KR20060127559A - 평판표시소자의 제조장치 및 방법 - Google Patents

평판표시소자의 제조장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20060127559A
KR20060127559A KR1020050048613A KR20050048613A KR20060127559A KR 20060127559 A KR20060127559 A KR 20060127559A KR 1020050048613 A KR1020050048613 A KR 1020050048613A KR 20050048613 A KR20050048613 A KR 20050048613A KR 20060127559 A KR20060127559 A KR 20060127559A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resist
display device
soft mold
thin film
flat panel
Prior art date
Application number
KR1020050048613A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101117987B1 (ko
Inventor
김진욱
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1020050048613A priority Critical patent/KR101117987B1/ko
Priority to CNB2005101322111A priority patent/CN100541335C/zh
Priority to US11/320,210 priority patent/US7753674B2/en
Publication of KR20060127559A publication Critical patent/KR20060127559A/ko
Priority to US12/813,255 priority patent/US8366976B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101117987B1 publication Critical patent/KR101117987B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/026—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing of layered or coated substantially flat surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • B29C2059/023—Microembossing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S425/00—Plastic article or earthenware shaping or treating: apparatus
    • Y10S425/81—Sound record

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

본 발명은 포토공정을 사용하지 않고 소프트 몰드를 이용한 패터닝 공정에 의해 박막을 형성함으로써 평판표시소자의 제조공정을 단순화함과 아울러 소프트 몰드의 수명을 향상시킬 수 있는 평판표시소자의 제조장치 및 방법을 제공하는 것이다.
이 평판표시소자의 제조장치는 기판 상에 순차적으로 형성된 박막층 및 레지스트와; 상기 레지스트를 가압하여 소정의 레지스트 패턴을 형성시키기 위한 소프트 몰드를 구비하고, 상기 레지스트는 다이폴 모멘트(dipole moment,μ) 값이 2(D) 이상이거나, 그의 용해도 파라미터(solubility parameter,δ)값이 6(cal/㎤)1/2보다 작거나 11(cal/㎤)1/2보다 큰 것을 특징으로 한다.

Description

평판표시소자의 제조장치 및 방법{Apparatus and Method for Fabricating Flat Panel Display Device}
도 1은 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자를 나타내는 사시도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 평판표시소자의 제조장치 및 방법을 설명하기 위한 도면.
도 3은 도 2에 도시된 소프트 몰드와 기판의 접촉시 에치 레지스트 용액의 이동을 나타내는 도면.
도 4는 소프트 몰드에 흡수되지 않을 조건을 만족하는 에치레지스트가 형성된 기판을 나타내는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
131 : 기판 133a,150 : 에치 레지스트용액
134 : 소프트 몰드 132a : 박막
132b : 박막 패턴 15 : 액정
19 : 데이터라인 20 : 박막트랜지스터
21 : 화소전극 22 : 컬러필터 기판
본 발명은 평판표시소자에 관한 것으로, 특히 포토공정을 사용하지 않고 패터닝공정을 수행할 수 있는 평판표시소자의 제조방법 및 장치에 관한 것이다.
최근의 정보화 사회에서 표시소자는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 어느 때보다 강조되고 있다. 현재 주류를 이루고 있는 음극선관(Cathode Ray Tube) 또는 브라운관은 무게와 부피가 큰 문제점이 있다.
평판표시소자에는 액정표시소자(Liquid Crystal Display : LCD), 전계 방출 표시소자(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP) 및 전계발광소자(Electroluminescence : EL) 등이 있고 이들 대부분이 실용화되어 시판되고 있다.
액정표시소자는 전자제품의 경박단소 추세를 만족할 수 있고 양산성이 향상되고 있어 많은 응용분야에서 음극선관을 빠른 속도로 대체하고 있다.
특히, 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, "TFT"라 한다)를 이용하여 액정셀을 구동하는 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자는 화질이 우수하고 소비전력이 낮은 장점이 있으며, 최근의 양산기술 확보와 연구개발의 성과로 대형화와 고해상도화로 급속히 발전하고 있다.
이러한 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자는 도 1과 같이 액정층(15)을 사이에 두고 컬러필터 기판(22)과 TFT 어레이 기판(23)이 합착된다. 도 1에 도시된 액정표시소자는 전체 유효화면의 일부를 나타낸 것이다.
