KR20060050662A - 연성 구리박 폴리이미드 적층판의 제조 방법 - Google Patents

연성 구리박 폴리이미드 적층판의 제조 방법 Download PDF

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마사히로 우스끼
마꼬또 후지와라
시게히로 호시다
미찌오 아이자와
다다시 아마노
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 두께가 9 ㎛ 이하인 캐리어가 부착된 극박 구리박 상에 폴리아미드산 바니시를 도공한 후, 이것을 반건조시키고, 이어서 폴리이미드 필름을 가열 롤 압축에 의해 적층하고, 가열 처리함으로써 바니시의 잔용매를 제거하며, 폴리아미드산을 이미드화하는 것을 포함하며, 가열 처리를 산소 농도가 2 용적％ 이하인 분위기하에서 수행하고, 폴리아미드산을 이미드화한 후의 폴리이미드 접착층의 두께가 6 ㎛ 이하, 폴리이미드 필름과 폴리이미드 접착층의 합계 두께가 25 ㎛ 이하, 폴리이미드 접착층의 Tg가 400 ℃를 초과하는 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법에 따르면, 적층법에 의한 얇은 부재의 순폴리이미드의 연성 금속박 폴리이미드 적층판의 제조에서도 내절성, 고온 굴곡성이 우수한 연성 금속박 폴리이미드 적층판이 얻어진다.
극박 구리박, 폴리아미드산 바니시, 폴리이미드, 적층판, 연성 금속박

Description

연성 구리박 폴리이미드 적층판의 제조 방법{Preparation of Flexible Copper Foil/Polyimido Laminate}
[문헌 1] 일본 특허 공개 (평)4-340791호 공보
[문헌 2] 일본 특허 공개 (평)8-162734호 공보
[문헌 3] 일본 특허 공개 제2001-102693호 공보
본 발명은 폴리이미드 필름의 한쪽면에 고내열성의 폴리이미드 접착층을 개재시켜 극박(極薄) 구리박을 접합시킨 연성 구리박 폴리이미드 적층판의 제조 방법에 관한 것이다.
휴대 전화나 박형 텔레비전의 수요 증가에 따라, 이들에 사용되는 연성 구리박 폴리이미드 적층판에 있어 해마다 고밀도화에 대한 대응이 강하게 요구되어 왔고, 회로의 정밀 패턴화, 적층판의 박육(薄肉)화가 요구되고 있다. 이를 해결하기 위해, 극박 구리박을 도체층에 이용하여 여러가지 접착제를 개재시켜 폴리이미드 필름과 적층시킨 상기 적층판이 제안되어 있고, 예를 들면 일본 특허 공개 (평)4-340791호 공보에 기재된 나일론/브롬화에폭시/페놀 수지를 주성분으로 한 접착제를 사용한 것, 일본 특허 공개 (평)8-162734호 공보에 기재된 열가소성 폴리이미드를 접착층에 사용한 것, 일본 특허 공개 제2001-102693호 공보에 기재된 에폭시/니트릴 고무계 접착제를 사용한 것 등이 개시되어 있다. 그러나, 이들 극박 구리박을 적층시킨 연성 구리박 폴리이미드 적층판은 접착층이 10 ㎛ 이상이어서 얻어지는 적층판도 두꺼워지기 때문에 적층판의 내절성이나 굴곡성이 열악하고, 또한 접착제의 유리 전이점(이하, Tg)도 300 ℃ 이하로 낮기 때문에 연성 구리박 폴리이미드 적층판의 고온 특성이 열악해진다는 문제가 있었다.
