KR20060019758A - 발광 표시장치와 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 트랜지스터의 영향을 제외한 발광소자만의 특성을 측정할 수 있도록 한 발광 표시장치와 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 발광 표시장치는 기판 상에 형성되며 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 능동 구동방식에 의한 화소회로로부터의 전류에 따라 발광하는 제 1 화소를 가지는 제 1 표시부와, 상기 기판 상에 수동 구동방식에 의해 공급되는 전류에 따라 발광하는 제 2 화소를 가지는 제 2 표시부를 구비한다.
이러한 구성에 의하여, 본 발명은 기판의 더미 영역에 형성된 테스트용 화소부를 이용하여 발광소자만의 특성을 평가함으로써 트랜지스터를 포함하는 화소회로를 가지는 발광 표시장치에서 트랜지스터의 영향을 제외한 발광소자만의 특성을 평가할 수 있다.

Description

발광 표시장치와 그의 제조방법{LIGHT EMITTING DISPLAY AND FABRICATION METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 각 표시용 화소를 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 1에 도시된 각 테스트용 화소를 나타내는 회로도이다.
도 4는 도 1에 도시된 A부분을 나타내는 도면이다.
도 5a 내지 5c는 도 4에 도시된 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면의 제조방법을 단계적으로 나타내는 단면도이다.
도 6a 내지 6c는 도 4에 도시된 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면의 제조방법을 단계적으로 나타내는 다른 형태의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 B부분을 나타내는 도면이다.
도 9a 내지 9c는 도 8에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면의 제조방법을 단계적으로 나타내는 단면도이다.
도 10a 내지 10c는 도 8에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면의 제조방법을 단계적으로 나타내는 다른 형태의 단면도이다.
도 11은 도 8에 도시된 B부분의 다른 형태를 나타내는 도면이다.
도 12는 도 11에 도시된 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절단하여 나타내는 단면도이다.
도 13은 도 1에 도시된 A부분의 다른 형태를 나타내는 도면이다.
도 14는 도 13에 도시된 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 절단하여 나타내는 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 : 기판 120 : 표시부
121 : 표시용 화소 125 : 화소회로
126 : 테스트용 화소부 127 : 테스트용 화소
130 : 주사 구동부 140 : 데이터 구동부
150 : 제 1 전원선 152 : 제 2 전원선
160 : 패드부
본 발명은 발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 트랜지스터의 영향을 제외한 발광소자만의 특성을 측정할 수 있도록 한 발광 표시장치와 그의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각 종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel) 및 발광 표시장치(Light Emitting Display) 등이 있다.
평판 표시장치 중 발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합으로 형광물질을 발광시키는 자발광소자로서, 재료 및 구조에 따라 무기물의 발광층을 포함하는 무기 발광 표시장치와 유기물의 발광층을 포함하는 유기 발광 표시장치로 대별된다. 이러한, 발광 표시장치는 액정 표시장치와 같이 별도의 광원을 필요로 하는 수동형 발광소자에 비하여 음극선관과 같은 빠른 응답속도를 가지는 장점을 갖고 있다.
일반적으로, 발광 표시장치 중 유기 발광 표시장치는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 발광층(Emitting Layer : EML), 전자 수송층(Electron Transport Layer : ETL) 및 정공 수송층(Hole Transport Layer : HTL)을 구비한다. 여기서, 유기 발광 표시장치는 전자 주입층(Electron Injection Layer : EIL)과 정공 주입층(Hole Injection Layer : HIL)을 추가적으로 포함할 수 있다.
이러한, 유기 발광 표시장치는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 전압이 인가되면 캐소드 전극으로부터 발생된 전자가 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 경유하여 발광층(EML)으로 이동하고, 애노드 전극으로부터 발생된 전자가 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 경유하여 발광층으로 이동한다. 그러면, 발광층에서 전자 수송층(ETL)으로부터 공급되어진 전자와 정공 수송층(HTL)으로부터 공급되어진 정공이 재결합함에 의해 빛이 발생한다.
이와 같은, 발광 표시장치는 구동방식에 따라 수동행렬(Passive Matrix : 이 하, "PM"이라 함) 구동방식과 능동행렬(Active Matrix : 이하, "AM"이라 함) 구동방식으로 구분된다.
PM 구동방식의 발광 표시장치는 제 1 전극과 제 2 전극을 서로 직교하도록 단순 매트릭스 형태로 배치되고, 그 제 1 전극과 제 2 전극의 교차 부분에 형성된 화소를 구비한다. PM 구동방식의 발광 표시장치는 주사선이 순차적으로 선택될 때 데이터선의 데이터 신호에 따라 선택된 화소를 발광시킴으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한, PM 구동방식의 발광 표시장치는 제작공정이 단순하여 제조비용이 적게 든다는 장점이 있는 반면에 고해상도와 대면적화가 어렵고 소비전력이 높다는 단점이 있다.
AM 구동방식의 발광 표시장치는 주사선과 데이터선에 의해 정의되는 화소영역에 형성되는 화소와, 적어도 하나의 트랜지스터를 이용하여 각 화소를 발광시키기 위한 화소회로를 구비한다. AM 구동방식의 발광 표시장치는 화소회로의 구동에 의해 각 화소를 독립적으로 발광시킴으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한, AM 구동방식의 발광 표시장치는 PM 구동방식의 발광 표시장치에 비하여 고해상도와 대면적화가 가능하고, 화질 특성이 우수하고 소비전력이 작을 뿐만 아니라 수명이 비교적 길다는 장점이 있다.
이와 같은, 발광 표시장치 중 AM 구동방식의 발광 표시장치는 주사선, 데이터선, 전원선 및 화소회로가 형성된 트랜지스터 어레이 기판을 제작한 후, 각 화소회로의 트랜지스터에 전기적으로 접속되는 발광소자를 형성하게 된다.