컬러필터 기판(22)에는 상부 유리기판(12)의 배면 상에 컬러필터(13) 및 공통전극(14)이 형성된다. 상부 유리기판(12)의 전면 상에는 편광판(11)이 부착된다. 컬러필터(13)는 적(R), 녹(G) 및 청(B) 색의 컬러필터층이 배치되어 특정 파장대역의 빛을 투과시킴으로써 컬러표시를 가능하게 한다. 인접한 색의 컬러필터들(13) 사이에는 도시하지 않은 블랙 매트릭스(Black Matrix)가 형성된다.
TFT 어레이 기판(23)에는 하부 유리기판(16)의 전면에 데이터라인들(19)과 게이트라인들(18)이 상호 교차되며, 그 교차부에 TFT들(20)이 형성된다. 그리고 하부 유리기판(16)의 전면에는 데이터라인(19)과 게이트라인(18) 사이의 셀 영역에 화소전극(21)이 형성된다. TFT(20)는 게이트라인(18)으로부터의 스캐닝신호에 응답하여 데이터라인(19)과 화소전극(21) 사이의 데이터 전송패스를 절환함으로써 화소전극(21)을 구동하게 된다. TFT 어레이 기판(23)의 배면에는 편광판(17)이 부착된다.
액정층(15)은 자신에게 인가된 전계에 의해 TFT 어레이 기판(23)을 경유하여 입사되는 빛의 투과량을 조절한다.
컬러필터 기판(22)과 TFT 기판(23) 상에 부착된 편광판들(11,17)은 어느 한 방향으로 편광된 빛을 투과시키게 되며, 액정(15)이 90°TN 모드일 때 그들의 편광방향은 서로 직교하게 된다.
컬러필터 기판(22)과 어레이 TFT 기판(23)의 액정 대향면들에는 도시하지 않 은 배향막이 형성된다.
액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자를 제조하기 위한 제조공정은 기판 세정, 기판 패터닝 공정, 배향막형성/러빙 공정, 기판합착/액정주입 공정, 실장 공정, 검사 공정, 리페어(Repair) 공정 등으로 나뉘어진다. 기판세정 공정은 액정표시소자의 기판 표면에 오염된 이물질을 세정액으로 제거한다. 기판 패터닝 공정은 컬러필터 기판의 패터닝 공정과 TFT 어레이 기판의 패터닝 공정으로 나뉘어 실시된다. 배향막형성/러빙 공정은 컬러필터 기판과 TFT 어레이 기판 각각에 배향막을 도포하고 그 배향막을 러빙포 등으로 러빙하게 된다. 기판합착/액정주입 공정은 실재(Sealant)를 이용하여 컬러필터 기판과 TFT 어레이기판을 합착하고 액정주입구를 통하여 액정과 스페이서를 주입한 다음, 그 액정주입구를 봉지한다. 실장공정은 게이트 드라이브 집적회로 및 데이터 드라이브 집적회로 등의 집적회로가 실장된 테이프 케리어 패키지(Tape Carrier Package : 이하, "TCP"라 한다)를 기판 상의 패드부에 접속시키게 된다. 이러한 드라이브 집적회로는 전술한 TCP를 이용한 테이프 오토메이티드 본딩(Tape Automated Bonding) 방식 이외에 칩 온 글라스(Chip On Glass ; 이하, "COG"라 한다) 방식 등으로 기판 상에 직접 실장될 수도 있다. 검사 공정은 TFT 어레이 기판에 데이터라인과 게이트라인 등의 신호배선과 화소전극이 형성된 후에 실시되는 전기적 검사와 기판합착/액정주입 공정 후에 실시되는 전기적검사 및 육안검사를 포함한다. 리페어 공정은 검사 공정에 의해 리페어가 가능한 것으로 판정된 기판에 대한 복원을 실시한다. 검사 공정에서 리페어가 불가능한 기판들은 폐기처분된다.
이와 같은 액정표시소자를 포함한 대부분의 평판 표시소자의 제조방법에 있어서, 기판 상에 적층되는 박막 물질은 포토리소그래피(Photorithography) 공정으로 패터닝된다. 포토리소그래피 공정은 일반적으로 포토레지스트(Photoresist)의 도포, 마스크 정렬, 노광, 현상 및 세정을 포함하는 일련의 사진공정이다. 그런데 이러한 포토리소그래피 공정은 공정 소요시간이 길고 포토레지스트물질과 스트립 용액의 낭비가 크며 노광장비 등의 고가 장비가 필요한 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 포토공정을 사용하지 않고 패터닝 공정을 수행하여 제조공정을 단순화할 있는 평판표시소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 패터닝 장치의 수명을 향상시킬 수 있는 평판표시소자의 제조장치 및 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 평판표시소자의 제조장치는 기판 상에 순차적으로 형성된 박막층 및 레지스트와; 상기 레지스트를 가압하여 소정의 레지스트 패턴을 형성시키기 위한 소프트 몰드를 구비하고, 상기 레지스트는 다이폴 모멘트(dipole moment,μ) 값이 2(D) 이상이거나, 그의 용해도 파라미터(solubility parameter,δ)값이 6(cal/㎤)1/2보다 작거나 11(cal/㎤)1/2보다 큰 것을 특징으로 한다.