본 발명은 우수한 내열성, 난연성, 굴곡성, 내절성, 전기 특성 등을 갖는 내열성 폴리이미드 수지 필름의 특성을 충분히 살린 얇은 부재의 연성 금속박 폴리이미드 적층판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과 본 발명에 이른 것이며, 본 발명은 극박 구리박의 두께가 9 ㎛ 이하인 캐리어가 부착된 극박 구리박 상에 폴리아미드산 바니시를 도공한 후, 바니시 용매 함량이 바니시 고형분당 30 내지 200 질량％가 되도록 반건조시키고, 이어서 그 위에 폴리이미드 필름을 가열 롤 압축으로 적층하고, 더 가열 처리함으로써 바니시의 잔용매를 제거하고, 폴리아미드산을 이미드화하는 것을 포함하는 연성 구리박 폴리이미드 적층판의 제조 방법에 있어서, 폴리이미드 필름을 적층한 후의 가열 처리를 산소 농도가 2 용적％ 이하인 분위기하에서 수행하고, 폴리아미드산을 이미드화한 후의 폴리이 미드 접착층의 두께가 6 ㎛ 이하이고, 폴리이미드 필름의 두께와 폴리이미드 접착층의 두께의 합계가 25 ㎛ 이하이며, 폴리이미드 접착층의 유리 전이점이 400 ℃를 초과하는 것을 특징으로 하는 연성 금속박 폴리이미드 적층판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 방법에 따르면, 적층법에 의한 얇은 부재의 순폴리이미드의 연성 금속박 폴리이미드 적층판의 제조에 있어서도 내절성, 고온 굴곡성이 우수한 연성 금속박 폴리이미드 적층판이 얻어진다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명에서 사용되는 극박 구리박이란, 전해 도금법에 의해 두께 35 ㎛ 이상의 금속박, 예를 들면 구리나 알루미늄의 금속박을 포함하는 캐리어층 상에, 두께 10 내지 100 Å 정도의 박리층을 개재시켜 두께 9 ㎛ 이하의 전해 구리박이 적층되어 있는 것이다. 캐리어층의 두께는 통상 35 ㎛인 것이 일반적으로 시판되고 있고, 가열 롤 압축으로 적층하는 경우, 극박 구리박과 재질을 하나로 하는 압연 구리박을 캐리어층에 사용하는 것이, 극박 구리박과 캐리어층의 가열시의 열 팽창률의 차가 작기 때문에 가열 롤에 의한 적층시에 극박 구리박이 캐리어층으로부터 부분적으로 박리되지 않아 바람직하다고 할 수 있다. 또한, 극박 구리박의 두께는 9 ㎛ 이하인 것이 사용되지만, 예를 들면 회로폭 및 회로 간격이 60 ㎛ 이하인 정밀 패턴을 형성하는 경우에는, 에칭 후의 최종 잔여물이 적은 5 ㎛ 이하의 구리박이 바람직하다. 이 경우, 극박 구리박의 두께의 가감은 적절하게 선정되지만, 통상 3 ㎛ 이상이다.
또한, 이러한 캐리어가 부착된 극박 구리박으로서는 시판품을 사용할 수 있고, 예를 들면 미쯔이 긴조꾸 고교(주) 제조의 마이크로 씬(Micro Thin) 등을 사용할 수 있다.
본 발명에서는 상기 캐리어가 부착된 극박 구리박의 상기 전해 구리박(극박 구리박) 상에 폴리이미드 접착층을 형성하기 위한 폴리아미드산 바니시를 도공한다.
본 발명에서 접착제로 사용되는 폴리아미드산은 방향족 테트라카르복실산 무수물과 방향족 디아민을 반응시킴으로써 얻은 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 산무수물로서는 테트라카르복실산 무수물 및 그의 유도체 등을 들 수 있다. 또한, 여기서는 테트라카르복실산으로서 예시하지만, 이들의 에스테르화물, 산무수물, 산염화물도 물론 사용할 수 있다. 구체적으로는, 피로멜리트산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산, 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카르복실산, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산, 3,3',4,4'-디페닐메탄테트라카르복실산, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 3,4,9,10-테트라카르복시페릴렌, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 부탄테트라카르복실산, 시클로펜탄테트라카르복실산 등이 있다. 또한, 트리멜리트산 및 그의 유도체 등도 들 수 있다.