한편, AM 구동방식의 발광 표시장치는 구동에 의해 화상을 표시할 경우 암점 이나, 명점, 얼룩 등의 불량 뿐만 아니라 휘도 저하 등의 불량이 발생할 수 있다. 이러한 불량 중 발광소자에 의한 불량은 트랜지스터 어레이 기판에 발광소자가 형성된 이후에 검출할 수 있다. 이에 따라, AM 구동방식의 발광 표시장치의 제조공정 중 트랜지스터 어레이 기판의 특성 및 발광소자의 특성을 구별해서 평가할 필요성이 있다. 그러나, 일반적인 AM 구동방식의 발광 표시장치에서는 트랜지스터 어레이 기판의 특성을 간접적으로 측정할 수 있는 반면에 트랜지스터의 영향을 제외한 발광소자만의 특성을 평가할 수 없는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 트랜지스터의 영향을 제외한 발광소자만의 특성을 측정할 수 있도록 한 발광 표시장치와 그의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 기술적 수단으로써, 본 발명의 제 1 측면은 기판 상에 형성되며 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 능동 구동방식에 의한 화소회로로부터의 전류에 따라 발광하는 제 1 화소를 가지는 제 1 표시부와, 상기 기판 상에 수동 구동방식에 의해 공급되는 전류에 따라 발광하는 제 2 화소를 가지는 제 2 표시부를 구비하는 발광 표시장치를 제공한다.
바람직하게, 상기 제 1 화소는 주사선과 데이터선 및 제 1 전원선에 전기적으로 접속되는 상기 화소회로에 의해 상기 제 1 전원선으로부터 공급되는 전류에 의해 발광하는 발광소자를 구비한다. 또한, 상기 제 2 화소는 더미 전원선과 제 2 전원선에 전기적으로 접속되는 더미 발광소자를 구비한다. 그리고, 상기 제 2 표시부는 테스트용인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2 측면은 기판 상에 형성되며 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 화소회로에 의해 제 1 전원선으로부터 공급되는 전류에 따라 발광하는 화소를 가지는 표시부와, 상기 기판 상에 형성된 상기 표시부의 더미영역에 형성되며 더미 전원선으로부터 공급되는 전류에 따라 발광하는 더미 화소를 가지는 테스트부를 구비하는 발광 표시장치를 제공한다.
바람직하게, 상기 화소는 주사선과 데이터선 및 상기 제 1 전원선에 전기적으로 접속되는 상기 화소회로에 의해 상기 제 1 전원선으로부터 공급되는 전류에 의해 발광하는 발광소자를 구비한다. 또한, 상기 더미 화소는 상기 더미 전원선과 제 2 전원선에 전기적으로 접속되는 더미 발광소자를 구비한다.
본 발명의 제 3 측면은 기판 내의 발광영역에 형성되어 화상을 표시하는 표시부와, 상기 표시부와 동시에 상기 발광영역의 더미 영역에 형성되는 테스트부를 구비하는 발광 표시장치를 제공한다.
바람직하게, 상기 표시부는 상기 기판에 형성되는 주사선과 데이터선 및 제 1 전원선에 전기적으로 접속되는 화소회로와, 상기 화소회로에 의해 상기 데이터선에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류를 상기 제 1 전원선으로부터 공급받아 발광하는 발광소자를 포함하는 화소를 구비한다. 또한, 상기 테스트부는 상기 기판에 형성되는 더미 전원선과 제 2 전원선에 전기적으로 접속되는 더미 발광소자를 포함하는 더미 화소를 구비한다.
본 발명의 제 4 측면은 기판 상의 발광영역에 복수의 주사선과 복수의 데이터선 및 전원선에 의해 정의되며 상기 데이터선의 데이터 신호에 대응되는 전류를 상기 전원선으로부터 출력하는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 화소회로를 형성하는 단계와, 상기 화소회로에 접속되는 애노드 전극와 상기 발광영역의 더미영역에 더미 전원선을 형성하는 단계와, 상기 화소회로에 접속되도록 발광소자와 상기 더미 전원선에 접속되도록 더미 발광소자를 형성하는 단계와, 상기 발광소자 및 더미 발광소자 상에 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
바람직하게, 상기 제조방법은 상기 발광소자 및 더미 발광소자 각각을 분리하기 위한 절연층을 형성하는 단계를 더 포함한다. 또한, 상기 화소회로는 형성하는 단계는 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 버퍼층 상에 상기 적어도 하나의 트랜지스터와 커패시터를 형성하는 단계와, 상기 트랜지스터를 덮도록 보호층을 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 가장 바람직한 실시 예를 첨부된 도 1 내지 도 14를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치는 기판(110)에 위치하는 표시부(120) 및 테스트용 화소부(또는 더미 화소부)(126)를 구비한다. 또한, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치는 주사 구동부(130), 데이터 구동 칩(140), 제 1 전원선(150), 제 2 전원선(152) 및 패드부(160)를 더 구비할 수 있다.
표시부(120)는 복수의 데이터선들(D)과 복수의 주사선들(S) 및 복수의 화소 전원선(VDD)에 의해 정의되며, 발광소자와 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 화소회로를 가지는 복수의 표시용 화소(또는 화소)(121)를 포함한다. 여기서, 표시부(120)는 기판(110) 상의 표시용 화소영역(또는 발광영역)에 형성된다.