상기 레지스트는 EGDMA(ethylene glycol dimetharcylate), HPA(hydroxypropyl arcylate) 및 DGDMA(diethylene glycol dimetharcylate) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 EGDMA(ethylene glycol dimetharcylate), HPA(hydroxypropyl arcylate) 및 DGDMA(diethylene glycol dimetharcylate) 중 적어도 어느 하나는 상기 레지스트 전체 조성 중 20~70% 정도를 차지하는 것을 특징으로 한다.
상기 레지스트는 점착용 프로모터 및 실란 커플링 에이전트 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 소프트 몰드는 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 포함하며, 상기 PDMS의 용해도 파라미터 값은 약 7.3(cal/㎤)1/2 정도인 것을 특징으로 한다.
상기 평판표시소자는, 액정표시소자(LCD), 전계 방출 표시소자(FED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 및 전계발광소자(EL) 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 평판표시소자의 제조방법은 기판 상에 박막층을 형성하는 단계와; 상기 박막층 상에 다이폴 모멘트(dipole moment,μ) 값이 2(D) 이상이거나, 그의 용해도 파라미터(solubility parameter,δ)값이 6(cal/㎤)1/2보다 작거나 11(cal/㎤)1/2보다 큰 값을 가지는 레지스트를 형성하는 단계와; 소정의 홈을 가지는 소프트 몰드를 상기 레지스트에 가압하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상 기 레지스트 패턴과 비중첩되는 박막층을 제거하여 박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 2 및 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 평판표시소자의 제조방법은 종래의 포토레지스트 패턴 공정 대신 소프트 몰드(134)를 이용하여 설계자가 원하는 형상의 박막 패턴을 형성할 수 있게 된다.
이러한 소프트 몰드(134)를 이용한 박막 패턴 공정은 박막(132a)이 형성된 기판(131) 상에 에치 레지스트(etch resist) 용액(133a)의 도포공정, 소프트 몰드(134)를 이용한 에치 레지스트층(133)의 패터닝 공정, 박막(132)의 패터닝을 위한 에칭공정, 잔류 에치 레지스트 패턴의 스트립공정, 및 검사공정을 포함한다.
기판(131) 상에 형성된 박막(132a)은 평판표시소자의 어레이에 존재하는 금속패턴, 유기물 패턴 및 무기물 패턴으로 이용되는 기본재료로 공지의 도포공정이나 증착공정에 의해 기판(131) 상에 형성된다.
에치 레지스트 용액(133a)은 액상고분자 전구체 또는 액상 단량체 중 적어도 어느 하나인 메인 수지, 활성제(activator), 개시제(initiator), thermal flow 유도체 등을 포함한다.
이와 같은 물질을 포함하는 에치 레지스트 용액(133a)은 노즐 분사, 스핀코 팅 등의 도포공정에 의해 박막(132a) 상에 도포된다.
소프트 몰드(134)는 탄성이 큰 고무재료 예컨대, 폴리디메틸실록세인(Polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리우레탄(Polyurethane), 크로스 링크드 노볼락 수지(Cross-linked Novolac resin) 등으로 제작되며 기판(131) 상에 잔류시킬 패턴과 대응하는 홈(134a)이 형성된다. 여기서, 홈(134a)과 돌출면(134b)을 가지는 소프트 몰드(134)는 소수성 또는 친수성으로 표면처리된다. 이하, 본 발명에서는 소프트몰드(134)가 소수성인 경우를 상정하여 설명한다.
이 소프트 몰드(134)는 에치 레지스트 용액(133a) 상에 정렬된 후, 박막(132a)과의 접촉이 가능한 정도의 압력 즉, 자신의 자중 정도의 무게만으로 에치 레지스트 용액(133a)에 가압된다.