추가로, 반응성 관능기를 갖는 화합물로 변성시켜 가교 구조나 사다리 구조 를 도입할 수도 있다.
한편, 본 발명에서 사용되는 디아민으로서는 p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2'-메톡시-4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 디아미노톨루엔, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 1,2-비스(아닐리노)에탄, 디아미노디페닐술폰, 디아미노벤즈아닐리드, 디아미노벤조에이드, 디아미노디페닐술피드, 2,2-비스(p-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(p-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 1,5-디아미노나프탈렌, 디아미노톨루엔, 디아미노벤조트리플루오라이드, 1,4-비스(p-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-p-아미노페녹시비페닐, 디아미노안트라퀴논, 4,4'-비스(3-아미노페녹시페닐)디페닐술폰, 1,3-비스(아닐리노)헥사플루오로프로판, 1,4-비스(아닐리노)옥타플루오로프로판, 1,5-비스(아닐리노)데카플루오로프로판, 1,7-비스(아닐리노)테트라데카플루오로프로판, 2,2-비스[4-(p-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(2-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-3,5-디메틸페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-3,5-디트리플루오로메틸페닐]헥사플루오로프로판, p-비스(4-아미노-2-트리플루오로메틸페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노-2-트리플루오로메틸페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-아미노-3-트리플루오로메틸페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-아미노-2-트리플루오로메틸페녹시)디페닐술폰, 4,4'-비스(4-아미노-5-트리플루오로메틸페녹시)디페닐술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-트리플루오로메틸페녹시)페닐]헥사플루오로프로 판, 벤지딘, 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘, 옥타플루오로벤지딘, 3,3'-메톡시벤지딘, o-트리딘, m-트리딘, 2,2',5,5',6,6'-헥사플루오로트리딘, 4,4''-디아미노테르페닐, 4,4'''-디아미노쿼테르페닐 등의 디아민류, 및 이들 디아민과 포스겐 등의 반응에 의해 얻어지는 디이소시아네이트류, 추가로 디아미노실록산류 등이 있다.
또한, 여기서 사용되는 용매로서는 N-메틸피롤리돈(NMP), 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸술폭시드(DMSO), 황산디메틸, 술포란, 부티로락톤, 크레졸, 페놀, 할로겐화페놀, 시클로헥사논, 디옥산, 테트라히드로푸란, 디글림 등을 들 수 있다.
본 발명에서는 후술하는 적층에 사용되는 폴리이미드 필름과 동일한 화학 구조 및 동등한 특성을 제공하고, 또한 유리 전이점(Tg)>400 ℃인 폴리이미드 접착층을 형성하는 폴리아미드산을 접착제로 사용하기 위해, 산무수물로서 피로멜리트산무수물 또는 3,4,3',4'-비페닐테트라카르복실산무수물, 디아민으로서 4,4'-디아미노디페닐에테르 또는 p-페닐렌디아민의 각각 단독 또는 혼합물로부터 축합되어 이루어지는 폴리아미드산이 바람직하게 사용된다. 축합 반응은 극성 용매로서 DMAc, NMP의 각각 단독액 중, 또는 혼합액 중에서 행하고, 반응 온도 10 ℃ 내지 40 ℃, 반응액의 농도 30 질량％ 이하, 방향족 테트라카르복실산 무수물과 방향족 디아민과의 몰비가 0.95:1.00 내지 1.05:1.00의 범위에서 N2 분위기하에 반응시킨 것이 바람직하고, 원료의 용해 방법 및 첨가 방법에 특별히 한정은 없다.