테스트용 화소부(126)는 표시부(120)에 인접한 기판(110)의 더미(Dummy) 영역(또는 표시부(120)의 더미영역)에 형성된다. 이러한, 테스트용 화소부(126)는 패드부(160)의 테스트용 전원 공급패드(TPVdd)에 전기적으로 접속되는 테스트용 전원선(또는 더미 전원선)(128)과, 테스트용 전원선(128)과 제 2 전원선(152)에 전기적으로 접속된 캐소드 전극 사이에 형성된 테스트용 발광소자(또는 복수의 더미 발광소자)(LED)를 포함한다. 여기서, 테스트용 화소부(126)는 기판(110) 상의 표시용 화소영역에 독립된 테스트용 화소영역에 형성된다.
주사 구동부(130)는 표시부(120)의 일측에 인접하도록 배치되어 패드부(160)의 제 1 패드들(Ps)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 주사 구동부(130)는 제 1 패드들(Ps)로부터의 주사 제어 신호선에 따라 주사신호를 발생하여 표시부(120)의 주사선들(S)에 순차적으로 공급한다.
데이터 구동부(140)는 데이터선(D)에 전기적으로 접속됨과 동시에 패드부(160)의 제 2 패드들(Pd)에 전기적으로 접속된다. 이때, 데이터 구동부(140)는 칩 온 글라스(Chip On Glass)법, 와이어 본딩법, 플리칩법 및 빔리드법 등에 의해 기판(110) 상에 실장되거나, 기판(110) 상에 직접 형성될 수 있다. 이러한, 데이터 구동부(140)는 제 2 패드들(Pd)로부터 데이터 제어신호 및 데이터 신호를 공급받아 데이터 제어신호에 따라 데이터 신호를 데이터선들(D)에 공급한다.
한편, 데이터 구동부(140)는 기판(110)에 접속되는 도시하지 않은 가요성 인쇄회로(Flexible Printed Circuit) 상에 실장될 수 있다. 이때, 데이터선(D)은 제 2 패드들(Pd)에 전기적으로 접속된다. 이에 따라, 데이터 구동부(140)는 기판(110)의 패드부(160)를 통해 표시부(120)의 데이터선(D)에 전기적으로 접속되어 데이터 신호를 공급한다. 여기서, 데이터 구동부(140)는 가요성 인쇄회로 이외에도 인쇄회로기판(Printed Circuit Board) 위에 실장되는 칩 온 보드(Chip on Board), 필름 상에 직접 실장되는 칩 온 필름(Chip on Film) 또는 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package)에 채용되는 통상적인 필름형 연결소자에 실장될 수 있다.
제 1 전원선(150)은 표시부(120)의 양 측면 및 상측에 인접하도록 패드부(160)를 제외한 기판(110)의 가장자리를 따라 형성된다. 이 제 1 전원선(150)의 양끝단은 패드부(160)의 제 3 패드들(Pvdd)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 1 전원선(150)은 제 3 패드들(Pvdd)을 통해 도시하지 않은 전압 발생부로부터 공급되는 제 1 전원을 각 표시용 화소(121)의 화소 전원선(VDD)에 공급한다.
제 2 전원선(152)은 표시부(120)의 일측에 인접하도록 형성되며, 표시부 (120)의 전면에 형성된 캐소드 전극에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 2 전원선(152)은 패드부(160)의 제 4 패드들(Pvss)로부터 전달되는 제 2 전원을 각 표시용 화소(121)에 공통적으로 공급한다.
도 2는 도 1에 도시된 각 표시용 화소(121)를 나타내는 도면이다.
도 2를 도 1과 결부하면, 각 표시용 화소(121)는 표시용 발광소자(LED) 및 화소회로(125)를 구비한다. 이러한, 각 표시용 화소(121)는 주사선(S)에 인가되는 주사신호에 의해 선택되고, 데이터선(D)에 공급되는 데이터 신호에 상응하는 빛을 발생한다.
표시용 발광소자(LED)의 애노드 전극은 화소회로(125)에 접속되고, 캐소드 전극은 제 2 전원선(152)에 전기적으로 접속된다. 여기서, 표시용 발광소자(LED)는 유기발광소자가 될 수 있다. 유기발광소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 유기물의 발광층(Emitting Layer : EML), 전자 수송층(Electron Transport Layer : ETL) 및 정공 수송층(Hole Transport Layer : HTL)을 포함한다. 또한, 유기발광소자는 전자 주입층(Electron Injection Layer : EIL)과 정공 주입층(Hole Injection Layer : HIL)을 추가적으로 포함할 수 있다. 이러한, 유기발광소자에서 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 전압을 인가하면 캐소드 전극으로부터 발생된 전자는 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층 쪽으로 이동하고, 애노드 전극으로부터 발생된 정공은 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층 쪽으로 이동한다. 이에 따라, 발광층에서는 전자 수송층과 정공 수송층으로부터 공급되어 진 전자와 정공이 충돌하여 재결합함에 의해 빛이 발생하게 된다.
화소회로(125)는 제 1 및 제 2 트랜지스터(M1, M2)와, 커패시터(C)를 구비한다.
제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 주사선(S)에 접속되고, 소스 전극은 데이터선(D)에 접속됨과 아울러 드레인 전극은 제 1 노드(N1)에 접속된다. 이러한, 제 1 트랜지스터(M1)는 주사선(S)에 공급되는 주사신호에 응답하여 데이터선(D)으로부터의 데이터 신호를 제 1 노드(N1)에 공급한다.
제 2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 제 1 트랜지스터(M1)의 드레인 전극과 커패시터(C)가 공통으로 접속된 제 1 노드(N1)에 접속되고, 소스 전극은 화소 전원선(VDD)에 접속됨과 아울러 드레인 전극은 표시용 발광소자(LED)의 애노드 전극에 접속된다. 이러한, 제 2 트랜지스터(M2)는 자신의 게이트 전극에 공급되는 전압에 따라 화소 전원선(VDD)으로부터 표시용 발광소자(LED)에 공급되는 전류를 조절하여 표시용 발광소자(LED)를 발광시키게 된다.