예를 들어, 소프트 몰드(134)와 유리기판(131) 사이의 압력으로 발생하는 모세관힘(Capillary force)과, 소프트 몰드(134)와 에치 레지스트 용액(132a) 사이의 반발력에 의해 에치 레지스트 용액(133a)이 도 3과 같이 소프트 몰드(134)의 홈(134a) 내로 이동한다. 그 결과, 소프트 몰드(134)의 홈(134a) 패턴과 반전 전사된 패턴 형태로 에치 레지스트 패턴(133b)이 박막(132a) 상에 형성된다. 이후, 소프트 몰드(134)와 기판(131)이 분리된 후, 습식 식각 공정(Wet etching process)이나 건식 식각 공정(Dry etching process)이 실시된다. 이 때 에치 레지스트 패턴(133b)은 마스크로 작용하므로 그 에치 레지스트 패턴(133b)의 하부에 위치한 박막(132a)만이 기판(131) 상에 잔류하고 그 이외의 박막(132a)은 제거된다. 이어서, 에치 레지스트 패턴(134b)은 스트립공정에 의해 제거되고 박막 패턴(132b)에 대한 전기적, 광학적 검사를 통해 박막 패턴(132b)의 쇼트(short), 단선 등이 검사된다.
소프트 몰드(134)는 기판(131)과 분리된 후 자외선(UV)과 오존(O3)으로 세정된 다음, 다른 박막(132a)의 패터닝 공정에 재투입된다.
한편, 이러한 소프트 몰드(134) 및 에치 레지스트 용액(133a)를 이용하여 다수번에 걸쳐 패터닝 공정이 실시되는 경우, 에치 레지스트물질 즉, 액상고분자 전구체물질이 소량 소프트 몰드(134) 내로 흡수되게 된다. 이러한, 흡수량은 공정이 진행됨에 따라 가속화되게 되어 결국 소프트 몰드(134)의 표면이 변형 및 손상되게 된다. 그 결과, 소프트 몰드(134)가 에치 레지스트 용액(133a)을 가압 및 성형한 후 소프트 몰드(134)와 기판(131)이 붙어버리게 되어 심한 경우 소프트 몰드(134) 및 기판(131)을 폐기해야하는 문제가 발생된다.
이러한, 에치 레지스트 용액(133a)의 소프트 몰드(134)로의 흡수는 액상의 레지스트 물질과 몰드재료와의 용해도 파라미터(solubility parameter) 관계를 분석하면 알수 있다.
χ=(δmold -δmold)2 V/RT (χ= Flory-Huggins interaction parameter, δ= solubility parameter, V = molar volume, R=기체상수, T = 절대온도)
수학식 1에서의 χ 값이 작으면 즉, 소프트 몰드(134)의 δ값과 에치 레지스트 용액(133a)의 δ값이 유사하면 서로 잘 섞이게 됨으로써 에치 레지스트 용액(133a)이 소프트 몰드(134) 내로 흡수되게 된다.
따라서, χ 값이 커질수록 소프트 몰드(134)에 에치 레지스트(133a)의 흡수량이 작아지게 됨으로써 소프트 몰드(134)의 손상을 방지할 수 있게 된다.
또는, 소프트 몰드(134)와 에치 레지스트 용액(133a)의 용해도 파라미터가 유사한 값을 가진다고 해도 극성에 따라 소프트 몰드(134)에 영향을 주지 않을 수 있다. 예를 들어, 소프트 몰드(134)가 강한 소수성을 띄게 되면 에치 레지스트 용액(133a)의 극성(예를 들어 친수성)이 높을 수록 영향을 주지 않게 된다.
따라서, 본 발명에서는 소프트 몰드(134)의 수명을 연장시키기 위한 방안으로써 소프트 몰드(134)에 흡수되지 않는 레지스트 물질을 제안한다.
첫째로, 서로 접촉되는 소프트 몰드(134)와 레지스트 물질의 용해도 파라미터 차이를 크게하여 에치 레지스트가 소프트 몰드(134)에 흡수되지 않도록 하는 방안에 대해 살펴본다.
일반적으로 소프트 몰드재료로 사용되는 PDMS의 경우, PDMS의 경화된 상태에서의 용해도 파라미터 값은 약 7.3(cal/㎤)1/2 정도이다. 여기서, 소프트 몰드(134)에 흡수되지 않을 정도의 용해도 파라미터 값은 수학식 2를 만족하여야 한다.
6>δ or δ>11
즉, 레지스트의 용해도 파라미터 값이 수학식 2의 조건을 만족하는 경우 소프트 몰드에 흡수되지 않게 된다.