또한, 본 발명에서는 상기 축합물 등을 사용하여 공중합한 것을 사용하거나, 또는 얻어진 폴리아미드산을 블렌딩하여 사용할 수도 있다. 또한, 여러가지의 특성 개량을 목적으로 무기질, 유기질, 또는 금속 등의 분말, 섬유 등을 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한, 도체의 산화를 방지할 목적으로 산화 방지제 등의 첨가제 또는 접착성의 향상을 목적으로 실란 커플링제를 첨가할 수도 있고, 접착성의 향상 등을 목적으로 2종의 중합체를 블렌딩할 수도 있다.
상기 폴리아미드산 바니시를 극박 구리박 상에 도공하는 경우, 그 두께는 이 폴리아미드산의 이미드화 후의 막 두께가 6 ㎛ 이하, 특히 5 ㎛ 이하가 되도록 캐스트하는 것이 바람직하다. 또한, 막 두께의 하한은 적절하게 선정되지만, 통상 2 ㎛ 이상이다.
상기 폴리아미드산 바니시를 도공한 후, 바니시 용매 함량이 바니시 고정분당 30 내지 200 질량％, 바람직하게는 40 내지 100 질량％가 되도록 반건조시키고, 그 위에 폴리이미드 필름을 가열 롤 압축으로 적층한다. 이 경우, 지나치게 건조하여 상기 바니시 용매 함량이 30 질량％보다 적어지면, 적층에 의한 폴리이미드 필름과의 접착이 불충분해지고, 한편 건조 부족으로 바니시 용매 함량이 200 질량％보다 많으면, 적층시 또는 가열 처리시에 접착층의 발포에 의한 팽창이 발생한다. 또한, 이와 같이 건조하는 경우, 건조 온도는 상기 폴리아미드산의 이미드화가 진행되지 않는 온도인 것이, 건조시의 접착층이 크게 수축되어 구리박과 함께 변형되지 않는다는 점에서 바람직하고, 이 점 때문에 건조 온도는 200 ℃ 이하인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 폴리아미드산 바니시의 반건조 상태에서 적층되는 폴리이미드 필름은 시판되고 있는 것을 사용할 수 있고, 예를 들면 캡톤 V, 캡톤 H, 캡톤 EN(이상, 도레이·듀퐁사 제조), 아피칼 AH, 아비칼 NPI(이상, 가네까 후찌 가가꾸 고교(주) 제조)등을 들 수 있다.
여기서, 본 발명의 연성 구리박 폴리이미드 적층판에서의 폴리이미드층(상기 폴리이미드 접착층 및 폴리이미드 필름)의 두께는 굴곡성, 내절성, 다층화 후의 두께 등으로부터 25 ㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 20 ㎛ 이하이다. 따라서, 폴리이미드 접착층, 폴리이미드 필름의 두께도, 합계로 25 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20 ㎛ 이하가 되는 조합으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 폴리이미드층의 두께의 하한은 10 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 폴리이미드 적층판의 제조 방법에서는 상술한 바와 같이, 상기 폴리아미드산의 이미드화 후의 막 두께가 5 ㎛ 이하가 되도록 캐스트하고, 이미드화가 진행되지 않는 200 ℃ 이하에서, 용매 함량이 30 내지 200 질량％가 될 때까지 건조한 후, 폴리이미드 필름을 가열 롤 압축으로 적층을 행하고, 이것을 용매 건조 및 이미드화를 더 행함으로써, 종래 문제가 된 접착제의 내열성 등 여러가지 특성을 저하시키지 않고, 또한 내절성, 굴곡성이 우수한 순폴리이미드 연성 금속박 적층판을 제조할 수 있다.
또한, 상기 폴리아미드산 바니시를 극박 구리박의 적층면에 도포 건조를 행하는 경우, 장치 및 방법에 특별히 한정은 없고, 도포는 콤마 코터, T 다이, 롤 코터, 나이프 코터, 리버스 코터, 립 코터 등을 사용할 수 있고, 또한 가열 롤 압축의 가열 방법은 롤을 직접 오일이나 스팀 등으로 가열하는 방법을 들 수 있으며, 롤 재질도 카본 스틸 등의 금속 롤이나, 내열성의 불소 고무나 실리콘 고무를 포함하는 고무 롤이 사용된다. 롤 압축 조건에 대해서도 특별히 한정은 없지만, 바람직하게는 폴리아미드산의 용매의 DMAc나 NMP 등의 비점 이하인 100 ℃ 내지 150 ℃에서, 선압은 5 내지 100 kg/cm의 범위에서 행하는 것이 바람직하다.
