KR20060023802A - 이미지 센서의 제조 방법 및 이를 이용한 이미지 센서 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이미지 센서의 제조 방법 및 이를 이용한 이미지 센서에 관한 것으로, 특히 이미지 센서의 제조 공정 중에서 금속 등의 물질을 활용하던 광차단 기술을 반도체 공정에서 패키지 기술로 대체하는 이미지 센서의 제조 방법 및 이를 이용한 이미지 센서에 관한 것이다. 본 발명에 따른 이미지 센서는 상면에 수납 프레임을 포함하는 하부 유리, 수납 프레임에 수납되며 수광부를 포함하는 이미지 센서 칩 및 광차단 패턴을 포함하며 이미지 센서 칩 상부에 위치하는 상부 유리를 포함한다. 본 발명에 따르면, 이미지 센서의 제조 공정 중에서 광차단 기술을 패키지 기술로 대체할 수 있으며, 이미지 센서의 수광 지역에 위치한 금속 배선수를 줄임으로써 광감도를 개선할 수 있다.
이미지 센서, 광차단 기술, 패키지, 금속 배선
Description
도 1은 종래 기술에 따른 시모스 이미지 센서의 구성을 도시한 단면도.
도 2는 종래 기술에 따른 시모스 이미지 센서에서 한 픽셀의 평면을 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 패키지 작업이 완료된 이미지 센서의 구성을 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 광차단 패턴의 형성이 완료된 상부 유리의 평면도.
도 5 및 도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 광차단 패턴의 형서이 완료된 상부 유리의 단면도들.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
301 : 상부 유리
303 : 광차단 패턴
307 : 이미지 센서 칩
309 : 수납 프레임
311 : 하부 유리
본 발명은 이미지 센서의 제조 방법 및 이를 이용한 이미지 센서에 관한 것으로 특히 이미지 센서의 제조 공정 중 칼라 공정을 패키지 기술로 대체하는 이미지 센서의 제조 방법 및 이를 이용한 이미지 센서에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학 영상을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자를 말한다. 이미지 센서의 소자 종류에는 CCD(Charge Coupled Device) 방식의 소자 및 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Silicon) 방식의 소자가 있다. CCD 방식의 소자는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, CMOS 방식의 소자는 제어회로 및 신호 처리 회로를 주변 회로로 사용하는 기술을 이용하여 화소수 만큼의 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
CCD(charge coupled device)는 구동 방식이 복잡하고 전력 소모가 많으며, 마스크 공정 스텝수가 많아서 공정이 복잡하고 시그날 프로세싱 회로를 CCD 칩내에 구현 할 수 없어 원칩(One Chip)화가 곤란하다는 등의 여러 단점이 있는바, 최근에 그러한 단점을 극복하기 위하여 서브-마이크론(sub-micron) CMOS 제조기술을 이용한 CMOS 이미지 센서의 개발이 많이 연구되고 있다. CMOS 이미지 센서는 단위 화소(Pixel) 내에 포토다이오드와 모스트랜지스터를 형성시켜 스위칭 방식으로 차례로 신호를 검출함으로써 이미지를 구현하게 되는데, CMOS 제조 기술을 이용하므로 전력 소모도 적고 마스크 수도 20개 정도로 30∼40개의 마스크가 필요한 CCD 공정에 비해 공정이 매우 단순하며 여러 신호 처리 회로와 원칩화가 가능하여 차세대 이미지센서로 각광을 받고 있다.