따라서, 본원발명에서는 용해도 파라미터 값이 수학식 2 를 만족하는 물질들 을 표 1에 제시한다.
재료명 용해도 파라미터(cal/㎤)1/2
EGDMA(ethylene glycol dimetharcylate) 4.48
HPA(hydroxypropyl arcylate) 11.26
DGDMA(diethylene glycol dimetharcylate) 11.02
에치 레지스트 레진용 물질 예를 들어, 접착용 프로모터 또는 실란 커플링 에이전트 등을 포함하는 레진에 표 1에 나타낸 재료 중 적어도 어느 하나가 혼합된 에치 레지스트 물질이 표함된다.
이와 같이, 용해도 파라미터 값이 수학식 2를 만족하는 물질을 포함하는 에치 레지스트 물질을 이용함으로써 박막 패턴시 소프트 몰드로 에치 레지스트가 흡수되는 것을 방지할 수 있게 된다. 그 결과, 소프트 몰드의 손상이 최소화됨으로써 그 만큼 소프트 몰드의 수명을 연장시킬 수 있게 된다.
또한, 표 1에 도시된 재료를 혼합한 레진을 이용하여 오버코트층 또는 패턴 스페이서 형성할 수 있다. 여기서, 표 1에 도시된 재료 중 적어도 어느 하나의 물질이 에치 레지스트에 포함되는 양은 전체 에치 레지스트 물질에 20~70% 정도 함유된다. 그리고, 접착용 프로모터 또는 실란 커플링 에이전트 등의 물질은 전체 에치 레지스트 물질에 약 10% 정도 포함될 수 있다.
두번째로, 레지스트의 용해도 파라미터 값이 6<δ<11 조건에 들어간다고 하여도 레지스트의 다이폴 모멘트(dipole moment,μ)가 2(D)보다 큰 값을 가지는 경우에는 소프트 몰드에 레지스트가 흡수되지 않게 된다.
일반적으로, δ가 9.9 정도를 가지는 용매인 아세톤(acetone), 메틸렌 클로라이드(methylene chloride)가 경화된 PDMS로의 흡수율의 정도는 메틸렌 클로라이드(methylene chloride)의 경우 22% 정도를 나타내고, 아세톤(acetone)의 경우에는 6% 정도의 상대적으로 낮은 흡수율을 나타낸다. 그 이유는 메틸렌 클로라이드(methylene chloride)의 경우 다이폴 모멘트(μ) 값이 1.6D 값을 가지는 반면, 아세톤(acetone)의 경우 다이폴 모멘트(μ) 값이 2.88D 값을 가지기 때문이다. 즉, 동일한 용해도 파라미터를 가지는 물질이라도 다이폴 모멘트(μ) 에 따라 소프트 몰드로의 흡수율이 다름을 알수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 평판표시소자의 제조장치는 박막 패턴 형성을 위한 소프트 몰드(134)의 수명을 연장시키기 위해 소프트 몰드(134)에 흡수되지 않는 물질을 포함하는 에치 레지스트 물질이 이용된다. 그 결과, 다수번의 소프트 몰드(134)를 이용한 패터닝 공정이 수행되더라고 소프트 몰드(134)로의 에치 레지스트의 흡수를 방지할 수 있게 됨으로써 소프트 몰드의 수명을 연장시킬 수 있게 된다.
이하, 본 발명에 따른 에치 레지스트 물질을 이용하여 박막을 형성하는 공정을 설명하면 다음과 같다.
도 4를 참조하면, 기판(131) 상에 박막층(132a)이 형성된 후 용해도 파라미터의 값이 수학식 2를 만족하거나 표 1에 도시된 재료 중 적어도 어느하나의 물질을 포함하는 에치 레지스트 용액(135)이 도포된다. 여기서, 에치 레지스트 용액(150)은 다이폴 모멘트(μ) 값이 2D 이상인 물질을 포함할 수도 있다.
이러한, 에치 레지스트 용액(150)상에 소프트 몰드(134)가 정렬된 후, 에치 레지스트 용액(150)을 가압 성형함으로써 에치 레지스트 패턴이 형성된다. 이하, 공정은 도 2 및 도 3에 도시된 공정과 동일한 과정이 이루어지게 된다.
이와 같이 소프트 몰드(134)를 이용한 패터닝공정에서 소프트 몰드(134)로 흡수되지 않는 에치 레치스트 물질을 이용함으로써 소프트 몰드(134)의 수명을 향상시킬 수 있게 된다.