적층 후의 용매 건조 및 이미드화를 위한 가열 처리 방법에 대해, 폴리이미드 접착층의 잔용매 및 이미드화에서 부생하는 수분은 접합시킨 폴리이미드 필름을 통해 제거되기 때문에, 용매 및 수분이 없어지는 온도와 시간, 통상 160 ℃ 내지 350 ℃에서 3 시간 내지 40 시간 동안 적절하게 행할 수 있다. 또한, 가열 처리에 의해 극박 구리박의 산화 및 극박 구리박과 캐리어층의 사이의 박리층이 열 열화되지 않도록 가열 처리시의 산소 농도는 2 용적％ 이하로 하고, 감압하 또는 질소 분위기하에서 행한다.
또한, 가열 처리의 적층품의 형태는 시트상이거나 롤상일 수도 있고, 롤의 경우, 권취 방향에 대해서도 특별히 한정은 없으며, 구리박을 내측으로 하거나 외측으로 할 수도 있고, 나아가 스페이서를 사이에 끼운 롤상일 수도 있다. 그러나, 본 발명의 방법에서는 잔용매나 수분을 보다 효율적으로 제거하기 위해, 바람직하게는 휘감기를 행하거나, 다른 재질의 스페이서를 사이에 끼운 롤 상태에서의 가열 처리가 행해진다. 이 경우, 사용되는 스페이서는 각 층간에 간극이 되는 것과 같은 구조에서, 또한 가열 처리하는 온도에서도 변질되지 않는 재질인 것이면 특별히 한정되는 것은 아니다.
<실시예>
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1 및 2]
접착제-A
교반기와 적하 깔때기가 부착된 3구 플라스크를 빙수욕 중에 설치하고 질소 가스를 흘렸다. 이 플라스크에 3,3',4,4,-비페닐테트라카르복실산 이무수물 30.0 g과 디메틸아세트아미드(DMAc) 200 g을 첨가하여 30 분간 교반하였다. 이어서, p-페닐렌디아민 10.8 g을 DMAc 200 g에 용해한 용액을 적하 깔때기로부터 15 분 이상에 걸쳐 첨가하였다. 이 혼합물을 10 ℃ 내지 15 ℃에서 2 시간, 25 ℃에서 6 시간 더 교반하여 폴리아미드산을 포함하는 균일한 폴리아미드산 바니시를 얻었다.
접착제-B
닛폴 1072J(닛본제온사 제조, 아크릴로니트릴-부타디엔-고무(NBR)) 100 g, 에피코트 828(재팬 에폭시 레진사 제조, 비스페놀 A형 에폭시 수지) 50 g, 4,4'-디아미노디페닐술폰 7 g을 DMAc에 용해하여 30 ％ 용액으로 하였다.
적층판의 제조
30 cm×25 cm로 절단한 극박 구리박 마이크로 씬(미쯔이 긴조꾸 고교(주) 제조, 극박 구리박 3 ㎛, 캐리어 구리박 35 ㎛)의 적층면 상에 접착제-A를, 이미드화 후의 두께가 하기 표 1에 나타낸 값이 되도록 어플리케이터를 이용하여 도공하고, 청정 오븐 중에서 120 ℃×5 분간 건조를 행하였다. 폴리아미드산층의 잔용매량(바니시 고형분당 바니시 용매 함량)도 표 1에 나타내었다. 이것에 30 cm×25 cm로 절단한 표 1에 나타낸 두께의 폴리이미드 필름(아피칼 NPI)을 중첩하고, 니시무라 마시나리사 제조의 테스트 롤 적층기에서 120 ℃×15 kg/cm×4 m/분으로 적층을 행하였다. 이것을 진공 오븐에서 1 Torr×350 ℃×6 시의 조건으로 가열 처리를 행하였다. 얻어진 적층판의 폴리이미드층 17 ㎛, 캐리어층을 제외한 적층판의 두께는 20 ㎛였다.
