동하고 상기 리셋라인들 중 어느 하나로부터의 리셋신호에 응답하여 초기화되는 유기발광다이오드 구동회로를 각각 포함하는 화소들을 구비하는 화소영역과;
    상기 게이트라인들에 상기 스캔신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로와;
    상기 리셋라인들에 상기 리셋신호를 순차적으로 공급하는 리셋신호 구동회로와;
    상기 데이터라인들에 상기 데이터 전압을 각각 공급하는 데이터 구동회로를 구비하고;
    상기 게이트 구동회로 및 상기 리셋신호 구동회로는 상기 게이트라인들, 데이터라인들, 전원전압공급라인들, 리셋라인들 및 상기 화소영역이 형성되는 기판과 동일한 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 구동회로 내장형 유기발광다이오드 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 구동회로는 상기 기판의 일측 상에 형성되고, 상기 리셋신호 구동회로는 상기 화소영역을 사이에 두고 상기 게이트 구동회로의 반대편 일측 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 유기발광다이오드 구동회로는,
    스캔신호에 응답하여 데이터 전압을 제1 노드에 공급하는 제1 트랜지스터와;
    상기 제1 노드 상의 전압에 의해 유기발광다이오드에 흐르는 전류량을 제어하는 제2 트랜지스터와;
    리셋신호에 응답하여 상기 제1 노드를 방전시키는 제3 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 리셋신호는 상기 스캔펄스보다 지연되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 리셋신호는 상기 스캔펄스보다 1/2 프레임기간 지연되는 것을 특징으로하는 유기발광다이오드 표시장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 트랜지스터는 비정질 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 리셋신호는 상기 스캔펄스보다 지연되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 리셋신호는 상기 스캔펄스보다 1/2 프레임기간 지연되는 것을 특징으로하는 유기발광다이오드 표시장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 게이트 구동회로 및 상기 리셋신호 구동회로는 비정질 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  10. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 게이트 구동회로 및 상기 리셋신호 구동회로는 다결정질 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  11. 제 1 항 및 제 8 항에 있어서,
    상기 유기발광다이오드 구동회로는 비정질 트랜지스터럴 포함하고, 상기 게이트 구동회로 및 상기 리셋신호 구동회로는 다결정질 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
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