커패시터(C)는 주사선(S)에 선택신호가 공급되는 구간에 제 1 트랜지스터(M1)를 경유하여 제 1 노드(N1) 상에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장한 후, 제 1 트랜지스터(M1)가 오프되면 제 2 트랜지스터(M2)의 온 상태를 한 프레임 동안 유지시키게 된다.
한편, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치에서 각 표시용 화소(121)의 화소회로(125)는 상술한 2개의 트랜지스터(M1, M2) 및 1개의 커패시터(C)에 한정되는 것이 아니라, 적어도 2개의 트랜지스터와 적어도 1개의 커패시터로 구 성될 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 테스트용 화소부(126)의 테스트용 화소(127)를 나타내는 회로도이다.
도 3을 도 1과 결부하면, 테스트용 화소(127)는 복수의 테스트용 전원선(128)과 제 2 전원(VSS) 사이에 형성되는 복수의 테스트용 발광소자(LED)를 구비한다.
각 테스트용 발광소자(LED)의 애노드 전극은 테스트용 전원선(128)에 전기적으로 접속되며, 캐소드 전극은 제 2 전원(VSS)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 각 테스트용 발광소자(LED)는 테스트용 전원 공급패드(TPVdd)로부터 테스트용 전원선(128)을 통해 공급되는 테스트용 전원(Vtest)과 제 2 전원선(152)에 공급되는 제 2 전원간의 전압차에 의해 흐르는 전류에 의해 발광하게 된다.
도 4는 도 1에 도시된 A부분을 나타내는 도면이며, 도 5a 내지 도 5c는 도 4에 도시된 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단면의 제조방법을 단계적으로 나타내는 단면도이다.
도 4 및 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 표시부(120)와 테스트용 화소부(126)의 제조방법을 설명하면 다음과 같다. 이때, 표시부(120)의 제조방법은 각 표시용 화소(121)의 화소회로(125) 중 제 2 트랜지스터(M2) 및 표시용 발광소자(LED)만을 예를 들어 설명하기로 한다. 그리고, 제 1 트랜지스터(M1)의 제조방법은 제 2 트랜지스터(M2)의 제조방법과 동일한 방법으로 형성된다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이 기판(110)의 전면에 버퍼층(210)이 형성된다. 그리고, 표시부(120)에 대응되는 표시용 화소영역에 형성된 버퍼층(210)에는 소정 패턴의 트랜지스터용 반도체층(221)이 형성된다. 이러한, 반도체층(221)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 열처리하여 얻어진 폴리실리콘(polycrystalline silicon)등으로 형성된다. 이때, 아모퍼스-실리콘은 엑시머 레이져(Excimer Laser)를 사용한 라인 빔(Line beam)을 행방향으로 스캔하는 레이져 결정화 공정으로 결정화되어 폴리-실리콘이 된다.
반도체층(221)이 형성된 후, 버퍼층(210) 및 반도체층(221)의 상부에 게이트 절연막(230)이 형성된다. 게이트 절연막(230)은 절연물질, 예를 들면 SiO2 등의 물질로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(230)이 형성된 후, 게이트 절연막(230) 상에 반도체층(221)과 중첩되도록 게이트전극(241)이 형성된다. 게이트전극(241)은 전도체, 예를 들면 Al, MoW, Al/Cu 등으로 형성된다. 게이트전극(241)과 동시에 주사선(S)이 게이트전극(241)과 동일한 물질로 형성된다.
그런 다음, 기판(110) 상에 이온(Ion)을 도핑하여 반도체층(221)의 소스영역(221s)과 드레인영역(221d)에 이온을 도핑하게 된다. 이에 따라, 반도체층(221)에는 소스영역(221s)과 드레인영역(221d) 사이에 채널(221c)이 형성된다.
게이트전극(241)이 형성된 후, 게이트전극(241) 상에 층간 절연물(250)이 형성된다. 이후, 반도체층(221)이 노출되도록 층간 절연물(250) 및 게이트 절연막(230)에 콘택홀(265, 267)이 형성된다.
콘택홀(265, 267)이 형성된 후, 층간 절연물(250) 상에 소정 패턴으로 금속물질의 소스전극(261) 및 드레인전극(263)이 형성된다. 소스전극(261) 및 드레인전극(263)은 콘택홀(265, 267) 각각을 통해 반도체층(221)의 소스영역(221s)과 드레인영역(221d) 각각에 전기적으로 접속된다. 그리고, 소스전극(261) 및 드레인전극(263)과 동시에 데이터선(D) 및 화소 전원선(VDD)이 형성된다. 이와 동시에, 기판(110) 상의 테스트용 화소영역에 형성된 버퍼층(210) 상에는 테스트용 전원선(128)이 소정 간격을 가지도록 형성된다. 이때, 테스트용 전원선(128)은 화소 전원선(VDD)의 형성과 동시에 같은 마스크에 의해 형성된다.
그런 다음, 도 5b에 도시된 바와 같이 표시용 화소영역에 대응되는 기판(110) 상에는 패시베이션층(270)이 형성된다. 이후, 드레인전극(261)이 노출되도록 패시베이션층(270)에 콘택홀(272)이 형성된다. 콘택홀(272)이 형성된 후, 패시베이션층(270)의 상부에 표시용 발광소자(LED)의 애노드 전극으로 사용되는 하부 전극층(280)이 형성된다. 여기서, 하부 전극층(280)은 콘택홀(272)을 통해 드레인전극(221d)과 전기적으로 접속된다.