유리 전이점 온도 Tg의 측정
실시예 및 비교예에서 사용한 바니시를 유리판 상에 도공하고, 120 ℃×10 분 건조한 후, 유리판으로부터 박리하고, 1 Torr×350 ℃×6 시의 조건으로 이미드화를 행하여 25 ㎛ 두께의 시료를 얻었다. 이 시트의 유리 전이점 온도 Tg를 열 분석계(레오매트릭 사이언스사 제조, 분석 장치명: RSA-III)를 이용하여 측정하였다.
MIT 내절성
JIS C6471에 정해진 회로를 제조하고, 이것에 대해 절곡 반경 0.8 mm, 절곡 속도 175 회/분, 하중 250 g의 조건으로 MD 방향의 내절 횟수를 측정하였다.
IPC 굴곡성
극박 구리박의 캐리어층 및 박리층을 제거한 후, 적층판의 극박 구리박층에, IPC FC241에 정해진 회로 패턴을 제조하고, 극박 구리박을 외측으로 하여 온도 80 ℃, 굴곡 반경 1.5 mm, 굴곡 속도 1,500 회/분, 스트로크 20 mm로 반복하여 굴곡을 행하고, 회로의 저항값이 10 ％를 초과한 횟수 또는 회로가 파단된 횟수를 굴곡 횟수로 하였다.
[비교예 1]
폴리이미드 필름에 아피칼 NPI 50 ㎛를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 행하였다.
[비교예 2]
이미드화후의 접착층을 15 ㎛로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 행하였다.
[비교예 3]
이미드화 후의 접착층을 8 ㎛로 하고, 폴리이미드 필름에 아피칼 NPI 25 ㎛를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 행하였다.
[비교예 4]
접착층에 사용하는 바니시를 바니시 B로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 행하였다.
[비교예 5]
적층 후의 가열 처리를 N2 불활성 오븐 중에서 행하고, 처리시의 산소 농도를 2.3 용적％로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 행하였다.
Figure 112005047121509-PAT00001
본 발명의 방법에 따르면, 적층법에 의한 얇은 부재의 순폴리이미드의 연성 금속박 폴리이미드 적층판의 제조에 있어서도 내절성, 고온 굴곡성이 우수한 연성 금속박 폴리이미드 적층판이 얻어진다.

Claims (1)

  1. 극박(極薄) 구리박의 두께가 9 ㎛ 이하인 캐리어가 부착된 극박 구리박 상에 폴리아미드산 바니시를 도공한 후, 바니시 용매 함량이 바니시 고형분당 30 내지 200 질량％가 되도록 반건조시키고, 이어서 그 위에 폴리이미드 필름을 가열 롤 압축에 의해 적층하고, 더 가열 처리함으로써 바니시의 잔용매를 제거하고, 폴리아미드산을 이미드화하는 것을 포함하며, 폴리이미드 필름을 적층한 후의 가열 처리를 산소 농도가 2 용적％ 이하인 분위기하에서 수행하고, 폴리아미드산을 이미드화한 후의 폴리이미드 접착층의 두께가 6 ㎛ 이하이고, 폴리이미드 필름의 두께와 폴리이미드 접착층의 두께의 합계가 25 ㎛ 이하이며, 폴리이미드 접착층의 유리 전이점이 400 ℃를 초과하는 것을 특징으로 하는 연성 금속박 폴리이미드 적층판의 제조 방법.
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