칼라 이미지를 구현하기 위한 이미지센서는 외부로부터의 빛을 받아 광전하를 생성 및 축적하는 광감지 부분 상부에 칼라 필터가 어레이되어 있다. 칼라 필터 어레이(CFA : Color Filter Array)는 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 칼라로 이루어지거나, 옐로우(Yellow), 마젠타(Magenta) 및 시안(Cyan)의 3가지 칼라로 이루어진다. 그리고 이미지 센서는 빛을 감지하는 광감지 부분과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화 하는 로직 회로 부분으로 구성되어 있는 바, 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지 센서 소자에서 광감지 부분의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있지만, 근본적으로 로직 회로 부분을 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적하에서 이러한 노력에는 한계가 있다. 따라서 광감도를 높여주기 위하여 광감지 부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지 부분으로 모아주는 집광기술이 등장하였는데, 이러한 집광을 위하여 이미지센서는 칼리 필터 상에 마이크로렌즈를 형성하는 방법을 사용하고 있다. 도 1을 참조하여 이와 같은 칼라 필터와 마이크로렌즈를 포함하여 구성된 시모 스(CMOS) 이미지 센서의 구성을 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 따른 시모스 이미지 센서의 구성을 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 시모스 이미지 센서는 수광부(101), 절연막(103), 금속 배선1(105), 금속간 분리막(107), 금속 배선2(109), 보호 절연막(111), 칼라필터(113) 및 마이크로렌즈(115)를 포함한다. 이러한 구성을 가지는 시모스 이미지 센서는 먼저 반도체 기판위에 빛을 수광하여 광전하를 생성하는 포토다이오드와 같은 수광부(101)가 형성된다. 이후 절연막(103)이 형성된 후, 절연막(103) 상부에 금속 배선1(105), 금속간 분리막(107) 및 금속 배선2(109)가 형성된다. 금속 배선2 이후에도 필요에 따라 금속 배선이 더 형성될 수 있으며, 이러한 금속 배선은 외부로부터 들어오는 빛을 차단함으로써 광전달 효율을 증가시키는 용도로 사용되어지고 있다. 최종 금속 배선이 형성된 이후에, 보호 절연막(111)이 형성된 후, 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 칼라의 칼라 필터(113) 및 마이크로 렌즈(115)가 사진 공정법 또는 염색법 등의 방법으로 형성된다.
도 2는 상기 구성을 가지는 시모스 이미지 센서에서 한 픽셀의 평면을 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 시모스 이미지 센서는 두 부분으로 구분될 수 있으며, 빛을 받아들일 수 있는 수광 지역(201) 및 빛을 차단하는 금속 쉴딩(203)이 그것이다. 시모스 이미지 센서는 수광부(101)에서 수광 지역(201)을 통해 빛을 받아들이며, 금속 배선들을 통해 금속 쉴딩(203)을 형성하여 빛을 차단하게 된다. 이와 같이 금속 쉴딩(203)을 통해 빛을 차단하기 위해서는 금속 배선수가 증가하게 되고, 이에 따라 공정수가 증가하며 자연스럽게 마이크로 렌즈(115)와 수광부(101) 사이의 거리가 멀어짐에 따라 감도가 낮아지는 문제점이 발생한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 이미지 센서를 제조하는 공정 중에서 금속 배선을 이용하던 광차단 기술을 패키지 기술로 대체할 수 있는 이미지 센서 제조 방법 및 이를 이용한 이미지 센서를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 이미지 센서 제조 공정 중에서 광차단 기술을 패키지 기술로 대체하여 이미지 센서의 수광 지역에 위치한 금속 배선수를 줄임으로써 광감도를 개선할 수 있는 이미지 센서 제조 방법 및 이를 이용한 이미지 센서를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 이미지 센서의 수광 지역에 위치한 금속 배선수를 줄임으로써 이미지 센서의 제조 공정을 단순화하여 수율을 향상시킬 수 있는 이미지 센서 제조 방법 및 이를 이용한 이미지 센서를 제공하고자 하는 것이다.
상술한 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면 상면에 수납 프레임을 포함하는 하부 유리, 상기 수납 프레임에 수납되며 수광부를 포함하는 이미지 센서 칩 및 광차단 패턴을 포함하며, 상기 이미지 센서 칩 상부에 위치하는 상부 유리를 포함하는 이미지 센서를 제공할 수 있다.