본 발명에 따른 평판 표시소자의 제조장치 및 그 제조방법은 액정표시소자(LCD), 전계 방출 표시소자(FED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 및 전계발광소자(EL) 등의 평판표시소자의 전극층, 유기물층 및 무기물층 등을 패터닝하기 위한 공정에 적용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 평판표시소자의 방법은 포토공정이 아닌 소프트 몰드 및 에치 레지스트를 이용하여 박막 패턴을 형성함으로써 제조공정이 단순화된다.
또한, 본 발명에서의 평판표시소자의 제조장치 및 그 제조방법은 에치 레지스트는 용해도 파라미터의 값 및 다이폴 모멘트(μ) 값 중 적어도 어느 하나가 소정의 수치(수학식 2 및 μ>2)를 만족하게 된다. 이러한, 에치 레이스트 물질은 소프트 몰드에 흡수되지 않게 됨으로써 소프트 몰드가 손상되지 않게 된다. 그 결과, 소프트 몰드의 수명이 향상된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발 명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (11)

  1. 기판 상에 순차적으로 형성된 박막층 및 레지스트와;
    상기 레지스트를 가압하여 소정의 레지스트 패턴을 형성시키기 위한 소프트 몰드를 구비하고,
    상기 레지스트는
    다이폴 모멘트(dipole moment,μ) 값이 2(D) 이상이거나, 그의 용해도 파라미터(solubility parameter,δ)값이 6(cal/㎤)1/2보다 작거나 11(cal/㎤)1/2보다 큰 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 레지스트는 EGDMA(ethylene glycol dimetharcylate), HPA(hydroxypropyl arcylate) 및 DGDMA(diethylene glycol dimetharcylate) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 EGDMA(ethylene glycol dimetharcylate), HPA(hydroxypropyl arcylate) 및 DGDMA(diethylene glycol dimetharcylate) 중 적어도 어느 하나는 상기 레지스트 전체 조성 중 20~70% 정도를 차지하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 레지스트는
    점착용 프로모터 및 실란 커플링 에이전트 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 소프트 몰드는 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 포함하며,
    상기 PDMS의 용해도 파라미터 값은 약 7.3(cal/㎤)1/2 정도인 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 평판표시소자는,
    액정표시소자(LCD), 전계 방출 표시소자(FED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 및 전계발광소자(EL) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치.
  7. 기판 상에 박막층을 형성하는 단계와;
    상기 박막층 상에 다이폴 모멘트(dipole moment,μ) 값이 2(D) 이상이거나, 그의 용해도 파라미터(solubility parameter,δ)값이 6(cal/㎤)1/2보다 작거나 11(cal/㎤)1/2보다 큰 값을 가지는 레지스트를 형성하는 단계와;
    소정의 홈을 가지는 소프트 몰드를 상기 레지스트에 가압하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 레지스트 패턴과 비중첩되는 박막층을 제거하여 박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 레지스트는 EGDMA(ethylene glycol dimetharcylate), HPA(hydroxypropyl arcylate) 및 DGDMA(diethylene glycol dimetharcylate) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 EGDMA(ethylene glycol dimetharcylate), HPA(hydroxypropyl arcylate) 및 DGDMA(diethylene glycol dimetharcylate) 중 적어도 어느 하나는 상기 레지스트 전체 조성 중 20~70% 정도를 차지하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 레지스트는
    점착용 프로모터 및 실란 커플링 에이전트 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 소프트 몰드는 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 포함하며,
    상기 PDMS의 용해도 파라미터 값은 약 7.3(cal/㎤)1/2 정도인 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법.