이어서, 도 5c에 도시된 바와 같이 표시용 화소영역의 하부 전극층(280) 및 패시베이션층(270) 상에는 화소 정의막(285)이 형성됨과 동시에 테스트용 화소영역의 테스트용 전원선(128) 상에는 화소 정의막(285)이 형성된다.
화소 정의막(285)에는 화소영역을 구획하기 위한 개구부가 형성되고, 이 개구부에 표시용 발광소자(LED)가 형성됨과 동시에 테스트용 화소부(126)에 형성된 테스트용 전원선(128) 상에는 테스트용 발광소자(LED)가 형성된다. 이때, 테스트 용 발광소자(LED)는 표시부(120)에 형성되는 표시용 발광소자(LED)의 형성과 동시에 같은 마스크에 의해 형성된다.
그리고, 발광소자(290) 및 테스트용 발광소자(LED) 상에는 발광소자(290) 및 테스트용 발광소자(LED)의 캐소드 전극으로 사용되는 상부 전극층(VSS)이 형성된다. 이때, 상부 전극층(VSS)은 제 2 전원선(152)에 전기적으로 접속된다.
도 6a 내지 도 6c는 도 4에 도시된 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단면의 제조방법을 단계적으로 나타내는 다른 형태의 단면도이다.
도 4 및 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 표시부(120)와 테스트용 화소부(126)의 제조방법을 설명하면 다음과 같다. 이때, 표시부(120)의 제조방법은 각 표시용 화소(121)의 화소회로(125) 중 제 2 트랜지스터(M2) 및 표시용 발광소자(LED)만을 예를 들어 설명하기로 한다. 그리고, 제 1 트랜지스터(M1)의 제조방법은 제 2 트랜지스터(M2)의 제조방법과 동일한 방법으로 형성된다.
먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이 기판(110)의 전면에 버퍼층(210)이 형성된다. 그리고, 기판(110)의 표시용 화소영역에 형성된 버퍼층(210)에는 소정 패턴의 트랜지스터용 반도체층(221)이 형성된다. 이러한, 반도체층(221)은 비정질 실리콘을 열처리하여 얻어진 폴리실리콘 등으로 형성된다. 이때, 아모퍼스-실리콘은 엑시머 레이져를 사용한 라인 빔을 행방향으로 스캔하는 레이져 결정화 공정으로 결정화되어 폴리-실리콘이 된다.
반도체층(221)이 형성된 후, 버퍼층(210) 및 반도체층(221)이 형성된 기판(110) 상에는 게이트 절연막(230)이 형성된다. 게이트 절연막(230)은 절연물질, 예를 들면 SiO2 등의 물질로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(230)이 형성된 후, 게이트 절연막(230) 상에 반도체층(221)과 중첩되도록 게이트전극(241)이 형성된다. 이때, 게이트전극(241)은 전도체, 예를 들면 Al, MoW, Al/Cu 등으로 형성된다. 게이트전극(241)과 동시에 주사선(S)이 게이트전극(241)과 동일한 물질로 형성된다.
그런 다음, 기판(110) 상에 이온(Ion)을 도핑하여 반도체층(221)의 소스영역(221s)과 드레인영역(221d)에 이온을 도핑하게 된다. 이에 따라, 반도체층(221)에는 소스영역(221s)과 드레인영역(221d) 사이에 채널(221c)이 형성된다.
게이트전극(241)이 형성된 후, 게이트전극(241)이 형성된 기판(110) 상에는 층간 절연물(250)이 형성된다. 이후, 반도체층(221)이 노출되도록 층간 절연물(250) 및 게이트 절연막(230)에 콘택홀(265, 267)이 형성된다.
콘택홀(265, 267)이 형성된 후, 층간 절연물(250) 상에 소정 패턴으로 금속물질의 소스전극(261) 및 드레인전극(263)이 형성된다. 소스전극(261) 및 드레인전극(263)은 콘택홀(265, 267) 각각을 통해 반도체층(221)의 소스영역(221s)과 드레인영역(221d) 각각에 전기적으로 접속된다. 그리고, 소스전극(261) 및 드레인전극(263)과 동시에 데이터선(D) 및 화소 전원선(VDD)이 형성된다.
그런 다음, 도 6b에 도시된 바와 같이 기판(110) 상에는 패시베이션층(270)이 형성된다. 이후, 드레인전극(261)이 노출되도록 패시베이션층(270)에 콘택홀 (272)이 형성된다. 콘택홀(272)이 형성된 후, 패시베이션층(270)의 상부에 표시용 발광소자(LED)의 애노드 전극으로 사용되는 하부 전극층(280)이 형성된다. 여기서, 하부 전극층(280)은 콘택홀(272)을 통해 드레인전극(221d)과 전기적으로 접속된다. 이와 동시에, 테스트용 화소영역에 형성된 패시베이션층(270) 상에는 테스트용 전원선(128)이 소정 간격을 가지도록 형성된다. 이때, 테스트용 전원선(128)은 하부 전극층(280)의 형성과 동시에 같은 마스크에 의해 형성된다.
그런 다음, 도 6c에 도시된 바와 같이 하부 전극층(280)과 테스트용 전원선(128) 및 패시베이션층(270) 상에 화소 정의막(285)이 형성된다.
화소 정의막(285)에는 화소영역을 구획하기 위한 개구부가 형성되고, 표시부(120)의 영역에 형성된 개구부에는 표시용 발광소자(LED)가 형성됨과 동시에 테스트용 화소부(126)의 영역에 형성된 개구부에는 테스트용 발광소자(LED)가 형성된다. 이때, 테스트용 발광소자(LED)는 표시부(120)의 표시용 발광소자(LED)의 형성과 동시에 같은 마스크에 의해 형성된다.
