KR20060017213A - 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의접합방법 - Google Patents

언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의접합방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 디스플레이 구동용 칩 및 반도체 칩의 메탈 범프 및 기판의 패드의 접합방법에 있어 동종 혹은 이종 물질간의 접합 시 접합강도 및 전기적 특성향상을 위하여 언더필 수지의 도포 및 경화를 이용한 초음파 접합방법에 대한 것이다.
본 발명에 의한 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법은 (a)기판에 형성된 전도성 패드의 클리닝을 위한 플라즈마 처리 단계; (b)상기 클리닝 처리되어 있는 기판의 패드에 언더필 수지를 디스펜서를 이용하여 도포하는 단계; (c)상기 언더필 수지가 도포되어 있는 기판과 스터드 범프 혹은 플랫 범프가 형성되어 있는 칩을 초음파 헤드를 사용하여 정렬하는 단계; (d)상기 정렬 후 칩 상단에 초음파 헤드를 통한 수평 및 수직하중을 인가하여 범프와 패드간의 변형을 유도하여 직접접합을 유도하는 단계; 및 (e)상기 범프와 패드의 직접접합과 동시에 초음파 에너지를 이용한 언더필 수지의 경화단계;를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 초음파와 언더필 수지를 이용한 접합방법으로 기존의 Au-Au 접합 뿐 아니라 Au-Cr, Au-Al 등의 이종 메탈 접합, Au-ITO 등 전도성 무기물과의 접합이 가능하고 미세 피치의 접합이 가능하게 된다.

Description

언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법{A junction method of a chip bump and a substrate pad using underfill resin and supersonic}
도 1은 본 발명에 의한 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합에 대한 실시예를 도시한 것이다.
도 2는 기판에 언더필 수지를 도포하는 실시예를 도시한 것이다.
도 3은 기판 패드와 칩의 스터드 범프의 변형에 의한 접합과정을 도시한 것이다.
도 4는 기판에 언더필 수지를 도포하는 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 5는 본 발명에 의한 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합에 대한 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 6a와 도 6b는 본 발명에 의한 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합에 대한 또 다른 실시예를 도시한 것이다.
본 발명은 반도체의 초음파 접합방법에 관한 것으로, 특히 디스플레이 구동 용 칩 및 LSI 반도체 칩의 메탈 범프 및 기판의 패드의 접합방법에 있어 동종 혹은 이종 물질간의 접합 시 접합강도 및 전기적 특성향상을 위하여 언더필 수지의 도포 및 경화를 이용한 초음파 접합방법에 대한 것이다.
종래의 반도체 칩의 메탈 범프를 이용한 플립 칩 실장 방법은 크게 3가지 방식이 많이 사용되고 있다.
첫 번째는 열경화성 절연성 수지를 패드가 형성되어 있는 절연성 기판에 도포하고 절연성 기판과 반도체 소자의 위치를 정렬하여 일치시킨 후 하중을 가하여 반도체 소자의 전극 또는 범프와 절연성 기판의 도체 배선을 접촉시켜 전기적인 신호가 인가될 수 있도록 한 후 절연성 수지를 경화시켜서 접합강도를 구현하는 실장 방법이 있다.
두 번째는 절연성 수지시트에 도전성 입자를 삽입되어 있는 도전성 입자 이방성 도전성 접착재를 사용하여 기판의 패드와 반도체 칩의 범프를 정렬시킨 후 범프와 패드사이에 이방성 도전성 접착테이프를 삽입한 후 범프와 패드사이에 가열함과 함께 압력을 가하여 칩에 형성된 범프와 기판의 전극을 접속하는 실장방법으로 테이프 형상으로 되어있는 이방성 도전성 수지의 수지부가 열에 의하여 접합을 가지게 되고 수지부에 포함되어 있는 도전성 입자 중 칩의 범프와 칩의 패드사이에 위치하게 되는 경우 수직압력에 의하여 도전성 입자가 두 전극사이에서 접촉과 동시에 변형되면서 칩의 범프와 기판의 패드를 전기적으로 연결시켜 주는 역할을 하게 된다.