KR1020050048613A 2005-06-07 2005-06-07 평판표시소자의 제조장치 및 방법 KR101117987B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050048613A KR101117987B1 (ko) 2005-06-07 2005-06-07 평판표시소자의 제조장치 및 방법
CNB2005101322111A CN100541335C (zh) 2005-06-07 2005-12-22 用于制造平板显示器件的装置和方法
US11/320,210 US7753674B2 (en) 2005-06-07 2005-12-27 Apparatus and method for fabricating flat panel display device
US12/813,255 US8366976B2 (en) 2005-06-07 2010-06-10 Method for fabricating flat panel display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050048613A KR101117987B1 (ko) 2005-06-07 2005-06-07 평판표시소자의 제조장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060127559A true KR20060127559A (ko) 2006-12-13
KR101117987B1 KR101117987B1 (ko) 2012-03-06

Family

ID=37509921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050048613A KR101117987B1 (ko) 2005-06-07 2005-06-07 평판표시소자의 제조장치 및 방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7753674B2 (ko)
KR (1) KR101117987B1 (ko)
CN (1) CN100541335C (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100847824B1 (ko) * 2007-06-27 2008-07-23 엘지디스플레이 주식회사 레지스트 용액 및 이를 이용한 평판표시소자의 제조장치 및방법
KR101336037B1 (ko) * 2006-12-29 2013-12-04 엘지디스플레이 주식회사 레진막 및 이를 이용한 패턴 형성방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101319325B1 (ko) * 2006-12-29 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 패턴의 형성 방법
US20100215794A1 (en) * 2007-09-06 2010-08-26 Entire Technology Co., Ltd. Diffusion film molding tool & manufacturing process thereof
US8101519B2 (en) * 2008-08-14 2012-01-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Mold, manufacturing method of mold, method for forming patterns using mold, and display substrate and display device manufactured by using method for forming patterns
JP4695679B2 (ja) * 2008-08-21 2011-06-08 株式会社東芝 テンプレートの洗浄方法及びパターン形成方法
CN104681743B (zh) * 2013-11-29 2017-02-15 清华大学 有机发光二极管的制备方法
JP6699583B2 (ja) * 2017-02-14 2020-05-27 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物
CN109301093B (zh) * 2018-09-30 2024-06-07 华南理工大学 一种导电可透光钙钛矿量子点薄膜的制备方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2603347B2 (ja) * 1989-12-19 1997-04-23 キヤノン株式会社 情報処理装置及びこれを用いた表示装置
JPH0580530A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5477360A (en) * 1993-04-23 1995-12-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
US5543949A (en) * 1993-08-18 1996-08-06 Kabushiki Kaisha Toshiba LCD polymer orienting film with a dipole moment greater than 20 debye and is bound to the substrate surface through a surface treating agent
US5462700A (en) 1993-11-08 1995-10-31 Alliedsignal Inc. Process for making an array of tapered photopolymerized waveguides
JPH07181439A (ja) * 1993-12-24 1995-07-21 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
US6154265A (en) * 1996-06-18 2000-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and production process thereof
US6020047A (en) * 1996-09-04 2000-02-01 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Polymer films having a printed self-assembling monolayer
US6025449A (en) * 1997-03-05 2000-02-15 Kansai Paint Co., Ltd. Water-soluble acrylic resin, resin composition containing the same for use in water-based coating composition, water-based coating composition and coating method by use of the same
JP3310234B2 (ja) * 1999-02-25 2002-08-05 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置用反射板の製造方法
US6334960B1 (en) * 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
JP2000292938A (ja) * 1999-04-09 2000-10-20 Fujitsu Ltd レジストパターン現像液及び形成方法、並びにそれらを使用して製造されたフォトマスク
US6190929B1 (en) * 1999-07-23 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor devices and methods of forming field emission displays
EP1072954A3 (en) * 1999-07-28 2002-05-22 Lucent Technologies Inc. Lithographic process for device fabrication
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
ATE358594T1 (de) * 1999-10-26 2007-04-15 Tomoegawa Paper Co Ltd Tintenstrahlaufzeichnungsmaterial
KR100542083B1 (ko) * 1999-12-29 2006-01-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 강유전성 액정표시장치 제조방법
JP4082545B2 (ja) * 2000-01-11 2008-04-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー プラズマディスプレイパネル用基板を製造するための装置、成形型及び方法