그리고, 발광소자(290) 및 테스트용 발광소자(LED) 상에는 발광소자(290) 및 테스트용 발광소자(LED)의 캐소드 전극으로 사용되는 상부 전극층(VSS)이 형성된다. 이때, 상부 전극층(VSS)은 제 2 전원선(152)에 전기적으로 접속된다.
위와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치는 표시부(120)에 주사신호 및 데이터 신호를 공급하여 각 표시용 화소(121)의 표시용 발광소자(LED)를 발광시킴과 동시에 표시부(120)와 독립되는 테스트용 화소부(126)에 테스트용 전원 공급패드(TPVdd)를 통해 테스트용 전원(Vtest)을 공급하여 테스트용 발광소자(LED)를 발광시키게 된다. 이때, 테스트용 발광소자(LED)의 발광 특성은 표시부(120)에 공급되는 테스트 신호와 동일한 테스트용 전원(Vtest)을 테스트용 전원 공급패드(TPVdd)에 공급하여 테스트용 발광소자(LED)에 흐르는 전류를 측정하여 평가하거나, 테스트용 발광소자(LED)의 발광에 따른 암점이나, 명점, 얼룩 등의 불량 뿐만 아니라 휘도 저하 등의 불량을 평가하게 된다.
이에 따라, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치는 테스트용 발광소자(LED)의 발광 특성을 이용하여 표시부(120)에 형성된 표시용 발광소자(LED)의 발광 특성을 평가할 수 있게 된다. 다시 말하여, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치는 테스트용 발광소자(LED)의 발광 특성을 이용하여 표시부(120)에서 트랜지스터의 영향을 제외한 표시용 발광소자(LED)만의 발광특성을 평가할 수 있게 된다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치는 테스트용 화소부(126)를 제외하고는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치와 동일한 구성요소들을 가지게 된다. 이에 따라, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치에서는 테스트용 화소부(126)를 제외한 다른 구성요소들에 대한 설명은 상술한 본 발명의 제 1 실시 예의 설명으로 대신하기로 한다.
도 8은 도 7에 도시된 B부분을 나타내는 도면이며, 도 9a 내지 도 9c는 도 8에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단면의 제조방법을 단계적으로 나타내는 단면도이다.
도 8 및 도 9a 내지 도 9c를 참조하면, 표시부(120)와 테스트용 화소부(126)의 제조방법은 버퍼층(210) 상에 테스트용 전원선(128)이 테스트용 화소부(126)의 전체 영역에 형성되는 것을 제외하고는 도 5a 내지 도 5c에 대한 설명과 동일하게 된다.
이에 따라, 테스트용 화소부(126)의 전영역에 형성되는 테스트용 전원선(128)은 표시부(120)의 화소 전원선(VDD)의 형성과 동시에 같은 마스크에 의해 버퍼층(210) 상에 형성된다. 이로 인하여, 테스트용 화소부(126)의 테스트용 발광소자(LED)는 테스트 공정시 독립적으로 발광되는 것이 아니라 동시에 발광되게 된다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치는 기판(110) 상에 형성되는 테스트용 전원 공급패드(TPVdd)의 수를 감소시킬 수 있다.
도 10a 내지 10c는 도 8에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단하여 나타내는 다른 형태의 단면도이다.
도 8 및 도 10a 내지 10c를 참조하면, 표시부(120)와 테스트용 화소부(126)의 제조방법은 패시베이션층(270) 상에 테스트용 전원선(128)이 테스트용 화소부(126)의 전체 영역에 형성되는 것을 제외하고는 도 6a 내지 6c에 대한 설명과 동일하게 된다.
이에 따라, 테스트용 화소부(126)의 전영역에 형성되는 테스트용 전원선 (128)은 표시부(120)에 형성되는 하부 전극층(280)의 형성과 동시에 같은 마스크에 의해 형성된다. 이로 인하여, 테스트용 화소부(126)의 테스트용 발광소자(LED)는 테스트 공정시 독립적으로 발광되는 것이 아니라 동시에 발광되게 된다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치는 기판(110) 상에 형성되는 테스트용 전원 공급패드(TPVdd)의 수를 감소시킬 수 있다.
위와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치는 표시부(120)에 주사신호 및 데이터 신호를 공급하여 각 표시용 화소(121)의 표시용 발광소자(LED)를 발광시킴과 동시에 표시부(120)와 독립되는 테스트용 화소부(126)에 테스트용 전원 공급패드(TPVdd)를 통해 테스트용 전원(Vtest)을 공급하여 테스트용 발광소자(LED)를 발광시키게 된다. 이때, 테스트용 발광소자(LED)의 발광 특성은 표시부(120)에 공급되는 테스트 신호와 동일한 테스트용 전원(Vtest)을 테스트용 전원 공급패드(TPVdd)에 공급하여 테스트용 발광소자(LED)에 흐르는 전류를 측정하여 평가하거나, 테스트용 발광소자(LED)의 발광에 따른 암점이나, 명점, 얼룩 등의 불량 뿐만 아니라 휘도 저하 등의 불량을 평가하게 된다.
이에 따라, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치는 테스트용 발광소자(LED)의 발광 특성을 이용하여 표시부(120)에 형성된 표시용 발광소자(LED)의 발광 특성을 평가할 수 있게 된다. 다시 말하여, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치는 테스트용 발광소자(LED)의 발광 특성을 이용하여 표시부(120)에서 트랜지스터의 영향을 제외한 표시용 발광소자(LED)만의 발광특성을 평가할 수 있게 된다.