세 번째는 칩에 형성된 범프와 기판의 패드부를 구성하는 메탈귀금속을 초음 파의 수평, 수직하중을 가하면서 직접 메탈-메탈 본딩 방법에 의해 접속하는 실장방법 등이 있다. 이 경우 메탈간의 상호 변형 및 메탈입자(원자)의 상호 확산에 의하여 직접접합이 이루어져 전기적 신호 및 접합력이 구현되게 된다. 이 경우 직접 초음파 접합 후 기판과 칩 사이의 모세관 현상을 이용한사이드 필 방식을 사용하여 언더 필 수지를 도포하여 접합력의 향상 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
첫 번째 방식인 절연수지를 이용한 접합방식의 경우 언더필 수지로 사용하는 수지의 내열성 등의 문제로 가열 온도를 높게 하는 것이 불가능하며 실제로 반도체 범프와 기판 패드간의 접합이 계면사이가 수직 하중에 의하여 강제 접촉만이 이루어져있는 상태로 접촉저항이 매우 높은 단점이 있다.
또한, 언더필 수지가 미리 도포되어 있는 상태로 단순 수직압력으로는 칩의 범프와 전극 패드사이에 존재하는 수지를 완전히 제거하면서 메탈-메탈 접촉을 완벽히 할 수 없다. 이러한 경우 칩의 회로를 정상적으로 동작시키는데 문제가 발생할 가능성이 있으며 접촉부의 저항으로 인하여 소비전력이 증가하는 문제가 발생하게 된다.
또한, 열충격 및 내구성 온도 테스트를 실행하는 경우 칩의 범프와 전극 패드에 존재하는 수지의 영향에 의하여 신뢰성에 문제가 발생할 가능성이 매우 높다.
두 번째 방식인 이방 도전성 수지를 사용하는 경우 실장의 원리가 수지 내 포함되어 있는 도전성 입자에 의하여 반도체 칩의 범프와 기판 패드의 전기적인 신호전달이 가능하게 되는 경우로 이 경우 역시 범프와 패드간의 접촉이 입자의 크기 및 양에 비례하므로 범프와 패드사이에 존재하는 입자의 크기 및 양이 충분하지 않 은 경우 실제 범프와 패드의 접촉면적이 줄어들어 접촉저항이 증가하는 문제가 발생한다.
또한, 최근 반도체 칩의 기능성 강화로 칩 범프의 피치가 20마이크로영역까지 줄어들고 있으므로 범프와 패드사이에 도전성 입자가 균등하게 존재할 확률이 줄어들고 도전성 입자의 크기가 충분히 작아지지 않은 경우나 수지내 고르게 분포하지 못하는 경우 전체적인 실장공정에서 전기적 특성이 불안정할 가능성이 높아진다.
또한, 이중 절연수지 및 이방 도전성 수지에 의한 칩 접착방법을 사용하여 실장하는 방식은 고습도 환경 하에 노출된 후의 각종 신뢰성 시험에서 열화가 현저하여 신뢰성이 떨어지는 문제점을 가지고 있다.
세 번째 방식인 초음파를 사용하여 범프와 패드를 직접 접합하는 방식의 경우 범프와 패드의 직접접합 방식이므로 접합상태는 가장 양호한 상태를 유지하고 있으나 일반적인 공정에서 신뢰성향상을 위하여 본딩 공정 후 사이드 필의 방식을 사용하여 수지를 채우는 방식을 사용하고 있다. 이러한 방식은 칩의 사이즈가 큰 경우나 칩과 기판사이의 간격이 줄어드는 경우 수지의 유입이 균일하게 되지 않아 공기층이 남아 있게 되어 보이드 결함이 발생할 가능성이 높아진다.