JP2001281671A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US6897303B2 (en) * 2000-09-13 2005-05-24 Fuji Photo Film Co., Ltd. Process for producing cellulose acylate film
JP2002270541A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd モールド、モールドの製造方法及びパターン形成方法
DE10121571A1 (de) * 2001-04-26 2002-10-31 Lifebits Ag Festphasen-Synthese von Oligomeren
KR100434491B1 (ko) * 2001-08-17 2004-06-05 삼성전자주식회사 레지스트 또는 식각 부산물 제거용 조성물 및 이를 이용한레지스트 제거 방법
US20030044727A1 (en) * 2001-08-24 2003-03-06 Park Lee Soon Method for manufacturing transparent soft mold for forming barrier ribs of PDP and method for forming barrier ribs using the same
KR20030017248A (ko) * 2001-08-24 2003-03-03 주식회사 유피디 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성용 매립형 소프트몰드 제작방법 및 그를 이용한 격벽 형성방법
US6642341B1 (en) * 2002-05-21 2003-11-04 Bayer Corporation Molded articles having improved flex modulus and impact strength and a process for the production thereof
KR100450832B1 (ko) * 2002-07-15 2004-10-12 엘지전자 주식회사 모세관 몰딩법에 의한 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽제조방법 및 그것의 페이스트 조성물
US20040125272A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-01 Chung David B. Flat panel display with polymer memory provided thereon
KR100911421B1 (ko) * 2003-05-16 2009-08-11 엘지디스플레이 주식회사 몰드를 이용한 컬러필터 형성방법과 이를 포함한액정표시장치 제조방법
EP1630605B1 (en) * 2003-06-02 2017-10-11 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition
KR100508337B1 (ko) * 2003-06-27 2005-08-17 한국과학기술원 나노미터 수준으로 패턴화된 고분자 박막의 제조 방법
US20050123850A1 (en) * 2003-12-09 2005-06-09 3M Innovative Properties Company Thermal transfer of light-emitting dendrimers
KR101010431B1 (ko) * 2003-12-27 2011-01-21 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조방법 및 장치
KR101117437B1 (ko) * 2003-12-27 2012-02-29 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조방법 및 장치
KR100625999B1 (ko) * 2004-02-26 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 도너 시트, 상기 도너 시트의 제조방법, 상기 도너 시트를이용한 박막 트랜지스터의 제조방법, 및 상기 도너 시트를이용한 평판 표시장치의 제조방법
KR101024650B1 (ko) * 2004-04-13 2011-03-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
US8025831B2 (en) * 2004-05-24 2011-09-27 Agency For Science, Technology And Research Imprinting of supported and free-standing 3-D micro- or nano-structures
KR101031693B1 (ko) * 2004-06-18 2011-04-29 엘지디스플레이 주식회사 패턴형성용 레지스트 및 이를 이용한 패턴형성방법
ES2393882T3 (es) * 2004-10-06 2012-12-28 Marabu Gmbh & Co. Kg Tinta para impresión por chorro de tinta, curable por radiación
KR101107474B1 (ko) * 2005-06-07 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 소프트몰드와 이를 이용한 패턴방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101336037B1 (ko) * 2006-12-29 2013-12-04 엘지디스플레이 주식회사 레진막 및 이를 이용한 패턴 형성방법
KR100847824B1 (ko) * 2007-06-27 2008-07-23 엘지디스플레이 주식회사 레지스트 용액 및 이를 이용한 평판표시소자의 제조장치 및방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101117987B1 (ko) 2012-03-06
US8366976B2 (en) 2013-02-05
US7753674B2 (en) 2010-07-13
CN1877452A (zh) 2006-12-13
CN100541335C (zh) 2009-09-16
US20100308501A1 (en) 2010-12-09
US20060275674A1 (en) 2006-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101117987B1 (ko) 평판표시소자의 제조장치 및 방법
KR101157966B1 (ko) 액정표시소자의 제조방법
JP4203050B2 (ja) 平板表示素子の製造方法及び装置
KR101117437B1 (ko) 평판표시소자의 제조방법 및 장치
US9997324B2 (en) Apparatus for fabricating flat panel display
KR101308441B1 (ko) 박막 패턴의 제조장치 및 이를 이용한 박막 패턴의제조방법
KR101296638B1 (ko) 박막 패턴의 제조장치 및 방법
KR101308444B1 (ko) 평판표시소자의 제조장치 및 그 제조방법
US7807082B2 (en) Apparatus for fabricating flat panel display device and method for fabricating thereof
KR101010476B1 (ko) 평판표시소자의 제조방법 및 장치
KR101076423B1 (ko) 에치레지스트와 이를 이용한 평판표시소자의 제조방법 및장치
KR101134164B1 (ko) 평판표시소자의 제조장치 및 그 제조방법
KR101192774B1 (ko) 평판표시소자용 소프트 몰드의 제조방법
KR100965424B1 (ko) 평판 표시 소자의 제조방법 및 장치
KR101461028B1 (ko) 평판표시소자의 제조장치 및 그 제조방법
KR20060116394A (ko) 평판표시소자의 제조장치 및 방법
KR101192793B1 (ko) 평판표시소자의 제조장치
KR20060044264A (ko) 평판 표시 소자의 제조방법 및 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150127

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160128

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170116

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190114

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200116

Year of fee payment: 9