도 11은 도 8에 도시된 B부분의 다른 형태를 나타내는 도면이고, 도 12는 도 11에 도시된 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절단하여 나타내는 단면도이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 발광 표시장치는 제 2 전원(VSS)을 표시부(120)와 테스트용 화소부(126)간에 분리하여 형성하는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 제 2 실시 예와 동일한 구성요소들을 가지게 된다. 이에 따라, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 발광 표시장치에서는 제 2 전원(VSS)을 제외한 다른 구성요소들에 대한 설명은 상술한 본 발명의 제 1 실시 예의 설명으로 대신하기로 한다.
제 2 전원(VSS)은 표시용 제 2 전원(VSS)과 테스트용 제 2 전원(TVSS)을 가지게 된다. 그리고, 기판(110) 상에는 표시용 제 2 전원(VSS)과 전기적으로 접속되는 표시용 제 2 전원 공급패드(PVss) 및 테스트용 제 2 전원(TVSS)과 전기적으로 접속되는 테스트용 제 2 전원 공급패드(TPVss)가 형성된다.
구체적으로, 표시용 제 2 전원(VSS)은 표시부(120)에 대응되는 기판(110)의 표시용 화소영역에만 형성된다. 이러한, 표시용 제 2 전원(VSS)은 표시부(120)의 각 화소(121)에 포함되는 표시용 발광소자(LED)의 캐소드 전극에 전기적으로 접속된다. 이에 따라, 표시용 제 2 전원(VSS)은 표시용 제 2 전원 공급패드(PVss)로부터 공급되는 표시용 제 2 전압을 표시부(120)의 표시용 발광소자(LED)에 공급한다. 그리고, 테스트용 제 2 전원(TVSS)은 테스트용 화소부(126)에 대응되는 기판(110) 의 테스트용 화소영역에만 형성된다. 이러한, 테스트용 제 2 전원(TVSS)은 테스트용 화소부(126)의 테스트용 발광소자(LED)의 캐소드 전극에 전기적으로 접속된다. 이에 따라, 테스트용 제 2 전원(TVSS)은 테스트용 제 2 전원 공급패드(TPVss)로부터 공급되는 테스트용 제 2 전압을 테스트용 화소부(126)의 테스트용 발광소자(LED)에 공급한다.
도 13은 도 1에 도시된 A부분의 다른 형태를 나타내는 도면이고, 도 14는 도 13에 도시된 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 절단하여 나타내는 단면도이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 발광 표시장치는 제 2 전원(VSS) 및 테스트용 전원선(128)을 제외하고는 상술한 본 발명의 실시 예들과 동일한 구성요소들을 가지게 된다. 이에 따라, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 발광 표시장치에서는 제 2 전원(VSS) 및 테스트용 전원선(128)을 제외한 다른 구성요소들에 대한 설명은 상술한 본 발명의 실시 예들의 설명으로 대신하기로 한다.
제 2 전원(VSS)은 표시용 제 2 전원(VSS)과 테스트용 제 2 전원(TVSS)을 가지게 된다. 그리고, 기판(110) 상에는 표시용 제 2 전원(VSS)과 전기적으로 접속되는 표시용 제 2 전원 공급패드(PVss) 및 테스트용 제 2 전원(TVSS)과 전기적으로 접속되는 테스트용 제 2 전원 공급패드(TPVss)가 형성된다.
구체적으로, 표시용 제 2 전원(VSS)은 표시부(120)에 대응되는 기판(110)의 표시용 화소영역에만 형성된다. 이러한, 표시용 제 2 전원(VSS)은 표시부(120)의 각 화소(121)에 포함되는 표시용 발광소자(LED)의 캐소드 전극에 전기적으로 접속된다. 이에 따라, 표시용 제 2 전원(VSS)은 표시용 제 2 전원 공급패드(PVss)로부터 공급되는 제 2 전압을 표시부(120)의 표시용 발광소자(LED)에 공급한다. 그리고, 테스트용 제 2 전원(TVSS)은 테스트용 화소부(126)에 대응되는 기판(110)의 테스트용 화소영역에만 형성된다. 이러한, 테스트용 제 2 전원(TVSS)은 테스트용 화소부(126)의 테스트용 발광소자(LED)의 캐소드 전극에 전기적으로 접속된다. 이에 따라, 테스트용 제 2 전원(TVSS)은 테스트용 제 2 전원 공급패드(TPVss)로부터 공급되는 테스트용 제 2 전압을 테스트용 발광소자(LED)의 캐소드 전극에 공급한다.
테스트용 전원선(128)은 테스트용 화소영역에 형성된 패시베이션층(270) 상에 소정 간격을 가지도록 복수로 형성된다. 즉, 복수의 테스트용 전원선(128)은 테스트용 화소부(126)의 영역에 독립적으로 형성된다. 이때, 테스트용 전원선(128)은 하부 전극층(280)의 형성과 동시에 같은 마스크에 의해 형성된다. 이러한, 복수의 테스트용 전원선(128)은 테스트용 발광소자(LED)의 애노드 전극에 전기적으로 접속된다. 이에 따라, 각 테스트용 전원선(128)은 테스트용 전원 공급패드(TPVdd)로부터 공급되는 테스트용 전원을 발광소자(LED)의 애노드 전극에 공급한다.
상기 발명의 상세한 설명과 도면은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서, 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치와 그의 제조방법은 동일한 기판 내에 트랜지스터를 포함하는 능동 구동방식의 화소들을 가지는 표시부와 수동 구동방식의 화소들을 가지는 테스트용 화소부를 동시에 형성함으로써 기판의 더미 영역에 형성된 테스트용 화소부를 이용하여 발광소자만의 특성을 평가하게 된다. 따라서, 본 발명은 트랜지스터를 포함하는 화소회로를 가지는 발광 표시장치에서 트랜지스터의 영향을 제외한 발광소자만의 특성을 평가할 수 있다.