이러한 보이드 결함 역시 고온 고습 환경 및 온도 사이클 시험에서 신뢰성 불량의 원인으로 작용하게 되므로 실장의 불량으로 이어질 가능성이 매우 높다. 칩과 기판사이의 간격이 매우 줄어드는 경우 수지의 점도상태에 따라 칩과 기판 사이에 수지의 유입이 불가능하게 되는 경우도 발생할 수 있다. 또한 초음파방식을 이 용한 접합공정의 경우 이 공정의 적용이 가능한 범프 및 패드의 재질이 매우 한정적으로 현재 사용하고 있는 방식은 Au-Au의 접합방식만이 실제 사용가능 한 방식으로 알려져 있다. 그 외 Au-Al 이나 Au-Cr 같이 이종 금속이나 Au-ITO같은 메탈-도전성 무기물간의 접합방식은 불가능한 것으로 알려져 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기판에 언더필 수지를 먼저 도포한 후 반도체 칩의 범프와 기판의 패드를 초음파의 수평 및 수직 하중을 이용하여 기판과 패드를 직접 접합하여 낮은 접촉저항을 통해 전기적 신호 및 접합강도를 확보함과 동시에 언더필 수지를 경화시켜 접합강도와 신뢰성을 확보하는 공정으로 이루어진 접합방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법은 (a)기판에 형성된 전도성 패드의 클리닝을 위한 플라즈마 처리 단계; (b)상기 클리닝 처리되어 있는 기판의 패드에 언더필 수지를 디스펜서를 이용하여 도포하는 단계; (c)상기 언더필 수지가 도포되어 있는 기판과 스터드 범프 혹은 플랫 범프가 형성되어 있는 칩을 초음파 헤드를 사용하여 정렬하는 단계; (d)상기 정렬 후 칩 상단에 초음파 헤드를 통한 수평 및 수직하중을 인가하여 범프와 패드간의 변형을 유도하여 직접접합을 유도하는 단계; 및 (e)상기 범프와 패드의 직접접합과 동시에 초음파 에너지를 이용한 언더필 수지의 경화단계;를 포함함을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법은 (a)기판에 형성된 전도성 패드의 클리닝을 위한 플라즈마 처리 단계; (b)상기 기판과 스터드 범프 혹은 플랫 범프가 형성되어 있는 칩을 초음파 헤드를 사용하여 정렬하는 단계; (c)상기 (b)단계에 의한 정렬 후 언더필 수지를 디스펜서를 이용하여 도포하는 단계; (d)상기 초음파 헤드를 통한 수평 및 수직하중을 인가하여 범프와 패드간의 변형을 유도하여 직접접합을 유도하는 단계; 및 (e)상기 범프와 패드의 직접접합과 동시에 초음파 에너지를 이용한 언더필 수지의 경화단계;를 포함함을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판 패드는 Au, Cr, Al, Sn 중에서 적어도 하나의 물질로 구성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 스터드 범프는 Au, Cr, Al, Sn 중에서 적어도 하나의 물질로 구성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 플랫 범프는 Au, Cr, Al, Sn 중에서 적어도 하나의 물질로 구성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판은 세라믹, hard PCB, 플렉서블 기판, 글래스 중에서 어느 하나임을 특징으로 한다.
또한, 상기 글래스 기판에 형성되는 패드는 ITO, Cr 중에서 적어도 하나의 물질로 형성됨을 특징으로 한다.
또한, 상기 언더필 수지는 수지의 경화온도가 50 - 160℃임을 특징으로 한다.
또한, 상기 언더필 수지의 도포는 디스펜서, 스크린 프린팅 중에서 어느 하나의 방식을 이용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 초음파 헤드는 칩에 가해지는 초음파 주파수를 50 - 150 KHz 영역을 유지하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기(e)단계에서 언더필 수지의 경화방법은 접합공정 중 기판에 열에너지를 인위적으로 인가하여 접합과 동시에 수지의 경화를 유도하는 방법을 이용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기(e)단계에서 언더필 수지의 경화방법은 범프와 패드의 접합 작업 완료 후 열을 인가하여 수지의 경화를 유도하는 방법을 이용하는 것을 특징으로 한다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 의한 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합에 대한 실시예를 도시한 것으로, 기판(1), 기판 패드(2), 언더필 수지(3), 디스플레이 구동용 및 반도체 LSI 칩(5), 칩 패드(전극)(6), 칩 범프(7) 및 초음파 헤드(8)로 이루어진다.