바람직한 일 실시예에서, 상기 광차단 패턴에는 투광부가 형성되며, 상기 투광부는 상기 수광부의 상부에 위치하는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 이미지 센서 칩은 금속 배선, 칼라 필터 및 마이크로 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 광차단 패턴은 상기 상부 유리 내측 면에서 사진 식각 공정에 의하여 형성되는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 광차단 패턴의 재질은 알루미늄 금속 및 블랙 포토 레지스터 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상부 유리에 광차단 패턴을 형성하는 단계, 수광부, 금속 배선, 칼라 필터 및 마이크로 렌즈를 포함하는 이미지 센서 칩을 생산하는 단계 및 상기 이미지 센서 칩을 하부 유리의 상면에 부착된 수납 프레임에 장착하고, 상기 상부 유리를 상기 하부 유리 상부에 장착하는 단계를 포함하는 이미지 센서 제조 방법을 제공할 수 있다.
바람직한 일 실시예에서, 상기 광차단 패턴에는 투광부가 형성되며, 상기 투광부는 상기 수광부의 상부에 위치하도록, 상기 상부 유리가 상기 하부 유리의 상부에 장착되는 것을 특징으로 한다.
이어서, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 패키지 작업이 완료된 이미지 센서의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 이미지 센서 패키지는 광차단 패턴(303)을 포함하는 상부 유리(301), 이미지 센서 칩(307), 수납 프레임(309) 및 하부 유리(311)를 포함한다. 상부 유리(301) 및 하부 유리(311)는 이미지 센서 패키지에 사용될 유리 기판들이며, 수납 프레임(309)은 이미지 센서 칩(307)을 하부 유리(311)에 수납하기 위한 실리콘 다이(Silicon Die)를 말한다. 본 발명의 특징은 이미지 센서 칩(307)에서 수행되어 오던 광차단 기술을 패키지용 상부 유리(301)의 내측 면에서 수행하여 광차단 패턴(303)을 형성한다는 점에 있다.
본 발명에 따른 이미지 센서를 패키지하기 위해서는 이미지 센서 칩(307) 및 광차단 패턴(303)을 포함하는 상부 유리(301)를 제조하는 과정이 선행되어야 한다. 상부 유리(301)에 광차단 패턴을 형성하는 과정은 도 4 내지 도 6을 참조하여 자세히 설명될 것이며, 상기 이미지 센서 칩(307)의 제조 방법은 도 1을 참조하여 설명한 종래 기술에 의한 이미지 센서 제조 방법과 동일하다. 다만, 본 발명에 따른 이미지 센서 칩(307)의 제조 방법은 광차단을 위해서 사용되는 금속 배선들을 형성할 필요가 없다는 점에서 종래 기술에 의한 이미지 센서 제조 방법과 차이가 있을 뿐이다. 따라서 본 발명에 따른 이미지 센서 칩(307)은 한층 또는 두층만의 금속 배선만을 가져도 된다.
본 발명에 따른 금속 배선수가 줄어든 이미지 센서 칩(307)이 완성되면, 상기 이미지 센서 칩(307)은 하부 유리(301) 상면에 부착된 수납 프레임(309)에 장착된다. 이후 상부 유리(301)의 칼라 패턴(303)이 형성된 면이 이미지 센서 칩(307)과 마주보도록, 이미지 센서 칩(307)이 장착된 하부 유리(311)의 상부에 상부 유리(301)가 장착된다. 이때 이미지 센서 칩(307)과 상부 유리(301) 사이에는 일정한 공간(305)이 존재한다. 여기서 상부 유리(301)는 광차단 패턴(303)에 의하여 투광부가 형성되며, 이 투광부가 상기 이미지 센서 칩(307)의 수광부 상부에 위치하도록 상부 유리(201)는 패키지된다.