Claims (25)

  1. 기판 상에 형성되며 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 능동 구동방식에 의한 화소회로로부터의 전류에 따라 발광하는 제 1 화소를 가지는 제 1 표시부와,
    상기 기판 상에 수동 구동방식에 의해 공급되는 전류에 따라 발광하는 제 2 화소를 가지는 제 2 표시부를 구비하는 발광 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 화소는,
    주사선과 데이터선 및 제 1 전원선에 전기적으로 접속되는 상기 화소회로에 의해 상기 제 1 전원선으로부터 공급되는 전류에 의해 발광하는 발광소자를 구비하는 발광 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 화소는,
    더미 전원선과 제 2 전원선에 전기적으로 접속되는 더미 발광소자를 구비하는 발광 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 표시부는 테스트용인 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 더미 전원선은 상기 제 2 표시부에 공통적으로 형성되는 발광 표시장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 더미 전원선은 상기 제 2 표시부에 소정의 간격을 가지도록 복수로 형성되는 발광 표시장치.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 전원선은 상기 제 1 및 제 2 표시부에 공통적으로 형성되는 발광 표시장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 전원선은 상기 제 1 및 제 2 표시부에 독립적으로 형성되는 발광 표시장치.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 화소회로는,
    상기 주사선에 공급되는 주사신호에 제어되며 상기 데이터선의 데이터 신호 를 출력하는 제 1 트랜지스터와,
    상기 제 1 트랜지스터로부터 자신의 게이트전극에 공급되는 전압에 대응되는 전류를 상기 제 1 전원선으로부터 상기 발광소자에 공급하는 제 2 트랜지스터와,
    상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압에 따라 상기 제 1 트랜지스터를 구동하는 커패시터를 구비하는 발광 표시장치.
  10. 기판 상에 형성되며 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 화소회로에 의해 제 1 전원선으로부터 공급되는 전류에 따라 발광하는 화소를 가지는 표시부와,
    상기 기판 상에 형성된 상기 표시부의 더미영역에 형성되며 더미 전원선으로부터 공급되는 전류에 따라 발광하는 더미 화소를 가지는 테스트부를 구비하는 발광 표시장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 화소는 주사선과 데이터선 및 상기 제 1 전원선에 전기적으로 접속되는 상기 화소회로에 의해 상기 제 1 전원선으로부터 공급되는 전류에 의해 발광하는 발광소자를 구비하는 발광 표시장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 더미 화소는 상기 더미 전원선과 제 2 전원선에 전기적으로 접속되는 더미 발광소자를 구비하는 발광 표시장치.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 화소회로는,
    상기 주사선에 공급되는 주사신호에 제어되며 상기 데이터선의 데이터 신호를 출력하는 제 1 트랜지스터와,
    상기 제 1 트랜지스터로부터 자신의 게이트전극에 공급되는 전압에 대응되는 전류를 상기 제 1 전원선으로부터 상기 발광소자에 공급하는 제 2 트랜지스터와,
    상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압에 따라 상기 제 1 트랜지스터를 구동하는 커패시터를 구비하는 발광 표시장치.
  14. 기판 내의 발광영역에 형성되어 화상을 표시하는 표시부와,
    상기 표시부와 동시에 상기 발광영역의 더미 영역에 형성되는 테스트부를 구비하는 발광 표시장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 표시부는,
    상기 기판에 형성되는 주사선과 데이터선 및 제 1 전원선에 전기적으로 접속되는 화소회로와, 상기 화소회로에 의해 상기 데이터선에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류를 상기 제 1 전원선으로부터 공급받아 발광하는 발광소자를 포함하는 화소를 구비하는 발광 표시장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 테스트부는 상기 기판에 형성되는 더미 전원선과 제 2 전원선에 전기적으로 접속되는 더미 발광소자를 포함하는 더미 화소를 구비하는 발광 표시장치.
  17. 기판 상의 발광영역에 복수의 주사선과 복수의 데이터선 및 전원선에 의해 정의되며 상기 데이터선의 데이터 신호에 대응되는 전류를 상기 전원선으로부터 출력하는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 화소회로를 형성하는 단계와,
    상기 화소회로에 접속되는 애노드 전극와 상기 발광영역의 더미영역에 더미 전원선을 형성하는 단계와,
    상기 화소회로에 접속되도록 발광소자와 상기 더미 전원선에 접속되도록 더미 발광소자를 형성하는 단계와,
    상기 발광소자 및 더미 발광소자 상에 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 표시장치의 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 발광소자 및 더미 발광소자 각각을 분리하기 위한 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 표시장치의 제조방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 발광소자 및 더미 발광소자 각각은 상기 절연층에 의해 노출된 개구부에 형성되는 발광 표시장치의 제조방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 더미 전원선을 형성하는 단계는 상기 더미영역에 공통적으로 형성하는 발광 표시장치의 제조방법.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 더미 전원선을 형성하는 단계는 상기 더미영역에 소정 간격을 가지도록 복수로 형성하는 발광 표시장치의 제조방법.
  22. 제 17 항에 있어서,
    상기 화소회로는 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계와,
    상기 버퍼층 상에 상기 적어도 하나의 트랜지스터와 커패시터를 형성하는 단계와,
    상기 트랜지스터를 덮도록 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 표시장치의 제조방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 더미 전원선은 상기 버퍼층 및 보호층 중 어느 하나 상에 형성되는 발광 표시장치의 제조방법.
  24. 제 17 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극은 상기 발광영역 및 상기 더미영역에 공통적으로 형성되는 발광 표시장치의 제조방법.
  25. 제 17 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극은 상기 발광영역 및 상기 더미영역에 분리되도록 형성되는 발광 표시장치의 제조방법.
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