도 1은 동종 혹은 이종 물질간의 접합의 접합강도 및 전기적 특성향상을 위하여 언더필 수지의 도포 및 경화를 이용한 초음파 접합방법의 실시예를 도시한 것으로, 먼저, 기판(1)에 형성된 전도성 패드(2)의 클리닝을 위한 플라즈마 처리를 하고, 상기 클리닝 처리되어 있는 기판 패드(2)에 언더필 수지(3)를 디스펜서를 이용하여 도포한다.
상기 기판의 패드(2)는 Au, Cr, Al, Sn으로 구성되어있다.
상기 언더필 수지(3)가 도포되어 있는 기판(1)과 스터드 범프 혹은 플랫 범프(7)가 형성되어 있는 칩(5)을 초음파 헤드(8)를 사용하여 정렬하고, 정렬된 칩(5) 상단에 초음파 헤드(8)를 통한 수평 및 수직하중을 인가하여 칩 범프(7)와 기판 패드(2)간의 변형을 유도하여 직접접합을 유도한다.
상기 스터드 범프는 Au, Cr, Al, Sn 등으로 구성되어 있으며, 상기 플랫 범프는 Au, Cr, Al, Sn 등으로 구성되어있다.
상기 언더필 수지(3)가 도포된 기판(1)을 칩(5)과 접합하기 위하여 칩 범프(7)와 기판 패드(2)를 정렬한 후 초음파 헤드(8)를 사용하여 칩 전극(6)위에 형성되어 있는 칩 범프(7)와 기판 패드(2)를 접합시킨다.
이 경우 초음파 수평진동 및 수직 하중에 의하여 칩에 형성되어 있는 범프(7)가 변형을 하게 됨과 동시에 접합이 이루어지게 된다. 또한 접합에 인가되는 초음파 에너지에 의하여 기판에 에너지에 상응하는 열에너지가 인가하게 되어 기판의 온도가 상승하게 되고 이 열로서 접합과 동시에 언더필 수지(3)가 경화가 된다.
이 때 사용되는 칩 범프(7)의 형상은 스터드 범프 혹은 플랫 범프의 형상에 상관없으며 칩 범프(7) 및 기판 패드(2)의 접합에 있어서 재료는 메탈 및 도전성 무기물을 포함한다. 대표적인 금속은 Au-Au 이나 Au-Cr, Au-ITO, Au-Al 등이 있을 수 있다.
본 발명에서 기판의 재질은 세라믹 기판, hard PCB, 플렉서블 PCB, 글래스등 모든 기판을 포함한다. 접합 시 방식의 극대화를 위하여 기판(1)에 열에너지를 가 하면서 초음파 방식으로 접합을 실시 할 수도 있다. 또한 방법에 따라 초음파 접합을 먼저 실시하고 후 처리로서 열을 가하여 언더필 수지(3)를 경화시킬 수 있다.
또한, 상기 언더필 수지(3)를 경화시키는 다른 방법으로는 접합공정 중 기판(1)에 열에너지를 인위적으로 인가하여 접합과 동시에 언더필 수지(3)의 경화를 유도하거나, 칩 범프(7)와 기판 패드(2)의 접합 작업 완료 후 열을 인가하여 언더필 수지(3)의 경화를 유도하는 방법을 사용하기도 한다.
도 2는 기판에 언더필 수지를 도포하는 실시예를 도시한 것이다.