도 4 내지 도 6을 참조하여 상부 유리에 광차단 패턴을 형성하는 방법을 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 광차단 패턴의 형성이 완료된 상부 유리의 평면도이며, 도 5는 a를 따라 절단한 상부 유리의 단면도이며, 도 6은 b를 따라 절단한 상부 유리의 단면도이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 상부 유리(301)에 칼라 공정을 수행하는 과정은 기존 반도체 공정에서 적용되던 사진 식각 공정이 그대로 사용된다. 즉 사진 식각 공정을 수행할 때 안착되어질 밑판이 실리콘 웨이퍼인가 유리인가 하는 차이일 뿐이다.
이미지 센서 패키지에 사용될 유리 기판 즉, 상부 유리(301)에 광차단 패턴(303)을 형성하기 위하여 먼저, 상부 유리(301)의 내측 면에 광차단 포토레지스터가 증착된다. 여기서 내측 면이라 함은 이미지 센서 패키지를 완성하는 과정에서 이미지 센서 칩과 마주보는 면을 의미한다. 이때 광차단 포토 레지스터의 재질은 기존에 사용되던 알루미늄 금속이거나 광차단 특성을 가지고 있는 블랙(Black) 포토 레지스터를 포함하여 사진 식각 공정에 사용될 모든 재료가 될 수 있다. 이후 패키지시 이미지 센서 칩의 수광부 상부에 위치할 부분을 사진 공정에 의하여 식각함으로써 광차단 패턴(303)이 형성된다.
상부 유리(301)는 광차단 패턴(303)을 제외한 부분인 투광부를 가지며 후에 패키지시 상기 투광부가 이미지 센서 칩의 수광부 상부에 위치하게 된다. 상부 유리(301)에 이와 같은 광차단 패턴(303)를 형성함으로써 이미지 센서의 제조 과정에서 금속 배선을 이용하던 광차단 기술은 패키지 기술로 대체될 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다.
본 발명에 의하면 이미지 센서를 제조하는 공정 중에서 기존 금속 배선을 이용하던 광차단 기술을 패키지 기술로 대체할 수 있다.
본 발명에 의하면 이미지 센서 제조 공정 중에서 광차단 기술을 패키지 기술로 대체하여 이미지 센서의 수광 지역에 위치한 금속 배선수를 줄임으로써 광감도를 개선하는 효과가 있다.
본 발명에 의하면 이미지 센서의 수광 지역에 위치한 금속 배선수를 줄임으로써 이미지 센서의 제조 공정을 단순화하여 수율을 향상시킬 수 있으며, 이미지 센서의 제조 공정에 있어서 비용 절감의 효과도 기대된다.
Claims (7)
- 상면에 수납 프레임을 포함하는 하부 유리;상기 수납 프레임에 수납되며 수광부를 포함하는 이미지 센서 칩; 및광차단 패턴을 포함하며, 상기 이미지 센서 칩 상부에 위치하는 상부 유리를 포함하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 광차단 패턴에는 투광부가 형성되며, 상기 투광부는 상기 수광부의 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 이미지 센서 칩은 금속 배선, 칼라 필터 및 마이크로 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 광차단 패턴은 상기 상부 유리 내측 면에서 사진 식각 공정에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제4항에 있어서,상기 광차단 패턴의 재질은 알루미늄 금속 및 블랙 포토 레지스터 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 상부 유리에 광차단 패턴을 형성하는 단계;수광부, 금속 배선, 칼라 필터 및 마이크로 렌즈를 포함하는 이미지 센서 칩을 생산하는 단계; 및상기 이미지 센서 칩을 하부 유리의 상면에 부착된 수납 프레임에 장착하고, 상기 상부 유리를 상기 하부 유리 상부에 장착하는 단계를 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 광차단 패턴에는 투광부가 형성되며, 상기 투광부는 상기 수광부의 상부에 위치하도록, 상기 상부 유리가 상기 하부 유리의 상부에 장착되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190013773A (ko) * | 2016-04-28 | 2019-02-11 | 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. | 촬영 모듈 및 그 몰딩 감광 어셈블리, 몰딩 감광 어셈블리의 반제품과 제조 방법 및 전자 기기 |
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| KR100736423B1 (ko) | 2007-07-09 |
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