먼저 초음파 접합의 용이성을 확보하기 위하여 기판 패드(2) 최상단부의 클리닝을 실시한다. 클리닝 작업은 아르곤이나 질소 플라즈마 처리를 통하여 패드부에 존재하는 유기물 및 산화막을 제거한다.
그리고 나서, 디스펜서(4)를 사용하여 기판 패드(2)에 언더필 수지(3)를 도포한다.
도 3은 기판 패드(2)와 칩의 스터드 범프(7)의 변형에 의한 접합과정을 도시한 것이다.
도 3에 나와 있듯이 초음파의 수평 및 수직 하중에 의하여 범프의 형상이 변하면서 패드와의 직접접합이 이루어지고 변형에 의하여 범프(7)와 패드(2) 사이에 이미 존재하고 있는 언더필 수지(3)는 범프(7)와 패드(2)의 접합면적이 넓어짐에 따라 물리적으로 밀려나게 된다. 이러한 원리로 범프(7)와 패드(2)의 접합부에는 언더필 수지(3)가 존재하지 않게 되기 때문에 낮은 접촉저항을 갖는 이종 패드간의 접합이 가능하게 된다.
도 4는 기판에 언더필 수지를 도포하는 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 4에 나와 있듯이 기판 패드(2) 상에 플라즈마를 이용한 클리닝을 실시하고 요철 형상 또는 플레이트 형상의 범프(7)를 형성한 후 언더필 수지(3)를 디스펜서(4)를 이용하여 도포한다.
도 5는 본 발명에 의한 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합에 대한 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 5는 도 4에 의한 언더필 수지 도포 방법을 이용하여 접합된 실시예로서, 도 5에 도시된 바와 같이 칩 패드(6)에는 범프를 형성하지 않으며 기판 패드(2)에 형성된 범프(7)와 칩 패드(6)의 접합을 초음파헤드(8)를 이용하여 실시한다. 이때 초음파 헤드(8)를 이용하여 초음파 수평 및 수직 하중을 칩의 상단에 인가하며 기판의 패드(2) 위에 형성되어 있는 범프(7)의 변형에 의하여 접합이 이루어진다.
이 때, 범프(7)와 기판 패드(2) 사이에 존재하는 언더필 수지(3)는 초음파 수평, 수직 하중에 의한 범프 변형으로 인하여 접합부에는 잔류수지가 없어지게 되고 초음파 에너지에 의하여 수지 경화가 이루어진다.
발명의 효과를 위하여 초음파 접합 시 기판부에 열에너지를 별도로 가할 수 있으며 초음파 접합 후 수지 경화를 위한 후 열처리를 실시할 수 있다.
도 6a와 도 6b는 본 발명에 의한 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합에 대한 또 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 6a에 도시된 바와 같이 기판 패드(2)와 칩 범프(7)를 수십 마이크로의 간격을 두고 우선 정렬한다.
그리고 나서, 도 6b에 도시된 바와 같이 사이드 필 방법으로 언더필 수지(3)를 충진 시킨 후 초음파 접합 방식을 이용하여 범프와 패드의 접합을 실시한다.
따라서, 초음파 헤드의 수평 수직 하중에 의하여 패드간에 채워진 수지는 밀려나게 되어 패드사이에는 수지가 존재하지 않게 되고 이때 계속되는 초음파의 수직, 수평진동으로 인해 범프의 변형이 발생되며 범프와 패드의 직접접합이 이루어진다. 접합공정 시 초음파에 의한 경화가 발생할 수 있으며 수지 경화를 위하여 기판부를 가열하거나 접합을 실시 한 후 필요 시 언더필 수지의 경화를 위한 열처리를 실시할 수도 있다.
이상으로, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
본 발명에 의하면, 초음파와 언더필 수지를 이용한 접합방법으로 기존의 Au-Au 접합 뿐 아니라 Au-Cr, Au-Al 등의 이종 메탈 접합, Au-ITO 등 전도성 무기물과의 접합이 가능하고 미세 피치의 접합이 가능하게 된다.
또한, 접합 경계면에 수직/수평방향의 초음파 진동으로 인한 언더필 수지의 잔류가능성이 없어서 기판과 칩의 낮은 접촉저항을 확보 할 수 있기 때문에 전기적 특성이 매우 향상 될 뿐 아니라 접합과 동시에 수지를 경화 할 수 있기 때문에 신 뢰성에도 개선된 효과를 가지고 온다.

Claims (12)

  1. 기판위에 에폭시수지를 도포한 후 수지가 도포되어 있는 기판 패드와 디스플레이 구동용 LSI 및 반도체 칩에 형성되어 있는 범프를 정렬한 후 초음파를 이용하여 상기 패드와 범프를 접합하여 언더필 수지를 경화시키는 접합방법에 있어서,
    (a)기판에 형성된 전도성 패드의 클리닝을 위한 플라즈마 처리 단계;
    (b)상기 클리닝 처리되어 있는 기판의 패드에 언더필 수지를 디스펜서를 이용하여 도포하는 단계;
    (c)상기 언더필 수지가 도포되어 있는 기판과 스터드 범프 혹은 플랫 범프가 형성되어 있는 칩을 초음파 헤드를 사용하여 정렬하는 단계;
    (d)상기 정렬 후 칩 상단에 초음파 헤드를 통한 수평 및 수직하중을 인가하여 범프와 패드간의 변형을 유도하여 직접접합을 유도하는 단계; 및
    (e)상기 범프와 패드의 직접접합과 동시에 초음파 에너지를 이용한 언더필 수지의 경화단계;를 포함함을 특징으로 하는 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법.
  2. 기판위에 에폭시수지를 도포한 후 수지가 도포되어 있는 기판 패드와 디스플레이 구동용 LSI 및 반도체 칩에 형성되어 있는 범프를 정렬한 후 초음파를 이용하여 상기 패드와 범프를 접합하여 언더필 수지를 경화시키는 접합방법에 있어서,
    (a)기판에 형성된 전도성 패드의 클리닝을 위한 플라즈마 처리 단계;
    (b)상기 기판과 스터드 범프 혹은 플랫 범프가 형성되어 있는 칩을 초음파 헤드를 사용하여 정렬하는 단계;
    (c)상기 (b)단계에 의해 정렬 후 언더필 수지를 디스펜서를 이용하여 도포하는 단계;
    (d)상기 초음파 헤드를 통한 수평 및 수직하중을 인가하여 범프와 패드간의 변형을 유도하여 직접접합을 유도하는 단계; 및
    (e)상기 범프와 패드의 직접접합과 동시에 초음파 에너지를 이용한 언더필 수지의 경화단계;를 포함함을 특징으로 하는 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판 패드는
    Au, Cr, Al, Sn 중에서 적어도 하나의 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 스터드 범프는
    Au, Cr, Al, Sn 중에서 적어도 하나의 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 플랫 범프는
    Au, Cr, Al, Sn 중에서 적어도 하나의 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 언 더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은
    세라믹, 하드(hard) PCB, 플렉서블 기판, 글래스 중에서 어느 하나임을 특징으로 하는 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 글래스 기판에 형성되는 패드는
    ITO, Cr 중에서 적어도 하나의 물질로 형성됨을 특징으로 하는 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 언더필 수지는
    수지의 경화온도가 50 - 160℃임을 특징으로 하는 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 언더필 수지의 도포는
    디스펜서, 스크린 프린팅 중에서 어느 하나의 방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 초음파 헤드는
    칩에 가해지는 초음파 주파수를 50 - 150 KHz 영역을 유지하는 것을 특징으 로 하는 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기(e)단계에서 언더필 수지의 경화방법은
    접합공정 중 기판에 열에너지를 인위적으로 인가하여 접합과 동시에 수지의 경화를 유도하는 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기(e)단계에서 언더필 수지의 경화방법은
    범프와 패드의 접합 작업 완료 후 열을 인가하여 수지의 경화를 유도하는 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의 접합방법.
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